KR102079019B1 - 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents

유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102079019B1
KR102079019B1 KR1020120112736A KR20120112736A KR102079019B1 KR 102079019 B1 KR102079019 B1 KR 102079019B1 KR 1020120112736 A KR1020120112736 A KR 1020120112736A KR 20120112736 A KR20120112736 A KR 20120112736A KR 102079019 B1 KR102079019 B1 KR 102079019B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
organic
sub
compound
layer
Prior art date
Application number
KR1020120112736A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130040133A (ko
Inventor
박정환
이선희
문성윤
김대성
정화순
김원삼
변지훈
이범성
최대혁
김동하
Original Assignee
덕산네오룩스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덕산네오룩스 주식회사 filed Critical 덕산네오룩스 주식회사
Publication of KR20130040133A publication Critical patent/KR20130040133A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102079019B1 publication Critical patent/KR102079019B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
    • C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 소자의 발광효율, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있는 신규 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자 장치를 제공한다.

Description

유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치{COMPOUND FOR ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRONIC ELEMENT USING THE SAME, AND A ELECTRONIC DEVICE THEREOF}
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고, 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
특히, 유기전기소자의 우수한 수명 특성을 위해 정공 수송층 또는 완충층(buffer layer)으로 삽입되는 유기물질에 관해 여러 연구가 진행되고 있으며, 이를 위해 양극으로부터 유기층으로의 높은 정공 이동 특성을 부여하면서 증착 후 박막 형성시 균일도가 높고 결정화도가 낮은 정공 주입층 재료가 요구되고 있다.
유기전기소자의 수명단축의 원인 중 하나인 양극전극(ITO)으로부터 금속 산화물이 유기층으로 침투 확산되는 것을 지연시키며, 소자 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 대해서도 안정된 특성, 즉 높은 유리 전이 온도를 갖는 정공 주입층 재료에 대한 개발이 필요하다. 또한 정공 수송층 재료의 낮은 유리전이 온도는 소자 구동시에 박막 표면의 균일도가 무너지는 특성에 따라 소자수명에 큰 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 또한, OLED 소자의 형성에 있어서 증착방법이 주류를 이루고 있으며, 이러한 증착방법에 오랫동안 견딜 수 있는 재료 즉 내열성 특성이 강한 재료가 필요한 실정이다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
전술한 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 발명은 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 색순도, 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 따르면, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
Figure 112012082484564-pat00001
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 상기 화학식 1을 포함하는 유기전기소자 및 이를 이용한 전자장치를 제공한다.
본 발명에 따르는 신규 화합물을 이용함으로써 유기전기소자의 구동전압을 낮추면서, 발광효율, 수명 및 색순도 등은 크게 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
이하에서 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a),(b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소, 염소, 브롬, 및 요오드를 포함한다.
본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알케닐" 또는 "알키닐"은 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알콕시기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일환 또는 복소환의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 링을 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기일 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로알킬"은 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 알킬을 의미한다. 본 발명에 사용된 용어 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 3 내지 60의 아릴기 또는 아릴렌기를 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니며, 단일환뿐만 아니라 복소환을 포함하며, 이웃한 기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로시클로알킬", "헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 또는 그 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일환뿐만 아니라 복소환을 포함하며, 이웃한 기가 결합하여 형성될 수도 있다. 또한, "헤테로고리기"는 헤테로원자를 포함하는 지환족 및/또는 방향족을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 및 Si를 나타낸다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "지방족"은 탄소수 1 내지 60의 지방족 탄화수소를 의미하며, "지방족고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 의미한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "포화 또는 불포화 고리"는 포화 또는 불포화 지방족고리 또는 탄소수 6 내지 60의 방향족고리 또는 헤테로고리를 의미한다.
전술한 헤테로화합물 이외의 그 밖의 다른 헤테로화합물 또는 헤테로라디칼은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕시기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알케닐기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 C5~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기소자의 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180) 및 제 1전극(110)과 제 2전극(180) 사이에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층을 구비한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함할 수 있다. 이때, 발광층(150)을 제외한 나머지 층들이 형성되지 않을 수 있다. 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있을 것이다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명에 따른 유기전기소자는 제 1전극과 제 2전극 중 적어도 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 일면에 형성된 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기물층에 적용되는 본 발명에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 전자수송층(160), 전자주입층(170), 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트 또는 캐핑층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 화합물은 발광층(150)의 호스트 물질 또는 정공수송층(140) 형성 물질로 사용될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일측면에 따른 유기전기소자의 유기물층에 함유된 화합물에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 일측면에 따른 유기전기소자는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기물층을 포함한다. 이때, 상기 발광층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 형성될 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112012082484564-pat00002
상기 화학식 1에서, A환은 C6~C60의 단일 또는 다환의 방향족 또는 헤테로고리이며, n은 1 또는 2이다. 즉, A환은 벤젠링, 비페닐, 나프틸, 페난트렌 등과 같은 방향족고리일 수도 있고, 카바졸릴기, 피롤기 등과 같은 헤테로고리일 수도 있다. 헤테로고리의 경우 탄소수가 적어도 7개인 것이 바람직하다.
