KR102029442B1 - Stripping composition for removing dryfilm resist and stripping method using the same - Google Patents
Stripping composition for removing dryfilm resist and stripping method using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102029442B1 KR102029442B1 KR1020180001327A KR20180001327A KR102029442B1 KR 102029442 B1 KR102029442 B1 KR 102029442B1 KR 1020180001327 A KR1020180001327 A KR 1020180001327A KR 20180001327 A KR20180001327 A KR 20180001327A KR 102029442 B1 KR102029442 B1 KR 102029442B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dry film
- peeling
- film resist
- composition
- weight
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 38
- HSNJERRVXUNQLS-UHFFFAOYSA-N 1-(4-tert-butylphenyl)propan-2-one Chemical compound CC(=O)CC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 HSNJERRVXUNQLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims abstract description 16
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 15
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 35
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 19
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 10
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 136
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 5
- 238000000799 fluorescence microscopy Methods 0.000 description 5
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVSIYTLODOLVKA-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO.NCCOCCO RVSIYTLODOLVKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGCDUBGOXJTXIU-UHFFFAOYSA-N 3-(2h-benzotriazol-4-yl)propane-1,1-diol Chemical compound OC(O)CCC1=CC=CC2=NNN=C12 QGCDUBGOXJTXIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFUJBVZSWTHEG-UHFFFAOYSA-N 4-(2-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound CC1=CC=CC=C1C1=CNN=N1 UCFUJBVZSWTHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQHCBHNLRWLGQS-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound CC1=CC=CC(C2=NNN=C2)=C1 XQHCBHNLRWLGQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPCIKQLLQORQCV-UHFFFAOYSA-N 4-(4-methylphenyl)-2h-triazole Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=NNN=C1 ZPCIKQLLQORQCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTMDJGPRCLQPBT-UHFFFAOYSA-N 4-nitro-1h-1,2,3-benzotriazole Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 UTMDJGPRCLQPBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical class OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- C11D11/0047—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethylammonium hydroxide, TEAH), 또는 이들의 혼합물을 포함하여 박리시간을 단축하고 박리력을 개선하고, 환경규제물질인 TMAH를 대체할 수 있는 기술이다.The present invention includes a triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), or a mixture thereof in a peeling composition for removing a dry film resist to shorten the peeling time. It is a technology that can improve peel strength and replace TMAH, an environmental regulation material.
Description
본 발명은 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 박리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a peeling composition for removing a dry film resist and a peeling method of a dry film resist using the same.
감광성 수지는 광에 의한 반응 메커니즘에 의해 네가티브형과 포지티브형으로 나뉜다. 네가티브형 감광성 수지의 경우는 노광된 부분에서 광가교 반응이 일어나고 미노광 부위는 알칼리에 씻겨나가 레지스트 패턴이 남게 되며, 포지티브형 감광성 수지의 경우는 노광 부위에서 광분해 반응이 일어나 알칼리에 현상되며 미노광 부위가 남아 레지스트 패턴을 형성한다. Photosensitive resin is divided into negative type and positive type by the reaction mechanism by light. In the case of the negative photosensitive resin, a photocrosslinking reaction occurs in the exposed portion, and the unexposed portion is washed out with alkali to leave a resist pattern. In the case of the positive photosensitive resin, a photolysis reaction occurs in the exposure region and is developed in alkali and unexposed. The site remains to form a resist pattern.
네가티브형 포토레지스트는 현재 액정패널 소자 및 대규모 집적 회로(Large Scale Integration, LSI) 등의 반도체 소자의 제조 분야에 다양하게 적용되고 있다. 반도체, 패널, 모듈 등의 사이즈가 슬림화되면서 고해상도의 네가티브형 포토레지스트의 수요가 증가하고 있다. Negative photoresists are currently being applied to various fields of manufacturing semiconductor devices such as liquid crystal panel devices and large scale integrated circuits (LSIs). As the size of semiconductors, panels, and modules is slimmer, the demand for high-resolution negative photoresist is increasing.
고해상도 구현을 위해 L/S가 좁아지면서 현상 시의 박리 불량 및 오버행(overhang) 등의 문제점이 대두하고 있다. 기존의 무기계열 드라이필름 레지스트(Dryfilm Resist, DFR) 박리액인 KOH, NaOH 용액은 DFR 제거에 한계가 있다. 이에 박리 개선을 위해 아민계의 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)를 사용하는 추세이다. As L / S becomes narrower for high resolution, problems such as peeling off and overhang during development are on the rise. Conventional inorganic dry film resist (Dryfilm Resist, DFR) stripping solution of KOH, NaOH solution has a limit in DFR removal. This is a trend to use amine-based TMAH (Tetramethyl ammonium hydroxide) to improve the peeling.
본 발명의 배경기술로는 한국 공개특허 제2000-0046480호가 있다.Background art of the present invention is Korean Patent Laid-Open No. 2000-0046480.
본 발명은 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethylammonium hydroxide, TEAH), 또는 이들의 혼합물을 포함하여 박리시간을 단축하고 박리력을 개선하고, 환경규제물질인 TMAH를 대체하고자 하는 것이다.The present invention includes a triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), or a mixture thereof in a peeling composition for removing a dry film resist to shorten the peeling time. To improve the peel force and to replace the environmental regulatory material TMAH.
본 발명의 일 측면에 의하면, 본 발명은 1 ~ 7 중량부의 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethylammonium hydroxide, TEAH), 또는 이들의 혼합물; 1 ~ 10 중량부의 사슬형 아민 화합물; 및 1 ~ 10 중량부의 유기 용매;를 포함하는, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제공한다.According to one aspect of the invention, the present invention is 1 to 7 parts by weight of triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (Tetraethylammonium hydroxide, TEAH), or a mixture thereof; 1 to 10 parts by weight of the chain amine compound; And 1 to 10 parts by weight of an organic solvent; provides a release composition for removing a dry film resist.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드 화합물을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the invention, it may comprise a triethylmethylammonium hydroxide compound.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 1 ~ 5 중량부의 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 화합물을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it may include 1 to 5 parts by weight of triethylmethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide compound.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the chain amine compound may be monoethanol amine.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유기 용매는 글리콜 에테르류일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the organic solvent may be glycol ethers.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 글리콜 에테르류는 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, DEGBE) 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Ethylene glycol monobutyl ether, EGBE)에서 1종 이상 선택될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the glycol ethers may be selected from at least one of diethylene glycol monobutyl ether (DEGBE) and ethylene glycol monobutyl ether (EGTH). .
