KR102119836B1 - Light emitting device and lighting system having the same - Google Patents

Light emitting device and lighting system having the same Download PDF

Info

Publication number
KR102119836B1
KR102119836B1 KR1020140008531A KR20140008531A KR102119836B1 KR 102119836 B1 KR102119836 B1 KR 102119836B1 KR 1020140008531 A KR1020140008531 A KR 1020140008531A KR 20140008531 A KR20140008531 A KR 20140008531A KR 102119836 B1 KR102119836 B1 KR 102119836B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
disposed
light emitting
buffer layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020140008531A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150088117A (en
Inventor
이계진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020140008531A priority Critical patent/KR102119836B1/en
Publication of KR20150088117A publication Critical patent/KR20150088117A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102119836B1 publication Critical patent/KR102119836B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 버퍼층과, 상기 버퍼층 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 버퍼층 내에 다수의 결함 차단층이 서로 이격하여 적층될 수 있다.
실시예는 버퍼층 내에 결함 차단층을 배치함으로써, 버퍼층 내에서 발생되는 결함이 상부로 진행되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a substrate, a buffer layer disposed on the substrate, a first conductivity type semiconductor layer disposed on the buffer layer, an active layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer, and on the active layer And a second conductive type semiconductor layer disposed on the plurality of defect blocking layers in the buffer layer.
According to an embodiment, by arranging the defect blocking layer in the buffer layer, it is possible to prevent defects generated in the buffer layer from progressing upward.

Description

발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME}A light emitting device and a lighting system having the same {LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM HAVING THE SAME}

실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 효율을 향상시키기 위한 발광소자 및 조명 시스템에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device and a lighting system for improving the light emitting efficiency.

일반적으로, 발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 화합물 반도체로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.In general, a light emitting device (Light Emitting Device) is a compound semiconductor that is characterized in that the electrical energy is converted to light energy, can be produced by compound semiconductors such as Group III and Group V on the periodic table, and various colors by adjusting the composition ratio of the compound semiconductor Implementation is possible.

발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다. 예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.When the forward voltage is applied, the n-layer electrons and the p-layer holes are combined to emit energy corresponding to the band gap energy of the conduction band and the valance band. Is mainly emitted in the form of heat or light, and when emitted in the form of light, becomes a light emitting device. For example, nitride semiconductors have received great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. In particular, blue light emitting devices, green light emitting devices, and ultraviolet light (UV) light emitting devices using nitride semiconductors have been commercialized and widely used.

일반적인 질화물 반도체는 실리콘 기판 상에 GaN 재질의 도전형 반도체층 성장 시, 기판과 도전형 반도체층은 서로 결정 구조가 다르기 때문에 계면을 사이에 두고 격자 부조화(Lattice Mismatch)가 발생되거나, 열팽창 계수 차이(Thermal Expansion Coeifficient) 차이에 의한 스트레스(Stress)이 발생된다.In general nitride semiconductors, when growing a GaN-conductive semiconductor layer on a silicon substrate, since the substrate and the conductive semiconductor layer have different crystal structures from each other, lattice mismatch occurs between interfaces, or a difference in thermal expansion coefficient ( Stress occurs due to the difference of Thermal Expansion Coeifficient.

이를 해결하기 위해, 기판과 도전형 반도체층 사이에 Al을 포함하는 버퍼층을 배치하여 기판과 GaN 재질의 반도체층 사이의 물성차를 줄여준다.To solve this, a buffer layer containing Al is disposed between the substrate and the conductive semiconductor layer, thereby reducing the difference in physical properties between the substrate and the GaN material semiconductor layer.

하지만, Al의 조성이 높을수록 종축(c-plane) 방향의 성장성이 강하여 버퍼층 표면에 결함(v-pit)을 발생시키게 되며, 이에 의해 GaN 박막의 결정성을 저하시켜 발광 효율을 떨어뜨리는 문제점이 발생된다.However, the higher the composition of Al, the stronger the growth in the vertical (c-plane) direction, resulting in defects (v-pits) on the surface of the buffer layer, thereby lowering the crystallinity of the GaN thin film and lowering the luminous efficiency. Occurs.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 기판과 GaN 재질의 반도체층 사이에 발생되는 결함에 의해 발광 효율이 저하되는 것을 방지하기 위한 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, an embodiment of the present invention is to provide a light emitting device and a lighting system having the same for preventing light emission efficiency from being lowered due to defects generated between a substrate and a GaN semiconductor layer. do.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 발광소자는 기판과, 상기 기판 상에 배치된 버퍼층과, 상기 버퍼층 상에 배치된 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 버퍼층 내에 다수의 결함 차단층이 서로 이격하여 적층되어 형성될 수 있다.In order to achieve the above object, the light emitting device according to the embodiment, a substrate, a buffer layer disposed on the substrate, a first conductive semiconductor layer disposed on the buffer layer, and the first conductive semiconductor layer The active layer may be disposed, and a second conductive semiconductor layer disposed on the active layer may be formed by stacking a plurality of defect blocking layers spaced apart from each other in the buffer layer.

실시예는 버퍼층 내에 결함 차단층을 배치함으로써, 버퍼층 내에서 발생되는 결함이 상부로 진행되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment, by arranging the defect blocking layer in the buffer layer, it is possible to prevent defects generated in the buffer layer from progressing upward.

또한, 실시예는 결함 차단층의 In의 조성을 다르게 함으로써, 결함 진행 차단 및 스트레인을 효과적으로 제어할 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has an effect of effectively controlling the defect progress blocking and strain by varying the composition of In in the defect blocking layer.

또한, 실시예는 따른 결함 차단층의 두께를 조절함으로써, 표면 러프니스 및 결함 진행을 효과적으로 제어할 수 있는 효과가 있다.In addition, the embodiment has an effect of effectively controlling surface roughness and defect progress by adjusting the thickness of the defect blocking layer according to the embodiment.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 결함 차단층을 중심으로 나타낸 단면도이다.
도 3 및 도 4는 제1 실시예에 따른 발광소자의 결함 차단층의 효과를 나타낸 사진 및 그래프이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 발광소자의 결함 차단층을 중심으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 조명시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.1 is a sectional view showing a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a defect blocking layer of the light emitting device according to the first embodiment.
3 and 4 are pictures and graphs showing the effect of the defect blocking layer of the light emitting device according to the first embodiment.
5 is a sectional view showing a light emitting device according to a second embodiment.
6 is a cross-sectional view showing a defect blocking layer of the light emitting device according to the second embodiment.
7 is a cross-sectional view showing a package of a light emitting device provided with a light emitting device according to embodiments.
8 to 10 are exploded perspective views showing embodiments of a lighting system equipped with a light emitting device according to embodiments.

