KR102042271B1 - Light emitting device and lighting system - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 소자는, 제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부; 상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩; 상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고, 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면은 상기 몸체와 접하는 영역에 요철 패턴을 포함하고, 상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고, 상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고, 상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고, 상기 제1방향으로 상기 제3내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제1간격은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제2간격보다 보다 길고, 상기 제1방향으로 상기 수평형 발광 칩은 상기 제3측면부 보다 상기 제4측면부에 더 가깝게 배치되고, 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 수평형 발광 칩 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a body having a cavity having a first inner surface, a second inner surface corresponding to the first inner surface, a third inner surface, and a fourth inner surface corresponding to the third inner surface. ; A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side; A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side; A gap portion between the first lead frame and the second lead frame; A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame; A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame; A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And a second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame, wherein the body corresponds to the first inner surface and extends in a first direction. A first side portion, a second side portion corresponding to the second inner side and extending in the first direction, a third side portion corresponding to the third inner side and extending in a second direction perpendicular to the first direction and the A fourth side portion corresponding to a fourth inner side surface and extending in the second direction, wherein upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame include an uneven pattern in an area in contact with the body, and the gap portion A first surface and a second surface inclined with respect to the first surface, wherein the first surface of the gap portion is disposed on a plane different from an upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame; Image of the gap portion The second surface faces the horizontal light emitting chip, and a first interval between the third inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction is the fourth inner surface and the horizontal light emitting in the first direction. Longer than the second gap between the chips, the horizontal light emitting chip in the first direction is disposed closer to the fourth side portion than the third side portion, and the third inner side, the fourth inner side, and the number The balanced light emitting chip and the fourth end may overlap each other in the first direction.

Description

발광 소자 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM}Light Emitting Device and Lighting System {LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM}

실시 예는 발광 소자 및 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and an illumination system.

발광소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.A light emitting device, such as a light emitting device, is a kind of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been spotlighted as a next-generation light source by replacing an existing fluorescent lamp and an incandescent lamp.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 발생하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since light emitting diodes generate light using semiconductor devices, they consume much less power than incandescent lamps that generate light by heating tungsten or fluorescent lamps that generate light by colliding ultraviolet light generated through high-pressure discharges with phosphors. .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, the light emitting diode has a longer life, a faster response characteristic, and an environment-friendly characteristic than a conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내 및 실외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, many researches are being conducted to replace the existing light sources with light emitting diodes, and the light emitting diodes are increasingly used as light sources of lighting devices such as various lamps, liquid crystal displays, electronic displays, and street lamps that are used indoors and outdoors. have.

실시 예는 새로운 캐비티 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device having a new cavity structure.

실시 예는 캐비티의 어느 한 내측면에서의 측면 각도가 서로 다른 구조를 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a structure in which the side angles at any one inner surface of the cavity are different from each other.

실시 예는 캐비티의 어느 한 내측면에 소정 폭을 갖는 리세스 영역을 갖는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a recessed region having a predetermined width on either inner surface of the cavity.

실시예는 제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부; 상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩; 상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고, 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면은 상기 몸체와 접하는 영역에 요철 패턴을 포함하고, 상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고, 상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고, 상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고, 상기 제1방향으로 상기 제3내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제1간격은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제2간격보다 보다 길고, 상기 제1방향으로 상기 수평형 발광 칩은 상기 제3측면부 보다 상기 제4측면부에 더 가깝게 배치되고, 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 수평형 발광 칩 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자를 포함할 수 있다.An embodiment may include a body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side; A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side; A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side; A gap portion between the first lead frame and the second lead frame; A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame; A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame; A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And a second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame, wherein the body corresponds to the first inner surface and extends in a first direction. A first side portion, a second side portion corresponding to the second inner side and extending in the first direction, a third side portion corresponding to the third inner side and extending in a second direction perpendicular to the first direction and the A fourth side portion corresponding to a fourth inner side surface and extending in the second direction, wherein upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame include an uneven pattern in an area in contact with the body, and the gap portion A first surface and a second surface inclined with respect to the first surface, wherein the first surface of the gap portion is disposed on a plane different from an upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame; Image of the gap portion The second surface faces the horizontal light emitting chip, and a first interval between the third inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction is the fourth inner surface and the horizontal light emitting in the first direction. Longer than the second gap between the chips, the horizontal light emitting chip in the first direction is disposed closer to the fourth side portion than the third side portion, and the third inner side, the fourth inner side, and the number The balanced light emitting chip and the fourth end may include light emitting devices overlapped in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second end may be disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1간격은 상기 제2간격보다 80㎛이상 이격될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the first interval may be 80 μm or more apart from the second interval.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2간격은 80㎛이상 200㎛이하일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second interval may be 80 μm or more and 200 μm or less.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 길 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction may be at least 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함할 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the first lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the first side part, and the second lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the second side part.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip, and the second end may overlap each other in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the area of the horizontal light emitting chip may be 30% or more of the area of the exposed surface of the first lead frame.

실시예는 제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임; 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부; 상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩; 상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩; 상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 및 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고, 상기 몸체는 상기 제3 내측면에서 상기 제3측면부 방향으로 볼록하게 형성된 리세스 영역을 포함하고, 상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고, 상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고, 상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고, 상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 수평형 발광은 상기 제1방향으로 중첩되고, 상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자를 포함할 수 있다.An embodiment may include a body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side; A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side; A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side; A gap portion between the first lead frame and the second lead frame; A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame; A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame; A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And a second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame, wherein the body corresponds to the first inner surface and in a first direction. An extended first side surface portion, a second side surface portion corresponding to the second inner surface and extending in the first direction, a third side surface portion corresponding to the third inner surface and extending in a second direction perpendicular to the first direction; A fourth side portion corresponding to the fourth inner side surface and extending in the second direction, wherein the body includes a recessed region formed convexly in the direction of the third side portion on the third inner side surface, and the gap portion A first surface and a second surface inclined with respect to the first surface, wherein the first surface of the gap portion is disposed on a plane different from an upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame; Image of the gap portion A second surface faces the horizontal light emitting chip, and the recess area, the fourth inner surface and the horizontal light emission overlap each other in the first direction, and the recess area, the fourth inner surface and the fourth surface are overlapped. Four ends may include a light emitting device overlapping in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second end may be disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 길 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction may be at least 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함할 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the first lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the first side part, and the second lead frame may include a plurality of lead parts protruding to the second side part.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip, and the second end may overlap each other in the first direction.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the area of the horizontal light emitting chip may be 30% or more of the area of the exposed surface of the first lead frame.

실시 예에 따른 발광소자는 상기 제2 방향으로 상기 리세스 영역의 최소 길이는 350㎛ 내지 500㎛일 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the minimum length of the recess region in the second direction may be 350 μm to 500 μm.

실시 예는 발광 소자의 캐비티의 어느 한 내측면에 와이어의 본딩을 위한 리세스부를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a recess for bonding the wire to an inner side surface of the cavity of the light emitting device.

실시 예는 발광 소자에서 대면적의 발광 칩이나 복수의 발광 칩을 용이하게 탑재할 수 있는 캐비티 구조를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a cavity structure in which a large area light emitting chip or a plurality of light emitting chips can be easily mounted in a light emitting device.

실시 예는 발광 소자의 캐비티 내에서의 광 효율을 개선하여 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment may improve reliability by improving light efficiency in the cavity of the light emitting device.

실시 예는 리드 프레임들 사이의 하부 영역을 효과적으로 지지할 수 있다.The embodiment can effectively support the lower regions between the lead frames.

실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the reliability of the light emitting device and the lighting system having the same.

도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 4는 도 2의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 5는 도 2의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 6 내지 도 9는 도 2의 발광 소자의 몸체 측면도를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 2의 발광 소자의 배면도를 나타낸 도면이다.
도 11 및 도 12는 도 2의 발광 소자의 리드 프레임의 정면도 및 배면도를 나타낸 도면이다.
도 13은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 14는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 15는 도 14의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 16은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명장치의 예를 나타낸 도면이다.
1 is a view showing a perspective view of a light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 2 is a plan view of the light emitting device of FIG. 1.
3 is a partially enlarged view of the light emitting device of FIG. 1.
4 is a cross-sectional view taken along the AA side of the light emitting device of FIG. 2.
5 is a cross-sectional view taken along the BB side of the light emitting device of FIG. 2.
6 to 9 are views illustrating a body side view of the light emitting device of FIG. 2.
FIG. 10 is a rear view of the light emitting device of FIG. 2.
11 and 12 illustrate front and rear views of the lead frame of the light emitting device of FIG. 2.
13 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment.
14 is a plan view illustrating a light emitting device according to a third embodiment.
FIG. 15 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 14.
16 is a view illustrating an example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
17 is a view showing another example of a light emitting chip of a light emitting device according to the embodiment.
18 is a perspective view illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.
19 is a perspective view illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.
20 is a view showing an example of a lighting device having a light emitting device according to the embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상/위(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each substrate, frame, sheet, layer, or pattern is formed "on" or "under" of each substrate, frame, sheet, layer, or pattern. In the case of what is described as being intended, "on" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed. . In addition, the criteria for the top or bottom of each component will be described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for description, and does not mean a size that is actually applied.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. Hereinafter, the embodiments will be apparent from the accompanying drawings and the description of the embodiments. In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 제1실시 예에 따른 발광소자의 사시도를 나타낸 도면이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 평면도이며, 도 3은 도 2의 발광 소자의 부분 확대도이다. 도 4는 도 1의 발광 소자의 Y-Y측 단면도이고, 도 5는 도 1의 발광 소자의 X-X측 단면도이며, 도 6내지 도 9는 도 2의 발광 소자의 몸체 측면도를 나타낸 도면이며, 도 10은 도 2의 발광 소자의 배면도이고, 도 11 및 도 12는 도 2의 발광 소자의 리드 프레임의 정면도 및 배면도이다.1 is a perspective view of a light emitting device according to a first embodiment, FIG. 2 is a plan view of the light emitting device of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view of the light emitting device of FIG. 2. 4 is a YY side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1, FIG. 5 is a XX side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1, FIGS. 6 to 9 are side views of the body of the light emitting device of FIG. 2 is a rear view of the light emitting device of FIG. 2, and FIGS. 11 and 12 are front and rear views of the lead frame of the light emitting device of FIG. 2.

도 1내지 도 5를 참조하면, 발광소자(100)는, 어느 한 측면에 리세스 영역(76)을 갖는 캐비티(101)를 포함하는 몸체(111), 복수의 리드 프레임(121,131), 발광 칩(171), 와이어(175,176), 보호 칩(173) 및 몰딩 부재(161)를 포함한다.1 to 5, the light emitting device 100 includes a body 111 including a cavity 101 having a recess region 76 on one side thereof, a plurality of lead frames 121 and 131, and a light emitting chip. 171, wires 175 and 176, protective chip 173, and molding member 161.

