KR102049342B1 - 수퍼루미네센트 다이오드 및 그의 구현 방법 - Google Patents

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Abstract

수퍼루미네센트 다이오드 및 그의 구현 방법이 개시되어 있다. 파장 가변 레이저의 SLD(superluminescent diode)를 구현하는 방법은 SI(semi-insulating) 기판의 상단에 제1 에피층을 성장시키는 단계, 상기 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키는 단계, 상기 재성장된 butt 층에 테이퍼된 SSC(spot size converter)를 형성하는 단계, 상기 제1 에피층을 기반으로 한 활성 영역 및 상기 테이퍼된 SSC를 기반으로 한 SSC 영역에 광 도파로를 형성하는 단계, 상기 광도파로 상에 RWG 도파로(rigid waveguide) 도파로를 형성하는 단계, 및 p-형 전극 및 n-형 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

수퍼루미네센트 다이오드 및 그의 구현 방법 {SUPERLUMINESCENT DIODE AND METHOD FOR IMPLEMENTING THE SAME}
본 발명은 광 통신에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 파장 가변 레이저의 광원인 수퍼루미네센트 다이오드 및 그의 구현 방법에 관한 것이다.
경제적인 WDM(wavelength division multiplexing) 가입자망 시스템을 구현하기 위해서는 안정적이고 경제적인 광원의 개발이 필수적이다. 특히, WDM 가입자망 시스템은 가입자마다 특정 파장이 지정되어 통신이 이루어지기 때문에 지정된 파장에 무관하게 가입자마다 동일한 광원을 제공할 수 있는 파장 독립적(wavelength-independent) 광원에 대한 연구가 이루어져야 한다.
이러한 무색(colorless) 광원 연구의 일환으로 최근 WL FP-LD(wavelength-locked Febry-Perot Laser Diode), RSOA(reflective semiconductor optical amplifier), PLC(planar lightwave circuit)-ECL(external cavity laser)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
광 통신용 발광 소자로 이용되는 레이저 다이오드 중 FP-LD(Febry-Perot Laser Diode)는 제작이 쉽고 가격이 저렴하여 많이 이용된다. 하지만 FP-LD는 복수개의 종 모드가 발생하여 장거리 전송이나 WDM 전송에 적용하기가 어렵다. 그 대안으로 선 폭이 좁고 단일 모드 특성이 안정적으로 출력되는 DFB-LD(Distributed Feed Back-Laser Diode)가 있으나 제작 공정이 까다롭고 가격이 비싼 문제점이 있다.
이에 대한 대안으로 여러 가지 형태의 외부 공진기 레이저(External Cavity Laser)가 제안되었다. 외부 공진기 레이저는 다중 모드로 발진하는 FP-LD의 종 모드와 외부 공진기의 모드가 중첩되어 단일 모드로 발진하는 특징을 가지고 있으며 기존 DFB-LD(Distributed Feed Back type-Laser Diode)보다 뛰어난 파장 선택성과 온도 안정성을 나타낸다. 그러나 대부분의 외부 공진기 레이저 구조가 광섬유 브라그 격자 등을 사용하여 구조가 복잡하거나 제작 시 높은 정밀도를 필요로 하여 저가격 상용 제품에 적용하기가 쉽지 않다는 문제점이 있다.
본 발명의 제1 목적은 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)를 구현하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)를 구현하는 방법은, SI(semi-insulating) 기판의 상단에 제1 에피층을 성장시키는 단계, 상기 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키는 단계, 상기 재성장된 butt 층에 테이퍼된 SSC(spot size converter)를 형성하는 단계, 상기 제1 에피층을 기반으로 한 활성 영역 및 상기 테이퍼된 SSC를 기반으로 한 SSC 영역에 광 도파로를 형성하는 단계, 상기 광 도파로 상에 RWG 도파로(rigid waveguide)를 형성하는 단계, 및 p-형 전극 및 n-형 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 에피층은 n-InP 버퍼층, InGaAsP 수동 도파로층, n-InP 하단 클래드층, 다중양자 우물 활성층 및 p-InP 상단 클래드층을 순차적으로 적층하여 생성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키는 단계는, 상기 p-InP 상단 클래드층의 상단에 SiNx 박막을 증착하는 단계, 상기 SiNx 박막, 상기 p-InP 상단 클래드층 및 상기 다중양자 우물 활성층을 에칭하는 단계, 상기 에칭된 영역에 InGaAsP 도파로층을 형성하는 단계 및 상기 InGaAsP 도파로층 상에 p-InP 층을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 재성장된 butt 층에 테이퍼된 SSC를 형성하는 단계는, 상기 InGaAsP 도파로층과 상기 p-InP층을 부분적으로 에칭하는 단계 및 상기 p-InP층의 상단에 테이퍼된 SSC를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 에피층 및 상기 SSC를 기반으로 광 도파로를 형성하는 단계는, 에칭되지 않은 상기 SiNx 박막, 상기 p-InP 상단 클래드층, 상기 다중양자 우물 활성층을 포함하는 상기 활성 영역 및 상기 SSC 영역을 부분적으로 상기 n-InP 버퍼층 이전까지 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광 도파로 상에 RWG 도파로를 형성하는 단계는, 상기 광 도파로의 좌우에 전류 차단층을 적층하는 단계, 상기 광도파로 및 전류 차단층 상단에 클래드층을 적층하는 단계, 상기 클래드층 상단에 오믹층을 적층하는 단계 및 상기 전류 차단층, 상기 클래드층 및 상기 오믹층을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 활성 영역 및 상기 SSC 영역은 PBH(planar buried heterostructure) 구조로 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 SSC 영역은 5 내지 15 도로 구부러지도록 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 RWG 도파로는 9 내지 11㎛의 너비를 가지도록 구현될 수 있다.
일 실시예에서, 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)를 구현하는 방법은 광신호의 굴절률을 조절하기 위해 상기 SSC 영역에 추가적인 전극인 위상 제어 영역의 p형 전극을 구현하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)는 SI(semi-insulating) 기판의 상단에 형성된 제1 에피층, 상기 제1 에피층을 기반으로 성장된 butt, 상기 butt 층에 형성된 테이퍼된 SSC(spot size converter), 상기 제1 에피층을 기반으로 한 활성 영역 및 상기 테이퍼된 SSC를 기반으로 한 SSC 영역을 기반으로 형성된 광 도파로, 상기 광 도파로 상에 형성된 RWG 도파로(rigid waveguide), 상기 RWG 도파로의 상부에 형성된 p-형 전극 및 상기 RWG 도파로 영역의 옆부분에 형성된 n-형 전극을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1 에피층은 상기 SI 기판 상단으로부터 순차적으로 적층되는 n-InP 버퍼층, InGaAsP 수동 도파로층, n-InP 하단 클래드층, 다중양자 우물 활성층 및 p-InP 상단 클래드층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 butt 층은 상기 p-InP 상단 클래드층 및 상기 다중양자 우물 활성층이 식각된 영역 상에 형성되고, 상기 butt 층은, 상기 식각된 영역의 n-InP 하단 클래드층 상에 형성된 InGaAsP 도파로층 및 상기 InGaAsP 도파로층 상에 형성된 p-InP 층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 RWG 도파로는, 상기 광 도파로의 좌우에 형성된 전류 차단층, 상기 광 도파로 및 상기 전류 차단층 상단에 형성된 클래드층, 및 상기 클래드층 상에 형성된 오믹층을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 RWG 도파로는 9 내지 11㎛의 너비를 가질 수 있다.
일 실시예에서, SLD는 광신호의 굴절률을 조절하기 위한 추가적인 전극인, 위상 제어 영역의 p형 전극을 상기 SSC 영역 상에 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 수퍼루미네센트 다이오드를 구현하는 방법을 사용하는 경우, 10G bps 이상 동작이 가능한 PBH-SLD 구조를 광원으로 사용한 PLC-ECL를 제작하여 광출력 특성이 우수하고 10Gbps 급으로 동작하는 파장 가변 외부 공진 레이저를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 제작하는 방법을 나타낸 개념도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 나타낸 개념도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 SLD의 활성 영역에 대한 단면도를 나타낸 개념도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 SSC 영역의 단면을 나타낸 개념도이다,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 위상제어 영역이 추가된 SLD를 나타낸 개념도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 기반으로 외부 공진 레이저를 나타낸 개념도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 기반으로 외부 공진 레이저를 나타낸 개념도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어"있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어"있다거나 "직접 접속되어"있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이하, 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
광 통신을 위한 무색(colorless) 광원 연구의 일환으로 최근 WL FP-LD(wavelength-locked Fabry-Perot laser diode), RSOA(reflective semiconductor optical amplifier), PLC(planar lightwave circuit)-ECL(external cavity laser) 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이중 FP-LD와 RSOA를 이용한 리모듈레이션(re-modulation) 구조는 주입되는 광원의 특성에 의해 좌우될 뿐만 아니라 직접 변조가 가능한 데이터 레이트가 1.25Gbps로 제한된다는 단점을 가지고 있다. 이러한 점에서 궁극적인 WDM 광 가입자 망의 광원으로는 경제적이면서 2.5Gbps 이상의 직접 변조가 가능한 PLC-ECL가 많이 사용되고 있다. PLC-ECL은 실리콘 기판 위에 형성된 실리카 및 폴리머 도파로에 그레이팅(grating)을 형성하고 광원인 반도체 레이저가 하이브리드(hybrid) 집적되는 구조를 가질 수 있다.
PLC-ECL의 광원인 반도체 레이저는 출사면의 반사도가 0.1% 이하로 발진을 하지 않아야 하며, 저전류 동작에서 높은 출력을 가지는 소자여야만 한다. 따라서 이러한 조건을 만족하는 광원으로는 FP-LD와 SLD(superluminescent diode)가 있을 수 있다. 이중 일반적으로는 넓은 대역폭을 가지는 SLD가 주로 PLC-ECL의 광원으로 사용되고 있다.
일반적인 SLD는 출사 단면의 반사도를 줄이기 위해 활성층이나 광 도파로를 5~15도 사이의 각도로 기울여서 제작된다. 활성층이나 광 도파로를 5~15도 각도로 기울이는 경우, 출사 단면의 반사도는 줄일 수 있으나 임계 전류의 증가 및 동작 전류의 증가로 인해 WDM-PON 용 광원으로 사용하기에는 적합하지 않을 수 있다. 따라서 이러한 부적합성을 극복하고자 SLD를 무반사 및 고반사 코팅된 FP-LD 정도의 특성을 가지는 광원이 되도록 하기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 실시예에서는 성능을 개선한 SLD 및 개선된 SLD를 광원으로 사용하여 구현된 PLC-ECL에 대해 게시한다. 이하, 본 발명의 실시예에서는 PLC 기반의 외부 공진기(external cavity)에 결합되는 광원인 SLD(superluminescent diode)를 구현하는 방법에 대해 게시한다. 본 발명의 파장 가변 레이저는 10Gbps 이상의 동작이 가능하도록 구현된 SLD를 사용하여 10Gbps 이상의 동작 속도를 가질 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 SLD는 설명의 편의상 우수한 FFP(far field pattern) 특성을 가질 뿐만 아니라 저전류에서 동작이 가능한 Si-InP 기판을 사용하는 구조를 사용하는 것을 가정하여 설명한다. 하지만, 본 발명의 실시예에 따른 SLD는 Si-InP 기판을 사용하는 구조뿐만 아니라 RWG(ridge waveguide) 구조, Fe-doping된 전류 차단층을 사용하는 구조 등으로 구현될 수도 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 제작하는 방법을 나타낸 개념도이다.
도 1을 참조하면, 제1 에피층을 성장시킨다(단계 S110).
SLD를 제작하기 위해서는 제1 에피층를 성장시킬 수 있다. 제1 에피층은 SI 기판(11)의 상단에 n-InP 버퍼층(12), InGaAsP 수동 도파로층(13), n-InP 하단 클래드층(14), 다중양자 우물 활성층(15), p-InP 상단 클래드층(16)을 순차적으로 성장시킬 수 있다.
Butt 층을 재성장한다(단계 S120).
단계 S120에서는 butt층을 재성장 성장시킬 수 있다. 우선, p-InP 상단 클래드층(16)의 상단에 SiNx 박막(17)을 증착할 수 있다. 증착된 SiNx 박막 중 일부의 영역에 위치한 SiNx 박막(17)을 제외하고, 나머지 영역에 위치한 증착된 SiNx 박막은 에칭할 수 있다. 에칭이 되지 않는 일부의 영역은 후술할 활성 영역에 해당하고 에칭이 되는 일부의 영역은 후술할 SSC 영역에 해당할 수 있다.
또한, 에칭된 SiNx 박막 하단의 p-InP 층(16), 다중양자 우물 활성층(15)도 추가적으로 에칭할 수 있다. 이렇게 SiNx 박막(17), p-InP 층(16), 다중양자 우물 활성층(15)의 일부 영역을 에칭한 후 에칭된 영역의 상단에 InGaAsP 도파로층(18)과 p-InP 층(19)를 성장시킬 수 있다. InGaAsP 도파로층(18)과 p-InP 층(19)을 butt 재성장층이라고 표현할 수 있다.
SSC(spot size converter)를 형성한다(단계 S130).
단계 S130에서는 단계 S120에서 게시한 butt 재성장층에 SSC(20)을 형성할 수 있다. butt 재성장층은 SSC 영역을 만들기 위해 에칭될 수 있다. SSC가 형성될 수 있도록 n-InP 하단 클래드층(14), InGaAsP 도파로층(18)과 p-InP 층(19)의 일부를 에칭할 수 있다. butt 재성장층에 1.5 ㎛에서 0.2 ㎛ 이하로 테이퍼(taper)되도록 SSC(20)를 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 광 도파로를 형성한다(단계 S140).
단계 S140에서는 활성 영역과 SSC 영역에 광 도파로층(21)을 형성하기 위해광 도파로층 이외의 부분을 선택적으로 식각하여 광 도파로층(21)을 형성할 수 있다. 활성 영역은 단계 S120에서 SiNx 박막(17), p-InP 층(16), 다중양자 우물 활성층(15)이 에칭되지 않은 영역일 수 있다. SSC 영역은 SSC가 형성된 영역일 수 있다. 광 도파로층(21)을 형성 한 후 도파하는 광의 결합 효율을 높이기 위해 수동 도파로 층(13)을 선택 식각 방법으로 에칭한다. 수동 도파로층의 폭은 2~9㎛ 로 형성할 수 있다. 수동 도파로층(13)의 폭에 따라 SLD의 원시 야상 (FFP : far field pattern) 이 달라 질 수 있다. 상기 층의 폭은 SLD의 형태에 따라 수동 도파로층(13)폭을 달라 질 수 있다.
광 도파로는 활성 영역과 SSC 영역에서 형성될 수 있다. 광 도파로는, 예를 들어 1~1.5㎛의 폭으로 생성될 수 있다. 활성 영역에 위치한 광도파로를 활성 영역 광 도파로, SSC 영역에 위치한 광 도파로를 SSC 영역 광도파로라고 구분될 수 있다.
전류 차단층을 적층한 후, 클래드층 및 오믹층을 순서대로 적층한 후 RWG 도파로를 형성한다(단계 S150).
단계 S140을 기반으로 형성된 광 도파로의 상단에 전류 차단 층인 p-InP 전류 차단층(22)과 n-InP 전류 차단층(23)을 형성시킬 수 있다. 다음으로 p-InP 클래드층(24)와 p+-InGaAs 오믹층(25)을 성장시킬 수 있다. 이 후 단계 S150과 같이 RWG 도파로를 구현하기 위해 에칭할 수 있다.
폴리이미드를 형성하고 p-전극 및 n-전극 형성한다(단계 S160).
폴리이미드(26)을 활성 영역의 RWG 도파로 한쪽면에 적층한 후 폴리이미드(26)의 상층에 SiNx(27) 박막을 형성할 수 있다. 오믹층(25)의 상단에는 p-전극(28)이 형성될 수 있다. 또한, RWG의 옆에 위치한 n-InP 버퍼층(12)의 상단에 n-전극(29)을 형성할 수 있다.
단계 S110 내지 단계 S160의 과정을 통해 10Gbps 이상의 동작 속도를 가지는 SLD가 제작될 수 있다.
위의 단계는 간략하게 설명하면, 파장 가변 레이저의 SLD는 SI(semi-insulating) 기판의 상단에 제1 에피층을 성장시키는 단계, 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키고 테이퍼된 SSC(spot size converter)를 형성하는 단계, 제1 에피층을 기반으로 한 활성 영역 및 상기 테이퍼된 SSC를 기반으로 한 SSC 영역에 광 도파로 및 RWG 도파로(rigid waveguide)를 형성하는 단계와 p-형 전극 및 n-형 전극을 형성하는 단계를 통해 구현될 수 있다.
위의 단계에서 제1 에피층은 n-InP 버퍼층, InGaAsP 수동 도파로층, n-InP 하단 클래드층, 다중양자 우물 활성층, p-InP 상단 클래드층을 순차적으로 적층하여 생성될 수 있다. 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키고 테이퍼된 SSC(spot size converter)를 형성하는 단계는 p-InP 상단 클래드층의 상단에 SiNx 박막을 증착하고 SiNx 박막, p-InP 상단 클래드층, 다중양자 우물 활성층을 에칭하고, 에칭된 영역에 InGaAsP 도파로층과 p-InP 층을 성장시키는 단계와 InGaAsP 도파로층과 p-InP층을 부분적으로 에칭하고 p-InP층의 상단에 테이퍼된 SSC를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 제1 에피층 및 SSC를 기반으로 광 도파로 및 RWG 도파로(rigid waveguide)를 형성하는 단계는 SiNx 박막, p-InP 상단 클래드층, 다중양자 우물 활성층이 에칭되지 않은 활성 영역 및 SSC 영역을 부분적으로 n-InP 버퍼층 이전까지 에칭하여 광 도파로를 형성하는 단계와 광 도파로의 상단에 전류 차단층, 클래드층 및 오믹층을 적층하고 상기 RWG(rigid waveguide) 도파로를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 5에서는 도 1 및 도 2에서 게시된 방법을 기반으로 제작된 SLD에 대해 구체적으로 게시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 나타낸 개념도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 SLD는 기판으로 SI(semi-insulating) 기판(11)을 사용할 수 있다. 또한 SLD의 활성 영역 및 SSC 영역은 PBH(planar buried heterostructure) 구조로 구현될 수 있다. 활성 영역은 다중 양자 우물 활성층이 존재하는 영역을 지시할 수 있다. SSC 영역은 SSC를 단일 집적하여 구현된 영역을 지시할 수 있다. SSC는 전술한 바와 같이 InGaAsP 도파로층과 p-InP 층를 성장시켜 구현할 수 있다. 활성 영역과 SSC 영역은 광 도파로를 구현할 수 있다. 활성 영역에 위치한 광도파로를 활성 영역 광 도파로, SSC 영역에 위치한 광 도파로를 SSC 영역 광도파로라고 구분할 수 있다.
광 도파로의 좌우에 전류 차단층(22, 23), 상단에 클래드 층(24) 및 오믹층(25)을 적층한 후에 활성 영역과 SSC 영역 영역을 포함하는 RWG 도파로가 약 10㎛의 너비로 형성될 수 있다.
RWG 도파로는 기생 용량을 줄이기 위해 광 도파로로 사용되는 영역을 제외한 부분을 에칭하여 구현될 수 있다. 또한, 전극 형성을 위해 RWG 도파로 한쪽 영역에 폴리이미드(26)가 형성될 수 있고, 폴리이미드의 상층에는 SiNx 층(27) 및 p-전극(28)이 형성될 수 있다. 또한, 광 도파로를 생성하기 위해 에칭된 n-InP 버퍼층(12)의 상단에는 n-전극(29)이 형성될 수 있다. 또한 SSC 영역의 RWG 도파로는 출사 계면에서 반사를 줄이기 위해 7~15도 굽어져 있는 구조로 구현될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 SLD의 활성 영역에 대한 단면도를 나타낸 개념도이다.
도 4를 참조하면, 활성 영역은 전술한 바와 같이 PBH 구조로 구현될 수 있다. 또한 활성 영역은 기생 용량을 줄이기 위해 다중양자 우물 활성층(15)을 포함하는 하는 일정 너비의 활성 영역 광 도파로를 제외하고 나머지 부분은 에칭할 수 있다. 활성 영역 광 도파로에 대한 에칭은 n-InP 버퍼 층(12)까지 수행될 수 있다.
에칭을 수행하여 활성 영역 광 도파로를 형성한 후 전류 차단층(22, 23), 클래드 층(24) 및 오믹층(25)을 적층하여 RWG 도파로를 형성할 수 있다. 활성 영역 광 도파로의 상단의 일정한 너비에 RWG 도파로가 형성되도록 에칭할 수 있다.
N-전극(29)는 광 도파로를 생성하기 위해 에칭된 버퍼층(12)의 상단에 형성될 수 있으며, 오믹층(25)의 상단에는 p-전극(28)이 형성될 수 있다. 또한, 폴리이미드(26)는 RWG 도파로의 한쪽 면에 적층될 수 있으며 폴리이미드(26)의 상층에 SiNx(27) 박막이 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 SSC 영역의 단면을 나타낸 개념도이다.
도 5를 참조하면, SSC 영역은 활성층 영역과 마찬가지로 PBH 구조로 구현될 수 있다. SSC 영역은 광 도파로를 제외하고 나머지 부분은 에칭되어 구현될 수 있다. 전술한 바와 같이 SSC 영역은 적층된 p-InP 층(16), 다중양자 우물 활성층(15)의 일부 영역을 에칭한 후 에칭된 영역의 상단에 InGaAsP 도파로층(18)과 p-InP 층(19)를 성장시킨 후 상단에 SSC를 형성하여 구현될 수 있다. SSC가 형성되는 영역을 제외한 영역은 n-InP 버퍼 층(12)까지 에칭할 수 있다.
SSC 영역 광 도파로를 형성한 후, 전류 차단층(22, 23)을 형성하고 난 후, 클래드 층(24) 및 오믹층(25)을 순차적으로 적층하여 RWG 도파로를 형성할 수 있다. SSC 영역 광 도파로의 상단의 일정한 너비에 RWG 도파로가 형성되도록 에칭할 수 있다. SSC 영역에는 폴리이미드가 적층되지 않을 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 위상제어 영역이 추가된 SLD를 나타낸 개념도이다.
도 6에서는 미세 굴절율 가변을 위해 SLD를 2개의 영역으로 구분하여 하나의 영역을 위상 제어를 위한 영역으로 사용하는 방법에 대해 게시한다.
도 6을 참조하면, SLD는 SSC 영역에 추가적인 전극인 위상 제어 영역의 P형 전극(30)을 구현하여 위상 제어 영역의 P형 전극(30)에 주입되는 전류에 의해 광 신호의 굴절율을 조절하도록 구현될 수 있다. 즉, SLD의 SSC 영역은 위상 제어 영역으로 사용될 수 있다. 위상 제어 영역은 후술할 외부 공진 레이저의 폴리머도파로 영역(51)에 위치할 수도 있다. 하지만, 위상 제어 영역을 SLD에 두는 경우, 파장 조절을 좀더 용이하게 수행할 수 있다. 구체적으로 SLD의 도파로 굴절율은 약 3.2의 값을 가지고 이러한 SLD의 도파로 굴절률은 폴리머도파로의 굴절율인 1.3보다 2배 이상 높다. 따라서, 위상 제어 영역이 SSC 영역에 위치한 경우, 적은 전류를 입력하여도 굴절율 변화를 크게 가지고 올 수 있어 파장 조절이 용이할 수 있다.
SLD(61) 소자의 활성층의 구조를 변경하는 경우, WDM(Wavelength Division Multiplexing)-PON(passive optical network)의 재변조(re-modulation) 시스템의 ONU(optical network unit) 광원인 반사형 광 증폭기(reflective semiconductor optical amplifier: R-SOA)에도 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 SLD는 Buried Deep ridge 형태의 SSC가 집적된 SLD 구조로 구현될 수도 있다. 또한, 수동 웨이브가이드 코어(passive waveguide core)가 활성층 및 도파로 아래에 있는 구조, SSC 아래에 수동 웨이브가이드 코어가 2~9㎛ 정도 형성되어 있는 구조, 기생 용량을 줄이기 위해 폴리이미드 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene, BCB)을 RWG 외각에 형성시키는 구조로 구현될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 기반으로 외부 공진 레이저를 나타낸 개념도이다.
도 7을 참조하면, SLD부(61)과 폴리머 소자부(71)가 집적되어 외부 공진 레이저(100)가 구현될 수 있다.
SLD부(61)는 고반사 코팅면(31), 무반사 코팅면(32), SLD영역의 열전냉각기(TEC)(33)를 포함할 수 있다.
폴리머 소자부(71)은 활성층의 RWG 구조(51), 폴리머 그레이팅 영역(52), 폴리머 그레이팅 영역의 전극(53), 무반사 코팅층(54), 폴리머 grating 영역의 열전냉각기(TEC)(55), 광섬유 고정 블록(56), 광섬유(57)를 포함할 수 있다.
광원인 SLD부(61)의 뒤 계면은 고반사 코팅면(51)로 구현될 수 있고, 앞 계면은 무반사 코팅면(52)으로 구현될 수 있다. SLD부(61)에 전류를 주입하면 활성 영역에서 광 신호가 발생할 수 있다. 활성 영역에서 발생된 광 신호는 활성층 영역의 뒤 계면에서 고반사가 일어난 후, 무반사 코팅된 앞 계면을 통해서 폴리머 소자부(71)의 도파로(51)에 주입될 수 있다. 폴리머 소자의 도파로(51)로 주입된 광 신호는 폴리머 도파로(51)에 형성된 브래그 그레이팅(Bragg grating)(52)으로 전달될 수 있다. 브래그 그레이팅(52)에 전달된 광 신호 중 브래그 그레이팅(52)의 반사 주기에 일치하는 파장에 해당하는 광 신호는 SLD(61)의 활성 영역으로 되돌아 갈 수 있다.
SLD의 고반사 막과 브래그 그레이팅(52) 간의 공진현상에 의해 해당 광 신호가 일정한 이득 이상이 되면 발진을 할 수 있다. 활성 영역과 브래그 그레이팅(52) 간의 광신호의 송신 및 수신 현상이 반복되어 해당 광 신호가 일정한 이득 이상이 되면 발진을 할 수 있다. 발진된 광 신호는 광 섬유(57)을 통해 전달될 수 있다. 즉, SLD부(51)의 고반사 코팅된 뒤 계면과 폴리머 도파로에 형성된 브래그 그레이팅(52)의 일정 부분이 공진기를 형성함으로써 외부 공진 레이저가 구현될 수 있다.
발진된 파장의 광신호에 대한 온도 안정화를 위해 SLD부(61)에는 열전 냉각기(TEC, 33)가 구현될 수 있다. 폴리머 소자부(71)는 실리카 서브 마운터 위에 부착될 수 있다. SLD부(61)의 출력 부분은 폴리머 소자부(71)와의 반사를 줄이기 위해 약 7~15도 정도 틸트(tilt)되어 형성될 수 있다. SLD부(61)의 출력 부분의 틸트에 대응해서 폴리머 소자도 약 25~45도 정도 틸트되어 형성될 수 있다.
폴리머 소자부(71)의 도파로(51)의 유효 굴절율은 1.39이고, 유효 굴절율의 차이는 0.019일 수 있다. 폴리머의 열-광학(thermo-optic) 계수는 2.636×10-4/℃이다. 폴리머 물질의 특성은 다른 물질에 비해 열-광학 계수가 크기 때문에 주입 전력에 비해 굴절율의 가변 특성이 크다는 특징을 가지고 있다. 따라서, 폴리머 도파로(51)에 브래그 그래팅을 형성하면 반사 피크(peak)의 변화가 크기 때문에 파장 가변이 가능할 수 있다. 폴리머 소자부(71) 부분의 정확한 온도 제어를 위해 열전 냉각기(55)를 부착할 수 있다. 또한 폴리머 소자부(71)의 끝 단에 무반사 코팅층(54)을 구현하여 폴리머 외부로의 광손실을 줄일 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 SLD를 기반으로 외부 공진 레이저를 나타낸 개념도이다.
도 8에서는 위상 제어 영역(30)이 추가된 SLD와 집적된 외부 공진 레이저(100)가 게시된다. 위상 제어 영역(30)이 추가되는 경우, 보다 정밀한 파장 제어가 가능한 구조도이다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
11. Semi-insulating 기판 12. n-InP 버퍼 층
13. 수동 도파로 층 14. n-InP 아래 클래드층
15. 활성층 16. p-InP 위 클래드층
17. SiNx 박막 18. Butt coupling 층
19. p-InP 클래드층 20. SSC 층
21. 광 도파로 층 22. p-InP 전류차단층
23. n-InP 전류차단층 24. p-InP 클래드층
25. p+-InGaAs 오믹 층 26. 폴리이미드 층
27. SiNx 층 28. P 형 전극
29. n형 전극 30. 위상제어영역의 P형 전극
31. 고반사 코팅 면 32. 무반사 코팅 면
33. SLD영역의 열전냉각기(TEC) 51. 폴리머 도파로층
52. 폴리머 grating 의 영역 53. 폴리머 grating 영역의 전극
54. 무반사 코팅층
55. 폴리머 grating영역의 열전냉각기 (TEC)
56. 광섬유 고정 블록 57. 광섬유
61. SLD 소자 71. 폴리머 grating 소자 영역
100. 외부 공진 레이저 부분

Claims (16)

  1. 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)를 구현하는 방법에 있어서,
    SI(semi-insulating) 기판의 상단에 제1 에피층을 성장시키는 단계;
    상기 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키는 단계;
    상기 재성장된 butt 층에 테이퍼된 SSC(spot size converter)를 형성하는 단계;
    상기 제1 에피층을 기반으로 한 활성 영역 및 상기 테이퍼된 SSC를 기반으로 한 SSC 영역에 광 도파로를 형성하는 단계;
    상기 광 도파로 상에 RWG 도파로(rigid waveguide)를 형성하는 단계;
    상기 활성 영역 상에서 상기 RWG 도파로의 일 측면에 폴리이미드를 형성하는 단계; 및
    p-형 전극 및 n-형 전극을 형성하는 단계를 포함하는, SLD 구현 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 에피층은 n-InP 버퍼층, InGaAsP 수동 도파로층, n-InP 하단 클래드층, 다중양자 우물 활성층 및 p-InP 상단 클래드층을 순차적으로 적층하여 생성되는,
    SLD 구현 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 에피층을 기반으로 butt를 재성장 시키는 단계는,
    상기 p-InP 상단 클래드층의 상단에 SiNx 박막을 증착하는 단계;
    상기 SiNx 박막, 상기 p-InP 상단 클래드층 및 상기 다중양자 우물 활성층을 에칭하는 단계;
    상기 에칭된 영역에 InGaAsP 도파로층을 형성하는 단계; 및
    상기 InGaAsP 도파로층 상에 p-InP 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 재성장된 butt 층에 테이퍼된 SSC를 형성하는 단계는,
    상기 InGaAsP 도파로층과 상기 p-InP층을 부분적으로 에칭하는 단계; 및
    상기 p-InP층의 상단에 상기 테이퍼된 SSC를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 에피층 및 상기 SSC를 기반으로 광 도파로를 형성하는 단계는,
    에칭되지 않은 상기 SiNx 박막, 상기 p-InP 상단 클래드층, 상기 다중양자 우물 활성층을 포함하는 상기 활성 영역 및 상기 SSC 영역을 부분적으로 상기 n-InP 버퍼층 이전까지 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광 도파로 상에 RWG 도파로를 형성하는 단계는,
    상기 광 도파로의 좌우에 전류 차단층을 적층하는 단계;
    상기 광 도파로 및 상기 전류 차단층 상단에 클래드층을 적층하는 단계;
    상기 클래드층 상단에 오믹층을 적층하는 단계; 및
    상기 전류 차단층, 상기 클래드층 및 상기 오믹층을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 활성 영역 및 상기 SSC 영역은 PBH(planar buried heterostructure) 구조로 구현되는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 SSC 영역은 5 내지 15 도로 구부러지도록 구현되는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 RWG 도파로는 9 내지 11㎛의 너비를 가지도록 구현되는 것을 특징으로 하는,
    SLD 구현 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    광신호의 굴절률을 조절하기 위해 상기 SSC 영역에 추가적인 전극인 위상 제어 영역의 p형 전극을 구현하는 단계를 더 포함하는,
    SLD 구현 방법.
  11. 파장 가변 레이저의 광원인 SLD(superluminescent diode)로서,
    SI(semi-insulating) 기판의 상단에 형성된 제1 에피층;
    상기 제1 에피층의 적어도 일부를 기반으로 성장된 butt 층;
    상기 butt 층에 형성되는 테이퍼된 SSC(spot size converter);
    상기 제1 에피층을 기반으로 한 활성 영역 및 상기 테이퍼된 SSC를 기반으로 한 SSC 영역 상에 형성된 광 도파로;
    상기 광 도파로 상에 형성된 RWG 도파로(rigid waveguide);
    상기 활성 영역 상에서 상기 RWG 도파로의 일 측면에 형성된 폴리이미드;
    상기 RWG 도파로의 상부에 형성된 p-형 전극; 및
    상기 RWG 도파로 영역의 옆부분에 형성된 n-형 전극을 포함하는 SLD.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 에피층은 상기 SI 기판 상단으로부터 순차적으로 적층되는 n-InP 버퍼층, InGaAsP 수동 도파로층, n-InP 하단 클래드층, 다중양자 우물 활성층 및 p-InP 상단 클래드층을 포함하는 것을 특징으로 하는, SLD.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 butt 층은 상기 p-InP 상단 클래드층 및 상기 다중양자 우물 활성층이 식각된 영역 상에 형성되고,
    상기 butt 층은,
    상기 식각된 영역의 n-InP 하단 클래드층 상에 형성된 InGaAsP 도파로층; 및
    상기 InGaAsP 도파로층 상에 형성된 p-InP 층을 포함하는 것을 특징으로 하는, SLD.
  14. 제12항에 있어서, 상기 RWG 도파로는,
    상기 광 도파로의 좌우에 형성된 전류 차단층;
    상기 광 도파로 및 상기 전류 차단층 상단에 형성된 클래드층; 및
    상기 클래드층 상에 형성된 오믹층을 포함하는 것을 특징으로 하는, SLD.
  15. 제11항에 있어서, 상기 RWG 도파로는 9 내지 11㎛의 너비를 가지는 것을 특징으로 하는, SLD.
  16. 제11항에 있어서,
    광신호의 굴절률을 조절하기 위한 추가적인 전극인, 위상 제어 영역의 p형 전극을 상기 SSC 영역 상에 더 포함하는, SLD.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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