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물은 0.1 ~ 0.5 중량부의 트리아졸 또는 테트라졸 화합물을 더 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the peeling composition for removing the dry film resist may further include 0.1 to 0.5 parts by weight of a triazole or tetrazole compound.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 트리아졸 화합물은 톨리트리아졸일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the triazole compound may be tolitriazole.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 내의 유기 용매의 농도를 동적 표면장력(Dynamic Surface Tension, DST)을 이용하여 분석할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the concentration of the organic solvent in the peeling composition for removing the dry film resist may be analyzed using dynamic surface tension (DST).
본 발명의 다른 측면에 의하면, 소정의 회로패턴이 형성된 기판상에 드라이필름을 라미네이션시키는 단계; 상기 라미네이션된 드라이필름을 부분적으로 노광시켜 드라이필름 노광부 및 드라이필름 비노광부를 형성시키는 단계; 상기 드라이필름 비노광부를 현상 및 제거시켜 개구부를 형성시키는 단계; 및 상기 드라이필름 레지스트용 박리조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계;를 포함하는, 드라이필름 레지스트의 박리 방법이 제공된다.According to another aspect of the invention, the step of laminating a dry film on a substrate on which a predetermined circuit pattern is formed; Partially exposing the laminated dry film to form a dry film exposing portion and a dry film non-exposing portion; Developing and removing the dry film non-exposed part to form an opening; And contacting the peeling composition for dry film resist with the dry film exposure unit. A method of peeling a dry film resist is provided.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 드라이필름 레지스트의 박리 방법은 상기 접촉시키는 단계 이후에 드라이필름 레지스트 잔사를 수세시키는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the method of peeling the dry film resist may further include washing the dry film resist residue after the contacting step.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 드라이필름 레지스트의 박리 방법에서 상기 드라이필름 레지스트용 박리조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계는 3시간 이하로 진행할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, in the method of peeling dry film resist, the step of contacting the dry film resist stripping composition to the dry film exposure unit may be performed for 3 hours or less.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물은 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethylammonium hydroxide, TEAH), 또는 이의 혼합물을 포함하여 박리시간을 단축하고 박리력을 개선할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the peeling composition for removing the dry film resist includes triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), or a mixture thereof. The peeling time can be shortened and the peeling force can be improved.
또한, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 중 TMAH를 대체할 수 있어, 친환경적이고 TMAH의 부작용인 도금 부위 및 기판 표면의 에칭을 방지할 수 있다. In addition, it is possible to replace TMAH in the peeling composition for removing the dry film resist, it is possible to prevent the etching of the plating site and the substrate surface which is environmentally friendly and side effects of TMAH.
따라서 본 발명에 의한 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하면, 상기 박리액과 접하는 금속층의 부식을 최소화하면서 드라이필름 레지스트를 단시간 내에 완전히 제거할 수 있다. Therefore, by using the peeling composition for removing the dry film resist according to the present invention, the dry film resist can be completely removed in a short time while minimizing corrosion of the metal layer in contact with the stripping solution.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 의한 개선된 박리력을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 중 유기 용매별 박리력을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 중 성분 농도별 박리력을 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 의해 개선된 박리속도를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 에칭억제제를 첨가하여도 박리력에 영향이 없다는 것을 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하여 박리횟수를 증가하여도 에칭 효과에 유의차가 없음을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 내의 유기 용매의 농도를 분석한 결과를 보여주는 그래프이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 에칭억제제를 첨가하여도 박리조성물 내의 유기 용매의 농도를 분석할 수 있음을 보여주는 그래프이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 박리하는 방법을 나타내는 공정도이다.1 is a view showing the improved peeling force by the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing the peeling force of each organic solvent in the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a view showing the peel force for each component concentration in the peeling composition for removing dry film resist according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing an improved peeling speed by the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
5 is a view showing that even if an etching inhibitor is added to a peeling composition for removing dry film resist according to an embodiment of the present invention, peeling force is not affected.
6 is a view showing that there is no significant difference in the etching effect even by increasing the number of peeling using the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing a result of analyzing the concentration of an organic solvent in a peeling composition for removing a dry film resist according to an embodiment of the present invention.
8A and 8B are graphs showing that the concentration of the organic solvent in the peeling composition can be analyzed even if an etching inhibitor is added to the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
9 is a process chart showing a method of peeling dry film resist using a peeling composition for removing dry film resist according to an embodiment of the present invention.
본 발명을 좀 더 구체적으로 설명하기 전에, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되지 않아야 하며, 발명의 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Before describing the invention in more detail, the terms or words used in the specification and claims should not be limited to their ordinary or dictionary meanings, and the concept of terms should be appropriately described in order to best explain the invention. Based on the principle that can be defined, it should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예의 구성은 본 발명의 하나의 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. Therefore, the configuration of the embodiments described herein is only one example of the present invention, and does not represent all of the technical idea of the present invention, various equivalents and modifications that can replace them at the time of the present application are It should be understood that there may be.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록, 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다. 아울러, 본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 관련된 공지기술에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art may easily implement the present invention. In addition, in the description of the present invention, detailed descriptions of related well-known technologies that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention will be omitted.
본 발명의 대표적인 구현예에 따른 드라이필름 레지스트용 박리조성물은 1 ~ 7 중량부의 테트라알킬암모늄 하이드록사이드 화합물, 1 ~ 10 중량부의 사슬형 아민 화합물, 및 1 ~ 10 중량부의 유기 용매를 포함한다.A peeling composition for a dry film resist according to a representative embodiment of the present invention includes 1 to 7 parts by weight of a tetraalkylammonium hydroxide compound, 1 to 10 parts by weight of a chain amine compound, and 1 to 10 parts by weight of an organic solvent.
테트라알킬암모늄Tetraalkylammonium 하이드록사이드Hydroxide 화합물 compound
본 발명의 대표적인 구현예에 따른 드라이필름 레지스트 박리조성물 내의 테트라알킬암모늄 하이드록사이드계 화합물은 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethylammonium hydroxide, TEAH) 화합물, 또는 이들의 혼합물이다.The tetraalkylammonium hydroxide-based compound in the dry film resist stripping composition according to the exemplary embodiment of the present invention may be triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH) or tetraethylammonium hydroxide (TEAH) compound. Or mixtures thereof.
본 발명에 의한 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(TEMAH) 및 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(TEAH) 화합물의 박리력은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)과 비교해서 동등한 수준이다(도 1). The peel force of the triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH) and tetraethylammonium hydroxide (TEAH) compounds according to the present invention is equivalent to that of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (FIG. 1).
특히 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH)는 저농도에서의 박리력이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)와 비교해서 더 우수하다.In particular, triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH) has a superior peeling force at low concentrations compared to tetramethylammonium hydroxide (TMAH).
