KR102125993B1 - 윈도우 기판 및 윈도우 기판의 면취 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 윈도우 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보의 개수가 전체 엠보의 60% 이상인 엠보 패턴을 포함함으로써, 연신율이 현저히 개선되어 파단을 억제할 수 있는 윈도우 기판에 관한 것이다.

Description

윈도우 기판 및 윈도우 기판의 면취 가공 방법 {A window substrate and method of champering the same}
본 발명은 윈도우 기판 및 윈도우 기판의 면취 가공 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 평판 디스플레이 윈도우 기판의 절단 및 면취 공정은 다음과 같은 방식으로 수행된다.
먼저, 기계적 절단 방식이 있다. 상기 방식은 다이아몬드 또는 카바이드 눈새김 휠이 유리 표면을 가로질러 끌림으로써 유리판에 눈금이 기계적으로 새겨지게 되고, 그 후 상기 눈금을 따라 유리판이 휘어짐으로써 절단되어 절단 가장자리가 생성된다. 통상적으로 상기와 같은 기계적 절단 방식은 약 100 내지 150㎛ 깊이의 측방향 균열을 만들게 되며, 상기 균열은 눈새김 휠의 절삭선으로부터 발생한다. 상기 측방향 균열은 윈도우 기판의 강도를 저하시키기 때문에 윈도우 기판의 절단부를 연마하여 제거해줘야 한다.
다음으로, 레이저를 통한 비접촉 절단 방식이 있다. 상기 방식은 레이저가 윈도우 기판의 가장자리에 새긴 금(check)을 지나 유리 표면상의 소정 경로를 따라 움직임으로써 유리 표면을 팽창시키면, 냉각기가 그 뒤를 따라 움직이면서 상기 표면을 인장시킴으로써, 레이저의 진행 경로를 따라 균열을 열적으로 전파시켜 윈도우 기판을 절단시킨다.
상기와 같은 기계식 또는 레이저로 절단된 윈도우 기판의 절단부는 날카롭고 그 표면이 고르지 못하여 외부 충격에 취약하므로, 면취 공정을 거쳐야 한다.
면취 공정은 일반적으로 상기 절단부의 가공 즉, 면취를 위하여 폴리싱 휠을 회전하여 연마를 수행한 후, 면취부에 미세한 크랙에 의한 모서리부의 깨짐 등의 현상을 방지하기 위해 식각액으로 식각하는 2단계 공정을 거친다.
이러한 면취 공정을 거쳐 절단부의 평활도가 개선되고 강도가 높아지나, 이러한 통상적인 면취 공정으로 연신율이 우수한 윈도우 기판을 제공하기는 어려웠다.
한국등록특허 제895830호에는 평판 디스플레이 유리 기판의 에지 가공 방법이 개시되어 있다.
한국등록특허 제895830호
본 발명은 연신율이 우수한 윈도우 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 연신율이 우수한 윈도우 기판을 얻을 수 있는 면취 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보의 개수가 전체 엠보의 60% 이상인 엠보 패턴을 포함하는 윈도우 기판.
2. 위 1에 있어서, 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 미만인 엠보의 개수가 전체 엠보의 2 내지 40%, 5㎛ 내지 10㎛인 엠보의 개수가 20 내지 70%, 10㎛ 초과 내지 20㎛ 이하인 엠보의 개수가 10 내지 40%, 20㎛ 초과인 엠보가 0 내지 20%인 엠보 패턴을 포함하는 윈도우 기판.
3. 위 1에 있어서, 상기 윈도우 기판은 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC) 및 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로 형성된 윈도우 기판.
4. 위 3에 있어서, 상기 유리는 강화처리된 유리인 윈도우 기판.
5. 윈도우 기판의 절단부에 연마 휠을 접촉하고 절단부를 따라 100 내지 800mm/초의 속도로 이동시켜 연마하는 단계; 및 함불소 화합물을 4 내지 12중량% 포함하는 식각액으로 20초 내지 10분간 식각하는 단계를 포함하여, 면취부에 위 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
6. 위 5에 있어서, 상기 연마 휠은 연마면에 입자 크기가 200 내지 1200메쉬인 절삭 매체가 산재된, 면취부에 위 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
7. 위 5에 있어서, 상기 연마하는 단계에서 연마 휠은 10,000 내지 50,000rpm으로 회전하는 것인, 면취부에 위 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
8. 위 5에 있어서, 상기 식각액의 온도는 15 내지 40℃ 인, 면취부에 위 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
본 발명의 윈도우 기판은 면취부에 특정 엠보 패턴을 포함함으로써, 연신율이 현저히 개선되어 기판의 파단을 억제할 수 있다.
