KR102089329B1 - Organic light emitting display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 효율 및 수명 저하를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 1개의 발광층과; 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과; 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며, 상기 발광층은 상기 정공 수송층 상에 형성되며 제1 정공 타입의 호스트와, 제1 인광도펀트를 가지는 제1 발광혼합층과; 상기 제1 발광혼합층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 제1 전자 타입의 호스트와, 제2 인광도펀트를 가지는 제2 발광혼합층을 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention is to provide an organic light emitting display device capable of preventing degradation of efficiency and life.
The organic light emitting diode display according to the present invention includes first and second electrodes facing each other on a substrate; At least one light emitting layer formed between the first and second electrodes; A hole transport layer formed between the first electrode and the light emitting layer; An electron transport layer formed between the second electrode and the light emitting layer, the light emitting layer formed on the hole transport layer, a first hole type host, and a first light emitting mixed layer having a first phosphorescent dopant; It is formed between the first light-emitting mixture layer and the electron transport layer, and has a first electron-type host and a second light-emitting mixture layer having a second phosphorescent dopant.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

본 발명은 효율 및 수명 저하를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device that can prevent the reduction in efficiency and life.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되고 있다.With the recent advent of the information age, the display field for visually expressing electrical information signals has rapidly developed, and in response to this, various flat panel displays with excellent performance of thinning, lightening, and low power consumption have been developed. Device) is being developed.

이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a flat panel display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel device (PDP), a field emission display device (FED), and an organic light emitting display device (Organic Light Emitting Device: OLED) and the like.

특히, 유기 발광 표시 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.Particularly, the organic light emitting display device is a self-luminous device, and has an advantage in that the response speed is faster and the light emission efficiency, luminance, and viewing angle are greater than other flat panel display devices.

이러한 유기 발광 표시 장치는 발광층을 사이에 두고 서로 마주보는 애노드 전극과 캐소드 전극을 구비하며, 애노드 전극으로부터 주입된 정공과, 캐소드 전극으로부터 주입된 전자가 발광층 내에서 재결합하여 정공-전자쌍인 여기자를 형성하고, 다시 여기자가 바닥 상태로 돌아오면서 발생하는 에너지에 의해 발광하게 된다. 그러나, 종래 발광층에서 생성된 여기자가 발광층 내부 뿐만 아니라 발광층과 인접한 전자 수송층 및 정공 수송층과의 계면까지 넓게 분포되어 발광 효율이 떨어지고, 발광층과 인접한 전자 수송층 및 정공 수송층이 쉽게 열화되어 수명이 저하되는 문제점이 있다.The organic light emitting display device includes an anode electrode and a cathode electrode facing each other with a light emitting layer interposed therebetween, and holes injected from the anode electrode and electrons injected from the cathode electrode are recombined in the light emitting layer to form a hole-electron pair exciton. Then, the excitons emit light by the energy generated while returning to the ground state. However, the exciton generated in the conventional light emitting layer is widely distributed not only inside the light emitting layer but also to the interface between the electron transporting layer and the hole transporting layer adjacent to the light emitting layer, so that the luminous efficiency decreases, and the electron transporting layer and the hole transporting layer adjacent to the light emitting layer are easily deteriorated, resulting in a decrease in life. There is this.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 효율 및 수명 저하를 방지할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention is to provide an organic light emitting display device that can prevent the reduction in efficiency and life.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 1개의 발광층과; 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 정공 수송층과; 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 형성되는 전자 수송층을 구비하며, 상기 발광층은 상기 정공 수송층 상에 형성되며 제1 정공 타입의 호스트와, 제1 인광도펀트를 가지는 제1 발광혼합층과; 상기 제1 발광혼합층과 상기 전자 수송층 사이에 형성되며 제1 전자 타입의 호스트와, 제2 인광도펀트를 가지는 제2 발광혼합층을 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, an organic light emitting display device according to the present invention includes first and second electrodes facing each other on a substrate; At least one light emitting layer formed between the first and second electrodes; A hole transport layer formed between the first electrode and the light emitting layer; An electron transport layer formed between the second electrode and the light emitting layer, the light emitting layer formed on the hole transport layer, a first hole type host, and a first light emitting mixed layer having a first phosphorescent dopant; It is formed between the first light-emitting mixture layer and the electron transport layer, and has a first electron-type host and a second light-emitting mixture layer having a second phosphorescent dopant.

상기 제1 발광 혼합층은 제2 정공 타입의 호스트를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The first light-emitting mixed layer may further include a second hole type host.

상기 제2 발광 혼합층은 제2 전자 타입의 호스트를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The second light-emitting mixed layer may further include a second electron type host.

상기 제2 발광 혼합층은 제2 전자 타입의 호스트를 더 구비하며, 상기 제1 발광 혼합층은 상기 제1 및 제2 전자 타입의 호스트 중 적어도 어느 하나의 전자 타입의 호스트 또는 제2 정공 타입의 호스트를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The second light-emitting mixed layer further includes a second electron-type host, and the first light-emitting mixed layer comprises at least one of the first and second electron-type hosts, or a second hole-type host. It is characterized by further comprising.

상기 제1 발광 혼합층은 제2 전자 타입의 호스트를 더 구비하며, 상기 제2 발광 혼합층은 제2 정공 타입의 호스트를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The first light-emitting mixed layer may further include a second electron-type host, and the second light-emitting mixed layer may further include a second hole-type host.

상기 제1 발광 혼합층은 상기 제2 전자 타입의 호스트보다 제1 상기 정공 타입의 호스트의 함량이 더 높으며, 상기 제2 발광 혼합층은 상기 제2 정공 타입의 호스트보다 상기 제1 전자 타입의 호스트의 함량이 더 높은 것을 특징으로 한다.The first light-emitting mixed layer has a higher content of the first hole-type host than the second electron-type host, and the second light-emitting mixed layer has a content of the first electron-type host than the second hole-type host. Characterized by this higher.

상기 제1 및 제2 전자 타입의 호스트 각각의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 상기 전자 수송층의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성되며, 상기 제1 및 제2 정공 타입의 호스트 각각의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 정공 수송층의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성되는 것을 특징으로 한다.The lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of each of the first and second electron type hosts is formed to have a difference of less than ± 0.5 eV from the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of the electron transport layer. The first and second hole-type hosts each have a Highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) level that is less than or equal to ± 0.5 eV from the hole transport layer's Highest Molecular Orbital (HOMO) level. It is characterized by.

상기 제1 및 제2 정공 타입의 호스트는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 것을 특징으로 한다.The first and second hole-type hosts are characterized in that the mobility is 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 .

상기 제1 및 제2 전자 타입의 호스트는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 것을 특징으로 한다.The first and second electronic type hosts are characterized in that the mobility is 1.0 × 10 −6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 −3 Vs / cm 2 .

상기 발광층이 적어도 2개일 때, 상기 발광층들 사이에 순차적으로 적층되어 형성되는 N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.When the light emitting layer is at least two, it is characterized in that it further comprises an N-type charge generating layer and a P-type charge generating layer formed by sequentially stacking between the light emitting layers.

상기 제1 및 제2 인광 도펀트는 서로 동일하거나 서로 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.The first and second phosphorescent dopants are characterized by being formed of the same or different materials from each other.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 전자 타입의 호스트와 정공 타입의 호스트를 통해 제1 및 제2 발광 혼합층으로 정공과 전자 주입이 용이해져 종래대비 전압이 감소한다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 주입된 각각의 정공과 전자가 제1 및 제2 발광 혼합층의 계면으로 주입됨으로써 정공과 전자 쌍인 여기자의 손실을 방지할 수 있어 효율저하를 방지할 수 있다. 또한, 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층 내부로 한정하여 수명 및 안정성을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 인광 도펀트의 함량을 낮출 수 있어 원가를 절감할 수 있다.The organic light emitting diode display according to the present invention facilitates injection of holes and electrons into the first and second light-emitting mixed layers through an electron type host and a hole type host, thereby reducing voltage compared to the prior art. In addition, in the organic light emitting display device according to the present invention, holes and electrons injected from the hole transport layer and the electron transport layer are injected into the interface of the first and second light-emitting mixed layers, thereby preventing loss of excitons, which are pairs of holes and electrons. Deterioration can be prevented. In addition, the region where holes and electrons are recombined is limited to the inside of the light emitting layer to improve life and stability. In addition, the content of the phosphorescent dopant can be lowered to reduce the cost.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치의 밴드다이어그램을 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 종래와 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전광 특성을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 종래와 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전광 특성을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치의 다른 형태를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 3개의 발광 유닛을 가지는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 컬러 필터를 가지는 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a band diagram of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1.
3A to 3C are diagrams for describing all-optical characteristics of the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
5A to 5C are diagrams for explaining all-optical characteristics of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention and the related art.
6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view illustrating another form of the OLED display illustrated in FIG. 6.
8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the present invention having three light emitting units.
11 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the present invention having a color filter.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and examples.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치는 서로 마주보는 제1 및 제2 전극(102,104), 제1 및 제2 전극(102,104) 사이에 형성되는 제1 및 제2 발광 유닛(110,120)과, 제1 및 제2 발광 유닛(110,120) 사이에 위치하는 전하 생성층(130)을 구비한다. The organic light emitting diode display illustrated in FIG. 1 includes first and second light emitting units 110 and 120 formed between the first and second electrodes 102 and 104 facing each other, and the first and second electrodes 102 and 104. And a charge generation layer 130 positioned between the second light emitting units 110 and 120.