그리고, 상기 화학식 1에서, Y는 n에 따라 치환기 정의가 달라질 수 있다. 예컨대, n이 1인 경우 Y는 1가만이 가능하므로, 수소, 중수소, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, -L-N(Ar1)(Ar2), C6~C60의 아릴기, 플루오렌일기, C2~C60의 헤테로고리기, C1~C30의 알콕시기, C6~C30의 아릴옥시기 및 C1~C50의 알킬기로 이루어진 1가의 치환기 군에서 선택될 수 있다. 그리고, n이 2인 경우, Y는 직접결합(즉, 부존재함)이거나, C6~C60의 아릴렌기, 플루오렌일렌기, C6~C60의 방향족환과 C3~C60의 지환족이 융합된 고리, C2~C60의 헤테로고리기 또는 2가의 지방족탄화수소기로 이루어진 2가의 치환기 군에서 선택될 수 있다.
상기 R1 내지 R11은 서로 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, -L-N(Ar1)(Ar2), C6~C60의 아릴기, 플루오렌일기, C2~C60의 헤테로고리기, C1~C30의 알콕시기, C6~C30의 아릴옥시기 및 C1~C50의 알킬기로 이루어진 군에서 선택될 수 있 있으며, X는 S, SO 또는 SO2 이다.
이때, -L-N(Ar1)(Ar2)에서, L은 직접결합이거나(즉, 부존재함), C6~C60의 아릴렌기, 플루오렌일렌기, C6~C60의 방향족환과 C3~C60의 지환족이 융합된 고리, C2~C60의 헤테로고리기 또는 2가의 지방족탄화수소로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며,
Ar1과 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기, C2~C60의 헤테로고리기, 플루오렌일기, C1~C30의 알콕시기, C6~C30의 아릴옥시기 및 C1~C50의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다.
한편, 상기 Y, R1 내지 R11, L, Ar1 및 Ar2 등은 특정 치환기로 더 치환될 수 있다.
예시적으로, Y, R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2 가 C6~C60의 아릴기 경우와, 상기 Y, R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2 가 플루오렌일기인 경우와, 상기 Y 및 L의 아릴렌기인 경우와, 상기 Y 및 L이 플루오렌일렌기인 경우, 이들은 중수소, 할로겐, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, C1~C20 의 알킬싸이오기, C6~C20의 아릴싸이오기, C1~C20의 알콕시기, -N(Ar1)(Ar2), C1~C20의 알킬기, C7~C20의 아릴알킬기, C2~C20의 알케닐기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 알키닐기, C3~C20의 시클로알킬기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기 및 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
또한, 상기 Y, R1 내지 R11, L, Ar1 및 Ar2 의 C6~C60의 헤테로고리기는 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하며, 중수소, 할로겐기, -N(Ar1)(Ar2), C1~C20의 알킬기, C7~C20의 아릴알킬기, C2~C20의 알케닐기, C8~C20의 아릴알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
또한, 상기 Y, R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2의 C1~C30의 알콕시기 및 C6~C30의 아릴옥시기는 중수소, 할로겐기, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20 의 알킬기, C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C3~C30의 시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기 및 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
또한, 상기 Y, R1 내지 R11, r1 및 Ar2의 C1~C50의 알킬기는 C2~C20의 알케닐기, C1~C20의 알콕시기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C7~C20의 아릴알킬기, C8~C20의 아릴알케닐기, C2~C20의 헤테로고리기, 니트릴기 및 아세틸렌기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1은 하기 화학식 중 하나로 표시될 수 있을 것이다. 하기 화학식 2는 화학식 1에서 n=1인 경우에 해당하며, 화학식 3은 n=2인 경우에 해당한다. 또한 화학식 4는, 화학식 1에서 n=1이고, Y가 1가의 치환기 중 -L-N(Ar1)(Ar2)인 경우에 해당한다.
<화학식 2>
Figure 112012082484564-pat00003
<화학식 3>
Figure 112012082484564-pat00004
<화학식 4>
Figure 112012082484564-pat00005
상기 화학식 2 내지 화학식 4에서, A환, R1~R11 및 X는 화학식 1에서 정의된 것과 같다. 그리고, 화학식 2에서 Y는 화학식 1의 Y 정의 중 1가 치환기 군, 즉 화학식 2의 Y는 수소, 중수소, 할로겐, 니트릴기, 니트로기, -L-N(Ar1)(Ar2), C6~C60의 아릴기, 플루오렌일기, C2~C60의 헤테로고리기, C1~C30의 알콕시기, C6~C30의 아릴옥시기 및 C1~C50의 알킬기로 이루어진 1가의 치환기 군에서 선택될 수 있다. 반면, 화학식 3에서 Y는 직접결합이거나, 화학식 1의 Y 정의 중 2가 치환기 군, 즉 C6~C60의 아릴렌기, 플루오렌일렌기, C6~C60의 방향족환과 C3~C60의 지환족이 융합된 고리, C2~C60의 헤테로고리기 및 2가의 지방족탄화수소기로 이루어진 2가의 치환기 군에서 선택될 수 있을 것이다. 또한, 화학식 4에서, L, Ar1 및 Ar2는 화학식 1에 정의된 것과 같다.
또한, A환이 벤젠링인 경우 화학식 1은 하기 화학식 5 내지 7 중 하나로 표시될 수 있을 것이다.
<화학식 5>
Figure 112012082484564-pat00006
<화학식 6>
Figure 112012082484564-pat00007
<화학식 7>
Figure 112012082484564-pat00008
상기 화학식 5 내지 화학식 7에서, R1~R8 및 X는 화학식 1에서 정의된 것과 같다. 그리고, 화학식 5의 Y는 화학식 1의 Y 정의 중 1가 치환기 군 중에서 선택될 수 있으며, 화학식 6의 Y는 직접결합이거나, 화학식 1의 Y 정의 중 2가 치환기 군에서 선택될 수 있으며, 화학식 7의 L, Ar1 및 Ar2는 화학식 1에 정의된 것과 같다.
더욱 구체적으로, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이들 화합물로 제한되는 것은 아니며, 화학식 1을 만족하는 화합물이라면 본 발명에 속한다 할 것이다.
Figure 112012082484564-pat00009
Figure 112012082484564-pat00010
Figure 112012082484564-pat00011
Figure 112012082484564-pat00012
Figure 112012082484564-pat00013
Figure 112012082484564-pat00014
Figure 112012082484564-pat00015
Figure 112012082484564-pat00016
Figure 112012082484564-pat00017
Figure 112012082484564-pat00018
Figure 112012082484564-pat00019
Figure 112012082484564-pat00020
Figure 112012082484564-pat00021
Figure 112012082484564-pat00022
Figure 112012082484564-pat00023
Figure 112012082484564-pat00024
Figure 112012082484564-pat00025
Figure 112012082484564-pat00026
Figure 112012082484564-pat00027
Figure 112012082484564-pat00028
Figure 112012082484564-pat00029
Figure 112012082484564-pat00030
Figure 112012082484564-pat00031
Figure 112012082484564-pat00032
Figure 112012082484564-pat00033
Figure 112012082484564-pat00034
이하, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
예시적으로, 상기 화학식 1은 하기 반응식 1 또는 화학식 3의 반응경로에 의해 합성될 수 있다.
<반응식 1>
Figure 112012082484564-pat00035
상기 반응식 1에서, Sub 1-6은 하기 반응식 2에 의하여 합성될 수 있을 것이다.
<반응식 2>
Figure 112012082484564-pat00036
상기 반응식 2의 Sub 1-1 내지 Sub 1-6은 다음 합성 방법에 의해 합성될 수 있을 것이나 이에 제한되는 것은 아니다.
Sub 1-1 합성법
Phenanthrene (35.65 g, 200 mmol) 을 메틸렌클로라이드 600 mL 에 녹인 후, BPO(Benzoyl peroxide) 0.05당량과 NBS(N-bromosuccinimide) (35.60 g, 200 mmol)을 서서히 첨가한 뒤, 상온에서 24시간 교반시킨다. 반응이 종료되면 5% 농도의 HCl 300 mL 을 첨가한 뒤, 물 300 mL 을 첨가하여, 잔존 NBS 를 제거하고, ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 그 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 Sub 1-1을 38.57 g(75%) 얻었다.
Sub 1-2 합성법
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-1 (36.0 g, 140 mmol) 을 DMF 980mL 에 녹인 후에, 비스피나콜보레이트를 (39.1 g, 154 mmol), PdCl2(dppf) 촉매 (3.43 g, 4.2 mmol), KOAc (41.3 g, 420 mmol)을 순서대로 첨가한 후 24 시간 교반하여 보레이트 화합물을 합성한 후에, 얻어진 화합물을 실리카겔 칼럼 및 재결정을 걸쳐서 분리한 후 보레이트 화합물을 Sub 1-2를 29.81 g (70 %)얻는다.
Sub 1-3 합성법
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-2 1당량과 2-bromothioanisole 1당량을 THF 200ml에 녹인 후, Tetrakis(triphenylphosphine)palladium 1.1당량과 2M의 aqueous sodium carbonate solution을 첨가하며, 70℃에서 18시간 교반시킨다. 반응이 종료되면 diethyl ehter와 물로 추출한 후 유기층을 건조하고 silicagel column 및 재결정하여 Sub 1-3을 80% 얻었다.
Sub 1-4 합성법
Sub 1-3을 디클로로메탄에 녹인 후, 30% aqueous hydroxyperoxide solution과 acetic acid를 첨가 후, 30℃에서 4시간 교반시킨다. 반응이 종료되면 chloroform과 물로 추출한 후, 유기층을 건조하고 silicagel column 및 재결정하여 Sub 1-4을 76% 얻었다.
Sub 1-5 합성법
Sub 1-4에 triflic acid를 넣고, 72시간동안 상온에서 교반시킨다. 반응이 종료되면 diethyl ehter를 첨가하고, 생성되는 하얀 고체 침전물을 필터하고, 건조시키켜 Sub 1-5를 78% 얻었다.
Sub 1-6 합성법
Sub 1-5를 메틸렌 크로라이드 600 mL 에 녹인 후, BPO(Benzoyl peroxide) 0.05당량과 NBS(N-bromosuccinimide) (35.60 g, 200 mmol)을 서서히 첨가한 뒤, 상온에서 24시간 교반시킨다. 반응이 종료되면 5% 농도의 HCl 300 mL 을 첨가한 뒤, 물 300 mL 을 첨가하여, 잔존 NBS 를 제거하고, ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 그 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 Sub 1-6을 78% 얻었다.
한편, 상기 반응식 1에서 Sub 2는 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012082484564-pat00037
Figure 112012082484564-pat00038
Figure 112012082484564-pat00039
Figure 112012082484564-pat00040
Figure 112012082484564-pat00041
상기 Sub 2-1 내지 Sub 2-24의 FD-MS 값은 하기 표 1과 같다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
Sub 2-1 m/z=122.05(C6H7BO2 =121.93) Sub 2-2 m/z=172.07(C10H9BO2 =171.99)
Sub 2-3 m/z=172.07(C10H9BO2 =171.99) Sub 2-4 m/z=222.09(C14H11BO2 =222.05)
Sub 2-5 m/z=222.09(C14H11BO2 =222.05) Sub 2-6 m/z=272.10(C18H13BO2 =272.11)
Sub 2-7 m/z=228.04(C12H9BO2S=228.07) Sub 2-8 m/z=238.12(C15H15BO2 =238.09)
Sub 2-9 m/z=198.09(C12H11BO2 =198.03) Sub 2-10 m/z=248.10(C16H13BO2 =248.08)
Sub 2-11 m/z=122.05(C6H7BO2 =121.93) Sub 2-12 m/z=298.12(C20H15BO2 =298.14)
Sub 2-13 m/z=298.12(C20H15BO2 =298.14) Sub 2-14 m/z=348.13(C24H17BO2 =348.20)
Sub 2-15 m/z=304.07(C18H13BO2S=304.17) Sub 2-16 m/z=314.15(C21H19BO2 =314.19)
Sub 2-17 m/z=248.10(C16H13BO2 =248.08) Sub 2-18 m/z=298.12(C20H15BO2 =298.14)
Sub 2-19 m/z=298.12(C20H15BO2 =298.14) Sub 2-20 m/z=348.13(C24H17BO2 =348.20)
Sub 2-21 m/z=348.13(C24H17BO2 =348.20) Sub 2-22 m/z=398.15(C28H19BO2 =398.26)
Sub 2-23 m/z=354.09(C22H15BO2S=354.23) Sub 2-24 m/z=364.16(C25H21BO2 =364.24)
< 실시예 1> 최종 화합물( Product 1)의 합성 예시
둥근바닥플라스크에 Sub 1-6의 화합물 (1당량), Sub 2 화합물 (1당량), Pd2(dba)3 (0.03~0.5 mmol), PPh3 (0.1당량), NaOt-Bu (3당량), toluene (10.5 mL / 1 mmol)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하였다. 생성된 최종 화합물의 FD-MS는 하기 표 2와 같다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
2-1 m/z=360.10(C26H16S =360.47) 2-2 m/z=410.11(C30H18S =410.53)
2-3 m/z=410.11(C30H18S =410.53) 2-4 m/z=460.13(C34H20S =460.59)
2-5 m/z=460.13(C34H20S =460.59) 2-6 m/z=510.14(C38H22S =510.65)
2-7 m/z=466.08(C32H18S2 =466.62) 2-8 m/z=476.16(C35H24S =476.63)
2-9 m/z=452.12(C32H20OS =452.57) 2-10 m/z=502.14(C36H22OS =502.62)
2-11 m/z=502.14(C36H22OS =502.62) 2-12 m/z=536.16(C40H24S =536.68)
2-13 m/z=536.16(C40H24S =536.68) 2-14 m/z=586.18(C44H26S =586.74)
2-15 m/z=542.12(C38H22S2 =542.71) 2-16 m/z=552.19(C41H28S =552.73)
2-17 m/z=518.13(C36H22O2S =518.62) 2-18 m/z=568.15(C40H24O2S =568.68)
2-19 m/z=568.15(C40H24O2S =568.68) 2-20 m/z=586..18(C44H26S =586.74)
2-21 m/z=586.18(C44H26S =586.74) 2-22 m/z=636.19(C48H28S =636.80)
2-23 m/z=592.13(C42H24S2 =592.77) 2-24 m/z=602.21(C45H30S =602.78)
2-25 m/z=376.09(C26H16OS =376.47) 2-26 m/z=426.11(C30H18OS =426.53)
2-27 m/z=426.11(C30H18OS =426.53) 2-28 m/z=460.13(C34H20S =460.59)
2-29 m/z=460.13(C34H20S =460.59) 2-30 m/z=510.14(C38H22S =510.65)
2-31 m/z=466.08(C32H18S2 =466.62) 2-32 m/z=476.16(C35H24S =476.63)
2-33 m/z=468.12(C32H20O2S =468.57) 2-34 m/z=518.13(C36H22O2S =518.62)
2-35 m/z=518.13(C36H22O2S =518.62) 2-36 m/z=536.16(C40H24S =536.68)
2-37 m/z=536.16(C40H24S =536.68) 2-38 m/z=586.18(C44H26S =586.74)
2-39 m/z=542.12(C38H22S2 =542.71) 2-40 m/z=552.19(C41H28S =552.73)
2-41 m/z=502.14(C36H22OS =502.62) 2-42 m/z=552.15(C40H24OS =552.68)
2-43 m/z=552.15(C40H24OS =552.68) 2-44 m/z=586.18(C44H26S =586.74)
2-45 m/z=586.18(C44H26S =586.74) 2-46 m/z=636.19(C48H28S =636.80)
2-47 m/z=624.12(C42H24O2S2 =624.77) 2-48 m/z=634.20(C45H30O2S =634.78)
2-49 m/z=642.15(C46H26S2 =642.83) 2-50 m/z=692.16(C50H28S2 =692.89)
2-51 m/z=692.16(C50H28S2 =692.89)
다른 예로서, 본 발명의 최종 화합물은 하기 반응식 3에 의해 제조될 수 있다.
<반응식 3>
Figure 112012082484564-pat00042
상기 반응식 3에서, Sub 3은 다음 화합물 중 하나일 수 있으나, 반드시 이들로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112012082484564-pat00043
Figure 112012082484564-pat00044
Figure 112012082484564-pat00045
Figure 112012082484564-pat00046
Figure 112012082484564-pat00047
Figure 112012082484564-pat00048
Figure 112012082484564-pat00049
Figure 112012082484564-pat00050
Figure 112012082484564-pat00051
상기 Sub 3-1 내지 Sub 3-66의 FD-MS는 하기 표 3과 같다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
Sub 3-1 m/z=166.09(C12H11N =169.22) Sub 3-2 m/z=219.10(C16H13N =219.28)
Sub 3-3 m/z=219.10(C16H13N =219.28) Sub 3-4 m/z=245.12(C18H15N =245.32)
Sub 3-5 m/z=269.12(C20H15N =269.34) Sub 3-6 m/z=269.12(C20H15N =269.34)
Sub 3-7 m/z=319.14(C24H17N =319.40) Sub 3-8 m/z=275.08(C18H13NS =275.37)
Sub 3-9 m/z=187.08(C12H10FN =187.21) Sub 3-10 m/z=225.15(C16H19N =225.33)
Sub 3-11 m/z=269.12(C20H15N =269.34) Sub 3-12 m/z=269.12(C20H15N =269.34)
Sub 3-13 m/z=319.14(C24H17N =319.40) Sub 3-14 m/z=319.14(C24H17N =319.40)
Sub 3-15 m/z=369.15(C28H19N =369.46) Sub 3-16 m/z=325.09(C22H15NS =325.43)
Sub 3-17 m/z=237.10(C16H12FN =237.27) Sub 3-18 m/z=275.17(C20H21N =275.39)
Sub 3-19 m/z=269.12(C20H15N =269.34) Sub 3-20 m/z=295.14(C22H17N =295.38)
Sub 3-21 m/z=319.14(C24H17N =319.40) Sub 3-22 m/z=319.14(C24H17N =319.40)
Sub 3-23 m/z=369.15(C28H19N =369.46) Sub 3-24 m/z=325.09(C22H15NS =325.43)
Sub 3-25 m/z=237.10(C16H12FN =237.27) Sub 3-26 m/z=275.17(C20H21N =275.39)
Sub 3-27 m/z=321.15(C24H19N =321.41) Sub 3-28 m/z=345.15(C26H19N =345.44)
Sub 3-29 m/z=345.15(C26H19N =345.44) Sub 3-30 m/z=395.17(C30H21N =395.49)
Sub 3-31 m/z=351.11(C24H17NS =351.46) Sub 3-32 m/z=263.11(C18H14FN =263.31)
Sub 3-33 m/z=301.18(C22H23N =301.42) Sub 3-34 m/z=369.15(C28H19N =369.46)
Sub 3-35 m/z=369.15(C28H19N =369.46) Sub 3-36 m/z=419.17(C32H21N =419.52)
Sub 3-37 m/z=375.11(C26H17NS =375.48) Sub 3-38 m/z=287.11(C20H14FN =287.33)
Sub 3-39 m/z=325.18(C24H23N =325.45) Sub 3-40 m/z=369.15(C28H19N =369.46)
Sub 3-41 m/z=419.17(C32H21N =419.52) Sub 3-42 m/z=375.11(C26H17NS =375.48)
Sub 3-43 m/z=287.11(C20H14FN =287.33) Sub 3-44 m/z=325.18(C24H23N =325.45)
Sub 3-45 m/z=469.18(C36H23N =469.57) Sub 3-46 m/z=425.12(C30H19NS =425.54)
Sub 3-47 m/z=337.13(C24H16FN =337.39) Sub 3-48 m/z=375.20(C28H25N =375.50)
Sub 3-49 m/z=381.06(C24H15NS2 =381.51) Sub 3-50 m/z=293.07(C18H12FNS =293.36)
Sub 3-51 m/z=331.14(C22H21NS =331.47) Sub 3-52 m/z=205.07(C12H9F2N =205.20)
Sub 3-53 m/z=243.14(C16H18FN =243.32) Sub 3-54 m/z=243.14(C16H18FN =243.32)
Sub 3-55 m/z=281.21(C20H27N =281.44) Sub 3-56 m/z=285.15(C21H19N =285.38)
Sub 3-57 m/z=335.17(C25H21N =335.44) Sub 3-58 m/z=335.17(C25H21N =335.44)
Sub 3-59 m/z=361.18(C27H23N =361.48) Sub 3-60 m/z=385.18(C29H23N =385.50)
Sub 3-61 m/z=385.18(C29H23N =385.50) Sub 3-62 m/z=435.20(C33H25N =435.56)
Sub 3-63 m/z=391.14(C27H21NS =391.53) Sub 3-64 m/z=303.14(C21H18FN =303.37)
Sub 3-65 m/z=341.21(C25H27N =341.49) Sub 3-66 m/z=401.21(C30H27N =401.54)
< 실시예 2> 최종 화합물( Product 2) 합성 예시
둥근바닥플라스크에 Sub 1-7 화합물(1당량)을 넣고, 아민화합물 Sub 3을 (1.1당량), Pd(PPh3)4 (0.03~0.05당량), NaOH (3당량), THF (3 mL / 1 mmol), 물 (1.5 mL / 1 mmol)을 넣는다. 이후, 80℃~90℃ 상태에서 가열 환류시킨다. 반응이 완료되면 상온에서 증류수를 넣어 희석시키고 메틸렌클로라이드와 물로 추출한다. 유기층을 MgSO4로 건조하여 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하였다. 이와 같이 합성한 최종 화합물의 FD-MS는 하기 표 4와 같다.
화합물 FD-MS 화합물 FD-MS
3-1 m/z=451.14(C32H21NS=451.58) 3-2 m/z=501.16(C36H23NS=501.64)
3-3 m/z=501.16(C36H23NS=501.64) 3-4 m/z=527.17(C38H25NS=527.68)
3-5 m/z=551.17(C40H25NS=551.70) 3-6 m/z=551.17(C40H25NS=551.70)
3-7 m/z=601.19(C44H27NS=601.76) 3-8 m/z=557.13(C38H23NS2=557.73)
3-9 m/z=469.13(C32H20FNS=469.57) 3-10 m/z=507.20(C36H29NS=507.69)
3-11 m/z=551.17(C40H25NS=551.70) 3-12 m/z=551.17(C40H25NS=551.70)
3-13 m/z=601.19(C44H27NS=601.76) 3-14 m/z=601.19(C44H27NS=601.76)
3-15 m/z=651.20(C48H29NS=651.82) 3-16 m/z=607.14(C42H25NS2=607.78)
3-17 m/z=519.15(C36H22FNS=519.63) 3-18 m/z=557.22(C40H31NS=557.75)
3-19 m/z=551.17(C40H25NS=551.70) 3-20 m/z=577.19(C42H27NS=577.74)
3-21 m/z=601.19(C44H27NS=601.76) 3-22 m/z=601.19(C44H27NS=601.76)
3-23 m/z=651.20(C48H29NS=651.82) 3-24 m/z=607.14(C42H25NS2=607.78)
3-25 m/z=519.15(C36H22FNS=519.63) 3-26 m/z=557.22(C40H31NS=557.75)
3-27 m/z=603.20(C44H29NS=603.77) 3-28 m/z=627.20(C46H29NS=627.79)
3-29 m/z=627.20(C46H29NS=627.79) 3-30 m/z=677.22(C50H31NS=677.85)
3-31 m/z=633.16(C44H27NS2=633.82) 3-32 m/z=545.16(C38H24 FNS=545.67)
3-33 m/z=583.23(C42H33NS=583.78) 3-34 m/z=651.20(C48H29NS=651.82)
3-35 m/z=651.20(C48H29NS=651.82) 3-36 m/z=701.22(C52H31NS=701.87)
3-37 m/z=657.16(C46H27NS2=657.84) 3-38 m/z=569.16(C40H24FNS=569.69)
3-39 m/z=607.23(C44H33NS=607.80) 3-40 m/z=651.20(C48H29NS=651.82)
3-41 m/z=701.22(C52H31NS=701.87) 3-42 m/z=657.16(C46H27NS2=657.84)
3-43 m/z=569.16(C40H24FNS=569.69) 3-44 m/z=607.23(C44H33NS=607.80)
3-45 m/z=751.23(C56H33NS=751.93) 3-46 m/z=723.17(C50H29NOS2=723.90)
3-47 m/z=635.17(C44H26FNOS=635.75) 3-48 m/z=673.24(C48H35NOS=673.86)
3-49 m/z=679.11(C44H25NOS3=679.87) 3-50 m/z=591.11(C38H22FNOS2=591.72)
3-51 m/z=629.18(C42H31NOS2=629.83) 3-52 m/z=503.12(C32H19F2NOS=503.56)
3-53 m/z=557.18(C36H28FNO2S=557.68) 3-54 m/z=557.18(C36H28FNO2S=557.68)
3-55 m/z=451.14(C32H21NS=451.58) 3-56 m/z=451.14(C32H21NS=451.58)
3-57 m/z=617.22(C45H31NS=617.80) 3-58 m/z=4617.22(C45H31NS=617.80)
3-59 m/z=643.23(C47H33NS=643.84) 3-60 m/z=667.23(C49H33NS=667.86)
3-61 m/z=667.23(C49H33NS=667.86) 3-62 m/z=717.25(C53H35NS=717.92)
3-63 m/z=673.19(C47H31NS2=673.89) 3-64 m/z=585.19(C41H28FNS=585.73)
3-65 m/z=623.26(C45H37NS=623.85) 3-66 m/z=683.26(C50H37NS=683.90)
3-67 m/z=451.14(C32H21NS=451.58) 3-68 m/z=501.16(C36H23NS=501.64)
3-69 m/z=501.16(C36H23NS=501.64) 3-70 m/z=527.17(C38H25NS=527.68)
3-71 m/z=551.17(C40H25NS=551.70) 3-72 m/z=551.17(C40H25NS=551.70)
3-73 m/z=601.19(C44H27NS=601.76) 3-74 m/z=557.13(C38H23NS2=557.73)
3-75 m/z=469.13(C32H20FNS=469.57) 3-76 m/z=507.20(C36H29NS=507.69)
3-77 m/z=551.17(C40H25NS=551.70) 3-78 m/z=551.17(C40H25NS=551.70)
3-79 m/z=601.19(C44H27NS=601.76) 3-80 m/z=601.19(C44H27NS=601.76)
3-81 m/z=651.20(C48H29NS=651.82) 3-82 m/z=607.14(C42H25NS2=607.78)
3-83 m/z=519.15(C36H22FNS=519.63) 3-84 m/z=557.22(C40H31NS=557.75)
3-85 m/z=551.17(C40H25NS=551.70) 3-86 m/z=577.19(C42H27NS=557.74)
3-87 m/z=677.22(C50H31NS=677.85) 3-88 m/z=727.23(C54H33NS=727.91)
3-89 m/z=727.23(C54H33NS=727.91) 3-90 m/z=683.17(C48H29NS2=683.88)
3-91 m/z=595.18(C42H26FNS=595.73) 3-92 m/z=633.25(C46H35NS=633.84)
3-93 m/z=679.23(C50H33NS=679.87) 3-94 m/z=703.23(C52H33NS=703.89)
한편, 화학식 1로 표시되는 화합물들의 각 치환기들은 광범위한 관계로, 대표적인 화합물들의 합성예를 예시적으로 설명하였으나, 합성예로 예시적으로 설명하지 않은 화학식 1로 표시되는 화합물들도 본 명세서의 일부를 구성할 수 있다.
또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기발광소자를 비롯한 유기전기소자의 제조시 사용되는 정공주입층 물질, 정공수송층 물질, 발광층 물질, 및 전자 수송층 물질에 사용되는 치환기를 상기 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 화합물은 치환기의 종류 및 성질에 따라 유기전기발광소자에서 다양한 용도로 사용될 수 있을 것이다. 즉, 본 발명의 화합물은 코어와 치환체에 의해 조절이 자유롭기 때문에 인광 또는 형광 발광층의 호스트 이외의 다양한 층에 적용될 수 있다.
유기전기소자의 제조평가
< 실험예 1>
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 구리프탈로사이아닌(CuPc)막을 진공증착하여 10 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 이어서, 정공주입층 상에 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐을 30 nm 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그리고, 정공 수송층 상부에 본 발명의 화합물을 호스트 물질로, Ir(ppy)3[tris(2-phenylpyridine)-iridium] 를 도펀트 물질로 사용하여 95:5 중량으로 도핑함으로써 30nm 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 ((1,1'-비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄을 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 정공저지층 상에 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄을 40 nm 두께로 성막하여 전자주입층을 형성하였다. 이후, 할로겐화 알칼리 금속인 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, Al을 150 nm의 두께로 증착하여, Al/LiF 음극을 형성함으로써 유기전계발광소자를 제작하였다.
< 비교예 1>
발광층 형성시 본 발명의 화합물 대신 하기 비교화합물 2으로 표시되는 화합물을 호스트 물질로 사용한 점을 제외하고, 실험예 1과 동일하게 유기전계발광소자를 제작하였다.
<비교 화합물 1>
Figure 112012082484564-pat00052
본 발명의 실험예 1 및 비교예 1에 의하여 제작된 유기전계발광소자에 대한 소자 성능, 즉 구동전압, 전류밀도, 밝기, 효율, 수명, 색좌표 등에 대한 측정 결과는 하기 표 5와 같다. 표 5에서, 본 발명의 실험예에 따라 제작된 유기전계발광소자를 실시예 1 내지 실험예 145로 표시하였다.
Figure 112012082484564-pat00053
Figure 112012082484564-pat00054
Figure 112012082484564-pat00055
Figure 112012082484564-pat00056

< 실험예 2>
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 4,4'4”-트리스(N-(2-나프틸)-N-페닐아미노)-트리페닐아민 (이하 2T-NATA로 약기함)막을 진공증착하여 10 nm 두께의 정공주입층을 형성하였다. 이어서, 정공주입층 상에 본 발명의 화합물을 진공증착하여 30 nm 두께의 정공수송층을 형성하였다. 그리고, 정공수송층 상부에 BD-052X(Idemitus사)가 7% 도핑된 45nm두께의 발광층을 형성하였다(이때, BD-052X는 청색 형광 도펀트이고, 발광 호스트 물질로는 9,10-다이(나프탈렌-2-안트라센(AND))을 사용하였다). 이어서, 상기 발광층 상에 ((1,1'-비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄을 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 정공저지층 상에 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄을 40 nm 두께로 성막하여 전자주입층을 형성하였다. 이후, 할로겐화 알칼리 금속인 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, Al을 150 nm의 두께로 증착하여, Al/LiF 음극을 형성함으로써 유기전계발광소자를 제작하였다.
< 비교예 2>
정공주입층 형성시 본 발명의 화합물 대신 하기 비교화합물 2로 표시되는 화합물을 사용한 점을 제외하고, 실험예 2와 동일하게 유기전계발광소자를 제작하였다.
<비교 화합물 2>
Figure 112012082484564-pat00057
본 발명의 실험예 2 및 비교예 2에 의하여 제작된 유기전계발광소자에 대한 소자 성능, 즉 구동전압, 전류밀도, 밝기, 효율, 수명, 색좌표 등에 대한 측정 결과는 하기 표 6과 같다. 하기 표 6에서, 본 발명의 실험예 2에 따라 제작된 유기전계발광소자를 실시예 146 내지 실험예 157로 표시하였다.
화합물 Voltage Current Density Brightness
(cd/m2)		 Efficiency Lifetime
T(90)		 CIE
(x, y)
비교예(2) 비교 화합물 2 6.6 7.5 300.0 4.0 57.4 (0.15, 0.15)
실시예(146) 화합물(3-4) 6.0 5.2 300.0 5.7 102.8 (0.15, 0.14)
실시예(147) 화합물(3-20) 5.2 5.9 300.0 5.1 147.8 (0.15, 0.14)
실시예(148) 화합물(3-28) 5.9 5.2 300.0 5.8 121.9 (0.14, 0.14)
실시예(149) 화합물(3-29) 4.8 5.8 300.0 5.2 135.4 (0.15, 0.14)
실시예(150) 화합물(3-30) 5.2 4.8 300.0 6.2 104.5 (0.14, 0.14)
실시예(151) 화합물(3-31) 5.9 5.4 300.0 5.5 101.2 (0.15, 0.15)
실시예(152) 화합물(3-32) 5.3 5.2 300.0 5.8 147.4 (0.15, 0.13)
실시예(153) 화합물(3-33) 5.2 5.4 300.0 5.5 142.6 (0.15, 0.14)
실시예(154) 화합물(3-70) 4.8 5.0 300.0 6.0 112.1 (0.15, 0.16)
실시예(155) 화합물(3-86) 5.8 5.9 300.0 5.0 94.3 (0.15, 0.14)
실시예(156) 화합물(3-93) 5.0 4.9 300.0 6.1 145.0 (0.14, 0.14)
실시예(157) 화합물(4-94) 5.2 6.2 300.0 4.9 94.8 (0.14, 0.14)
상기 표 5 및 표 6에서 확인할 수 있는 것과 같이, 본 발명에 따른 화합물을 발광 호스트 또는 정공수송층 재료로 사용시, 유기전계발광소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 색순도, 발광효율 및 수명을 현저히 개선시킬 수 있다. 본 발명의 화합물들을 유기전계발광소자의 다른 유기물층들, 예를 들어 발광 보조층, 전자주입층, 전자수송층, 및 정공주입층 등에 사용되더라도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것은 자명하다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명 하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식으로 표시되는 화합물:
    Figure 112020007924109-pat00093

    상기 화학식에서,
    X는 S, SO 또는 SO2 이고,
    R1 내지 R8은 서로 독립적으로 수소, 중수소, C6~C30의 아릴기, 플루오렌일기, C2~C20의 헤테로고리기 및 C1~C10의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되며,
    상기 L은 직접결합이며, 상기 Ar1과 Ar2는 서로 독립적으로 C6~C15의 아릴기, C2~C10의 헤테로고리기 및 플루오렌일기로 이루어진 군에서 선택된다.
    (상기 Y, R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2 각각은, C1~C20의 알킬기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있다)
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물.
    Figure 112020007924109-pat00094

    Figure 112020007924109-pat00095

    Figure 112020007924109-pat00096

    Figure 112020007924109-pat00097
  5. 순차적으로 적층된 제 1 전극, 1층 이상의 유기물층 및 제 2전극을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
    상기 유기물층은 제 1항의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  6. 제 5항에 있어서,
    용액공정(soluble process)에 의해 상기 화합물을 상기 유기물층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층 및/또는 정공수송층을 포함하며,
    상기 발광층 및 상기 정공수송층 중 적어도 일층은 상기 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
  8. 제 5항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
    상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부; 를 포함하는 전자장치.
  9. 제 8항의 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나인 것을 특징으로 하는 전자장치.
KR1020120112736A 2011-10-13 2012-10-11 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 KR102079019B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110104787 2011-10-13
KR1020110104787 2011-10-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130040133A KR20130040133A (ko) 2013-04-23
KR102079019B1 true KR102079019B1 (ko) 2020-02-20

Family

ID=48082664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120112736A KR102079019B1 (ko) 2011-10-13 2012-10-11 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102079019B1 (ko)
WO (1) WO2013055132A2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014034793A1 (ja) * 2012-08-30 2014-03-06 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
TW201446709A (zh) * 2013-05-10 2014-12-16 Tosoh Corp 芳胺化合物及其用途
US20160111670A1 (en) * 2013-06-14 2016-04-21 Lg Chem, Ltd. ORGANIC SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (As Amended)
KR102212965B1 (ko) * 2014-06-18 2021-02-05 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20160030001A (ko) * 2014-09-05 2016-03-16 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR101725224B1 (ko) * 2014-10-06 2017-04-11 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102370354B1 (ko) * 2015-04-29 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9859503B2 (en) * 2015-04-30 2018-01-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US11117857B2 (en) 2015-07-31 2021-09-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Compound, material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element and electronic device
KR102601600B1 (ko) * 2015-12-24 2023-11-14 삼성전자주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JPWO2017209297A1 (ja) * 2016-06-02 2019-04-18 国立大学法人名古屋大学 トリアリーレン化合物及びその製造方法
US10957857B2 (en) 2016-07-27 2021-03-23 Lg Chem Ltd. Multicyclic compound and organic light emitting device including the same
EP3633009A1 (en) * 2018-10-03 2020-04-08 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Use of a substituted or unsubstituted polycyclic aromatic hydrocarbon compound for high-resolution microscopy
US11038124B2 (en) 2018-10-03 2021-06-15 Luminescence Technology Corp. Organic compound and organic electroluminescence device using the same
JP2020152655A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 東ソー株式会社 縮環基を有するベンゾヘテロフェナントレン化合物及びその用途
CN111499618A (zh) * 2020-05-15 2020-08-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种化合物及包含其的有机光电装置
KR102564917B1 (ko) * 2020-12-21 2023-08-09 엘티소재주식회사 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기전계발광소자, 및 유기물층용 조성물

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219481B1 (ko) * 2009-09-28 2013-01-15 덕산하이메탈(주) 아릴 고리가 축합된 복소환 5원자고리 유도체를 가지는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
WO2011037429A2 (ko) * 2009-09-28 2011-03-31 덕산하이메탈(주) 아릴 고리가 축합된 복소환 5원자고리 유도체를 가지는 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Tetrahedron Letters, Vol.38, No.29, pp 5157-5160, 1997. 1부.*

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013055132A2 (ko) 2013-04-18
WO2013055132A3 (ko) 2013-07-04
KR20130040133A (ko) 2013-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102079019B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102110983B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102418440B1 (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102211337B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN111018881B (zh) 有机电气元件用化合物、利用其的有机电气元件及其电子装置
KR101493482B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102065656B1 (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102005912B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101530886B1 (ko) 유기전기소자용 신규 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치
KR101934385B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102087319B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102126442B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102399010B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101520955B1 (ko) 유기전기소자용 신규 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치
KR102617840B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20190007792A (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20180008286A (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20170087691A (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR101530885B1 (ko) 유기전기소자용 신규 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치
KR102069588B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102366506B1 (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20190086895A (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20180019879A (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20170030291A (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20170016135A (ko) 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant