KR102031779B1 - Organic light Emitting Display Device - Google Patents

Abstract

본 발명은, 스트라이프 타입으로 배열된 다수의 서브픽셀을 포함하는 기판; 상기 기판 상에서 적어도 두 개의 서브픽셀 일부와 중첩된 영역에 대응되게 위치하는 발광다이오드 구동소자; 상기 발광다이오드 구동소자 상에서 한 개의 서브픽셀 영역과 대응되는 영역에 형성되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에서 상기 한 개의 서브픽셀이 발광하도록 형성되는 유기발광층; 및 상기 유기발광층 상에 위치하며, 상기 기판의 전면에 형성되는 제 2 전극;을 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
이에 따라, 발광다이오드 구동소자의 설계 자유도 및 집적 자유도를 개선시킬 수 있으며, 고색재현율 및 고해상도의 유기전계발광표시장치를 구현할 수 있다.The invention includes a substrate comprising a plurality of subpixels arranged in a stripe type; A light emitting diode driving element positioned to correspond to an area overlapping with a portion of at least two subpixels on the substrate; A first electrode formed on a region of the light emitting diode driving element corresponding to one subpixel region; An organic light emitting layer on the first electrode to emit the one subpixel; And a second electrode disposed on the organic light emitting layer and formed on the entire surface of the substrate.
Accordingly, design freedom and integration freedom of the LED driving device can be improved, and an organic light emitting display device having high color reproducibility and high resolution can be realized.

Description

유기전계발광표시장치 {Organic light Emitting Display Device}Organic Light Emitting Display Device

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 상부발광방식(top emission)의 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having a top emission type.

유기전계발광표시장치는 제 1 전극과 제 2 전극으로부터 각각 전자와 정공을 발광부 내로 주입시켜 주입된 정공과 전자가 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 장치이다. The organic light emitting display device emits light when an exciton generated by combining holes and electrons injected from the first electrode and the second electrode into the light emitting part falls from the excited state to the ground state, respectively. to be.

유기전계발광표시장치는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트 등의 뛰어난 특징을 가지고 있으므로 그래픽 디스플레이의 픽셀, 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면광원(Surface Light Source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼우며 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이에 적합한 장치이다. 또한, 플라스틱과 같이 휠 수 있는(Flexible) 투명 기판을 이용하여 형성할 수 있는 장점이 있다. The organic light emitting display device has excellent features such as wide viewing angle, fast response and high contrast, so it can be used as a pixel of graphic display, TV image display or surface light source, and it is thin, light and color. It is a good device for next-generation flat panel displays. In addition, there is an advantage that can be formed using a flexible transparent substrate, such as plastic.

또한, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 상부발광(Top-Emission) 방식과 하부발광(Bottom-Emission)방식으로 나뉘게 되는데, 하부 발광방식은 안정성 및 공정의 자유도가 높은 편이나, 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려워 최근에는 상부발광방식이 주로 이용되고 있다. In addition, the organic light emitting display device is divided into a top emission method and a bottom emission method according to a direction in which light is emitted. The bottom emission method has high stability and freedom of processing. Due to the limitation of the aperture ratio, it is difficult to apply to high resolution products. Recently, a top emission method is mainly used.

도 1은 스트라이프(stripe) 타입의 화소구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a diagram schematically illustrating a stripe type pixel structure.

도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 스트라이프 타입 화소(P)는 가로방향을 따라 배치된 적, 녹, 청 서브픽셀(SPr, SPg, SPb)로 구성된다. As shown in FIG. 1, the general stripe type pixel P includes red, green, and blue subpixels SPr, SPg, and SPb arranged along the horizontal direction.

통상적으로, 상기와 같은 화소 구조의 유기전계발광표시장치는 다수의 개구부 패턴을 갖는 쉐도우 마스크를 이용하여 유기물질을 기판에 증착시킨다. 즉, 소정의 패턴형태로서 다수의 이격하는 패턴을 갖는 유기발광층을 형성하며, 유기발광층의 유기박막패턴은 각각 적(R), 녹(G), 청(B)의 색을 발하게 된다. In general, an organic light emitting display device having a pixel structure as described above deposits an organic material on a substrate using a shadow mask having a plurality of opening patterns. That is, an organic light emitting layer having a plurality of spaced apart patterns is formed as a predetermined pattern shape, and the organic thin film patterns of the organic light emitting layer emit red (R), green (G), and blue (B) colors, respectively.

그러나, 상기와 같은 화소 구조의 유기전계발광표시장치를 제조하는 데 있어서 일반적으로 사용되는 쉐도우 마스크는 300 ppi 이상의 고해상도를 구현하는 데에 많은 어려움이 있다. 이는, 상기 쉐도우 마스크의 개구부 형성을 위해 요구되는 최소면적과, 서로 인접한 개구부 간의 거리가 제한되기 때문이다. 개구부가 너무 좁으면 원하는 형상을 구현하기 어려우며, 인접한 개구부가 서로 붙어버리는 현상이 발생될 수도 있다. 또한, 서로 인접한 개구부 간의 거리 즉, 립 폭이 너무 좁으면 전체의 식각 비율이 커져서 쉐도우 마스크 자체의 기계적인 강도가 저하하게 된다. 이와 같이, 서브픽셀의 폭 즉, 제면적 면적을 줄이지 않으면서 고해상도를 구현하는 것은 쉽지 않다.However, a shadow mask generally used in manufacturing the organic light emitting display device having the pixel structure as described above has a lot of difficulty in implementing a high resolution of 300 ppi or more. This is because the minimum area required for forming the opening of the shadow mask and the distance between the adjacent openings are limited. If the openings are too narrow, it is difficult to achieve the desired shape, and the phenomenon that adjacent openings are stuck to each other may occur. In addition, if the distance between the openings adjacent to each other, that is, the lip width is too narrow, the overall etching rate is increased, thereby lowering the mechanical strength of the shadow mask itself. As such, it is not easy to implement high resolution without reducing the width of the subpixel, that is, the area of the paper.

