KR102099010B1 - High temperature warpage measurement apparatus using reflow oven - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리플로우 오븐(Reflow Oven)과 3차원형상스캔 기술을 적용하고, 실제의 반도체 패키지 장치에서 적용된 온도 프로파일을 이용하여 기판 또는 반도체 칩의 워페이지(warpage)를 신속하고 정확하게 측정할 수 있도록 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치에 관한 것이다.
상술한 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치는, 상부가 관측창으로 형성되어 장입된 피측정물을 기 설정된 온도프로파일에 따라 가열 및 냉각하며 이송시키는 리플로우 오븐부; 및 상기 관측창을 통해 상기 리플로우 오븐부에서 이송되며 가열 및 냉각되는 피측정물로 패턴을 가지는 측정광을 조사한 후 피측정물에서 반사되는 반사광을 촬영하여 출력하는 3차원형상스캔부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention applies a reflow oven (Reflow Oven) and three-dimensional shape scanning technology, and by using a temperature profile applied in a real semiconductor package device, it is possible to quickly and accurately measure the warpage of the substrate or semiconductor chip. It relates to a high-temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven.
The high-temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention as described above includes: a reflow oven unit for heating, cooling, and transporting a charged object to be measured according to a preset temperature profile; And a three-dimensional shape scanning unit that irradiates the measurement light having a pattern to a measurement object that is transferred from the reflow oven unit and is heated and cooled through the observation window, and then photographs and outputs reflected light reflected from the measurement object. It characterized in that the configuration.

Figure 112018083279529-pat00004
Figure 112018083279529-pat00004

Description

리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치{HIGH TEMPERATURE WARPAGE MEASUREMENT APPARATUS USING REFLOW OVEN}High temperature warpage measuring device using reflow oven {HIGH TEMPERATURE WARPAGE MEASUREMENT APPARATUS USING REFLOW OVEN}

본 발명은 워페이지 측정 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 리플로우 오븐(Reflow Oven)과 3차원형상스캔 기술을 적용하고, 실제의 반도체 실장장치 등과 같은 반도체 패키지 장치에서 적용된 온도 프로파일을 이용하여 기판 또는 반도체 칩의 워페이지(warpage)를 신속하고 정확하게 측정할 수 있도록 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a warpage measuring device, and more specifically, to apply a reflow oven (Reflow Oven) and three-dimensional shape scanning technology, and using a temperature profile applied in a semiconductor package device such as a real semiconductor mounting device The present invention relates to a high-temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven that enables rapid and accurate measurement of warpage of a substrate or semiconductor chip.

일반적으로, 반도체의 생산 공정은 전공정(Fabrication)과 패키지(Package) 공정으로 분류될 수 있다.In general, a semiconductor production process may be classified into a pre-process (Fabrication) and a package (Package) process.

전공정에서는 웨이퍼 상에 노광공정 등을 수행하여 회로를 형성한 후 절단하여 반도체 소자를 제작하는 작업이 수행된다. In the previous step, a process of forming a semiconductor device by performing an exposure process or the like on a wafer and then cutting it is performed.

패키지 공정에서는 전공정이 완료되어 분할된 톱패키지(Top Package) 등의 반도체 소자를 바톰패키지(Bottom Package) 등의 기판 모듈 등에 실장하는 표면실장기술(SMT: Surface Mount Technology)을 이용한 표면실장 작업이 수행된다.In the package process, a surface mount operation using surface mount technology (SMT) is performed to mount a semiconductor device such as a top package that has been divided after completion of the entire process, to a substrate module such as a bottom package. do.

도 1은 종래기술의 패키지 공정을 위한 반도체 실장장비의 실시예의 사진이고, 도 2는 적용된 온도프로파일을 나타내는 그래프이다.1 is a photo of an embodiment of a semiconductor mounting equipment for the prior art package process, Figure 2 is a graph showing the applied temperature profile.

도 1 및 도 2를 참조하여 패키지 공정을 더욱 상세히 설명하면, 전공정에서 제작된 톱패키지 등의 반도체 소자들을 픽업엔플레이스 장치 등의 로더를 통해 리플로우 오븐(Reflow Oven) 내의 컨베이어 또는 컨베어이에 의해 이송되는 PCB 또는 바톰패키지 등의 기판모듈 상에 안착되어 이동된다. 이 과정에서 리플로우 오븐이 기 설정된 온도 프로파일에 따라 내부 영역들을 가열 또는 냉각하는 것에 의해 솔더를 용융시키고 응고시켜 반도체 소자를 기판모듈 등에 실장하여 반도체칩을 제작하게 된다.Referring to Figures 1 and 2 in more detail with respect to the package process, semiconductor devices such as top packages manufactured in the previous process are transferred by a conveyor or conveyor in a reflow oven through a loader such as a pickup and place device. It is seated and moved on a substrate module such as a transferred PCB or a bottom package. In this process, the reflow oven melts and solidifies the solder by heating or cooling the inner regions according to a preset temperature profile to mount the semiconductor device on a substrate module or the like to manufacture a semiconductor chip.

이때, 리플로우 오븐은 설정된 온도 프로파일에 따라 서로 다른 온도를 가지는 영역으로 분할되며, 일반적으로 입구 측에 인접된 영역에서 기판모듈에 솔더를 도포하고, 솔더가 도포된 기판모듈에 반도체 소자를 로딩한 후 솔더를 용융시키는 가열구간과, 기판모듈 상에 반도체 소자가 실장 되도록 용융된 솔더를 냉각시키는 냉각구간으로 분리된다. 리플로우 오븐에 장입된 반도체 소자는 가열구간과 냉각구간을 지나면서 기판에 고정된 후 언로더에 의해 트레이로 이송된다.At this time, the reflow oven is divided into regions having different temperatures according to the set temperature profile, and in general, solder is applied to the substrate module in the region adjacent to the inlet side, and semiconductor elements are loaded onto the substrate module coated with solder. After that, it is separated into a heating section for melting the solder and a cooling section for cooling the molten solder so that a semiconductor element is mounted on the substrate module. The semiconductor device loaded in the reflow oven is fixed to the substrate while passing through the heating section and the cooling section, and then transferred to the tray by the unloader.

이러한 전공정 또는 패키지 공정에서 기판모듈 또는 반도체 소자에 워페이지가 존재하는 경우 반도체 소자의 정렬이 이루어지지 않아 불량의 원인이 될 수 있다. 즉, 노광 공정의 경우에는 웨이퍼의 정렬이 이루어지더라도 패턴의 전사가 정확하게 이루어지지 않을 수 있는 문제점을 가진다.When a warpage is present in the substrate module or the semiconductor device in this pre-process or package process, alignment of the semiconductor device is not performed, which may cause a defect. That is, in the case of the exposure process, even if the wafers are aligned, there is a problem that the pattern transfer may not be accurately performed.

또한, 패키지공정의 경우에는 반도체 소자가 기판모듈에 정확하게 실장되지 않는 문제점을 가진다. 더욱이, 패키지공정의 경우에는 리플로우 오븐을 통과하면서 가열 및 냉각이 수행되므로 기판모듈 또는 반도체 소자에 열변형이 발생할 수 있는 문제점 또한 가진다.In addition, in the case of the package process, there is a problem that the semiconductor device is not accurately mounted on the substrate module. Moreover, in the case of the package process, since heating and cooling are performed while passing through the reflow oven, there is also a problem that thermal deformation may occur in the substrate module or the semiconductor device.

이러한 문제로 인해 노광공정 또는 패키지공정의 수행 이전 또는 수행 중에 반도체 소자에 대한 워페이지 측정이 요구된다.Due to this problem, it is required to measure the warpage of the semiconductor device before or during the execution of the exposure process or the package process.

이에 따라, 한국공개특허 제2002-0065080호는 전공정 중의 노광공정의 수행 이전에 웨이퍼의 뒤틀림(워페이지)을 측정하기 위하여 웨이퍼 워페이지 측정용 키를 샷(shot) 내에 삽입하여 웨이퍼 내의 국부적 영역까지 웨이퍼의 뒤틀림을 측정할 수 있도록 하는 웨이퍼 워페이지 측정 방법을 개시한다.Accordingly, in Korean Patent Publication No. 2002-0065080, a wafer warpage measurement key is inserted into a shot to measure the warpage (warpage) of the wafer before performing the exposure process during the entire process, thereby localizing the area within the wafer. Disclosed is a method for measuring a warpage of a wafer to measure the warpage of a wafer.

그러나 한국공개특허 제2002-0065080호의 경우에는 패키지공정에 적용할 수 없는 문제점을 가진다.However, Korean Patent Publication No. 2002-0065080 has a problem that cannot be applied to the package process.

도 3은 종래기술의 고온 오븐을 이용한 워페이지 측정 장치를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a warpage measuring device using a high-temperature oven of the prior art.

종래 기술의 워페이지 측정 장치의 경우에는 도 3과 같이 고정식 오븐에 도 2의 온도 프로파일을 적용하여 온도를 가변하면서, 격자를 통해 빛을 피측정물에 조사하여 피측정물에서 반사되는 빛에 의해 생성되는 모아레(moire) 무늬를 촬영한 후 분석하는 것에 의해 기판모듈 또는 반도체 소자 등의 피측정물에 대한 워페이지를 측정하였다.In the case of the prior art warpage measuring device, the temperature is varied by applying the temperature profile of FIG. 2 to a stationary oven as shown in FIG. 3, and the light reflected from the object is irradiated by irradiating the object with light through a grid. The warpage for the object to be measured, such as a substrate module or a semiconductor device, was measured by photographing and analyzing the resulting moire pattern.

그러나 도 3의 종래 기술의 워페이지 측정 장치의 경우에는 고정식으로, 피측정물이 고정된 상태에서 IR 램프에 의한 가열과 냉각이 수행되므로, 열대류를 이용하여 가열과 냉각을 수행하는 실제 리플로우 오븐을 이용한 실제 반도체 실장 조건과는 열전달 방식이나 온도의 시간프로파일이 상이하여 측정결과가 실제의 상황과 달라질 수 있어 측정 결과의 신뢰성이 보장되지 않는 문제점이 있다.However, in the case of the warpage measuring device of the prior art of FIG. 3, since the heating and cooling are performed by the IR lamp while the object to be measured is fixed, the actual reflow of heating and cooling using tropical air is performed. There is a problem in that the reliability of the measurement result is not guaranteed because the measurement result may be different from the actual situation because the heat transfer method or the time profile of the temperature is different from the actual semiconductor mounting condition using the oven.

또한, 위치 고정된 피측정물을 가열하고 냉각하면서 3차원 형상의 변화를 측정하게 되므로, 워페이지 측정에 많은 시간이 소요되는 다른 문제점도 있다.In addition, since the measurement of the three-dimensional shape is measured while heating and cooling the fixed object to be measured, there is another problem that takes a lot of time to measure the warpage.

또, 다수의 피측정물을 배열하여 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 측정하고자 하는 경우, 위치 고정된 상태에서 IR 램프에 의한 냉각이 수행되도록 하고 있어, IR 램프의 조사각(FOV; Field of View)에 따라 피측정물이 배치된 전체 영역의 온도가 균일하지 않게 되고 이로 인해 워페이지 측정 결과의 신뢰성이 떨어지는 문제점도 있다.In addition, when arranging a plurality of objects to measure the warpage for the plurality of objects, the cooling by the IR lamp is performed in a fixed position, so that the irradiation angle (FOV; Field of the IR lamp) of View), there is a problem in that the temperature of the entire area where the object is placed is not uniform, and thus, the reliability of the warpage measurement result is deteriorated.

또한, 모아레 무늬를 분석하여 워페이지를 측정함에 따라 뒤틀림 위치를 정확하게 파악하지 못할 수 있고, 이로 인해 측정의 정확도가 저하되고 측정 결과의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.In addition, as the warpage is measured by analyzing the moiré pattern, it may not be possible to accurately grasp the warping position, thereby deteriorating the accuracy of the measurement and the reliability of the measurement result.

한국공개특허 제2002-0065080호Korean Patent Publication No. 2002-0065080

따라서 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 실장을 위한 워페이지의 측정을 실제 반도체 표면실장장치에 적용되는 리플로우 오븐의 구조, 열대류 방식의 가열 및 온도프로파일을 적용하여 워페이지를 측정하는 것에 의해 워페이지 측정결과를 실제 패키지 공정에서 발생하는 것과 동일하게 측정할 수 있도록 하는 것에 의해, 워페이지 측정의 정확성과 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, by applying a structure of a reflow oven applied to an actual semiconductor surface mount device for measuring the warpage for semiconductor mounting, heating and temperature profile of a tropical flow method High-temperature warpage using a reflow oven to improve the accuracy and reliability of the warpage measurement by allowing the warpage measurement result to be measured in the same way as in the actual packaging process. It is an object to provide a measuring device.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 함으로써, 가열 및 냉각 시간을 종래에 비해 현저히 줄이는 것을 통해 피측정물에 대한 워페이지 측정시간을 현저하게 감소시킬 수 있도록 한 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.In addition, according to the present invention, when the warpage for a plurality of objects is measured at the same time, the objects are transferred in a reflow oven, such as an actual semiconductor surface mount device, and heated and cooled by a convection method. Another object is to provide a high-temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven to significantly reduce the warpage measurement time for an object to be measured by significantly reducing heating and cooling times compared to the prior art.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 하여, 동일한 온도 구간에서의 위치별 온도 차이가 발생하지 않게 함으로써 워페이지 측정의 정확성과 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있도록 한 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치를 제공하는 것을 또다른 목적으로 한다.In addition, the present invention, when measuring the warpage for a plurality of objects at the same time, as the actual semiconductor surface mount device, the object to be transported in a reflow oven to be heated and cooled by a tropical flow method, Another object is to provide a high-temperature warpage measuring device using a reflow oven to further improve the accuracy and reliability of warpage measurement by preventing the temperature difference for each position in the same temperature range.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 함으로써, 피측정물에 대한 가열 및 냉각 시간을 종래에 비해 현저히 줄이는 것을 통해 피측정물에 대한 워페이지 측정시간을 현저하게 감소시킬 수 있도록 한 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.In addition, the present invention, when measuring the warpage for a plurality of objects at the same time, by heating and cooling by a convection method while the object is transferred in a reflow oven like a real semiconductor surface mount device, Another object of the present invention is to provide a high-temperature warpage measuring device using a reflow oven to significantly reduce the warpage measurement time for an object to be measured by significantly reducing the heating and cooling time for the object to be measured. Is done.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 하여, 피측정물에 대한 균일한 가열 및 냉각을 가능하게 하여 동일한 조건에서의 워페이지 측정시 동일한 결과를 도출할 수 있도록 하는 재현성이 현저히 향상되도록 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.In addition, the present invention, when measuring the warpage for a plurality of objects at the same time, as the actual semiconductor surface mount device, the object to be transported in a reflow oven to be heated and cooled by a tropical flow method, Providing a high-temperature warpage measurement device using a reflow oven that enables uniform heating and cooling of an object to be measured, so that reproducibility is remarkably improved, so that the same results can be obtained when measuring warpage under the same conditions. For other purposes.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치는, 상부가 관측창으로 형성되어 장입된 피측정물을 기 설정된 온도프로파일에 따라 가열 및 냉각하며 이송시키는 리플로우 오븐부; 및 상기 관측창을 통해 상기 리플로우 오븐부에서 이송되며 가열 및 냉각되는 피측정물로 측정광을 조사한 후 피측정물에서 반사되는 반사광을 촬영하여 출력하는 3차원형상스캔부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A high-temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention for achieving the above object, the upper portion is formed as an observation window, the reflow oven for heating, cooling and transferring the charged object according to a preset temperature profile part; And a three-dimensional shape scanning unit that irradiates the measurement light to the object to be heated and cooled and transferred from the reflow oven through the observation window, and then photographs and outputs the reflected light reflected from the object to be measured. It is characterized by.

