KR102121406B1 - Wafer heating device - Google Patents

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KR102121406B1
KR102121406B1 KR1020170058481A KR20170058481A KR102121406B1 KR 102121406 B1 KR102121406 B1 KR 102121406B1 KR 1020170058481 A KR1020170058481 A KR 1020170058481A KR 20170058481 A KR20170058481 A KR 20170058481A KR 102121406 B1 KR102121406 B1 KR 102121406B1
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Abstract

본 개시는 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서, 기판; 기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 복수의 반도체 발광소자;그리고, 기판과 웨이퍼 사이에 구비되고, 복수의 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 반사하는 반사부;를 포함하며, 적어도 하나의 반도체 발광소자가 반사부보다 기판의 엣지방향에 위치하는 웨이퍼 가열장치에 관한 것이다.Disclosed is a wafer heating apparatus for heating a wafer, comprising: a substrate; Included in the substrate, a plurality of semiconductor light-emitting device provided below the wafer; And, provided between the substrate and the wafer, a reflector for reflecting a part of the light emitted from the plurality of semiconductor light-emitting device in the wafer edge direction; It relates to a wafer heating apparatus in which at least one semiconductor light emitting element is positioned in the edge direction of the substrate rather than the reflector.

Description

웨이퍼 가열장치{WAFER HEATING DEVICE}Wafer heating device {WAFER HEATING DEVICE}

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 웨이퍼 가열장치에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼를 균일하게 가열하는 웨이퍼 가열장치에 관한 것이다.The present disclosure (Disclosure) relates to a wafer heating apparatus as a whole, and more particularly, to a wafer heating apparatus for uniformly heating a wafer.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Here, background technology is provided in connection with the present disclosure, and this does not necessarily mean prior art.

도 1은 한국 공개등록특허공보 특1999-0039394호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어를 변경하였다.1 is a view showing an example of a wafer heating apparatus proposed in Korean Patent Application Publication No. 1999-0039394. The terminology has been changed for convenience of explanation.

종래의 웨이퍼 가열장치는, 일반적으로 내부에 진공압을 형성하고, 웨이퍼(10)를 파지하는 척(11)을 설치하여 파지한 웨이퍼(10)를 가열하는 본체(12)와, 상기 본체(12)의 일측에 형성된 통로를 통하여 웨이퍼(10)에 빛과 열을 공급하는 램프(15)와, 상기 통로에 설치되어 상기 램프(15)에서 발생한 빛을 통과시켜서 상기 램프(15)의 빛을 웨이퍼(10)에 전달시키는 창(13)과, 상기 램프(15)를 보호하는 하우징(16)를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 본체(12)와 상기 램프(15)사이에 상기 본체(12)의 진공압을 유지하기 위하여 패킹부재(14)를 설치하게 된다. 상기 창(13)은 일반적으로 평판형 투명창을 사용하고 있다. 그러나, 상기와 같은 평판형 창(13)을 상기 웨이퍼(10)와, 상기 램프(15)사이에 설치하여 상기 램프(15)에서 발생한 빛을 통과시키는 종래의 웨이퍼 가열장치는 상기 창(13)을 통과한 빛이 웨이퍼(10)외에 챔버 내의 다른 곳에도 조사되기 때문에 가열효과가 떨어지고 에너지 소모율이 높은 문제점이 있었다. A conventional wafer heating apparatus generally includes a body 12 for heating a wafer 10 held by forming a vacuum pressure therein and installing a chuck 11 for holding the wafer 10, and the body 12 ) A lamp 15 that supplies light and heat to the wafer 10 through a passage formed on one side of the lamp, and is installed in the passage to pass light generated from the lamp 15 to pass the light of the lamp 15 to the wafer It comprises a window (13) for transferring to (10), and a housing (16) for protecting the lamp (15). In addition, a packing member 14 is installed between the main body 12 and the lamp 15 to maintain the vacuum pressure of the main body 12. The window 13 generally uses a flat panel type transparent window. However, the conventional wafer heating apparatus for installing the above-described flat panel window 13 between the wafer 10 and the lamp 15 to pass light generated from the lamp 15 is the window 13. Since the light passing through is irradiated to the wafer 10 and other places in the chamber, there is a problem in that the heating effect is poor and the energy consumption rate is high.

도 1의 웨이퍼 가열장치는 전체적으로 웨이퍼 가열장치이며, 웨이퍼(10)를 균일하게 가열할 때, 웨이퍼(10)를 회전하면서 가열하게 된다. 그러나, 회전 때문에 웨이퍼의 가장자리가 빨리 식어버려 웨이퍼가 균일하게 가열되지 않는 문제점이 발생한다.The wafer heating apparatus in FIG. 1 is a wafer heating apparatus as a whole, and when the wafer 10 is uniformly heated, the wafer 10 is heated while rotating. However, due to the rotation, the edge of the wafer quickly cools, resulting in a problem that the wafer is not heated uniformly.

또한, 웨이퍼 가열장치의 소형화로 인해, 웨이퍼(10)의 크기보다 웨이퍼 가열장치의 크기가 작아져, 웨이퍼(10)의 가장자리에 빛이 닿지 않아 균일하게 가열되지 않는 문제점이 있다. In addition, due to the miniaturization of the wafer heating device, the size of the wafer heating device is smaller than the size of the wafer 10, and there is a problem that light does not reach the edge of the wafer 10 and is not uniformly heated.

도 2는 한국 공개등록특허공보 제10-2016-0024759호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an example of a wafer heating apparatus presented in Korean Patent Publication No. 10-2016-0024759.

도 2(a)는 웨이퍼 가열장치가 구비된 챔버를 전체적으로 나타내는 도면이며, 도 2(b)는 웨이퍼 가열장치의 III부분을 확대한 도면이다. Figure 2 (a) is a view showing the entire chamber equipped with a wafer heating apparatus, Figure 2 (b) is an enlarged view of part III of the wafer heating apparatus.

내부 커버(2)는, 웨이퍼(W)의 프로세싱에 대응하는 폐쇄된 위치로 이동되었다. 즉, 웨이퍼(W)가 회전 척(30)상으로 로딩된 후, 사이드 도어(50)는 폐쇄 또는 제1 위치로 이동되고, 커버(2)는 중공 샤프트(22)상에서 작용하는 적합한 모터(미도시)에 의해 챔버(1)에 대해 상향으로 이동된다. 내부 커버(2)가 폐쇄된 위치에 도달할 때, 따라서 폐쇄된 프로세스 챔버(1) 내에 제2 챔버(48)가 생성된다. 내측 챔버(48)는 또한 챔버(1)의 나머지로부터 기밀 방식으로 시일된다. 또한, 챔버(48)는 바람직하게 챔버(1)의 나머지와 별개로 발산된다. 웨이퍼의 프로세싱 동안, 프로세싱 유체들은, 프로세싱을 겪는 웨이퍼의 에칭, 세정, 린싱, 및 임의의 다른 목표된 표면 처리와 같은 다양한 프로세스들을 수행하기 위해, 매질 유입부들(43 내지 46 및/또는 28)을 통해 회전하는 웨이퍼(W)로 지향될 수도 있다.The inner cover 2 has been moved to a closed position corresponding to the processing of the wafer W. That is, after the wafer W is loaded onto the rotating chuck 30, the side door 50 is moved to the closed or first position, and the cover 2 is a suitable motor (not shown) acting on the hollow shaft 22. Time) to the chamber 1. When the inner cover 2 reaches the closed position, a second chamber 48 is thus created in the closed process chamber 1. The inner chamber 48 is also sealed in an airtight manner from the rest of the chamber 1. Further, the chamber 48 is preferably diverged separately from the rest of the chamber 1. During the processing of the wafer, the processing fluids use the media inlets 43-46 and/or 28 to perform various processes such as etching, cleaning, rinsing of the wafer undergoing processing, and any other targeted surface treatment. It may also be directed to a rotating wafer (W).

