KR102130648B1 - White organic light emitting device - Google Patents

White organic light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR102130648B1
KR102130648B1 KR1020130114553A KR20130114553A KR102130648B1 KR 102130648 B1 KR102130648 B1 KR 102130648B1 KR 1020130114553 A KR1020130114553 A KR 1020130114553A KR 20130114553 A KR20130114553 A KR 20130114553A KR 102130648 B1 KR102130648 B1 KR 102130648B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
stack
emitting layer
host
Prior art date
Application number
KR1020130114553A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140079273A (en
Inventor
유태선
김화경
최홍석
송재일
한미영
김신한
오혜민
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to DE102013022617.1A priority Critical patent/DE102013022617B3/en
Priority to DE102013112602.2A priority patent/DE102013112602B4/en
Priority to GB1322017.3A priority patent/GB2510690B/en
Priority to US14/109,634 priority patent/US9224967B2/en
Priority to CN201310700545.9A priority patent/CN103872253B/en
Publication of KR20140079273A publication Critical patent/KR20140079273A/en
Priority to US14/949,184 priority patent/US10026915B2/en
Priority to US16/012,267 priority patent/US10418577B2/en
Priority to US16/534,816 priority patent/US10741781B2/en
Priority to KR1020200079965A priority patent/KR102277563B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102130648B1 publication Critical patent/KR102130648B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19Tandem OLEDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90Multiple hosts in the emissive layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 백색 유기 발광 소자를 개시한다. 개시된 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 2 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고, 상기 제 1 스택의 제 1 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고, 상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고, 상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성되고, 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이하게 하며, 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시킬 수 있습니다.
The present invention discloses a white organic light emitting device. The disclosed white organic light-emitting device includes: a first electrode and a second electrode facing each other on a substrate; A first stack in which a hole injection layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer and a first electron transport layer are sequentially stacked between the first electrode and the second electrode; A second stack in which a second hole transport layer, a second emission layer, a third emission layer, a second electron transport layer and an electron injection layer are sequentially stacked between the first stack and the second electrode; A charge generation layer is formed between the first stack and the second stack to adjust the charge balance between the stacks, and the first emission layer of the first stack is formed of a fluorescent blue emission layer having an emission peak of 1-Peak. The second light emitting layer and the third light emitting layer of the second stack have a 2-Peak light emission peak and are formed in contact with each other, and any one of the second light emitting layer and the third light emitting layer is a phosphorescent green light emitting layer or a phosphorescent yellow green light emitting layer. And the other is formed of a phosphorescent red light-emitting layer.
Therefore, in the white organic light emitting device according to the present invention, the light emitting layer of the white organic light emitting device including the first stack and the second stack is formed to have a 3-Peak light emitting peak, and the light emitting layer of the second stack adjacent to the hole transport layer By using the material of the hole transport layer as a host, it is easy to inject holes, and by optimizing the thickness and doping concentration of the light emitting layer of the second stack, power consumption can be improved, and panel efficiency and color reproduction can be improved.

Description

백색 유기 발광 소자{White organic light emitting device}White organic light emitting device

본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로 특히, 효율 및 색 재현율의 특성을 향상시키거나 소비전력을 증가시킬 수 있는 백색 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting device, in particular, to provide a white organic light emitting device that can improve the characteristics of efficiency and color reproduction or increase power consumption.

최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.Recently, as the era of the full-fledged information age, the display field for visually expressing electrical information signals has rapidly developed, and in response to this, various various flat panel display devices having excellent performance of thinning, lightening, and low power consumption ( Flat Display Device) has been developed to rapidly replace the existing cathode ray tube (CRT).

이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a flat panel display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), and an organic light emitting display device (Organic Light Emitting Device: OLED) and the like.

이 중, 별도의 광원을 요구하지 않으며 장치의 컴팩트화 및 선명한 컬러 표시를 위해 유기 발광 표시 장치가 경쟁력 있는 어플리케이션으로 고려되고 있다.Among them, an organic light emitting display device is considered as a competitive application for compactness of a device and clear color display without requiring a separate light source.

이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층의 형성이 필수적인데, 종래 유기 발광층의 형성을 위해 새도우 마스크(shadow mask)를 이용한 증착 방법이 이용되었다.The organic light emitting display device is required to form an organic light emitting layer, and a conventional deposition method using a shadow mask is used to form the organic light emitting layer.

그러나, 새도우 마스크는 대면적의 경우, 그 하중 때문에, 쳐짐 현상이 발생되어 여러번 사용하기 힘들고, 유기 발광층 패턴 형성에 불량이 발생하여 대안적 방법이 요구되었다.However, in the case of a large area, because of its load, the shadow mask is difficult to use several times due to sagging, and an alternative method has been required because a defect occurs in the formation of the organic emission layer pattern.

이러한 새도우 마스크를 대체하여 여러 방법이 제시되었던 그 중 하나로서 백색 유기 발광 표시 장치가 있다.A white organic light emitting display device is one of the methods in which various methods have been proposed to replace the shadow mask.

이하, 백색 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a white organic light emitting display device will be described.

백색 유기 발광 표시 장치는 발광 다이오드 형성시 양극과 음극 사이의 각 층을 마스크 없이 증착시키는 것으로 유기 발광층을 포함한 성분이 다른 유기막들을 진공 상태에서 차례로 증착하는 것을 특징으로 한다. 이러한, 백색 유기 발광 표시 장치는 박형 광원, 액정표시장치의 백라이트 또는 컬러 필터를 채용한 풀컬러 표시장치에 쓰이는 등 여러 용도로 이용되고 있는 소자이다.The white organic light emitting display device deposits each layer between the anode and the cathode without a mask when forming the light emitting diode, and is characterized in that organic layers having different components including the organic light emitting layer are sequentially deposited in a vacuum state. Such a white organic light emitting display device is a device that is used for various purposes such as being used in a thin light source, a backlight of a liquid crystal display device, or a full color display device employing a color filter.

요즘, 백색 유기 발광 표시 장치는 청색(Blue) 형광 소자를 발광층으로 이용하는 제1 스택과, 노랑색(Yellow-Green) 인광 소자를 발광층으로 이용하는 제2 스택 구조가 적층된 형태의 인형광 스택 구조가 이용되고 있다. 이러한, 백색 유기 발광 소자는 청색 형광 소자로부터 발광되는 청색광과 노랑색 인광 소자로부터 발광되는 노랑색 광의 혼합 효과에 의해 백색광이 구현된다.Nowadays, the white organic light emitting display device uses a stacked doll light stack structure in which a first stack using a blue fluorescent element as a light emitting layer and a second stack structure using a yellow-green phosphor element as a light emitting layer are stacked. Is becoming. In the white organic light emitting device, white light is implemented by a mixing effect of blue light emitted from a blue fluorescent device and yellow light emitted from a yellow phosphorescent device.

이러한, 인형광 스택 구조의 백색 유기 발광 표시 장치는 백색 발광 시 발광 효율 및 색재현율을 향상시키고, 소비전력을 개선 시킬 필요가 있다.
The white organic light emitting display device having a puppet stack structure needs to improve light emission efficiency and color gamut and improve power consumption when emitting white light.

본 발명은 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자 또는 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성되는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention provides a white organic light emitting device formed of a white organic light emitting device consisting of a first stack and a second stack or a light emitting layer of a white organic light emitting device consisting of first to third stacks having a peak of 3-Peak emission. There is a purpose.

본 발명은 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이하게 하는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a white organic light emitting device that facilitates injection of holes by using the material of the hole transport layer as a host in the light emitting layer of the second stack adjacent to the hole transport layer.

본 발명의 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화 시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시키는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.Another object is to provide a white organic light emitting device that improves power consumption and improves panel efficiency and color gamut by optimizing the thickness and doping concentration of the light emitting layer of the second stack of the present invention.

본 발명은 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 제 2 스택의 발광층을 이중 발광층 구조로 형성함으로써, 적색 휘도 달성률을 증가시키고, 색재현율을 증가시키는 백색 유기 발광 소자를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
The present invention provides a white organic light emitting device that increases the red luminance attainment rate and increases the color reproducibility by forming the light emitting layer of the second stack of the white organic light emitting device consisting of the first stack to the third stack in a dual light emitting layer structure. There are other purposes.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 백색 유기 발광 소자는, 기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 2 스택; 상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고, 상기 제 1 스택의 제 1 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고, 상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고, 상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
White organic light emitting device of the present invention for solving the problems of the prior art as described above, the first electrode and the second electrode facing each other on the substrate; A first stack in which a hole injection layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer and a first electron transport layer are sequentially stacked between the first electrode and the second electrode; A second stack in which a second hole transport layer, a second emission layer, a third emission layer, a second electron transport layer and an electron injection layer are sequentially stacked between the first stack and the second electrode; A charge generation layer is formed between the first stack and the second stack to adjust the charge balance between the stacks, and the first emission layer of the first stack is formed of a fluorescent blue emission layer having an emission peak of 1-Peak. The second light emitting layer and the third light emitting layer of the second stack have a 2-Peak light emission peak and are formed in contact with each other, and any one of the second light emitting layer and the third light emitting layer is a phosphorescent green light emitting layer or a phosphorescent yellow green light emitting layer. And the other is formed of a phosphorescent red light-emitting layer.

