KR102035238B1

KR102035238B1 - Apparatus for processing substrate

Info

Publication number: KR102035238B1
Application number: KR1020140019759A
Authority: KR
Inventors: 함태호; 김용진; 김영효; 김영준
Original assignee: 주식회사 원익아이피에스
Priority date: 2014-02-20
Filing date: 2014-02-20
Publication date: 2019-10-22
Also published as: KR20150098454A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치로서, 복수의 기판을 처리하는 챔버에서 공정 가스를 효율적으로 배기하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시 형태인 기판 처리 장치는, 기판이 출입하는 기판 출입구가 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통되어 형성된 복수의 배기 포트; 내부 공간을 가지고 상기 복수의 배기 포트를 통해 배출되는 공정 가스가 상기 내부 공간으로 유입되도록 상기 공정 챔버의 저면에 체결되며 일측에 배기관이 결합되는 배기구를 포함하는 펌핑 블럭;을 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus which efficiently exhausts process gas from a chamber for processing a plurality of substrates. The substrate processing apparatus which is embodiment of this invention is a process chamber in which the board | substrate entrance and exit which a board | substrate enters and exits is formed; A plurality of exhaust ports formed through the bottom surface of the process chamber; And a pumping block including an exhaust port coupled to a bottom surface of the process chamber and having an exhaust pipe coupled to one side of the process gas so that the process gas discharged through the plurality of exhaust ports is introduced into the internal space.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}Apparatus for processing substrate

본 발명은 기판 처리 장치로서, 복수의 기판을 처리하는 챔버에서 공정 가스를 효율적으로 배기하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus which efficiently exhausts process gas from a chamber for processing a plurality of substrates.

반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.The semiconductor manufacturing process is performed in a substrate processing apparatus designed to be an optimal environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma has been used.

일반적으로 화학기상증착법(CVD;Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD;Atomic Layer Deposition), 플라즈마 화학기상증착(PECVD;Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 기판 처리 장치를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위해서 공정 챔버 내부에 소정의 가스들을 공급하여 기판에 증착시킨다. 기판 증착 시간을 단축하기 위하여 복수개의 기판을 동시에 증착하는 기판 처리 장치가 제안되어 있다.In general, a thin film is formed on a substrate by using a substrate processing apparatus such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). In order to supply a predetermined gas inside the process chamber to deposit on the substrate. In order to shorten substrate deposition time, the substrate processing apparatus which deposits several board | substrate simultaneously is proposed.

그런데, 기판 처리에 사용된 공정 가스는 다수의 배기관을 통하여 배출된다. 예컨대, 한국공개특허 2008-0110390의 경우, 도 1에 도시한 바와 같이 공정 챔버(10)에 형성된 다수의 배기 포트(11)에 연결된 개별 배기관(12)을 통하여 기판 처리에 사용된 공정 가스를 메인 배기관(13)에 수집한 후 외부로 배출하고 있다.By the way, the process gas used for the substrate processing is discharged through a plurality of exhaust pipes. For example, in the case of Korean Patent Laid-Open Publication No. 2008-0110390, as shown in FIG. 1, a process gas used for processing a substrate is processed through an individual exhaust pipe 12 connected to a plurality of exhaust ports 11 formed in the process chamber 10. After being collected in the exhaust pipe 13, it is discharged to the outside.

그러나, 이와 같이 각각의 배기 포트(11)에 연결되는 개별 배기관(12)을 메인 배기관(13)에 합쳐서 단일 펌프(미도시)로 배기할 경우에는 공정 챔버(10) 내부의 배기 흐름이 어느 한 배기 포트로 편중되어 불균일한 배기가 발생하는 문제가 있다. 반대로, 각 배기 포트에 연결되는 개별 배기관(12)에 개별 펌프를 적용할 시에는 하부 구조가 복잡해져 유지 보수가 어려워지며, 펌프 및 배기관 증가로 인하여 제작 비용이 증가되는 문제가 있다.
However, in the case where the individual exhaust pipes 12 connected to the respective exhaust ports 11 are combined with the main exhaust pipe 13 and exhausted by a single pump (not shown), the exhaust flow inside the process chamber 10 is not limited to any one. There is a problem in that uneven exhaust occurs due to a bias toward the exhaust port. On the contrary, when the individual pumps are applied to the individual exhaust pipes 12 connected to the respective exhaust ports, the lower structure becomes complicated and the maintenance becomes difficult, and the manufacturing cost increases due to the increase of the pumps and the exhaust pipes.

한국공개특허 10-2008-0110390Korea Patent Publication 10-2008-0110390

본 발명의 기술적 과제는 각각의 기판에서 공정 처리된 공정 가스를 균일하게 배기하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 공정 가스를 배기하는 배기 구조를 단순화하는데 있다.
The technical problem of the present invention is to uniformly exhaust the process gas processed in each substrate. In addition, the technical problem of the present invention is to simplify the exhaust structure for exhausting the process gas.

본 발명의 실시 형태인 기판 처리 장치는, 기판이 출입하는 기판 출입구가 형성된 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통되어 형성된 복수의 배기 포트; 내부 공간을 가지고 상기 복수의 배기 포트를 통해 배출되는 공정 가스가 상기 내부 공간으로 유입되도록 상기 공정 챔버의 저면에 체결되며 일측에 배기관이 결합되는 배기구를 포함하는 펌핑 블럭;을 포함한다.The substrate processing apparatus which is embodiment of this invention is a process chamber in which the board | substrate entrance and exit which a board | substrate enters and exits is formed; A plurality of exhaust ports formed through the bottom surface of the process chamber; And a pumping block including an exhaust port coupled to a bottom surface of the process chamber and having an exhaust pipe coupled to one side of the process gas so that the process gas discharged through the plurality of exhaust ports is introduced into the internal space.

상기 펌핑 블럭은, 상부면이 개방된 내부 공간을 가지는 단일벽 기둥체로서, 기둥체의 내부 공간이 상기 배기 포트들과 연통되도록 상부면이 상기 공정 챔버의 저면에 체결된다.The pumping block is a single-walled pillar having an inner space with an open upper surface, and the upper surface is fastened to the bottom of the process chamber so that the inner space of the pillar communicates with the exhaust ports.

상기 펌핑 블럭은, 상부면이 개방된 환형의 배기 통로를 가지는 이중벽 기둥체로서, 배기 통로가 상기 배기 포트들과 연통되도록 상부면이 상기 공정 챔버의 저면에 체결된다.The pumping block is a double walled pillar having an annular exhaust passage with an open top surface, the top surface of which is fastened to the bottom of the process chamber so that the exhaust passage communicates with the exhaust ports.

상기 이중벽 기둥체는, 상기 내측벽과 외측벽을 가지는 원형 이중벽 기둥체 형태를 가져, 상기 내측벽과 외측벽 사이에 원주 형태의 환형의 배기 통로가 마련된다.The double wall columnar body has a circular double wall columnar shape having the inner wall and the outer wall, and a circumferential annular exhaust passage is provided between the inner wall and the outer wall.

상기 이중벽 기둥체는, 상기 내측벽과 외측벽을 가지는 다각형 이중벽 기둥체 형태를 가져, 상기 내측벽과 외측벽 사이에 다각형의 환형의 배기 통로가 마련된다.The double wall columnar body has a polygonal double wall columnar shape having the inner wall and the outer wall, and a polygonal annular exhaust passage is provided between the inner wall and the outer wall.

상기 복수의 배기 포트들 중에서, 상기 펌핑 블록의 배기구와 최단거리에 위치하는 배기 포트의 직경은 다른 배기 포트들의 직경보다 작은 것을 특징으로 한다.Among the plurality of exhaust ports, the diameter of the exhaust port located at the shortest distance from the exhaust port of the pumping block may be smaller than the diameter of the other exhaust ports.

상기 복수의 배기 포트는 공정 챔버의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에 마련된다.The plurality of exhaust ports are provided on the same circumference having a center point as the center of the bottom surface of the process chamber.

상기 배기 포트는, 상기 원주 상에서 동일 간격으로 이격되어 마련된다.
The exhaust ports are provided at equal intervals on the circumference.

