KR102098071B1 - 가스분사유닛 및 이를 구비하는 기판처리장치 - Google Patents

가스분사유닛 및 이를 구비하는 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 기판처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛과, 상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고, 상기 가스분사유닛은 가스 분사부와, 상기 가스 분사부의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트를 포함한다.
실시예는 배플 플레이트에 형성된 홀을 개폐하는 개폐 플레이트를 구비함으로써, 신규 제작 없이 배플 플레이트에 형성된 홀의 개구율을 제어할 수 있는 효과가 있다.

Description

가스분사유닛 및 이를 구비하는 기판처리장치{GAS DISTRIBUTION UNIT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}
실시예는 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 균일한 가스를 공급하기 위한 가스분사유닛 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시소자나 반도체 웨이퍼를 제조하기 위해서는 기판 상에 유전체 물질 등을 박막으로 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피(Photolithography) 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝(Patterning)하는 식각공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정공정 등을 수차라 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 챔버 내부에서 진행된다.
챔버 내부에는 기판을 처리하기 위한 가스가 분사되는 가스분사유닛이 배치되며, 가스분사유닛에는 챔버로 유입된 가스를 균일하게 공급하기 위해 배플(Baffle) 플레이트가 배치된다.
종래에는 홀의 크기 및 홀들 사이의 간격을 조절하여 배플 플레이트를 제작하여 챔버 내부에 가스를 균일하게 공급하고 있으나, 가스의 특성에 따라 배플 플레이트에 형성된 홀의 크기 및 홀들 사이의 간격이 다르게 형성되어야 하는 문제점이 발생된다.
이로 인해 가스 특성에 맞는 배플 플레이트를 신규로 제작해야 하기 때문에 신규 배플 플레이트를 제작하는데 상당한 비용이 소요되고, 또한, 신규 제작된 배플 플레이트의 신뢰성 검증을 위해 소요되는 시간이 상당히 소요되는 문제점이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 실시예는 신규 배플 플레이트의 제작 없이 가스의 특징에 따라 가스를 균일하게 공급하기 위한 가스분사유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛과, 상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고, 상기 가스분사유닛은 가스 분사부와, 상기 가스 분사부의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트를 포함한다.
실시예는 배플 플레이트에 형성된 홀을 개폐하는 개폐 플레이트를 구비함으로써, 신규 제작 없이 배플 플레이트에 형성된 홀의 개구율을 제어할 수 있는 효과가 있다.
또한, 실시예는 개폐 플레이트에 의해 배플 플레이트에 형성된 홀의 개구율을 제어함으로써, 신규 배플 플레이트 제작에 드는 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 배플 플레이트와 개폐 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 3 내지 도 5는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 개폐 플레이트의 동작을 나타낸 평면도이다.
도 6 및 도 7은 제1 실시예에 따른 개폐 플레이트의 변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 8은 제2 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
도 9는 제3 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 배플 플레이트와 개폐 플레이트를 나타낸 평면도이고, 도 3 내지 도 5는 제1 실시예에 따른 가스분사유닛의 개폐 플레이트의 동작을 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버(200)와, 상기 챔버(200) 내에 배치되어 기판(100)을 지지하는 기판지지유닛(400)과, 상기 기판지지유닛(400)과 대향 배치되는 가스분사유닛(300)을 포함한다.
챔버(200)는 내부에 일정 공간이 형성되며, 사각 박스 형상으로 형성될 수 있다. 챔버(200)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 원통형, 다각 박스 형상으로 형성될 수 있다. 챔버(200)의 내부는 진공 상태를 유지된 상태에서 기판(100)이 처리될 수 있도록 일정 공간을 제공한다.
챔버(200)의 일측에는 챔버(200) 내부를 진공 상태로 유지하기 위해 진공 펌프(500)가 연결될 수 있다. 이에, 챔버(200)의 내부는 일정 진공 상태를 유지하게 된다. 챔버(200)의 일측에는 기판(100)을 인입 및 인출하는 인입부(미도시) 및 인출부(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 인입부 및 인출부는 챔버(200)의 측벽에 각각 형성되거나 또는 하나의 출입부로 형성될 수 있다.
챔버(200)는 제1 챔버(210), 제2 챔버(220), 제3 챔버(230)로 형성될 수 있다. 제1 챔버(210)는 상부가 개방된 박스 형상으로 형성될 수 있으며, 제2 챔버(220)는 제1 챔버(210)의 상부에 배치된다. 제2 챔버(220)는 상하 관통된 박스 형상으로 형성될 수 있다. 제3 챔버(230)는 제2 챔버(220)의 상부를 덮도록 형성될 수 있다. 제1 챔버(210), 제2 챔버(220), 제3 챔버(230)는 일체로 형성될 수 있다.
챔버(200) 내의 바닥에는 기판지지유닛(400)이 배치될 수 있다. 기판지지유닛(400)은 기판(100)이 안착되는 기판지지부(410)와, 기판(100)을 지지하는 새도우(Shadow) 프레임(420)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 기판지지부(410)는 기판(100)과 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 기판지지부(410)는 기판(100)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 기판지지부(410)는 챔버(200) 하부에 고정될 수 있다. 이와 다르게, 기판지지부(410)는 기판(100)을 지지된 상태에서 승하강하도록 형성될 수 있다.
기판지지부(410)에는 기판(100)을 보다 안정적으로 지지하기 위한 척(미도시)이 배치될 수 있다. 이러한 척은 정전력을 이용한 정전척, 기계력을 이용한 기계척, 진공력을 이용한 진공척이 사용될 수 있다.
기판지지부(410)에는 기판지지부(410)를 접지시키기 위한 접지부(미도시)가 더 배치될 수 있으며, 접지부는 기판지지부(410)와 챔버(200) 사이에 연결될 수 있다.
새도우 프레임(420)은 중심부가 상하 개방된 사각 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 새도우 프레임(420)은 기판(100)의 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 새도우 프레임(420)은 기판(100)의 상부 가장자리를 따라 덮도록 형성될 수 있다.
가스분사유닛(300)은 기판지지유닛(400)과 대향 배치될 수 있다. 가스분사유닛(300)은 기판(100)에 증착, 식각을 수행하기 위해 공정 가스를 공급하는 역할을 한다. 이러한 가스분사유닛(300)은 베이킹(Baking) 플레이트(310)와, 상기 베이킹 플레이트(310)의 하부에 배치된 가스 분사부(330)와, 상기 가스 분사부(330)의 내부에 배치되어 다수의 홀(322)이 형성된 배플 플레이트(320)와, 상기 배플 플레이트(320)의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀(322)을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트(340)를 포함할 수 있다.
베이킹 플레이트(310)는 챔버(200)의 측벽에 고정될 수 있으며, 보다 상세하게는 제2 챔버(220)의 측벽에 형성된 단턱에 지지되어 고정될 수 있다. 베이킹 플레이트(310)는 챔버(200) 내부로 인입되는 공정 가스를 가열하는 역할을 한다. 베이킹 플레이트(310)에는 가스가 통과하기 위한 홀이 형성될 수 있다.
상기 베이킹 플레이트(310)에 형성된 홀에 대응되도록 챔버(200)의 외측에는 가스공급부(350)가 연결되며, 가스공급부(350)를 통해 인입된 가스는 베이킹 플레이트(310)에 형성된 홀을 통과하게 된다.
베이킹 플레이트(310)의 하부면에는 가스분사부(330)가 배치될 수 있다. 가스분사부(330)는 내부에 일정 공간이 형성되도록 박스 형상으로 형성될 수 있다. 가스분사부(330)의 하부면에는 가스가 기판(100)의 상부로 균일하게 공급되도록 다수의 홀이 형성될 수 있다.
가스분사부(330)의 내부에는 배플 플레이트(320)가 배치될 수 있다. 배플 플레이트(320)는 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있으며, 배플 플레이트(320)는 별도의 지지부재에 의해 베이킹 플레이트(310)의 하부에 고정될 수 있다. 지지부재는 배플 플레이트(320)의 상부에 일정 공간을 제공하도록 박스 형상으로 형성될 수 있다. 이와 다르게, 배플 플레이트(320)는 가스분사부(330)의 내부 양측에 고정될 수도 있다.
배플 플레이트(320)에는 다수의 홀(322)이 형성될 수 있다. 상기 홀(322)은 배플 플레이트(320)의 상하부를 관통하도록 형성될 수 있다. 홀(322)은 배플 플레이트(320)에 규칙적으로 배치될 수 있다. 이와 다르게, 홀(322)은 배플 플레이트(320)에 불규칙적으로 배치될 수도 있다.
배플 플레이트(320)의 일측에는 개폐 플레이트(340)가 배치될 수 있다.
개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 상부에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320) 상부의 일정 공간 내에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 바(Bar) 형상으로 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)을 개폐시키는 역할을 한다.
개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)의 폭(w)은 배플 플레이트(320)에 형성된 홀들 사이의 거리(d)보다 작게 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 중심 영역, 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 이와 다르게, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 중심 영역, 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역에만 배치될 수 있다.
개폐 플레이트(340)의 양측면은 챔버(200)의 외부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 홀(322)들을 덮도록 수평 이동할 수 있다. 이를 위해 개폐 플레이트(340)에는 구동부(미도시)가 형성될 수 있다. 구동부는 챔버(200)의 외부에서 개폐 플레이트(340)와 연결될 수 있다. 구동부는 다수의 개폐 플레이트(340)에 각각 연결되어 각각의 개폐 플레이트(340)의 수평 이동을 제어할 수 있다. 여기서, 구동부는 개폐 플레이트(340)를 수평 이동시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)가 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 배치된 상태에서 외부 구동부에 의해 구동력을 제공하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)가 일측 방향으로 수평 이동하게 된다. 수평 이동된 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 일측에 형성된 홀(322)들의 일부를 가리게 되며, 이로 인해 홀(322)들의 개구율을 조절할 수 있게 된다.
이와 반대로, 도 5에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)가 타측 방향으로 수평 이동하게 되면, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 타측에 배치된 홀(322)들의 일부를 가리게 된다. 이로 인해 배플 플레이트(320)의 타측에 배치된 홀(322)들의 개구율을 조절할 수 있게 된다.
상기와 같이, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들을 개폐시킴으로써, 특정 영역에서 홀(322)들의 개구율을 조절할 수 있게 된다. 이로 인해 배플 플레이트(320)를 통과하는 가스의 공급량은 서로 다르게 설정할 수 있게 된다.
예컨대, 가스가 베이킹 플레이트(310)의 중심부에서 공급되면, 개폐 플레이트(340)는 홀(322)들의 개폐율을 조절하여 중심 영역에 공급되는 가스의 공급량이 적도록 조절할 수 있게 된다. 이와 다르게, 가스가 베이킹 플레이트(310)의 가장자리에서 공급되면, 개폐 플레이트(340)는 가스가 공급되는 위치의 영역은 가스의 공급이 줄어들도록 홀(322)의 개폐율을 조절할 수 있게 된다.
도 6 및 도 7은 제1 실시예에 따른 개폐 플레이트의 변형 예를 나타낸 평면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 다수의 개폐 플레이트(340)의 일측 및 타측에는 고정부재(342)가 배치될 수 있다. 고정부재(342)는 다수의 개폐 플레이트(340)를 고정시키게 된다. 이때, 개폐 플레이트(340)를 수평 이동시키는 구동부는 고정부재(342)에 연결될 수 있다. 구동부는 고정부재(342)에 연결된 다수의 개폐 플레이트(340)를 동시에 제어할 수 있게 된다.
도 7에 도시된 바와 같이, 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀(322)들 사이에 다수개가 배치될 수 있다. 다수의 개폐 플레이트(340)의 일측 및 타측에는 레일부재(344)가 배치될 수 있다. 레일 부재(344)는 다수의 개폐 플레이트(340)가 수평 이동을 용이하게 수행할 수 있도록 경로를 제공해준다. 이때, 개폐 플레이트(340)를 수평 이동시키는 구동부는 개폐 플레이트(340)의 각각에 연결될 수 있다.
도 8은 제2 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
제2 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버(220)와, 상기 챔버(200) 내에 배치되어 기판(100)을 지지하는 기판지지유닛(400)과, 상기 기판지지유닛(400)과 대향 배치되는 가스분사유닛(300)을 포함한다. 여기서, 가스분사유닛(300)을 제외한 구성은 제1 실시예에 따른 기판처리장치와 동일하므로 생략한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 가스분사유닛(300)은 베이킹 플레이트(310)와, 상기 베이킹 플레이트(310)의 하부에 배치된 가스 분사부(330)와, 상기 가스 분사부(330)의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트(320)와, 상기 배플 플레이트(320)의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트(340)를 포함할 수 있다.
개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 하부에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 바 형상으로 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀을 개폐시키는 역할을 한다.
개폐 플레이트(340)의 양측면은 챔버(200), 즉, 제2 챔버(220)의 외부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 홀들을 덮도록 수평 이동할 수 있다. 이를 위해 개폐 플레이트(340)에는 구동부가 연결될 수 있다. 구동부(340)는 챔버(200)의 외부에서 개폐 플레이트와 연결될 수 있다. 구동부는 다수의 개폐 플레이트(340)에 각각 연결되어 각각의 개폐 플레이트(340)의 수평 이동을 제어할 수 있다.
도 9는 제3 실시예에 따른 가스분사유닛이 구비된 기판처리장치를 나타낸 단면도이다.
제3 실시예에 따른 기판처리장치는 챔버(200)와, 상기 챔버(200) 내에 배치되어 기판(100)을 지지하는 기판지지유닛(400)과, 상기 기판지지유닛(400)과 대향 배치되는 가스분사유닛(300)을 포함한다. 여기서, 가스분사유닛(300)을 제외한 구성은 제1 실시예에 따른 기판처리장치와 동일하므로 생략한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 가스분사유닛(300)은 베이킹 플레이트(310)와, 상기 베이킹 플레이트(310)의 하부에 배치된 가스 분사부(330)와, 상기 가스 분사부(330)의 내부에 배치되어 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트(320)와, 상기 배플 플레이트(320)의 일측에 배치되어 상기 다수의 홀을 선택적으로 개폐하는 개폐 플레이트(340)를 포함할 수 있다.
배플 플레이트(320)는 제1 배플 플레이트(320a)와 제2 배플 플레이트(320b)를 포함할 수 있다. 제1 배플 플레이트(320a)와 제2 배플 플레이트(320b)는 상하로 배치될 수 있다.
개폐 플레이트(340)는 제1 배플 플레이트(320a)와 제2 배플 플레이트(320b) 사이에 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 바 형상으로 형성될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)에 형성된 홀을 개폐시키는 역할을 한다.
개폐 플레이트(340)의 양측면은 챔버(200), 즉 제2 챔버(220)의 외부로 돌출되도록 배치될 수 있다. 개폐 플레이트(340)는 배플 플레이트(320)의 홀들을 덮도록 수평 이동할 수 있다. 이를 위해 개폐 플레이트(340)에는 구동부가 연결될 수 있다. 구동부는 챔버(200)의 외부에서 개폐 플레이트와 연결될 수 있다. 구동부는 다수의 개폐 플레이트(340)에 각각 연결되어 각각의 개폐 플레이트(340)의 수평 이동을 제어할 수 있다.
상기에서는 개폐 플레이트가 배플 플레이트의 상부, 하부 또는 다수의 배플 플레이트의 사이에 배치된 것을 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 개폐 플레이트가 배플 플레이트의 상부 및 하부에 동시에 배치될 수 있다. 이와 같은 경우, 개폐 플레이트는 배플 플레이트의 x축, y축에 대해 홀을 동시에 개폐시킬 수 있게 된다.
또한, 배플 플레이트가 다수개로 이루어질 경우, 배플 플레이트의 x,y,z축에 대해 홀들을 동시에 개폐시킬 수 있게 된다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 실시예의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 실시예는 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 200: 챔버
310: 베이킹 플레이트 320: 배플 플레이트
330: 가스 분사부 340: 개폐 플레이트
350: 가스 공급부 410: 기판 지지부
420: 새도우 프레임 500: 진공 펌프

Claims (15)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛; 및
    상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고,
    상기 가스분사유닛은,
    가스공급부로부터 공급받은 가스를 공정 온도로 가열하는 베이킹 플레이트와,
    상기 베이킹 플레이트 하부에 배치되어 챔버 내로 가스를 분사하는 가스 분사부와,
    상기 베이킹 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되고 상기 가스 분사부에 균일하게 가스를 공급하도록 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와,
    상기 배플 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되어 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 제어하는 개폐 플레이트를 포함하며,
    상기 개폐 플레이트는 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들 사이 영역과 대응되는 다수의 바(bar)와, 상기 다수의 바(bar)의 일측에 배치된 고정부재와, 상기 고정부재와 연결되어 상기 다수의 바(bar)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 조절하는 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 개폐 플레이트를 구성하는 다수의 바(bar) 각각의 폭은 상기 배플 플레이트에 형성된 홀들 사이의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 개폐 플레이트의 양측은 상기 챔버의 외측으로 관통되어 배치되는 기판 처리장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 배플 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트를 포함하고, 상기 개폐 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트 사이에 배치되는 기판처리장치.
  8. 삭제
  9. 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되어 기판을 지지하는 기판지지유닛; 및
    상기 기판지지유닛과 대향 배치되는 가스분사유닛을 포함하고,
    상기 가스분사유닛은,
    가스공급부로부터 공급받은 가스를 공정 온도로 가열하는 베이킹 플레이트와,
    상기 베이킹 플레이트 하부에 배치되어 챔버 내로 가스를 분사하는 가스 분사부와,
    상기 베이킹 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되고 상기 가스 분사부에 균일하게 가스를 공급하도록 다수의 홀이 형성된 배플 플레이트와,
    상기 배플 플레이트와 가스 분사부 사이에 배치되어 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 제어하는 개폐 플레이트를 포함하며,
    상기 개폐 플레이트는 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들 사이 영역과 대응되는 다수의 바(bar)와, 상기 다수의 바(bar)의 양측에 배치된 레일부재와, 상기 다수의 바(bar) 각각에 연결되어 상기 다수의 바(bar)를 수평 방향으로 이동시켜 상기 배플 플레이트에 형성된 다수의 홀들의 개구율을 조절하는 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 개폐 플레이트를 구성하는 다수의 바(bar) 각각의 폭은 상기 배플 플레이트에 형성된 홀들 사이의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 배플 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트를 포함하고, 상기 개폐 플레이트는 제1 배플 플레이트와 제2 배플 플레이트 사이에 배치되는 기판처리장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 개폐 플레이트의 양측은 챔버의 외측으로 관통되어 배치되는 기판처리장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
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