본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자 또는 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성되는 제 1 효과가 있다.In the white organic light emitting device according to the present invention, the light emitting layer of the white organic light emitting device consisting of the first stack and the second stack or the white organic light emitting device consisting of the first stack to the third stack has a 3-Peak emission peak. It has the first effect.

또한, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이하게 하는 제 2 효과가 있다.In addition, the white organic light emitting device according to the present invention has a second effect that facilitates injection of holes by using the material of the hole transport layer as a host in the light emitting layer of the second stack adjacent to the hole transport layer.

또한, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화 시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시키는 제 3 효과가 있다.In addition, the white organic light emitting device according to the present invention has a third effect of improving power consumption and improving panel efficiency and color reproduction by optimizing the thickness and doping concentration of the light emitting layer of the second stack.

또한, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 제 2 스택의 발광층을 이중 발광층 구조로 형성함으로써, 적색 휘도 달성률을 증가시키고, 색재현율을 증가시키는 제 4 효과가 있다.
In addition, the white organic light emitting device according to the present invention, by forming the light emitting layer of the second stack of the white organic light emitting device consisting of the first stack to the third stack in a double light emitting layer structure, increase the red luminance attainment rate, and increase the color reproduction rate There is a fourth effect.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 2는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 3은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광파장 및 세기를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 호스트의 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 스택의 적색 발광층의 호스트 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 도핑 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 8은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광 파장 및 세기를 도시한 도면이다.
도 9는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.
1 is a view showing a white organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a view showing the results of an experiment comparing a conventional white organic light emitting device and a white organic light emitting device of the present invention.
3 is a view showing the emission wavelength and intensity of the conventional white organic light emitting device and the white organic light emitting device of the present invention.
4 is a view showing an experimental result according to the ratio of the host of the green light emitting layer of the second stack of the present invention.
5 is a view showing an experiment result according to the host ratio of the red light emitting layer of the second stack of the present invention.
6 is a view showing an experimental result according to the doping ratio of the green light emitting layer of the second stack of the present invention.
7 is a view showing a white organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
8 is a view showing the emission wavelength and intensity of the conventional white organic light emitting device and the white organic light emitting device of the present invention.
9 is a view showing an experimental result comparing a conventional white organic light emitting device and the white organic light emitting device of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments introduced below are provided as examples in order to sufficiently convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And in the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Throughout the specification, the same reference numbers refer to the same components.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.1 is a view showing a white organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 서로 대향된 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130)이 형성된다. 상기 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130) 사이에서, 상기 제 1 전극(110) 상에 제 1 스택(200), 전하 생성층(Charge Generation Layer;120) 및 제 2 스택(300)이 순차적으로 적층되어 형성된다. 상기 제 1 스택(200)과 상기 제 2 스택(300)은 각각 서로 다른 색의 발광층을 포함하고, 각 스택의 발광층으로부터 출사되는 서로 다른 색의 광이 혼합되어 백색 광을 구현한다.Referring to FIG. 1, in the white organic light emitting device of the present invention, the first electrode 110 and the second electrode 130 opposite to each other are formed on the substrate 100. Between the first electrode 110 and the second electrode 130, the first stack 200, the charge generation layer (Charge Generation Layer; 120) and the second stack 300 on the first electrode 110 These are sequentially stacked and formed. The first stack 200 and the second stack 300 each include light emitting layers of different colors, and light of different colors emitted from the light emitting layers of each stack are mixed to implement white light.

상기 기판(100)은 절연 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 절연 기판은 절연 유리, 금속, 플라스틱 또는 폴리이미드(PI) 등으로 형성되고, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진다.The substrate 100 may include a thin film transistor formed on an insulating substrate, the insulating substrate is formed of insulating glass, metal, plastic or polyimide (PI), and the thin film transistor includes a gate electrode, a semiconductor layer, It consists of a source electrode and a drain electrode.

상기 제 1 전극(110)은 양극으로 투명 도전 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide) 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. The first electrode 110 may be formed of a transparent conductive material as an anode, and may include, for example, any one selected from the group consisting of ITO (Indum Tin Oxide), IZO (Indum Zinc Oxide), and ZnO. .

상기 제 2 전극(130)은 음극으로 금속 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Al-합금, Ag, Ag-합금, Au 및 Au-합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.The second electrode 130 may be formed of a metal material as a cathode, for example, a group consisting of Mg, Ca, Al, Al-alloy, Ag, Ag-alloy, Au and Au-alloy with low work function It may include any one selected from.

상기 전하 생성층(120)은 제 1 스택(200)과 제 2 스택(300) 사이에 형성되어, 제 1 스택(200)에는 전자를 공급하고, 제 2 스택(300)에는 정공을 공급하고, 각 스택들 간의 전하 균형을 조절한다. 상기 전하 생성층(120)은 알루미늄(Al) 등의 얇은 금속층으로 형성되거나 ITO(Indum Tin Oxide) 등의 투명 전극 등으로 단층으로 형성하여 소자 구성이 간단하고 제조를 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 불순물 도핑에 의한 유기물층의 접합 구조인 복수층으로 형성될 수 있다. The charge generation layer 120 is formed between the first stack 200 and the second stack 300, supplies electrons to the first stack 200, supplies holes to the second stack 300, Adjust the charge balance between each stack. The charge generating layer 120 may be formed of a thin metal layer such as aluminum (Al) or a single layer of a transparent electrode such as ITO (Indum Tin Oxide) to simplify the device configuration and facilitate manufacturing. In addition, it may be formed of a plurality of layers, which is a bonding structure of an organic material layer by impurity doping.

복수층으로 형성되는 경우, 각각 전자 수송 및 정공 수송에 적합하도록 형성하여 효율 향상 및 수명 장기화에 유리하다. 이때, 상기 전하 생성층(120)의 상기 제 1 스택(200)과 접하는 영역은 전자 공급을 원활히 하기 위해 N 형 도핑될 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택(300)과 접하는 영역은 정공 공급을 원활히 하기 위해 P형 도핑되어 형성될 수 있다. When formed in a plurality of layers, it is formed to be suitable for electron transport and hole transport, respectively, which is advantageous for efficiency improvement and long life. At this time, an area in contact with the first stack 200 of the charge generating layer 120 may be N-type doped to facilitate electron supply. In addition, a region in contact with the second stack 300 may be formed by P-type doping to facilitate hole supply.

상기 제 1 스택(200)은 제 1 전극(110)과 전하 생성층(120) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)(202), 제 1 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(203), 제 1 발광층(204) 및 제1 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(205)이 차례로 적층되어 형성된다. The first stack 200 includes a hole injection layer (HIL) 202 and a first hole transport layer (HTL) 203 between the first electrode 110 and the charge generation layer 120. ), the first light emitting layer 204 and the first electron transport layer (ETL) 205 are sequentially stacked.

상기 정공 주입층(HIL)은 정공 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 정공 주입을 원활하게 하기 위해 P형 도핑을 할 수 있다.The hole injection layer (HIL) may be made of a material having excellent hole injection capability, and may be doped with P-type to facilitate hole injection.

상기 제 1 발광층(204)은 형광 청색 발광층으로 발광 피크가 1-Peak인 단일 발광층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 발광층(204)은 하나의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성되거나, 두 개의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 제 1 발광층(204)의 형광 청색 도펀트(dopant)는 발광 피크의 파장대가 420nm~490nm 범위를 가지는 도펀트(dopant)로 형성된다. The first light emitting layer 204 is a fluorescent blue light emitting layer and may be formed of a single light emitting layer having a light emission peak of 1-Peak. In this case, the first light emitting layer 204 may be formed by doping a fluorescent blue dopant in one host or doping a fluorescent blue dopant in two hosts. The fluorescent blue dopant of the first light emitting layer 204 is formed of a dopant having a wavelength range of a light emission peak ranging from 420 nm to 490 nm.

상기 제 2 스택(300)은 전하 생성층(120)과 제 2 전극(130) 사이에 제 2 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(302), 제 2 발광층(303), 제 3 발광층(304), 제2 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(305) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(306)이 차례로 적층되어 형성된다. The second stack 300 includes a second hole transport layer (HTL) 302, a second light emitting layer 303, and a third light emitting layer 304 between the charge generating layer 120 and the second electrode 130. ), a second electron transport layer (ETL) 305 and an electron injection layer (EIL) 306 are sequentially stacked.