본 발명의 실시 형태에 따르면 공정 처리된 가스를 펌프 블록이라는 외부 버퍼 공간을 둠으로써, 균일하게 배기할 수 있다. 또한 본 발명의 실시 형태에 따르면 공정 가스를 배기하는 배기 구조를 단순화할 수 있다. 따라서 배기 구조의 단순화로 인하여 원가 절감을 이룰 수 있다.
According to the embodiment of the present invention, the processed gas can be uniformly exhausted by providing an external buffer space called a pump block. Moreover, according to embodiment of this invention, the exhaust structure which exhausts process gas can be simplified. Therefore, cost reduction can be achieved by simplifying the exhaust structure.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 배기 모습을 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 탄테이블의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 배기부가 나타나도록 분해한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 밑에서 바라본 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 환형을 확산 공간으로 가지는 펌핑 블럭을 상부에서 바라본 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 내부 공간을 확산 공간으로 가지는 펌핑 블럭을 상부에서 바라본 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 A-A' 방향의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 B-B' 방향의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 공정 챔버의 바닥면을 상부에서 바라본 상면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 각 배기 포트에서의 공정 가스의 배기 흐름의 실험예를 도시한 사진이다.1 is a cross-sectional view showing an exhaust state of a general substrate processing apparatus.
2 is an exploded perspective view of a bullet table of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view of an exhaust unit of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
4 is an exploded perspective view of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention as viewed from below.
FIG. 5 is a view of a pumping block having an annular shape as a diffusion space according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view of a pumping block having an internal space as a diffusion space according to an embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view taken along the AA ′ direction of the substrate treating apparatus according to the embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along the BB ′ direction of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
9 is a top view of the bottom surface of the process chamber according to the embodiment of the present invention.
10 is a photograph showing an experimental example of the exhaust flow of the process gas in each exhaust port according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

이하의 기판 처리 장치는 4 개의 기판에 대하여 화학기상증착법(chemical vapor deposition:CVD), 원자층증착법(atomic layer deposition:ALD), 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 등의 기판 처리를 공정 챔버 내에서 개별적 또는 공동으로 수행하는 예를 설명할 것이다. 그러나 공정 챔버 내에서 4 개의 기판 처리뿐만 아니라 다양한 개수의 기판 처리가 이루어지는 경우에도 본 발명이 적용될 수 있음은 자명할 것이다.The following substrate processing apparatus individually processes substrate processing such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), and plasma chemical vapor deposition (PECVD) on four substrates in a process chamber. Or an example of performing jointly will be described. However, it will be apparent that the present invention can be applied to not only four substrate processes but also various number of substrate processes in the process chamber.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 탄테이블의 분해 사시도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 배기부가 나타나도록 분해한 사시도이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 밑에서 바라본 분해 사시도이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 환형을 확산 공간으로 가지는 펌핑 블럭을 상부에서 바라본 도면이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 내부 공간을 확산 공간으로 가지는 펌핑 블럭을 상부에서 바라본 도면이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 A-A' 방향의 단면도이며, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대한 B-B' 방향의 단면도이며, 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 공정 챔버의 바닥면을 상부에서 바라본 상면도이다.FIG. 2 is an exploded perspective view of the bullet table of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, FIG. 3 is an exploded perspective view of the exhaust portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment, FIG. 5 is a view of a pumping block having an annular shape as a diffusion space according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an interior according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view of a pumping block having a space as a diffusion space, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the AA ′ direction of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view of the bottom surface of the process chamber according to the exemplary embodiment of the present invention, viewed from the top.

기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 기판 지지대 안착홈(120), 기판 지지대(200), 가스 분사부(400), 배기부(140), 턴테이블(300), 펌핑 블럭(900)을 포함한다.The substrate processing apparatus includes a process chamber 100, a substrate support seating recess 120, a substrate support 200, a gas injection unit 400, an exhaust unit 140, a turntable 300, and a pumping block 900. .

공정 챔버(100)는 복수의 기판 처리 공간을 가져서 걱 기판에 대한 증착, 식각 등의 처리 공정이 수행된다. 공정 챔버(100)는 상부가 개방된 본체(111)와, 본체(111)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(110)를 구비한다. 탑리드(110)에는 본체(111)의 상부에 구비되어 4개의 가스 분사부(400)가 형성된다. 탑리드(110)가 본체(111)의 상부에 결합되어 본체(111) 내부를 폐쇄하면, 공정 챔버(100)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(W)에 대한 처리가 행해지는 내부 공간이 형성된다. 탑리드(110)의 저면에는 커튼 가스가 분사되는 분사홀이 형성되어 있을 수 있으며, 각각의 가스 분사부(400)에서 분사되는 공정 가스가 서로 섞이지 않도록 커튼 가스가 하향으로 분사될 수 있다.The process chamber 100 has a plurality of substrate processing spaces, and a processing process such as deposition and etching on the substrate is performed. The process chamber 100 includes a main body 111 having an open top and a top lead 110 installed on the upper part of the main body 111 to be opened and closed. The top lead 110 is provided on the upper portion of the main body 111 and four gas injection units 400 are formed. When the top lid 110 is coupled to the upper portion of the main body 111 to close the inside of the main body 111, an internal space in which the processing for the substrate W is performed is performed inside the process chamber 100, for example, a deposition process. Is formed. An injection hole through which the curtain gas is injected may be formed at the bottom of the top lid 110, and the curtain gas may be injected downward so that the process gases injected from the respective gas injection units 400 do not mix with each other.

공정 챔버(100)의 내부 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 공정 챔버(100)의 바닥면에는 각 기판 지지대 안착홈(120)에 존재하는 공정 가스의 배출을 위한 배기 홈부(141)와 배기 포트(142)가 형성되어 있고, 배기 포트(142)는 외부에 구비되는 펌프에 연결된 배기 라인과 연결된다. 또한, 공정 챔버(100)의 바닥면에는 후술할 기판 지지대(200)의 지지축(201)이 삽입되는 관통홀(205;이하, '지지대 지지홀')이 각 기판 지지대 안착홈(120;120a,120b,120c,120d)마다 복수개(205a,205b,205c,205d)로서 관통되어 형성되어 있다. 공정 챔버(100)의 측벽에는 기판을 공정 챔버(100)의 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 기판이 출입하는 적어도 하나 이상의 기판 출입구(101)가 형성되어 있다. 또한 공정 챔버(100)의 바닥면에는 턴테이블(300)을 지지하여 승하강 및 회전하는 구동축(301)이 삽입되는 관통홀(305;이하, '턴테이블 지지홀')이 관통되어 형성되어 있다.Since the internal space of the process chamber 100 should generally be formed in a vacuum atmosphere, the exhaust groove 141 and the exhaust groove 141 for discharging the process gas existing in each of the substrate support mounting recesses 120 are formed on the bottom surface of the process chamber 100. An exhaust port 142 is formed, and the exhaust port 142 is connected to an exhaust line connected to an externally provided pump. In addition, a through hole 205 into which the support shaft 201 of the substrate support 200 to be described later is inserted into the bottom surface of the process chamber 100 includes a support support hole 120. A plurality of 205a, 205b, 205c, and 205d penetrates through each of the 120b, 120c, and 120d. At least one substrate entrance 101 may be formed at a sidewall of the process chamber 100 to allow a substrate into or out of the process chamber 100. In addition, a through hole 305 (hereinafter, 'turn table support hole') through which the driving shaft 301 which moves up and down and rotates to support the turntable 300 is inserted through the bottom surface of the process chamber 100.

가열부(미도시)는 공정 챔버(100)의 내부를 일정한 온도로 유지하기 위한 가열 수단이다. 가열 수단이 공정 챔버(100)의 내벽, 또는 외벽, 또는 벽체 내부에 히터 수단이 형성되어 공정 챔버(100)를 일정 온도로 유지시킬 수 있다.The heating unit (not shown) is a heating unit for maintaining the inside of the process chamber 100 at a constant temperature. The heating means may be a heater means formed on the inner wall, the outer wall, or the wall of the process chamber 100 to maintain the process chamber 100 at a constant temperature.

기판 지지대 안착홈(120)은 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진다. 공정 챔버(100) 내에 4개의 기판 지지대(200)가 구비되는 경우, 4개의 기판 지지대 안착홈(120)이 각각 개별적으로 파여져 형성된다. 예를 들어, 제1기판 지지대(200a)가 안착하는 기판 지지대 안착홈(120a), 제2기판 지지대(200b)가 안착하는 제2기판 지지대 안착홈(120b), 제3기판 지지대(200c)가 안착하는 제3기판 지지대 안착홈(120c), 제4기판 지지대(200d)가 안착하는 제4기판 지지대 안착홈(120d)이 구비될 수 있다. 기판 지지대 안착홈(120)은 기판 지지대(200)가 위치하여, 기판 지지대 안착홈(120) 내에서 승하강 가능하도록 기판 지지대(200)의 외부면의 둘레 형상과 동일한 형상을 가진다. 기판 지지대(200)가 원형으로 형성되는 경우, 기판 지지대 안착홈(120)은 원형으로 된 둘레면과 파여진 저면을 가진다. 참고로, 이러한 기판 지지대 안착홈(120)을 설치하는 이유는 구조물 단순화를 하기 위함이다. 즉, 리프트핀을 기판 지지대 안착홈(120)의 바닥면에 구비하고 기판 지지대(200)를 승하강함으로써, 리프트핀이 기판 지지대(200) 상측으로 돌출될 수 있도록 할 수 있어 챔버 구조를 단순화할 수 있다.The substrate support seating groove 120 is dug into the bottom surface of the process chamber 100. When four substrate support members 200 are provided in the process chamber 100, four substrate support seating recesses 120 are formed to be individually dug. For example, the substrate support mounting groove 120a on which the first substrate support 200a is seated, the second substrate support mounting recess 120b on which the second substrate support 200b is seated, and the third substrate support 200c are mounted. A third substrate support mounting groove 120c on which the third substrate support is seated and a fourth substrate support mounting groove 120d on which the fourth substrate support 200d is mounted may be provided. The substrate support mounting recess 120 has the same shape as the circumferential shape of the outer surface of the substrate support 200 so that the substrate support 200 may be positioned to move up and down within the substrate support mounting recess 120. When the substrate support 200 is formed in a circular shape, the substrate support seating recess 120 has a circumferential surface that is circular and a bottom that is dug out. For reference, the reason for installing the substrate support seating groove 120 is to simplify the structure. That is, by providing a lift pin on the bottom surface of the substrate support seating recess 120 and elevating the substrate support 200, the lift pin may protrude upward from the substrate support 200 to simplify the chamber structure. Can be.