상기 몸체(111)는 절연 재질, 또는 전도성 재질을 포함할 수 있다. 상기 몸체(111)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), 폴리시크로 헥실렌디메틸렌 테레프탈레이트(PCT: Polycyclohexylene Terephthalate)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(111)는 주입 방식으로 사출 성형될 수 있으며, 그 재질은 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질로 이루어질 수 있다. The body 111 may include an insulating material or a conductive material. The body 111 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA: Polyphthalamide), polycyclohexylenedimethylene terephthalate (PCT: Polycyclohexylene Terephthalate), silicon (Si), metal, photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), a printed circuit board (PCB) may be formed of at least one. For example, the body 111 may be injection molded by an injection method, and the material may be made of a resin material such as epoxy or silicon.

상기 몸체(111)는 에폭시를 갖는 EMC(epoxy molding compound) 재질을 포함하며, 상기 EMC 재질은 성형성, 내습성, 접착성이 개선되고, 절연성 재질이다. 상기 몸체(111) 내에는 반사 효율을 높이기 위해 TiO2, SiO2와 같은 금속 산화물인 필러가 첨가될 수 있다. 상기 필러의 함유 비율은 상기 몸체(111) 내에 10wt% 이상 예컨대, 15wt% 이상으로 첨가될 수 있다.The body 111 may include an epoxy molding compound (EMC) material having an epoxy, and the EMC material may be improved in moldability, moisture resistance, and adhesion, and is an insulating material. In the body 111, a filler, which is a metal oxide such as TiO 2 or SiO 2 , may be added to increase reflection efficiency. The filler content may be added in the body 111, 10wt% or more, for example 15wt% or more.

상기 몸체(111)는 광 반사를 위해 반사성 재질로 형성되거나, 지향각 분포를 넓혀주기 위해 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 111 may be formed of a reflective material for light reflection, or may be formed of a translucent material to widen the direction angle distribution, but is not limited thereto.

상기 몸체(111)의 외 형상은 위에서 볼 때, 직 사각형 형상 또는 정 사각형과 같은 다각형 구조로 형성될 수 있으며, 외곽 모서리 부분은 각 면이거나 곡면으로 형성될 수 있다. The outer shape of the body 111, when viewed from above, may be formed in a polygonal structure such as a rectangular shape or a regular square, the outer edge portion may be formed in each surface or curved surface.

발광 소자(100)는 상기 몸체(111)의 형상이 사각형 형상인 경우, 상기 몸체(111)는 복수의 측면부 예컨대, 적어도 4개의 측면부(61~64)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 측면부(61~64) 중 적어도 하나는 상기 몸체(111)의 하면에 대해 수직하거나 경사지게 배치될 수 있다. 상기 몸체(111)는 제1 내지 제4측면부(61~64)를 그 예로 설명하며, 상기 제1측면부(61)와 제2측면부(62)는 서로 반대측 면이며, 상기 제3측면부(63)와 제4측면부(64)는 서로 반대측 면이 된다. When the light emitting device 100 has a rectangular shape, the body 111 may include a plurality of side parts, for example, at least four side parts 61 to 64. At least one of the plurality of side parts 61 to 64 may be disposed to be perpendicular or inclined with respect to the bottom surface of the body 111. The body 111 describes the first to fourth side portions 61 to 64 as an example, and the first side portion 61 and the second side portion 62 are opposite sides, and the third side portion 63 is disposed. And the fourth side portion 64 are opposite sides.

상기 몸체(111)에서 제3측면부(63) 또는 제4측면부(64)의 너비는 제1측면부(61) 또는 제2측면부(62)의 너비(X1)와 길게 형성될 수 있으며, 예컨대, 1.2배 이상 길게 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 몸체(111)의 제1내지 제4측면부(61~64)의 너비는 서로 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The width of the third side portion 63 or the fourth side portion 64 in the body 111 may be formed long with the width (X1) of the first side portion 61 or the second side portion 62, for example, 1.2 It may be formed longer than twice. As another example, the widths of the first to fourth side portions 61 to 64 of the body 111 may be equal to each other, but are not limited thereto.

상기 몸체(111)는 리드 프레임(121,131)의 아래에 배치된 지지 몸체(112)와, 상기 리드 프레임(121,131)의 상부에 배치된 반사 몸체(113), 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이에 배치된 간극부(115)를 포함한다. 상기 지지 몸체(112)와 상기 반사 몸체(113), 그리고 간극부(115)는 서로 연결될 수 있다. The body 111 may include a support body 112 disposed below the lead frames 121 and 131, a reflective body 113 disposed on the lead frames 121 and 131, and the first and second lead frames 121 and 131. It includes a gap portion 115 disposed between. The support body 112, the reflective body 113, and the gap 115 may be connected to each other.

상기 몸체(111)는 상부가 개방되고 소정 깊이를 갖는 캐비티(101)를 포함하며, 상기 캐비티(101)는 상기 몸체(111)의 상면보다 낮은 깊이를 갖는 컵 구조 또는 리세스 구조와 같은 형상으로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(101)의 바닥에는 복수의 리드 프레임(121,131)과 간극부(115)가 배치될 수 있다. The body 111 may include a cavity 101 having an upper portion and having a predetermined depth, and the cavity 101 may have a shape such as a cup structure or a recess structure having a lower depth than an upper surface of the body 111. Can be formed. A plurality of lead frames 121 and 131 and gaps 115 may be disposed on the bottom of the cavity 101.

상기 캐비티(101)는 복수의 내측면(71~74)을 포함할 수 있다. 상기 캐비티(101)의 내측면(71~74)은 4개의 내측면을 포함될 수 있다. 상기 내측면들(71~74) 중 적어도 하나는 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 상기 캐비티(101)의 수평한 바닥에 대해 경사지게 형성될 수 있다. 실시 예의 캐비티(101)의 내측면들(71~74)은 경사진 면으로 형성된 예로 설명할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 것은 아니다. 예컨대, 상기 캐비티(101)의 내측면들(71~74) 중 적어도 하는 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 캐비티의 수평한 바닥에 대해 수직하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The cavity 101 may include a plurality of inner surfaces 71 to 74. The inner surfaces 71 to 74 of the cavity 101 may include four inner surfaces. At least one of the inner surfaces 71 to 74 may be formed to be inclined with respect to the upper surfaces of the lead frames 121 and 131 or the horizontal bottom of the cavity 101. The inner surfaces 71 to 74 of the cavity 101 of the embodiment may be described as an example formed of an inclined surface, but are not limited thereto. For example, at least one of the inner surfaces 71 to 74 of the cavity 101 may be formed perpendicular to the top surface of the lead frames 121 and 131 or the horizontal bottom of the cavity, but is not limited thereto.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 캐비티(101)의 내측면들(71~74)은 제1 내지 제4내측면(71~74)으로 정의할 수 있으며, 상기 제1내측면(71)은 몸체(111)의 제1측면부(61)와 대응되며, 상기 제2내측면(72)은 몸체(111)의 제2측면부(62)와 대응되며, 제3내측면(73)은 몸체(111)의 제3측면부(63)와 대응되며, 제4내측면(74)은 몸체(111)의 제4측면부(64)와 대응된다. 상기 제1내측면(71) 및 상기 제2내측면(72)은 상기 제3 및 제4내측면(73,74)과는 직교되게 배치된다. 상기 제1내지 제4내측면(71~74) 사이의 모서리 부분은 곡면으로 형성되거나 각진 면에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.2 and 3, the inner surfaces 71 to 74 of the cavity 101 may be defined as first to fourth inner surfaces 71 to 74, and the first inner surface 71 may be defined. Silver corresponds to the first side portion 61 of the body 111, the second inner side 72 corresponds to the second side portion 62 of the body 111, the third inner side 73 is a body ( It corresponds to the third side portion 63 of the 111, the fourth inner side 74 corresponds to the fourth side portion 64 of the body 111. The first inner side surface 71 and the second inner side surface 72 are orthogonal to the third and fourth inner side surfaces 73 and 74. The corner portion between the first to fourth inner side surfaces 71 to 74 may be formed as a curved surface or an angled surface, but is not limited thereto.

상기 캐비티(101)의 제1 및 제2내측면(71,72)의 너비(X2)는 동일하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1내지 제4내측면(71~74)는 상기 발광 칩(171)의 측면들과 각각 대응되게 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(171)은 상기 캐비티(101)의 제2내측면(72) 보다는 제1 내지 제3내측면(71,73,74)에 더 인접하게 배치된다. Widths X2 of the first and second inner side surfaces 71 and 72 of the cavity 101 may be identically formed, but are not limited thereto. The first to fourth inner side surfaces 71 to 74 may be disposed to correspond to side surfaces of the light emitting chip 171, respectively. The light emitting chip 171 is disposed closer to the first to third inner surfaces 71, 73, and 74 than the second inner surface 72 of the cavity 101.

도 4와 같이, 상기 캐비티(101)의 제1내측면(71) 또는 상기 제2내측면(72)의 각도(θ1)는 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 캐비티(101)의 바닥에 대해 90도 이상 예컨대, 91~120도 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1내측면(71) 또는 상기 제2내측면(72)의 각도(θ1)는 동일하거나 다를 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown in FIG. 4, the angle θ1 of the first inner side surface 71 or the second inner side surface 72 of the cavity 101 is relative to the top surface of the lead frames 121 and 131 or the bottom of the cavity 101. 90 degrees or more, for example, it may be formed in the range of 91 ~ 120 degrees. The angle θ1 of the first inner side surface 71 or the second inner side surface 72 may be the same or different, but is not limited thereto.

도 5와 같이, 상기 캐비티(101)의 제4내측면(74)의 각도(θ2)은 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 캐비티(101)의 바닥에 대해 90도 이상 예컨대, 91~120도 범위로 형성될 수 있다. 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)의 각도는 상기 제4내측면(73)의 각도(θ2)과 동일할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.As shown in FIG. 5, the angle θ2 of the fourth inner side 74 of the cavity 101 is 90 degrees or more with respect to the top surfaces of the lead frames 121 and 131 or the bottom of the cavity 101, for example, 91 to 120 degrees. It can be formed in a range. An angle of the third inner side surface 73 of the cavity 101 may be the same as an angle θ2 of the fourth inner side surface 73, but is not limited thereto.

상기 캐비티(101)의 제1 내지 제4내측면(71,72,73,74)은 상기 리드 프레임(121,131)의 상면 또는 상기 캐비티(101)의 바닥에 대해 동일한 각도로 경사지게 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 각도(θ1, θ2)는 91~97 범위로 형성될 수 있다. The first to fourth inner surfaces 71, 72, 73, and 74 of the cavity 101 may be formed to be inclined at the same angle with respect to the upper surfaces of the lead frames 121 and 131 or the bottom of the cavity 101. For example, the angles θ1 and θ2 may be formed in the range of 91 to 97.

