KR102034000B1 - 롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법에 관한 것으로, 상기 에칭장치는 종래보다 적은 양의 에칭액을 사용하면서도 에칭효율을 향상시키기 위해 그라비어 장치를 이용하여 에칭공정을 수행 가능하다. 이에 따라 에칭장치는 소량의 에칭액을 사용하여 금속층을 에칭할 수 있으므로 친환경적이고, 공정이 단순하여 공정효율을 향상시킬 뿐만 아니라 원하는 두께의 금속층에 패턴을 형성하는 경우에도 깨끗한 표면을 갖도록 에칭할 수 있는 장점이 있다.
Description
본 발명은 롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법에 관한 것이다.
기존의 전자 소자 제작 기술에서는 리소그래피(lithography) 기술이 널리 사용되어 왔다. 그런데 리소그래피 기술을 사용하여 실제 공정을 구성하자면, 진공 증착, 노광, 현상, 도금 또는 에칭 등 다양하고 복잡한 세부 공정들이 필요하여, 공정 설계 및 장치 구성이 복잡해지는 등의 문제가 있었다. 더불어 다양한 분야에서의 미세 기술의 발전으로 인하여, 굳이 포토 리소그래피가 아니고서도 다른 방식으로 집적 회로를 만들 수 있는 방법이 모색되어 왔다.
전자 인쇄는 간단히 인쇄(printing) 공정을 수행함으로써 전자 소자를 제작하는 방식의 기술이다. 전자 인쇄는 앞서 설명한 포토 리소그래피 공정을 대체함으로써 포토 리소그래피 공정에 내재되어 있는 공정 복잡성을 근본적으로 제거해 줄 수 있기 때문에, 최근 다양한 분야로 적용 범위가 확대되는 등 그에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 최근 활용되고 있는 인쇄 기술로, 비접촉식 인쇄 기술로는 잉크젯, 스프레이, 슬롯다이 코팅 등이 있으며, 접촉식 인쇄 기술로는 그라비아, 그라비아 옵셋, 리버스 옵셋, 스크린 인쇄를 대표적으로 들 수 있다.
한편, 최근 반도체 제작 기술에 있어서 단단한 재질의 기판이 아닌 유연한 재질의 필름 형태의 기판이 사용되는 경우가 증가하고 있다. 이러한 필름 형태의 기판을 사용할 경우 공정 속도가 증대되어 대량 양산이 가능해지는 장점이 있다. 이 때 여기에 상술한 바와 같은 전자 인쇄 기술이 결합되면 더욱 생산 효율이 증가할 수 있다는 점에서, 이러한 롤투롤(roll-to-roll) 생산 방식과 전자 인쇄 기술의 결합에 대한 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.
그러나, 종래의 일반 인쇄 기술은 공정 수를 줄여서 패턴을 형성할 수 있으나, 제조된 패턴이 핀홀 및 피크 등의 결함을 가질 확률이 높고 불안정하며, 두께가 두꺼워질수록 패턴 형성시에 깨끗한 표면을 가지기 어려운 단점이 있으며, 일반적인 전자 소자 제작 기술은 포토리쏘그라피, 증착 또는 에칭등의 공정을 거쳐야 하므로 공정이 복잡하여 공정단가가 비싸고, 에칭액의 과다사용으로 인하여 환경상의 문제가 있다.
따라서 공정이 간단하여 공정비용이 저렴하며, 에칭액 사용이 현저히 줄여 친환경적이면서도 원하는 두께의 금속층에 패턴 형성시에도 우수한 에칭효율을 나타내는 기술 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 발명의 목적은, 종래보다 적은 양의 에칭액을 사용하면서도 에칭효율을 향상시키기 위해 그라비어 장치를 이용하여 에칭공정을 수행하는 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은,
에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재가 공급되되, 음각 패턴이 형성된 패턴롤과 상기 패턴롤과 함께 회동이 이루어지는 압동롤을 포함하고,
상기 금속층을 포함하는 기재는 패턴롤과 대면하면서 공급되며,
상기 패턴롤의 음각 패턴 내부에 공급된 에칭액이 기재의 금속층과 맞닿으면서 금속층이 형성된 기재를 에칭하는 에칭부;
상기 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 광원을 조사하여 에칭액을 건조시키는 건조부;
상기 건조부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 불순물을 제거하는 세척부;를 포함하는 에칭장치를 제공한다.