기판 지지대(200)는 기판을 지지하기 위한 수단으로서, 공정 챔버(100)의 바닥면을 관통하는 지지축(201)에 의해 기판 지지대 안착홈(120) 내에서 승하강 가능하며, 각각의 기판을 지지한다. 4개의 기판 지지대(200)는 독립적으로 승하강이 이루어질 수 있다. 이를 위해 4개의 기판 지지대(200;200a,200b,200c,200d)는 각각 원판 형상으로 공정 챔버(100)의 내부에 수평방향으로 구비되고, 각각의 지지축(201;201a,201b,201c,201d)은 기판 지지대(200)의 저면에 수직으로 연결된다. 지지축(201)은 관통공을 통하여 외부의 모터 등의 구동 수단(미도시)에 연결되어 기판 지지대(200)를 승강시킨다. 또한, 기판 지지대(200)의 내부에는 히터(미도시)가 구비되어 기판을 일정한 공정 온도로 가열시킬 수 있다. 기판 지지대(200)가 대응되는 기판 안착홈(120)에 위치하는 경우, 기판 지지대(200)와 기판 안착홈(120) 사이에는 간격틈을 가지도록 구현하여, 기판 처리 완료된 공정가스(원료가스,플라즈마가스,세정가스 등)가 간격틈으로 유입될 수 있다.The substrate support 200 is a means for supporting the substrate. The substrate support 200 is capable of lifting up and down in the substrate support seating groove 120 by a support shaft 201 penetrating the bottom surface of the process chamber 100. I support it. Four substrate supports 200 may be raised and lowered independently. To this end, the four substrate supports 200 (200; 200a, 200b, 200c, and 200d) are respectively provided in a horizontal direction in the process chamber 100 in a disk shape, and each support shaft 201; 201a, 201b, 201c, 201d is provided. ) Is vertically connected to the bottom of the substrate support 200. The support shaft 201 is connected to a driving means (not shown) such as an external motor through a through hole to lift and lower the substrate support 200. In addition, a heater (not shown) is provided inside the substrate support 200 to heat the substrate to a constant process temperature. When the substrate support 200 is located in the corresponding substrate seating groove 120, the substrate support 200 is implemented to have a gap between the substrate support 200 and the substrate seating groove 120 to process substrates (raw material gas, Plasma gas, cleaning gas, etc.) may be introduced into the gap.

가스 분사부(400)는 각 기판 지지대(200)와 대향하여 이격되어 마련되며 각각의 기판 지지대(200)마다 독립적으로 공정 가스를 개별적으로 분사한다. 각 가스 분사부(400)는 기판 지지대(200)의 상부에 이격되어 구비되며, 샤워헤드 타입으로 구현되어 외부로부터 유입되는 동일한 또는 서로 다른 종류의 공정 가스를 기판을 향하여 분사한다. 각 기판 지지대(200)마다 대향된 가스 분사부(400)가 마련되는데, CVD 증착 공정의 경우에는 각 가스 분사부(400)에 동일한 공정 가스가 분사될 수 있으며, 또는 ALD 증착 공정의 경우에는 각 가스 분사부(400)에 소스가스, 반응가스, 퍼지가스와 같은 서로 다른 공정 가스가 분사될 수 있는데, 각 가스 분사부(400)에는 각종 공정 가스를 공급하는 소스가스 공급원 및 반응가스 공급원 및 퍼지가스 공급원이 각 공급 라인을 통해 연결된다. 각 공급 라인 상에는 소스가스 및 반응가스 및 퍼지가스의 공급을 제어하는 유량 조절부(MFC;Mass Flow Controller)인 밸브(미도시)가 구비된다. 소스가스 공급원은 기상 원료물질 또는 액상 원료물질을 저장하는데, 액상 원료물질을 저장하는 경우, 액상 원료물질을 공급받아 이를 기상화하는 기상화 수단(미도시)을 더 포함한다. 이때, 기상화 수단은 기화기 또는 버블러를 사용할 수 있으며, 이는 일반적 수단이므로 상세한 설명을 생략한다. 또한, 헬륨(He) 등의 캐리어 가스를 저장 공급하는 캐리어 가스 공급수단을 포함할 수 있다.The gas injection unit 400 is provided to be spaced apart from each other to the substrate support 200 and injects the process gas independently for each substrate support 200. Each gas injection unit 400 is provided on the substrate support 200 spaced apart from each other, implemented as a showerhead type to inject the same or different types of process gas flowing from the outside toward the substrate. Each substrate support 200 is provided with a gas injection unit 400 facing each other, in the case of a CVD deposition process, the same process gas may be injected into each gas injection unit 400, or in the case of an ALD deposition process, Different process gases, such as source gas, reaction gas, and purge gas, may be injected into the gas injection unit 400, and each gas injection unit 400 may include a source gas supply source and a reaction gas supply source and a purge gas supplying various process gases. Gas sources are connected through each supply line. Each supply line is provided with a valve (not shown) which is a mass flow controller (MFC) for controlling the supply of source gas, reaction gas and purge gas. The source gas source stores a gaseous raw material or a liquid raw material, and when the liquid raw material is stored, the source gas source further includes a vaporization means (not shown) that receives the liquid raw material and vaporizes it. At this time, the vaporization means may use a vaporizer or a bubbler, which is a general means and will not be described in detail. In addition, the carrier gas supply means for storing and supplying a carrier gas such as helium (He).