또, 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치에 따르면, 상기 리플로우 오븐부는, 상부면에 상기 관측창이 길이 방향으로 따라 형성되고, 내측 양 측면에 열을 형성하며 히터들이 배치되는 가열구간과 상기 가열구간의 하류 측의 내측 양 측면에 열을 형성하며 냉각기들이 배치되는 냉각구간을 가지는 오븐케이스; 및 상기 오븐케이스의 내부에서 장입된 상기 피측정물을 지지하며 이송시키는 이송부;를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, according to the high temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention, the reflow oven unit, the observation window is formed along the longitudinal direction on the upper surface, heat is formed on both sides of the inner side and heaters are arranged heating An oven case having a cooling section in which heat is formed on both inner sides of a downstream side of the section and the heating section, and coolers are disposed; And it may be configured to include; a transfer unit for supporting and conveying the object to be charged loaded in the interior of the oven case.

또한, 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치에 따르면, 상기 이송부는, 양측의 회전드럼과 회전드럼에 걸리어지는 다수의 와이어들로 형성되는 와이어벨트를 포함하여 구성될 수 있다.In addition, according to the high temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention, the transfer unit may be configured to include a rotating belt on both sides and a wire belt formed of a plurality of wires applied to the rotating drum.

또, 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치에 따르면, 상기 3차원형상스캔부는, 디지털 패턴광을 생성하여 조사하는 하나 이상의 패턴프로젝터 및 하나 이상의 상기 패턴프로젝터에서 조사되어 피측정물에서 반사되는 반사광을 촬영하는 카메라를 포함하는 디지털 프린지 프로젝션(DFP: Digital Fringe Projection)부 또는 3차원 레이저 스캐너로 구성될 수 있다.In addition, according to the high temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention, the three-dimensional shape scanning unit is irradiated from one or more pattern projectors and one or more pattern projectors that generate and irradiate digital pattern light to be measured in an object to be measured. It may be composed of a digital fringe projection (DFP) unit or a three-dimensional laser scanner including a camera that photographs reflected light.

또한, 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치에 따르면, 상기 3차원형상스캔부는, 상기 가열구간과 냉각구간에서 각각 위치 이동 가능하도록 상기 가열구간이 상부와 상기 냉각구간의 상부에 각각 설치될 수 있다.In addition, according to the high-temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention, the three-dimensional shape scanning unit, the heating section is located at the top and the cooling section, respectively, so that the position can be moved in the heating section and the cooling section, respectively. Can be installed.

상술한 구성을 가지는 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 워페이지 측정장치는, 반도체 실장을 위한 워페이지의 측정을, 실제 반도체 표면실장장치에 적용되는 리플로우 오븐의 구조, 열대류 방식의 가열 및 온도프로파일을 적용하여, 워페이지 측정결과를 실제 패키지 공정에서 발생하는 것과 동일하게 측정할 수 있도록 하는 것에 의해, 워페이지 측정의 정확성과 측정 결과에 대한 신뢰성을 향상시키는 효과를 제공한다.The warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention having the above-described configuration, the structure of the reflow oven applied to the actual semiconductor surface mounting apparatus, the heating and temperature of the tropical flow method, the measurement of the warpage for semiconductor mounting By applying a profile, it is possible to measure the warpage measurement result in the same way as it occurs in the actual packaging process, thereby providing an effect of improving the accuracy of the warpage measurement and the reliability of the measurement result.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 하여 가열 및 냉각 시간을 현저히 단축하는 것에 의해 피측정물에 대한 워페이지 측정시간이 현저하게 감소되는 효과를 제공한다.In addition, in the case of simultaneously measuring warpages for a plurality of objects to be measured, the present invention is heated by being heated and cooled by a convection method while the objects are transferred in a reflow oven like an actual semiconductor surface mount device. And a significantly shortened cooling time, thereby providing a significantly reduced warpage measurement time for the object to be measured.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 동시에 측정할 때, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 하므로, 동일한 온도 구간에서의 위치별 온도 차이가 발생하지 않게 되어 실제 표면장치와 동일한 환경에서의 워페이지를 측정할 수 있게 되고, 그로 인해 워페이지 측정의 정확성과 신뢰성이 더욱 향상되는 효과를 제공한다.In addition, the present invention, when measuring the warpage for a plurality of objects at the same time, as the object to be transported in a reflow oven, such as a real semiconductor surface mount device, is heated and cooled by a tropical flow method, It is possible to measure the warpage in the same environment as the actual surface device since the temperature difference for each position in the same temperature section does not occur, thereby providing an effect of further improving the accuracy and reliability of the warpage measurement.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물에 대한 워페이지를 동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되므로, 피측정물에 대한 가열 및 냉각 시간이 현저하게 단축되고 이로 인해 다수의 피측정물에 대한 워페이지 측정 시간이 현저하게 감소되는 효과를 제공한다.In addition, when measuring the warpage for a plurality of objects to be measured at the same time, the present invention is heated and cooled by a convection method while the object is transferred in a reflow oven like an actual semiconductor surface mount device. The heating and cooling time for the workpiece is significantly shortened, thereby providing a significantly reduced warpage measurement time for a large number of workpieces.

또한, 본 발명은 다수의 피측정물을 동시에 측정하는 경우, 실제의 반도체 표면실장장치와 같이 리플로우 오븐 내에서 피측정물이 이송되면서 열대류 방식에 의해 가열 및 냉각되도록 하는 것에 의해, 균일한 가열 및 냉각을 가능하게 하여 동일한 조건에서의 워페이지 측정 시 동일한 결과를 도출할 수 있도록 하는 재현성을 현저히 향상시키는 효과를 제공한다.In addition, according to the present invention, when a plurality of objects to be measured are measured at the same time, the objects are transferred in a reflow oven, such as an actual semiconductor surface mount device, and heated and cooled by a convection method, thereby being uniform. It provides the effect of remarkably improving reproducibility, which enables heating and cooling to produce the same result when measuring warpage under the same conditions.

도 1은 종래기술의 패키지 공정을 위한 반도체 실장장비의 실시예의 사진.
도 2는 적용된 온도프로파일을 나타내는 그래프.
도 3은 종래기술의 고온 오븐을 이용한 패키지 공정을 위한 워페이지 측정 장치를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치의 구성도.
도 5는 본 발명의 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치를 나타낸 단면도.
도 6은 워페이지 측정 과정을 나타내는 도면.
도 7은 워페이지 측정장치의 워페이지 측정 동작을 나타내는 도면.1 is a photo of an embodiment of a semiconductor mounting equipment for a prior art package process.
2 is a graph showing the applied temperature profile.
3 is a view showing a warpage measuring device for a package process using a high-temperature oven of the prior art.
4 is a configuration diagram of a high temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven according to the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view showing a high temperature warpage measuring apparatus using the reflow oven of the present invention.
6 is a diagram illustrating a process of measuring a warpage.
7 is a view showing a warpage measurement operation of the warpage measurement device.

하기에서 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.In the following description of the present invention, when it is determined that a detailed description of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명은 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the embodiment according to the concept of the present invention can be modified in various ways and have various forms, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the present specification or application. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to a specific disclosure form, and it should be understood that the present invention includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When an element is said to be "connected" or "connected" to another component, it is understood that other components may be directly connected to or connected to the other component, but other components may exist in the middle. It should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions describing the relationship between the components, such as "between" and "immediately between" or "adjacent to" and "directly neighboring to," should be interpreted similarly.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this specification, the terms "include" or "have" are intended to indicate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described is present, and one or more other features or numbers. It should be understood that it does not preclude the presence or addition possibilities of, steps, actions, components, parts or combinations thereof.

상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술적 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.It should be noted that, although the technical spirit of the present invention described above has been specifically described in a preferred embodiment, the embodiment is for the purpose of description and not for limitation. In addition, those skilled in the art of the present invention will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

이하, 본 발명의 실시예를 나타내는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따르는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정장치(1)(이하, '워페이지 측정장치(1)'라 함)의 구성도이고, 도 5는 도 4의 워페이지 측정장치(1)의 단면도이다.4 is a configuration diagram of a high temperature warpage measuring apparatus 1 (hereinafter referred to as a 'warpage measuring apparatus 1') using a reflow oven according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a war of FIG. 4 It is a sectional view of the page measuring device 1.

도 4와 같이, 상기 워페이지 측정장치(1)는 리플로우 오븐부(100)와, 3차원형상스캔부 및 제어부(3, 도 6참조)를 포함하여 구성된다. 본 발명의 실시예에서는 상기 3차원형상스캔부가 디지털 패턴을 피측정물(2)로 조사한 후 피측정물(2)에서 반사되는 반사광을 촬영하는 디지털 프린지 프로젝션을 수행하는 디지털 프린지 프로젝션(DFP: Digital Fringe Projection)부(DFP부)(300)로 구성되는 것으로 하여 설명한다.As shown in FIG. 4, the warpage measuring device 1 is configured to include a reflow oven unit 100, a three-dimensional shape scanning unit and a control unit 3 (refer to FIG. 6). In an embodiment of the present invention, the digital fringe projection (DFP: Digital) performing a digital fringe projection for photographing reflected light reflected from the object 2 after the 3D shape scanning part irradiates the digital pattern with the object 2 It will be described as being composed of a Fringe Projection (DFP) 300.

도 4 및 도 5와 같이, 상기 리플로우 오븐부(100)는 오븐케이스(110)와 이송부(200)를 포함하여 구성된다.4 and 5, the reflow oven unit 100 includes an oven case 110 and a transfer unit 200.

상기 오븐케이스(110)는 내부에 장입된 피측정물을 가열하고 냉각시키며, 가열되고 냉각되며 이송되는 피측정물을 외부에서한 DFP 촬영을 수행할 수 있도록 하기 위해, 상부면 또는 측부면에 내열성 강화유리 등의 투명 부재가 장착되는 관측창(112)이 길이 방향을 따라 형성되고, 내측 양 측면에 열을 형성하며 히터(121)들이 배치되는 가열구간(120)과 가열구간(120)의 하류 측의 내측 양 측면에 열을 형성하며 냉각기(131)들이 배치되는 냉각구간(130)을 가지도록 구성된다. 이때, 상기 히터(121)들과 냉각기(131)들은 도 2의 반도체 실장을 위한 온도프로파일과 같은 기 설정된 온도프로파일에 따라 오븐케이스(110)의 내부 영역을 길이 방향으로 서로 다른 온도 영역을 가지도록 하여 피측정물(2)을 가열하고 냉각하게 된다.The oven case 110 heats and cools an object loaded therein, and is heat-resistant to an upper surface or a side surface to enable DFP imaging of the object to be heated, cooled, and transferred from the outside. The observation window 112 on which a transparent member such as tempered glass is mounted is formed along the longitudinal direction, forms heat on both inner sides, and downstream of the heating section 120 and the heating section 120 where heaters 121 are disposed. It forms a heat on both sides of the inner side and is configured to have a cooling section 130 in which the coolers 131 are disposed. At this time, the heaters 121 and the coolers 131 may have different temperature regions in the longitudinal direction of the inner region of the oven case 110 according to a preset temperature profile, such as a temperature profile for mounting the semiconductor of FIG. 2. Thus, the object to be measured 2 is heated and cooled.

상기 이송부(200)는 오븐케이스(110)의 내부에 설치되어, 오븐케이스(110)로 장입된 반도체 소자 또는 기판모듈 등의 피측정물(2)을 지지하며 이송시키는 것으로서, 양측의 회전드럼과 회전드럼에 걸리어지는 이송벨트를 포함하여 구성된다. 이때, 이송벨트는 다수의 와이어들로 형성되는 와이어벨트로 구성될 수도 있다.The transfer unit 200 is installed inside the oven case 110, and supports and transfers the object 2, such as a semiconductor device or a substrate module loaded into the oven case 110, and rotates on both sides. It consists of a conveying belt applied to the rotating drum. At this time, the transfer belt may be composed of a wire belt formed of a plurality of wires.

상기 DFP부(300)는 서로 다른 주기의 파장을 가지는 디지털 패턴광을 생성하여 측정광으로 조사하는 두 개의 패턴프로젝터(310, 310a, 310b) 및 두 개의 패턴프로젝터(310, 310a, 310b)에서 조사되어 피측정물(2)에서 반사되는 반사광을 촬영하는 카메라(320)를 포함하여 구성되어, 피측정물의 3차원 표면 형상에 대응하는 패턴광의 영상을 촬영하도록 작동된다.The DFP unit 300 is irradiated by two pattern projectors 310, 310a, 310b and two pattern projectors 310, 310a, 310b that generate digital pattern light having wavelengths of different periods and irradiate it with measurement light. It is configured to include a camera 320 for photographing reflected light reflected from the object to be measured (2), it is operated to shoot an image of the pattern light corresponding to the three-dimensional surface shape of the object.

상술한 구성의 DFP부(300)는 도 7에 도시된 바와 같이, 가열구간과 냉각구간에서 각각 위치 이동 가능하도록 가열구간(120)과 냉각구간(130)의 상부 각각에 설치될 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the DFP unit 300 having the above-described configuration may be installed on each of the heating section 120 and the upper section of the cooling section 130 so as to be movable in the heating section and the cooling section, respectively.

상기 제어부(3)는 DFP부(300)로부터 입력된 피측정물(2)의 3차원 표면 형상에 대응하는 패턴광의 영상을 수신한 후 위상 검출을 수행하여, 높이를 측정하는 것에 의해, 피측정물(2)의 3차원 표면 형상을 생성하여 워페이지의 유무를 출력하도록 구성된다.The control unit 3 receives the image of the pattern light corresponding to the 3D surface shape of the object 2 input from the DFP unit 300, performs phase detection, and measures the height by measuring the height. It is configured to output the presence or absence of a warpage by generating a three-dimensional surface shape of the water 2.

이때, 상기 DFP부(300)는 정수배의 주기차를 가지는 서로 다른 파장을 가지는 두개의 패턴광을 측정광으로 하여 각각 두 개의 패턴프로젝터(310a, 310b)를 통해 피측정물(2)에 조사하고, 피측정물(2)에서 반사되는 반사광을 촬영하도록 구성될 수 있다.In this case, the DFP unit 300 irradiates the object 2 through two pattern projectors 310a and 310b, respectively, using two pattern lights having different wavelengths having an integer multiple of a period difference as measurement light. , It may be configured to photograph the reflected light reflected from the object (2).

이 경우, 상기 제어부(3)는, 두 개의 촬영된 반사광에 의해 형성되는 패턴들의 위상을 FT(Fourier Transform)를 이용하여 계산한 후, 상기 피측정물에 대한 3차원 패턴영상을 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식에 의해 PFP(Phase Fringe Projection)에 의한 광학 측정 중 발생하는 2π 모호성 문제와 국부영역의 측정에 제한되는 것에 의해 전체 영역에 대한 다수의 촬영을 수행하게 되어 측정시간이 많이 소요되는 한계를 극복할 수 있게 된다.In this case, the controller 3 is configured to calculate a phase of the patterns formed by the two photographed reflected lights using a Fourier Transform (FT), and then generate a 3D pattern image of the object to be measured. You can. This method overcomes the limitation that takes a lot of measurement time by performing multiple shots on the entire area by being limited to the measurement of 2π ambiguity and local area generated during optical measurement by PFP (Phase Fringe Projection). I can do it.

이와 달리, 상술한 디지털 프린지 프로젝션을 적용한 피측정물에 대한 3차원표면형상의 취득은, WTP(Wavelet Transform Profilometry), PSP(Phase Shifting Profilometry) 등의 방법이 적용될 수도 있다. Alternatively, the acquisition of the three-dimensional surface shape of the object to which the above-described digital fringe projection is applied may include a method such as Wavelet Transform Profilometry (WTP) or Phase Shifting Profilometry (PSP).

또한, 상기 3차원형상스캔부는 공지의 3차원 레이저 스캐너 등의 다양한 3차원 형상 스캐너로 구성될 수도 있다.In addition, the three-dimensional shape scanning unit may be composed of various three-dimensional shape scanners, such as a known three-dimensional laser scanner.

도 6은 워페이지 측정 과정을 나타내는 도면이고, 도 7은 워페이지 측정장치(1)의 워페이지 측정 동작을 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating a process of measuring a warpage, and FIG. 7 is a diagram showing a warpage measurement operation of the warpage measuring apparatus 1.

도 6과 같이, 상술한 구성을 가지는 워페이지 측정장치(1)를 이용한 피측정물(2)에 대한 워페이지 측정을 위해, 먼저, 픽엔플레이스 장치 등의 로더(Loader)가 트레이(tray)로부터 반도체 소자 또는 기판모듈 등의 피측정물(2)을 리플로우 오븐부(100)의 장입영역을 통해 이송부(200)의 상부로 반복하여 장입한다.As shown in FIG. 6, for measuring the warpage of the object 2 using the warpage measuring apparatus 1 having the above-described configuration, first, a loader such as a pick-and-place apparatus is loaded from a tray. The object to be measured 2 such as a semiconductor element or a substrate module is repeatedly charged to the upper portion of the transfer unit 200 through the charging area of the reflow oven unit 100.

이와 동시에, 피측정물(2)에 대한 가열과 냉각 과정에서의 워페이지 측정을 위해서 제어부(3, 도 7 참조)는 반도체 실장 장비에서의 솔더링을 위한 온도 프로파일과 같은 기 설정된 온도 프로파일에 따라 히터(121)들과 냉각기(131)들을 제어하여 오븐케이스(110) 내부 영역이 온도 구배를 가지는 온도 영역들로 분할하여 피측정물에 대한 가열 및 냉각을 수행한다. 이때, 가열 및 냉각은 리플로우 오븐의 내부에 설치되는 블로우어(122, 도 5 참조)들이 공기를 순환시킴으로써 히터(121)들에서 발생한 열을 열대류시켜 수행되게 되어, 온도 구간별 균일한 온도를 가지도록 한다. At the same time, in order to measure the warpage in the process of heating and cooling the object 2, the control unit 3 (see FIG. 7) is heated according to a preset temperature profile, such as a temperature profile for soldering in semiconductor mounting equipment. The inside of the oven case 110 is divided into temperature regions having a temperature gradient by controlling the 121s and the coolers 131 to perform heating and cooling of the object to be measured. In this case, heating and cooling are performed by heat-flowing heat generated in the heaters 121 by circulating air by blowers 122 (see FIG. 5) installed inside the reflow oven, thereby uniform temperature for each temperature section To have.

이송부(200)는 상술한 바와 같이 서로 다른 온도 영역들로 구획되는 오븐케이스(110)의 내부에 장입된 피측정물(2)들을 인출영역으로 이송시킨다.As described above, the transfer unit 200 transfers the objects 2 charged in the interior of the oven case 110 divided into different temperature regions to the extraction region.

이 과정에서, 도 7과 같이, 제어부(3)의 제어에 따라 DFP부(300)의 가열DFP부(310a)와 냉각DFP부(310b)들이 각각 설치된 가열구간(120)과 냉각구간(130)의 사이에서 위치 이동하며 오븐케이스(110)의 상부에 형성된 관측창(112)을 통해 오븐케이스(110)의 내부에서 이송되는 피측정물(2)에 대한 디지털 프린지 프로젝션 패턴광 영상을 촬영하여 제어부(3)로 출력한다.In this process, as shown in FIG. 7, under the control of the control unit 3, the heating section 120 and the cooling section 130 of the heating DFP section 310a and the cooling DFP section 310b of the DFP unit 300 are respectively installed. Controlling by taking a digital fringe projection pattern light image of the object 2 transferred from the inside of the oven case 110 through the observation window 112 formed on the top of the oven case 110 while moving between (3).

제어부(3)는 입력된 디지털 프린지 프로젝션 패턴광 영상에 대한 데이터처리를 수행하는 것에 의해, 피측정물(2)의 3차원 표면 영상을 생성한 후 워페이지의 유무를 판단하여 출력하게 된다. 이때, 상기 제어부(3)는 3차원형상스캔부를 구성하는 레이저 스캐너, 패턴 3차원 영상 기술 등의 3차원 형상 스캔 방식에 따라 그에 맞는 영상처리를 수행하도록 구성된다.The control unit 3 generates a 3D surface image of the object 2 by performing data processing on the input digital fringe projection pattern light image, and then determines and outputs the presence or absence of a warpage. At this time, the control unit 3 is configured to perform image processing according to a 3D shape scanning method such as a laser scanner constituting a 3D shape scanning unit and a pattern 3D image technology.

상술한 바와 같이, 오븐케이스(110) 내부에서 이송되며 워페이지가 측정된 피측정물(2)이 도 6과 같이, 인출 영역에 도달하면, 언로더가 해당 피측정물(2)을 트레이로 이동시키는 작업을 반복수행하여, 피측정물(2)에 대한 워페이지 측정을 연속적으로 수행할 수 있게 된다.As described above, when the workpiece 2 transferred from the oven case 110 and the warpage is measured reaches the drawing area, as shown in FIG. 6, the unloader moves the object 2 to the tray. By repeatedly performing the moving operation, it is possible to continuously perform the warpage measurement on the object 2.

상술한 본 발명의 워페이지 측정장치는, 내부 온도를 노광조건과 유사하게 하는 경우, 노광을 위한 웨이퍼들의 워페이지 측정에도 적용될 수 있다.The warpage measuring apparatus of the present invention described above can be applied to the warpage measurement of wafers for exposure when the internal temperature is similar to the exposure condition.

상기에서 설명한 본 발명의 기술적 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술적 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.It should be noted that, although the technical spirit of the present invention described above has been specifically described in a preferred embodiment, the above embodiment is for the purpose of explanation and not of limitation. In addition, those skilled in the art of the present invention will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical spirit of the present invention. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

1...워페이지 측정장치
2...피측정물
3...데이터처리부
100...리플로우 오븐부
110...오븐케이스
112...관측창
120...가열구간
121...히터
122...블로우어
130...냉각구간
131...냉각기
200...이송부
300...3차원형상스캔부(DFP부)
300a...가열DFP부
300b...냉각DFP부
310, 310a, 310b...패턴프로젝터
320...카메라1 ... Warpage measuring device
2 ... object to be measured
3 ... Data processing unit
100 ... reflow oven
110 ... oven case
112 ... Observation window
120 ... Heating section
121 ... heater
122 ... blower
130 ... Cooling section
131 ... cooler
200 ...
300 ... 3D shape scanning part (DFP part)
300a ... heating DFP part
300b ... Cooling DFP
310, 310a, 310b ... pattern projector
320 ... camera

Claims (5)

상부가 관측창으로 형성되어 장입된 피측정물을 기 설정된 온도프로파일에 따라 가열 및 냉각하며 이송시키는 리플로우 오븐부; 및
상기 관측창을 통해 상기 리플로우 오븐부에서 이송되며 가열 및 냉각되는 피측정물로 패턴을 가지는 측정광을 조사한 후 피측정물에서 반사되는 반사광을 촬영하여 출력하는 3차원형상스캔부;를 포함하고,
상기 리플로우 오븐부는,
상부면에 상기 관측창이 길이 방향으로 따라 형성되고, 내측 양 측면에 열을 형성하며 히터들이 배치되는 가열구간과 상기 가열구간의 하류 측의 내측 양 측면에 열을 형성하며 냉각기들이 배치되는 냉각구간을 가지는 오븐케이스; 및
상기 오븐케이스의 내부에서 장입된 상기 피측정물을 지지하며 이송시키는 이송부;를 포함하며,
상기 3차원형상스캔부는, 상기 가열구간과 냉각구간에서 각각 위치 이동 가능하도록 상기 가열구간의 상부와 상기 냉각구간의 상부에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정 장치.A reflow oven unit having an upper portion formed as an observation window to heat, cool, and transport the charged object according to a predetermined temperature profile; And
It includes; and a three-dimensional shape scanning unit for outputting by photographing and outputting reflected light reflected from the object to be measured after irradiating the measurement light having a pattern with the object to be heated and cooled and transferred from the reflow oven through the observation window ,
The reflow oven unit,
On the upper surface, the observation window is formed along the longitudinal direction, forms heat on both inner sides, and a heating section where heaters are arranged and a cooling section where heat is formed on both inner sides on the downstream side of the heating section and coolers are arranged. Eggplant oven case; And
It includes; a transfer unit for supporting and transporting the object to be loaded in the interior of the oven case;
The three-dimensional shape scanning unit, a high-temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven characterized in that it is respectively installed on the upper portion of the heating section and the cooling section so as to be able to move each position in the heating section and the cooling section. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 이송부는, 양측의 회전드럼과 회전드럼에 걸리어지는 다수의 와이어들로 형성되는 와이어벨트를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정 장치.The method according to claim 1,
The transfer unit, a high-temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven, characterized in that it comprises a wire belt formed of a plurality of wires hanging on the rotating drum and the rotating drum on both sides. 청구항 1에 있어서,
상기 3차원형상스캔부는,
디지털 패턴광을 생성하여 조사하는 하나 이상의 패턴프로젝터 및 하나 이상의 상기 패턴프로젝터에서 조사되어 피측정물에서 반사되는 패턴광을 촬영하는 카메라를 포함하는 디지털 프린지 프로젝션(DFP: Digital Fringe Projection)부;
또는 3차원 레이저 스캐너 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 리플로우 오븐을 이용한 고온 워페이지 측정 장치.The method according to claim 1,
The three-dimensional shape scanning unit,
A digital fringe projection (DFP) unit including at least one pattern projector that generates and irradiates digital pattern light and a camera that irradiates at least one of the pattern projectors and photographs pattern light reflected from an object to be measured;
Or a high-temperature warpage measuring apparatus using a reflow oven, characterized in that it is configured as any one of a three-dimensional laser scanner. 삭제delete
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