또한, 본 발명은,
에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재에 패턴롤의 음각 패턴 내에 포함하는 애칭액을 대면하도록 하여 에칭하는 단계;
상기 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재를 광원을 조사하여 건조하는 단계; 및
건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 포함하고,
에칭하는 단계; 건조하는 단계; 및 세척하는 단계는 연속 공정이며,
상기 에칭액은 증류수, 철(Fe)계 화합물 및 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭방법을 제공한다.
본 발명에 따른 에칭장치는 소량의 에칭액을 사용하여 금속층을 에칭할 수 있으므로 친환경적이고, 공정이 단순하여 공정효율을 향상시킬 뿐만 아니라 원하는 두께의 금속층에 패턴을 형성하는 경우에도 깨끗한 표면을 갖도록 에칭할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 에칭장치의 구성도를 나타낸 이미지이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 에칭장치의 에칭부의 구성도를 나타낸 이미지이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 에칭장치의 에칭부의 구성도를 나타낸 이미지이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명은,
에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재가 공급되되, 음각 패턴이 형성된 패턴롤과 상기 패턴롤과 함께 회동이 이루어지는 압동롤을 포함하고,
상기 금속층을 포함하는 기재는 패턴롤과 대면하면서 공급되며,
상기 패턴롤의 음각 패턴 내부에 공급된 에칭액이 기재의 금속층과 맞닿으면서 금속층이 형성된 기재를 에칭하는 에칭부;
상기 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 광원을 조사하여 에칭액을 건조시키는 건조부;
상기 건조부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 불순물을 제거하는 세척부;를 포함하는 에칭장치를 제공한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 에칭장치를 도시한 도 1에서, 도 1(a)를 참고하면, 에칭장치는 에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재(1)의 진행방향으로 공급부(100), 에칭부(200), 건조부(300), 세척부(400) 및 권취부(500)의 순으로 배치되어 형성되며, 이와 더불어 인피더(710), 아웃피더(720) 및 롤러(730)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 공급부 후단에 인피더, 권취부 전단에 아웃피더를 포함하고, 에칭부 전단 및 후단에 기재의 효과적인 이동을 위한 롤러를 포함할 수 있으며, 건조부, 에칭부 및 세척부 사이에 롤러를 더 포함할 수 있다.
도 1(b)를 참고하면, 에칭장치는 에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재(1)의 진행방향으로 공급부, 에칭부, 건조부, 세척부, 제어부 및 권취부의 순으로 배치되어 형성되며, 이와 더불어, 인피더(710), 아웃피더(720) 및 롤러(730)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 공급부 후단에 인피더, 권취부 전단에 아웃피더를 포함하고, 에칭부 전단 및 후단에 기재의 효과적인 이동을 위한 롤러를 포함할 수 있으며, 건조부, 에칭부, 세척부 및 제어부 사이에 롤러를 더 포함할 수 있다.
하나의 예로서, 금속층을 포함하는 기재가 감겨져 이루어진 롤이 장착된 공급부; 공급부로부터 금속층을 포함하는 기재가 공급되며 롤투롤 그라비어 장치를 포함하는 에칭부; 상기 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 광원을 조사하여 건조하는 건조부; 상기 건조부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 기재 상에 불순물을 세척하는 세척부; 세척부와 권취부 사이에 금속층을 포함하는 기재의 이동속도 및 위치를 조절하는 제어부; 및 상기 제어부를 거친 금속층을 포함하는 기재를 권취시키는 권취부를 포함할 수 있다.
상기 금속층은 은, 구리, 및 철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 금속층은 은 또는 구리일 수 있다. 상기와 같은 금속층을 사용하는 경우 전기전도도를 향상시킬 수 있으며 트랜지스터에 적합한 소자를 제조할 수 있다.
또한, 상기 기재는 유기박막트랜지스터로 사용가능한 기재라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로 상기 기재는 고분자 수지 기재일 수 있으며, 고분자 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS), 폴리프루오르화비닐리덴(PVDF) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 고분자 수지는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리디메틸실록산(PDMS) 또는 폴리프루오르화비닐리덴(PVDF)일 수 있다.
하나의 예로서, 에칭부는 롤투롤(roll-to-roll) 그라비어 장치를 포함하며,
상기 롤투롤 그라비어 장치는 외주면에 음각의 그라비어 망점 패턴이 형성된 패턴롤, 압동롤, 에칭액 욕조 및 닥터 블레이드를 포함할 수 있다.