참고로, 화학기상증착법(CVD)은 가장 널리 이용되는 증착기술로서, 반응가스와 분해가스를 이용하여 요구되는 두께를 갖는 박막을 기판상에 증착한다. 화학기상증착법(CVD)은 먼저 다양한 가스들을 반응공정 챔버(100)로 주입시키고, 열, 빛, 플라즈마와 같은 고에너지에 의해 유도된 가스들을 화학반응시킴으로써 기판상에 요구되는 두께의 박막을 증착시킨다. 또한, 화학 기상증착법에서는 반응에너지만큼 인가된 플라즈마 또는 가스들의 비(ratio) 및 양(amount)을 통해 반응조건을 제어함으로써 증착률을 증가시킨다. 그러나, 반응들이 빠르기 때문에 원자들의 열역학적(thermaodynamic) 안정성을 제어하기 매우 어렵고, 화학증착증착법은 박막의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 저하시킨다. 원자층 증착법(ALD)은 소스가스(반응가스)와 퍼지가스를 교대로 공급하여 원자층을 증착하기 위한 방법으로서, 이에 의해 형성된 박막은 양호한 피복특성을 갖고 대구경 기판 및 극박막에 적용되며, 전기적 물리적 특성이 우수하다. 일반적으로 원자층 증착법은, 먼저 제1소스가스를 공급하여 기판 표면에 한 층의 제1소스를 화학적으로 흡착(chemical adsorption)시키고 여분의 물리적 흡착된 소스들은 퍼지가스를 흘려보내어 퍼지시킨 다음, 한 층의 소스에 제2소스가스를 공급하여 한 층의 제1소스와 제2소스가스를 화학반응시켜 원하는 원자층박막을 증착하고 여분의 반응가스는 퍼지가스를 흘려보내 퍼지시키는 과정을 한 주기(cycle)로 하여 박막을 증착한다. 상술한 바와 같이 원자층 증착방법은 표면 반응 메커니즘(surface reaction mechanism)을 이용함으로써 안정된 박막을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 균일한 박막을 얻을 수 있다. 또한, 원자층 증착법은 소스가스와 반응가스를 서로 분리시켜 순차적으로 주입 및 퍼지시키기 때문에 화학적기상증착법에 비하여 기상반응(gas phase reaction)에 의한 파티클 생성을 억제한다. 이와 같은 원자층 증착방식을 이용하여 박막을 증착하면, 기판 표면에 흡착되는 물질(일반적으로 박막의 구성원소를 포함하는 화학분자)에 의해서만 증착이 발생하게 된다. 이때, 흡착량은 일반적으로 기판상에서 자체 제한(self-limiting)되기 때문에, 공급되는 반응가스량(소스가스량)에 크게 의존하지 않고 기판 전체에 걸쳐 균일하게 얻어진다.
For reference, chemical vapor deposition (CVD) is the most widely used deposition technique. A thin film having a required thickness is deposited on a substrate by using a reaction gas and a decomposition gas. Chemical Vapor Deposition (CVD) first injects various gases into the reaction process chamber 100 and deposits a thin film of a desired thickness on the substrate by chemically reacting gases induced by high energy such as heat, light and plasma. . In addition, the chemical vapor deposition method increases the deposition rate by controlling the reaction conditions through the ratio and amount of plasma or gases applied by the reaction energy. However, the fast reactions make it very difficult to control the thermodynamic stability of atoms, and chemical vapor deposition degrades the physical, chemical and electrical properties of thin films. Atomic Layer Deposition (ALD) is a method for depositing atomic layers by alternately supplying source gas (reaction gas) and purge gas, and the thin film formed thereon has good coating properties and is applied to large diameter substrates and ultra-thin films, and Excellent physical properties In general, atomic layer deposition involves first supplying a first source gas to chemically adsorb a layer of the first source onto the substrate surface and purging the excess physically adsorbed sources by flowing a purge gas. The second source gas is supplied to the source of the layer to chemically react the first source and the second source gas of one layer to deposit the desired atomic layer thin film, and the excess reaction gas flows through the purge gas to purge. the thin film is deposited. As described above, the atomic layer deposition method can obtain not only a stable thin film but also a uniform thin film by using a surface reaction mechanism. In addition, the atomic layer deposition method separates the source gas and the reaction gas from each other and sequentially injects and purges the particles, thereby suppressing particle generation by gas phase reaction, compared to chemical vapor deposition. When the thin film is deposited using such an atomic layer deposition method, the deposition is generated only by a material (generally, chemical molecules including elemental elements of the thin film) adsorbed on the substrate surface. At this time, since the adsorption amount is generally self-limiting on the substrate, the adsorption amount is uniformly obtained throughout the substrate without greatly depending on the amount of reaction gas supplied (source gas amount).

턴테이블(300)은 기판 지지대(200)와 동일한 개수의 관통홀(302;이하, '턴테이블 관통홀')이 형성되는 원판 형태의 플레이트판으로서 기판 지지대(200)의 상측에 위치한다. 기판 지지대(200)가 4개 구비된 경우, 각 기판 지지대(200)가 관통하여 이동할 수 있는 기판 지지대 턴테이블 관통홀(302)이 턴테이블(300) 상에 4개 형성된다. 턴테이블 관통홀(302;302a,302b,302c,302d)은 기판 지지대(200)의 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다. 기판 지지대(200)의 형상보다 크게 형성되어, 기판 지지대(200)가 턴테이블 관통홀(302)을 관통하여 상하로 승하강할 수 있도록 형성된다. 턴테이블 관통홀(302)은 턴테이블(300) 면상에 홀로서 형성될 수 있지만, 관통홀의 일부의 테두리가 개방된 형태로 구현될 수 있다. 즉, 기판 지지대 전체를 둘러싸는 경우, 폐곡선의 턴테이블 관통홀을 구비하게 되고, 기판 지지대 일부를 둘러싸는 경우, 일부가 개방된 턴테이블 관통홀(302)을 구비하게 된다. The turntable 300 is a plate-shaped plate plate in which the same number of through holes 302 (hereinafter, 'turn table through holes') are formed as the substrate support 200, and is positioned above the substrate support 200. When four substrate supports 200 are provided, four substrate support turntable through-holes 302 through which each substrate support 200 can move are formed on the turntable 300. The turntable through holes 302; 302a, 302b, 302c, and 302d may have the same shape as the shape of the substrate support 200. It is formed larger than the shape of the substrate support 200, the substrate support 200 is formed so as to move up and down through the turntable through-hole 302. The turntable through hole 302 may be formed as a hole on the surface of the turntable 300, but may be implemented in a form in which an edge of a part of the through hole is open. That is, when enclosing the entire substrate support, a turntable through hole of a closed curve is provided, and when enclosing a part of the substrate support, a turntable through hole 302 is partially provided.

턴테이블 관통홀(302)의 테두리에는 각각 기판 지지링(301)이 마련된다. 따라서 턴테이블 관통홀(302)의 테두리 측면은 단차턱으로 형성되어, 단차면에 기판 지지링(301)이 걸쳐저 있도록 한다.Substrate support rings 301 are provided at edges of the turntable through hole 302, respectively. Accordingly, the edge side of the turntable through-hole 302 is formed as a stepped jaw so that the substrate support ring 301 rests on the stepped surface.

또한 턴테이블(300)을 승하강 및 회전시키기 위해 공정 챔버(100)의 바닥면을 관통하여 턴테이블(300)과 수직으로 결합되는 구동축(301)이 마련된다. 구동축(301)은 턴테이블 지지홀(305)을 통하여 턴테이블(300)과 수직으로 연결되어, 외부의 모터 등의 구동 수단(미도시)에 연결되어 턴테이블(300)을 승강 및 회전시킨다.
In addition, a drive shaft 301 is provided to vertically couple the turntable 300 through the bottom surface of the process chamber 100 to move the turntable 300 up and down and rotate. The drive shaft 301 is vertically connected to the turntable 300 through the turntable support hole 305 and connected to a driving means (not shown) such as an external motor to lift and rotate the turntable 300.

이하, 이러한 구성을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치에서 기판을 로딩시키는 방법을 간략히 설명한다. Hereinafter, a method of loading a substrate in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention having such a configuration will be briefly described.

제1기판 지지대(200a) 및 제2기판 지지대(200b) 상에 위치한 기판을 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d) 상부로 각각 이동시키는 경우를 예시적으로 설명한다. 턴테이블(300)을 상승시키면 제1기판 지지대(200a) 및 제2기판 지지대(200b)의 이송링(301a,301b) 및 그 상부의 기판은 턴테이블(300) 상에 위치하게 된다. 이 상태로 각 기판(S)을 지지한 상태에서 턴테이블(300)을 시계방향으로 회전시키면, 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d) 상부에 위치하게 된다. 이후, 턴테이블(300)을 하강시키면 이송링(301a,301b) 및 그 상부의 기판(S)은 턴테이블(300) 상에서 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d)로 이동하게 된다. 이 과정에서 이전의 제3기판 지지대(200c) 및 제4기판 지지대(200d)에 있던 이송링(301c,301d)들은 제1기판 지지대(200a) 및 제2기판 지지대(200b)로 이동하게 된다.A case where the substrates on the first substrate support 200a and the second substrate support 200b are moved to the upper portion of the third substrate support 200c and the fourth substrate support 200d will be described. When the turntable 300 is raised, the transfer rings 301a and 301b of the first substrate support 200a and the second substrate support 200b and the substrate thereon are positioned on the turntable 300. When the turntable 300 is rotated in the clockwise direction while supporting each substrate S in this state, the turntable 300 is positioned above the third substrate support 200c and the fourth substrate support 200d. Subsequently, when the turntable 300 is lowered, the transfer rings 301a and 301b and the upper substrate S move on the turntable 300 to the third substrate support 200c and the fourth substrate support 200d. In this process, the transfer rings 301c and 301d of the previous third substrate support 200c and the fourth substrate support 200d are moved to the first substrate support 200a and the second substrate support 200b.

한편, 상기에서 설명한 바와 같이 복수개의 기판 지지대에 탑재된 복수개의 기판을 기판 처리하는 경우, 각각의 기판에서 처리되고 남은 공정 가스의 배출이 균일하게 이루어져야 한다. 이를 위하여 본 발명의 실시예는 서로 적어도 두 개 이상의 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스를 한 곳으로 유입받아 공정 챔버(100)의 바닥면에 수평하게 형성된 유로를 통하여 외부로 배출하는 배기부(140)를 포함한다.On the other hand, when the substrate processing of the plurality of substrates mounted on the plurality of substrate support as described above, it is necessary to uniformly discharge the remaining process gas processed in each substrate. To this end, an embodiment of the present invention receives the process gas in at least two or more adjacent substrate support seating grooves 120 into one place and discharges it to the outside through a flow path formed horizontally on the bottom surface of the process chamber 100. And base 140.

기판 지지대(200)에 안착된 기판에 대한 기판 처리가 이루어지고 난 후 또는 기판 처리가 이루어질 때, 기판 지지대 안착홈(120)에 잔존하는 공정가스를 외부로 배기하여야 하는데, 적어도 두 개 이상의 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스를 한 곳으로 유입받아 외부로 배기하는 것이다. 한 곳으로 유입된 공정 가스는 공정 챔버(100)의 바닥면에 수평으로 형성된 유로를 거쳐서 배기 포트(142)를 통하여 외부로 배출될 수 있다.After the substrate treatment is performed on the substrate seated on the substrate support 200 or when the substrate treatment is performed, the process gas remaining in the substrate support seating recess 120 should be exhausted to at least two adjacent substrates. The process gas in the support seating groove 120 is introduced into one place and exhausted to the outside. The process gas introduced into one place may be discharged to the outside through the exhaust port 142 via a flow path formed horizontally on the bottom surface of the process chamber 100.

이러한 두 개 이상의 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스를 한 곳으로 유입받아 공정 챔버(100)의 바닥면에 수평하게 형성된 유로를 통하여 외부로 배출하는 배기부(140)의 실시예는 다양한 구조를 가질 수 있다.Embodiments of the exhaust unit 140 receiving the process gas in two or more adjacent substrate support seating recesses 120 into one place and discharging them to the outside through a flow path formed horizontally on the bottom surface of the process chamber 100 are various. It may have a structure.

배기부(140)는 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 공통 배기되도록 서로 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성된다. 복수의 배기부(140) 각각은, 서로 인접한 기판 지지대(200) 사이의 공정 챔버 바닥면에 형성되는 배기 홈부(141)와, 배기 홈부(141)를 통해 유입된 공정가스를 공정 챔버 외부로 배출하기 위한 배기 포트(142)와, 배기 홈부(141)와의 결합을 통해 배기 유로를 형성하도록 배기 홈부(141)의 상부에 결합되는 덮개체(143)를 포함한다.The exhaust unit 140 is formed on the bottom surface of the process chamber between the substrate supports adjacent to each other so that the process gas injected toward the substrate support side is commonly exhausted. Each of the plurality of exhaust parts 140 discharges the exhaust groove 141 formed on the bottom surface of the process chamber between the substrate support 200 adjacent to each other, and the process gas introduced through the exhaust groove 141 to the outside of the process chamber. The exhaust port 142 and the cover 143 is coupled to the upper portion of the exhaust groove 141 to form an exhaust passage through the combination of the exhaust groove 141.

배기 홈부(141)는, 기판 지지대(200)의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 가스가 유입되는 가스 제1유입구(1411)과, 가스 제1유입구(1411)가 위치하는 기판 지지대에 인접한 다른 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 가스가 유입되는 가스 제2유입구(1412)와, 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)를 연결하며 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제1배기 유로(1413)와, 제1배기 유로(1413)와 배기 포트(142)를 연결하며 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제2배기 유로(1414)를 포함한다. The exhaust groove 141 is formed in the bottom surface of the process chamber around the substrate support 200 and is adjacent to the substrate support where the gas first inlet 1411 and the gas first inlet 1411 are located. A process chamber formed between the substrate support and the adjacent substrate support connecting the gas inlet 1412 and the gas inlet 1411 and the gas inlet 1412 formed on the bottom of the process chamber around the substrate support. A first exhaust flow passage 1413, which is dug into the bottom surface of the connection, and the first exhaust flow passage 1413 and the exhaust port 142, and includes a second exhaust flow path 1414 dug into the bottom surface of the process chamber.

따라서 배기부(140)는 적어도 두 개 이상의 인접한 기판 지지대의 둘레의 가스를 유입받는 가스 유입구(1411,1412), 공정 챔버(100)의 바닥면에 관통되어 형성되는 배기 포트(142), 가스 유입구(1411,1412)를 통해 유입된 가스가 배기 포트(142)로 흘러가도록 공정 챔버(100)의 바닥면의 수평면을 따라 수평하게 파여진 배기 홈부(141)를 마련한다. 배기부(140)는, 배기 홈부(141)가 공정 챔버(100)의 바닥면에서 노출되지 않도록 배기 홈부(141)를 덮는 덮개체(143)를 포함한다. Accordingly, the exhaust unit 140 may include gas inlets 1411 and 1412 that receive gas from at least two adjacent substrate supports, an exhaust port 142 formed through the bottom surface of the process chamber 100, and a gas inlet. Exhaust grooves 141 which are horizontally dug along the horizontal surface of the bottom surface of the process chamber 100 are provided so that the gas introduced through the 1411 and 1412 flows to the exhaust port 142. The exhaust unit 140 includes a lid 143 covering the exhaust groove 141 so that the exhaust groove 141 is not exposed from the bottom surface of the process chamber 100.

가스 제1유입구(1411) 및 가스 제2유입구(1412)는 공정 챔버의 바닥면을 관통하여 제1배기 유로(1413)와 연통되도록 형성될 수 있다. 다른 실시예로서, 만약, 각 기판 지지대(200)마다 기판 지지대 안착홈(120)이 마련된다면, 제1배기 유로(1413)는 서로 인접한 기판 지지대 안착홈(120)과 연통되도록 내측으로 형성되어, 가스 제1유입구(1411) 및 가스 제2유입구(1412)는 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면에 형성될 수 있다.
The gas first inlet 1411 and the gas second inlet 1412 may be formed to communicate with the first exhaust channel 1413 through the bottom surface of the process chamber. In another embodiment, if each substrate support 200 is provided with a substrate support seating recess 120, the first exhaust passage 1413 is formed inwardly so as to be in communication with the substrate support seating recesses 120 adjacent to each other. The gas first inlet 1411 and the gas second inlet 1412 may be formed on the circumferential surface of the substrate support seating recess 120.

이하, 배기 포트(142), 배기 홈부(141), 덮개체(143)에 대하여 자세히 상술한다.Hereinafter, the exhaust port 142, the exhaust groove 141, and the lid 143 will be described in detail.

배기 포트(142)는 공정 챔버(100)의 바닥면에 관통되어 수직으로 형성될 수 있으며, 배기 포트(142)는 외부의 진공 펌프(미도시)와 연결되는 진공 배기관(150)에 연결된다. 배기 포트(142)는 서로 다른 기판 지지대(200)의 사이에 위치한다. 기판 지지대 안착홈(120)이 마련되는 경우, 예를 들어, 제1배기 포트(142a)는 제1기판 지지대 안착홈(120a)과 제2기판 지지대 안착홈(120b) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치한다. 마찬가지로 제2배기 포트(142b)는 제2기판 지지대 안착홈(120b)과 제3기판 지지대 안착홈(120c) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치하며, 제3배기 포트(142c)는 제3기판 지지대 안착홈(120c)과 제4기판 지지대 안착홈(120d) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치하며, 제4배기 포트(142d)는 제4기판 지지대 안착홈(120d)과 제1기판 지지대 안착홈(120a) 사이의 공정 챔버(100)의 바닥면에 위치한다.The exhaust port 142 may be vertically penetrated through the bottom surface of the process chamber 100, and the exhaust port 142 may be connected to a vacuum exhaust pipe 150 connected to an external vacuum pump (not shown). The exhaust port 142 is located between the different substrate supports 200. When the substrate support mounting groove 120 is provided, for example, the first exhaust port 142a may include the process chamber 100 between the first substrate support mounting groove 120a and the second substrate support mounting groove 120b. Is located on the bottom surface of the. Similarly, the second exhaust port 142b is located on the bottom surface of the process chamber 100 between the second substrate support mounting recess 120b and the third substrate support mounting recess 120c, and the third exhaust port 142c is Located on the bottom surface of the process chamber 100 between the third substrate support mounting groove 120c and the fourth substrate support mounting groove 120d, the fourth exhaust port 142d is the fourth substrate support mounting groove 120d. And a bottom surface of the process chamber 100 between the first substrate support mounting recess 120a.

인접한 기판 지지대 안착홈(120) 사이에 각각 위치하는 제1배기 포트(142a), 제2배기 포트(142b), 제3배기 포트(142c), 제4배기 포트(142d)는, 공정 챔버(100)의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에서 위치할 수 있다. 즉, 공정 챔버(100)의 바닥면의 중심점에서 동일한 거리만큼 떨어진 동일한 원주 상에서 동일 간격으로 제1배기 포트(142a), 제2배기 포트(142b), 제3배기 포트(142c), 제4배기 포트(142d)가 위치할 수 있다. 따라서 제1배기 포트(142a), 제2배기 포트(142b), 제3배기 포트(142c), 제4배기 포트(142d)에서 배기되는 공정 가스의 배기 흐름을 균일하게 할 수 있다.The first exhaust port 142a, the second exhaust port 142b, the third exhaust port 142c, and the fourth exhaust port 142d respectively positioned between the adjacent substrate support seating recesses 120 are the process chambers 100. It can be located on the same circumference with the center of the bottom surface of the) as the center point. That is, the first exhaust port 142a, the second exhaust port 142b, the third exhaust port 142c, and the fourth exhaust at equal intervals on the same circumference separated by the same distance from the center point of the bottom surface of the process chamber 100. Port 142d may be located. Therefore, the exhaust flow of the process gas exhausted from the first exhaust port 142a, the second exhaust port 142b, the third exhaust port 142c, and the fourth exhaust port 142d can be made uniform.

배기 홈부(141)는 기판 지지대(200) 둘레의 가스가 배기 포트(142)로 흘러가도록 기판 지지대(200) 사이의 바닥면을 따라 수평하게 파여진 형태를 가진다. 배기 홈부(141)는 인접한 기판 지지대 안착홈(120) 사이에 마련되는데, 제1기판 지지대(200a)가 안착되는 제1기판 지지대 안착홈(120a), 제2기판 지지대(200b)가 안착되는 제2기판 지지대 안착홈(120b), 제3기판 지지대(200c)가 안착되는 제3기판 지지대 안착홈(120c), 제4기판 지지대(200d)가 안착되는 제4기판 지지대 안착홈(120d)이 공정 챔버(100)의 바닥면에 형성된 경우, 각 기판 지지대 안착홈(120) 사이에 배기 홈부(141)가 각각 마련될 수 있다. 즉, 제1기판 지지대 안착홈(120a)과 제2기판 지지대 안착홈(120b)의 공정 가스를 유입받아 제1배기 포트(142a)로 홀러보내는 제1배기 유로(141a)와, 제2기판 지지대 안착홈(120b)과 제3기판 지지대 안착홈(120c)의 공정 가스를 유입받아 제2배기 포트(142b)로 홀러보내는 제2배기 유로(141b)와, 제3기판 지지대 안착홈(120c)과 제4기판 지지대 안착홈(120d)의 공정 가스를 유입받아 제3배기 포트(142c)로 홀러보내는 제3배기 홈부(141c)와, 제4기판 지지대 안착홈(120d)과 제1기판 지지대 안착홈(120a)의 공정 가스를 유입받아 제4배기 포트(142d)로 홀러보내는 제4배기 홈부(141d)를 포함한다.
The exhaust groove 141 has a shape that is horizontally dug along the bottom surface between the substrate support 200 so that the gas around the substrate support 200 flows to the exhaust port 142. The exhaust groove 141 is provided between the adjacent substrate support mounting recesses 120. The first substrate support mounting recess 120a and the second substrate support 200b on which the first substrate support 200a is seated are seated. The second substrate support mounting recess 120b on which the second substrate support mounting recess 120b, the third substrate support 200c is seated, and the fourth substrate support mounting recess 120d on which the fourth substrate support 200d is mounted are processed. When formed on the bottom surface of the chamber 100, the exhaust groove 141 may be provided between each substrate support mounting groove 120, respectively. That is, the first exhaust flow path 141a which receives the process gas of the first substrate support mounting recess 120a and the second substrate support mounting recess 120b and sends it to the first exhaust port 142a and the second substrate support A second exhaust flow path 141b which receives the process gas from the seating groove 120b and the third board support seating groove 120c and sends it to the second exhaust port 142b, and the third board support seating groove 120c; A third exhaust groove portion 141c which receives the process gas from the fourth substrate support mounting groove 120d and sends it to the third exhaust port 142c, the fourth substrate support mounting groove 120d and the first substrate support mounting groove And a fourth exhaust groove 141d which receives the process gas of 120a and sends it to the fourth exhaust port 142d.

각 배기 홈부(141;141a,141b,141c,141d)는 공정 챔버(100)의 바닥면을 단차지게 홈을 형성하여 수평한 유로를 마련함으로써, 기판 지지대 안착홈(120)에서 유입되는 공정 가스가 공정 챔버(100)의 바닥면에 형성된 배기 홈부(141)를 따라서 배기 포트(142)로 배출될 수 있도록 한다. 각 배기 홈부(141)는 인접한 기판 지지대 안착홈(120)의 사이에서 바닥면에 단차지게 'T'자 형태로 파여져 형성된다. 즉, 배기 홈부(141)는 두 개의 가스 유입구를 구비하여, 두 개의 가스 유입구에서 유입되는 공정 가스를 한 곳으로 모아서 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진 유로를 따라 흐르게 하여 반대편의 하나의 배기 포트(142)를 통해 배출되도록 한다.Each of the exhaust grooves 141 and 141a, 141b, 141c, and 141d provides a horizontal flow path by stepping the bottom surface of the process chamber 100 so that process gas flowing from the substrate support seating groove 120 The exhaust port 142 may be discharged along the exhaust groove 141 formed on the bottom surface of the process chamber 100. Each of the exhaust grooves 141 is formed to be stepped in a 'T' shape on the bottom surface between adjacent substrate support mounting recesses 120. That is, the exhaust groove 141 has two gas inlets, and collects the process gases flowing from the two gas inlets into one place and flows along the flow path cut in the bottom surface of the process chamber 100 so that one of the opposite sides is provided. Discharge through exhaust port 142.

이를 위하여 각 배기 홈부(141)는 기판 지지대(200)의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 가스가 유입되는 가스 제1유입구(1411)과, 가스 제1유입구(1411)가 위치하는 기판 지지대에 인접한 다른 기판 지지대의 둘레의 공정 챔버 바닥면에 형성되어 가스가 유입되는 가스 제2유입구(1412)와, 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)를 연결하며 인접한 기판 지지대 사이의 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제1배기 유로(1413)와, 제1배기 유로(1413)와 배기 포트(142)를 연결하며 공정 챔버의 바닥면에 파여진 제2배기 유로(1414)를 포함한다. To this end, each of the exhaust grooves 141 is formed at the bottom of the process chamber around the substrate support 200, so that the gas first inlet 1411 through which gas is introduced and the substrate support on which the gas first inlet 1411 is located. The gas inlet 1412 and the gas inlet 1411 and the gas inlet 1412, which are formed on the bottom of the process chamber around another adjacent substrate support, connect the gas first inlet 1411 and the gas second inlet 1412 to each other. A first exhaust flow passage 1413 dug into the bottom of the process chamber, and a second exhaust flow passage 1414 connected to the first exhaust flow passage 1413 and the exhaust port 142 and dug into the bottom of the process chamber. do.

만약, 기판 지지대 안착홈(120)에 마련되는 경우에는, 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면과 관통되어 연결된 가스 제1유입구(1411)와, 인접한 다른 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면과 관통되어 연결된 가스 제2유입구(1412)와, 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)를 연결하며 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진 제1배기 유로(1413)와, 제1배기 유로(1413)와 배기 포트(142)를 연결하며 공정 챔버(100)의 바닥면에 파여진 제2배기 유로(1414)를 포함한다. 하나의 기판 지지대 안착홈(120)에는 두 개의 가스 유입구(1411,1412)가 마련되어, 기판 지지대 안착홈(120) 내부의 공정 가스가 서로 다른 가스 유입구로 흘러가게 된다. 예를 들어, 제1기판 지지대 안착홈(120a)에는 제1배기 유로(141a)의 가스 제1유입구(1411a)와 제2배기 유로(141b)의 가스 제2유입구(1412a)가 각각 형성되어, 제1기판 지지대 안착홈(120a)의 공정 가스가 제1배기 유로(141a)의 가스 제1유입구(1411)와 제2배기 유로(141b)의 가스 제2유입구(1412)로 각각 유입될 수 있다.If the substrate support seating groove 120 is provided, the gas first inlet 1411 connected to the circumferential surface of the substrate support seating groove 120 and the circumferential surface of another adjacent substrate support seating groove 120 are provided. A first exhaust flow passage 1413 connected to the gas second inlet 1412, the gas first inlet 1411 and the gas second inlet 1412, and dug into the bottom surface of the process chamber 100. And a second exhaust flow passage 1414 connecting the first exhaust flow passage 1413 and the exhaust port 142 and excavated in the bottom surface of the process chamber 100. Two substrate inlets 1411 and 1412 are provided in one substrate support seating groove 120, so that process gases in the substrate support seating groove 120 flow into different gas inlets. For example, the gas first inlet 1411a of the first exhaust channel 141a and the gas second inlet 1412a of the second exhaust channel 141b are formed in the first substrate support mounting recess 120a, respectively. Process gas of the first substrate support seating recess 120a may be introduced into the gas first inlet 1411 of the first exhaust channel 141a and the gas second inlet 1412 of the second exhaust channel 141b, respectively. .

또한 동일한 기판 지지대 안착홈(120)의 둘레면에 마련되는 가스 제1유입구(1411)와 가스 제2유입구(1412)는 서로 마주보며 대향된 지점에 위치한다. 예를 들어, 제1기판 지지대 안착홈(120a)에 형성되는 제1배기 유로(141a)의 가스 제1유입구(1411a)와 제2배기 유로(141b)의 가스 제2유입구(1412a)는 제1기판 지지대 안착홈(120a)의 둘레면에 형성되어 서로 마주보며 180°마주보며 위치한다. 가스 제1유입구(1411a)와 가스 제2유입구(1412a)를 서로 마주보며 대향된 위치에 둠으로써, 기판 지지대 안착홈(120) 내의 공정 가스가 어느 한쪽으로 치우치지 않고 균일하게 배출될 수 있도록 한다.In addition, the first gas inlet 1411 and the second gas inlet 1412, which are provided on the circumferential surface of the same substrate support seating recess 120, are located at opposite points facing each other. For example, the gas first inlet 1411a of the first exhaust flow path 141a and the gas second inlet 1412a of the second exhaust flow path 141b formed in the first substrate support mounting recess 120a may be formed in a first manner. It is formed on the circumferential surface of the substrate support seating groove (120a) is located facing each other and facing 180 °. By placing the gas first inlet 1411a and the gas second inlet 1412a in opposite positions facing each other, the process gas in the substrate support seating groove 120 can be discharged uniformly without being biased to either side. .

한편, 덮개체(143)는 배기 홈부(141)가 공정 챔버(100)의 바닥면에서 노출되지 않도록 배기 홈부(141)를 덮는 벽체이다. 따라서 덮개체(143) 역시 'T'자 형태의 배기 홈부(141)와 유사한 형태를 가진다. 덮개체는 각 배기 홈부(141a,141b,141c,141d)를 덮도록 대응하는 제1덮개체(143a), 제2덮개체(143b), 제3덮개체(143c), 제4덮개체(143d)를 구비한다.On the other hand, the lid 143 is a wall covering the exhaust groove 141 so that the exhaust groove 141 is not exposed from the bottom surface of the process chamber 100. Therefore, the cover 143 also has a similar shape to the exhaust groove 141 of the 'T' shape. The cover body includes a first cover body 143a, a second cover body 143b, a third cover body 143c, and a fourth cover body 143d so as to cover the respective exhaust grooves 141a, 141b, 141c, and 141d. ).

한편, 상기의 설명에서 기판 지지대 안착홈(120)이 마련된 상태에서 배기부 구조를 설명하였으나, 기판 지지대 안착홈(120) 형성 없이도 공정 챔버의 바닥면에 배기 포트(142), 배기 홈부(141)를 형성한 배기부를 구현하는 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있음은 자명할 것이다.
Meanwhile, in the above description, the structure of the exhaust unit in the state where the substrate support seating recess 120 is provided is described, but the exhaust port 142 and the exhaust recess 141 are disposed on the bottom surface of the process chamber without the substrate support seating recess 120 being formed. It will be apparent that the same may be applied to the case of implementing the exhausted portion.

펌핑 블럭(900)은 공정 챔버의 외부, 즉, 공정 챔버의 저면의 하측에 마련된다. 펌핑 블럭(900)은 공정가스가 확산되는 내부 공간을 가지고 복수의 배기 포트(142)를 통해 배출되는 공정 가스가 내부 공간으로 유입되도록 공정 챔버의 저면에 체결되며 일측에 배기관(950)이 결합되는 배기구(951)를 포함한다. 공정가스가 확산되는 확산 공간을 내부에 구비하여, 배기 포트(142)를 통해 배출되는 공정 가스가 확산 공간으로 흘러가도록 공정 챔버의 저면에 닿도록 직접 체결된다. 배기 포트(142)와 내부 공간이 일치하도록 체결함으로써, 배기 홈부를 흘러 배기 포트(142)로 배출되는 공정 가스를 펌핑 블럭의 내부 공간을 거쳐서 외부로 배출할 수 있다. 여기서 내부 공간이라 함은, 복수의 배기 포트(142)에서 유입되는 공정 가스가 확산될 수 있는 공간을 말한다. 내부 공간은 환형의 배기 통로, 또는 기둥체의 내부 공간으로 형성될 수 있다.The pumping block 900 is provided outside of the process chamber, that is, below the bottom of the process chamber. The pumping block 900 has an internal space in which the process gas is diffused and is fastened to the bottom of the process chamber so that the process gas discharged through the plurality of exhaust ports 142 enters the internal space, and the exhaust pipe 950 is coupled to one side thereof. An exhaust port 951. A diffusion space in which the process gas is diffused is provided therein, and the process gas discharged through the exhaust port 142 is directly fastened to contact the bottom surface of the process chamber so as to flow into the diffusion space. By fastening the exhaust port 142 and the inner space to coincide with each other, the process gas flowing through the exhaust groove part and discharged to the exhaust port 142 can be discharged to the outside through the inner space of the pumping block. Here, the internal space refers to a space in which process gases introduced from the plurality of exhaust ports 142 may be diffused. The inner space may be formed as an annular exhaust passage or an inner space of the pillar.

내부 공간이 환형의 배기 통로로 형성되는 경우에는 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 펌핑 블럭(900)은 복수의 배기 포트(142)와 연결된 환형의 배기 통로(931)를 구비한다. 펌핑 블럭(900)은 상부면이 개방된 환형의 배기 통로를 가지는 이중벽 기둥체로서, 내부 공간인 배기 통로가 상기 배기 포트에 연결되도록 상부면이 공정 챔버의 저면에 직접 닿아 체결되도록 한다. 따라서 복수의 배기 포트(142)를 통해 하나의 배기 통로(931)로 유입되어, 배기 통로(931)에서 확산된다.When the inner space is formed by the annular exhaust passage, as shown in FIGS. 4 and 5, the pumping block 900 includes an annular exhaust passage 931 connected to the plurality of exhaust ports 142. The pumping block 900 is a double-walled column having an annular exhaust passage having an open upper surface, and the upper surface directly contacts the bottom surface of the process chamber so that the exhaust passage, which is an inner space, is connected to the exhaust port. Therefore, it is introduced into one exhaust passage 931 through the plurality of exhaust ports 142, and diffuses in the exhaust passage 931.

환형의 배기 통로(931)를 가지는 펌핑 블럭(900)을 구현하는 경우, 중심이 관통된 내측벽(910)과, 내측벽(910)의 외측에 위치하는 외측벽(920)과, 내측벽(910)과 외측벽(920) 사이를 연결하는 바닥벽(930)이 마련되어 내측벽(910)과 외측벽(920) 사이에 환형의 배기 통로(931)가 형성된다. 내측벽(910)의 관통된 중심구(911)가 형성되어 있는데, 이러한 중심구(911)에는 턴테이블(300)을 지지하여 승하강 및 회전하는 구동축(301)이 관통하여 위치할 수 있다.When implementing the pumping block 900 having an annular exhaust passage 931, the inner wall 910 through which the center passes, the outer wall 920 located outside the inner wall 910, and the inner wall 910 The bottom wall 930 connecting between the outer wall 920 and the outer wall 920 is provided to form an annular exhaust passage 931 between the inner wall 910 and the outer wall 920. The penetrating center hole 911 of the inner wall 910 is formed, and the driving hole 301 that moves up and down and rotates by supporting the turntable 300 may be penetrated through the center hole 911.

내측벽(910)과 외측벽(920)은 다양한 형태를 가질 수 있는데, 다각형 형태, 원주 형태 등의 다양한 형태를 가질 수 있다. 즉, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 내측벽(910)과 외측벽(920)은 원형 이중벽 기둥체 형태를 가져, 내측벽(910)과 외측벽(920) 사이에 원주 형태의 환형의 배기 통로(931)가 마련될 수 있다. 또는 도시하지는 않았지만, 내측벽(910)과 외측벽(920)은 다각형 이중벽 기둥체 형태를 가져, 내측벽(910)과 외측벽(920) 사이에 다각형의 환형의 배기 통로(931)가 마련될 수 있다.The inner wall 910 and the outer wall 920 may have various shapes, and may have various shapes such as a polygonal shape and a circumferential shape. That is, as shown in FIGS. 4 and 5, the inner wall 910 and the outer wall 920 have a circular double wall columnar shape, and have a circumferential annular exhaust passage between the inner wall 910 and the outer wall 920. 931 may be provided. Alternatively, although not illustrated, the inner wall 910 and the outer wall 920 may have a polygonal double wall pillar shape, and a polygonal annular exhaust passage 931 may be provided between the inner wall 910 and the outer wall 920. .