도 1은 실시예 1의 방법에 따라 면취 가공을 수행한 윈도우 기판의 면취부의 SEM 사진이다.
도 2는 비교예 1의 방법에 따라 면취 가공을 수행한 윈도우 기판의 면취부의 SEM 사진이다.
본 발명은 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보의 개수가 전체 엠보의 60%인 엠보 패턴을 포함함으로써, 연신율이 현저히 개선되어 파단을 억제할 수 있는 윈도우 기판에 관한 것이다.
이하 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
윈도우 기판의 절단 방식의 대표적인 예로 기계적 절단과 광학적 절단을 들 수 있는데, 이러한 절단된 윈도우 기판의 절단부는 날카롭고 그 표면이 고르지 못하여 외부 충격에 취약하므로 면취 공정을 거쳐야 한다.
이러한 면취 공정은 일반적으로 상기 절단부의 가공 즉, 면취를 위하여 회전하는 연마 휠을 상기 절단부에 접촉시켜 연마를 수행하는 단계, 및 면취부에 존재하는 미세한 크랙에 의한 모서리부의 깨짐 등의 현상을 방지하기 위해 상기 면취부를 식각액으로 식각하는 단계의 2단계 공정을 거친다.
도 1에는 본 발명의 일 구현예(실시예)에 따른 윈도우 기판의 면취부가 나타나 있는데, 이와 같이 본 발명은 윈도우 기판의 절단부에 면취 가공을 거쳐, 윈도우 기판이 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보의 개수가 전체 엠보의 60%인 엠보 패턴을 포함하는 경우에 연신율이 개선되는 것에 착안한 것이다.
상기 밑면은 단위 엠보를 정면으로 바라보았을 때 보이는 테두리로 둘러싸인 타원형(온전한 타원뿐만 아니라 각지거나 일그러진 경우도 포함)의 면을 말한다. 그리고, 밑면의 장축은 상기 타원상의 두 점을 잇는 가장 긴 선분을 말한다.
본 발명에 따른 윈도우 기판은 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보의 개수가 전체 엠보의 60% 이상인 엠보 패턴을 포함하고, 상기 연신율 개선의 측면에서 바람직하게는 65 내지 95%일 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 윈도우 기판은 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 미만인 엠보의 개수가 전체 엠보의 2 내지 40%, 5㎛ 내지 10㎛인 엠보의 개수가 20 내지 70%, 10㎛ 초과 내지 20㎛ 이하인 엠보의 개수가 10 내지 40%, 20㎛ 초과인 엠보가 0 내지 20%인 엠보패턴을 포함할 수 있다. 면취부에 상기 특정 크기 및 비율의 엠보 패턴을 포함하는 경우, 연신율 개선 효과가 극대화된다.
본 발명은 또한 면취부에 상기 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 윈도우 기판의 면취 가공 방법의 일 구현예를 그 단계별로 보다 상세히 설명한다.
먼저, 절단된 윈도우 기판의 절단부를 연마한다.
연마 단계는 윈도우 기판의 날카로운 절단부를 연마하여 표면을 고르게 한다.
연마 방법은 연마 휠을 절단부에 접촉시켜 연마하는 방법을 사용한다
연마 휠의 윈도우 기판의 절단부와 접하는 연마면은 통상적으로 적당한 매트릭스, 즉 바인더(예를 들면, 수지나 금속 접합 매트릭스)에 산재된 절삭 매체로서 다이아몬드 입자, 숫돌, 탄화물 입자 등을 포함할 수 있다.
상기 절삭 매체의 입자 크기는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 200 내지 1200메쉬일 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대, 200 내지 1200메쉬, 200 내지 1000메쉬, 200 내지 800메쉬, 200 내지 600메쉬, 250 내지 1000메쉬, 400 내지 1200메쉬, 400 내지 1000메쉬, 400 내지 800메쉬 등일 수 있다. 바람직하게는 250 내지 1000메쉬, 보다 바람직하게는 400 내지 800메쉬일 수 있다. 절삭 매체의 입자 크기가 200 내지 1200메쉬 범위 내인 경우, 용이하게 연마가 이루어질 수 있고, 연마 단계의 다른 공정 조건 및 후속 식각 공정 조건을 함께 만족시킴으로써 면취부에 상기 특정 크기 및 비율의 엠보 패턴을 형성할 수 있어, 강도 및 연신율을 개선할 수 있다.
연마 휠은 절단부에 접촉된 채로 절단부를 따라 이동할 수 있다.