한편, 유기전계발광표시장치는 유기발광 다이오드를 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형(PMOLED)와 액티브 매트릭스형(AMOLED)으로 분류될 수 있다. 상기 액티브 매트릭스형의 유기전계발광표시장치는 다수의 주사선, 다수의 데이터선 및 다수의 전원선들과, 상기 선들에 연결되어 매트릭스 형태로 배열되는 다수의 화소를 가진다. Meanwhile, the organic light emitting display device may be classified into a passive matrix type (PMOLED) and an active matrix type (AMOLED) according to a method of driving the organic light emitting diode. The active matrix type organic light emitting display device has a plurality of scan lines, a plurality of data lines, a plurality of power lines, and a plurality of pixels connected to the lines and arranged in a matrix.

여기서, 상기 화소의 각 서브픽셀마다 유기 발광 다이오드와, 이에 공급되는 전류량을 제어하는 구동 박막트랜지스터와, 구동 박막트랜지스터로 데이터신호를 전달하기 위한 스위칭 박막트랜지스터와, 데이터신호의 전압을 유지하기 위한 스토리지 커패시터 등을 포함하는 발광다이오드 구동소자를 구성하게 된다.Here, each subpixel of the pixel, an organic light emitting diode, a driving thin film transistor for controlling the amount of current supplied thereto, a switching thin film transistor for transmitting a data signal to the driving thin film transistor, and storage for maintaining the voltage of the data signal A light emitting diode driving element including a capacitor or the like is constructed.

또한, 상기 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시장치는 소비전력이 적은 이점이 있으나, 구동 박막트랜지스터의 게이트와 소스전극 간의 전압, 즉 구동 박막트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage) 편차에 따라서 구동소자를 통해 흐르는 전류의 세기가 변하게 되므로 표시 불균일을 초래한다. 즉, 서브픽셀 내에 구비된 박막트랜지스터(TFT)는 제조 공정 변수에 따라 상기 박막트랜지스터의 특성이 변하게 되고, 이에 따라 화소 간 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 편차가 존재한다. 현재에는 화소 간 불균일 현상을 극복하고자 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있는 보상회로를 화소 내에 추가로 형성하고 있다. 그러나, 보상회로는 다수의 회로소자를 포함하고 있으며, 각각의 서브픽셀 영역 내에 보상 회로를 모두 집적시켜야 한다. In addition, the active matrix type organic light emitting display device has an advantage of low power consumption, but flows through the driving device according to a voltage difference between the gate and the source electrode of the driving thin film transistor, that is, the threshold voltage variation of the driving thin film transistor. The intensity of the current changes, resulting in display unevenness. That is, the characteristics of the thin film transistor (TFT) included in the subpixel are changed according to manufacturing process variables, and thus there is a variation in threshold voltage of the driving thin film transistor between pixels. At present, in order to overcome the non-uniformity between pixels, a compensation circuit for compensating the threshold voltage of the driving thin film transistor is additionally formed in the pixel. However, the compensation circuit includes a plurality of circuit elements, and all the compensation circuits must be integrated in each subpixel area.

따라서, 서브픽셀의 제한된 면적 내에 상기 보상회로를 추가로 포함해야 함에 따라 발광다이오드 구동소자들의 설계 자유도 및 집적 자유도가 더욱 제한을 받게 되는 문제점이 있다.Therefore, as the compensation circuit must be additionally included within the limited area of the subpixel, there is a problem in that design freedom and integration freedom of the LED driving elements are further limited.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 스트라이프 타입 화소 구조를 유지할 수 있으면서 발광다이오드를 구동하기 위한 구동소자들의 설계 자유도 및 집적 자유도 개선을 통하여, 고색재현율 및 고해상도를 구현할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
Disclosure of Invention The present invention is to solve the above-mentioned problems, and can maintain a stripe-type pixel structure and improve the design freedom and integration freedom of driving elements for driving a light emitting diode, and thus an organic electric field capable of realizing high color reproducibility and high resolution. It is a technical problem to provide a light emitting display device.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시 장치는 스트라이프 타입으로 배열된 다수의 서브픽셀을 포함하는 기판; 상기 기판 상에서 적어도 두 개의 서브픽셀 일부와 중첩된 영역에 대응되게 위치하는 발광다이오드 구동소자; 상기 발광다이오드 구동소자 상에서 한 개의 서브픽셀 영역과 대응되는 영역에 형성되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에서 상기 한 개의 서브픽셀이 발광하도록 형성되는 유기발광층; 및 상기 유기발광층 상에 위치하며, 상기 기판의 전면에 형성되는 제 2 전극;을 포함한다.An organic light emitting display device according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a substrate including a plurality of subpixels arranged in a stripe type; A light emitting diode driving element positioned to correspond to an area overlapping with a portion of at least two subpixels on the substrate; A first electrode formed on a region of the light emitting diode driving element corresponding to one subpixel region; An organic light emitting layer on the first electrode to emit the one subpixel; And a second electrode disposed on the organic light emitting layer and formed on the entire surface of the substrate.

여기서, 상기 발광다이오드 구동소자는, 구동 박막트랜지스터, 스위칭 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하고, 상기 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 드레인 전극은 제 1 연결부를 통해 연결배선과 연결될 수 있다.The light emitting diode driving device may include a driving thin film transistor, a switching thin film transistor, and a capacitor, and a drain electrode formed on the driving thin film transistor may be connected to a connection wiring through a first connection part.

또한, 상기 제 1 전극은, 제 2 연결부를 통해 상기 연결배선과 연결될 수 있다. In addition, the first electrode may be connected to the connection wiring through a second connection portion.

또한, 상기 제 2 연결부는, 상기 제 1 전극의 일끝단에 위치하며, 인접하는 서브픽셀에 대응되는 제 1 전극의 제 2 연결부와 일방향을 이룰 수 있다.The second connector may be positioned at one end of the first electrode and may form one direction with the second connector of the first electrode corresponding to the adjacent subpixel.

또한, 상기 발광다이오드 구동소자는, 구동 박막트랜지스터, 스위칭 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하고, 상기 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 드레인 전극은, 제 1 연결부만을 통해 상기 제 1 전극과 연결될 수 있다.The light emitting diode driving device may include a driving thin film transistor, a switching thin film transistor, and a capacitor, and a drain electrode formed on the driving thin film transistor may be connected to the first electrode only through a first connection part.

또한, 상기 다수의 서브픽셀은, 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 및 청색 서브픽셀를 포함할 수 있다.Also, the plurality of subpixels may include a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel.

또한, 상기 한 개의 서브픽셀 영역은, 상기 발광다이오드 구동소자가 형성되는 영역과 비교하여 가로변 길이가 작고, 세로변 길이가 클 수 있다.In addition, the one subpixel area may have a smaller horizontal side length and a larger vertical side length than the area where the light emitting diode driving element is formed.

또한, 상기 발광다이오드 구동소자는, 4개 이하의 서브픽셀 일부와 중첩된 영역에 형성될 수 있다.The light emitting diode driving device may be formed in an area overlapping with a portion of four or less subpixels.

또한, 상기 유기전계발광표시장치는, 세로로 인접한 2개의 픽셀마다 6개의 발광다이오드 구동소자가 형성될 수 있다.
In addition, in the organic light emitting display device, six light emitting diode driving elements may be formed for two vertically adjacent pixels.

본 발명에 따르면, 단위화소 내에서 각 서브픽셀에 대한 구동소자의 형성 위치를 변경함으로써 화소의 단위 면적당 형성할 수 있는 구동소자의 설계 영역을 증가시킬 수 있다. 또한, 보상회로를 부수적으로 포함 함에 따라 발생되는 개구율 증가에 대한 문제를 개선할 수 있고, 불량 발생 확률을 줄일 수 있다. According to the present invention, it is possible to increase the design area of the driving element that can be formed per unit area of the pixel by changing the formation position of the driving element for each subpixel in the unit pixel. In addition, it is possible to improve the problem of the increase in the aperture ratio caused by incidentally including the compensation circuit, it is possible to reduce the probability of failure.

따라서, 발광다이오드 구동소자의 설계 자유도 및 집적 자유도를 개선시키면서, 고색재현율 및 고해상도의 유기전계발광표시장치를 구현할 수 있다.
Accordingly, it is possible to implement an organic light emitting display device having high color reproducibility and high resolution while improving design freedom and integration freedom of the light emitting diode driving element.

도 1은 스트라이프(stripe) 타입의 화소구조를 개략적으로 도시한 도면;
도 2는 본 발명에 따른 상부발광방식의 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 화소배치도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 전극의 구조를 개략적으로 도시한 평면도; 및
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 전극의 구조를 개략적으로 도시한 평면도.1 is a diagram schematically showing a stripe type pixel structure;
2 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device having a top light emitting method according to the present invention;
3 is a pixel layout view of an organic light emitting display device according to the present invention;
4 is a plan view schematically showing the structure of a first electrode according to an embodiment of the present invention; And
5 is a plan view schematically showing the structure of a first electrode according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2은 본 발명에 따른 상부발광방식의 유기전계발광표시장치(200)를 도시한 단면도이다. 각 서브픽셀은 동일한 구조를 가지므로, 단위 서브픽셀을 예로 들어 설명한다. 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device 200 having a top emission type according to the present invention. Since each subpixel has the same structure, a unit subpixel will be described as an example.

도 2에 도시한 바와 같이, 기판(201) 상에 반도체층(221), 제 1 절연막(211), 게이트 전극(222), 제 2 절연막(212), 콘택홀(224), 소스 전극(223a)과 드레인 전극(223b), 및 보호막(213)이 차례로 형성된다. As shown in FIG. 2, the semiconductor layer 221, the first insulating layer 211, the gate electrode 222, the second insulating layer 212, the contact hole 224, and the source electrode 223a are disposed on the substrate 201. ), The drain electrode 223b, and the protective film 213 are formed in this order.

이때, 반도체층(221)은 폴리 실리콘으로 형성될 수 있으며, 이 경우 소정 영역이 불순물로 도핑될 수 있다. 반도체층(221)은 폴리 실리콘이 아닌 아모포스 실리콘으로 형성될 수 있으나, 폴리 실리콘으로 형성될 경우, 아모포스 실리콘을 형성시킨 후, 이를 결정화시켜 폴리 실리콘으로 변화시킨다. 이러한 결정화 방법으로는 RTA(Rapid Thermal Annealing)공정, SPC법(Solid Phase Crystallization), ELA법(Excimer Laser Annealing), MIC(Metal Induced Crystallization), MILC법(Metal Induced Lateral Crystallization) 또는 SLS법(Sequential Lateral Solidification) 등 다양한 방법이 적용될 수 있다.In this case, the semiconductor layer 221 may be formed of polysilicon, and in this case, a predetermined region may be doped with impurities. The semiconductor layer 221 may be formed of amorphous silicon, not polysilicon. However, when the semiconductor layer 221 is formed of polysilicon, amorphous semiconductor is formed and then crystallized to polysilicon. Such crystallization methods include Rapid Thermal Annealing (RTA), Solid Phase Crystallization (SPC), Excimer Laser Annealing (ELA), Metal Induced Crystallization (MIC), Metal Induced Lateral Crystallization (MILC) or Sequential Lateral Various methods such as solidification can be applied.

제 1 절연막(211)은 반도체층(221)과 게이트 전극(222) 사이를 절연하기 위해 그 사이에 형성된 것으로, 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 다양한 절연성의 유기물질 등으로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 절연막(212)도 제 1 절연막(211)과 같이 다양한 절연성의 유기물질로 형성될 수 있다.The first insulating layer 211 is formed therebetween to insulate between the semiconductor layer 221 and the gate electrode 222, and may be formed of an insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). In addition, it may be formed of various insulating organic materials. In addition, the second insulating layer 212 may also be formed of various insulating organic materials like the first insulating layer 211.

게이트 전극(222)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 예컨대 Mg, Al, Ni, Cr, Mo, W, MoW 또는 Au 등의 물질로 형성될 수 있으며, 이 경우에도 단일층뿐만 아니라 복수층의 형상 등 다양한 변형이 가능하다.The gate electrode 222 may be formed of various conductive materials. For example, the gate electrode 222 may be formed of a material such as Mg, Al, Ni, Cr, Mo, W, MoW, or Au. In this case, a plurality of layers may be formed as well as a single layer. Various modifications such as shapes are possible.

콘택홀(224)은 제 2 절연막(212)과 제 1 절연막(211)을 선택적으로 제거하여 소스 및 드레인 영역을 노출시키도록 형성된다.The contact hole 224 is formed to selectively remove the second insulating film 212 and the first insulating film 211 to expose the source and drain regions.

소스 전극(223a) 및 드레인 전극(223b)은 제 2 절연막(212) 상에 단일층 또는 복수층으로 형성되어 콘택홀(224)이 매립되도록 한다. 여기서, 소스 전극(223a) 및 드레인 전극(223b)은 전술한 게이트 전극(222)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The source electrode 223a and the drain electrode 223b are formed in a single layer or a plurality of layers on the second insulating layer 212 to fill the contact hole 224. Here, the source electrode 223a and the drain electrode 223b may be formed of the same material as the gate electrode 222 described above.

보호막(213)은 소스 전극(223a) 및 드레인 전극(223b) 상에 구비되어 구동 박막트랜지스터(DRTFT)의 평탄화 및 보호하는 역할을 한다. 여기서, 보호막(213)은 다양한 형태로 구성될 수 있는데, BCB (benzocyclobutene) 또는 아크릴(acryl) 등과 같은 유기물, 또는 SiNx와 같은 무기물로 형성될 수 있고, 단층으로 형성되거나 이중 혹은 다중층으로 구성될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.The passivation layer 213 is provided on the source electrode 223a and the drain electrode 223b to planarize and protect the driving thin film transistor DRTFT. The protective layer 213 may be formed in various forms, and may be formed of an organic material such as benzocyclobutene (BCB) or acrylic (acryl), or an inorganic material such as SiNx, and formed of a single layer or a double or multiple layers. Various variations are possible.

이상 설명한 바와 같이, 구동 박막트랜지스터(DRTFT)가 형성될 수 있으며, 이에 의해 구동 박막트랜지스터(DRTFT)상에는 다양한 디스플레이를 적용할 수 있다. 본 명세서에서는 발광다이오드(OLED)를 예시하고 있으나, 본 발명의 사상은 이에 제한되지 아니하며, 본 발명에 다양한 디스플레이를 적용할 수 있다.As described above, the driving thin film transistor DRTFT may be formed, whereby various displays may be applied to the driving thin film transistor DRTFT. In the present specification, the light emitting diode OLED is illustrated, but the spirit of the present invention is not limited thereto, and various displays may be applied to the present invention.

한편, 발광다이오드(OLED)는 제 1 전극(231), 제 2 전극(233), 및 이의 사이에 형성된 유기발광층(232)을 포함한다. 이에 의해, 상기 구동 박막트랜지스터(DRTFT)의 드레인 전극(223b)과, 상기 발광다이오드(OLED)의 제 1 전극(231)이 전기적으로 연결되도록 한다.Meanwhile, the light emitting diode OLED includes a first electrode 231, a second electrode 233, and an organic light emitting layer 232 formed therebetween. As a result, the drain electrode 223b of the driving thin film transistor DRTFT and the first electrode 231 of the light emitting diode OLED are electrically connected to each other.

즉, 제 1 전극(231)은 단위 서브픽셀에 독립적으로 형성되어 드레인 전극(223b)과 접촉된다. 여기서, 제 1 전극(231)은 애노드(Anode) 전극의 역할을 하기 위하여 불투명한 도전성물질로 이루어질 수 있으며, 일함수 값이 제 2 전극에 비해 비교적 낮은 금속물질, 예를 들면 알루미늄(Al), 알루미늄납(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄-마그네슘 합금(AlMg) 중에서 선택된 하나의 물질로 형성되는 것이 바람직하다. That is, the first electrode 231 is formed independently of the unit subpixel to contact the drain electrode 223b. Here, the first electrode 231 may be made of an opaque conductive material in order to act as an anode electrode, a metal material having a work function value lower than that of the second electrode, for example, aluminum (Al), It is preferably formed of one material selected from aluminum lead (AlNd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), and aluminum-magnesium alloy (AlMg).

제 2 전극(233)은 유기발광층(232) 상의 기판(201) 전면에 형성된다. 여기서, 제 2 전극(233)은 캐소드 (Cathode) 전극의 역할을 하기 위하여 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 형성되는 것이 바람직하다.The second electrode 233 is formed on the entire surface of the substrate 201 on the organic light emitting layer 232. Here, the second electrode 233 is made of a transparent conductive material having a large work function value, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), to serve as a cathode electrode. It is preferably formed.

유기발광층(232)은 단위 서브픽셀에 대응되도록 패터닝되어 형성된다. 여기서, 유기발광층(232)는 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성되거나, 또는 발광 효율을 높이기 위해 정공주입막(hole injection layer), 정공수송막(hole transporting layer), 발광물질막(emitting material layer), 전자수송막(electron transporting layer), 및 전자주입막(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수 있다. The organic light emitting layer 232 is patterned to correspond to the unit subpixel. Here, the organic light emitting layer 232 is composed of a single layer made of a light emitting material, or a hole injection layer (hole injection layer), a hole transporting layer (hole transporting layer), a light emitting material layer (emitting material layer) in order to increase the luminous efficiency It may be composed of a multilayer of an electron transporting layer (electron transporting layer), and an electron injection layer (electron injection layer).

한편, 뱅크층(214)은 상기 제 1 전극(231)의 적어도 일부가 노출되도록 패터닝되어 형성되면서 제 1 전극(231) 상에 개구부를 구비하며, 상기 개구부 내에 유기발광층(232)이 형성된다. 여기서, 뱅크층(214)는 실리콘 산화막(SiOx) 또는 실리콘 질화막(SiNx) 등과 같은 절연성 물질로 형성될 수 있으며, 이외에도 다양한 절연성의 유기물질 등으로 형성될 수 있다.Meanwhile, the bank layer 214 is patterned to expose at least a portion of the first electrode 231, and has an opening on the first electrode 231, and an organic light emitting layer 232 is formed in the opening. Here, the bank layer 214 may be formed of an insulating material, such as silicon oxide film (SiOx) or silicon nitride film (SiNx), or may be formed of various insulating organic materials.

따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(231)과 제 2 전극(233)에 소정의 전압이 인가되면, 정공과 전자가 유기발광층(232)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 상기 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다. 이때 발광된 빛이 투명한 제 2 전극(233)을 통과하여 외부로 나가게 되어 임의의 화상을 구현하게 된다.Therefore, in the organic light emitting display device according to the present invention, when a predetermined voltage is applied to the first electrode 231 and the second electrode 233 according to the selected color signal, holes and electrons are transported to the organic light emitting layer 232. When the exciton forms an exciton and the exciton transitions from the excited state to the ground state, light is generated and emitted in the form of visible light. At this time, the emitted light passes through the transparent second electrode 233 to the outside to implement an arbitrary image.

마지막으로, 각 서브픽셀의 발광다이오드를 외부로부터 보호하기 위하여 봉지(encapsulation) 과정을 수행해야 하는데, 본 발명에서는 일반적인 박막 봉지(thin film encapsulation) 방법을 사용할 수 있다. 이와 같은 박막 봉지 방법은 기 공지된 기술이므로 본 명세서에서는 이에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.Finally, an encapsulation process should be performed to protect the light emitting diodes of each subpixel from the outside. In the present invention, a general thin film encapsulation method may be used. Since such a thin film encapsulation method is a known technique, a detailed description thereof will be omitted herein.

이상 설명한 바와 같이, 기판 상에 발광다이오드(OLED)를 직접 형성하는 것을 일실시예로 들어 설명하였으나, 제 1 기판에는 발광다이오드 구동소자를 형성하고, 제 2 기판에는 발광다이오드를 형성한 후, 제 1 및 제 2 기판을 합착하는 등의 다양한 박막봉지방법이 적용될 수 있다.As described above, the light emitting diode (OLED) is directly formed on the substrate as an example, but the light emitting diode driving element is formed on the first substrate, and the light emitting diode is formed on the second substrate. Various thin film encapsulation methods such as bonding the first and second substrates can be applied.

한편, 단위화소 내에 형성된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 구동 박막트랜지스터(DRTFT) 이외에도 구동 박막트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 보상회로, 즉, 다수의 구동소자가 추가로 형성될 수 있으며, 이들을 포함하는 발광다이오드 구동소자들은 화소 내에서 자유롭게 배치될 수 있다.
Meanwhile, in addition to the switching thin film transistor (not shown) and the driving thin film transistor (DRTFT) formed in the unit pixel, a compensation circuit for compensating the threshold voltage of the driving thin film transistor, that is, a plurality of driving elements may be additionally formed. The light emitting diode driving elements may be freely disposed in the pixel.

도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 화소배치도이다. 이때, 세로방향으로 인접한 두개의 화소를 대상으로 도시하였으며, 상기 두개의 화소 내에는 6개의 서브픽셀 및 6개의 구동서브픽셀이 배치된 구조이다.3 is a pixel layout view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. In this case, two pixels vertically adjacent to each other are illustrated, and six subpixels and six driving subpixels are disposed in the two pixels.

일반적으로 화소(P) 내에는 다수의 서브픽셀들이 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 다수의 서브픽셀들에는 R, G, B 유기박막패턴이 각각 형성되어 색을 발광하게 된다. In general, a plurality of subpixels are arranged in a matrix form in the pixel P, and R, G, and B organic thin film patterns are formed in the plurality of subpixels, respectively, to emit color.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 가로방향을 따라 적색, 녹색, 청색 서브픽셀(SPr1, SPg1, SPb1)이 배열된 스트라이프 타입의 화소 구조를 가지며, 세로 방향을 따라 적, 녹, 구동서브픽셀(DSPr1, DSPg1, DSPr2)이 배열된 구조를 가진다. 또한, 상기 적색, 녹색, 청색 서브픽셀(SPr1, SPg1, SPb1) 하부에는 가로방향을 따라 적, 녹, 청 서브픽셀(SPr2, SPg2, SPb2)이 배열된 스트라이프 타입의 화소 구조를 가지며, 상기 적, 녹, 구동서브픽셀(DSPr1, DSPg1, DSPr2) 하부, 즉, 상기 청 서브픽셀(SPb1, SPb2)이 위치하는 영역에는 세로방향을 따라 녹, 청 구동서브픽셀(DSPb1, DSPg2, DSPb2)이 배열된 구조를 가진다.As shown in FIG. 3, the organic light emitting display device according to the present invention has a stripe-type pixel structure in which red, green, and blue subpixels SPr1, SPg1, and SPb1 are arranged along a horizontal direction, and has a vertical direction. Accordingly, red, green, and driving subpixels DSPr1, DSPg1, and DSPr2 are arranged. The red, green, and blue subpixels SPr1, SPg1, and SPb1 have a stripe-type pixel structure in which red, green, and blue subpixels SPr2, SPg2, and SPb2 are arranged in a horizontal direction. Green, blue driving subpixels DSPb1, DSPg2, and DSPb2 are arranged in a vertical direction in the green, green, and subpixel pixels DSPr1, DSPg1, and DSPr2, that is, the region where the blue subpixels SPb1 and SPb2 are located. Has a structure.

여기서, 적, 녹, 청 구동서브픽셀(DSPr1, DSPg1, DSPb1)은 적, 녹, 청 서브픽셀(SPr1, SPg1, SPb1)에 형성된 발광다이오드를 구동하기 위한 구동소자가 형성되는 영역이고, 적, 녹, 청 구동서브픽셀(DSPr2, DSPg2, DSPb2)은 적, 녹, 청 서브픽셀(SPr2, SPg2, SPb2)에 형성된 발광다이오드를 구동하기 위한 구동소자가 형성되는 영역으로, 각 발광다이오드 구동소자는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터 등이 독립적으로 형성된다. Here, the red, green, and blue driving subpixels DSPr1, DSPg1, and DSPb1 are regions in which driving elements for driving light emitting diodes formed in the red, green, and blue subpixels SPr1, SPg1, and SPb1 are formed. The green and blue driving subpixels DSPr2, DSPg2 and DSPb2 are regions in which a driving element is formed to drive light emitting diodes formed in the red, green and blue subpixels SPr2, SPg2 and SPb2. The switching thin film transistor, the driving thin film transistor, and the storage capacitor are independently formed.

한편, 본 발명에서는 적, 녹, 청 구동서브픽셀이 적, 녹, 청 서브픽셀과 일치하지 않는 구조로 형성된 것이 특징이다. Meanwhile, the present invention is characterized in that the red, green, and blue driving subpixels are formed in a structure that does not coincide with the red, green, and blue subpixels.

전술한 바와 같이, 적, 녹, 청 서브픽셀(SPr1, SPg1, SPb1) 및 적, 녹, 청 서브픽셀(SPr2, SPg2, SPb2)은 가로방향을 따라 배열되나, 적, 녹, 구동서브픽셀(DSPr1, DSPg1, DSPr2) 및 녹, 청 구동서브픽셀(DSPb1, DSPg2, DSPb2)은 세로방향을 따라 배열됨에 따라 서로 일치하지 않게 형성될 수 있다. As described above, the red, green, and blue subpixels (SPr1, SPg1, SPb1) and the red, green, and blue subpixels (SPr2, SPg2, SPb2) are arranged along the horizontal direction, but the red, green, and driving subpixels ( The DSPr1, DSPg1, and DSPr2) and the green and blue driving subpixels DSPb1, DSPg2, and DSPb2 may be formed to be inconsistent with each other as they are arranged along the vertical direction.

따라서, 두개의 화소를 기준으로 볼 때, 화소내 중앙부의 좌측에는 세로방향의 일방향으로 적, 녹 구동서브픽셀(DSPr1, DSPg1, DSPr2)이 순차적으로 형성된다. 또한, 화소영역 중앙부의 우측에는 세로방향의 일방향으로 녹, 청 구동서브픽셀(DSPb1, DSPg2, DSPb2)이 순차적으로 형성된다. Therefore, when the two pixels are referred to, red and green driving subpixels DSPr1, DSPg1, and DSPr2 are sequentially formed on one side in the vertical direction on the left side of the center portion of the pixel. Further, green and blue driving subpixels DSPb1, DSPg2, and DSPb2 are sequentially formed in one direction in the vertical direction on the right side of the center of the pixel region.

이때, 적어도 두개의 서브픽셀 일부와는 중첩된 영역에 대응되도록 형성되도록 설계함에 따라 인접 구동서브픽셀과의 거리를 최소화할 수 있다. In this case, the distance from the adjacent driving subpixel can be minimized by being designed to correspond to an area overlapping with at least a portion of the at least two subpixels.

결과적으로, 적(R), 녹(G), 청(B)의 색을 발광하는 유기박막패턴 사이의 이격거리를 일정간격으로 유지하는 동시에 발광다이오드 구동소자의 설계 면적을 증가시킬 수 있다.
As a result, it is possible to maintain the separation distance between the organic thin film patterns emitting red (R), green (G), and blue (B) at a constant interval while increasing the design area of the light emitting diode driving element.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 전극의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이며, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 전극의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다. 이때, 세로방향으로 인접한 두개의 화소를 대상으로 도시하였으며, 상기 두개의 화소 내에는 6개의 서브픽셀, 6개의 구동서브픽셀 및 6개의 제 1 전극이 배치된 구조이다.4 is a plan view schematically showing the structure of a first electrode according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a plan view schematically showing the structure of a first electrode according to another embodiment of the present invention. In this case, two vertically adjacent pixels are illustrated, and six subpixels, six driving subpixels, and six first electrodes are disposed in the two pixels.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 유기전계발광표시장치는 적, 녹, 청 서브픽셀 단위로 패터닝되는 제 1 전극(A1, A2, A3, A4, A5, A6)과, 패터닝없이 제 1 기판 전면에 형성되는 제 2 전극(미도시), 및 이들 사이에 위치하는 유기발광층(미도시)을 포함하는 발광다이오드가 형성된다.4 and 5, the organic light emitting display device includes a first electrode A1, A2, A3, A4, A5, A6 patterned in units of red, green, and blue subpixels, and the first electrode without patterning. A light emitting diode including a second electrode (not shown) formed on the front surface of the substrate and an organic light emitting layer (not shown) disposed therebetween is formed.

이때, 제 1 전극(A1, A2, A3, A4, A5, A6)은 적, 녹, 청 서브픽셀의 발광영역인 유기박막패턴을 결정하는 것으로서, 적, 녹, 청 서브픽셀에 각각 독립적으로 형성되면서 구동 박막트랜지스터의 드레인전극과 전기적으로 연결된다. In this case, the first electrodes A1, A2, A3, A4, A5, and A6 determine the organic thin film pattern that is the light emitting region of the red, green, and blue subpixels, and are independently formed on the red, green, and blue subpixels. As a result, the drain electrode of the driving thin film transistor is electrically connected.

일 실시예에 따르면, 도 4와 같이, 상기 구동 박막트랜지스터 상에 형성된 드레인전극은 제 1 연결부(c1)만을 통해서 상기 드레인전극과 제 1 전극이 접촉될 수 있다. 즉, 연결배선없이 드레인전극과 제 1 전극이 공통의 제 1 연결부(c1)를 통해서 서로 접촉될 수 있다.According to an embodiment, as shown in FIG. 4, the drain electrode formed on the driving thin film transistor may contact the drain electrode and the first electrode only through the first connection part c1. That is, the drain electrode and the first electrode may be in contact with each other through the common first connecting portion c1 without connecting wiring.

다른 실시예에 따르면, 도 5와 같이, 상기 구동 박막트랜지스터 상에 형성된 드레인전극은 제 1 연결부(c1)를 통해 연결배선과 연결되고, 제 1 전극은 제 2 연결부(c2)를 통해 연결배선과 연결되면서 상기 드레인전극과 제 1 전극이 접촉될 수 있다. 여기서, 상기 제 2 연결부(c2)는 제 1 전극의 일끝단에 위치하고, 인접한 구동서브픽셀에 대응되도록 형성된 제 1 전극의 제 2 연결부(c2)들과 일방향을 이루면서 형성될 수 있다.According to another embodiment, as shown in FIG. 5, the drain electrode formed on the driving thin film transistor is connected to the connection wiring through the first connection part c1, and the first electrode is connected to the connection wiring through the second connection part c2. The drain electrode and the first electrode may be in contact with each other while being connected. The second connection part c2 may be formed at one end of the first electrode and form one direction with the second connection parts c2 of the first electrode formed to correspond to the adjacent driving subpixel.

구체적으로, 적 구동서브픽셀(DSPr1)은 적색 서브픽셀의 발광영역과 대응되도록 제 1 전극(A1)이 형성되고, 녹 구동서브픽셀(DSPg1)은 녹색 서브픽셀의 발광영역과 대응되도록 제 1 전극(A2)이 형성되며, 청 구동서브픽셀(DSPb1)은 청색 서브픽셀의 발광영역과 대응되도록 제 1 전극(A3)이 형성된다. 또한, 적 구동서브픽셀(DSPr2)은 적색 서브픽셀의 발광영역과 대응되도록 제 1 전극(A4)이 형성되고, 녹 구동서브픽셀(DSPg2)은 녹색 서브픽셀의 발광영역과 대응되도록 제 1 전극(A5)이 형성되며, 청 구동서브픽셀(DSPb2)은 청색 서브픽셀의 발광영역과 대응되도록 제 1 전극(A6)이 형성된다.In detail, the first driving pixel A1 is formed to correspond to the emission area of the red subpixel, and the green driving subpixel DSPr1 is formed to correspond to the emission area of the green subpixel. A2 is formed, and the first driving A3 is formed in the blue driving subpixel DSPb1 to correspond to the emission region of the blue subpixel. In addition, the first driving pixel A4 is formed to correspond to the emission area of the red subpixel, and the green driving subpixel DSPr2 is formed to correspond to the emission area of the green subpixel. A5) is formed, and the first driving A6 is formed in the blue driving subpixel DSPb2 so as to correspond to the emission area of the blue subpixel.

즉, 두개의 화소 내에서 제 1 전극(A1, A2, A3, A4, A5, A6)은 적, 녹, 청 서브픽셀의 발광영역에 각각 대응되게 형성되어 구동 박막트랜지스터의 드레인전극이 연결된다.
That is, in the two pixels, the first electrodes A1, A2, A3, A4, A5, and A6 are formed to correspond to the emission regions of the red, green, and blue subpixels, respectively, so that the drain electrodes of the driving thin film transistors are connected.

이상 설명한 유기전계발광표시장치는 일 실시예 및 다른 실시예에 따른 설명으로서, 발광다이오드 구동소자의 개수와, 화소의 배치 등 다양한 실시예에 따라 변경될 수 있다. As described above, the organic light emitting display device described above may be changed according to various embodiments, such as the number of LED driving elements and the arrangement of pixels.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the above-described present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features.

그러므로, 이상에서 설명한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and are not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

201: 기판 223a: 소스전극
211: 제 1 절연막 223b: 드레인전극
212: 제 2 절연막 224: 콘택홀
213: 보호막 231: 제 1 전극
214: 뱅크층 232: 유기발광층
221: 반도체층 233: 제 2 전극
222: 게이트 전극201: substrate 223a: source electrode
211: first insulating film 223b: drain electrode
212: second insulating film 224: contact hole
213: protective film 231: first electrode
214: bank layer 232: organic light emitting layer
221: semiconductor layer 233: second electrode
222: gate electrode

Claims (14)

스트라이프 타입의 2행3열로 배열된 제 1 내지 제 6 서브픽셀과, 각각이 상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 중 적어도 두 개와 중첩되고 3행2열로 배열된 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀을 포함하는 기판;
상기 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀 각각에 배치되는 발광다이오드 구동소자;
상기 발광다이오드 구동소자 상에서 상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 각각에 형성되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에서 상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 각각이 발광하도록 형성되는 유기발광층; 및
상기 유기발광층 상에 위치하며, 상기 기판의 전면에 형성되는 제 2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
First to sixth subpixels arranged in two rows and three columns of stripe type, and first to sixth driving subpixels arranged in three rows and two columns, each of which overlaps at least two of the first to sixth subpixels. A substrate;
A light emitting diode driving element disposed in each of the first to sixth driving subpixels;
A first electrode formed on each of the first to sixth subpixels on the light emitting diode driving element;
An organic light emitting layer on each of the first to sixth subpixels to emit light on the first electrode; And
And a second electrode on the organic light emitting layer, the second electrode being formed on the entire surface of the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 발광다이오드 구동소자는,
구동 박막트랜지스터, 스위칭 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하고,
상기 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 드레인 전극은 제 1 연결부를 통해 연결배선과 연결되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The light emitting diode driving device,
A driving thin film transistor, a switching thin film transistor, and a capacitor,
The drain electrode formed on the driving thin film transistor is connected to the connection line through the first connection unit.
제 2 항에 있어서,
상기 제 1 전극은,
제 2 연결부를 통해 상기 연결배선과 연결되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 2,
The first electrode,
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting display device is connected to the connection line through a second connection unit.
제 3 항에 있어서,
상기 제 2 연결부는,
상기 제 1 전극의 일끝단에 위치하며, 인접하는 서브픽셀에 대응되는 제 1 전극의 제 2 연결부와 일방향을 이루는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 3, wherein
The second connection portion,
And an organic light emitting display device positioned at one end of the first electrode and forming one direction with a second connection portion of the first electrode corresponding to an adjacent subpixel.
제 1 항에 있어서,
상기 발광다이오드 구동소자는,
구동 박막트랜지스터, 스위칭 박막트랜지스터 및 커패시터를 포함하고,
상기 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 드레인 전극은,
제 1 연결부만을 통해 상기 제 1 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The light emitting diode driving device,
A driving thin film transistor, a switching thin film transistor, and a capacitor,
The drain electrode formed on the driving thin film transistor,
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic light emitting display device is connected to the first electrode only through a first connection part.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 4 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고,
상기 제 2 및 제 5 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이고,
상기 제 3 및 제 6 서브픽셀은 청색 서브픽셀인 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The first and fourth subpixels are red subpixels,
The second and fifth subpixels are green subpixels,
And the third and sixth subpixels are blue subpixels.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 각각은,
상기 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀 각각과 비교하여 가로변 길이가 작고, 세로변 길이가 큰 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
Each of the first to sixth subpixels,
An organic light emitting display device, wherein the length of the horizontal side is smaller and the length of the vertical side is larger than that of each of the first to sixth driving subpixels.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀 각각은,
상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 중 4개 이하와 중첩되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
Each of the first to sixth driving subpixels,
And at least four of the first to sixth subpixels.
제 1 항에 있어서,
세로로 인접한 2개의 픽셀마다 6개의 발광다이오드 구동소자가 형성되는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
An organic light emitting display device, characterized in that six light emitting diode driving elements are formed for every two vertically adjacent pixels.
행으로 배열된 제 1 내지 제 3 서브픽셀을 포함하는 제 1 픽셀과 행으로 배열된 제 4 내지 제 6 서브픽셀을 포함하는 제 2 픽셀이 세로 방향으로 순차 배치되고, 각각이 상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 중 적어도 두 개와 중첩되고 3행2열로 배열된 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀을 포함하는 기판;
상기 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀 각각에 배치되는 발광다이오드 구동소자;
상기 발광다이오드 구동소자 상에서 상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 각각에 형성되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에서 상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀 각각이 발광하도록 형성되는 유기발광층; 및
상기 유기발광층 상에 위치하며, 상기 기판의 전면에 형성되는 제 2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
A first pixel including first to third subpixels arranged in a row and a second pixel including fourth to sixth subpixels arranged in a row are sequentially arranged in a vertical direction, each of the first to third subpixels A substrate including first to sixth driving subpixels overlapping at least two of six subpixels and arranged in three rows and two columns;
A light emitting diode driving element disposed in each of the first to sixth driving subpixels;
A first electrode formed on each of the first to sixth subpixels on the light emitting diode driving element;
An organic light emitting layer on each of the first to sixth subpixels to emit light on the first electrode; And
And a second electrode on the organic light emitting layer, the second electrode being formed on the entire surface of the substrate.
삭제delete 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 4 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고,
상기 제 2 및 제 5 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이고,
상기 제 3 및 제 6 서브픽셀은 청색 서브픽셀인 것을 특징으로 하는, 유기전계발광표시장치.
The method of claim 10,
The first and fourth subpixels are red subpixels,
The second and fifth subpixels are green subpixels,
And the third and sixth subpixels are blue subpixels.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 내지 제 6 서브픽셀의 형태는 상기 제 1 내지 제 6 구동서브픽셀의 형태와 동일한 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The first to sixth subpixels have the same shape as the first to sixth subpixels.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 구동서브픽셀은 상기 제 1 및 제 2 서브픽셀과 중첩되고,
상기 제 2 구동서브픽셀은 상기 제 2 및 제 3 서브픽셀과 중첩되고,
상기 제 3 구동서브픽셀은 상기 제 1, 제 2, 제 4 및 제 5 서브픽셀과 중첩되고,
상기 제 4 구동서브픽셀은 상기 제 2, 제 3, 제 5 및 제 6 서브픽셀과 중첩되고,
상기 제 5 구동서브픽셀은 상기 제 4 및 제 5 서브픽셀과 중첩되고,
상기 제 6 구동서브픽셀은 상기 제 5 및 제 6 서브픽셀과 중첩되는 유기전계발광표시장치.
The method of claim 1,
The first driving subpixel overlaps the first and second subpixels.
The second driving subpixel overlaps the second and third subpixels.
The third driving subpixel overlaps with the first, second, fourth and fifth subpixels.
The fourth driving subpixel overlaps the second, third, fifth, and sixth subpixels.
The fifth driving subpixel overlaps the fourth and fifth subpixels.
The sixth driving subpixel overlaps the fifth and sixth subpixels.

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