상기 전자 주입층(EIL)은 전자 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 전자 주입을 원활하게 하기 위해 N형 도핑을 할 수 있다.The electron injection layer (EIL) may use a material having excellent electron injection capability, and may do N-type doping to facilitate electron injection.

상기 제 2 스택(300)은 제 2 발광층(303)과 제 3 발광층(304)이 사이에 전하 생성층 또는 버퍼층 등의 구성없이 서로 접촉하여 형성된다. 또한, 상기 제 2 발광층(303)과 제 3 발광층(304)은 적층되어 하나의 제 2 스택 발광층(301)을 이룬다. The second stack 300 is formed by the second light emitting layer 303 and the third light emitting layer 304 in contact with each other without a configuration such as a charge generating layer or a buffer layer. In addition, the second light emitting layer 303 and the third light emitting layer 304 are stacked to form one second stack light emitting layer 301.

상기 제 2 스택 발광층(301)은 인광 적색 발광층과 인광 녹색 발광층이 적층되어 형성되어, 발광 피크가 2-Peak인 이중 발광층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택 발광층(301)은 인광 적색 발광층과 인광 황녹색 발광층이 적층되어 형성될 수 있다. The second stack emission layer 301 is formed by stacking a phosphorescent red emission layer and a phosphorescence green emission layer, and thus may be formed of a dual emission layer having a emission peak of 2-Peak. In addition, the second stack emission layer 301 may be formed by stacking a phosphorescent red emission layer and a phosphorescent yellow-green emission layer.

즉, 상기 제 2 발광층(303)은 인광 적색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(304)는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성된다. 또는, 상기 제 2 발광층(303)이 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(304)는 인광 적색 발광층으로 형성된다. 바람직하게는 상기 제 2 발광층(303)은 인광 적색 발광층으로 형성되고, 상기 제 3 발광층(304)은 인광 녹색 발광층으로 형성될 수 있다. That is, when the second light emitting layer 303 is a phosphorescent red light emitting layer, the third light emitting layer 304 is formed of a phosphorescent green light emitting layer or a phosphorescent yellow green light emitting layer. Alternatively, when the second light emitting layer 303 is a phosphorescent green light emitting layer or a phosphorescent yellow green light emitting layer, the third light emitting layer 304 is formed of a phosphorescent red light emitting layer. Preferably, the second emission layer 303 may be formed of a phosphorescent red emission layer, and the third emission layer 304 may be formed of a phosphorescent green emission layer.

상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층은 발광 피크의 파장대가 500nm~580nm 범위를 가지는 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 황녹색 도펀트로 형성되고, 상기 인광 적색 발광층은 발광 피크의 파장대가 580nm~680nm 범위를 가지는 인광 적색 도펀트(dopant)로 형성된다. 또한, 상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높게 형성될 수 있다.The phosphorescent green light-emitting layer or phosphorescent yellow-green light-emitting layer is formed of a phosphorescent green dopant or a phosphorescent yellow-green dopant having a wavelength range of 500 nm to 580 nm, and the phosphorescent red light-emitting layer has a wavelength range of 580 nm to 680 nm. It is formed of a phosphorescent red dopant. In addition, the dopant doping ratio of the phosphorescent green emission layer or the phosphorescent yellow green emission layer may be formed higher than the dopant doping ratio of the phosphorescent red emission layer.

또한, 상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층은 상기 인광 적색 발광층보다 두께가 두껍게 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층의 두께가 상기 인광 적색 발광층의 두께의 3배가 되도록 형성할 수 있다. In addition, the phosphorescent green light emitting layer or the phosphorescent yellow green light emitting layer may be formed to be thicker than the phosphorescent red light emitting layer. Preferably, the thickness of the phosphorescent green light emitting layer or the phosphorescent yellow green light emitting layer may be formed to be three times the thickness of the phosphorescent red light emitting layer.

상기 제 2 발광층(303)은 상기 제 2 정공 수송층(302) 상에 접촉하여 적층되어 형성되며, 두 개의 호스트(host)에 인광 적색 도펀트(dopant), 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 황녹색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다. The second light emitting layer 303 is formed by being stacked in contact with the second hole transport layer 302, and a phosphorescent red dopant, a phosphorescent green dopant, or a phosphorescent yellow green dopant is formed on two hosts. (dopant) may be formed by doping. The two hosts may be composed of a hole type host and an electron type host. At this time, the hole host may be formed of 20% to 80% by volume of the total host, and the electronic host may be formed of 80% to 20% by volume of the total host.

또한, 상기 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층(302)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 상기 호스트가 정공 호스트를 포함하고, 상기 정공 호스트가 상기 제 2 정공 수송층(302)과 동일 물질로 형성되면, 발광층으로 정공의 주입을 보다 용이하게 할 수 있다.In addition, the hole host may be formed of the same material as the second hole transport layer 302. When the host includes a hole host, and the hole host is formed of the same material as the second hole transport layer 302, injection of holes into the light emitting layer may be facilitated.

상기 제 3 발광층(304)은 상기 제 2 발광층(303) 상에 형성되고, 두 개의 호스트(host)에 인광 녹색 도펀트(dopant), 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다. The third light emitting layer 304 is formed on the second light emitting layer 303, and two hosts are doped with a phosphorescent green dopant, a phosphorescent yellow green dopant, or a phosphorescent red dopant. Can be formed. At this time, the two hosts (host) may be composed of a hole host (hole type host) and an electronic host (electron type host). At this time, the hole host may be formed of 20% to 80% by volume of the total host, and the electronic host may be formed of 80% to 20% by volume of the total host.

또한, 상기 제 3 발광층(304)는 하나의 호스트(host)에 인광 녹색 도펀트(dopant), 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 하나의 호스트(host)는 양극성(bipolar) 호스트로 형성된다.In addition, the third light emitting layer 304 may be formed by doping a phosphorescent green dopant, a phosphorescent yellow green dopant, or a phosphorescent red dopant on one host. At this time, the one host (host) is formed as a bipolar (bipolar) host.

상기 제 1 스택(200)은 양극과 인접한 구성으로 형광 유닛으로 형성하고, 상기 제 2 스택(300)은 음극과 인접한 구성으로 인광 유닛으로 형성하는 경우, 발광 효율이 보다 높아질 수 있다. When the first stack 200 is formed as a fluorescent unit in a configuration adjacent to the anode, and the second stack 300 is formed as a phosphorescent unit in a configuration adjacent to the cathode, luminous efficiency may be higher.

또한, 백색 유기 발광 소자의 소비전력 및 패널 효율을 개선하기 위해 제 2 발광층 및 제 3 발광층의 호스트 비율, 각 발광층의 두께 및 도핑농도를 최적화할 필요가 있다.
In addition, in order to improve power consumption and panel efficiency of the white organic light emitting device, it is necessary to optimize the host ratio of the second light emitting layer and the third light emitting layer, the thickness and doping concentration of each light emitting layer.

도 2는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.2 is a view showing the results of an experiment comparing a conventional white organic light emitting device and a white organic light emitting device of the present invention.

도 3은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광파장 및 세기를 도시한 도면이다.3 is a view showing the emission wavelength and intensity of the conventional white organic light emitting device and the white organic light emitting device of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 종래 제 1 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 황녹색(yellow-green) 발광층을 포함하는 2-Peak의 패널효율 및 색재현율과 본 발명에 따른 제 1 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 적색(red) 발광층 및 녹색(green) 발광층을 포함하는 3-Peak의 패널효율 및 색재현율을 비교한 실험결과이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 3 Peak reddish는 3 Peak greenish 보다 적색 발광피크(B) 세기(intensity)가 크게 형성되는 구성이며, 3 Peak greenish는 3 Peak reddish 보다 녹색 발광피크(A) 세기(intensity)가 크게 형성되는 구성이다.2 and 3, the panel efficiency and color reproducibility of the 2-Peak including the blue emission layer in the first stack and the yellow-green emission layer in the second stack and the present invention It is an experiment result comparing the panel efficiency and color reproducibility of a 3-Peak including a blue emission layer in a first stack and a red emission layer and a green emission layer in a second stack according to. 2 and 3, 3 Peak reddish is a configuration in which a red emission peak (B) intensity is formed larger than 3 Peak greenish, and 3 Peak greenish is a green emission peak (A) intensity than 3 Peak reddish ( intensity).

