KR102122528B1 - Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막 증착에 사용되는 마스크와 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 상면에 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층을 형성함으로써 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 노출된 패드전극 앞에 상기 절연물질로 확산 방지층을 형성하여 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.The flexible organic light emitting diode display device of the present invention and a method of manufacturing the same are provided in a flexible organic light emitting diode display device to which a face seal sealing structure is applied, a pad of a TFT substrate in contact with a mask used for depositing an inorganic protective film of the sealing means By forming an antistatic layer with an insulating material having a low dielectric constant on the upper surface of the region, it is characterized by preventing damage to the device by static electricity generated during loading and unloading of the mask.
In addition, the flexible organic light emitting diode display device of the present invention and a method for manufacturing the same are formed by forming a diffusion barrier layer with the insulating material in front of the exposed pad electrode to prevent diffusion of the inorganic protective film of the encapsulation means. It is characterized in that it is possible to prevent contact-related defects.
Description
본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a flexible organic light emitting diode display device using a face seal sealing structure and a manufacturing method thereof.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.Recently, as interest in information display has increased and the demand to use a portable information medium has increased, it has been applied to a lightweight flat panel display (FPD) that replaces the existing display element, a cathode ray tube (CRT). Korea's research and commercialization are focused.
이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 다양한 요구에 따라 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD), which is light and has low power consumption, has been the most popular display device, but development of new display devices has been actively developed according to various demands.
새로운 디스플레이 장치 중 하나인 유기발광다이오드 표시장치는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시장치에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.The organic light emitting diode display device, which is one of the new display devices, is self-emission type, and thus has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device. Do. And, it has the advantage of being capable of driving a DC low voltage and having a fast response speed, and particularly has an advantage in terms of manufacturing cost.
이하, 상기 유기발광다이오드 표시장치의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the basic structure and operating characteristics of the organic light emitting diode display device will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram for explaining the light emission principle of the organic light emitting diode.
일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 다수의 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)을 구비한다.A typical organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode as shown in FIG. 1. The organic light emitting diode includes a plurality of
이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.At this time, the organic compound layer (30a, 30b, 30c, 30d, 30e) is a hole injection layer (hole injection layer) (30a), hole transport layer (hole transport layer) (30b), emission layer (emission layer) (30c), electrons It includes a transport layer (electron transport layer) (30d) and an electron injection layer (electron injection layer) (30e).
상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to the
유기발광다이오드 표시장치는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.The organic light emitting diode display device displays an image by arranging pixels having an organic light emitting diode having the above-described structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with a data voltage and a scan voltage.
상기 유기발광다이오드 표시장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스 방식의 표시장치로 나뉘어진다. 이 중에서, 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display device is divided into a passive matrix method or an active matrix method using a TFT as a switching element. Among them, the active matrix method selects a pixel by selectively turning on a TFT, which is an active element, and maintains light emission of the pixel at a voltage maintained in a storage capacitor.
상기 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드, 서로 교차하는 데이터라인과 게이트라인, 스위칭 TFT, 구동 TFT 및 스토리지 커패시터를 구비한다.The pixel of the active matrix type organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode, a data line and a gate line intersecting each other, a switching TFT, a driving TFT, and a storage capacitor.
상기 스위칭 TFT는 게이트라인으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT의 온-타임기간 동안 데이터라인으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT의 게이트전극과 스토리지 커패시터에 인가된다.The switching TFT is turned on in response to the scan pulse from the gate line to conduct a current path between its source and drain electrodes. During the on-time period of the switching TFT, the data voltage from the data line is applied to the gate electrode and storage capacitor of the driving TFT via the source and drain electrodes of the switching TFT.
상기 구동 TFT는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터는 데이터전압과 저전위 전원전압 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.The driving TFT controls the current flowing through the organic light emitting diode according to the data voltage applied to its gate electrode. Then, the storage capacitor stores the voltage between the data voltage and the low potential power supply voltage, and then keeps it constant for one frame period.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 무기 보호막의 증착을 위한 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자 손상을 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a device damage caused by static electricity generated during loading and unloading of a mask for depositing an inorganic protective film in a general organic light emitting diode display.
이때, 상기 도 2는 봉지수단의 무기 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.In this case, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a part of the pad region of the TFT substrate in contact with the mask for depositing the inorganic protective film of the sealing means.
상기 도 2를 참조하면, 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(미도시)가 형성된 TFT 기판(10)과 상기 TFT 기판(10) 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)(20)으로 이루어진다.Referring to FIG. 2, a typical organic light emitting diode display device includes a
이때, 상기 TFT 기판(10)의 기판(1)으로 폴리이미드와 같이 휘거나 굽힐 수 있는 플렉서블 기판을 적용할 수 있으며, 이 경우 표시영역의 곡면 형성이 가능하므로 디스플레이 응용 영역이 다양하게 될 뿐만 아니라 기존의 유리기판 기반의 표시장치로 적용이 제한적이거나 불가능했던 이형 표시장치의 실현을 가능하게 한다.At this time, a flexible substrate that can be bent or bent like a polyimide can be applied to the
이와 같은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 특성상 봉지구조는 투과율이 좋고 투명한 물질들을 이용한 적층 구조를 가져야 한다. 이때, 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 경우 상기 봉지층(20)을 구체적으로 설명하면, 음극(미도시)이 형성된 TFT 기판(10) 위에는 봉지수단으로 1차 보호막(23a)과 유기막(23b) 및 2차 보호막(23c)이 차례대로 형성되어 있다.Due to the characteristics of the flexible organic light emitting diode display device, the encapsulation structure must have a high transmittance and a laminated structure using transparent materials. In this case, when the face seal sealing structure is applied, the
이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 2차 보호막(23c)이 형성된 TFT 기판(10) 전면에는 최종적인 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름(barrier film)이 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(10)과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(adhesive)가 개재되어 있다.At this time, although not shown in the drawing, a protective film made of a multi-layer for final sealing is placed on the front surface of the
이와 같이 일반적인 유기발광다이오드 표시장치는 외부에서 유입되는 공기나 수분을 차단하여 TFT와 유기발광다이오드를 보호하기 위해 봉지층(20)을 구비하는데, 현재의 페이스 실 봉지구조에서는 무기 보호막인 상기 1차 보호막(23a)과 2차 보호막(23c)의 증착영역을 정의하기 위해 소정의 메탈 마스크(metal mask)(50)를 이용하게 된다.As described above, a general organic light emitting diode display device includes an
이때, 상기 마스크(50)가 접촉하는 TFT 기판(10)의 패드영역에는 소정의 보호막(15)이 형성되어 있고, 그 하부에는 표시영역의 게이트, 데이터 배선을 구성하는 도전물질로 이루어진 소정의 메탈 라인(12p)이 형성되어 있다.At this time, a predetermined
이 경우 상기 1차 보호막(23a)과 2차 보호막(23c)을 증착하기 위해 상기 마스크(50)를 TFT 기판(10)의 보호막(15d) 위에 안착, 즉 로딩하게 되며, 이후 상기 증착공정이 완료된 후에는 상기 마스크(50)를 탈착, 즉 언로딩하게 된다.In this case, in order to deposit the primary
이때, 상기 마스크(50)는 세라믹(ceramic)(55)으로 코팅되어 있으나, 마스크(50)의 안착, 또는 안착 후의 얼라인을 위한 이동 시 상기 마스크(50)와 TFT 기판(10)간 마찰 정전기가 발생하며, 이로 인해 소자, 즉 상기 메탈 라인(12p)이나 상기 메탈 라인(12p)에 연결되는 게이트, 데이터 배선 또는 유기발광다이오드에 열 손상이 발생하게 된다. 또한, 증착 공정 중 쌓여있던 전하가 마스크(50)의 탈착 시 정전상태가 깨지게 됨에 따라 박리 대전이 일어나게 되며, 이러한 박리 대전에 의해 발생한 방전 에너지가 상기 메탈 라인(12p)이나 게이트, 데이터 배선 또는 유기발광다이오드를 열화시키는 현상이 발생한다.At this time, the
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 페이스 실(face seal) 봉지구조를 적용한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막 증착에 사용되는 마스크와 TFT 기판간 발생하는 정전기를 최소화 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, in a flexible organic light emitting diode display device to which a face seal encapsulation structure is applied, minimizes static electricity generated between the mask used for the deposition of the inorganic protective film of the encapsulation means and the TFT substrate An object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same.
본 발명의 다른 목적은 상기 봉지수단의 무기 보호막의 패드영역으로의 확산을 방지하여 신호 및 접촉 관련 불량을 방지하도록 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same to prevent signal and contact-related defects by preventing diffusion of the encapsulation means into the pad region of the inorganic protective film.
기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.In addition, other objects and features of the present invention will be described in the configuration and claims of the invention described below.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판; 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성된 더미 패턴; 상기 표시영역의 TFT 기판에 형성된 1차 보호막; 상기 1차 보호막 위에 형성된 유기막; 및 상기 유기막 위에 형성된 2차 보호막을 포함하며, 상기 더미 패턴은 상기 표시영역에 형성된 격벽이나 스페이서를 구성하는 절연물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a TFT substrate divided into a display area and a pad area; A dummy pattern formed on the TFT substrate in the pad area; A primary protective film formed on a TFT substrate in the display area; An organic film formed on the primary protective film; And a second passivation layer formed on the organic layer, wherein the dummy pattern is made of an insulating material constituting a partition wall or a spacer formed in the display area.
이때, 점착제를 통해 상기 2차 보호막 위에 부착된 다층의 보호필름을 추가로 포함할 수 있다.At this time, it may further include a multi-layered protective film attached on the secondary protective film through an adhesive.
상기 더미 패턴은 상기 표시영역의 격벽이나 스페이서를 구성하는 폴리이미드로 이루어질 수 있다.The dummy pattern may be formed of a polyimide constituting a partition wall or spacer of the display area.
이때, 상기 더미 패턴은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드로 이루어져 상기 1차, 2차 보호막을 형성할 때 마스크의 안착이나 탈착 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지하는 대전 방지층을 구성할 수 있다.At this time, the dummy pattern is composed of a polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, and when forming the primary and secondary protective films, an antistatic layer is formed to prevent damage to the device due to static electricity generated when the mask is seated or detached. can do.
상기 대전 방지층은 상기 마스크와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 구성될 수 있다.The antistatic layer may be formed in a line or dot shape to reduce the contact area with the mask.
상기 대전 방지층은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들을 피해서 구성될 수 있다.The anti-static layer may be formed to avoid the integrated circuit chip or pad electrodes formed and exposed on the TFT substrate in the pad area.
상기 라인형 대전 방지층의 한 라인은 50nm ~ 50㎛의 두께 및 50nm ~ 50㎛의 폭을 가지도록 구성될 수 있다.One line of the line-type antistatic layer may be configured to have a thickness of 50 nm to 50 μm and a width of 50 nm to 50 μm.
이때, 상기 라인형 대전 방지층의 라인간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성될 수 있다.At this time, the interval between the lines of the line-type antistatic layer may be 50 nm to 50 μm.
상기 도트형 대전 방지층의 가로 및 세로는 50nm ~ 50㎛로 구성될 수 있다.The dot-type antistatic layer may have a width and a length of 50 nm to 50 μm.
이때, 상기 도트형 대전 방지층의 두께 및 도트간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성될 수 있다.At this time, the thickness of the dot-type antistatic layer and the distance between dots may be 50 nm to 50 μm.
상기 더미 패턴은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들 앞에 적어도 1열로 형성되어 상기 1차, 2차 보호막의 확산을 방지하는 확산 방지층을 구성할 수 있다.The dummy pattern may be formed on at least one row in front of the integrated circuit chip or pad electrodes formed and exposed on the TFT substrate in the pad region to form a diffusion preventing layer preventing diffusion of the primary and secondary protective films.
이때, 상기 확산 방지층은 상기 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.At this time, the diffusion barrier layer may be formed to have a width of 10 μm to 100 μm in front of 10 μm to 300 μm from the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.
이때, 상기 확산 방지층은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.At this time, the diffusion barrier layer may be formed to have a thickness of 2㎛ or more.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법은 표시영역과 패드영역으로 구분되는 TFT 기판을 제공하는 단계; 상기 패드영역의 TFT 기판에 더미 패턴을 형성하는 단계; 상기 표시영역의 TFT 기판에 1차 보호막을 형성하는 단계; 상기 1차 보호막 위에 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막 위에 2차 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 더미 패턴은 상기 표시영역에 격벽이나 스페이서를 형성할 때 상기 격벽이나 스페이서를 구성하는 절연물질로 형성하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes providing a TFT substrate divided into a display area and a pad area; Forming a dummy pattern on the TFT substrate in the pad area; Forming a primary protective film on the TFT substrate in the display area; Forming an organic layer on the primary protective layer; And forming a second passivation layer on the organic layer, wherein the dummy pattern is formed of an insulating material constituting the partition or spacer when forming a partition or spacer in the display area.
이때, 상기 더미 패턴은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드로 형성되어 상기 1차, 2차 보호막을 형성할 때 마스크의 안착이나 탈착 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지하는 대전 방지층을 구성할 수 있다.At this time, the dummy pattern is formed of a polyimide having a dielectric constant of 3 to 4 to form an antistatic layer that prevents damage to elements due to static electricity generated when the mask is seated or detached when forming the primary and secondary protective films. Can be configured.
상기 대전 방지층은 상기 마스크와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.The antistatic layer may be formed in a line or dot shape to reduce the contact area with the mask.
상기 대전 방지층은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들을 피해서 형성할 수 있다.The antistatic layer may be formed on the TFT substrate of the pad area to avoid the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.
상기 더미 패턴은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들 앞에 적어도 1열로 형성되어 상기 1차, 2차 보호막의 확산을 방지하는 확산 방지층을 구성할 수 있다.The dummy pattern may be formed on at least one row in front of the integrated circuit chip or pad electrodes formed and exposed on the TFT substrate in the pad region to form a diffusion preventing layer preventing diffusion of the primary and secondary protective films.
이때, 상기 확산 방지층은 상기 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성할 수 있다.At this time, the diffusion barrier layer may be formed to have a width of 10 μm to 100 μm in front of 10 μm to 300 μm from the exposed integrated circuit chip or pad electrodes.
이때, 상기 확산 방지층은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.At this time, the diffusion barrier layer may be formed to have a thickness of 2㎛ or more.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 봉지수단의 무기 보호막 증착에 사용되는 마스크와 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 상면에 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층을 형성함으로써 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지할 수 있게 된다.As described above, the organic light emitting diode display device and the method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention have an insulating material having a low dielectric constant on the upper surface of the pad region of the TFT substrate in contact with the mask used for the deposition of the inorganic protective film of the sealing means By forming the antistatic layer, it is possible to prevent damage to the device due to static electricity generated during loading and unloading of the mask.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은 노출된 패드전극 앞에 상기 절연물질로 확산 방지층을 형성하여 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있게 된다.In addition, the organic light emitting diode display device and the manufacturing method according to an embodiment of the present invention prevents diffusion of the inorganic protective film of the encapsulating means by forming a diffusion barrier layer with the insulating material in front of the exposed pad electrode. It is possible to prevent signals and contact-related defects caused by.
도 1은 유기발광다이오드의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 무기 보호막의 증착을 위한 마스크의 로딩 및 언로딩 시 발생하는 정전기에 의한 소자 손상을 설명하기 위한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 표시영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 9는 봉지수단의 무기 보호막의 증착 시 마스크의 들뜸으로 인한 무기 보호막의 확산을 설명하기 위한 단면도.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도.
도 13은 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 흐름도.1 is a diagram for explaining the light emission principle of the organic light emitting diode.
2 is a cross-sectional view illustrating a device damage due to static electricity generated during loading and unloading of a mask for depositing an inorganic protective film in a general organic light emitting diode display device.
3 is a perspective view exemplarily showing a structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a display area in a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating the structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing a part of a pad area in the flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.
7 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of an encapsulation means is loaded in the flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.
8 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of an encapsulation means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view for explaining the diffusion of the inorganic protective film due to the lifting of the mask when depositing the inorganic protective film of the sealing means.
10A and 10B are cross-sectional views schematically showing a part of a pad area in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
11 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of an encapsulation means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
12 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of an encapsulating means is loaded in a flexible organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention.
13 is a flowchart sequentially showing a manufacturing process of a flexible organic light emitting diode display device according to the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장될 수 있다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the present embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the person having the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification. The size and relative size of layers and regions in the drawings may be exaggerated for clarity of explanation.
소자(element) 또는 층이 다른 소자 또는 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않는 것을 나타낸다.An element or layer referred to as another element or “on” or “on” includes all other layers or other elements in the middle as well as directly above the other element or layer. do. On the other hand, when a device is referred to as “directly on” or “directly above”, it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below, beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.The spatially relative terms "below, beneath", "lower", "above", "upper", etc. are a single element or component as shown in the figure. And other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if the device shown in the figure is turned over, a device described as "below" or "beneath" the other device may be placed "above" the other device. Accordingly, the exemplary term “below” can include both the directions below and above.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며, 따라서 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing the embodiments, and therefore is not intended to limit the present invention. In the present specification, the singular form also includes the plural form unless otherwise specified in the phrase. As used herein, "comprise" and/or "comprising" refers to the components, steps, operations and/or elements mentioned above, the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements. Or do not exclude additions.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 사시도로써, 패드영역에 연성 회로기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)이 체결된 상태의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 예를 들어 나타내고 있다.3 is a perspective view showing a structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention by way of example, and a flexible printed circuit board (FPCB) in a pad area is fastened. A diode display device is shown as an example.
그리고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 표시영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically showing a part of the display area in the flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.
이때, 설명의 편의상 상기 도 4는 코플라나 구조의 TFT를 이용한 전면발광(top emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 TFT부 및 커패시터 형성부를 포함하는 하나의 부화소를 예를 들어 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 TFT의 구조 및 발광 방식에 관계없이 적용 가능하다.In this case, for convenience of description, FIG. 4 shows, for example, one sub-pixel including a TFT portion and a capacitor forming portion of a top emission type organic light emitting diode display using a coplanar TFT. However, the present invention is not limited to this, and the present invention is applicable regardless of the structure and light emission method of the TFT.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 예시적으로 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating the structure of a flexible organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 봉지수단의 무기 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 개략적으로 나타내고 있다.6 is a cross-sectional view schematically showing a part of the pad area in the flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, and a part of the pad area of the TFT substrate in contact with the mask for depositing the inorganic protective film of the sealing means Is schematically shown.
상기 도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 크게 영상을 표시하는 패널 어셈블리(100)와 상기 패널 어셈블리(100)에 연결되는 연성 회로기판(140)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the flexible organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes a
상기 패널 어셈블리(100)는 표시영역(active area)(AA)과 패드영역이 정의되는 TFT 기판(110)과 상기 표시영역(AA)을 덮으면서 상기 TFT 기판(110) 위에 형성되는 봉지층(encapsulation layer)(120)을 포함한다.The
이때, 상기 패드영역은 상기 봉지층(120)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.At this time, the pad region may be exposed without being covered by the
TFT와 유기발광다이오드 등을 포함하는 상기 TFT 기판(110)은 베이스가 되는 기판(101)으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 이때 그 배면에는 백 플레이트(back plate)(105)가 부착될 수 있다.The
그리고, 상기 봉지층(120) 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판(미도시)이 부착될 수 있다.In addition, a polarizing plate (not shown) for preventing reflection of light incident from the outside may be attached to the
이때, 도시하지 않았지만, 상기 TFT 기판(110)의 표시영역(AA)에는 부화소(sub pixel)들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시영역(AA)의 외측에는 부화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자 및 기타 부품들이 위치한다.In this case, although not shown, sub-pixels are arranged in a matrix form in the display area AA of the
이러한 TFT 기판(110)의 표시영역(AA)을 상기 도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(101) 위에 버퍼층(111)이 형성되고, 그 위에 액티브층(114)이 형성되어 있다.When the display area AA of the
그리고, 상기 액티브층(114) 위에는 실리콘질화막(SiNx) 또는 실리콘산화막(SiO2) 등으로 이루어진 게이트절연막(115a)이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극(112)을 포함하는 게이트라인(미도시) 및 제 1 유지전극(116)이 형성되어 있다.In addition, a
상기 게이트전극(112)을 포함하는 게이트라인 및 제 1 유지전극(116) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등으로 이루어진 층간절연막(inter insulation layer)(115b)이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인(미도시), 구동 전압라인(미도시), 소오스/드레인전극(113a, 113b) 및 제 2 유지전극(117)이 형성되어 있다.An
이때, 상기 제 2 유지전극(117)은 상기 층간절연막(115b)을 사이에 두고 그 하부의 제 1 유지전극(116)의 일부와 중첩하여 스토리지 커패시터를 형성하게 된다.In this case, the
상기 소오스/드레인전극(113a, 113b)은 콘택홀을 통해 상기 액티브층(114)의 소오스/드레인영역에 전기적으로 접속하게 된다.The source/
상기 데이터라인, 구동 전압라인, 소오스/드레인전극(113a, 113b) 및 제 2 유지전극(117)이 형성된 기판(101) 위에는 실리콘질화막 또는 실리콘산화막 등의 무기 절연물질이나 벤조싸이클로부텐(benzocyclobutene; BCB), 포토 아크릴 등의 유기 절연물질로 이루어진 보호막(115c)이 형성되어 있다.An inorganic insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film or benzocyclobutene (BCB) on the
그리고, 상기 보호막(115c) 위에는 화소전극(118)이 형성되어 있다. 상기 화소전극(118)은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.Further, a
이때, 양극인 상기 화소전극(118)은 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(113b)과 전기적으로 접속하게 된다.In this case, the anode, the
상기 화소전극(118)이 형성된 기판(101) 위에는 격벽(partition)(115e)이 형성되어 있다. 이때, 상기 격벽(115e)은 화소전극(118) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽(115e)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(115e)은 차광부재의 역할을 하게 된다.A partition 115e is formed on the
상기 격벽(115e)이 형성된 기판(101) 위에는 유기발광층(130)이 형성되어 있다.The organic
이때, 상기 유기발광층(130)은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic
상기 유기발광층(130) 위에는 음극인 공통전극(common electrode)(128)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극(128)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.A
그리고, 상기 TFT 기판(110)의 패드영역에는 스캔 드라이버와 데이터 드라이버로 전기 신호를 전달하기 위한 패드전극들이 위치한다.Further, pad electrodes for transmitting electrical signals to the scan driver and the data driver are positioned in the pad area of the
상기 봉지층(120)은 TFT 기판(110)에 형성된 TFT와 유기발광다이오드 위에 형성되어 TFT와 유기발광다이오드를 외부로부터 밀봉하여 보호한다.The
상기 봉지층(120)을 상기 도 5를 참조하여 구체적으로 설명하면, 일 예로 음극(128)이 형성된 TFT 기판(110) 위에 봉지수단으로 1차 보호막(123a)과 유기막(123b) 및 2차 보호막(123c)이 차례대로 형성되어 있다.When the
상기 1차 보호막(123a)의 경우 무기절연막으로 이루어져 있어 하부 TFT 단차에 의해 스택 커버리지(stack coverage)가 좋지 않으나, 그 상부에 위치하는 유기막(123b)이 평탄화 역할을 하기 때문에 2차 보호막(123c)은 하부 막에 의한 단차에 영향을 받지 않게 된다. 또한, 폴리머로 이루어진 상기 유기막(123b)의 두께가 충분히 두껍기 때문에 이물에 의한 크랙(crack)도 보완해 줄 수 있다.The primary
상기 2차 보호막(123c)을 포함하는 TFT 기판(110) 전면에는 최종적인 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름(125)이 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(110)과 보호필름(125) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제(124)가 개재되어 있다.A
이렇게 구성된 패널 어셈블리(100)의 패드영역에는 칩 온 글라스(chip on glass) 방식으로 집적회로 칩(미도시)이 실장 된다.An integrated circuit chip (not shown) is mounted in the pad area of the
상기 연성 회로기판(140)에는 구동 신호를 처리하기 위한 전자 소자(미도시)들이 칩 온 필름(chip on film) 방식으로 실장되고, 외부 신호를 연성 회로기판(140)으로 전송하기 위한 커넥터(미도시)가 설치된다.Electronic devices (not shown) for processing driving signals are mounted on the
이러한 연성 회로기판(140)은 패널 어셈블리(100)의 뒤쪽으로 접혀 연성 회로기판(140)이 패널 어셈블리(100)의 배면과 마주하도록 한다. 즉, TFT 기판(110)에 봉지층(120)이 합착되어 패널 어셈블리(100)를 구성하는 상태에서 벤딩부를 가진 연성 회로기판(140)이 접착층(미도시)을 통해 유기발광다이오드 표시장치의 배면에 부착되게 된다.The
한편, 전술한 바와 같이 현재의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 봉지에는 무기 보호막인 1차 보호막과 2차 보호막의 증착영역을 정의하기 위해 소정의 메탈로 이루어진 마스크를 사용하게 된다. 이때, 상기 마스크가 TFT 기판 위에 안착되는 과정에서 마찰 대전이 발생하고, 마스크 탈착 시에는 박리 대전이 발생하여 소자에 손상을 주고 있다.On the other hand, as described above, a mask made of a predetermined metal is used to define the deposition regions of the primary protective film and the secondary protective film, which are inorganic protective films, in the sealing of the current flexible organic light emitting diode display device. At this time, friction charging occurs in the process where the mask is seated on the TFT substrate, and peeling charging occurs when the mask is detached, thereby damaging the device.
상기 도 6을 참조하면, 이에 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 세라믹(155)으로 코팅된 상기 마스크(150)와 접촉하는 TFT 기판(110)의 패드영역 상면에 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층(125)을 형성함으로써 마스크(150)의 안착 및 탈착 시 상기 패드영역의 메탈 라인(112p)과 발생하는 정전기에 의한 소자의 손상을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 6, the present invention has a low dielectric constant of 1 to 6 on the top surface of the pad region of the
즉, 본 발명은 마스크(150)와 접촉하는 TFT 기판(110)의 접촉면에 대전 방지층(125)을 형성하여 정전기 발생을 억제 또는 방전 에너지를 감소시키는 것을 목적으로 한다.That is, an object of the present invention is to form an
일반적으로 정전기는 대전물체의 마찰 및 박리 시 일어나며, 본 발명에서는 메탈 마스크(150)와 TFT 기판(110)의 보호막(115) 사이의 마찰 및 박리 시 발생하는 정전기를 방지하고자 저유전율을 가진 대전 방지층(125)을 상기 보호막(115) 위에 형성하는 것을 특징으로 한다.In general, static electricity occurs during friction and peeling of the charged object. In the present invention, an antistatic layer having a low dielectric constant is used to prevent static electricity generated during friction and peeling between the
이러한 대전 방지층(125)은 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 형성할 수 있으며, 일 예로 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용할 수 있으며, 마스크(150)와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.The
상기 대전 방지층(125)으로 폴리이미드를 사용하는 경우 표시영역(AA)의 격벽(115e)이나 스페이서 형성 시 동시에 형성할 수 있어 마스크의 추가가 필요하지 않은 이점을 가진다.When the polyimide is used as the
여기서 낮은 유전상수를 가진 절연물질을 이용하는 이유는 방전에너지(E)가 정전용량(C)에 비례하는데, 상기 정전용량(C)은 다음 수학식과 같이 사용된 부도체의 유전상수에 비례하기 때문이다.The reason for using an insulating material having a low dielectric constant is that the discharge energy (E) is proportional to the capacitance (C), because the capacitance (C) is proportional to the dielectric constant of the non-conductor used as in the following equation.
[수학식] 
이때, 상기 
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.7 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in the flexible organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.
그리고, 도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.And, FIG. 8 is a plan view illustrating a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in the flexible organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention.
이때, 상기 도 7은 라인 형태의 대전 방지층을 적용한 경우를 예를 들어 나타내고 있으며, 상기 도 8은 도트 형태의 대전 방지층을 적용한 경우를 예를 들어 나타내고 있다.In this case, FIG. 7 shows an example in which a line type antistatic layer is applied, and FIG. 8 shows an example in which a dot type antistatic layer is applied.
상기 도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 대전 방지층(125, 225)은 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 형성할 수 있으며, 일 예로 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용할 수 있으며, 마스크(150, 250)와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.7 and 8, the
이와 같이 상기 대전 방지층(125, 225)을 패터닝하는 이유로는 외부와 연결되는 집적회로 칩이나 패드전극들(113p, 213p)을 피해서 형성하는 한편, 도체 판 넓이(A)의 감소로 정전용량(C)을 줄여주는 효과를 주기 위함이다.The reason for patterning the
이때, 도시된 집적회로 칩이나 패드전극들(113p, 213p)의 형성 위치 및 개수, 형태 등은 설명의 편의를 위해 예를 들고 있는 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 대전 방지층(125, 225)의 형성 위치 및 개수, 형태 등 역시 도시된 바에 한정되는 것은 아니며, 외부로 노출되는 상기 집적회로 칩이나 패드전극들(113p, 213p)이 존재하지 않는 부분의 패드영역에 형성하기만 하면 다양하게 변형 가능하다.At this time, the illustrated integrated circuit chip or
상기 라인형 대전 방지층(125)의 한 라인은 50nm ~ 50㎛의 두께 및 50nm ~ 50㎛의 폭을 가지도록 구성할 수 있으며, 라인간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성할 수 있다.One line of the line-type
그리고, 상기 도트형 대전 방지층(225)의 가로 및 세로는 50nm ~ 50㎛로 구성할 수 있으며, 두께 및 도트간 간격은 50nm ~ 50㎛로 구성할 수 있다.In addition, the horizontal and vertical directions of the dot-type
한편, 무기 보호막인 1차 보호막과 2차 보호막은 증착 시 마스크의 끝단에서 확산이 막히게 된다. 그러나, 상기 마스크가 증착 과정에서 발생하는 열에 의해 국부적으로 변형이 일어나게 되며, 기판에 밀착되어야 하는 마스크가 변형으로 들뜨게 되는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.On the other hand, the first protective film and the second protective film, which are inorganic protective films, are blocked from diffusion at the ends of the mask during deposition. However, the mask is locally deformed by heat generated in the deposition process, and the mask that must be in close contact with the substrate is deformed by deformation, which will be described in detail with reference to the drawings.
도 9는 봉지수단의 무기 보호막의 증착 시 마스크의 들뜸으로 인한 무기 보호막의 확산을 설명하기 위한 단면도이다.9 is a cross-sectional view for explaining the diffusion of the inorganic protective film due to the lifting of the mask when depositing the inorganic protective film of the sealing means.
이때, 상기 도 9는 봉지수단으로 1차 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 예를 들어 나타내고 있다.At this time, FIG. 9 shows, for example, a part of the pad region of the TFT substrate in contact with the mask for depositing the primary protective film as the sealing means.
상기 도 9를 참조하면, 전술한 바와 같이 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(미도시)가 형성된 TFT 기판(10)과 상기 TFT 기판(10) 위에 형성되는 1차 보호막(23a)을 포함하는 봉지층으로 이루어진다.Referring to FIG. 9, as described above, the organic light emitting diode display device includes a
이때, 상기 마스크(50)가 접촉하는 TFT 기판(10)의 패드영역에는 소정의 보호막(15)이 형성되어 있고, 그 상부 및 하부에는 표시영역의 전극 및 게이트, 데이터 배선을 구성하는 도전물질로 이루어진 소정의 패드전극(13p) 및 메탈 라인(12p)이 형성되어 있다.At this time, a predetermined
이때, 상기 마스크(50)가 상기 1차 보호막(23a)의 증착 과정에서 발생하는 열에 의해 국부적으로 변형이 일어나게 되며, TFT 기판(10)에 밀착되어야 하는 마스크(50)가 변형으로 들뜨게 된다.At this time, the
이러한 마스크(50)의 들뜸으로 인해 상기 마스크(50) 안쪽으로 증착 기체의 확산이 이루어지게 되고, 상기 1차 보호막(23a)이 증착되지 않아야 하는 콘택영역, 즉 상기 패드전극(13p)과 같은 패드 및 FPCB 부착 부에 상기 1차 보호막(23a)의 형성으로 접촉 및 신호 불량이 발생하게 된다.Due to the excitation of the
이에 따라 본 발명에서는 노출된 패드전극 앞에 절연물질로 확산 방지층을 형성하여 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지하는 것을 특징으로 하며, 이를 다음의 본 발명의 제 3, 제 4 실시예를 통해 상세히 설명한다.Accordingly, the present invention is characterized by preventing a signal and contact-related defects due to the diffusion of the inorganic protective film by preventing the diffusion of the inorganic protective film of the sealing means by forming a diffusion barrier layer with an insulating material in front of the exposed pad electrode. It will be described in detail through the following third and fourth embodiments of the present invention.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 패드영역의 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 봉지수단의 무기 보호막 증착을 위한 마스크가 접촉하는 TFT 기판의 패드영역 일부를 개략적으로 나타내고 있다.10A and 10B are cross-sectional views schematically showing a part of a pad region in a flexible organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention, and a TFT substrate in contact with a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means A part of the pad area is schematically shown.
이때, 상기 도 10a는 확산 방지층이 1열로 구성된 경우를 예를 들어 나타내고 있으며, 상기 도 10b는 확산 방지층이 2열로 구성된 경우를 예를 들어 나타내고 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 확산 방지층은 1열 이상으로 구성될 수 있다.In this case, FIG. 10A shows, for example, a case in which the diffusion barrier layer is composed of one row, and FIG. 10B shows an example in which the diffusion barrier layer is composed of two rows. However, the present invention is not limited to this, and the diffusion barrier layer of the present invention may be composed of one or more rows.
상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광 디스플레이 장치는 다수의 TFT(미도시)와 유기발광다이오드(미도시)가 형성된 TFT 기판(310)과 상기 TFT 기판(310) 위에 형성되는 1차 보호막(323a)을 포함하는 봉지층(미도시)으로 이루어진다.Referring to the drawings, the flexible organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention includes a
이때, 표시영역과 패드영역이 정의되는 상기 TFT 기판(310)과 상기 표시영역을 덮으면서 상기 TFT 기판(310) 위에 형성되는 상기 봉지층을 포함하여 패널 어셈블리를 구성하게 된다.At this time, the panel assembly is configured to include the
이때, 상기 패드영역은 상기 봉지층에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.At this time, the pad area may be exposed without being covered by the encapsulation layer.
상기 TFT 기판(310)의 기판(301)으로 폴리이미드 기판과 같이 휘거나 굽힐 수 있는 플렉서블 기판을 적용할 수 있으며, 이 경우 표시영역의 곡면 형성이 가능하므로 디스플레이 응용 영역이 다양하게 될 뿐만 아니라 기존의 유리기판 기반의 표시장치로 적용이 제한적이거나 불가능했던 이형 표시장치의 실현을 가능하게 한다.As the
즉, TFT와 유기발광다이오드 등을 포함하는 상기 TFT 기판(310)은 베이스가 되는 기판(301)으로 폴리이미드 기판을 적용할 수 있으며, 이때 그 배면에는 백 플레이트(미도시)가 부착될 수 있다.That is, the
이와 같은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 특성상 봉지구조는 투과율이 좋고 투명한 물질들을 이용한 적층 구조를 가져야 한다. 이때, 페이스 실 봉지구조를 적용한 경우 상기 봉지층을 구체적으로 설명하면, 음극(미도시)이 형성된 TFT 기판(310) 위에는 봉지수단으로 1차 보호막(323a)과 유기막(미도시) 및 2차 보호막(미도시)이 차례대로 형성될 수 있다.Due to the characteristics of the flexible organic light emitting diode display device, the encapsulation structure should have a high-transmissivity and a laminated structure using transparent materials. In this case, when the face seal encapsulation structure is applied, the encapsulation layer is described in detail. On the
이때, 도시하지 않았지만, 상기 2차 보호막이 형성된 TFT 기판(310) 전면에는 최종적인 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름이 대향하여 위치하게 되며, 상기 TFT 기판(310)과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제가 개재될 수 있다At this time, although not shown, a protective film made of a multilayer is positioned opposite to the front surface of the
그리고, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있다.In addition, a polarizing plate for preventing reflection of light incident from the outside may be attached on the encapsulation layer.
이때, 상기 TFT 기판(310)의 표시영역에는 부화소들이 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 표시영역의 외측에는 부화소들을 구동시키기 위한 스캔 드라이버와 데이터 드라이버 등의 구동소자 및 기타 부품들이 위치한다.At this time, sub-pixels are arranged in a matrix form in the display area of the
또한, 마스크(350)가 접촉하는 상기 TFT 기판(310)의 패드영역에는 소정의 보호막(315)이 형성되어 있고, 그 상부 및 하부에는 표시영역의 전극 및 게이트, 데이터 배선을 구성하는 도전물질로 이루어진 소정의 패드전극(313p) 및 메탈 라인(312p)이 형성될 수 있다.In addition, a predetermined
이때, 세라믹(355)으로 코팅된 상기 마스크(350)와 접촉하는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 TFT 기판(310)의 패드영역에는 상기 노출된 패드전극(313p) 앞에 소정의 절연물질로 확산 방지층(326)이 형성되어 있으며, 상기 확산 방지층(326)은 상기 1차 보호막(323a)을 포함하는 무기 보호막의 확산을 방지함으로써 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.At this time, the pad region of the
이러한 확산 방지층(326)은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용하여 형성할 수 있으며, 전술한 바와 같이 마스크(350)와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.The
이때, 상기 확산 방지층(326)으로 폴리이미드를 사용하는 경우 표시영역의 격벽이나 스페이서 형성 시 동시에 형성할 수 있어 마스크의 추가가 필요하지 않은 이점을 가진다.In this case, when the polyimide is used as the
특히, 본 발명에 따른 상기 확산 방지층(326)은 상기 무기 보호막이 증착되지 않아야 하는 콘택영역, 즉 상기 패드전극(313p)과 같은 패드 및 FPCB 부착 부로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.Particularly, the
또한, 상기 확산 방지층(326)은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성될 수 있으며, 전술한 바와 같이 1열 이상으로 구성될 수 있다.In addition, the
도 11은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.11 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in the flexible organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention.
그리고, 도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 있어, 봉지수단의 무기 보호막을 증착하기 위한 마스크가 로딩된 상태를 예시적으로 나타내는 평면도이다.And, FIG. 12 is a plan view exemplarily showing a state in which a mask for depositing an inorganic protective film of a sealing means is loaded in the flexible organic light emitting diode display device according to the fourth embodiment of the present invention.
이때, 상기 도 11은 패드전극의 형성여부와 관계없이 콘택영역 앞에 길게 확산 방지층을 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있으며, 상기 도 12는 패드전극이 형성된 콘택영역 앞에만 패터닝되도록 확산 방지층을 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있다.In this case, FIG. 11 shows, for example, a case in which a diffusion barrier layer is formed in front of a contact region regardless of whether or not a pad electrode is formed, and FIG. 12 shows a case where a diffusion barrier layer is formed so as to be patterned only in front of a contact region in which a pad electrode is formed. Is shown as an example.
상기 도 11 및 도 12를 참조하면, 본 발명의 확산 방지층(326, 426)은 3~4의 유전상수를 가진 폴리이미드를 사용하여 형성할 수 있으며, 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.11 and 12, the diffusion barrier layers 326 and 426 of the present invention may be formed using polyimide having a dielectric constant of 3 to 4, and may be formed in a line or dot form.
이때, 도시된 집적회로 칩이나 패드전극들(313p, 413p)의 형성 위치 및 개수, 형태 등은 설명의 편의를 위해 예를 들고 있는 것으로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 확산 방지층(326, 426)의 형성 위치 및 개수, 형태 등 역시 도시된 바에 한정되는 것은 아니며, 외부로 노출되는 상기 집적회로 칩이나 패드전극들(313p, 413p)의 앞에 형성하기만 하면 다양하게 변형 가능하다.At this time, the illustrated integrated circuit chip or
전술한 바와 같이, 상기 확산 방지층(326, 426)은 상기 무기 보호막이 증착되지 않아야 하는 콘택영역, 즉 상기 패드전극(313p, 413p)과 같은 패드 및 FPCB 부착 부로부터 10㎛ ~ 300㎛ 앞에 10㎛ ~ 100㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다.As described above, the diffusion barrier layers 326 and 426 are 10 µm to 300 µm in front of a contact region where the inorganic protective film is not to be deposited, that is, pads such as the
또한, 상기 확산 방지층(326, 426)은 2㎛ 이상의 두께를 가지도록 형성될 수 있으며, 1열 이상으로 구성될 수 있다.In addition, the diffusion barrier layers 326 and 426 may be formed to have a thickness of 2 μm or more, and may be composed of one or more rows.
이하, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the flexible organic light emitting diode display device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 13은 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정을 순차적으로 나타내는 흐름도이다.13 is a flowchart sequentially showing a manufacturing process of a flexible organic light emitting diode display device according to the present invention.
유기발광다이오드 패널은 소정의 기판 위에 다수의 TFT 및 유기발광다이오드들을 구비하며, 상기 유기발광다이오드는 다수의 적층구조를 갖는데, 이를 위해 폴리이미드 기판으로 이루어진 기판을 준비한다(S110).The organic light emitting diode panel includes a plurality of TFTs and organic light emitting diodes on a predetermined substrate, and the organic light emitting diode has a plurality of stacked structures. To this end, a substrate made of a polyimide substrate is prepared (S110).
이후, 상기 기판 위에 소정의 TFT 공정을 진행하여 다수의 TFT를 형성하는데(S120), 우선 버퍼층이 형성된 상기 기판 위에 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon), 다결정 규소(polycrystalline silicon) 또는 산화물 반도체(oxide semiconductor)로 이루어진 액티브층이 형성될 수 있다.Subsequently, a predetermined TFT process is performed on the substrate to form a plurality of TFTs (S120). First, hydrogenated amorphous silicon, polycrystalline silicon, or oxide semiconductor is formed on the substrate on which the buffer layer is formed. ) May be formed of an active layer.
상기 액티브층을 포함하는 기판 위에는 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2) 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극(storage electrode)이 형성될 수 있다.A gate insulating layer made of silicon nitride (SiNx) or silicon dioxide (SiO 2 ) is formed on the substrate including the active layer, and a gate electrode, a gate line, and a storage electrode may be formed thereon.
상기 게이트전극, 게이트라인 및 유지전극이 형성된 기판 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 데이터라인과 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.A gate insulating layer made of silicon nitride or silicon dioxide is formed on the substrate on which the gate electrode, the gate line and the sustain electrode are formed, and a data line, a driving voltage line, and a source/drain electrode may be formed thereon.
상기 데이터라인, 구동 전압라인 및 소오스/드레인전극이 형성된 기판 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 보호막이 형성될 수 있다.A protective film made of silicon nitride or silicon dioxide may be formed on the data line, the driving voltage line, and the substrate on which the source/drain electrodes are formed.
그리고, 상기 보호막 위에는 화소전극(pixel electrode)이 형성될 수 있다. 상기 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.In addition, a pixel electrode may be formed on the passivation layer. The pixel electrode may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) or a reflective conductive material such as aluminum, silver or alloys thereof. .
상기 화소전극이 형성된 기판 위에는 격벽(partition)이 형성될 수 있다.A partition may be formed on the substrate on which the pixel electrode is formed.
이때, 상기 격벽은 화소전극 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어진다. 상기 격벽은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광제로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽은 차광부재의 역할을 하게 된다.At this time, the partition wall defines an opening by surrounding the edge of the pixel electrode like a bank and is made of an organic insulating material or an inorganic insulating material. The partition wall may also be made of a photosensitizer comprising a black pigment, in which case the partition wall serves as a light blocking member.
이때, 폴리이미드와 같은 유기 절연물질을 이용하여 상기 격벽을 형성할 때 상기 TFT 기판의 패드영역에 상기 격벽을 구성하는 유기 절연물질로 대전 방지층이나 확산 방지층을 형성하게 되며, 이러한 대전 방지층이나 확산 방지층은 후술할 무기 보호막을 형성하기 위한 마스크와의 접촉면적을 줄이고자 라인이나 도트 형태로 형성할 수 있다.At this time, when the barrier rib is formed using an organic insulating material such as polyimide, an antistatic layer or a diffusion barrier layer is formed of an organic insulating material constituting the barrier rib in the pad region of the TFT substrate. May be formed in the form of lines or dots to reduce the contact area with the mask for forming the inorganic protective film to be described later.
상기 격벽이 형성된 기판 위에는 유기 화합물층으로 이루어진 유기발광다이오드가 형성될 수 있다(S130).An organic light emitting diode made of an organic compound layer may be formed on the substrate on which the partition wall is formed (S130).
이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층 및 정공수송층과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층 및 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic compound layer may have a multi-layer structure including an auxiliary layer for improving the luminous efficiency of the light-emitting layer in addition to the light-emitting layer emitting light. The sub-layer includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, an electron injection layer and a hole injection layer for enhancing injection of electrons and holes, and the like.
상기 유기 화합물층 위에는 캐소드인 공통전극(common electrode)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.A cathode, a common electrode, may be formed on the organic compound layer. At this time, the common electrode is applied with a common voltage, and may be made of a reflective conductive material including calcium (Ca), barium (Ba), magnesium (Mg), aluminum, silver, or a transparent conductive material such as ITO and IZO. .
상기 공통전극이 형성된 기판 위에는 봉지수단으로 1차 보호막과 유기막 및 2차 보호막이 차례대로 형성될 수 있다(S140-1, S140-2, S140-3).A primary protective film, an organic film, and a secondary protective film may be sequentially formed on the substrate on which the common electrode is formed (S140-1, S140-2, S140-3).
상기 유기막은 폴리머와 같은 고분자 유기물질로 이루어질 수 있으며, 일 예로 올레핀(olefin)계 고분자, PET, 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluorine resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.The organic film may be made of a polymer organic material such as a polymer, and for example, an olefin polymer, PET, epoxy resin, fluorine resin, polysiloxane, and the like may be used.
또한, 상기 1차 보호막 및 2차 보호막은 질화규소 또는 이산화규소 등의 무기절연막으로 이루어질 수 있다.In addition, the primary protective film and the secondary protective film may be made of an inorganic insulating film such as silicon nitride or silicon dioxide.
이때, 상기 본 발명에 따른 무기 보호막은 TFT 기판의 패드영역을 가리도록 위치하는 소정의 메탈 마스크를 사용함에 따라 표시영역 내에만 형성할 수 있다.At this time, the inorganic protective film according to the present invention can be formed only in the display area by using a predetermined metal mask positioned to cover the pad area of the TFT substrate.
이때, 전술한 바와 같이 상기 TFT 기판의 패드영역에 1~6의 낮은 유전상수를 가진 절연물질로 대전 방지층이 형성되는 경우 마스크와 TFT 기판의 접촉에 따른 정전기 발생을 억제 또는 방전 에너지를 감소시킬 수 있게 된다.At this time, as described above, when an antistatic layer is formed of an insulating material having a low dielectric constant of 1 to 6 in the pad region of the TFT substrate, it is possible to suppress generation of static electricity or reduce discharge energy due to contact between the mask and the TFT substrate. There will be.
또한, 노출된 패드전극 앞에 상기 절연물질로 확산 방지층이 형성되는 경우 상기 봉지수단의 무기 보호막의 확산이 방지됨에 따라 상기 무기 보호막의 확산에 의한 신호 및 접촉 관련 불량을 방지할 수 있게 된다.In addition, when the diffusion barrier layer is formed of the insulating material in front of the exposed pad electrode, as diffusion of the inorganic protective film of the encapsulation means is prevented, signals related to diffusion of the inorganic protective film and contact-related defects can be prevented.
다음으로, 상기 2차 보호막을 포함하는 기판 전면에는 유기발광다이오드 패널의 봉지를 위해 다층으로 이루어진 보호필름이 대향하여 위치하게 되며, 상기 기판과 보호필름 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 점착제가 개재될 수 있다(S140-4, S140).Next, on the front surface of the substrate including the secondary protective film, a protective film made of a multi-layer is disposed to face the organic light emitting diode panel, and an adhesive having transparent and adhesive properties is interposed between the substrate and the protective film. It can be (S140-4, S140).
상기 점착제는 일 예로, 접착테이프(Pressure Sensitive Adhesive Tape; PSA Tape)를 사용할 수 있다.The adhesive may be, for example, an adhesive tape (Pressure Sensitive Adhesive Tape; PSA Tape).
그리고, 상기 봉지층 위에는 외부로부터 입사된 광의 반사를 막기 위한 편광판이 부착될 수 있으며, 후공정인 조립공정 및 검사를 거쳐 유기발광다이오드 표시장치의 제조를 완료하게 된다(S150, S160).Then, a polarizing plate for preventing reflection of light incident from the outside may be attached to the encapsulation layer, and after the assembly process and inspection, which are post-processes, manufacturing of the organic light emitting diode display device is completed (S150, S160).
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.Although many matters are specifically described in the above description, this should be interpreted as an example of a preferred embodiment rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be determined by the described embodiments, but should be determined by equivalents to the claims and claims.
101,301 : 기판 110,210,310,410 : TFT 기판
120 : 봉지층 125,225 : 대전 방지층
150,250,350,450 : 마스크 326,426 : 확산 방지층101,301: substrate 110,210,310,410: TFT substrate
120: sealing layer 125,225: antistatic layer
150,250,350,450: Mask 326,426: Diffusion prevention layer
Claims (20)
상기 패드영역의 TFT 기판에 형성된 더미 패턴;
상기 표시영역의 TFT 기판에 형성된 1차 보호막;
상기 1차 보호막 위에 형성된 유기막; 및
상기 유기막 위에 형성된 2차 보호막을 포함하며,
상기 더미 패턴은 상기 표시영역에 형성된 격벽이나 스페이서를 구성하는 절연물질로 이루어지고,
상기 더미 패턴은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들을 피해서 구성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.A TFT substrate divided into a display area and a pad area;
A dummy pattern formed on the TFT substrate in the pad area;
A primary protective film formed on the TFT substrate in the display area;
An organic film formed on the primary protective film; And
It includes a secondary protective film formed on the organic film,
The dummy pattern is made of an insulating material constituting a partition wall or a spacer formed in the display area,
The dummy pattern is formed on a TFT substrate in the pad area and is configured to avoid an integrated circuit chip or pad electrodes exposed to the flexible organic light emitting diode display device.
상기 패드영역의 TFT 기판에 더미 패턴을 형성하는 단계;
상기 표시영역의 TFT 기판에 1차 보호막을 형성하는 단계;
상기 1차 보호막 위에 유기막을 형성하는 단계; 및
상기 유기막 위에 2차 보호막을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 더미 패턴은 상기 표시영역에 격벽이나 스페이서를 형성할 때 상기 격벽이나 스페이서를 구성하는 절연물질로 형성되고,
상기 더미 패턴은 상기 패드영역의 TFT 기판에 형성되어 노출된 집적회로 칩이나 패드전극들을 피해서 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.Providing a TFT substrate divided into a display area and a pad area;
Forming a dummy pattern on the TFT substrate in the pad area;
Forming a primary protective film on the TFT substrate in the display area;
Forming an organic layer on the primary protective layer; And
And forming a second protective layer on the organic layer,
The dummy pattern is formed of an insulating material constituting the partition or spacer when forming the partition or spacer in the display area,
The dummy pattern is formed on a TFT substrate in the pad area and is formed by avoiding an exposed integrated circuit chip or pad electrodes.
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