본 실시예에서 내부 커버(2)는 웨이퍼 가열장치(60)를 구비한다. 본 실시예의 웨이퍼 가열장치(60)는 내부 커버(2)에 의해 반송된 다수의 청색 LED 램프들(62)을 포함한다. 단면도는 한 줄의 이러한 램프들을 도시하지만, 웨이퍼(W)와 같은 공간에 걸치는(coextensive) 내부 커버(2) 상의 원형 구역을 가능한 한 완전히 채우도록 배열되는 것이 바람직하다. 램프들(62)에 의해 점유된 면적은 원한다면, 회전 척(30)이 홀딩하도록 설계된 웨이퍼(W)의 면적보다 다소 클 수도 있다. 이러한 배열은 웨이퍼(W)가 웨이퍼 가열장치(60)에 의해 중심으로부터 웨이퍼의 최외곽 둘레까지 충분히 가열될 수 있다는 장점을 갖는다. 본 실시예에서 청색 LED 램프들(62)의 어레이는 플레이트(64)에 의해 커버된다. 플레이트(64)는 바람직하게 석영 또는 사파이어로 형성되고, 양자는 청색 LED 램프들(62)에 의해 방출된 파장들을 실질적으로 투과하는 재료들이다. 따라서 유사한 투과 특성들을 갖는 다른 재료들이 플레이트(64)에 대해 사용될 수 있다. 플레이트(64)는 프로세스 챔버 내에서 사용된 화학물질들로부터 LED 램프들(62)을 보호하도록 기능한다. 중앙 개구부가 유체 매질 유입부(28)을 수용하도록, 내부 커버(2)및 플레이트(64) 내에 형성된다. In this embodiment, the inner cover 2 includes a wafer heating device 60. The wafer heating apparatus 60 of this embodiment includes a plurality of blue LED lamps 62 carried by the inner cover 2. The sectional view shows a row of such lamps, but is preferably arranged to completely fill the circular area on the inner cover 2, which is coextensive with the wafer W. The area occupied by the lamps 62 may be slightly larger than the area of the wafer W designed for the rotating chuck 30 to hold, if desired. This arrangement has the advantage that the wafer W can be sufficiently heated from the center to the outermost circumference of the wafer by the wafer heating device 60. The array of blue LED lamps 62 in this embodiment is covered by a plate 64. The plate 64 is preferably formed of quartz or sapphire, both of which are materials that substantially transmit the wavelengths emitted by the blue LED lamps 62. Thus, other materials with similar transmission properties can be used for the plate 64. The plate 64 serves to protect the LED lamps 62 from chemicals used in the process chamber. A central opening is formed in the inner cover 2 and plate 64 to receive the fluid medium inlet 28.

제2 플레이트(54)가 웨이퍼(W) 위에 위치된다. 플레이트(64)는 내부 커버(2)에 대해 고정되지만, 플레이트(54)는 회전 척 상에 장착되어 회전 척과 함께 회전한다. 원한다면, 플레이트(54)는 또한 회전 척(30)에 대해 고정된 방식으로 장착될 수 있지만, 플레이트(54)가 회전 척(30)과 함께 회전하게 하는 것이 바람직하다.The second plate 54 is positioned on the wafer W. The plate 64 is fixed relative to the inner cover 2, but the plate 54 is mounted on the rotating chuck and rotates with the rotating chuck. If desired, the plate 54 can also be mounted in a fixed manner relative to the rotating chuck 30, but it is desirable to have the plate 54 rotate with the rotating chuck 30.

플레이트(54)가 바람직하게, 유체 유입부들(43, 44, 45)의 방출 단부들을 통과하는, 중앙 개구부(55)를 갖는 것을 제외하고, 플레이트(54)는 바람직하게 웨이퍼(W)의 전체 상부 표면 위에 놓인다.Plate 54 is preferably the entire top of the wafer W, except that plate 54 has a central opening 55, preferably passing through the discharge ends of fluid inlets 43, 44, 45 It is placed on the surface.

플레이트(64)는, LED 램프들(62)의 과열(overheating)을 방지하기 위해 내부 커버(2)와 함께, 냉각 유체(66)(예를 들어, 가스 또는 액체)가 순환하는 시일링된 챔버를 형성한다.The plate 64 is sealed chamber through which the cooling fluid 66 (eg, gas or liquid) circulates together with the inner cover 2 to prevent overheating of the LED lamps 62 To form.

도 2는 챔버 내에 웨이퍼 가열장치가 구비된 것이며, 최근의 웨이퍼 가열장치는 소형화 되어, 웨이퍼 보다 웨이퍼 가열장치가 작아지고 있다. 이로 인해, 웨이퍼보다 웨이퍼 가열장치의 크기가 작아지면서 웨이퍼의 엣지까지 균일하게 가열하는 것이 힘든 문제점이 있다.2 is a wafer heating apparatus provided in the chamber, and the recent wafer heating apparatus is miniaturized, and the wafer heating apparatus is smaller than the wafer. For this reason, the size of the wafer heating apparatus is smaller than that of the wafer, and it is difficult to uniformly heat the edges of the wafer.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described at the end of'Details for the Invention'.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).Here, an overall summary of the present disclosure is provided, and this should not be understood as limiting the appearance of the present disclosure (This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서, 기판; 기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 복수의 반도체 발광소자; 기판과 웨이퍼 사이에 구비되는 반사부;로서, 복수의 반도체 발광소자 중 일부는 반사부보다 기판의 엣지방향에 위치하여, 반사부는 엣지방향에 구비된 일부의 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 반사하는 반사부; 복수의 반도체 발광소자와 웨이퍼 사이에 구비되는 투광판; 투광판을 지지하는 측벽; 그리고, 측벽, 투광판 및 기판 사이에 형성되어 밀폐되는 내부공간;으로서, 내부공간에 복수의 반도체 발광소자 및 반사부가 위치하는 내부공간;을 포함하며, 투광판 아래에 반사부가 구비되고, 투광판의 지름보다 웨이퍼의 지름이 더 큰 웨이퍼 가열장치가 제공된다.According to an aspect of the present disclosure (According to one aspect of the present disclosure), a wafer heating apparatus for heating a wafer, comprising: a substrate; A plurality of semiconductor light emitting elements provided on the substrate and provided under the wafer; A reflector provided between the substrate and the wafer; wherein, some of the plurality of semiconductor light emitting elements are located in the edge direction of the substrate rather than the reflector, and the reflecting portion wafers some of the light from some of the semiconductor light emitting elements provided in the edge direction. A reflector reflecting in the edge direction; A light transmitting plate provided between the plurality of semiconductor light emitting elements and the wafer; A side wall supporting the light-transmitting plate; And, the inner space formed between the sidewall, the light-transmitting plate and the substrate is sealed; As, the inner space in which the plurality of semiconductor light-emitting elements and the reflecting portion is located; includes, a reflecting portion is provided below the light-transmitting plate There is provided a wafer heating apparatus having a larger diameter of the wafer than the diameter of.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described at the end of'Details for the Invention'.

도 1은 한국 공개등록특허공보 특1999-0039394호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 공개등록특허공보 제10-2016-0024759호에 제시된 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a wafer heating apparatus presented in Korean Patent Application Publication No. 1999-0039394,
Figure 2 is a view showing an example of a wafer heating apparatus presented in Korean Patent Publication No. 10-2016-0024759,
3 is a view showing an example of a wafer heating apparatus according to the present disclosure,
4 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure,
7 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).Hereinafter, the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings (The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).

도 3은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a wafer heating apparatus according to the present disclosure.

웨이퍼(W)를 가열하는 웨이퍼 가열장치(100)에 있어서, 웨이퍼 가열장치(100)는 기판(110), 복수의 반도체 발광소자(120) 그리고, 반사부(130)를 포함한다. 기판(110)은 웨이퍼(W) 아래에 구비되며, 기판(110)은 웨이퍼(W) 모양과 같은 모양으로 형성될 수 있다. 기판(110)은 인쇄회로기판(PCB)일 수 있다. 복수의 반도체 발광소자(120)는 기판(110)에 구비된다. 반사부(130)는 기판(110)과 웨이퍼(W) 사이에 구비되고, 복수의 반도체 발광소자(120)에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼(W) 엣지방향으로 반사한다. 이때, 적어도 하나의 반도체 발광소자(121)가 반사부(130) 보다 기판(110)의 엣지방향에 위치한다. 반사부(130)는 중심으로부터 일정거리 떨어져 구비될 수 있다. 기판(110)의 중심부에도 복수의 반도체 발광소자(120)가 구비될 수 있다.In the wafer heating apparatus 100 for heating the wafer W, the wafer heating apparatus 100 includes a substrate 110, a plurality of semiconductor light emitting elements 120, and a reflector 130. The substrate 110 is provided under the wafer W, and the substrate 110 may be formed in the same shape as the wafer W. The substrate 110 may be a printed circuit board (PCB). The plurality of semiconductor light emitting devices 120 are provided on the substrate 110. The reflector 130 is provided between the substrate 110 and the wafer W, and reflects some of the light emitted from the plurality of semiconductor light emitting devices 120 in the wafer W edge direction. At this time, at least one semiconductor light emitting device 121 is positioned in the edge direction of the substrate 110 rather than the reflector 130. The reflector 130 may be provided at a certain distance from the center. A plurality of semiconductor light emitting devices 120 may be provided in the center of the substrate 110.

도 3은 반사부(130)가 기판(110)에 구비되는 일 예를 나타낸다. 반사부(130)는 기판(110)과 웨이퍼(W) 사이에 구비될 수 있지만, 본 예에서는 기판(110)에 구비되는 예를 나타낸다. 기판(110)에 구비된 반사부(130)는 적어도 하나의 반도체 발광소자(121)의 내측면에 위치 될 수 있다. 3 shows an example in which the reflector 130 is provided on the substrate 110. The reflector 130 may be provided between the substrate 110 and the wafer W, but this example shows an example provided on the substrate 110. The reflector 130 provided on the substrate 110 may be located on the inner surface of the at least one semiconductor light emitting device 121.

본 예와 같은 복사방식의 웨이퍼 가열장치(100)는 빛이 닿는 부분이 가열이 된다. 웨이퍼 가열장치(100)의 소형화로 인해 웨이퍼(W)가 웨이퍼 가열장치(100)보다 커짐으로써, 웨이퍼(W)의 엣지부분에는 빛이 닿지 않는 문제점이 생긴다. 이 문제점을 해결하기 위해 반사부(130)를 이용해 웨이퍼(W) 엣지부분으로 빛을 반사시켜 웨이퍼(W) 엣지부분이 가열되도록 한다.In the wafer heating apparatus 100 of the radiation method as in this example, a portion where light is in contact is heated. Due to the miniaturization of the wafer heating apparatus 100, the wafer W becomes larger than the wafer heating apparatus 100, which causes a problem that light does not reach the edge portion of the wafer W. To solve this problem, the light is reflected to the edge portion of the wafer W using the reflector 130 so that the edge portion of the wafer W is heated.

도 4는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 다른 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

복수의 반도체 발광소자(120)와 웨이퍼(W) 사이에 투광판(140)이 구비된다. 투광판(140)은 일정한 두께의 판으로 형성되고, 빛이 투과하는 재료로 형성된다. 반사부(130)는 투광판(140)에 구비되는 예이다. 투광판(140)은 사파이어 또는 쿼츠 등으로 형성될 수 있다. 투광판(140)에는 반사부(130)가 구비될 수 있다. 반도체 발광소자(121)를 웨이퍼(W) 엣지방향에 두고 반도체 발광소자(121)에서 나오는 빛(화살표)은 반사부(130)에 의해 웨이퍼(W) 엣지방향으로 반사된다.The transparent plate 140 is provided between the plurality of semiconductor light emitting devices 120 and the wafer W. The light-transmitting plate 140 is formed of a plate having a constant thickness, and is formed of a material through which light passes. The reflector 130 is an example provided in the light transmitting plate 140. The light-transmitting plate 140 may be formed of sapphire or quartz. The reflector 130 may be provided on the transparent plate 140. The semiconductor light emitting device 121 is placed in the edge direction of the wafer W and light (arrows) emitted from the semiconductor light emitting device 121 is reflected in the wafer W edge direction by the reflector 130.

도 5는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.5 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

반사부(130)는 기판(110)과 투광판(140)에 함께 구비되는 예이다. 투광판(140)을 지지하는 측벽(150)이 구비될 수 있으며, 측벽(150), 투광판(140) 및 기판(110) 사이에 내부공간(160)이 형성될 수 있다. 내부공간(160)에는 습기, 약액, 이물질 등이 침투할 수 없도록 형성되어, 복수의 반도체 발광소자(120)나 반사부(130)가 보호될 수 있다. 측벽(150)은 빛을 통과시키지 않을 수 있다. 이로 인해, 빛은 투광판(140)을 통해서만 나갈 수 있다. 측벽(150)의 높이는 5~10mm 일 수 있다. 이는 웨이퍼 가열장치와 웨이퍼를 가능한 밀착시키는 것이 공정진행에 유리하기 때문이다. The reflector 130 is an example provided with the substrate 110 and the light-transmitting plate 140 together. A side wall 150 supporting the light transmitting plate 140 may be provided, and an inner space 160 may be formed between the side wall 150, the light transmitting plate 140, and the substrate 110. The interior space 160 is formed so that moisture, chemicals, foreign substances, and the like cannot penetrate, so that the plurality of semiconductor light emitting devices 120 or the reflector 130 may be protected. The side wall 150 may not pass light. For this reason, light can only go through the light-transmitting plate 140. The side wall 150 may have a height of 5 to 10 mm. This is because it is advantageous to process the wafer heating device and the wafer as closely as possible.

측벽(150)은 내측면(151)을 가질 수 있으며, 내측면(151)에 빛을 반사하는 반사층이 구비될 수 있다. The side wall 150 may have an inner surface 151 and a reflective layer reflecting light on the inner surface 151 may be provided.

기판(110)의 지름보다 웨이퍼(W)의 지름이 더 크다. 웨이퍼 가열장치(100)는 웨이퍼(W)보다 작은 것이 바람직하다. 왜냐하면, 웨이퍼(W)를 처리하는 장치들이 소형화 되는 추세이기 때문에, 웨이퍼 가열장치(100)도 웨이퍼(W) 지름보다 작게 형성되어, 아래에 소형으로 작게 형성되는 것이 바람직하기 때문이다. The diameter of the wafer W is larger than the diameter of the substrate 110. The wafer heating apparatus 100 is preferably smaller than the wafer W. This is because it is preferable that the wafer heating apparatus 100 is formed smaller than the diameter of the wafer W and smaller and smaller below.

도 6은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

반사부(130)는 빛을 반사하는 외측면(131)과 빛을 반사하지 않는 내측면(132)을 포함한다. 반사부(130)의 외측면(131)에는 반사층이 형성될 수 있고, 내측면(132)에는 반사층이 형성되지 않을 수 있다. 내측면(132)에 반사층이 형성되면, 내측면(132)에서 반사된 빛이 웨이퍼(W)에 닿아서, 웨이퍼(W)의 일부만 데울 수 있기 때문에 내측면(132)에는 반사층이 형성되는 것이 바람직하지 않다. 그러므로, 내측면(132)에는 빛이 반사되지 않는 무반사층을 형성할 수 있다.The reflector 130 includes an outer surface 131 that reflects light and an inner surface 132 that does not reflect light. A reflective layer may be formed on the outer surface 131 of the reflective unit 130, and a reflective layer may not be formed on the inner surface 132. When the reflective layer is formed on the inner surface 132, since the light reflected from the inner surface 132 hits the wafer W, only a part of the wafer W can be warmed, so that the reflective layer is formed on the inner surface 132 It is not desirable. Therefore, an antireflection layer that does not reflect light may be formed on the inner surface 132.

도 7은 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

기판(110)에 복수의 반도체 발광소자(120)와 반사부(130)가 구비된 예이다. 반사부(130)는 웨이퍼(W) 아래에 복수개 구비되며, 복수의 반사부(130)는 각각 빛을 다른 각도로 반사한다. 반사부(130)가 기판(110)과 90°로 형성될 때를 기준으로 반사부(130)는 5°~30°사이의 각도를 이룰 수 있으며, 이 각도에 의해서 반도체 발광소자의 빛을 반사해서 웨이퍼(W)의 엣지방향으로 닿는 빛의 너비와 위치가 달라지도록 한다. 또한, 반사부(130)가 구비되지 않는 곳도 있어서, 반사부(130)의 위쪽 웨이퍼(W)도 가열되도록 할 수 있다. 반사부(130)는 복수의 각도를 가질 수 있다. 웨이퍼(W)는 회전하고, 기판(110)은 회전을 하지 않기 때문에, 웨이퍼(W)의 엣지방향을 고르게 온도를 높일 수 있다.The substrate 110 is an example in which a plurality of semiconductor light emitting devices 120 and a reflector 130 are provided. A plurality of reflecting units 130 are provided under the wafer W, and the plurality of reflecting units 130 respectively reflect light at different angles. Based on when the reflector 130 is formed at 90° with the substrate 110, the reflector 130 can achieve an angle between 5° and 30°, and reflects the light of the semiconductor light emitting device by this angle. By doing so, the width and position of the light reaching the edge direction of the wafer W are changed. In addition, in some places where the reflector 130 is not provided, the upper wafer W of the reflector 130 may be heated. The reflector 130 may have a plurality of angles. Since the wafer W rotates and the substrate 110 does not rotate, the temperature can be evenly increased in the edge direction of the wafer W.

도 8은 도 7의 웨이퍼 가열장치의 단면들을 나타낸 도면이다.8 is a view showing cross-sections of the wafer heating apparatus of FIG. 7.

도 8은 도 7의 AA'단면~FF'단면을 나타낸 도면이다. 8 is a view illustrating a cross-section AA' to FF' of FIG. 7.

도 8(a)는 기판(110)과 직각을 이루는 반사부(130)로부터 각도(170)가 5° 기울어져 형성되는 반사부(130)를 나타낸다.8(a) shows the reflector 130 in which the angle 170 is formed by inclining 5° from the reflector 130 at a right angle to the substrate 110.

도 8(b)는 기판(110)과 직각을 이루는 반사부(130)로부터 각도(170)가 10° 기울어져 형성되는 반사부(130)를 나타낸다.FIG. 8(b) shows the reflector 130 in which the angle 170 is inclined by 10° from the reflector 130 at right angles to the substrate 110.

도 8(c)는 기판(110)과 직각을 이루는 반사부(130)로부터 각도(170)가 15° 기울어져 형성되는 반사부(130)를 나타낸다.FIG. 8( c) shows the reflector 130 in which the angle 170 is inclined 15° from the reflector 130 at right angles to the substrate 110.

도 8(d)는 기판(110)과 직각을 이루는 반사부(130)로부터 각도(170)가 20° 기울어져 형성되는 반사부(130)를 나타낸다.8(d) shows the reflector 130 in which the angle 170 is inclined 20° from the reflector 130 at right angles to the substrate 110.

도 8(e)는 기판(110)과 직각을 이루는 반사부(130)로부터 각도(170)가 25° 기울어져 형성되는 반사부(130)를 나타낸다.FIG. 8(e) shows the reflector 130 in which the angle 170 is inclined by 25° from the reflector 130 at right angles to the substrate 110.

도 8(f)는 기판(110)과 직각을 이루는 반사부(130)로부터 각도(170)가 30도 기울어져 형성되는 반사부(130)를 나타낸다.8(f) shows the reflector 130 in which the angle 170 is inclined 30 degrees from the reflector 130 at right angles to the substrate 110.

반사부(130)는 다양한 각도(170)를 가질 수 있다.The reflector 130 may have various angles 170.

도 9는 본 개시에 따른 웨이퍼 가열장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.9 is a view showing another example of the wafer heating apparatus according to the present disclosure.

반사부(130)보다 웨이퍼(W)의 엣지방향으로 위치한 복수의 반도체 발광소자(121)가 구비된 예를 나타낸 도면이다. 반사부(130)에서 반사되는 빛은 일부이기 때문에, 웨이퍼(W)의 엣지방향으로 반사되는 빛은 웨이퍼(W)의 중앙을 데우는 빛보다 밀도가 떨어진다. 그러므로, 반사부(130)보다 웨이퍼(W)의 엣지방향으로 복수의 반도체 발광소자(121)를 위치시킴으로써, 웨이퍼(W)의 엣지방향으로 향하는 빛을 증가시켜 웨이퍼(W)의 엣지를 균일하게 가열할 수 있다.This is a view showing an example in which a plurality of semiconductor light emitting devices 121 positioned in the edge direction of the wafer W is provided than the reflector 130. Since the light reflected from the reflector 130 is a part, the light reflected in the edge direction of the wafer W is less dense than the light warming the center of the wafer W. Therefore, by placing the plurality of semiconductor light emitting elements 121 in the edge direction of the wafer W rather than the reflector 130, the light directed toward the edge of the wafer W is increased to uniformly edge the wafer W. It can be heated.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1)웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서, 기판; 기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 복수의 반도체 발광소자;그리고, 기판과 웨이퍼 사이에 구비되고, 복수의 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 반사하는 반사부;를 포함하며, 적어도 하나의 반도체 발광소자가 반사부보다 기판의 엣지방향에 위치하는 웨이퍼 가열장치.(1) A wafer heating apparatus for heating a wafer, comprising: a substrate; Included in the substrate, a plurality of semiconductor light-emitting device provided below the wafer; And, provided between the substrate and the wafer, a reflector for reflecting a part of the light emitted from the plurality of semiconductor light-emitting device in the wafer edge direction; A wafer heating apparatus in which at least one semiconductor light emitting element is positioned in the edge direction of the substrate rather than the reflector.

(2)반도체 발광소자와 웨이퍼 사이에 구비되는 투광판;을 더 포함하는 웨이퍼 가열장치(2) a wafer heating device further comprising a translucent plate provided between the semiconductor light emitting element and the wafer.

(3)반사부는 투광판에 구비되는 웨이퍼 가열장치.(3) The reflector is a wafer heating device provided on the light-transmitting plate.

(4)반사부는 기판에 구비되는 웨이퍼 가열장치.(4) The reflector is a wafer heating device provided on the substrate.

(5)반사부는 기판과 투광판에 구비되는 웨이퍼 가열장치.(5) The reflector is a wafer heating device provided on the substrate and the light-transmitting plate.

(6)반사부는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자의 내측면에 구비되는 웨이퍼 가열장치.(6) The reflector is a wafer heating device provided on an inner surface of at least one semiconductor light emitting element.

(7)반사부는 빛을 반사하는 외측면과 빛을 반사하지 않는 내측면을 포함하는 웨이퍼 가열장치.(7) The wafer heating apparatus including a reflective surface and an outer surface that does not reflect light.