또한, 박리 속도면에서는 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH)가 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)과 비교해서 매우 우수하다. 구체적으로 살펴보면 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 포함하는 종래 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 박리하면 24시간이 지나도 박리가 되지 않는 반면, 본 발명에 의해 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH)를 포함하는 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 박리하면 30분부터 박리가 진행되어 2~3시간 이내에 박리가 완료될 수 있다(도 4).In terms of peeling rate, triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH) is very superior to tetramethylammonium hydroxide (TMAH). Specifically, when the dry film resist is peeled off using a peeling composition for removing the conventional dry film resist including tetramethylammonium hydroxide (TMAH), it is not peeled off even after 24 hours. When the dry film resist is peeled using a peeling composition for removing a dry film resist including hydroxide (Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH), peeling may proceed from 30 minutes and peeling may be completed within 2 to 3 hours (FIG. 4). .
상기 박리조성물에서 테트라알킬암모늄 하이드록사이드계 화합물은 특별히 제한되지는 않으나 1 ~ 7 중량부의 함량을 가질 수 있으며, 1 ~ 6 중량부의 함량으로 사용하는 것이 적절하고, 1 ~ 5 중량부의 함량으로 사용하는 것이 더 적절하고, 1 ~ 4 중량부의 함량으로 사용하는 것이 더 적절하고, 1 ~ 2 중량부의 함량을 사용하는 것이 더욱더 적절할 수 있다. 상기 하이드록사이드계 화합물의 사용량이 1 중량부 미만이면 드라이필름 레지스트를 구성하고 있는 고분자 물질로의 침투 능력이 떨어져서 상기 드라이필름 레지스트를 완전하게 제거하기 어려울 수가 있고, 7 중량부를 초과하면 금속막이 부식되는 악영향을 주는 경우가 생길 수도 있다.The tetraalkylammonium hydroxide compound in the exfoliation composition is not particularly limited but may have a content of 1 to 7 parts by weight, and is preferably used in an amount of 1 to 6 parts by weight, and is used in an amount of 1 to 5 parts by weight. It is more appropriate to use, it is more appropriate to use in the content of 1 to 4 parts by weight, it may be more appropriate to use the content of 1 to 2 parts by weight. If the amount of the hydroxide-based compound is less than 1 part by weight, it may be difficult to completely remove the dry film resist due to poor penetration of the polymer material constituting the dry film resist. If the amount is more than 7 parts by weight, the metal film may be corroded. There may be times when it will adversely affect.
사슬형Chain 아민Amine 화합물 compound
본 발명의 대표적인 구현예에 다른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 내의 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올아민 (monoethanol amine), 디에탄올 아민 (diethanol amine), 트리에탄올 아민 (triethanol amine), 프로판올아민 (propanol amine), 디프로판올 아민 (dipropanol amine), 트리프로판올 아민 (tripropanol amine), 이소프로판올 아민 (isopropanol amine), 디이소프로판올 아민 (diisopropanol amine), 트리이소프로판올 아민(triisopropanol amine), 2-(2-아미노에톡시)에탄올 (2-(2-aminoethoxy)ethanol), 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올 (2-(2-aminoethylamino)ethanol), N,N-디메틸에탄올 아민 (N,N-dimethylethanol amine), N,N-디에틸에탄올아민 (N,N-diethylethanol amine), N-메틸에탄올 아민 (N-methylethanol amine), N-에틸에탄올 아민 (N-Nethylethanol amine), 및 N-부틸에탄올 아민 (N-butylethanol amine)으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 사용할 수 있으며, 모노에탄올 아민을 사용하는 것이 가장 적절할 수 있다.In another exemplary embodiment of the present invention, the chain amine compound in the stripping composition for removing dry film resist is monoethanol amine, diethanol amine, triethanol amine, and propanol amine. , Dipropanol amine, tripropanol amine, isopropanol amine, isopropanol amine, diisopropanol amine, triisopropanol amine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol (2- (2-aminoethoxy) ethanol), 2- (2-aminoethylamino) ethanol, N, N-dimethylethanol amine, N, N-diethylethanolamine (N, N-diethylethanol amine), N-methylethanol amine, N-ethylethanol amine, and N-butylethanol amine One or more from the group consisting of To, and can be the most appropriate to use monoethanolamine.
상기 박리조성물에서 사슬형 아민 화합물은 특별히 제한되지는 않으나, 1 ~ 10 중량부의 함량을 가질 수 있으며, 특히 1 ~ 8 중량부의 함량을 사용하는 것이 적절할 수 있다. 상기 사슬형 아민 화합물의 사용량이 1 중량부 미만이면 드라이필름 레지스트를 완전하게 제거하기 어려울 수가 있고, 10 중량부를 초과하면 상기 박리조성물에 포함되는 다른 물질의 함유량이 적어지게 되어 드라이필름 레지스트를 제거하는 시간이 길어지게 되고, 기포를 발생시키고, 금속막을 부식시킬 수도 있다.The amine compound in the stripping composition is not particularly limited, but may have a content of 1 to 10 parts by weight, and in particular, it may be appropriate to use 1 to 8 parts by weight. When the amount of the chain-type amine compound is less than 1 part by weight, it may be difficult to completely remove the dry film resist. When the amount of the chain-type amine compound is less than 10 parts by weight, the content of other substances included in the exfoliation composition may be reduced to remove the dry film resist. It may take a long time, generate bubbles, and corrode the metal film.
유기 용매Organic solvent
본 발명의 대표적인 구현예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 내의 유기 용매는 수용성 유기 용매로 알코올류, 글리콜류, 글리콜 에테르류, 락톤류, 락탐류, 케톤류 및 에스테르류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 글리콜 에테르류가 가장 적절할 수 있다.The organic solvent in the peeling composition for removing the dry film resist according to an exemplary embodiment of the present invention is a water-soluble organic solvent 1 selected from the group consisting of alcohols, glycols, glycol ethers, lactones, lactams, ketones and esters Species or mixtures of two or more may be used, with glycol ethers being most suitable.
상기 글리콜 에테르류는 박리조성물의 유기물의 고분자 사이로 침투하여 용해력을 향상시켜, 후-세정 시에 세척력을 향상시킬 수 있다. The glycol ethers may penetrate between the polymers of the organic material of the peeling composition to improve the dissolving power, thereby improving the washing power at the time of post-cleaning.
상기 글리콜 에테르류는 이에 제한되는 것은 아니나, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, DEGBE) 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Ethylene glycol monobutyl ether, EGBE)에서 1종 이상 선택되는 것이 적합할 수 있다(도 2). The glycol ethers are not limited thereto, but may be appropriately selected from one or more of diethylene glycol monobutyl ether (DEGBE) and ethylene glycol monobutyl ether (EGBE). (FIG. 2).
