KR102053160B1 - Manufacturing method of carbon mold impregnating silicone - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는, 전자제품의 액정패널로 사용되는 유리를 성형하는 카본금형에 실리콘을 함침시켜 성형제품의 불량을 줄이고 금형의 수명을 연장할 수 있는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법은, 액정패널을 성형하는 상부금형과 하부금형을 챔버 내에서 실리콘 미세입자를 소정 깊이로 내부에 함침함으로써 카본금형의 내구성을 강화할 수 있다. 또한, 실리콘이 카본금형 표면에도 함침됨으로써, 종래에 재사용되는 카본금형이 파손되거나 산화된 표면으로 인해 성형되는 액정패널에 요철 등이 발생하는 것을 방지하는 효과를 가진다.The present invention relates to a method of manufacturing a carbon mold impregnated with silicon, and more particularly, impregnates silicon into a carbon mold for forming glass used as a liquid crystal panel of an electronic product, thereby reducing defects in molded products and extending the life of the mold. It relates to a method for producing a carbon mold impregnated with silicon.
In the method of manufacturing a silicon mold impregnated with silicon according to an embodiment of the present invention, an upper mold and a lower mold for forming a liquid crystal panel may be impregnated with silicon microparticles to a predetermined depth in a chamber to enhance durability of the carbon mold. Can be. In addition, the silicon impregnated on the surface of the carbon mold, thereby preventing the occurrence of unevenness or the like in the liquid crystal panel formed by the damaged or oxidized surface of the carbon mold that is conventionally reused.

Description

실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법{Manufacturing method of carbon mold impregnating silicone}Manufacturing method of carbon mold impregnating silicone

본 발명은 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는, 전자제품의 액정패널로 사용되는 유리를 성형하는 카본금형에 실리콘을 함침시켜 성형제품의 불량을 줄이고 금형의 수명을 연장할 수 있는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a carbon mold impregnated with silicon, and more particularly, impregnates silicon into a carbon mold for forming glass used as a liquid crystal panel of an electronic product, thereby reducing defects in molded products and extending the life of the mold. It relates to a method for producing a carbon mold impregnated with silicon.

전자제품의 액정패널 등과 같이 화면이 표시되기 위한 패널을 제조하기 위한 방식으로 터치식 패널이 등장하면서 합성수지가 아닌 강화유리가 전자제품의 패널로 사용되기 시작하였다.With the advent of touch panels as a method for manufacturing panels for displaying screens, such as liquid crystal panels of electronic products, tempered glass, rather than synthetic resin, has begun to be used as panels for electronic products.

이러한 강화유리로 터치식 패널을 구성함에 있어 평면이 아닌 2.5D 나 3D와 같은 입체식 패널을 구성하기 위한 방법으로, 일반적으로 평면의 유리를 가공, 연마, 화학 처리하여 제조했었다. 관련 기술로는 2009년도에 출원되어 등록된 "터치패널용 강화유리 제조방법"(한국 등록특허공보 제10-0937262호)이 있다.In constructing a touch panel with such tempered glass, a method for constructing a three-dimensional panel such as 2.5D or 3D, rather than a plane, was generally manufactured by processing, polishing, and chemically processing the glass in a plane. Related technologies include "Patent Method for Manufacturing Tempered Glass for Touch Panel," filed and registered in 2009 (Korean Patent Publication No. 10-0937262).

그러나 위와 같은 제조방법은 연마, 절삭 등의 방법을 거치기 때문에 다수의 장비가 요구되고, 또한, 많은 인력이 필요하여 제조원가를 상승시키는 단점이 있었다.However, the manufacturing method as described above requires a large number of equipment because of the grinding, cutting, etc., and also requires a lot of manpower has the disadvantage of increasing the manufacturing cost.