상기 롤투롤 그라비어 장치는 도 2에 나타낸 바와 같이, 외주면에 음각의 패턴이 형성된 패턴롤과 패턴롤과 함께 회동이 이루어져 패턴롤에 포함된 에칭액이 기재의 금속층 상에 전사되도록하는 압동률과, 패턴롤 표면의 잉여 에칭액을 제거하기 위한 닥터블레이드를 포함한다. 구체적으로 패턴롤은 외주면에 에칭하고자 하는 패턴이 음각의 셀 또는 홈으로 형성되며, 패턴롤은 에칭액 욕조에 채워진 애칭액에 일부가 함침되어 회전 구동이 이루어져 패턴롤의 음각의 셀 또는 홈에 애칭액이 담긴다. 압동롤은 일정 압력으로 패턴롤과 밀착된 상태에서 회전 구동이 이루어지며, 패턴롤과 압동롤 사이를 통과하게 되는 금속층을 포함하는 기재는 패턴롤의 음각 셀 내에 충전된 에칭액에 의해 식각(에칭)된다. 한편, 패턴롤은 나란하게 닥터 블레이드가 마련되어 패턴롤 표면의 잉여 에칭액을 제거한다.
또한, 상기 롤투롤 그라비어 장치는 도 3에 나타낸 바와 같이, 외주면에 패턴이 형성된 패턴롤(10)과; 패턴롤과 함께 회동이 이루어지는 압동롤(20)과; 패턴롤과 선접촉하여 패턴롤 표면의 잉여 에칭액을 제거하는 닥터 블레이드(30)를 포함하고, 닥터 블레이드는 패턴롤의 회동축(C)과 나란하게 수평 이동이 가능하며, 닥터 블레이드(30)의 양단은 그립부(50)에 의해 수평 이동이 가능하게 지지된다. 그립부(50)는 닥터 블레이드에 대해 좌우 대칭되게 마련된다.
구체적으로, 패턴롤에 형성된 음각 패턴은 평균 50 내지 300 LPI 및 20 내지 80 ㎛의 깊이의 그라비어 망점을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 패턴롤에 형성된 음각 패턴은 평균 50 내지 200 LPI, 50 내지 150 LPI 또는 100 내지 200 LPI 및 20 내지 50 ㎛ 또는 30 내지 50㎛의 깊이의 그라비어 망점을 가질 수 있다. 상기와 같은 음각 패턴을 가진 패턴롤을 사용함으로써, 롤투롤 방식으로 금속층을 직접적으로 에칭할 수 있으며, 에칭된 패턴이 흠결없이 또렷하게 형성될 수 있다.
하나의 예로서, 건조부는 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 적외선(IR), 자외선(UV) 및 백색광 중 어느 하나 이상의 광원을 조사하는 장치를 포함할 수 있다. 구체적으로, 건조부는 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 적외선 또는 자외선의 광원을 조사하는 장치를 포함할 수 있다. 상기 건조부를 통해, 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 있는 에칭액을 효과적으로 제거할 수 있다. 예를 들어, 건조부는 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10 내지 60초 동안 광원을 조사할 수 있다. 구체적으로, 건조부는 상기 광원을 조사하는 장치를 이용하여 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 100℃ 내지 200℃ 또는 140 내지 180℃의 온도에서 10 내지 60초 또는 20 내지 40초 동안 광을 조사할 수 있다.
또 하나의 예로서, 세척부는 건조부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하는 장치를 포함할 수 있다. 구체적으로 세척부는 10 내지 1000 kHz의 초음파를 1분 내지 10분 동안 인가할 수 있다. 구체적으로, 건조하는 단계를 거친 금속층에 10 내지 1000 kHz, 50 내지 800 kHz 또는 100 내지 500 kHz의 초음파를 1분 내지 5분 또는 4분 내지 8분 동안 인가할 수 있다. 상기와 같은 조건의 세척부를 포함하는 경우, 기재 상에 남아있는 에칭액 또는 불순물들을 효과적으로 제거할 수 있다.
구체적으로, 상기 세척부의 후단에 제어부를 더 포함할 수 있으며, 예를 들어, 세척부와 권취부 사이에 제어부를 더 포함할 수 있으며, 상기 제어부는 에칭장치 전체에서 금속층을 포함하는 기재의 이동속도 및 위치를 적절하게 조절하는 역할을 할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 제어부는 에칭장치 내에서 인피더, 아웃피더 및 롤러의 속도를 조절하여 금속층을 포함하는 기재의 이동속도 및 위치를 적절하게 조절하여, 기재의 금속층에 에칭을 수행하여 원하는 두께의 금속층에 패턴을 형성하며 깨끗한 표면을 갖도록 에칭할 수 있다.
하나의 예로서, 본 발명의 에칭장치는 에칭부 전단에 공급부; 및 세척부 후단에 권취부를 더 포함하는 에칭장치로서,
금속층을 포함하는 기재가 감겨져 이루어진 롤이 장착되어 상기 금속층을 포함하는 기재를 공급하는 공급부;
상기 공급부에서 공급되며, 그라비어 장치를 이용하여 금속층을 포함하는 기재를 에칭하는 에칭부;
상기 에칭부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 광원을 조사하여 건조하는 건조부;
상기 건조부를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 기재 상에 불순물을 세척하는 세척부; 및
상기 세척부를 거친 금속층을 포함하는 기재를 권취시키는 권취부를 포함하여 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은,
에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재에 패턴롤의 음각 패턴 내에 포함하는 애칭액을 대면하도록 하여 에칭하는 단계;
상기 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재를 광원을 조사하여 건조하는 단계; 및
건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 포함하고,
에칭하는 단계; 건조하는 단계; 및 세척하는 단계는 연속 공정이며,
상기 에칭액은 증류수, 철(Fe)계 화합물 및 계면활성제를 포함하는 에칭방법을 제공한다.
구체적으로, 에칭액에서 철(Fe)계 화합물은 질산철(Ⅲ), 염화철, 황산철, 인산철, 아세트산철 및 구연산철 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 철(Fe)계 화합물은 질산철, 염화철 또는 황산철을 포함할 수 있다.
예를 들어, 에칭액에서 철(Fe)계 화합물의 함량은 에칭액 100 부피부를 기준으로 30 내지 50 부피부일 수 있다. 구체적으로, 철(Fe)계 화합물의 함량은 에칭액 100 부피부를 기준으로 35 내지 50 부피부, 40 내지 50 부피부 또는 35 내지 45 부피부일 수 있다. 상기와 같은 철(Fe)계 화합물을 포함함으로써, 기재 상에 형성된 금속층을 효과적으로 에칭할 수 있다.
또한, 상기 계면활성제는 비이온 계면활성제일 수 있으며, 구체적으로, 계면활성제는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 및 폴리비닐 알코올으로 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 계면활성제는 폴리프로필글리콜 및 에틸렌이 중합된 중합체일 수 있다. 예를 들어, 에칭액에서 상기 계면활성제는 에칭액 100 부피부를 기준으로 20 내지 40 부피부로 포함될 수 있다. 구체적으로, 상기 계면활성제는 에칭액 100 부피부를 기준으로 20 내지 30 부피부, 25 내지 35 부피부 또는 25 내지 30 부피부로 포함될 수 있다.
하나의 예로서, 에칭하는 단계는 기재의 금속층 상에 평균 20 내지 60 ㎛ 간격의 채널을 형성할 수 있다. 구체적으로, 에칭하는 단계는 기재의 금속층 상에 30 내지 60 ㎛, 40 내지 55 ㎛ 또는 45 내지 55 ㎛ 간격의 채널을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 에칭방법은 롤투롤 그라비어 장치를 이용하여 직접적인 에칭을 하기 때문에 상기와 같은 크기의 채널을 형성할 수 있다.
상기 기재에 형성된 금속층은 은, 구리 및 철로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 금속층은 은 또는 구리일 수 있다. 상기와 같은 금속층을 사용하면 전기전도도를 향상시킬 수 있으며 트랜지스터에 적합한 소자를 제조할 수 있다.
예를 들어, 상기 금속층의 두께는 10 내지 70 ㎚일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속층의 두께는 20 내지 70 ㎚, 20 내지 60 ㎚, 20 내지 40 ㎚ 또는 40 내지 60 ㎚일 수 있다. 본 발명에 따른 에칭방법은 롤투롤 그라비어 장치를 이용하여 금속층을 직접 에칭하므로, 상기와 같은 두께의 금속층에 패턴을 형성함에도 깨끗한 표면을 갖도록 에칭할 수 있다.
구체적으로, 에칭하는 단계는 금속층을 포함하는 기재에 에칭액을 포함하는 패턴롤을 대면하도록 하여 금속층을 에칭할 수 있으며, 보다 구체적으로, 패턴롤에 형성된 음각의 패턴에 포함된 에칭액이 이동하는 기재의 금속층에 맞닿아서 금속층을 에칭(식각)하여 수행할 수 있다.
또 하나의 예로서, 건조하는 단계는 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10 내지 60초 동안 광원을 조사하여 수행할 수 있다. 구체적으로, 건조하는 단계는 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 100℃ 내지 200℃ 또는 140 내지 180℃의 온도에서 10 내지 60초 또는 20 내지 40초 동안 광을 조사하여 수행할 수 있다. 상기 광원은 적외선, 자외선 또는 백색광 중 어느 하나 이상을 포함하는 광원일 수 있다. 구체적으로, 상기 광원은 적외선 또는 자외선일 수 있다. 상기와 같은 건조하는 단계를 통해 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 남아있는 에칭액을 제거할 수 있다.
하나의 예로서, 세척하는 단계는 건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 10 내지 1000 kHz의 초음파를 1분 내지 10분 동안 인가하여 수행할 수 있다. 구체적으로, 건조하는 단계를 거친 금속층에 10 내지 1000 kHz, 50 내지 800 kHz 또는 100 내지 500 kHz의 초음파를 1분 내지 5분 또는 4분 내지 8분 동안 인가하여 수행할 수 있다. 상기와 같은 조건으로 세척하는 경우, 기재 상에 남아있는 에칭액 또는 불순물들을 효과적으로 제거할 수 있다.
1: 금속층을 포함하는 기재
10: 패턴롤
20: 압동롤
30: 닥터 블레이드
40: 에칭액 욕조
41: 에칭액
50: 그립부
100: 공급부
200: 에칭부
300: 건조부
400: 세척부
500: 권취부
600: 제어부
710: 인피더
720: 아웃피더
730: 롤러
10: 패턴롤
20: 압동롤
30: 닥터 블레이드
40: 에칭액 욕조
41: 에칭액
50: 그립부
100: 공급부
200: 에칭부
300: 건조부
400: 세척부
500: 권취부
600: 제어부
710: 인피더
720: 아웃피더
730: 롤러
Claims (12)
- 삭제
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- 에칭 대상이 되는 금속층을 포함하는 기재에 패턴롤의 음각 패턴 내에 포함하는 에칭액을 대면하도록 하여 에칭하는 단계;
상기 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재를 광원을 조사하여 건조하는 단계; 및
건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 초음파를 인가하여 세척하는 단계를 포함하고,
에칭하는 단계; 건조하는 단계; 및 세척하는 단계는 연속 공정이며,
상기 에칭액은 증류수, 철(Fe)계 화합물 및 계면활성제를 포함하고,
에칭액에서 계면활성제는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 및 폴리비닐 알코올로부터 선택되는 1종 이상을 포함하며,
상기 계면활성제는 에칭액 100 부피부를 기준으로 25 내지 35 부피부로 포함하는 에칭방법. - 제 8 항에 있어서,
에칭액에서 철(Fe)계 화합물은 질산철(Ⅲ), 염화철, 황산철, 인산철, 아세트산철 및 구연산철 중 어느 하나 이상을 포함하고,
철(Fe)계 화합물의 함량은 에칭액 100 부피부를 기준으로 30 내지 50 부피부인 것을 특징으로 하는 에칭방법. - 제 8 항에 있어서,
에칭하는 단계는 기재의 금속층 상에 평균 20 내지 60 ㎛ 간격의 채널을 형성하는 에칭방법. - 제 8 항에 있어서,
건조하는 단계는 에칭하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 100℃ 내지 200℃의 온도에서 10 내지 60초 동안 광을 조사하여 수행하는 에칭방법. - 제 8 항에 있어서,
세척하는 단계는 건조하는 단계를 거친 금속층을 포함하는 기재에 10 내지 1000 kHz의 초음파를 1분 내지 10분 동안 인가하여 수행하는 에칭방법.
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| KR1020180031477A KR102034000B1 (ko) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020180031477A KR102034000B1 (ko) | 2018-03-19 | 2018-03-19 | 롤투롤 그라비어 방법을 이용한 에칭장치 및 이를 이용한 에칭방법 |
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| KR20130016645A (ko) * | 2011-08-08 | 2013-02-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 그라비아 옵셋 인쇄 공정으로 투명 전도성 산화층 상에 인쇄되어, 상기 산화층을 식각하기 위한, 에칭 페이스트 조성물 및 이를 이용한 투명 전도성 산화층의 패턴 형성 방법 |
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