실험 Ⅰ, 실험 Ⅱ 및 실험 Ⅳ를 비교하면, 종래 백색 유기 발광 소자와 비교하여, 본 발명의 백색 유기 발광 소자가 색재현율에 있어서 10% 이상 뛰어난 것을 알 수 있다. 특히, 3 Peak greenish의 경우 패널효율의 감소 없이 색재현율이 개선될 수 있는 점에서 특징이 있다. 또한, 실험 Ⅰ 및 실험 Ⅴ를 비교하면, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 종래 백색 유기 발광 소자와 비교하여, 동일한 색재현율에서 패널효율이 개선되고, 따라서 소비전력도 개선되는 특징이 있음을 볼 수 있다. When the experiments I, II, and IV are compared, it can be seen that the white organic light-emitting device of the present invention is superior in color reproducibility by 10% or more compared to the conventional white organic light-emitting device. In particular, 3 Peak Greenish is characterized in that color reproduction can be improved without reducing panel efficiency. In addition, when comparing Experiments I and V, it can be seen that the white organic light-emitting device of the present invention has the characteristics of improving the panel efficiency at the same color reproducibility and thus also improving power consumption compared to the conventional white organic light-emitting device. have.

즉, 본 발명은 종래 발명과 비교하여 색재현율을 향상시키거나 패널 효율 및 소비전력을 개선할 수 있는 효과가 있다. 특히, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 크게 형성될수록 그 효과가 더 크게 형성됨을 알 수 있다.That is, the present invention has the effect of improving the color reproducibility or panel efficiency and power consumption compared to the conventional invention. In particular, it can be seen that the greater the intensity (intensity) of the green light-emitting peak (A), the greater the effect is formed.

도면에는 도시하지 않았으나, 적색 발광층 또는 녹색 발광층의 두께가 두꺼울 수록 각각 적색 발광피크(B)와 녹색 발광피크(A)가 높게 형성된다. 도 2에서 검토한 바와 같이 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타내므로, 바람직하게는 녹색 발광층의 두께가 적색 발광층의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 더 바람직하게는 녹색 발광층의 두께가 적색 발광층의 두께의 3배가 되도록 형성될 수 있다.
Although not shown in the drawing, the thicker the red emission layer or the green emission layer, the higher the red emission peak (B) and the green emission peak (A), respectively. 2, the greater the intensity of the green emission peak (A), the better the panel efficiency and color reproducibility, and thus, preferably, the thickness of the green emission layer may be thicker than that of the red emission layer. More preferably, the thickness of the green light emitting layer may be formed to be three times the thickness of the red light emitting layer.

도 4는 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 호스트의 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.4 is a view showing an experimental result according to the ratio of the host of the green light emitting layer of the second stack of the present invention.

도 4를 참조하면, 제 2 스택의 녹색 발광층은 전자 호스트 및 정공 호스트에 녹색 도펀트가 도핑되어 형성된 구성이다. 도 4는 녹색 발광층의 전자 호스트와 정공 호스트의 부피비에 따른 제 2 스택의 녹색 발광피크(A)와 적색 발광피크(B)를 도시한 도면이다. Referring to FIG. 4, the green light emitting layer of the second stack is a structure formed by doping a green dopant into an electron host and a hole host. 4 is a view showing the green emission peak (A) and the red emission peak (B) of the second stack according to the volume ratio of the electron host and the hole host of the green emission layer.

적색 발광층의 조건이 동일한 경우, 상기 녹색 발광층의 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 클 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 높고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 낮게 형성된다. 또한, 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 작을 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 낮고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 높음을 알 수 있다. 도 2에서 검토한 바와 같이, 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타낸다. 따라서, 종래와 비교하여 개선된 효과를 포함하기 위해서 녹색 발광피크(A)의 세기가 높게 형성되도록 정공 호스트 및 전자 호스트의 부피비를 형성한다.
When the conditions of the red light emitting layer are the same, when the volume ratio of the hole host of the green light emitting layer is larger than that of the electron host, the intensity of the green light emitting peak (A) is highest and the intensity of the red light emitting peak (B) is lowest. do. In addition, it can be seen that when the volume ratio of the hole host is smaller than that of the electron host, the intensity of the green emission peak (A) is the lowest and the intensity of the red emission peak (B) is the highest. 2, the greater the intensity of the green emission peak (A), the better the panel efficiency and color reproduction. Therefore, the volume ratio of the hole host and the electron host is formed so that the intensity of the green emission peak (A) is formed to include an improved effect as compared with the prior art.

도 5는 본 발명의 제 2 스택의 적색 발광층의 호스트의 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다.5 is a view showing an experimental result according to the ratio of the host of the red light emitting layer of the second stack of the present invention.

도 5를 참조하면, 제 2 스택의 적색 발광층은 전자 호스트 및 정공 호스트에 적색 도펀트가 도핑되어 형성된 구성이다. 도 5는 적색 발광층의 전자 호스트와 정공 호스트의 부피비에 따른 제 2 스택의 녹색 발광피크(A)와 적색 발광피크(B)를 도시한 도면이다. Referring to FIG. 5, the red light emitting layer of the second stack is formed by doping a red dopant in an electron host and a hole host. 5 is a view showing the green emission peak (A) and the red emission peak (B) of the second stack according to the volume ratio of the electron host and the hole host of the red emission layer.

녹색 발광층의 조건이 동일한 경우, 상기 적색 발광층의 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 클 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 높고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 낮게 형성된다. 또한, 정공 호스트의 부피비가 전자 호스트보다 작을 때, 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 가장 낮고, 적색 발광피크(B)의 세기가 가장 높음을 알 수 있다. 도 2에서 검토한 바와 같이, 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타낸다. 따라서, 종래와 비교하여 개선된 효과를 포함하기 위해서 녹색 발광피크(A)의 세기가 높게 형성되도록 정공 호스트 및 전자 호스트의 부피비를 형성한다.
When the conditions of the green emission layer are the same, when the volume ratio of the hole host of the red emission layer is larger than that of the electron host, the intensity of the green emission peak (A) is highest, and the intensity of the red emission peak (B) is formed lowest. do. In addition, it can be seen that when the volume ratio of the hole host is smaller than that of the electron host, the intensity of the green emission peak (A) is the lowest and the intensity of the red emission peak (B) is the highest. 2, the greater the intensity of the green emission peak (A), the better the panel efficiency and color reproduction. Therefore, the volume ratio of the hole host and the electron host is formed so that the intensity of the green emission peak (A) is formed to include an improved effect as compared with the prior art.

도 6은 본 발명의 제 2 스택의 녹색 발광층의 도핑 비율에 따른 실험 결과를 도시한 도면이다. 6 is a view showing an experimental result according to the doping ratio of the green light emitting layer of the second stack of the present invention.

도 6을 참조하면, 제 2 스택의 녹색 발광층은 호스트에 녹색 도펀트가 도핑되어 형성된 구성이다. 도 6은 녹색 발광층의 녹색 도펀트의 도핑 비율에 따른 제 2 스택의 녹색 발광피크(A)와 적색 발광피크(B)를 도시한 도면이다. Referring to FIG. 6, the green light emitting layer of the second stack is formed by doping a green dopant on the host. 6 is a view showing a green emission peak (A) and a red emission peak (B) of the second stack according to the doping ratio of the green dopant in the green emission layer.

도 6에 도시된 바와 같이, 녹색 도펀트의 도핑 비율이 높아질수록 녹색 발광피크(A)의 세기(intensity)가 커짐을 알 수 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 제 2 스택의 적색 발광층도 적색 도펀트의 도핑 비율이 높아질수록 적색 발광피크(B)의 세기가 커지도록 형성된다. 따라서, 도 2에서 검토한 바와 같이 녹색 발광피크(A)의 세기가 클수록 패널효율 및 색재현율이 더 개선되는 효과를 나타내므로, 바람직하게는 녹색 발광층의 녹색 도펀트의 도핑 비율이 적색 발광층의 적색 도펀트의 도핑 비율보다 크게 형성될 수 있다.
As shown in FIG. 6, it can be seen that as the doping ratio of the green dopant increases, the intensity of the green emission peak (A) increases. In addition, although not shown in the drawing, the red emission layer of the second stack is also formed to increase the intensity of the red emission peak B as the doping ratio of the red dopant increases. Therefore, as reviewed in FIG. 2, the greater the intensity of the green emission peak (A), the better the panel efficiency and color reproducibility, so the doping ratio of the green dopant in the green emission layer is preferably the red dopant in the red emission layer. It can be formed larger than the doping ratio of.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 백색 유기 발광 소자를 도시한 도면이다.7 is a view showing a white organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 기판(100) 상에 서로 대향된 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130)이 형성된다. 상기 제 1 전극(110)과 제 2 전극(130) 사이에서, 상기 제 1 전극(110) 상에 제 1 스택(400), 제 1 전하 생성층(Charge Generation Layer;220), 제 2 스택(500), 제 2 전하 생성층(320) 및 제 3 스택(600)이 순차적으로 적층되어 형성된다. Referring to FIG. 7, in the white organic light emitting device of the present invention, the first electrode 110 and the second electrode 130 facing each other are formed on the substrate 100. Between the first electrode 110 and the second electrode 130, a first stack 400, a first charge generation layer (Charge Generation Layer; 220), a second stack (on the first electrode 110) 500), the second charge generating layer 320 and the third stack 600 are sequentially stacked and formed.