따라서, 근래에는 금형을 이용한 성형장치로 액정패널을 제조하는 방식이 사용되고 있다. 즉, 액정패널 성형장치는, 서로 형합된 하부금형 및 상부금형을 가열하는 챔버가 마련되어 있고, 또한, 챔버를 경유한 하부금형 및 상부금형을 냉각시키는 냉각부가 마련되어 있다. 그리고 상기 챔버의 내부에는 상부금형의 윗면을 가압하여 상부금형과 하부금형 간의 밀착력을 유지시켜주는 가압부가 마련되어 있다. Therefore, in recent years, a method of manufacturing a liquid crystal panel using a molding apparatus using a mold has been used. That is, the liquid crystal panel molding apparatus is provided with a chamber for heating the lower mold and the upper mold matched with each other, and a cooling unit for cooling the lower mold and the upper mold via the chamber. And the inside of the chamber is provided with a pressing portion for maintaining the adhesion between the upper mold and the lower mold by pressing the upper surface of the upper mold.

위와 같은 성형장치를 이용한 액정패널 제조방식은, 하부금형이 컨베이어를 따라 챔버가 배치된 영역으로 이송되기 전에, 상부금형을 하부금형에 삽입시키는 작업과정이 요구되는바, 이와 같은 작업과정은 작업자에 의해 수작업으로 이루어지는 경우가 일반적이다.In the liquid crystal panel manufacturing method using the above molding apparatus, the lower mold is required to insert the upper mold into the lower mold before the lower mold is transferred to the area where the chamber is disposed along the conveyor. It is common to carry out by hand.

따라서, 상부금형과 하부금형은, 카본으로 제작되는 경우가 일반적이기 때문에, 정확하게 밀착되지 않으면 외부충격에 의해 쉽게 파손되어 재사용되지 못하는 경우가 발생된다.Therefore, since the upper mold and the lower mold are generally made of carbon, when the upper mold and the lower mold are not closely adhered to each other, the upper mold and the lower mold are easily broken by external impact and thus cannot be reused.

특히, 가열과 냉각을 반복하며 재사용되는 카본금형이 상부금형과 하부금형 사이에서 가압되어 성형되는 액정패널과 접촉할 때 카본금형의 손상이나 산화에 의해 액정패널에 요철현상이 생겨 불량률이 높아지는 문제점이 발생한다. In particular, when the carbon mold to be reused by repeated heating and cooling is pressed between the upper mold and the lower mold and contacts the liquid crystal panel to be formed, irregularities occur in the liquid crystal panel due to damage or oxidation of the carbon mold. Occurs.

따라서, 본 출원인은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명을 제안하게 되었으며, 이와 관련된 선행기술문헌으로는, 대한민국 공개특허 제10-2006-0108107호의 '평판형 유리 성형 장치'가 있다.Therefore, the present applicant has been proposed the present invention to solve the above problems, the related prior art literature, there is a 'flat glass molding apparatus' of the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2006-0108107.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 액정패널을 성형하는 카본금형을 실리콘으로 함침함으로써 카본금형의 수명을 연장하고 성형되는 액정패널의 불량률을 감소시키는 방법을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method of extending the life of a carbon mold and reducing the defective rate of the liquid crystal panel formed by impregnating the carbon mold for forming the liquid crystal panel with silicon.

본 발명은, 금형 및 실리콘 파쇄물 적재단계; 와, 가열로 진공상태 형성단계; 와, 승온 및 유지단계; 및 최종온도 승온 및 유지단계를 포함하여 구성되는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법을 제시한다.The present invention, the mold and silicon crushed matter loading step; And, forming the vacuum state in the heating furnace; And, raising and maintaining step; And it proposes a method of producing a carbon-impregnated carbon mold comprising a final temperature rising and holding step.

또한, 상기 승온 및 유지단계는 T1 승온 및 유지단계를 포함하여 구성되며, 상기 T1 승온 및 유지단계는 50 내지 70분 가열로를 가열하여 T1 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물이 가열됨에 따라 실리콘 미세입자로 가열로 내에 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 T1 온도에서 비산된 실리콘 미세입자로 인한 내압을 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자가 카본금형의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 함침함으로써 이루어지며, 상기 T1 은 350 내지 450도를 유지함으로써 이루어지는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법을 제시한다.In addition, the temperature rising and holding step is configured to include a T 1 temperature rise and the maintenance phase, wherein T 1 temperature rise and hold stage silicon debris after the linearly heated up to T 1 temperature by heating to 50 to 70 minutes the heating is As the silicon microparticles are heated, they are scattered in the furnace by the silicon microparticles and the internal pressure of the silicon microparticles is maintained by the silicon microparticles scattered at the T 1 temperature for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes. It is made by impregnating into the interior voids, and T 1 proposes a method for producing a carbon mold impregnated with silicon, which is maintained by maintaining 350 to 450 degrees.

또한, 상기 T1 승온 및 유지단계 이후에는 T2 승온 및 유지단계를 더 포함하여 구성될 수 있고, 상기 T2 승온 및 유지단계 이후에는 T3 승온 및 유지단계를 더 포함하여 구성되는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법을 제시한다.Also, the T 1 heating and retention step after that T 2 temperature increase and has the holding step may be configured to further include the T 2 temperature rising and holding step after that impregnated with silicon which further comprises a T 3 temperature raising and holding step A method of producing a carbon mold is presented.

본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법은, 액정패널을 성형하는 상부금형과 하부금형을 챔버 내에서 실리콘 미세입자를 소정 깊이로 내부에 함침함으로써 카본금형의 내구성을 강화할 수 있다. In the method of manufacturing a silicon mold impregnated with silicon according to an embodiment of the present invention, an upper mold and a lower mold for forming a liquid crystal panel may be impregnated with silicon microparticles to a predetermined depth in a chamber to enhance durability of the carbon mold. Can be.

또한, 실리콘이 카본금형 표면에도 함침됨으로써, 종래에 재사용되는 카본금형이 파손되거나 산화된 표면으로 인해 성형되는 액정패널에 요철 등이 발생하는 것을 방지하는 효과를 가진다.In addition, the silicon impregnated on the surface of the carbon mold, thereby preventing the occurrence of unevenness or the like in the liquid crystal panel formed by the damaged or oxidized surface of the carbon mold that is conventionally reused.

도 1은 본 발명의 일 실시례에 따른 순서도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 승온 및 유지 조건을 도시한 도표.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 진공상태의 초기상태를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 승온상태를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 최종 온도상태를 도시한 도면.1 is a flow chart according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating a temperature raising and holding condition according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing an initial state of the vacuum state according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing an intermediate elevated state according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing a final temperature state according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings.

그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims.

이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘을 함침한 탄소금형의 제조방법이 상세하게 설명된다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략된다.Hereinafter, a method of manufacturing a carbon mold impregnated with silicon according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5. In describing the present invention, specific descriptions of related well-known functions or configurations are omitted in order not to obscure the subject matter of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘을 함침한 탄소금형의 제조방법의 순서도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 승온 및 유지 조건을 도시한 도표이다.1 is a flow chart of a method for manufacturing a carbon mold impregnated with silicon according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a diagram showing the temperature rising and holding conditions according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘을 함침한 탄소금형의 제조방법은, 금형 및 실리콘 파쇄물 적재단계(S10); 와, 가열로 진공상태 형성단계(S20); 와, 승온 및 유지단계(S30 내지 S50); 및 최종온도 승온 및 유지단계(S60)를 포함하여 구성된다. As shown in Figure 1 and 2, the method of manufacturing a carbon mold impregnated with silicon according to an embodiment of the present invention, the mold and silicon crushed matter loading step (S10); And, the vacuum furnace forming step (S20); And, the temperature rising and holding step (S30 to S50); And a final temperature raising and maintaining step (S60).

상기 금형 및 실리콘 파쇄물 적재단계(S10)는 가열로(100) 내에 구비되는 카본 받침대(110) 상에 형성된 카본 금형 지지구(120)에 액정패널을 성형하는 카본금형(140)을 안치하고, 상기 카본 받침대(110)의 상단면에 금속상 실리콘의 파쇄물 또는 분쇄물(130)을 적재함으로써 이루어진다.The mold and silicon shredding step (S10) is placed in the carbon mold 140 for forming a liquid crystal panel in the carbon mold support 120 formed on the carbon pedestal 110 provided in the heating furnace 100, The upper surface of the carbon pedestal 110 is made by loading the shredded or pulverized material 130 of the metallic silicon.

상기 카본 금형 지지구(120)는 카본금형(140)을 안치함에 있어 그 접촉면을 최소화하기 위해 하단부에서 상부로 갈수록 그 지름이 줄어들도록 형성함이 바람직하다.The carbon mold support 120 is preferably formed to reduce the diameter from the lower end to the upper side in order to minimize the contact surface in the carbon mold 140 is placed.

또한, 상기 액정패널을 성형하는 카본금형(140)은 그 금형을 구성하는 각 상부 및 하부를 별개로 안치하여 실리콘을 함침함이 바람직하다.In addition, the carbon mold 140 for forming the liquid crystal panel is preferably impregnated with silicon by separately placing the upper and lower portions constituting the mold.

한편, 상기 가열로 진공상태 형성단계(S20)는 상기한 금형 및 실리콘 파쇄물 적재단계(S10)를 거친 후에 진공펌프 등과 같은 공지된 장치를 통해 가열로(100)내의 공기를 제거하여 진공상태를 형성한다. 이는 가열 과정에서 카본금형이 일정 온도 이상에서 산화됨을 방지하기 위함이다. 도 3에 도시한 바와 같이 가열로 진공상태 형성단계(S20)에서는 카본 받침대(110) 상에 형성된 카본 금형 지지구(120)에 액정패널을 성형하는 카본금형(140)을 안치하고, 상기 카본 받침대(110)의 상단면에 금속상 실리콘의 파쇄물 또는 분쇄물(130)을 적재한 상태에서 진공상태만을 형성한 상태이며, 가열로(100)를 승온하지 않은 상태를 유지한다.On the other hand, the heating furnace vacuum state forming step (S20) is a vacuum state by removing the air in the heating furnace 100 through a known device such as a vacuum pump after the above-described mold and silicon crushed matter loading step (S10). do. This is to prevent the carbon mold from being oxidized at a predetermined temperature or more during the heating process. As shown in FIG. 3, in the heating furnace vacuum state forming step (S20), the carbon mold 140 for forming the liquid crystal panel is placed in the carbon mold support 120 formed on the carbon pedestal 110. Only the vacuum state is formed in the state in which the crushed or pulverized substance 130 of metallic silicon is loaded on the upper surface of the 110, and the heating furnace 100 is not heated.

한편, 상기 승온 및 유지단계(S30 내지 S50)는 T1 승온 및 유지단계(S30)를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 T1 승온 및 유지단계(S30) 이후에는 T2 승온 및 유지단계(S40)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 또한, 상기 T2 승온 및 유지단계(S40) 이후에는 T3 승온 및 유지단계(S50)를 더 포함하여 구성될 수 있다. On the other hand, the temperature raising and maintaining step (S30 to S50) is made to include a T 1 temperature raising and holding step (S30). In addition, after the T 1 temperature raising and maintaining step (S30) may be configured to further include a T 2 temperature raising and maintaining step (S40). In addition, after the T 2 temperature raising and maintaining step (S40) it may be configured to further include a T 3 temperature raising and maintaining step (S50).

도 2 및 도 4를 참조하여 설명하면, 상기 T1 승온 및 유지단계(S30)는 50 내지 70분 가열로를 가열하여 T1 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물(130)이 가열됨에 따라 실리콘 미세입자(131)로 가열로 내에 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 T1 온도에서 비산된 실리콘 미세입자로 인한 내압을 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자(131)가 카본금형(140)의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 함침함으로써 이루어지며, 상기 T1 은 350 내지 450도를 유지함이 바람직하다. 상기 내압은 가열로(100)의 승온 조건에 따라 달라질 수 있으며, 가열 온도가 높을수록 비산되는 실리콘 미세입자의 밀도 중가에 따라 내압도 증가함이 일반적이다. 또한, 상기 T2 승온 및 유지단계(S40) 및 T3 승온 및 유지단계(S50)는 각각 50 내지 70분 가열로를 가열하여 T2 및 T3 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물(130)이 가열됨에 따라 실리콘 미세입자(131)로 가열로 내에 반복하여 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 T2 및 T3 온도를 유지함으로 상기 실리콘 미세입자(131)가 카본금형(140)의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 반복하여 함침함으로써 이루어지며, 상기 T2는 750 내지 850도를 유지하고, 상기 T3는 1150 내지 1250도를 유지함이 바람직하다.Referring to FIGS. 2 and 4, the temperature raising and maintaining step S 1 (S30) is performed by heating the heating furnace for 50 to 70 minutes to linearly increase the temperature to T 1 temperature, and as the silicon crushed material 130 is heated. The silicon microparticles 131 are dispersed in a furnace by the silicon microparticles 131 and maintain the internal pressure due to the silicon microparticles scattered at the T 1 temperature for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes. It is made by impregnating into the surface of the surface and the void inside the surface, it is preferable that the T 1 is maintained at 350 to 450 degrees. The internal pressure may vary depending on the heating conditions of the heating furnace 100, and as the heating temperature increases, the internal pressure also increases according to the weighting of the density of the silicon microparticles scattered. In addition, the T 2 temperature increase and maintenance step (S40) and T 3 The heating and maintaining step (S50) is a 50 to 70 minutes heating the furnace by linearly raising the temperature to T 2 and T 3 temperature, and then as the silicon crushed material 130 is heated in the furnace with silicon microparticles 131 By repeatedly scattering and maintaining the T 2 and T 3 temperature for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes by repeatedly impregnating the silicon microparticles 131 into the surface of the carbon mold 140 and the voids in the surface thereof. T2 is maintained at 750 to 850 degrees, T 3 is preferably maintained at 1150 to 1250 degrees.

상기 승온 및 유지단계(S30 내지 S50)에서 승온온도를 T1에서 T3까지 순차적으로 승온함으로써 급격한 온도 상승에 따른 카본금형(140)의 파손을 방지함과 동시에 카본금형(140)에 실리콘 미세입자를 순차적으로 반복하여 함침시킴으로써 보다 치밀한 함침 결과를 얻을 수 있다.By sequentially raising the temperature rising temperature from T 1 to T 3 in the temperature raising and holding step (S30 to S50) to prevent the breakage of the carbon mold 140 due to the rapid temperature rise and at the same time silicon fine particles in the carbon mold 140 By impregnating sequentially and repeatedly, more dense impregnation results can be obtained.

상기 최종온도 승온 및 유지단계(S60)는 도 2 및 도 5에서 보는 바와 같이 50 내지 70분 가열로를 가열하여 1600 내지 1700도 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물(130)을 최종적으로 가열하여 실리콘 미세입자(131)를 가열로 내에 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 최종온도에서 비산된 실리콘 미세입자로 인한 내압을 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자(131)가 카본금형(140)의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 최종적으로 함침함으로써 이루어진다. The final temperature raising and maintaining step (S60) is a 50 to 70 minutes heating furnace as shown in Figures 2 and 5 after the linear temperature rise to a temperature of 1600 to 1700 degrees and finally heat the silicon crushed material (130) The silicon microparticles 131 are dispersed in a heating furnace and the internal pressure of the silicon microparticles 131 is maintained in the carbon mold 140 by maintaining the internal pressure due to the silicon microparticles scattered at the final temperature for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes. By impregnation into the surface of the surface and voids in the surface.

또한, 상기 카본금형(140)의 표면 내부의 공극으로 최종적으로 함침하는 실리콘 미세입자(131)는 0.5 내지 1mm 깊이로 함침되며, 이는 승온 및 유지단계의 시간을 조절함으로써 변경될 수 있다. 통상적으로 승온온도가 높고 유지시간이 길어질수록 함침 깊이는 길어진다.In addition, the silicon fine particles 131 finally impregnated into the voids inside the surface of the carbon mold 140 is impregnated to a depth of 0.5 to 1mm, which can be changed by adjusting the time of the temperature rising and holding step. In general, the higher the elevated temperature and the longer the retention time, the longer the impregnation depth.

한편, 필요에 따라 상기 최종온도 승온 및 유지단계(S60); 이후에는 선형적 냉각단계(S70)를 더 포함하여 구성될 수 있다.On the other hand, the final temperature rising and holding step (S60) as needed; After that, it may be configured to further include a linear cooling step (S70).

도 2에서 보는 바와 같이, 상기 선형적 냉각단계(S70)는 상기 최종온도 승온 및 유지단계(S60)를 거친 후 21 내지 26 시간에 걸쳐 선형적으로 감온하여 카본금형(140)을 냉각함으로써 함침된 실리콘 미세입자(131)를 고결함으로써 이루어진다. As shown in Figure 2, the linear cooling step (S70) is impregnated by cooling the carbon mold 140 by linearly reducing the temperature over 21 to 26 hours after the final temperature rising and holding step (S60). It is made by solidifying the silicon microparticles 131.

지금까지 본 발명에 따른 구체적인 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.While specific embodiments of the present invention have been described so far, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허 청구의 범위뿐 아니라 이 특허 청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by the equivalents of those claims.

100 : 가열로 110 : 카본 받침대
120 : 카본금형 지지구 130 : 실리콘 파쇄물
131 : 실리콘 미세입자 140 : 카본금형100: heating furnace 110: carbon support
120: carbon mold support 130: silicon crushed material
131: silicon fine particles 140: carbon mold

Claims (7)

실리콘을 이용하는 카본금형의 제조방법에 있어서,
금형 및 실리콘 파쇄물 적재단계; 와, 가열로 진공상태 형성단계; 와, 승온 및 유지단계; 및 최종온도 승온 및 유지단계를 포함하여 구성되고,
상기 승온 및 유지단계는 T1 승온 및 유지단계를 포함하여 구성되며, 상기 T1 승온 및 유지단계는 50 내지 70분 가열로를 가열하여 T1 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물이 가열됨에 따라 실리콘 미세입자로 가열로 내에 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 T1 온도에서 비산된 실리콘 미세입자로 인한 내압을 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자가 카본금형의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 함침함으로써 이루어지며, 상기 T1 은 350 내지 450도를 유지함으로써 이루어지는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법.In the method of manufacturing a carbon mold using silicon,
Mold and silicon shredding step; And, forming the vacuum state in the heating furnace; And, raising and maintaining step; And a final temperature raising and maintaining step,
The temperature raising and holding step comprises a T 1 temperature raising and holding step, the T 1 temperature raising and maintaining step is heated to 50 to 70 minutes by heating the linear temperature to the T 1 temperature after the silicon crushed material is heated Accordingly, the silicon microparticles were dispersed in the furnace with silicon microparticles and maintained at the internal pressure due to the silicon microparticles scattered at the temperature T 1 for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes. It is made by impregnating into voids, wherein T 1 is a method of producing a carbon mold impregnated with silicon is maintained by maintaining 350 to 450 degrees. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 T1 승온 및 유지단계 이후에는 T2 승온 및 유지단계를 더 포함하여 구성되며, 상기 T2 승온 및 유지단계는 50 내지 70분 가열로를 가열하여 T2 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물(130)이 가열됨에 따라 실리콘 미세입자로 가열로 내에 반복하여 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 T2 온도를 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자가 카본금형의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 반복하여 함침함으로써 이루어지며, 상기 T2 는 750 내지 850도를 유지함으로써 이루어지는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법.The method of claim 1,
The T 1 heating and retention step after that is configured to further include a T 2 heating and retention step, the T 2 temperature rising and holding step is silicon then the linearly raised to T 2 temperature by heating to 50 to 70 minutes heating As the crushed material 130 is heated, the silicon fine particles are repeatedly scattered in the heating furnace with the silicon fine particles and the T 2 temperature is maintained for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes. It is made by repeatedly impregnating into the voids, the T 2 is a method of producing a silicon-impregnated carbon mold made by maintaining 750 to 850 degrees. 제 4항에 있어서,
상기 T2 승온 및 유지단계 이후에는 T3 승온 및 유지단계를 더 포함하여 구성되며, 상기 T3 승온 및 유지단계는 50 내지 70분 가열로를 가열하여 T3 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물이 가열됨에 따라 실리콘 미세입자로 가열로 내에 반복하여 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 T3 온도를 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자(131)가 카본금형의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 반복하여 함침함으로써 이루어지며, 상기 T3는 1150 내지 1250도를 유지함으로써 이루어지는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법.The method of claim 4, wherein
The T 2 temperature rising and holding step after that is configured to further include a T 3 heating and retention step, the T 3 temperature raising and holding step is silicon then the linearly raised to T 3 temperature by heating to 50 to 70 minutes heating As the crushed material is heated, the silicon fine particles are repeatedly scattered in the heating furnace and the T 3 temperature is maintained for 1 hour 30 minutes to 2 hours 30 minutes. It is made by repeatedly impregnating into the voids, the T 3 is a method for producing a silicon-impregnated carbon mold made by maintaining 1150 to 1250 degrees. 제 1항에 있어서,
상기 최종온도 승온 및 유지단계는 50 내지 70분 가열로를 가열하여 1600 내지 1700도 온도로 선형적 승온을 한 후 실리콘 파쇄물을 최종적으로 가열하여 실리콘 미세입자를 가열로 내에 비산시키고 1시간 30분 내지 2시간 30분 동안 상기 최종온도에서 비산된 실리콘 미세입자로 인한 내압을 유지함으로써 상기 실리콘 미세입자가 카본금형의 표면 및 그 표면 내부의 공극으로 최종적으로 함침함으로써 이루어지는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법.The method of claim 1,
The temperature raising and maintaining step of the final temperature is heated to 50 to 70 minutes heating furnace to linearly increase the temperature to 1600 to 1700 degrees and then finally heated the silicon shredded to scatter the silicon microparticles in the heating furnace 1 to 30 minutes Method for producing a carbon mold impregnated with silicon, which is obtained by finally impregnating the silicon microparticles with the surface of the carbon mold and the voids inside the surface by maintaining the internal pressure due to the silicon microparticles scattered at the final temperature for 2 hours 30 minutes. . 제 1항 또는 제 6항에 있어서,
상기 최종온도 승온 및 유지단계 이후에는 선형적 냉각단계를 더 포함하여 구성되며, 상기 선형적 냉각단계는 상기 최종온도 승온 및 유지단계를 거친 후 21 내지 26 시간에 걸쳐 선형적으로 감온하여 카본금형을 냉각함으로써 함침된 실리콘 미세입자를 고결함으로써 이루어지는 실리콘을 함침한 카본금형의 제조방법.

The method according to claim 1 or 6,
After the final temperature raising and maintaining step is further configured to include a linear cooling step, the linear cooling step is linearly reduced over 21 to 26 hours after the final temperature rising and holding step to form a carbon mold A method for producing a carbon mold impregnated with silicon, which is obtained by solidifying silicon fine particles impregnated by cooling.

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520436B1 (en) 2003-01-30 2005-10-11 한국과학기술원 Method for Making Oxidation Protective Double Coating for Carbon/Carbon Composite
US20050257568A1 (en) 2004-05-21 2005-11-24 Taft Terry L Near net-shape high temperature free flow mold and method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451207B1 (en) * 2012-11-27 2014-10-15 주식회사 티씨케이 Forming mold for glass and menufacturing method thereof
KR101718412B1 (en) * 2015-04-07 2017-03-27 (주)제너코트 Thin-film coating apparatus and coating method for graphite surface treatment

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520436B1 (en) 2003-01-30 2005-10-11 한국과학기술원 Method for Making Oxidation Protective Double Coating for Carbon/Carbon Composite
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