이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자의 결함 차단층을 중심으로 나타낸 단면도이고, 도 3 및 도 4는 제1 실시예에 따른 발광소자의 결함 차단층의 효과를 나타낸 사진 및 그래프이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the first embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a defect blocking layer of the light emitting device according to the first embodiment, and FIGS. 3 and 4 are according to the first embodiment It is a picture and graph showing the effect of the defect blocking layer of the light emitting device.

도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자는 기판(110)과, 상기 기판(100) 상에 배치된 시드층(191)과, 상기 시드층(191) 상에 배치된 버퍼층(120)과, 상기 버퍼층(120) 상에 배치된 제1 도전형 반도체층(140)과, 상기 제1 도전형 반도체층(140) 상에 배치된 전류 확산층(193)과, 상기 전류 확산층(193) 상에 배치된 스트레인 제어층(194)과, 상기 스트레인 제어층(194) 상에 배치된 활성층(150)과, 상기 활성층(150) 상에 배치된 전자 차단층(195)과, 상기 전자 차단층(195) 상에 배치된 제2 도전형 반도체층(160)과, 상기 제2 도전형 반도체층(160) 상에 배치된 오믹층(196)과, 상기 제1 도전형 반도체층(140) 상에 배치된 제1 전극(170)과, 상기 오믹층(196) 상에 배치된 제2 전극(180)과, 상기 버퍼층(120) 내에 배치된 결함 차단층(130)을 포함한다.1 and 2, the light emitting device according to the first embodiment includes a substrate 110, a seed layer 191 disposed on the substrate 100, and a seed layer 191 disposed on the seed layer 191. The buffer layer 120, the first conductivity type semiconductor layer 140 disposed on the buffer layer 120, the current diffusion layer 193 disposed on the first conductivity type semiconductor layer 140, and the current diffusion layer The strain control layer 194 disposed on the (193), the active layer 150 disposed on the strain control layer 194, the electron blocking layer 195 disposed on the active layer 150, the The second conductivity type semiconductor layer 160 disposed on the electron blocking layer 195, the ohmic layer 196 disposed on the second conductivity type semiconductor layer 160, and the first conductivity type semiconductor layer ( It includes a first electrode 170 disposed on 140, a second electrode 180 disposed on the ohmic layer 196, and a defect blocking layer 130 disposed in the buffer layer 120.

기판(110)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)은 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. The substrate 110 may be formed of a material having excellent thermal conductivity, and may be a conductive substrate or an insulating substrate. For example, the substrate 110 is sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga 2 0 3 At least one of them can be used.

상기 기판(110) 상에는 시드층(191)이 배치될 수 있다.A seed layer 191 may be disposed on the substrate 110.

시드층(191)은 버퍼층(120)을 성장시키기 위한 시드 기능을 수행할 수 있다. 시드층(191)은 비정질 또는 다결정질의 기판 상에 결정성을 가지는 버퍼층(120) 및 발광 구조체를 성장시키기 위한 기능층일 수 있다. 시드층(191)은 Al 계열의 재질로 형성될 수 있다. 시드층(191)은 Ti, Ni, Pt, Pd, Cr, CrN, TiN 및 BN으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 물질로 구성될 수 있다.The seed layer 191 may perform a seed function for growing the buffer layer 120. The seed layer 191 may be a buffer layer 120 having crystallinity on an amorphous or polycrystalline substrate and a functional layer for growing the light emitting structure. The seed layer 191 may be formed of an Al-based material. The seed layer 191 may be made of a material including one or more selected from the group consisting of Ti, Ni, Pt, Pd, Cr, CrN, TiN and BN.

상기 시드층(191) 상에는 버퍼층(120)이 배치될 수 있다.A buffer layer 120 may be disposed on the seed layer 191.

버퍼층(120)은 상기 발광구조물의 재료와 기판(110)의 격자 부정합을 완화시켜 주는 역할을 한다. 버퍼층(120)은 AlGaN을 포함할 수 있다. 버퍼층(120)의 Al의 조성은 상부로 갈수록 Al의 조성이 낮도록 형성될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(140)에 인접한 버퍼층(120)의 Al의 조성은 기판(110)에 인접한 버퍼층(120)의 Al의 조성 보다 낮을 수 있다.The buffer layer 120 serves to alleviate the lattice mismatch between the material of the light emitting structure and the substrate 110. The buffer layer 120 may include AlGaN. The composition of Al in the buffer layer 120 may be formed so that the composition of Al is lower toward the upper portion. The composition of Al of the buffer layer 120 adjacent to the first conductivity type semiconductor layer 140 may be lower than that of Al of the buffer layer 120 adjacent to the substrate 110.

이와 다르게, 버퍼층(120)으로는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 다수의 패턴부를 이루도록 기판(110) 상에 일정 간격으로 형성될 수 있다. 버퍼층(120) 상에는 언도프트 질화갈륨층(undoped GaN layer; u-GaN)층(192)이 더 배치될 수 있다.Alternatively, the buffer layer 120 may be formed of at least one of a group III-V compound semiconductor, such as GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, and AlInN. The buffer layer 120 may be formed at regular intervals on the substrate 110 to form a plurality of pattern portions. An undoped GaN layer (u-GaN) layer 192 may be further disposed on the buffer layer 120.

버퍼층(120) 내에는 결함 차단층(130)이 배치될 수 있다. 결함 차단층(130)은 서로 이격하여 적층될 수 있다. 결함 차단층(130)은 버퍼층(120)의 하부에서 전달되는 결함을 차단시킬 수 있다. 결함 차단층(130)에 대해서는 이후 도면을 참조하여 상세히 설명한다.The defect blocking layer 130 may be disposed in the buffer layer 120. The defect blocking layers 130 may be stacked apart from each other. The defect blocking layer 130 may block defects transmitted from the lower portion of the buffer layer 120. The defect blocking layer 130 will be described in detail with reference to the drawings.

상기 버퍼층(120) 상에는 제1 도전형 반도체층(140)이 배치될 수 있다.A first conductivity type semiconductor layer 140 may be disposed on the buffer layer 120.

상기 제1 도전형 반도체층(140)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(140)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(140)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 140 may include, for example, an n-type semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer 140 may be implemented as a compound semiconductor. The first conductivity type semiconductor layer 140 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.

상기 제1 도전형 반도체층(140)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(140)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 140 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) Can be implemented. The first conductive semiconductor layer 140 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, Si, Ge, Sn, An n-type dopant such as Se or Te may be doped.

상기 전류 확산층(193)은 내부 양자 효율을 향상시켜 광 효율을 증대시킬 수 있으며, 언도프트 질화갈륨층(undoped GaN layer)일 수 있다. 전류 확산층(193) 상에는 전자 주입층(미도시)이 더 형성될 수도 있다. 상기 전자 주입층은 도전형 질화갈륨층일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 주입층은 n형 도핑원소가 6.0x1018atoms/cm3~3.0x1019atoms/cm3의 농도로 도핑 됨으로써 효율적으로 전자주입을 할 수 있다.The current diffusion layer 193 may improve light efficiency by improving internal quantum efficiency, and may be an undoped GaN layer. An electron injection layer (not shown) may be further formed on the current diffusion layer 193. The electron injection layer may be a conductive type gallium nitride layer. For example, the electron injection layer can be efficiently injected with n-type doping elements at a concentration of 6.0x10 18 atoms/cm 3 to 3.0x10 19 atoms/cm 3 .

상기 전자 확산층(193) 상에는 스트레인 제어층(194)이 형성될 수 있다.A strain control layer 194 may be formed on the electron diffusion layer 193.

스트레인 제어층(194)은 제1 도전형 반도체층(140)과 활성층(150) 사이의 격자 불일치에 기이한 응력을 효과적으로 완화시키는 역할을 한다. The strain control layer 194 serves to effectively relieve the weird stress due to the lattice mismatch between the first conductivity type semiconductor layer 140 and the active layer 150.

상기 스트레인 제어층(194)의 격자상수는 상기 제1 도전형 반도체층(140)의 격자 상수보다는 크되, 상기 활성층(150)의 격자 상수보다는 작을 수 있다. 이에 따라 활성층(150)과 제1 도전형 반도체층(140) 사이에 격자상수 차이에 의한 스트레스를 최소화할 수 있다. The lattice constant of the strain control layer 194 is greater than the lattice constant of the first conductivity type semiconductor layer 140, but may be smaller than the lattice constant of the active layer 150. Accordingly, stress due to a difference in the lattice constant between the active layer 150 and the first conductive semiconductor layer 140 may be minimized.

상기 스트레인 제어층(194) 상에는 활성층(150)이 배치될 수 있다.The active layer 150 may be disposed on the strain control layer 194.

활성층(150)은 상기 제1 도전형 반도체층(140)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 상기 제2 도전형 반도체층(160)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 서로 만나서, 상기 활성층(150)의 형성 물질에 따른 에너지 밴드(Energy Band)의 밴드갭(Band Gap) 차이에 의해서 빛을 방출하는 층이다. 상기 활성층(150)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the active layer 150, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 140 and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 160 meet each other, and the active layer It is a layer that emits light by a difference in a band gap of an energy band according to a forming material of (150). The active layer 150 may be formed of a single well structure, a multi-well structure, a quantum dot structure, or a quantum wire structure, but is not limited thereto.

상기 활성층(150)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(150)은 예로서 II족-VI족 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(150)은 예로서 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 활성층(150)이 상기 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층(150)은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층되어 구현될 수 있으며, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층의 주기로 구현될 수 있다.The active layer 150 may be formed of a compound semiconductor. The active layer 150 may be formed of, for example, a group II-VI group or a group III-V compound semiconductor. The active layer 150 may be embodied as a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) as an example. have. When the active layer 150 is implemented with the multi-well structure, the active layer 150 may be implemented by stacking a plurality of well layers and a plurality of barrier layers, for example, an InGaN well layer/GaN barrier layer. It can be implemented in cycles.

상기 활성층(150) 상에는 전자 차단층(195)이 배치될 수 있다.An electron blocking layer 195 may be disposed on the active layer 150.

전자 차단층(195)은 전자 차단(electron blocking) 및 활성층의 클래딩(MQW cladding) 역할을 하며, 이로 인해 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 전자 차단층(195)은 AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1)계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(150)의 에너지 밴드 갭보다는 높은 에너지 밴드 갭을 가질 수 있으며, 약 100Å~ 약 600Å의 두께로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이와 달리, 상기 전자 차단층(195)은 AlzGa(1-z)N/GaN(0≤z≤1) 초격자(superlattice)로 형성될 수 있다.The electron blocking layer 195 serves as an electron blocking and active layer cladding (MQW cladding), thereby improving light emission efficiency. The electron blocking layer 195 may be formed of an Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1,0≤y≤1) semiconductor, which is higher than the energy band gap of the active layer 150 It may have an energy band gap, and may be formed to a thickness of about 100Å to about 600Å, but is not limited thereto. Alternatively, the electron blocking layer 195 may be formed of Al z Ga (1-z) N/GaN (0≤z≤1) superlattice.

상기 전자 차단층(195) 상에는 제2 도전형 반도체층(160)이 배치될 수 있다.A second conductivity type semiconductor layer 160 may be disposed on the electron blocking layer 195.

상기 제2 도전형 반도체층(160)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(160)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(160)은 예로서 II족-VI족 화합물 반도체 또는 III족-V족 화합물 반도체로 구현될 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 160 may be implemented, for example, as a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 160 may be implemented as a compound semiconductor. The second conductivity type semiconductor layer 160 may be implemented as, for example, a group II-VI compound semiconductor or a group III-V compound semiconductor.

상기 제2 도전형 반도체층(160)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 구현될 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(160)은, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second conductive semiconductor layer 160 is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) Can be implemented. The second conductive semiconductor layer 160 may be selected from, for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, Mg, Zn, Ca, P-type dopants such as Sr and Ba may be doped.

한편, 상기 제1 도전형 반도체층(140)이 p형 반도체층을 포함하고 상기 제2 도전형 반도체층(160)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제2 도전형 반도체층(160) 아래에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 반도체층이 더 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상기 발광 구조물은 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다.Meanwhile, the first conductivity type semiconductor layer 140 may include a p-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer 160 may include an n-type semiconductor layer. In addition, a semiconductor layer including an n-type or p-type semiconductor layer may be further formed under the second conductivity-type semiconductor layer 160. Accordingly, the light emitting structure may have at least one of np, pn, npn, and pnp junction structures.

상기 제1 도전형 반도체층(140) 및 상기 제2 도전형 반도체층(160) 내의 불순물의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광 구조물의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The doping concentration of impurities in the first conductivity type semiconductor layer 140 and the second conductivity type semiconductor layer 160 may be uniformly or non-uniformly. That is, the structure of the light emitting structure may be variously formed, but is not limited thereto.

제2 도전형 반도체층(160) 상에는 오믹층(196)이 배치될 수 있다.The ohmic layer 196 may be disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 160.

오믹층(196)은 캐리어 주입을 효율적으로 할 수 있도록 단일 금속 또는 금속합금, 금속 산화물 등을 다중으로 적층할 수도 있다. 예컨대, 오믹층(196)은 반도체와 전기적인 접촉이 우수한 물질로 형성될 수 있으며, 오믹층(196)으로는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 196 may stack a single metal or a metal alloy, a metal oxide, or the like in multiple layers so that carrier injection can be efficiently performed. For example, the ohmic layer 196 may be formed of a material having excellent electrical contact with a semiconductor, and the ohmic layer 196 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium zinc tin oxide (IZTO). , Indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZON (IZO Nitride ), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, and Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr , Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and may be formed.

오믹층(196) 상에는 제2 전극(180)이 형성되며, 상부 일부가 노출된 제1 도전형 반도체층(140) 상에는 제1 전극(170)이 형성된다. 이후, 최종적으로 제1 전극(170) 및 제2 전극(180)이 서로 연결됨으로써 발광 소자의 제작이 완료될 수 있다.The second electrode 180 is formed on the ohmic layer 196, and the first electrode 170 is formed on the first conductive semiconductor layer 140 where the upper portion is exposed. Thereafter, finally, the first electrode 170 and the second electrode 180 are connected to each other, so that the manufacturing of the light emitting device may be completed.

한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 결함 차단층(130)은 버퍼층(120) 내에 배치될 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 2, the defect blocking layer 130 may be disposed in the buffer layer 120.

결함 차단층(130)은 버퍼층(120) 내의 상부 영역에 배치될 수 있다. 결함 차단층(130)과 제1 도전형 반도체층(140) 사이의 거리는 결함 차단층(130)과 기판(110) 사이의 거리보다 작을 수 있다.The defect blocking layer 130 may be disposed in an upper region in the buffer layer 120. The distance between the defect blocking layer 130 and the first conductivity type semiconductor layer 140 may be smaller than the distance between the defect blocking layer 130 and the substrate 110.

결함 차단층(130)은 버퍼층(120)과 이종 물질로 형성될 수 있다. GaN, InGAN, InAlGaN 중 어느 하나를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 결함 차단층(130)은 5nm 내지 200nm의 두께로 형성될 수 있다.The defect blocking layer 130 may be formed of a buffer layer 120 and a different material. It may be made of a material containing any one of GaN, InGAN, InAlGaN. The defect blocking layer 130 may be formed to a thickness of 5 nm to 200 nm.

도 3에 도시된 바와 같이, 버퍼층(120)은 Al 조성이 높음에 따라 버퍼층(120) 내에 결함(Pit; P)이 발생될 수 있다. 결함 차단층(130)은 버퍼층(120) 내에 발생되어 수직상으로 올라오는 결함(P)을 벤딩시켜 상부로 결함이 진행되는 것을 차단할 수 있다.As shown in FIG. 3, the buffer layer 120 may have defects (Pit) in the buffer layer 120 as the Al composition is high. The defect blocking layer 130 may block the progress of the defect to the upper side by bending the defect P generated in the buffer layer 120 and rising vertically.

도 4에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 결함 차단층(130)이 형성된 위치(A)에서 살펴보면, 실시예는 버퍼층 내에 결함 차단층(130)이 형성됨으로써 상부 층에서 받는 스트레인이 종래에 비해 현저히 줄어든 것을 알 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 결함 차단층(130)이 형성된 구조는 종래 결함 차단층이 형성되지 않은 구조에 비해 결함 차단 및 스트레인 저감에 상당히 효과적임을 알 수 있다.
As shown in FIG. 4, when looking at the position A where the defect blocking layer 130 according to the embodiment is formed, the embodiment receives the strain from the upper layer by forming the defect blocking layer 130 in the buffer layer, compared to the conventional one. You can see that it has decreased significantly. Therefore, it can be seen that the structure in which the defect blocking layer 130 according to the embodiment is formed is significantly more effective in blocking defects and reducing strain than the structure in which the conventional defect blocking layer is not formed.

도 5는 제2 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도이고, 도 6은 제2 실시예에 따른 발광소자의 결함 차단층을 중심으로 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing a defect blocking layer of the light emitting device according to the second embodiment.

도 5에 도시된 바와 같이, 제2 실시예에 따른 발광소자는 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 배치된 시드층(191)과, 상기 시드층(191) 상에 배치된 버퍼층(120)과, 상기 버퍼층(120) 상에 배치된 제1 도전형 반도체층(140)과, 상기 제1 도전형 반도체층(140) 상에 배치된 전류 확산층(193)과, 상기 전류 확산층(193) 상에 배치된 스트레인 제어층(194)과, 상기 스트레인 제어층(194) 상에 배치된 활성층(150)과, 상기 활성층(150) 상에 배치된 전자 차단층(195)과, 상기 전자 차단층(195) 상에 배치된 제2 도전형 반도체층(160)과, 상기 제2 도전형 반도체층(160) 상에 배치된 오믹층(196)과, 상기 제1 도전형 반도체층(140) 상에 배치된 제1 전극(170)과, 상기 오믹층(196) 상에 배치된 제2 전극(180)과, 상기 버퍼층(120) 내에 배치된 결함 차단층(130)을 포함한다. 여기서, 버퍼층(120) 및 결함 차단층(130)을 제외하고는 제1 실시예에 따른 발광소자의 구조와 동일하므로 다른 구성요소에 대한 설명은 생략한다.As shown in FIG. 5, the light emitting device according to the second embodiment includes a substrate 110, a seed layer 191 disposed on the substrate 110, and a buffer layer disposed on the seed layer 191 (120), a first conductivity type semiconductor layer 140 disposed on the buffer layer 120, a current diffusion layer 193 disposed on the first conductivity type semiconductor layer 140, and the current diffusion layer ( 193) the strain control layer 194 disposed on, the strain control layer 194 disposed on the active layer 150, the active layer 150 disposed on the electron blocking layer 195, and the electron The second conductivity type semiconductor layer 160 disposed on the blocking layer 195, the ohmic layer 196 disposed on the second conductivity type semiconductor layer 160, and the first conductivity type semiconductor layer 140 ), a first electrode 170 disposed on the ohmic layer 196, a second electrode 180 disposed on the ohmic layer 196, and a defect blocking layer 130 disposed on the buffer layer 120. Here, since the structure of the light emitting device according to the first embodiment is the same except for the buffer layer 120 and the defect blocking layer 130, description of other components will be omitted.

도 6에 도시된 바와 같이, 버퍼층(120)은 제1 버퍼층(121)과, 제2 버퍼층(123)과, 제3 버퍼층(125)과 제4 버퍼층(127)이 상하로 적층되어 배치될 수 있다. 제1 버퍼층(121)은 Alx1Ga1-x1N 재질로 형성될 수 있다. 제2 버퍼층(123)은 Alx2Ga1-x2N 재질로 형성될 수 있다. 제3 버퍼층(125)은 Alx3Ga1-x3N 재질로 형성될 수 있다. 제4 버퍼층(127)은 Alx4Ga1-x4N 재질로 형성될 수 있다. 여기서, x1은 x2보다 클 수 있다. x2는 x3보다 클 수 있다. x3는 x4보다 클 수 있다. As illustrated in FIG. 6, the buffer layer 120 may be disposed by stacking the first buffer layer 121, the second buffer layer 123, the third buffer layer 125, and the fourth buffer layer 127 vertically. have. The first buffer layer 121 may be formed of Alx1Ga1-x1N material. The second buffer layer 123 may be formed of Alx2Ga1-x2N material. The third buffer layer 125 may be formed of Alx3Ga1-x3N material. The fourth buffer layer 127 may be formed of Alx4Ga1-x4N material. Here, x1 may be greater than x2. x2 may be greater than x3. x3 may be greater than x4.

버퍼층(120)의 Al 조성은 상부로 갈수록 낮아질 수 있다. 제1 버퍼층(121)은 제4 버퍼층(127)의 Al 조성보다 높을 수 있다. 최상위에 배치된 버퍼층(127)의 Al 조성은 최하위에 배치된 버퍼층(121)의 Al 조성보다 낮을 수 있다.The Al composition of the buffer layer 120 may be lowered toward the top. The first buffer layer 121 may be higher than the Al composition of the fourth buffer layer 127. The Al composition of the buffer layer 127 disposed at the top may be lower than the Al composition of the buffer layer 121 disposed at the bottom.

제1 버퍼층(121)과 제2 버퍼층(123)과 제3 버퍼층(125)과 제4 버퍼층(127)의 두께(TA1, TA2, TA3, TA4)는 서로 다르게 형성될 수 있다. 이와 다르게, 제1 버퍼층(121)과 제2 버퍼층(123)과 제3 버퍼층(125)과 제4 버퍼층(127)의 두께는(TA1, TA2, TA3, TA4) 동일하게 형성될 수 있다.The thicknesses TA1, TA2, TA3, and TA4 of the first buffer layer 121, the second buffer layer 123, the third buffer layer 125, and the fourth buffer layer 127 may be formed differently. Alternatively, the thicknesses of the first buffer layer 121, the second buffer layer 123, the third buffer layer 125, and the fourth buffer layer 127 (TA1, TA2, TA3, TA4) may be the same.

결함 차단층(130)은 제1 차단층(131)과, 제2 차단층(133)과, 제3 차단층(135)이 상하로 적층되어 배치될 수 있다. 제1 차단층(131)은 Inx1AlyGa1-x1-yN 재질로 형성될 수 있다. 제2 차단층(133)은 Inx2AlyGa1-x2-yN 재질로 형성될 수 있다. 제3 차단층(135)은 Inx3AlyGa1-x3-yN 재질로 형성될 수 있다. 여기서, x는 0≤x≤0.1 범위이고, y는 0≤y≤0.05 범위일 수 있다. xx1이 x2보다 클 수 있다. x2는 x3보다 클 수 있다. The defect blocking layer 130 may be disposed by stacking the first blocking layer 131, the second blocking layer 133, and the third blocking layer 135 vertically. The first blocking layer 131 may be formed of an Inx1AlyGa1-x1-yN material. The second blocking layer 133 may be formed of Inx2AlyGa1-x2-yN material. The third blocking layer 135 may be formed of Inx3AlyGa1-x3-yN material. Here, x may be in the range of 0≤x≤0.1, and y may be in the range of 0≤y≤0.05. xx1 may be greater than x2. x2 may be greater than x3.

결함 차단층(130)은 상부로 갈수록 In의 조성이 높아질 수 있다. 제1 결함 차단층(131)은 제3 결함 차단층(135)의 In 조성보다 높을 수 있다. 최상위에 배치된 결함 차단층의 In 조성은 최하위에 배치된 결함 차단층의 In 조성보다 낮을 수 있다. 이와 다르게, 제1 결함 차단층(131), 제2 결함 차단층(133), 제3 결함 차단층(135)의 In 조성은 동일할 수 있다. 이와 다르게, 결함 차단층은 하부로 갈수록 In의 조성이 높아질 수 있다.The composition of In may increase as the defect blocking layer 130 goes upward. The first defect blocking layer 131 may be higher than the In composition of the third defect blocking layer 135. The In composition of the defect blocking layer disposed at the top may be lower than the In composition of the defect blocking layer disposed at the bottom. Alternatively, the In composition of the first defect blocking layer 131, the second defect blocking layer 133, and the third defect blocking layer 135 may be the same. Alternatively, the defect blocking layer may have a higher In composition as it goes downward.

결함 차단층(130)은 버퍼층(120) 사이에 배치될 수 있다. 제1 버퍼층(121)과 제2 버퍼층(123) 사이에는 제1 결함 차단층(131)이 배치될 수 있다. 제2 버퍼층(123)과 제3 버퍼층(125) 사이에는 제2 결함 차단층(133)이 배치될 수 있다. 제3 버퍼층(125)과 제4 버퍼층(127) 사이에는 제3 결함 차단층(135)이 배치될 수 있다.The defect blocking layer 130 may be disposed between the buffer layers 120. A first defect blocking layer 131 may be disposed between the first buffer layer 121 and the second buffer layer 123. A second defect blocking layer 133 may be disposed between the second buffer layer 123 and the third buffer layer 125. A third defect blocking layer 135 may be disposed between the third buffer layer 125 and the fourth buffer layer 127.

제1 결함 차단층(131)의 두께(TB1)는 5nm 내지 200nm 일 수 있다. 제2 결함 차단층(133)과 제3 결함 차단층(133)의 두께(TB2, TB3)는 제1 결함 차단층(131)의 두께(TB1)와 동일하게 형성될 수 있다. 제1 결함 차단층(131), 제2 결함 차단층(133), 제3 결함 차단층(135)의 두께(TB1, TB2, TB3)는 서로 다르게 형성될 수 있다. 결함 차단층(130)의 두께는 상부로 갈수록 얇게 형성될 수 있다. 이와 다르게 결함 차단층의 두께는 하부로 갈수록 얇게 형성될 수 있다.The thickness (TB1) of the first defect blocking layer 131 may be 5 nm to 200 nm. The thicknesses TB2 and TB3 of the second defect blocking layer 133 and the third defect blocking layer 133 may be formed to be the same as the thickness TB1 of the first defect blocking layer 131. The thicknesses TB1, TB2, and TB3 of the first defect blocking layer 131, the second defect blocking layer 133, and the third defect blocking layer 135 may be formed differently. The thickness of the defect blocking layer 130 may be thinner toward the top. Alternatively, the thickness of the defect blocking layer may be thinner toward the bottom.

상기와 같이, 제2 실시예에 따른 결함 차단층(130)은 버퍼층(120) 내에 다수의 층을 배치시킴으로써, 버퍼층 내에서 발생되는 결함을 더욱 효과적으로 차단할 수 있다. As described above, the defect blocking layer 130 according to the second embodiment can more effectively block defects generated in the buffer layer by arranging a plurality of layers in the buffer layer 120.

또한, 제2 실시예에 따른 결함 차단층(130)은 In의 조성을 다르게 함으로써, 결함 차단 및 스트레인을 효과적으로 제어할 수 있게 된다.In addition, the defect blocking layer 130 according to the second embodiment can effectively control defect blocking and strain by changing the composition of In.

또한, 제2 실시예에 따른 결함 차단층의 두께를 조절함으로써, 표면 러프니스 및 결함 진행을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
In addition, by adjusting the thickness of the defect blocking layer according to the second embodiment, it is possible to effectively prevent surface roughness and defect progress.

도 7은 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 발광소자의 패키지를 나타낸 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a package of a light emitting device provided with a light emitting device according to embodiments.

발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체부(205)와, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치된 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과, 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되어 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(230)가 포함된다.The light emitting device package 200 includes a package body portion 205, a third electrode layer 213 and a fourth electrode layer 214 disposed on the package body portion 205, and the package body portion 205. A light emitting device 100 is disposed and electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214, and a molding member 230 surrounding the light emitting device 100 is included.

상기 패키지 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주상에 경사면이 형성될 수 있다.The package body portion 205 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed on the circumference of the light emitting device 100.

상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 are electrically separated from each other, and serve to provide power to the light emitting device 100. In addition, the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 may serve to increase light efficiency by reflecting light generated by the light emitting device 100, and generated by the light emitting device 100 It may also serve to dissipate heat to the outside.

상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체부(205) 상에 배치되거나 상기 제3 전극층(213) 또는 제4 전극층(214) 상에 배치될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the package body portion 205 or on the third electrode layer 213 or the fourth electrode layer 214.

상기 발광 소자(100)는 상기 제3 전극층(213) 및/또는 제4 전극층(214)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제3 전극층(213) 및 제4 전극층(214)과 각각 와이어를 통해 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The light emitting device 100 may be electrically connected to the third electrode layer 213 and/or the fourth electrode layer 214 by any one of a wire method, a flip chip method, and a die bonding method. In the exemplary embodiment, the light emitting device 100 is illustrated to be electrically connected to the third electrode layer 213 and the fourth electrode layer 214 through wires, but is not limited thereto.

상기 몰딩부재(230)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(230)에는 형광체(232)가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
The molding member 230 may surround the light emitting device 100 to protect the light emitting device 100. In addition, the molding member 230 may include a phosphor 232 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

도 8 내지 도 10은 실시예들에 따른 발광소자가 구비된 조명시스템의 실시예들을 나타낸 분해 사시도이다.8 to 10 are exploded perspective views showing embodiments of a lighting system equipped with a light emitting device according to embodiments.

도 8에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 본 발명에 따른 발광소자(100) 또는 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the lighting device according to the embodiment includes a cover 2100, a light source module 2200, a heat radiator 2400, a power supply unit 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. It can contain. In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device 100 or a light emitting device package 200 according to the present invention.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or a hemisphere, and may be provided in an empty shape and an open portion. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200. For example, the cover 2100 may diffuse, scatter, or excite light provided from the light source module 2200. The cover 2100 may be a kind of optical member. The cover 2100 may be combined with the heat radiator 2400. The cover 2100 may have a coupling portion coupled to the heat radiator 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 2100. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 2100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 2100. This is for light from the light source module 2200 to be sufficiently scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 2100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, the polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 2100 may be transparent so that the light source module 2200 is visible from the outside, and may be opaque. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the radiator 2400. Accordingly, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400. The light source module 2200 may include a light source unit 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 상에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the radiator 2400 and has a plurality of light source parts 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and connector 2250 of the light source unit 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a light reflective material. For example, the surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 reflects light that is reflected on the inner surface of the cover 2100 and returns to the direction of the light source module 2200 in the direction of the cover 2100 again. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting device according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Accordingly, electrical contact may be made between the heat sink 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block electrical shorts between the connection plate 2230 and the heat radiator 2400. The radiator 2400 radiates heat by receiving heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)를 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 2500 closes the storage groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulation portion 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 has a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside and provides it to the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the storage groove 2719 of the inner case 2700 and is sealed inside the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and an extension unit 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 상에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide portion 2630 has a shape protruding from the side of the base 2650 to the outside. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650. For example, a plurality of parts may include, for example, a DC converter that converts AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip that controls the driving of the light source module 2200, and ESD for protecting the light source module 2200. (ElectroStatic discharge) may include a protection element, but is not limited thereto.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension portion 2670 has a shape protruding from the other side of the base 2650 to the outside. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension portion 2670 may be provided equal to or smaller than the width of the connection portion 2750 of the inner case 2700. Each end of the "+ wire" and "- wire" is electrically connected to the extension portion 2670, and the other end of the "+ wire" and "- wire" can be electrically connected to the socket 2800. .

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part in which the molding liquid is hardened, so that the power supply part 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

도 9에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. 9, the lighting device according to the embodiment may include a cover 3100, a light source unit 3200, a radiator 3300, a circuit unit 3400, an inner case 3500, and a socket 3600. have. The light source unit 3200 may include a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.

상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The cover 3100 has a bulb shape and is hollow. The cover 3100 has an opening 3110. The light source part 3200 and the member 3350 may be inserted through the opening 3110.

상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사선이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The cover 3100 may be coupled to the radiator 3300 and surround the light source unit 3200 and the member 3350. By combining the cover 3100 and the radiator 3300, the light source unit 3200 and the member 3350 may be blocked from the outside. The combination of the cover 3100 and the heat sink 3300 may be combined through an adhesive, or may be combined in various ways such as a rotation coupling method and a hook coupling method. The rotation coupling method is a method in which the screw thread of the cover 3100 is coupled to the screw groove of the heat sink 3300, and the cover 3100 and the heat sink 3300 are coupled by rotation of the cover 3100. The hook coupling method is a method in which the chin of the cover 3100 is fitted into the groove of the heat sink 3300 so that the cover 3100 and the heat sink 3300 are coupled.

상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The cover 3100 is optically coupled to the light source unit 3200. Specifically, the cover 3100 may diffuse, scatter, or excite light from the light emitting element 3230 of the light source unit 3200. The cover 3100 may be a kind of optical member. Here, the cover 3100 may have a phosphor inside/outside or inside to excite light from the light source unit 3200.

상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.A milky white coating may be coated on the inner surface of the cover 3100. Here, the milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 3100 may be greater than the surface roughness of the outer surface of the cover 3100. This is to sufficiently scatter and diffuse light from the light source unit 3200.

상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 3100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, the polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance and strength. The cover 3100 may be a transparent material that the light source unit 3200 and the member 3350 are visible from outside, or may be an invisible opaque material. The cover 3100 may be formed, for example, through blow molding.

상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면에서도 상단부에 배치될 수 있다.The light source unit 3200 may be disposed on the member 3350 of the radiator 3300 and may be disposed in plural. Specifically, the light source unit 3200 may be disposed on one or more side surfaces of a plurality of side surfaces of the member 3350. In addition, the light source unit 3200 may be disposed on the upper end of the member 3350 as well.

상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. The light source unit 3200 may be disposed on three of six sides of the member 3350. However, it is not limited thereto, and the light source unit 3200 may be disposed on all sides of the member 3350. The light source unit 3200 may include a substrate 3210 and a light emitting device 3230. The light emitting device 3230 may be disposed on one surface of the substrate 3210.

상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 상에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The substrate 3210 has a rectangular plate shape, but is not limited thereto, and may have various shapes. For example, the substrate 3210 may have a circular or polygonal plate shape. The substrate 3210 may be a circuit pattern printed on an insulator, for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, etc. It may include. In addition, it is possible to use a COB (Chips On Board) type that can directly bond unpackaged LED chips on a printed circuit board. Further, the substrate 3210 may be formed of a material that efficiently reflects light, or may be formed of a color whose surface efficiently reflects light, for example, white, silver, or the like. The substrate 3210 may be electrically connected to the circuit part 3400 accommodated in the radiator 3300. The substrate 3210 and the circuit part 3400 may be connected through a wire, for example. The wire may pass through the radiator 3300 to connect the substrate 3210 and the circuit part 3400.

상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The light emitting device 3230 may be a light emitting diode chip emitting red, green, and blue light, or a light emitting diode chip emitting UV. Here, the light emitting diode chip may be a horizontal type (Lateral Type) or a vertical type (Vertical Type), the light emitting diode chip may emit blue (Blue), red (Red), yellow (Yellow), or green (Green) Can be.

상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The light emitting device 3230 may have a phosphor. The phosphor may be any one or more of a garnet (YAG, TAG), a silicate (Silicate), a nitride (Nitride) and oxynitride (Oxynitride) system. Alternatively, the phosphor may be any one or more of a yellow phosphor, a green phosphor, and a red phosphor.

상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The radiator 3300 may be coupled to the cover 3100 and radiate heat from the light source unit 3200. The heat sink 3300 has a predetermined volume, and includes an upper surface 3310 and a side surface 3330. A member 3350 may be disposed on the top surface 3310 of the heat sink 3300. The top surface 3310 of the radiator 3300 may be combined with the cover 3100. The upper surface 3310 of the radiator 3300 may have a shape corresponding to the opening 3110 of the cover 3100.

상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of heat radiation fins 3370 may be disposed on the side surface 3330 of the heat radiation body 3300. The heat sink fin 3370 may extend from the side 3330 of the heat sink 3300 to the outside or may be connected to the side 3330. The heat dissipation fin 3370 may increase heat dissipation efficiency of the heat dissipation body 3300 to improve heat dissipation efficiency. Here, the side surface 3330 may not include the heat dissipation fin 3370.

상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The member 3350 may be disposed on the top surface 3310 of the radiator 3300. The member 3350 may be integral with the upper surface 3310 or may be coupled to the upper surface 3310. The member 3350 may be a polygonal column. Specifically, the member 3350 may be a hexagonal column. The member 3350 of the hexagonal column has a top surface and a bottom surface and six side surfaces. Here, the member 3350 may be a circular column or an elliptical column as well as a polygonal column. When the member 3350 is a circular pillar or an elliptical pillar, the substrate 3210 of the light source unit 3200 may be a flexible substrate.

상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 16에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The light source unit 3200 may be disposed on six side surfaces of the member 3350. The light source unit 3200 may be disposed on all six sides, or the light source unit 3200 may be disposed on several of six sides. In FIG. 16, the light source unit 3200 is disposed on three of six sides.

상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The substrate 3210 is disposed on the side surface of the member 3350. The side surface of the member 3350 may be substantially perpendicular to the top surface 3310 of the radiator 3300. Therefore, the upper surface 3310 of the substrate 3210 and the heat sink 3300 may be substantially vertical.

상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the member 3350 may be a material having thermal conductivity. This is to quickly transfer heat generated from the light source unit 3200. The material of the member 3350 may be, for example, aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), magnesium (Mg), silver (Ag), tin (Sn), or an alloy of the metals. Alternatively, the member 3350 may be formed of a thermally conductive plastic having thermal conductivity. Thermally conductive plastics have the advantage of being lighter than metal and having unidirectional thermal conductivity.

상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The circuit unit 3400 is supplied with power from the outside, and converts the supplied power to the light source unit 3200. The circuit unit 3400 supplies the converted power to the light source unit 3200. The circuit part 3400 may be disposed on the heat radiator 3300. Specifically, the circuit part 3400 may be accommodated in the inner case 3500 and may be accommodated in the heat radiator 3300 together with the inner case 3500. The circuit part 3400 may include a circuit board 3410 and a plurality of components 3430 mounted on the circuit board 3410.

상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. The circuit board 3410 has a circular plate shape, but is not limited thereto, and may have various shapes. For example, the circuit board 3410 may have an oval or polygonal plate shape. The circuit board 3410 may be a circuit pattern printed on an insulator.

상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. The circuit board 3410 is electrically connected to the board 3210 of the light source unit 3200. The electrical connection between the circuit board 3410 and the board 3210 may be connected, for example, through a wire. The wire is disposed inside the heat sink 3300 to connect the circuit board 3410 and the board 3210.

다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The plurality of components 3430 may include, for example, a DC conversion device that converts AC power provided from an external power source into DC power, a driving chip that controls the driving of the light source unit 3200, and protects the light source unit 3200. ESD (ElectroStatic discharge) protection device.

상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. The inner case 3500 accommodates the circuit part 3400 therein. The inner case 3500 may have a receiving part 3510 to receive the circuit part 3400.

상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The storage unit 3510 may have a cylindrical shape, for example. The shape of the storage part 3510 may vary depending on the shape of the heat sink 3300. The inner case 3500 may be accommodated in the radiator 3300. The storage part 3510 of the inner case 3500 may be accommodated in a storage part formed on the lower surface of the heat sink 3300.

상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The inner case 3500 may be combined with the socket 3600. The inner case 3500 may have a connection portion 3530 that is coupled to the socket 3600. The connection part 3530 may have a screw thread structure corresponding to the screw groove structure of the socket 3600. The inner case 3500 is a nonconductor. Accordingly, an electrical short circuit between the circuit part 3400 and the heat radiator 3300 is prevented. For example, the inner case 3500 may be formed of a plastic or resin material.

상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사선 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.
The socket 3600 may be combined with the inner case 3500. Specifically, the socket 3600 may be coupled to the connection portion 3530 of the inner case 3500. The socket 3600 may have the same structure as a conventional conventional incandescent light bulb. The circuit part 3400 and the socket 3600 are electrically connected. Electrical connection between the circuit part 3400 and the socket 3600 may be connected through a wire. Therefore, when an external power is applied to the socket 3600, the external power may be transmitted to the circuit unit 3400. The socket 3600 may have a screw groove structure corresponding to the screw structure of the connection part 3550.

도 10에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 조명장치 예컨대, 백라이트 유닛은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.As illustrated in FIG. 10, a lighting device according to an embodiment, for example, a backlight unit, includes a light guide plate 1210, a light emitting module unit 1240 providing light to the light guide plate 1210, and under the light guide plate 1210. A reflective member 1220, a light guide plate 1210, a light emitting module unit 1240, and a bottom cover 1230 accommodating the reflective member 1220 may be included, but are not limited thereto.

상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1210 diffuses light to serve as a surface light source. The light guide plate 1210 is made of a transparent material, for example, acrylic resin series such as PMMA (polymethyl metaacrylate), PET (polyethylene terephthlate), PC (poly carbonate), COC (cycloolefin copolymer) and PEN (polyethylene naphthalate) It may include one of the resin.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 배치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light emitting module unit 1240 provides light to at least one side of the light guide plate 1210, and ultimately acts as a light source of a display device in which the backlight unit is disposed.

상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The light emitting module unit 1240 may contact the light guide plate 1210, but is not limited thereto. Specifically, the light emitting module unit 1240 includes a substrate 1242 and a plurality of light emitting device packages 200 mounted on the substrate 1242, wherein the substrate 1242 is connected to the light guide plate 1210. You may encounter, but not limited to.

상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The substrate 1242 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1242 may include not only a general PCB, but also a metal core PCB (MCPCB, metal core PCB), a flexible PCB (FPCB, flexible PCB), and the like.

그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.In addition, the plurality of light emitting device packages 200 may be mounted so that a light emitting surface on which the light is emitted on the substrate 1242 is spaced a predetermined distance from the light guide plate 1210.

상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1220 may be formed under the light guide plate 1210. The reflective member 1220 may reflect the light incident on the lower surface of the light guide plate 1210 and face upward, thereby improving luminance of the backlight unit. The reflective member 1220 may be formed of, for example, PET, PC, PVC resin, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1230 may accommodate the light guide plate 1210, a light emitting module unit 1240, and a reflective member 1220. To this end, the bottom cover 1230 may be formed in a box shape with an open top surface, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
The bottom cover 1230 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and examples, those skilled in the art understand that the embodiments can be variously modified and changed without departing from the technical spirit of the embodiments described in the claims below. Will be able to.

110: 기판 120: 버퍼층
130: 결함 차단층 140: 제1 도전형 반도체층
150: 활성층 160: 제2 도전형 반도체층
170: 제1 전극 180: 제2 전극110: substrate 120: buffer layer
130: defect blocking layer 140: first conductive semiconductor layer
150: active layer 160: second conductive type semiconductor layer
170: first electrode 180: second electrode

Claims (8)

기판;
상기 기판 상에 배치된 버퍼층;
상기 버퍼층 상에 배치된 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층; 및
상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층;을 포함하고,
상기 버퍼층 내에 다수의 결함 차단층이 서로 이격하여 적층되고,
상기 결함 차단층은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤0.1, 0≤y≤0.05)이며,
상기 버퍼층은 AlGaN을 포함하고, 상기 버퍼층의 Al 조성은 상기 기판에서 상기 제1 도전형 반도체층에 인접할수록 낮아지고,
상기 다수의 결함 차단층의 In 조성은 상기 기판에서 상기 제1 도전형 반도체층에 인접할수록 높아지는 발광소자.Board;
A buffer layer disposed on the substrate;
A first conductivity type semiconductor layer disposed on the buffer layer;
An active layer disposed on the first conductivity type semiconductor layer; And
Including; a second conductive type semiconductor layer disposed on the active layer,
A plurality of defect blocking layers are stacked apart from each other in the buffer layer,
The defect blocking layer is In x Al y Ga 1-xy N (0≤x≤0.1, 0≤y≤0.05),
The buffer layer includes AlGaN, and the Al composition of the buffer layer becomes lower as the substrate is adjacent to the first conductivity type semiconductor layer,
A light emitting device having an In composition of the plurality of defect blocking layers increases as the substrate is adjacent to the first conductivity type semiconductor layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 결함 차단층의 두께는 5nm 내지 200nm인 발광소자.According to claim 1,
The defect blocking layer has a thickness of 5 nm to 200 nm. 삭제delete 삭제delete
KR1020140008531A 2014-01-23 2014-01-23 Light emitting device and lighting system having the same KR102119836B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140008531A KR102119836B1 (en) 2014-01-23 2014-01-23 Light emitting device and lighting system having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140008531A KR102119836B1 (en) 2014-01-23 2014-01-23 Light emitting device and lighting system having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150088117A KR20150088117A (en) 2015-07-31
KR102119836B1 true KR102119836B1 (en) 2020-06-05

Family

ID=53877243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140008531A KR102119836B1 (en) 2014-01-23 2014-01-23 Light emitting device and lighting system having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102119836B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116525730B (en) * 2023-07-05 2023-09-08 江西兆驰半导体有限公司 Preparation method of light-emitting diode epitaxial wafer and epitaxial wafer

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100661709B1 (en) 2004-12-23 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 Nitride semiconductor LED and fabrication method thereof
JP3898445B2 (en) 1997-12-08 2007-03-28 三菱電線工業株式会社 Light emitting element
JP4553583B2 (en) 2003-12-26 2010-09-29 豊田合成株式会社 Group III nitride compound semiconductor light emitting device
JP2012079824A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Stanley Electric Co Ltd Stacked semiconductor and method of manufacturing stacked semiconductor
JP2012532437A (en) 2009-06-30 2012-12-13 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー Control pit formation in III-nitride devices
JP2013084957A (en) 2012-10-05 2013-05-09 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting element

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101636032B1 (en) * 2009-08-28 2016-07-05 서울바이오시스 주식회사 Light emitting diode having interlayer with high dislocation density and method of fabricating the same
KR20120111364A (en) * 2011-03-31 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and light emitting device package

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3898445B2 (en) 1997-12-08 2007-03-28 三菱電線工業株式会社 Light emitting element
JP4553583B2 (en) 2003-12-26 2010-09-29 豊田合成株式会社 Group III nitride compound semiconductor light emitting device
KR100661709B1 (en) 2004-12-23 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 Nitride semiconductor LED and fabrication method thereof
JP2012532437A (en) 2009-06-30 2012-12-13 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー Control pit formation in III-nitride devices
JP2012079824A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Stanley Electric Co Ltd Stacked semiconductor and method of manufacturing stacked semiconductor
JP2013084957A (en) 2012-10-05 2013-05-09 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150088117A (en) 2015-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101936305B1 (en) Light emitting device
KR101936312B1 (en) Light emitting device
KR102175320B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102328457B1 (en) Light emitting device, light emitting device manufacturing method and lighting system having the same
KR101952437B1 (en) Light emitting device, and method for fabricating the same
KR20140050810A (en) Light emitting device
KR102098827B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR102261948B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102249640B1 (en) Light emitting device, light emitting device package having the same, and light system having the same
KR20140062944A (en) Light emitting device
KR102119836B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102199983B1 (en) Light emitting device and light emitting device package having the same
KR101997253B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR101997255B1 (en) Light emitting device
KR102212739B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102187482B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102313352B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR20150089816A (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102119842B1 (en) Light emitting device and light emitting device package having the same
KR102042437B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102042263B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102153090B1 (en) Light emitting device
KR101969336B1 (en) Light emitting device
KR20140059445A (en) Light emitting device
KR101962222B1 (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant