KR102041338B1 - Method and apparatus for substrate processing - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리방법 및 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광촉매를 이용하여 기판에 부착된 파티클을 제거하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and cleaning apparatus, and more particularly, to a method and apparatus for removing particles attached to a substrate using a photocatalyst.
일반적으로 반도체, 디스플레이 등의 전자 소자는 박막 형성, 포토레지스트 패턴 형성, 식각 및 세정 등의 단위 공정을 수행하여 제조된다. 반도체 소자를 제조하기 위한 단위 공정들을 진행할 경우, 웨이퍼 등의 기판 표면이나 패턴에는 유기 오염물 등의 파티클이 흡착될 수 있다.Generally, electronic devices such as semiconductors and displays are manufactured by performing unit processes such as thin film formation, photoresist pattern formation, etching and cleaning. When the unit processes for manufacturing a semiconductor device are performed, particles such as organic contaminants may be adsorbed onto a substrate surface or a pattern such as a wafer.
이에 따라 기판에 부착된 파티클을 제거하기 위한 다양한 세정방법이 제안되어 있다.Accordingly, various cleaning methods for removing particles adhered to the substrate have been proposed.
예를 들면, 세정조 내에서 약액을 웨이퍼에 공급함으로써 웨이퍼를 세정하는 장치가 있다. 이 타입의 세정장치는, 파티클을 에칭하여 제거할 수 있는 약액을 웨이퍼 표면에 공급함으로써 웨이퍼에 부착된 이물을 제거하는 것이다.For example, there is an apparatus for cleaning a wafer by supplying a chemical liquid to the wafer in a cleaning tank. This type of cleaning apparatus removes foreign substances adhering to a wafer by supplying a chemical liquid that can be removed by etching particles to the wafer surface.
한편 이처럼 약액을 사용하는 세정 방법은 통상 에칭 작용을 높이기 위해 80℃ 전후의 고온에서 진행되어야 하고, 파티클 제거 특성이 온도에 크게 의존하므로 정밀한 온도 제어가 필요하다. 또한, 사용된 약액을 폐기하는데 많은 비용이 소모되는 문제가 있다. On the other hand, such a cleaning method using a chemical liquid usually has to proceed at a high temperature around 80 ℃ to increase the etching action, and since the particle removal characteristics largely depend on the temperature, precise temperature control is required. In addition, there is a problem that a large cost is consumed to discard the used chemical liquid.
최근에는 광촉매를 이용하여 기판의 파티클을 제거하는 기술이 제공되고 있다.Recently, a technique for removing particles of a substrate using a photocatalyst has been provided.
예를 들어, 미국등록특허 US 7029374에서는 광촉매가 포함된 세정액을 기판 표면에 직접 제공한 후 기판에 광을 조사함으로써 기판 표면의 파티클을 제거하는 기술이 개시되어 있다.For example, US Patent No. 7029374 discloses a technique for removing particles on a surface of a substrate by directly applying a cleaning solution containing a photocatalyst to the surface of the substrate and then irradiating the substrate with light.
그러나 이러한 기술은 세정액 내에 광촉매를 포함시킨 후, 세정액을 기판에 분사한 후 세정공정을 진행하게 됨으로써, 역시 비용이 증가하는 문제가 있다.However, such a technique has a problem in that the cost is increased by including the photocatalyst in the cleaning liquid and then spraying the cleaning liquid onto the substrate to proceed with the cleaning process.
본 발명은 기판에 대한 세정 공정을 단순화할 수 있는 기판 처리방법 및 처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing method and apparatus for simplifying a cleaning process for a substrate.
또한, 본 발명은 비용 절감에 기여할 수 있는 기판 처리방법 및 처리장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a substrate processing method and processing apparatus that can contribute to cost reduction.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention which are not mentioned may be understood by the following description.
본 발명의 실시예에 의한 기판 처리방법은, 기판을 투입하는 단계; 광투과 기재의 일면에 광촉매층을 형성하고, 상기 광촉매층이 기판에 대면하도록 광투과 기재를 배치하는 단계; 상기 광투과 기재의 타면으로 자외선을 조사하고, 자외선이 광투과 기재를 투과하여 광촉매층에 조사되도록 하는 단계;를 포함하며, 상기 자외선이 조사된 광촉매층은 전자 및 정공을 생성하고, 전자 및 정공은 기판에 부착된 파티클을 분해할 수 있다.Substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the step of putting a substrate; Forming a photocatalyst layer on one surface of the light transmitting substrate, and disposing the light transmitting substrate such that the photocatalyst layer faces the substrate; Irradiating ultraviolet rays to the other surface of the light transmitting substrate, and irradiating the ultraviolet light through the light transmitting substrate to the photocatalyst layer, wherein the photocatalyst layer irradiated with ultraviolet rays generates electrons and holes, and electrons and holes Silver can decompose particles attached to the substrate.
본 발명의 실시예에서, 상기 광촉매층은 TiO2, ZnO, SrTiO3, CdSe, CdS, WO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the photocatalyst layer may include at least one of TiO 2 , ZnO, SrTiO 3 , CdSe, CdS, and WO 3 .
본 발명의 실시예에서, 상기 광투과 기재를 배치하는 단계에서, 상기 광촉매층과 기판은 상호 접촉되거나 또는 1㎝ 이하의 이격 거리를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the disposing of the light transmitting substrate, the photocatalyst layer and the substrate may be in contact with each other or have a separation distance of 1 cm or less.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판을 투입하는 단계 이후, 기판에 용액을 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the step of injecting the substrate, it may further comprise the step of supplying a solution to the substrate.
본 발명의 실시예에서, 상기 용액은 DIW 또는 유기용매를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the solution may include DIW or an organic solvent.
본 발명의 실시예에서, 상기 광투과 기재를 배치하는 단계는, 상기 광촉매층이 상기 기판에 공급된 용액과 접촉하도록 배치하는 것일 수 있다.In an embodiment of the present invention, disposing the light transmitting substrate may be such that the photocatalyst layer is in contact with the solution supplied to the substrate.
본 발명의 실시예에서, 상기 자외선을 조사하는 단계 이후, 린스액을 공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the step of irradiating the ultraviolet rays, it may further comprise the step of supplying a rinse liquid.
본 발명의 실시예에서, 상기 린스액 공급 단계 이후, 기판을 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, after the rinse solution supply step, may further comprise the step of drying the substrate.
또한, 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리장치는, 기판의 상측에 배치되는 광투과 기재; 상기 광투과 기재의 일측 면에 형성되며, 상기 기판과 대면하는 방향에 배치되는 광촉매층; 상기 광투과 기재의 타측에 설치되는 자외선 조사유닛;을 포함하며, 상기 자외선 조사유닛에서 조사된 자외선이 상기 광투과 기재를 투과하여 광촉매층에 조사되도록 구성될 수 있다.In addition, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the light transmitting substrate disposed on the substrate; A photocatalyst layer formed on one side of the light transmitting substrate and disposed in a direction facing the substrate; And an ultraviolet irradiation unit installed on the other side of the light transmitting substrate, and may be configured to irradiate the photocatalyst layer by passing the ultraviolet light emitted from the ultraviolet irradiation unit through the light transmitting substrate.
본 발명의 실시예에서, 상기 기판을 지지하는 지지대를 더 포함하고, 상기 지지대는 회전 가능하게 구성될 수 있다.In an embodiment of the invention, the support further comprises a support, the support may be configured to be rotatable.
본 발명의 실시예에서, 상기 광촉매층은 TiO2, ZnO, SrTiO3, CdSe, CdS, WO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the photocatalyst layer may include at least one of TiO 2 , ZnO, SrTiO 3 , CdSe, CdS, and WO 3 .
본 발명의 실시예에서, 상기 기판에 용액을 공급하는 용액 공급유닛을 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, it may further include a solution supply unit for supplying a solution to the substrate.
본 발명의 실시예에서, 상기 지지대의 외측에 설치되는 배수통; 상기 배수통에 연결되며, 세정 후 배출되는 용액을 공정챔버 외부로 배출하는 배출라인;을 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the drain container is installed on the outside of the support; And a discharge line connected to the drain container and discharging the solution discharged after cleaning to the outside of the process chamber.
