KR102046446B1 - 화소, 화소의 구동 방법 및 화소를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

화소, 화소의 구동 방법 및 화소를 포함하는 표시 장치 Download PDF

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Abstract

화소는 유기발광 다이오드, 주사 신호에 대응하여 데이터 신호를 스위칭 하는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 상기 데이터 신호를 전달받아 상기 유기발광 다이오드에 공급될 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 주사 신호의 직전 주사 신호에 따라 초기화 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 전달하는 제1 트랜지스터, 및 상기 주사 신호에 따라 상기 초기화 전압을 상기 유기발광 다이오드의 애노드에 전달하는 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 직전 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 주사 신호의 인에이블 기간이 중첩하는 기간이 존재한다.

Description

화소, 화소의 구동 방법 및 화소를 포함하는 표시 장치{PIXEL, DRIVING METHOD OF THE PIXEL, AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE PIXEL}
명세서에서 도면 및 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 기초로 설명되는 실시 예는 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다. 특히 실시 예는 유기발광 다이오드를 발광 소자로 포함하는 화소, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 복수의 화소를 포함하고, 화소는 유기발광 다이오드와 유기발광 다이오드를 발광시키는 구동 전류를 생성 및 제어하는 구동 회로를 포함할 수 있다.
구동 회로는 적어도 2개의 트랜지스터와 하나의 용량성 소자를 포함하는데, 직전 프레임에서 구동 회로에 기입된 전압에 의해 다음 프레임에 기입되는 전압이 영향을 받는 히스테리시스가 발생할 수 있다.
그러면, 히스테리시스 현상에 의해 블랙 계조(직전 프레임)에서 화이트 계조(현재 프레임)로 변할 때의 화소 휘도와 화이트 계조(직전 프레임)에서 화이트 계조(현재 프레임)로 변할 때의 화소 휘도가 달라지는 문제점이 발생한다. 즉, 계조 변화에 대한 화소 휘도의 응답 속도 저하가 발생하고, text scroll에서 끌림 현상 또는 그림자 효과가 발생하는 문제점이 발생한다.
실시 예는 히스테리시스를 최소화할 수 있는 화소, 화소의 구동 방법 및 화소를 포함하는 표시 장치를 제공하고자 한다.
실시 예에 따른 화소는, 유기발광 다이오드, 주사 신호에 대응하여 데이터 신호를 스위칭 하는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 상기 데이터 신호를 전달받아 상기 유기발광 다이오드에 공급될 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 주사 신호의 직전 주사 신호에 따라 초기화 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 전달하는 제1 트랜지스터, 및 상기 주사 신호에 따라 상기 초기화 전압을 상기 유기발광 다이오드의 애노드에 전달하는 제2 트랜지스터를 포함하고, 상기 직전 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 주사 신호의 인에이블 기간이 중첩하는 기간이 존재한다.
상기 화소는, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 양단 및 상기 주사 신호에 따라 스위칭 동작하는 제3 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 커패시터를 더 포함한다.
상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 및 상기 제3 트랜지스터의 게이트는 상기 주사 신호에 연결되어 있고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 데이터 신호가 전달되는 데이터 선에 연결되어 있으며, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단과 상기 구동 트랜지스터의 소스가 연결되어 있다.
상기 화소는, 상기 유기발광 다이오드의 애노드와 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 소스와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터를 더 포함한다.
상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 상기 주사 신호에 연결되어 있고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 데이터 신호가 전달되는 데이터 선에 연결되어 있으며, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단과 상기 구동 트랜지스터의 소스가 연결되어 있다.
상기 제4 트랜지스터 게이트 및 제5 트랜지스터의 게이트는 발광 제어선에 연결되어 있고, 상기 발광 제어선을 통해 발광 신호가 전달되며, 상기 발광 신호의 디스에이블 기간은, 상기 직전 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 주사 신호의 인에이블 기간을 포함한다.
실시 예에 따른 표시 장치는, 복수의 데이터 선, 복수의 주사선, 복수의 발광 제어선, 및 상기 복수의 데이터 선 중 대응하는 데이터 선, 상기 복수의 주사선 중 대응하는 두 개의 주사 선, 및 상기 복수의 발광 제어선 중 대응하는 발광 제어선에 연결되어 있는 화소를 복수개 포함한다.
상기 화소는, 유기발광 다이오드, 상기 대응하는 두 개의 주사 선 중 제1 주사선에 연결되어 있는 게이트 및 상기 대응하는 데이터 선에 연결되어 있는 일단을 포함하는 스위칭 트랜지스터, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단에 연결되어 있는 소스를 포함하고, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 공급되는 데이터 신호에 따라 상기 유기발광 다이오드에 공급될 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터, 상기 대응하는 두 개의 주사 선 중 제2 주사선에 연결되어 있는 게이트, 초기화 전압에 연결되어 있는 일단, 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는 제1 트랜지스터, 및 상기 제1 주사선에 연결되어 있는 게이트, 상기 초기화 전압에 연결되어 있는 일단, 및 상기 유기발광 다이오드의 애노드에 연결되어 있는 타단을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함한다. 상기 제1 주사선을 통해 전달되는 제1 주사 신호의 제1 인에이블 기간과 상기 제2 주사선을 통해 전달되는 제2 주사 신호의 제2 인에이블 기간이 중첩하는 기간이 존재한다.
상기 제1 인에이블 기간과 상기 제2 인에이블 기간이 일부 중첩한다.
상기 제1 인에이블 기간은 연속하는 제3 및 제4 인에이블 기간을 포함하고, 상기 제2 인에이블 기간은 연속하는 제5 및 제6 인에이블 기간을 포함한다. 상기 제3 인에이블 기간과 상기 제6 인에이블 기간이 동일할 수 있다. 또는, 상기 제3 인에이블 기간과 상기 제6 인에이블 기간이 일부 중첩할 수 있다.
상기 화소는, 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 양단 및 상기 제1 주사선에 연결되어 있는 게이트를 포함하는 제3 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 커패시터를 더 포함한다.
상기 화소는, 상기 유기발광 다이오드의 애노드와 상기 구동 트랜지스터의 드레인 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 및 상기 구동 트랜지스터의 소스와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터를 더 포함한다.
상기 제4 트랜지스터 게이트 및 제5 트랜지스터의 게이트는 발광 제어선에 연결되어 있고, 상기 발광 제어선을 통해 발광 신호가 전달되며, 상기 발광 신호의 디스에이블 기간은, 상기 제1 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 제2 주사 신호의 인에이블 기간을 포함한다.
실시 예에 따른 유기발광 다이오드를 발광시키는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소의 구동 방법은, 제1 주사 신호에 의해 제1 트랜지스터가 턴 온 되는 단계; 제2 주사 신호에 의해 스위칭 트랜지스터가 턴 온 되는 단계; 상기 제2 주사 신호에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에연결되어 있는 제3 트랜지스터가 턴 온 되는 단계; 및 상기 제1 트랜지스터와 상기 스위칭 트랜지스터가 동시에 턴 온 되는 기간 동안 상기 스위칭 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 및 상기 제1 트랜지스터를 포함하는 경로를 통해 상기 구동 트랜지스터가 온-바이어스 되는 단계를 포함한다.
상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호보다 먼저 인에이블 될 수 있다.
상기 화소의 구동 방법은, 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 제2 트랜지스터가 턴 온 되어 있는 기간 동안 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 데이터 전압에서 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 차감된 전압이 기입되는 단계를 더 포함한다.
상기 화소의 구동 방법은, 상기 구동 트랜지스터와 상기 유기발광 다이오드 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터가 발광 신호에 의해 턴 온 되는 단계를 더 포함하고, 상기 발광 신호는 상기 제1 주사 신호 및 상기 제2 주사 신호의 인에이블 기간 동안 디스에이블 된다.
상기 화소의 구동 방법은, 상기 구동 트랜지스터와 전원 전압 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터가 상기 발광 신호에 의해 턴 온 되는 단계를 더 포함한다.
실시 예를 통해 히스테리시스를 최소화할 수 있는 화소, 화소의 구동 방법 및 화소를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 화소를 나타낸 도면이다.
도 3은 실시 예에 따른 두 주사 신호 및 발광 신호를 나타낸 파형도이다.
도 4는 수직 방향으로 배열된 두 화소를 나타낸 도면이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 주사 신호의 파형을 나타낸 도면이다.
도 6은 또 다른 실시 예에 따른 주사 신호의 파형을 나타낸 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1)는 주사 구동 회로(100), 데이터 구동 회로(200), 발광 구동 회로(300), 복수의 주사선(S0-Sn), 복수의 발광 제어선(E1-En), 복수의 데이터 선(D1-Dm), 및 복수의 화소(PX)를 포함한다.
복수의 주사선(S0-Sn)은 수직방향으로 배열되어 있고, 복수의 주사선(S0-Sn)각각은 수평방향으로 연장되어 형성되어 있다. 복수의 발광 제어선(E1-En)도 수직방향으로 배열되어 있고, 복수의 발광 제어선(E1-En) 각각은 수평방향으로 연장되어 형성되어 있다. 복수의 데이터 선(D1-Dm)은 수평방향으로 배열되어 있고, 복수의 데이터 선(D1-Dm) 각각은 수직 방향으로 형성되어 있다.
복수의 화소(PX) 각각은 복수의 주사선(S0-Sn) 중 대응하는 두 개의 주사선, 복수의 발광 제어선(E1-En) 중 대응하는 발광 제어선, 및 복수의 데이터 선(D1-Dm)중 대응하는 데이터 선에 연결되어 있다.
주사 구동 회로(100)는 복수의 주사선(S0-Sn)에 복수의 주사 신호(S[0]-S[n])을 공급하고, 발광 구동 회로(300)는 복수의 발광 제어선(E1-En)에 복수의 발광 신호(EM[1]-EM[n])를 공급한다. 데이터 구동 회로(200)는 입력되는 영상 데이터에 따라 복수의 데이터 신호(예를 들어, 데이터 전압)를 생성하여 복수의 데이터 선(D1-Dm)에 공급한다.
화소(PX)는 대응하는 두 개의 주사선 중 어느 하나를 통해 공급되는 주사 신호에 따라 초기화 되고, 다른 하나를 통해 공급되는 주사 신호에 동기되어 대응하는 데이터 선으로부터 데이터 신호를 입력받는다. 화소(PX)에 데이터 신호가 기입되고, 기입된 데이터 신호에 따른 구동 전류는 대응하는 발광 신호에 따라 화소(PX)의 발광 소자인 유기발광 다이오드에 공급된다.
이하, 도 2를 참조하여 실시 예에 따른 화소(PX)를 설명한다.
도 2는 실시 예에 따른 화소를 나타낸 도면이다.
도 2에는 i-1 번째 주사선과 i 번째 주사선, i 번째 발광 제어선, 및 m 번째 데이터 선에 연결되어 있는 화소(PX)가 도시되어 있다. 다른 화소(PX)도 도 2에 도시된 화소와 동일하게 형성될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 화소(PX)는 7개의 트랜지스터(T1-T7)와 하나의 커패시터(Cst)를 포함한다. 두 개의 전원 전압(ELVDD)과 전원 전압(ELVSS)은 화소(PX)의 동작에 필요한 구동 전압을 공급할 수 있는 레벨로 설정된다. 예를 들어 전원 전압(ELVDD)은 전원 전압(ELVSS) 보다 높은 전압으로 두 전압의 차는 적어도 소정 레벨 이상으로 설정된다. 초기화 전압(VINIT)은 화소(PX)를 초기화 시킬 수 있는 레벨의 전압으로 설정된다.
스위칭 트랜지스터(T2)는 데이터 선(Dm)에 연결되어 있는 일단, 구동 트랜지스터(T1)의 소스에 연결되어 있는 타단, 및 주사선(Sn)에 연결되어 있는 게이트를 포함한다.
트랜지스터(T4)는 초기화 전압(VINT)에 연결되어 있는 일단, 주사선(Sn-1)에 연결되어 있는 게이트, 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에 연결되어 있는 타단을 포함한다.
트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 양단과 주사선(Sn)에 연결되어 있는 게이트를 포함한다.
트랜지스터(T7)는 초기화 전압에 연결되어 있는 일단, 주사선(Sn)에 연결되어 있는 게이트, 및 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결되어 있는 타단을 포함한다.
트랜지스터(T6)는 구동 트랜지스터(T1)의 드레인에 연결되어 있는 일단, 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결되어 있는 타단, 및 발광 제어선(En)에 연결되어 있는 게이트를 포함한다.
트랜지스터(T5)는 구동 트랜지스터(T1)의 소스에 연결되어 있는 일단, 전원 전압(ELVDD)에 연결되어 있는 타단, 및 발광 제어선(En)에 연결되어 있는 게이트를 포함한다.
구동 트랜지스터(T1)는 스위칭 트랜지스터(T2)의 타단 및 트랜지스터(T5)의 일단에 연결되어 있는 소스, 트랜지스터(T3)의 일단 및 트랜지스터(T6)의 일단에 연결되어 있는 드레인, 및 스위칭 트랜지스터(T2)의 타단 및 트랜지스터(T3)의 타단에 연결되어 있는 게이트를 포함한다.
커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T3)의 게이트 및 전원 전압(ELVDD) 사이에 연결되어 있고, 유기발광 다이오드(OLED)의 캐소드는 전원 전압(ELVSS)에 연결되어 있다.
주사선(Sn-1)을 통해 주사 신호(S[n-1])이 전달되고, 주사선(Sn)을 통해 주사 신호(S[n])가 전달되며, 발광 제어선(En)을 통해 발광 신호(EM[n])가 전달된다.
이하, 도 3을 참조하여 실시 예에 따른 화소의 동작을 설명한다.
도 3은 실시 예에 따른 두 주사 신호 및 발광 신호를 나타낸 파형도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 주사 신호(S[n-1])는 기간 T1 동안 로우 레벨이고, 주사 신호(S[n])는 기간 T2 동안 로우 레벨이며, 발광 신호()는 기간 T3 동안 하이 레벨이다. 기간 T3은 기간 T1의 시작 시점 이전부터 기간 T2의 종료 시점 이후의 기간으로 설정될 수 있다. 기간 T1과 기간 T2 사이에는 두 기간이 중첩되는 기간 T12이 존재한다. 기간 T1 중 기간 T12을 제외한 나머지 기간을 'T01'라 하고, 기간 T2 중 기간 T12을 제외한 나머지 기간을 'T20'이라 한다.
기간 T3 동안 트랜지스터(T5, T6)는 하이 레벨의 발광 신호()에 의해 턴 오프 된다. 따라서 기간 T3 동안 유기발광 다이오드(OLED)는 발광하지 않는다.
T01에서 트랜지스터(T4)는 로우 레벨의 주사 신호(S[n-1])에 의해 턴 온된다. 그러면, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 초기화 전압(VINIT)이 연결된다.
기간 T12에 주사 신호(S[n])가 로우 레벨이 되면, 트랜지스터(T2, T3, T7)이 턴 온 된다. 기간 T12에서는 트랜지스터(T4)도 턴 온 상태이므로, 도 2에 도시된 점선(DL)을 따르는 경로로 전류 경로(path)가 형성된다. 전류 경로를 따라 구동 트랜지스터(T1)는 온-바이어스(on-bais)되어, 히스테리시스를 최소화 할 수 있다.
기간 T20의 시작 시점 즉, 주사 신호(S[n-1])가 하이 레벨로 상승하는 시점에 트랜지스터(T4)는 턴 오프 된다. 그러면, 트랜지스터(T2)의 턴 온에 의해 데이터 선(Dm)을 통해 전달되는 데이터 신호(예를 들어, 데이터 전압 VDATA)가 구동 트랜지스터(T1)의 소스에 연결된다.
턴 온 된 트랜지스터(T3)를 통해 구동 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인이 연결(diode-connected)되어, 구동 트랜지스터(T1)의 게이트에는 데이터 전압 VDATA에서 구동 트랜지스터(T1)의 문턱 전압만큼 감소한 전압(VDATA+Vth, Vth는 음의 전압)이 인가된다. 그러면, 커패시터(Cst)는 전원 전압(ELVDD)과 전압(VDATA+Vth) 간의 전압 차(ELVDD-(VDATA+Vth))로 충전된다.
기간 T2 동안 턴 온 된 트랜지스터(T7)를 통해 유기발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 초기화 전압(VINIT)으로 설정된다.
기간 T3 이후에, 발광 신호()가 로우 레벨이 되면, 트랜지스터(T5) 및 트랜지스터(T6)가 턴 온 된다. 그러면, 구동 트랜지스터(T1)의 소스는 전원 전압(ELVDD)에 연결되고, 구동 트랜지스터(T1)의 드레인은 유기발광 다이오드(OLED)의 캐소드에 연결된다.
기간 T13 이후에, 구동 트랜지스터(T1)의 소스-게이트 전압은 ELVDD-(ELVDD-(VDATA+Vth)) 즉, VDATA+VTH이다. 구동 트랜지스터(T1)에 흐르는 구동 전류는 ((소스-게이트 전압)-(문턱 전압))의 제곱에 따른다. 소스-게이트 전압 VDATA+VTH에서 VTH를 차감하면 데이터 전압 VDATA만 남는다. 따라서 문적 전압 편차를 보상할 수 있다.
이와 같이, 인접한 두 주사 신호(예를 들어, S[n-1], S[n])의 인에이블 기간(예를 들어, 로우 레벨인 기간)이 중첩되는 기간(예를 들어, T12) 동안 대응하는 구동 트랜지스터(예를 들어, T1)가 온-바이어스 된다. 그러면 히스테리시스를 최소화할 수 있어, 응답 속도가 개선될 수 있다.
도 4는 수직 방향으로 배열된 두 화소를 나타낸 도면이다.
도 4에는 i번째 화소(PXi)와 i+1 번째 화소(PXi+1)가 수직 방향으로 배열되어 있다. 화소에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성에 대해서는 앞선 도 2의 도면 부호를 그대로 사용한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 주사선(Si)은 화소(PXi)의 트랜지스터 T2, T3 및 T7의 게이트와 다음 행 화소(PXi+1)의 트랜지스터(T4)에 연결된다. 화소(PXi)와 화소(PXi+1)가 인접하고, 두 인접 화소는 하나의 주사선(Si)을 공유하여 추가적인 주사선을 구비할 필요가 없다.
주사선(Si+1) 역시 화소(PXi+1)와 그 다음 행 화소(도시하지 않음)에 공유된다. 즉, 주사선(Si+1)은 화소(PXi+1)의 트랜지스터 T2, T3 및 T7의 게이트와 다음 행 화소의 트랜지스터(T4)에 연결된다.
앞서 도 3을 참조로 한 주사 신호의 파형은 하나의 일 예로 다양한 실시 예가 가능하다. 예를 들어, 직전 주사 신호의 인에이블 기간과 본 주사 신호의 인에이블 기간이 중첩되는 다양한 실시 예가 있다.
도 5 는 다른 실시 예에 따른 주사 신호의 파형을 나타낸 도면이다.
도 6은 또 다른 실시 예에 따른 주사 신호의 파형을 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 주사 신호(S[n-1])는 기간 T21 및 T22에서 로우 레벨이 되고, 주사 신호(S[n])는 기간 T31 및 T32에서 로우 레벨이 된다. 이 때, 기간 T22와 기간 T31은 중첩된다. 도 5에서는 기간 T22와 기간 T31이 동일한 기간으로 도시되어 있으나, 기간 T22와 기간 T31 사이에 중첩되는 기간이 존재하면 된다.
예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 주사 신호(S[n-1])의 두 번째 로우 레벨 기간 T42과 주사 신호(S[n])의 첫 번째 로우 레벨 기간 T51이 기간 T45에서 중첩될 수 있다.
도 5 및 도 6에서 발광 신호(EM[n])는 기간 T33 및 기간 T53 동안 하이 레벨로 발광을 차단한다. 기간 T33은 기간 T21의 시작 시점부터 기간 T32의 종료 시점을 포함할 수 있고, 기간 T53은 기간 T41의 시작 시점부터 기간 T52의 종료 시점을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 중첩기간 T22(또는 T31) 및 도 6에 도시된 중첩기간 T45에서의 동작은 앞서 설명한 기간 T12와 동일하다. 즉, 구동 트랜지스터가 온-바이어스되어 히스테리시스가 최소화 된다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
표시 장치(1)
주사 구동 회로(100)
데이터 구동 회로(200)
발광 구동 회로(300)
주사선(S0-Sn)
발광 제어선(E1-En)
데이터 선(D1-Dm)
화소(PX)
트랜지스터(T1-T7)
커패시터(Cst)

Claims (18)

  1. 유기발광 다이오드,
    주사 신호에 대응하여 데이터 신호를 스위칭 하는 스위칭 트랜지스터,
    상기 스위칭 트랜지스터를 통해 상기 데이터 신호를 전달받아 상기 유기발광 다이오드에 공급될 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터,
    상기 주사 신호의 직전 주사 신호에 따라 초기화 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 전달하는 제1 트랜지스터, 및
    상기 주사 신호에 따라 상기 초기화 전압을 상기 유기발광 다이오드의 애노드에 전달하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 직전 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 주사 신호의 인에이블 기간이 중첩하는 기간이 존재하는 화소.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 양단 및 상기 주사 신호에 따라 스위칭 동작하는 제3 트랜지스터, 및
    상기 구동 트랜지스터의 게이트와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 커패시터를 더 포함하는 화소.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 및 상기 제3 트랜지스터의 게이트는 상기 주사 신호에 연결되어 있고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 데이터 신호가 전달되는 데이터 선에 연결되어 있으며, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단과 상기 구동 트랜지스터의 소스가 연결되어 있는 화소.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기발광 다이오드의 애노드와 상기 구동 트랜지스터 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 및
    상기 구동 트랜지스터의 소스와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터를 더 포함하는 화소.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터의 게이트는 상기 주사 신호에 연결되어 있고, 상기 스위칭 트랜지스터의 일단은 상기 데이터 신호가 전달되는 데이터 선에 연결되어 있으며, 상기 스위칭 트랜지스터의 타단과 상기 구동 트랜지스터의 소스가 연결되어 있는 화소.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제4 트랜지스터의 게이트 및 제5 트랜지스터의 게이트는 발광 제어선에 연결되어 있고, 상기 발광 제어선을 통해 발광 신호가 전달되며,
    상기 발광 신호의 디스에이블 기간은, 상기 직전 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 주사 신호의 인에이블 기간을 포함하는 화소.
  7. 복수의 데이터 선, 복수의 주사선, 복수의 발광 제어선, 및
    상기 복수의 데이터 선 중 대응하는 데이터 선, 상기 복수의 주사선 중 대응하는 두 개의 주사 선, 및 상기 복수의 발광 제어선 중 대응하는 발광 제어선에 연결되어 있는 화소를 복수개 포함하고,
    상기 화소는,
    유기발광 다이오드,
    상기 대응하는 두 개의 주사 선 중 제1 주사선에 연결되어 있는 게이트 및 상기 대응하는 데이터 선에 연결되어 있는 일단을 포함하는 스위칭 트랜지스터,
    상기 스위칭 트랜지스터의 타단에 연결되어 있는 소스를 포함하고, 상기 스위칭 트랜지스터를 통해 공급되는 데이터 신호에 따라 상기 유기발광 다이오드에 공급될 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터,
    상기 대응하는 두 개의 주사 선 중 제2 주사선에 연결되어 있는 게이트, 초기화 전압에 연결되어 있는 일단, 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는 타단을 포함하는 제1 트랜지스터, 및
    상기 제1 주사선에 연결되어 있는 게이트, 상기 초기화 전압에 연결되어 있는 일단, 및 상기 유기발광 다이오드의 애노드에 연결되어 있는 타단을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 주사선을 통해 전달되는 제1 주사 신호의 제1 인에이블 기간과 상기 제2 주사선을 통해 전달되는 제2 주사 신호의 제2 인에이블 기간이 중첩하는 기간이 존재하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 인에이블 기간과 상기 제2 인에이블 기간이 일부 중첩하는 표시 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 인에이블 기간은 연속하는 제3 및 제4 인에이블 기간을 포함하고,
    상기 제2 인에이블 기간은 연속하는 제5 및 제6 인에이블 기간을 포함하며,
    상기 제3 인에이블 기간과 상기 제6 인에이블 기간이 동일한 표시 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 인에이블 기간은 연속하는 제3 및 제4 인에이블 기간을 포함하고,
    상기 제2 인에이블 기간은 연속하는 제5 및 제6 인에이블 기간을 포함하며,
    상기 제3 인에이블 기간과 상기 제6 인에이블 기간이 일부 중첩하는 표시 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 화소는,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 양단 및 상기 제1 주사선에 연결되어 있는 게이트를 포함하는 제3 트랜지스터, 및
    상기 구동 트랜지스터의 게이트와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 커패시터를 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 화소는,
    상기 유기발광 다이오드의 애노드와 상기 구동 트랜지스터의 드레인 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터, 및
    상기 구동 트랜지스터의 소스와 제1 전원 전압 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제4 트랜지스터의 게이트 및 제5 트랜지스터의 게이트는 발광 제어선에 연결되어 있고, 상기 발광 제어선을 통해 발광 신호가 전달되며,
    상기 발광 신호의 디스에이블 기간은, 상기 제1 주사 신호의 인에이블 기간과 상기 제2 주사 신호의 인에이블 기간을 포함하는 표시 장치.
  14. 유기발광 다이오드를 발광시키는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소의 구동 방법에 있어서,
    제1 주사 신호에 의해 제1 트랜지스터가 턴 온 되는 단계;
    제2 주사 신호에 의해 스위칭 트랜지스터가 턴 온 되는 단계;
    상기 제2 주사 신호에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 드레인 사이에 연결되어 있는 제3 트랜지스터가 턴 온 되는 단계; 및
    상기 제1 트랜지스터와 상기 스위칭 트랜지스터가 동시에 턴 온 되는 기간 동안 상기 스위칭 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 및 상기 제1 트랜지스터를 포함하는 경로를 통해 상기 구동 트랜지스터가 온-바이어스 되는 단계를 포함하는 화소의 구동 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호보다 먼저 인에이블 되는 화소의 구동 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 제3 트랜지스터가 턴 온 되어 있는 기간 동안 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 데이터 전압에서 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 차감된 전압이 기입되는 단계를 더 포함하는 화소의 구동 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터와 상기 유기발광 다이오드 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터가 발광 신호에 의해 턴 온 되는 단계를 더 포함하고,
    상기 발광 신호는 상기 제1 주사 신호 및 상기 제2 주사 신호의 인에이블 기간 동안 디스에이블 되는 화소의 구동 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터와 전원 전압 사이에 연결되어 있는 제5 트랜지스터가 상기 발광 신호에 의해 턴 온 되는 단계를 더 포함하는 화소의 구동 방법.
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