제1 및 제2 전극(102,104) 중 적어도 어느 하나는 투명 전극으로 형성된다. 제1 전극(102)이 투명 전극이고, 제2 전극(104)이 불투명 전극인 경우, 하부로 광을 출사하는 배면 발광 구조이다. 제2 전극(104)이 투명 전극이고, 제1 전극(102)이 불투명 전극인 경우, 상부로 광을 출사하는 전면 발광 구조이다. 제1 및 제2 전극(102,104) 모두 투명 전극인 경우, 상하부로 광을 출사하는 양면 발광 구조이다. At least one of the first and second electrodes 102 and 104 is formed of a transparent electrode. When the first electrode 102 is a transparent electrode and the second electrode 104 is an opaque electrode, it is a back light emitting structure that emits light downward. When the second electrode 104 is a transparent electrode and the first electrode 102 is an opaque electrode, it is a front light emitting structure that emits light upward. When both the first and second electrodes 102 and 104 are transparent electrodes, they are double-sided light emitting structures that emit light up and down.

투명 전극으로는 ITO(Indium Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등이 이용되며, 불투명 전극으로는 반사성 금속 재질로 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(MO), 크롬(Cr), 구리(Cu), LiF 등으로 형성되거나, 이들을 이용한 복층 구조로 형성된다.ITO (Indium Tin Oxide; ITO), IZO (Indum Zinc Oxide; IZO) is used as the transparent electrode, and aluminum (Al), gold (Au), and molybdenum (reflective metal) are used as the opaque electrode. MO), chromium (Cr), copper (Cu), LiF, or the like, or a multilayer structure using them.

본 발명에서는 제1 전극(102)이 애노드로서 투명 전극으로 형성되고, 제2 전극(104)이 캐소드로서, 불투명 전극으로 형성되는 것을 예로 들어 설명하기로 한다.In the present invention, it will be described as an example that the first electrode 102 is formed of a transparent electrode as an anode, and the second electrode 104 is formed of a opaque electrode as a cathode.

제1 발광 유닛(110)은 제1 전극(102)과 N형 전하 생성층(132; N-CGL) 사이에 형성된다. 제1 발광 유닛(110)은 제1 전극(102) 상에 순차적으로 형성되는 정공 주입층(112; HIL), 적어도 1층의 제1 정공 수송층(114; HTL), 제1 발광층(116; EML) 및 제1 전자 수송층(118; ETL)을 구비한다. 제1 정공 수송층(114)은 제1 전극(102)으로부터의 정공을 제1 발광층(116)에 공급하며, 제1 전자 수송층(118)은 N형 전하 생성층(132)으로부터의 전자를 제1 발광층(116)에 공급하며, 제1 발광층(116)에서는 제1 정공 수송층(114)을 통해 공급된 정공과 제1 전자 수송층(118)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다. The first light emitting unit 110 is formed between the first electrode 102 and the N-type charge generation layer 132 (N-CGL). The first light emitting unit 110 includes a hole injection layer 112 (HIL) sequentially formed on the first electrode 102, a first hole transport layer 114 (HTL) of at least one layer, and a first light emitting layer 116 (EML). ) And a first electron transport layer 118 (ETL). The first hole transport layer 114 supplies holes from the first electrode 102 to the first emission layer 116, and the first electron transport layer 118 receives electrons from the N-type charge generation layer 132 first. Light is generated because the holes supplied through the first hole transport layer 114 and the electrons supplied through the first electron transport layer 118 are recombined in the first emission layer 116.

제2 발광 유닛(120)은 제2 전극(104)과 P형 전하 생성층(134; P-CGL) 사이에 형성된다. 제2 발광 유닛(120)은 P형 전하 생성층(134) 상에 순차적으로 형성되는 제2 정공 수송층(124;HTL), 제3 정공 수송층(124b; HTL), 제2 발광층(126; EML) 및 제2 전자 수송층(128; ETL)을 구비한다. 제2 및 제3 정공 수송층(124a,124b)은 P형 전하 생성층(134)으로부터의 정공을 제2 발광층(126)에 공급하며, 제2 전자 수송층(128)은 제2 전극(132)으로부터의 전자를 제2 발광층(126)에 공급하며, 제2 발광층(126)에서는 제2 및 제3 정공 수송층(124a,124b)을 통해 공급된 정공과 제2 전자 수송층(128)을 통해 공급된 전자들이 재결합되므로 광이 생성된다. The second light emitting unit 120 is formed between the second electrode 104 and the P-type charge generation layer 134 (P-CGL). The second light emitting unit 120 includes a second hole transport layer 124 (HTL), a third hole transport layer 124b (HTL), and a second light emitting layer 126 (EML) sequentially formed on the P-type charge generation layer 134. And a second electron transport layer 128 (ETL). The second and third hole transport layers 124a and 124b supply holes from the P-type charge generation layer 134 to the second light emitting layer 126, and the second electron transport layer 128 from the second electrode 132. Electrons are supplied to the second light emitting layer 126, and in the second light emitting layer 126, holes supplied through the second and third hole transport layers 124a and 124b and electrons supplied through the second electron transport layer 128 As they recombine, light is produced.

전하 생성층(130)은 차례로 적층되어 있는 N형 전하 생성층(132)과 P형 전하 생성층(134)을 포함한다. The charge generation layer 130 includes an N-type charge generation layer 132 and a P-type charge generation layer 134 that are sequentially stacked.

N형 전하 생성층(132)은 P형 전하 생성층(134)보다 제1 전극(102)에 더 가깝게 배치된다. 이 N형 전하 생성층(132)은 P형 전하 생성층(134)과 제2 정공 수송층(124a) 사이의 계면에서 분리되는 n형 전하인 전자를 끌어당기는 역할을 한다. 이러한 N형 전하 생성층(132)은 유기물에 알칼리 금속 입자가 도핑되어 형성된다.The N-type charge generation layer 132 is disposed closer to the first electrode 102 than the P-type charge generation layer 134. The N-type charge generation layer 132 serves to attract electrons, which are n-type charges separated at the interface between the P-type charge generation layer 134 and the second hole transport layer 124a. The N-type charge generation layer 132 is formed by doping alkali metal particles with an organic material.

P형 전하 생성층(134)은 N형 전하 생성층(132)보다 제2 전극(104)에 더 가깝게 배치된다. 이 P형 전하 생성층(134)과 제2 정공 수송층(124a) 사이의 계면에서는 n형 전하인 전자와 p형 전하인 정공이 생성되고 분리된다. The P-type charge generation layer 134 is disposed closer to the second electrode 104 than the N-type charge generation layer 132. At the interface between the P-type charge generation layer 134 and the second hole transport layer 124a, electrons, which are n-type charges, and holes, which are p-type charges, are generated and separated.

분리된 전자는 N형 전하 생성층(132)을 통해 제1 발광 유닛(110)으로 이동하고 제1 발광 유닛(110)의 제1 발광층(116)에서 제1 전극(102)으로부터 이동한 정공과 결합하여 여기자를 형성하고 에너지를 방출하면서 가시광선 영역의 광을 출사한다. The separated electrons move through the N-type charge generating layer 132 to the first light emitting unit 110 and holes moved from the first electrode 102 in the first light emitting layer 116 of the first light emitting unit 110. Combined to form excitons and emit energy, it emits light in the visible region.

분리된 정공은 제2 발광 유닛(120)으로 이동하고 제2 발광층(126)에서 제2 전극(104)로부터 이동한 전자와 결합하여 여기자를 형성하고 에너지를 방출하면서 가시광선 영역의 광을 출사한다.The separated holes move to the second light emitting unit 120 and combine with electrons moved from the second electrode 104 in the second light emitting layer 126 to form excitons and emit energy while emitting light in the visible light region. .

여기서, 제1 발광층(116)은 청색 형광 도펀트와 호스트가 포함된 발광층으로 청색광을 출사하고, 제2 발광층(126)은 적색-녹색 인광도펀트와 호스트가 포함된 발광층으로 주황색광을 출사하여 백색광이 구현될 수 있다. 이외에도 다른 형광 도펀트 및 인광 도펀트를 이용하여 백색광을 구현할 수 있다.Here, the first light emitting layer 116 emits blue light into the light emitting layer containing the blue fluorescent dopant and the host, and the second light emitting layer 126 emits orange light into the light emitting layer containing the red-green phosphorescent dopant and the host to generate white light. Can be implemented. In addition, white light may be implemented using other fluorescent dopants and phosphorescent dopants.

특히, 인광 도펀트를 가지는 제2 발광층(126)은 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b; ML1,ML2)을 구비한다.In particular, the second light emitting layer 126 having a phosphorescent dopant includes first and second light emitting mixed layers 126a, 126b (ML1, ML2).

제1 발광 혼합층(126a)은 제3 정공 수송층(124b) 상에 제3 정공 수송층(124b)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제1 발광 혼합층(126a)은 제2 발광층(126) 내부로 정공 수송 특성이 좋은 정공 타입의 호스트(host_h)와, 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 인광 도펀트는 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 예를 들어 tris(2-phenylpyridine)iridium으로 형성된다. 이 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 정공 타입의 호스트(host_h)의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 제3 정공 수송층(124b)의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 정공 타입의 호스트(host_h)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 정공 타입의 호스트(host_h)는 제3 정공 수송층(124b)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 예를 들어, 정공 타입의 호스트(host_h)는 TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 또는 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)등으로 형성된다. The first light emitting mixed layer 126a is formed to contact the third hole transport layer 124b on the third hole transport layer 124b. The first light-emitting mixed layer 126a is formed by mixing a hole-type host (host_h) having good hole transport characteristics and a phosphorescent dopant into the second light-emitting layer 126. As the phosphorescent dopant, a phosphorescent yellow-green dopant is used, for example, tris (2-phenylpyridine) iridium. This phosphorescent dopant accounts for about 5-15% of the total content of the first light-emitting mixed layer 126a. The hole type host (host_h) of the highest occupied molecular orbital (Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) level is less than ± 0.5eV difference from the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the third hole transport layer 124b. The hole-type host (host_h) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, the hole-type host host_h is formed of the same material as the third hole transport layer 124b or is formed of a different material. For example, the hole-type host (host_h) is TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine) or CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl). Is formed by.

제2 발광 혼합층(126b)은 제1 발광 혼합층(126a) 상에 형성되어 제2 전자 수송층(128)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제2 발광 혼합층(126b)은 제2 발광층(126) 내부로 전자 수송 특성이 좋은 전자 타입의 호스트(host_e)와, 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a)과 동일한 도펀트인 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 제2 발광 혼합층(126b) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 전자 타입의 호스트(host_e)의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 제2 전자 수송층(128)의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 전자 타입의 호스트(host_e)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 전자 타입의 호스트(host_e)는 제2 전자 수송층(128)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 예를 들어, 전자 타입의 호스트(host_e)는 UGH3(m-bis-(triphenylsilyl)benzene) 또는 TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)로 형성된다. The second light-emitting mixed layer 126b is formed on the first light-emitting mixed layer 126a and is formed to contact the second electron transport layer 128. The second light-emitting mixed layer 126b is formed by mixing a host_e of an electron type having good electron transport characteristics and a phosphorescent dopant into the second light-emitting layer 126. The phosphorescent dopant is a phosphorescent yellow-green dopant, which is the same dopant as the first light-emitting mixed layer 126a, and occupies about 5-15% of the total content of the second light-emitting mixed layer 126b. The lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the electron type host (host_e) is formed to be less than ± 0.5 eV with a difference from the lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the second electron transport layer 128. do. The electronic type host (host_e) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, the electron type host host_e is formed of the same material as the second electron transport layer 128 or a different material. For example, the host of the electronic type (host_e) is UGH3 (m-bis- (triphenylsilyl) benzene) or TAZ (3-phenyl-4- (1'-naphthyl) -5-phenyl-1,2,4-triazole ).

이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전자 타입의 호스트(host_e)와 정공 타입의 호스트(host_h)를 통해 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)으로 정공과 전자 주입이 용이해져 종래대비 전압이 감소한다. 또한, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 주입된 각각의 정공과 전자가 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)의 계면으로 주입됨으로써 정공과 전자 쌍인 여기자의 손실을 방지할 수 있어 효율저하를 방지할 수 있다. 또한, 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층(126) 내부로 한정하여 수명 및 안정성을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 인광 도펀트의 함량을 낮출 수 있어 원가를 절감할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment of the present invention may transmit holes and electrons to the first and second light emitting mixed layers 126a and 126b through an electronic type host host_e and a hole type host host_h. The injection is easy and the voltage is reduced compared to the conventional one. In addition, in the organic light emitting diode display according to the first embodiment of the present invention, holes and electrons are injected into the interface between the first and second light-emitting mixed layers 126a and 126b by injecting holes and electrons injected from the hole transport layer and the electron transport layer. The loss of paired excitons can be prevented, and the efficiency can be prevented. Also, a region where holes and electrons are recombined may be limited to the inside of the light emitting layer 126 to improve life and stability. In addition, the content of the phosphorescent dopant can be lowered to reduce the cost.

표 1은 종래 유기 발광 소자와 본 발명의 제1 실시 예에 따른 백색 유기 발광 소자의 전광특성을 나타낸 것이다.Table 1 shows all-optical characteristics of a conventional organic light emitting device and a white organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

조건
Condition
T95(50mA/cm2)
T95 (50mA / cm 2 )
10mA/cm2 10mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) Cd/ACd / A 효율비Efficiency ratio 종래Conventional 137 hour137 hour 3.63.6 76.576.5 0.730.73 제1 실시 예First embodiment 182 hour182 hour 3.23.2 79.479.4 0.770.77

표 1에서 종래의 구조는 2개의 호스트와 도펀트가 혼합된 단층의 발광층을 구비하는 경우이며, T95는 백색 유기 발광 소자의 수명이 약 95%까지 되는 시간을 의미한다. 표 1 및 도 3a에 도시된 바와 같이 종래 백색 유기 발광 소자(A곡선)는 수명이 95%지점까지 되는 시간이 137시간인 반면에 본 발명에 따른 백색 유기 발광 소자(B곡선)는 수명이 95%지점까지 되는 시간이 182시간이므로 종래보다 수명이 향상됨을 알 수 있다. 또한, 도 3b에 도시된 바와 같이 종래(A곡선)보다 본 발명(B곡선)에 따른 유기 발광 표시 장치는 전압에 따른 전류 밀도가 높아 동일한 전류 밀도를 내기 위한 구동 전압이 종래보다 10mA/cm2에서 약 0.4V 감소했음을 알 수 있다. 특히, 표 1에 도시된 바와 같이 종래보다 본 발명의 제1 실시 예에서 구동 전압이 낮음을 알 수 있다. 또한, 도 3c에 도시된 바와 같이 종래(A곡선)보다 본 발명(B곡선)에 따른 유기 발광 표시 장치는 휘도가 증가함에 따라 효율의 감소율이 낮음을 알 수 있다. 이에 따라, 10mA/cm2에서의 효율 대비 50mA/cm2에서의 효율비가 종래보다 본 발명이 높으므로 휘도가 증가함에 따라 효율이 감소하는 롤-오프 현상이 개선되었음을 알 수 있다. In Table 1, the conventional structure is a case in which a light emitting layer of a single layer in which two hosts and a dopant are mixed is provided, and T95 means a time period in which the life of the white organic light emitting device is up to about 95%. As shown in Table 1 and Figure 3a, the conventional white organic light emitting device (Curve A) has a life span of 137 hours to reach 95%, while the white organic light emitting device (B curve) according to the present invention has a life span of 95 Since the time to reach the% point is 182 hours, it can be seen that the life is improved compared to the conventional one. In addition, as shown in FIG. 3B, the organic light emitting display device according to the present invention (B curve) has a higher current density according to voltage than the conventional (A curve), so that the driving voltage for generating the same current density is 10 mA / cm 2 than the conventional one. It can be seen that it decreased by about 0.4V. In particular, as shown in Table 1, it can be seen that the driving voltage is lower in the first embodiment of the present invention than in the prior art. Also, as illustrated in FIG. 3C, it can be seen that the organic light emitting display device according to the present invention (B curve) has a lower efficiency decrease rate than the conventional (A curve). In this way, the efficiency is reduced as the roll has higher efficiency ratio than the conventional invention in 50mA / cm 2 compared to the efficiency at 10mA / cm 2 brightness is increased - it can be seen that improved off phenomenon.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예는 표 1 및 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이 수명을 뿐만 아니라, 구동 전압(V), 효율(cd/A) 등이 종래 유기 발광 표시 장치보다 향상되었음을 알 수 있다.As described above, the first embodiment of the present invention improves not only the lifespan but also the driving voltage (V), efficiency (cd / A), and the like, as shown in Table 1 and FIGS. 3A to 3C. It can be seen that

한편, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 다수개의 발광유닛을 가지는 탠덤 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 하나의 발광유닛을 가지는 구조에서도 적용가능하다. On the other hand, the organic light emitting display device according to the first embodiment of the present invention has been described with an example of a tandem structure having a plurality of light emitting units, but it is also applicable to a structure having one light emitting unit.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 제2 발광층(126)을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting display device illustrated in FIG. 4 has the same components as the organic light emitting display device illustrated in FIG. 1 except for the second light emitting layer 126. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

제2 발광층(126)은 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b; ML1,ML2)을 구비한다.The second light emitting layer 126 includes first and second light emitting mixed layers 126a and 126b (ML1 and ML2).

제1 발광 혼합층(126a)은 제3 정공 수송층(124b) 상에 제3 정공 수송층(124b)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제1 발광 혼합층(126a)은 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2)와, 제1 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 제1 인광 도펀트는 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 예를 들어 tris(2-phenylpyridine)iridium으로 형성된다. 이 제1 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2)의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 제3 정공 수송층(124b)의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 이를 위해, 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2)는 제3 정공 수송층(124b)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성되며, 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2) 각각은 서로 동일하거나 다른 물질로 형성된다. 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 특히, 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2) 중 어느 하나의 정공 타입의 호스트는 제2 발광층(126) 내부로 정공 수송 특성이 우수한 재질로 형성되고, 나머지 정공 타입의 호스트는 도펀트로의 에너지 전달이 우수한 재질로 형성된다. 예를 들어, 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1, host_h2)는 TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 또는 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)등으로 형성된다.The first light emitting mixed layer 126a is formed to contact the third hole transport layer 124b on the third hole transport layer 124b. The first light-emitting mixed layer 126a is formed by mixing first and second hole-type hosts (host_h1, host_h2) and a first phosphorescent dopant. As the first phosphorescent dopant, a phosphorescent yellow-green dopant is used, for example, tris (2-phenylpyridine) iridium. The first phosphorescent dopant accounts for about 5-15% of the total content of the first light-emitting mixed layer 126a. The highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the first and second hole type hosts (host_h1, host_h2) has a difference ± ± from the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the third hole transport layer 124b. It is formed below 0.5 eV. To this end, the first and second hole-type hosts (host_h1, host_h2) are formed of the same material or different materials from the third hole transport layer 124b, and the hosts of the first and second hole types (host_h1, host_h2) ) Each is formed of the same or different material from each other. The first and second hole type hosts (host_h1 and host_h2) are formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . In particular, any one of the first and second hole type hosts (host_h1, host_h2) of the hole type host is formed of a material having excellent hole transport characteristics inside the second light emitting layer 126, and the other hole type hosts are dopants. It is formed of a material with excellent energy transfer to the furnace. For example, the first and second hole type hosts (host_h1, host_h2) are TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine) or CBP (4,4'-bis (carbazol- 9-yl) biphenyl).

제2 발광 혼합층(126b)은 제1 발광 혼합층(126a) 상에 형성되어 제2 전자 수송층(128)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제2 발광 혼합층(126b)은 제2 발광층(126) 내부로 전자 수송 특성이 우수한 전자 타입의 호스트(host_e)와 제2 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 제2 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a)과 동일한 도펀트인 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 제2 발광 혼합층(126b) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 전자 타입의 호스트의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 제2 전자 수송층(128)의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 전자 타입의 호스트(host_e)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 전자 타입의 호스트(host_e)는 제2 전자 수송층(128)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 예를 들어, 전자 타입의 호스트(host_e)는 UGH3(m-bis-(triphenylsilyl)benzene) 또는 TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)로 형성된다. The second light-emitting mixed layer 126b is formed on the first light-emitting mixed layer 126a and is formed to contact the second electron transport layer 128. The second light-emitting mixed layer 126b is formed by mixing an electron-type host (host_e) having excellent electron transport properties and a second phosphorescent dopant into the second light-emitting layer 126. As the second phosphorescent dopant, a phosphorescent yellow-green dopant, which is the same dopant as the first emitting mixture layer 126a, is used, and occupies about 5-15% of the total content of the second emitting mixture layer 126b. The lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the electron-type host is formed to be less than ± 0.5 eV with a difference from the lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the second electron transport layer 128. The electronic type host (host_e) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, the electron type host host_e is formed of the same material as the second electron transport layer 128 or a different material. For example, the host of the electronic type (host_e) is UGH3 (m-bis- (triphenylsilyl) benzene) or TAZ (3-phenyl-4- (1'-naphthyl) -5-phenyl-1,2,4-triazole ).

이와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)으로 정공과 전자 주입이 용이해져 종래대비 전압이 감소한다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 주입된 각각의 정공과 전자가 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)의 계면으로 주입됨으로써 정공과 전자 쌍인 여기자의 손실을 방지할 수 있어 효율저하를 방지할 수 있다. 또한, 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층(126) 내부로 한정하여 발광층(126)과 인접한 전자 수송층(128) 및 정공 수송층(124b)의 열화를 방지하여 수명 및 안정성을 향상시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting display device according to the present invention facilitates hole and electron injection into the first and second light emitting mixed layers 126a and 126b, thereby reducing the voltage compared to the prior art. In addition, in the organic light emitting diode display according to the present invention, holes and electrons injected from the hole transport layer and the electron transport layer are injected into the interface of the first and second light emitting mixture layers 126a and 126b, thereby reducing the loss of excitons, which are pairs of holes and electrons. It can be prevented, so it is possible to prevent the decrease in efficiency. In addition, the region where holes and electrons are recombined is limited to the inside of the light emitting layer 126 to prevent deterioration of the electron transport layer 128 and the hole transport layer 124b adjacent to the light emitting layer 126, thereby improving life and stability.

표 2는 종래 유기 발광 소자와 본 발명의 제2 실시 예에 따른 백색 유기 발광 소자의 전광특성을 나타낸 것이다.Table 2 shows all-optical characteristics of a conventional organic light emitting device and a white organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

조건
Condition
T95(50mA/cm2)
T95 (50mA / cm 2 )
10mA/cm2 10mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) Cd/ACd / A 효율비Efficiency ratio 종래Conventional 137 hour137 hour 3.63.6 76.576.5 0.730.73 제2 실시 예Second embodiment 212 hour212 hour 3.33.3 80.180.1 0.780.78

표 2에서 종래의 구조는 2개의 호스트와 도펀트가 혼합된 단층의 발광층을 구비하는 경우이며, T95는 백색 유기 발광 소자의 수명이 약 95%까지 되는 시간을 의미한다. 표 2 및 도 5a에 도시된 바와 같이 종래(A곡선) 백색 유기 발광 소자는 수명이 95%지점까지 되는 시간이 137시간인 반면에 본 발명(C곡선)에 따른 백색 유기 발광 소자는 수명이 95%지점까지 되는 시간이 212시간이므로 종래보다 수명이 향상됨을 알 수 있다. 또한, 도 5b에 도시된 바와 같이 종래(A곡선)보다 본 발명(C곡선)에 따른 유기 발광 표시 장치는 전압에 따른 전류 밀도가 높아 동일한 전류 밀도를 내기 위한 구동 전압이 종래보다 10mA/cm2에서 약 0.3V 감소했음을 알 수 있다. 특히, 표 2에 도시된 바와 같이 종래보다 본 발명의 제2 실시 예에서 구동 전압이 낮음을 알 수 있다. 또한, 도 5c에 도시된 바와 같이 종래(A곡선)보다 본 발명(C곡선)에 따른 유기 발광 표시 장치는 휘도가 증가함에 따라 효율의 감소율이 낮음을 알 수 있다. 이에 따라, 10mA/cm2에서의 효율 대비 50mA/cm2에서의 효율비가 종래보다 본 발명이 높으므로 휘도가 증가함에 따라 효율이 감소하는 롤-오프 현상이 개선되었음을 알 수 있다. In Table 2, the conventional structure is a case in which a light emitting layer of a single layer in which two hosts and a dopant are mixed is provided, and T95 means a time period in which the life of the white organic light emitting device is up to about 95%. As shown in Table 2 and FIG. 5A, the conventional (A-curve) white organic light-emitting device has a life span of 137 hours to reach 95%, while the white organic light-emitting device according to the present invention (C-curve) has a life of 95. Since the time to reach the% point is 212 hours, it can be seen that the life is improved compared to the conventional one. In addition, as shown in FIG. 5B, the organic light emitting display device according to the present invention (C curve) has a higher current density according to voltage than the conventional (A curve), so that the driving voltage for generating the same current density is 10 mA / cm 2 than the prior art. It can be seen that it decreased by about 0.3V. In particular, as shown in Table 2, it can be seen that the driving voltage is lower in the second embodiment of the present invention than in the prior art. In addition, as illustrated in FIG. 5C, it can be seen that the organic light emitting display device according to the present invention (C curve) has a lower efficiency decrease rate as the luminance increases. In this way, the efficiency is reduced as the roll has higher efficiency ratio than the conventional invention in 50mA / cm 2 compared to the efficiency at 10mA / cm 2 brightness is increased - it can be seen that improved off phenomenon.

이와 같이, 본 발명의 제2 실시 예는 표 2 및 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이 수명을 뿐만 아니라, 구동 전압(V), 효율(cd/A) 등이 종래 유기 발광 표시 장치보다 향상되었음을 알 수 있다.As described above, the second embodiment of the present invention improves the driving voltage (V), efficiency (cd / A), and the like, as well as the lifespan, as shown in Table 2 and FIGS. It can be seen that

한편, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 다수개의 발광유닛을 가지는 탠덤 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 하나의 발광유닛을 가지는 구조에서도 적용가능하다. On the other hand, the organic light emitting display device according to the second embodiment of the present invention has been described with an example of a tandem structure having a plurality of light emitting units, but it is also applicable to a structure having one light emitting unit.

도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 유기 발광 표시 장치는 서로 마주보는 제1 및 제2 전극(102,104), 제1 및 제2 전극(102,104) 사이에 형성되는 정공 주입층(142), 정공 수송층(144), 발광층(126), 및 전자 수송층(148)을 구비한다. 여기서, 발광층(126)을 제외한 나머지 구성요소는 앞서 본 발명의 제1 실시 예에서 설명되었으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting diode display illustrated in FIG. 6 includes a hole injection layer 142, a hole transport layer 144, and a light emitting layer formed between the first and second electrodes 102 and 104, the first and second electrodes 102 and 104 facing each other 126, and an electron transport layer 148. Here, since the remaining components except for the light emitting layer 126 have been described in the first embodiment of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted.

발광층(126)은 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b; ML1,ML2)을 구비한다.The light emitting layer 126 includes first and second light emitting mixed layers 126a and 126b (ML1 and ML2).

제1 발광 혼합층(126a)은 정공 수송층(144) 상에 정공 수송층(144)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제1 발광 혼합층(126a)은 제1 정공 타입의 호스트(host_h1)와, 제2 전자 타입의 호스트(host_e2)와, 제1 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. The first light-emitting mixed layer 126a is formed on the hole transport layer 144 to contact the hole transport layer 144. The first light emitting mixture layer 126a is formed by mixing a first hole type host (host_h1), a second electron type host (host_e2), and a first phosphorescent dopant.

제2 발광 혼합층(126b)은 제1 발광 혼합층(126a) 상에 형성되어 전자 수송층(148)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)은 제1 전자 타입의 호스트(host_e1)와, 제2 정공 타입의 호스트(host_h2)와, 제2 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. The second light-emitting mixed layer 126b is formed on the first light-emitting mixed layer 126a and is formed to contact the electron transport layer 148. The first and second light emitting mixed layers 126a and 126b are formed by mixing a first electron type host (host_e1), a second hole type host (host_h2), and a second phosphorescent dopant.

제1 및 제2 인광 도펀트 각각은 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b) 각각의 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 제1 발광 혼합층(126a)에 포함된 제1 인광 도펀트는 제2 발광 혼합층(126b)에 포함된 제2 인광 도펀트와 동일 재질로 형성되거나 서로 다른 재질로 형성된다. Each of the first and second phosphorescent dopants accounts for about 5 to 15% of the total content of each of the first and second light emitting mixed layers 126a and 126b. The first phosphorescent dopant included in the first light-emitting mixed layer 126a is formed of the same material or a different material from the second phosphorescent dopant included in the second light-emitting mixed layer 126b.

제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2) 각각의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 전자 수송층(148)의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2) 각각은 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2) 각각은 전자 수송층(148)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 예를 들어, 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)는 UGH3(m-bis-(triphenylsilyl)benzene) 또는 TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)로 형성된다. 여기서, 제1 발광 혼합층(126a) 내의 제2 전자 타입의 호스트(host_e2)와 제2 발광 혼합층(126b) 내의 제1 전자 타입의 호스트(host_e1)는 동일 물질로 형성되거나 서로 다른 물질로 형성된다.The lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of each of the first and second electron type hosts (host_e1, host_e2) is different from the lowest non-occupied molecular orbit (LUMO) level of the electron transport layer 148. It is formed below ± 0.5eV. Each of the first and second electronic type hosts (host_e1, host_e2) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, each of the first and second electron type hosts host_e1 and host_e2 is formed of the same material as the electron transport layer 148 or a different material. For example, hosts of the first and second electron types (host_e1, host_e2) are UGH3 (m-bis- (triphenylsilyl) benzene) or TAZ (3-phenyl-4- (1'-naphthyl) -5-phenyl- 1,2,4-triazole). Here, the second electron type host (host_e2) in the first light emission mixed layer 126a and the first electron type host (host_e1) in the second light emission mixed layer 126b are formed of the same material or different materials.

제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1,host_h2) 각각의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 정공 수송층(144)의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1,host_h2) 각각은 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1,host_h2) 각각은 정공 수송층(144)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 예를 들어, 제1 및 제2 정공 타입의 호스트(host_h1,host_h2) 각각은 TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 또는 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)등으로 형성된다. 여기서, 제1 발광 혼합층(126a) 내의 제1 정공 타입의 호스트(host_h1)와 제2 발광 혼합층(126b) 내의 제2 정공 타입의 호스트(host_h2)는 동일 물질로 형성되거나 서로 다른 물질로 형성된다.The highest occupied molecular orbital (HOMO) level of each of the first and second hole type hosts (host_h1, host_h2) has a difference of ± 0.5 from the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the hole transport layer 144. It is formed below eV. Each of the first and second hole type hosts (host_h1 and host_h2) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, each of the first and second hole-type hosts (host_h1 and host_h2) is formed of the same material as the hole transport layer 144 or a different material. For example, each of the first and second hole type hosts (host_h1, host_h2) is TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine) or CBP (4,4'-bis (carbazol) -9-yl) biphenyl), etc. Here, the first hole-type host (host_h1) in the first light-emitting mixed layer 126a and the second hole-type host (host_h2) in the second light-emitting mixed layer 126b are formed. It is formed of the same material or of different materials.

이와 같은 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)는 제1 발광 혼합층(126a)보다 전자 수송층(148)과 인접한 제2 발광 혼합층(126b) 내에서 비율이 높게 형성되며, 정공 타입의 호스트(host_h1,host_h2)는 제2 발광 혼합층(126b)보다 정공 수송층(144)과 인접한 제1 발광 혼합층(126a) 내에서 비율이 높게 형성된다. 예를 들어, 정공 수송층(144)과 인접한 제1 발광 혼합층(126a) 내의 제1 정공 타입의 호스트(host_h1)와 제2 전자 타입의 호스트(host_e2)의 비는 4~7:3~6로 형성된다. 그리고, 전자 수송층(148)과 인접한 제2 발광 혼합층(126b) 내의 제1 전자 타입의 호스트(host_e1)와 제2 정공 타입의 호스트(host_h2)의 비는 6~9:1~4로 형성된다.The electron-type host (host_e1, host_e2) has a higher ratio in the second light-emitting mixed layer 126b adjacent to the electron transport layer 148 than the first light-emitting mixed layer 126a, and a hole-type host (host_h1, host_h2) ) Has a higher ratio in the first light-emitting mixed layer 126a adjacent to the hole transport layer 144 than the second light-emitting mixed layer 126b. For example, the ratio of the first hole-type host (host_h1) and the second electron-type host (host_e2) in the first light emitting mixed layer 126a adjacent to the hole transport layer 144 is formed from 4 to 7: 3 to 3 to 6. do. The ratio of the first electron type host (host_e1) and the second hole type host (host_h2) in the second light emitting mixed layer 126b adjacent to the electron transport layer 148 is formed from 6 to 9: 1 to 4.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)으로 정공과 전자 주입이 용이해져 종래대비 전압이 감소한다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 주입된 각각의 정공과 전자가 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)의 계면으로 주입됨으로써 정공과 전자 쌍인 여기자의 손실을 방지할 수 있어 효율저하를 방지할 수 있다. 또한, 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층(126) 내부로 한정하여 발광층(126)과 인접한 전자 수송층(128) 및 정공 수송층(124b)의 열화를 방지하여 수명 및 안정성을 향상시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting display device according to the present invention facilitates hole and electron injection into the first and second light emitting mixed layers 126a and 126b, thereby reducing the voltage compared to the prior art. In addition, in the organic light emitting diode display according to the present invention, holes and electrons injected from the hole transport layer and the electron transport layer are injected into the interface of the first and second light emitting mixture layers 126a and 126b, thereby reducing the loss of excitons, which are pairs of holes and electrons. It can be prevented, so it is possible to prevent the decrease in efficiency. In addition, the region where holes and electrons are recombined is limited to the inside of the light emitting layer 126 to prevent deterioration of the electron transport layer 128 and the hole transport layer 124b adjacent to the light emitting layer 126, thereby improving life and stability.

표 3은 종래 유기 발광 표시 장치와 본 발명의 제3 실시 예에 따른 백색 유기 발광 표시 장치의 전광특성을 나타낸 것이다.Table 3 shows all-optical characteristics of a conventional organic light emitting display device and a white organic light emitting display device according to a third embodiment of the present invention.

조건
Condition
10mA/cm2 10mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) Cd/ACd / A CIExCIEx CIEyCIEy 종래Conventional 7.27.2 62.662.6 0.3010.301 0.3370.337 제3 실시 예Third embodiment 7.17.1 67.867.8 0.3000.300 0.3510.351

표 3에서 종래의 구조는 2개의 호스트와 도펀트가 혼합된 단층의 발광층을 구비하는 경우이며, 본 발명의 제3 실시 예는 제1 발광 혼합층(126a)의 제1 정공 타입 호스트(host_h1)와 제2 전자 타입 호스트(host_e2)의 비는 5.5:4.5이며, 제2 발광 혼합층(126b)의 제2 정공 타입 호스트(host_h2)와 제1 전자 타입 호스트(host_e1)의 비는 3:7인 경우이다. 표 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 제3 실시 예는 구동 전압(V), 효율(cd/A), 색좌표(CIEx, CIEy) 등이 종래 유기 발광 표시 장치보다 향상되었음을 알 수 있다.In Table 3, the conventional structure is a case in which a light emitting layer of a single layer in which two hosts and a dopant are mixed is provided, and a third embodiment of the present invention includes a first hole type host (host_h1) and a first hole in the first light emitting mixed layer 126a. 2 The ratio of the electron type host (host_e2) is 5.5: 4.5, and the ratio of the second hole type host (host_h2) and the first electron type host (host_e1) of the second light emitting mixed layer 126b is 3: 7. As shown in Table 3, the third embodiment of the present invention can be seen that the driving voltage (V), efficiency (cd / A), color coordinates (CIEx, CIEy), and the like are improved over the conventional organic light emitting display device.

또한, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 하나의 발광 유닛을 가지는 구조를 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 도 7에 도시된 바와 같이 다수개의 발광 유닛(110,130)을 가지는 탠덤 구조에도 적용가능하다.In addition, the organic light emitting display device according to the third embodiment of the present invention has been described with an example of a structure having one light emitting unit, but in addition, as shown in FIG. 7, it is also applicable to a tandem structure having a plurality of light emitting units 110 and 130. It is possible.

도 8은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 제2 발광 혼합층이 2개의 전자 호스트를 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting display device illustrated in FIG. 8 has the same components except that the second light emitting mixed layer includes two electronic hosts in contrast to the organic light emitting display device illustrated in FIG. 1. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

도 8에 도시된 제2 발광층(126)은 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b; ML1,ML2)을 구비한다.The second light emitting layer 126 illustrated in FIG. 8 includes first and second light emitting mixed layers 126a and 126b (ML1 and ML2).

제1 발광 혼합층(126a)은 제3 정공 수송층(124b) 상에 제3 정공 수송층(124b)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제1 발광 혼합층(126a)은 제2 발광층(126) 내로 정공 수송 특성이 좋은 정공 타입의 호스트(host_h)와, 제1 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 제1 인광 도펀트는 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 예를 들어 tris(2-phenylpyridine)iridium으로 형성된다. 이 제1 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 정공 타입의 호스트(host_h)의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 제3 정공 수송층(124b)의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 이를 위해, 정공 타입의 호스트(host_h)는 제3 정공 수송층(124b)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 정공 타입의 호스트(host_h)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 예를 들어, 정공 타입의 호스트(host_h)는 TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 또는 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)등으로 형성된다. 한편, 제1 발광 혼합층(126)에는 하나의 정공 타입의 호스트가 포함되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 도 4에 도시된 바와 같이 서로 다른 다수개의 정공 타입의 호스트를 포함할 수도 있다.The first light emitting mixed layer 126a is formed to contact the third hole transport layer 124b on the third hole transport layer 124b. The first light-emitting mixed layer 126a is formed by mixing a hole-type host (host_h) having good hole transport characteristics and a first phosphorescent dopant into the second light-emitting layer 126. As the first phosphorescent dopant, a phosphorescent yellow-green dopant is used, for example, tris (2-phenylpyridine) iridium. The first phosphorescent dopant accounts for about 5-15% of the total content of the first light-emitting mixed layer 126a. The hole type host (host_h) of the highest occupied molecular orbital (Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) level is less than ± 0.5eV difference from the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the third hole transport layer 124b. To this end, the hole-type host host_h is formed of the same material as the third hole transport layer 124b or is formed of a different material. The hole-type host (host_h) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . For example, the hole-type host (host_h) is TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine) or CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl). On the other hand, it has been described as an example that the first light emitting mixed layer 126 includes one hole type host, but may include a plurality of different hole type hosts as illustrated in FIG. 4.

제2 발광 혼합층(126b)은 제1 발광 혼합층(126a) 상에 형성되어 제2 전자 수송층(128)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제2 발광 혼합층(126b)은 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)와 제2 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. 제2 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a)과 동일한 도펀트인 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 제2 발광 혼합층(126b) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 제2 전자 수송층(128)의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 전자 타입의 호스트(host_e)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)는 제2 전자 수송층(128)과 동일하거나 다른 물질로 형성되며, 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)는 서로 동일한 물질로 형성되거나 서로 다른 물질로 형성된다. 특히, 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1, host_e2) 중 어느 하나의 전자 타입의 호스트는 제2 발광층(126) 내로 전자 수송 특성이 좋은 재질로 형성되고, 나머지 전자 타입의 호스트는 제2 인광 도펀트로의 에너지 전달이 우수한 재질로 형성된다. 예를 들어, 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1,host_e2)는 UGH3(m-bis-(triphenylsilyl)benzene) 또는 TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)로 형성된다. The second light-emitting mixed layer 126b is formed on the first light-emitting mixed layer 126a and is formed to contact the second electron transport layer 128. The second light-emitting mixed layer 126b is formed by mixing the first and second electron-type hosts (host_e1, host_e2) and the second phosphorescent dopant. As the second phosphorescent dopant, a phosphorescent yellow-green dopant, which is the same dopant as the first emitting mixture layer 126a, is used, and occupies about 5-15% of the total content of the second emitting mixture layer 126b. The Lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the first and second electron type hosts (host_e1, host_e2) is different from the Lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the second electron transport layer 128. Is formed below ± 0.5eV. The electronic type host (host_e) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, the first and second electron type hosts (host_e1, host_e2) are formed of the same or different material from the second electron transport layer 128, and the first and second electron type hosts (host_e1, host_e2) are mutually It is formed of the same material or of different materials. In particular, any one of the first and second electron type hosts (host_e1, host_e2) of the electron type host is formed of a material having good electron transport properties into the second light-emitting layer 126, and the other electron type host is the second host. It is formed of a material with excellent energy transfer to the phosphorescent dopant. For example, hosts of the first and second electron types (host_e1, host_e2) are UGH3 (m-bis- (triphenylsilyl) benzene) or TAZ (3-phenyl-4- (1'-naphthyl) -5-phenyl- 1,2,4-triazole).

이와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)으로 정공과 전자 주입이 용이해져 종래대비 전압이 감소한다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 주입된 각각의 정공과 전자가 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)의 계면으로 주입됨으로써 정공과 전자 쌍인 여기자의 손실을 방지할 수 있어 효율저하를 방지할 수 있다. 또한, 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층(126) 내부로 한정하여 발광층(126)과 인접한 전자 수송층(128) 및 정공 수송층(124b)의 열화를 방지하여 수명 및 안정성을 향상시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting display device according to the present invention facilitates hole and electron injection into the first and second light emitting mixed layers 126a and 126b, thereby reducing the voltage compared to the prior art. In addition, in the organic light emitting diode display according to the present invention, holes and electrons injected from the hole transport layer and the electron transport layer are injected into the interface of the first and second light emitting mixture layers 126a and 126b, thereby reducing the loss of excitons, which are pairs of holes and electrons. It can be prevented, so it is possible to prevent the decrease in efficiency. In addition, the region where holes and electrons are recombined is limited to the inside of the light emitting layer 126 to prevent deterioration of the electron transport layer 128 and the hole transport layer 124b adjacent to the light emitting layer 126, thereby improving life and stability.

도 9는 본 발명의 제5 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 유기 발광 표시 장치는 도 8에 도시된 유기 발광 표시 장치와 대비하여 제1 발광 혼합층에 전자 타입의 호스트를 더 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The organic light emitting display device illustrated in FIG. 9 has the same components except that an electronic type host is further provided in the first light emitting mixed layer as compared to the organic light emitting display device illustrated in FIG. 8. Accordingly, detailed description of the same components will be omitted.

도 9에 도시된 제1 발광 혼합층(126a)은 제3 정공 수송층(124b) 상에 제3 정공 수송층(124b)과 접촉하도록 형성된다. 이러한 제1 발광 혼합층(126a)은 제2 발광층(126) 내로 정공 수송 특성이 좋은 정공 타입의 호스트(host_h)와, 전자 타입의 호스트(host_e)와, 제1 인광 도펀트가 혼합되어 형성된다. The first light emitting mixed layer 126a illustrated in FIG. 9 is formed to contact the third hole transport layer 124b on the third hole transport layer 124b. The first light-emitting mixed layer 126a is formed by mixing a hole-type host (host_h), an electron-type host (host_e), and a first phosphorescent dopant having good hole transport characteristics into the second light-emitting layer 126.

제1 인광 도펀트는 인광 노란색-녹색 도펀트가 이용되며, 예를 들어 tris(2-phenylpyridine)iridium으로 형성된다. 이 제1 인광 도펀트는 제1 발광 혼합층(126a) 전체 함량의 약 5~15%를 차지한다. As the first phosphorescent dopant, a phosphorescent yellow-green dopant is used, for example, tris (2-phenylpyridine) iridium. The first phosphorescent dopant accounts for about 5-15% of the total content of the first light-emitting mixed layer 126a.

정공 타입의 호스트(host_h)의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 제3 정공 수송층(124b)의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 이를 위해, 정공 타입의 호스트(host_h)는 제3 정공 수송층(124b)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 정공 타입의 호스트(host_h)는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 예를 들어, 정공 타입의 호스트(host_h)는 TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) 또는 CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)등으로 형성된다. The hole type host (host_h) of the highest occupied molecular orbital (Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) level is less than ± 0.5eV difference from the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the third hole transport layer 124b. To this end, the hole-type host host_h is formed of the same material as the third hole transport layer 124b or is formed of a different material. The hole-type host (host_h) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . For example, the hole-type host (host_h) is TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine) or CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl). Is formed by.

전자 타입의 호스트(host_e) 각각의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 전자 수송층(148)의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하로 형성된다. 전자 타입의 호스트(host_e) 각각은 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 재질로 형성된다. 이를 위해, 전자 타입의 호스트(host_e)는 제2 발광 혼합층(126b) 내의 제1 및 제2 전자 타입의 호스트(host_e1, host_e2)중 어느 하나 또는 전자 수송층(148)과 동일 물질로 형성되거나 다른 물질로 형성된다. 예를 들어, 전자 타입의 호스트(host_e)는 UGH3(m-bis-(triphenylsilyl)benzene) 또는 TAZ(3-phenyl-4-(1'-naphthyl)-5-phenyl-1,2,4-triazole)로 형성된다. The lowest Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of each of the electron-type hosts (host_e) is formed to be less than or equal to ± 0.5 eV from the electron transport layer 148's lowest non-occupied molecular orbital (LUMO) level. . Each host of the electronic type (host_e) is formed of a material having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . To this end, the electronic type host host_e is formed of the same material as one of the first and second electronic type hosts host_e1, host_e2 or electron transport layer 148 in the second light-emitting mixed layer 126b, or a different material. It is formed of. For example, the host of the electronic type (host_e) is UGH3 (m-bis- (triphenylsilyl) benzene) or TAZ (3-phenyl-4- (1'-naphthyl) -5-phenyl-1,2,4-triazole ).

이러한 전자 타입의 호스트(host_e)는 제1 발광 혼합층(126a)보다 전자 수송층(148)과 인접한 제2 발광 혼합층(126b) 내에서 비율이 높게 형성된다. 예를 들어, 정공 수송층(144)과 인접한 제1 발광 혼합층(126a) 내의 정공 타입의 호스트(host_h)와 전자 타입의 호스트(host_e)의 비는 4~7:3~6로 형성된다. The electron type host (host_e) has a higher ratio in the second light emitting mixed layer 126b adjacent to the electron transport layer 148 than the first light emitting mixed layer 126a. For example, the ratio of the hole-type host (host_h) and the electron-type host (host_e) in the first light-emitting mixed layer 126a adjacent to the hole transport layer 144 is formed to be 4-7: 3-6.

이와 같이, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)으로 정공과 전자 주입이 용이해져 종래대비 전압이 감소한다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 주입된 각각의 정공과 전자가 제1 및 제2 발광 혼합층(126a,126b)의 계면으로 주입됨으로써 정공과 전자 쌍인 여기자의 손실을 방지할 수 있어 효율저하를 방지할 수 있다. 또한, 정공과 전자가 재결합되는 영역을 발광층(126) 내부로 한정하여 발광층(126)과 인접한 전자 수송층(128) 및 정공 수송층(124b)의 열화를 방지하여 수명 및 안정성을 향상시킬 수 있다.As described above, the organic light emitting display device according to the present invention facilitates hole and electron injection into the first and second light emitting mixed layers 126a and 126b, thereby reducing the voltage compared to the prior art. In addition, in the organic light emitting diode display according to the present invention, holes and electrons injected from the hole transport layer and the electron transport layer are injected into the interface of the first and second light emitting mixture layers 126a and 126b, thereby reducing the loss of excitons, which are pairs of holes and electrons. It can be prevented, so it is possible to prevent the decrease in efficiency. In addition, the region where holes and electrons are recombined is limited to the inside of the light emitting layer 126 to prevent deterioration of the electron transport layer 128 and the hole transport layer 124b adjacent to the light emitting layer 126, thereby improving life and stability.

한편, 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 2개의 발광 혼합층을 구비하는 것을 예로 들어 설명하였지만 3개 이상의 발광 혼합층을 구비할 수도 있다. 이 경우, 정공 수송층(144)으로 갈수록 정공 타입 호스트(host_h)의 함량은 점진적으로 증가하고, 전자 수송층(148)으로 갈수록 전자 타입 호스트(host_e)의 함량은 점진적으로 증가한다. On the other hand, the organic light emitting display device according to the present invention has been described as an example of having two light-emitting mixed layers, but may also include three or more light-emitting mixed layers. In this case, the content of the hole-type host (host_h) gradually increases toward the hole transport layer 144, and the content of the electron-type host (host_e) gradually increases toward the electron transport layer 148.

한편, 본 발명에서는 2개의 발광 유닛이 이용되는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 그 이상의 발광 유닛으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도 10에 도시된 바와 같이 3개의 발광 유닛(110,120,140)으로 형성될 수도 있다.Meanwhile, in the present invention, the case where two light emitting units are used is described as an example, but may be formed of more light emitting units. For example, it may be formed of three light emitting units (110,120,140) as shown in FIG.

구체적으로, 도 10에 도시된 제1 발광 혼합층(126a)이 도 4에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 정공 타입의 호스트와, 인광 도펀트로 형성되고, 제2 발광 혼합층(126b)이 전자 타입의 호스트와 인광 도펀트로 이루어진 본 발명은 표 4와 같이 2개의 호스트와 도펀트가 혼합된 단층의 발광층을 구비하는 종래에 비해 수명 및 효율이 증가하고, 전압이 감소함을 알 수 있다.Specifically, the first light-emitting mixed layer 126a shown in FIG. 10 is formed of a host of first and second hole types and a phosphorescent dopant as shown in FIG. 4, and the second light-emitting mixed layer 126b is of an electronic type The present invention made of a host and a phosphorescent dopant, as shown in Table 4, can be seen that life and efficiency increase and voltage decreases compared to the conventional one having a single layer light-emitting layer in which two hosts and dopants are mixed.

조건
Condition
T95(50mA/cm2)
T95 (50mA / cm 2 )
50mA/cm2 50mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) Cd/ACd / A 종래Conventional 100%100% 100%100% 100%100% 실시 예(도 10의 구조)Example (structure of Figure 10) 120%120% 96%96% 103%103%

또한, 도 10에 도시된 제1 발광 혼합층(126a)이 제1 및 제2 정공 타입의 호스트와, 인광 도펀트로 형성되고, 제2 발광 혼합층(126b)이 제1 및 제2 전자 타입의 호스트와 인광 도펀트로 이루어진 본 발명은 표 5와 같이 2개의 호스트와 도펀트가 혼합된 단층의 발광층을 구비하는 종래에 비해 수명이 증가하고, 전압이 감소함을 알 수 있다.In addition, the first light-emitting mixed layer 126a illustrated in FIG. 10 is formed of first and second hole-type hosts and a phosphorescent dopant, and the second light-emitting mixed layer 126b is formed of first and second electron-type hosts. As shown in Table 5, the present invention made of a phosphorescent dopant has an increased lifespan and a decrease in voltage compared to the prior art having a single layer of light emitting layer in which two hosts and dopants are mixed.

조건
Condition
T95(50mA/cm2)
T95 (50mA / cm 2 )
50mA/cm2 50mA / cm 2 Volt(V)Volt (V) Cd/ACd / A 종래Conventional 100%100% 100%100% 100%100% 제1 실시 예First embodiment 120%120% 99%99% 100%100%

이와 같은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 11에 도시된 바와 같이 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터(150R,150G,150B)를 가지는 구조에도 적용가능하다. 즉, 도 1, 도 4, 도 6, 도 7 내지 도 10에 도시된 발광층(116,126)에서 생성된 백색광은 적색 컬러필터(150R)가 형성된 서브 화소 영역을 통과하면서 적색광을 출사하고, 녹색 컬러 필터(150G)가 형성된 서브 화소 영역을 통과하면서 녹색광을 출사하고, 청색 컬러 필터(150B)가 형성된 서브 화소 영역을 통과하면서 청색광을 출사하고, 컬러 필터가 형성되지 않은 서브 화소 영역을 통과하면서 백색광을 출사한다.The organic light emitting display device according to the present invention is also applicable to a structure having red, green, and blue color filters 150R, 150G, and 150B as shown in FIG. 11. That is, the white light generated in the light emitting layers 116 and 126 shown in FIGS. 1, 4, 6, 7 to 10 passes through the sub-pixel area where the red color filter 150R is formed, and emits red light, and the green color filter Green light is emitted while passing through the sub-pixel area where 150G is formed, blue light is emitted while passing through the sub-pixel area where blue color filter 150B is formed, and white light is emitted while passing through the sub-pixel area where no color filter is formed. do.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have the knowledge of

102 : 제1 전극 104 : 제2 전극
110,120,140 : 발광 유닛 126 : 발광층
130 ; 전하 생성층102: first electrode 104: second electrode
110,120,140: light emitting unit 126: light emitting layer
130; Charge generating layer

Claims (13)

기판 상에 서로 마주보는 제1 및 제2 전극과;
상기 제1 및 제2 전극 사이에 배치되는 적어도 1개의 발광층과;
상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층과;
상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 배치되는 전자 수송층을 구비하며,
상기 발광층은
상기 정공 수송층 상에 배치되며 제1 정공 타입의 호스트와, 제2 전자 타입의 호스트와, 제1 인광 도펀트를 가지는 제1 발광혼합층과;
상기 제1 발광혼합층과 접촉하도록 상기 제1 발광혼합층과 상기 전자 수송층 사이에 배치되며, 제1 전자 타입의 호스트와, 제2 정공 타입의 호스트와, 제2 인광도펀트를 가지는 제2 발광혼합층을 구비하는 유기 발광 표시 장치.First and second electrodes facing each other on the substrate;
At least one light emitting layer disposed between the first and second electrodes;
A hole transport layer disposed between the first electrode and the light emitting layer;
And an electron transport layer disposed between the second electrode and the light emitting layer,
The light emitting layer
A first light emitting mixture layer disposed on the hole transport layer and having a first hole type host, a second electron type host, and a first phosphorescent dopant;
It is disposed between the first light-emitting mixture layer and the electron transport layer so as to contact the first light-emitting mixture layer, and includes a first electron-type host, a second hole-type host, and a second light-emitting mixture layer having a second phosphorescent dopant. Organic light emitting display device. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1 발광 혼합층은 상기 제2 전자 타입의 호스트보다 제1 상기 정공 타입의 호스트의 함량이 더 높으며, 상기 제2 발광 혼합층은 상기 제2 정공 타입의 호스트보다 상기 제1 전자 타입의 호스트의 함량이 더 높은 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The first light-emitting mixed layer has a higher content of the first hole-type host than the second electron-type host, and the second light-emitting mixed layer has a content of the first electron-type host than the second hole-type host. This higher organic light emitting display device. 제 6 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전자 타입의 호스트 각각의 최저비점유분자궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital; LUMO) 준위는 상기 전자 수송층의 최저비점유분자궤도(LUMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하이며,
상기 제1 및 제2 정공 타입의 호스트 각각의 최고점유분자궤도(Highest Occupied Molecular Orbital; HOMO) 준위는 상기 정공 수송층의 최고점유분자궤도(HOMO) 준위와의 차이가 ±0.5eV이하인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 6,
The lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of each of the first and second electron type hosts has a difference of ± 0.5 eV or less from the lowest non-occupied molecular orbital (LUMO) level of the electron transport layer,
The highest occupied molecular orbital (HOMO) level of each of the first and second hole type hosts is an organic light emitting display device having a difference of ± 0.5 eV or less from the highest occupied molecular orbital (HOMO) level of the hole transport layer. . 제 7 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 정공 타입의 호스트는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 7,
The first and second hole-type hosts have an organic light emitting display device having a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . 제 8 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전자 타입의 호스트는 이동도가 1.0×10-6Vs/cm2~5.0×10-3Vs/cm2인 유기 발광 표시 장치.The method of claim 8,
The organic light emitting display device of the first and second electronic types has a mobility of 1.0 × 10 -6 Vs / cm 2 to 5.0 × 10 -3 Vs / cm 2 . 제 1 항에 있어서,
상기 발광층이 적어도 2개일 때, 상기 발광층들 사이에 순차적으로 적층되어 형성되는 N형 전하 생성층 및 P형 전하 생성층을 더 구비하는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
An organic light emitting display device further comprising an N-type charge generation layer and a P-type charge generation layer, which are sequentially stacked between the emission layers when the emission layers are at least two. 제 1 항에 있어서,
동일 색을 구현하는 상기 제1 및 제2 인광 도펀트는 서로 동일하거나 서로 다른 물질로 형성되는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The first and second phosphorescent dopants embodying the same color are formed of the same or different materials from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 발광층 내의 상기 제1 정공 타입의 호스트와 상기 제2 전자 타입의 호스트의 비는 4~7 : 3~6이며,
상기 제2 발광층 내의 상기 제1 전자 타입의 호스트와 상기 제2 정공 타입의 호스트의 비는 6~9 : 1~4인 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The ratio of the host of the first hole type and the host of the second electron type in the first light emitting layer is 4-7: 3-6,
An organic light emitting display device having a ratio between the first electron-type host and the second hole-type host in the second emission layer is 6-9: 1-4. 제 1 항에 있어서,
상기 발광층은 상기 제1 및 제2 발광 혼합층을 포함하는 3개 이상의 발광 혼합층을 구비하며,
상기 발광층 내에서 상기 정공 수송층으로 갈수록 정공 타입의 호스트의 함량은 점진적으로 증가하고,
상기 발광층 내에서 상기 전자 수송층으로 갈수록 전자 타입의 호스트의 함량은 점진적으로 증가하는 유기 발광 표시 장치.According to claim 1,
The light-emitting layer includes three or more light-emitting mixed layers including the first and second light-emitting mixed layers,
The content of the hole-type host gradually increases toward the hole transport layer in the emission layer,
The organic light emitting display device in which the content of the host of the electron type gradually increases as the electron transport layer is transferred to the electron transport layer.
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