KR102113616B1 - 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본원의 일 실시예는 신뢰도를 향상시킬 수 있는 유기발광표시장치에 관한 것으로, 표시영역에서, 발광영역과 비발광영역을 각각 포함하는 복수의 화소영역이 정의되는 유기발광표시장치는 기판 상에서 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 기판 상에서 화소영역에 배치되는 박막트랜지스터; 기판 상에서 박막트랜지스터를 덮는 오버코트층; 기판 상에서 비발광영역에 배치되는 보조전극; 오버코트층 상의 발광영역에 배치되는 제 1 전극; 제 1 전극 및 보조전극 상에 배치되는 유기층; 유기층 상에 배치되는 제 2 전극; 및 유기층을 관통하여 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결하는 콘택웰딩을 포함하고; 보조 전극은 오버코트층의 아래에 배치되는 제 1 보조전극층과, 오버코트층 상에 배치되고 오버코트층을 관통하는 보조콘택홀을 통해 제 1 보조전극층과 연결되는 제 2 보조전극층을 포함하고, 제 2 보조전극층은 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩하는 매트릭스 구조를 갖고 게이트 라인보다 넓으며 데이터 라인보다 넓은 폭을 갖는다.

Description

유기발광표시장치 및 그의 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본원은 신뢰도를 향상시킬 수 있는 유기발광표시장치 및 그를 제조하는 방법에 관한 것이다.

본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라, 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전하고 있다. 이에, 여러 가지 다양한 평판표시장치(Flat Display Device)에 대해 박형화, 경량화 및 저소비전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.

이 같은 평판표시장치의 대표적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro Luminescence Display device: ELD), 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display device: EWD) 및 유기발광표시장치(Organic Light Emitting Display device: OLED) 등을 들 수 있다.

이와 같은 평판표시장치들은 공통적으로, 영상을 구현하기 위한 평판표시패널을 필수적으로 포함한다. 여기서, 평판표시패널은 고유의 발광물질 또는 편광물질을 사이에 둔 한 쌍의 기판이 대면 합착된 구조이고, 표시영역과 그의 외곽인 비표시영역이 정의되는 표시면을 포함한다. 그리고, 표시영역은 복수의 화소영역으로 정의된다.

이 중 유기발광표시장치(OLED)는 자체 발광형 소자인 유기발광소자를 이용하여, 화상을 표시한다. 즉, 유기발광표시장치는 복수의 화소영역에 대응하는 복수의 유기발광소자를 포함한다.

유기발광소자는 상호 대향하는 제 1 및 제 2 전극, 및 제 1 및 제 2 전극 사이의 유기물질로 형성되고 제 1 및 제 2 전극 사이의 구동전류에 기초하여 루미네선스(Electro Luminescence)를 발생시키는 유기층을 포함한다.

제 1 및 제 2 전극 중 어느 하나(이하, "제 1 전극"이라 가정함)는 각 화소영역에 대응하도록 형성되고, 다른 하나(이하, "제 2 전극"이라 가정함)는 복수의 화소영역에 공통으로 대응하도록 형성된다.

이와 같이, 제 2 전극은 각 화소영역에 대응하도록 형성되는 제 1 전극과 달리, 복수의 화소영역 전체에 대응하도록 형성됨에 따라, 제 1 전극에 비해 높은 저항을 갖는다. 특히, 유기발광표시장치가 제 2 전극을 투과하는 경로로 광을 방출하는 형태인 경우, 각 화소영역의 광 방출 효율, 즉 휘도를 높이기 위하여, 제 2 전극은 되도록 얇은 두께의 투명도전성재료로 형성될 수 있고, 그로 인해, 더 높은 저항을 가질 수 있다.

그런데, 제 2 전극의 저항이 높을수록, 더 큰 폭의 전압강하(voltage drop: IR drop)가 발생되므로, 전원과의 거리에 따라 각 화소영역의 휘도가 달라질 수 있다. 즉, 제 2 전극의 높은 저항으로 인해, 각 화소영역의 휘도에 대한 균일도가 저하되는 문제점이 있다. 또한, 제 2 전극의 높은 저항으로 인한 전압 강하에도 불구하고, 임계 이상의 휘도를 확보하기 위해, 유기발광표시장치의 소비전력이 상승하는 문제점이 있다.

특히, 유기발광표시장치가 대면적일수록, 제 2 전극의 높은 저항으로 인한 휘도 균일도의 저하 및 소비전력의 상승이 더욱 심화됨에 따라, 유기발광표시장치의 대면적화에 한계가 있는 문제점이 있다.

이러한 문제점을 해소하기 위해서는 제 2 전극의 저항을 낮출 필요가 있으며, 이를 위해, 일반적인 유기발광표시장치는 제 2 전극보다 낮은 저항을 갖는 재료로 형성되는 별도의 보조전극을 더 포함할 수 있다.

이때, 보조전극은 유기층을 사이에 두고 제 2 전극과 대향하도록 형성됨에 따라, 제 2 전극과 연결되기 위해, 보조전극의 적어도 일부는 유기층이 형성되지 않고 노출되어야 한다.

일 예로, 보조전극의 적어도 일부를 노출시키기 위해, 유기층을 선택적으로 식각할 수 있는데, 이와 같이 하면, 유기층이 전반적으로 손상될 뿐만 아니라, 식각된 유기물질이 불순물로 남아있을 수 있어, 유기발광표시장치의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.

다른 예로, 미세마스크를 이용하여, 보조전극의 적어도 일부를 가린 상태로 유기층을 형성할 수 있는데, 이와 같이 하면, 유기층 형성 공정 내내 미세마스크만을 이용해야 하므로, 높은 비용이 소모되고, 공정 시 높은 주의를 요하는 문제점이 있다.

본원은 유기층을 선택적으로 식각하거나 유기층 형성 시 미세마스크를 사용하지 않고서도, 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결시킬 수 있어, 제조공정이 더욱 용이해질 수 있고, 신뢰도가 향상될 수 있는 유기발광표시장치 및 제조방법을 제공하기 위한 것이다.