상기 제 1 스택(400)과 제 3 스택(600) 동일한 색의 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택(500)은 상기 제 1 스택(400) 및 제 3 스택(600)과 다른 색의 발광층을 포함할 수 있다. 이때, 각 스택의 발광층으로부터 출사되는 서로 다른 색의 광이 혼합되어 백색 광을 구현한다. The first stack 400 and the third stack 600 may include light-emitting layers of the same color. In addition, the second stack 500 may include light emitting layers of different colors from the first stack 400 and the third stack 600. At this time, light of different colors emitted from the light emitting layer of each stack is mixed to implement white light.

바람직하게는, 상기 제 1 스택(400)과 제 3 스택(600)은 청색 광을 발광할 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택(500)은 적색 및 황녹색 광을 발광하는 발광층을 포함하거나, 적색 및 녹색 광을 발광하는 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 1 스택(400) 및 제 3 스택(600)은 형광 유닛으로 형성하고, 상기 제 2 스택(500)은 인광 유닛으로 형성될 수 있다. Preferably, the first stack 400 and the third stack 600 may emit blue light. In addition, the second stack 500 may include a light emitting layer emitting red and yellow green light, or a light emitting layer emitting red and green light. In addition, the first stack 400 and the third stack 600 may be formed of a fluorescent unit, and the second stack 500 may be formed of a phosphorescent unit.

상기 기판(100)은 절연 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 상기 절연 기판은 절연 유리, 금속, 플라스틱 또는 폴리이미드(PI) 등으로 형성되고, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극으로 이루어진다.The substrate 100 may include a thin film transistor formed on an insulating substrate, the insulating substrate is formed of insulating glass, metal, plastic or polyimide (PI), and the thin film transistor includes a gate electrode, a semiconductor layer, It consists of a source electrode and a drain electrode.

상기 제 1 전극(110)은 양극으로 투명 도전 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, ITO(Indum Tin Oxide), IZO(Indum Zinc Oxide) 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극(130)은 음극으로 금속 재질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 일함수가 낮은 Mg, Ca, Al, Al-합금, Ag, Ag-합금, Au 및 Au-합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.The first electrode 110 may be formed of a transparent conductive material as an anode, and may include, for example, any one selected from the group consisting of ITO (Indum Tin Oxide), IZO (Indum Zinc Oxide), and ZnO. . The second electrode 130 may be formed of a metal material as a cathode, for example, a group consisting of Mg, Ca, Al, Al-alloy, Ag, Ag-alloy, Au and Au-alloy with low work function It may include any one selected from.

상기 제 1 전하 생성층(220)은 제 1 스택(400)과 제 2 스택(500) 사이에 형성되어, 제 1 스택(400)에는 전자를 공급하고, 제 2 스택(500)에는 정공을 공급하여, 각 스택들 간의 전하 균형을 조절한다. 또한, 상기 제 2 전하 생성층(320)은 제 2 스택(500)과 제 3 스택(600) 사이에 형성되어, 제 2 스택(500)에는 전자를 공급하고, 제 3 스택(600)에는 정공을 공급하여, 각 스택들 간의 전하 균형을 조절한다. The first charge generation layer 220 is formed between the first stack 400 and the second stack 500 to supply electrons to the first stack 400 and to supply holes to the second stack 500. Thus, the charge balance between each stack is adjusted. In addition, the second charge generating layer 320 is formed between the second stack 500 and the third stack 600 to supply electrons to the second stack 500 and holes to the third stack 600. Supply, to adjust the charge balance between each stack.

상기 제 1 전하 생성층(220) 및 제 2 전하 생성층(320)은 알루미늄(Al) 등의 얇은 금속층으로 형성되거나 ITO(Indum Tin Oxide) 등의 투명 전극 등으로 단층으로 형성하여 소자 구성이 간단하고 제조를 용이하게 형성될 수 있다. 또한, 불순물 도핑에 의한 유기물층의 접합 구조인 복수층으로 형성될 수 있다. The first charge generating layer 220 and the second charge generating layer 320 are formed of a thin metal layer such as aluminum (Al) or a single layer of transparent electrode such as ITO (Indum Tin Oxide) to simplify device configuration. And can be easily manufactured. In addition, it may be formed of a plurality of layers, which is a bonding structure of an organic material layer by impurity doping.

복수층으로 형성하는 경우, 각각 전자 수송 및 정공 수송에 적합하도록 형성하여 효율 향상 및 수명 장기화에 유리하다. 이때, 상기 제 1 전하 생성층(220)의 상기 제 1 스택(400)과 접하는 영역과 상기 제 2 전하 생성층(320)의 상기 제 2 스택(500)과 접하는 영역은 전자 공급을 원활히 하기 위해 N 형 도핑될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전하 생성층(220)의 상기 제 2 스택(500)과 접하는 영역과 상기 제 2 전하 생성층(320)의 상기 제 3 스택(600)과 접하는 영역은 정공 공급을 원활히 하기 위해 P형 도핑되어 형성될 수 있다. When formed in a plurality of layers, it is formed to be suitable for electron transport and hole transport, respectively, which is advantageous for improving efficiency and prolonging life. In this case, an area in contact with the first stack 400 of the first charge generating layer 220 and an area in contact with the second stack 500 of the second charge generating layer 320 in order to facilitate electron supply. N type can be doped. In addition, an area in contact with the second stack 500 of the first charge generating layer 220 and an area in contact with the third stack 600 of the second charge generating layer 320 in order to facilitate hole supply. It can be formed by P-type doping.

상기 제 1 스택(400)은 제 1 전극(110)과 제 1 전하 생성층(220) 사이에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL)(402), 제 1 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL)(403), 제 1 발광층(404) 및 제1 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(405)이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 정공 주입층(HIL)(402)은 정공 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 정공 주입을 원활하게 하기 위해 P형 도핑을 할 수 있다.The first stack 400 includes a hole injection layer (HIL) 402 and a first hole transport layer (HTL) between the first electrode 110 and the first charge generating layer 220. 403, the first light emitting layer 404 and the first electron transport layer (ETL) 405 are sequentially stacked. The hole injection layer (HIL) 402 may use a material having excellent hole injection capability, and may do P-type doping to facilitate hole injection.

상기 제 1 발광층(404)은 형광 청색 발광층으로 발광 피크가 1-Peak인 단일 발광층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 발광층(404)은 하나의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성되거나, 두 개의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 제 1 발광층(204)의 형광 청색 도펀트(dopant)는 발광 피크의 파장대가 420nm~490nm 범위를 가지는 도펀트(dopant)로 형성된다. The first light emitting layer 404 is a fluorescent blue light emitting layer and may be formed of a single light emitting layer having a light emission peak of 1-Peak. At this time, the first light emitting layer 404 may be formed by doping a fluorescent blue dopant in one host or doping a fluorescent blue dopant in two hosts. The fluorescent blue dopant of the first light emitting layer 204 is formed of a dopant having a wavelength range of a light emission peak ranging from 420 nm to 490 nm.

상기 제 2 스택(500)은 제 1 전하 생성층(220)과 제 2 전하 생성층(320) 사이에 제 2 정공 수송층(HTL)(502), 제 2 발광층(503), 제 3 발광층(504) 및 제 2 전자 수송층(ETL)(505) 이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 제 2 스택(300)은 제 2 발광층(503)과 제 3 발광층(504)이 사이에 전하 생성층 또는 버퍼층 등의 구성없이 서로 접촉하여 형성된다. 또한, 상기 제 2 발광층(503)과 제 3 발광층(504)은 적층되어 하나의 제 2 스택 발광층(501)을 이룬다. The second stack 500 includes a second hole transport layer (HTL) 502, a second light emitting layer 503, and a third light emitting layer 504 between the first charge generating layer 220 and the second charge generating layer 320. ) And the second electron transport layer (ETL) 505 are sequentially stacked. The second stack 300 is formed by the second light emitting layer 503 and the third light emitting layer 504 contacting each other without configuring a charge generating layer or a buffer layer therebetween. In addition, the second emission layer 503 and the third emission layer 504 are stacked to form one second stack emission layer 501.

상기 제 2 스택 발광층(501)은 인광 적색 발광층과 인광 황녹색 발광층이 적층되어 형성되어, 발광 피크가 2-Peak인 이중 발광층으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 스택 발광층(501)은 인광 적색 발광층과 인광 녹색 발광층이 적층되어 형성될 수 있다. The second stack emission layer 501 is formed by stacking a phosphorescent red emission layer and a phosphorescent yellow-green emission layer, and may be formed of a dual emission layer having a peak of 2-Peak emission. In addition, the second stack light emitting layer 501 may be formed by stacking a phosphorescent red light emitting layer and a phosphorescent green light emitting layer.

