KR102061004B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버 내측에 위치되어 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버에 연결되는 공급 라인; 및 상기 공급 라인에 연결되어 초임계 유체와 공정액이 혼합된 상태의 혼합 처리액을 공급하는 초임계 유체 저장부를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. In one embodiment, a substrate processing apparatus includes a chamber; A support unit positioned inside the chamber to support a substrate; A supply line connected to the chamber; And a supercritical fluid storage unit connected to the supply line to supply a mixed treatment solution in a state in which a supercritical fluid and a process solution are mixed.

Figure R1020170134311
Figure R1020170134311

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treating apparatus and substrate treating method}Substrate treating apparatus and substrate treating method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체소자는 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 회로패턴을 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 거쳐 제조된다. 반도체소자의 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생하게 된다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 일으켜 반도체소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 따라서, 반도체소자의 제조공정에는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다.The semiconductor device is manufactured through various processes including a photolithography process of forming a circuit pattern on a substrate such as a silicon wafer. During the manufacturing process of the semiconductor device, various foreign substances such as particles, organic contaminants, and metal impurities are generated. These foreign matters cause defects on the substrate and directly act on the performance and yield of the semiconductor device. Therefore, the manufacturing process of the semiconductor device is necessarily accompanied by a cleaning process for removing such foreign matter.

세정공정은 케미컬로 기판 상의 이물질을 제거하는 케미컬공정, 케미컬을 순수로 세척하는 세척공정, 기판을 건조시키는 건조공정을 거쳐 수행된다. 일반적인 건조공정은 기판 상의 순수를 비교적 표면장력이 작은 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol) 등의 유기용제로 치환한 뒤 이를 증발시키는 방식으로 이루어져왔다. 그리고 건조 과정에서 유기용제를 이용하더라도 선폭 30nm 이하의 미세한 회로패턴을 가지는 반도체소자에 대해서는 여전히 도괴현상(pattern collapse)을 유발된다.The cleaning process is performed through a chemical process of removing foreign substances on the substrate with a chemical, a washing process of washing the chemical with pure water, and a drying process of drying the substrate. The general drying process has been performed by replacing pure water on a substrate with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) having a small surface tension and then evaporating it. In addition, even when an organic solvent is used in the drying process, a pattern collapse is still caused for a semiconductor device having a fine circuit pattern having a line width of 30 nm or less.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 세정 효율이 향상되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which the cleaning efficiency is improved.

또한, 본 발명은 패턴 붕괴가 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.Moreover, this invention is providing the substrate processing apparatus and substrate processing method by which pattern collapse is prevented.

본 발명의 일 측면에 따르면, 챔버; 상기 챔버 내측에 위치되어 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 챔버에 연결되는 공급 라인; 및 상기 공급 라인에 연결되어 초임계 유체와 공정액이 혼합된 상태의 혼합 처리액을 공급하는 초임계 유체 저장부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the invention, the chamber; A support unit positioned inside the chamber to support a substrate; A supply line connected to the chamber; And a supercritical fluid storage unit connected to the supply line and supplying a mixed treatment solution in a state in which a supercritical fluid and a process solution are mixed.

또한, 상기 공정액은 기판 세정 조성물일 수 있다.In addition, the process solution may be a substrate cleaning composition.

또한, 상기 기판 세정 조성물은 물(Water) 성분을 포함하지 않는 무수(anhydrous) 조성물로 제공될 수 있다.In addition, the substrate cleaning composition may be provided as an anhydrous composition containing no water component.

또한, 상기 기판 세정 조성물은 불소를 제공하는 식각 화합물과; 상기 식각 화합물을 용해시키는 용매를 포함할 수 있다.In addition, the substrate cleaning composition includes an etching compound that provides fluorine; It may include a solvent for dissolving the etching compound.

또한, 상기 공정액은 알코올일 수 있다.In addition, the process solution may be an alcohol.

또한, 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버를 배기하는 배기 부재; 및 양단이 상기 배기 부재 및 상기 공급 라인에 연결되는 순환 라인을 더 포함할 수 있다.In addition, an exhaust member connected to the chamber to exhaust the chamber; And a circulation line at both ends connected to the exhaust member and the supply line.

또한, 상기 챔버의 상부 및 상기 공급 라인에 연결되어 상기 혼합 처리액을 상기 챔버의 내측 공간 상부로 공급하는 복수의 상부 유체 공급부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a plurality of upper fluid supply units connected to an upper portion of the chamber and the supply line to supply the mixed treatment liquid to an upper portion of an inner space of the chamber.

또한, 상기 챔버의 내측 공간 상부에 위치되는 샤워 헤드; 및 상기 챔버의 상부 및 상기 공급 라인에 연결되어, 상기 혼합 처리액을 상기 챔버의 내측 공간 상부로 공급하는 상부 유체 공급부를 더 포함할 수 있다.In addition, the shower head is located above the inner space of the chamber; And an upper fluid supply unit connected to an upper portion of the chamber and the supply line to supply the mixed treatment liquid to an upper portion of an inner space of the chamber.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 초임계 유체와 공정액이 혼합된 상태의 혼합 처리액을 기판에 공급하여 초임계 상태에서 상기 기판을 처리하여 기판을 처리하는 단계; 및 초임계 상태의 상기 혼합 처리액을 배출하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, the step of treating the substrate in a supercritical state by supplying a mixed treatment liquid in a state in which a supercritical fluid and a process liquid are mixed to the substrate; And discharging the mixed treatment liquid in a supercritical state.

또한, 상기 공정액은 물(Water) 성분을 포함하지 않는 무수(anhydrous) 조성물로 제공되는 기판 세정 조성물일 수 있다.In addition, the process solution may be a substrate cleaning composition provided as an anhydrous composition containing no water component.

또한, 상기 공정액은 불소를 제공하는 식각 화합물과, 상기 식각 화합물을 용해시키는 용매를 포함할 수 있다.In addition, the process solution may include an etching compound for providing fluorine and a solvent for dissolving the etching compound.

또한, 상기 공정액은 알코올일 수 있다.In addition, the process solution may be an alcohol.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 초임계 유체와 기판 세정 조성물을 기판에 공급하여 초임계 상태에서 상기 기판을 처리 하는 단계; 및 초임계 유체와 용매를 기판에 공급하여 초임계 상태에서 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the invention, the step of supplying a supercritical fluid and substrate cleaning composition to the substrate to treat the substrate in a supercritical state; And treating the substrate in a supercritical state by supplying a supercritical fluid and a solvent to the substrate.

또한, 상기 기판 세정 조성물은 물(Water) 성분을 포함하지 않는 무수(anhydrous) 조성물로 제공될 수 있다.In addition, the substrate cleaning composition may be provided as an anhydrous composition containing no water component.

또한, 상기 용매는 알코올일 수 있다.In addition, the solvent may be an alcohol.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 세정 효율이 향상되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method for improving the cleaning efficiency may be provided.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 패턴 붕괴가 방지되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can prevent the pattern collapse can be provided.

도 1은 본 발명에 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 공정 챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 3은 일 실시 예에 따라 기판 세정 조성물을 이용하여 기판을 처리하는 단계를 나타내는 도면이다.
도 4는 제2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 단계를 나타내는 도면이다.
도 6은 제3 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 7은 제4 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.
도 8은 제5 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of one embodiment of the process chamber of FIG. 1.
3 is a diagram illustrating a process of treating a substrate using a substrate cleaning composition according to one embodiment.
4 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a second embodiment.
5 is a diagram illustrating a substrate processing step according to another exemplary embodiment.
6 is a diagram illustrating a process chamber according to a third embodiment.
7 is a diagram illustrating a process chamber according to a fourth embodiment.
8 is a diagram illustrating a process chamber according to a fifth embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

이하에서는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)를 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판 처리 장치(100)는 초임계 유체를 공정 유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계 공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process for treating the substrate S by using the supercritical fluid as the process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체 소자나 평판 디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다.Here, the substrate S is a comprehensive concept including a semiconductor device, a flat panel display (FPD), and other substrates used for manufacturing an article having a circuit pattern formed on a thin film. Examples of such a substrate S include a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like.

도 1은 본 발명에 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(100)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a process module 2000.

인덱스 모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송 받아 공정 모듈(2000)로 기판(S)을 반송한다. 공정모듈(2000)은 초임계 건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 receives the substrate S from the outside and conveys the substrate S to the process module 2000. The process module 2000 may perform a supercritical drying process.

인덱스 모듈(1000)은 설비 전방 단부 모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100)와 이송 프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 is an equipment front end module (EFEM) and includes a load port 1100 and a transfer frame 1200.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면 개방 일체형 포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.In the load port 1100, a container C in which the substrate S is accommodated is placed. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C may be carried in or out of the load port 1100 from the outside by an overhead transfer (OHT).

이송 프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정 모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송 프레임(1200)은 인덱스 로봇(1210)과 인덱스 레일(1220)을 포함한다. 인덱스 로봇(1210)은 인덱스 레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 may move on the index rail 1220 and carry the substrate S. FIG.

공정 모듈(2000)은 버퍼 챔버(2100), 이송 챔버(2200), 제1공정 챔버(3000) 그리고 공정 챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a process chamber 4000.

버퍼 챔버(2100)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 챔버(2100)에는 버퍼 슬롯이 제공될 수 있다. 버퍼 슬롯에는 기판(S)이 놓인다. 예를 들어, 인덱스 로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼 슬롯에 놓을 수 있다. 이송 챔버(2200)의 이송 로봇(2210)은 버퍼 슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정 챔버(3000)나 공정 챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼 챔버(2100)에는 복수의 버퍼 슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다.The buffer chamber 2100 provides a space in which the substrate S, which is transferred between the index module 1000 and the process module 2000, temporarily stays. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot. The substrate S is placed in the buffer slot. For example, the index robot 1210 may withdraw the substrate S from the container C and place it in the buffer slot. The transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 may take out the substrate S placed in the buffer slot and transfer it to the first process chamber 3000 or the process chamber 4000. A plurality of buffer slots may be provided in the buffer chamber 2100 so that a plurality of substrates S may be placed.

이송 챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼 챔버(2100), 공정 챔버(4000)간에 기판(S)을 반송한다. 이송 챔버(2200)는 이송 로봇(2210)과 이송 레일(2220)을 포함한다. 이송 로봇(2210)은 이송 레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 conveys the substrate S between the buffer chamber 2100 and the process chamber 4000 disposed around the periphery. The transfer chamber 2200 includes a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 may transfer the substrate S while moving on the transfer rail 2220.

공정 챔버(4000)는 세정 공정을 수행할 수 있다. 또한, 공정 챔버(4000)에서 세정 공정 및 건조 공정이 수행될 수 있다.The process chamber 4000 may perform a cleaning process. In addition, a cleaning process and a drying process may be performed in the process chamber 4000.

공정 챔버(4000)는 이송 챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 공정 챔버(4000)는 이송 챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다.The process chamber 4000 is disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the process chamber 4000 may be disposed to face each other on the other side of the transfer chamber 2200.

공정 모듈(2000)에는 공정 챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정 챔버들(4000)은 이송 챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. The process module 2000 may be provided with a plurality of process chambers 4000. The plurality of process chambers 4000 may be arranged in a line on the side of the transfer chamber 2200, stacked up and down, or a combination thereof.

공정 챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않으며, 기판 처리 장치(100)의 풋 프린트나 공정효율 등을 고려하여 변경될 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 제어기(도 2의 5000)에 의해 제어될 수 있다.The arrangement of the process chamber 4000 is not limited to the above-described example, and may be changed in consideration of the footprint, process efficiency, and the like of the substrate processing apparatus 100. The substrate processing apparatus 100 may be controlled by a controller (5000 of FIG. 2).

도 2는 도 1의 공정 챔버의 일 실시예의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of one embodiment of the process chamber of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 공정 챔버(4000)는 챔버(4100), 승강 유닛(4200), 지지 유닛(4300), 가열 부재(4400), 유체 공급 유닛(4500), 차단 부재(4600), 배기 부재(4700)를 포함한다. 공정 챔버(4000)는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 수행하다.Referring to FIG. 2, the process chamber 4000 includes a chamber 4100, a lifting unit 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a fluid supply unit 4500, a blocking member 4600, and an exhaust member. (4700). The process chamber 4000 performs a process of processing a substrate using a supercritical fluid.

공정 챔버(4000)는 기판 세정 조성물을 통해 기판의 세정을 수행할 수 있다. 공정 챔버(4000)에서 수행되는 공정을 물을 이용하지 않는 무수(anhydrous) 공정으로 수행된다.The process chamber 4000 may perform cleaning of the substrate through the substrate cleaning composition. The process performed in the process chamber 4000 is performed by an anhydrous process using no water.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 세정 조성물은 불소를 포함한 무수(anhydrous) 조성물로 제공된다. 기판 세정 조성물은 식각 화합물 및 용매를 포함한다.The substrate cleaning composition according to an embodiment of the present invention is provided as an anhydrous composition including fluorine. The substrate cleaning composition includes an etching compound and a solvent.

종래 기판의 세정에 사용되는 약액 가운데 하나로 에스씨원(SC-1, 암모니아수와 과산화수소의 혼합액), 플루오르화수소 수용액(DHF, Diluted HF)이 있다. 이와 같은 종래 세정 조성물은 물을 포함하고 있어, 건조 과정에서 패던의 붕괴가 야기될 우려가 크다.Conventional chemicals used to clean substrates include S-C1 (SC-1, a mixture of aqueous ammonia and hydrogen peroxide) and aqueous hydrogen fluoride solution (DHF, Diluted HF). Such a conventional cleaning composition contains water, so there is a high risk of collapse of Padden in the drying process.

본 발명에 따른 기판 세정 조성물은 위와 같은 종래 약액에 대신하여 물을 포함하지 않는 상태로 제공된다. The substrate cleaning composition according to the present invention is provided in a state of not containing water in place of the above conventional chemical liquid.

식각 화합물은 기판을 처리하는데 기여하는 불소를 제공한다. 식각 화합물은 플루오린화 수소(Hydrogen Fluoride, HF)일 수 있다.The etching compound provides fluorine that contributes to the processing of the substrate. The etching compound may be hydrogen fluoride (HF).

용매는 식각 화합물이 용해되는 형태로 혼합되고, 기판 세정 조성물이 초임계 유체와 친화성을 갖도록 한다. 즉, 용매는 기판 세정 조성물이 초임계 유체와 만나면 초임계 유체에 효과적으로 용해되도록 한다. 용매는 알코올로 제공된다. 일 예로, 용매는 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 메탄올, 에탄올 등으로 제공될 수 있다.The solvent is mixed in the form in which the etching compound is dissolved, and the substrate cleaning composition is compatible with the supercritical fluid. That is, the solvent causes the substrate cleaning composition to effectively dissolve in the supercritical fluid when it encounters the supercritical fluid. The solvent is provided as alcohol. For example, the solvent may be provided as isopropyl alcohol, isopropyl alcohol, methanol, ethanol, or the like.

종래 SC-1 및 DHF와 같은 약액은 구성 성분으로 물을 포함한다. 기판에 형성되는 패턴은 점점 미세화 되고, 패턴의 선폭은 점점 작아지고 있다. 물은 표면 장력을 가지고 있어, 패턴 사이의 좁은 공간에 대해 침투력이 낮아 패턴 사이의 공간에 대한 세정 효율이 낮다. 또한, 종래 SC-1 및 DHF와 같은 약액을 이용한 세정은, 이후 약액을 탈이온수로 치환 시킨 후 건조 공정이 수행되는데 이 같은 건조 공정에서도 패턴 리닝(Pattern Leaning), 패턴 붕괴가 발생될 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 기판 세정 조성물은 물을 포함하지 않도록 제공되어, 종래 약액에 포함된 물에 의해 발생되는 문제점이 발생되지 않는다.Conventional chemicals such as SC-1 and DHF contain water as a constituent. The pattern formed in a board | substrate is gradually refine | miniaturized, and the line | wire width of a pattern is becoming small. The water has a surface tension, so that the penetration force is low in the narrow spaces between the patterns, resulting in low cleaning efficiency for the spaces between the patterns. In addition, in the conventional cleaning using chemical liquids such as SC-1 and DHF, a drying process is performed after substituting the chemical liquid with deionized water. In this drying process, pattern leaning and pattern collapse may occur. On the other hand, the substrate cleaning composition according to the present invention is provided so as not to contain water, so that the problem caused by the water contained in the conventional chemical liquid does not occur.

본 발명에 따른 기판 세정 조성물은 바인더를 더 포함할 수 있다. 바인더는 파티클과 만나면 파티클의 외면에 위치되어 미셀(micelle)을 형성한다. 기판의 세정 과정에서, 기판에서 분리된 파티클이 기판에 다시 부착되어 세정 효율을 감소 시킬 수 있다. 반면 바인더가 파티클의 외면에 위치되어 미셀(micelle)을 형성하면, 파티클이 기판과 접하는 것이 차단되어 파티클이 기판에 다시 부착되는 것이 방지될 수 있다. 바인더는 트리메틸인산염((Trimethyl Phosphate), 트리에틸인산염(Triethyl Phosphate) 또는 O=P-(O-R)3, R:CH3-(CH2)n-1(n:1~4)의 구조식을 가지는 인(Phosphorus) 화합물일 수 있다. 또한, 바인더는 아황산디메틸(Dimethyl sulfite) 또는 아황산디에틸(Diethyl sulfite)일 수 있다.The substrate cleaning composition according to the present invention may further comprise a binder. When the binder meets the particle, it is placed on the outer surface of the particle to form a micelle. In the process of cleaning the substrate, particles separated from the substrate may be attached to the substrate again to reduce the cleaning efficiency. On the other hand, when the binder is located on the outer surface of the particles to form a micelle, the particles may be blocked from contacting the substrate, and the particles may be prevented from reattaching to the substrate. The binder is trimethyl phosphate (Trimethyl Phosphate), triethyl phosphate (Triethyl Phosphate) or O = P- (OR) 3, R: CH 3-(CH 2) n-1 (n: 1-4) Phosphorus) compound, and the binder may be dimethyl sulfite or diethyl sulfite.

챔버(4100)는 내부에 초임계 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The chamber 4100 provides a processing space in which a supercritical process is performed. The chamber 4100 is provided of a material that can withstand high pressures above the critical pressure.

챔버(4100)은 상체(4110)과 하체(4120)을 포함한다. 하체(4120)는 상체(4110)의 아래에서 상체(4110)와 결합되어 제공된다. 상체(4110)와 하체(4120)의 조합으로 생성된 공간은 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간으로 제공된다. The chamber 4100 includes an upper body 4110 and a lower body 4120. The lower body 4120 is provided in combination with the upper body 4110 below the upper body 4110. The space generated by the combination of the upper body 4110 and the lower body 4120 is provided as a processing space for performing a substrate processing process.

상체(4110)는 외부 구조물에 고정되게 설치된다. 하체(4120)는 상체(4110)에 대해 승강 가능하게 제공된다. 하체(4120)는 하강하여 상체(4110)로부터 이격되면 공정 챔버(4000)의 내부에 처리 공간이 개방된다. 개방된 처리 공간으로 기판(S)이 공정 챔버(4000)의 내부 공간으로 반입되거나 내부 공간으로부터 반출될 수 있다.Upper body 4110 is installed to be fixed to the external structure. The lower body 4120 is provided to be elevated relative to the upper body 4110. When the lower body 4120 descends and is spaced apart from the upper body 4110, the processing space is opened in the process chamber 4000. The substrate S may be brought into the interior space of the process chamber 4000 or may be carried out from the interior space into the open processing space.

하체(4120)가 상승하여 상체(4110)에 밀착되면 공정 챔버(4000)의 내부에 처리 공간이 밀폐된다. 밀페된 처리 공간에서는 초임계 유체를 통해 기판이 처리될 수 있다. 상술한 예와 달리 챔버(4100)에서 하체(4120)가 고정 설치되고, 상체(4110)가 승강되는 구조로 제공될 수도 있다. When the lower body 4120 rises and comes into close contact with the upper body 4110, the processing space is sealed inside the process chamber 4000. In an enclosed processing space, the substrate can be processed via a supercritical fluid. Unlike the above-described example, the lower body 4120 is fixedly installed in the chamber 4100 and may be provided in a structure in which the upper body 4110 is elevated.

승강 유닛(4200)는 하체(4120)를 승강시킨다. 승강 유닛(4200)은 승강 실린더(4210)와 승강 로드(4220)을 포함한다. 승강 실린더(4210)는 하체(4120)에 결합되어 상하 방향의 구동력을 발생시킨다. 승강 실린더(4210)는 초임계 유체를 이용한 기판 처리가 수행되는 동안 공정 챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상체(4110)과 하체(4120)를 밀착시켜 공정 챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강 실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상체(4110)에 결합된다. 승강 실린더(4210)에서 구동력 발생 시, 승강 실린더(4210)와 승강 로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강 실린더(4210)에 결합된 하체(4120)가 승강될 수 있다. 승강 실린더(4210)에 의해 하체(4120)가 승강하는 동안 승강 로드(4220)는 상체(4110)과 하체(4120)가 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강 방향을 안내하여, 상체(4110)와 하체(4120)가 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The lifting unit 4200 raises and lowers the lower body 4120. The lifting unit 4200 includes a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower body 4120 to generate a driving force in the vertical direction. The lifting cylinder 4210 overcomes the high pressure above the critical pressure inside the process chamber 4000 while the substrate processing using the supercritical fluid is performed, and closes the process chamber 4000 by bringing the upper body 4110 and the lower body 4120 into close contact with each other. Generates a driving force that can be made. One end of the elevating rod 4220 is inserted into the elevating cylinder 4210 and extended vertically, and the other end thereof is coupled to the upper body 4110. When a driving force is generated in the elevating cylinder 4210, the elevating cylinder 4210 and the elevating rod 4220 may be relatively elevated to elevate the lower body 4120 coupled to the elevating cylinder 4210. The lifting rod 4220 prevents the upper body 4110 and the lower body 4120 from moving in the horizontal direction while the lower body 4120 is lifted and lowered by the lifting cylinder 4210, and guides the lifting direction to the upper body 4110. The lower bodies 4120 may be prevented from being separated from each other.

지지 유닛(4300)은 챔버(4100)의 처리 공간에 위치하며 기판(S)을 지지한다. 지지 유닛(4300)은 상체(4110)에 결합된다. 지지 유닛(4300)은 수직부(4320)와 수평부(4310)를 포함한다.The support unit 4300 is located in the processing space of the chamber 4100 and supports the substrate S. The support unit 4300 is coupled to the upper body 4110. The support unit 4300 includes a vertical portion 4320 and a horizontal portion 4310.

수직부(4320)는 챔버(4100)의 상부벽으로부터 아래로 연장되어 제공된다. 수직부(4320)는 상체(4110)의 하면에 설치된다. 수직부(4320)는 상체(4110)의 아래쪽으로 연장되어 제공된다. 수직부(4320)의 끝단은 수평부(4310)와 수직으로 결합된다. 수평부(4310)는 수직부(4320)의 끝단에서 챔버(4100)의 안쪽으로 연장되어 제공된다. 수평부(4310)에는 기판(S)이 놓인다. 수평부(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역 저면을 지지한다. The vertical portion 4320 extends downward from the top wall of the chamber 4100. The vertical portion 4320 is installed on the lower surface of the upper body 4110. The vertical portion 4320 extends downward from the upper body 4110. An end of the vertical portion 4320 is vertically coupled to the horizontal portion 4310. The horizontal portion 4310 is provided to extend inwardly of the chamber 4100 at the end of the vertical portion 4320. The substrate S is disposed on the horizontal portion 4310. The horizontal portion 4310 supports the bottom of the edge region of the substrate S. FIG.

지지 유닛(4300)이 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하여 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계 유체를 통한 기판 처리가 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. The support unit 4300 may contact the edge region of the substrate S to support the substrate S so that substrate processing through the supercritical fluid may be performed on the entire area of the upper surface of the substrate S and most of the lower surface of the substrate S. FIG. . Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface of the substrate S may be a non-pattern surface.

지지 유닛(4300)은 상체(4110)에 설치된다. 지지 유닛(4300)은 하체(4120)가 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다.  The support unit 4300 is installed in the upper body 4110. The support unit 4300 may support the substrate S relatively stably while the lower body 4120 moves up and down.

지지 유닛(4300)이 설치되는 상체(4110)에는 수평 조정 부재(4111)가 설치된다. 수평 조정 부재(4111)는 상체(4110)의 수평도를 조정한다. 상체(4110)의 수평도가 조정되어, 상체(4110)에 설치된 지지 유닛(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절된다. 상체(4110)가 승강되고 하체(4120)가 고정되어 설치되거나, 지지 유닛(4300)이 하체(4120)에 설치되는 경우에는 수평 조정 부재(4111)는 하체(4120)에 설치될 수도 있다.The horizontal adjustment member 4111 is installed in the upper body 4110 in which the support unit 4300 is installed. The horizontal adjustment member 4111 adjusts the horizontal degree of the upper body 4110. The horizontality of the upper body 4110 is adjusted to adjust the horizontality of the substrate S seated on the support unit 4300 installed in the upper body 4110. When the upper body 4110 is elevated and the lower body 4120 is fixedly installed, or when the support unit 4300 is installed on the lower body 4120, the horizontal adjusting member 4111 may be installed at the lower body 4120.

가열 부재(4400)는 공정 챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열 부재(4400)는 공정 챔버(4000) 내부에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(4400)는 초임계 유체가 액화된 경우에는 다시 초임계 유체가 되도록 초임계 유체를 가열할 수 있다. 가열 부재(4400)는 상체(4110) 및 하체(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치된다. 가열 부재(4400)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시킨다. 일 예로 가열 부재(4400)은 히터로 제공 될 수 있다.The heating member 4400 heats the interior of the process chamber 4000. The heating member 4400 maintains the supercritical fluid by heating the supercritical fluid supplied inside the process chamber 4000 above a critical temperature. When the supercritical fluid is liquefied, the heating member 4400 may heat the supercritical fluid to become a supercritical fluid again. The heating member 4400 is embedded in at least one wall of the upper body 4110 and the lower body 4120. The heating member 4400 receives power from the outside to generate heat. For example, the heating member 4400 may be provided as a heater.

유체 공급 유닛(4500)는 공정 챔버(4000)로 유체를 공급한다. 공급되는 유체는 초임계 유체일 있다. 일 예로 공급되는 초임계 유체는 이산화 탄소일 수 있다. 또한, 유체 공급 유닛(4500)은 초임계 유체와 기판 세정 조성물을 혼합하여 공급할 수 있다.The fluid supply unit 4500 supplies fluid to the process chamber 4000. The fluid supplied may be a supercritical fluid. As an example, the supercritical fluid supplied may be carbon dioxide. In addition, the fluid supply unit 4500 may mix and supply the supercritical fluid and the substrate cleaning composition.

유체 공급 유닛(4500)은 상부 유체 공급부(4510), 하부 유체 공급부(4520), 공급 라인(4550) 그리고 밸브(4551,4553)를 포함한다. The fluid supply unit 4500 includes an upper fluid supply 4510, a lower fluid supply 4520, a supply line 4550, and valves 4451 and 4553.

상부 유체 공급부(4510)는 기판(S)의 상면에 직접 초임계 유체를 공급한다. 상부 유체 공급부(4510)는 상체(4110)에 연결되어 제공된다. 상부 유체 공급 부(4510)는 기판(S)의 중앙 상면에 대향되는 상체(4110)에 연결되어 제공된다. The upper fluid supply part 4510 supplies the supercritical fluid directly to the upper surface of the substrate S. The upper fluid supply 4510 is provided connected to the upper body 4110. The upper fluid supply part 4510 is connected to and provided with an upper body 4110 opposite to the central upper surface of the substrate S.

하부 유체 공급부(4520)는 기판(S)의 하면에 초임계 유체를 공급한다. 하부 유체 공급부(4520)는 하체(4120)에 연결되어 제공된다. 하부 유체 공급부(4520)는 기판(S)의 중앙 하면에 대향되는 하체(4120)에 연결되어 제공된다.The lower fluid supply part 4520 supplies a supercritical fluid to the lower surface of the substrate S. The lower fluid supply 4520 is provided connected to the lower body 4120. The lower fluid supply part 4520 is connected to the lower body 4120 opposite to the central lower surface of the substrate S.

상부 유체 공급부(4510)와 하부 유체 공급부(4520)에서 분사되는 초임계 유체는 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공된다. The supercritical fluid injected from the upper fluid supply part 4510 and the lower fluid supply part 4520 is uniformly provided to the entire area of the substrate S while reaching the center area of the substrate S and spreading to the edge area.

공급 라인(4550)은 상부 유체 공급부(4510)와 하부 유체 공급부(4520)와 연결된다. 공급 라인은 외부에 별도의 초임계 유체 저장부(4560)에서 초임계 유체를 공급 받아 상부 유체 공급부(4510)와 하부 유체 공급부(4520)에 초임계 유체를 공급한다.The supply line 4550 is connected to the upper fluid supply part 4510 and the lower fluid supply part 4520. The supply line receives the supercritical fluid from a separate supercritical fluid storage unit 4560 to supply the supercritical fluid to the upper fluid supply unit 4510 and the lower fluid supply unit 4520.

일 예로, 초임계 유체 저장부(4560)는 이산화 탄소 등일 수 있는 초임계 유체를 저장하고, 공급 라인(4550)에 공급할 수 있다. 또한, 초임계 유체 저장부(4560)는 이산화 탄소 등일 수 있는 초임계 유체에 기판 세정 조성물이 혼합된 상태로 공급 라인(4550)에 공급할 수 있다. 이 때, 초임계 유체 저장부(4560)는 설정 온도 및 설정 압력으로 제공되어, 초임계 유체와 기판 세정 조성물이 기체 상태에서 충분히 혼합되게 할 수 있다.As an example, the supercritical fluid storage 4560 may store the supercritical fluid, which may be carbon dioxide, and supply the supplied supercritical fluid to the supply line 4550. In addition, the supercritical fluid reservoir 4560 may supply the supply line 4550 in a state in which the substrate cleaning composition is mixed with the supercritical fluid, which may be carbon dioxide or the like. At this time, the supercritical fluid reservoir 4560 may be provided at a set temperature and a set pressure, such that the supercritical fluid and the substrate cleaning composition are sufficiently mixed in a gaseous state.

밸브(4551,4553)는 공급 라인(4550)에 설치된다. 밸브(4551,4553)는 공급 라인에 복수 개 제공 될 수 있다. 각각의 밸브(4551,4553)는 상부 유체 공급부(4510)와 하부 유체 공급부(4520)에 공급되는 초임계 유체의 유량을 조절한다. 밸브(4551,4553)는 제어기(5000)에 의해서 챔버(4100) 내부로 공급되는 유량 조절이 가능하다.Valves 4551 and 4553 are installed in supply line 4550. Valves 4451 and 4553 may be provided in plurality in the supply line. Each valve 4551 and 4553 controls the flow rate of the supercritical fluid supplied to the upper fluid supply 4510 and the lower fluid supply 4520. The valves 4551 and 4553 may adjust flow rates supplied into the chamber 4100 by the controller 5000.

유체 공급 유닛(4500)은 먼저 하부 유체 공급부(4520)에서 초임계 유체를 공급할 수 있다. 이 후, 상부 유체 공급부(4510)가 초임계 유체를 공급할 수 있다. 초임계 유체를 이용한 기판 처리 공정은 초기에 공정 챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있다. 공정 챔버(4000) 내부가 임계얍력 미달시 내부로 공급되는 초임계 유체는 액화될 수 있다. 초임계 유체가 액화되면 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다.The fluid supply unit 4500 may first supply a supercritical fluid from the lower fluid supply 4520. Thereafter, the upper fluid supply unit 4510 may supply a supercritical fluid. The substrate treating process using the supercritical fluid may be initially performed while the interior of the process chamber 4000 is below the critical pressure. The supercritical fluid supplied into the process chamber 4000 when the inside of the process fails the critical pressure may be liquefied. When the supercritical fluid is liquefied, it may fall to the substrate S by gravity and damage the substrate S.

따라서, 하부 유체 공급부(4520)에서 먼저 초임계 유체를 공급한다. 공정 챔버(4000)로 초임계 유체가 공급되고 난 후 내부 압력은 임계 압력에 도달한다. 공정 챔버(4000)의 내부 압력이 임계압력에 도달하고 난 후 상부 유체 공급부(4510)에서 초임계 유체를 공급한다. 하부 유체 공급부(4520)에서 상부 유체 공급부(4510)보다 먼저 초임계 유체를 공급하여 초임계 유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다.Thus, the lower fluid supply portion 4520 first supplies the supercritical fluid. The internal pressure reaches a critical pressure after the supercritical fluid is supplied to the process chamber 4000. After the internal pressure of the process chamber 4000 reaches the critical pressure, the upper fluid supply part 4510 supplies the supercritical fluid. The supercritical fluid may be supplied from the lower fluid supply part 4520 before the upper fluid supply part 4510 to prevent the supercritical fluid from liquefying and falling down to the substrate S.

차단 부재(4600)는 유체 공급 유닛(4500)에서 공급되는 초임계 유체가 기판(S)의 하면에 직접 분사되는 것을 방지한다. 차단 부재(4600)는 차단 플레이트(4610)와 지지대(4620)를 포함한다.The blocking member 4600 prevents the supercritical fluid supplied from the fluid supply unit 4500 being directly injected to the bottom surface of the substrate S. The blocking member 4600 includes a blocking plate 4610 and a support 4620.

차단 플레이트(4610)는 챔버(4100)내부에 처리 공간에 위치한다. 차단 플레이트(4610)는 지지 유닛(4300)과 하부 유체 공급부(4520) 사이에 배치된다. 차단 플레이트(4610)는 기판(S)에 대응되는 형상으로 제공된다. 일 예로, 차단 플레이트(4610)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 차단 플레이트(4610)의 반경은 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공될 수 있다. 차단 플레이트(4610)는 지지 유닛(4300)에 놓이는 기판(S)의 하면에 위치하여 하부 유체 공급부(4520)를 통해 공급되는 초임계 유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지할 수 있다. 차단 플레이트(4610)의 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게 제공되는 경우에는 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 완벽히 차단할 수 있다. The blocking plate 4610 is located in the processing space within the chamber 4100. The blocking plate 4610 is disposed between the support unit 4300 and the lower fluid supply 4520. The blocking plate 4610 is provided in a shape corresponding to the substrate (S). For example, the blocking plate 4610 may be provided in a circular plate shape. The radius of the blocking plate 4610 may be provided similar or larger than the substrate S. FIG. The blocking plate 4610 may be positioned on a lower surface of the substrate S placed on the support unit 4300 to prevent the supercritical fluid supplied through the lower fluid supply 4520 from being directly injected to the lower surface of the substrate S. Can be. When the radius of the blocking plate 4610 is provided to be similar to or larger than the substrate S, the supercritical fluid can be completely blocked from being injected directly onto the substrate S.

이와는 달리 차단 플레이트(4610)의 반경은 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 이 경우 초임계 유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단한다. 또한, 초임계 유체의 유속을 최소한으로 저하시켜 기판(S)에 초임계 유체가 비교적 쉽게 도달할 수 있게 한다. 차단 플레이트(4610)의 반경이 기판(S)보다 작게 제공되는 경우 기판(S)에 대한 초임계 건조공정이 효과적으로 진행될 수 있다.Alternatively, the radius of the blocking plate 4610 may be provided smaller than the substrate (S). In this case, the supercritical fluid is blocked from being injected directly onto the substrate S. In addition, the flow rate of the supercritical fluid is reduced to a minimum to allow the supercritical fluid to reach the substrate S relatively easily. When the radius of the blocking plate 4610 is provided smaller than the substrate S, the supercritical drying process for the substrate S may be effectively performed.

지지대(4620)는 차단 플레이트(4610)를 지지한다. 지지대(4620)는 차단 플레이트(4610)의 후면을 지지한다. 지지대(4620)는 챔버(4100)의 하부벽에 설치되어 수직으로 제공된다. 지지대(4620)와 차단 플레이트(4610)는 별도의 결합 없이 차단 플레이트(4610)의 중력에 의해 지지대(4620)에 놓여지도록 설치될 수 있다.A support 4620 supports the blocking plate 4610. The support 4620 supports the rear surface of the blocking plate 4610. The support 4620 is installed on the lower wall of the chamber 4100 and provided vertically. The support 4620 and the blocking plate 4610 may be installed to be placed on the support 4620 by the gravity of the blocking plate 4610 without a separate coupling.

이와 달리, 지지대(4620)와 차단 플레이트(4610)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합될 수 있다. 또는 지지대(4620)와 차단 플레이트(4610)는 일체로 제공될 수도 있다.Alternatively, the support 4620 and the blocking plate 4610 may be coupled by a coupling means such as a nut or a bolt. Alternatively, the support 4620 and the blocking plate 4610 may be provided integrally.

배기 부재(4700)는 공정 챔버(4000)로부터 초임계 유체를 배기한다. 배기 부재(4700)는 초임계 유체를 배기하는 배기 라인(4750)에 연결될 수 있다. 이때, 배기 부재(4700)에는 배기 라인(4750)으로 배기하는 초임계 유체의 유량을 조절하는 밸브(미도시)가 설치될 수 있다. 배기 라인(4750)을 통해 배기되는 초임계 유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계 유체 재생 시스템(미도시)로 공급될 수 있다. 배기 부재(4700)는 하체(4120)에 결합될 수 있다.The exhaust member 4700 exhausts the supercritical fluid from the process chamber 4000. Exhaust member 4700 may be connected to exhaust line 4750 for exhausting the supercritical fluid. In this case, a valve (not shown) for adjusting the flow rate of the supercritical fluid exhausted to the exhaust line 4750 may be installed in the exhaust member 4700. Supercritical fluid exhausted through exhaust line 4750 may be released into the atmosphere or supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown). The exhaust member 4700 may be coupled to the lower body 4120.

초임계 유체를 통한 기판 처리 공정의 후기에는 공정 챔버(4000)로부터 초임계 유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 감압되어 초임계 유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계 유체는 중력에 의해 하체(4120)에 형성된 배기 부재(4700)를 통해 배출될 수 있다.In the later stage of the substrate processing process through the supercritical fluid, the supercritical fluid may be exhausted from the process chamber 4000, and the internal pressure may be reduced to below the critical pressure to liquefy the supercritical fluid. The liquefied supercritical fluid may be discharged through the exhaust member 4700 formed in the lower body 4120 by gravity.

도 3은 일 실시 예에 따라 기판 세정 조성물을 이용하여 기판을 처리하는 단계를 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a process of treating a substrate using a substrate cleaning composition according to one embodiment.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 세정 조성물은 공정 챔버(4000)에서 기판(S)에 공급될 수 있다. 일 예로, 기판 세정 조성물은 초임계 유체에 혼합된 상태로 기판에 공급될 수 있다(S100). 구체적으로, 초임계 유체 저장부(4560)는 기판 세정 조성물과 초임계 유체가 혼합된 혼합 처리액을 챔버(4100)로 공급할 수 있다.Referring to FIG. 3, the substrate cleaning composition according to the present invention may be supplied to the substrate S in the process chamber 4000. For example, the substrate cleaning composition may be supplied to the substrate while being mixed with the supercritical fluid (S100). In detail, the supercritical fluid storage unit 4560 may supply the mixed treatment liquid in which the substrate cleaning composition and the supercritical fluid are mixed to the chamber 4100.

초임계 유체에 포함된 기판 세정 조성물은 기판(S)과 반응하여 기판(S)에서 파티클을 제거한다. 용매가 알코올로 제공되면, 기판 세정 조성물이 초임계 유체에 용해되는 정도를 향상시킬 수 있다. 기판 세정 조성물이 초임계유체에 용해된 상태로 기판(S)의 상면 주위에 제공되면, 기판 세정 조성물은 좁은 공간에 대한 침투력이 증가된다. 따라서, 기판 세정 조성물은 기판(S)의 표면뿐만 아니라, 기판에 형성된 패턴 사이에 대해서도 세정을 효과적을 수행하게 된다.The substrate cleaning composition contained in the supercritical fluid reacts with the substrate S to remove particles from the substrate S. If the solvent is provided with alcohol, the extent to which the substrate cleaning composition is dissolved in the supercritical fluid can be improved. When the substrate cleaning composition is provided around the upper surface of the substrate S in a state in which it is dissolved in the supercritical fluid, the substrate cleaning composition increases its penetration into a narrow space. Therefore, the substrate cleaning composition effectively performs cleaning not only on the surface of the substrate S but also between patterns formed on the substrate.

그리고 설정 시간이 경과되어 기판(S)의 세정이 이루어 지면 배기 부재(4700)를 통한 배기가 이루어져, 초임계 유체는 기판(S)의 주위에서 제거될 수 있다(S110).When the set time elapses and the substrate S is cleaned, the exhaust gas is exhausted through the exhaust member 4700, and the supercritical fluid may be removed around the substrate S (S110).

처리에 제공되는 기판은 패턴이 형성된 상태로 제공된다. 이와 같은 패턴은 미세한 크기를 가짐에 따라, 기판의 표면에 도포된 처리액이 자연 기화될 때 발생되는 표면 장력에 의해 붕괴되는 현상이 발생될 수 있다. 따라서, 기판이 세정되는 챔버와 건조되는 챔버가 상이한 경우, 기판은 표면이 젖은 상태를 유지하면서 세정이 수행된 챔버에서 건조가 수행되는 챔버로 이동 되어야 한다. 그러나, 기판이 이동되는 과정에서 기판의 표면에 잔류하는 처리액이 기화되면서 기판의 이동 경로에 위치되는 기판 처리 장치의 구성에 악영향을 줄 수 있다.The substrate provided for the processing is provided in a patterned state. As the pattern has a minute size, a phenomenon in which the treatment liquid applied to the surface of the substrate is collapsed by surface tension generated when the process liquid is naturally vaporized may occur. Therefore, when the chamber in which the substrate is cleaned is different from the chamber in which it is dried, the substrate must be moved from the chamber in which the cleaning is performed to the chamber in which the drying is performed while keeping the surface wet. However, as the processing liquid remaining on the surface of the substrate is vaporized in the process of moving the substrate, it may adversely affect the configuration of the substrate processing apparatus positioned in the movement path of the substrate.

본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 세정 조성물을 이용한 기판의 처리는 하나의 공정 챔버(4000)에서 수행되어, 기판은 기판의 세정 및 건조가 완료된 후 공정 챔버(4000)에서 반출된다. 따라서, 세정 과정에 있는 기판이 표면이 젖은 상태로 기판 처리 장치(100)의 일 구성에서 다른 구성에서 이동하여, 기판의 표면에 잔류하는 처리액이 기판 처리 장치(100)의 구성에 영향을 주는 것이 방지된다. 또한, 기판의 표면에 잔류하는 처리액이 기화되면서 발생하는 표면 장력에 의해 패턴이 붕괴되는 것이 방지된다.According to an embodiment of the present invention, the substrate is processed using the substrate cleaning composition in one process chamber 4000, and the substrate is taken out of the process chamber 4000 after the cleaning and drying of the substrate are completed. Therefore, the substrate in the cleaning process is moved from one configuration of the substrate processing apparatus 100 to another in a state where the surface is wet, so that the processing liquid remaining on the surface of the substrate affects the configuration of the substrate processing apparatus 100. Is prevented. In addition, the pattern is prevented from collapsing due to the surface tension generated when the treatment liquid remaining on the surface of the substrate is vaporized.

도 4는 제2 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to a second embodiment.

도 4를 참조하면, 공정 챔버(4000a)는 챔버(4100), 승강 유닛(4200), 지지 유닛(4300), 가열 부재(4400), 유체 공급 유닛(4500), 차단 부재(4600), 배기 부재(4700)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the process chamber 4000a includes a chamber 4100, a lifting unit 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a fluid supply unit 4500, a blocking member 4600, and an exhaust member. (4700).

초임계 유체 저장부(4560)는 초임계 유체 공급부(4561), 세정 조성물 공급부(4562) 및 용매 공급부(4563)에 연결된다. 초임계 유체 제장부(4560)는 초임계 유체와 공정액이 혼합된 상태의 혼합 처리액을 챔버에 공급한다. 공정액은 세정 조성물 또는 용매일 수 있다.The supercritical fluid reservoir 4560 is connected to the supercritical fluid supply 4651, the cleaning composition supply 4456, and the solvent supply 4603. The supercritical fluid storage unit 4560 supplies the mixed treatment liquid in a state where the supercritical fluid and the process liquid are mixed to the chamber. The process solution may be a cleaning composition or a solvent.

초임계 유체 공급부(4561)는 초임계 유체 저장부(4560)로 초임계 유체를 공급한다. 초임계 유체는 이산화 탄소 등일 수 있다. 세정 조성물 공급부(4562)는 초임계 유체 저장부(4560)로 기판 세정 조성물을 공급한다. 용매 공급부(4563)는 초임계 유체 저장부(4560)로 용매를 공급한다. 용매는 알코올일 수 있다. 일 예로, 용매는 이소프로필알코올(isopropyl alcohol), 메탄올, 에탄올 등으로 제공될 수 있다.Supercritical fluid supply 4651 supplies the supercritical fluid to supercritical fluid reservoir 4560. The supercritical fluid can be carbon dioxide and the like. The cleaning composition supply 4456 supplies the substrate cleaning composition to the supercritical fluid reservoir 4560. The solvent supply 4603 supplies the solvent to the supercritical fluid reservoir 4560. The solvent may be an alcohol. For example, the solvent may be provided as isopropyl alcohol, isopropyl alcohol, methanol, ethanol, or the like.

초임계 유체 공급부(4560)는 공급된 유체를 혼합하여 챔버로 공급한다. 초임계 유체 공급부(4560)는 설정 온도 및 설정 압력을 유지하도록 제공되어, 공급된 유체가 기체 상태에서 충분히 혼합된 후 챔버(4100)로 공급되도록 할 수 있다.The supercritical fluid supply 4560 mixes and supplies the supplied fluid to the chamber. The supercritical fluid supply 4560 may be provided to maintain the set temperature and the set pressure so that the supplied fluid is sufficiently mixed in the gaseous state and then supplied to the chamber 4100.

초임계 유체 저장부(4560)를 제외한, 공정 챔버(4000a)의 구성은 도 2의 공정 챔버(4000)와 동일 또는 유사하므로 반복된 설명은 생략한다.Except for the supercritical fluid reservoir 4560, the configuration of the process chamber 4000a is the same as or similar to the process chamber 4000 of FIG. 2, and thus repeated descriptions thereof will be omitted.

도 5는 다른 실시 예에 따른 기판 처리 단계를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a substrate processing step according to another exemplary embodiment.

도 5를 참조하면, 기판 세정 조성물은 초임계 유체에 혼합된 상태로 기판에 공급된다. 초임계 유체 공급부(4561)와 세정 조성물 공급부(4562)는 각각 초임계 유체 저장부(4560)로 초임계 유체 및 기판 세정 조성물을 공급한다. 초임계 유체 저장부(4560)는 초임계 유체와 기판 세정 조성물을 혼합하여 챔버로 공급한다.Referring to FIG. 5, the substrate cleaning composition is supplied to the substrate in a mixed state with the supercritical fluid. Supercritical fluid supply 4651 and cleaning composition supply 4652 supply the supercritical fluid and substrate cleaning composition to supercritical fluid reservoir 4560, respectively. The supercritical fluid reservoir 4560 mixes the supercritical fluid and the substrate cleaning composition and supplies it to the chamber.

초임계 유체에 포함된 기판 세정 조성물은 기판(S)과 반응하여 기판(S)에서 파티클을 제거한다.The substrate cleaning composition contained in the supercritical fluid reacts with the substrate S to remove particles from the substrate S.

설정 시간이 경과되면, 용매는 초임계 유체에 혼합된 상태로 기판에 공급된다.After the set time has elapsed, the solvent is supplied to the substrate mixed with the supercritical fluid.

초임계 유체 공급부(4561)와 용매 공급부(4563)는 각각 초임계 유체 저장부(4560)로 초임계 유체 및 용매를 공급한다. 초임계 유체 저장부(4560)는 초임계 유체와 용매를 혼합하여 챔버(4100)로 공급한다. 초임계 유체와 혼합된 용매가 공급되기에 앞서, 또는 공급되는 과정에서 챔버(4100)는 배기 부재(4700)에 의해 배기되어, 기판 세정 조성물을 챔버에서 배출될 수 있다. 용매는 기판의 주위에 잔류하는 기판 세정 조성물이 효과적으로 제거되도록 할 수 있다. 설정 시간이 경과되면, 초임계 유체와 혼합되어 공급된 용매는 배기 부재(4700)에 의해 배기될 수 있다.Supercritical fluid supply 4651 and solvent supply 4603 supply supercritical fluid and solvent to supercritical fluid reservoir 4560, respectively. The supercritical fluid reservoir 4560 mixes the supercritical fluid and the solvent to supply the chamber 4100. Prior to or during the supply of the solvent mixed with the supercritical fluid, the chamber 4100 may be evacuated by the exhaust member 4700 to discharge the substrate cleaning composition from the chamber. The solvent may allow the substrate cleaning composition remaining around the substrate to be effectively removed. After the set time has elapsed, the solvent supplied with the supercritical fluid may be exhausted by the exhaust member 4700.

도 6은 제3 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.6 is a diagram illustrating a process chamber according to a third embodiment.

도 6을 참조하면, 공정 챔버(4000b)는 챔버(4100), 승강 유닛(4200), 지지 유닛(4300), 가열 부재(4400), 유체 공급 유닛(4500), 차단 부재(4600), 배기 부재(4700)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the process chamber 4000b includes a chamber 4100, a lifting unit 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a fluid supply unit 4500, a blocking member 4600, and an exhaust member. (4700).

배기 부재(4700)에는 순환 라인(4800)이 분지된다. 배기 부재(4700)에는 배기 밸브(4710)가 위치된다. 순환 라인(4800)이 분지되는 지점을 기준으로 챔버(4100)의 반대쪽에 위치될 수 있다. 순환 라인(4800)은 일 단은 배기 부재(4700)에 연결되고, 타단은 공급 라인(4550)에 연결된다. 따라서, 배기 부재(4700)에 의해 배출되는 혼합 처리액은 선택적으로 공급 라인(4550)으로 공급되어, 챔버(4100)로 다시 공급될 수 있다. 순환 라인(4800)에는 순환 밸브(4810)가 위치될 수 있다. A circulation line 4800 is branched to the exhaust member 4700. An exhaust valve 4710 is positioned in the exhaust member 4700. It may be located opposite the chamber 4100 relative to the point where the circulation line 4800 is branched. The circulation line 4800 is connected at one end to the exhaust member 4700 and at the other end to the supply line 4550. Accordingly, the mixed treatment liquid discharged by the exhaust member 4700 may be selectively supplied to the supply line 4550 and supplied to the chamber 4100 again. A circulation valve 4810 may be located in the circulation line 4800.

배기 밸브(4710)가 닫히고 순환 밸브(4810)가 개방되도록 제어되어, 챔버(4100)의 내부로 초임계 유체와 혼합되어 공급된 기판 세정 조성물은 챔버로 다시 공급될 수 있다. 또한, 배기 밸브(4710)가 열리고 순환 밸브(4810)가 닫히도록 제어되어, 챔버(4100)의 내부로 초임계 유체와 혼합되어 공급된 기판 세정 조성물은 배출될 수 있다. 또한, 배기 부재(4700)를 통한 배기가 개시된 후 설정 시간 동안은 초임계 유체와 혼합되어 공급된 기판 세정 조성물은 외부로 배출되고, 이후 순환 배관(4800)을 통해 챔버(4100)로 다시 공급될 수 있다. The exhaust valve 4710 is closed and the circulation valve 4810 is controlled to open, so that the substrate cleaning composition mixed and supplied with the supercritical fluid into the chamber 4100 may be fed back into the chamber. In addition, the exhaust valve 4710 is opened and the circulation valve 4810 is controlled to close, so that the substrate cleaning composition mixed with the supercritical fluid and supplied into the chamber 4100 may be discharged. In addition, during the set time after the exhaust through the exhaust member 4700 is started, the substrate cleaning composition supplied with the supercritical fluid is discharged to the outside and then supplied back to the chamber 4100 through the circulation pipe 4800. Can be.

배기 밸브(4710)가 닫히고 순환 밸브(4810)가 개방되도록 제어되어, 챔버(4100)의 내부로 초임계 유체와 혼합되어 공급된 용매는 챔버(4100)로 다시 공급될 수 있다. 또한, 배기 밸브(4710)가 열리고 순환 밸브(4810)가 닫히도록 제어되어, 챔버(4100)의 내부로 초임계 유체와 혼합되어 공급된 용매는 배출될 수 있다. 또한, 배기 부재(4700)를 통한 배기가 개시된 후 설정 시간 동안은 초임계 유체와 혼합되어 공급된 용매는 외부로 배출되고, 이후 순환 배관(4800)을 통해 챔버(4100)로 다시 공급될 수 있다.The exhaust valve 4710 is closed and the circulation valve 4810 is controlled to open, so that the solvent supplied by mixing with the supercritical fluid into the chamber 4100 may be supplied back to the chamber 4100. In addition, the exhaust valve 4710 is opened and the circulation valve 4810 is controlled to close, so that the solvent mixed with the supercritical fluid supplied into the chamber 4100 may be discharged. In addition, during the set time after the exhaust through the exhaust member 4700 is started, the solvent mixed with the supercritical fluid may be discharged to the outside and then supplied to the chamber 4100 through the circulation pipe 4800. .

도 7은 제4 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating a process chamber according to a fourth embodiment.

도 7을 참조하면, 복수의 상부 유체 공급부(4510)는 챔버(4100)의 상부에 연결되어 챔버(4100)의 내측 공간 상부로 유체를 공급한다.Referring to FIG. 7, the plurality of upper fluid supply units 4510 may be connected to an upper portion of the chamber 4100 to supply fluid to an upper portion of an inner space of the chamber 4100.

상부 유체 공급부(4510)는 상체(4110)에 복수가 제공된다. 상부 유체 공급부(4510)는 기판S)과 마주보는 위치에 서로 설정 간격을 두고 배열된다. 일 예로, 상부 유체 공급부(4510)는 기판(S)의 중앙 상면에 대응되는 위치에 하나가 위치되고, 그 둘레에 복수의 상부 유체 공급부(4510)가 위치될 수 있다. 따라서, 기판(S)으로 공급되는 초임계 유체와 기판 세정 조성물의 혼합 처리액 또는 초임계 유체와 용매의 혼합 처리액은 기판의 전체 영역에 걸쳐 균일하게 공급되어, 세정과 건조, 또는 세정 효율이 향상된다.The upper fluid supply part 4510 is provided in plurality in the upper body 4110. The upper fluid supply part 4510 is arranged at a predetermined interval in a position facing the substrate S. For example, one upper fluid supply part 4510 may be positioned at a position corresponding to the center upper surface of the substrate S, and a plurality of upper fluid supply parts 4510 may be positioned around the upper surface of the substrate S. Referring to FIG. Therefore, the mixed treatment liquid of the supercritical fluid and the substrate cleaning composition or the mixed treatment liquid of the supercritical fluid and the solvent supplied to the substrate S is uniformly supplied over the entire area of the substrate, so that the cleaning and drying or the cleaning efficiency is improved. Is improved.

상부 유체 공급부(4510)를 제외한 공정 챔버(4000c)의 구성은 도 2의 공정 챔버(4000), 도 4의 공정 챔버(4000a) 또는 도 6의 공정 챔버(4000b)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.Since the configuration of the process chamber 4000c except for the upper fluid supply part 4510 is the same as the process chamber 4000 of FIG. 2, the process chamber 4000a of FIG. 4, or the process chamber 4000b of FIG. 6, repeated descriptions thereof are omitted. do.

도 8은 제5 실시 예에 따른 공정 챔버를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating a process chamber according to a fifth embodiment.

도 8을 참조하면, 챔버(4100)의 내측 공간 상부에는 샤워 헤드(4800)가 제공된다. 샤워 헤드(4800)는 기판(S)의 위쪽에 위치되도록 상체(4110)의 저면에 고정될 수 있다. 샤워 헤드(4800)와 상체(4110)의 저면 사이에는 상부 유체 공급부(4510)로 공급된 유체가 임시로 수용될 수 있는 공간이 형성된다. 샤워 헤드(4800)에는 샤워 헤드(4800)와 상체(4110)의 저면 사이의 공간으로 공급된 초임계 유체가 기판 방향으로 공급되는 홀들이 형성된다. 기판(S)으로 공급되는 초임계 유체는 샤워 헤드를 통해 기판(S)의 전체 영역에 걸쳐 균일하게 공급되어, 세정과 건조, 또는 세정 효율이 향상된다.Referring to FIG. 8, a shower head 4800 is provided above an inner space of the chamber 4100. The shower head 4800 may be fixed to the bottom surface of the upper body 4110 so as to be positioned above the substrate S. Between the shower head 4800 and the bottom of the upper body 4110 is formed a space for temporarily receiving the fluid supplied to the upper fluid supply (4510). The shower head 4800 is provided with holes through which the supercritical fluid supplied to the space between the shower head 4800 and the bottom of the upper body 4110 is supplied toward the substrate. The supercritical fluid supplied to the substrate S is uniformly supplied over the entire area of the substrate S through the shower head, thereby improving cleaning and drying or cleaning efficiency.

샤워 헤드(4800)를 제외한 공정 챔버(4000d)의 구성은 도 2의 공정 챔버(4000), 도 4의 공정 챔버(4000a), 도 6의 공정 챔버(4000b) 또는 도 7의 공정 챔버(4000c)와 동일하므로 반복된 설명은 생략한다.The configuration of the process chamber 4000d except for the shower head 4800 may include the process chamber 4000 of FIG. 2, the process chamber 4000a of FIG. 4, the process chamber 4000b of FIG. 6, or the process chamber 4000c of FIG. 7. Repeated description is omitted since it is the same as.

본 발명에 따른 기판 세정 조성물은 불화 수소로 제공될 수 있다. 이때, 불화 수소는 플루오린화 암모늄(NH4F)과 함께 또는 플루오린화 암모늄(NH4F)을 대신하여 기판 세정 조성물에 포함될 수 있다.The substrate cleaning composition according to the present invention may be provided with hydrogen fluoride. At this time, hydrogen fluoride may be included in the substrate cleaning composition together with or instead of ammonium fluoride (NH 4 F).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the above-mentioned contents show preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosures described above, and / or the skill or knowledge in the art. The described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various modifications required in the specific application field and use of the present invention are possible. Thus, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

100: 기판 처리 장치 1000: 인덱스 모듈
2000: 공정 모듈 4000: 공정 챔버
4200: 승강 유닛 4300: 지지 유닛
4400: 가열 부재 4500: 유체 공급 유닛
4600: 차단 부재 4700: 배기 부재100: substrate processing apparatus 1000: index module
2000: process module 4000: process chamber
4200: lifting unit 4300: supporting unit
4400: heating member 4500: fluid supply unit
4600: blocking member 4700: exhaust member

Claims (15)

챔버;
상기 챔버 내측에 위치되어 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 챔버에 연결되는 공급 라인;
상기 공급 라인에 연결되어 초임계 상태의 초임계 유체와 공정액이 혼합된 상태의 혼합 처리액을 공급하는 초임계 유체 저장부; 및
상기 공급 라인과 연결되고, 상기 초임계 유체 저장부로부터 상기 혼합 처리액을 전달받아 상기 챔버 내측으로 상기 혼합 처리액을 공급하는 유체 공급 유닛을 포함하고,
상기 유체 공급 유닛은,
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상부 영역에 상기 혼합 처리액을 공급하는 상부 유체 공급부와;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 하부 영역에 상기 혼합 처리액을 공급하는 하부 유체 공급부를 포함하고,
상기 하부 유체 공급부는 상기 상부 유체 공급부보다 먼저 상기 혼합 처리액을 공급하는 기판 처리 장치.chamber;
A support unit positioned inside the chamber to support a substrate;
A supply line connected to the chamber;
A supercritical fluid storage unit connected to the supply line to supply a mixed treatment solution in a state in which a supercritical fluid and a process solution are mixed in a supercritical state; And
A fluid supply unit connected to the supply line and receiving the mixed treatment liquid from the supercritical fluid storage part and supplying the mixed treatment liquid to the inside of the chamber,
The fluid supply unit,
An upper fluid supply unit supplying the mixed treatment liquid to an upper region of a substrate supported by the support unit;
A lower fluid supply unit supplying the mixed treatment liquid to a lower region of the substrate supported by the support unit,
And the lower fluid supply part supplies the mixed treatment liquid before the upper fluid supply part. 제1항에 있어서,
상기 공정액은 기판 세정 조성물인 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And said process liquid is a substrate cleaning composition. 제2항에 있어서,
상기 기판 세정 조성물은 물(Water) 성분을 포함하지 않는 무수(anhydrous) 조성물로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
And the substrate cleaning composition is provided as an anhydrous composition containing no water component. 제2항에 있어서,
상기 기판 세정 조성물은
불소를 제공하는 식각 화합물과;
상기 식각 화합물을 용해시키는 용매를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The substrate cleaning composition
An etching compound providing fluorine;
Substrate processing apparatus comprising a solvent for dissolving the etching compound. 제1항에 있어서,
상기 공정액은 알코올인 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And said process liquid is an alcohol. 제1항에 있어서,
상기 챔버에 연결되어 상기 챔버를 배기하는 배기 부재; 및
양단이 상기 배기 부재 및 상기 공급 라인에 연결되는 순환 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
An exhaust member connected to the chamber to exhaust the chamber; And
And a circulation line at both ends connected to the exhaust member and the supply line. 제1항에 있어서,
상기 상부 유체 공급부는,
복수로 제공되고, 복수의 상기 상부 유체 공급부들은 상기 챔버의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The upper fluid supply unit,
A plurality of upper fluid supplies are provided in a plurality, the substrate processing apparatus provided on the upper portion of the chamber. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 내측 공간 상부에 위치되는 샤워 헤드를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And a shower head positioned above the inner space of the chamber. 초임계 상태의 초임계 유체와 공정액이 혼합된 상태의 혼합 처리액을 챔버가 가지는 처리 공간에서 지지되는 기판에 공급하여 초임계 상태에서 상기 기판을 처리하는 단계; 및
초임계 상태의 상기 혼합 처리액을 배출하는 단계를 포함하고,
상기 기판을 처리하는 단계에는,
상기 기판의 하부 영역에 상기 혼합 처리액을 공급하고, 이후 상기 기판의 상부 영역에 상기 혼합 처리액을 공급하는 기판 처리 방법.Treating the substrate in a supercritical state by supplying a mixed treatment liquid in a supercritical state mixed with a supercritical fluid and a process solution to a substrate supported in a processing space of a chamber; And
Discharging said mixed treatment liquid in a supercritical state,
In the processing of the substrate,
And supplying the mixed processing liquid to the lower region of the substrate, and then supplying the mixed processing liquid to the upper region of the substrate. 제9항에 있어서,
상기 공정액은 물(Water) 성분을 포함하지 않는 무수(anhydrous) 조성물로 제공되는 기판 세정 조성물인 기판 처리 방법.The method of claim 9,
Wherein said process solution is a substrate cleaning composition provided in an anhydrous composition that does not contain a water component. 제9항에 있어서,
상기 공정액은 불소를 제공하는 식각 화합물과, 상기 식각 화합물을 용해시키는 용매를 포함하는 기판 처리 방법.The method of claim 9,
The process solution includes an etching compound for providing fluorine and a solvent for dissolving the etching compound. 제9항에 있어서,
상기 공정액은 알코올인 기판 처리 방법.The method of claim 9,
And said process liquid is an alcohol. 챔버가 가지는 처리 공간에 지지된 기판으로 유체를 공급하여 기판을 처리하되,
초임계 상태의 초임계 유체와 기판 세정 조성물이 혼합된 유체를 상기 기판에 공급하여 초임계 상태에서 상기 기판을 처리 하는 단계; 및
초임계 상태의 초임계 유체와 용매가 혼합된 유체를 상기 기판에 공급하여 초임계 상태에서 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하고,
상기 유체는 상기 처리 공간에서 상기 기판의 하부 영역에 공급되고, 이후 상기 기판의 상부 영역에 공급되는 기판 처리 방법.Process the substrate by supplying a fluid to the substrate supported in the processing space of the chamber,
Treating the substrate in a supercritical state by supplying a supercritical fluid in a supercritical state and a fluid mixed with the substrate cleaning composition to the substrate; And
Treating the substrate in a supercritical state by supplying a supercritical fluid in a supercritical state and a fluid mixed with a solvent to the substrate,
And the fluid is supplied to the lower region of the substrate in the processing space and then to the upper region of the substrate. 제13항에 있어서,
상기 기판 세정 조성물은 물(Water) 성분을 포함하지 않는 무수(anhydrous) 조성물로 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 13,
And the substrate cleaning composition is provided as an anhydrous composition containing no water component. 제13항에 있어서,
상기 용매는 알코올인 기판 처리 방법.The method of claim 13,
And the solvent is an alcohol.
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