연마 휠의 윈도우 기판의 절단부를 따라 이동하는 속도는 100 내지 800mm/초이다. 상기 범위 내에서 예컨대, 100 내지 800mm/초, 100 내지 600 mm/초, 100 내지 400mm/초, 150 내지 700mm/초, 150 내지 500mm/초, 200 내지 800mm/초, 200 내지 600mm/초, 200 내지 400mm/초, 400 내지 800mm/초, 400 내지 600mm/초 등일 수 있다. 바람직하게는 150 내지 700mm/초, 보다 바람직하게는 200 내지 600mm/초 일 수 있다. 연마 휠의 이동 속도가 100 내지 800mm/초 범위 내인 경우, 연마 단계의 다른 공정 조건 및 후속 식각 공정 조건을 함께 만족시킴으로써 면취부에 상기 특정 크기 및 비율의 엠보 패턴을 형성할 수 있어, 강도 및 연신율을 개선할 수 있다.
연마 휠이 원형인 경우에는 휠을 회전하면서 연마를 수행할 수 있는데, 연마 휠의 회전 속도는 특별히 한정되지 않고 이후 식각 단계를 거쳐 본 발명에 따른 엠보 패턴이 형성될 수 있도록 적절히 선택될 수 있으며, 예를 들면 10,000 내지 50,000rpm일 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대, 10,000 내지 50,000rpm, 10,000 내지 45,000rpm, 10,000 내지 40,000rpm, 10,000 내지 30,000rpm, 12,000 내지 45,000rpm, 12,000 내지 35,000rpm, 15,000 내지 40,000rpm, 15,000 내지 35,000rpm 등일 수 있다. 바람직하게는 12,000 내지 45,000rpm, 보다 바람직하게는 15,000 내지 40,000rpm일 수 있다. 연마 휠의 회전 속도가 상기 범위 내인 경우, 연마 단계의 다른 공정 조건 및 후속 식각 공정 조건을 함께 만족시킴으로써 면취부에 상기 특정 크기 및 비율의 엠보 패턴을 형성할 수 있어, 강도 및 연신율을 개선할 수 있다.
이후에, 상기 연마 단계를 거친 윈도우 기판을 식각한다.
식각 단계는 면취부의 평활도를 개선하여, 미세한 크랙에 의한 모서리부의 깨짐 등의 현상을 방지한다.
식각 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 윈도우 기판을 당 분야에서 통상적으로 사용되는 식각액에 침지하거나, 식각액을 면취부에 분사하는 방법 등에 의할 수 있으며, 바람직하게는 윈도우 기판을 식각액에 침지함으로써 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액은 함불소 화합물을 포함한다. 함불소 화합물은 윈도우 기판을 식각하는 주요 성분으로서, 수용액 상에서 불소이온을 낼 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 HF, NaF, KF, NH4F, KBF4, NH4BF4 또는 NaBF4에서 선택되며, 더욱 바람직하게는 HF를 사용한다.
함불소 화합물의 함량은 식각액 총 중량 중 4 내지 12중량%이다. 상기 범위 내에서 예컨대, 4 내지 12중량%, 4 내지 10중량%, 4 내지 8중량%, 4 내지 10중량%, 4 내지 8중량%, 5 내지 12중량%, 5 내지 9중량% 등일 수 있다. 바람직하게는 4 내지 10중량%, 보다 바람직하게는 5 내지 9중량%일 수 있다. 함불소 화합물의 함량이 4중량% 미만이면 특정 비율 및 크기의 본 발명에 따른 엠보 패턴을 얻을 수 없으며, 12중량% 초과이면 엠보 패턴을 얻을 수 없을 뿐만 아니라 처리 비용의 문제가 있어 공정 효율이 떨어지고 환경 오염 발생 염려가 있다.
필요에 따라, 본 발명에 따른 식각액은 함불소 화합물 외에 예를 들면, 황산 및 질산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 더 포함하여, 식각 성능을 강화할 수 있다.
식각액은 그 외에도 필요에 따라 당 분야에서 통상적으로 사용되는 계면활성제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있고, 잔량의 물을 포함한다.
식각액의 온도는 특별히 한정되지 않고 마찬가지로 적절히 선택될 수 있으며, 예를 들면 15 내지 40℃일 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대, 15 내지 40℃, 15 내지 32℃, 15 내지 30℃, 18 내지 40℃, 18 내지 32℃, 18 내지 30℃, 20 내지 40℃, 20 내지 32℃, 20 내지 30℃ 등일 수 있다. 바람직하게는 18 내지 35℃, 보다 바람직하게는 20 내지 30℃일 수 있다. 식각액의 온도가 15 내지 40℃ 범위 내인 경우, 본 발명에 따른 엠보 패턴을 효율적으로 형성할 수 있으며, 식각액의 안정성이 우수하다.
식각 단계는 20초 내지 10분간 수행된다. 상기 범위 내에서 예컨대, 20초 내지 10분, 20초 내지 8분, 20초 내지 5분, 1분 내지 10분, 1분 내지 8분, 1분 내지 5분, 1분 내지 3분, 3분 내지 8분, 3분 내지 5분 등일 수 있다. 바람직하게는 1분 내지 8분, 보다 바람직하게는 1분 내지 5분간 수행될 수 있다. 식각 단계의 수행 시간이 20초 미만인 경우에는 본 발명에 따른 엠보 패턴을 얻을 수 없으며, 10분 초과인 경우에는 엠보 패턴을 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 윈도우 기판의 면취부 이외의 패턴이 손상될 수 있다.
본 발명에 있어서, 윈도우 기판은 액정표시장치, 터치 스크린 패널 등에 적용되어 이들을 외력으로부터 충분히 보호할 수 있도록 내구성이 크고, 사용자가 디스플레이를 잘 볼 수 있도록 하는 물질이라면 특별히 한정되지 않으며, 당분야에서 사용되는 윈도우 기판이 특별한 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들면, 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 유리가 사용될 수 있고, 보다 바람직하게는 강화처리된 유리가 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 윈도우 기판의 적용 대상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 모니터, 텔레비전 등의 투명 보호창으로 사용되거나, 터치 스크린 패널 등에 적용될 수 있다.
윈도우 기판이 터치 스크린 패널에 적용되는 경우에는, 면취 가공 전에 그 일면에 전극 패턴을 포함하는 적층 구조체가 형성된 것일 수 있다.
이러한 적층 구조는 터치 스크린 패널의 구체적인 용도 등에 따라 당분야에 알려진 적층 구조를 제한 없이 채택될 수 있다. 예를 들면, 전극 패턴, 절연층, BM, 인덱스 매칭층(투명 유전층), 보호층, 비산방지막 등이 적어도 1층 이상씩 사용되어 다양한 순서로 적층된 구조를 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전극 패턴은 영상센서의 터치 영역인 표시부에 손가락을 접촉시키면 사람의 몸에서 발생하는 정전기를 감지해서 전기신호로 연결하는 역할을 한다.
전극 패턴 형성에 사용되는 도전성 물질은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 금속와이어 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
금속와이어에 사용되는 금속은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 은(Ag), 금, 알루미늄, 구리, 철, 니켈, 티타늄, 텔레늄, 크롬 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
전극 패턴 중 비표시부 대응 영역 상에 전극 패턴 회로가 형성될 수 있다. 전극 패턴 회로는 윈도우 기판 표시부의 터치에 의해 전극 패턴에서 발생하는 전기적 신호를 FPCB, IC chip 등으로 전달하는 역할을 한다. 전극 패턴 회로는 전극 패턴과 동일한 재질로 동일한 방법에 의해 형성될 수 있다.
절연층은 상기 전극의 전기적 단락을 방지하는 것으로서, 재질은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 실리콘 산화물과 같은 금속 산화물, 폴리머 및 아크릴계 수지 등으로 형성될 수 있다.
BM(비전도성 패턴)은 기기 내부의 기판, 배선 등을 보이지 않게 하기 위해서 윈도우 기판의 중앙부에 터치 영역인 표시부가 구획되도록 윈도우 기판의 테두리부에 비표시부에 불투명한 장식층을 형성한다.
비전도성 패턴은 바인더 수지, 중합성 화합물, 중합개시제, 안료, 용매 등을 포함하는 통상적으로 사용되는 비전도성패턴 형성용 조성물로 형성될 수 있다.
비전도성 패턴 형성용 조성물은 비전도성 금속, 비전도성 산화물 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다.
비전도성 금속의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 주석 또는 실리콘알루미늄합금을 들 수 있다.
비전도성 산화물의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 이산화티타늄(TiO2), 이산화규소(SiO2) 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다.
인덱스 매칭층은 니오븀 산화물, 규소 산화물 또는 이들의 혼합물을 포함하여 형성될 수 있다.
보호층은 전극 패턴을 포함하는 적층 구조체의 외부로부터의 오염 및 파손을 방지하는 역할을 한다.
비산방지막은 상기 각 패턴을 보호하고 윈도우 기판이 파열될 때 비산되는 것을 방지하는 역할을 한다.
비산방지막의 재질은 내구성을 제공하고 투명한 재질이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 PET(polyethylen terephthalate)일 수 있다.
