KR102111926B1 - 캐패시티브 버튼 상의 상이한 사이즈 전도 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별 - Google Patents

캐패시티브 버튼 상의 상이한 사이즈 전도 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별 Download PDF

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Abstract

캐패시티브 버튼들 및 캐패시티브 버튼들 상의 상이한 사이즈 전도 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별하는 장치들 및 방법들이 개시된다. 하나의 장치는 제 1 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 캐패시티브 버튼의 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터 신호들을 측정하도록 동작하는 캐패시턴스 감지 회로를 포함한다. 제 1 감지 엘리먼트의 내부 주변부는 제 2 감지 엘리먼트의 외부 주변부를 (적어도 부분적으로) 둘러싸도록 배치된다. 프로세싱 로직은, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 감지 파라미터에 대한 제 1 값을 제 2 값으로 조절한다. 캐패시턴스-감지 회로는, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 제 2 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 제 2 감지 엘리먼트로부터 부가적인 신호를 측정하도록 동작한다.

Description

캐패시티브 버튼 상의 상이한 사이즈 전도 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별{DETECT AND DIFFERENTIATE TOUCHES FROM DIFFERENT SIZE CONDUCTIVE OBJECTS ON A CAPACITIVE BUTTON}
[0001] 본 출원은 2013년 10월 7일 출원된 미국 예비 출원 번호 61/887,868의 우선권을 주장하고, 상기 예비 출원의 전체 내용들은 인용에 의해 본원에 포함된다.
[0002] 본 개시는 일반적으로 감지 시스템들에 관한 것이고, 보다 구체적으로 캐패시티브 버튼(capacitive button)상의 상이한 사이즈 전도 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별하도록 구성 가능한 캐패시턴스-감지 시스템들에 관한 것이다.
[0003] 캐패시턴스 감지 시스템들은 캐패시턴스의 변화를 반영하는 전극들 상에 생성된 전기 신호들을 감지할 수 있다. 캐패시턴스의 그런 변화들은 인간 터치 이벤트(즉, 특정 전극들로의 물체의 근접)를 나타낸다. 캐패시티브 감지 엘리먼트들은 기계적 버튼들, 노브(knob)들 및 다른 유사한 기계적 사용자 인터페이스 제어부들을 대체하기 위하여 사용될 수 있다. 캐패시티브 감지 엘리먼트의 사용은 복잡한 기계적 스위치들 및 버튼들의 제거를 허용하여, 가혹한 조건들하에서 신뢰성 있는 동작을 제공한다. 게다가, 캐패시티브 감지 엘리먼트들은 현대 고객 애플리케이션들에 널리 사용되어, 기존 제품들에 새로운 사용자 인터페이스 옵션들을 제공한다. 캐패시티브 감지 엘리먼트들은 단일 버튼으로부터 터치-감지 표면에 대해 캐패시티브 감지 어레이 형태로 배열된 다수의 버튼에 걸쳐 있을 수 있다.
[0004] 캐패시티브 감지 버튼들 또는 어레이들을 활용하는 디바이스들은 오늘날의 산업 및 고객 마켓들에서 흔하다. 상기 디바이스들은 셀룰러 폰들, GPS 디바이스들, 셋-톱 박스들, 카메라들, 컴퓨터 스크린들, MP3 플레이어들, 디지털 테블릿들 등에서 발견될 수 있다. 캐패시티브 감지 어레이들은, 캐패시티브 감지 엘리먼트의 캐패시턴스를 측정하고, 그리고 전도 물체의 터치 또는 존재를 나타내는 캐패시턴스의 델타(delta)를 찾음으로써 작동한다. 전도 물체(예컨대, 핑거(finger), 손, 또는 다른 물체)가 캐패시티브 감지 엘리먼트와 콘택하거나 근접할 때, 캐패시턴스는 변하고 전도 물체는 검출된다. 캐패시티브 터치 감지 엘리먼트들의 캐패시턴스 변화들은 전기 회로로 측정될 수 있다. 전기 회로는 캐패시티브 감지 엘리먼트들의 측정된 캐패시턴스를 디지털 값들로 변환한다.
[0005] 하기 2개의 통상적인 타입들의 캐패시턴스가 있다: 1) 캐패시턴스-감지 회로가 캐패시터의 양쪽 전극들에 액세스하는 상호 캐패시턴스; 2) 제 2 전극이 DC 전압 레벨로 구속(tie)되거나 접지에 기생적으로 커플링되는 캐패시터의 하나의 전극에만 캐패시턴스-감지 회로가 액세스를 가지는 셀프(self)-캐패시턴스. 터치 패널은 타입들 (1) 및 (2) 양쪽의 캐패시턴스의 분배된 로드를 가지며 Cypress' 터치 해결책들은 자신의 다양한 감지 모드들을 통해 양쪽 캐패시턴스들을 고유하게 또는 하이브리드 형태로 감지한다.
[0006] 본 발명은 첨부 도면들의 도면들에서 제한이 아닌 예로써 예시된다.
[0007] 도 1은 일 구현에 따른 캐패시티브 버튼을 예시한다.
[0008] 도 2는 일 실시예에 따른 캐패시티브 버튼을 예시한다.
[0009] 도 3은 다른 실시예에 따른 캐패시티브 버튼을 예시한다.
[0010] 도 4는 캐패시티브 버튼(421)의 캐패시턴스들을 측정하도록 구성될 수 있는 프로세싱 디바이스를 포함하는 전자 시스템(400)의 일 실시예의 블록도를 예시한다.
[0011] 도 5는 캐패시티브 버튼의 터치 데이터를 프로세싱하는 전자 시스템의 다른 실시예를 예시하는 블록도이다.
[0012] 도 6은 일 실시예에 따른 핑거 터치에 의한 디지털 컨버터의 캐패시턴스 출력을 예시한다.
[0013] 도 7은 일 실시예에 따른 캐패시티브 버튼의 감지 방법의 흐름도이다.
[0014] 도 8은 다른 실시예에 따른 2개의 캐패시티브 버튼들을 예시한다.
[0015] 도 9는 일 실시예에 따른 터치스크린 및 2개의 캐패시티브 버튼들을 가진 모바일 디바이스의 블록도이다.
[0016] 다음 설명에서, 설명의 목적들을 위하여, 다수의 특정 상세들은 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위하여 진술된다. 그러나, 본 발명이 이들 특정 상세들 없이 실시될 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 잘-알려진 회로들, 구조들, 및 기술들은 본 설명의 이해를 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하기 위하여 상세히 도시되는 것이 아니라, 블록도로 도시된다.
[0017] "일 실시예" 또는 "하나의 실시예"에 대한 설명의 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 피처(feature), 구조, 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되는 것을 의미한다. 본 설명에서 다양한 장소들에 위치된 어구 "일 실시예에서"는 반드시 동일한 실시예를 언급하지 않는다.
[0018] 캐패시티브 버튼들 및 캐패시티브 버튼들 상의 상이한 사이즈 전도 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별하는 장치들 및 방법들이 개시된다. 하나의 장치는 캐패시티브 버튼에 커플링된 캐패시턴스-감지 회로를 포함한다. 캐패시티브 버튼은 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트를 포함한다. 캐패시턴스-감지 회로는 제 1 값(또한 튜닝 속성들로서 언급됨)으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터 신호들을 측정하도록 동작한다. 신호들은 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트의 캐패시턴스들에 대응한다. 제 1 감지 엘리먼트의 내부 주변부는 제 2 감지 엘리먼트의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치된다. 본원에 사용된 바와 같은 "둘러쌈"이, 감지 엘리먼트가 원형 방식으로 다른 감지 엘리먼트를 완전히 둘러싸거나 다른 감지 엘리먼트의 대부분을 둘러싸도록 배치되는 것을 의미하는 것임이 주의되어야 한다. 즉, 적당한 동작을 위하여 외부 감지 엘리먼트가 내부 감지 엘리먼트를 완전히 둘러싸는 것이 요구되지는 않는다. 예컨대, 감지 엘리먼트들은 외부 감지 엘리먼트가 내부 감지 엘리먼트를 완전히 둘러싸는 것을 방지하지만, 내부 감지 엘리먼트의 대부분 또는 다수의 내부 감지 엘리먼트를 둘러싸는 형상들을 가질 수 있다. 장치는 캐패시턴스-감지 회로에 커플링된 프로세싱 로직을 더 포함한다. 프로세싱 로직은, 제 1 감지 엘리먼트가 측정된 신호들에 기초하여 캐패시티브 버튼에 근접한 전도 물체에 의해 활성화되는지를 검출하도록 동작한다. 프로세싱 로직은, 제 2 감지 엘리먼트가 측정된 신호들에 기초하여 캐패시티브 버튼에 근접한 전도 물체에 의해 활성화되는지를 검출한다. 프로세싱 로직은, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 감지 파라미터를 제 2 값으로 조절한다. 캐패시턴스-감지 회로는, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 제 2 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 제 2 감지 엘리먼트로부터 부가적인 신호를 측정하도록 동작한다. 캐패시턴스-감지 회로는, 제 1 및 제 2 감지 엘리먼트들이 활성화될 때 제 1 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터 부가적인 신호들을 측정한다. 일부 실시예들에서, 제 2 감지 엘리먼트의 표면 영역은 제 1 감지 엘리먼트에 의해 적어도 부분적으로 에워싸진다. 다른 실시예들에서, 제 1 감지 엘리먼트는 제 2 감지 엘리먼트의 영역을 에워싼다. 다른 실시예들에서, 제 1 감지 엘리먼트의 적어도 일부는 적어도 부분적으로 제 2 감지 엘리먼트의 외부 주변부 외측에 있다. 다른 실시예들에서, 1mm, 3mm, 5mm 및 10mm 직경을 가진 물체들로부터의 터치들은 이 기술을 사용하여 검출될 수 있다. 각각의 직경에 대하여, 감지 파라미터에 사용되는 별개의 값들이 필요할 것이다. 다른 실시예들에서 단지 2개의 감지 엘리먼트들(내부 및 외부)보다 많은 감지 엘리먼트들이 부가될 수 있다. 부가적인 감지 엘리먼트들은 예컨대, 다수의 사이즈들의 물체들로부터 검출 정확도를 증가시킬 수 있다.
[0019] 본원의 논의에 설명된 실시예들에서 캐패시티브 버튼은 감지 엘리먼트들을 가지는 것이 주의되어야 한다. 감지 엘리먼트들은 다양한 구성들로 배치된 전극들이고 전극의 셀프-캐패시턴스 또는 2개의 전극들 사이의 상호 캐패시턴스는 캐패시티브 감지 버튼에 근접한 전도 물체를 검출하기 위하여 측정될 수 있다. 감지 엘리먼트들은 때때로 센서들로 불리지만, 센서들이 캐패시턴스를 측정하기 위한 회로를 포함하지 않는 것이 이해되어야 한다. 오히려, 또한 캐패시턴스 센서로서 지칭될 수 있는 캐패시턴스-감지 회로는 센서들(본원에서 전극들 또는 감지 엘리먼트들로서 지칭됨)의 캐패시턴스들을 측정한다. 본원에 설명된 다양한 실시예들은 바로 그 캐패시티브 버튼들과는 다른 터치 감지 기술들에 사용될 수 있다.