즉, 상기 제 2 발광층(503)은 인광 적색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(504)는 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층으로 형성된다. 또는, 상기 제 2 발광층(503)이 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층인 경우, 상기 제 3 발광층(504)는 인광 적색 발광층으로 형성된다. 바람직하게는 상기 제 2 발광층(503)은 인광 적색 발광층으로 형성되고, 상기 제 3 발광층(504)은 인광 황녹색 발광층으로 형성될 수 있다. That is, when the second emission layer 503 is a phosphorescent red emission layer, the third emission layer 504 is formed of a phosphorescent yellow-green emission layer or a phosphorescence-green emission layer. Alternatively, when the second emission layer 503 is a phosphorescent yellow-green emission layer or a phosphorescence green emission layer, the third emission layer 504 is formed of a phosphorescence red emission layer. Preferably, the second light emitting layer 503 may be formed of a phosphorescent red light emitting layer, and the third light emitting layer 504 may be formed of a phosphorescent yellow green light emitting layer.

상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층은 발광 피크의 파장대가 500nm~580nm 범위를 가지는 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 녹색 도펀트(dopant)로 형성되고, 상기 인광 적색 발광층은 발광 피크의 파장대가 580nm~680nm 범위를 가지는 인광 적색 도펀트(dopant)로 형성된다. 또한, 상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높게 형성될 수 있다.The phosphorescent yellow-green emitting layer or the phosphorescent green emitting layer is formed of a phosphorescent yellow-green dopant or a phosphorescent green dopant having a wavelength range of 500 nm to 580 nm, and the phosphorescent red emitting layer has a wavelength of 580 nm of the emission peak It is formed of a phosphorescent red dopant having a range of ˜680 nm. In addition, the dopant doping ratio of the phosphorescent yellow-green emitting layer or the phosphorescent green emitting layer may be formed higher than the dopant doping ratio of the phosphorescent red emitting layer.

또한, 상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층은 상기 인광 적색 발광층보다 두께가 두껍게 형성될 수 있다. 바람직하게는 상기 인광 황녹색 발광층 또는 인광 녹색 발광층의 두께가 상기 인광 적색 발광층의 두께의 3배가 되도록 형성할 수 있다. In addition, the phosphorescent yellow-green emitting layer or the phosphorescent green emitting layer may be formed to have a thicker thickness than the phosphorescent red emitting layer. Preferably, the thickness of the phosphorescent yellow-green emitting layer or the phosphorescent green emitting layer may be formed to be three times the thickness of the phosphorescent red emitting layer.

상기 제 2 발광층(503)은 상기 제 2 정공 수송층(502) 상에 접촉하여 적층되어 형성되며, 두 개의 호스트(host)에 인광 적색 도펀트(dopant), 인광 황녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 녹색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. The second emission layer 503 is formed by being stacked in contact with the second hole transport layer 502, and a phosphorescent red dopant, a phosphorescent yellow-green dopant, or a phosphorescent green dopant is formed on two hosts. (dopant) may be formed by doping. The two hosts may be composed of a hole type host and an electron type host.

이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다. 또한, 상기 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층(502)과 동일 물질로 형성되어 정공의 주입을 보다 용이하게 할 수 있다.At this time, the hole host may be formed of 20% to 80% by volume of the total host, and the electronic host may be formed of 80% to 20% by volume of the total host. In addition, the hole host is formed of the same material as the second hole transport layer 502 to facilitate injection of holes.

상기 제 3 발광층(504)은 상기 제 2 발광층(503) 상에 형성되고, 두 개의 호스트(host)에 인광 황녹색 도펀트(dopant), 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. The third light emitting layer 504 is formed on the second light emitting layer 503, and two hosts are doped with a phosphorescent yellow-green dopant, a phosphorescent green dopant, or a phosphorescent red dopant. Can be formed.

이때, 상기 두 개의 호스트(host)는 정공 호스트(hole type host)와 전자 호스트(electron type host)로 구성될 수 있다. 이때, 상기 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성될 수 있고, 상기 전자 호스트는 전체 호스트의 80 부피% 내지 20 부피%로 형성될 수 있다. At this time, the two hosts (host) may be composed of a hole host (hole type host) and an electronic host (electron type host). At this time, the hole host may be formed of 20% to 80% by volume of the total host, and the electronic host may be formed of 80% to 20% by volume of the total host.

또한, 상기 제 3 발광층(504)는 하나의 호스트(host)에 인광 황녹색 도펀트(dopant), 인광 녹색 도펀트(dopant) 또는 인광 적색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 하나의 호스트(host)는 양극성(bipolar) 호스트로 형성된다.Further, the third light emitting layer 504 may be formed by doping a phosphorescent yellow-green dopant, a phosphorescent green dopant, or a phosphorescent red dopant on one host. At this time, the one host (host) is formed as a bipolar (bipolar) host.

상기 제 3 스택(600)은 제 2 전하 생성층(320)과 제 2 전극(130) 사이에 제 3 정공 수송층(HTL)(601), 제 4 발광층(602), 제 3 전자 수송층(ETL)(603) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(604)이 차례로 적층되어 형성된다. 상기 전자 주입층(EIL)은 전자 주입 능력이 뛰어난 물질을 사용하고, 전자 주입을 원활하게 하기 위해 N형 도핑을 할 수 있다.The third stack 600 includes a third hole transport layer (HTL) 601, a fourth light emitting layer 602, and a third electron transport layer (ETL) between the second charge generating layer 320 and the second electrode 130. The 603 and the electron injection layer (EIL) 604 are sequentially stacked and formed. The electron injection layer (EIL) may use a material having excellent electron injection capability, and may do N-type doping to facilitate electron injection.

상기 제 4 발광층(602)은 형광 청색 발광층으로 발광 피크가 1-Peak인 단일 발광층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 4 발광층(602)은 하나의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성되거나, 두 개의 호스트(host)에 형광 청색 도펀트(dopant)가 도핑되어 형성될 수 있다. 상기 제 4 발광층(602)의 형광 청색 도펀트(dopant)는 발광 피크의 파장대가 420nm~490nm 범위를 가지는 도펀트(dopant)로 형성된다.
The fourth light emitting layer 602 is a fluorescent blue light emitting layer and may be formed of a single light emitting layer having a light emission peak of 1-Peak. In this case, the fourth light emitting layer 602 may be formed by doping a fluorescent blue dopant on one host or doping a fluorescent blue dopant on two hosts. The fluorescent blue dopant of the fourth light emitting layer 602 is formed of a dopant having a wavelength range of an emission peak in a range of 420 nm to 490 nm.

도 8은 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자의 발광 파장 및 세기를 도시한 도면이다. 8 is a view showing the emission wavelength and intensity of the conventional white organic light emitting device and the white organic light emitting device of the present invention.

도 8을 참조하면, 종래 백색 유기 발광 소자는 제 1 스택 및 제 3 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 황녹색(yellow-green) 발광층을 포함하는 백색 유기 발광 소자이다. 또한, 본 발명의 백색 유기 발광 소자는 제 1 스택 및 제 3 스택에서 청색(blue) 발광층을 포함하고, 제 2 스택에서 적색(red) 발광층 및 황녹색(yellow-green) 발광층을 포함하는 백색 유기 발광 소자이다. Referring to FIG. 8, the conventional white organic light emitting device is a white organic light emitting device including a blue light emitting layer in a first stack and a third stack, and a yellow-green light emitting layer in a second stack. In addition, the white organic light emitting device of the present invention includes a blue light emitting layer in a first stack and a third stack, and a white organic light emitting layer in a second stack including a red light emitting layer and a yellow-green light emitting layer. It is a light emitting element.

도 8에 표시된 영역은 적색 영역으로, 종래 발명에서는 2 피크(peak)만 존재하여 적색 영역에서는 피크가 형성되지 않음을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 3 피크(peak) 구조로써, 적색 영역에서 종래 발명과 비교하여 적색의 세기(intensity)가 크게 형성되는 것을 확인할 수 있다. 휘도 달성률, 패널효율 및 색재현율을 보다 자세히 설명하면 다음과 같다.
The region shown in FIG. 8 is a red region, and it can be confirmed that in the conventional invention, only 2 peaks exist, so that no peak is formed in the red region. In addition, in the present invention, it can be seen that, as a three-peak structure, red intensity is greatly formed in the red region as compared to the conventional invention. The luminance attainment rate, panel efficiency and color reproduction rate will be described in more detail as follows.

도 9는 종래 백색 유기 발광 소자와 본 발명의 백색 유기 발광 소자를 비교한 실험 결과를 도시한 도면이다.9 is a view showing an experimental result comparing a conventional white organic light emitting device and the white organic light emitting device of the present invention.

도 9를 참조하면, 종래 발명의 적색 휘도 달성률은 휘도 목표치를 100%라고 할 때 88%로 적색 휘도가 부족한 문제점이 있다. 이는 종래 발명에서는 별도의 적색 발광층이 존재 하지 않고, 적색 영역에서 피크(peak)가 형성되지 않기 때문이다. Referring to FIG. 9, the red luminance achievement rate of the conventional invention is 88% when the luminance target value is 100%, and thus there is a problem in that the red luminance is insufficient. This is because there is no separate red light emitting layer in the conventional invention, and a peak is not formed in the red region.

따라서, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는 제 2 스택에서 적색 발광층과 황녹색 발광층을 적층하여 제 2 스택 발광층을 형성하였다. 이로 인해, 적색 파장 영역에서 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는 종래 발명보다 세기(intensity)가 강하게 형성되었다.Therefore, in the white organic light emitting device according to the present invention, a red light emitting layer and a yellow green light emitting layer are stacked in a second stack to form a second stack light emitting layer. Therefore, in the red wavelength region, the white organic light emitting device according to the present invention has a stronger intensity than the conventional invention.

이러한 본 발명과 종래 발명의 휘도 달성률을 비교하면, 본 발명은 101%로 약 13% 증가하였다. 또한, 본 발명의 적색 휘도 달성률은 휘도 목표치인 100%를 초과하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 본 발명의 녹색 및 청색 휘도 달성률도 휘도 목표치인 100%를 초과하는 것을 확인할 수 있다.Comparing the luminance attainment rate of the present invention and the conventional invention, the present invention increased by about 13% to 101%. In addition, it can be confirmed that the red luminance achievement rate of the present invention exceeds the luminance target value of 100%. In addition, it can be seen that the green and blue luminance attainment rates of the present invention also exceed the luminance target value of 100%.

또한, 패널 효율도 종래 발명보다 동등하거나 개선됨을 확인할 수 있다. 적색 파장 영역에서 세기가 강해짐에 따라, 색재현율도 증가하는 것을 알 수 있다.
In addition, it can be seen that the panel efficiency is also equal or improved than the conventional invention. It can be seen that as the intensity increases in the red wavelength region, the color reproducibility also increases.

따라서, 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자는, 제 1 스택과 제 2 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자 또는 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 발광층이 3-Peak의 발광피크를 가지도록 형성된다. 이때, 정공 수송층과 인접한 제 2 스택의 발광층에서 정공 수송층의 재료를 호스트로 사용함으로써, 정공의 주입을 용이할 수 있다. 제 2 스택의 발광층의 두께와 도핑 농도를 최적화 시킴으로써, 소비전력을 개선하고, 패널 효율 및 색재현율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 스택 내지 제 3 스택으로 이루어진 백색 유기 발광 소자의 제 2 스택의 발광층을 이중 발광층 구조로 형성함으로써, 적색 휘도 달성률을 증가시키고, 색재현율을 증가시키는 효과가 있다.
Therefore, in the white organic light emitting device according to the present invention, the light emitting layer of the white organic light emitting device consisting of the first stack and the second stack or the white organic light emitting device consisting of the first stack to the third stack has a 3-Peak light emission peak. Is formed. At this time, by using the material of the hole transport layer as a host in the light emitting layer of the second stack adjacent to the hole transport layer, hole injection can be facilitated. By optimizing the thickness and doping concentration of the light emitting layer of the second stack, power consumption can be improved, and panel efficiency and color reproducibility can be improved. In addition, by forming the light emitting layer of the second stack of the white organic light emitting device composed of the first stack to the third stack in a double light emitting layer structure, there is an effect of increasing the red luminance attainment rate and increasing the color reproducibility.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Through the above description, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications are possible without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the scope of the claims.

100: 기판 205: 제 1 전자 수송층
110: 제 1 전극 300: 제 2 스택
120: 전하 생성층 301: 제 2 스택 발광층
130: 제 2 전극 302: 제 2 정공 수송층
200: 제 1 스택 303: 제 2 발광층
202: 정공 주입층 304: 제 3 발광층
203: 제 1 정공 수송층 305: 제 2 전자 수송층
204: 제 1 발광층 306: 전자 주입층
100: substrate 205: first electron transport layer
110: first electrode 300: second stack
120: charge generating layer 301: second stack light emitting layer
130: second electrode 302: second hole transport layer
200: first stack 303: second light emitting layer
202: hole injection layer 304: third light emitting layer
203: first hole transport layer 305: second electron transport layer
204: first light emitting layer 306: electron injection layer

Claims (24)

기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극;
상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택;
상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층, 제 2 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 2 스택;
상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성되어 각 스택들 간의 전하 균형을 조절하는 전하 생성층을 포함하고,
상기 제 1 스택의 제 1 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고,
상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 직접 접촉하여 형성되고,
상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되고,
상기 인광 녹색 발광층 또는 상기 인광 황녹색 발광층의 두께가 상기 인광 적색 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
A first electrode and a second electrode facing each other on the substrate;
A first stack in which a hole injection layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer and a first electron transport layer are sequentially stacked between the first electrode and the second electrode;
A second stack in which a second hole transport layer, a second emission layer, a third emission layer, a second electron transport layer and an electron injection layer are sequentially stacked between the first stack and the second electrode;
A charge generation layer formed between the first stack and the second stack to adjust the charge balance between the respective stacks,
The first light emitting layer of the first stack is formed of a fluorescent blue light emitting layer having a peak of 1-Peak.
The second emission layer and the third emission layer of the second stack have a 2-Peak emission peak and are formed in direct contact with each other,
One of the second light emitting layer and the third light emitting layer is formed of a phosphorescent green light emitting layer or a phosphorescent yellow green light emitting layer, and the other is formed of a phosphorescent red light emitting layer,
The phosphorescent green light-emitting layer or the phosphorescent yellow-green light-emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that the thickness of the phosphorescent red light-emitting layer is thicker.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 발광층은 상기 제 2 정공 수송층과 직접 접촉하여 형성되고,
상기 제 2 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 1,
The second light emitting layer is formed in direct contact with the second hole transport layer,
The second light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that made by doping a dopant to the hole host and the electron host.
제 2 항에 있어서,
상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층의 재료와 동일한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 2,
The hole emitting host of the second light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that the same as the material of the second hole transport layer.
제 2 항에 있어서,
상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 2,
The hole emitting host of the second light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that formed by 20% to 80% by volume of the total host.
제 1 항에 있어서,
상기 제 3 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 1,
The third light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that made by doping a dopant to the hole host and the electron host.
제 5 항에 있어서,
상기 제 3 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 5,
The hole emitting host of the third light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that formed by 20% to 80% by volume of the total host.
제 1 항에 있어서,
상기 제 3 발광층은 양극성 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 1,
The third light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that made by doping a dopant to the bipolar host.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 인광 녹색 발광층 또는 상기 인광 황녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께의 3배인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 1,
The thickness of the phosphorescent green light-emitting layer or the phosphorescent yellow-green light-emitting layer is 3 times the thickness of the phosphorescent red light-emitting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 인광 녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 상기 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
According to claim 1,
The dopant doping ratio of the phosphorescent green emission layer is higher than the dopant doping ratio of the phosphorescent red emission layer.
기판 상에 서로 대향된 제 1 전극과 제 2 전극;
상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에서, 상기 제 1 전극 상에 정공 주입층, 제 1 정공 수송층, 제 1 발광층 및 제 1 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 1 스택;
상기 제 1 스택과 제 2 전극 사이에서, 상기 제 1 스택 상에 제 2 정공 수송층, 제 2 발광층, 제 3 발광층 및 제 2 전자 수송층이 순차적으로 적층된 제 2 스택;
상기 제 2 스택과 제 2 전극 사이에서, 상기 제 2 스택 상에 제 3 정공 수송층, 제 4 발광층, 제 3 전자 수송층 및 전자 주입층이 순차적으로 적층된 제 3 스택;
각 스택들 간의 전하 균형을 조절하도록 상기 제 1 스택과 제 2 스택 사이에 형성된 제 1 전하 생성층 및 상기 제 2 스택과 제 3 스택 사이에 형성된 제2 전하 생성층을 포함하고,
상기 제 1 발광층 및 제 4 발광층은 발광피크는 1-Peak를 가지는 형광 청색 발광층으로 형성되고,
상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 상기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 전하 생성층 사이에 배치되고, 상기 제 2 스택의 제 2 발광층 및 제 3 발광층은 발광피크는 2-Peak를 가지고, 서로 접촉하여 형성되고,
상기 제 2 발광층 및 제 3 발광층 중 어느 하나는 인광 녹색 발광층 또는 인광 황녹색 발광층으로 형성되고, 다른 하나는 인광 적색 발광층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
A first electrode and a second electrode facing each other on the substrate;
A first stack in which a hole injection layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer and a first electron transport layer are sequentially stacked on the first electrode between the first electrode and the second electrode;
A second stack in which a second hole transport layer, a second light emitting layer, a third light emitting layer and a second electron transport layer are sequentially stacked on the first stack between the first stack and the second electrode;
A third stack in which a third hole transport layer, a fourth light emitting layer, a third electron transport layer and an electron injection layer are sequentially stacked on the second stack between the second stack and the second electrode;
A first charge generation layer formed between the first stack and the second stack and a second charge generation layer formed between the second stack and the third stack to adjust the charge balance between the respective stacks,
The first light emitting layer and the fourth light emitting layer are formed of a fluorescent blue light emitting layer having a 1-Peak emission peak,
The second emission layer and the third emission layer of the second stack are disposed between the first charge generation layer and the second charge generation layer, and the second emission layer and the third emission layer of the second stack have a 2-Peak emission peak. And formed in contact with each other,
White organic light emitting device, characterized in that one of the second light emitting layer and the third light emitting layer is formed of a phosphorescent green light emitting layer or a phosphorescent yellow green light emitting layer, and the other is formed of a phosphorescent red light emitting layer.
제 11 항에 있어서,
상기 제 2 발광층은 상기 제 2 정공 수송층과 직접 접촉하여 형성되고,
상기 제 2 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
The second light emitting layer is formed in direct contact with the second hole transport layer,
The second light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that made by doping a dopant to the hole host and the electron host.
제 12 항에 있어서,
상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 상기 제 2 정공 수송층의 재료와 동일한 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 12,
The hole emitting host of the second light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that the same as the material of the second hole transport layer.
제 12 항에 있어서,
상기 제 2 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 12,
The hole emitting host of the second light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that formed by 20% to 80% by volume of the total host.
제 11 항에 있어서,
상기 제 3 발광층은 정공 호스트 및 전자 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
The third light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that made by doping a dopant to the hole host and the electron host.
제 15 항에 있어서,
상기 제 3 발광층의 정공 호스트는 전체 호스트의 20 부피% 내지 80 부피%로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 15,
The hole emitting host of the third light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that formed by 20% to 80% by volume of the total host.
제 11 항에 있어서,
상기 제 3 발광층은 양극성 호스트에 도펀트를 도핑하여 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
The third light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that made by doping a dopant to the bipolar host.
제 11 항에 있어서,
상기 인광 녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
The thickness of the phosphorescent green light emitting layer is a white organic light emitting device, characterized in that thicker than the thickness of the phosphorescent red light emitting layer.
제 18 항에 있어서,
상기 인광 녹색 발광층의 두께는 인광 적색 발광층의 두께의 3배인 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 18,
The thickness of the phosphorescent green light-emitting layer is a white organic light-emitting device, characterized in that three times the thickness of the phosphorescent red light-emitting layer.
제 11 항에 있어서,
상기 인광 녹색 발광층의 도펀트 도핑 비율은 인광 적색 발광층의 도펀트 도핑 비율보다 높은 것을 특징으로 하는 백색 유기 발광 소자.
The method of claim 11,
The dopant doping ratio of the phosphorescent green emission layer is higher than that of the phosphorescent red emission layer.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020130114553A 2012-12-18 2013-09-26 White organic light emitting device KR102130648B1 (en)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013022617.1A DE102013022617B3 (en) 2012-12-18 2013-11-15 White organic light emitting device and organic light emitting device
DE102013112602.2A DE102013112602B4 (en) 2012-12-18 2013-11-15 White organic light emitting device
GB1322017.3A GB2510690B (en) 2012-12-18 2013-12-12 White organic light emitting device
US14/109,634 US9224967B2 (en) 2012-12-18 2013-12-17 White organic light emitting device
CN201310700545.9A CN103872253B (en) 2012-12-18 2013-12-18 White organic light emitting device
US14/949,184 US10026915B2 (en) 2012-12-18 2015-11-23 White organic light emitting device
US16/012,267 US10418577B2 (en) 2012-12-18 2018-06-19 White organic light emitting device
US16/534,816 US10741781B2 (en) 2012-12-18 2019-08-07 White organic light emitting device
KR1020200079965A KR102277563B1 (en) 2012-12-18 2020-06-30 White organic light emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20120148300 2012-12-18
KR1020120148300 2012-12-18

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200079965A Division KR102277563B1 (en) 2012-12-18 2020-06-30 White organic light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140079273A KR20140079273A (en) 2014-06-26
KR102130648B1 true KR102130648B1 (en) 2020-07-06

Family

ID=51130539

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130114553A KR102130648B1 (en) 2012-12-18 2013-09-26 White organic light emitting device
KR1020200079965A KR102277563B1 (en) 2012-12-18 2020-06-30 White organic light emitting device

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200079965A KR102277563B1 (en) 2012-12-18 2020-06-30 White organic light emitting device

Country Status (2)

Country Link
KR (2) KR102130648B1 (en)
DE (1) DE102013022617B3 (en)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102272053B1 (en) * 2014-10-28 2021-07-02 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting device
KR102357167B1 (en) * 2014-11-19 2022-02-08 엘지디스플레이 주식회사 Pyrimidine derivative and organic light emitting device comprising the same
KR102230878B1 (en) * 2014-11-19 2021-03-23 엘지디스플레이 주식회사 Pyrimidine derivative and organic light emitting device comprising the same
KR102381544B1 (en) * 2014-12-04 2022-03-31 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and display device having thereof
KR102295795B1 (en) * 2014-12-04 2021-08-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and display device having thereof
KR102295796B1 (en) * 2014-12-04 2021-08-30 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and display device having thereof
KR102280013B1 (en) * 2014-12-04 2021-07-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and display device having thereof
KR102543974B1 (en) * 2014-12-18 2023-06-19 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting display device
KR102357440B1 (en) * 2015-01-05 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
KR102435038B1 (en) * 2015-03-30 2022-08-22 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR102389833B1 (en) * 2015-10-23 2022-04-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR102443940B1 (en) * 2015-12-07 2022-09-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus
KR102490164B1 (en) * 2015-12-31 2023-01-18 엘지디스플레이 주식회사 White organic light emitting diode display device
KR102567320B1 (en) * 2016-04-30 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Element and Organic Light Emitting Display Device
KR102614067B1 (en) * 2016-06-21 2023-12-14 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Element and Organic Light Emitting Display Device Using the Same
KR102603592B1 (en) * 2016-06-28 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Lighting Emitting Device and Organic Lighting Display Device Using the Same
KR102637121B1 (en) * 2016-12-29 2024-02-14 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Apparatus using the same
KR102387794B1 (en) * 2017-10-27 2022-04-15 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Device
KR102367821B1 (en) * 2017-10-31 2022-02-28 엘지디스플레이 주식회사 White Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Device
KR102283121B1 (en) * 2018-08-10 2021-07-28 주식회사 엘지화학 Organic light emitting diode
KR102488944B1 (en) * 2021-03-16 2023-01-13 엘지디스플레이 주식회사 Pyrimidine derivative and organic light emitting device comprising the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7750561B2 (en) 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
CN101217187B (en) 2008-01-14 2011-04-06 电子科技大学 Preparation method if organic electroluminescence device with super-thin layer structure
KR100933747B1 (en) * 2008-04-01 2009-12-24 단국대학교 산학협력단 Organic light emitting device
US7977872B2 (en) * 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
KR20100073417A (en) * 2008-12-23 2010-07-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode device
JP5609058B2 (en) 2009-10-22 2014-10-22 ソニー株式会社 Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200083422A (en) 2020-07-08
DE102013022617B3 (en) 2021-11-18
KR102277563B1 (en) 2021-07-14
KR20140079273A (en) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102277563B1 (en) White organic light emitting device
US10741781B2 (en) White organic light emitting device
US9831291B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN102097455B (en) Oled device
KR101786881B1 (en) White organic light emitting device
KR101429537B1 (en) Organic light emitting diodes
KR102104978B1 (en) Organic light emitting display and method for fabricating the same
GB2511191A (en) Organic light emitting display device
WO2020232911A1 (en) Electroluminescent display device
CN107195793A (en) A kind of white light organic electroluminescent device and corresponding display panel
KR20120071263A (en) White organic light emitting device
KR101715857B1 (en) White Organic Emitting Device
CN104752613B (en) Organic Light Emitting Diode and the organic LED display device including it
KR102387794B1 (en) White Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Display Device
KR20230135554A (en) Organic light emitting display device
KR101777124B1 (en) White organic light emitting device
KR101849583B1 (en) White organic light emitting display device
WO2021233130A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display panel
KR20200058838A (en) Organic Light Emitting Diode Display Device
CN113972330B (en) Light emitting device, manufacturing method, display panel and display device
KR102230940B1 (en) White organic light emitting device
KR101333810B1 (en) The hybrid white organic light emitting devices and the method of making the same
KR20210031675A (en) White organic light emitting device
KR102280013B1 (en) Organic light emitting device and display device having thereof
KR20110060586A (en) Manufacturing method of organic electro-luminescence device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant