KR102101838B1 - Electron beam apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치는, 시료 표면에 전자선을 조사하는 전자선 광학계와 전자선의 조사에 따라 발생한 전자를 검출하는 검출계를 하우징 내부에 구비하는 복수의 전자선 칼럼을 포함할 수 있다. 각 전자선 칼럼은 정전 렌즈인 대물 렌즈를 포함할 수 있다. 대물 렌즈는 시료에 대향하는 측부터 차례대로 음전압이 인가되는 제1 전극, 접지되는 제2 전극, 포커스 전압이 인가되는 제3 전극 및 접지되는 제4 전극을 포함할 수 있다.The electron beam device according to the exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of electron beam columns having an electron beam optical system for irradiating electron beams on a sample surface and a detection system for detecting electrons generated by irradiation of the electron beam inside the housing. . Each electron beam column may include an objective lens that is an electrostatic lens. The objective lens may include a first electrode to which a negative voltage is sequentially applied from a side opposite to the sample, a second electrode to be grounded, a third electrode to which a focus voltage is applied, and a fourth electrode to be grounded.
Description
본 발명의 기술적 사상은 반도체 등의 패턴 검사 등에 이용하는 전자선 장치에 관한 것이다.The technical idea of the present invention relates to an electron beam device used for pattern inspection of semiconductors and the like.
전자선 칼럼을 구비하는 전자선 장치는 검사 대상인 반도체 웨이퍼 등의 시료에 대해 전기 특성, 외관 검사, 이물질 검사를 수행할 수 있다. 예를 들면, 전자선 장치는 콘택트 홀의 전기 특성 검사(오픈 또는 쇼트)를 대전 상황에 따라 시각화할 수 있다. 구체적으로 도 14에 도시된 바와 같이, 전자선 장치는 시료(예를 들면, 반도체 웨이퍼(W))의 기준 상태에서의 주사형 전자 현미경(Scanning Electron Microscope; SEM) 화상(이하, 'SEM상'이라고도 함)과 검사 상태에서의 SEM상을 비교하고, 양 화상을 비교함으로써 색이 다른 개소를 결함 위치로서 검출할 수 있다.An electron beam device having an electron beam column may perform electrical characteristics, appearance inspection, and foreign matter inspection on a sample such as a semiconductor wafer to be inspected. For example, the electron beam device can visualize the electrical characteristic inspection (open or short) of the contact hole according to the charging situation. Specifically, as shown in FIG. 14, the electron beam device is a scanning electron microscope (SEM) image (hereinafter referred to as a 'SEM image') in a reference state of a sample (for example, a semiconductor wafer W). ) And comparing the SEM images in the inspection state, and comparing the two images, where different colors can be detected as defect locations.
이러한 전자선 칼럼을 이용한 검사는 시료 전면을 전자선으로 주사하기 위해 많은 시간을 필요로 할 수 있다. 이에 따라, 시료를 단시간에 검사하기 위하여 복수의 전자선 칼럼들을 구비하는 전자선 장치가 이용될 수 있다.Inspection using such an electron beam column may take a lot of time to scan the entire sample surface with an electron beam. Accordingly, an electron beam apparatus having a plurality of electron beam columns can be used to inspect a sample in a short time.
본 발명의 기술적 사상은 전자선 장치에 복수로서 포함될 수 있는 전자선 칼럼들을 각각 소형화함과 동시에 시료의 결함에 대한 검출 성능을 개선함으로써, 검사 정밀도를 향상시킨 전자선 장치를 제공한다.The technical idea of the present invention provides an electron beam device with improved inspection accuracy by miniaturizing each of the electron beam columns that may be included in a plurality of electron beam devices and improving detection performance of a defect in a sample.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치는 시료 표면에 전자선을 조사하는 전자선 광학계 및 상기 전자선의 조사에 따라 발생한 전자를 검출하는 검출계를 하우징 내부에 구비하는 전자선 칼럼을 포함할 수 있고, 상기 전자선 광학계는 상기 전자선을 상기 시료 표면 상의 소정 위치에 포커스시키는 대물 렌즈를 포함할 수 있고, 상기 대물 렌즈는 상기 시료에 대향하는 측부터 차례대로 음전압이 인가되는 제1 전극, 접지되는 제2 전극, 포커스 전압이 인가되는 제3 전극 및 접지되는 제4 전극을 포함하는 정전 렌즈일 수 있다.The electron beam device according to the exemplary embodiment of the present invention may include an electron beam column having an electron beam optical system for irradiating electron beams on a sample surface and a detection system for detecting electrons generated by irradiation of the electron beam inside the housing, wherein The electron beam optical system may include an objective lens that focuses the electron beam at a predetermined position on the surface of the sample, and the objective lens includes a first electrode to which negative voltage is sequentially applied from a side opposite to the sample, and a second electrode to be grounded. , It may be an electrostatic lens including a third electrode to which a focus voltage is applied and a fourth electrode to be grounded.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 제1 전극에 인가되는 전압과 상기 시료에 인가되는 전압의 전위차는 조정 가능할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the potential difference between the voltage applied to the first electrode and the voltage applied to the sample may be adjustable.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 포커스 전압은 양전압일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the focus voltage may be a positive voltage.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 전자선 칼럼을 복수로서 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the electron beam column may be included as a plurality.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 검출계는 상기 대물 렌즈에 대해 상기 시료와 반대측에 배치되는 제1 검출기, 상기 제1 검출기보다 더 상기 시료로부터 떨어진 상방에 배치되는 제2 검출기, 및 상기 대물 렌즈에 배치되는 제3 검출기를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the detection system includes a first detector disposed opposite to the sample relative to the objective lens, a second detector disposed above and away from the sample more than the first detector, and the And a third detector disposed in the objective lens.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 제3 검출기는 상기 대물 렌즈의 상기 제1 전극에 배치될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the third detector may be disposed on the first electrode of the objective lens.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 제3 검출기는 상기 대물 렌즈의 상기 제2 전극에 배치될 수 있고, 상기 제1 전극은 상기 제3 검출기를 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the third detector may be disposed on the second electrode of the objective lens, and the first electrode may include an opening exposing the third detector.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치는 시료표면에 전자선을 조사하는 전자선 광학계 및 상기 전자선의 조사에 따라 발생한 전자를 검출하는 검출계를 하우징 내부에 구비하는 전자선 칼럼을 포함할 수 있고, 상기 전자선 광학계는 상기 전자선을 상기 시료 표면 상의 소정 위치에 포커스시키는 대물 렌즈를 포함할 수 있고, 상기 검출계는 상기 대물 렌즈에 대해 상기 시료와 반대측에 배치되는 제1 검출기 및 상기 제1 검출기보다 더 상기 시료로부터 떨어진 상방에 배치되는 제2 검출기를 포함할 수 있다.The electron beam apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention may include an electron beam column having an electron beam optical system for irradiating electron beams on a sample surface and a detection system for detecting electrons generated by irradiation of the electron beam inside the housing. The electron beam optical system may include an objective lens that focuses the electron beam at a predetermined position on the sample surface, and the detection system is further positioned than the first detector and the first detector disposed opposite the sample to the objective lens. And a second detector disposed above the sample.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 제2 검출기의 내경은 상기 제1 검출기의 내경보다 작을 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the inner diameter of the second detector may be smaller than the inner diameter of the first detector.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 대물 렌즈에 배치되는 제3 검출기를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a third detector disposed on the objective lens may be further included.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 제1 검출기, 상기 제2 검출기 및 상기 제3 검출기 중에서 적어도 어느 하나는 복수의 검출부들을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, at least one of the first detector, the second detector, and the third detector may include a plurality of detectors.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 대물 렌즈는 상기 시료에 대향하는 측부터 차례대로 음전압이 인가되는 제1 전극, 접지되는 제2 전극, 포커스 전압이 인가되는 제3 전극 및 접지되는 제4 전극을 포함하는 정전 렌즈일 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the objective lens is a first electrode to which a negative voltage is sequentially applied from a side opposite to the sample, a second electrode to be grounded, a third electrode to which a focus voltage is applied, and a grounded agent. It may be an electrostatic lens including four electrodes.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 전자선 칼럼은 상기 제1 검출기와 상기 제2 검출기이 사이에 배치되고, 전자선을 편향시키는 편향 기구를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the electron beam column may include a deflection mechanism that deflects the electron beam with the first detector and the second detector disposed therebetween.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 편향 기구는 전장과 자장이 직교하는 ExB 편향기를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the deflection mechanism may include an ExB deflector in which the electric field and the magnetic field are orthogonal.
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 상기 편향 기구는 자장형 얼라인먼트 기구 및 상기 자장형 얼라인먼트 기구 상방에 배치되는 주사 전극을 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the deflection mechanism may include a magnetic field alignment mechanism and a scan electrode disposed above the magnetic field alignment mechanism.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 전자선 장치에 포함된 전자선 칼럼들을 소형화함과 동시에 검사 정밀도를 향상시키는 것이 가능한 전자선 장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electron beam apparatus capable of miniaturizing electron beam columns included in the electron beam apparatus and improving inspection accuracy.
도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치를 개략 적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼의 대물 렌즈 및 전자 검출기의 구성을 상세하게 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 대물 렌즈를 하이패스 필터로서 사용하였을 때, 검출기에 의해 검출 가능한 전자선의 검출각과 에너지의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 신틸레이터(scintillator)를 이용한 전자 검출기의 일 구성예를 도시한 개략 측면도 및 개략 평면도이다.
도 6은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 제2 전극에 배치된 제3 검출기의 일 구성예를 도시한 저면도(bottom view)이다.
도 7은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 제1 전극의 일 구성예를 도시한 저면도이다.
도 8은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 도 3에 도시된 구성의 검출기에 의해 검출 가능한 전자선의 검출각과 에너지의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 제3 검출기를 제1 전극에 배치한 대물 렌즈 및 전자 검출기의 일 구성예를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 제1 전극에 배치된 제3 검출기의 일 구성예를 도시한 저면도이다.
도 11은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 전자 검출기를 분할한 경우의 일 구성예를 도시한 것으로, 제2 전극에 배치된 제3 검출기의 일 구성예를 도시한 저면도이다.
도 12는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 ExB 편향기를 구비하는 전자선 칼럼의 일 구성예를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 예시적 실시예에 따라 자장형 얼라인먼트 기구를 구비하는 전자선 칼럼의 일 구성예를 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 전자선에 의한 결함 검출 방법을 설명하는 도면이다.
도 15는 본 발명의 예시적 실시예에 따라 종래의 검출기에 의해 검출 가능한 전자선의 검출각과 에너지의 관계를 나타내는 그래프이다.1 is a diagram schematically showing an electron beam device according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a view showing the configuration of an electron beam column according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a view showing in detail the configuration of an objective lens and an electron detector of an electron beam column according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a graph showing the relationship between the detection angle and energy of an electron beam detectable by a detector when an objective lens is used as a high-pass filter according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a schematic side view and a schematic plan view showing a configuration example of an electronic detector using a scintillator according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is a bottom view showing an example of a configuration of a third detector disposed on a second electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a bottom view showing a configuration example of a first electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
8 is a graph showing the relationship between the detection angle and energy of an electron beam detectable by a detector having the configuration shown in FIG. 3 according to an exemplary embodiment of the present invention.
9 is a diagram showing an example of a configuration of an objective lens and an electronic detector in which a third detector is disposed on a first electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
10 is a bottom view showing a configuration example of a third detector disposed on the first electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
11 is a view showing a configuration example of a case in which an electronic detector is divided according to an exemplary embodiment of the present invention, and is a bottom view showing a configuration example of a third detector disposed on the second electrode.
12 is a diagram showing an example of a configuration of an electron beam column having an ExB deflector according to an exemplary embodiment of the present invention.
13 is a view showing a configuration example of an electron beam column having a magnetic field alignment mechanism according to an exemplary embodiment of the present invention.
14 is a view for explaining a method of detecting a defect by an electron beam according to an exemplary embodiment of the present invention.
15 is a graph showing the relationship between the detection angle and energy of an electron beam detectable by a conventional detector according to an exemplary embodiment of the present invention.
이하에 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawings, the same reference numerals are assigned to components having substantially the same functional configuration to omit redundant description.
시료에 가까운 위치에 배치되는 전자선 칼럼의 대물 렌즈는 정전 렌즈를 포함할 수 있다. 정전 렌즈 중에서 가장 시료에 가까운 위치에 배치된 제1 전극에 인가되는 제1 전압과 시료에 인가되는 시료 전압 사이의 전위차는 시료 표면의 대전에 영향을 줄 수 있다. 전자선 장치는 제1 전압과 시료 전압의 전위차를 연속적으로 변경하면서 2차 전자나 시료에 의한 반사 전자로 이루어지는 2차(secondary) 전자선을 검출함으로써 시료의 대전 상황(표면 전위)을 효율적으로 측정할 수 있다.The objective lens of the electron beam column disposed close to the sample may include an electrostatic lens. The potential difference between the first voltage applied to the first electrode disposed near the sample among the electrostatic lenses and the sample voltage applied to the sample may affect the charging of the sample surface. The electron beam device can efficiently measure the charging state (surface potential) of a sample by detecting a secondary electron beam composed of secondary electrons or reflected electrons by the sample while continuously changing the potential difference between the first voltage and the sample voltage. have.
대물 렌즈는 3장의 전극으로 이루어지는 정전 렌즈를 포함할 수 있다. 이에 따라, 정전 렌즈의 제1 전극에 인가되는 제1 전압과 시료 전압 사이의 전위차를 변경하였을 때, 포커스 전압(정전 렌즈의 제1 전극 상방에 배치되는 제2 전극의 전압)의 변화가 커서 렌즈의 축 어긋남 등이 발생할 수 있다. 그 결과, 다시 전자선 칼럼의 광학계의 광축 조정이 필요할 수 있고, 신속하게 검사 조건을 바꾸는 것은 어려울 수 있다. 또한, 시료 표면의 전위를 측정하기 위해 제1 전압과 시료 전압 사이의 전위차를 연속적으로 변화시킨 경우, 포커스 전압의 어긋남이 커지고 시료에 대한 조사 스폿 직경이 커짐으로써, 시료에서의 측정 영역이 넓어져 측정 정밀도가 저하될 수 있다.The objective lens may include an electrostatic lens composed of three electrodes. Accordingly, when the potential difference between the first voltage applied to the first electrode of the electrostatic lens and the sample voltage is changed, the change in the focus voltage (the voltage of the second electrode disposed above the first electrode of the electrostatic lens) is large and the lens is large. A misalignment of the axes may occur. As a result, it may be necessary to adjust the optical axis of the optical system of the electron beam column again, and it may be difficult to quickly change the inspection conditions. In addition, when the potential difference between the first voltage and the sample voltage is continuously changed to measure the potential of the sample surface, the shift in the focus voltage and the irradiation spot diameter for the sample become larger, thereby increasing the measurement area in the sample. Measurement accuracy may deteriorate.
또한, 2차 전자선을 검출하는 1개의 검출기가 대물 렌즈가 포함하는 정전 렌즈의 상방에 배치될 수 있다. 전자선 장치에 전자선 칼럼을 복수로서 배치하기 위해 전자선 칼럼의 외경을 작게 하면, 각 전자선 칼럼에 배치되는 검출기의 폭이나 면적이 감소되어 검출기에 의해 검출 가능한 전자선의 범위에 제한이 생길 수 있다. 구체적으로 도 15에 도시된 바와 같이, 검출각(전자선의 입사 방향에 대한 2차 전자선의 진행 방향이 이루는 각)이 작은 2차 전자선이나 검출각이 크고 에너지가 큰 2차 전자선에 대해서는, 전자선 칼럼에 의해 허용된 전자선의 궤도 때문에 대물 렌즈가 포함하는 정전 렌즈의 상방에 배치된 1개의 검출기가 검출하지 못할 수 있다.Further, one detector for detecting the secondary electron beam may be disposed above the electrostatic lens included in the objective lens. If the outer diameter of the electron beam column is reduced in order to arrange a plurality of electron beam columns in the electron beam device, the width or area of the detectors arranged in each electron beam column is reduced, thereby limiting the range of electron beams detectable by the detector. Specifically, as illustrated in FIG. 15, for a secondary electron beam having a small detection angle (angle formed by a direction in which a secondary electron beam travels with respect to an incident direction of an electron beam) or a secondary electron beam having a large detection angle and a large energy, an electron beam column Due to the trajectory of the electron beam allowed by the one detector disposed above the electrostatic lens included in the objective lens may not be detected.
본 발명의 기술적 사상은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적으로 하는 바는 전자선 장치에 복수로서 포함될 수 있는 전자선 칼럼들을 각각 소형화함과 동시에 시료의 결함에 대한 검출 성능을 개선함으로써, 검사 정밀도를 향상시키는 것이 가능한 신규하면서 개량된 전자선 장치를 제공하는 것에 있다.The technical idea of the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce the size of the electron beam columns that may be included in a plurality of electron beam devices, and improve the detection performance of defects in a sample. It is to provide a novel and improved electron beam device capable of improving precision.
<1. 전자선 장치의 개략 구성><1. Outline of electron beam device>
도 1을 참조하여 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치의 개략 구성에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)의 개략 구성을 도시한 도면이다.A schematic configuration of an electron beam device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an
본 실시예에서, 전자선 장치(1)는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)(이하, '웨이퍼(W)'라고도 함)의 반도체 회로 패턴을 검사하기 위한 장치일 수 있다. 전자선 장치(1)는, 예를 들면 도 1에 도시된 바와 같이 챔버 유닛(10), 복수의 전자선 칼럼(20), 제어 전원(30), 제어 장치(40)로 이루어진다.In this embodiment, the
챔버 유닛(10)은, 전자선 칼럼(20)에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 전자선을 출사하여 검사할 수 있다. 챔버 유닛(10)은, 도 1에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)가 수납되는 제1 챔버(시료실 진공 챔버)(12)와, 중간실인 제2 챔버(중간실 진공 챔버)(13)와, 전자총이 배치되는 제3 챔버(전자총실 진공 챔버)(14)를 포함할 수 있다.The
제1 챔버(12)에는 웨이퍼(W)를 올려놓기 위한 스테이지(18)가 배치될 수 있다. 스테이지(18)는 시료 안착면에서 웨이퍼(W)의 검사 대상이 되는 면(표면)과 반대측 면(이면)을 지지할 수 있고, 웨이퍼(W)를 표면과 평행한 평면 내에서 임의의 방향으로 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 스테이지(18)는 검사시에는 웨이퍼(W)가 소정의 방향으로 소정의 이동 속도로 이동하도록 구동 장치(도시생략)에 의해 이동될 수 있다.A
챔버들(12, 13, 14)은 각각 다른 진공도로 설정 가능되도록 독립된 공간으로 되어 있을 수 있고, 소정의 진공도로 하기 위한 진공 펌프들(15, 16, 17)가 각각 접속될 수 있다.The
전자선 칼럼(20)은 광학계에 의해 전자를 스폿 형상으로 수속(?束), 가속하여 얻어지는 전자선(1차 전자선)을 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)에 조사함과 동시에, 검출계에 의해 전자선(2차 전자선)을 검출할 수 있다. 본 실시예에 따른 전자선 장치(1)는 복수의 전자선 칼럼(20)들을 구비할 수 있고, 각 전자선 칼럼(20)은 제1 챔버(12), 제2 챔버(13) 및 제3 챔버(14) 경계의 구획판에 접속될 수 있으며, 중심부에 오리피스(orifice)를 마련하여 빔이 통과하는 부분만이 관통하도록 배치될 수 있다. 본 실시예에 있어서, 각각의 전자선 칼럼(20)은 동일하게 구성될 수 있다. 전자선 칼럼(20)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.The
제어 전원(30)은 스캔 전압을 각 전자선 칼럼(20)에 전달할 수 있다. 제어 전원(30)은, 예를 들면 하나의 전자선 칼럼(20)에 대해 하나의 제어 전원(30)이 할당되도록 배치될 수 있다. 제어 전원(30)은, 예를 들면 고전압 전류, 고주파 전류 등의 신호를 출력할 수 있다. 각 제어 전원(30)은, 예를 들면 제어 전원(30)이 출력하는 신호(예를 들면, 고주파 전압)의 위상 어긋남을 보정하거나, 주사 신호의 대기 시간을 보정하거나, 필터 등의 제어 전류 회로를 전환하는 보정 기구를 포함할 수도 있다.The
제어 장치(40)는 제어 명령을 각 전자선 칼럼(20)에 전달 할 수 있고, 또한 웨이퍼(W)에 전자선을 조사함으로써 얻어지는 배선 패턴의 형상을 반영한 출력 신호인 2차 전자선('신호 전자선'이라고도 함)에 기초한 배선 패턴의 화상을 형성할 수 있다. 제어 장치(40)를 통해서 시료인 웨이퍼(W)의 SEM상(주사형 전자 현미경상)이 취득될 수 있다. 제어 장치(40)는 형성한 복수의 배선 패턴의 화상들을 비교하여 배선 패턴의 이상을 검출할 수 있다. 또, 배선 패턴의 이상 검출은 제어 장치(40)가 수행할 수도 있고, 오퍼레이터가 제어 장치(40)로부터 제공된 화상을 보고 판단해도 된다. 제어 장치(40)는 예를 들면 CPU나 GPU를 구비하는 컴퓨터 등의 정보 처리 장치를 포함할 수 있다..The
전자선 장치(1)는 복수의 전자선 칼럼(20)을 구비함으로써 결함 검출 효율을 향상시킬 수 있다. 전자선 장치(1)는, 예를 들면 복수의 전자선 칼럼(20)을 일렬로 배치한 칼럼 열을 포함할 수 있고, 칼럼 열의 배열 방향에 대해 수직인 방향으로 나열된 복수개의 칼럼 열들을 포함할 수도 있다. 이 때, 전자선 장치(1)는 전자선 칼럼(20)을 지그재그 배열이 되도록 배치함으로써 보다 많은 전자선 칼럼(20)을 포함할 수 있다.The
<2. 전자선 칼럼의 구성><2. Configuration of electron beam column>
도 2에 기초하여 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)의 전자선 칼럼(20)의 구성에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼(20)의 구성을 도시한 도면이다. 도 2에서는 정전식 렌즈, 조정계가 도시되지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않고, 예를 들면 자장을 이용한 렌즈, 조정계를 포함할 수도 있다. 검사를 고속으로 하기 위해 전자선을 주사하는 주사 전극은 정전식일 수 있다.The configuration of the
전자선 칼럼(20)은, 그 하우징(102) 내에 주사형 전자 현미경에서 이용되는 각종 구성요소를 구비할 수 있다. 예를 들면, 전자선 칼럼(20)은 전자총(110), 콘덴서 렌즈계(120), 빔 조리개 기구(130), 광축 조정 기구(140), 블랭킹 전극(150), 구획 밸브(160), 주사 전극(170), 대물 렌즈(180), 전자 검출기(190)를 포함할 수 있다. 전자선 장치(1)에 있어서, 전자 검출기(190)가 검출계를 구성할 수 있고, 그 검출계를 제외한 전자선 광학 요소가 전자선 광학계를 구성할 수 있다.The
전자총(110)은 전자선을 출사하는 장치로서, 예를 들면 쇼트키(Schottky)형이나 열전계(thermal field) 방출형 전자총이 이용될 수 있다. 전자총(110)은 가속 전압이 인가됨으로써 전자선을 방출할 수 있다. 방출된 전자선은 전자선의 진행방향으로 배열된 콘덴서들(122, 124, 126)을 포함하는 콘덴서 렌즈계(120), 빔 조리개 기구(130)에 의해 집광될 수 있고, 원하는 전류가 되도록 조절될 수 있다.The
광축 조정 기구(140)는 전자선의 비점(astigmatism) 보정, 광축 상의 전자선의 위치, 시료에 대한 전자선의 조사 위치를 조정할 수 있다. 또한, 블랭킹 전극(150)은 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)에 전자선을 조사하지 않도록 일시적으로 전자선을 차단할 수 있다. 블랭킹 전극(150)은 전자총(110)으로부터 방출된 전자선을 구부려 웨이퍼(W)에 전자선이 조사되지 않도록 할 수 있다. 또한, 구획 밸브(160)는 전자선 칼럼(20) 내의 전자총실, 중간실, 시료실을 구획할 수 있다. 구획 밸브(160)는, 예를 들면 시료실에 불량이 발생한 경우에 전자총실이나 중간실이 대기 중에 개방되지 않도록 각 실을 구획하기 위해 이용될 수 있다. 통상 구획 밸브(160)는 개방되어 있을 수 있다. 또한, 본 발명의 예시적 실시예에 따라 구획 밸브(160)는 전자선 칼럼(20)에서 제외될 수도 있다.The optical
주사 전극(170)은 외부로부터 인가되는 고주파의 제어 신호(전기 신호)에 따라 전자선을 편향시킬 수 있다. 주사 전극(170)에는, 예를 들면 0~400V의 고주파 전류가 인가될 수 있다. 주사 전극(170)에 임의의 제어 신호를 인가하여 전자선을 편향시킴으로써, 전자선은 웨이퍼(W)의 표면 상에서 임의의 방향으로 주사될 수 있다.The
대물 렌즈(180)는 전자선 칼럼(20)의 선단(tip)부에 배치될 수 있고, 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)와 대향하도록 배치될 수 있다. 대물 렌즈(180)는 주사 전극(170)에 의해 편향된 전자선을 웨이퍼(W)의 표면에 포커스시킬 수 있다. 본 실시예에서 대물 렌즈(180)는 정전 렌즈로서, 4장의 전극을 구비할 수 있다. 대물 렌즈(180)의 상세한 구성에 대해서는 후술한다.The
전자 검출기(190)는 전자선이 웨이퍼(W)에 조사되어 회로 패턴에 따라 방출된 2차 전자선 및 반사 전자를 검출함으로써 고주파의 검출 신호(신호 전자선)로서 출력하는 검출계에 포함된다. 본 실시예에 따른 전자 검출기(190)는 후술하는 바와 같이 3개의 검출기들(192, 194, 196)을 포함할 수 있다. 전자 검출기(190)에 의해 검출된 검출 신호는, 예를 들면 전달 기구를 통해서 전자선 칼럼(20)의 외부로 전송될 수 있다. 전자 검출기(190)의 검출 신호는, 예를 들면 프리앰프에서 증폭된 후, AD변환기(analog to digital converter)에 의해 회로 패턴의 화상 디지털 데이터로 변환될 수 있다. 제어 장치(40)는 화상 디지털 데이터를 출력할 수 있다.The
이러한 전자선 칼럼(20)의 구성에 의해, 전자총(110)으로부터 방출된 전자선에 의해 웨이퍼(W)의 표면이 주사될 수 있고, 회로 패턴의 형상, 조성, 대전 상황 등을 반영한 2차 전자나 반사 전자인 2차 전자선이 전자 검출기(190)에 의해 검출될 수 있다. 검출된 2차 전자선의 검출 신호는, 예를 들면 프리앰프나 AD변환기를 통해서 제어 장치(40)에서 처리될 수 있고, 웨이퍼(W)의 회로 패턴의 화상에 기초하여 결함 검출이 수행될 수 있다.With the configuration of the
또한, 전자선 칼럼(20)에는 전자선 칼럼(20)의 내부와 외부 간에 정보를 전달하기 위한 전달 기구들(50a, 50b, 50c)이 장착될 수 있다. 전달 기구들(50a, 50b, 50c)은, 예를 들면 전기적인 동작을 수반하는 부재에 대해 외부로부터 전기 신호를 전달하고, 또한 전기적인 동작을 수반하는 부재로부터 발생된 전기 신호를 외부에 전달하는 전기적 전달 기구일 수 있다. 혹은, 전달 기구들(50a, 50b, 50c)은 라이트 가이드 등과 같이, 광을 외부로부터 전달하고 광을 외부에 전달하는 광학적 전달 기구나 기계적인 동작을 수반하는 기계적 전달 기구 등될 수도 있다.Further, the
<3. 대물 렌즈 및 검출기의 구성><3. Structure of objective lens and detector>
도 3은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼(20)의 대물 렌즈(180) 및 전자 검출기(190)의 구성을 상세하게 나타낸다. 도 3은 전자선 칼럼(20)의 대물 렌즈(180) 및 전자 검출기(190)의 개략 구성을 도시한 단면도이다.3 shows the details of the configuration of the
[대물 렌즈][objective]
대물 렌즈(180)는 중심에 전자선이 통과하기 위한 개구를 갖는 통형 구조물일 수 있다. 대물 렌즈(180)는, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 전극(181), 제2 전극(182), 제3 전극(183) 및 제4 전극(184)의 4장의 전극을 포함할 수 있다. 이들 전극들은 대물 렌즈(180)가 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)와 대향하는 측부터 제1 전극(181), 제2 전극(182), 제3 전극(183), 제4 전극(184)의 순서로 배치될 수 있다.The
제1 전극(181)은, 전자선 칼럼(20)의 하우징(102)으로부터 연장 배치된 제2 전극(182)의 지지부(182c)에 절연물(195)을 통하여 접속될 수 있다. 제1 전극(181)은 하우징(102)의 외주와 거의 동일 직경의 외주를 갖는 환상 부재로서, 그 중심에는 전자선이 통과하기 위한 개구가 형성될 수 있다. 제1 전극(181)의 제1면(외면)(181a)은 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)와 대향한다.The
제2 전극(182)은 환상의 전극부(182b)와, 그 전극부 및 제1 전극(181)을 지지하는 절연물(195)이 접속된 지지부(182c)를 포함할 수 있다. 지지부(182c)는 하우징(102)과 거의 동일 직경을 갖는 대직경부와, 대직경부보다 소직경인 소직경부를 포함할 수 있다. 대직경부는 하우징(102)과 접속되어 있고, 소직경부는 대직경부에서 제1 전극(181) 측으로 연장될 수 있다. 소직경부의 선단에는 전극부(182b)의 외주 부분이 고정될 수 있다. 전극부(182b)는 제1 전극(181)과 제3 전극(183)의 사이에 배치될 수 있다. 제2 전극(182)의 전극부(182b)의 제1면(제1 전극(181) 측의 면)(182a)에는 후술하는 제3 검출기(196)가 배치될 수 있다.The
제3 전극(183)은 환상의 전극부(183b)와, 그 전극부(183b)를 지지하는 통형 지지부(183c)을 포함할 수 있다. 지지부(183c)는 절연물(197)을 통하여 제4 전극(184)에 접속되는 플랜지부와, 그 플랜지부에서 제1 전극(181) 측으로 연장되는 통부를 포함할 수 있다. 통부는 제2 전극(182)의 소직경부보다 더 소직경이며, 그 선단에는 전극부(183b)의 외주 부분이 고정될 수 있다. 전극부(183b)는 제2 전극(182)과 제4 전극(184)의 사이에 배치될 수 있다.The
제4 전극(184)은 하우징(102)과 접속된 플랜지부(184c)와, 그 플랜지부(184c)에서 제1 전극(181) 측으로 연장되는 통형 전극부(184b)를 포함할 수 있다. 플랜지부(184c)는 절연물(197)을 통하여 제3 전극(183)을 지지함과 동시에, 그 내주부에서 전극부(184b)의 일단을 지지할 수 있다. 통형 전극부(184b)로 인해, 제3 전극(183)에 고전압을 인가하기 위해 필요한 절연물(예를 들면, 애자(insulator))이 전자선에 노출되지 않을 수 있다. 제4 전극(184)의 전극부의 내경은 제1 전극(181), 제2 전극(182) 및 제3 전극(183)의 각 전극부의 개구의 내경과 거의 동일할 수 있다.The
제1 전극(181)에는 음전압이 인가될 수 있고, 제2 전극(182)은 접지될 수 있다. 또한, 제3 전극(183)은 포커스용 전극으로, 양전압이 인가될 수 있다. 제3 전극(183)에 양전압이 인가됨으로써 대물 렌즈(180)를 가속 렌즈로서 이용할 수 있다. 이에 따라, 제3 전극(183)에 음전압을 인가하는 경우에 비해 대물 렌즈(180)를 저수차(low aberration)화할 수 있음과 동시에, 방출된 2차 전자를 끌어올려 궤도 변경시킴으로써 집광하는 것이 가능해질 수 있다. 또한, 제4 전극(184)은 접지될 수 있다. 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)에는 음전압이 인가될 수 있다.A negative voltage may be applied to the
본 실시예에 따른 전자선 장치(1) 는 대물 렌즈(180)의 제1 전극(181)에 인가되는 제1 전압과 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)에 인가되는 시료 전압의 전위차를 변화시킴으로써, 웨이퍼(W) 표면의 대전이나 검출 가능한 전자 에너지, 검출기에 대한 전자선의 입사각도 등을 변경할 수 있다. 예를 들면 제1 전압을 시료 전압보다 낮게 하면, 에너지가 낮은 전자가 웨이퍼(W)로 되돌아가 대전을 억제하거나 중화할 수 있다. 반대로 제1 전압을 시료 전압보다 높게 하면, 2차 전자를 리프트하여 웨이퍼(W)를 양으로 대전시킬 수 있다.The
또한, 검출계와 관련하여 제1 전압과 시료 전압의 전위차를 변화시킴으로써, 전자선에 대한 필터링이 가능할 수 있다. 예를 들면 제1 전압을 시료 전압보다 낮게 하면, 대물 렌즈(180)를 고에너지의 전자만을 통과시키는 하이패스 필터로서 사용할 수 있다.In addition, by changing the potential difference between the first voltage and the sample voltage in relation to the detection system, filtering of the electron beam may be possible. For example, if the first voltage is lower than the sample voltage, the
도 4는 대물 렌즈(180)를 하이패스 필터로서 사용하였을 때의 검출기의 억셉턴스(검출기에 의해 검출 가능한 전자선의 검출각과 에너지의 관계)를 나타낸다. 도 4로부터, 소정의 문턱값 이상의 에너지를 갖는 전자만이 검출되는 것을 판독할 수 있다. 반대로 제1 전압을 시료 전압보다 높게 하면, 2차 전자를 리프트하여 집광하도록 대물 렌즈(180)를 사용할 수 있다.Fig. 4 shows the acceptance of the detector (the relationship between the detection angle of the electron beam detectable by the detector and the energy) when the
본 발명의 예시적 실시예에 따라, 제1 전압과 시료 전압의 전위차는 2kV 이하일 수 있다. 이 전위차가 크면 2차 전자선은 직진하여 검출기의 중심 개구로부터 빠져 버리기 때문이다. 전위차를 2kV 이하로 작게 함으로써 2차 전자선은 넓어지고, 이에 따라 중심에 1차 빔이 통과하는 개구를 갖는 동심원(annular)형 검출기와 비교하여 전자가 용이하게 검출될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the potential difference between the first voltage and the sample voltage may be 2 kV or less. This is because when the potential difference is large, the secondary electron beam goes straight and exits from the central opening of the detector. By reducing the potential difference to 2 kV or less, the secondary electron beam is widened, and accordingly, electrons can be easily detected in comparison with an annular detector having an opening through which the primary beam passes in the center.
이와 같이, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)는 상기와 같이 4장의 전극을 이용함으로써 대물 렌즈(180)의 제1 전극(181)에 인가되는 제1 전압과 시료 전압의 전위차를 연속적으로 변화시켜도 제3 전극(183)의 포커스 전압의 변화량을 저감할 수 있다. 따라서, 예를 들면 도 14에 도시된 바와 같이, 전자선 장치(1)에 의해 웨이퍼(W)의 결함을 검출하는 경우, 참조 위치에서의 SEM상과 검사 위치에서의 SEM상을 비교하는 동안 화상 비교를 명확하게 행할 수 없는 경우에는 이 전위차를 조정하여 시료의 대전을 변화킴으로써, 취득되는 화상을 조정할 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)에는 대물 렌즈(180)의 조정에 의해 원하는 화상을 취득함으로써 결함의 검출 성능을 개선하고 검사 정밀도를 향상시킬 수 있음과 동시에, 이 조정을 연속적으로 행할 수 있도록 하여 효율적인 검사를 가능하게 할 수 있다.As described above, the
본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)의 대물 렌즈(180) 에 의한 포커스 전압의 변화에 대해, 3장의 전극을 이용한 경우와 비교하면서 설명한다. 또한, 3장의 전극을 이용한 경우의 구성은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 대물 렌즈(180)를 구성하는 전극 중에서 제2 전극(182)을 생략한 구성으로 간주한다.The change of the focus voltage by the
제1 전극(181)과 시료 간의 전위차가 0V가 되는 설정을 표준 조건으로 한다. 예를 들면, 전자선의 가속 에너지를 8keV, 전자선의 시료에의 입사 에너지를 1keV라고 하면, 시료 전압은 -7kV, 제1 전극(181)의 제1 전압은 -7kV가 된다.The standard condition is set such that the potential difference between the
다음에, 표준 조건에서 제1 전극(181)의 제1 전압을 -6.9kV로 변경하였다고 하자. 이 때, 제1 전극(181)과 시료 간의 전위차는 +0.1kV가 된다. 이 때, 1차 전자선을 시료에 포커스하는 데에 필요한 전압은 +14.4kV로서 관찰된다. 또한, 표준 조건의 포커스 전압은 +14.1kV로서 관찰된다. 따라서, 표준 조건의 포커스 전압 +14.1kV으로부터의 차이인 포커스 전압의 변화량은 0.3kV가 된다. 또한, 표준 조건에서의 포커스 전압에 대한 포커스 전압의 상대 변화량은 2.1%(0.3/14.1%)가 된다.Next, suppose that the first voltage of the
마찬가지로, 3장의 전극을 이용한 구성에 대해서도 표준 조건에서 제1 전압을 -6.9kV로 변경하였을 때, 1차 전자선을 시료에 포커스하는 데에 필요한 전압은 +12.7kV로서 관찰된다. 또한, 표준 조건의 포커스 전압은 +11.8kV로서 관찰된다. 따라서, 표준 조건의 포커스 전압 +11.8kV으로부터의 차이인 포커스 전압의 변화량은 0.9kV가 된다. 또한, 표준 조건에서의 포커스 전압에 대한 포커스 전압의 상대 변화량은 7.6%(0.9/11.8%)가 된다.Similarly, for a configuration using three electrodes, when the first voltage is changed to -6.9 kV under standard conditions, the voltage required to focus the primary electron beam on the sample is observed as +12.7 kV. Further, the focus voltage under standard conditions is observed as +11.8 kV. Therefore, the amount of change in the focus voltage that is the difference from the focus voltage +11.8 kV under standard conditions is 0.9 kV. Further, the relative change amount of the focus voltage with respect to the focus voltage under standard conditions is 7.6% (0.9 / 11.8%).
이로부터, 본 발명의 예시적 실시예에 따라 4장의 전극으로 대물 렌즈를 구성함으로써, 3장의 전극을 이용한 경우와 비교하여 포커스 전압의 변화량이 약 72% 개선되는 것을 알 수 있다.From this, it can be seen that by configuring the objective lens with four electrodes according to an exemplary embodiment of the present invention, the change in the focus voltage is improved by about 72% compared to the case of using three electrodes.
[검출기][Detector]
본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼(20)은, 전자선을 검출하는 전자 검출기(190)로서 제1 검출기(192), 제2 검출기(194) 및 제3 검출기(196)의 3개의 검출기를 포함할 수 있다. 전자 칼럼(20)에 하나의 검출기가 배치되는 경우, 도 15에 도시된 바와 같이 검출할 수 없는 전자선이 존재할 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼(20)은 복수, 예를 들면 3개의 검출기들(192, 194, 196)을 포함함으로써, 하나의 검출기로서 검출할 수 없었던 전자선을 검출할 수 있다.The
제1 검출기(192)는, 도 3에 도시된 바와 같이 대물 렌즈(180) 상방(스테이지(18)와 반대측 방향)에 배치될 수 있다. 제1 검출기(192)는 환상의 전자 검출 센서로서, 그 전자 검출 영역은 제4 전극(184)의 내경보다 작을 수 있다. 제1 검출기(192)는, 대물 렌즈(180)에 가능한 가깝게 배치될 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)는 복수의 전자선 칼럼(20)을 포함할 수 있기 때문에, 각 검출기의 면적이나 폭이 제한될 수 있다. 그래서, 시료에 보다 가까운 대물 렌즈(180) 에 검출기를 배치함으로써 넓은 범위로 방출된 전자가 검출될 수 있다.The
제2 검출기(194)는 환상의 전자 검출 센서로서, 제1 검출기(192)의 더욱 상방에 배치될 수 있다. 예를 들면 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 검출기(194)는 얼라인먼트 기구(160)와 주사 전극(170)의 사이에 배치될 수 있다. 제2 검출기(194)는 제1 검출기(192)의 중심 개구를 빠져나간 전자의 소각도 성분을 검출할 수 있다. 제2 검출기(194)의 개구부의 내경은 제1 검출기(192)의 개구부의 내경보다 작을 수 있다. 복수의 검출기들(192, 194)에 의해서 보다 고효율로 전자를 검출하는 것이 가능해진다.The
제1 검출기(192) 및 제2 검출기(194)에는, 예를 들면 반도체 검출기나 신틸레이터(scintillator) 등을 포함할 수 있다. 제1 검출기(192)나 제2 검출기(194)가 신틸레이터를 포함한 경우, 예를 들면 도 5에 도시된 바와 같이 구성될 수 있다. 도 5는 제1 검출기(192)가 신틸레이터(192a)를 포함한 구성을 나타내고 있지만, 제2 검출기(194)도 동일하게 구성될 수 있다.The
도 5를 참조하면, 신틸레이터(192a)는 방사선의 입사에 따라 형광을 발하는 물질로서, 신틸레이터(192a)는 입사되는 전자를 광으로 변환할 수 있다. 신틸레이터(192a)에 의해 전자로부터 변환된 광은, 미러면(192b)에서 반사되어 도입 기구인 라이트 가이드(50c)에 유도될 수 있다. 라이트 가이드(50c)의 종단은 광 전자 증배관(photomultiplier tube)(60)과 접속될 수 있고, 광 전자 증배관(60)에 의해 광은 전자로 변환되어 증폭될 수 있다. 증폭된 전자 신호는 검출 회로계에서 검출될 수 있다.Referring to FIG. 5, the
신틸레이터(192a)의 중앙은 개구되어 있고, 그 개구 부분에는 금속통(192c)이 삽입 통과될 수 있다. 금속통(192c)의 내부를 1차 전자선이 통과할 수 있다. 신틸레이터(192a)의 선단은 금속통(192c) 및 금속 커버(192d)로 덮일 수 있고, 절연물이 전자선에 노출되지 않도록 구성될 수 있다. 검출기(192) 전체는, 예를 들면 플랜지(50c2)와 라이트 가이드(50c)의 사이를 O링(50c1)으로 구획될 수 있다. 이에 의해, 전자선 칼럼(20) 내의 진공 부분과 전자선 칼럼(20) 밖의 대기 부분이 구획될 수 있다.The center of the
또한, 신틸레이터(192a)에 의해 발광된 형광을 라이트 가이드(50c)로 유도하기 위해, 미러면(192b)에는 알루미늄(Al) 등의 금속이 증착될 수 있다. 또한, 라이트 가이드(50c)의 지지는 광의 누설을 저감하기 위해 접촉 면적을 최소로 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 라이트 가이드(50c)는 O링(192b)으로만 지지될 수 있다.Further, in order to induce fluorescence emitted by the
도 3의 설명으로 되돌아가, 제3 검출기(196)는 환상의 전자 검출 센서로서, 도 6에 도시된 바와 같이 대물 렌즈(180)의 제2 전극(182)의 제1면(182a)에 배치될 수 있다. 제3 검출기(196) 는 대물 렌즈(180)의 선단에서의 공간적인 제한으로 인하여, 예를 들면 반도체 검출기를 포함할 수 있다.Returning to the description of FIG. 3, the
대물 렌즈(180)의 제1 전극(181)에는 웨이퍼(W)로부터의 전자선이 통과하는 개구부(1811)가 형성될 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따라, 도 7에 도시된 바와 같이 4개의 개구부(1811)가 제1 전극(181)의 둘레방향을 따라 등간격으로 거의 동일 크기로 형성될 수 있다. 각 개구부(1811)는, 예를 들면 제1 전극(181)을 잘라내어 형성될 수도 있다. 또한, 각 개구부(1811)의 사이에 직경 방향으로 연장되는 그리드(1812)를 마련함으로써 개구부(1811)의 전위은 일정할 수 있다. 또한, 본 실시예에서 개구부(1811)는 4개 형성되어 있지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않고, 제1 전극(181)에 하나 또는 복수의 개구를 마련하여 전자선이 통과 가능하게 될 수 있다.An
검출기들(192, 194, 196)은, 도 3에 도시된 바와 같은 전자선의 궤도에 대응하여 전자선 칼럼(20) 내에 배치될 수 있다. 즉, 스테이지(18)의 시료 안착면에 수직인 전자선의 입사 방향에 대하여 2차 전자선은 확산되면서 진행할 수 있다. 그래서, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼(20)에는, 전자선의 입사 방향에 대하여 2차 전자선의 진행 방향이 이루는 각(이하, '검출각'이라고도 함)에 따라 전자를 검출하는 검출기들(192, 194, 196)이 배치될 수 있다. 이와 같이 검출각이 다른 2차 전자선들에 각각 대응하는 복수의 검출기들(192, 194, 196)을 배치하여 상을 취득함으로써, 특정 결함으로부터의 신호를 강조할 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 홀 바닥의 결함 검출에는 작은 검출각의 전자를 선택적으로 검출할 수 있는 제2 검출기(194)를 이용하는 것이 유용할 수 있다.The
도 8은 검출기들(192, 194, 196) 각각에 의해 검출되는 전자선의 검출각과 에너지의 관계도를 나타낸다. 도 8에서, 전자 궤도 A의 전자선은 제1 검출기(192)에 의해 검출될 수 있고, 전자 궤도 B의 전자선은 제2 검출기(194)에 의해 검출될 수 있으며, 전자 궤도 C의 전자선은 제3 검출기(196)에 의해 검출될 수 있다.8 shows a relationship diagram of the detection angle and energy of the electron beam detected by each of the
도 8에 도시된 바와 같이, 제3 검출기(196)는 큰 검출각으로 높은 에너지로 방출된 전자를 검출할 수 있다. 예를 들면, 제3 검출기(196)는 시료의 미소한 요철을 강조하여 관찰할 수 있는 효과를 가져올 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따라, 제3 검출기(196)는 대물 렌즈(180)의 제2 전극(182)에 배치될 수 있다. 즉, 신호선의 레벨이 접지 전위 기준이 되므로 배선의 절연이 용이해지고, 또한 후단의 프리앰프 등 검출 회로계가 접지 전위 기준이 되므로 전자선 장치(1)의 고속 동작이 용이해질 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the
[실시예][Example]
본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 칼럼(20)의 대물 렌즈(180) 및 검출기(190)는 도 3에 도시된 바와 다르게 구성될 수도 있다.The
(실시예 1)(Example 1)
예를 들면, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 검출기(196)는 제1 전극(181)에 배치될 수 있다. 즉, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 검출기(196)는 대물 렌즈(180)의 제1 전극(181)의 외면(181a)에 배치되어 있다. 제3 검출기(196)를 시료(W)에 가깝게 배치할 수 있기 때문에, 보다 넓은 각도로 방출된 2차 전자선을 검출하는 것이 가능해진다. 이 경우, 전자선이 고압에 떠 버리기(floating) 때문에, 고전압용 차동 앰프(differential amplifier)를 사용할 필요가 있다.For example, as illustrated in FIGS. 9 and 10, the
(실시예 2)(Example 2)
또한, 환상의 각 검출기들(192, 194, 196)은 분할된 면들로서 구성될 수 있다. 제3 검출기(196)를 예로 들면, 예컨대 도 11에 도시된 바와 같이, 제3 검출기(196)는 둘레방향으로 4분할된 검출부들(1961, 1962, 1963, 1964)을 포함할 수 있다. 이 때, 각 검출부들(1961, 1962, 1963, 1964)의 크기는 동일할 수 있다. 이에 따라, 검출부들(1961, 1962, 1963, 1964) 각각은 대응하는 특정 방위로 방출된 전자를 각각 검출할 수 있고, 검출부들(1961, 1962, 1963, 1964) 각각이 검출한 값들의 차분을 취함으로써 요철을 강조한 상을 취득할 수 있다. 특히 본 발명의 예시적 실시예에 따라, 대물 렌즈(180)에 정전 렌즈를 이용하는 경우, 회전이 없고 방향성이 유지되기 때문에 보다 효과적일 수 있다.Also, each of the
(실시예 3)(Example 3)
제2 검출기(194)의 검출 효율을 향상시키는 방법으로서, 예를 들면 도 12에 도시된 바와 같이, 전자선 칼럼(20)에 대물 렌즈(180) 및 제1 검출기(192)의 상부에 전자선을 편향시키는 편향 기구로서 정전장과 자장이 직교한 ExB 편향기(200)가 배치될 수 있다. 또한, 도 12에서는 대물 렌즈(180) 및 전자 검출기(190)에 전압을 인가하는 전원에 대한 도시를 생략하고 있지만, 각각 도 3과 동일한 전압이 인가될 수 있다.As a method for improving the detection efficiency of the
도 12에 도시된 바와 같이, ExB 편향기(200)의 상방에는 주사 전극(170), 제2 검출기(194)가 배치될 수 있다. 이 때, 전자선 칼럼(20)은 1차 전자선이 ExB 편향기(200)에 의해 편향되지 않는(즉, 직진하는) 빈(wien) 조건으로 설정될 수 있다. 2차 전자, 반사 전자로 이루어지는 신호 전자선은 1차 전자선과 진행 방향이 반대이기 때문에, ExB 편향기(200)에 의해 편향될 수 있다. 이와 같이 신호 전자선을 제2 검출기(194)의 검출 영역에 입사시키도록 ExB 편향기(200)에 의해 신호 전자선을 편향시킴으로써, 제2 검출기(194)는 보다 효율적으로 신호 전자선을 검출할 수 있다.12, a
(실시예 4)(Example 4)
혹은 제2 검출기(194)의 검출 효율을 향상시키는 다른 방법으로서, 예를 들면 도 13에 도시된 바와 같이, 대물 렌즈(180) 및 제1 검출기(192)의 상부에 전자선을 편향시키는 편향 기구로서 자장형 얼라인먼트 기구(300)가 배치될 수 있다. 또한, 도 13에서도 대물 렌즈(180) 및 전자 검출기(190)에 전압을 인가하는 전원에 대한 도시를 생략하고 있지만, 각각 도 3과 동일한 전압이 인가될 수 있다.Alternatively, as another method of improving the detection efficiency of the
도 13에 도시된 바와 같이, 얼라인먼트 기구(300)의 상방에는 주사 전극(170)이 배치될 수 있다. 본 실시예에서는, 주사 전극(170)에 상을 구성하기 위한 주사 신호에 덧붙여 정적인 얼라인먼트 전압이 중첩될 수 있다. 즉, 2단으로 배치된 주사 전극들(172, 174)도 얼라인먼트 기구의 일부로서 기능할 수 있다. 주사 전극(170)의 상방에는 제2 검출기(194)가 배치될 수 있다.13, the
1차 전자선은 주사 전극들(172, 174) 및 얼라인먼트 기구(300)에 의한 3단 얼라인먼트에 의해 편향되어 제1 검출기(192)의 개구를 통과하도록 중심축 상으로 되돌아갈 수 있다. 제1 검출기(192)의 개구를 통과한 1차 전자선은 스테이지(18) 상의 웨이퍼(W)에 조사될 수 있다.The primary electron beam may be deflected by the three-stage alignment by the
웨이퍼(W)에 의해 반사된 전자선 및 2차 전자로 이루어지는 신호 전자선은 1차 전자선과 진행 방향이 반대가 될 수 있다. 따라서, 제1 검출기(192)의 개구를 통과한 신호 전자선은, 우선 자장형 얼라인먼트 기구(300)에 의해 1차 전자선과는 반대방향으로 편향될 수 있고, 이어지는 주사 전극들(172, 174)에 인가된 중첩된 얼라인먼트 전압에 의해 더욱 편향된 후, 제2 검출기(194)에 입사할 수 있다. 이와 같이 주사 전극들(172, 174) 및 얼라인먼트 기구(300)에 의해 전자선의 진행 방향을 얼라인먼트함으로써, 신호 전자선을 제2 검출기(194)의 검출 영역에 입사시킬 수 있고, 제2 검출기(194)는 신호 전자선을 보다 효율적으로 검출할 수 있다.A signal electron beam composed of electron beams and secondary electrons reflected by the wafer W may have opposite directions to the primary electron beam. Therefore, the signal electron beam passing through the opening of the
도 12에 도시된 실시예 3 및 도 13에 도시된 실시예 4는, 제1 검출기(192)가 신호 전자선의 대부분을 검출하고, 제2 검출기(194)가 작은 검출각의 신호 전자선을 검출함으로써, 검출각이 선택된 SEM상을 취득하는 것이 가능해진다. 특히 소형의 전자선 칼럼(20)에서는 검출기(190)의 크기가 제한되어 있기 때문에, 검출각이 선택된 SEM상을 취득할 수 있는 이러한 구성은 유용하다. 또, 대물 렌즈(180) 및 검출기(190)의 배치, ExB 편향기(200)나 얼라인먼트 기구(300) 등과 같은 전자선을 편향시키는 편향 기구의 배치는 상기 실시예들 1~4에 한정되는 것은 아니고, 다른 구성이나 조합도 가능하다.In the third embodiment shown in Fig. 12 and the fourth embodiment shown in Fig. 13, the
이상, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 전자선 장치(1)의 구성과 그 작용에 대해 설명하였다. 본 발명의 예시적 실시예에 따르면, 전자선 장치(1)에 복수로서 포함되어 있는 전자선 칼럼(20)이 소형화될 수 있고, 동시에 결함의 검출 성능이 개선되고 고효율화될 수 있다. 또한, 대물 렌즈(180)가 4개의 전극을 포함함으로써, 제1 전극(181)의 제1 전압과 시료 전압의 전위차를 변화시켰을 때의 제3 전극(183)의 제3 전압(즉, 포커스 전압)의 변화량이 저감될 수 있다. 이에 의해, 저가속 고성능인, 즉 저수차의 전자선 칼럼(20)을 실현할 수 있다.The configuration and operation of the
또한, 2차 전자나 시료에 의한 반사 전자로 이루어지는 2차 전자선을 검출하는 검출기들(192, 194, 196)을 2차 전자선의 진행 방향을 따라 배치함으로써, 검출이 어려웠던 작은 검출각의 전자선이나 큰 검출각이면서 고에너지인 전자선의 검출도 가능해진다. 이에 따라 시료의 대전 상황이나, 검출기종에 따른 다양한 검출 조건에 대응하는 것이 가능한 전자선 장치(1)를 실현할 수 있다.Further,
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속한 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자이면, 특허청구범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예에 도달할 수 있음은 명백하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.The preferred embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these examples. If a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains, it is clear that various modifications or amendments can be reached within the scope of the technical spirit described in the claims, and of course, the technical aspects of the present invention are also provided. It is understood to fall within the scope.
1: 전자선 장치 10: 챔버 유닛 18: 스테이지
20 전자선 칼럼 30: 제어 전원 40: 제어 장치
102 하우징 110: 전자총 120: 콘덴서 렌즈계
130 빔 조리개 기구 140: 광축 조정 기구 150: 블랭킹 전극
160 구획 밸브 170: 주사 전극 180: 대물 렌즈
181: 제1 전극 182: 제2 전극 183: 제3 전극
184 제4 전극 190: 전자 검출기 192: 제1 검출기
194 제2 검출기 196: 제3 검출기 200: ExB 편향기
300: 얼라인먼트 기구 W: 반도체 웨이퍼DESCRIPTION OF
20 Electron beam column 30: Control power supply 40: Control device
102 housing 110: electron gun 120: condenser lens system
130 beam aperture mechanism 140: optical axis adjustment mechanism 150: blanking electrode
160 Compartment valve 170: Scanning electrode 180: Objective lens
181: first electrode 182: second electrode 183: third electrode
184 fourth electrode 190: electronic detector 192: first detector
194 Second detector 196: Third detector 200: ExB deflector
300: alignment mechanism W: semiconductor wafer
Claims (10)
상기 전자선 광학계는 상기 시료 표면에 대해 출사된 전자선을 소정 위치에 포커스시키는 대물 렌즈를 포함하고,
상기 대물 렌즈는 상기 시료에 대향하는 측부터 차례대로 음전압이 인가되는 제1 전극, 접지되는 제2 전극, 포커스 전압이 인가되는 제3 전극 및 접지되는 제4 전극을 포함하는 4개의 전극을 포함하는 정전 렌즈인 것을 특징으로 하는 전자선 장치.An electron beam column including an electron beam optical system for irradiating electron beams to a sample surface and a detection system for detecting electrons generated by irradiation of the electron beam inside the housing,
The electron beam optical system includes an objective lens that focuses the electron beam emitted to the sample surface at a predetermined position,
The objective lens includes four electrodes including a first electrode to which a negative voltage is sequentially applied from a side opposite to the sample, a second electrode to be grounded, a third electrode to which a focus voltage is applied, and a fourth electrode to be grounded. Electron beam device, characterized in that the electrostatic lens.
상기 대물 렌즈에 대해 상기 시료와 반대측에 배치되는 제1 검출기; 및
상기 제1 검출기보다 더 상기 시료로부터 떨어진 상방에 배치되는 제2 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자선 장치.The method of claim 1, wherein the detection system,
A first detector disposed on the opposite side of the sample relative to the objective lens; And
And a second detector disposed above the sample more than the first detector.
상기 대물 렌즈에 배치되는 제3 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자선 장치.The method of claim 2, wherein the detection system,
And a third detector disposed on the objective lens.
상기 제3 검출기는 상기 대물 렌즈의 상기 제1 전극에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자선 장치.According to claim 3,
The third detector is an electron beam device, characterized in that disposed on the first electrode of the objective lens.
상기 제3 검출기는 상기 대물 렌즈의 상기 제2 전극에 배치되고,
상기 제1 전극은 상기 제3 검출기를 노출시키는 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자선 장치.According to claim 3,
The third detector is disposed on the second electrode of the objective lens,
The first electrode includes an opening exposing the third detector.
상기 제1 검출기, 상기 제2 검출기 및 상기 제3 검출기는 각각 환상(環狀)인 것을 특징으로 하는 전자선 장치.According to claim 3,
The first detector, the second detector, and the third detector are respectively electron beam devices, characterized in that (환상).
상기 전자선 칼럼은 상기 제1 검출기와 상기 제2 검출기의 사이에 배치되고, 전자선을 편향시키는 편향 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자선 장치.According to claim 2,
The electron beam column is disposed between the first detector and the second detector, and the electron beam device comprises a deflection mechanism for deflecting the electron beam.
상기 포커스 전압은 양전압인 것을 특징으로 하는 전자선 장치.According to claim 1,
The focus voltage is an electron beam device, characterized in that the positive voltage.
상기 제1 전극에 인가되는 전압과 상기 시료에 인가되는 전압의 전위차는 조정 가능한 것을 특징으로 하는 전자선 장치.According to claim 1,
The electron beam device, wherein the potential difference between the voltage applied to the first electrode and the voltage applied to the sample is adjustable.
상기 전자선 칼럼을 복수로서 포함하는 전자선 장치.According to claim 1,
An electron beam device comprising a plurality of the electron beam columns.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/294,639 US9159528B2 (en) | 2013-06-07 | 2014-06-03 | Electron beam apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013120655A JP2014238962A (en) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | Electron beam apparatus |
JPJP-P-2013-120655 | 2013-06-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140144129A KR20140144129A (en) | 2014-12-18 |
KR102101838B1 true KR102101838B1 (en) | 2020-04-22 |
Family
ID=52135967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140012678A KR102101838B1 (en) | 2013-06-07 | 2014-02-04 | Electron beam apparatus |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014238962A (en) |
KR (1) | KR102101838B1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016152582A1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Electron beam-type pattern inspecting device |
US9601303B2 (en) * | 2015-08-12 | 2017-03-21 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting and/or imaging a sample |
JP6857511B2 (en) * | 2017-02-23 | 2021-04-14 | 日本電子株式会社 | Scanning electron microscope |
JP2018195514A (en) | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 東芝メモリ株式会社 | Pattern inspection method using charged particle beams |
JP2019212766A (en) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method |
JP7051655B2 (en) * | 2018-09-27 | 2022-04-11 | 株式会社日立ハイテク | Charged particle beam device |
US10991544B2 (en) * | 2019-05-29 | 2021-04-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, objective lens module, electrode device, and method of inspecting a specimen |
EP4088301A1 (en) | 2020-01-06 | 2022-11-16 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100711198B1 (en) | 1995-10-19 | 2007-07-06 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | Scanning electron microscope |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3291880B2 (en) * | 1993-12-28 | 2002-06-17 | 株式会社日立製作所 | Scanning electron microscope |
JP3534582B2 (en) * | 1997-10-02 | 2004-06-07 | 株式会社日立製作所 | Pattern defect inspection method and inspection device |
JP5963453B2 (en) * | 2011-03-15 | 2016-08-03 | 株式会社荏原製作所 | Inspection device |
-
2013
- 2013-06-07 JP JP2013120655A patent/JP2014238962A/en active Pending
-
2014
- 2014-02-04 KR KR1020140012678A patent/KR102101838B1/en active IP Right Grant
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KR100711198B1 (en) | 1995-10-19 | 2007-07-06 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | Scanning electron microscope |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140144129A (en) | 2014-12-18 |
JP2014238962A (en) | 2014-12-18 |
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