[0020] 도 1은 일 구현에 따른 캐패시티브 버튼(100)을 예시한다. 통상적으로, 캐패시티브 버튼(100)의 구현은 전도 물체로부터의 터치를 검출하기 위하여 사용될 수 있다. 캐패시티브 버튼(100)은 특정 사이즈 또는 치수의 전도 물체에 의한 터치를 검출하기 위하여 터치 제어기(도 1에 예시되지 않음)에 의해 튜닝될 수 있는 캐패시티브 감지 엘리먼트(102)를 포함할 수 있다. 즉 캐패시티브 감지 엘리먼트(102)의 측정 감도 같은 감지 파라미터는 캐패시티브 버튼(100)과 상호작용될 전도 물체들의 예상된 사이즈를 위해 프로그래밍될 수 있다. 이 감지 파라미터는 핑거들을 검출하거나 스타일러스들(styli)을 검출하는 것과 같은 상이한 애플리케이션들에 대한 상이한 사이즈들의 전도 물체들을 검출하기 위하여 튜닝 가능할 수 있다. 즉 터치 제어기는 핑거들을 검출하기 위한 동작 이전에 하나의 감도 값으로 프로그래밍되고 터치 제어기는 또한 스타일러스들을 검출하기 위한 동작 이전에 다른 감도 값으로 프로그래밍될 수 있다. 종래 터치 제어기로 2개의 상이한 사이즈들 및 치수들을 가진 전도 물체들로부터 터치들을 효과적으로 검출 및 구별하는 것은 가능하지 않다. 예컨대, 통상적으로 10mm 직경을 가지는 인간 핑거로부터의 터치들, 및 3mm 스타일러스 같은 작은 전도 물체들로부터의 터치를 효과적으로 검출 및 구별하는 것은 가능하지 않고, 이들 해결책들은 양쪽 타입들의 터치들을 수용하는데 다양한 제한들을 가진다. 스타일러스들은 4mm, 3mm, 또는 1mm 같은 다른 직경들을 가질 수 있다. 캐패시티브 버튼(100)은 백라이트(backlight)에 사용된 선택적 홀(103)을 포함한다. 캐패시티브 버튼(100)은 터치 영역(105) 내에 배치된다. 오늘날, 사용자들은 자신들의 핑거들 및 스타일러스 둘 다로 캐패시티브 기술들을 가진 디바이스들을 빈번하게 동작시킨다. 현재, 보다 작은 전도 물체들로부터 보다 큰 전도 물체들까지의 터치들을 검출하기 위한 유일한 방법은 크고 작은 전도 물체들 둘 다로부터 터치들을 검출하도록 보다 민감하게 캐패시턴스 감지 회로를 만드는 것이다. 이것은 보다 큰 전도 물체들로부터의 터치들에 대하여 잘못된 터치들 또는 "허버 효과(hover effect)"를 생성할 수 있다. 예컨대, 보다 작은 물체들로부터의 터치들을 검출하기 위하여 매우 높은 감도를 가진 감지 엘리먼트를 만드는 것은 감지 엘리먼트가 보다 큰 핑거들로부터의 터치들에 극히 민감하게 하고, 이는 보다 큰 핑거들에 대해 "허버" 효과를 생성한다. 이것은 외부 노이즈들에 대한 감지 엘리먼트의 면역을 감소시킬 수 있고 외부 노이즈들의 존재시 잘못된 터치들을 생성할 수 있다. 이와 같이, 보다 높은 감도를 가지게 감지 엘리먼트를 만드는 것은 작은 전도 물체들로부터의 터치들을 검출하기 위해서만 사용될 수 있지만, 그 감지 엘리먼트는 작은 핑거와 큰 핑거로부터의 터치들을 구별할 수 없다.
[0021] 도 2는 일 실시예에 따른 캐패시티브 버튼(200)을 예시한다. 캐패시티브 버튼(200)은 캐패시티브 버튼(200)에 근접한 전도 물체를 검출하기 위하여 사용될 수 있는 제 1 감지 엘리먼트(202) 및 제 2 감지 엘리먼트(204)를 포함한다. 캐패시티브 버튼(200)은 선택적 백라이트를 위해 사용된 선택적 홀(203)을 포함한다. 다른 실시예들에서, 상이한 사이즈 물체들은 선택적 홀(203)을 통해서 또는 통하지 않고 검출될 수 있다. 캐패시티브 버튼(200)은 터치 영역(205) 내에 배치된다. 이 실시예에서, 터치 영역(205)(또는 터치 영역(105)에 이전에 사용된 감지 엘리먼트(102) 같은 물리적 감지 엘리먼트)은 2개의 상이한 감지 엘리먼트들(202, 204)로 분할된다. 캐패시티브 버튼(200)은 상이한 사이즈들 및 치수들을 가진 터치 물체들 사이를 검출 및 구별하기 위하여, 캐패시턴스-감지 회로 및 프로세싱 로직을 포함하는 프로세싱 디바이스 같은 터치 제어기와 관련하여 사용될 수 있다. 제 1 감지 엘리먼트(202)는 외부 감지 엘리먼트(또는 외부 전극)로 고려되고 제 2 감지 엘리먼트(204)는 내부 감지 엘리먼트(204)(또는 내부 전극)로 고려된다. 제 1 감지 엘리먼트(202)의 내부 주변부는 제 2 감지 엘리먼트(204)의 외부 주변부를 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 둘러싸도록 배치된다. 이들 감지 엘리먼트들(202, 204)은 캐패시티브 터치 제어기(도 2에 예시되지 않음)의 2개의 감지 핀들(또는 단자들 또는 입력부들)에 연결된다. 하기 더 상세히 설명되는 바와 같이, 외부 감지 엘리먼트(202)에 의해 생성된 신호는 터치 물체의 사이즈를 검출할 뿐 아니라, 내부 감지 엘리먼트(204) 상의 신호들을 측정하기 위하여 캐패시티브 터치 제어기에 의해 사용된 하나 또는 그 초과의 튜닝 파라미터들을 동적으로 수정하기 위하여 사용된다. 내부 감지 엘리먼트(204)는 핑거 같은 더욱 큰 전도 물체로부터의 터치들을 검출하기 위하여 사용된다. 그 다음, 외부 감지 엘리먼트(202)에 의해 생성된 신호에 기초하여, 내부 감지 엘리먼트(202) 상의 신호들을 측정하기 위하여 캐패시티브 터치 제어기의 하나 또는 그 초과의 튜닝 파라미터들은 핑거들 및 스타일러스들 같은 보다 크고 보다 작은 전도 물체들에 의한 터치들을 검출 및 구별하기 위하여 동적으로 수정된다. 다른 실시예들에서, 양쪽 감지 엘리먼트들(202, 204)은, 큰 전도 물체가 보다 작은 전도 물체로부터 구별되면 보다 큰 전도 물체들에 의한 터치들을 추적하기 위하여 함께 사용될 수 있다. 유사하게, 보다 작은 물체가 구별되면, 양쪽 감지 엘리먼트들(202, 204)은 보다 작은 전도 물체에 의한 터치들을 추적하기 위하여 함께 사용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 2개의 감지 엘리먼트들보다 많은 부가적인 감지 엘리먼트들은 상이한 타입들의 전도 물체들(예컨대, 핑거와 스타일러스 사이 또는 큰 핑거와 보다 작은 핑거 사이)을 검출하기 위하여 사용될 수 있다. 예컨대, 2개보다 많은 감지 엘리먼트들의 셀프-캐패시턴스 측정치들은 더 정확하게 다수의 핑거 사이즈들을 검출 및 구별하기 위하여 사용될 수 있다.
[0022] 외부 감지 엘리먼트(202) 및 내부 감지 엘리먼트(204)는 구리, 인듐 주석 산화물(ITO), 탄소, 은 등 같은 전도 재료들일 수 있다. 외부 감지 엘리먼트(202) 및 내부 감지 엘리먼트(204)는 인쇄 회로 기판(PCB), 터치 스크린, 플렉시-유리(Plexi-glass) 등 상에 구성될 수 있다.
[0023] 캐패시티브 버튼(200)을 사용하여, 터치 제어기는 외부 감지 엘리먼트(202) 및 내부 감지 엘리먼트(204)의 셀프-캐패시턴스를 측정할 수 있다. 다른 실시예들에서, 터치 제어기는 도 3에 관하여 예시되고 설명된 바와 같이, 캐패시티브 버튼의 상호 캐패시턴스를 측정할 수 있다.
[0024] 도 3은 다른 실시예에 따른 캐패시티브 버튼(300)을 예시한다. 캐패시티브 버튼(300)은 캐패시티브 버튼(300)에 근접한 전도 물체를 검출하기 위하여 사용될 수 있는 제 1 감지 엘리먼트(302), 제 2 감지 엘리먼트(304), 및 제 3 감지 엘리먼트(306)를 포함한다. 캐패시티브 버튼(300)은 선택적 백라이트를 위하여 사용되는 홀(303)을 포함한다. 캐패시티브 버튼(300)은 터치 영역(305) 내에 배치된다. 이 실시예에서, 터치 영역(305)(또는 터치 영역(105)에 이전에 사용된 감지 엘리먼트(102) 같은 물리적 감지 엘리먼트)은 3개의 상이한 감지 엘리먼트들(302, 304, 306)로 분할된다. 캐패시티브 버튼(300)은 상이한 사이즈들 및 치수들을 가진 터치 물체들 사이를 검출 및 구별하기 위하여, 캐패시턴스-감지 회로 및 프로세싱 로직을 포함하는 프로세싱 디바이스 같은 터치 제어기와 관련하여 사용될 수 있다. 제 1 감지 엘리먼트(302)는 외부 감지 엘리먼트(또는 외부 전극)로 고려되고, 제 2 감지 엘리먼트(304)는 내부 감지 엘리먼트(304)(또는 내부 전극)로 고려되고, 그리고 제 3 감지 엘리먼트(306)는 중간 감지 엘리먼트(306)(또는 중간 전극)로 고려된다. 제 1 감지 엘리먼트(302)의 내부 주변부는 제 2 감지 엘리먼트(304)의 외부 주변부를 적어도 부분적으로 또는 전체적으로 둘러싸도록 배치된다. 제 1 감지 엘리먼트(302)의 내부 주변부는 또한 제 3 감지 엘리먼트(306)의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치되고 제 3 감지 엘리먼트(306)의 내부 주변부는 제 2 감지 엘리먼트(304)의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치된다. 이들 감지 엘리먼트들(302, 304, 306)은 캐패시티브 터치 제어기(도 3에 예시되지 않음)의 3개의 감지 핀들(또는 단자들 또는 입력부들)에 연결된다. 중간 감지 엘리먼트(306)는 TX 구동 신호를 위한 송신(TX) 전극으로서 사용될 수 있고 외부 감지 엘리먼트(302) 및 내부 감지 엘리먼트(304)는 터치 제어기에 의해 TX 전극에 인가된 TX 신호에 의해 유발된 RX 전극들 상 RX 신호들을 측정하기 위하여 수신(RX) 전극들로서 터치 제어기에 의해 사용될 수 있다. 이하 더 상세히 설명되는 바와 같이, 외부 감지 엘리먼트(302)에 의해 생성된 신호는 터치 물체의 사이즈를 검출할 뿐 아니라, 내부 감지 엘리먼트(304) 상의 신호들을 측정하기 위하여 캐패시티브 터치 제어기에 의해 사용되는 하나 또는 그 초과의 튜닝 파라미터들을 동적으로 수정하기 위하여 사용된다. 내부 감지 엘리먼트(304)는 핑거 같은 보다 큰 전도 물체로부터의 터치들을 검출하기 위하여 사용된다. 그 다음, 외부 감지 엘리먼트(302)에 의해 생성된 신호에 기초하여, 내부 감지 엘리먼트(302) 상의 신호들을 측정하기 위하여 캐패시티브 터치 제어기의 하나 또는 그 초과의 튜닝 파라미터들은 핑거들 및 스타일러스들 같은 보다 크고 그리고 보다 작은 전도 물체들에 의한 터치들을 검출 및 구별하기 위하여 동적으로 수정된다. 다른 실시예들에서, 양쪽 감지 엘리먼트들(302, 304)은, 큰 전도 물체가 보다 작은 전도 물체로부터 구별되면, 보다 큰 전도 물체들에 의한 터치들을 추적하기 위하여 함께 사용될 수 있다. 유사하게, 보다 작은 물체가 구별되면, 양쪽 감지 엘리먼트들(302, 304)은 보다 작은 전도 물체에 의한 터치들을 추적하기 위하여 함께 사용될 수 있다.
[0025] 외부 감지 엘리먼트(302), 내부 감지 엘리먼트(304), 및 중간 감지 엘리먼트(306)는 구리, ITO, 탄소, 은 등 같은 전도 재료들일 수 있다. 외부 감지 엘리먼트(302), 내부 감지 엘리먼트(304), 및 중간 감지 엘리먼트(306)는 PCB, 터치 스크린, 플렉시-유리 등 상에 구성될 수 있다.
[0026] 캐패시티브 버튼(300)을 사용하여, 터치 제어기는 중간 감지 엘리먼트(306)와 외부 감지 엘리먼트(302) 사이의 상호 캐패시턴스 및 중간 감지 엘리먼트(306)와 내부 감지 엘리먼트(304) 사이의 상호 캐패시턴스를 측정할 수 있다. 2개의 감지 엘리먼트들(3개의 감지 엘리먼트들 대신)이 사용되는 다른 실시예들에서, 터치 제어기는 또한 2개의 감지 엘리먼트들의 셀프-캐패시턴스를 측정하는 것과 관련하여 2개의 감지 엘리먼트들 사이의 상호 캐패시턴스를 측정할 수 있다.
[0027] 캐패시티브 버튼들(200, 300)의 캐패시턴스(들)를 측정하기 위하여 사용될 수 있는 2개의 타입들의 캐패시티브 감지 방법들, 즉 상호 캐패시티브 감지 및 셀프-캐패시턴스 감지가 있다. 셀프-캐패시턴스 감지를 사용하여 캐패시티브 버튼 해결책을 구현할 때, 단지 2개의 전극들(내부 및 외부)만이 사용된다. 외부 감지 엘리먼트는 내부 감지 엘리먼트에 비교될 때, 사이즈가 클 수 있다. 핑거(큰 핑거)가 버튼 터치 영역에 접근할 때, 외부 감지 엘리먼트는, 핑거가 외부 감지 엘리먼트 전극의 전체 영역을 커버하기 때문에 큰 신호를 생성한다. 버튼이 보다 작은 핑거 또는 스타일러스 같은 보다 작은 전도 물체를 사용하여 터치될 때, 외부 감지 엘리먼트의 어떠한 영역도 작은 핑거(또는 스타일러스)에 의해 커버되지 않고; 그러므로, 어떠한 신호도, 캐패시티브 버튼이 작은 핑거에 의해 터치될 때 외부 감지 엘리먼트에 생성되지 않거나, 작은 신호가 상기 외부 감지 엘리먼트에 생성된다. 내부 감지 엘리먼트의 튜닝 속성들은 터치를 검출할 외부 감지 엘리먼트에 의해 생성된 신호에 기초하여 수정된다. 외부 감지 엘리먼트 전극에 의해 생성되는 어떠한 신호도 없거나 보다 작은 신호가 있을 때, 내부 감지 엘리먼트는 보다 작은 핑거(또는 스타일러스)로부터의 터치들을 검출하기 위하여 튜닝된다. 외부 감지 엘리먼트가 큰 신호를 생성할 때, 큰 신호는 보다 큰 핑거의 존재를 나타내고; 그러므로, 내부 감지 엘리먼트의 튜닝 속성들은 큰 핑거의 터치들을 검출하기 위하여 수정된다.
[0028] 상호 캐패시턴스 감지를 사용하여 캐패시티브 버튼 해결책을 구현할 때, 하나의 송신 전극 및 2개의 수신 전극들을 포함하는 3개의 전극들은 감지를 위해 사용된다. 도 3에 예시된 바와 같은 일부 실시예들에서, 송신 전극은 외부 전극과 내부 전극 사이에 배치된 중간 전극이다. 외부 전극은 송신 전극 둘레에 배치되고 송신 전극은 내부 전극 둘레에 배치된다.
[0029] 본원에 설명된 실시예들은 상이한 사이즈들의 핑거들 같은 상이한 사이즈 전도 물체들의 검출을 구현한다. 본원에 설명된 실시예들은 사이즈에 기초하여 상이한 타입들의 전도 물체들의 검출을 구현한다. 즉 실시예들은 본원에 설명된 바와 같은 스타일러스 터치로부터 핑거 터치의 검출 및 구별을 구현한다. 작은 핑거로부터의 터치들은 감지 엘리먼트들 중 적어도 하나를 보다 높은 감도로 튜닝함으로써 검출될 수 있다. 감지 엘리먼트를 튜닝하는 것은 감지 엘리먼트가 캐패시티브 버튼에 근접한 전도 물체들에 의한 터치들에 더 민감하게 한다. 매우 높은 감도를 가진 감지 엘리먼트는 보다 작은 핑거 또는 스타일러스 같은 보다 작은 물체들로부터의 터치들을 검출할 수 있다.
[0030] 본원에 설명된 실시예들은 종래 해결책들 같은 다양한 장점들 또는 이익들을 제공할 수 있다. 예컨대, 스타일러스로부터의 터치들 및 보다 작은 인간 핑거들로부터의 터치들은 감지 엘리먼트가 보다 큰 인간 핑거들로부터의 터치들에 대해 과도하게 민감하게 하지 않고 검출될 수 있다. 실시예들은 또한 스타일러스 및 핑거 터치들을 구현하는 동안 캐패시티브 버튼 상의 "허버" 효과를 회피할 수 있다. 실시예들은, 보다 높은 민감도가 보다 작은 손가락들을 검출하도록 튜닝될 때 캐패시티브 버튼으로부터 잘못된 터치들에 대한 확률을 회피하거나 크게 감소시킬 수 있다. 실시예들은 10mm 또는 보다 큰 인간 핑거, 3mm 스타일러스 및 1mm 스타일러스 같은 핑거들의 다수의 사이즈들로부터의 터치들의 검출을 가능하게 할 수 있다. 실시예들은 크고 작은 핑거들에 의한 터치들을 검출할 뿐 아니라, 크고 작은 핑거들에 의한 터치들 사이를 구별하고 그리고 캐패시티브 버튼 상의 검출된 터치가 크거나 작은 핑거에 의한 것임을 리포트하기 위하여 사용될 수 있다. 스타일러스 및 핑거에 의해 존재하는 바와 같은 터치들을 검출하고 이들 터치들을 구별하기 위하여 본원에 설명된 실시예들에 대해 부가적인 재료 비용은 없다. 또한, 본원에 설명된 실시예들은 기존 터치 제어기들을 사용하여 구현될 수 있다. 상기 실시예들에서 터치 제어기들이 캐패시티브 버튼의 캐패시턴스(들)를 측정하는 것이 주의되어야 한다. 다른 실시예들에서, 다른 회로는 캐패시티브 버튼의 캐패시턴스(들)를 측정하기 위하여 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 캐패시턴스-감지 회로 및 프로세싱 로직을 포함하는 프로세싱 디바이스는 본원에 설명된 바와 같이 캐패시턴스들을 측정하고 보다 큰 전도 물체들 및 보다 작은 전도 물체들에 의한 터치들 사이를 구별하기 위하여 사용될 수 있다.
[0031] 종래의 해결책들에 비교될 때 본원에 설명된 실시예는 부가적인 비용 또는 시스템-레벨 구현 복잡성들 없이 캐패시티브 버튼들 상의 핑거 및 패시브 스타일러스 터치 검출을 제공할 수 있다. 캐패시티브 버튼 상에서 패시브 스타일러스 검출을 제공하는 것은 사용자들을 위한 끊김 없는 사용자 인터페이스 경험을 제공할 수 있다. 본원에 설명된 실시예들은 터치 스크린 애플리케이션들뿐 아니라, 다른 터치 민감 인터페이스들에 사용될 수 있다. 예컨대, 캐패시티브 버튼들 및 상기 버튼들을 동작시키는 대응하는 방법은 핑거 및 스타일러스를 사용하여 동작되는 제품들에 구현될 수 있다. 그런 제품들에 대한 예들은 터치스크린 스마트 폰, 테블릿들, 모바일 폰들, 미디어 디바이스들, 게임 콘솔, 또는 다른 고객 전자장치를 포함할 수 있다. 본원에 설명된 실시예들은 또한 가정용 기기들을 포함하는 다양한 디바이스들의 제어 패널들에 사용될 수 있다. 예컨대, 제어 패널은 안전 목적들을 위하여 보다 큰 핑거로부터 어린이의 핑거 같은 보다 작은 핑거 사이를 구별할 수 있다. 또한, 상이한 사이즈 터치들 사이를 구별할 능력은 다른 애플리케이션들에서 사용될 수 있고, 여기서 디바이스는 상이한 사이즈의 검출된 터치들에 기초하여 상이한 동작들을 수행한다. 이들 실시예들은 하나 또는 그 초과의 캐패시티브 버튼들 상에서 스타일러스 및 핑거 검출을 가능하게 하기 위하여 임의의 디바이스에 사용될 수 있다. 이것은 디바이스들이, 보다 우수한 직관적 사용자 인터페이스 경험을 가지게 할 뿐 아니라, 이들 타입들의 디바이스들, 특히 모바일 디바이스들에 대한 많은 설계 가능성들을 생성하게 할 수 있다. 다른 실시예들에서, 도 2 및 도 3에 관하여 설명된 바와 같이 셀프-캐패시턴스 측정치 및 상호-캐패시턴스 측정치들은 수분 허용도 해결책을 구현하기 위하여 사용될 수 있다. 예컨대, 각각의 감지 엘리먼트(내부 및 외부)는 핑거 또는 스타일러스를 검출하기 위하여 사용되도록 셀프-캐패시턴스 감지 엘리먼트들로서 구성될 수 있다. 그 다음으로, 2개의 감지 엘리먼트들 중 하나는 TX 전극(내부 또는 외부)으로서 구성될 수 있고 2개의 감지 엘리먼트들 중 다른 하나는 RX 전극이도록 구성될 수 있고, TX 전극과 RX 전극 사이의 상호 캐패시턴스가 측정될 수 있다. 셀프-캐패시턴스 측정치는 상이한 사이즈 핑거들 및 스타일러스를 검출하기 위하여 사용될 수 있다. 물방울(접지되지 않은 전도체임)은 셀프-캐패시턴스 측정치 및 상호 캐패시턴스 측정치에 대해 상이한 신호 프로파일들을 가진다. 신호 프로파일의 이런 차이는, 물이 감지 엘리먼트들 상에 존재하는지 또는 핑거가 감지 엘리먼트들 상에 존재하는지를 검출 및 구별하기 위하여 사용될 수 있고, 셀프-캐패시턴스 측정치들은 본원에 설명된 바와 같이 물체가 핑거인지 스타일러스인지를 식별하기 위하여 사용될 수 있다.
[0032] 본원에 설명된 실시예들은 또한 맨(bare) 핑거로부터의 터치 및 장갑으로 커버된 핑거로부터의 터치 같은 상이한 타입들의 터치 물체들로부터의 터치들을 검출 및 구별하기 위하여 사용될 수 있다. 예컨대, 스타일러스는 큰 영역을 가지는 장갑 낀 핑거에 비교될 때, 작은 팁(tip)을 가지며 매우 제한된 영역 상에서 센서를 터치한다. 그러나, 장갑 낀 핑거는 장갑 없는 핑거보다 작은 신호를 생성한다. 따라서 스타일러스, 장갑 낀 핑거 및 핑거(장갑 없음)에 대한 신호 크기 및 패턴은 각각에 대해 상이할 것이다. 스타일러스는 또한 내부 감지 엘리먼트 상에서 작은 양의 신호를 초래하고 외부 감지 엘리먼트 상에서 신호가 매우 작거나 없는 것을 초래할 수 있다. 그러나, 장갑 낀 핑거는 내부 및 외부 감지 엘리먼트들 둘 다를 커버하지 않는 스타일러스에 비교될 때, 장갑 낀 핑거가 내부 및 외부 감지 엘리먼트들 둘 다를 커버하기 때문에 내부 및 외부 감지 엘리먼트들 둘 다에서 작은 양의 신호를 초래한다. 장갑 없는 핑거는 장갑 낀 핑거에 의해 생성된 신호에 비교될 때, 내부 감지 엘리먼트뿐 아니라, 외부 감지 엘리먼트 상에 더 큰 양의 신호를 초래한다. 또한, 다른 실시예들에서, 2 또는 그 초과의 감지 엘리먼트들은 상이한 목적들을 위하여 하나의 보다 큰 감지 엘리먼트를 형성하도록 뭉쳐질 수 있다.
[0033] 도 4는 캐패시티브 버튼(421)의 캐패시턴스들을 측정하도록 구성될 수 있는 프로세싱 디바이스(410)를 포함하는 전자 시스템(400)의 일 실시예의 블록도를 예시한다. 전자 시스템(400)은 프로세싱 디바이스(410)에 커플링된 캐패시티브 버튼(421)을 포함한다. 캐패시티브 버튼(421)은 캐패시티브 버튼(200) 또는 캐패시티브 버튼(300)일 수 있다. 프로세싱 디바이스는 호스트(450)에 커플링된다. 일 실시예에서, 멀티플렉서 회로는 프로세싱 디바이스(410)의 캐패시턴스-감지 회로(401)를 캐패시티브 버튼(421)과 연결하기 위하여 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 캐패시티브 버튼(421)은 전자 시스템(400)의 터치-감지 표면(416)에 관련하여 배치된다. 캐패시티브 버튼(421)의 전극들은 오버레이(overlay), 디바이스의 커버 등의 아래에 배치될 수 있다. 본원에 설명된 바와 같이, 캐패시티브 버튼(421)은 셀프-캐패시턴스 감지 실시예들에 대한 것과 같이 2개의 전극들을 포함할 수 있거나, 상호 캐패시턴스 감지 실시예들에 대한 것과 같이 3개의 전극들을 포함할 수 있다. 캐패시티브 버튼(421)은 또한 많은 캐패시티브 버튼들 중 하나일 수 있다.
[0034] 캐패시티브 버튼(421)의 전극들은 다수의 신호들을 운송하는 하나 또는 그 초과의 아날로그 버스들(415)을 통하여 프로세싱 디바이스(410)의 핀들(413(1)-413(N))에 커플링된다. 아날로그 버스가 없는 대안적인 실시예에서, 각각의 핀은 대신 송신(TX) 신호를 생성하는 회로 또는 캐패시턴스-감지 회로의 개별 수신(RX) 채널에 연결될 수 있다. 캐패시티브 버튼(421)은 편평한 표면 프로파일을 가지도록 배치될 수 있다. 대안적으로, 캐패시티브 버튼(421)은 편평하지 않은 표면 프로파일들을 가질 수 있다. 대안적으로, 다른 구성들, 레이아웃, 하나 또는 그 초과의 캐패시티브 버튼들의 결합들이 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 캐패시티브 버튼(421)은 ITO 패널 또는 터치 스크린 패널에 포함될 수 있다. 다른 실시예들에서, 캐패시티브 버튼(421)은 ITO 패널 또는 터치 스크린으로부터 분리되어 구현될 수 있다.
[0035] 일 실시예에서, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 캐패시턴스를 측정된 값으로 변환하기 위한 완화 발진기(relaxation oscillator) 또는 다른 수단을 포함할 수 있다. 캐패시턴스-감지 회로(401)는 또한 발진기 출력을 측정하기 위한 카운터 또는 타이머를 포함할 수 있다. 프로세싱 디바이스(410)는 카운트 값(예컨대, 캐패시턴스 값)을 터치 검출 결정(또한 스위치 검출 결정으로서 지칭됨) 또는 상대적 크기로 변환하기 위한 소프트웨어 컴포넌트들을 더 포함할 수 있다. 전류 대 전압 위상 시프트 측정치, 저항기-캐패시터 충전 타이밍, 캐패시티브 브리지 분할기, 전하 전달, 연속 근사치, 시그마-델타 변조기들, 전하-축적 회로들, 전계 효과, 상호 캐패시턴스, 주파수 시프트, 또는 다른 캐패시턴스 측정 알고리즘들 같은 캐패시턴스를 측정하기 위한 다양한 알려진 방법들이 있다는 것이 주의되어야 한다. 그러나, 임계치에 관련하여 로우 카운트(raw count)들을 평가하는 대신, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 사용자 상호작용을 결정하기 위하여 다른 측정치들을 평가하는 것일 수 있다는 것이 주의되어야 한다. 예컨대, 시그마-델타 변조기를 가진 캐패시턴스-감지 회로(401)에서, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 특정 임계치 위 또는 아래에 있는 로우 카운트들 대신, 출력(즉, 밀도 도메인(density domain))의 펄스 폭들의 비율을 평가하는 것이다.
[0036] 다른 실시예에서, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 TX 전극에 인가될 TX 신호를 생성할 TX 신호 생성기 및 RX 전극 상의 RX 신호를 측정하도록 커플링된 적분기 같은 수신기(또한 감지 채널로서 지칭됨)를 포함한다. 추가 실시예에서, 캐패시턴스-감지 회로는 측정된 RX 신호를 디지털 값(캐패시턴스 값)으로 변환하기 위하여 수신기의 출력에 커플링된 아날로그-투-디지털 컨버터(ADC)를 포함한다. 프로세싱 디바이스(410), 호스트(450) 또는 둘 다는 디지털 값을 추가로 프로세싱할 수 있다.
[0037] 프로세싱 디바이스(410)는 캐패시티브 버튼(들)(421) 중 하나 또는 그 초과 상에서 하나 또는 그 초과의 터치들을 검출하도록 구성된다. 프로세싱 디바이스(410)는 터치 물체들(핑거들 또는 패시브 스타일러스들, 액티브 스타일러스, 또는 이들의 임의의 결합) 같은 전도 물체들을 검출할 수 있다. 캐패시턴스-감지 회로(401)는 캐패시티브 버튼(421) 상의 터치 데이터를 측정할 수 있다. 일부 경우들에서, 캐패시티브 버튼(421)은 하나 또는 그 초과의 전극들의 유닛 셀인 것으로 고려될 수 있다. 일부 경우들에서, 유닛 셀은 전극 자체이다. 다른 경우들에서, 유닛 셀은 2 또는 그 초과의 전극들 사이의 교차점이다. 예컨대, 다수의 전극들이 측정될 때, 터치 데이터는 다수의 셀들로서 표현될 수 있고, 각각의 셀은 캐패시티브 버튼(421)의 감지 엘리먼트들(예컨대, 전극들)의 교차점을 나타낸다. 2개의 감지 엘리먼트들 사이의 교차점은, 서로 갈바닉 절연을 유지하면서, 하나의 감지 전극이 다른 감지 전극 위에서 교차하거나 오버랩하는 위치로서 이해될 수 있다. 캐패시티브 감지 엘리먼트들은 구리 같은 전도 재료의 전극들이다. 감지 엘리먼트들은 또한 ITO 패널의 일부일 수 있다. 캐패시티브 감지 엘리먼트들은 캐패시턴스-감지 회로(401)가 셀프-캐패시턴스, 상호 캐패시턴스, 또는 이들의 임의의 결합을 측정하게 하도록 구성 가능할 수 있다.
[0038] 다른 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)는 캐패시턴스 터치 신호 데이터 세트를 얻는 마이크로제어기이고, 그리고 마이크로제어기 상에서 실행하는 핑거 검출 펌웨어는 터치들을 나타내는 데이터 세트 영역들을 식별하거나, 피크들을 검출 및 프로세싱하거나, 좌표들을 계산하고, 보다 작은 터치와 보다 큰 터치 사이를 구별하거나, 또는 이들의 임의의 결합을 수행한다. 마이크로제어기는 호스트 프로세서(450)에 정확한 좌표들뿐 아니라 다른 정보를 리포팅할 수 있다.
[0039] 일 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)는 프로세싱 로직(402)을 더 포함한다. 프로세싱 로직(402)의 동작들은 펌웨어로 구현될 수 있고; 대안적으로, 상기 동작들은 하드웨어 또는 소프트웨어로 구현될 수 있다. 프로세싱 로직(402)은 캐패시턴스-감지 회로(401)로부터 신호들을 수신할 수 있고, 물체(예컨대, 핑거)가 캐패시티브 버튼(421) 상에서 검출되었는지 근접하여 검출되었는지(예컨대, 물체의 존재 결정), 또는 캐패시티브 버튼(421)에서 검출된 물체에 관련된 다른 정보 같은 캐패시티브 버튼(421)의 상태를 결정할 수 있다. 예컨대, 프로세싱 로직(402)은 본원에 설명된 바와 같이 보다 작은 전도 물체와 보다 큰 전도 물체에 의한 터치들 사이를 구별할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 로직(402)은 다양한 기능들을 수행하도록 프로그래밍될 수 있는 프로세싱 로직이다.
[0040] 다른 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)에서 프로세싱 로직(402)의 동작들을 수행하는 대신, 프로세싱 디바이스(410)는 로우(raw) 데이터 또는 부분적으로 프로세싱된 데이터를 호스트(450)에 전송할 수 있다. 도 4에 예시된 바와 같이 호스트(450)는 프로세싱 로직(402)의 동작들 중 일부 또는 모두를 수행하는 결정 로직(451)을 포함할 수 있다. 결정 로직(451)의 동작들은 펌웨어, 하드웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 결합으로 구현될 수 있다. 호스트(450)는 감도 차이들에 대한 보상, 다른 보상 알고리즘, 베이스라인 업데이트 루틴들, 시작 및/또는 초기화 루틴들, 보간 동작들, 또는 스케일링 동작들 같은, 수신된 데이터 상에서 루틴들을 수행하는 애플리케이션들(452)의 고급 애플리케이션 프로그래밍 인터페이스(API)를 포함할 수 있다. 프로세싱 로직(402)에 관하여 설명된 동작들은 결정 로직(451), 애플리케이션들(452)로, 또는 프로세싱 디바이스(410) 외부의 다른 하드웨어, 소프트웨어, 및/또는 펌웨어로 구현될 수 있다. 일부 다른 실시예들에서, 프로세싱 디바이스(410)는 호스트(450)이다.
[0041] 다른 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)는 또한 비-감지 동작들 블록(403)을 포함할 수 있다. 블록(403)은 호스트(450)에 그리고 호스트(450)로부터 데이터를 프로세스 및/또는 수신/송신하기 위하여 사용될 수 있다. 예컨대, 부가적인 컴포넌트들은 캐패시티브 버튼(421)(예컨대, 키보드, 키패드, 마우스, 트랙볼, LED들, 디스플레이들, 또는 다른 주변 디바이스들)에 따라서 프로세싱 디바이스(410)와 동작하도록 구현될 수 있다.
[0042] 예시된 바와 같이, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 프로세싱 디바이스(410)에 통합될 수 있다. 캐패시턴스-감지 회로(401)는 외부 컴포넌트에 커플링하기 위한 아날로그 I/O, 이를테면 캐패시티브 버튼(421), 및/또는 터치 센서 패드(도시되지 않음), 터치-센서 슬라이더(도시되지 않음), 터치-센서 버튼들(도시되지 않음), 터치 스크린 및/또는 다른 디바이스들을 포함할 수 있다. 캐패시턴스-감지 회로(401)는 상호-캐패시턴스 감지 기술들, 셀프-캐패시턴스 감지 기술, 전하 커플링 기술들 등을 사용하여 캐패시턴스를 측정하도록 구성 가능할 수 있다. 일 실시예에서, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 전하 축적 회로, 캐패시턴스 변조 회로, 또는 당업자들에 의해 알려진 다른 캐패시턴스 감지 방법들을 사용하여 동작한다. 일 실시예에서, 캐패시턴스-감지 회로(401)는 터치 스크린 제어기들의 Cypress TMA-3xx, TMA-4xx, 또는 TMA-xx 패밀리들을 가진다. 대안적으로, 다른 캐패시턴스-감지 회로들이 사용될 수 있다.
[0043] 캐패시티브 버튼(42)은, 투명하고 또한 시각 디스플레이 자체(예컨대, LCD 모니터) 또는 디스플레이의 전면에 있는 투명 기판 상에, 내에, 또는 아래에 배치되는 일부(또는 모두)를 포함할 수 있다.
[0044] 핑거 또는 스타일러스 같은 터치 물체가 캐패시티브 버튼(421)에 접근할 때, 물체는 TX/RX 전극들의 일부 사이에서 상호 캐패시턴스의 감소를 유발한다. 다른 실시예에서, 핑거의 존재는 전극들의 커플링 캐패시턴스를 증가시킨다. 예컨대, 셀프-캐패시턴스 감지시, 셀프-캐패시턴스는, 터치 물체가 캐패시티브 버튼(42a)에 접근할 때 증가할 수 있다.
[0045] 또한 본원에 설명된 실시예들이 호스트에 커플링된 프로세싱 디바이스의 구성을 가지는 것으로 제한되는 것이 아니라, 감지 디바이스 상의 캐패시턴스를 측정하고 또한 로우 데이터가 애플리케이션에 의해 분석되는 경우 그 로우 데이터를 호스트 컴퓨터에 전송하는 시스템을 포함할 수 있다는 것이 주의되어야 한다. 사실상, 프로세싱 디바이스(410)에 의해 행해지는 프로세싱은 또한 호스트에서 행해질 수 있다.
[0046] 프로세싱 디바이스(410)는 예컨대, 집적 회로(IC) 다이 기판, 또는 다중-칩 모듈 기판 같은 공통 캐리어 기판상에 있을 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 디바이스(410)의 컴포넌트들은 하나 또는 그 초과의 별개의 집적 회로들 및/또는 이산 컴포넌트들일 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)는 Cypress Semiconductor Corporation(San Jose, California)에 의해 개발된 칩 상 프로그램 가능 시스템(PSoC®) 프로세싱 디바이스일 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 디바이스(410)는 마이크로제어기 또는 중앙 프로세싱 유닛, 제어기, 특수-목적 프로세서, 디지털 신호 프로세서(DSP), 주문형 집적 회로(ASIC), 필드 프로그램 가능 게이트 어레이(FPGA), 또는 다른 프로그램 가능 디바이스 같은 당업자들에 의해 알려진 하나 또는 그 초과의 다른 프로세싱 디바이스들일 수 있다. 대안적인 실시예에서, 예컨대, 프로세싱 디바이스(410)는 코어 유닛 및 다수의 마이크로-엔진들을 포함하는 다수의 프로세서들을 가진 네트워크 프로세서일 수 있다. 부가적으로, 프로세싱 디바이스(410)는 범용 프로세싱 디바이스(들)와 특수 목적 프로세싱 디바이스(들)의 임의의 결합을 포함할 수 있다.
[0047] 캐패시턴스-감지 회로(401)는 프로세싱 디바이스(410)의 IC에 통합될 수 있거나, 대안적으로 별개의 IC에 통합될 수 있다. 대안적으로, 캐패시턴스-감지 회로(401)의 설명들은 다른 집적 회로들에 통합을 위하여 생성 및 컴파일링될 수 있다. 예컨대, 캐패시턴스-감지 회로(401), 또는 이의 일부들을 설명하는 거동 레벨 코드는 VHDL 또는 Verilog 같은 하드웨어 설명 언어를 사용하여 생성될 수 있고 머신-액세스 가능 매체(예컨대, CD-ROM, 하드 디스크, 플로피 디스크, 등)에 저장될 수 있다. 게다가, 거동 레벨 코드는 레지스터 전달 레벨("RTL": register transfer level) 코드, 넷리스트(netlist), 또는 심지어 회로 레이아웃으로 컴파일링될 수 있고 머신-액세스 가능 매체에 저장될 수 있다. 거동 레벨 코드, RTL 코드, 넷리스트, 및 회로 레이아웃은 캐패시턴스-감지 회로(404)를 설명하기 위한 다양한 레벨들의 요약을 나타낼 수 있다.
[0048] 전자 시스템(400)의 컴포넌트들이 상기 설명된 모든 컴포넌트들을 포함할 수 있다는 것이 주의되어야 한다. 대안적으로, 전자 시스템(400)은 상기 설명된 컴포넌트들 중 일부를 포함할 수 있다.
[0049] 일 실시예에서, 전자 시스템(400)은 테블릿 컴퓨터에 사용된다. 대안적으로, 전자 디바이스는 노트북 컴퓨터, 모바일 핸드셋, 퍼스널 데이터 어시스턴트("PDA"), 키보드, 텔레비전, 원격 제어부, 모니터, 핸드헬드 멀티-미디어 디바이스, 핸드헬드 미디어(오디오 및/또는 비디오) 플레이어, 핸드헬드 게이밍 디바이스, 판매 시점 관리 트랜잭션들을 위한 서명 입력 디바이스, eBook 판독기, 글로벌 포지션 시스템("GPS") 또는 제어 패널 같은 다른 애플리케이션들에서 사용될 수 있다. 본원에 설명된 실시예들은 터치-감지 인터페이스의 캐패시티브 버튼들로 제한되는 것이 아니라, 다른 캐패시티브 감지 구현들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 캐패시티브 버튼은 터치 스크린, 터치 패드, 터치-센서 슬라이더(slider)(도시되지 않음) 또는 터치-센서 버튼들의 패널 같은 임의의 감지 디바이스와 관련하여 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 이들 감지 디바이스들은 하나 또는 그 초과의 캐패시티브 센서들 또는 다른 타입들의 캐패시턴스-감지 회로를 포함한다. 본원에 설명된 동작들은 디바이스 버튼 동작들로 제한되는 것이 아니고, 조명 제어(디머(dimmer)), 볼륨 제어, 그래픽 이퀄라이저 제어, 속도 제어, 또는 점진적 또는 이산 조절들을 요구하는 다른 제어 동작들 같은 다른 동작들을 포함할 수 있다. 캐패시티브 감지 구현들의 이들 실시예들이 픽(pick) 버튼들, 슬라이더들(예컨대, 디스플레이 휘도 및 콘트라스트), 스크롤-휠(scroll-wheel)들, 멀티-미디어 제어(예컨대, 볼륨, 트랙 진행 등) 필적 인식, 및 숫자 키패드 동작을 포함하는(이들로 제한되지 않음) 비-캐패시티브 감지 엘리먼트들과 함께 사용될 수 있다는 것이 또한 주의되어야 한다.
[0050] 다른 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)는, 적어도 2개의 전극들 중 제 1 전극의 내부 주변부가 적어도 2개의 전극들 중 제 2 전극의 외부 주변부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치된 적어도 2개의 전극들을 포함하는 캐패시티브 버튼(421)에 커플링된다. 프로세싱 디바이스(410)는 캐패시티브 버튼(421)에 근접한 전도 물체에 의해 유발된 제 1 전극 및 제 2 전극의 활성화들의 결합을 검출하도록 동작한다. 프로세싱 디바이스(410)는 활성화들의 결합에 기초하여 제 1 타입의 전도 물체 및 제 2 타입의 전도 물체 사이를 구별한다. 활성화들의 결합은 제 1 전극 및 제 2 전극으로부터 측정된 신호들의 결합을 포함할 수 있다. 측정된 신호들의 결합은 제 1 전극 및 제 2 전극의 셀프-캐패시턴스 측정치들의 결과일 수 있다. 다른 실시예에서, 프로세싱 디바이스는 제 1 구동 신호를 캐패시티브 버튼의 적어도 2개의 전극들 중 제 3 전극에 인가하도록 추가로 동작한다. 이 경우에, 활성화들의 결합은 제 1 전극 및 제 2 전극으로부터 측정된 신호들의 결합을 포함한다. 측정된 수신 신호들의 결합은 제 3 전극과 제 1 전극 사이 및 제 3 전극과 제 2 전극 사이의 상호-캐패시턴스 측정치들의 결과일 수 있다. 일 실시예에서, 제 3 전극의 내부 주변부는 제 2 전극의 외부 주변부를 적어도 부분적으로 둘러싸고 제 1 전극의 내부 주변부는 제 3 전극의 외부 주변부를 적어도 부분적으로 둘러싼다.
[0051] 일 실시예에서, 프로세싱 디바이스는 캐패시턴스-감지 회로(401) 같은, 제 1 전극 및 제 2 전극에 커플링된 캐패시턴스-감지 회로를 포함한다. 캐패시턴스-감지 회로는 제 1 전극의 제 1 셀프-캐패시턴스 및 제 2 전극의 제 2 셀프-캐패시턴스를 측정하도록 동작한다. 프로세싱 디바이스(410)는 활성화들의 결합을 검출하기 위하여 하나 또는 그 초과의 임계치들에 대해 제 1 및 제 2 셀프-캐패시턴스들을 비교하도록 동작한다. 다른 실시예에서, 프로세싱 디바이스(410)는 3개의 전극들에 커플링되고 캐패시턴스-감지 회로는 제 3 전극과 제 1 전극 사이의 제 1 상호 캐패시턴스 및 제 3 전극과 제 2 전극 사이의 제 2 상호 캐패시턴스를 측정하도록 동작한다. 프로세싱 디바이스(410)는 활성화들의 결합을 검출하기 위하여 하나 또는 그 초과의 임계치들에 대해 제 1 및 제 2 상호 캐패시턴스들을 비교하도록 동작한다.
[0052] 도 5는 캐패시티브 감지 어레이(521)에서 캐패시티브 버튼의 터치 데이터를 프로세싱하는 전자 시스템(500)의 다른 실시예를 예시하는 블록도이다. 캐패시티브 감지 어레이(521)는 다수의 캐패시티브 버튼들을 포함하는 NXM 전극 매트릭스를 포함한다. 캐패시턴스-감지 회로(501)는 감지 어레이(521)의 개별 캐패시티브 버튼들에서 송신 전극과 수신 전극 사이의 교차점들의 상호 캐패시턴스들을 측정할 수 있다. 캐패시티브 버튼들의 활성화들은 터치되지 않은 상태에서 동일한 터치 캐패시티브 버튼의 캐패시턴스들에 관련하여 측정된 캐패시턴스들의 변화들에 기초하여 계산된다. 일 실시예에서, 캐패시티브 감지 어레이(521) 및 캐패시턴스-감지 회로(501)는 전자 시스템(400) 같은 시스템 또는 디바이스로 구현된다. 캐패시티브 감지 어레이(521)는 N×M 캐패시티브 버튼들의 매트릭스(525)를 포함하고, 각각의 캐패시티브 버튼은 하나의 TX 전극(522) 및 2개의 RX 전극들(523)을 포함한다. 매트릭스 내 전극들은 디멀티플렉서(512) 및 멀티플렉서(513)를 통하여 캐패시턴스 감지 회로(501)와 연결된다. 즉, 다수의 전극들이 캐패시턴스-감지 회로(501)에 의해 구동되거나 감지되게 하도록, TX 전극들은 디멀티플렉서(512)에 연결될 수 있고 RX 전극은 멀티플렉서(513)에 커플링될 수 있다.
[0053] 캐패시턴스-감지 회로(501)는 멀티플렉서 제어부(511), 디멀티플렉서(512), 멀티플렉서(513), 클록 생성기(514), 신호 생성기(515), 복조 회로(516), 및 아날로그 투 디지털 컨버터(ADC)(517)를 포함한다. ADC(517)는 터치 좌표 컨버터(518)와 추가로 커플링된다. 터치 좌표 컨버터(518)는 프로세싱 로직(402)으로 구현될 수 있다.
[0054] 전극 매트릭스(525) 내 송신 및 수신 전극들은, 송신 전극들의 각각이, 서로 갈바닉 절연을 유지하면서, 교차점들의 어레이를 형성하는 것과 같이 수신 전극들의 각각을 오버랩하고 교차하도록 배열될 수 있다. 따라서, 각각의 송신 전극은 수신 전극들 각각과 캐패시티적으로 커플링된다. 예컨대, 송신 전극(522)은, 송신 전극(522) 및 수신 전극들(523)이 오버랩하는 포인트에서 2개의 수신 전극(523)과 캐패시티적으로 커플링된다.
[0055] 클록 생성기(514)는 터치 캐패시티브 버튼의 송신 전극(522)에 공급될 TX 신호(524)를 생성하는 신호 생성기(515)에 클록 신호를 공급한다. 일 실시예에서, 신호 생성기(515)는 클록 생성기(514)로부터의 클록 신호에 따라 동작하는 스위치들의 세트를 포함한다. 스위치들은 신호 생성기(515)의 출력을 제 1 전압에 그리고 이어서 제 2 전압에 주기적으로 연결함으로써 TX 신호(524)를 생성할 수 있고, 여기서 상기 제 1 및 제 2 전압들은 상이하다.
[0056] 신호 생성기(515)의 출력은 TX 신호(524)가 캐패시티브 버튼들의 M개의 송신 전극들 중 임의의 전극에 인가되게 하는 디멀티플렉서(512)와 연결된다. 일 실시예에서, 멀티플렉서 제어(511)는, TX 신호(524)가 제어된 시퀀스로 각각의 송신 전극(522)에 인가되도록 디멀티플렉서(512)를 제어한다. 디멀티플렉서(512)는 또한 대안 신호를 접지하거나, 플로팅(float)하거나 또는 TX 신호(524)가 현재 인가되지 않은 다른 송신 전극들에 연결하기 위하여 사용될 수 있다. 대안적인 실시예에서 TX 신호(524)는 송신 전극들(522)의 서브세트에 참 형태(true form)로 그리고 송신 전극들(522)의 제 2 서브세트에 보수 형태(complement form)로 제시될 수 있다. 송신 전극들(522)의 제 1 및 제 2 서브세트의 멤버들에서 오버랩이 없을 수 있다.
[0057] 송신 및 수신 전극들 사이의 캐패시티브 커플링으로 인해, 각각의 송신 전극에 인가된 TX 신호(524)는 수신 전극들 각각 내에 전류를 유도한다. 예컨대, TX 신호(524)가 디멀티플렉서(512)를 통하여 송신 전극(252)에 인가될 때, TX 신호(524)는 매트릭스(525) 내 수신 전극들 상에 RX 신호(527)를 유도한다. 그 다음 수신 전극들 각각에서 RX 신호(527)는 N개의 수신 전극들 각각을 순차적으로 복조 회로(516)에 연결하기 위하여 멀티플렉서(513)를 사용함으로써 순차적으로 측정될 수 있다.
[0058] 모든 TX 전극들 및 RX 전극들의 교차점들과 연관된 상호 캐패시턴스는 디멀티플렉서(512) 및 멀티플렉서(513)를 사용하여 TX 전극과 RX 전극의 모든 이용 가능한 결합을 선택함으로써 측정될 수 있다. 성능을 개선하기 위하여, 멀티플렉서(513)는 또한 매트릭스(525) 내 수신 전극들 중 하나보다 많은 전극들이 부가적인 복조 회로들(516)에 루팅되게 하도록 분할될 수 있다. 수신 전극들과 복조 회로(516)의 경우들의 1 대 1 대응이 있는 최적화된 구성에서, 멀티플렉서(513)는 시스템에 존재하지 않을 수 있다.
[0059] 핑거 같은 전도 물체가 전극 매트릭스(525)에 접근할 때, 물체는 단지 일부의 전극들 사이에서 측정된 상호 캐패시턴스의 감소를 유발한다. 예컨대, 핑거가 송신 전극(522) 및 수신 전극(523)의 교차점 근처에 위치되면, 핑거의 존재는 전극들(522 및 523) 사이에 커플링된 전하를 감소시킬 것이다. 따라서, 터치패드 상의 핑거의 위치는, 캐패시턴스의 감소가 하나 또는 그 초과의 수신 전극들 상에서 측정되는 시간에 TX 신호(524)가 인가된 송신 전극을 식별하는 것에 더하여 측정된 상호 캐패시턴스의 감소를 가진 하나 또는 그 초과의 수신 전극들을 식별함으로써 결정될 수 있다.
[0060] 매트릭스(525) 내 전극들의 각각의 교차점과 연관된 상호 캐패시턴스들의 변화들을 결정함으로써, 하나 또는 그 초과의 전도 물체들의 존재 및 위치가 결정될 수 있다. 결정은 순차적이거나, 동시에 있을 수 있거나, 보통 사용된 전극들에서 더 빈번하게 발생할 수 있다.
[0061] 대안적인 실시예들에서, 핑거 또는 다른 전도 물체의 존재를 검출하기 위한 다른 방법들이 사용될 수 있고 여기서 핑거 또는 전도 물체는 하나 또는 그 초과의 전극들에서 측정된 캐패시턴스의 증가를 유발하고, 상기 전극들은 그리드 또는 다른 패턴으로 배열될 수 있다. 예컨대, 캐패시턴스-감지 회로의 전극 근처에 배치된 핑거는 전극과 접지 사이의 총 캐패시턴스를 증가시키는 부가적인 캐패시턴스를 접지에 도입할 수 있다. 핑거의 위치는, 측정된 캐패시턴스의 변화가 검출되는 하나 또는 그 초과의 전극들의 위치들에 기초하여 결정될 수 있고, 캐패시턴스의 연관된 크기는 각각의 개별 전극에서 변화한다.
[0062] 복조 회로(516)는 유도된 전류 신호(527)를 통합한다. 그 다음 복조 회로(516)에 의해 출력된 정류된 전류는 필터링되고 ADC(517)에 의해 디지털 코드로 변환될 수 있다.
[0063] 터치되지 않은 상태에서 이들 동일한 전극들의 연관된 코드들에 비교되거나 상기 코드들에 의해 오프셋될 때 인접한 전극 교차점들로부터 측정된 일련의 그런 디지털 코드들은 터치 좌표 컨버터(518)에 의해, 터치 캐패시티브 버튼 상 입력 포지션을 나타내는 터치 좌표들로 변환될 수 있다. 그 다음으로 그 터치 좌표들은 제스처들을 검출하기 위하여 사용될 수 있거나 프로세싱 로직(402)에 의해 다른 기능들을 수행할 수 있다.
[0064] 셀프-캐패시턴스 감지를 위하여, 감지 엘리먼트는 기생 캐패시턴스(CP)로서 지칭되는 감지 엘리먼트와 연관된 캐패시턴스를 가진다. 핑거가 감지 영역을 터치할 때, 부가적인 캐패시턴스는 인간 핑거의 존재로 인해 회로에 부가된다. 이런 캐패시턴스는 핑거 캐패시턴스(CF)로서 지칭된다. 감지 엘리먼트의 총 캐패시턴스는 핑거가 존재하지 않는 경우에는 감지 엘리먼트의 CP와 동일하고 핑거가 존재하는 경우에는 CP 및 CF의 합이다. 터치 제어기 같은 캐패시턴스-감지 회로는 측정된 캐패시턴스들을 디지털 값(또한, 디지털 카운트들로 불림)으로 변환하기 위하여 캐패시턴스-투-디지털 컨버터를 구현한다. 핑거 터치가 있을 때, 도 6에 예시된 바와 같이 카운트 컨버터로의 캐패시턴스의 출력의 증가가 있다.
[0065] 도 6은 일 실시예에 따른 핑거 터치의 경우의 디지털 컨버터의 캐패시턴스 출력(600)을 예시한다. 로우 카운트들은 감지 엘리먼트 상에서 측정된 캐패시턴스들에 대응하는 디지털 값들이다. 베이스라인은 시스템 시작시 로우 카운트들로 초기화된다. 이후, 로우 카운트들의 변동이 노이즈 임계치보다 작으면 로우 카운트들을 느리게 추적한다. 이런 피처는 상이한 환경 조건들에 적응하는 것을 돕고 잘못된 터치 검출을 회피시킨다. 신호는 로우 카운트들로부터 베이스라인을 감산함으로써 계산된다. 이것은 핑거 터치에 의해 부가된 캐패시턴스를 나타낸다. 핑거 임계치는 유효 터치로서 얻어질 수 있는 감지 엘리먼트 상의 캐패시턴스 증가를 정의한다. 핑거 임계 값은 본원에 설명된 바와 같이 튜닝 파라미터들 중 하나로서 동적으로 변화될 수 있다.
[0066] '디지털 카운트 컨버터"로의 캐패시턴스의 출력은 핑거 터치로 인한 감지 엘리먼트 캐패시턴스의 증가를 검출하기 위하여 간단한 신호 프로세싱 알고리즘들을 통해 통과된다. 펌웨어 알고리즘은 온도, 압력 또는 다른 환경적 요소들의 변동에 의해 유도된 임의의 최소 캐패시턴스들 같은 스퓨리어스(spurious) 노이즈 및 실제 핑거 터치 사이를 구별하기 위하여 이 정보를 사용한다. 감지 엘리먼트 캐패시턴스의 증가가 미리 결정된 값(또한 핑거 임계치로 불림)보다 크면, 터치 제어기는 감지 엘리먼트 상의 핑거의 존재를 선언한다. 캐패시티브 감지 디바이스들은 전하 전달 및 델타-시그마 변조기 기반 캐패시턴스 투 디지털 변환(CSD(capacitance to digital conversion)로서 지칭됨) 전하 전달 및 연속적 접근법 기반 감지 방법들(CSA로서 지칭됨)을 사용할 수 있다. 대안적으로, 캐패시턴스를 측정하는 다른 방법들은 캐패시턴스를 디지털 카운트들로 변환하기 위하여 사용될 수 있다. 변환 방법에 무관하게, 본원에 설명된 실시예들은 크고 작은 핑거들 또는 스타일러스로부터의 터치들을 검출하고 구별한다.
[0067] 상호 캐패시턴스 감지를 위하여, 2개의 전극들 사이에 존재하는 캐패시턴스는 캐패시턴스 투 디지털 카운트 컨버터 감지 방법을 사용하여 측정된다. 핑거 존재로 인해, 2개의 전극들 사이에서 캐패시턴스 감소가 존재하고 핑거 존재를 검출하기 위한 알고리즘은 캐패시턴스 차이를 측정한다.
[0068] 캐패시티브 버튼이 큰 핑거 터치들에 과도하게 민감하지 않고 작은 핑거 터치와 큰 핑거 터치의 검출을 가능하게 하는 방법이 하기 설명된다. 이 방법은 상이한 타입들의 감지 엘리먼트 구성 및 결정 로직을 요구한다. 감지 엘리먼트의 작은 핑거(예컨대, 스타일러스로부터의 터치들) 및 큰 핑거(인간 핑거) 터치 표면 영역에 의한 터치는 감지 엘리먼트들로부터의 신호들의 결합을 생성할 것이다. 신호들의 결합은 작은 핑거 터치와 큰 핑거 터치들을 구별하거나 그렇지 않으면 식별하기 위하여 사용될 수 있다. 다음 방법에서, 8mm가 큰 핑거를 나타내고 3mm가 스타일러스 또는 작은 핑거를 나타내는 것이 가정된다.
[0069] 도 7은 일 실시예에 따른 캐패시티브 버튼을 감지하는 방법의 흐름도이다. 방법(700)은 하드웨어(회로, 전용 로직, 등), 소프트웨어(범용 컴퓨팅 시스템 또는 전용 머신에서 동작하는 것 같은), 펌웨어(내장된 소프트웨어), 또는 이들의 임의의 결합을 포함할 수 있는 프로세싱 로직에 의해 수행될 수 있다. 일 실시예에서, 도 4의 프로세싱 디바이스(410)는 방법(700)의 일부 또는 모두를 수행한다. 다른 실시예에서, 도 4 또는 도 5의 프로세싱 로직(402)은 방법(700)의 동작들의 일부 또는 모두를 수행한다. 다른 실시예들에서, 도 4의 캐패시턴스-감지 회로(401), 또는 도 5의 캐패시턴스-감지 회로(501)는 방법(700)의 동작들 중 일부를 수행한다. 대안적으로, 도 4의 전자 시스템(400)의 다른 컴포넌트들은 방법(700)의 동작들의 일부 또는 모두를 수행한다.
[0070] 도 7에서, 방법(700)은 감지 엘리먼트들을 초기화하고 디폴트 핑거 임계치들(예컨대, 내부 감지 엘리먼트에 대해 3mm 스타일러스 임계치)을 세팅하는 프로세싱 로직으로 시작한다(블록 702). 프로세싱 로직은 내부 감지 엘리먼트 및 외부 감지 엘리먼트를 스캔하고 양쪽 감지 엘리먼트들에 대한 베이스라인을 업데이트한다(블록 704). 프로세싱 로직은, 외부 감지 엘리먼트가 활성인지를 결정한다(블록 706). 외부 감지 엘리먼트가 블록(706)에서 활성이 아닐 때, 프로세싱 로직은 내부 센서 엘리먼트에 대해 3mm 스타일러스 임계치를 세팅한다(블록 708). 그러나, 외부 감지 엘리먼트가 블록 706에서 활성이면, 프로세싱 로직은 내부 감지 엘리먼트에 대해 8mm 핑거 임계치를 세팅한다(블록 710). 블록 712에서, 프로세싱 로직은, 양쪽 내부 및 외부 감지 엘리먼트들이 활성인지를 결정한다. 양쪽 내부 및 외부 감지 엘리먼트들이 블록 712에서 활성인 것을 프로세싱 로직이 결정할 때, 프로세싱 로직은 캐패시티브 버튼 상 8mm 핑거를 검출하고(블록 714) 블록 704로 되돌아 간다. 양쪽 내부 및 외부 감지 엘리먼트들이 블록 712에서 활성이 아닌 것을 프로세싱 로직이 결정할 때, 프로세싱 로직은, 내부감지 엘리먼트만 활성인지를 결정한다(블록 716). 만약 내부 감지 엘리먼트가 블록 716에서 활성이면, 프로세싱 로직은 3mm 스타일러스 지연 카운터를 증분한다(블록 718). 그러나, 내부 감지 엘리먼트가 블록 716에서 활성이 아니면, 프로세싱 로직은, 3mm 스타일러스 모드 타임아웃이 발생하였는지를 결정한다(블록 724). 3mm 스타일러스 모드 타임아웃이 블록 724에서 발생하였다면, 프로세싱 로직은 3mm 스타일러스 지연 카운터를 리셋하고 블록 704로 돌아가 계속된다. 3mm 스타일러스 모드 타임아웃이 발생하였을 때, 프로세싱 로직은 블록 704로 계속된다. 3mm 스타일러스 지연 카운터가 증분될 때, 프로세싱 로직은, 3mm 스타일러스 지연 카운터가 오버플로우(overflow) 조건에 있는지를 결정한다(블록 720). 블록 720에서 오버플로에 있을 때, 프로세싱 로직은 캐패시티브 버튼 상의 3mm 핑거를 검출하고(블록 722); 그렇지 않으면, 방법(700)은 블록 704로 돌아가 계속된다.
[0071] 이 실시예에서, 2개의 감지 엘리먼트들이 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 방법(700)은 본원에 설명된 바와 같이 3개의 감지 엘리먼트들을 스캔한다.
[0072] 방법의 다른 실시예에서, 프로세싱 로직은 제 1 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 프로그래밍된 캐패시턴스-감지 회로를 사용하여 캐패시티브 버튼의 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터의 신호들을 측정한다. 신호들은 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트의 캐패시턴스들에 대응한다. 제 1 감지 엘리먼트의 내부 주변부는 제 2 감지 엘리먼트의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치된다. 프로세싱 로직은 프로세싱 로직에 의해, 캐패시티브 버튼에 근접한 전도 물체가 제 1 감지 엘리먼트를 활성화하는지를 측정된 신호들에 기초하여 검출한다. 프로세싱 로직은 프로세싱 로직에 의해, 캐패시티브 버튼에 근접한 전도 물체가 제 2 감지 엘리먼트를 활성화하는지를 측정된 신호들에 기초하여 검출한다. 프로세싱 로직은 프로세싱 로직에 의해, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 제 1 값으로 세팅된 감지 파라미터를 제 2 값으로 조절한다. 프로세싱 로직은, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 제 2 값으로 세팅된 감지 파라미터 세트를 사용하는 캐패시턴스-감지 회로를 사용하여 제 2 감지 엘리먼트로부터 부가적인 신호를 측정한다.
[0073] 추가 실시예에서, 프로세싱 로직은, 제 1 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하는 캐패시턴스-감지 회로에 의해, 제 2 감지 엘리먼트와 제 1 감지 엘리먼트가 활성화될 때 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터 부가적인 신호들을 측정한다.
[0074] 다른 실시예에서, 제 1 값 또는 제 2 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용한 측정은 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트의 셀프-캐패시턴스를 측정하는 것을 포함한다. 대안적으로, 프로세싱 로직은, 캐패시턴스-감지 회로에 의해, 캐패시티브 버튼의 제 3 감지 엘리먼트 상의 제 1 구동 신호를 적용하거나 구동한다. 측정하는 것은 제 3 감지 엘리먼트와 제 1 감지 엘리먼트 사이의 제 1 상호 캐패시턴스 및 제 3 감지 엘리먼트와 제 2 감지 엘리먼트 사이의 제 2 상호 캐패시턴스를 측정하기 위하여 제 1 값 또는 제 2 값으로 세팅된 감지 파라미터로 행해질 수 있다. 프로세싱 로직은 제 1 값으로 세팅된 감지 파라미터를 사용하여 측정된 신호들에 기초하여 프로세싱 로직을 사용하여 제 1 타입의 전도 물체와 제 2 타입의 전도 물체 사이를 구별한다. 전도 물체는, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 제 1 타입이고 전도 물체는 제 1 감지 엘리먼트와 제 2 감지 엘리먼트가 활성화될 때 제 2 타입이다. 다른 실시예에서, 프로세싱 로직은 전도 물체로서 스타일러스와 핑거 사이를 구별한다. 전도 물체는, 제 2 감지 엘리먼트가 활성화되고 제 1 감지 엘리먼트가 활성화되지 않을 때 스타일러스이고, 전도 물체는 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트가 활성화될 때 핑거이다. 다른 실시예에서, 프로세싱 로직은 제 1 감도를 사용하여 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터의 신호들을 측정하고 제 2 감도를 사용하여 부가적인 신호를 측정한다. 제 1 감도는 제 2 감도보다 작다. 대안적으로, 다수의 활성화 임계치들은 튜닝 파라미터들로서 사용될 수 있다. 캐패시턴스-감지 회로의 감도를 변화시키는 대신, 핑거 또는 스타일러스 임계치들이 조절될 수 있다. 다른 실시예에서, 프로세싱 로직은 제 1 감지 엘리먼트 및 제 2 감지 엘리먼트로부터의 신호들을 측정하여 제 1 활성화 임계치에 대해 그 신호들을 비교하고, 부가적인 신호를 측정하여 제 2 활성화 임계치에 대해 그 부가적인 신호를 비교한다. 제 1 활성화 임계치는 제 2 활성화 임계치보다 높다.
[0075] 도 8은 다른 실시예에 따른 2개의 캐패시티브 버튼들(800)을 예시한다. 2개의 캐패시티브 버튼들(800)은 도 10에 예시된 바와 같이 모바일 폰 상의 버튼들로서 사용될 수 있다.
[0076] 도 9는 일 실시예에 따른 터치스크린(902) 및 2개의 캐패시티브 버튼들(904, 906)을 가진 모바일 디바이스(900)의 블록도이다. 모바일 디바이스(900)는 또한 호스트 프로세서(950) 및 프로세싱 디바이스(910)를 포함한다. 프로세싱 디바이스(910)는 호스트 프로세서(950)에 관련하여 터치스크린(902)을 제어하는 터치 제어기일 수 있다. 게다가, 프로세싱 디바이스(910)는 본원에 설명된 바와 같이 캐패시티브 버튼들(904 및 906)의 터치들을 검출할 수 있다.
[0077] 크고 작은 핑거들 또는 스타일러스들로부터의 터치들을 검출 및 구별하기 위한 새로운 감지 엘리먼트 레이아웃이 본원에 설명된다. 이전 감지 엘리먼트 레이아웃은 도 1에 예시되고 새로운 감지 엘리먼트 레이아웃의 실시예들은 도 2, 도 3 및 도 8에 예시된다. 또한, 크고 작은 핑거들 또는 스타일러스들로부터의 터치들을 검출 및 구별하기 위한 새로운 데이터 프로세싱 알고리즘이 본원에 설명된다. 이런 새로운 데이터 프로세싱 알고리즘의 일 실시예는 도 7에 예시된다. 본원에 설명된 실시예들은, 캐패시티브 버튼이 보다 큰 핑거들로부터의 잘못된 터치들에 과도하게 민감함이 없이, 캐패시티브 버튼 상의 보다 작은 직경을 가진 핑거로부터의 터치들 및 보다 큰 직경을 가진 핑거로부터의 터치들을 검출 및 구별하기 위한 능력을 가진다. 실시예들은 또한 캐패시티브 버튼 상의 인간 핑거 터치 및 패시브 스타일러스 터치를 검출 및 구별하기 위한 능력을 가진다. 이들 실시예들은 또한, 큰 핑거로 동작할 때 감지 엘리먼트 상의 허버 효과에 의해 유발된 잘못된 터치들을 회피할 수 있다. 본원에 설명된 실시예들은 또한, 인간 핑거가 정확하게 버튼 상에 있지 않을 때 터치들을 거부할 능력을 가질 수 있다. 예컨대, 알고리즘은, 인간 핑거가 하기 표 1에 예시된 바와 같이, 펌웨어의 특정 퍼센티지 세트 미만의 버튼과의 오버랩핑이 있을 때, 정확하게 허용/거절할 수 있다.
[0078] 표 1은 내부 및 외부 감지 엘리먼트들로부터의 신호 측정치들을 포함한다:
# 입력 외부 감지 엘리먼트로부터의 신호 내부 감지 엘리먼트로부터의 신호 결정 로직/알고리즘의 출력
1 큰 핑거, 25% 터치(8mm 핑거) 75 20 거절-내부 감지 엘리먼트 상의 낮은 신호
2 큰 핑거 50% 터치(8mm 핑거) 105 40 허용-내부 및 외부 감지 엘리먼트들 상의 우수한 신호
3 큰 핑거, 10% 터치(8mm 핑거) 120 90 허용-내부 및 외부 감지 엘리먼트들 상의 우수한 신호
4 외부 감지 엘리먼트 상의 작은 핑거(3mm 스타일러스) 45 20 거절-내부 감지 엘리먼트로부터의 낮은 신호
5 내부 감지 엘리먼트상의 작은 핑거(3mm 스타일러스) 30 30 허용-내부 및 외부 감지 엘리먼트들 상의 우수한 신호
6 중심의 작은 핑거(3mm 스타일러스) 35 30 허용-내부 및 외부 감지 엘리먼트들 상의 우수한 신호
[0079] 일부 실시예들에서, 튜닝 파라미터는 호스트 커맨드에 기초하여 작은 핑거와 큰 핑거를 검출하기 위하여 동적으로 변화될 수 있다. 이 경우, 애플리케이션의 최종 제품은, 사용자가 작은 핑거로 제품을 동작하는지 큰 핑거로 제품을 동작하는지를 "어떻게든 알 필요성"을 요구한다. 다른 실시예들에서, 프로세싱 로직은 호스트로부터의 커맨드 없이 큰 핑거 터치 및 작은 핑거 터치를 자동으로 검출 및 구별할 수 있다.
[0080] 프로세싱 로직은 캐패시티브 터치 스크린 제어기로 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 캐패시티브 터치 스크린 제어기는 Cypress Semiconductor Corporation(San Jose, California)에 의해 개발된 TrueTouch® Multi-Touch All-Points 터치스크린 제어기들의 CY8CTMA3xx 패밀리 같은 TrueTouch® 캐패시티브 터치스크린 제어기들이다. 터치-스크린들 상의 다수의 핑거들 및 스타일러스의 터치 위치들을 파악하기 위한 TrueTouch® 캐패시티브 터치스크린 제어기 감지 기술은 선두적인 오퍼레이팅 시스템들을 지원하고, 낮은-전력 멀티-터치 제스처 및 모든-포인트 터치스크린 기능성에 최적화된다. 대안적으로, 터치 포지션 계산 피처들은 다른 터치스크린 제어기들, 또는 터치-감지 디바이스들의 다른 터치 제어기들로 구현될 수 있다. 일 실시예에서, 터치 포지션 계산 피처들은 본 개시의 당업자에 의해 인식될 바와 같이 다른 터치 필터링 알고리즘으로 구현될 수 있다.
[0081] 본원에 설명된 실시예들은 캐패시턴스 감지 시스템의 상호-캐패시턴스 감지 어레이들의 다양한 설계들, 또는 셀프-캐패시턴스 감지 어레이들에 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 캐패시턴스 감지 시스템은 어레이에서 활성화되는 다수의 감지 엘리먼트들을 검출하고, 실제 신호로부터 노이즈를 분리하기 위하여 이웃 감지 엘리먼트들 상의 신호 패턴을 분석할 수 있다. 본원에 설명된 실시예들은, 본 개시의 당업자에 의해 인식될 바와 같이, 특정 캐패시티브 감지 해결책으로 구속되지 않고, 또한 광학 감지 해결책들을 포함하여 다른 감지 해결책들과 함께 사용될 수 있다.
[0082] 상기 설명에서, 다수의 상세들이 진술되었다. 그러나, 본 발명의 실시예들이 이들 특정 상세들 없이 실시될 수 있다는 것이 본 개시의 당업자에게 명백할 것이다. 일부 경우들에서, 잘-알려진 구조들 및 디바이스들은 설명을 모호하게 하는 것을 회피하기 위하여, 상세히가 아닌 블록도 형태로 도시된다.
[0083] 상세한 설명의 일부 부분들은 컴퓨터 메모리 내의 데이터 비트들에 대한 동작들의 심볼 표현들 및 알고리즘 측면에서 제시된다. 이들 알고리즘 설명들 및 표현들은 자신의 작업 본질을 다른 당업자들에게 가장 효과적으로 전달하기 위하여 데이터 프로세싱 분야들의 당업자들에 의해 사용된 수단이다. 알고리즘은 여기서 그리고 일반적으로 원해진 결과로 이어지는 단계들의 일관성 있는 시퀀스일 것으로 생각된다. 단계들은 물리적 양들의 물리적 조작들을 요구하는 것들이다. 보통, 반드시는 아니지만, 이들 양들은 저장, 전달, 결합, 비교 및 그렇지 않으면 조작될 수 있는 전기 또는 자기 신호들 형태를 취한다. 주로 일반적인 용법의 이유들 때문에, 가끔은 이들 신호들을 비트들, 값들, 엘리먼트들, 심볼들, 문자들, 용어들, 수들 등으로서 인용하는 것이 편리하다는 것이 입증되었다.
[0084] 그러나, 이들 및 유사한 용어들 모두가 적당한 물리적 양들과 연관되고 단지 이들 양들에 적용된 편리한 라벨들임을 유념해야 한다. 상기 논의로부터 명백한 바와 같이 구체적으로 다르게 언급되지 않으면, 설명 동안 "인크립팅(encrypting), "디크립팅(decrypting)", "저장", "제공, "유도", "얻음", "수신", 증명", "삭제", "실행", "요청", "통신" 등 같은 용어들을 이용하는 논의들이 컴퓨팅 레지스터들 및 메모리들 내의 물리적(예컨대, 전자) 양들로서 표현된 데이터를, 컴퓨팅 시스템 메모리들 또는 레지스터들 또는 다른 그런 정보 스토리지, 송신 또는 디스플레이 디바이스들 내의 물리적 양들로서 유사하게 표현된 다른 데이터로 조작 및 변환하는 컴퓨팅 시스템, 또는 유사한 전자 컴퓨팅 디바이스의 동작들 및 프로세스들을 지칭하는 것이 인식된다.
[0085] 단어들 "예" 또는 "예시"는 예, 경우 또는 예시로서 서빙하는 수단으로 본원에 사용된다. "예" 또는 "예시"로서 본원에 설명된 임의의 양상 또는 설계는 반드시 다른 양상들 또는 설계들에 비해 바람직하거나 유리한 것으로 이해되지 않는다. 오히려, 단어들 "예" 또는 "예시"의 사용이 구체적인 방식으로 개념들을 제시하기 위하여 의도된다. 본 출원에 사용된 바와 같이, 용어 "또는"은 배타적 "또는"보다 오히려 포괄적 "또는"을 의미하도록 의도된다. 즉, 다르게 특정되지 않거나, 문맥으로부터 명백하지 않으면, "X는 A 또는 B를 포함함"은 자연적 포함 순열들 중 임의의 것을 의미하도록 의도된다. 즉, X가 A를 포함하거나; X가 B를 포함하거나; 또는 X가 A 및 B를 포함하면, "X는 A 또는 B를 포함함"은 상기 경우들 중 임의의 것 하에서 만족된다. 게다가, 본 출원 및 첨부된 청구항들에서 사용된 바와 같은 단수 표현은 일반적으로 다르게 특정되지 않거나 단수 형태로 지시되도록 문맥으로부터 명백하지 않으면 "하나 또는 그 초과"를 의미하도록 이해되어야 한다. 게다가, 전체에 걸쳐 용어 "실시예" 또는 "일 실시예" 또는 "구현" 또는 "일 구현"의 사용은 그런 것으로 설명되지 않으면 동일한 실시예 또는 구현을 의미하도록 의도되지 않는다.
[0086] 본원에 설명된 실시예들은 또한 본원의 동작들을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 이 장치는 요구된 목적들을 위하여 구체적으로 구성될 수 있거나, 컴퓨터에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 재구성되는 범용 컴퓨터를 포함할 수 있다. 그런 컴퓨터 프로그램은 플로피 디스크들, 광학 디스크들, CD-ROM들 및 자기-광학 디스크들, 판독-전용 메모리(ROM)들, 랜덤 액세스 메모리(RAM)들, EPROM들, EEPROM들, 자기 또는 광학 카드들, 플래시 메모리, 또는 전자 명령들을 저장하기에 적당한 임의의 타입의 미디어를 포함하는 임의의 타입의 디스크(이들로 제한되지 않음) 같은 비-일시적 컴퓨터-판독가능 스토리지 매체에 저장될 수 있다. 용어 "컴퓨터-판독가능 스토리지 매체"는 명령들의 하나 또는 그 초과의 세트들을 저장하는 단일 매체 또는 다수의 미디어(예컨대, 중앙 집중식 또는 분산식 데이터베이스 및/또는 연관된 캐시들 및 서버들)을 포함하도록 취해져야 한다. 용어 "컴퓨터-판독가능 매체"는 또한, 머신에 의해 실행하기 위한 명령들의 세트를 저장, 인코딩 또는 운반할 수 있고, 머신이 본 실시예들의 방법론들 중 임의의 하나 또는 그 초과를 수행하게 하는 임의의 매체를 포함하도록 취해질 것이다. 용어 "컴퓨터-판독가능 스토리지 매체"는 이에 따라, 머신에 의해 실행하기 위한 명령들의 세트를 저장할 수 있고 머신이 본 실시예들의 방법론들 중 임의의 하나 또는 그 초과를 수행하게 하는 고체-상태 메모리들, 광학 미디어, 자기 미디어, 임의의 매체(이들로 제한되지 않음)를 포함하도록 취해질 것이다.
[0087] 본원에 제시된 알고리즘들 및 디스플레이들은 본질적으로 임의의 특정 컴퓨터 또는 다른 장치에 관련되지 않는다. 다양한 범용 시스템들은 본원의 지침들에 따라 프로그램들과 함께 사용될 수 있거나, 요구된 방법 단계들을 수행하도록 보다 특화된 장치를 구성하기에 편리하다 것을 입증할 수 있다. 다양한 이들 시스템들에 대한 요구된 구조는 하기 설명으로부터 명백할 것이다. 게다가, 본 실시예들은 임의의 특정 프로그래밍 언어를 참조하여 설명되지 않는다. 다양한 프로그래밍 언어들이 본원에 설명된 바와 같은 실시예들의 지침들을 구현하기 위하여 사용될 수 있다는 것이 인식될 것이다.
[0088] 상기 설명은 본 발명의 몇몇 실시예들의 우수한 이해를 제공하기 위하여, 특정 시스템들, 컴포넌트들, 방법들 등의 예들 같은 다수의 특정 상세들을 진술한다. 그러나, 본 발명의 적어도 일부 실시예들이 이들 특정 상세들 없이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 다른 경우들에서, 잘-알려진 컴포넌트들 또는 방법들은 상세히 설명되지 않거나 본 발명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하도록 간단한 블록도 포맷으로 제시된다. 따라서, 상기 진술된 특정 상세들은 단순히 예시적이다. 특정 구현들은 이들 예시적 상세들로부터 가변할 수 있고 여전히 본 발명의 범위 내에 있을 것으로 생각된다.
[0089] 상기 설명이 제한이 아닌 예시인 이도록 의도되는 것이 이해될 것이다. 많은 다른 실시예들은 상기 설명을 읽고 이해하는 당업자들에게 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는, 첨부된 청구항들에 권리를 부여하는 등가물들의 전체 범위와 함께, 그 청구항들을 참조하여 결정되어야 한다.

Claims (20)

  1. 전도성 물체를 구별하기 위한 장치로서,
    상기 장치는 제 1 전극 및 제 2 전극에 커플링된 프로세싱 디바이스를 포함하고,
    상기 제 1 전극의 내부 주변부(inner perimeter)는 상기 제 2 전극의 외부 주변부(outer perimeter)를 둘러싸고,
    상기 프로세싱 디바이스는,
    상기 제 1 전극의 제 1 캐패시턴스를 측정하고 그리고 상기 제 2 전극의 제 2 캐패시턴스를 측정하고;
    상기 제 2 전극이 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 것에 응답하여, 상기 제 2 전극의 추가적인 캐패시턴스를 측정하고; 그리고
    상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스에 기초하여 제 1 타입의 전도성 물체와 제 2 타입의 전도성 물체를 구별하도록 구성되고,
    상기 제 2 전극이 상기 전도성 물체에 근접한 것을 상기 제 2 캐패시턴스가 나타내고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 것을 상기 제 1 캐패시턴스가 나타내는 경우, 상기 전도성 물체는 상기 제 1 타입이고,
    상기 전도성 물체가 제 1 전도성 물체 및 제 2 전도성 물체 둘 모두에 근접한 것을, 상기 제 1 전극의 상기 제 1 캐패시턴스와 상기 제 2 전극의 상기 제 2 캐패시턴스가 나타내는 경우, 상기 전도성 물체는 상기 제 2 타입인,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세싱 디바이스는,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상이 상기 전도성 물체에 근접한 것에 기초하여, 상기 전도성 물체로서 스타일러스(stylus)와 핑거(finger)를 구별하도록 추가로 구성되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상은, 상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스에 기초하여 상기 전도성 물체에 근접한 것으로 결정되고,
    상기 전도성 물체는, 상기 제 2 전극이 상기 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 경우, 상기 스타일러스로서 식별되고,
    상기 전도성 물체는, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 둘 모두가 상기 전도성 물체에 근접하는 경우, 상기 핑거로서 식별되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극과 커플링되는 제 1 회로; 및
    상기 제 1 회로와 커플링되는 제 2 회로를 더 포함하는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 회로는, 신호들을 측정하고 그리고 상기 측정된 신호들을 캐패시턴스를 나타내는 디지털 값들로 변환도록 구성된 캐패시턴스-감지 회로이고,
    상기 제 2 회로는 프로세싱 로직인,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 캐패시턴스-감지 회로는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 셀프-캐패시턴스들을 측정하도록 구성되고,
    상기 캐패시턴스-감지 회로는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 상호-캐패시턴스를 측정하도록 구성되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 장치는 제 3 전극을 더 포함하고,
    상기 캐패시턴스-감지 회로는 상기 제 3 전극 상에 제 1 구동 신호를 구동하도록 구성되고,
    상기 제 1 캐패시턴스는 상기 제 3 전극과 상기 제 1 전극 사이에 형성되는 제 1 상호 캐패시턴스이고,
    상기 제 2 캐패시턴스는 상기 제 3 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 제 2 상호 캐패시턴스인,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 전극의 내부 주변부는 상기 제 3 전극의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치되고,
    상기 제 3 전극의 내부 주변부는 상기 제 2 전극의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 캐패시티브 터치 버튼을 지정하도록 형성되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 장치.
  10. 삭제
  11. 전도성 물체를 구별하기 위한 시스템으로서,
    캐패시티브 버튼;
    프로세싱 디바이스를 포함하고,
    상기 캐패시티브 버튼은,
    제 1 전극;
    제 2 전극 - 상기 제 1 전극의 내부 주변부는 상기 제 2 전극의 외부 주변부를 둘러쌈 - 을 포함하고,
    상기 프로세싱 디바이스는,
    상기 제 1 전극의 제 1 캐패시턴스를 측정하고 그리고 상기 제 2 전극의 제 2 캐패시턴스를 측정하고;
    상기 제 2 전극이 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 것에 응답하여, 상기 제 2 전극의 추가적인 캐패시턴스를 측정하고; 그리고
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상이 상기 전도성 물체에 근접한 것으로 검출되는 것에 응답하여, 제 1 타입의 전도성 물체와 제 2 타입의 전도성 물체를 구별하도록 구성되고,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 상기 전도성 물체로의 근접은, 상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스에 기초하고,
    상기 제 2 전극이 상기 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 경우, 상기 전도성 물체는 상기 제 1 타입이고,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 둘 모두가 상기 전도성 물체에 근접하는 경우, 상기 전도성 물체는 상기 제 2 타입인,
    전도성 물체를 구별하기 위한 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 프로세싱 디바이스는,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상의 상기 전도성 물체로의 근접에 기초하여, 상기 전도성 물체로서 스타일러스와 핑거를 구별하도록 추가로 구성되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상의 근접은, 상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스에 기초하여 결정되고,
    상기 제 2 캐패시턴스가 제 2 임계치를 초과하고 그리고 상기 제 1 캐패시턴스가 제 1 임계치 이하인 경우, 상기 전도성 물체는 상기 스타일러스로서 식별되고,
    상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스가 상기 제 1 임계치 및 상기 제 2 임계치를 초과하는 경우, 상기 전도성 물체는 상기 핑거로서 식별되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 시스템.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 프로세싱 디바이스는,
    상기 캐패시티브 버튼에 커플링되는 제 1 회로 - 상기 제 1 회로는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 셀프-캐패시턴스들을 측정하도록 구성된 캐패시턴스-감지 회로이고, 상기 캐패시턴스-감지 회로는 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극과 연관된 교차점들의 상호-캐패시턴스들을 측정하도록 구성됨 -; 및
    상기 제 1 회로에 커플링되는 제 2 회로 - 상기 제 2 회로는 프로세싱 로직을 포함함 - 를 포함하는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 시스템은 제 3 전극을 더 포함하고,
    상기 캐패시턴스-감지 회로는 상기 제 3 전극 상에 제 1 구동 신호를 구동하도록 구성되고,
    상기 제 1 캐패시턴스는 상기 제 3 전극과 상기 제 1 전극 사이에 형성되는 제 1 상호 캐패시턴스이고,
    상기 제 2 캐패시턴스는 상기 제 3 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성되는 제 2 상호 캐패시턴스인,
    전도성 물체를 구별하기 위한 시스템.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 전극의 내부 주변부는 상기 제 3 전극의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치되고,
    상기 제 3 전극의 내부 주변부는 상기 제 2 전극의 외부 주변부를 둘러싸도록 배치되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 시스템.
  17. 제 1 전극의 제 1 캐패시턴스 및 제 2 전극의 제 2 캐패시턴스를 측정하는 단계;
    상기 제 2 전극이 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 것에 응답하여, 상기 제 2 전극의 추가적인 캐패시턴스를 측정하는 단계; 및
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상이 상기 전도성 물체에 근접한 것에 응답하여, 제 1 타입의 전도성 물체와 제 2 타입의 전도성 물체를 구별하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극이 상기 전도성 물체에 근접한 것은, 상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스에 기초하여 결정되고,
    상기 제 2 전극이 상기 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 경우, 상기 전도성 물체는 상기 제 1 타입이고,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 둘 모두가 상기 전도성 물체에 근접하는 경우, 상기 전도성 물체는 상기 제 2 타입인,
    전도성 물체를 구별하기 위한 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상의 상기 전도성 물체로의 근접에 기초하여, 상기 전도성 물체로서 스타일러스와 핑거를 구별하는 단계를 더 포함하는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 하나 이상의 근접은, 상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스에 기초하여 결정되고,
    상기 제 2 캐패시턴스가 제 2 임계치를 초과하고 그리고 상기 제 1 캐패시턴스가 제 1 임계치 이하인 경우, 상기 전도성 물체는 상기 스타일러스로서 식별되고,
    상기 제 1 캐패시턴스 및 상기 제 2 캐패시턴스가 상기 제 1 임계치 및 상기 제 2 임계치를 초과하는 경우, 상기 전도성 물체는 상기 핑거로서 식별되는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 방법.
  20. 제 17 항에 있어서,
    상기 추가적인 캐패시턴스를 측정하는 단계는,
    상기 제 2 전극이 상기 전도성 물체에 근접하고 그리고 상기 제 1 전극이 상기 전도성 물체에 근접하지 않은 경우, 감지 파라미터를 제 1 값에서 제 2 값으로 조정하는 단계; 및
    상기 제 2 값으로 조정된 상기 감지 파라미터로, 상기 제 2 전극의 상기 추가적인 캐패시턴스를 측정하는 단계를 더 포함하는,
    전도성 물체를 구별하기 위한 방법.
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