본 발명의 실시예에서, 상기 광투과 기재를 상승 또는 하강 구동하는 승강 유닛을 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the light transmitting substrate may further include a lifting unit for driving up or down.
본 발명의 실시예에 따르면, 광투과 기재의 하면에 코팅된 광촉매층이 기판 표면과 접촉하여 광 조사 시 생성된 활성산소에 의해 기판에 부착된 파티클이 CO2나 H2O 형태로 분해되어 용이하게 제거될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, particles attached to the substrate are easily decomposed into CO 2 or H 2 O form by the active oxygen generated when the photocatalyst layer coated on the bottom surface of the light transmitting substrate contacts the substrate surface and is irradiated with light. Can be removed.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 건식 세정공정 및 습식 세정공정 모두에 적용 가능하며, 건식 세정공정에 적용 시 DIW 또는 유기용매를 사용하지 않으므로 패턴의 손상을 방지할 수 있고, 습식 세정공정에 적용 시 파티클을 분해한 후 발생하는 부산물이 H2O이기 때문에 폐기 비용을 절감할 수 있다.Further, according to an embodiment of the present invention, it is applicable to both dry cleaning process and wet cleaning process, and when applied to dry cleaning process, it is possible to prevent damage to the pattern since DIW or organic solvent is not used, In the application, the by-product generated after the decomposition of the particles is H 2 O, which reduces the cost of disposal.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, but should be understood to include all the effects deduced from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리장치를 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리장치를 이용한 세정공정을 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리방법을 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리장치를 이용한 세정공정을 도시한 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리방법을 도시한 흐름도이다.1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic diagram showing a cleaning process using the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to a first embodiment of the present invention.
4 is a schematic view showing a cleaning process using the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In addition, when a part is said to "include" a certain component, this means that it may further include other components, except to exclude other components unless otherwise stated.
또한, 본 명세서에서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.Also, the terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention, unless the scope of the invention is defined otherwise. It can be interpreted as a concept understood by.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참고하면, 기판 처리장치는 광투과 기재(10), 광촉매층(20), 광 조사유닛(30)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate treating apparatus includes a light transmitting
광투과 기재(10)는 평판 형태로 형성된다. 따라서, 광투과 기재(10)는 상면 및 이에 대향하는 하면을 갖는다.The light
광투과 기재(10)는 광이 투과할 수 있는 투광성 재질로 형성된다. 광투과 기재(10)는 탄소 주체의 유기 화합물을 원료로 한 유기재료 또는 그 외의 무기재료로 형성될 수 있다.The light
광촉매층(20)은 광투과 기재(10)의 하면에 코팅된다. 광촉매층(20)은 빛을 받아들여 화학반응을 촉진시키는 물질로서, TiO2, ZnO, SrTiO3, CdSe, CdS, WO3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 물론, 일 실시예에 의한 기판 처리공정에 적용할 수 있다면 상술한 물질 이외의 광촉매층도 사용할 수 있다.The
광 조사유닛(30)은 광투과 기재(10)로 광을 조사한다. 일 실시예에서 광으로는 자외선이 적용될 수 있다.The
광 조사유닛(30)은 광투과 기재(10)의 상측에 위치될 수 있다. 즉, 광 조사유닛(30)은 광촉매층(20)이 형성되지 않은 광투과 기재(10)의 상면과 소정 거리 이격된 높이에 설치될 수 있다.The
광 조사유닛(30)으로부터 자외선이 광촉매층(20)에 조사되면, 전자와 정공이 생성되고, 전자와 정공은 공기나 수중의 O2, H2O와 반응하여 활성산소를 생성하게 된다. 따라서, 기판에 부착된 파티클은 활성산소에 의해 분해된 후, H2O, CO2로 배출된다.When ultraviolet light is irradiated to the
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판 처리과정을 도시한 것이다.2 and 3 illustrate a substrate processing process according to the first embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참고하면, 제1실시예에 의한 기판 처리방법은 건식 처리과정에 적용되는 것으로, 기판 반입 단계(S110), 광투과 기재 배치 단계(S120), 광 조사 단계(S130), 기판 반출 단계(S150)를 포함한다.2 and 3, the substrate processing method according to the first embodiment is applied to a dry treatment process, and a substrate loading step (S110), a light transmitting substrate arrangement step (S120), a light irradiation step (S130), Substrate carrying out step (S150) is included.
기판 반입 단계(S110)에서는, 기판(S)을 공정챔버 내로 반송한다. 예컨대, 기판(S)은 기판 반송장치(도시 생략)에 의해 이송되어 세정공정이 진행되는 공정챔버로 이송될 수 있다.In the board | substrate loading step S110, the board | substrate S is conveyed in a process chamber. For example, the substrate S may be transferred by a substrate transfer device (not shown) to a process chamber where a cleaning process is performed.
공정챔버 내에는 기판(S)을 지지하는 지지대(도시 생략)가 구비될 수 있다. 기판(S)은 패턴이 형성된 면이 상측 방향을 향하도록 지지대에 안착될 수 있다.A support (not shown) for supporting the substrate S may be provided in the process chamber. The substrate S may be mounted on the support so that the surface on which the pattern is formed faces upward.
지지대는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가진다. 지지대의 상면에는 지지핀과 척핀이 구비될 수 있다. 지지핀은 기판(S)의 저면을 지지하고, 척핀은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지하도록 기판의 측면을 지지할 수 있다.The support has a top surface of the same or similar shape as the substrate (S). The upper surface of the support may be provided with a support pin and the chuck pin. The support pin may support the bottom surface of the substrate S, and the chuck pin may support the side surface of the substrate to prevent the substrate S from leaving its position.
광투과 기재 배치 단계(S120)에서는, 광촉매층(20)이 형성된 광투과 기재(10)를 기판의 상측에 위치시킨다.In the light transmissive substrate disposing step (S120), the
광투과 기재(10)는 도시하지 않은 승강유닛에 의해 상승 또는 하강 가능하게 구성될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 공정챔버 내로 반입되어 지지대 상에 안착되면, 광투과 기재(10)는 승강유닛에 의해 하강하여 광투과 기재(10)의 광촉매층(20)은 기판의 상면과 접촉하거나 최대한 근접하게 배치될 수 있다.The
이때, 광촉매층(20)에서 생성된 전자와 정공이 파티클의 용이한 분해를 위해 광촉매층(20)과 기판 간의 이격 거리는 1㎝ 이하인 것이 바람직하다.In this case, the distance between the
광 조사 단계(S130)에서는, 광 조사유닛(30)으로부터 광투과 기재(10)로 광을 조사한다. 조사된 광은 광투과 기재(10)를 투과하여 광촉매층(20)에 도달하게 되며, 광촉매층(20)에 광이 조사되면 전자와 정공이 생성된다.In the light irradiation step (S130), the light is irradiated from the
광촉매층(20)으로부터 생성된 전자와 정공은 공기나 수중의 O2, H2O와 반응하여 활성산소를 생성하게 된다. 따라서, 활성산소는 기판에 부착된 유기 오염물 등의 파티클을 분해하게 되고, 분해된 물질은 H2O, CO2로 배출된다.Electrons and holes generated from the
이후, 광투과 기재(10)는 승강유닛에 의해 다시 상승하게 되고(S140), 기판은 공정챔버 외부로 반출된다(S150).Thereafter, the
이와 같이 본 발명의 제1실시예는 건식 처리과정에 광촉매를 이용함으로써, 파티클의 효과적인 제거를 도모할 뿐만 아니라 DIW 또는 유기용매를 사용하지 않으므로 상술한 용매에 의한 패턴의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Thus, the first embodiment of the present invention by using a photocatalyst in the dry process, not only to effectively remove the particles, but also does not use a DIW or organic solvent, the effect of preventing the damage of the pattern by the above-described solvent There is.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판 처리방법을 도시한 것이다.4 and 5 illustrate a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention.
도 4 및 도 5를 참고하면, 제2실시예에 의한 기판 처리방법은 습식 처리과정에 적용되는 것으로, 기판 반입 단계(S210), 용액 공급 단계(S220), 광투과 기재 배치 단계(S230), 광 조사 단계(S240), 린스 단계(S260), 건조 단계(S270), 기판 반출 단계(S280)를 포함한다.4 and 5, the substrate treating method according to the second embodiment is applied to a wet treatment process, and a substrate loading step (S210), a solution supply step (S220), a light transmitting substrate placement step (S230), It includes a light irradiation step (S240), a rinse step (S260), a drying step (S270), the substrate carrying out step (S280).
기판 반입 단계(S210)에서는, 기판(S)을 공정챔버 내로 반송한다. 예컨대, 기판(S)은 기판 반송장치에 의해 이송되어 세정공정이 진행되는 공정챔버로 이송될 수 있다.In the board | substrate loading process S210, the board | substrate S is conveyed in a process chamber. For example, the substrate S may be transferred by a substrate transfer device to a process chamber in which a cleaning process is performed.
공정챔버 내에는 기판(S)을 지지하는 지지대가 구비될 수 있다. 기판(S)은 패턴이 형성된 면이 상측 방향을 향하도록 지지대에 안착될 수 있다.A support for supporting the substrate S may be provided in the process chamber. The substrate S may be mounted on the support so that the surface on which the pattern is formed faces upward.
지지대는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가진다. 지지대의 상면에는 지지핀과 척핀이 구비될 수 있다. 지지핀은 기판(S)의 저면을 지지하고, 척핀은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지하도록 기판의 측면을 지지할 수 있다.The support has a top surface of the same or similar shape as the substrate (S). The upper surface of the support may be provided with a support pin and the chuck pin. The support pin may support the bottom surface of the substrate S, and the chuck pin may support the side surface of the substrate to prevent the substrate S from leaving its position.
용액 공급 단계(S220)에서는, 공정챔버로 이송된 기판에 용액을 공급한다. 용액은 공정챔버의 상부에 배치된 용액 공급유닛으로부터 기판의 상면에 공급될 수 있다.In the solution supply step (S220), the solution is supplied to the substrate transferred to the process chamber. The solution may be supplied to the upper surface of the substrate from a solution supply unit disposed above the process chamber.
이때, 용액이 기판 표면에 고르게 도포될 수 있도록 기판은 소정의 속도로 회전 가능하게 구성될 수 있다. 예컨대, 기판을 지지하는 지지대는 구동부에 의해 회전 가능하게 구성되고, 기판에 공급된 용액은 기판의 회전에 수반되는 원심력에 의해 기판의 상면에 확산됨으로써 기판의 패턴들 간의 간극에도 고르게 도포될 수 있다.In this case, the substrate may be rotatably configured at a predetermined speed so that the solution may be evenly applied to the surface of the substrate. For example, the support for supporting the substrate is rotatably configured by the driving unit, and the solution supplied to the substrate may be evenly applied to the gaps between the patterns of the substrate by being diffused on the upper surface of the substrate by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate. .
한편, 용액의 공급 및 기판의 회전 시 용액이 비산될 수 있으므로 지지대의 외측에는 배수통이 구비될 수 있으며, 배수통의 하부에는 배수라인이 연결되어 습식 처리공정을 위해 사용된 처리액을 외부로 배출할 수 있다.On the other hand, the solution can be scattered during the supply of the solution and the rotation of the substrate may be provided with a drain container on the outside of the support, the drain line is connected to the bottom of the drain container to the outside of the treatment liquid used for the wet treatment process Can be discharged.
광투과 기재 배치 단계(S230)에서는, 광촉매층(20)이 형성된 광투과 기재(10)를 기판의 상측에 위치시킨다.In the light transmissive substrate disposing step (S230), the
광투과 기재(10)는 도시하지 않은 승강유닛에 의해 상승 또는 하강 가능하게 구성될 수 있다. 따라서, 기판 상면에 용액이 도포되면, 광투과 기재(10)는 승강유닛에 의해 하강하여 광투과 기재(10)의 광촉매층(20)은 기판의 상면에 도포된 용액과 접촉하거나 최대한 근접하게 배치될 수 있다.The
이때, 광촉매층(20)에서 생성된 전자와 정공이 파티클의 용이한 분해를 위해 광촉매층(20)과 기판 간의 이격 거리는 1㎝ 이하인 것이 바람직하다.In this case, the distance between the
광 조사 단계(S240)에서는, 광 조사유닛(30)으로부터 광투과 기재(10)로 광을 조사한다. 조사된 광은 광투과 기재(10)를 투과하여 광촉매층(20)에 도달하게 되며, 광촉매층(20)에 광이 조사되면 전자와 정공이 생성된다.In the light irradiation step (S240), light is irradiated from the
광촉매층(20)으로부터 생성된 전자와 정공은 공기나 수중의 O2, H2O와 반응하여 활성산소를 생성하게 된다. 따라서, 활성산소는 기판에 부착된 파티클을 분해하게 되고, 분해된 물질은 H2O, CO2로 배출된다.Electrons and holes generated from the
이후, 광투과 기재(10)는 승강유닛에 의해 다시 상승하게 되고(S250), 기판은 린스 단계(S260)를 진행하게 된다.Thereafter, the
린스 단계(S260)에서는, 용액 공급유닛으로부터 기판에 린스액을 공급함으로써 용액 및 광촉매층(20)에 의해 분해된 파티클을 기판 표면에서 제거한다. 린스 단계(S260)에서 사용된 처리액은 배수라인을 통해 공정챔버 외부로 배출된다.In the rinse step (S260), the particles decomposed by the solution and the
린스 단계(S260) 이후에는 기판의 건조 단계(S270)를 진행하여 기판을 건조시킨 후 공정챔버 외부로 반출할 수 있다(S280). 기판의 건조 단계(S270)에서는 기판의 회전 속도를 증가시켜 기판에 잔존하는 린스액을 건조할 수 있다.After the rinse step (S260), the substrate may be dried (S270) to dry the substrate and then taken out of the process chamber (S280). In the drying step S270 of the substrate, the rinse liquid remaining on the substrate may be dried by increasing the rotation speed of the substrate.
이와 같이 본 발명의 실시예는 습식 처리과정에 광촉매를 이용함으로써, 파티클의 효과적인 제거를 도모할 뿐만 아니라 파티클이 분해된 부산물이 H2O이기 때문에 별도의 후처리 공정이 필요치 않은 이점이 있다.Thus, the embodiment of the present invention has the advantage that by using a photocatalyst in the wet treatment process, not only to effectively remove the particles, but also because the by-product decomposed particles are H 2 O does not require a separate post-treatment process.
본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains may understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, and thus, the embodiments described above are exemplary in all respects and are not intended to be limiting. Should be.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. .
10; 광투과 기재
20; 광촉매층
30; 광 조사유닛
S; 기판
P; 파티클10; Light transmissive substrate
20; Photocatalyst layer
30; Light irradiation unit
S; Board
P; particle
Claims (14)
공정챔버의 상부에 배치된 용액 공급유닛으로부터 상기 지지대에 안착된 기판의 상면에 용액을 공급하는 단계;
일면에 광촉매층이 형성된 광투과 기재를 상기 광촉매층이 기판에 대면하도록 기판의 상측에 배치하는 단계;
광투과 기재를 승강유닛에 의해 하강시켜 광촉매층과 기판의 상면에 도포된 용액이 상호 접촉되거나 또는 1㎝ 이하의 이격 거리를 갖도록 근접 배치하는 단계;
상기 광투과 기재의 타면으로 자외선을 조사하고, 자외선이 광투과 기재를 투과하여 광촉매층에 조사되도록 함으로써 기판에 부착된 파티클을 분해하는 단계;
광투과 기재를 승강유닛에 의해 다시 상승시키는 단계;
용액 공급유닛으로부터 기판에 린스액을 공급함으로써 용액 및 광촉매층에 의해 분해된 파티클을 기판 표면에서 제거하는 단계;
기판에 잔존하는 린스액을 건조하는 단계; 및
기판 반송장치에 의해 기판을 공정챔버 외부로 반출하는 단계;
를 포함하는 기판 처리방법.
Injecting the substrate into the process chamber by the substrate transfer device and seating the substrate on a support;
Supplying a solution to a top surface of a substrate seated on the support from a solution supply unit disposed above the process chamber;
Disposing a light transmitting substrate having a photocatalyst layer formed on one surface of the substrate so that the photocatalyst layer faces the substrate;
Lowering the light transmitting substrate by the elevating unit to close the photocatalyst layer and the solution applied on the upper surface of the substrate so as to contact each other or have a separation distance of 1 cm or less;
Irradiating ultraviolet rays to the other surface of the light transmitting substrate, and dissolving particles attached to the substrate by allowing ultraviolet rays to pass through the light transmitting substrate and irradiate the photocatalyst layer;
Raising the light transmitting substrate again by the lifting unit;
Supplying the rinse liquid to the substrate from the solution supply unit to remove particles decomposed by the solution and the photocatalyst layer from the surface of the substrate;
Drying the rinse liquid remaining on the substrate; And
Transporting the substrate out of the process chamber by the substrate transfer device;
Substrate processing method comprising a.
상기 광촉매층은 TiO2, ZnO, SrTiO3, CdSe, CdS, WO3 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리방법.
The method of claim 1,
The photocatalyst layer comprises at least one of TiO 2 , ZnO, SrTiO 3 , CdSe, CdS, WO 3 .
상기 용액은 DIW 또는 유기용매를 포함하는 기판 처리방법.
The method of claim 1,
The solution is a substrate processing method comprising a DIW or an organic solvent.
상기 공정챔버 내로 기판을 반입 또는 반출하기 위한 기판 반송장치;
상기 공정챔버 내로 반입된 기판을 안착시켜 지지하는 지지대;
상기 공정챔버의 상부에 배치되어, 상기 지지대에 안착된 기판의 상면에 용액을 공급하도록 구성된 용액 공급유닛;
기판의 상측에 기판과 대면하도록 배치되고, 기판과 대면하는 일면에 광촉매층이 형성되는 광투과 기재;
상기 광촉매층과 기판의 상면에 도포된 용액을 상호 접촉 또는 1㎝ 이하의 이격 거리까지 근접 배치하거나 다시 이격되도록 광투과 기재를 상승 또는 하강 구동하는 승강유닛;
상기 광투과 기재의 타측에 설치되어 광투과 기재의 타면으로 자외선을 조사하는 자외선 조사유닛;
상기 지지대의 외측에 설치되는 배수통;
상기 배수통에 연결되며, 세정 후 배출되는 용액을 공정챔버 외부로 배출하는 배출라인;
을 포함하며,
상기 자외선 조사유닛에서 조사된 자외선이 상기 광투과 기재를 투과하여 광촉매층에 조사되어 기판에 부착된 파티클을 분해하도록 구성된 기판 처리장치.
Process chamber;
A substrate transfer device for carrying in or taking out a substrate into the process chamber;
A support for seating and supporting the substrate loaded into the process chamber;
A solution supply unit disposed above the process chamber and configured to supply a solution to an upper surface of the substrate seated on the support;
A light transmitting substrate disposed on an upper side of the substrate so as to face the substrate and having a photocatalyst layer formed on one surface of the substrate;
A lifting unit configured to move the light transmitting substrate up or down so that the solution applied to the photocatalyst layer and the upper surface of the substrate is placed close to each other or spaced apart again to a distance of 1 cm or less;
An ultraviolet irradiation unit installed on the other side of the light transmitting substrate and irradiating ultraviolet rays to the other surface of the light transmitting substrate;
A drain container installed outside the support;
A discharge line connected to the drain container and discharging a solution discharged after cleaning to an outside of the process chamber;
Including;
And ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet irradiation unit are transmitted to the photocatalytic layer to decompose particles attached to the substrate.
상기 지지대는 회전 가능하게 구성되는 기판 처리장치.
The method of claim 9,
And the support is rotatably configured.
상기 광촉매층은 TiO2, ZnO, SrTiO3, CdSe, CdS, WO3 중 적어도 하나를 포함하는 기판 처리장치.
The method of claim 9,
The photocatalyst layer includes at least one of TiO 2 , ZnO, SrTiO 3 , CdSe, CdS, and WO 3 .
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180057711A KR102041338B1 (en) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | Method and apparatus for substrate processing |
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| KR (1) | KR102041338B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210115933A (en) | 2020-03-17 | 2021-09-27 | 세메스 주식회사 | Apparatus for monitoring life time of light irradiator and system for treating substrate with the apparatus |
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2018
- 2018-05-21 KR KR1020180057711A patent/KR102041338B1/en active IP Right Grant
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