배기 포트(142)에 펌핑 블럭(900)의 배기 통로(931)가 위치하도록 펌핑 블럭(900)을 공정 챔버의 저면에 체결한다. 배기 포트(142)와 배기 통로(931)를 일치하도록 함으로써, 배기 홈부를 흘러 배기 포트(142)로 배출되는 공정 가스가 환형의 배기 통로(931)를 거쳐서 외부로 배출될 수 있다.The pumping block 900 is fastened to the bottom of the process chamber so that the exhaust passage 931 of the pumping block 900 is located at the exhaust port 142. By making the exhaust port 142 coincide with the exhaust passage 931, the process gas flowing through the exhaust groove portion and discharged to the exhaust port 142 can be discharged to the outside via the annular exhaust passage 931.

한편, 확산 공간이 기둥체의 내부 공간으로 형성되는 경우에는 도 6에 도시한 바와 같이, 상부면이 개방된 내부 공간을 가지는 단일벽 기둥체(921)로서, 기둥체의 내부 공간(931)이 배기 포트(142)와 연통되도록 단일벽 기둥체(921)의 상부면이 공정 챔버의 저면에 직접 체결되도록 한다. 참고로 별도로 도시하지는 않았지만 단일벽 기둥체(921)의 바닥면에는 관통구(미도시)가 형성되어, 턴테이블(300)을 지지하여 승하강 및 회전하는 구동축(301)이 단일벽 기둥체의 관통구를 관통한다.On the other hand, in the case where the diffusion space is formed as the inner space of the column body, as shown in FIG. The upper surface of the single-walled pillar 921 is directly coupled to the bottom of the process chamber so as to communicate with the exhaust port 142. For reference, although not shown separately, a through hole (not shown) is formed on the bottom surface of the single wall pillar 921, and the driving shaft 301 for supporting the turntable 300 to move up and down is rotated through the single wall pillar. Penetrate the sphere.

한편, 배기 통로(931)로 유입되는 공정 가스는 배기 통로(931)에서 확산되어 외측벽(920)에 관통된 배기구(951)를 통하여 배출될 수 있다. 이러한 배기구(951)는 적어도 하나 이상 마련될 수 있다. 배기구(951)는 배기관(950)이 연결되어 있는데, 배기관(950)의 일단은 배기구(951)와 연통되며 배기관(950)의 타단은 배기 펌프(미도시)에 연결된다.Meanwhile, the process gas flowing into the exhaust passage 931 may be diffused through the exhaust passage 931 and discharged through the exhaust port 951 penetrating the outer wall 920. At least one exhaust port 951 may be provided. The exhaust port 951 is connected to the exhaust pipe 950, one end of the exhaust pipe 950 communicates with the exhaust port 951, and the other end of the exhaust pipe 950 is connected to an exhaust pump (not shown).

참고로 본 발명의 실시예에 따라 각 기판 지지대에서 처리된 공정 가스가 배기 포트로 균일하게 흘러가는 배기 흐름의 실험예를 도 10에 도시하였다. 도 10을 참조하면 각 기판 지지대에서의 배기 흐름이 균일하게 이루어지고 있음을 알 수 있다.
For reference, an experimental example of the exhaust flow in which the process gas treated in each substrate support is uniformly flowed to the exhaust port according to the embodiment of the present invention is shown in FIG. 10. Referring to FIG. 10, it can be seen that the exhaust flow in each substrate support is uniform.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
Although the invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the invention is not limited thereto, but is defined by the claims that follow. Accordingly, one of ordinary skill in the art may variously modify and modify the present invention without departing from the spirit of the following claims.

100:공정 챔버 101:기판 출입구
120:기판 지지대 안착홈 140:배기부
141:배기 홈부 200:기판 지지대
400:가스 분사부 300:턴테이블
301:턴테이블 구동축 1411:가스 제1유입구
1412:가스 제2유입구 1413:제1배기 유로
1414:제2배기 유로100: process chamber 101: substrate entrance
120: substrate support seating groove 140: exhaust
141: exhaust groove 200: substrate support
400: gas injection unit 300: turntable
301: turntable drive shaft 1411: gas first inlet
1412: gas second inlet 1413: first exhaust flow path
1414: the second exhaust path

Claims

기판이 출입하는 기판 출입구가 형성되며 복수의 기판 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
상기 복수의 기판 처리 공간에 대응되어 설치되며, 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통하는 지지축에 의해 상기 공정 챔버 내부에 상기 공정 챔버의 둘레를 따라 배치되어 기판을 지지하는 복수의 기판 지지대;
상기 기판 지지대측으로 분사된 공정 가스가 공통 배기되도록 서로 인접한 기판 지지대 사이의 상기 공정 챔버의 바닥면을 관통되어 형성된 복수의 배기 포트;
내부 공간을 가지고 상기 복수의 배기 포트를 통해 배출되는 공정 가스가 상기 내부 공간으로 유입되도록 상기 공정 챔버의 저면에 체결되며 일측에 배기관이 결합되는 배기구를 포함하는 펌핑 블럭;
을 포함하며,
상기 펌핑 블럭은, 상기 공정 챔버의 저면에 체결되는 상부면이 개방된 내부 공간을 가지는 기판 처리 장치.
A process chamber in which a substrate inlet / outlet of the substrate is formed and having a plurality of substrate processing spaces;
A plurality of substrate supports installed corresponding to the plurality of substrate processing spaces and arranged along the periphery of the process chamber in the process chamber by a support shaft penetrating the bottom surface of the process chamber;
A plurality of exhaust ports formed through the bottom surfaces of the process chambers between adjacent substrate supports so that the process gases injected toward the substrate support side are commonly exhausted;
A pumping block having an internal space and including an exhaust port coupled to a bottom surface of the process chamber and having an exhaust pipe coupled to one side thereof so that the process gas discharged through the plurality of exhaust ports flows into the internal space;
Including;
The pumping block has a substrate processing apparatus having an inner space of the top surface is fastened to the bottom surface of the process chamber.

청구항 1에 있어서, 상기 펌핑 블럭은,
상부면이 개방된 내부 공간을 가지는 단일벽 기둥체로서, 기둥체의 내부 공간이 상기 배기 포트들과 연통되도록 상부면이 상기 공정 챔버의 저면에 체결되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1, wherein the pumping block,
A single-walled columnar body having an inner space with an open upper surface, wherein the upper surface is fastened to the bottom of the process chamber so that the inner space of the column communicates with the exhaust ports.

청구항 1에 있어서, 상기 펌핑 블럭은,
상부면이 개방된 환형의 배기 통로를 가지는 이중벽 기둥체로서, 배기 통로가 상기 배기 포트들과 연통되도록 상부면이 상기 공정 챔버의 저면에 체결되는 기판 처리 장치.
The method of claim 1, wherein the pumping block,
A double walled column having an annular exhaust passage with an open top surface, wherein the top surface is fastened to the bottom of the process chamber so that the exhaust passage communicates with the exhaust ports.

청구항 3에 있어서, 상기 이중벽 기둥체는,
내측벽과 외측벽을 가지는 원형 이중벽 기둥체 형태를 가져, 상기 내측벽과 외측벽 사이에 원주 형태의 환형의 배기 통로가 마련되는 기판 처리 장치.
The method of claim 3, wherein the double wall pillar,
A substrate processing apparatus having a circular double-walled columnar shape having an inner wall and an outer wall, wherein an annular exhaust passage of a circumferential shape is provided between the inner wall and the outer wall.

청구항 3에 있어서, 상기 이중벽 기둥체는,
내측벽과 외측벽을 가지는 다각형 이중벽 기둥체 형태를 가져, 상기 내측벽과 외측벽 사이에 다각형의 환형의 배기 통로가 마련되는 기판 처리 장치.
The method of claim 3, wherein the double wall pillar,
A substrate processing apparatus having a polygonal double wall columnar shape having an inner side wall and an outer side wall, wherein a polygonal annular exhaust passage is provided between the inner side wall and the outer side wall.

청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 배기 포트들 중에서, 상기 펌핑 블럭의 배기구와 최단거리에 위치하는 배기 포트의 직경은 다른 배기 포트들의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein, among the plurality of exhaust ports, the diameter of the exhaust port located at the shortest distance from the exhaust port of the pumping block is smaller than the diameter of the other exhaust ports.

청구항 6에 있어서, 상기 복수의 배기 포트는 공정 챔버의 바닥면의 중심을 중심점으로 하는 동일한 원주 상에 마련된 기판 처리 장치.
The substrate processing apparatus of claim 6, wherein the plurality of exhaust ports are provided on the same circumference having a center point of a center of the bottom surface of the process chamber.

청구항 7에 있어서, 상기 배기 포트는, 상기 원주 상에서 동일 간격으로 이격되어 마련된 기판 처리 장치.8. The substrate processing apparatus of claim 7, wherein the exhaust ports are provided at equal intervals on the circumference.