(8)투광판을 지지하는 측벽;이 구비되는 웨이퍼 가열장치.(8) A side wall supporting the light-transmitting plate; Wafer heating apparatus is provided.

(9)반사부는 복수개 구비되며, 복수의 반사부는 각각 기판과 다른 각도를 가지는 웨이퍼 가열장치.(9) A plurality of reflecting portions are provided, and the plurality of reflecting portions are wafer heating devices each having a different angle from the substrate.

(10)투광판의 지름보다 웨이퍼의 지름이 더 큰 웨이퍼 가열장치.(10) A wafer heating apparatus having a larger diameter of the wafer than the diameter of the light transmitting plate.

본 개시에 의하면, 웨이퍼의 가장자리까지 효과적으로 가열하는 웨이퍼 가열장치를 제공한다.According to the present disclosure, there is provided a wafer heating apparatus that effectively heats to the edge of a wafer.

또한 본 개시에 의하면, 웨이퍼의 가장자리까지 가열이 가능한 소형화된 웨이퍼 가열장치를 제공한다.Further, according to the present disclosure, a miniaturized wafer heating apparatus capable of heating to the edge of a wafer is provided.

W:웨이퍼 100:웨이퍼 가열장치 110:기판 120:복수의 반도체 발광소자 121:적어도 하나의 반도체 발광소자 130:반사부 131:내측면 132:외측면
140:투광판 150:측벽 151:내측면 160:내부공간W: Wafer 100: Wafer heating device 110: Substrate 120: Multiple semiconductor light emitting elements 121: At least one semiconductor light emitting element 130: Reflecting portion 131: Inner side 132: Outer side
140: light transmitting plate 150: side wall 151: inner side 160: inner space

Claims (10)

웨이퍼를 가열하는 웨이퍼 가열장치에 있어서,
기판;
기판에 구비되어, 웨이퍼 아래에 구비되는 복수의 반도체 발광소자;
기판과 웨이퍼 사이에 구비되는 반사부;로서, 복수의 반도체 발광소자 중 일부는 반사부보다 기판의 엣지방향에 위치하여, 반사부는 엣지방향에 구비된 일부의 반도체 발광소자에서 나오는 빛 중 일부를 웨이퍼 엣지방향으로 반사하는 반사부;
복수의 반도체 발광소자와 웨이퍼 사이에 구비되는 투광판;
투광판을 지지하는 측벽; 그리고,
측벽, 투광판 및 기판 사이에 형성되어 밀폐되는 내부공간;으로서, 내부공간에 복수의 반도체 발광소자 및 반사부가 위치하는 내부공간;을 포함하며,
투광판 아래에 반사부가 구비되고,
투광판의 지름보다 웨이퍼의 지름이 더 큰 웨이퍼 가열장치.In the wafer heating apparatus for heating the wafer,
Board;
A plurality of semiconductor light emitting elements provided on the substrate and provided under the wafer;
A reflector provided between the substrate and the wafer; wherein, some of the plurality of semiconductor light emitting elements are located in the edge direction of the substrate rather than the reflector, and the reflecting portion wafers some of the light from some of the semiconductor light emitting elements provided in the edge direction. A reflector reflecting in the edge direction;
A light transmitting plate provided between the plurality of semiconductor light emitting elements and the wafer;
A side wall supporting the light-transmitting plate; And,
It includes an inner space formed between the sidewalls, the light-transmitting plate and the substrate and sealed.
A reflector is provided under the light-transmitting plate,
Wafer heating device with a larger diameter of the wafer than the diameter of the light-transmitting plate. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
반사부는 투광판에 구비되는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The reflector is a wafer heating device provided on the light-transmitting plate. 청구항 1에 있어서,
반사부는 기판에 구비되는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The reflector is a wafer heating device provided on the substrate. 청구항 1에 있어서,
반사부는 기판과 투광판에 구비되는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
The reflector is a wafer heating device provided on the substrate and the light-transmitting plate. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
반사부는 빛을 반사하는 외측면과 빛을 반사하지 않는 내측면을 포함하는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
Wafer heating apparatus including an outer surface reflecting light and an inner surface not reflecting light. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
반사부는 복수개 구비되며,
복수의 반사부는 각각 기판과 다른 각도를 가지는 웨이퍼 가열장치.The method according to claim 1,
A plurality of reflecting parts are provided,
The plurality of reflecting portions are wafer heating devices each having a different angle from the substrate. 삭제delete
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