상기 캐비티(101) 내에는 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)이 배치되며, 상기 제1리드 프레임(121)은 캐비티(101) 내에서 제1, 제3 및 제4내측면(71,73,74) 아래로 연장되고, 상기 제2리드 프레임(131)은 캐비티(101) 내에서 제2, 제3 및 제4내측면(72,73,74) 아래로 연장된다.The first lead frame 121 and the second lead frame 131 are disposed in the cavity 101, and the first lead frame 121 is disposed in the cavity 101 in the first, third, and fourth insides. It extends below the sides 71, 73, 74, and the second lead frame 131 extends below the second, third and fourth inner surfaces 72, 73, 74 in the cavity 101.

상기 제1리드 프레임(121) 위에는 발광 칩(171)이 탑재되고, 제2리드프레임(131) 위에는 보호 칩(173)이 탑재된다. 상기 발광 칩(171)은 상기 제1리드 프레임(171)에 본딩되어 전기적으로 연결되고 제2리드 프레임(131)과 하나 이상의 와이어(175)로 연결된다. 상기 보호 칩(173)은 제2리드 프레임(121)에 본딩되어 전기적으로 연결되고, 제1리드 프레임(121)과 와이어(176)로 연결된다.The light emitting chip 171 is mounted on the first lead frame 121, and the protection chip 173 is mounted on the second lead frame 131. The light emitting chip 171 is bonded to the first lead frame 171 and electrically connected thereto, and is connected to the second lead frame 131 by one or more wires 175. The protection chip 173 is bonded to the second lead frame 121 and electrically connected thereto, and is connected to the first lead frame 121 by a wire 176.

도 2 및 도 3과 같이, 상기 캐비티(101)에는 제1 내지 제4내측면(71~74) 중 적어도 하나 예컨대, 어느 하나의 내측면(73)에는 리세스 영역(76)을 포함한다. 상기 리세스 영역(76)은 상기 제3내측면(73) 내에 배치되고 상기 제3내측면(73)으로부터 상기 몸체(111)의 제3측면부(63) 방향으로 볼록하게 형성된다. 이러한 상기 리세스 영역&(76)은 제1 내지 제4내측면(71~74) 중에서 장 측면인 제3내측면(73) 내에 배치된다. 2 and 3, the cavity 101 includes a recessed region 76 in at least one of the first to fourth inner side surfaces 71 to 74, for example, on one of the inner side surfaces 73. The recessed area 76 is disposed in the third inner side surface 73 and is convexly formed from the third inner side surface 73 toward the third side surface portion 63 of the body 111. The recessed area & 76 is disposed in the third inner side surface 73 which is the long side of the first to fourth inner side surfaces 71 to 74.

상기 리세스 영역(76)은 측벽(75)과, 상기 측벽(75)와 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)에 연결된 복수의 연장부(R2)를 포함하며, 상기 연장부(R2)는 상기 측벽(75)의 양측에 연결되며 곡면이거나 절곡된 면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The recess region 76 includes a sidewall 75, and a plurality of extensions R2 connected to the sidewall 75 and the third inner side surface 73 of the cavity 101, and the extension portion ( R2) may be connected to both sides of the sidewall 75 and may be curved or bent, but is not limited thereto.

또한 상기 리세스 영역(76)에 의해 상기 제2리드 프레임(121)이 노출 면적이 더 증가될 수 있다. 상기 리세스 영역(76)은 측벽(75)과 발광 칩(171) 사이의 공간을 더 넓혀 주므로, 보호 칩(173)에 연결된 와이어(176)가 본딩될 공간을 제공할 수 있다. 이는 발광 칩(171)의 사이즈를 줄이거나 몸체(111)의 사이즈를 키워 캐비티(101)의 면적을 증가시키지 않아도 되는 효과가 있다.In addition, an exposed area of the second lead frame 121 may be further increased by the recess region 76. The recess region 76 widens the space between the sidewall 75 and the light emitting chip 171, thereby providing a space in which the wire 176 connected to the protection chip 173 is to be bonded. This has the effect of not reducing the size of the light emitting chip 171 or increasing the size of the body 111 to increase the area of the cavity 101.

상기 리세스 영역(76)의 너비(D11)는 상기 캐비티(101)의 길이(Y2) 또는 제3내측면(73)의 길이의 1/5.5~1/4.5 범위로 형성될 수 있으며, 예컨대 300㎛~500㎛ 범위로 형성될 수 있다. 또한 상기 리세스 영역(76)에서 측벽(75)의 너비(D1)는 너비(D11)와 같거나 작을 수 있으며, 예컨대 350㎛~450㎛ 범위로 형성될 수 있다. 이러한 리세스 영역(76)의 너비(D11)는 상기 와이어(176)의 볼(177)의 직경을 고려한 것으로서, 상기 와이어(176)의 볼(177)의 직경보다는 1.1배 이상 넓게 형성될 수 있다. 상기 리세스 영역(76)의 너비(D11)가 상기 캐비티(101)의 길이(Y2) 또는 상기 제3내측면(73)의 길이의 1/5.5~1/4.5 범위로 작게 형성될 수 있다. 이 경우 상기 너비(D11)가 너무 넓은 경우 캐비티(101)의 구조가 취약해 질 수 있으며, 또한 광의 지향각 분포가 달라질 수 있다. 상기 너비(D11)가 너무 좁은 경우 와이어(176)를 본딩하기 위한 기구물의 삽입이 어려워질 수 있다. The width D11 of the recess region 76 may be formed in a range of 1 / 5.5 to 1 / 4.5 of the length Y2 of the cavity 101 or the length of the third inner surface 73, for example, 300. It may be formed in the range of ㎛ ~ 500㎛. In addition, the width D1 of the sidewall 75 in the recess region 76 may be equal to or smaller than the width D11, and may be, for example, in a range of 350 μm to 450 μm. The width D11 of the recessed region 76 takes into account the diameter of the ball 177 of the wire 176 and may be formed to be 1.1 times or more wider than the diameter of the ball 177 of the wire 176. . The width D11 of the recess region 76 may be formed to be small in a range of 1 / 5.5 to 1 / 4.5 of the length Y2 of the cavity 101 or the length of the third inner surface 73. In this case, when the width D11 is too wide, the structure of the cavity 101 may become weak, and the distribution of the directivity angles of light may vary. If the width D11 is too narrow, insertion of an instrument for bonding the wire 176 may be difficult.

상기 리세스 영역(76)의 너비(D11)가 너무 넓은 경우, 상기 몸체(111)의 제3측면부(63)가 외부 충격이나 습기에 취약한 문제가 될 수 있다. If the width D11 of the recess region 76 is too wide, the third side portion 63 of the body 111 may become a problem vulnerable to external shock or moisture.

상기 리세스 영역(76)의 측벽(75)과 상기 발광 칩(171) 사이의 간격(D2)은 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)과 상기 발광 칩(171) 사이의 간격(E1)보다는 넓게 형성된다. 예컨대, 상기 리세스 영역(76)의 깊이(D3)는 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73)으로부터 40㎛ 이상 예컨대, 50㎛~95㎛ 범위로 형성될 수 있다. 이는 캐비티(101)의 제3내측면(73) 내에 리세스 영역(76)을 구비하여, 캐비티(101)의 제3내측면(73)과 발광 칩(171) 사이의 영역에 와이어(176)을 본딩할 면적을 확보해 주어, 발광 칩(171)의 어느 한 방향으로 치우치는 것을 억제할 수 있다. 또한 보호 칩(173)을 캐비티(101)가 아닌 영역에 배치하여야 하는 문제를 제거할 수 있다.The distance D2 between the sidewall 75 of the recess area 76 and the light emitting chip 171 is a distance between the third inner surface 73 of the cavity 101 and the light emitting chip 171. Wider than E1). For example, the depth D3 of the recess region 76 may be formed to be 40 μm or more, for example, 50 μm to 95 μm from the third inner side surface 73 of the cavity 101. It has a recessed area 76 in the third inner side 73 of the cavity 101, so that the wire 176 is located in the area between the third inner side 73 and the light emitting chip 171 of the cavity 101. By securing the area to be bonded, it is possible to suppress the bias in any one direction of the light emitting chip 171. In addition, it is possible to eliminate the problem that the protection chip 173 should be disposed in an area other than the cavity 101.

이에 따라 발광 칩(171)의 사이즈를 캐비티의 면적에 비해 극대화할 수 있어, 광도가 개선된 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한 리세스 영역(76)의 측벽(75)이 상기 발광 칩(171)과 간격(D2)만큼 이격됨으로써, 와이어 본딩을 위한 기구물의 삽입이 용이하고, 상기 리세스 영역(75)의 측벽(75) 부분이 무너지는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the size of the light emitting chip 171 can be maximized compared to the area of the cavity, thereby providing a light emitting device having improved brightness. In addition, since the sidewall 75 of the recessed region 76 is spaced apart from the light emitting chip 171 by a distance D2, insertion of a device for wire bonding is easy, and the sidewall 75 of the recessed region 75 is easily formed. ) Part can be prevented from falling down.

또한 상기 발광 칩(171)과 상기 캐비티(101)의 제3내측면(73) 사이의 간격(E1)을 발광 칩(171)과 제4내측면(74) 사이의 간격(E2)보다 더 이격시켜 준다. 예컨대, 상기 간격(E1)은 상기 간격(E2)보다 80㎛ 이상의 이격시켜 주게 된다. 이에 따라 발광 칩(171)과 상기 리세스 영역(76)의 측벽(75) 사이의 공간을 충분히 확보할 수 있게 된다. 여기서, 상기 간격(E1)은 300㎛ 이하 예컨대, 200㎛~300㎛ 범위이며, 상기 간격(E2)는 200㎛이하 예컨대, 80㎛~200㎛ 범위일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(171)의 제1측면으로부터 상기 리세스 영역(76)의 측벽(75) 사이의 거리(D2)는 상기 발광 칩(171)의 제1측면의 반대측 제2측면으로부터 상기 캐비티(101)의 제4내측면(74) 사이의 간격(E2)에 비해 1.5~3.5배 넓게 형성될 수 있다.Also, the distance E1 between the light emitting chip 171 and the third inner side surface 73 of the cavity 101 is further spaced apart from the distance E2 between the light emitting chip 171 and the fourth inner side 74. Let it be. For example, the interval E1 is spaced at least 80 μm from the interval E2. Accordingly, the space between the light emitting chip 171 and the sidewall 75 of the recess region 76 may be sufficiently secured. Here, the interval E1 may be 300 μm or less, for example, 200 μm to 300 μm, and the interval E2 may be 200 μm or less, for example, 80 μm to 200 μm, but is not limited thereto. The distance D2 between the first side surface of the light emitting chip 171 and the side wall 75 of the recess region 76 is from the cavity 101 from the second side surface opposite to the first side surface of the light emitting chip 171. It may be formed 1.5 to 3.5 times wider than the interval (E2) between the fourth inner side (74) of.

상기 리세스 영역(76)의 위치를 보면, 상기 캐비티(101)의 바닥에 배치된 상기 간극부(115)부터 상기 제1리드 프레임(121)의 일부 영역까지 연장된다. 또한 상기 리세스 영역(76)은 상기 제1내측면(71)보다는 제2내측면(72)에 더 인접하게 배치될 수 있으며, 이는 상기 리세스 영역(76)이 보호 칩(173)에 인접할수록 와이어(176)의 직선 구간(D8)이 짧아지게 된다. 이에 따라 와이어(176)에 전달되는 외부 충격을 줄일 수 있다.In view of the location of the recess region 76, the gap 115 extends from the gap 115 disposed at the bottom of the cavity 101 to a partial region of the first lead frame 121. In addition, the recess region 76 may be disposed closer to the second inner surface 72 than the first inner surface 71, which is adjacent to the protection chip 173. The shorter the straight section D8 of the wire 176 becomes. Accordingly, external shock transmitted to the wire 176 can be reduced.

상기 리세스 영역(76)의 측벽(75)과 상기 몸체(111)의 제3측면부(63) 사이의 간격(D6)은 상기 제1 내지 제4내측면(71~74)과 몸체(111)의 각 측면부(61~64)의 간격(D7)보다 더 좁을 수 있다. 예를 들면, 상기 간격(D6)은 상기 제3내측면(73)과 상기 제3측면부(63) 사이의 간격(D7)보다 얇게 형성되며, 예컨대 40㎛~70㎛ 범위로 얇게 형성될 수 있다. The distance D6 between the side wall 75 of the recess region 76 and the third side portion 63 of the body 111 is the first to fourth inner side surfaces 71 to 74 and the body 111. It may be narrower than the interval (D7) of each side portion (61 ~ 64) of. For example, the gap D6 may be thinner than the gap D7 between the third inner side surface 73 and the third side surface portion 63, and may be formed to be thinner, for example, in a range of 40 μm to 70 μm. .

상기 발광 칩(171)은 캐비티(101)의 제2내측면(72)과의 간격(E4)은 500㎛~650㎛ 범위로 이격되며, 제1내측면(71)과의 간격(E3)은 75㎛~95㎛ 범위로 형성될 수 있다. 즉, 간격(E4)는 간격(E3)의 5배 이상이 될 수 있다. The light emitting chip 171 has a distance E4 from the second inner side surface 72 of the cavity 101 spaced from 500 μm to 650 μm, and a distance E3 from the first inner side surface 71. 75 μm to 95 μm. That is, the interval E4 may be at least five times the interval E3.

도 5와 같이, 상기 리세스 영역(76)에서 측벽(75)의 각도(θ3)는 상기 제3내측면(73)의 각도 (θ2)보다 작은 각도로 형성될 수 있다. 상기 측벽(75)의 각도(θ3)는 리드 프레임(121)의 상면에 대해 90~92도 범위 예컨대, 90도(직각)로 형성될 수 있다. 상기 측벽(75)의 각도(θ3)는 다른 내측면들(71~74)의 각도(θ2, θ1)보다 1~3도 작게 형성된다. As illustrated in FIG. 5, the angle θ3 of the side wall 75 in the recess region 76 may be formed at an angle smaller than the angle θ2 of the third inner side surface 73. The angle θ3 of the sidewall 75 may be formed in a range of 90 to 92 degrees, for example, 90 degrees (perpendicular) with respect to the top surface of the lead frame 121. The angle θ3 of the sidewall 75 is 1 to 3 degrees smaller than the angles θ2 and θ1 of the other inner surfaces 71 to 74.

도 2, 도 6 내지 도 12를 참조하여 리드 프레임의 구조를 보면, 상기 제1리드 프레임(121)은 상기 몸체(111)의 제1측면부(61)로 노출된 적어도 하나의 제1돌기(126), 상기 제3측면부(63)로 노출된 제2돌기(127), 상기 제4측면부(64)로 노출된 제3돌기(128)를 포함한다. 상기 제1내지 제3돌기(126-128)는 상기 몸체(111)의 하면(117)으로부터 소정 간격(G1)으로 이격된다. 상기 간격(G1)은 10㎛ 이상이고 상기 제1리드 프레임(121) 두께(T1)의 50% 이하가 될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 6 to 12, the first lead frame 121 has at least one first protrusion 126 exposed to the first side portion 61 of the body 111. ), The second protrusion 127 exposed to the third side portion 63, and the third protrusion 128 exposed to the fourth side portion 64. The first to third protrusions 126-128 are spaced apart from the lower surface 117 of the body 111 by a predetermined interval G1. The gap G1 may be greater than or equal to 10 μm and less than or equal to 50% of the thickness T1 of the first lead frame 121.

상기 제2리드 프레임(131)은 상기 몸체(111)의 제2측면부(62)로 노출된 적어도 하나의 제4돌기(136), 상기 제3측면부(63)로 노출된 제5돌기(137), 상기 제4측면부(64)로 노출된 제6돌기(138)를 포함한다. 상기 제4내지 제6돌기(136,137,138)는 상기 몸체(111)의 하면(117)으로부터 소정 간격(G1)으로 이격된다. 상기 간격(G1)은 10㎛ 이상이고 상기 제2리드 프레임(131)의 두께(T1)의 50% 이하가 될 수 있다.The second lead frame 131 has at least one fourth protrusion 136 exposed to the second side portion 62 of the body 111 and a fifth protrusion 137 exposed to the third side portion 63. And a sixth protrusion 138 exposed by the fourth side portion 64. The fourth to sixth protrusions 136, 137, and 138 are spaced apart from the lower surface 117 of the body 111 by a predetermined interval G1. The gap G1 may be greater than or equal to 10 μm and less than or equal to 50% of the thickness T1 of the second lead frame 131.

도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 제1리드 프레임(121)의 제2 및 제3돌기(127,128)는 서로 반대측 방향으로 돌출되며, 상기 제2리드 프레임(131)의 제5 및 제6돌기(137,138)는 서로 반대측 방향으로 돌출된다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 모서리 부분은 각진 형태이거나 곡면 형태일 수 있다.11 and 12, the second and third protrusions 127 and 128 of the first lead frame 121 protrude in opposite directions to each other, and the fifth and sixth protrusions of the second lead frame 131. 137 and 138 protrude in opposite directions to each other. Corner portions of the first and second lead frames 121 and 131 may be angled or curved.

도 4, 도 5 및 도 10과 같이, 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 기판(PCB) 위에 접합될 수 있는 리드 영역을 포함한다. 상기 제1리드 프레임(121)의 제1리드 영역(125)은 상기 몸체(111)의 하면(117)에 노출되며, 제1 및 제2리세스부(122,123) 사이에 배치된다. 상기 제2리드 프레임(131)의 제2리드 영역(135)은 상기 몸체(111)의 하면(137)에 노출되며, 상기 간극부(115)와 제3리세스부(133) 사이에 배치된다. 4, 5, and 10, the first and second lead frames 121 and 131 include lead regions that may be bonded onto the substrate PCB. The first lead region 125 of the first lead frame 121 is exposed to the lower surface 117 of the body 111 and is disposed between the first and second recesses 122 and 123. The second lead region 135 of the second lead frame 131 is exposed to the bottom surface 137 of the body 111 and is disposed between the gap portion 115 and the third recess portion 133. .

상기 제1 및 제2리드 영역(125,135) 간의 간격(C5)은 상기 캐비티(101) 바닥의 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 간격보다 더 이격된다. 상기 제1리드 영역(125)의 길이(C1)는 상기 제2리드 영역(135)의 길이(C2)보다 길게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리드 영역(125)의 길이(C1)는 0.5mm±0.1mm 범위로 형성될 수 있으며, 상기 제2리드 영역(135)의 길이(C2)는 0.4mm±0.05mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1리드 영역(125)의 면적이 상기 제2리드 영역(135)의 면적보다 넓기 때문에 효과적으로 방열할 수 있다. An interval C5 between the first and second lead regions 125 and 135 is further spaced apart from an interval between the first and second lead frames 121 and 131 at the bottom of the cavity 101. The length C1 of the first lead region 125 may be longer than the length C2 of the second lead region 135, but is not limited thereto. The length C1 of the first lead region 125 may be formed in a range of 0.5 mm ± 0.1 mm, and the length C2 of the second lead region 135 may be formed in a range of 0.4 mm ± 0.05 mm. have. Since the area of the first lead region 125 is larger than that of the second lead region 135, heat radiation can be effectively performed.

또한 상기 제1 및 제2리드 영역(125,135) 간의 간격(C3)은 기판의 회로 패턴과의 간격을 고려한 것으로서, 범용성 발광 소자를 제공할 수 있다. 이에 따라 상기 제1리드 프레임(121)의 하면 면적은 상기 제1리드 프레임(121)의 상면 면적보다 좁게 형성되며, 예컨대, 30% 이상 좁게 형성될 수 있다. In addition, the spacing C3 between the first and second lead regions 125 and 135 considers a spacing between the circuit pattern of the substrate and may provide a general-purpose light emitting device. Accordingly, an area of the lower surface of the first lead frame 121 may be narrower than an area of the upper surface of the first lead frame 121, for example, 30% or more.

상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)의 하부에는 상기 몸체(111)의 지지 몸체(112)와 접촉되거나 결합되는 복수의 리세스부를 구비할 수 있으며, 상기 리세스부는 리세스 영역으로 정의될 수 있다.A lower portion of the first lead frame 121 and the second lead frame 131 may include a plurality of recesses that are in contact with or coupled to the support body 112 of the body 111. It may be defined as an access area.

상기 제1리드 프레임(121)은, 예컨대 제1리세스부(122) 및 제2리세스부(123)를 포함한다. 상기 제1리세스부(122)는 상기 제1리드 프레임(121)의 제1리드 영역(125)과 상기 간극부(115) 사이의 영역에 형성되고 도 5와 같이 지지 몸체(112)가 배치된다. 상기 제1리세스부(122)의 너비는 상기 몸체(111)이 너비(X1) 또는 제1측면부(11)의 길이와 동일한 너비를 갖고, 그 깊이(B2)는 제2리세스부(123)의 깊이보다 2배 이상 넓게 형성된다. 이러한 제1리세스부(122)는 상기 제1리드 프레임(121)의 내측 영역의 아래에 단차진 구조로 배치되어, 상기 몸체(111)의 지지 몸체(112)와 결합된다. The first lead frame 121 includes, for example, a first recess portion 122 and a second recess portion 123. The first recess 122 is formed in an area between the first lead region 125 and the gap 115 of the first lead frame 121 and the support body 112 is disposed as shown in FIG. 5. do. The width of the first recess portion 122 is the body 111 has the same width as the width (X1) or the length of the first side portion 11, the depth (B2) of the second recess portion 123 It is formed more than twice as wide as the depth. The first recess 122 is disposed below the inner region of the first lead frame 121 in a stepped structure, and is coupled to the support body 112 of the body 111.