이와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본원은 기판; 기판 상에서 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 기판 상에서 화소영역에 배치되는 박막트랜지스터; 기판 상에서 박막트랜지스터를 덮는 오버코트층; 기판 상에서 비발광영역에 배치되는 보조전극; 오버코트층 상의 발광영역에 배치되는 제 1 전극; 제 1 전극 및 보조전극 상에 배치되는 유기층; 유기층 상에 배치되는 제 2 전극; 및 유기층을 관통하여 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결하는 콘택웰딩을 포함하고; 보조 전극은 오버코트층의 아래에 배치되는 제 1 보조전극층과, 오버코트층 상에 배치되고 오버코트층을 관통하는 보조콘택홀을 통해 제 1 보조전극층과 연결되는 제 2 보조전극층을 포함하고, 제 2 보조전극층은 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩하는 매트릭스 구조를 갖고 게이트 라인보다 넓으며 데이터 라인보다 넓은 폭을 갖는 유기발광표시장치를 제공한다.

본원은 긴판 상에 게이트라인을 형성하고, 기판 상의 전면에 게이트절연막을 형성하며, 게이트절연막 상에 데이터라인을 형성하고, 화소영역에 박막트랜지스터를 형성하고, 비발광영역에 제 1 보조전극층을 형성하는 단계; 게이트절연막 상에 데이터라인과 박막트랜지스터와 제 1 보조전극층을 덮는 오버코트층을 형성하는 단계; 적어도 오버코트층을 관통하는 메인콘택홀 및 보조콘택홀을 형성하는 단계; 오버코트층 상의 발광영역에 메인콘택홀을 통해 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극을 형성하고, 오버코트층 상의 비발광영역에 보조컨택홀을 통해 제 1 보조전극층과 연결되는 제 2 보조전극층을 형성하는 단계; 오버코트층 상에 제 1 전극의 테두리에 오버랩하고 제 2 보조전극층의 일부와 오버랩하는 뱅크를 형성하는 단계; 오버코트층 상에, 제 1 전극과 뱅크와 제 2 보조전극층을 덮는 유기층을 형성하는 단계; 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 제 2 전극에 대향하는 밀봉층을 형성하는 단계; 및 제 1 보조전극층 및 제 2 보조전극층을 포함하는 보조전극의 적어도 일부에 레이저를 조사하여, 유기층을 관통하여 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결하는 콘택웰딩을 형성하는 단계를 포함하고; 제 2 보조전극층은 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩하는 매트릭스 구조를 갖고 게이트 라인보다 넓으며 데이터 라인보다 넓은 폭을 갖는 유기발광표시장치의 제조방법을 제공한다.

본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치는 전면에 형성되는 제 2 전극과 연결되는 보조전극을 포함함으로써, 제 2 전극의 저항을 낮출 수 있어, 제 2 전극의 높은 저항에 의한 휘도 저하 및 소비전력 증가를 방지할 수 있으므로, 대면적화에 더욱 유리해질 수 있다.

그리고, 보조전극의 적어도 일부가 유기층을 관통하여 제 2 전극으로 확산되어 형성되는 콘택웰딩을 더 포함함으로써, 유기층을 선택적으로 식각하거나, 유기층 형성 시 미세마스크를 이용하지 않더라도, 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결시킬 수 있다. 그러므로, 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결하기 위해, 유기층이 손상되는 것이 방지됨에 따라, 유기발광표시장치의 신뢰도 및 수명이 더욱 향상될 수 있고, 유기층 형성 시 높은 비용 및 높은 주의가 소모되는 것이 방지될 수 있어, 제조공정이 더욱 간단해질 수 있다.

이 뿐만 아니라, 콘택웰딩은 일반적인 콘택홀보다 작은 공정마진을 포함하므로, 유기발광표시장치의 개구율이 향상될 수 있다.

또한, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은 밀봉층을 형성한 후, 콘택웰딩을 형성함에 따라, 콘택웰딩 형성 시에 진공챔버가 불필요하므로, 공정이 더욱 용이해지고, 제조비용이 저감될 수 있다.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 등가회로도이다.
도 2a 및 도 2b는 본원의 제 1 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본원의 제 2 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본원의 제 3 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본원의 제 4 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본원의 제 5 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본원의 제 6 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본원의 제 7 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 본원의 제 8 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.
도 10은 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 11a 내지 도 11i는 도 10의 각 단계를 나타낸 공정도이다.

이하, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치 및 그의 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명하기로 한다.

먼저, 도 1, 도 2a, 도 2b, 도 3a, 도 3b, 도 4a, 도 4b, 도 5a, 도 5b, 도 6a, 도 6b, 도 7a, 도 7b, 도 8a, 도 8b, 도 9a 및 도 9b를 참조하여, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치에 대해 설명한다.

도 1은 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치를 나타낸 등가회로도이다. 도 2a 및 도 2b는 본원의 제 1 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 3a 및 도 3b는 본원의 제 2 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 4a 및 도 4b는 본원의 제 3 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 5a 및 도 5b는 본원의 제 4 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 6a 및 도 6b는 본원의 제 5 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 7a 및 도 7b는 본원의 제 6 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 8a 및 도 8b는 본원의 제 7 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다. 도 9a 및 도 9b는 본원의 제 8 실시예에 따른 도 1의 유기발광표시장치 중 일부를 나타낸 평면도와, 어느 하나의 화소영역을 나타낸 단면도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치(100)는 복수의 화소영역(PA)이 정의되도록 상호 교차하여 형성되는 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL), 복수의 화소영역(PA)에 대응하는 복수의 박막트랜지스터(TFT), 및 복수의 화소영역(PA) 각각의 발광영역에 형성되는 복수의 유기발광소자(ED)를 포함한다.

복수의 유기발광소자(ED)는 어느 하나의 박막트랜지스터(TFT)와 연결되고, 기준전원(Vdd)에 연결된다. 이에, 각 유기발광소자(ED)는 각 박막트랜지스터(TFT)와 기준전원(Vdd) 사이의 전위차에 대응한 구동전류에 기초하여, 광을 방출한다.

도 2a, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a, 도 8a 및 도 9a에 도시한 바와 같이, 각 실시예에 따르면, 복수의 화소영역(PA) 각각은 표시를 위한 광을 방출하는 발광영역(EA)과, 그 이외의 비발광영역(NEA)을 포함한다.

그리고, 각 실시예에 따른 유기발광표시장치(100a~100h)는 기판(111) 상의 각 화소영역(PA)에 형성되는 박막트랜지스터(TFT), 기판(111) 상에 형성되는 게이트라인(도 1의 GL), 기판(111) 상의 전면에 형성되고 게이트라인(GL)을 덮는 게이트절연막(112), 게이트절연막(112) 상에 형성되고 복수의 화소영역(PA)이 정의되도록 게이트라인(GL)에 교차하는 데이터라인(도 1의 DL), 비발광영역(NEA) 중 일부에 형성되는 보조전극(120), 및 게이트절연막(112) 상의 전면에 형성되고 박막트랜지스터(TFT)와 게이트전극(GL)과 데이터라인(DL)과 보조전극(120)을 덮는 오버코트층(113)을 포함한다.

그리고, 각 실시예에 따른 유기발광표시장치(100a~100h)는 오버코트층(113) 상의 발광영역(EA)에 형성되고, 박막트랜지스터(TFT)와 연결되는 제 1 전극(131), 오버코트층(113) 상의 발광영역(EA) 외곽에 형성되고 제 1 전극(131)의 테두리 상에 적어도 일부 오버랩하는 뱅크(132), 오버코트층(113) 상의 전면에 형성되어, 제 1 전극(131)과 뱅크(132)를 덮는 유기층(133), 유기층(133) 상의 전면에 형성되는 제 2 전극(134), 보조전극(120)의 일부가 유기층(133)을 관통하여 제 2 전극(134)으로 확산되도록 형성되어, 보조전극(120)과 제 2 전극(134) 사이를 연결하는 콘택웰딩(140), 및 제 2 전극(134)에 대향하는 밀봉층(150)을 더 포함한다.

각 화소영역(PA)에 대응한 박막트랜지스터(TFT)는 게이트전극(161), 액티브층(162), 소스전극(163) 및 드레인전극(164)을 포함한다.

게이트전극(161)은 게이트라인(GL)과 마찬가지로, 기판(111) 상에 형성된다. 그리고, 게이트라인(GL)으로부터 분기된 형태로 이루어져서, 게이트라인(GL)과 연결된다.

액티브층(162)은 게이트절연막(112) 상에, 게이트전극(161)의 적어도 일부와 오버랩하도록 형성된다. 여기서, 액티브층(162)은 산화물반도체(Oxide Semiconductor), 폴리실리콘(poly Silicon: 결정질 실리콘) 및 아몰포스 실리콘(amorphous Silicon: a-Si: 비결정질 실리콘) 중 어느 하나로 형성될 수 있다.

소스전극(163)과 드레인전극(164)는 데이터라인(DL)과 마찬가지로, 게이트절연막(112) 상에 상호 이격하도록 형성된다. 그리고, 소스전극(163)과 드레인전극(164)는 액티브층(162)의 양측 상에 오버랩한다.

여기서, 소스전극(163)과 드레인전극(164) 중 어느 하나(예를 들면, 소스전극(163)일 수 있음)는 데이터라인(DL)으로부터 분기된 형태로 이루어져서, 데이터라인(DL)과 연결된다. 그리고, 소스전극(163)과 드레인전극(164) 중 데이터라인(DL)과 연결되지 않는 다른 하나(예를 들면, 드레인전극(164)일 수 있음)는 오버코트층(113)을 관통하는 메인콘택홀(CT1)을 통해 적어도 일부 노출되어, 제 1 전극(131)과 연결된다.

또한, 액티브층(162)이 산화물반도체로 형성되는 경우, 박막트랜지스터(TFT)는 액티브층(162) 상에 형성되는 에치스토퍼층(165)을 더 포함할 수 있고, 이때, 소스전극(163) 및 드레인전극(164)은 에치스토퍼(165)의 양측 상에 오버랩한다.

제 1 전극(131)은 적어도 각 화소영역(PA)의 발광영역(EA: Emitting Area)에 대응하고, 오버코트층(113) 상에 형성된다. 그리고, 제 1 전극(131)은 오버코트층(113)을 관통하는 메인콘택홀(CT1)을 통해, 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(163)과 드레인전극(164) 중 데이터라인(DL)에 연결되지 않은 다른 하나(예를 들면, 드레인전극(164)임)와 연결된다.

뱅크(132)는 각 화소영역(PA)의 발광영역(EA) 외곽에 대응하고, 오버코트층(112) 상에 형성된다. 그리고, 뱅크(132)는 제 1 전극(131)의 테두리에 적어도 일부 오버랩한다.

이러한 뱅크(132)에 의해 제 1 전극(131)의 단차영역이 가려져서, 제 1 전극(131)의 단차에 집중되는 전류흐름에 의해 유기층(133)이 더 신속하게 열화되는 것을 방지할 수 있다.

유기층(133)은 표시영역 전면, 즉 복수의 화소영역(PA) 전체에 대응하여, 오버코트층(113) 상의 전면에 형성된다. 이에, 유기층(133)은 제 1 전극(131) 및 뱅크(132)를 덮도록 형성된다.

이러한 유기층(133)은 표시영역에 대응하는 오픈마스크를 이용하여 형성될 수 있다.

상세히 도시되어 있지 않으나, 유기층(133)은 서로 다른 성분 또는 조성을 갖는 유기물질로 이루어진 다중층 구조로 이루어질 수 있다. 일 예로, 유기층(133)은 유기발광재료로 이루어진 발광층을 포함하고, 전자주입층, 전자수송층, 정공수송층 및 정공주입층 중 적어도 하나를 더 포함하는 구조일 수 있다.

제 2 전극(134)은 유기층(133) 상의 전면에 형성된다.

이로써, 각 화소영역(PA)의 발광영역(EA)에, 상호 대향하는 제 1 및 제 2 전극(131, 134), 그리고 이들 사이에 개재된 유기층(133)을 포함하는 유기발광소자(ED)가 형성된다.

밀봉층(150)은 제 2 전극(134)에 대향하여 형성된다. 이러한 밀봉층(150)은 복수의 유기발광소자(ED)를 외부로부터 격리하여, 복수의 유기발광소자(ED)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 차폐함으로써, 수분 또는 산소에 의한 복수의 유기발광소자(ED)의 열화를 지연시킨다.

도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 본원의 제 1 실시예에 따르면, 보조전극(120)은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL) 중 어느 하나의 신호라인과 동일층에 형성되고, 하나의 신호라인으로부터 절연되는 단일의 보조전극층(121)으로 이루어진다.

즉, 보조전극층(121)은 게이트절연막(112) 상에 데이터라인(DL), 소스전극(163) 및 드레인전극(164)과 함께 형성되고, 데이터라인(DL), 소스전극(163) 및 드레인전극(164) 각각으로부터 절연되는 아일랜드 패턴(ISLAND PATTERN)일 수 있다. 이러한 보조전극층(121)은 데이터라인(DL)에 평행한 라인 형태일 수도 있다.

또는, 별도로 도시하고 있지 않으나, 보조전극층(미도시)은 기판(111) 상에 게이트라인(GL) 및 게이트전극(161)과 함께 형성되고, 게이트라인(GL) 및 게이트전극(161) 각각으로부터 절연되는 아일랜드 패턴일 수 있다. 이 경우, 보조전극층(미도시)은 게이트라인(GL)에 평행한 라인 형태일 수도 있다. 그리고, 보조전극(120)의 일부를 노출시키기 위한 보조콘택홀(CT2)은 오버코트층(113)뿐만 아니라, 게이트절연막(112)을 더 관통하여 형성된다.

이러한 보조전극(120) 중 보조콘택홀(CT2)에 의해 노출된 일부는 유기층(133)을 사이에 두고서 제 2 전극(134)과 대향한다.

그리고, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2)에 의해 보조전극층(121)의 일부가 노출되는 영역 내에 형성된다.

구체적으로, 콘택웰딩(140)은 기판(111) 배면 밖에 위치한 레이저를 이용하여 보조전극(120)의 일부를 제 2 전극(134)으로 확산시킨 것이다. 즉, 기판(111) 배면 밖에 위치한 레이저 장비로부터 방출되고 기판(111)을 투과한 레이저를 보조전극(120)의 일부에 조사한다. 이로 인해, 보조전극(120)의 일부가 용융하고, 유기층(133)을 관통하여, 제 2 전극(134)으로 확산됨으로써, 콘택웰딩(140)이 형성된다.

이상과 같이, 본원의 제 1 실시예에 따르면, 보조콘택홀(CT2)을 통해 유기층(133)을 사이에 두고 상호 적어도 일부 대향하는보조전극(120)과 제 2 전극(134)이 콘택웰딩(140)으로 상호 연결된다. 이에, 제 2 전극(134)의 저항이 낮아질 수 있으면서도, 유기층(133)의 손상을 방지할 수 있으며, 보조전극(120)과 제 2 전극(134)의 연결이 보다 용이하고 간단한 공정으로 실시될 수 있다.

달리 설명하면, 보조전극(120)과 제 2 전극(134) 사이를 연결하기 위하여, 유기층(133)의 일부를 선택적으로 제거하여 보조전극(120)을 노출하거나, 유기층(133) 형성 시에 보조전극(120)의 일부를 가리는 미세마스크를 이용할 필요가 없다.

이로써, 유기층(133)의 손상 및 불순물의 발생이 미연에 방지될 수 있으므로, 유기발광표시장치(100a)의 신뢰도 및 수명이 향상될 수 있다.

그리고, 유기층(133)의 형성 시, 미세마스크가 아닌 오픈마스크를 이용함에 따라, 공정이 단순해질 수 있고, 공정비용의 증가, 마스크 정렬을 위한 높은 수준의 주의, 공정시간의 증가 등이 방지될 수 있다.

또한, 콘택웰딩(140)은 일반적인 콘택홀보다 공정마진이 작으므로, 유기발광표시장치(100a)의 개구율이 향상될 수 있다.

더불어, 콘택웰딩(140) 형성 시, 기판(111) 배면 밖에 위치한 레이저를 이용함에 따라, 밀봉층(150)을 형성한 후 진공챔버 밖에서도 충분히 가능하다. 그러므로, 레이저 등을 장착할 수 있을 정도의 대형 진공챔버가 불필요하므로, 제조비용이 절감될 수 있다.

한편, 제 1 실시예에 따르면, 보조전극(120)은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL) 중 어느 하나의 신호라인과 동일층, 즉 기판(111) 상에 형성되거나, 또는 게이트절연막(112) 중 어느 하나 상에 형성되는 단일의 보조전극층(121)을 포함하여 이루어진다.

그러나, 제 1 실시예와 달리, 보조전극(120)은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL) 중 어느 하나의 신호라인과 동일층이 아닌 다른 층에 형성된 보조전극층을 포함하여 이루어질 수 있다.

일 예로, 도 3a에 도시한 바와 같이, 제 2 실시예에 따른 보조전극(120)은 제 1 전극(131)과 동일층에 형성되고 제 1 전극(131)으로부터 절연되는 단일의 보조전극층(122)으로 이루어진다.

그리고, 도 3b에 도시한 바와 같이, 제 2 실시예에 따른 보조전극층(122)은 제 1 전극(131)으로부터 소정 간격 이격된 메쉬형태의 패턴(MESH PATTERN)일 수 있다.

이와 같이, 제 2 실시예에 유기발광표시장치(100b)는 보조전극(120)이 오버코트층(113) 상에 형성되는 단일의 보조전극층(122)으로 이루어진다는 점을 제외하면, 도 2a 및 도 2b에 도시한 제 1 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

한편, 제 1 및 제 2 실시예에 따르면 보조전극(120)은 단일의 보조전극층으로 이루어지는데, 이와 달리, 보조전극(120)은 서로 다른 층에 형성된 두 개의 전극층을 포함하여 이루어질 수도 있다.

도 4a에 도시한 바와 같이, 제 3 실시예에 따른 보조전극(120)은 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL) 중 어느 하나의 신호라인과 동일층(도 4a에서 데이터라인(DL)과 동일층임)에 형성되는 제 1 보조전극층(121), 및 제 1 전극(131)과 동일층에 형성되는 제 2 보조전극층(122)을 포함한다.

즉, 보조전극(120)은 기판(111) 및 게이트절연막(112) 중 어느 하나 상에 형성되는 제 1 보조전극층(121)과, 오버코트층(113) 상에 형성되는 제 2 보조전극층(122)을 포함한다.

여기서, 제 2 보조전극층(122)은 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121) 상에 접하여, 제 1 보조전극층(121)과 연결된다.

이 경우, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2) 내에서 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122)이 상호 오버랩하는 부분을 확산시켜서 형성될 수 있다.