비산방지막의 형성방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 스핀(spin) 코팅, 롤(roll) 코팅, 스프레이 코팅, 딥(dip) 코팅, 플로(flow) 코팅, 닥터 블레이드(doctor blade)와 디스펜싱(dispensing), 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 패드(pad) 프린팅, 그라비아 프린팅, 옵셋 프린팅, 플렉소(flexography) 프린팅, 스텐실 프린팅, 임프린팅(imprinting) 방법 등을 들 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 1
Nd;YAG 레이저로 절단된 두께 0.7mm, 폭 60cm의 강화처리된 유리의 절단부에 700메쉬의 절삭 매체가 연마면에 산재된, 20,000rpm으로 회전하는 원형의 연마 휠을 접촉시켜 150mm/초의 속도로 이동시키며 연마 가공을 수행하였다.
이후에 상기 연마된 절단부를 HF를 5중량% 포함하는 18℃의 식각액으로 90초간 식각하여 절단면에 엠보 패턴을 형성하였다.
실시예 2
식각 단계의 수행 시간을 3분으로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 면취 가공을 수행하였다.
비교예
식각 단계를 수행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 면취 가공을 수행하였다.
실험예 . 연신율 측정
상기 실시예 및 비교예에서 면취 가공을 거친 윈도우 기판의 하부에 기판 중앙으로부터 양쪽으로 각각 20mm 떨어진 2개의 지지 스팬을 설치하고, 기판 중앙 상부에 위치한 상부 스팬으로 윈도우 기판 상부에 하중을 가하였다.
상부 스팬이 윈도우 기판에 닿는 지점부터 윈도우 기판이 깨지게 되는 지점까지의 거리를 측정하여 하기 수학식 1로 표시되는 연신율을 평가하였고, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
[수학식 1]
연신율(%)= (6Tδ)/s2
(식 중, T는 윈도우 기판의 두께(mm), δ는 크로스헤드 변위(mm), s는 지지 스팬 사이의 거리(mm)임).
도 1에는 실시예 1의 면취부 사진, 도 2에는 비교예 1의 면취부 사진을 나타내었다.
구분 면취부
엠보 패턴의
형성 여부
면취부의 밑면의
장축 길이가
5㎛ 이상인
엠보의 비율
(%)
연신율(%)
실시예 1 85.8 0.8
실시예 2 92.5 1.2
비교예 X - 0.3
상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 및 2의 윈도우 기판은 각각 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보를 각각 전체 엠보수의 85.8%, 92.5%로 포함하고 있어, 각각 연신율이 0.8%, 1.2%로 매우 우수하였다.
도 1에는 실시예 1의 윈도우 기판의 면취부의 SEM 사진이 도시되어 있는데, 이를 참조하면 면취부에 선명하게 형성된 엠보 패턴을 확인할 수 있다.
그러나 식각 단계를 수행하지 않은 비교예는 면취부에 엠보 패턴이 형성되지 않았고, 연신율은 0.3%로 매우 불량하였다.
도 2에는 비교예의 윈도우 기판의 면취부의 SEM 사진이 도시되어 있는데, 이를 참조하면 면취부에 엠보 패턴이 형성되지 않은 것을 확인할 수 있다.

Claims (8)

  1. 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 이상인 엠보의 개수가 전체 엠보의 60% 이상인 엠보 패턴을 포함하는 윈도우 기판.
  2. 청구항 1에 있어서, 면취부에 밑면의 장축 길이가 5㎛ 미만인 엠보의 개수가 전체 엠보의 2 내지 40%, 5㎛ 내지 10㎛인 엠보의 개수가 20 내지 70%, 10㎛ 초과 내지 20㎛ 이하인 엠보의 개수가 10 내지 40%, 20㎛ 초과인 엠보가 0 내지 20%인 엠보패턴을 포함하는 윈도우 기판.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 윈도우 기판은 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC) 및 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종으로 형성된 윈도우 기판.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 유리는 강화처리된 유리인 윈도우 기판.
  5. 윈도우 기판의 절단부에 연마 휠을 접촉하고 절단부를 따라 100 내지 800mm/초의 속도로 이동시켜 연마하는 단계; 및
    함불소 화합물을 4 내지 12중량% 포함하는 식각액으로 20초 내지 10분간 식각하는 단계를 포함하여,
    면취부에 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 연마 휠은 연마면에 입자 크기가 200 내지 1200메쉬인 절삭 매체가 산재된, 면취부에 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 연마 휠은 10,000 내지 50,000rpm으로 회전하는 것인, 면취부에 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 식각액의 온도는 15 내지 40℃인, 면취부에 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항의 엠보 패턴을 형성하는, 윈도우 기판의 면취 가공 방법.
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