상기 제1리세스부(122)의 깊이(B2)는 상기 제1리드 프레임(121)의 길이(B1)의 30~60% 범위를 갖고, 상기 제1리드 영역(125)의 평탄한 면에 대해 단차진 구조로 형성된다. 상기 제1리세스부(122)는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께(T1)의 50% 이하가 될 수 있다. 상기 제1리세스부(122)는 발광 칩(171)이 탑재된 상기 제1리드 프레임(121)의 상면까지의 습기 침투 경로를 증가시켜 줄 수 있다.The depth B2 of the first recess portion 122 is in the range of 30 to 60% of the length B1 of the first lead frame 121, and with respect to the flat surface of the first lead region 125. It is formed in a stepped structure. The first recess 122 may be 50% or less of the thickness T1 of the first lead frame 121. The first recess 122 may increase a moisture penetration path to an upper surface of the first lead frame 121 on which the light emitting chip 171 is mounted.

상기 제1리드 프레임(121)의 제2리세스부(123)는 상기 몸체(111)의 제1측면부(61)에 인접하고, 상기 제1돌기(126) 아래에 상기 제1리드 영역(125)로부터 단차진 구조로 형성되며, 상기 몸체(111)의 하부 즉, 지지 몸체(112)와 결합된다. The second recess 123 of the first lead frame 121 is adjacent to the first side portion 61 of the body 111, and the first lead area 125 is below the first protrusion 126. It is formed in a stepped structure from, and coupled to the lower portion of the body 111, that is, the support body 112.

상기 제2리드 프레임(131)은 상기 제4내지 제6돌기(136,137,138) 아래에 단차진 구조의 제3 내지 제5리세스부(132,133,134)를 포함하며, 상기 제3리세스부(132)는 상기 간극부(115)에 인접한 영역에 형성되며, 상기 제4리세스부(133)에는 상기 제2리드 프레임(131)의 제2리드 영역(135)로부터 단차진 영역으로서, 상기 몸체(111)의 하부인 지지 몸체(112)가 결합된다. 상기 제5리세스부(134)는 상기 제5 및 제6돌기(137,138)의 아래에 단차진 구조로 형성될 수 있다. 상기 제3내지 제5리세스부(132,133,134)는 제2리드 프레임(131)의 두께(T1)의 50% 이하로 형성될 수 있다.The second lead frame 131 includes third to fifth recesses 132, 133, and 134 having a stepped structure under the fourth to sixth protrusions 136, 137, and 138, and the third recess 132 is The body 111 is formed in an area adjacent to the gap 115, and is formed in the fourth recess 133 as a step difference from the second lead area 135 of the second lead frame 131. The lower portion of the support body 112 is coupled. The fifth recess 134 may be formed to have a stepped structure under the fifth and sixth protrusions 137 and 138. The third to fifth recesses 132, 133, and 134 may be formed at 50% or less of the thickness T1 of the second lead frame 131.

또한 상기 각 리세스부(122,123,132,133,134)는 절곡 부분에 소정의 곡률을 갖는 곡면으로 형성되며, 이러한 곡면은 상기 지지 몸체(112)와의 접촉 면적을 증가시켜 줄 수 있으며, 습기 침투 경로를 증가시켜 줄 수 있다. In addition, each of the recesses 122, 123, 132, 133, and 134 is formed as a curved surface having a predetermined curvature in the bent portion, and the curved surface may increase the contact area with the support body 112 and increase the moisture penetration path. have.

상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 두께(T2)는 0.15mm~0.8mm 범위 예컨대, 0.25mm~0.35mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(121) 및 제2리드 프레임(131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(121,131)의 두께(T2)는 서로 동일한 두께로 설명하고 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The thickness T2 of the first and second lead frames 121 and 131 may be formed in a range of 0.15 mm to 0.8 mm, for example, 0.25 mm to 0.35 mm. The first lead frame 121 and the second lead frame 131 is a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum It may include at least one of aluminum (Ta), platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P), and may be formed of a single metal layer or a multilayer metal layer. Although the thicknesses T2 of the first and second lead frames 121 and 131 are the same as each other, the thickness is not limited thereto.

상기 발광 칩(171)은 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩, 백색 LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(171)은 III족-V족 원소의 화합물 반도체와 II족-VI족 원소의 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 LED 칩을 포함한다. 상기 발광 칩(171)은 상기 캐비티(101) 내에 하나 또는 복수가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(171)은 애노드와 캐소드용 전극이 상하로 배치되는 수직형 칩이거나, 애노드와 캐소드용 전극이 어느 한 측 방향에 배치된 플립 칩이거나, 애노드와 캐소드용 전극이 옆에 배치되는 수평형 칩일 수 있다. 또한 상기 발광 칩(171)의 가로 길이(Y3)는 0.5mm~1.5mm 범위로 형성되고, 세로의 길이(너비: X3)는 0.5mm~1.5mm 범위의 크기를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 칩(171)은 가로 및 세로의 길이가 동일하거나 다를 수 있으며, 그 두께는 두께는 100-300㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 보호 칩(173)은 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)와 같은 칩이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light emitting chip 171 may selectively emit light in the range of visible light band to ultraviolet band, for example, a red LED chip, a blue LED chip, a green LED chip, a yellow green LED chip, and a white LED chip. Can be. The light emitting chip 171 includes an LED chip including at least one of a compound semiconductor of group III-V elements and a compound semiconductor of group II-VI elements. One or more light emitting chips 171 may be disposed in the cavity 101, but the present invention is not limited thereto. The light emitting chip 171 may be a vertical chip in which an anode and a cathode electrode are disposed up and down, a flip chip in which an anode and a cathode electrode are disposed in one side direction, or an anode and a cathode electrode may be disposed next to each other. It may be a balanced chip. In addition, the horizontal length (Y3) of the light emitting chip 171 is formed in the range of 0.5mm ~ 1.5mm, the vertical length (width: X3) may include a size in the range of 0.5mm ~ 1.5mm, limited to this It doesn't. The light emitting chip 171 may have the same length or different lengths and widths, and a thickness thereof may be formed in a range of 100-300 μm. The protection chip 173 may include a chip such as a thyristor, a zener diode, or a transient voltage suppression (TVS), but is not limited thereto.

상기 캐비티(101) 내에는 몰딩 부재(161)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(161)는 상기 발광 칩(171) 위를 커버하게 된다. 이러한 몰딩 부재(161)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(161)는 상기 발광 칩(171) 상으로 방출되는 빛의 파장을 변환하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(171)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(161)의 상면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 광 출사면이 될 수 있다. 상기 몰딩 부재(161)의 상부에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 발광 칩(171)에 대해 볼록한 렌즈, 오목한 렌즈, 중심부에 전반사면을 갖는 볼록 렌즈를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A molding member 161 is disposed in the cavity 101, and the molding member 161 covers the light emitting chip 171. The molding member 161 may include a light transmissive resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed in a single layer or multiple layers. In addition, the molding member 161 may include a phosphor for converting a wavelength of light emitted onto the light emitting chip 171, and the phosphor excites a part of the light emitted from the light emitting chip 171. It is emitted by the light of the wavelength. The phosphor may be selectively formed among YAG, TAG, Silicate, Nitride, and Oxy-nitride based materials. The phosphor may include at least one of a red phosphor, a yellow phosphor, and a green phosphor, but is not limited thereto. The upper surface of the molding member 161 may be formed in a flat shape, concave shape, convex shape and the like, and may be a light exit surface. A lens may be disposed on the molding member 161, and the lens may include a convex lens, a concave lens, and a convex lens having a total reflection surface at the center of the light emitting chip 171. Do not.

다른 예로서, 상기 몰딩 부재(161)와 상기 발광 칩(171) 상에 형광체층이 더 배치될 수 있으며, 상기 캐비티(101)의 내측면들(71~74)과 상기 발광 칩(171)의 측면들 사이에 반사 특성을 갖는 몰딩 부재가 배치될 수 있다. 상기 반사성의 재질은 상기 발광 칩(171)의 방출 파장에 대해 70% 이상 반사하는 특성을 갖는 재질을 포함한다. 상기 반사 특성을 갖는 몰딩 부재 상에 투광성의 몰딩 부재가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. As another example, a phosphor layer may be further disposed on the molding member 161 and the light emitting chip 171, and the inner surfaces 71 to 74 of the cavity 101 and the light emitting chip 171 may be disposed on the molding member 161 and the light emitting chip 171. A molding member having reflective properties can be arranged between the sides. The reflective material includes a material having a property of reflecting 70% or more of the emission wavelength of the light emitting chip 171. The light transmitting molding member may be disposed on the molding member having the reflective characteristic, but is not limited thereto.

도 13은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 도 13의 발광 소자의 캐비티(101) 구조는 제1실시 예에 도시된 구조를 포함할 수 있으며, 동일 부분은 상기의 실시 예의 설명을 참조하기로 한다.13 is a side sectional view showing a light emitting device according to the second embodiment. The structure of the cavity 101 of the light emitting device of FIG. 13 may include the structure shown in the first embodiment, and the same parts will be described with reference to the description of the above embodiment.

도 13을 참조하면, 발광 칩(171) 상에 형광체층(181)이 배치되며, 몰딩 부재(161) 내에는 형광체가 첨가되지 않거나, 상기 형광체층(181)에 첨가된 형광체와 다른 종류의 형광체가 첨가될 수 있다.Referring to FIG. 13, a phosphor layer 181 is disposed on the light emitting chip 171, and phosphors are not added to the molding member 161, or phosphors different from phosphors added to the phosphor layer 181. May be added.

상기 형광체층(181)은 상기 발광 칩(171)의 상면 면적보다 작은 면적으로 형성되거나, 상기 발광 칩(171)의 상면 및 측면에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 형광체층(181)은 청색, 적색, 황색, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The phosphor layer 181 may be formed with an area smaller than the area of the top surface of the light emitting chip 171 or may be formed on the top and side surfaces of the light emitting chip 171, but is not limited thereto. The phosphor layer 181 may include at least one of blue, red, yellow, and green phosphors.

상기 캐비티(101)에는 상기 발광 칩(171)의 상면보다 낮은 높이를 갖는 제1몰딩 부재(161A)와, 상기 발광 칩(171)과 상기 제1몰딩 부재(161A) 상에 배치된 제2몰딩 부재(161B)를 포함한다. 상기 제1 및 제2몰딩 부재(161A,161B)는 금속 산화물을 포함할 수 있으며, 예컨대 서로 동일한 금속 산화물 또는 서로 다른 금속 산화물을 포함할 수 있다. The cavity 101 has a first molding member 161A having a height lower than that of the upper surface of the light emitting chip 171, and a second molding disposed on the light emitting chip 171 and the first molding member 161A. Member 161B. The first and second molding members 161A and 161B may include metal oxides, and for example, may include the same metal oxides or different metal oxides.

상기 제1몰딩 부재(161A)는 제1금속 산화물을 포함하며, 상기 제2몰딩 부재(161B)는 제2금속 산화물을 포함한다. 상기 제1금속 산화물은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나를 포함하며, 상기 제2금속 산화물은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 어느 하나를 포함한다. The first molding member 161A includes a first metal oxide, and the second molding member 161B includes a second metal oxide. The first metal oxide is SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 It includes any one, the second metal oxide is SiO 2 , SiO x , SiO x N y , It includes any one of Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 .

상기 제1금속 산화물은 상기 제1몰딩 부재(161A) 내에 7.5~12.5wt% 범위로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 제1몰딩 부재(161A)는 상기 발광 칩(171)의 둘레에 배치된 반사층으로 기능하게 된다. 상기 제2금속 산화물은 상기 제2몰딩 부재(161B) 내에 7.5~12.5wt% 범위로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 제2몰딩 부재(161B)는 상기 발광 칩(171) 상에서 확산 층으로 기능할 수 있다. The first metal oxide may be added in the range of 7.5 to 12.5 wt% in the first molding member 161A. Accordingly, the first molding member 161A functions as a reflective layer disposed around the light emitting chip 171. The second metal oxide may be added in the range of 7.5 to 12.5 wt% in the second molding member 161B. Accordingly, the second molding member 161B may function as a diffusion layer on the light emitting chip 171.

도 14는 제3실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이고, 도 15는 도 14의 발광 소자의 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.14 is a plan view of a light emitting device according to a third embodiment, and FIG. 15 is a side cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 14. In describing the third embodiment, the same parts as the first embodiment will be referred to the first embodiment.

도 14 및 도 15를 참조하면, 발광소자는 리세스 영역(47)을 갖는 캐비티(201)를 포함하는 몸체(211)와, 상기 몸체(211) 내에 배치된 복수의 리드 프레임(221,231), 상기 복수의 리드 프레임(221,231) 중 어느 하나의 위에 배치된 적어도 하나의 발광 칩(271), 보호 칩(273) 및 몰딩부재(261)를 포함한다.14 and 15, the light emitting device includes a body 211 including a cavity 201 having a recess area 47, a plurality of lead frames 221 and 231 disposed in the body 211, and At least one light emitting chip 271, a protection chip 273, and a molding member 261 are disposed on any one of the plurality of lead frames 221 and 231.

상기 몸체(211)는 제1내지 제4측면부(31~34)를 포함하며, 상기 제3 및 제4측면부(33,34)에는 리브(15,16)가 상기 제3 및 제4측면부(33,34)을 따라 길게 형성된다. 이러한 리브(15,16)은 간극부(115)의 너비보다는 넓게 형성되어, 제1 및 제2리드 프레임(221,231) 사이의 간극부(115)에서의 강성을 보강할 수 있다.The body 211 includes first to fourth side portions 31 to 34, and ribs 15 and 16 are formed on the third and fourth side portions 33 and 34, respectively. 34 is formed long along. The ribs 15 and 16 may be formed wider than the width of the gap portion 115 to reinforce the rigidity in the gap portion 115 between the first and second lead frames 221 and 231.

여기서, 상기 간극부(115)는 하부 너비가 넓고 상부 너비가 좁은 구조로 형성되며, 그 상부는 평탄한 제1면(51)과, 상기 제1면(51)에 대해 경사진 제2면(52)을 포함한다. 상기 제1면(51)은 상기 제2본딩부(232)의 상면과 동일한 평면이거나, 다른 평면에 배치될 수 있으며, 그 높이는 발광 칩(271)의 상면보다 더 높게 형성될 수 있다. 상기 제2면(52)은 상기 발광 칩(271)에 측면과 대응되어, 광의 반사를 효과적으로 수행할 수 있다.Here, the gap portion 115 is formed in a structure having a wide lower width and a narrow upper width, the upper portion having a flat first surface 51 and a second surface 52 inclined with respect to the first surface 51. ). The first surface 51 may be the same plane as the top surface of the second bonding portion 232 or may be disposed on another plane, and the height thereof may be higher than the top surface of the light emitting chip 271. The second surface 52 may correspond to the side surface of the light emitting chip 271, and may effectively reflect light.

상기 캐비티(201)는 적어도 제1내지 제4내측면(41~44)을 포함한다. 상기 제1 내지 제4내측면(41~44)는 평면이거나 곡면일 수 있으며, 또한 제 1내지 제4내측면(41~44) 사이를 연결하는 면은 곡면이거나 각진 면일 수 있다. 상기 몸체(211)의 상부 둘레(216)는 캐비티(201)과 연결되는 부분에 단차지게 형성될 수 있다.The cavity 201 includes at least first to fourth inner side surfaces 41 to 44. The first to fourth inner side surfaces 41 to 44 may be planar or curved surfaces, and a surface connecting the first to fourth inner side surfaces 41 to 44 may be curved or angled surfaces. The upper circumference 216 of the body 211 may be formed stepped at the portion connected to the cavity 201.

상기 제1리드 프레임(221)은 캐비티(201)의 바닥에 배치된 제1본딩부(222) 및 상기 몸체(211)의 제2측면부(32)로 돌출된 복수의 제1리드부(223)를 포함한다. 상기 제2리드 프레임(231)은 캐비티(201)의 바닥에 배치된 제2본딩부(232) 및 몸체(211)의 제1측면부(31)로 돌출된 제2리드부(233)를 포함한다. The first lead frame 221 may include a plurality of first lead parts 223 protruding from the first bonding part 222 disposed on the bottom of the cavity 201 and the second side part 32 of the body 211. It includes. The second lead frame 231 includes a second bonding portion 232 disposed on the bottom of the cavity 201 and a second lead portion 233 protruding from the first side portion 31 of the body 211. .

상기 제1 및 제2리드 프레임(221,231)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 요철 패턴(55,56)과 같은 러프한 구조가 형성되거나, 리세스된 구조를 포함할 수 있다. At least one of the top and bottom surfaces of the first and second lead frames 221 and 231 may have a rough structure such as the uneven patterns 55 and 56 or may include a recessed structure.

상기 제2리드 프레임(231)의 제2본딩부(232)의 상면은 상기 제1리드 프레임(221)의 제1본딩부(222)의 상면보다 높은 위치에 배치된다. 이에 따라 상기 캐비티(201)의 깊이는 상기 몸체(211)의 상면으로부터 상기 제1리드 프레임(221)의 제1본딩부(222)까지의 깊이가 상기 제2리드 프레임(231)의 제2본딩부(232)까지의 깊이보다 깊게 형성될 수 있다. The upper surface of the second bonding portion 232 of the second lead frame 231 is disposed at a position higher than the upper surface of the first bonding portion 222 of the first lead frame 221. Accordingly, the depth of the cavity 201 is the depth from the upper surface of the body 211 to the first bonding portion 222 of the first lead frame 221 is the second bonding of the second lead frame 231 It may be formed deeper than the depth to the portion (232).

상기 제1본딩부(222)와 상기 제2본딩부(232) 사이의 영역에는 간극부(215)가 배치된다. 상기 간극부(215)는 단차진 구조 예컨대, 적어도 일부가 경사진 면을 포함할 수 있다. The gap portion 215 is disposed in an area between the first bonding portion 222 and the second bonding portion 232. The gap portion 215 may include a stepped structure, for example, a surface at least partially inclined.

상기 제1리드 프레임(221)의 제1본딩부(222)과 캐비티(201)의 제2내측면(42) 사이의 각도(θ3)는 91~160도 범위에서 형성될 수 있으며, 상기 제2리드 프레임(231)의 제2본딩부(131)와 캐비티(201)의 제1내측면(41) 사이의 각도(θ4)는 상기 각도(θ3) 보다 작은 각도 예컨대, 90~140도의 범위로 형성될 수 있다. 또한 제1내측면(41)과 상기 제2내측면(42)의 경사진 각도는 동일한 각도로 형성될 수 있다.An angle θ3 between the first bonding portion 222 of the first lead frame 221 and the second inner side surface 42 of the cavity 201 may be formed in a range of 91 to 160 degrees, and the second The angle θ4 between the second bonding portion 131 of the lead frame 231 and the first inner side surface 41 of the cavity 201 is formed in an angle smaller than the angle θ3, for example, in a range of 90 to 140 degrees. Can be. In addition, the inclined angle of the first inner side 41 and the second inner side 42 may be formed at the same angle.

상기 발광 칩(271)은 제1리드 프레임(221) 상에 전도성 접착 부재(291)로 연결되고, 와이어(275)로 제2리드 프레임(231)과 연결된다. 상기 보호 칩(273)은 제2리드 프레임(231) 위에 배치되고 제1리드 프레임(221)과 와이어(276)로 연결된다.The light emitting chip 271 is connected to the first lead frame 221 by a conductive adhesive member 291, and is connected to the second lead frame 231 by a wire 275. The protection chip 273 is disposed on the second lead frame 231 and is connected to the first lead frame 221 by a wire 276.

상기 캐비티(201)의 제4내측면(44)에는 리세스 영역(47)을 포함하며, 상기 리세스 영역(47)은 상기 제4내측면(44)보다 몸체(411)의 외측면 방향 즉, 제4측면부(34) 방향으로 볼록하게 형성된다. 상기 리세스 영역(47)과 상기 발광 칩(271) 사이에는 보호 칩(273)에 연결된 와이어(276)가 연결된다. 이에 따라 상기 발광 칩(271)에 인접한 영역에 보호 칩(273)에 연결된 와이어(276)가 배치되더라도, 상기 발광 칩(271)을 크게 이동하지 않아도 되는 효과가 있다. The fourth inner side surface 44 of the cavity 201 includes a recess region 47, which is an outer side direction of the body 411 than the fourth inner side surface 44. It is formed convexly in the direction of the fourth side part 34. A wire 276 connected to the protection chip 273 is connected between the recess region 47 and the light emitting chip 271. Accordingly, even when the wire 276 connected to the protection chip 273 is disposed in an area adjacent to the light emitting chip 271, the light emitting chip 271 does not have to be moved greatly.

상기 캐비티(201)에는 몰딩부재(261)가 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(261)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. A molding member 261 may be formed in the cavity 201. The molding member 261 may include a light transmissive resin layer such as silicon or epoxy, and may be formed in a single layer or multiple layers.

실시 예는 리세스 영역을 하나의 위치에 형성하는 것으로 설명하였으나, 서로 반대측 내측면에 리세스 영역을 각각 배치하여, 복수의 보호 칩과 연결되는 와이어의 공간을 각각 확보할 수도 있다.Although the embodiment has been described as forming the recessed regions at one position, the recessed regions may be disposed on inner surfaces of opposite sides, respectively, to secure spaces of wires connected to the plurality of protection chips.

도 16은 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.16 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting chip according to an embodiment.

도 16을 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.Referring to FIG. 16, the light emitting chip includes a substrate 311, a buffer layer 312, a light emitting structure 310, a first electrode 316, and a second electrode 317. The substrate 311 includes a substrate of a light transmissive or non-transparent material, and also includes a conductive or insulating substrate.

상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다. The buffer layer 312 reduces the lattice constant difference between the substrate 311 and the material of the light emitting structure 310 and may be formed of a nitride semiconductor. A nitride semiconductor layer that is not doped with a dopant may be further formed between the buffer layer 312 and the light emitting structure 310 to improve crystal quality.

상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다. The light emitting structure 310 includes a first conductive semiconductor layer 313, an active layer 314, and a second conductive semiconductor layer 315.

상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductive semiconductor layer 313 is formed of a group III-V group compound semiconductor doped with a first conductive dopant, and the first conductive semiconductor layer 313 is formed of In x Al y Ga 1-xy N. A composition formula of (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). The first conductive semiconductor layer 313 is, for example, a stacked structure of layers including at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP. It may include. The first conductive semiconductor layer 313 is an n-type semiconductor layer, and the first conductive dopant is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. A first cladding layer may be formed between the first conductive semiconductor layer 313 and the active layer 314. The first cladding layer may be formed of a GaN-based semiconductor, and the band gap may be formed to be greater than or equal to the band gap of the active layer 314. The first cladding layer is formed of a first conductive type and serves to restrain the carrier.

상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다. The active layer 314 is disposed on the first conductive semiconductor layer 313 and optionally includes a single quantum well, a multi-quantum well (MQW), a quantum wire structure, or a quantum dot structure. do. The active layer 314 includes a cycle of a well layer and a barrier layer. The well layer includes a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1), and the barrier layer is In x Al y Ga 1 It may include a composition formula of -xy N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). The period of the well layer / barrier layer may be formed in one or more cycles using, for example, a stacked structure of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, InGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InAlGaN / InAlGaN. The barrier layer may be formed of a semiconductor material having a band gap higher than that of the well layer.

상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다. The second conductive semiconductor layer 315 is formed on the active layer 314. The second conductive semiconductor layer 315 may be a semiconductor doped with a second conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ The composition formula of 1) is included. The second conductive semiconductor layer 315 may be formed of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and AlGaInP. The second conductive semiconductor layer 315 is a p-type semiconductor layer, and the second conductive dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.The second conductive semiconductor layer 315 may include a superlattice structure, and the superlattice structure may include an InGaN / GaN superlattice structure or an AlGaN / GaN superlattice structure. The superlattice structure of the second conductive semiconductor layer 315 may abnormally diffuse the current included in the voltage to protect the active layer 314.

또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 p형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다. In addition, the conductive type of the light emitting structure 310 may be disposed to be reversed. For example, the first conductive semiconductor layer 313 may be a p-type semiconductor layer, and the second conductive semiconductor layer 315 may be an n-type semiconductor layer. can do. The first conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type may be further disposed on the second conductive semiconductor layer 315.

상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.The light emitting structure 310 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Here, p is a p-type semiconductor layer, n is an n-type semiconductor layer, and-includes a structure in which the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer is in direct contact or indirect contact. Hereinafter, for convenience of description, the uppermost layer of the light emitting structure 310 will be described as the second conductive semiconductor layer 315.

상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다. 상기 제1 및 제2전극(316,317)은 와이어로 연결되거나, 다른 연결 방식으로 연결될 수 있다.The first electrode 316 is disposed on the first conductive semiconductor layer 313, and the second electrode 317 has a current diffusion layer on the second conductive semiconductor layer 315. The first and second electrodes 316 and 317 may be connected by a wire or may be connected by another connection method.

도 17은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 도 27과 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.17 is a diagram illustrating another example of a light emitting chip according to one embodiment. In describing the embodiment, the same parts as in FIG. 27 are omitted and will be briefly described.

도 17을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 접촉층(321)이 형성되며, 상기 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 17, in the light emitting chip according to the embodiment, a contact layer 321 is formed under the light emitting structure 310, a reflective layer 324 is formed under the contact layer 321, and the reflective layer 324 is provided. A support member 325 is formed below, and a protective layer 323 may be formed around the reflective layer 324 and the light emitting structure 310.

상기 발광 구조물(310) 상에 배치된 제1전극(316)은 하나 또는 복수로 형성될 수 있으며, 와이어가 본딩되는 패드를 포함한다.One or more first electrodes 316 disposed on the light emitting structure 310 may be formed, and include pads to which wires are bonded.

이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다. The light emitting chip may be formed by forming a contact layer 321 and a protective layer 323, a reflective layer 324, and a support member 325 under the second conductive semiconductor layer 315 and then removing the growth substrate. have.

상기 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.The contact layer 321 is in ohmic contact with a lower layer of the light emitting structure 310, for example, the second conductive semiconductor layer 315, and the material may be selected from a metal oxide, a metal nitride, an insulating material, and a conductive material. Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf and any combination of these Can be formed. In addition, the metal material may be formed in a multilayer using light transmitting conductive materials such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, and ATO. For example, IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like can be laminated. Inside the contact layer 321 may be further formed a layer for blocking the current to correspond to the electrode 316.

상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.The protective layer 323 may be selected from a metal oxide or an insulating material, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), or IGZO. (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), SiO 2 , SiO x , SiO x N y , It may be selectively formed from Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO 2 . The protective layer 323 may be formed using a sputtering method or a deposition method, and may prevent a metal such as the reflective layer 324 from shorting the layers of the light emitting structure 310.

상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The reflective layer 324 may be formed of a material made of a metal, for example, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and a combination thereof. The reflective layer 324 may be formed larger than the width of the light emitting structure 310, which may improve the light reflection efficiency. A metal layer for bonding and a metal layer for heat diffusion may be further disposed between the reflective layer 324 and the support member 325, but the embodiment is not limited thereto.

상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The support member 325 is a base substrate, and may be a metal such as copper (Cu), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), copper-tungsten (Cu-W), or a carrier wafer (eg, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC). A bonding layer may be further formed between the support member 325 and the reflective layer 324, and the bonding layer may bond two layers to each other. The disclosed light emitting chip is one example, and is not limited to the features disclosed above. The light emitting chip may be selectively applied to the above embodiment of the light emitting device, but is not limited thereto.

<조명 시스템><Lighting system>

실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 18 및 도 19에 도시된 표시 장치, 도 20에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device according to the embodiment may be applied to a lighting system. The lighting system includes a structure in which a plurality of light emitting elements are arranged, and includes a display device shown in FIGS. 18 and 19 and a lighting device shown in FIG. have.

도 18은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다. 18 is an exploded perspective view of a display device having a light emitting device according to the embodiment.

도 18을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 18, the display device 1000 according to the exemplary embodiment includes a light guide plate 1041, a light source module 1031 providing light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. ), An optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, a display panel 1061, a light guide plate 1041, a light source module 1031, and a reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The bottom cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective sheet 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050.

상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The light guide plate 1041 diffuses light to serve as a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethyl metaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN). It may include one of the resins.

상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The light source module 1031 provides light to at least one side of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device.

상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자 또는 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The light source module 1031 may include at least one, and may provide light directly or indirectly at one side of the light guide plate 1041. The light source module 1031 includes a substrate 1033 and a light emitting device or a light emitting device 1035 according to the above-described embodiment, and the light emitting device or the light emitting device 1035 is disposed on the substrate 1033 at a predetermined interval. Can be arrayed.

상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The substrate 1033 may be a printed circuit board (PCB) including a circuit pattern (not shown). However, the substrate 1033 may include not only a general PCB but also a metal core PCB (MCPCB, Metal Core PCB), a flexible PCB (FPCB, Flexible PCB) and the like, but is not limited thereto. When the light emitting device 1035 is mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. Here, a part of the heat dissipation plate may contact the upper surface of the bottom cover 1011.

그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting devices 1035 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting device 1035 may directly or indirectly provide light to a light incident part, which is one side of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 may improve the luminance of the light unit 1050 by reflecting light incident to the lower surface of the light guide plate 1041 and pointing upward. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may accommodate the light guide plate 1041, the light source module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with an accommodating part 1012 having a box shape having an upper surface opened thereto, but is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be combined with the top cover, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or non-metal material having good thermal conductivity, but is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizer may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the polarizer is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by light passing through the optical sheet 1051. The display device 1000 may be applied to various portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, televisions, and the like.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light transmissive sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as, for example, a diffusion sheet, a horizontal and vertical prism sheet, and a brightness enhancement sheet. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and / or vertical prism sheet focuses the incident light into the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness. In addition, a protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but is not limited thereto.

여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light source module 1031, but are not limited thereto.

도 19는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다. 19 is a diagram illustrating a display device having a light emitting device according to an exemplary embodiment.

도 19를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. Referring to FIG. 19, the display device 1100 includes a bottom cover 1152, a substrate 1120 on which the light emitting device 1124 disclosed above is arranged, an optical member 1154, and a display panel 1155.

상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자 또는 발광 소자(1124)를 포함한다.The substrate 1120 and the light emitting device 1124 may be defined as a light source module 1160. The bottom cover 1152, the at least one light source module 1160, and the optical member 1154 may be defined as a light unit 1150. The bottom cover 1152 may include an accommodating part 1153, but is not limited thereto. The light source module 1160 includes a substrate 1120 and a plurality of light emitting elements or light emitting elements 1124 arranged on the substrate 1120.

여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the optical member 1154 may include at least one of a lens, a light guide plate, a diffusion sheet, horizontal and vertical prism sheets, and a brightness enhancement sheet. The light guide plate may be made of a PC material or a poly methyl methacrylate (PMMA) material, and the light guide plate may be removed. The diffusion sheet diffuses the incident light, the horizontal and vertical prism sheets focus the incident light onto the display area, and the brightness enhancement sheet reuses the lost light to improve the brightness.

상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1160) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1160)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The optical member 1154 is disposed on the light source module 1160 and performs surface light, or diffuses, or collects light emitted from the light source module 1160.

도 20은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.20 is an exploded perspective view of a lighting apparatus having a light emitting device according to the embodiment.

도 20을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 20, the lighting apparatus according to the embodiment may include a cover 2100, a light source module 2200, a radiator 2400, a power supply 2600, an inner case 2700, and a socket 2800. Can be. In addition, the lighting apparatus according to the embodiment may further include any one or more of the member 2300 and the holder 2500. The light source module 2200 may include a light emitting device or a light emitting device package according to an embodiment.

예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 리세스부를 가질 수 있다.For example, the cover 2100 may have a shape of a bulb or hemisphere, may be hollow, and may be provided in an open shape. The cover 2100 may be optically coupled to the light source module 2200 and coupled to the radiator 2400. The cover 2100 may have a recess coupled to the heat sink 2400.

상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다. An inner surface of the cover 2100 may be coated with a milky paint having a diffusion material. Using the milky white material, light from the light source module 2200 may be scattered and diffused to be emitted to the outside.

상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The cover 2100 may be made of glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), polycarbonate (PC), or the like. Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 2100 may be transparent and opaque so that the light source module 2200 is visible from the outside. The cover 2100 may be formed through blow molding.

상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The light source module 2200 may be disposed on one surface of the heat sink 2400. Thus, heat from the light source module 2200 is conducted to the heat sink 2400. The light source module 2200 may include a light emitting element 2210, a connection plate 2230, and a connector 2250.

상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The member 2300 is disposed on an upper surface of the heat dissipator 2400, and includes a plurality of lighting elements 2210 and guide grooves 2310 into which the connector 2250 is inserted. The guide groove 2310 corresponds to the board and the connector 2250 of the lighting device 2210.

상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 2300 may be coated or coated with a white paint. The member 2300 is reflected on the inner surface of the cover 2100 to reflect the light returned to the light source module 2200 side again toward the cover 2100. Therefore, it is possible to improve the light efficiency of the lighting apparatus according to the embodiment.

상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 2300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 2230 of the light source module 2200 may include an electrically conductive material. Therefore, electrical contact may be made between the radiator 2400 and the connection plate 2230. The member 2300 may be formed of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 2230 and the radiator 2400. The radiator 2400 receives heat from the light source module 2200 and heat from the power supply unit 2600 to radiate heat.

상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The holder 2500 may block the accommodating groove 2719 of the insulating portion 2710 of the inner case 2700. Therefore, the power supply unit 2600 accommodated in the insulating unit 2710 of the inner case 2700 is sealed. The holder 2500 has a guide protrusion 2510. The guide protrusion 2510 may include a hole through which the protrusion 2610 of the power supply unit 2600 passes.

상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The power supply unit 2600 processes or converts an electrical signal provided from the outside to provide the light source module 2200. The power supply unit 2600 is accommodated in the accommodating groove 2725 of the inner case 2700, and is sealed in the inner case 2700 by the holder 2500.

상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 2600 may include a protrusion 2610, a guide unit 2630, a base 2650, and an extension unit 2670.

상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 2630 has a shape protruding outward from one side of the base 2650. The guide part 2630 may be inserted into the holder 2500. A plurality of parts may be disposed on one surface of the base 2650. The plurality of components may include, for example, a DC converter, a driving chip for controlling the driving of the light source module 2200, an electrostatic discharge (ESD) protection element for protecting the light source module 2200, and the like. It is not limited to.

상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 2670 has a shape protruding outward from the other side of the base 2650. The extension part 2670 is inserted into the connection part 2750 of the inner case 2700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the extension part 2670 may be provided to be equal to or smaller than the width of the connection part 2750 of the inner case 2700. The extension 2670 may be electrically connected to the socket 2800 through a wire.

상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 2700 may include a molding unit together with the power supply unit 2600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, so that the power supply part 2600 can be fixed inside the inner case 2700.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those who have the knowledge of. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

41-44,71-74: 내측면
61-64: 측면부
46,76: 측벽
47, 77: 리세스 영역
101,201: 캐비티
111,211: 몸체
121, 131, 221, 231: 리드 프레임
122,123,132,133: 리세스부
125,135: 리드 영역
161,161A, 161B, 261: 몰딩 부재
171,271: 발광 칩
173,273: 보호 칩
181: 형광체층
41-44,71-74: Inner side
61-64: side
46,76: sidewall
47, 77: recessed area
101,201: Cavity
111,211: Body
121, 131, 221, 231: lead frame
122,123,132,133: recessed part
125,135: lead area
161,161A, 161B, 261: molding member
171,271: light emitting chip
173,273: protection chip
181: phosphor layer

Claims (15)

제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임;
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부;
상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩;
상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩;
상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및
상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고,
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면은 상기 몸체와 접하는 영역에 요철 패턴을 포함하고,
상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고,
상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고,
상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고,
상기 제1방향으로 상기 제3내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제1간격은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 수평형 발광 칩 사이의 제2간격보다 보다 길고,
상기 제1방향으로 상기 수평형 발광 칩은 상기 제3측면부 보다 상기 제4측면부에 더 가깝게 배치되고,
상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 수평형 발광 칩 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.
A body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side;
A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A gap portion between the first lead frame and the second lead frame;
A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame;
A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame;
A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And
And a second wire including a fourth end connected to the exposed surface of the first lead frame, and a third end connected to the protection chip.
The body corresponds to the first inner side surface and extends in a first direction, the first side portion corresponding to the second inner side surface, and the second side portion extending in the first direction, and corresponds to the third inner side surface. A third side portion extending in a second direction orthogonal to one direction and a fourth side portion corresponding to the fourth inner side surface and extending in the second direction,
Upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame include an uneven pattern in an area in contact with the body,
The gap portion includes a first surface and a second surface inclined with respect to the first surface,
The first surface of the gap portion is disposed on a plane different from the upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame,
The second surface of the gap portion faces the horizontal light emitting chip;
A first interval between the third inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction is longer than a second interval between the fourth inner surface and the horizontal light emitting chip in the first direction,
The horizontal light emitting chip is disposed closer to the fourth side portion than the third side portion in the first direction.
And the third inner side surface, the fourth inner side surface, the horizontal light emitting chip and the fourth end portion overlap each other in the first direction.
제1항에 있어서,
상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치된 발광 소자.
The method of claim 1,
The second end is disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.
제2항에 있어서,
상기 제1간격은 상기 제2간격보다 80㎛이상 이격된 발광 소자.
The method of claim 2,
The first interval is a light emitting device spaced apart by more than 80㎛ than the second interval.
제3항에 있어서,
상기 제2간격은 80㎛이상 200㎛이하인 발광 소자.
The method of claim 3,
The second interval is a light emitting device of more than 80㎛ 200㎛.
제4항에 있어서,
상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 긴 발광 소자.
The method of claim 4, wherein
The length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction is 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.
제5항에 있어서,
상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함하는 발광 소자.
The method of claim 5,
The first lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the first side portion, and the second lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the second side portion.
제1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip and the second end portion overlap with each other in the first direction.
제7항에 있어서,
상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상인 발광 소자.
The method of claim 7, wherein
The area of the horizontal light emitting chip is 30% or more than the area of the exposed surface of the first lead frame.
제1 내측면, 상기 제1 내측면에 대응되는 제2 내측면, 제3 내측면 및 상기 제3 내측면에 대응되는 제4 내측면을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제1내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제1리드 프레임;
상기 캐비티의 바닥에 노출되며, 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 제2내측면, 상기 제3내측면 및 상기 제4내측면 아래로 연장된 제2리드 프레임;
상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 간극부;
상기 제1리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 수평형 발광 칩;
상기 제2리드 프레임의 본딩부 상에 배치된 보호 칩;
상기 수평형 발광 칩과 연결되는 제1끝단 및 상기 제2리드 프레임의 노출면과 연결되는 제2끝단을 포함하는 제1 와이어; 및
상기 보호 칩과 연결되는 제3끝단 및 상기 제1리드 프레임의 노출면과 연결되는 제4끝단을 포함하는 제2 와이어를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 내측면과 대응되며 제1방향으로 연장되는 제1측면부, 상기 제2 내측면과 대응되며 상기 제1방향으로 연장되는 제2측면부, 상기 제3 내측면과 대응되며 상기 제1방향과 직교하는 제2방향으로 연장되는 제3 측면부 및 상기 제4 내측면과 대응되며 상기 제2방향으로 연장되는 제4 측면부를 포함하고,
상기 몸체는 상기 제3 내측면에서 상기 제3측면부 방향으로 볼록하게 형성된 리세스 영역을 포함하고,
상기 간극부는 제1면과 상기 제1면에 대해 경사진 제2면을 포함하고,
상기 간극부의 제1면은 상기 제1리드 프레임의 노출면 및 상기 제2리드 프레임의 노출면의 상면과 다른 평면에 배치되고,
상기 간극부의 상기 제2면은 상기 수평형 발광 칩과 대면하고,
상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 수평형 발광은 상기 제1방향으로 중첩되고,
상기 리세스 영역, 상기 제4내측면 및 상기 제4끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.
A body including a cavity having a first inner side, a second inner side corresponding to the first inner side, a third inner side, and a fourth inner side corresponding to the third inner side;
A first lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the first inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A second lead frame exposed to the bottom of the cavity and extending from the bottom of the cavity to the second inner side, the third inner side and the fourth inner side;
A gap portion between the first lead frame and the second lead frame;
A horizontal light emitting chip disposed on the bonding portion of the first lead frame;
A protection chip disposed on the bonding portion of the second lead frame;
A first wire including a first end connected to the horizontal light emitting chip and a second end connected to an exposed surface of the second lead frame; And
A second wire including a third end connected to the protection chip and a fourth end connected to an exposed surface of the first lead frame,
The body corresponds to the first inner side surface and extends in a first direction, the first side portion corresponding to the second inner side surface, and the second side portion extending in the first direction, and corresponds to the third inner side surface. A third side portion extending in a second direction orthogonal to one direction and a fourth side portion corresponding to the fourth inner side surface and extending in the second direction,
The body includes a recess area formed convexly in the direction of the third side portion from the third inner side,
The gap portion includes a first surface and a second surface inclined with respect to the first surface,
The first surface of the gap portion is disposed on a plane different from the upper surface of the exposed surface of the first lead frame and the exposed surface of the second lead frame,
The second surface of the gap portion faces the horizontal light emitting chip;
The recess region, the fourth inner side surface, and the horizontal light emission overlap each other in the first direction,
The recess area, the fourth inner side surface and the fourth end portion overlap each other in the first direction.
제9항에 있어서,
상기 제2 끝단은 상기 제1방향으로 상기 제4내측면과 상기 보호 칩 사이에 배치된 발광 소자.
The method of claim 9,
The second end is disposed between the fourth inner surface and the protection chip in the first direction.
제10항에 있어서,
상기 제2방향으로 상기 제3측면부 또는 상기 제4측면부의 길이는 상기 제1방향으로 상기 제1측면부 또는 상기 제2측면부의 길이보다 1.2배 이상 긴 발광 소자.
The method of claim 10,
The length of the third side portion or the fourth side portion in the second direction is 1.2 times longer than the length of the first side portion or the second side portion in the first direction.
제11항에 있어서,
상기 제1리드 프레임은 상기 제1측면부로 돌출된 복수의 리드부 및 상기 제2리드 프레임은 상기 제2측면부로 돌출된 복수의 리드부를 포함하는 발광 소자.
The method of claim 11,
The first lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the first side portion, and the second lead frame includes a plurality of lead portions protruding to the second side portion.
제10항 내지 12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제3내측면, 상기 제4내측면, 상기 보호 칩 및 상기 제2끝단은 상기 제1방향으로 중첩된 발광 소자.
The method according to any one of claims 10 to 12,
The third inner side surface, the fourth inner side surface, the protective chip and the second end portion overlap with each other in the first direction.
제13항에 있어서,
상기 수평형 발광 칩의 면적은 상기 제1리드 프레임의 노출면의 면적 대비 30%이상인 발광 소자.
The method of claim 13,
The area of the horizontal light emitting chip is 30% or more than the area of the exposed surface of the first lead frame.
제14항에 있어서,
상기 제2 방향으로 상기 리세스 영역의 최소 길이는 350㎛ 내지 500㎛인 발광 소자.
The method of claim 14,
The minimum length of the recess region in the second direction is 350㎛ to 500㎛.
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