KR102105515B1 - Dicing·die bonding sheet - Google Patents

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린텍 코포레이션
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Abstract

다이싱 공정 시에 있어서의 기재의 변형에 동반하는 접착제층의 수축을 억제할 수 있는 접착제층을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 제공하는 것.
본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 기재 상에 접착제층이 적층된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트로서, 상기 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에 있어서의 저장 탄성률이 50000∼5000000Pa이고, 또한, 80℃ 환경 하의 20％ 비틀림 응력 부가의 120초 후에 있어서의 응력 완화율이 30∼90％이다.Providing a dicing die-bonding sheet having an adhesive layer capable of suppressing shrinkage of the adhesive layer accompanying deformation of the substrate during the dicing step.
The dicing die-bonding sheet according to the present invention is a dicing die-bonding sheet in which an adhesive layer is laminated on a substrate, wherein the adhesive layer has a storage elastic modulus of 50000 to 5000000 Pa at 80 ° C in a state before curing. Moreover, the stress relaxation rate after 120 seconds of adding 20% torsional stress in an 80 ° C environment is 30 to 90%.

Description

다이싱ㆍ다이 본딩 시트{DICING·DIE BONDING SHEET}Dicing die bonding sheet {DICING, DIE BONDING SHEET}

본 발명은 반도체 소자(반도체 칩)를 유기 기판 또는 리드 프레임의 다이 패드부 또는 별도의 반도체 칩으로 다이 본딩하는 공정 및 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 하고, 반도체 칩을 피착부에 다이 본딩하는 공정에서의 사용에 적합한 다이싱ㆍ다이 본딩 시트에 관한 것이다.The present invention is a process of die-bonding a semiconductor device (semiconductor chip) into a die pad portion or a separate semiconductor chip of an organic substrate or lead frame, and dicing a semiconductor wafer into a semiconductor chip, and die-bonding the semiconductor chip to the adhered portion. It relates to a dicing die-bonding sheet suitable for use in a process.

실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼는 대직경의 상태로 제조된다. 반도체 웨이퍼는 소자 소편(반도체 칩)으로 절단 분리(다이싱)된 후에, 차공정인 본딩 공정으로 옮겨지고 있다. 이 때, 반도체 웨이퍼는 미리 접착 시트에 부착된 상태로 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩 및 픽업의 각 공정이 추가된 후, 차공정인 본딩 공정으로 이송된다.Semiconductor wafers such as silicon and gallium arsenide are manufactured in a large-diameter state. After the semiconductor wafer is cut and separated (dicing) into elemental pieces (semiconductor chips), it is transferred to a bonding process, which is a secondary process. At this time, the semiconductor wafer is transferred to the bonding process, which is a secondary process, after each process of dicing, cleaning, drying, expanding, and pick-up is added to the adhesive sheet in advance.

이들의 공정 중에서 픽업 공정 및 본딩 공정의 프로세스를 간략화하기 위해, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 다이싱ㆍ다이 본딩용 점접착 시트가 여러 가지로 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 특허 문헌 1에 개시되어 있는 점접착 시트는 이른바 다이렉트 다이 본딩을 가능하게 하고, 다이 접착용 점접착제의 도포 공정을 생략할 수 있게 된다. 예를 들면, 상기 점접착 시트를 이용함으로써 점접착제층 부착의 반도체 칩을 얻을 수 있고, 유기 기판―칩간, 리드 프레임―칩간, 칩―칩간 등의 다이렉트 다이 본딩이 가능하게 된다. 이와 같은 점접착 시트는 점접착제층에 유동성을 지니게 하는 것으로 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 달성하고 있다.In order to simplify the process of the pick-up process and the bonding process among these processes, various types of point-adhesive sheets for dicing and die bonding that have both a wafer holding function and a die bonding function have been proposed (for example, Patent Document 1). Reference). The point-adhesive sheet disclosed in Patent Document 1 enables so-called direct die bonding, and the application process of the point-adhesive agent for die adhesion can be omitted. For example, by using the above-mentioned adhesive sheet, a semiconductor chip with an adhesive layer can be obtained, and direct die bonding such as an organic substrate-to-chip, lead frame-to-chip, chip-to-chip can be achieved. Such a point-adhesive sheet provides fluidity to the point-adhesive layer to achieve a wafer holding function and a die bonding function.

근래, 반도체 장치의 제조 공정 시에 칩 이면의 점접착제층이 수축함으로써 칩 단부 부근에 있어서, 유기 기판 등의 피착체와 칩의 사이에 공극이 발생하는 일이 있었다. 피착체와 칩의 사이에 공극이 발생하면, 반도체 장치의 제조 공정인 몰드 수지 밀봉 공정 시에 공극에 몰드 수지가 충분히 들어갈 수 없어서 보이드가 발생하고, 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 일이 있다.In recent years, in the manufacturing process of a semiconductor device, the point adhesive layer on the back surface of the chip shrinks, so that a gap may occur between the adherend such as an organic substrate and the chip near the chip end. When a void is generated between the adherend and the chip, voids may be generated because mold resin cannot sufficiently enter the void during the mold resin sealing process, which is a manufacturing process of the semiconductor device, and the reliability of the semiconductor device may be reduced.

또, 반도체 칩의 위에 다시 접착제층을 통하여 반도체 칩을 적층하는 다단 스택의 반도체 장치를 제조하는 경우에는, 칩간의 접착제층이 수축함으로써 하단의 칩 표면이 노출되는 일이 있었다. 몰드 수지 밀봉 공정 시, 몰드 수지에 포함되는 실리카 필러에 의해, 노출된 칩 표면이 손상되어 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 일이 있다.Moreover, in the case of manufacturing a semiconductor device of a multi-stage stack in which a semiconductor chip is stacked again through an adhesive layer on a semiconductor chip, the adhesive layer between chips shrinks, so that the bottom chip surface may be exposed. During the mold resin sealing process, the exposed surface of the chip may be damaged by the silica filler contained in the mold resin, thereby deteriorating the reliability of the semiconductor device.

이와 같은 반도체 장치의 신뢰성의 저하는 반도체 칩의 고밀도화나 반도체 칩의 적층수의 증가에 의해 현저해지고 있다.The decrease in the reliability of such a semiconductor device has become remarkable due to high density of semiconductor chips and an increase in the number of stacked semiconductor chips.

[특허 문헌 1] 일본국 특개2007―314603호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Publication No. 2007-314603

본 발명자들은 예의 검토를 실시한 결과, 접착제층의 수축은 반도체 장치의 제조 공정인 다이싱 공정 시에 일어나고 있는 것을 알았다. 즉, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 공정 시에 다이싱 블레이드(5)에 의하여 반도체 웨이퍼(4)나 접착제층(2)은 완전히 절단되지만, 기재(1)는 완전히 절단되지 않는 범위로 잘라내어진다. 이 때에 반도체 웨이퍼(4)의 커프(다이싱 후의 절단되어 있는 부분(6))에 인접한 기재, 즉, 반도체 칩(3)의 단부에 대응하는 부분의 기재가 접착제층측으로 변형한다. 기재의 변형에 기인하여 반도체 칩(3)에 대응하는 접착제층에, 접착제층의 단부로부터 내부 방향으로 응력이 작용하여, 접착제층이 수축하는 것을 알았다.As a result of conducting a polite study, the present inventors found that the shrinkage of the adhesive layer occurs during the dicing process, which is a manufacturing process of the semiconductor device. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor wafer 4 or the adhesive layer 2 is completely cut by the dicing blade 5 during the dicing process, but the substrate 1 is not cut completely. It is cut to range. At this time, the substrate adjacent to the cuff of the semiconductor wafer 4 (the cut portion 6 after dicing), that is, the substrate corresponding to the end portion of the semiconductor chip 3 is deformed to the adhesive layer side. It was found that, due to the deformation of the substrate, a stress acts on the adhesive layer corresponding to the semiconductor chip 3 from the end of the adhesive layer in the inner direction, and the adhesive layer shrinks.

본 발명의 과제는 다이싱 공정 시에 있어서의 기재의 변형에 동반하는 접착제층의 수축을 억제할 수 있는 접착제층을 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a dicing die-bonding sheet having an adhesive layer capable of suppressing shrinkage of the adhesive layer accompanying deformation of the substrate during the dicing step.

즉, 본 발명의 요지는 이하와 같다.That is, the gist of the present invention is as follows.

(1) 기재 상에 접착제층이 적층된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트로서,(1) A dicing die bonding sheet in which an adhesive layer is laminated on a substrate,

상기 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에서의 저장 탄성률이 50000∼5000000Pa이고, 또한, 80℃ 환경하의 20％ 비틀림 응력 부가의 120초 후에 있어서의 응력 완화율이 30∼90％인 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.In the state before curing, the adhesive layer has a storage elastic modulus at 80 ° C of 50000 to 5000000Pa, and a stress relaxation rate of 30 to 90% after 120 seconds of adding 20% torsional stress under an 80 ° C environment. ㆍ Die bonding sheet.

(2) 상기 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에서의 tanδ가 0. 1∼0. 38인 (1)에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(2) In the state before curing of the adhesive layer, tan δ at 80 ° C is 0.1 to 0. The dicing die-bonding sheet described in 38 (1).

(3) 상기 접착제층이 아크릴 중합체(A) 및 에폭시 수지(B)를 함유하는 접착제 조성물로 이루어지는 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(3) The dicing die-bonding sheet according to (1) or (2), wherein the adhesive layer comprises an adhesive composition containing an acrylic polymer (A) and an epoxy resin (B).

(4) 상기 아크릴 중합체(A)가 반응성 관능기를 갖는 (3)에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(4) The dicing die-bonding sheet according to (3), wherein the acrylic polymer (A) has a reactive functional group.

(5) 상기 아크릴 중합체(A)가 접착제 조성물 100질량부 중, 10질량부 이상 포함되는 (3) 또는 (4)에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(5) The dicing die-bonding sheet according to (3) or (4), wherein the acrylic polymer (A) is contained in 10 parts by mass or more in 100 parts by mass of the adhesive composition.

(6) 상기 접착제 조성물이 가교제를 함유하고,(6) The adhesive composition contains a crosslinking agent,

상기 가교제가 상기 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 1∼40질량부 포함되는 (3)∼(5) 중 어느 하나에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.The dicing die-bonding sheet according to any one of (3) to (5), wherein the crosslinking agent is contained in an amount of 1 to 40 parts by mass based on 100 parts by mass of the acrylic polymer (A).

(7) 상기 아크릴 중합체(A)가 접착제 조성물 100질량부 중, 35질량부보다 많이 포함되고, 또한, 상기 가교제가 상기 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 5질량부 이상 20질량부 미만 포함되는 (6)에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(7) The acrylic polymer (A) contains more than 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent contains 5 parts by mass or more and less than 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). The dicing die-bonding sheet described in (6).

(8) 상기 아크릴 중합체(A)가 접착제 조성물 100질량부 중, 10∼35질량부 포함되고, 또한, 상기 가교제가 상기 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 20∼35질량부 포함되는 (6)에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(8) The acrylic polymer (A) contains 10 to 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent contains 20 to 35 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A) (6 The dicing die bonding sheet described in).

(9) 상기 기재가 폴리에틸렌 필름, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 (1)∼(8) 중 어느 하나에 기재된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.(9) The dicing die-bonding according to any one of (1) to (8), wherein the substrate contains at least one member selected from the group consisting of a polyethylene film, an ethylene / methacrylic acid copolymer film, and a polypropylene film. Sheet.

본 발명의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트에 따르면, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 시에 발생하는 열에 대응하는 온도 부근에서의 저장 탄성률 및 응력 완화율이 제어되어 있기 때문에 다이싱 공정 시의 기재의 변형에 동반하는 접착제층의 수축을 억제할 수 있다. 그 때문에, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to the dicing die-bonding sheet of the present invention, the storage elastic modulus and stress relaxation rate in the vicinity of the temperature corresponding to the heat generated during the dicing process of the semiconductor wafer are controlled, which is accompanied by deformation of the substrate during the dicing process. The shrinkage of the adhesive layer to be suppressed can be suppressed. Therefore, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.

도 1은 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 이용한 다이싱 공정을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 종래의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 이용한 다이싱 공정을 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a dicing process using a dicing die bonding sheet.
2 is a schematic cross-sectional view showing a dicing process using a conventional dicing die-bonding sheet.

이하, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 상세를 설명한다. 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 기재 상에 접착제층이 적층되어 있다.Hereinafter, the detail of the dicing die bonding sheet of this invention is demonstrated. In the dicing die-bonding sheet of the present invention, an adhesive layer is laminated on a substrate.

본 발명의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트에 있어서의 접착제층(이하에 있어서, 단순히 “접착제층”으로 기재하는 일이 있다.)은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에 서의 저장 탄성률이 50000∼5000000Pa, 바람직하게는 65000∼4000000Pa이다. 또, 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃ 환경 하의 20％ 비틀림 응력 부가의 120초 후에 있어서의 응력 완화율이 30∼90％, 바람직하게는 40∼80％이다. 접착제층의 저장 탄성률을 상기 범위로 하는 것으로 다이싱 공정 시에 있어서, 기재의 변형에 기인하는 응력에 의한 접착제층의 수축을 억제할 수 있다. 또, 접착제층의 응력 완화율을 상기 범위로 하는 것으로 후술하는 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩과 함께 접착제층을 기재로부터 박리함으로써 접착제층을 수축시키는 응력에 대항하는 잔류 응력이 감쇄되기 어려워서, 수축한 접착제층이 반도체 칩의 사이즈로 복원한다. 한편, 80℃에서의 저장 탄성률이 지나치게 크거나, 응력 완화율이 지나치게 작은 경우에는, 접착제층이 과도하게 단단해져서, 반도체 웨이퍼와 접착제층의 계면의 접착성이 저하하거나, 다이 본드되는 피착체와 접착제층의 접착성이 저하하는 일이 있다. 또, 80℃에서의 저장 탄성률이 지나치게 작거나, 응력 완화율이 지나치게 큰 경우에는, 접착제층의 수축을 억제하는 것이 곤란해진다. 또한, “경화 전의 상태에 있어서”란, 반도체 칩의 실장 후의 가열 경화를 실시하기 전의 상태를 말하고, 후술의 에너지선 조사에 의한 경화와의 전후 관계를 논한 것은 아니다.The adhesive layer (hereinafter, simply referred to as “adhesive layer”) in the dicing die bonding sheet of the present invention has a storage modulus at 80 ° C. of 50000 to 5000000 Pa in the state before curing. , Preferably 65000 to 4000000Pa. The adhesive layer has a stress relaxation rate of 30 to 90%, preferably 40 to 80% in 120 seconds after the addition of 20% torsional stress under an 80 ° C environment in a state before curing. By setting the storage elastic modulus of the adhesive layer within the above range, shrinkage of the adhesive layer due to stress caused by deformation of the substrate can be suppressed during the dicing process. Moreover, in the pick-up process described later by setting the stress relaxation rate of the adhesive layer in the above range, the residual stress against the stress of shrinking the adhesive layer by peeling the adhesive layer from the substrate together with the semiconductor chip is difficult to attenuate, and shrinks The adhesive layer restores the size of the semiconductor chip. On the other hand, when the storage modulus at 80 ° C is too large or the stress relaxation rate is too small, the adhesive layer becomes excessively hard, and the adhesiveness at the interface between the semiconductor wafer and the adhesive layer decreases, or the adherend to be die-bonded. The adhesiveness of the adhesive layer may decrease. Moreover, when the storage elastic modulus at 80 ° C is too small or the stress relaxation rate is too large, it is difficult to suppress the shrinkage of the adhesive layer. In addition, "in the state before hardening" means the state before heat-hardening after mounting of a semiconductor chip, and does not discuss the front-rear relationship with hardening by irradiation with energy rays mentioned later.

또, 본 발명에 있어서의 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에서의 tanδ가 바람직하게는 0. 1∼0. 38, 보다 바람직하게는 0. 15∼0. 36이다. 접착제층의 tanδ를 상기 범위로 하는 것으로 후술하는 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩과 함께 접착제층을 기재로부터 박리함으로써 접착제층을 수축시키는 응력에 대항하는 잔류 응력이 감쇄되기 어려워서, 수축한 접착제층이 반도체 칩의 사이즈로 복원되기 쉬워진다. 또한, “경화 전의 상태에 있어서”란, 반도체 칩의 실장 후의 가열 경화를 실시하기 전의 상태를 말하고, 후술의 에너지선 조사에 의한 경화와의 전후 관계를 논한 것은 아니다.Moreover, in the state before hardening of the adhesive layer in this invention, tan delta at 80 degreeC is preferably 0.1-1. 38, more preferably 0. 15 to 0. 36. In the pick-up process described later by setting the tanδ of the adhesive layer in the above range, the residual stress against the stress of shrinking the adhesive layer by peeling the adhesive layer from the substrate together with the semiconductor chip is less likely to be attenuated, and the shrinked adhesive layer is a semiconductor. It becomes easy to restore to the size of the chip. In addition, "in the state before hardening" means the state before heat-hardening after mounting of a semiconductor chip, and does not discuss the front-rear relationship with hardening by irradiation with energy rays mentioned later.

또, 본 발명에 있어서의 접착제층은 아크릴 중합체(A) 및 에폭시 수지(B)를 함유하는 접착제 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 해당 접착제 조성물은 각종 물성을 개량하기 위해, 필요에 따라서 다른 성분을 배합해도 좋다. 이하, 이들 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
Moreover, it is preferable that the adhesive layer in this invention consists of an adhesive composition containing an acrylic polymer (A) and an epoxy resin (B). Moreover, in order to improve various physical properties, the said adhesive composition may mix | blend other components as needed. Hereinafter, these components will be described in detail.

(A) 아크릴 중합체(A) Acrylic polymer

아크릴 중합체(A)로서는, 종래 공지의 아크릴 중합체를 이용할 수 있다. 아크릴 중합체(A)의 중량 평균 분자량(Mw)은 1만∼200만인 것이 바람직하고, 10만∼150만인 것이 보다 바람직하다. 아크릴 중합체(A)의 Mw가 지나치게 낮으면, 저장 탄성률 및 응력 완화율의 값을 상기의 범위로 조정하는 것이 곤란하게 되는 일이 있는 외에, 접착제층과 기재의 접착력이 높아져서 칩의 픽업 불량이 일어나는 일이 있다. 아크릴 중합체(A)의 Mw가 지나치게 높으면, 피착체의 요철로 접착제층이 추종할 수 없는 일이 있어서, 보이드 등의 발생 요인으로 되는 일이 있다. 아크릴 중합체(A)의 Mw는 겔ㆍ퍼미에이션ㆍ크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.As the acrylic polymer (A), a conventionally known acrylic polymer can be used. The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic polymer (A) is preferably 10,000 to 2 million, and more preferably 100,000 to 1.5 million. When the Mw of the acrylic polymer (A) is too low, it may become difficult to adjust the values of the storage elastic modulus and the stress relaxation rate within the above range, and the adhesion between the adhesive layer and the substrate increases, resulting in defective pickup of chips. There is a thing. When the Mw of the acrylic polymer (A) is too high, the adhesive layer may not be able to follow due to unevenness of the adherend, which may cause voids or the like. Mw of the acrylic polymer (A) is a polystyrene conversion value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method.

아크릴 중합체(A)의 유리 전이 온도(Tg)는 －40∼50℃인 것이 바람직하고, －35∼45℃인 것이 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서의 접착제층이 소정의 저장 탄성률 및 응력 완화율을 나타내도록 하기 위해서는, 아크릴 중합체(A)의 Tg가 높은 것이 바람직하다. 아크릴 중합체(A)의 Tg가 지나치게 낮으면, 저장 탄성률 및 응력 완화율의 값을 상기의 범위로 조정하는 것이 곤란하게 되는 일이 있는 외에, 접착제층과 기재의 박리력이 커져서 칩의 픽업 불량이 일어나는 일이 있다. 아크릴 중합체(A)의 Tg가 지나치게 높으면, 웨이퍼를 고정하기 위한 접착력이 불충분하게 될 염려가 있다.The glass transition temperature (Tg) of the acrylic polymer (A) is preferably -40 to 50 ° C, more preferably -35 to 45 ° C. In order for the adhesive layer in the present invention to exhibit a predetermined storage modulus and stress relaxation rate, it is preferable that the acrylic polymer (A) has a high Tg. When the Tg of the acrylic polymer (A) is too low, it may become difficult to adjust the values of the storage elastic modulus and the stress relaxation rate within the above range, and the peeling force between the adhesive layer and the substrate becomes large, resulting in defective pickup of chips. There is something happening. If the Tg of the acrylic polymer (A) is too high, there is a fear that the adhesive force for fixing the wafer will be insufficient.

아크릴 중합체(A)를 구성하는 모노머로서는 예를 들면, (메타)아크릴산에스테르 및 그 유도체를 들 수 있다.As a monomer which comprises acrylic polymer (A), (meth) acrylic acid ester and its derivative (s) are mentioned, for example.

구체예로서는, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸 등의 알킬기의 탄소수가 1∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르;Specific examples include (meth) acrylic acid alkyl esters having 1 to 18 carbon atoms in alkyl groups such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate;

(메타)아크릴산시클로알킬에스테르, (메타)아크릴산벤질에스테르, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메타)아크릴레이트, 이미드(메타)아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메타)아크릴산에스테르;(Meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylate benzyl ester, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) ) (Meth) acrylic acid ester having a cyclic skeleton such as acrylate and imide (meth) acrylate;

히드록시메틸(메타)아크릴레이트, 2―히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2―히드록시프로필(메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르;Hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid esters such as hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate;

또, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Moreover, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, etc. are mentioned.

또, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 좋다.Moreover, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, etc. may be copolymerized.

이들은 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.These may be used alone or in combination of two or more.

아크릴 중합체(A)를 구성하는 단량체로서, 알킬기의 탄소수가 1∼18인 (메타)아크릴산알킬에스테르를 이용하는 경우에는, (메타)아크릴산알킬에스테르의 탄소수의 평균이 2∼6인 것이 바람직하다. 이것은 (메타)아크릴산알킬에스테르의 탄소수가 8 부근에 있어서, (메타)아크릴산알킬에스테르의 호모폴리머의 Tg는 최소로 되고, 전형적으로는 아크릴산2―에틸헥실의 호모폴리머의 Tg는 －70℃이다. 따라서, (메타)아크릴산알킬에스테르의 탄소수가 6을 넘는 경우에는, Tg를 상기의 바람직한 범위로 조정하는 것이 곤란하게 되는 일이 있다. 탄소수의 평균이 2보다도 작은 경우에는, 접착제층의 유연성이 상실되어, 피착체로의 접착성이 뒤떨어지는 일이 있다. 또, 탄소수의 평균이 8을 넘어서 큰 경우에는, Tg는 상승해 가지만, 측쇄가 결정화하는 경향이 있기 때문에 접착제층이 특이한 특성을 나타내게 되어, 저장 탄성률이나 응력 완화율의 제어가 곤란해지는 일이 있다.When the (meth) acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms in the alkyl group is used as the monomer constituting the acrylic polymer (A), the (meth) acrylic acid alkyl ester preferably has an average of 2 to 6 carbon atoms. This has a (meth) acrylic acid alkyl ester having about 8 carbon atoms, so the Tg of the homopolymer of the (meth) acrylic acid alkyl ester is minimal, and typically the Tg of the homopolymer of acrylic acid 2-ethylhexyl is -70 ° C. Therefore, when the carbon number of the (meth) acrylic acid alkyl ester exceeds 6, it may be difficult to adjust Tg to the above-mentioned preferred range. When the average number of carbon atoms is less than 2, the flexibility of the adhesive layer is lost, and adhesion to the adherend may be poor. Moreover, when the average number of carbon atoms is larger than 8, the Tg increases, but since the side chain tends to crystallize, the adhesive layer exhibits unique characteristics, and control of the storage modulus and stress relaxation rate may be difficult. .

또, 본 발명에 있어서의 아크릴 중합체(A)는 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기는 본 발명에 있어서의 접착제층을 구성하는 접착제 조성물에 바람직하게 첨가되는 가교제(J)의 반응성 관능기와 반응하여 3차원 망목 구조를 형성하고, 상기한 접착제층의 저장 탄성률이나 응력 완화율을 소정 범위로 조정하는 것이 용이해진다. 아크릴 중합체(A)의 반응성 관능기로서는, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기, 수산기 등을 들 수 있는데, 가교제(J)와 선택적으로 반응시키기 쉬운 것에서, 수산기인 것이 바람직하다. 반응성 관능기는 상기한 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르, 아크릴산 등의 반응성 관능기를 갖는 단량체를 이용하여 아크릴 중합체(A)를 구성하는 것으로 아크릴 중합체(A)에 도입할 수 있다.Moreover, it is preferable that the acrylic polymer (A) in this invention has a reactive functional group. The reactive functional group reacts with the reactive functional group of the crosslinking agent (J) which is preferably added to the adhesive composition constituting the adhesive layer in the present invention to form a three-dimensional network structure, and the storage elastic modulus or stress relaxation rate of the adhesive layer described above is reduced. It becomes easy to adjust to a predetermined range. Examples of the reactive functional group of the acrylic polymer (A) include a carboxyl group, an amino group, an epoxy group, and a hydroxyl group, and it is preferably a hydroxyl group because it is easily reacted with a crosslinking agent (J). The reactive functional group can be introduced into the acrylic polymer (A) by constituting the acrylic polymer (A) by using a monomer having a reactive functional group such as a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester or acrylic acid.

아크릴 중합체(A)는, 그 구성하는 전체 단량체 중, 반응성 관능기를 갖는 단량체를 5∼30질량％ 포함하는 것이 바람직하고, 10∼25질량％ 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 반응성 관능기를 갖는 단량체의 배합 비율을 이와 같은 범위로 하는 것으로 후술하는 가교제(J)에 의해 아크릴 중합체(A)가 효율적으로 가교되고, 상기한 접착제층의 저장 탄성률이나 응력 완화율을 소정 범위로 조정하는 것이 용이해진다. 또, 아크릴 중합체(A)의 반응성 관능기(예를 들면, 수산기) 당량은 가교제(J)의 반응성 관능기(예를 들면, 이소시아네이트기) 당량의 0. 17∼2. 0배인 것이 바람직하다. 아크릴 중합체(A)의 반응성 관능기 당량과, 가교제(J)의 반응성 관능기 당량의 관계를 상기 범위로 하는 것으로 상기한 접착제층의 저장 탄성률이나 응력 완화율을 소정 범위로 조정하는 것이 더욱 용이해진다.The acrylic polymer (A) preferably contains 5 to 30% by mass of the monomer having a reactive functional group, and more preferably 10 to 25% by mass of the monomers constituting the acrylic polymer (A). By setting the compounding ratio of the monomer having a reactive functional group to such a range, the acrylic polymer (A) is efficiently crosslinked by the crosslinking agent (J) described later, and the storage elastic modulus or stress relaxation rate of the adhesive layer described above is adjusted to a predetermined range. It becomes easy to do. In addition, the equivalent weight of the reactive functional group (for example, hydroxyl group) of the acrylic polymer (A) is from 0. 17 to 2 of the equivalent weight of the reactive functional group (for example, isocyanate group) of the crosslinking agent (J). It is preferably 0 times. By making the relationship between the reactive functional group equivalent of the acrylic polymer (A) and the reactive functional group equivalent of the crosslinking agent (J) within the above range, it becomes easier to adjust the storage elastic modulus or stress relaxation rate of the adhesive layer to a predetermined range.

아크릴 중합체(A)는 접착제 조성물 100질량부 중, 바람직하게는 10질량부 이상, 보다 바람직하게는 12. 5∼70질량부의 범위의 양으로 이용된다. 아크릴 중합체(A)의 비율을 상기 범위로 하는 것으로 접착제층의 물성(예를 들면, 저장 탄성률이나 응력 완화율)에 대하여 아크릴 중합체(A)가 미치는 영향이 상대적으로 커지고, 아크릴 중합체(A)를 구성하는 모노머의 변경에 의해 접착제층의 물성을 조정하는 것이 용이해진다. 아크릴 중합체(A)의 비율이 지나치게 많은 경우에는, 다른 성분의 배합의 자유도가 제한되어, 접착제 조성물의 물성을 조정하는 것이 곤란해진다.The acrylic polymer (A) is used in an amount in the range of 10.5 parts by mass or more, more preferably 12.5 to 70 parts by mass, in 100 parts by mass of the adhesive composition. By setting the proportion of the acrylic polymer (A) within the above range, the effect of the acrylic polymer (A) on the physical properties of the adhesive layer (for example, storage modulus or stress relaxation rate) becomes relatively large, and the acrylic polymer (A) It is easy to adjust the physical properties of the adhesive layer by changing the constituent monomers. When the proportion of the acrylic polymer (A) is too large, the degree of freedom of blending other components is limited, making it difficult to adjust the properties of the adhesive composition.

또, 측쇄에 에너지선 중합성 기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체(에너지선 중합성 기 함유 아크릴계 중합체)를 아크릴 중합체(A)로서 이용할 수도 있다. 에너지선 중합성 기 함유 아크릴계 중합체는 예를 들면, 관능기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 해당 관능기에 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 기를 1분자 중에 갖는 중합성 기 함유 화합물(에너지선 중합성 기 함유 화합물)을 반응시켜서 얻어진다.Further, a (meth) acrylic acid ester copolymer having an energy ray polymerizable group in the side chain (an acrylic polymer containing an energy ray polymerizable group) can also be used as the acrylic polymer (A). The energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer is, for example, a (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group, a polymerizable group-containing compound having a substituent reacting with the functional group and an energy ray polymerizable group in one molecule (energy ray polymerization) It is obtained by reacting a genital-containing compound).

관능기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체로서는, 상기 (메타)아크릴산에스테르 공중합체에서 열거한 관능기 모노머(예를 들면, 수산기 함유 (메타)아크릴산에스테르 등)를 구성 단위로서 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체가 이용된다.As the (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group, the (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group monomer (for example, a hydroxyl group-containing (meth) acrylic acid ester, etc.) listed in the (meth) acrylic acid ester copolymer as a structural unit Coalescence is used.

에너지선 중합성 기 함유 화합물로서는, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타―이소프로페닐―α, α―디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the energy-ray polymerizable group-containing compound include methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, and glycidyl (meth) acrylate. You can.

관능기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와 에너지선 중합성 기 함유 화합물의 반응은 통상, 초산에틸 등의 용액 중에서 디부틸주석라우레이트 등의 촉매를 이용하여 실온, 상압에서 24시간 교반하여 실시된다.
The reaction of the (meth) acrylic acid ester copolymer having a functional group with an energy ray polymerizable group-containing compound is usually carried out by stirring at room temperature and normal pressure for 24 hours using a catalyst such as dibutyltin laurate in a solution such as ethyl acetate. .

(B) 에폭시 수지(B) Epoxy resin

에폭시 수지(B)로서는, 종래 공지의 여러 가지 에폭시 수지를 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 복소환형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 축합환 방향족 탄화수소 변성 에폭시 수지나 이들의 할로겐화물 등의 구조 단위 중에 2개 이상의 관능기가 포함디는 에폭시 수지를 들 수 있다. 이들의 에폭시 수지는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.As the epoxy resin (B), various conventionally known epoxy resins can be used. As an epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin , A triphenolmethane type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a stilbene type epoxy resin, a condensed ring aromatic hydrocarbon-modified epoxy resin, or an epoxy resin containing two or more functional groups in structural units such as a halide thereof. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.

에폭시 수지(B)는 접착제 조성물 100질량부 중, 바람직하게는 3∼90질량부, 보다 바람직하게는 5∼87. 5질량부, 특히 바람직하게는 5∼50질량부의 범위의 양으로 이용된다. 에폭시 수지(B)의 비율이 3질량부 미만이면, 충분한 접착력을 갖는 접착제층이 얻어지지 않는 일이 있다. 또, 에폭시 수지(B)의 비율이 90질량부를 넘으면, 조막성이 없어져서 접착제층을 시트상으로 할 수 없어서 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 제조가 곤란해진다.The epoxy resin (B) is preferably 3 to 90 parts by mass, more preferably 5 to 87 parts by mass, in 100 parts by mass of the adhesive composition. It is used in an amount in the range of 5 parts by mass, particularly preferably 5 to 50 parts by mass. When the proportion of the epoxy resin (B) is less than 3 parts by mass, an adhesive layer having sufficient adhesive strength may not be obtained. Moreover, when the ratio of the epoxy resin (B) exceeds 90 parts by mass, the film forming property is lost, and the adhesive layer cannot be formed into a sheet, making manufacturing of a dicing die-bonding sheet difficult.

에폭시 수지(B)는 하기 골격을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the epoxy resin (B) has the following skeleton.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112012073451041-pat00001
Figure 112012073451041-pat00001

식 중, X는 동일해도, 달라 있어도 좋고, ―O―(에테르), ―COO―(에스테르), ―OCO―(에스테르), ―OCH(CH3)O―(아세탈)로부터 선택되는 2가의 기이며, 바람직하게는 ―O― 또는 ―OCH(CH3)O―이다.In the formula, X may be the same or different, and a divalent group selected from ―O― (ether), ―COO― (ester), ―OCO― (ester), ―OCH (CH 3 ) O― (acetal) It is, preferably, —O— or —OCH (CH 3 ) O—.

R은 동일해도, 달라 있어도 좋은 알킬렌, 폴리에테르 골격, 폴리부타디엔 골격, 폴리이소프렌 골격으로부터 선택되는 2가의 값이며, 알킬렌이나 폴리에테르 골격은 각각 측쇄를 갖고 있어도 좋고, 또, 시클로알칸 골격을 포함한 구조이어도 좋다. 2가의 기(R)는 바람직하게는 예를 들면, ―(CH2CH2)―(OCH2CH2)m―이나 ―(CH(CH3)CH2)―(OCH(CH3)CH2)m―의 구조식(m은 0∼5)을 갖는 알킬렌 또는 에테르 골격이며, 구체적으로는, 에틸렌이나 프로필렌의 알킬렌이나 에틸렌옥시에틸기, 디(에틸렌옥시)에틸기, 트리(에틸렌옥시)에틸기, 프로필렌옥시프로필기, 디(프로필렌옥시)프로필기, 트리(프로필렌옥시)프로필기 등, 폴리에테르 골격을 들 수 있다.
R is a divalent value selected from alkylene, polyether skeleton, polybutadiene skeleton, and polyisoprene skeleton which may be the same or different, and the alkylene or polyether skeleton may each have a side chain, and also the cycloalkane skeleton The included structure may also be used. The divalent group R is preferably, for example, — (CH 2 CH 2 ) — (OCH 2 CH 2 ) m — or — (CH (CH 3 ) CH 2 ) — (OCH (CH 3 ) CH 2 ) m − is an alkylene or ether skeleton having the structural formula (m is 0 to 5), specifically, alkylene or ethyleneoxyethyl groups of ethylene or propylene, di (ethyleneoxy) ethyl groups, tri (ethyleneoxy) ethyl groups, And polyether skeletons such as propyleneoxypropyl group, di (propyleneoxy) propyl group, and tri (propyleneoxy) propyl group.

다른 성분Other ingredients

다른 성분으로서는, 하기 성분을 들 수 있다.
The following components are mentioned as another component.

(C) 열경화제(C) Heat curing agent

열경화제(C)는 에폭시 수지(B)에 대한 경화제로서 기능한다. 열경화제(C)로서는, 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있고, 그 관능기로서는, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복실기, 산무수물기 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 페놀성 수산기, 아미노기 및 산무수물기가 바람직하고, 페놀성 수산기 및 아미노기가 보다 바람직하다. 아미노기를 갖는 열경화제(아민계 열경화제)를 함유하는 접착제층은 피착체가 금속인 경우, 피착체와의 접착 계면에 약한 피막을 만들기 때문에 습열 조건 투입 후의 접착제층의 접착성의 저하가 크지만, 페놀성 수산기를 갖는 열경화제(페놀계 열경화제)를 함유하는 접착제층은 내습열성이 높기 때문에 습열 조건 투입 후의 접착제층의 접착성의 저하가 작다. 그 때문에, 열경화제(C)로서는, 에폭시기와 반응할 수 있는 페놀성 수산기를 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 특히 바람직하다.The thermosetting agent (C) functions as a curing agent for the epoxy resin (B). Examples of the thermosetting agent (C) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in the molecule, and examples of the functional group include phenolic hydroxyl groups, alcoholic hydroxyl groups, amino groups, carboxyl groups, and acid anhydride groups. . Among these, phenolic hydroxyl groups, amino groups and acid anhydride groups are preferred, and phenolic hydroxyl groups and amino groups are more preferred. The adhesive layer containing an amino group-containing thermosetting agent (amine-based thermosetting agent), when the adherend is a metal, makes a weak film at the adhesion interface with the adherend. Since the adhesive layer containing a thermosetting agent (phenolic thermosetting agent) having an acidic hydroxyl group has high moisture and heat resistance, a decrease in adhesiveness of the adhesive layer after moist heat conditions is low is small. Therefore, as the thermosetting agent (C), a compound having two or more phenolic hydroxyl groups capable of reacting with an epoxy group in the molecule is particularly preferable.

열경화제(C)의 구체예로서는, 다관능계 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 트리페놀메탄형 페놀 수지, 아랄킬페놀 수지 등의 페놀성 열경화제; DICY(디시안디아미드) 등의 아민계 열경화제를 들 수 있다. 열경화제(C)는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Specific examples of the heat curing agent (C) include phenolic heat curing agents such as polyfunctional phenol resins, biphenols, novolac type phenol resins, dicyclopentadiene type phenol resins, triphenolmethane type phenol resins, and aralkylphenol resins; And amine-based thermosetting agents such as DICY (dicyandiamide). The thermosetting agent (C) may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에 있어서의 접착제 조성물에 있어서, 열경화제(C)의 함유량은 에폭시 수지(B) 100중량부에 대하여 통상은 0. 1∼500질량부, 바람직하게는 1∼200질량부이다. 열경화제(C)의 함유량이 상기 범위를 밑돌면, 접착제 조성물의 경화성이 부족하여 충분한 접착력을 갖는 접착제층이 얻어지지 않는 일이 있다. 열경화제(C)의 함유량이 상기 범위를 웃돌면, 접착제 조성물의 흡습률이 높아져서 반도체 패키지의 신뢰성이 저하하는 일이 있다.
In the adhesive composition in the present invention, the content of the thermosetting agent (C) is usually 0.1 to 500 parts by mass, preferably 1 to 200 parts by mass relative to 100 parts by weight of the epoxy resin (B). When the content of the thermosetting agent (C) is less than the above range, the adhesive composition having sufficient adhesive strength may not be obtained due to insufficient curability of the adhesive composition. When the content of the thermosetting agent (C) exceeds the above range, the moisture absorption rate of the adhesive composition increases, and the reliability of the semiconductor package may decrease.

(D) 경화 촉진제(D) curing accelerator

경화 촉진제(D)는 접착제 조성물의 경화 속도를 조정하기 위해 이용된다. 경화 촉진제로서는, 바람직하게는 에폭시기와 페놀성 수산기나 아민 등과의 반응을 촉진할 수 있는 화합물이다. 이 화합물로서는 구체적으로는, 3급 아민류, 이미다졸류, 유기 포스핀류, 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.The curing accelerator (D) is used to adjust the curing rate of the adhesive composition. The curing accelerator is preferably a compound capable of promoting the reaction of an epoxy group with a phenolic hydroxyl group or an amine. Specific examples of the compound include tertiary amines, imidazoles, organic phosphines, and tetraphenyl boron salts.

3급 아민류로서는, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등을 들 수 있다.Examples of tertiary amines include triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris (dimethylaminomethyl) phenol.

이미다졸류로서는, 2―메틸이미다졸, 2―페닐이미다졸, 2―페닐―4―메틸이미다졸, 2―페닐―4―메틸―5―히드록시메틸이미다졸, 2―페닐―4, 5―히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.As imidazoles, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4, methylimidazole, 2-phenyl-4, methyl-5, hydroxymethylimidazole, 2-phenyl -4, 5-hydroxymethyl imidazole, etc. are mentioned.

유기 포스핀류로서는, 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다.Examples of organic phosphines include tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine.

테트라페닐보론염으로서는, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등을 들 수 있다.Examples of the tetraphenyl boron salt include tetraphenyl phosphonium tetraphenyl borate and triphenylphosphine tetraphenyl borate.

또한, 본 발명에 있어서의 접착제 조성물에 포함되는 경화 촉진제(D)는 1종 단독이어도 좋고, 2종 이상의 조합이어도 좋다.Moreover, the hardening accelerator (D) contained in the adhesive composition in this invention may be used alone or in combination of two or more.

경화 촉진제(D)는 에폭시 수지(B)와 열경화제(C)의 합계 100질량부에 대하여 바람직하게는 0. 1∼1. 0질량부 포함된다. 경화 촉진제(D)의 함유량을 상기 범위로 하는 것으로 고온 고습도 하에 드러내어져도 접착제층이 안정된 접착성을 갖고, 엄격한 리플로 조건에 드러내어진 경우이어도 높은 패키지 신뢰성을 달성할 수 있다. 경화 촉진제(D)의 함유량이 0. 1질량부 미만에서는 접착제층이 충분한 경화성을 얻을 수 없어서 접착제층이 접착성을 발휘하지 않는 일이 있다. 또, 경화 촉진제(D)의 함유량이 1. 0질량부를 넘으면, 접착제층은 높은 접착성을 발휘할 수 있지만, 높은 극성을 갖는 경화 촉진제가 고온 고습 하에서 접착제층 중을 접착 계면측으로 이동하여 편석함으로써 패키지 신뢰성을 저하시키는 일이 있다.
The curing accelerator (D) is preferably from 0.1 to 1 with respect to 100 parts by mass of the total amount of the epoxy resin (B) and the heat curing agent (C). 0 parts by mass is included. By setting the content of the curing accelerator (D) within the above range, even when exposed to high temperature and high humidity, the adhesive layer has stable adhesiveness and high package reliability can be achieved even when exposed to strict reflow conditions. When the content of the curing accelerator (D) is less than 0.1 part by mass, the adhesive layer may not obtain sufficient curability, and the adhesive layer may not exhibit adhesive properties. Moreover, when the content of the curing accelerator (D) exceeds 1.0 mass parts, the adhesive layer can exhibit high adhesiveness, but the curing accelerator having a high polarity is packaged by moving and segregating the adhesive layer in the adhesive interface side under high temperature and high humidity. Reliability may be reduced.

(E) 커플링제(E) Coupling agent

본 발명에 있어서, 접착제 조성물의 피착체에 대한 접착력 및 밀착력을 향상시키기 위해, 커플링제(E)를 이용해도 좋다. 커플링제(E)를 사용하는 것으로 접착제 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 내열성을 손상시키지 않고, 그 내수성을 향상시킬 수 있다.In the present invention, a coupling agent (E) may be used in order to improve the adhesive strength and adhesion of the adhesive composition to the adherend. By using the coupling agent (E), the water resistance can be improved without impairing the heat resistance of the cured product obtained by curing the adhesive composition.

커플링제(E)로서는, 아크릴 중합체(A)나 에폭시 수지(B) 등이 갖는 관능기와 반응하는 기를 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 커플링제(E)로서는, 실란 커플링제가 바람직하다.As the coupling agent (E), a compound having a group that reacts with a functional group possessed by an acrylic polymer (A), an epoxy resin (B), or the like is preferably used. As the coupling agent (E), a silane coupling agent is preferable.

실란 커플링제로서는, γ―글리시독시프로필트리메톡시실란, γ―글리시독시프로필메틸디에톡시실란, β―(3, 4―에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ―(메타크릴로프로필)트리메톡시실란, γ―아미노프로필트리메톡시실란, N―6―(아미노에틸)―γ―아미노프로필트리메톡시실란, N―6―(아미노에틸)―γ―아미노프로필메틸디에톡시실란, N―페닐―γ―아미노프로필트리메톡시실란, γ―우레이도프로필트리에톡시실란, γ―메르캅토프로필트리메톡시실란, γ―메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 비스(3―트리에톡시시릴프로필)테트라설판, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 이미다졸실란 등을 들 수 있다. 실란 커플링제는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the silane coupling agent include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, β- (3, 4-epoxycyclohexyl) ethyl trimethoxysilane, and γ- (methacrylo. Propyl) trimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldiethoxy Silane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis (3-tri Ethoxysilylpropyl) tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, imidazole silane, and the like. The silane coupling agent may be used alone or in combination of two or more.

커플링제(E)의 함유량은 아크릴 중합체(A) 및 에폭시 수지(B)의 합계 100질량부에 대하여 통상은 0. 1∼20질량부, 바람직하게는 0. 2∼10질량부, 보다 바람직하게는 0. 3∼5질량부이다. 커플링제(E)의 함유량이 0. 1질량부 미만이면, 상기 효과가 얻어지지 않는 일이 있으며, 20질량부를 넘으면 아웃 가스의 원인으로 되는 일이 있다.
The content of the coupling agent (E) is usually 0.1 to 20 parts by mass, preferably 0.2 to 10 parts by mass, more preferably 100 parts by mass of the acrylic polymer (A) and the epoxy resin (B) in total. Is 0.3 to 5 parts by mass. When the content of the coupling agent (E) is less than 0.1 parts by mass, the above effect may not be obtained, and when it exceeds 20 parts by mass, it may cause outgas.

(F) 무기 충전재(F) inorganic filler

본 발명에 있어서, 접착제 조성물은 무기 충전재(F)가 배합되어 있어도 좋다. 무기 충전재(F)를 접착제 조성물에 배합함으로써 해당 조성물의 열팽창 계수를 조정하는 것이 가능하게 된다. 반도체 칩, 리드 프레임 및 유기 기판에 대하여 경화 후의 접착제층의 열팽창 계수를 최적화하는 것으로 패키지 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. 또, 접착제층의 경화 후의 흡습률을 보다 저감하는 것도 가능하게 된다.In the present invention, the inorganic filler (F) may be blended in the adhesive composition. By blending the inorganic filler (F) with the adhesive composition, it is possible to adjust the thermal expansion coefficient of the composition. Package reliability can be further improved by optimizing the coefficient of thermal expansion of the adhesive layer after curing for semiconductor chips, lead frames, and organic substrates. Moreover, it is also possible to further reduce the moisture absorption rate after curing of the adhesive layer.

무기 충전재(F)로서는, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말, 이들을 구형화한 비드, 단결정 섬유, 유리 섬유 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카 필러 및 알루미나 필러가 바람직하다. 무기 충전재(F)는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Examples of the inorganic filler (F) include powders such as silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, and boron nitride, beads spheroidizing them, single crystal fibers, and glass fibers. Of these, silica fillers and alumina fillers are preferred. The inorganic filler (F) may be used alone or in combination of two or more.

본 발명에 있어서의 접착제 조성물에 있어서, 무기 충전재(F)의 함유량은 접착제층을 구성하는 접착제 조성물 100질량부 중, 통상은 0∼80질량부이다. 무기 충전재(F)의 함유량이 이와 같은 범위에 있으면, 접착제층의 경화 후의 흡습을 더욱 저감시킬 수 있고, 또한, 접착제층에 있어서의 무기 충전재의 비율이 과도하게 커지지 않아서 접착성을 손상시키는 일이 적다.
In the adhesive composition in the present invention, the content of the inorganic filler (F) is usually 0 to 80 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer. When the content of the inorganic filler (F) is within such a range, moisture absorption after curing of the adhesive layer can be further reduced, and the proportion of the inorganic filler in the adhesive layer is not excessively increased, thereby impairing adhesion. little.

(G) 열가소성 수지(G) Thermoplastic resin

접착제 조성물에는 열가소성 수지(G)를 이용해도 좋다. 열가소성 수지(G) 는 경화 후의 접착제층의 가요성을 유지하기 위해 배합된다. 열가소성 수지(G)로서는, 중량 평균 분자량이 1000∼10만의 것이 바람직하고, 3000∼8만의 것이 더욱 바람직하다. 상기 범위의 열가소성 수지(G)를 함유함으로써 반도체 칩의 픽업 공정에 있어서의 기재와 접착제층의 층간 박리를 용이하게 실시할 수 있고, 또한, 기판의 요철로 접착제층이 추종하여 보이드 등의 발생을 억제할 수 있다.A thermoplastic resin (G) may be used for the adhesive composition. The thermoplastic resin (G) is blended to maintain the flexibility of the adhesive layer after curing. The thermoplastic resin (G) preferably has a weight average molecular weight of 10 to 100,000, and more preferably 3000 to 80,000. By containing the thermoplastic resin (G) in the above range, it is possible to easily perform interlayer peeling of the base material and the adhesive layer in the semiconductor chip pick-up process, and also, the adhesive layer follows the unevenness of the substrate to generate voids and the like. Can be suppressed.

열가소성 수지(G)의 유리 전이 온도는 바람직하게는 －30∼150℃, 더욱 바람직하게는 －20∼120℃의 범위에 있다. 열가소성 수지(G)의 유리 전이 온도를 상기 범위로 하는 것으로 80℃에 있어서의 접착제층의 저장 탄성률 및 응력 완화율을 상기의 바람직한 범위로 조정하는 것이 용이해진다. 열가소성 수지(G)의 유리 전이 온도가 지나치게 낮으면 접착제층과 기재의 박리력이 커져서 칩의 픽업 불량이 일어나는 일이 있으며, 지나치게 높으면 웨이퍼를 고정하기 위한 접착력이 불충분하게 될 염려가 있다.The glass transition temperature of the thermoplastic resin (G) is preferably in the range of -30 to 150 ° C, more preferably -20 to 120 ° C. By setting the glass transition temperature of the thermoplastic resin (G) in the above range, it becomes easy to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate of the adhesive layer at 80 ° C to the above-mentioned preferred range. If the glass transition temperature of the thermoplastic resin (G) is too low, the peeling force between the adhesive layer and the substrate increases, which may result in defective pickup of chips. If the temperature is too high, there is a concern that the adhesive strength for fixing the wafer becomes insufficient.

열가소성 수지(G)로서는 예를 들면, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐알코올 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아미드 수지, 셀룰로오스, 폴리에틸렌, 폴리이소부티렌, 폴리비닐에테르, 폴리이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리메틸메타크릴레이트, 스티렌―이소프렌―스티렌 블록 공중합체, 스티렌―부타디엔―스티렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.As the thermoplastic resin (G), for example, polyester resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl butyral, polyvinyl chloride, polystyrene, polyamide resin, cellulose, polyethylene, polyisobutene, polyvinyl ether, polyimide resin , Phenoxy resin, polymethyl methacrylate, styrene-isoprene-styrene block copolymer, styrene-butadiene-styrene block copolymer, and the like. These can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

열가소성 수지(G)는 실온보다도 높은 온도에서의 접착제층의 저장 탄성률을 저하시키거나, 응력 완화를 증가시키기 때문에 접착제층 중의 배합량을 일정량 이하로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 접착제층을 구성하는 접착제 조성물 100질량부 중, 바람직하게는 0∼35질량부, 보다 바람직하게는 1∼25질량부이다.
Since the thermoplastic resin (G) lowers the storage elastic modulus of the adhesive layer at a temperature higher than room temperature or increases stress relaxation, it is preferable to make the blending amount in the adhesive layer below a certain amount. Specifically, in 100 parts by mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer, it is preferably 0 to 35 parts by mass, more preferably 1 to 25 parts by mass.

(H) 에너지선 중합성 화합물(H) Energy ray polymerizable compound

본 발명에 있어서의 접착제 조성물은 에너지선 중합성 화합물(H)을 함유해도 좋다. 에너지선 중합성 화합물(H)을 에너지선 조사에 의하여 중합시키는 것으로 접착제층의 접착력을 저하시킬 수 있다. 이 때문에, 반도체 칩의 픽업 공정에 있어서, 기재와 접착제층의 층간 박리를 용이하게 실시할 수 있게 된다.The adhesive composition in the present invention may contain an energy ray polymerizable compound (H). The adhesion of the adhesive layer can be reduced by polymerizing the energy ray polymerizable compound (H) by energy ray irradiation. For this reason, in the pick-up process of a semiconductor chip, it is possible to easily perform interlayer peeling of the base material and the adhesive layer.

에너지선 중합성 화합물(H)은 자외선이나 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합ㆍ경화하는 화합물이다. 에너지선 중합성 화합물(H)로서는, 분자 내에 하나 이상의 에너지선 중합성 이중 결합을 갖는 화합물, 예를 들면, 아크릴레이트계 화합물을 들 수 있다.The energy ray polymerizable compound (H) is a compound that polymerizes and cures upon irradiation with energy rays such as ultraviolet rays or electron beams. Examples of the energy ray polymerizable compound (H) include compounds having at least one energy ray polymerizable double bond in a molecule, for example, an acrylate-based compound.

아크릴레이트계 화합물로서는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1, 4―부티렌글리콜디아크릴레이트, 1, 6―헥산디올디아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등을 들 수 있다.Examples of the acrylate-based compound include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and 1, 4-butylene glycol di Acrylate, 1, 6-hexanediol diacrylate, dicyclopentadiene dimethoxy diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy modified acrylate, polyether acrylate, ita And cone acid oligomers.

에너지선 중합성 화합물(H)의 분자량(올리고머 또는 폴리머의 경우에는 중량 평균 분자량)은 통상은 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다. 본 발명에 있어서의 접착제 조성물에 있어서, 에너지선 중합성 화합물(H)의 함유량은 접착제층을 구성하는 접착제 조성물 100질량부 중, 통상 0∼40질량부, 바람직하게는 1∼30질량부, 보다 바람직하게는 3∼20질량부이다. 에너지선 중합성 화합물(H)의 함유량이 상기 범위를 웃돌면, 유기 기판이나 리드 프레임 등에 대한 접착제층의 접착력이 저하하는 일이 있다.The molecular weight of the energy ray polymerizable compound (H) (in the case of oligomers or polymers, the weight-average molecular weight) is usually 100 to 30000, preferably about 300 to 10000. In the adhesive composition in the present invention, the content of the energy ray polymerizable compound (H) is usually 0 to 40 parts by mass, preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 100 parts by mass, among 100 parts by mass of the adhesive composition constituting the adhesive layer It is preferably 3 to 20 parts by mass. When the content of the energy ray polymerizable compound (H) exceeds the above range, the adhesive strength of the adhesive layer to the organic substrate, lead frame, or the like may decrease.

본 발명에 있어서의 접착제 조성물이 에너지선 중합성 화합물(H)이나 상기의 에너지선 중합성 기 함유 아크릴계 중합체를 함유하는 경우, 상기의 80℃에 있어서의 저장 탄성률, 80℃ 환경하의 20％ 비틀림 응력 부가의 120초 후에 있어서의 응력 완화율 및 80℃에 있어서의 tanδ는, 접착제 조성물에 다이싱 전에 에너지선 조사를 실시하는 것을 예정하고 있는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화를 실시한 후에 측정한 것을 가리키고, 다이싱 후에 에너지선 조사를 실시하는 것을 예정하고 있는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화를 실시하기 전에 측정한 것을 가리킨다. 이들의 특성은 다이싱 시의 기재 변형에 기인한 접착제층의 수축에 영향되는 것이기 때문에 다이싱 시 기준으로 논해져야 하기 때문이다. 본 발명에 있어서의 접착제 조성물에서는 에너지선 중합성 화합물(H)이나 에너지선 중합성 기 함유 아크릴계 중합체의 함유 여부에 불구하고, 상기한 바와 같은 특성을 구비하는 한, 접착제층의 수축이 방지된다는 작용 효과를 얻을 수 있다.
When the adhesive composition in the present invention contains an energy ray polymerizable compound (H) or the above-mentioned energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer, the storage elastic modulus at 80 ° C above, 20% torsional stress under an 80 ° C environment The stress relaxation rate at 120 seconds after addition and tanδ at 80 ° C. were measured after curing by energy ray irradiation when it was planned to perform energy ray irradiation before dicing the adhesive composition. In addition, when it is planned to perform energy ray irradiation after dicing, it refers to the thing measured before hardening by energy ray irradiation. This is because these properties are influenced by shrinkage of the adhesive layer due to deformation of the substrate during dicing, and thus should be discussed as a reference when dicing. In the adhesive composition according to the present invention, despite the presence of the energy ray polymerizable compound (H) or energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer, the function of preventing shrinkage of the adhesive layer as long as it has the above properties You can get the effect.

(I) 광중합 개시제(I) Photopolymerization initiator

본 발명에 있어서의 접착제 조성물의 사용 시에 상기 에너지선 중합성 화합물(H)을 사용하는 경우, 자외선 등의 에너지선을 조사하여 접착제층의 접착력을 저하시켜도 좋다. 접착제 조성물 중에 광중합 개시제(I)를 함유시키는 것으로 중합ㆍ경화 시간 및 광선 조사량을 적게 할 수 있다.When using the energy ray polymerizable compound (H) when using the adhesive composition in the present invention, the adhesive force of the adhesive layer may be lowered by irradiating energy rays such as ultraviolet rays. By containing the photopolymerization initiator (I) in the adhesive composition, the polymerization and curing time and the amount of light irradiation can be reduced.

광중합 개시제(I)로서는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인안식향산, 벤조인안식향산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2, 4―디에틸티옥산톤, α―히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, 1, 2―디페닐메탄, 2, 4, 6―트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, β―크롤안트라퀴논 등을 들 수 있다. 광중합 개시제(I)는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.As the photopolymerization initiator (I), benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin benzoate methyl, benzoin dimethyl Ketal, 2,4-diethyl thioxanthone, α-hydroxycyclohexylphenylketone, benzyldiphenylsulfide, tetramethylthiurammonosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, 1, And 2-diphenylmethane, 2, 4, and 6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and β-chloroanthraquinone. The photopolymerization initiator (I) may be used alone or in combination of two or more.

광중합 개시제(I)의 함유량은 이론적으로는 접착제층 중에 존재하는 불포화 결합량이나 그 반응성 및 사용되는 광중합 개시제의 반응성에 기초하여 결정되어야 하는데, 복잡한 혼합물계에 있어서는 반드시 용이하지는 않다. 일반적인 지침으로서, 광중합 개시제(I)의 함유량은 에너지선 중합성 화합물(H) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0. 1∼10질량부, 보다 바람직하게는 1∼5질량부이다. 광중합 개시제(I)의 함유량이 상기 범위를 밑돌면, 광중합의 부족으로 만족한 픽업성이 얻어지지 않는 일이 있으며, 상기 범위를 웃돌면, 광중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 접착제 조성물의 경화성이 불충분하게 되는 일이 있다.
The content of the photopolymerization initiator (I) should theoretically be determined based on the amount of unsaturated bonds present in the adhesive layer or its reactivity and the reactivity of the photopolymerization initiator used, but it is not necessarily easy for a complex mixture system. As a general guideline, the content of the photopolymerization initiator (I) is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 1 to 5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the energy ray polymerizable compound (H). If the content of the photopolymerization initiator (I) is below the above range, satisfactory pick-up properties may not be obtained due to the lack of photopolymerization, and if it exceeds the above range, a residue that does not contribute to the photopolymerization is generated, and the curability of the adhesive composition There may be insufficient.

(J) 가교제(J) Crosslinking agent

본 발명에 있어서의 접착제층은, 그 저장 탄성률 및 응력 완화율을 조절하기 위해, 가교제(J)를 첨가하는 것이 바람직하다. 가교제(J)로서는, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다.In order to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate of the adhesive layer in this invention, it is preferable to add a crosslinking agent (J). As a crosslinking agent (J), an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, etc. are mentioned.

유기 다가 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들의 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 3량체 및 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜서 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄프리폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the organic polyvalent isocyanate compound include aromatic polyvalent isocyanate compounds, aliphatic polyvalent isocyanate compounds, alicyclic polyvalent isocyanate compounds, and trimers of these organic polyvalent isocyanate compounds, and terminal isocyanate urethane prepolymers obtained by reacting these organic polyvalent isocyanate compounds with polyol compounds. Can be lifted.

유기 다가 이소시아네이트 화합물의 더욱 구체적인 예로서는, 2, 4―트릴렌디이소시아네이트, 2, 6―트릴렌디이소시아네이트, 1, 3―크실렌디이소시아네이트, 1, 4―크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄―4, 4’―디이소시네이트, 디페닐메탄―2, 4’―디이소시아네이트, 3―메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄―4, 4’―디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄―2, 4’―디이소시아네이트, 트리메틸올프로판어덕트트릴렌디이소시아네이트 및 리신이소시아네이트를 들 수 있다.More specific examples of the organic polyvalent isocyanate compound include 2, 4-triylene diisocyanate, 2, 6-triylene diisocyanate, 1, 3-xylene diisocyanate, 1, 4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4, 4'- Diisocyanate, diphenylmethane-2, 4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4, 4'-diisocyanate, dicyclo And hexylmethane-2, 4'-diisocyanate, trimethylolpropane adductylene diisocyanate, and lysine isocyanate.

유기 다가 이민 화합물의 구체적인 예로서는, N, N’―디페닐메탄―4, 4’―비스(1―아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판―트리―β―아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄―트리―β―아지리디닐프로피오네이트 및 N, N’―톨루엔―2, 4―비스(1―아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.Specific examples of the organic polyimine compound include N, N'-diphenylmethane-4, 4'-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinyl propionate, tetramethylol And methane-tri-β-aziridinyl propionate and N, N'-toluene-2, 4-bis (1-aziridinecarboxamide) triethylene melamine.

가교제(J)는 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여, 바람직하게는 1∼40질량부, 보다 바람직하게는 8∼35질량부, 특히 바람직하게는 12∼30질량부의 비율로 이용된다. 가교제(J)의 배합량을 상기 범위로 하는 것으로 접착제층의 저장 탄성률 및 응력 완화율을 상기 바람직한 범위로 조정하는 것이 용이하게 된다.The crosslinking agent (J) is preferably used in a proportion of 1 to 40 parts by mass, more preferably 8 to 35 parts by mass, particularly preferably 12 to 30 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). By setting the compounding amount of the crosslinking agent (J) in the above range, it becomes easy to adjust the storage elastic modulus and stress relaxation rate of the adhesive layer to the above preferred range.

또한, 가교제(J)의 배합량과 아크릴 중합체(A)의 배합량의 관계에 대하여, 아크릴 중합체(A)는 접착제 조성물 100질량부 중, 35질량부보다 많이 포함되고, 또한, 가교제(J)는 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 5질량부 이상 20질량부 미만 포함되는 것이 바람직하다. 또, 아크릴 중합체(A)는 접착제 조성물 100질량부 중, 10∼35질량부 포함되고, 또한, 가교제(J)는 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 20∼35질량부 포함되는 것이 바람직하다. 가교제(J)의 배합량과 아크릴 중합체(A)의 배합량의 관계를 상기 범위로 하는 것으로 아크릴 중합체(A)의 배합량에 불구하고, 접착제층의 저장 탄성률과 응력 완화율을 상기의 바람직한 범위로 조정하는 것이 용이해진다.In addition, with respect to the relationship between the blending amount of the crosslinking agent (J) and the blending amount of the acrylic polymer (A), the acrylic polymer (A) is contained more than 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent (J) is acrylic It is preferable that 5 mass parts or more and less than 20 mass parts are contained with respect to 100 mass parts of polymer (A). Moreover, it is preferable that the acrylic polymer (A) contains 10 to 35 parts by mass in 100 parts by mass of the adhesive composition, and the crosslinking agent (J) preferably contains 20 to 35 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). . The relationship between the blending amount of the crosslinking agent (J) and the blending amount of the acrylic polymer (A) is within the above range, and despite the blending amount of the acrylic polymer (A), the storage elastic modulus and stress relaxation rate of the adhesive layer are adjusted to the above preferred range. It becomes easy.

다른 성분으로서, 이 밖에 염료, 안료, 악화 방지제, 대전 방지제, 난연제, 실리콘 화합물, 연쇄 이동제, 게터링제 등을 첨가해도 좋다.
As other components, dyes, pigments, deterioration inhibitors, antistatic agents, flame retardants, silicone compounds, chain transfer agents, gettering agents, etc. may be added.

(다이싱ㆍ다이 본딩 시트)(Dicing die bonding sheet)

본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 상기의 각 성분으로 이루어지는 접착제 조성물을 이용하여 기재 상에 접착제층을 적층해서 제조된다. 접착제 조성물은 감압 접착성과 가열 경화성을 갖고, 미경화 상태에서는 각종 피착체를 일시적으로 유지하는 기능을 갖는다. 그리고 열경화를 거쳐서 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물을 줄 수 있고, 접착 강도에도 뛰어나며, 엄격한 고온도 고습도 조건 하에서도 충분한 접착성을 유지할 수 있다. 접착제 조성물은 상기의 각 성분을 적절한 비율로 혼합하여 얻어진다. 혼합 시에는 각 성분을 미리 용매로 희석해 두어도 좋고, 또, 혼합 시에 용매에 첨가해도 좋다.The dicing die-bonding sheet according to the present invention is produced by laminating an adhesive layer on a substrate using an adhesive composition composed of the above-described respective components. The adhesive composition has a pressure-sensitive adhesive property and heat-curable property, and has a function of temporarily holding various adherends in an uncured state. And through heat curing, it is possible to finally give a cured product having high impact resistance, excellent adhesion strength, and maintain sufficient adhesion even under strict high temperature and high humidity conditions. The adhesive composition is obtained by mixing each of the above components in an appropriate ratio. When mixing, each component may be diluted with a solvent in advance, or may be added to the solvent during mixing.

본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 상기 접착제 조성물로 이루어지는 접착제층을 기재 상에 박리 가능하게 형성하여 이루어진다. 본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 형상은 테이프상, 기재 상에 있어서 접착제층을 피착체에 접착 하는 데 적합한 형상으로 미리 재단하여 지지시킨 형상 등의 모든 형상을 취할 수 있다. 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 상기한 특정한 물성을 갖는 접착제층을 이용하여 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 제작하면, 후술하는 기재의 종류에 의하지 않고, 다이싱 공정에 있어서의 기재의 변형에 기인한 접착제층의 수축을 억제할 수 있는 것을 발견했다.The dicing die-bonding sheet according to the present invention is formed by forming an adhesive layer made of the adhesive composition on the substrate so as to be peelable. The shape of the dicing die-bonding sheet according to the present invention can be any shape such as a shape previously cut and supported in a shape suitable for bonding an adhesive layer to an adherend on a tape or a substrate. As a result of careful investigation by the present inventors, when a dicing die-bonding sheet was produced using the adhesive layer having the above-described specific physical properties, the type of substrate described later was caused by deformation of the substrate in the dicing step. It has been found that shrinkage of the adhesive layer can be suppressed.

다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 기재로서는 예를 들면, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부티렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌초산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌ㆍ(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌ㆍ(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소수지 필름 등의 필름이 이용된다. 또, 이들의 가교 필름도 이용된다. 또한, 이들의 적층 필름이어도 좋다. 또, 이들을 착색한 필름 등을 이용할 수 있다. 본 발명에 이용하는 기재로서는, 폴리에틸렌 필름, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 기재가 바람직하다.As the base material of the dicing die bonding sheet, for example, polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene Naphthalate film, polybutyrene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene ㆍ (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene ㆍ (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film , Polycarbonate films, polyimide films, films such as fluororesin films are used. Moreover, these crosslinked films are also used. Moreover, these laminated films may be sufficient. Moreover, the film etc. which colored these can be used. As the base material used in the present invention, a base material containing at least one member selected from the group consisting of polyethylene films, ethylene / methacrylic acid copolymer films and polypropylene films is preferable.

본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 각종 피착체에 부착되고, 피착체에 소요되는 가공을 실시한 후, 접착제층은 피착체에 고착 잔존시켜서 기재로부터 박리된다. 즉, 접착제층을 기재로부터 피착체에 전사하는 공정을 포함하는 프로세스에 사용된다. 이 때문에, 기재의 접착제층에 접하는 면의 표면 장력은 바람직하게는 40mN／m 이하, 더욱 바람직하게는 37mN／m 이하, 특히 바람직하게는 35mN／m 이하이다. 하한값은 통상 25mN／m 정도이다. 이와 같은 표면 장력이 낮은 기재는 재질을 적절히 선택하여 얻는 것이 가능하고, 또, 기재의 표면에 박리제를 도포하여 박리 처리를 실시하는 것으로 얻을 수도 있다.The dicing die-bonding sheet according to the present invention adheres to various adherends, and after processing required for the adherends, the adhesive layer remains adhered to the adherends and peels off the substrate. That is, it is used for the process including the process of transferring an adhesive layer from a base material to an adherend. For this reason, the surface tension of the surface in contact with the adhesive layer of the base material is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, particularly preferably 35 mN / m or less. The lower limit is usually about 25 mN / m. Such a base material having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting a material, and can also be obtained by applying a peeling agent to the surface of the base material to perform a peeling treatment.

기재의 박리 처리에 이용되는 박리제로서는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 이용되는데, 특히, 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 갖기 때문에 바람직하다.As the release agent used for the release treatment of the substrate, an alkyd-based, silicone-based, fluorine-based, unsaturated polyester-based, polyolefin-based, wax-based, or the like is used, and is particularly preferred because the alkyd-based, silicone-based, and fluorine-based release agents have heat resistance.

상기의 박리제를 이용하여 기재의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀젼화하여 그라비아 코팅, 메이어 바 코팅, 에어나이프 코팅, 롤 코팅 등에 의해 도포하여 상온 또는 가열 또는 전자선 경화시키거나, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등으로 적층체를 형성하면 좋다.In order to peel the surface of the substrate using the above-mentioned release agent, the release agent is used as a solvent-free or solvent-diluted or emulsified to be applied by gravure coating, Meyer bar coating, air knife coating, roll coating, etc. at room temperature or heating or electron beam. It may be cured, or a laminate may be formed by wet lamination, dry lamination, hot melt lamination, melt extrusion lamination, coextrusion or the like.

기재의 두께는 통상은 10∼500㎛, 바람직하게는 15∼300㎛, 특히 바람직하게는 20∼250㎛ 정도이다. 또, 접착제층의 두께는 통상은 1∼500㎛, 바람직하게는 5∼300㎛, 특히 바람직하게는 10∼150㎛ 정도이다.The thickness of the base material is usually 10 to 500 µm, preferably 15 to 300 µm, particularly preferably 20 to 250 µm. Further, the thickness of the adhesive layer is usually 1 to 500 µm, preferably 5 to 300 µm, particularly preferably 10 to 150 µm.

다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 제조 방법은 특별히 한정은 되지 않고, 기재 상에 접착제층을 구성하는 조성물을 도포 건조하는 것으로 제조해도 좋고, 또, 접착제층을 박리 필름 상에 설치하고, 이것을 상기 기재에 전사하는 것으로 제조해도 좋다. 또한, 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 사용 전에 접착제층을 보호하기 위해, 접착제층의 상면에 박리 필름을 적층해 두어도 좋다. 해당 박리 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이나 폴리프로필렌 필름 등의 플라스틱 재료에 실리콘 수지 등의 박리제가 도포되어 있는 것이 사용된다. 또, 접착제층의 표면 외주부에는 링 프레임 등의 다른 지그를 고정하기 위해 별도 점착제층이나 점착 테이프가 설치되어 있어도 좋다.The manufacturing method of the dicing die-bonding sheet is not particularly limited, and may be prepared by applying and drying a composition constituting the adhesive layer on the substrate, and an adhesive layer is provided on the release film, and this is applied to the substrate. You may manufacture by transferring. In addition, in order to protect the adhesive layer before use of the dicing die bonding sheet, a release film may be laminated on the upper surface of the adhesive layer. As the release film, one in which a release agent such as silicone resin is applied to a plastic material such as a polyethylene terephthalate film or a polypropylene film is used. In addition, a separate pressure-sensitive adhesive layer or pressure-sensitive adhesive tape may be provided on the outer periphery of the adhesive layer to fix other jigs such as ring frames.

다음으로, 본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 이용 방법에 대하여, 해당 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 반도체 장치의 제조에 적용한 경우를 예로 들어서 설명한다.
Next, a method of using the dicing die bonding sheet according to the present invention will be described taking an example where the dicing die bonding sheet is applied to the manufacture of a semiconductor device.

(반도체 장치의 제조 방법)(Method of manufacturing a semiconductor device)

본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법은 상기 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 접착제층에 반도체 웨이퍼를 부착하고, 해당 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 하고, 해당 반도체 칩 이면에 접착제층을 고착 잔존시켜서 기재로부터 박리하고, 해당 반도체 칩을 유기 기판이나 리드 프레임의 다이 패드부 상, 또는 칩을 적층하는 경우에 별도의 반도체 칩 상에 해당 접착제층을 통하여 재치(載置)하는 공정을 포함한다.A method of manufacturing a semiconductor device using a dicing die bonding sheet according to the present invention is to attach a semiconductor wafer to the adhesive layer of the dicing die bonding sheet, dicing the semiconductor wafer to form a semiconductor chip, and the semiconductor. The adhesive layer is adhered to the backside of the chip and peeled off the substrate, and the semiconductor chip is placed on the die pad portion of the organic substrate or lead frame, or when the chip is laminated through the adhesive layer on a separate semiconductor chip. It includes the process of action.

이하, 본 발명에 관련되는 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 상세히 서술한다.Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 관련되는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 우선, 표면에 회로가 형성되고, 이면이 연삭된 반도체 웨이퍼를 준비한다.In the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, first, a circuit is formed on a surface, and a semiconductor wafer on which the back surface is ground is prepared.

반도체 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼이어도 좋고, 또, 갈륨ㆍ비소 등의 화합물 반도체 웨이퍼이어도 좋다. 웨이퍼 표면으로의 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 여러 가지 방법에 의해 실시할 수 있다. 이어서, 반도체 웨이퍼의 회로면의 반대면(이면)을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정은 되지 않고, 그라인더 등을 이용한 공지의 수단으로 연삭해도 좋다. 이면 연삭 시에는 표면의 회로를 보호하기 위해 회로면에 표면 보호 시트라 불리는 점착 시트를 부착한다. 이면 연삭은 웨이퍼의 회로면측(즉, 표면 보호 시트측)을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정은 되지 않지만, 통상은 20∼500㎛ 정도이다.The semiconductor wafer may be a silicon wafer, or a compound semiconductor wafer such as gallium arsenide. Formation of a circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as etching and lift-off. Subsequently, the opposite surface (back surface) of the circuit surface of the semiconductor wafer is ground. The grinding method is not particularly limited, and may be ground by a known means using a grinder or the like. When grinding the back surface, an adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the circuit surface to protect the circuit on the surface. For the back surface grinding, the circuit surface side (ie, the surface protection sheet side) of the wafer is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side where no circuit is formed is ground by a grinder. The thickness of the wafer after grinding is not particularly limited, but is usually about 20 to 500 µm.

그 후, 필요에 따라 이면 연삭 시에 발생한 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는 케미컬 에칭이나 플라즈마 에칭 등에 의해 실시된다.Thereafter, if necessary, the crushed layer generated during grinding on the back side is removed. The crushing layer is removed by chemical etching or plasma etching.

이어서, 링 프레임 및 반도체 웨이퍼의 이면측을 본 발명에 관련되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 접착제층 상에 재치하고, 가볍게 압압(押壓)하여 반도체 웨이퍼를 고정한다. 이어서, 접착제층에 에너지선 중합성 기 함유 아크릴계 중합체나 에너지선 중합성 화합물(H)이 배합되어 있는 경우에는 접착제층에 기재측으로부터 에너지선을 조사하고, 에너지선 중합성 기 함유 아크릴계 중합체나 에너지선 중합성 화합물(H)을 중합시켜서 접착제층의 응집력을 올리고, 접착제층과 기재의 사이의 접착력을 저하시켜 둔다. 조사되는 에너지선으로서는, 자외선(UV) 또는 전자선(EB) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 자외선이 이용된다. 이어서, 다이싱 소우 등의 절단 수단을 이용하여 상기의 반도체 웨이퍼를 절단해서 반도체 칩을 얻는다. 이 때의 절단 깊이는 반도체 웨이퍼의 두께와 접착제층의 두께의 합계 및 다이싱 소우의 마모분을 가미한 깊이로 한다. 또한, 에너지선 조사는 반도체 웨이퍼의 부착 후, 반도체 칩의 박리(픽업) 전의 어느 단계에서 실시해도 좋고, 예를 들면, 다이싱 후에 실시해도 좋고, 또, 하기의 익스팬드 공정 후에 실시해도 좋다. 또한, 에너지선 조사를 복수회로 나누어서 실시해도 좋다.Next, the ring frame and the back side of the semiconductor wafer are placed on the adhesive layer of the dicing die bonding sheet according to the present invention, and lightly pressed to fix the semiconductor wafer. Subsequently, when an energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer or an energy ray polymerizable compound (H) is blended in the adhesive layer, energy rays are irradiated from the substrate side to the adhesive layer, and an energy ray polymerizable group-containing acrylic polymer or energy is applied. The prepolymerizable compound (H) is polymerized to increase the cohesive force of the adhesive layer and lower the adhesive force between the adhesive layer and the substrate. Examples of the energy ray to be irradiated include ultraviolet rays (UV), electron beams (EB), and the like, preferably ultraviolet rays. Next, the semiconductor wafer is cut using a cutting means such as a dicing saw to obtain a semiconductor chip. At this time, the depth of cut is defined as the sum of the thickness of the semiconductor wafer and the thickness of the adhesive layer, and the wear amount of the dicing saw. In addition, the energy ray irradiation may be performed at any stage before the semiconductor wafer is peeled (pick-up) after the semiconductor wafer is attached, for example, after dicing, or after the following expansion step. Further, the energy ray irradiation may be performed in multiple times.

이어서, 필요에 따라 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 익스팬드를 실시하면, 반도체 칩 간격이 확장되고, 반도체 칩의 픽업을 더욱 용이하게 실시할 수 있게 된다. 이 때, 접착제층과 기재의 사이에 어긋남이 발생하게 되어, 접착제층과 기재의 사이의 접착력이 감소하고, 반도체 칩의 픽업성이 향상된다. 이와 같이 하여 반도체 칩의 픽업을 실시하면, 절단된 접착제층을 반도체 칩 이면에 고착 잔존시켜서 기재로부터 박리할 수 있다.Subsequently, if the dicing die bonding sheet is expanded as necessary, the semiconductor chip spacing is extended, and pickup of the semiconductor chip can be performed more easily. At this time, a shift occurs between the adhesive layer and the substrate, the adhesive force between the adhesive layer and the substrate is reduced, and the pickup property of the semiconductor chip is improved. When the semiconductor chip is picked up in this way, the cut adhesive layer can be adhered to the back surface of the semiconductor chip and can be peeled off the substrate.

이어서, 접착제층을 통하여 반도체 칩을 리드 프레임의 다이 패드 상 또는 별도의 반도체 칩(하단 칩) 표면에 재치한다(이하, 칩이 탑재되는 다이 패드 또는 하단 칩 표면을 “칩 탑재부”로 기재한다). 칩 탑재부는 반도체 칩을 재치하기 전에 가열하거나, 재치 직후에 가열된다. 가열 온도는 통상은 80∼200℃, 바람직하게는 100∼180℃이고, 가열 시간은 통상은 0. 1초∼5분, 바람직하게는 0. 5초∼3분이며, 재치할 때의 압력은 통상 1kPa∼200MPa이다.Subsequently, the semiconductor chip is mounted on the die pad of the lead frame or on the surface of a separate semiconductor chip (lower chip) through the adhesive layer (hereinafter, the surface of the die pad or lower chip on which the chip is mounted is referred to as a “chip mounting portion”). . The chip mounting portion is heated before placing the semiconductor chip or immediately after being placed. The heating temperature is usually 80 to 200 ° C, preferably 100 to 180 ° C, and the heating time is usually 0.1 seconds to 5 minutes, preferably 0.5 seconds to 3 minutes, and the pressure at the time of mounting is It is usually 1 kPa to 200 MPa.

반도체 칩을 칩 탑재부에 재치한 후, 필요에 따라 다시 가열을 실시해도 좋다. 이 때의 가열 조건은 상기 가열 온도의 범위로서, 가열 시간은 통상 1∼180분, 바람직하게는 10∼120분이다.After the semiconductor chip is placed on the chip mounting portion, heating may be performed again as necessary. The heating conditions at this time are within the range of the above-mentioned heating temperature, and the heating time is usually 1 to 180 minutes, preferably 10 to 120 minutes.

또, 재치 후의 가열 처리는 실시하지 않고 가접착 상태로 해 두고, 패키지 제조에서 통상 실시되는 수지 밀봉에서의 가열을 이용하여 접착제층을 경화시켜도 좋다. 이와 같은 공정을 거치는 것으로 접착제층이 경화하고, 반도체 칩과 칩 탑재부를 강고하게 접착할 수 있다. 접착제층은 다이 본드 조건 하에서는 유동화하고 있기 때문에 칩 탑재부의 요철에도 충분히 매립되고, 보이드의 발생을 방지할 수 있어서 패키지의 신뢰성이 높아진다.Moreover, you may set it as the temporary adhesive state without performing the heat treatment after mounting, and you may harden an adhesive layer using the heating in resin sealing normally performed in package manufacture. Through this process, the adhesive layer is cured, and the semiconductor chip and the chip mounting portion can be firmly bonded. Since the adhesive layer is fluidized under die-bonding conditions, it is sufficiently embedded in the unevenness of the chip mounting portion, and the generation of voids can be prevented, thereby increasing the reliability of the package.

본 발명의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 상기와 같은 사용 방법 외에, 반도체 화합물, 유리, 세라믹스, 금속 등의 접착에 사용할 수도 있다.
The dicing die-bonding sheet of the present invention can be used for adhesion of semiconductor compounds, glass, ceramics, metals, etc., in addition to the above-described use methods.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, [저장 탄성률 및 tanδ의 측정], [응력 완화율의 측정] 및 [접착제층의 수축 관찰]은 다음과 같이 실시했다.
Hereinafter, the present invention will be described by examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples and comparative examples, [measurement of storage elastic modulus and tanδ], [measurement of stress relaxation rate], and [observation of shrinkage of adhesive layer] were performed as follows.

[저장 탄성률 및 tanδ의 측정][Measurement of storage modulus and tanδ]

경화 전의 접착제층(비교예 1 및 2에 대해서는, 후술하는 접착제층의 수축 관찰의 시험과 마찬가지로 하여 자외선을 조사한 접착제층)의 80℃에 있어서의 저장 탄성률 및 tanδ는 동적 점탄성 장치(레오메트릭스사제 RDAII)에 의해 주파수 1Hz로 측정했다.
The storage elastic modulus and tanδ at 80 ° C. of the adhesive layer before curing (in Comparative Examples 1 and 2, the adhesive layer irradiated with ultraviolet light in the same manner as in the test of shrinkage observation of the adhesive layer described later) and the tanδ are dynamic viscoelastic devices (RDAII manufactured by Rheometrics) ) At a frequency of 1 Hz.

[응력 완화율의 측정][Measurement of stress relaxation rate]

경화 전의 접착제층(비교예 1 및 2에 대해서는, 후술하는 접착제층의 수축 관찰의 시험과 마찬가지로 하여 자외선을 조사한 접착제층)의 80℃에 있어서의 응력 완화율은 동적 점탄성 장치(레오메트릭스사제 RDAII)에 의해 비틀림량 20％의 응력을 가하여 초기 응력(A)과 120초 후의 응력(B)을 측정하고, 하기의 식으로부터 산출했다.The stress relaxation rate at 80 ° C of the adhesive layer before curing (in Comparative Examples 1 and 2, the adhesive layer irradiated with ultraviolet rays in the same manner as in the test of shrinkage observation of the adhesive layer described later) is a dynamic viscoelastic device (RDAII manufactured by Rheometrics) By applying a stress of 20% torsion amount, the initial stress (A) and the stress (B) after 120 seconds were measured and calculated from the following equation.

응력 완화율＝(A－B)／A×100(％)
Stress relaxation rate = (A-B) / A x 100 (%)

[접착제층의 수축 관찰][Observation of adhesive layer shrinkage]

디스코사제 DGP8760을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 이면을 드라이 폴리시했다(200㎜직경, 두께 75㎛). 실리콘 웨이퍼의 드라이 폴리시처리한 면(웨이퍼 이면)에 테이프 마운터(린텍사제, Adwill(등록 상표) RAD2500 m／8)를 이용하여 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 부착하고, 동시에 링 프레임에 고정했다. 또한, 다이싱ㆍ다이 본딩 시트의 접착제층에 에너지선 중합성 화합물이 포함되는 경우에는, 자외선 조사 장치(린텍사제 Adwill(등록 상표) RAD2000)를 이용하여 해당 시트의 기재면으로부터 자외선을 조사(350mW／㎠, 190mJ／㎠)했다.The back surface of the silicon wafer was dry polished using DGP8760 manufactured by Disco (200 mm diameter, 75 µm thick). A dicing die-bonding sheet was attached to the dry-polished side of the silicon wafer (the back side of the wafer) using a tape mounter (Adwill (registered trademark) RAD2500 m / 8 manufactured by Lintec), and fixed to the ring frame at the same time. In addition, when the energy ray polymerizable compound is contained in the adhesive layer of the dicing die bonding sheet, ultraviolet rays are irradiated from the base surface of the sheet using an ultraviolet irradiation device (Adwill (registered trademark) RAD2000 manufactured by Lintec) (350 mW) / Cm2, 190mJ / cm2).

다음으로, 다이싱 장치(DISCO사제, DFD651)를 사용하여 8㎜×8㎜의 사이즈의 칩으로 다이싱하고, 접착 시트의 접착제층과 함께 칩을 기재로부터 픽업하여 접착제층 부착 칩을 얻었다. 다이싱 시의 절삭량은 접착 시트의 기재에 대하여 20㎛ 절삭하도록 했다.Next, a dicing device (manufactured by DISCO, DFD651) was used to dice into chips of 8 mm × 8 mm, and chips were picked up from the substrate together with the adhesive layer of the adhesive sheet to obtain a chip with an adhesive layer. The cutting amount at the time of dicing was made to cut 20 micrometers with respect to the base material of an adhesive sheet.

접착제층 부착 칩의 접착제층의 단부의 수축을 디지털 현미경(VHX―1000, 키엔스사제)으로 관찰하고, 단부에 있어서의 접착제층의 수축을 이하의 기준으로 평가했다.The shrinkage of the end of the adhesive layer of the chip with the adhesive layer was observed with a digital microscope (VHX-1000, manufactured by Keyence), and the shrinkage of the adhesive layer at the end was evaluated based on the following criteria.

Aㆍㆍㆍ수축이 보이지 않는다.A ··· No contraction is visible.

Bㆍㆍㆍ칩 단부보다 0㎛를 넘고, 10㎛ 미만 줄어들어 있다.B ··· It is more than 0 µm and less than 10 µm smaller than the end of the chip.

Cㆍㆍㆍ칩 단부보다 10㎛ 이상 줄어들어 있다.
C ㆍ ㆍ ㆍ It is reduced more than 10㎛ from the end of the chip.

[접착제 조성물의 성분][Components of the adhesive composition]

접착제층을 구성하는 접착제 조성물(a)∼(h)의 각 성분은 하기 및 표 1과 같다. 표 1의 성분 및 배합량에 따라 각 성분을 배합하여 접착제 조성물(a)∼(h)를 조정했다.Each component of the adhesive compositions (a) to (h) constituting the adhesive layer are shown in Table 1 below. The adhesive compositions (a) to (h) were adjusted by blending each component according to the components and compounding amounts in Table 1.

(A1) 아크릴 중합체: 부틸아크릴레이트를 주성분으로 하고, 2―에틸헥실아크릴레이트를 전체 단량체 중 15질량％ 성분으로서 포함하는 아크릴 중합체(Mw＝80만, Tg＝－28℃)(A1) Acrylic polymer: An acrylic polymer containing butyl acrylate as a main component and 2-ethylhexyl acrylate as a 15% by mass component in all monomers (Mw = 800,000, Tg = -28 ° C)

(A2) 아크릴 중합체: 메틸아크릴레이트를 주성분으로 하고, 2―에틸헥실아크릴레이트를 전체 단량체 중 15질량％ 성분으로서 포함하는 아크릴 중합체(Mw＝80만, Tg＝37℃)(A2) Acrylic polymer: an acrylic polymer containing methyl acrylate as a main component and 2-ethylhexyl acrylate as a 15% by mass component in all monomers (Mw = 800,000, Tg = 37 ° C)

(B) 에폭시 수지: 아크릴 고무 미립자 분산 비스페놀A형 액상 에폭시 수지(닛폰 쇼쿠바이사제 BPA328)(B) Epoxy resin: acrylic rubber fine particle dispersion bisphenol A type liquid epoxy resin (BPA328 manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.)

(C) 열경화제: 노볼락형 페놀 수지(쇼와 고분시사제 쇼놀BRG556)(C) Heat curing agent: Novolak type phenol resin (Shonol BRG556 manufactured by Showa Kobun Co., Ltd.)

(D) 경화 촉진제: 2―페닐―4, 5―디(히드록시메틸)이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시키가이샤제 큐어졸2PHZ)(D) Curing accelerator: 2-phenyl-4, 5-di (hydroxymethyl) imidazole (Curesol 2PHZ manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)

(E) 커플링제: 실란 커플링제(미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤제 MKC실리케이트MSEP2)(E) Coupling agent: Silane coupling agent (MKC silicate MSEP2 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

(F) 무기 충전재: 실리카 필러(가부시키가이샤 애드마텍스제 애드마파인SC2050)(F) Inorganic filler: silica filler (Admafine SC2050, manufactured by Admatex Co., Ltd.)

(G) 열가소성 수지: 폴리에스테르 수지(도요보사제 바일론220)(G) Thermoplastic resin: Polyester resin (Vylon 220 manufactured by TOYO CORPORATION)

(H) 에너지선 중합성 화합물: 디시클로펜타디엔 골격 함유 아크릴레이트(닛폰 가야쿠사제 가야래드R684)(H) Energy ray polymerizable compound: Dicyclopentadiene skeleton-containing acrylate (Gayarad R684 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

(I) 광중합 개시제: α―히드록시시클로헥실페닐케톤(치바ㆍ스페셜리티ㆍ케미컬즈 가부시키가이샤제 이르가큐어184)(I) Photopolymerization initiator: α-hydroxycyclohexylphenyl ketone (Irgacure 184 manufactured by Chiba, Specialty and Chemicals)

(J) 가교제: 트리메틸올프로판 변성 트릴렌디이소시아네이트(도요 잉키 세조 가부시키가이샤제 BHS―8515)
(J) Crosslinking agent: trimethylolpropane modified trilene diisocyanate (BHS-8515 manufactured by Toyo Inki Sejo Co., Ltd.)

(실시예 및 비교예)(Examples and Comparative Examples)

표 1에 기재된 조성의 접착제 조성물(a)∼(h)를 사용했다. 표 1 중, 각 성분의 수치는 고형분 환산의 질량부를 나타내고, 본 발명에 있어서 고형분이란, 용매 이외의 전체 성분을 말한다. 표 1에 기재된 조성의 접착제 조성물(a)∼(h)를 메틸에틸케톤으로 고형분 농도가 50질량％로 되도록 희석하고, 실리콘 처리된 박리 필름(린텍 가부시키가이샤제 SP―PET381031) 상에 건조 후, 두께가 25㎛로 되도록 도포ㆍ건조(건조 조건: 오븐에서 100℃, 1분간)하여 박리 필름 상에 형성된 접착제층을 얻었다. 그 후, 접착제층과 표 2에 기재된 기재를 부착하여 접착제층을 기재 상에 전사하는 것으로 원하는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 2에 나타낸다.  Adhesive compositions (a) to (h) having the composition shown in Table 1 were used. In Table 1, the numerical value of each component represents the mass part in terms of solid content, and in the present invention, the solid content refers to all components other than the solvent. The adhesive compositions (a) to (h) of the composition shown in Table 1 were diluted with methyl ethyl ketone to a solid content concentration of 50% by mass, and dried on a silicone-treated release film (SP-PET381031 manufactured by Lintec Co., Ltd.). , Applied and dried to have a thickness of 25 μm (drying condition: 100 ° C. in an oven for 1 minute) to obtain an adhesive layer formed on the release film. Thereafter, the adhesive layer and the substrate shown in Table 2 were attached to transfer the adhesive layer onto the substrate to obtain a desired dicing die-bonding sheet. Table 2 shows the results of each evaluation.

성분ingredient 접착제 조성물Adhesive composition (a)(a) (b)(b) (c)(c) (d)(d) (e)(e) (f)(f) (g)(g) (h)(h) 아크릴중합체Acrylic polymer A1A1 100100 250250 2222 1313 5151 3636 5151 A2A2 250250 에폭시수지Epoxy resin BB 3232 3232 3232 3232 3232 3232 3232 3232 열경화제Heat curing agent CC 41. 241. 2 59. 159. 1 29. 229. 2 3232 3232 35. 335. 3 3434 29. 229. 2 경화 촉진제Curing accelerator DD 0. 50. 5 0. 50. 5 0. 50. 5 0. 50. 5 0. 50. 5 0. 50. 5 0. 50. 5 0. 50. 5 커플링제Coupling agent EE 0. 90. 9 0. 90. 9 0. 90. 9 0. 90. 9 0. 90. 9 0. 90. 9 0. 90. 9 0. 90. 9 무기 충전재Inorganic filler FF 2020 2020 2020 2020 2020 2020 2020 2020 열가소성 수지Thermoplastic resin GG 3030 3030 3030 3030 3030 3030 3030 3030 에너지선 중합성 화합물Energy ray polymerizable compound HH 11. 611. 6 8. 58. 5 광중합 개시제Photopolymerization initiator II 0. 40. 4 가교제Crosslinker JJ 12. 712. 7 31. 731. 7 31. 731. 7 5. 65. 6 4. 44. 4 4. 64. 6 8. 88. 8

단위: 질량부(고형분 환산값)
Unit: parts by mass (consolidated value)

접착제층Adhesive layer 기재materials 응력
완화율
(％)Stress
Relaxation rate
(%) tanδtanδ 저장
탄성률
(Pa)Save
Modulus of elasticity
(Pa) 접착제층의 수축 관찰
(경화 전)Observation of shrinkage of the adhesive layer
(Before curing) 실시예 1Example 1 (a)(a) PEPE 63. 063. 0 0. 330. 33 109550109550 AA 실시예 2Example 2 (b)(b) PEPE 32. 132. 1 0. 150. 15 347410347410 AA 실시예 3Example 3 (c)(c) PEPE 66. 266. 2 0. 360. 36 338200338200 AA 실시예 4Example 4 (d)(d) PEPE 86. 386. 3 0. 280. 28 6990069900 AA 실시예 5Example 5 (a)(a) PPPP 63. 063. 0 0. 330. 33 109550109550 AA 실시예 6Example 6 (a)(a) EMAAEMAA 63. 063. 0 0. 330. 33 109550109550 AA 비교예 1Comparative Example 1 (e)(e) PEPE 97. 797. 7 1. 001. 00 41004100 CC 비교예 2Comparative Example 2 (f)(f) PEPE 86. 786. 7 0. 400. 40 4659046590 BB 비교예 3Comparative Example 3 (g)(g) PEPE 96. 496. 4 0. 720. 72 1490014900 CC 비교예 4Comparative Example 4 (h)(h) PEPE 93. 893. 8 0. 390. 39 8160081600 BB

PE: 폴리에틸렌 필름(두께: 100㎛)PE: Polyethylene film (thickness: 100㎛)

PP: 폴리프로필렌 필름(두께: 100㎛)PP: Polypropylene film (thickness: 100㎛)

EMAA: 에틸렌메타크릴산 공중합체 필름(두께: 100㎛)
EMAA: ethylene methacrylate copolymer film (thickness: 100 μm)

표 2로부터, 실시예의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트에서는 접착제층의 수축 관찰 평가가 양호했다. 즉, 실시예의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 엄격한 습열 조건 및 리플로 공정을 거친 경우에 있어서도 접착성이나 패키지 신뢰성이 우수해 있다.From Table 2, the shrinkage observation evaluation of the adhesive layer was good in the dicing die bonding sheet of the Example. That is, the dicing die-bonding sheet of the embodiment is excellent in adhesiveness and package reliability even under severe moist heat conditions and reflow processes.

한편, 비교예의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트에서는 실시예와 비교하여 큰 접착제층의 수축이 관찰되었다. 즉, 비교예의 다이싱ㆍ다이 본딩 시트는 엄격한 습열 조건 및 리플로 공정을 거친 경우에 있어서의 접착성이나 패키지 신뢰성이 뒤떨어진다.On the other hand, in the dicing die-bonding sheet of the comparative example, shrinkage of the large adhesive layer was observed in comparison with the example. That is, the dicing die-bonding sheet of the comparative example is inferior in adhesiveness and package reliability in the case of undergoing strict moist heat conditions and a reflow process.

10: 다이싱ㆍ다이 본딩 시트
1: 기재
2: 접착제층
3: 반도체 칩
4: 반도체 웨이퍼
5: 다이싱 블레이드
6: 커프
7: 링 프레임10: Dicing die bonding sheet
1: description
2: Adhesive layer
3: semiconductor chip
4: Semiconductor wafer
5: Dicing blade
6: cuff
7: ring frame

Claims (11)

기재 상에 접착제층이 적층된 다이싱ㆍ다이 본딩 시트로서,
상기 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에서의 저장 탄성률이 50000∼5000000Pa이고, 또한, 80℃ 환경 하의 20％ 비틀림 응력 부가의 120초 후에 있어서의 응력 완화율이 30∼90％인 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.A dicing die bonding sheet in which an adhesive layer is laminated on a substrate,
In the state before curing, the adhesive layer has a storage elastic modulus at 80 ° C of 50000 to 5000000Pa, and a stress relaxation rate of 30 to 90% after 120 seconds of adding 20% torsional stress under an 80 ° C environment. ㆍ Die bonding sheet. 제 1 항에 있어서,
상기 접착제층은 경화 전의 상태에 있어서, 80℃에서의 tanδ가 0. 1∼0. 38인 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.According to claim 1,
In the state before curing, the adhesive layer had a tan δ at 80 ° C of 0.1 to 0. 38-person dicing die-bonding sheet. 제 1 항에 있어서,
상기 접착제층이 아크릴 중합체(A) 및 에폭시 수지(B)를 함유하는 접착제 조성물로 이루어지는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.According to claim 1,
A dicing die-bonding sheet in which the adhesive layer is composed of an adhesive composition containing an acrylic polymer (A) and an epoxy resin (B). 제 3 항에 있어서,
상기 아크릴 중합체(A)가 반응성 관능기를 갖는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.The method of claim 3,
A dicing die-bonding sheet in which the acrylic polymer (A) has a reactive functional group. 제 3 항에 있어서,
상기 아크릴 중합체(A)는 접착제 조성물 100질량부 중, 10질량부 이상 포함되는 다이싱ㆍ다이 본딩시트.The method of claim 3,
The acrylic polymer (A) is a dicing die-bonding sheet containing 10 parts by mass or more of 100 parts by mass of the adhesive composition. 제 5 항에 있어서,
상기 접착제 조성물이 가교제를 함유하고, 상기 가교제가 상기 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 1∼40질량부 포함되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.The method of claim 5,
A dicing die-bonding sheet in which the adhesive composition contains a crosslinking agent, and the crosslinking agent contains 1 to 40 parts by mass based on 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). 제 6 항에 있어서,
상기 아크릴 중합체(A)가 접착제 조성물 100질량부 중, 35질량부보다 많이 포함되고, 또한, 상기 가교제가 상기 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 5질량부 이상 20질량부 미만 포함되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.The method of claim 6,
The acrylic polymer (A) contains 100 parts by mass of the adhesive composition, more than 35 parts by mass, and the crosslinking agent is contained in an amount of 5 parts by mass or more and less than 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A). ㆍ Die bonding sheet. 제 6 항에 있어서,
상기 아크릴 중합체(A)가 접착제 조성물 100질량부 중, 10∼35질량부 포함되고, 또한, 상기 가교제가 상기 아크릴 중합체(A) 100질량부에 대하여 20∼35질량부 포함되는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.The method of claim 6,
Dicing die bonding in which 10 to 35 parts by mass of the acrylic polymer (A) is contained in 100 parts by mass of the adhesive composition, and 20 to 35 parts by mass of the crosslinking agent is contained in 100 parts by mass of the acrylic polymer (A) Sheet. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기재가 폴리에틸렌 필름, 에틸렌ㆍ메타크릴산 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.The method according to any one of claims 1 to 8,
A dicing die-bonding sheet comprising at least one member selected from the group consisting of a polyethylene film, an ethylene-methacrylic acid copolymer film, and a polypropylene film. 제 1 항에 있어서,
상기 기재 상에 상기 접착제층이 직접 적층되어 이루어지는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.According to claim 1,
A dicing die bonding sheet obtained by directly laminating the adhesive layer on the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 기재의 표면이 박리 처리되어지고, 상기 기재의 박리 처리면에 상기 접착제층이 적층되어 이루어지는 다이싱ㆍ다이 본딩 시트.According to claim 1,
A dicing die-bonding sheet comprising a surface of the base material peeled off and the adhesive layer laminated on a surface of the base material peeled off.
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