상기 박리조성물에서 유기 용매의 함량은 특별히 제한되지는 않으나, 1 ~ 10 중량부의 함량을 가질 수 있으며, 2 ~ 7 중량부의 함량을 가질 수 있고, 특히 2 ~ 6 중량부의 함량을 사용하는 것이 적절할 수 있다. 상기 유기 용매의 사용량이 1 중량부 미만이면 드라이필름 레지스트를 완전하게 제거하기 어려울 수 있고, 10 중량부를 초과하면 상기 박리조성물에 포함되는 다른 물질의 함유량이 적어지게 되어 드라이필름 레지스트를 제거하는 시간이 길어지게 되고, 기포를 발생시키고, 금속막을 부식시킬 수도 있다.The content of the organic solvent in the peeling composition is not particularly limited, but may have a content of 1 to 10 parts by weight, may have a content of 2 to 7 parts by weight, and in particular, an amount of 2 to 6 parts by weight may be appropriate. have. When the amount of the organic solvent is less than 1 part by weight, it may be difficult to completely remove the dry film resist. When the amount of the organic solvent exceeds 10 parts by weight, the content of other substances included in the exfoliation composition may be reduced, thereby reducing the time for removing the dry film resist. It may become long, generate bubbles, and corrode the metal film.
또한, 본 발명에 따른 박리 조성물은 하기 중 적어도 하나 이상의 물질을 더 포함할 수 있다.In addition, the peeling composition according to the present invention may further include at least one or more of the following materials.
에칭억제제 Etch inhibitor
본 발명의 대표적인 구현예에 따른 드라이필름 레지스트 박리조성물은 에칭억제제를 포함할 수 있다.The dry film resist stripping composition according to the exemplary embodiment of the present invention may include an etching inhibitor.
에칭억제제는 하부 막질의 손상을 방지하고 박리조성물과 접촉되는 금속 물질의 에칭을 방지한다.The etch inhibitor prevents damage to the underlying film quality and prevents etching of the metal material in contact with the peel composition.
에칭억제제는 당류, 당알콜, 방향성 히드록시 화합물, 아세틸렌알코올, 카르복실산 화합물 및 그의 무수물, 5-아미노테트라졸(5-Aminotetrazole, 5-AT), 폴리에틸렌 글리콜(Poly Ethylene Glyocol, PEG) 및 트리아졸 화합물로 이루어진 군으로부터 선택할 수 있다.Etch inhibitors include sugars, sugar alcohols, aromatic hydroxy compounds, acetylene alcohols, carboxylic acid compounds and anhydrides thereof, 5-aminotetrazole (5-AT), polyethylene glycol (Poly Ethylene Glyocol, PEG) and triazoles. It can be selected from the group consisting of compounds.
에칭억제제는 트리아졸 화합물이 적절하고, 트리아졸 화합물은 톨리트리아졸, 벤조트리아졸, o-톨릴트리아졸, m-톨릴트리아졸, p-톨릴트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 니트로벤조트리아졸 및 디히드록시프로필벤조트리아졸 등을 들 수 있다.Etch inhibitors are preferably triazole compounds, and triazole compounds are tolytriazole, benzotriazole, o-tolyltriazole, m-tolyltriazole, p-tolyltriazole, carboxybenzotriazole, 1-hydroxy Benzotriazole, nitrobenzotriazole, dihydroxypropylbenzotriazole and the like.
트리아졸 화합물은 에칭억제력면에서 톨리트리아졸(Tolyltriazole, TTA)을 사용하는 것이 적절할 수 있다.As the triazole compound, it may be appropriate to use tolytriazole (TTA) in terms of etching inhibitory power.
상기 박리조성물에서 트리아졸 화합물은 특별히 제한되지는 않으나, 0.1 내지 0.5 중량부의 함량을 사용하는 것이 적절할 수 있으며, 0.1 중량부 미만이면 아민 화합물이 포함된 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에서 에칭억제제의 역할을 제대로 수행하지 못할 수도 있고, 0.5 중량부를 초과하면 상기 박리조성물에 포함되는 다른 물질의 함유량이 적어지게 되어 드라이필름 레지스트를 완전히 제거시킬 수 없게 되어 경제성이 낮아지게 될 수도 있다.The triazole compound in the peeling composition is not particularly limited, but may be appropriate to use a content of 0.1 to 0.5 parts by weight, if less than 0.1 parts by weight of the role of the etching inhibitor in the peeling composition for removing the dry film resist containing the amine compound May not be performed properly, and if the content exceeds 0.5 parts by weight, the content of other materials included in the exfoliation composition may be decreased, thereby making it impossible to completely remove the dry film resist, thereby lowering economic efficiency.
순수(HPure water (H 22 O)O)
본 발명의 대표적인 구현예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 내의 순수는 이온교환수지를 통해 여과된 순수를 사용하며, 비저항이 18 (MΩ) 이상인 것이 적절할 수 있다.The pure water in the peeling composition for removing the dry film resist according to the exemplary embodiment of the present invention uses pure water filtered through an ion exchange resin, and may have a specific resistance of 18 (MΩ) or more.
상기 박리조성물에서 순수의 사용량은 특별히 제한되지는 않으나, 상기 언급된 다른 조성물의 조성비에 영향을 받지 않을 정도의 양을 사용할 수 있다. 그 함량이 너무 낮은 경우 박리조성물의 점도가 증가하게 되어 박리 침투성과 박리조성물의 배출능이 저하되고, 그 함량이 너무 높은 경우 박리조성물이 과도하게 희석되어 박리 능력이 저하될 수 있다.The amount of pure water used in the peeling composition is not particularly limited, but may be used in an amount such that it is not affected by the composition ratio of the other compositions mentioned above. If the content is too low, the viscosity of the peeling composition is increased to reduce the peel permeability and the discharge capacity of the peeling composition, if the content is too high, the peeling composition is excessively diluted to lower the peeling ability.
극성 용제Polar solvent
본 발명에서 사용하는 극성 용제는 디메틸설폭사이드와 같은 황화합물 또는 n-메틸 피롤리돈과 같은 알킬 피롤리돈이 사용될 수 있다.The polar solvent used in the present invention may be a sulfur compound such as dimethyl sulfoxide or an alkyl pyrrolidone such as n-methyl pyrrolidone.
이하, 본 발명에 따른 박리방법을 설명한다.Hereinafter, the peeling method according to the present invention will be described.
본 발명의 대표적인 구현예에 따른 박리조성물을 이용하여 드라이필름 레지스트를 박리하는 방법은 도 9에 도시된 바와 같은 공정도를 통해 알 수 있다.How to peel off the dry film resist using a peeling composition according to a representative embodiment of the present invention can be seen through the process diagram as shown in FIG.
소정의 회로패턴 (10)이 형성된 기판 (100) 상에 드라이필름(20)을 라미네이션 하고, 라미네이션된 상기 드라이필름(20)을 부분적으로 노광시켜서 드라이필름 노광부 (22) 및 드라이필름 비노광부 (21)를 형성한다. The
상기 드라이필름 비노광부 (21)는 현상액으로 제거시켜서 개구부를 형성하고, 상기 개구부의 회로패턴 (10) 상에 솔더볼 (30)을 형성한다. The dry film
그런 다음, 본 발명의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하여 드라이필름 노광부 (22)를 제거한다. Then, the dry
본 발명의 상기 박리조성물을 이용함으로써 드라이필름 노광부 (22)의 하층에 존재하는 회로패턴 (10) 및 상기 회로패턴 (10) 상에 올려진 솔더볼(30)의 부식을 최소화함과 동시에 드라이필름 비노광부 (22)를 완전히 제거할 수 있는 우수한 효과가 있다. By using the peeling composition of the present invention, the corrosion of the
또한, 상기 드라이필름 레지스트를 박리하는 방법은 드라이필름 노광부 (22)를 제거한 후에 드라이필름 레지스트 잔사를 수세시키는 과정을 더 수행할 수 있다.In addition, the method of peeling the dry film resist may further perform a process of washing the dry film resist residue after removing the dry
이때, 본 발명에 적용되는 상기 박리조성물은 드라이필름 노광부 (22)를 제거하는 과정에서, 상기 드라이필름 노광부 (22) 잔사가 박리조성물에 용해되지 않기 때문에 추후에도 상기 박리조성물을 재사용할 수 있다는 장점이 있다.In this case, the peeling composition applied to the present invention may reuse the peeling composition later, since the residue of the dry
나아가, 상기 드라이필름 레지스트용 박리조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계는 5시간 이하로 진행할 수 있고, 3시간 이하로 진행할 수 있고, 또는 2시간 이하로 진행할 수 있다. In addition, the step of contacting the peeling composition for the dry film resist to the dry film exposure unit may proceed to 5 hours or less, may proceed to 3 hours or less, or may proceed to 2 hours or less.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 의해 개선된 박리속도를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an improved peeling speed by the peeling composition for removing a dry film resist according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)를 포함하는 종래 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(비교예)을 이용하여 드라이필름 레지스트를 박리하면 24시간이 지나도 박리가 되지 않는 반면, 본 발명에 의해 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드(Triethylmethylammonium hydroxide, TEMAH)를 포함하는 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(실시예)를 이용하여 드라이필름 레지스트를 박리하면 30분부터 박리가 진행되어 2 ~ 3시간 이내에 박리가 완료될 수 있다. Referring to FIG. 4, when the dry film resist is peeled off using a peeling composition for removing a dry film resist (comparative example) containing tetramethylammonium hydroxide (TMAH), the peeling does not occur even after 24 hours. According to the present invention, when a dry film resist is peeled using a peeling composition for removing a dry film resist (Example) containing triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), the peeling proceeds from 30 minutes to 2 to 3 hours. Peeling can be completed within a while.
상기 종래 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(비교예)은 NRS-J(NR G&C 사) 제품으로 TMAH, MEA, 및 NMP를 포함한다.The peeling composition (comparative example) for removing the conventional dry film resist is NRS-J (NR G & C Co., Ltd.) products include TMAH, MEA, and NMP.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 좀 더 구체적으로 살펴보지만, 하기 예에 본 발명의 범주가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the scope of the present invention is not limited to the following Examples.
실시예Example 1-12 1-12
하기 표 1에 기재되어 있는 실시예 1-12의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 실시예 1-12의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.The peeling composition for removing the dry film resist of Example 1-12 was prepared by stirring at room temperature (25 ° C.) for about 2 hours using the components and the composition ratios of Examples 1-12 described in Table 1 below.
제조된 실시예 1-12의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물의 박리력을 측정하기 위해서, 드라이필름 레지스트의 패턴을 라인(L)/스페이스(S) = 1μm / 3μm으로 얻은 후, 전해동도금을 하여 구리 배선을 형성시키고, 50℃의 박리조성물에 2분간 침지시켜 드라이필름 레지스트를 박리하였다. 박리 / 미박리 여부는 형광현미경으로 판단하였다. 총 패턴수 중 박리되지 않고 남아 있는 패턴수로 박리력을 비교하여 그 결과를 표 1 및 도 1에 나타내었다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 의한 개선된 박리력을 보여주는 도면이다. In order to measure the peeling force of the peeling composition for removing the dry film resist prepared in Examples 1-12, the pattern of the dry film resist was obtained by line (L) / space (S) = 1 μm / 3 μm, followed by electrolytic copper plating. Copper wiring was formed, and it was immersed in the peeling composition of 50 degreeC for 2 minutes, and the dry film resist was peeled off. Peeling / non-peeling was determined by fluorescence microscopy. The peel force was compared with the number of remaining patterns without peeling in the total number of patterns, and the results are shown in Table 1 and FIG. 1. 1 is a view showing the improved peeling force by the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
비교예Comparative example 1-12 1-12
하기 표 1에 기재되어 있는 비교예 1-12의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 비교예 1-12의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.The peeling composition for removing the dry film resist of Comparative Example 1-12 was prepared by stirring at room temperature (25 ° C.) for about 2 hours using the components and the composition ratios of Comparative Examples 1-12 described in Table 1 below.
제조된 비교예 1-12의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물의 박리력을 측정하기 위해서, 드라이필름 레지스트의 패턴을 라인/스페이스 = 1μm / 3μm으로 얻은 후, 전해동도금을 하여 구리 배선을 형성시키고, 50℃의 박리조성물에 2분간 침지시켜 드라이필름 레지스트를 박리하였다. 박리 / 미박리 여부는 형광현미경으로 판단하였다. 총 패턴수 중 박리되지 않고 남아 있는 패턴수로 박리력을 비교하여 그 결과를 표 1 및 도 1에 나타내었다. In order to measure the peeling force of the peeling composition for removing the dry film resist prepared in Comparative Example 1-12, after obtaining the pattern of the dry film resist line / space = 1μm / 3μm, the copper wiring was formed by electrolytic copper plating, The dry film resist was stripped by dipping for 2 minutes in a peeling composition at 50 ° C. Peeling / non-peeling was determined by fluorescence microscopy. The peel force was compared with the number of remaining patterns without peeling in the total number of patterns, and the results are shown in Table 1 and FIG. 1.
실시예Example 13-24 13-24
TEMAH 4중량%, MEA 4중량% 및 하기 표 2에 기재되어 있는 실시예 13-24의 유기 용매의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 실시예 13-24의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.4 weight% of TEMAH, 4 weight% of MEA, and the components and composition ratios of the organic solvents of Examples 13-24 described in Table 2 below were stirred at room temperature (25 ° C.) for about 2 hours. A peeling composition for removing dry film resist was prepared.
제조된 실시예 13-24의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물의 박리력을 측정하기 위해서, 드라이필름 레지스트의 패턴을 라인/스페이스 = 1μm / 3μm으로 얻은 후, 전해동도금을 하여 구리 배선을 형성시키고, 50℃의 박리조성물에 2분간 침지시켜 드라이필름 레지스트를 박리하였다. 박리 / 미박리 여부는 형광현미경으로 판단하였다. 총 패턴수 중 박리되지 않고 남아 있는 패턴수로 박리력을 비교하여, 그 결과를 표 2 및 도 2에 나타내었다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 중 유기 용매별 박리력을 보여주는 도면이다.In order to measure the peeling force of the peeling composition for removing the dry film resist prepared in Examples 13-24, after obtaining the pattern of the dry film resist line / space = 1μm / 3μm, and electrolytic copper plating to form a copper wiring, The dry film resist was stripped by dipping for 2 minutes in a peeling composition at 50 ° C. Peeling / non-peeling was determined by fluorescence microscopy. Peeling force was compared with the number of remaining patterns without peeling, and the results are shown in Table 2 and FIG. 2. 2 is a view showing the peeling force of each organic solvent in the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
비교예Comparative example 13-24 13-24
TEMAH 4중량%, MEA 4중량% 및 하기 표 2에 기재되어 있는 비교예 13-24의 유기 용매의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 비교예 13-24의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.4% by weight of TEMAH, 4% by weight of MEA and the components and composition ratios of the organic solvents of Comparative Examples 13-24 described in Table 2 below were stirred at room temperature (25 ° C.) for about 2 hours. A peeling composition for removing dry film resist was prepared.
제조된 비교예 13-24의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물의 박리력을 측정하기 위해서, 드라이필름 레지스트의 패턴을 라인/스페이스 = 1μm / 3μm으로 얻은 후, 전해동도금을 하여 구리 배선을 형성시키고, 50℃의 박리조성물에 2분간 침지시켜 드라이필름 레지스트를 박리하였다. 박리 / 미박리 여부는 형광현미경으로 판단하였다. 총 패턴수 중 박리되지 않고 남아 있는 패턴수로 박리력을 비교하여, 그 결과를 표 2 및 도 2에 나타내었다. In order to measure the peeling force of the peeling composition for removing the dry film resist prepared in Comparative Example 13-24, after obtaining the pattern of the dry film resist line / space = 1μm / 3μm, electrolytic copper plating to form a copper wiring, The dry film resist was stripped by dipping for 2 minutes in a peeling composition at 50 ° C. Peeling / non-peeling was determined by fluorescence microscopy. Peeling force was compared with the number of patterns remaining without peeling in the total number of patterns, and the results are shown in Table 2 and FIG. 2.
실시예Example 25-56 25-56
하기 표 3에 기재되어 있는 실시예 25-56의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 실시예 25-56의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.The peeling composition for removing the dry film resist of Example 25-56 was prepared by stirring at room temperature (25 ° C.) for about 2 hours using the components and the composition ratios of Examples 25-56 described in Table 3 below.
제조된 실시예 25-56의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물의 박리력을 측정하기 위해서, 드라이필름 레지스트의 패턴을 라인/스페이스 = 1μm / 3μm으로 얻은 후, 전해동도금을 하여 구리 배선을 형성시키고, 50℃의 박리조성물에 2분간 침지시켜 드라이필름 레지스트를 박리하였다. 박리 / 미박리 여부는 형광현미경으로 판단하였다. 총 패턴수 중 박리되지 않고 남아 있는 패턴수로 박리력을 비교하여, 그 결과를 표 3 및 도 3에 나타내었다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 중 성분 농도별 박리력을 보여주는 도면이다. In order to measure the peeling force of the peeling composition for removing the dry film resist prepared in Examples 25-56, after obtaining a pattern of the dry film resist line / space = 1μm / 3μm, and electrolytic copper plating to form a copper wiring, The dry film resist was stripped by dipping for 2 minutes in a peeling composition at 50 ° C. Peeling / non-peeling was determined by fluorescence microscopy. Peeling force was compared with the number of patterns remaining without peeling in the total number of patterns, and the results are shown in Table 3 and FIG. 3. Figure 3 is a view showing the peeling force for each component concentration in the peeling composition for removing the dry film resist according to an embodiment of the present invention.
실시예Example 57-74 57-74
TEMAH 4중량%, MEA 7중량%, DEGBE 7중량% 및 하기 표 4에 기재되어 있는 실시예 57-74의 에칭억제제의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 실시예 57-74의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.4% by weight of TEMAH, 7% by weight of MEA, 7% by weight of DEGBE, and agitation and stirring at room temperature (25 ° C) for about 2 hours using the components and composition ratios of the etching inhibitors of Examples 57-74 described in Table 4 below. A peeling composition for removing the dry film resist of Example 57-74 was prepared.
제조된 실시예 57-74의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하는 경우 발생하는 에칭량(Etch Rate, um)을 비교하여, 표 4에 나타내었다.Table 4 shows the etching rates (um) generated when using the prepared peeling composition for removing the dry film resist of Examples 57-74.
비교예Comparative example 25-34 25-34
TEMAH 4중량%, MEA 7중량%, DEGBE 7중량% 및 하기 표 4에 기재되어 있는 비교예 25-34의 에칭억제제의 성분 및 조성비를 이용하여 상온 (25℃)에서 약 2시간 동안 교반시켜서 비교예 25-34의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 제조하였다.4% by weight of TEMAH, 7% by weight of MEA, 7% by weight of DEGBE, and the components and the composition of the etch inhibitors of Comparative Examples 25-34 described in Table 4 below were stirred at room temperature (25 ° C) for about 2 hours. A peeling composition for removing the dry film resist of Example 25-34 was prepared.
제조된 비교예 25-34의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물을 이용하는 에 발생하는 에칭량(Etch Rate, um)을 비교하여, 표 4에 나타내었다.The etching rate (Etch Rate, um) generated in using the peeling composition for removing the dry film resist of Comparative Example 25-34 prepared is shown in Table 4.
에칭억제제 유무에 따른 With or without etching inhibitor 박리력Peel force 측정 Measure
본 발명에 의한 TEMAH 4중량%, MEA 7중량%, 및 DEGBE 7중량%를 포함하는 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 에칭억제제를 첨가하였을 때 드라이필름 레지스트에 대한 박리력에 영향을 미치는 지를 확인하였다.When the etching inhibitor was added to the dry film resist removal composition comprising 4% by weight of TEMAH, 7% by weight of MEA, and 7% by weight of DEGBE according to the present invention, it was confirmed that the effect on the peeling force on the dry film resist was affected. .
박리공정 온도인 55℃에서 본 발명에 의한 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 에칭억제제를 첨가하여 디핑하는 방법으로 박리시간을 확인하여 에칭억제제 첨가 전의 박리시간과 비교하여, 도 5에 나타내었다.The peeling time was confirmed by adding and dipping the etching inhibitor to the peeling composition for removing the dry film resist according to the present invention at 55 ° C, which is a peeling process temperature, and compared with the peeling time before adding the etching inhibitor, and is shown in FIG. 5.
도 5에 나타난 바와 같이, 본 발명에 의한 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(실시예)에 에칭억제제를 첨가하면 에칭은 억제되지만 박리력은 에칭억제제를 첨가하기 전과 유사한 것을 확인되었다. 즉, 박리시간이 10분 미만이고, 에칭력(Etch rate)이 0.04㎛인 것으로 확인되었다.As shown in FIG. 5, when the etching inhibitor was added to the peeling composition for removing the dry film resist according to the present invention (Example), the etching was suppressed, but the peeling force was confirmed to be similar to that before the addition of the etching inhibitor. That is, it was confirmed that peeling time is less than 10 minutes, and etching force (Etch rate) is 0.04 micrometer.
한편, 도 5에 나타난 바와 같이, 기존의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(비교예)은 10분 경과하여도 박리가 되지 않는 것으로 확인되었다.On the other hand, as shown in Figure 5, it was confirmed that the peeling composition (comparative example) of the existing dry film resist removal does not peel even after 10 minutes.
박리 횟수에 따른 에칭 효과 분석Analysis of Etching Effect According to Peeling Frequency
박리 횟수(1,3,5회)에 따른 에칭 효과(etch effect)에 변화가 있는지에 대하여 FIB 분석을 진행하여, 그 결과를 도 6에 나타내었다.FIB analysis was performed to determine whether there was a change in the etching effect according to the peeling times (1, 3, 5 times), and the results are shown in FIG. 6.
도 6에 나타난 바와 같이, 본 발명에 의한 TEMAH 4중량%, MEA 7중량%, 및 DEGBE 7중량%를 포함하는 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(실시예)을 이용하는 경우는 박리 횟수가 증가하여도 에칭 효과에 유의한 차가 없었다. 그러나 종래의 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물(비교예)을 이용하는 경우는 박리 횟수가 증가할수록 상부 폭이 감소하여 박리 횟수가 에칭 효과에 영향을 미치는 것으로 나타났다.As shown in Figure 6, when using a peeling composition for removing a dry film resist (Example) containing 4% by weight of TEMAH, 7% by weight of MEA, and 7% by weight of DEGBE according to the present invention, even if the number of peeling increases There was no significant difference in the etching effect. However, in the case of using a conventional peeling composition for removing a dry film resist (comparative example), as the number of peelings increases, the upper width decreases and the number of peelings affects the etching effect.
유기첨가제의 농도 분석Concentration Analysis of Organic Additives
포토레지스트층을 박리하기 위해 사용하는 박리조성물 내의 유기첨가제인 글리콜 에테르 계열은 농도를 분석할 수 있는 분석방법이 전혀 없는 실정이다. Glycol ether series, which is an organic additive in the peeling composition used to peel the photoresist layer, has no analysis method capable of analyzing the concentration.
동적 표면 장력(Dynamic Surface Tension, DST)를 이용하여 상기 글리콜 에테르류의 농도에 따른 표면장력을 측정하였고 그 결과 글리콜 에테르류의 농도에 비례하여 변화하는 것을 확인하였다(도 7). 이를 통하여 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물 내의 유기첨가제의 농도 모니터링이 가능한 것을 확인하였다.Dynamic surface tension (DST) was used to measure the surface tension according to the concentration of the glycol ethers, and as a result, it was confirmed that the change in proportion to the concentration of the glycol ethers (FIG. 7). Through this, it was confirmed that the concentration of the organic additive in the peeling composition for removing the dry film resist can be monitored.
또한, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 에칭억제제(TTA 또는 5-AT)를 첨가하여도 DST 방법으로 유기첨가제 농도의 모니터링이 가능한지 확인하였다. In addition, even if an etching inhibitor (TTA or 5-AT) was added to the peeling composition for removing dry film resist, it was confirmed whether the organic additive concentration could be monitored by the DST method.
드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물에 에칭억제제를 첨가하기 전과 후 모두 일정한 표면장력을 확인하였으며, 이로써 에칭억제제가 함유되어도 표면장력 측정기로 유기첨가제의 농도를 모니터링할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다(도 8a 및 도 8b).The surface tension was confirmed before and after adding the etching inhibitor to the dry film resist removal composition, thereby confirming that the concentration of the organic additive can be monitored by the surface tension meter even when the etching inhibitor is contained (FIGS. 8A and 8A). 8b).
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량할 수 있음이 명백하다. Although the present invention has been described in detail through specific examples, it is intended to describe the present invention in detail, and the present invention is not limited thereto, and should be understood by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. It is clear that the deformation and improvement can be made.
본 발명의 단순한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.All simple modifications and variations of the present invention fall within the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be apparent from the appended claims.
10: 회로패턴 20: 드라이필름
21: 드라이필름 비노광부 22: 드라이필름 노광부
30: 솔더볼 100: 기판10: circuit pattern 20: dry film
21: dry film unexposed portion 22: dry film exposed portion
30: solder ball 100: substrate
Claims (12)
1 ~ 10 중량부의 사슬형 아민 화합물; 및
1 ~ 10 중량부의 유기 용매;를 포함하고,
상기 유기 용매는 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, DEGBE) 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(Ethylene glycol monobutyl ether, EGBE)에서 1종 이상 선택되고,
테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethyl ammonium hydroxide, TMAH)를 포함하지 않는,
드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물.1 to 7 parts by weight of triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), or mixtures thereof;
1 to 10 parts by weight of the chain amine compound; And
1 to 10 parts by weight of an organic solvent;
The organic solvent is at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether (DEGBE) and ethylene glycol monobutyl ether (EGBE),
Does not contain tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH),
Peeling composition for removing dry film resist.
트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드 화합물을 포함하는, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물.The method of claim 1,
A peeling composition for removing a dry film resist, comprising a triethylmethylammonium hydroxide compound.
1 ~ 5 중량부의 트리에틸메틸암모늄 하이드록사이드 또는 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 화합물을 포함하는, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물.The method of claim 1,
A peeling composition for removing dry film resist, comprising 1 to 5 parts by weight of triethylmethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide compound.
상기 사슬형 아민 화합물은 모노에탄올 아민인, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물.The method of claim 1,
The chain amine compound is a monoethanol amine, a peeling composition for removing a dry film resist.
0.1 ~ 0.5 중량부의 트리아졸 또는 테트라졸 화합물을 더 포함하는, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물. The method of claim 1,
A peeling composition for removing dry film resist, further comprising 0.1 to 0.5 parts by weight of a triazole or tetrazole compound.
상기 트리아졸은 화합물은 톨리트리아졸인, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물. The method of claim 7, wherein
The triazole is a release composition for removing a dry film resist, the compound is tolytriazole.
상기 유기 용매의 농도는 동적 표면장력(Dynamic Surface Tension, DST)을 이용하여 분석할 수 있는, 드라이필름 레지스트 제거용 박리조성물. The method of claim 1,
The concentration of the organic solvent can be analyzed by using a dynamic surface tension (Dynamic Surface Tension, DST), the peeling composition for removing the dry film resist.
상기 라미네이션된 드라이필름을 부분적으로 노광시켜 드라이필름 노광부 및 드라이필름 비노광부를 형성시키는 단계;
상기 드라이필름 비노광부를 현상 및 제거시켜 개구부를 형성시키는 단계; 및
제1항 내지 제4항 및 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 드라이필름 레지스트용 박리조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계;를 포함하는, 드라이필름 레지스트의 박리 방법.Laminating a dry film on a substrate on which a predetermined circuit pattern is formed;
Partially exposing the laminated dry film to form a dry film exposing portion and a dry film non-exposing portion;
Developing and removing the dry film non-exposed part to form an opening; And
A method of peeling a dry film resist, comprising: contacting the peeling composition for dry film resist according to any one of claims 1 to 4 and 7 to 9 with the dry film exposure unit.
상기 접촉시키는 단계 이후에 드라이필름 레지스트 잔사를 수세시키는 단계;
를 더 포함하는, 드라이필름 레지스트의 박리 방법.The method of claim 10,
Washing the dry film resist residue after the contacting step;
Further comprising, the peeling method of a dry film resist.
상기 드라이필름 레지스트용 박리조성물을 상기 드라이필름 노광부에 접촉시키는 단계는 3시간 이하로 진행하는, 드라이필름 레지스트의 박리 방법.The method of claim 10,
The method of contacting the dry film resist stripping composition to the dry film exposure unit is performed for 3 hours or less.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180001327A KR102029442B1 (en) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | Stripping composition for removing dryfilm resist and stripping method using the same |
| JP2018164122A JP7160238B2 (en) | 2018-01-04 | 2018-09-03 | Stripping composition for removing dry film resist and method for stripping dry film resist using the same |
| TW107130778A TWI795433B (en) | 2018-01-04 | 2018-09-03 | Stripping composition for removing dry film resist and stripping method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180001327A KR102029442B1 (en) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | Stripping composition for removing dryfilm resist and stripping method using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190083545A KR20190083545A (en) | 2019-07-12 |
| KR102029442B1 true KR102029442B1 (en) | 2019-10-08 |
Family
ID=67254264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180001327A KR102029442B1 (en) | 2018-01-04 | 2018-01-04 | Stripping composition for removing dryfilm resist and stripping method using the same |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7160238B2 (en) |
| KR (1) | KR102029442B1 (en) |
| TW (1) | TWI795433B (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7042503B2 (en) * | 2019-06-28 | 2022-03-28 | 京楽産業．株式会社 | Pachinko machine |
| JP7042504B2 (en) * | 2019-06-28 | 2022-03-28 | 京楽産業．株式会社 | Pachinko machine |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101420571B1 (en) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | Remover composition for dryfilm resist and removing method using the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101488265B1 (en) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Composition for stripping and stripping method |
| KR101525275B1 (en) * | 2007-12-17 | 2015-06-02 | 산요가세이고교 가부시키가이샤 | Cleaning agent and cleaning method for electronic material |
| CN103869635A (en) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | Cleaning liquid for removing photoresist |
| JP6464578B2 (en) * | 2013-08-01 | 2019-02-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Method for manufacturing printed wiring board |
| US20150219996A1 (en) * | 2014-02-06 | 2015-08-06 | Dynaloy, Llc | Composition for removing substances from substrates |
| KR20170097256A (en) * | 2016-02-17 | 2017-08-28 | 삼성전기주식회사 | Remover composition for dryfilm resist and removing method using the same |
| US10073352B2 (en) * | 2016-04-12 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Aqueous solution and process for removing substances from substrates |
-
2018
- 2018-01-04 KR KR1020180001327A patent/KR102029442B1/en active IP Right Grant
- 2018-09-03 JP JP2018164122A patent/JP7160238B2/en active Active
- 2018-09-03 TW TW107130778A patent/TWI795433B/en active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101420571B1 (en) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | Remover composition for dryfilm resist and removing method using the same |
| JP2015014791A (en) | 2013-07-05 | 2015-01-22 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | Remover composition for dry film resist and method for removing dry film resist using the composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI795433B (en) | 2023-03-11 |
| JP2019120926A (en) | 2019-07-22 |
| JP7160238B2 (en) | 2022-10-25 |
| KR20190083545A (en) | 2019-07-12 |
| TW201931029A (en) | 2019-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101454872B (en) | Stripper composition for photoresist and method for stripping photoresist stripping composition using the composition | |
| CN109791377B (en) | Detergent composition for resin mask stripping | |
| KR101420571B1 (en) | Remover composition for dryfilm resist and removing method using the same | |
| KR20180027638A (en) | Photoresist cleaning compositions for use in photolithography and methods of treating substrates therewith | |
| KR102029442B1 (en) | Stripping composition for removing dryfilm resist and stripping method using the same | |
| KR100718527B1 (en) | Stripper composition for negative photoresist | |
| KR100544889B1 (en) | Photoresist stripper composition | |
| CN112470079A (en) | Cleaning method | |
| JP2019112498A (en) | Resin mask peeling and cleaning method | |
| CN102981376A (en) | Photoresist cleaning solution | |
| JP6888846B2 (en) | Dry film resist stripping solution composition | |
| TW202215172A (en) | Method of cleaning substrate | |
| KR20220043131A (en) | Composition for photoresist removal | |
| WO2022114110A1 (en) | Cleaning agent composition for detaching resin mask | |
| JP7490834B2 (en) | How to remove the resin mask | |
| JP7132214B2 (en) | Detergent composition for removing resin mask | |
| CN116018397A (en) | Method for cleaning substrate | |
| JP2023172703A (en) | Cleaning method | |
| CN114008539A (en) | Cleaning method | |
| TW202337577A (en) | Method for detaching resin mask | |
| KR20220058094A (en) | Photoresist stripper composition | |
| KR20040089429A (en) | Photoresist stripping composition | |
| JP2022043812A (en) | Detergent composition for resin mask peeling | |
| JP2024049897A (en) | Cleaning Method | |
| KR20170011803A (en) | Composition of stripper for photoresist |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |