KR102023438B1 - Organic light emitting diode display device and method for driving the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 스캔 신호에 따라 데이터 전압 또는 기준 전압을 제1 노드로 공급하는 제1 트랜지스터; 상기 스캔 신호에 따라 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압을 제2 노드로 공급하는 제2 트랜지스터; 제어 신호에 따라 고전위 전원 전압을 상기 제2 노드로 공급하는 제3 트랜지스터; 게이트 전극이 상기 제1 노드와 연결되며, 소스 전극이 상기 제2 노드와 연결되며, 드레인 전극이 제3 노드와 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되며, 상기 데이터 전압 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 커패시터; 및 애노드 전극이 상기 제3 노드와 연결되며, 상기 커패시터에 저장된 전압에 따라 발광이 제어되는 유기 발광 다이오드를 포함한다.An organic light emitting diode display according to an aspect of the present invention includes a first transistor for supplying a data voltage or a reference voltage to a first node according to a scan signal; A second transistor configured to supply the data voltage or the reference voltage to a second node according to the scan signal; A third transistor configured to supply a high potential power voltage to the second node according to a control signal; A driving transistor having a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to a third node; A capacitor connected between the first node and the third node, the capacitor storing the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor; And an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the third node and whose emission is controlled according to a voltage stored in the capacitor.
Description
본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display and a driving method thereof.
정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 소비 전력 저감화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel Device), 유기 발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device) 등이 연구되고 있다.As the information society develops, the demand for the display field is increasing in various forms, and in response, various flat panel display devices, for example, liquid crystals, which have characteristics such as thinning, weight reduction, and power consumption reduction Display devices (Liquid Crystal Display Device), Plasma Display Panel (Plasma Display Panel Device), Organic Light Emitting Diode Display Device (Organic Light Emitting Diode Display Device) and the like are being studied.
특히, 최근에 연구가 활발히 진행되고 있는 유기 발광 다이오드 표시장치는 각 화소 마다 다양한 크기의 데이터 전압(Vdata)을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 표시할 수 있다.In particular, the organic light emitting diode display, which is being actively researched recently, can display an image by applying different data voltages (Vdata) to each pixel to display different gray levels.
이를 위해, 각 화소는 전류 제어 소자인 유기 발광 다이오드 및 구동 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터 등을 포함하고 있다. 특히, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류는 구동 트랜지스터에 의해 제어되며, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차 및 각종 파라미터에 의해 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류량이 변화되고, 이에 따라 화면의 휘도 불균일이 초래되는 문제점이 있었다.To this end, each pixel includes an organic light emitting diode and a driving transistor, one or more capacitors, which are current control elements. In particular, the current flowing through the organic light emitting diode is controlled by the driving transistor, and the amount of current flowing through the organic light emitting diode is changed by the threshold voltage deviation and various parameters of the driving transistor, thereby causing a problem of uneven brightness of the screen.
그러나, 구동 트랜지스터의 문턱 전압 편차는 구동 트랜지스터의 제조 공정 변수에 따라 구동 트랜지스터의 특성이 변화게 되어 발생하며, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 화소들 각각에 문턱 전압 편차를 보상하기 위해 복수의 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 보상 회로를 통해 해결하는 것이 일반적이다.However, the threshold voltage deviation of the driving transistor is caused by a change in the characteristics of the driving transistor according to the manufacturing process variable of the driving transistor, and to solve this problem, a plurality of transistors and capacitors are provided to compensate for the threshold voltage variation in each of the pixels. It is common to solve through a compensation circuit comprising a.
한편, 최근에는 소비자의 고화질에 대한 기대가 높아짐에 따라 고해상도 유기 발광 다이오드 표시장치의 필요성이 대두되고 있다. 이를 위해, 보상 회로는 고해상도를 위해 단위 면적당 보다 많은 화소를 집적해야 하므로, 문턱 전압 편차를 보상하는 기능 이외에 트랜지스터, 커패시터 및 배선들의 개수를 줄이는 것이 필요하다.On the other hand, as consumer expectations for high image quality have increased in recent years, the need for a high resolution organic light emitting diode display has emerged. For this purpose, since the compensation circuit must integrate more pixels per unit area for high resolution, it is necessary to reduce the number of transistors, capacitors and wirings in addition to the function of compensating the threshold voltage deviation.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 문턱 전압 편차 보상이 가능하며, 고해상도에 적합한 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display and a driving method thereof capable of compensating threshold voltage deviation and suitable for high resolution.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 스캔 신호에 따라 데이터 전압 또는 기준 전압을 제1 노드로 공급하는 제1 트랜지스터; 상기 스캔 신호에 따라 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압을 제2 노드로 공급하는 제2 트랜지스터; 제어 신호에 따라 고전위 전원 전압을 상기 제2 노드로 공급하는 제3 트랜지스터; 게이트 전극이 상기 제1 노드와 연결되며, 소스 전극이 상기 제2 노드와 연결되며, 드레인 전극이 제3 노드와 연결되는 구동 트랜지스터; 상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되며, 상기 데이터 전압 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 커패시터; 및 애노드 전극이 상기 제3 노드와 연결되며, 상기 커패시터에 저장된 전압에 따라 발광이 제어되는 유기 발광 다이오드를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display, including: a first transistor configured to supply a data voltage or a reference voltage to a first node according to a scan signal; A second transistor configured to supply the data voltage or the reference voltage to a second node according to the scan signal; A third transistor configured to supply a high potential power voltage to the second node according to a control signal; A driving transistor having a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to a third node; A capacitor connected between the first node and the third node, the capacitor storing the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor; And an organic light emitting diode having an anode electrode connected to the third node and whose emission is controlled according to a voltage stored in the capacitor.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 다이오드 표지장치 구동 방법은 제1 내지 제3 트랜지스터, 구동 트랜지스터, 커패시터 및 유기 발광 다이오드를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법으로서, 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 스캔 신호에 따라 데이터 전압 또는 기준 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극 및 소스 전극인 제1 노드 및 제2 노드로 공급하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 단계; 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 상기 스캔 신호에 따라 상기 데이터 전압 중 제 n 번째 데이터 전압을 상기 제1 및 제2 노드로 공급하여 상기 제 n 번째 데이터 전압을 저장하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 온 되는 동안, 제어 신호에 따라 상기 제3 트랜지스터의 드레인 전극인 상기 제2 노드로 고전위 전원 전압을 공급하고, 애노드 전극이 상기 제3 노드와 연결된 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving an organic light emitting diode display device, the method comprising: driving an organic light emitting diode display device including first to third transistors, a driving transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode. While the first and second transistors are turned on and the third transistor is turned off, a data voltage or a reference voltage is supplied to the first node and the second node, which are the gate electrode and the source electrode of the driving transistor, according to a scan signal. Sensing the threshold voltage of the driving transistor by using the sensing transistor; While the first and second transistors are turned on and the third transistor is turned off, the nth data voltage of the data voltages is supplied to the first and second nodes in response to the scan signal. Storing the first data voltage; And supplying a high potential power voltage to the second node which is a drain electrode of the third transistor according to a control signal while the first and second transistors are turned off and the third transistor is turned on. Emitting light by the organic light emitting diode connected to the third node.
본 발명의 실시예들에 따르면, 구동 트랜지스터의 동작 상태에 따른 문턱 전압의 편차를 보상함으로써, 유기 발광 다이오드에 흐르는 전류를 일정하게 유지하여 화질 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.According to embodiments of the present invention, by compensating for the variation of the threshold voltage according to the operating state of the driving transistor, the current flowing through the organic light emitting diode is kept constant, thereby preventing the deterioration of image quality.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면;
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 등가 회로를 개략적으로 보여주는 도면;
도 3은 도 2에 도시된 등가 회로에 공급되는 제어 신호들의 일 실시예에 따른 타이밍도;
도 4는 도 3에 도시된 타이밍도를 구체화한 도면;
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면; 및
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 문턱 전압 편차에 따른 전류의 변화를 설명하기 위한 도면.1 is a view schematically showing a configuration of an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention;
FIG. 2 is a schematic illustration of an equivalent circuit of the subpixels shown in FIG. 1; FIG.
3 is a timing diagram according to an embodiment of control signals supplied to the equivalent circuit shown in FIG.
4 is an embodiment of a timing diagram shown in FIG. 3;
5A to 5C are views for explaining a method of driving an organic light emitting diode display according to embodiments of the present invention; And
6 is a view for explaining a change in current according to the threshold voltage deviation of the organic light emitting diode display according to the embodiments of the present invention.
이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치(100)는 패널(110), 타이밍 제어부(120), 스캔 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the organic light
패널(100)은 매트릭스 형태로 배치된 서브 픽셀들(SP)을 포함한다. 패널에 포함된 서브 픽셀들(SP)은 스캔 구동부(130)로부터 다수의 스캔 라인들(SL1~SLm)을 통해 공급되는 스캔 신호와 데이터 구동부(140)로부터 다수의 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 공급되는 데이터 신호에 의해 발광한다. 또한, 서브 픽셀들(SP)은 스캔 신호와 데이터 신호뿐만 아니라 스캔 구동부(130)로부터 다수의 제어 라인(미도시)를 통해 공급되는 제어 신호에 의해 발광이 제어될 수 있다.The
이를 위해, 하나의 서브 픽셀에는 유기 발광 다이오드와 이를 구동하기 위한 다수의 트랜지스터 및 커패시터가 형성되어 있다. 이러한 서브 픽셀(SP)의 세부 구성에 대해서는 도 2에서 자세히 살펴보기로 한다.To this end, an organic light emitting diode and a plurality of transistors and capacitors for driving the same are formed in one subpixel. The detailed configuration of the sub pixel SP will be described in detail with reference to FIG. 2.
타이밍 제어부(120)는 외부로부터 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK), 영상 신호를 공급받는다. 또한, 타이밍 제어부(120)는 외부로부터 입력되는 영상 신호를 프레임 단위로 정렬하여 디지털 형태의 영상 데이터(R, G, B)를 생성한다.The
예를 들어, 타이밍 제어부(120)는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE), 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호를 이용하여 스캔 구동부(130) 및 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어한다.For example, the
이를 위해, 타이밍 제어부(120)는 스캔 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어 신호(GCS)와 데이터 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DCS)를 생성한다.To this end, the
스캔 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 패널(100)에 포함된 서브 픽셀들(SP)에 포함된 트랜지스터들이 동작 가능하도록 스캔 신호(Scan)를 생성하고, 생성된 스캔 신호(Scan)를 스캔 라인들(SL)을 통해 패널(100)로 공급한다. 또한, 스캔 구동부(130)는 제어 신호(Em)를 생성하고, 생성된 제어 신호(Em)를 제어 라인들(미도시)을 통해 패널(100)로 공급한다. 이하에서는, 스캔 라인들 중 제n번째 스캔 라인을 통해 인가되는 스캔 신호를 Scan[n]으로 가정하기로 한다.The
데이터 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 디지털 형태의 영상 데이터(R, G, B) 및 데이터 제어 신호(DCS)를 이용하여 생성하고, 생성된 데이터 신호를 데이터 라인들(DL)을 통해 패널(100)로 공급한다.The
이하에서는 서브 픽셀의 세부 구성에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the detailed configuration of the subpixel will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.
도 2는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 등가 회로를 개략적으로 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an equivalent circuit of the subpixel illustrated in FIG. 1.
도 2에 도시된 바와 같이, 각 서브 픽셀(SP)은 제1 내지 제3 트랜지스터(T1 ~ T3)와 구동 트랜지스터(Tdr), 커패시터(C) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 2, each sub-pixel SP may include first to third transistors T1 to T3, a driving transistor Tdr, a capacitor C, and an organic light emitting diode OLED.
제1 내지 제3 트랜지스터(T1 ~ T3) 및 구동 트랜지스터(Tdr)는 도 2에 도시된 바와 같이 PMOS 타입의 트랜지스터가 적용되어 있으나, 다른 실시예로 NMOS 타입의 트랜지스터도 가능하며, 이 경우 PMOS 타입의 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압은 NMOS 타입의 트랜지스터를 턴 온 시키는 전압과 반대 극성을 갖는다.As the first to third transistors T1 to T3 and the driving transistor Tdr, a PMOS type transistor is applied as shown in FIG. 2. However, in another embodiment, an NMOS type transistor may be used. The voltage for turning on the transistor has the opposite polarity to the voltage for turning on the transistor of the NMOS type.
먼저, 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극으로 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Ref)이 인가되고, 제1 및 제2 트랜지스터의 게이트 전극으로 스캔 신호(Scan[n])가 인가되며, 제1 트랜지스터의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제1 노드(N1)와 연결되고, 제2 트랜지스터의 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제2 노드(N2)와 연결된다. 여기서, 스캔 신호(Scan[n])는 복수의 스캔 라인들 중 제n번째 스캔 라인을 통해 인가되는 제n번째 스캔 신호일 수 있다.First, the data voltage Vdata or the reference voltage Ref is applied to the source electrodes of the first transistor T1 and the second transistor T2, and the scan signal Scan [n is applied to the gate electrodes of the first and second transistors. ] Is applied, the drain electrode of the first transistor is connected to the first node N1 which is the gate electrode of the driving transistor Tdr, and the drain electrode of the second transistor is the second electrode which is the source electrode of the driving transistor Tdr. It is connected to the node N2. The scan signal Scan [n] may be an nth scan signal applied through an nth scan line among the plurality of scan lines.
예를 들어, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Ref)이 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 인가되고, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)는 스캔 라인(SL)을 통해 공급되는 스캔 신호(Scan[n])에 따라 동작이 제어될 수 있다. For example, the data voltage Vdata or the reference voltage Ref is applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 through the data line DL, and the first and second transistors T1, The operation T2) may be controlled according to the scan signal Scan [n] supplied through the scan line SL.
따라서, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)는 스캔 신호(Scan)에 따라 턴 온 되어, 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Ref)을 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)로 공급할 수 있다.Accordingly, the first and second transistors T1 and T2 are turned on in response to the scan signal Scan, so that the data voltage Vdata or the reference voltage Ref is turned on by the first node N1 and the second node N2. Can be supplied as
여기서, 기준 전압(Ref)은 일정 크기의 직류 전압이며, 데이터 전압(Vdata)은 2 수평 주기(2H) 마다 서로 다른 데이터 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 1 수평 주기(1H) 동안 제(n-1)번째 데이터 전압(Vdata[n-1])이 인가되는 경우, 다음 1 수평 주기(1H) 동안 기준 전압이 인가된 후, 다음 1 수평 주기(1H) 동안에는 제n번째 데이터 전압(Vdata[n])이 인가되고, 계속해서 2 수평 주기(2H)마다 다음 번째 데이터 전압이 연속하여 인가될 수 있다.The reference voltage Ref may be a DC voltage having a predetermined magnitude, and the data voltage Vdata may be a different data voltage every two horizontal periods 2H. For example, when the (n-1) th data voltage Vdata [n-1] is applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 during one horizontal period 1H, the next 1 After the reference voltage is applied during the horizontal period 1H, the nth data voltage Vdata [n] is applied during the next one horizontal period 1H, and the next data voltage is continuously applied every two horizontal periods 2H. Can be applied sequentially.
다시 말해, 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)로 기준 전압(Ref) 및 데이터 전압이 교번적으로 인가되며, 데이터 전압은 2 수평 주기마다 다음 번째 데이터 전압일 수 있다.In other words, the reference voltage Ref and the data voltage are alternately applied to the first node N1 and the second node N2, and the data voltage may be the next data voltage every two horizontal periods.
다음으로, 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극으로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되고, 게이트 전극으로 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 드레인 전극은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극인 제2 노드(N2)와 연결된다.Next, the high potential power voltage VDD is applied to the source electrode of the third transistor T3, the control signal Em [n] is applied to the gate electrode, and the drain electrode is the source electrode of the driving transistor Tdr. Is connected to the second node N2.
예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극으로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가되고, 제어 라인을 통해 공급되는 제어 신호(Em[n])에 따라 제3 트랜지스터(T2)가 턴 온 되면 제2 노드(N2)로 고전위 전원 전압(VDD)이 인가될 수 있다.For example, the high potential power voltage VDD is applied to the source electrode of the third transistor T3, and the third transistor T2 is turned on according to the control signal Em [n] supplied through the control line. The high potential power voltage VDD may be applied to the second node N2.
다음으로, 커패시터(C)는 제1 노드(N1)와 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극인 제3 노드(N3) 사이에 연결된다.Next, the capacitor C is connected between the first node N1 and the third node N3 which is the drain electrode of the driving transistor Tdr.
예를 들어, 커패시터(C)는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)을 센싱하는 역할을 수행하여, 구체적으로, 커패시터(C)에는 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 저장될 수 있다. 또한, 커패시터(C)에는 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 함께 데이터 전압이 저장될 수 있다.For example, the capacitor C serves to sense the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. Specifically, the capacitor C may store the threshold voltage of the driving transistor. In addition, the data may be stored in the capacitor C together with the threshold voltage of the driving transistor.
다음으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)와 연결되며, 소스 전극은 제2 노드(N2)와 연결되고, 드레인 전극은 제3 노드(N3)와 연결된다.Next, the gate electrode of the driving transistor Tdr is connected to the first node N1, the source electrode is connected to the second node N2, and the drain electrode is connected to the third node N3.
한편, 후술할 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류량은 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극과 게이트 전극 사이의 전압(Vsg)과 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 합(Vsg+Vth)에 의해 결정되며, 보상 회로에 의해 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 아닌 데이터 전압(Vdata) 및 기준 전압(Ref) 등에 의해 결정될 수 있다.On the other hand, the amount of current flowing through the organic light emitting diode OLED, which will be described later, is the sum (Vsg + Vth) of the voltage Vsg between the source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr and the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr. The compensation circuit may determine the data voltage Vdata, the reference voltage Ref, and the like, rather than the threshold voltage of the driving transistor.
따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류의 양은 데이터 전압(Vdata)의 크기에 비례하므로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 각 서브 픽셀(SP)마다 다양한 크기의 데이터 전압(Vdata)을 인가하여 상이한 계조를 표시함에 따라 영상을 디스플레이 한다..Therefore, since the amount of current flowing through the OLED is proportional to the size of the data voltage Vdata, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention has a data voltage having various sizes for each subpixel SP. The image is displayed by applying (Vdata) to display different gradations.
다음으로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제3 노드(N3)와 연결되며, 캐소드 전극으로 저전위 전원 전압(VSS)이 인가된다.Next, an anode of the organic light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and a low potential power voltage VSS is applied to the cathode.
이하에서는 도 3 및 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치에 포함된 각 서브 픽셀의 동작을 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, an operation of each subpixel included in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 5A to 5D.
도 3은 도 2에 도시된 등가 회로에 공급되는 신호들의 일 실시예에 따른 타이밍도이고, 도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a timing diagram according to an embodiment of signals supplied to the equivalent circuit illustrated in FIG. 2, and FIGS. 5A to 5C illustrate a method of driving an organic light emitting diode display according to example embodiments. Drawing.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치는 센싱 기간(t1), 샘플링 기간(t2) 및 발광 기간(t3)으로 구분되어 동작하며, 센싱(Sensing) 기간(t1), 샘플링(Sampling) 기간(t2) 및 발광(Emission) 기간(t3)의 시간은 각각 1 수평 주기(1H)인 것을 알 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 센싱 기간(t1), 샘플링 기간(t2) 및 발광 기간(t3)의 시간은 각각 1 수평 주기보다 크거나 작을 수 있다.As shown in FIG. 3, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention operates by being divided into a sensing period t1, a sampling period t2, and an emission period t3, and a sensing period. It can be seen that the times of (t1), the sampling period t2, and the emission period t3 are each one horizontal period 1H. In another embodiment, the time of the sensing period t1, the sampling period t2, and the light emission period t3 may be larger or smaller than one horizontal period, respectively.
먼저, 센싱(Sensing) 기간(t1) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n]) 및 하이 레벨의 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref) 또는 데이터 전압(Vdata)이 인가된다. 예를 들어, 센싱 기간(t1) 동안, 기준 전압(Ref)과 데이터 전압(Vdata)이 교번적으로 인가될 수 있으며, 데이터 전압은 제 n 번째 데이터 전압 이전 데이터 전압일 수 있다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 데이터 전압은 제 (n-2) 번째 데이터 전압 및 제 (n-1) 번째 데이터 전압일 수 있다. 다른 실시예로, 데이터 전압은 제(n-1) 번째 데이터 전압이거나 또는 제 (n-2) 번째 데이터 전압 및 제 (n-1) 번째 데이터 전압뿐만 아니라 제 (n-2) 번째 데이터 전압 이전의 데이터 전압들도 포함할 수 있다.First, during the sensing period t1, a low level scan signal Scan [n] and a high level control signal Em [n] are applied as shown in FIG. 3 and shown in FIG. 5A. As described above, the reference voltage Ref or the data voltage Vdata is applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 through the data line. For example, during the sensing period t1, the reference voltage Ref and the data voltage Vdata may be alternately applied, and the data voltage may be a data voltage before the nth data voltage. In addition, as illustrated in FIG. 3, the data voltage may be the (n-2) th data voltage and the (n-1) th data voltage. In another embodiment, the data voltage is the (n-1) th data voltage or before the (n-2) th data voltage and the (n-2) th data voltage as well as the (n-2) th data voltage. May also include data voltages.
다시 말해, 센싱 기간(t1)은 구동 트랜지스터의 소자 특성에 따라 시간을 다르게 설정 가능하며, 센싱 기간이 길수록 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 정확도가 높아질 수 있다.In other words, the sensing period t1 may be set differently according to device characteristics of the driving transistor, and the longer the sensing period, the higher the accuracy of sensing the threshold voltage of the driving transistor.
이에 따라, 도 5a에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)는 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 온 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 하이 레벨의 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 오프 된다.Accordingly, as shown in FIG. 5A, the first and second transistors T1 and T2 are turned on by the low level scan signal Scan [n], and the third transistor T3 is turned on at a high level. It is turned off by the control signal Em [n].
또한, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴 온 되므로, 데이터 라인을 통해 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 인가된 기준 전압(Ref) 또는 데이터 전압(Vdata)이 제1 및 제2 노드(N1, N2)로 공급된다.In addition, since the first and second transistors T1 and T2 are turned on, the reference voltage Ref or the data voltage Vdata applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 through the data line. This is supplied to the first and second nodes N1 and N2.
예를 들어, 먼저 제1 및 제2 노드(N1, N2)로 기준 전압(Ref)이 동시에 인가됨으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극 및 게이트 전극이 연결되어 구동 트랜지스터(Tdr)가 다이오드 커넥션을 형성한다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극과 유기 발광 다이오드는 애노드 전극과 연결된 제3 노드(N3)는 제1 노드(N1) 전압인 기준 전압보다 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 절대값(|Vth|)만큼 큰 전압(Ref + |Vth|)이 유지될 수 있다. 결국, 커패시터(C)에는 문턱 전압(Vth)이 저장된다.For example, first, the reference voltage Ref is simultaneously applied to the first and second nodes N1 and N2 so that the source electrode and the gate electrode of the driving transistor Tdr are connected to the driving transistor Tdr to form a diode connection. do. Accordingly, the third node N3 connected to the drain electrode and the organic light emitting diode of the driving transistor Tdr has an absolute value (Vth) of the threshold voltage Vth of the driving transistor rather than a reference voltage which is the voltage of the first node N1. The voltage Ref + | Vth | as large as | Vth | may be maintained. As a result, the threshold voltage Vth is stored in the capacitor C.
또한, 이후 제1 및 제2 노드(N1, N2)로 데이터 전압이 인가되더라도, 유기 발광 다이오드(OLED)의 커패시턴스가 커패시터(C)의 커패시턴스보다 매우 크기 때문에, 제3 노드(N3) 전압은 거의 변하지 않으며, 변하더라도 약간 상승할 수 있다.Further, even after the data voltage is applied to the first and second nodes N1 and N2, since the capacitance of the organic light emitting diode OLED is much larger than the capacitance of the capacitor C, the voltage of the third node N3 is almost equal. It doesn't change, and it can rise slightly if it changes.
위에서 설명한 바와 같이, 기준 전압(Ref)과 데이터 전압이 교번적으로 인가된 후 센싱 기간(t1)의 마지막에 기준 전압(Ref)이 인가됨에 따라 최종적으로 커패시터(C)에는 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)이 저장될 수 있다.As described above, as the reference voltage Ref is applied at the end of the sensing period t1 after the reference voltage Ref and the data voltage are alternately applied, the capacitor C is finally connected to the driving transistor Tdr. The threshold voltage Vth may be stored.
결국, 센싱 기간(t1) 동안, 구동 트랜지스터의 문턱 전압이 커패시터(C)에 저장됨으로써 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱할 수 있다.As a result, during the sensing period t1, the threshold voltage of the driving transistor is stored in the capacitor C, so that the threshold voltage of the driving transistor can be sensed.
다음으로, 샘플링(Sampling) 기간 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 로우 레벨의 스캔 신호 및 하이 레벨의 제어 신호가 인가되며, 도 5b에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 제 n 번째 데이터 전압(Vdata[n])이 인가된다.Next, during the sampling period, a low level scan signal and a high level control signal are applied as shown in FIG. 3, and the first and second transistors T1 and T2 as shown in FIG. 5B. The n th data voltage Vdata [n] is applied through the data line to the source electrode of.
이에 따라, 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)는 로우 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 온 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 하이 레벨의 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 오프 된다. Accordingly, as shown in FIG. 5B, the first and second transistors T1 and T2 are turned on by the low level scan signal Scan [n], and the third transistor T3 is turned on at a high level. It is turned off by the control signal Em [n].
또한, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)가 턴 온 되므로, 데이터 라인을 통해 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 인가된 제 n 번째 데이터 전압(Vdata[n])이 제1 및 제2 노드(N1, N2)로 공급된다.In addition, since the first and second transistors T1 and T2 are turned on, the nth data voltage Vdata [n] applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 through the data line. This is supplied to the first and second nodes N1 and N2.
예를 들어, 제1 및 제2 노드(N1, N2)로 제 n 번째 데이터 전압(Vdata[n]) 동시에 인가됨으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극 및 소스 전극의 전압은 제 n 번째 데이터 전압(Vdata[n])을 유지할 수 있다. 또한, 위에서 설명한 바와 같이, 제1 및 제2 노드 전압이 변하더라도, 유기 발광 다이오드의 커패시턴스가 커패시터(C)의 커패시턴스보다 매우 크기 때문에 제3 노드 전압은 기준 전압(Ref)보다 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 절대값(|Vth|)만큼 큰 전압(Ref + |Vth|)을 유지할 수 있다.For example, since the n th data voltage Vdata [n] is simultaneously applied to the first and second nodes N1 and N2, the voltages of the gate electrode and the source electrode of the driving transistor Tdr may be changed to the n th data voltage ( Vdata [n]) can be maintained. In addition, as described above, even if the first and second node voltages vary, the third node voltage is larger than the reference voltage Ref because the capacitance of the organic light emitting diode is much larger than that of the capacitor C. The voltage Ref + Vth | may be maintained as large as the absolute value (Vth |) of (Vth).
이에 따라, 샘플링 기간(t2) 동안, 커패시터(C)에는 제1 노드(N1) 전압과 제3 노드(N3) 전압의 차이만큼 저장될 수 있으며, 예를 들어, 제 n 번째 데이터 전압(Vdata[n])과 제3 노드 전압인 기준 전압(Ref)보다 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 절대값(|Vth|)만큼 큰 전압(Ref + |Vth|)의 차이(Vdata[n] - Ref - |Vth|) 만큼 저장될 수 있다.Accordingly, during the sampling period t2, the capacitor C may be stored as much as the difference between the voltage of the first node N1 and the voltage of the third node N3. For example, the n-th data voltage Vdata [ n]) and the difference between the voltage Ref + | Vth | larger than the reference voltage Ref, which is the third node voltage, by the absolute value | Vth | of the threshold voltage Vth of the driving transistor, Vdata [n]-Ref Can be stored as long as | Vth |).
결국, 샘플링 기간(t2) 동안, 구동 트랜지스터의 문턱 전압과 제 n 번째 데이터 전압(Vdata[n])이 함께 커패시터(C)에 저장됨으로써 구동 트랜지스터(Tdr)의 데이터 전압을 샘플링할 수 있다.As a result, during the sampling period t2, the threshold voltage of the driving transistor and the n th data voltage Vdata [n] are stored together in the capacitor C to sample the data voltage of the driving transistor Tdr.
다시 말해, 샘플링 기간(t3) 동안, 커패시터는 발광 기간(t3) 동안 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는데 필요한 데이터 전압을 샘플링하는 역할을 수행한다.In other words, during the sampling period t3, the capacitor serves to sample the data voltage necessary for the organic light emitting diode OLED to emit light during the light emitting period t3.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치에 포함된 유기 발광 다이오드는 매 프레임마다 각각의 스캔 라인의 샘플링이 완료된 후 발광을 바로 시작할 수 있다.Meanwhile, the organic light emitting diode included in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments may immediately start emitting light after sampling of each scan line is completed every frame.
다시 말해, 각 스캔 라인들마다 센싱 및 샘플링과 같은 스캔 동작을 완료한 후 바로 발광을 시작하는 것으로 도 4를 참조하여 좀 더 자세히 살펴보기로 한다.In other words, light emission starts immediately after completion of a scan operation such as sensing and sampling for each scan line, which will be described in more detail with reference to FIG. 4.
도 4는 도 3에 도시된 타이밍도를 구체화한 도면으로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 스캔 라인들의 개수가 m개라고 가정하면, 제1번째, 제n번째 및 제m번째 스캔 라인 각각에는 스캔 신호로서 Scan[1], Scan[n] 및 Scan[m]이 인가되며, 각각의 스캔 라인과 교차하는 하나의 데이터 라인으로 제1번째 데이터 전압(Vdata[1])부터 제m번째 데이터 전압(Vdata[m])까지 인가되는 것을 알 수 있다.FIG. 4 is a view illustrating the timing diagram illustrated in FIG. 3, and assuming that the number of scan lines in the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiments of the present invention is m, the first, nth, and first Scan [1], Scan [n] and Scan [m] are applied to each of the mth scan lines, and the first data voltage Vdata [1] is one data line that crosses each scan line. It can be seen that up to the m th data voltage Vdata [m] is applied.
여기서, 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광을 준비하기 위한 스캔(Scan) 기간에는 각 스캔 라인 별로 센싱(Sensing) 기간(t1), 샘플링(Sampling) 기간(t2)을 포함할 수 있다.Here, the scan period for preparing the light emitting of the organic light emitting diode OLED may include a sensing period t1 and a sampling period t2 for each scan line.
따라서, 각 스캔 라인별로 해당 데이터 전압의 샘플링이 완료된 후 곧 바로 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광을 시작하는 것이다.Therefore, the organic light emitting diode (OLED) starts emitting light immediately after sampling of the corresponding data voltage for each scan line is completed.
다음으로, 발광(Emission) 기간(t3) 동안에, 도 3에 도시된 바와 같이 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])와 로우 레벨의 제어 신호(Em[n])가 인가되며, 도 5c에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref) 또는 데이터 전압(Vdata)이 인가된다. 예를 들어, 발광 기간(t3) 동안, 기준 전압(Ref)과 데이터 전압(Vdata)이 교번적으로 인가될 수 있으며, 데이터 전압은 제 n 번째 데이터 전압 이후의 데이터 전압일 수 있다.Next, during the emission period t3, as shown in FIG. 3, a high level scan signal Scan [n] and a low level control signal Em [n] are applied, and in FIG. 5C. As shown, the reference voltage Ref or the data voltage Vdata is applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 through the data line. For example, during the light emission period t3, the reference voltage Ref and the data voltage Vdata may be alternately applied, and the data voltage may be a data voltage after the n th data voltage.
이에 따라, 도 5c에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)는 하이 레벨의 스캔 신호(Scan[n])에 의해 턴 오프 되고, 제3 트랜지스터(T3)는 로우 레벨의 제어 신호(Em[n])에 의해 턴 온 되며, 제1 및 제2 트랜지스터(T1, T2)의 소스 전극으로 데이터 라인을 통해 기준 전압(Ref) 또는 데이터 전압이 인가되지만, 제1 및 제2 트랜지스터는 하이 레벨의 스캔 신호에 의해 턴 오프 되므로 제1 및 제2 노드 전압에는 아무런 영향을 주지 않는다. 또한, 제3 트랜지스터(T3)가 턴 온 되므로, 고전위 전원 전압(VDD)은 구동 트랜지스터의 소스 전극과 연결된 제2 노드(N2)로 직접 공급됨에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광이 시작된다.Accordingly, as shown in FIG. 5C, the first and second transistors T1 and T2 are turned off by the high level scan signal Scan [n], and the third transistor T3 is low level. Turned on by the control signal Em [n], the reference voltage Ref or the data voltage is applied to the source electrodes of the first and second transistors T1 and T2 through the data line, but the first and second Since the transistor is turned off by the high level scan signal, it does not affect the first and second node voltages. In addition, since the third transistor T3 is turned on, light emission of the organic light emitting diode OLED is started as the high potential power voltage VDD is directly supplied to the second node N2 connected to the source electrode of the driving transistor. .
따라서, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)는 구동 트랜지스터(Tdr)에 흐르는 전류에 의하여 결정될 수 있으며, 구동 트랜지스터의 흐르는 전류는 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극간의 전압(Vgs) 및 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)에 의해 결정되며, 아래의 수학식 1과 같이 정의될 수 있다.Accordingly, the current Ioled flowing in the organic light emitting diode OLED may be determined by the current flowing in the driving transistor Tdr, and the flowing current of the driving transistor is driven by the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor and driving. It is determined by the threshold voltage Vth of the transistor, and may be defined as in
한편, 샘플링 기간(t2) 동안 커패시터(C)에 저장된 전압(Vdata[n] - Ref - |Vth|)에 의해, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극인 제1 노드(N1) 전압은 “VOLED + Vdata[n] - Ref - |Vth|”가 될 수 있다. 여기서, "VOLED"는 유기 발광 다이오드가 발광을 시작할 때 유기 발광 다이오드의 애노드 전극이 연결된 제3 노드(N3) 전압을 의미한다.On the other hand, due to the voltage Vdata [n]-Ref-| Vth | stored in the capacitor C during the sampling period t2, the voltage of the first node N1, which is the gate electrode of the driving transistor Tdr, becomes “VOLED +. Vdata [n]-Ref-| Vth | ”. Here, "VOLED" means the voltage of the third node N3 to which the anode electrode of the organic light emitting diode is connected when the organic light emitting diode starts to emit light.
여기서, “K”는 비례 상수로서 구동 트랜지스터(Tdr)의 구조와 물리적 특성에 의해 결정되는 값으로, 구동 트랜지스터(Tdr)의 이동도(mobility) 및 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 폭(W)과 채널 길이(L)의 비인 “W/L” 등에 의해서 결정될 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드 표시장치에 포함된 트랜지스터들이 PMOS 타입의 트랜지스터인 경우, 구동 트랜지스터의 문턱 전압은 음의 값을 가진다. 한편, 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)은 항상 일정한 값을 갖는 것이 아니라, 구동 트랜지스터(Tdr)의 동작 상태에 따라 편차가 발생할 수 있다.Here, “K” is a proportional constant that is determined by the structure and physical characteristics of the driving transistor Tdr, and includes the mobility of the driving transistor Tdr and the channel width W of the driving transistor Tdr. It may be determined by “W / L” or the like which is the ratio of the channel length L. FIG. In addition, when the transistors included in the organic light emitting diode display are transistors of the PMOS type, the threshold voltage of the driving transistor has a negative value. Meanwhile, the threshold voltage Vth of the driving transistor Tdr does not always have a constant value, but a deviation may occur depending on the operating state of the driving transistor Tdr.
다시 말해, 수학식 1을 살펴보면, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시 장치는 발광 기간(t4) 동안 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)가 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압(Vth)의 영향을 받지 않는다. In other words, referring to
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 다이오드 표시장치의 문턱 전압 편차에 따른 전류의 변화를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining a change in current according to a threshold voltage deviation of the organic light emitting diode display according to the embodiments of the present invention.
도 6에 도시된 바와 같이, 유기 발광 다이오드(OLED)에 흐르는 전류(Ioled)의 크기는 데이터 전압(Vdata)에 비례하지만, 동일한 데이터 전압(Vdata)에서는 문턱 전압(Vth)의 편차(dVth)에 따라 크게 변하지 않는 것을 알 수 있다.As illustrated in FIG. 6, the magnitude of the current Ioled flowing in the organic light emitting diode OLED is proportional to the data voltage Vdata, but at the same data voltage Vdata, the variation of the threshold voltage Vth is equal to the deviation dVth. It can be seen that it does not change greatly.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the above-described present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features.
그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
T1 ~ T3 : 제1 내지 제3 트랜지스터 C : 커패시터
Tdr : 구동 트랜지스터 OLED : 유기 발광 다이오드
VDD : 고전위 전원 전압 VSS : 저전위 전원 전압T1 to T3: first to third transistors C: capacitors
Tdr: Driving Transistor OLED: Organic Light Emitting Diode
VDD: high potential supply voltage VSS: low potential supply voltage
Claims (15)
상기 데이터 라인에 연결되고 상기 데이터 라인을 통해 공급되는 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압을 상기 스캔 신호에 따라 제2 노드에 공급하는 제2 트랜지스터;
제어 신호에 따라 고전위 전원 전압을 상기 제2 노드로 공급하는 제3 트랜지스터;
게이트 전극이 상기 제1 노드와 연결되며, 소스 전극이 상기 제2 노드와 연결되며, 드레인 전극이 제3 노드와 연결되는 구동 트랜지스터;
상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결되며, 상기 데이터 전압 및 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 저장하는 커패시터; 및
애노드 전극이 상기 제3 노드와 연결되며, 상기 커패시터에 저장된 전압에 따라 발광이 제어되는 유기 발광 다이오드를 포함하며,
상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압은 상기 제1 및 제2 노드에 함께 공급되는, 유기 발광 다이오드 표시장치.A first transistor connected to a data line and supplying a data voltage or a reference voltage supplied through the data line to a first node according to a scan signal;
A second transistor connected to the data line and supplying the data voltage or the reference voltage supplied through the data line to a second node according to the scan signal;
A third transistor configured to supply a high potential power voltage to the second node according to a control signal;
A driving transistor having a gate electrode connected to the first node, a source electrode connected to the second node, and a drain electrode connected to a third node;
A capacitor connected between the first node and the third node, the capacitor storing the data voltage and the threshold voltage of the driving transistor; And
An anode electrode is connected to the third node and includes an organic light emitting diode whose emission is controlled according to a voltage stored in the capacitor,
And the data voltage or the reference voltage are supplied together to the first and second nodes.
상기 제1 및 제2 트랜지스터는 스캔 라인을 통해 인가되는 상기 스캔 신호에 의해 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터는 제어 라인을 통해 인가되는 상기 제어 신호에 의해 턴 온 되는, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 1,
And the first and second transistors are turned on by the scan signal applied through a scan line, and the third transistor is turned on by the control signal applied through a control line.
상기 제어 신호는 상기 스캔 신호의 반전 신호인, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 1,
And the control signal is an inverted signal of the scan signal.
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 오프 되면,
상기 기준 전압 및 상기 데이터 전압이 상기 데이터 라인을 통해 교번적으로 상기 제1 및 제2 노드에 공급되는, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 1,
When the first and second transistors are turned on and the third transistors are turned off,
And the reference voltage and the data voltage are alternately supplied to the first and second nodes through the data line.
상기 데이터 전압 중 제 n 번째 데이터 전압이 상기 제1 및 제2 노드에 함께 공급되는, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 4, wherein
And an nth data voltage of the data voltages is supplied together to the first and second nodes.
상기 커패시터 양단의 전압 크기는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 절대값과 동일한, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 4, wherein
And a voltage magnitude across the capacitor is equal to an absolute value of the threshold voltage of the driving transistor.
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 오프 되면,
상기 데이터 전압 중 제 n 번째 데이터 전압이 상기 제1 및 제2 노드에 함께 공급되는, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 1,
When the first and second transistors are turned on and the third transistors are turned off,
And an nth data voltage of the data voltages is supplied together to the first and second nodes.
상기 커패시터에는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 및 상기 제n번째 데이터 전압이 저장되는, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 7, wherein
And the threshold voltage of the driving transistor and the nth data voltage are stored in the capacitor.
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 온 되면,
상기 고전위 전원 전압이 상기 제2 노드로 공급되며, 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는, 유기 발광 다이오드 표시장치.The method of claim 1,
When the first and second transistors are turned off and the third transistors are turned on,
And the high potential power voltage is supplied to the second node and the organic light emitting diode emits light.
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 데이터 라인을 통해 공급되는 데이터 전압 또는 기준 전압을 스캔 신호에 따라 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극인 제1 노드와 상기 구동 트랜지스터의 소스 전극인 제2 노드에 함께 공급하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압을 센싱하는 단계;
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 온 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 오프 되는 동안, 상기 스캔 신호에 따라 상기 데이터 전압 중 제 n 번째 데이터 전압을 상기 제1 및 제2 노드에 함께 공급하여 상기 제 n 번째 데이터 전압을 상기 커패시터에 저장하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 트랜지스터가 턴 오프 되고, 상기 제3 트랜지스터가 턴 온 되는 동안, 제어 신호에 따라 상기 제3 트랜지스터의 드레인 전극인 상기 제2 노드로 고전위 전원 전압을 공급하고, 애노드 전극이 제3 노드와 연결된 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계를 포함하는, 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.A method of driving an organic light emitting diode display including first to third transistors, a driving transistor, a capacitor, and an organic light emitting diode,
While the first and second transistors are turned on and the third transistor is turned off, the first node and the gate electrode of the driving transistor according to a scan signal are applied to a data voltage or a reference voltage supplied through a data line. Supplying a second node, which is a source electrode of a driving transistor, to sense a threshold voltage of the driving transistor;
While the first and second transistors are turned on and the third transistor is turned off, the nth data voltage of the data voltages is supplied to the first and second nodes together in response to the scan signal. storing an nth data voltage in the capacitor; And
While the first and second transistors are turned off and the third transistor is turned on, a high potential power voltage is supplied to the second node which is the drain electrode of the third transistor according to a control signal, and an anode electrode And emitting light from the organic light emitting diode connected to a third node.
상기 문턱 전압을 센싱하는 단계는 상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 상기 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 상기 문턱 전압을 저장하는, 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.The method of claim 10,
The sensing of the threshold voltage may include storing the threshold voltage of the driving transistor in the capacitor connected between the first node and the third node.
상기 문턱 전압을 센싱하는 단계는 상기 데이터 라인을 통해 공급되는 상기 기준 전압 및 상기 데이터 전압을 교번적으로 상기 제1 및 제2 노드에 공급하는, 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.The method of claim 10,
The sensing of the threshold voltage may alternately supply the reference voltage and the data voltage supplied through the data line to the first and second nodes.
상기 데이터 전압 중 제 n 번째 이전 데이터 전압이 상기 제1 및 제2 노드에 함께 공급되는, 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.The method of claim 12,
And an nth previous data voltage of the data voltages is supplied together to the first and second nodes.
상기 제 n 번째 데이터 전압을 상기 커패시터에 저장하는 단계는 상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 상기 커패시터에 상기 제 n 번째 데이터 전압과 상기 구동 트랜지스터의 상기 문턱 전압을 함께 저장하는, 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.The method of claim 10,
The storing of the n th data voltage in the capacitor may include storing the n th data voltage and the threshold voltage of the driving transistor together in the capacitor connected between the first node and the third node. How to drive a diode display.
상기 제1 및 제2 트랜지스터는 스캔 라인을 통해 인가되는 상기 스캔 신호에 의해 턴 온 되고,
상기 제3 트랜지스터는 제어 라인을 통해 인가되는 상기 제어 신호에 의해 턴 온 되는, 유기 발광 다이오드 표시장치 구동 방법.The method of claim 10,
The first and second transistors are turned on by the scan signal applied through a scan line,
And the third transistor is turned on by the control signal applied through a control line.
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