그리고, 콘택웰딩(140)은 둘 이상의 화소영역(PA)에 대응한 간격으로 형성될 수 있다.

이러한 제 3 실시예에 따른 유기발광표시장치(100c)는 보조전극(120)이 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122)을 포함한다는 점을 제외하면, 도 2a, 도 2b, 도 3a 및 도 3b에 도시한 제 1 및 제 2 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

한편, 제 3 실시예에 따르면, 제 2 보조전극층(122)은 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121)의 일부에 모두 접하도록 형성되나, 본원은 이에 국한되지 않는다.

즉, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이, 제 4 실시예에 따르면, 제 1 보조전극층(121)의 일부는 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된다. 그리고, 제 2 보조전극층(122')은 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121)의 일부에 전체적으로 접하지 않고, 부분적으로 접하도록 형성된다. 그리고, 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121)의 일부 중 제 1 보조전극층(122')과 접하지 않는 나머지는 유기층(133)과 접한다.

더불어, 제 4 실시예에 따르면, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2)에 의해 제 1 보조전극층(121)의 일부가 노출되는 영역 내에서, 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122')과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성될 수 있다.

이와 같이, 본원의 제 4 실시예에 따른 유기발광표시장치(100d)는 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122)이 보조콘택홀(CT2) 내에서 전체적으로 접하는 것이 아니라, 부분적으로 접하는 것이고, 콘택웰딩(140)이 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122')과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성된다는 점을 제외하면, 도 4a 및 도 4b에 도시한 제 3 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

또는, 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 제 5 실시예에 따르면, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2)에 의해 제 1 보조전극층(121)의 일부가 노출되는 영역 내에서, 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122') 중 어느 하나와 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성될 수도 있다.

즉, 제 2 보조전극층(122')은 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121)의 일부에 부분적으로 접하도록 형성되므로, 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121)의 일부 중 제 2 보조전극층(122')과 접하지 않는 나머지는 유기층(133)과 접한다. 이에, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2) 내에서 제 1 보조전극층(121)과 제 2 전극(134)이 유기층(133)을 사이에 두고 상호 대향하는 영역에, 형성될 수도 있다.

이와 같이, 본원의 제 5 실시예에 따른 유기발광표시장치(100e)는 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122') 중 어느 하나와 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성된다는 점을 제외하면, 도 5a 및 도 5b에 도시한 제 4 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

한편, 제 3, 제 4 및 제 5 실시예와 달리, 보조전극(120)은 서로 다른 층에 형성된 세 개의 전극층을 포함하여 이루어질 수도 있다.

도 7a 및 도 7b에 도시한 바와 같이, 제 6 실시예에 따르면, 보조전극(120)은 게이트라인(GL)과 동일층에 형성되는 제 1 보조전극층(121a), 데이터라인(DL)과 동일층에 형성되는 제 3 보조전극층(121b) 및 제 1 전극(131)과 동일층에 메쉬 형태의 패턴으로 형성되는 제 2 보조전극층(122)을 포함한다.

이때, 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b)은 게이트절연막(112)을 관통하는 프리콘택홀(CT3)을 통해 상호 연결될 수 있다.

그리고, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2) 내에서, 제 1, 제 2 및 제 3 보조전극층(121a, 121b 122)과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성될 수 있다.

이상과 같이, 보조전극(120)이 다중층으로 형성되면, 그만큼 제 2 전극(134)의 저항을 더 많이 낮출 수 있다.

이와 같이, 제 6 실시예에 따른 유기발광표시장치(100f)는 보조전극(120)이 서로 다른 층에 형성된 제 1, 제 2 및 제 3 전극층으로 이루어진다는 점을 제외하면, 도 4a 및 도 4b에 도시한 제 3 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

한편, 제 1 내지 제 6 실시예와 달리, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2)에 대응하지 않는 영역에 형성될 수도 있다.

즉, 도 8a 및 도 8b에 도시한 바와 같이, 제 7 실시예에 따르면, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2) 주변에서, 제 2 보조전극층(122)과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성될 수 있다.

이와 같이 하면, 콘택웰딩(140)이 형성될 영역이 보조콘택홀(CT2) 이내로 한정되지 않으므로, 공정오차를 줄일 수 있다.

이러한 제 7 실시예에 따른 유기발광표시장치(100g)는 콘택웰딩(140)이 보조콘택홀(CT2) 주변 중 제 2 보조전극층(122)과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성된다는 점을 제외하면, 도 7a 및 도 7b에 도시한 제 6 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

한편, 제 7 실시예와 달리, 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b)을 상호 연결하기 위한 프리콘택홀(CT3)이 생략될 수도 있다.

즉, 도 9a 및 도 9b에 도시한 바와 같이, 제 8 실시예에 따른 유기발광표시장치(100h)는 제 1 보조전극층(121a)과 제 3 보조전극층(121b) 각각의 일부를 노출하는 제 1 및 제 2 보조콘택홀(CT2', CT2)을 포함할 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 보조콘택홀(CT2', CT2)을 통해, 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b) 각각과 제 2 보조전극층(122)이 상호 연결된다.

그리고, 콘택웰딩(140)은 보조콘택홀(CT2) 주변에서, 제 2 보조전극층(122)과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 부분에 형성될 수 있다.

이와 같이 하면, 프리콘택홀(도 8a의 CT3)을 형성하기 위한 마스크공정을 생략할 수 있어, 제조비용 및 제조시간이 절감될 수 있다.

이러한 제 8 실시예에 따른 유기발광표시장치(100h)는 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b)을 상호 연결시키기 위한 프리콘택홀(CT3)을 포함하지 않고 그 대신 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b) 각각과 제 2 보조전극층(122)이 상호 연결시키기 위한 제 1 및 제 2 보조콘택홀(CT2', CT2)을 포함한다는 점을 제외하면, 제 7 실시예와 동일하므로, 이하에서 중복되는 설명을 생략하기로 한다.

다음, 도 10 및 도 11a 내지 도 11i를 참조하여, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다. 참고로, 이하에서는 도 4 및 도 5에 도시한 제 3 실시예에 따른 유기발광표시장치(100c)를 일 예로 들어, 유기발광표시장치의 제조방법에 대해 설명한다.

도 10에 도시한 바와 같이, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 게이트라인을 형성하고, 기판 상의 전면에 게이트절연막을 형성하며, 게이트절연막 상에 데이터라인을 형성하고, 비발광영역 중 일부에 제 1 보조전극층을 포함하는 보조전극을 형성하는 단계(S110), 게이트절연막 상의 전면에 데이터라인과 제 1 보조전극층을 덮는 오버코트층을 형성하는 단계(S120), 적어도 오버콘택층을 관통하여 제 1 보조전극층의 적어도 일부를 노출하는 보조콘택홀을 형성하는 단계(S130), 오버코트층 상의 발광영역에 제 1 전극을 형성하고, 오버코트층 상의 비발광영역 중 일부에 제 2 보조전극층을 형성하는 단계(S140), 오버코트층 상의 발광영역 외곽에 제 1 전극의 테두리에 적어도 일부 오버랩하는 뱅크를 형성하는 단계(S150), 오버코트층 상의 전면에 제 1 전극과 뱅크와 보조전극을 덮는 유기층을 형성하는 단계(S160), 유기층 상의 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계(S170), 제 2 전극에 대향하는 밀봉층을 형성하는 단계(S180), 및 보조전극의 적어도 일부를 제 2 전극으로 확산시켜서 보조전극과 제 2 전극 사이를 연결하는 콘택웰딩을 형성하는 단계(S190)를 포함한다.

도 11a에 도시한 바와 같이, 기판(111) 상에 복수의 박막트랜지스터(TFT)와, 게이트라인(도 1의 GL)과, 데이터라인(도 1의 DL)과, 제 1 보조전극층(121)과, 게이트라인(GL)과 데이터라인(DL) 사이를 절연시키는 게이트절연막(112)을 형성한다. (S110) 여기서, 제 1 보조전극층(121)은 게이트라인(GL) 및 데이터라인(DL) 중 어느 하나와 동일층에 형성된다.

구체적으로, 기판(111) 상의 도전층을 패터닝하여, 게이트라인(GL)과 게이트라인(GL)으로부터 분기되는 게이트전극(161)을 형성한다. 여기서, 제 1 보조전극층(미도시)이 게이트라인(GL)과 동일층인 경우, 제 1 보조전극층(미도시)도 함께 형성한다.

이어서, 기판(111) 상의 전면에 게이트라인(GL), 게이트전극(161)을 덮는 게이트절연막(112)을 형성한다.

게이트절연막(112) 상에 게이트전극(161)의 적어도 일부와 오버랩하는 액티브층(162)을 형성한다.

액티브층(162)이 식각공정에 노출 시 용이하게 반도체 성질을 상실할 수 있는 산화물반도체인 경우, 액티브층(162) 상에 에치스토퍼층(165)을 형성할 수 있다.

게이트절연막(112) 상의 도전층을 패터닝하여, 게이트라인(GL)과 교차하는 데이터라인(DL), 액티브층(162)의 양측 상에 오버랩하는 소스전극(163)과 드레인전극(164)을 형성한다. 여기서, 제 1 보조전극층(121)이 데이터라인(DL)과 동일층인 경우, 제 1 보조전극층(121)도 함께 형성한다.

이로써, 게이트전극(161), 액티브층(162), 소스전극(163) 및 드레인전극(164)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다.

도 11b에 도시한 바와 같이, 게이트절연막(112) 상의 전면에 박막트랜지스터(TFT) 및 제 1 보조전극층(121)을 덮는 오버코트층(113)을 형성한다. (S120)

도 11c에 도시한 바와 같이, 오버코트층(113)을 패터닝하여, 메인콘택홀(CT1)과 보조콘택홀(CT2)을 형성한다. (S130)

메인콘택홀(CT1)은 오버코트층(113)을 관통하여, 소스전극(163)과 드레인전극(164) 중 데이터라인(DL)과 연결되지 않은 어느 하나의 일부를 노출한다.

보조콘택홀(CT2)은 적어도 오버코트층(113)을 관통하여 제 1 보조전극층(121)의 일부를 노출한다. 여기서, 제 1 보조전극층(121)이 게이트라인(GL)과 동일층, 즉 기판(111) 상에 형성되는 경우, 보조콘택홀(CT2)은 게이트절연막(112)을 더 관통하여 형성된다.

도 11d에 도시한 바와 같이, 오버코트층(113) 상의 도전층을 패터닝하여, 제 1 전극(131)을 형성한다. (S140)

제 1 전극(131)은 각 화소영역(PA)의 발광영역(EA)에 형성되고, 메인콘택홀(CT1)을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 연결된다.

그리고, 보조전극(120)이 제 1 전극(131)과 동일층에 형성되는 제 2 보조전극층(122)을 더 포함하는 경우, 제 1 전극(131)을 형성하는 단계(S140)에서 제 2 보조전극층(122)을 더 형성한다.

제 2 보조전극층(122)은 비발광영역(NEA)에 형성되고, 보조콘택홀(CT2)을 통해 제 1 보조전극층(121)의 적어도 일부 상에 오버랩한다.

이로써, 보조콘택홀(CT2)을 통해 상호 연결되는 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122)을 포함하는 보조전극(120)이 형성된다.

도 11e에 도시한 바와 같이, 오버코트층(113) 상의 발광영역(EA) 외곽에 제 1 전극(131)의 테두리 상에 오버랩하는 뱅크(132)를 형성한다. (S150) 여기서, 뱅크(132)는 제 2 보조전극층(122)의 테두리 상에 더 오버랩할 수 있다.

도 11f에 도시한 바와 같이, 오버코트층(113) 상의 전면에 유기층(133)을 형성한다. (S160)

이때, 유기층(133)은 제 1 전극(131), 뱅크(132) 및 보조전극(120) 각각을 덮는다.

더불어, 유기층(133)을 형성하는 단계(S160)는 진공챔버 내에서 실시된다.

도 11g에 도시한 바와 같이, 유기층(133) 상의 전면에 제 2 전극(134)을 형성한다. (S170)

도 11h에 도시한 바와 같이, 제 2 전극(134)에 대향하는 밀봉층(150)을 형성한다. (S180)

이와 같이 밀봉층(150)을 형성한 후, 제조물을 진공챔버 밖으로 이송한다.

이어서, 도 11i에 도시한 바와 같이, 기판(111) 배면에 출광되어 기판(111)을 투과한 레이저(LASER)를 보조전극(120)에 조사하여, 보조전극(120)을 제 2 전극(134)으로 확산시켜서, 콘택웰딩(140)을 형성한다. (S190)

이때, 콘택웰딩(140)에 의해, 보조전극(120)과 제 2 전극(134)이 상호 연결된다.

이상과 같이, 본원의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은 밀봉층(150)을 형성한 후에(S180), 진공챔버 밖에서, 보조전극(120)과 제 2 전극(134) 사이를 연결하는 콘택웰딩(140)을 형성한다. (S190) 이로써, 유기층(133)의 손상을 방지하면서도, 공정이 더욱 용이해질 수 있다.

한편, 도 10 및 도 11a 내지 도 11i는 본원의 제 3 실시예에 따른 유기발광표시장치(100c)를 제조하는 방법을 예시로 들어 설명하고 있으나, 본원은 이에 국한되지 않는다.

구체적으로, 본원의 제 1 실시예에 따른 유기발광표시장치(100a)의 제조방법은 제 1 전극을 형성하는 단계(S140)에서 보조전극층을 형성하지 않는다는 점을 제외하면, 도 10 및 도 11a 내지 도 11i에 도시한 제 3 실시예와 동일하다.

본원의 제 2 실시예에 따른 유기발광표시장치(100b)의 제조방법은 게이트라인, 게이트절연막 및 데이터라인을 형성하는 단계(S110)에서 보조전극층을 형성하지 않는다는 점을 제외하면, 도 10 및 도 11a 내지 도 11i에 도시한 제 3 실시예와 동일하다.

본원의 제 4 실시예에 따른 유기발광표시장치(100d)의 제조방법은 제 1 전극을 형성하는 단계(S140)에서 제 2 보조전극층(122')이 보조콘택홀(CT2)을 통해 노출된 제 1 보조전극층(121)의 일부에 부분적으로 접하도록 형성되고, 콘택웰딩(140)을 형성하는 단계(S190)에서 콘택웰딩(140)이 보조콘택홀(CT2) 내에서 제 1 및 제 2 보조전극층(121, 122')과 제 2 전극(134)가 상호 오버랩하는 영역에 형성된다는 점을 제외하면, 도 10 및 도 11a 내지 도 11i에 도시한 제 3 실시예와 동일하다.

본원의 제 5 실시예에 따른 유기발광표시장치(100e)의 제조방법은 콘택웰딩(140)을 형성하는 단계(S190)에서 콘택웰딩(140)이 보조콘택홀(CT2) 내에서 제 2 보조전극층(122')과 제 2 전극(134)만이 상호 오버랩하는 영역에 형성된다는 점을 제외하면, 제 4 실시예와 동일하다.

본원의 제 6 실시예에 따른 유기발광표시장치(100f)의 제조방법은 게이트라인, 게이트절연막 및 데이터라인을 형성하는 단계(S110)에서 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b)을 형성하고, 게이트절연막을 형성한 후에 제 1 보조전극층(121a)의 일부를 노출하는 프리콘택홀(CT3)을 형성한다는 점을 제외하면, 도 10 및 도 11a 내지 도 11i에 도시한 제 3 실시예와 동일하다.

본원의 제 7 실시예에 따른 유기발광표시장치(100g)의 제조방법은 콘택웰딩(140)을 형성하는 단계(S190)에서 콘택웰딩(140)이 보조콘택홀(CT2)의 주변에서 제 2 보조전극층(122)과 제 2 전극(134)이 상호 오버랩하는 영역에 형성되는 점을 제외하면, 제 6 실시예와 동일하다.

그리고, 본원의 제 8 실시예에 따른 유기발광표시장치(100h)의 제조방법은 보조콘택홀을 형성하는 단계(S130)에서, 제 1 및 제 3 보조전극층(121a, 121b) 각각의 일부를 노출하는 제 1 및 제 2 보조콘택홀(CT2', CT2)을 형성한다는 점을 제외하면, 제 7 실시예와 동일하다.

이에, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

100, 100a~100h: 유기발광표시장치
GL: 게이트라인 DL: 데이터라인
TFT: 박막트랜지스터 ED: 유기발광소자
PA: 화소영역 EA: 발광영역
NEA: 비발광영역
111: 기판 112: 게이트절연막
113: 오버코트층 120: 보조전극
121, 121a: 제 1 보조전극층층
121b: 제 3 보조전극층
122, 122': 제 2 보조전극
CT1: 메인콘택홀 CT2: 보조콘택홀
131: 제 1 전극 132: 뱅크
133: 유기층 134: 제 2 전극
140: 콘택웰딩 150: 밀봉층

Claims (16)

1. 표시영역에서, 발광영역과 비발광영역을 각각 포함하는 복수의 화소영역이 정의되는 유기발광표시장치에 있어서,
   기판;
   상기 기판 상에서 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하는 게이트 라인 및 데이터 라인;
   상기 기판 상에서 상기 화소영역에 배치되는 박막트랜지스터;
   상기 기판 상에서 상기 박막트랜지스터를 덮는 오버코트층;
   상기 기판 상에서 상기 비발광영역에 배치되는 보조전극;
   상기 오버코트층 상의 상기 발광영역에 배치되는 제 1 전극;
   상기 제 1 전극 및 상기 보조전극 상에 배치되는 유기층;
   상기 유기층 상에 배치되는 제 2 전극; 및
   상기 유기층을 관통하여 상기 보조전극과 상기 제 2 전극 사이를 연결하는 콘택웰딩을 포함하고;
   상기 보조 전극은
   상기 오버코트층의 아래에 배치되는 제 1 보조전극층과,
   상기 오버코트층 상에 배치되고 상기 오버코트층을 관통하는 보조콘택홀을 통해 상기 제 1 보조전극층과 연결되는 제 2 보조전극층을 포함하고,
   상기 제 2 보조전극층은 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 오버랩하는 매트릭스 구조를 갖고 상기 게이트 라인보다 넓으며 상기 데이터 라인보다 넓은 폭을 갖는 유기발광표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 보조전극층은 상기 게이트라인과 상기 데이터라인 중 어느 하나의 신호라인과 동일층에 배치되고,
   상기 제 2 보조전극층은 상기 제 1 전극과 동일층에 배치되며;
   상기 콘택웰딩은 상기 유기층과 접하는 상기 제 1 보조전극층 및 상기 제 2 보조전극층 중 어느 하나와 상기 제 2 전극을 연결하는 유기발광표시장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 오버코트층을 관통하는 상기 보조콘택홀 내에서, 상기 제 1 보조전극층과 접하는 상기 제 2 보조전극층과, 상기 유기층과, 상기 제 2 전극이 적층되어 상호 오버랩하는 유기발광표시장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀 내에서, 상기 유기층이 접하는 상기 제 2 보조전극층과 상기 제 2 전극을 연결하는 유기발광표시장치.
5. 제 3 항에 있어서,
   상기 보조콘택홀 내에서 상기 유기층이 상기 제 1 보조전극층 및 상기 제 2 전극과 접하는 부분을 더 포함하고,
   상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀 내에서 상기 유기층이 접하는 상기 제 1 보조전극층과 상기 제 2 전극을 연결하는 유기발광표시장치.
6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
   상기 보조콘택홀 내에 위치하는 상기 콘택웰딩과 상기 기판과의 거리는, 상기 제 1 전극이 배치되는 상기 오버코트층의 상면과 상기 기판과의 거리보다 작은 유기발광표시장치.
7. 제 3 항에 있어서,
   상기 제 1 보조전극층은 상기 게이트라인과 동일층에, 상기 게이트라인과 평행한 라인 패턴으로 형성되고,
   상기 보조전극은
   상기 데이터라인과 동일층에 형성되고, 상기 게이트절연막을 관통하는 프리콘택홀을 통해 상기 제 1 보조전극층과 연결되는 제 3 보조전극층을 더 포함하며,
   상기 제 2 보조전극층은 상기 보조콘택홀을 통해 상기 제 3 보조전극층의 적어도 일부 상에 접하는 유기발광표시장치.
8. 제 7 항에 있어서,
   상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀에 의해 상기 제 3 보조전극층의 일부가 노출되는 영역 내에서, 상기 제 1, 제 2 및 제 3 보조전극층과 상기 제 2 전극이 상호 오버랩하는 영역에 형성되는 유기발광표시장치.
9. 제 7 항에 있어서,
   상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀 주변에서, 상기 제 2 보조전극층과 상기 제 2 전극이 상호 오버랩하는 영역에 형성되는 유기발광표시장치.
10. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 보조전극층은 상기 게이트라인과 동일층에, 상기 게이트라인과 평행한 라인 패턴으로 형성되고,
    상기 보조전극은
    상기 데이터라인과 동일층에, 상기 데이터라인과 평행한 라인 패턴으로 형성되는 제 3 보조전극층을 더 포함하며,
    상기 제 2 보조전극층은 상기 게이트절연막과 상기 오버코트층을 관통하는 제 1 보조콘택홀을 통해 상기 제 1 보조전극층의 적어도 일부 상에 접하고, 상기 오버코트층을 관통하는 제 2 보조콘택홀을 통해 상기 제 3 보조전극층의 적어도 일부 상에 접하며,
    상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀 주변에서, 상기 제 2 보조전극층과 상기 제 2 전극이 상호 오버랩하는 영역에 형성되는 유기발광표시장치.
11. 삭제
12. 표시영역에서, 발광영역과 비발광영역을 각각 포함하는 복수의 화소영역이 정의되는 유기발광표시장치를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 상에 게이트라인을 형성하고, 기판 상의 전면에 게이트절연막을 형성하며, 게이트절연막 상에 데이터라인을 형성하고, 상기 화소영역에 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 비발광영역에 제 1 보조전극층을 형성하는 단계;
    상기 게이트절연막 상에 상기 데이터라인과 상기 박막트랜지스터와 상기 제 1 보조전극층을 덮는 오버코트층을 형성하는 단계;
    적어도 상기 오버코트층을 관통하는 메인콘택홀 및 보조콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 오버코트층 상의 상기 발광영역에 상기 메인콘택홀을 통해 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극을 형성하고, 상기 오버코트층 상의 상기 비발광영역에 상기 보조콘택홀을 통해 상기 제 1 보조전극층과 연결되는 제 2 보조전극층을 형성하는 단계;
    상기 오버코트층 상에 상기 제 1 전극의 테두리에 오버랩하고 상기 제 2 보조전극층의 일부와 오버랩하는 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 오버코트층 상에 상기 제 1 전극과 상기 뱅크와 상기 제 2 보조전극층을 덮는 유기층을 형성하는 단계;
    상기 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제 2 전극에 대향하는 밀봉층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 보조전극층 및 상기 제 2 보조전극층을 포함하는 보조전극의 적어도 일부에 레이저를 조사하여, 상기 유기층을 관통하여 상기 보조전극과 상기 제 2 전극 사이를 연결하는 콘택웰딩을 형성하는 단계를 포함하고;
    상기 제 2 보조전극층은 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 오버랩하는 매트릭스 구조를 갖고 상기 게이트 라인보다 넓으며 상기 데이터 라인보다 넓은 폭을 갖는 유기발광표시장치의 제조방법.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 보조전극층은 상기 게이트라인과 데이터라인 중 어느 하나의 신호라인과 동일층에 형성되고,
    상기 콘택웰딩은 상기 유기층과 접하는 상기 제 1 보조전극층 및 상기 제 2 보조전극층 중 어느 하나와 상기 제 2 전극을 연결하는 유기발광표시장치의 제조방법.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 오버코트층을 관통하는 상기 보조콘택홀 내에서, 상기 제 1 보조전극층과 접하는 상기 제 2 보조전극층과, 상기 유기층과, 상기 제 2 전극이 적층되어 상호 오버랩하는 유기발광표시장치의 제조방법.
15. 제 14 항에 있어서,
    상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀 내에서, 상기 유기층이 접하는 상기 제 2 보조전극층과 상기 제 2 전극을 연결하는 유기발광표시장치의 제조방법.
16. 제 12 항에 있어서,
    상기 보조콘택홀 내에서 상기 유기층이 상기 제 1 보조전극층 및 상기 제 2 전극과 접하는 부분을 더 포함하고,
    상기 콘택웰딩은 상기 보조콘택홀 내에서 상기 유기층이 접하는 상기 제 1 보조전극층과 상기 제 2 전극을 연결하는 유기발광표시장치의 제조방법.

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