KR102018942B1 - Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier - Google Patents

Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier Download PDF

Info

Publication number
KR102018942B1
KR102018942B1 KR1020160125827A KR20160125827A KR102018942B1 KR 102018942 B1 KR102018942 B1 KR 102018942B1 KR 1020160125827 A KR1020160125827 A KR 1020160125827A KR 20160125827 A KR20160125827 A KR 20160125827A KR 102018942 B1 KR102018942 B1 KR 102018942B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carrier
layer
metal foil
places
metal
Prior art date
Application number
KR1020160125827A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180035566A (en
Inventor
요시타카 시부야
토모타 나가우라
미사토 혼다
오사무 마에니시하라
Original Assignee
제이엑스금속주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이엑스금속주식회사 filed Critical 제이엑스금속주식회사
Priority to KR1020160125827A priority Critical patent/KR102018942B1/en
Publication of KR20180035566A publication Critical patent/KR20180035566A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102018942B1 publication Critical patent/KR102018942B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/10—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the pressing technique, e.g. using action of vacuum or fluid pressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/025—Electric or magnetic properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어와 금속층의 밀착력이 높은 반면, 절연 기판에 대한 적층 공정에 따른 캐리어와 금속층의 밀착성의 극단적인 상승이나 저하가 없고, 캐리어/금속층에서 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공한다. 캐리어, 산소를 포함하는 제1 중간층, 금속층을 이 순서로 가지는 캐리어 부착 금속박이다. 캐리어 부착 금속박은, STEM으로 선분석을 실시했을 때, 제1 중간층에서 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다. 또한, XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다.Prior to the lamination process on the insulated substrate, the adhesion between the carrier and the metal layer is high, while there is no extreme increase or decrease in the adhesion between the carrier and the metal layer according to the lamination process on the insulated substrate, and the metal foil with the carrier can be easily peeled off from the carrier / metal layer. To provide. Metal foil with a carrier which has a carrier, the 1st intermediate | middle layer containing oxygen, and a metal layer in this order. When the metal foil with a carrier is analyzed by STEM, the average value of the thickness of the part where 10 oxygen is 5 at% or more in a 1st intermediate | middle layer is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and the standard deviation / average value is 0.6 or less. In addition, when carried in a depth direction analysis by XPS, the average value of the depth from the 10 places the oxygen that the first intermediate layer of the carrier separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at% facing surface of at least 30nm 0.5nm The standard deviation / average value is 0.6 or less.

Description

캐리어 부착 금속박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법, 전자기기의 제조 방법 및 캐리어 부착 금속박의 제조 방법{METAL FOIL WITH CARRIER, LAMINATE, METHOD OF MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING METAL FOIL WITH CARRIER}METAL FOIL WITH CARRIER, LAMINATE, METHOD OF MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING METAL FOIL WITH CARRIER}

본 발명은, 캐리어 부착 금속박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법, 전자기기의 제조 방법 및 캐리어 부착 금속박의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the metal foil with a carrier, a laminated body, the manufacturing method of a printed wiring board, the manufacturing method of an electronic device, and the manufacturing method of the metal foil with a carrier.

프린트 배선판은 최근 반세기에 걸쳐서 큰 진전을 이루어, 오늘날에는 거의 모든 전자기기에 사용되기에 이르렀다. 최근의 전자기기의 소형화, 고성능화 요구의 증대에 수반하여 탑재 부품의 고밀도 실장화나 신호의 고주파화가 진전하여, 프린트 배선판에 대해서 도체 패턴의 미세화(파인 피치화)나 고주파 대응 등이 요구되고 있다.Printed wiring boards have made great strides in the last half century and have been used in almost all electronic devices today. BACKGROUND With the recent demand for miniaturization and high performance of electronic devices, high-density mounting of high-frequency components and high frequency of signals have progressed, and thus, printed circuit boards are required to have finer conductor patterns (fine pitch) and higher frequency.

프린트 배선판은 우선, 동박과 유리 에폭시 기판, BT 수지, 폴리이미드 필름 등을 주로 하는 절연 기판을 맞붙인 구리 피복(銅張) 적층체로서 제조된다. 맞붙이는 것은, 절연 기판과 동박을 서로 겹치게 하여 가열 가압시켜 형성하는 방법(라미네이트법), 또는 절연 기판 재료의 전구체인 니스를 동박의 피복층을 가지는 면에 도포하여, 가열·경화하는 방법(주조법)이 이용된다.First, a printed wiring board is manufactured as a copper clad laminated body which pasted the copper foil and the insulating substrate which mainly consists of a glass epoxy board | substrate, BT resin, a polyimide film, etc .. Joining is the method of laminating | stacking an insulating board | substrate and copper foil mutually, and pressing and forming (lamination method), or the method of apply | coating varnish which is a precursor of an insulated substrate material to the surface which has a coating layer of copper foil, and heating and hardening (casting method) This is used.

파인 피치화에 수반하여 구리 피복 적층체에 사용되는 동박의 두께도 9㎛, 나아가서는 5㎛ 이하가 되는 등, 박의 두께가 얇아지고 있다. 그런데, 박의 두께가 9㎛ 이하가 되면 상술한 라미네이트법이나 주조법으로 구리 피복 적층체를 형성할 때의 핸들링성이 매우 악화 된다. 여기서, 두께가 있는 금속박을 캐리어로 이용하고, 여기에 제1 중간층을 통해서 극박 구리층을 형성한 캐리어 부착 동박이 등장하고 있다. 극박 구리층의 표면을 절연 기판에 맞붙여서 열압착한 후에, 캐리어를 제1 중간층을 통해서 박리한다는 것이 캐리어 부착 동박의 일반적인 사용 방법이다.With the fine pitch, the thickness of the foil is thin, such that the thickness of the copper foil used for the copper clad laminate is also 9 µm, more preferably 5 µm or less. By the way, when the thickness of foil becomes 9 micrometers or less, the handling property at the time of forming a copper clad laminated body by the lamination method and the casting method mentioned above will deteriorate very much. Here, the copper foil with a carrier which used the metal foil with thickness as a carrier and formed the ultra-thin copper layer through the 1st intermediate | middle layer has appeared here. It is a general use method of the copper foil with a carrier that after peeling a carrier through a 1st intermediate | middle layer after bonding the surface of an ultra-thin copper layer to an insulating board and thermocompression bonding.

종래, 캐리어박의 표면에, 확산 방지층, 제1 중간층, 전기 구리도금을 이 순서대로 형성하고, 제1 중간층으로서 Cr 또는 Cr 수화 산화물층을, 확산 방지층으로서 Ni, Co, Fe, Cr, Mo, Ta, Cu, Al, P의 단체(單體) 또는 합금을 이용함으로써 가열 프레스 후의 양호한 박리성을 유지하는 방법이 특허문헌 1에 개시되어 있다.Conventionally, a diffusion barrier layer, a 1st intermediate | middle layer, and electro copper plating are formed in this order on the surface of carrier foil, and a Cr or Cr hydration oxide layer is used as a 1st intermediate | middle layer, Ni, Co, Fe, Cr, Mo, Patent Literature 1 discloses a method of maintaining good peelability after hot pressing by using a single element or alloy of Ta, Cu, Al, or P.

또는, 제1 중간층으로서 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P 또는 이들의 합금 또는 이들의 수화물로 형성한다는 것이 알려져 있다. 게다가, 가열 프레스 등의 고온 사용 환경에 있어서의 박리성의 안정화를 도모하고, 제1 중간층의 기초에 Ni, Fe 또는 이들의 합금층을 마련하면 효과적이라는 것이 특허문헌 2 및 3에 기재되어 있다.Alternatively, it is known that the first intermediate layer is formed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P or an alloy thereof or a hydrate thereof. In addition, Patent Documents 2 and 3 disclose that it is effective to achieve peelability stabilization in a high-temperature use environment such as a hot press and to provide Ni, Fe, or an alloy layer thereof on the basis of the first intermediate layer.

또는, 캐리어와, 캐리어상에 적층된 중간층과, 중간층상에 적층된 극박 구리층을 구비한 캐리어 부착 동박으로, 상기 중간층은 니켈, 크롬을 포함하고, 상기 중간층/극박 구리층 사이에서 JIS　C　6471에 준거해 박리시켰을 때, AES에 따른 표면으로부터의 깊이 방향 분석으로부터 얻어진 깊이 방향(x：단위nm)의 크롬 원자 농도(%)를 e(x)로 하고, 아연의 원자 농도(%)를 f(x)로 하며, 니켈의 원자 농도(%)를 g(x)로 하고, 구리의 원자 농도(%)를 h(x)로 하며, 산소의 합계 원자 농도(%)를 i(x)로 하고, 탄소의 원자 농도(%)를 j(x)로 하며, 그 외의 원자 농도(%)를 k(x)로 하고, 상기 캐리어의 중간층 표면으로부터의 깊이 방향 분석 구간［0, 1.0］에서, E(x)=∫e(x)dx/(∫e(x)dx +∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx+ ∫k(x)dx)로 하며, 상기 E(x)를 폭방향으로 20mm 간격으로 10점 및 길이방향으로 20mm 간격으로 10점 측정했을 때의 E(x)의 표준 편차를 σE로 하고, 크롬 농도의 변동 계수를 XE=σE×100/(E(x)의 20점의 산술 평균값)로 하면, XE가 40.0% 이하를 충족하여, 상기 E(x)의 20점의 산술 평균값이 1~30%를 충족하는 캐리어 부착 동박이 특허문헌 4에 기재되어 있다.Or copper foil with a carrier which has a carrier, the intermediate | middle layer laminated | stacked on the carrier, and the ultra-thin copper layer laminated | stacked on the intermediate | middle layer, The said intermediate | middle layer contains nickel and chromium, and it is JIS C 6471 between the said intermediate | middle layers / ultra-thin copper layer. When peeling according to the above, the chromium atom concentration (%) in the depth direction (x: unit nm) obtained from the depth direction analysis from the surface according to AES is set to e (x), and the atomic concentration of zinc (%) is f. (x), the atomic concentration (%) of nickel is g (x), the atomic concentration (%) of copper is h (x), and the total atomic concentration (%) of oxygen is i (x). And the atomic concentration (%) of carbon is j (x), the other atomic concentration (%) is k (x), and in the depth direction analysis section [0, 1.0] from the surface of the intermediate layer of the carrier, E (x) = ∫e (x) dx / (∫e (x) dx + ∫f (x) dx + ∫g (x) dx + ∫h (x) dx + ∫i (x) dx + ∫j (x) dx + ∫k (x) dx), and 10 points of E (x) at 20 mm intervals in the width direction and When the standard deviation of E (x) when measured 10 points at 20mm intervals in the longitudinal direction is σE, the coefficient of variation in chromium concentration is XE = σE × 100 / (arithmetic mean value of 20 points of E (x)). The copper foil with a carrier in which XE meets 40.0% or less and the arithmetic mean of 20 points of said E (x) meets 1-30% is described by patent document 4.

또는, 구리 또는 구리합금의 지지체와 극박 구리박 사이의 지지체측에, 산화막으로 덮인 니켈층을 가지는 것을 특징으로 하는 구리 또는 구리합금의 지지체를 구비한 복합 동박 및 상기 복합 동박을 사용한 프린트 기판이 특허문헌 5에 기재되어 있다.Or a composite copper foil provided with the support of copper or copper alloy, and the printed circuit board using the said composite copper foil are characterized by having the nickel layer covered with the oxide film on the support side between the support of copper or copper alloy and ultra-thin copper foil. Document 5 is described.

또는, 동박 캐리어와, 동박 캐리어상에 적층된 중간층과, 중간층상에 적층된 극박 구리층을 구비한 캐리어 부착 동박으로, 상기 중간층이 전기 전도성 산화물을 포함하는 캐리어 부착 동박이 특허문헌 6에 기재되어 있다.Or copper foil with a carrier provided with the copper foil carrier, the intermediate | middle layer laminated | stacked on the copper foil carrier, and the ultra-thin copper layer laminated | stacked on the intermediate | middle layer, Copper foil with a carrier in which the said intermediate | middle layer contains an electrically conductive oxide is described in patent document 6 have.

또는, 동박 캐리어와, 동박 캐리어상에 적층된 중간층과, 중간층상에 적층된 극박 구리층을 구비한 캐리어 부착 동박으로, 상기 중간층이 스피넬형 결정 구조의 산화물을 가지는 캐리어 부착 동박이 특허문헌 7에 기재되어 있다.Or copper foil with a carrier provided with the copper foil carrier, the intermediate | middle layer laminated | stacked on the copper foil carrier, and the ultra-thin copper layer laminated | stacked on the intermediate | middle layer, The copper foil with carrier which the said intermediate | middle layer has an oxide of a spinel type crystal structure is disclosed in patent document 7 It is described.

또는, 압연 동박 또는 전해 동박으로 이루어지는 구리 캐리어, 니켈층, 구리층의 구조로 이루어지는 구리 캐리어 부착 동박으로, 0.5 kg/cm 미만으로 박리할 수 있고, 박리에 의해 구리 캐리어상에 니켈층을 가지는 동시에, 구리층 측에도 니켈층을 가지는 것을 특징으로 하는 구리 캐리어 부착 동박이 특허문헌 8에 기재되어 있다.Alternatively, the copper carrier with a copper carrier composed of a rolled copper foil or an electrolytic copper foil, a nickel layer, or a copper layer structured copper foil can be peeled off at less than 0.5 kg / cm, and has a nickel layer on the copper carrier by peeling. The copper foil with a copper carrier is described in patent document 8 which has a nickel layer also in the copper layer side.

또는, 압연 동박 또는 전해 동박으로 이루어지는 구리 캐리어(A), 상기 구리 캐리어(A) 상에 형성된 0.03~2㎛ 두께의 니켈층(B), 상기 니켈층(B) 상에 형성된 0.3~15nm 두께의 금, 백금족 금속 또는 이들의 합금으로 이루어지는 층(C), 또한 상기 금, 백금족 금속 또는 이들의 합금으로 이루어지는 층(C) 상에 형성된 구리층(D)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구리 캐리어 부착용 동박이 특허문헌 9에 기재되어 있다.Alternatively, a copper carrier (A) made of rolled copper foil or electrolytic copper foil, a nickel layer (B) having a thickness of 0.03 to 2 μm formed on the copper carrier (A), and a 0.3 to 15 nm thickness formed on the nickel layer (B). The copper foil with copper carrier which consists of a copper layer (D) formed on the layer (C) which consists of gold, a platinum group metal, or these alloys, and the layer (C) which consists of said gold, a platinum group metal, or these alloys, It is described in patent document 9.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2006-022406호Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-022406 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특개2010-006071호Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-006071 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 특개2007-007937호Patent Document 3: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-007937 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 특개2014-195871호Patent Document 4: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-195871 특허문헌 5: 일본 공개특허공보 특개2002-368365호Patent Document 5: Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-368365 특허문헌 6: 일본 공개특허공보 특개2014-172183호Patent Document 6: Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-172183 특허문헌 7: 일본 공개특허공보 특개2014-172184호Patent Document 7: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-172184 특허문헌 8: 국제공개번호 WO2012-132572Patent Document 8: International Publication No. WO2012-132572 특허문헌 9: 국제공개번호 WO2012-132578Patent Document 9: International Publication No. WO2012-132578

캐리어 부착 금속박에 있어서는, 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어로부터 금속박이 쉽게 박리 되어서는 안되는 반면, 절연 기판에 대한 적층 공정 후에 금속박으로부터 캐리어가 쉽게 박리될 필요가 있다.In the metal foil with a carrier, the metal foil should not be easily peeled from the carrier before the lamination process on the insulating substrate, while the carrier needs to be easily peeled from the metal foil after the lamination process on the insulating substrate.

특허문헌 1에 대해서는, 가열 프레스 후의 박리성은 양호하지만, 극박 구리박 표면 상태에 관해서는 언급되어 있지 않다. 또한, 동 특허문헌에서는, 확산 방지층과 제1 중간층의 순서는 어느 것이 먼저라도 좋다고 기재되어 있지만, 기재된 실시예는 모두 캐리어박, 제1 중간층, 확산 방지층, 전기 구리도금의 순서이고, 박리할 때에 제1 중간층/확산 방지층 계면은 박리될 우려가 있다. 그렇게 되면 전기 구리도금(극박 구리층)의 표면에 확산 방지층이 남아서, 회로를 형성할 때의 에칭 불량으로 이어진다.Although the peelability after hot press is good about patent document 1, it is not mentioned about the ultra-thin copper foil surface state. In addition, although the patent document states that the order of a diffusion prevention layer and a 1st intermediate | middle layer may be any one first, all of the described examples are order of carrier foil, a 1st intermediate | middle layer, a diffusion prevention layer, and electroplating, and when peeling There exists a possibility that a 1st intermediate | middle layer / diffusion prevention layer interface may peel. As a result, a diffusion barrier layer remains on the surface of the electroplated copper (ultra-thin copper layer), leading to poor etching when forming a circuit.

특허문헌 2, 3에 대해서는, 캐리어/극박 구리박 사이의 박리 강도 등의 특성을 충분히 검토했다고 생각되는 기재를 볼 수 없고, 아직도 개선의 여지가 남아 있다.About patent document 2, 3, the base material considered having fully examined characteristics, such as peeling strength between carrier / ultra-thin copper foil, cannot be seen, and there is still room for improvement.

특허문헌 4에 대해서는, 캐리어 부착 동박으로부터 극박 구리층을 벗긴 후, 캐리어 박리면의 크롬 농도, 및 크롬 농도의 면내 분포의 편차를 제어함으로써, 박리 강도의 면내 분포를 일정 범위내로 제어하고, 이에 따라, 캐리어/극박 구리박 계면에서의 박리성 향상에 매우 효과적이라는 점을 도출했지만, 크롬 자체에는 중간층에 포함되는 니켈, 동박 및 극박 구리층의 구리의 확산을 니켈 이상으로 억제하는 효과가 없는 점은, 각 금속의 확산을 고려하는 공지의 사항이고, 크롬 농도만으로 박리 강도의 편차를 제어하는 것은 불충분하다는 것을 알았다.About patent document 4, after peeling an ultra-thin copper layer from the copper foil with a carrier, in-plane distribution of peeling strength is controlled in a fixed range by controlling the chromium concentration of a carrier peeling surface, and the variation of the in-plane distribution of chromium concentration, and accordingly Has been found to be very effective in improving the peelability at the carrier / ultra-thin copper foil interface. However, chromium itself has no effect of suppressing the diffusion of copper in the nickel, copper foil, and ultra-thin copper layers contained in the intermediate layer beyond nickel. It is known that it is a well-known matter which considers the diffusion of each metal, and it is understood that it is insufficient to control the variation of peeling strength only by chromium concentration.

특허문헌 5, 6, 7에 대해서는, 산화막을 균일하게 제어하는 조건이 불명확하기 때문에, 산화막의 분포에 의해 박리 강도가 변동하는 문제가 생긴다.In Patent Documents 5, 6, and 7, since the conditions under which the oxide film is uniformly controlled are unclear, there arises a problem that the peel strength fluctuates due to the distribution of the oxide film.

특허문헌 8, 9에 대해서는, Ni 도금 표면의 산화 방법이 대기 폭로(曝露)로써, 산화막이 얇아서 박리를 할 수 없는 경우가 있다.About patent documents 8 and 9, the oxidation method of the Ni plating surface is an atmospheric exposure, and an oxide film may be thin and peeling may not be possible.

여기서, 본 발명은, 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어와 금속층의 밀착력이 높은 반면, 절연 기판에 대한 적층 공정에 따른 캐리어와 금속층의 밀착성에 극단적인 상승이나 저하가 없고, 캐리어/금속층에서 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공하는 것을 과제로 한다.Here, the present invention has a high adhesion between the carrier and the metal layer prior to the lamination process on the insulated substrate, but there is no extreme increase or decrease in the adhesion of the carrier and the metal layer according to the lamination process on the insulated substrate, and easily peels off from the carrier / metal layer. It is a subject to provide the metal foil with a carrier which can be carried out.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 산소를 포함하는 제1 중간층을 가지는 캐리어 부착 금속박에 있어서, 캐리어 부착 금속박의 캐리어 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을, 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시하였을 때, 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값 및 표준 편차/평균값이 소정의 범위가 되도록 제어함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수 있다는 점을 발견하였다. 또한, 산소를 포함하는 제1 중간층을 가지는 캐리어 부착 금속박에 있어서, 제1 중간층/금속층 사이에서 소정의 방법으로 박리시켜 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 산소 농도가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값 및 표준 편차/평균값이 소정의 범위가 되도록 제어하여, 상기 과제를 해결할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수 있다는 점을 발견하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to achieve the said objective, the present inventors earnestly researched and, as a result, in the metal foil with a carrier which has the 1st intermediate | middle layer containing oxygen, the cross section containing a part of carrier of a metal foil with carrier, a 1st intermediate | middle layer, and a part of a metal layer The carrier can solve the above problems by controlling the average value and the standard deviation / average value of the thickness of the portion where oxygen is 5 at% or more when the line analysis is performed by STEM in the same direction as the thickness direction of the carrier. It has been found that the metal foil can be provided. Moreover, in the metal foil with a carrier which has a 1st intermediate | middle layer containing oxygen, when peeling by a predetermined method between a 1st intermediate | middle layer / metal layer, and performing depth direction analysis by XPS from the 1st intermediate | middle layer side surface of a carrier, oxygen concentration is controlled so that the mean value and a standard deviation / average value is a predetermined range of depth from the first intermediate layer-facing surface of the carrier by SiO 2 conversion until no more than 10at%, a carrier coated metal foil which can solve the aforementioned problems It has been found that it can be provided.

본 발명은 상기 지견을 기초로 하여 완성한 것으로, 일측면에서, 캐리어, 산소를 포함하는 제1 중간층, 금속층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 금속박이고,This invention is completed based on the said knowledge, In one side, it is a metal foil with a carrier which has a carrier, the 1st intermediate | middle layer containing oxygen, and a metal layer in this order,

상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,The part of the carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer of the said metal foil with a carrier with respect to the said metal foil with a carrier in 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in a longitudinal direction (MD direction), total 10 places When the cross section containing a part is analyzed by STEM in the same direction as the thickness direction of the carrier,

상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박이다.The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The average value of the thickness of the part in which 10 said oxygen is 5at% or more is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and is a metal foil with a carrier whose standard deviation / average value is 0.6 or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은, 일 실시형태에 있어서, 상기 10개소의 상기 산소가 5at% 이상인 두께 영역에서 Cr이 1at% 이상 존재한다.In one Embodiment, as for the metal foil with a carrier of this invention, Cr is 1at% or more in the thickness area | region where the said 10 places of said oxygen are 5at% or more.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,In another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention is thermally crimped under the conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C. for 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate from the metal layer side.

상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,The part of the carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer of the said metal foil with a carrier with respect to the said metal foil with a carrier in 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in a longitudinal direction (MD direction), total 10 places When some sections were analyzed by STEM in the same direction as the thickness of the carrier,

상기 제1 중간층에서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이다.In the said 1st intermediate | middle layer, the average value of the thickness of the part in which 10 said oxygen is 5at% or more is 0.5 nm or more and 30 nm or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,In another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention is thermally crimped under the conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C. for 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate from the metal layer side.

상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,The part of the carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer of the said metal foil with a carrier with respect to the said metal foil with a carrier in 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in a longitudinal direction (MD direction), total 10 places When some sections were analyzed by STEM in the same direction as the thickness of the carrier,

상기 제1 중간층에서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다.In the first intermediate layer, the standard deviation / average value of the thickness of the portion where the oxygen of 10 places is 5 at% or more is 0.6 or less.

본 발명은 다른 일측면에 있어서, 캐리어, 산소를 포함하는 제1 중간층, 금속층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 금속박으로서,In another aspect, the present invention is a metal foil with a carrier having a carrier, a first intermediate layer containing oxygen, and a metal layer in this order.

상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박이다.The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier. 5 positions at an interval, the sum for the 10 positions when subjected to the depth direction analysis by XPS, the 10 locations of the oxygen-10at until the following% SiO 2 in terms of the separation of the carrier of the first intermediate layer side The average value of the depth from a surface is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and is a metal foil with a carrier whose standard deviation / average value is 0.6 or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.2nm 이상 10nm 이하이다.In another embodiment, the metal foil with a carrier according to the present invention is peeled from the metal foil with a carrier in accordance with JIS C 6471, and is in a width direction (TD direction) from the first intermediate layer side surface of the peeled carrier. When depth direction analysis by XPS was carried out at five places at 20 mm intervals and five places at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places until Cr was 5 at% or less to SiO 2 in terms of the average value of the depth from the first side surface of the intermediate layer of the release carrier is more than 0.2nm is less than 10nm.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다.In another embodiment, the metal foil with a carrier according to the present invention is peeled from the metal foil with a carrier in accordance with JIS C 6471, and is in a width direction (TD direction) from the first intermediate layer side surface of the peeled carrier. When depth direction analysis by XPS was carried out at five places at 20 mm intervals and five places at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places until Cr was 5 at% or less to SiO 2 in terms of the standard deviation / mean value of the depth from the first side surface of the intermediate layer of the release carrier is 0.6 or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이다.In one embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention is thermally crimped under the conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C. for 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate from the metal layer side. The carrier is peeled off from the adhered metal foil in accordance with JIS C 6471, and is spaced from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier at 5 mm intervals in the width direction (TD direction) and at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction). 5 positions, from when subjected to the depth direction analysis by XPS for a total of 10 points, the 10 locations of the release carrier to SiO 2 equivalent to the time the oxygen is less than 10at% of the first intermediate layer-side surface of the The average value of depth is 0.5 nm or more and 30 nm or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다.In one embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention is thermally crimped under the conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C. for 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate from the metal layer side. The carrier is peeled off from the adhered metal foil in accordance with JIS C 6471, and is spaced from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier at 5 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction). 5 positions, from when subjected to the depth direction analysis by XPS for a total of 10 points, the 10 locations of the release carrier to SiO 2 equivalent to the time the oxygen is less than 10at% of the first intermediate layer side surface of the The standard deviation / mean value of the depth is 0.6 or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 캐리어를 박리함으로써 노출시킨 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 300nm 이하이다.The metal foil with a carrier of this invention is 1st intermediate | middle layer of the said metal layer of the said metal layer with a carrier which peeled the said carrier from the metal foil with a carrier based on JIS C 6471, and exposed by peeling the said carrier in a further another embodiment. When the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction), and 5 places at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction) from the side surface, the said 10 places of Cr Surface of the first intermediate layer side of the metal layer in terms of SiO 2 until the total concentration of, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al is 5 at% or less The average value of the depth from is 0.5 nm or more and 300 nm or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 캐리어를 박리함으로써 노출시킨 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다.The metal foil with a carrier of this invention is 1st intermediate | middle layer of the said metal layer of the said metal layer with a carrier which peeled the said carrier from the metal foil with a carrier based on JIS C 6471, and exposed by peeling the said carrier in a further another embodiment. When the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction), and 5 places at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction) from the side surface, the said 10 places of Cr Standard of the depth from the surface of the metal layer in terms of SiO 2 until the total concentration of, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al is 5 at% or less The deviation / average value is 0.6 or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층이 크로메이트 처리층을 포함한다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the first intermediate layer includes a chromate treated layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층이 추가로 구리를 포함한다.In one Embodiment with another metal foil with a carrier of this invention, the said 1st intermediate | middle layer contains copper further.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층이 추가로 아연을 포함한다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the first intermediate layer further contains zinc.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터, 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 깊이의 범위에 있어서의 Cu 농도 최대값의 평균값이 15at% 이하이다.In another embodiment, the metal foil with a carrier according to the present invention has a maximum Cu concentration in a range of depth in terms of SiO 2 from the surface of the first intermediate layer side of the carrier until the oxygen is 10 at% or less. The average value of the values is 15 at% or less.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층이 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함한다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the first intermediate layer is made of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al. It includes one or two or more elements selected from.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층이 포함하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소의 합계 부착량이 1000~50000㎍/dm2이다.In another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention may be formed of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al contained in the first intermediate layer. The total adhesion of one or two or more elements selected from the group consisting of is 1000 to 50000 µg / dm 2 .

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어와 상기 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 가진다.In yet another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention has a second intermediate layer between the carrier and the first intermediate layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제2 중간층이 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함한다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the second intermediate layer is made of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. It includes one or two or more elements selected from.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제2 중간층이 포함하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소의 합계 부착량이 1000~50000㎍/dm2이다.In another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention may be formed of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al included in the second intermediate layer. The total adhesion of one or two or more elements selected from the group consisting of is 1000 to 50000 µg / dm 2 .

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층과 상기 금속층 사이에 제3 중간층을 가진다.In yet another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention has a third intermediate layer between the first intermediate layer and the metal layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제3 중간층이 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함한다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the third intermediate layer is made of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al. It includes one or two or more elements selected from.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층이 크로메이트 처리층이고, 또한 Cr의 부착량이 10~50㎍/dm2이다.In one Embodiment with an another metal foil with a carrier of this invention, the said 1st intermediate | middle layer is a chromate treatment layer, and the adhesion amount of Cr is 10-50 microgram / dm <2> .

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어가 Cu계 재질이다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the carrier is a Cu-based material.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속층이 Cu계 도금층이다.In one Embodiment with another metal foil with a carrier of this invention, the said metal layer is a Cu type plating layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 중간층은 캐리어측으로부터 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 바나듐, 또는 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴 및 바나듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 합금 중 어느 1종의 층과, 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층을 이 순서로 갖는다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the first intermediate layer includes nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, vanadium, or nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, and vanadium from the carrier side. It has in this order any layer of any one of the alloys containing at least one element selected from, and a layer containing any one or more of chromium, chromium alloys and chromium oxides.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층이 크로메이트 처리층을 포함한다.In another embodiment of the metal foil with a carrier of the present invention, the layer containing any one or more of the chromium, chromium alloy, and chromium oxide includes a chromate treated layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어가 전해 동박 또는 압연 동박으로 형성되어 있다.In one Embodiment with another metal foil with a carrier of this invention, the said carrier is formed from the electrolytic copper foil or the rolled copper foil.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박이 캐리어의 한쪽 면에 상기 제1 중간층, 상기 금속층을 이 순서로 가지는 경우에 있어서, 상기 금속층측 및 상기 캐리어측의 적어도 한쪽 표면, 또는 양쪽 표면에, 또는,In one Embodiment with the metal foil with a carrier of this invention, when the metal foil with a carrier of this invention has the said 1st intermediate | middle layer and the said metal layer in this order in the said order, the said metal layer side and the said carrier side On at least one surface, or both surfaces, or,

본 발명의 캐리어 부착 금속박이 캐리어의 양쪽 면에 상기 제1 중간층, 상기 금속층을 이 순서로 가지는 경우에 있어서, 상기 한쪽 또는 양쪽 금속층측의 표면에,When the metal foil with a carrier of the present invention has the first intermediate layer and the metal layer on both sides of the carrier in this order, on the surface of the one or both metal layers,

조화(粗化) 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 가진다.It has at least 1 type selected from the group which consists of a roughening process layer, a heat resistant layer, a rustproof layer, a chromate treated layer, and a silane coupling process layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층이 구리, 니켈, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬, 철, 바나듐, 코발트 및 아연으로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나의 단체 또는 어느 1종 이상을 포함하는 합금으로 이루어지는 층이다.In another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention is any one selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt, and zinc in the roughened layer. Or it is a layer which consists of an alloy containing any 1 or more types.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속층 위에 수지층을 구비한다.In one embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention includes a resin layer on the metal layer.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층 위에 수지층을 구비한다.In another embodiment, the metal foil with a carrier of the present invention includes a resin layer on at least one layer selected from the group consisting of the roughened layer, the heat resistant layer, the rustproof layer, the chromate treated layer, and the silane coupling treated layer. .

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 구비한 적층체이다.This invention is another one side. WHEREIN: It is a laminated body provided with the metal foil with a carrier of this invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박과 수지를 포함하는 적층체로서, 상기 캐리어 부착 금속박의 단면의 일부 또는 전부가 상기 수지로 덮여있는 적층체이다.This invention is another one side. WHEREIN: The laminated body containing the metal foil with a carrier of this invention, and resin is a laminated body in which one part or all part of the cross section of the said metal foil with carrier is covered with the said resin.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 하나의 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 상기 캐리어측으로부터 다른 하나의 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 캐리어 측에 적층한 적층체이다.This invention is another one side. WHEREIN: It is the laminated body which laminated | stacked the metal foil with a carrier of one invention on the carrier side of the metal foil with a carrier of another this invention from the said carrier side.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법이다.This invention is another one side. WHEREIN: The manufacturing method of the printed wiring board using the metal foil with a carrier of this invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 적층체를 이용한 프린트 배선판의 제조 방법이다.This invention is another one side. WHEREIN: The manufacturing method of the printed wiring board using the laminated body of this invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 방법으로 제조된 프린트 배선판을 이용한 전자기기의 제조 방법이다.This invention is another one side. WHEREIN: The manufacturing method of the electronic device using the printed wiring board manufactured by the method of this invention.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 적층체 표면에 수지층과 회로의 2층을 적어도 1회 마련하는 공정, 및This invention is another one side. WHEREIN: The process of providing the resin layer and the circuit two layers at least 1 time on the laminated body surface of this invention, and

상기 수지층 및 회로의 2층을 적어도 1회 형성한 후, 상기 적층체의 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 금속층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.After forming two layers of the said resin layer and a circuit at least once, it is a manufacturing method of the printed wiring board including the process of peeling the said metal layer from the metal foil with a carrier of the said laminated body.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,This invention is another one side. WHEREIN: The process of preparing the metal foil with a carrier of this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 및Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate, and

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, a copper clad laminated board is formed through the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

그 후, 세미 애디티브(semi additive)법, 서브트랙티브(subtractive)법, 부분적 애디티브(partly additive)법 또는 모디파이드 세미애디티브(Modified Semi Additive)법 중 어느 하나의 방법에 따라 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.Subsequently, the circuit is formed according to any one of a semi additive method, a subtractive method, a partially additive method, or a modified semi additive method. It is a manufacturing method of the printed wiring board containing the process of doing.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,This invention is another one side. WHEREIN: The process of forming a circuit in the said metal layer side surface or the said carrier side surface of the metal foil with a carrier of this invention,

상기 회로가 매몰하도록 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정,Forming a resin layer on the metal layer side surface or the carrier side surface of the metal foil with a carrier such that the circuit is buried;

상기 수지층을 형성한 후, 상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시키는 공정, 및After forming the resin layer, the step of peeling the carrier or the metal layer, and

상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시킨 후, 상기 금속층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정Exfoliating the carrier or the metal layer, and then exposing the circuit buried in the resin layer formed on the metal layer side surface or the carrier side surface by removing the metal layer or the carrier.

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of the printed wiring board containing a.

본 발명은 또 다른 일측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정,This invention is another one side. WHEREIN: The process of laminating | stacking the said metal layer side surface or the said carrier side surface, and the resin substrate of the metal foil with a carrier of this invention,

상기 캐리어 부착 금속박의 수지 기판과 적층한 측은 반대측 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층과 회로의 2층을 적어도 1회 형성하는 공정, 및The side laminated | stacked with the resin substrate of the said metal foil with a carrier is a process of forming two layers of a resin layer and a circuit on the opposite metal layer side surface or the said carrier side surface at least once, and

상기 수지층 및 회로의 2층을 형성한 후, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시키는 공정After forming two layers of the said resin layer and a circuit, the process of peeling the said carrier or the said metal layer from the said copper foil with a carrier

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of the printed wiring board containing a.

본 발명에 의하면, 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어와 금속층의 밀착력이 높은 반면, 절연 기판에 대한 적층 공정에 의한 캐리어와 금속층의 밀착성의 극단적인 상승이나 저하가 없고, 캐리어/금속층에서 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수 있다.According to the present invention, the adhesion between the carrier and the metal layer is high before the lamination process on the insulated substrate, but there is no extreme increase or decrease in the adhesion between the carrier and the metal layer by the lamination process on the insulated substrate, and it is easy to peel off from the carrier / metal layer. The metal foil with a carrier which can be provided can be provided.

도 1의 A~C는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예와 관련된 회로 도금·레지스트 제거까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 2의 D~F는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예와 관련된 수지 및 2층째 캐리어 부착 동박 적층으로부터 레이저 구멍 뚫기까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 3의 G~I는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예와 관련된 비어 필 형성으로부터 1층째 캐리어 박리까지의 공정에서의 배선판 단면 모식도이다.
도 4의 J~K는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예와 관련된 플래시 에칭으로부터 범프·구리 필러 형성까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 5는 실시예 17A의 일부 샘플의 캐리어 제1 중간층측 표면의 기판 맞붙임 후의 두께 방향의 STEM 선분석 결과이다.
도 6은 회로 패턴의 폭방향 횡단면의 모식도와 상기 모식도를 이용한 부식 계수 계산방법의 개략도이다.
도 7은 실시예 15B의 일부 샘플의 캐리어의 제1 중간층측 표면의 기판 맞붙임 전의 깊이 방향의 XPS 분석 결과이다.1: C is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process to the circuit plating and resist removal concerning the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
2: D is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process from the resin and 2nd layer copper foil laminated with a carrier to laser perforation which concerns on the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
3: G-I is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process from via peel formation to 1st layer carrier peeling which concerns on the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
4: J-K is a schematic diagram of the wiring board cross section in the process from the flash etching to bump-copper filler formation which concerns on the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention.
5 is a STEM line analysis result of the thickness direction after substrate bonding of the carrier first intermediate layer side surface of some samples of Example 17A.
6 is a schematic diagram of a cross-sectional view in the width direction of a circuit pattern and a method of calculating a corrosion coefficient using the schematic diagram.
7 is an XPS analysis result in the depth direction before bonding of the substrate on the first intermediate layer side surface of the carrier of some samples of Example 15B.

＜캐리어＞<Carrier>

본 발명에 이용할 수 있는 캐리어는 일반적으로 금속박으로서, 예를 들면 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 티탄박 및 티탄 합금박, 수지 필름, 절연 수지 필름, 폴리이미드 필름, LCD 필름 등의 형태로 제공된다.Carriers usable in the present invention are generally metal foils, for example, copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum alloy foil, titanium foil and titanium alloy. It is provided in the form of foil, resin film, insulated resin film, polyimide film, LCD film and the like.

본 발명에 이용할 수 있는 금속박은 원료 비용의 관점에서 구리계 재료, 바람직하게는 구리재가 바람직하다. 여기서, 구리계 재료란 구리를 포함하는 재료, 예를 들면 구리를 포함하는 금속박을 의미한다. 또한, 구리계 재료란 바람직하게는 구리를 50질량% 이상 포함하는 금속박, 보다 바람직하게는 구리를 60질량% 이상 포함하는 금속박, 보다 바람직하게는 구리를 70질량% 이상 포함하는 금속박, 보다 바람직하게는 구리를 80질량% 이상 포함하는 금속박, 보다 바람직하게는 구리를 90질량% 이상 포함하는 금속박이다. 또한, 구리재란 구리를 주성분으로 하는 재료를 의미한다. 그리고, 구리계 재료 또는 구리재 등의 재료는 일반적으로 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스 드럼상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성가공과 열처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로는 터프 피치 구리(JIS　H3100　합금번호 C1100)나 무산소 구리(JIS　H3100　합금번호 C1020 또는 JIS　H3510　합금번호 C1011)라고 하는 고순도의 구리 외에, 예를 들면 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 콜슨계 구리합금과 같은 구리합금도 사용 가능하다. 또한, 본 명세서에서 용어 '구리박'을 단독으로 사용했을 때에는 구리 합금박도 포함하는 것으로 한다.As for the metal foil which can be used for this invention, a copper type material, Preferably a copper material is preferable from a raw material cost viewpoint. Here, a copper type material means the material containing copper, for example, metal foil containing copper. The copper-based material is preferably a metal foil containing 50% by mass or more of copper, more preferably a metal foil containing 60% by mass or more of copper, more preferably a metal foil containing 70% by mass or more of copper, more preferably Is metal foil containing 80 mass% or more of copper, More preferably, it is metal foil containing 90 mass% or more of copper. In addition, a copper material means the material which has copper as a main component. And materials, such as a copper type material or a copper material, are generally provided in the form of a rolled copper foil or an electrolytic copper foil. Generally, electrolytic copper foil is manufactured by electrolytically depositing copper on a titanium or stainless steel drum from a copper sulfate plating bath, and a rolled copper foil is manufactured by repeating plastic processing and heat processing by a rolling roll. Examples of the copper foil include, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Cr, other than high-purity copper such as tough pitch copper (JIS # H3100 alloy number C1100) and oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011). Copper alloys, such as copper alloys containing Zr, Mg, and the like, and Coleson-based copper alloys containing Ni and Si, may also be used. In addition, when the term "copper foil" is used alone in this specification, a copper alloy foil shall also be included.

본 발명에 이용할 수 있는 캐리어 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 다하면서 적합한 두께로 적절히 조절하면 좋고, 예를 들면 5㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 너무 두꺼우면 생산 비용이 높아지므로, 일반적으로는 35㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 8~150㎛이고, 보다 전형적으로는 8~120㎛이며, 보다 전형적으로는 8~70㎛이고, 보다 전형적으로는 12~70㎛이며, 보다 전형적으로는 18~35㎛이다. 또한, 원료 비용을 절감하는 관점에서 캐리어 두께는 얇은 것이 바람직하다. 그 때문에, 캐리어의 두께는 전형적으로는 5㎛ 이상 35㎛ 이하이고, 바람직하게는 5㎛ 이상 18㎛ 이하이며, 바람직하게는 5㎛ 이상 12㎛ 이하이고, 바람직하게는 5㎛ 이상 11㎛ 이하이며, 바람직하게는 5㎛ 이상 10㎛ 이하이다. 또한, 캐리어의 두께가 얇은 경우에는, 캐리어의 통박 시에 접힌 주름이 생기기 쉽다. 주름이 접히는 것을 방지하기 위해, 예를 들면 캐리어 부착 금속박 제조 장치의 반송 롤을 평활하게 하는 것이나, 반송 롤과 그 다음 반송 롤의 거리를 짧게 하는 것이 유효하다. 또한, 프린트 배선판의 제조 방법 중 하나인 매립 공법(임베디드법(Enbedded　Process))에 캐리어 부착 금속박이 이용되는 경우에는, 캐리어의 강성이 높은 것이 필요하다. 그 때문에, 매립 공법에 이용하는 경우에는, 캐리어 두께는 18㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 25㎛ 이상 150㎛ 이하인 것이 바람직하며, 35㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 35㎛ 이상 70㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular also about the carrier thickness which can be used for this invention, What is necessary is just to adjust suitably to a suitable thickness, playing a role as a carrier, for example, it can be made into 5 micrometers or more. However, when too thick, production cost will become high and it is generally desirable to set it as 35 micrometers or less. Thus, the thickness of the carrier is typically 8-150 μm, more typically 8-120 μm, more typically 8-70 μm, more typically 12-70 μm, more typically 18 ˜35 μm. In addition, the carrier thickness is preferably thin from the viewpoint of reducing the raw material cost. Therefore, the thickness of the carrier is typically 5 µm or more and 35 µm or less, preferably 5 µm or more and 18 µm or less, preferably 5 µm or more and 12 µm or less, preferably 5 µm or more and 11 µm or less. Preferably, they are 5 micrometers or more and 10 micrometers or less. In addition, when the thickness of the carrier is thin, wrinkles that are folded at the time of carrier thinness are likely to occur. In order to prevent wrinkles from collapsing, it is effective to smooth the conveyance roll of the metal foil manufacturing apparatus with a carrier, for example, and to shorten the distance of a conveyance roll and a following conveyance roll. Moreover, when the metal foil with a carrier is used for the embedding method (embedded process) which is one of the manufacturing methods of a printed wiring board, it is necessary for the rigidity of a carrier to be high. Therefore, when used for the embedding method, the carrier thickness is preferably 18 µm or more and 300 µm or less, preferably 25 µm or more and 150 µm or less, preferably 35 µm or more and 100 µm or less, and 35 µm or more and 70 µm or less. More preferred.

또한, 캐리어의 금속층을 형성하는 측의 표면과는 반대측 표면에 조화 처리층을 마련해도 좋다. 상기 조화 처리층을 공지의 방법을 이용하여 마련해도 좋고, 후술하는 조화 처리에 의해 마련해도 좋다. 캐리어의 금속층을 마련하는 측의 표면과는 반대측 표면에 조화 처리층을 마련하는 것은, 캐리어를 상기 조화 처리층을 가지는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 잘 박리되지 않는다고 하는 이점을 가진다.Moreover, you may provide a roughening process layer in the surface on the opposite side to the surface of the side which forms the metal layer of a carrier. The said roughening process layer may be provided using a well-known method, and may be provided by the roughening process mentioned later. Providing a roughening process layer on the surface on the opposite side to the surface on which the metal layer of a carrier is provided is good at peeling a carrier and a resin substrate, when laminating | stacking a carrier to support bodies, such as a resin substrate, from the surface side which has the said roughening process layer. It has the advantage of not being.

이하, 캐리어로서 전해 동박을 사용하는 경우의 제조 조건의 일례를 나타낸다.Hereinafter, an example of the manufacturing conditions at the time of using an electrolytic copper foil as a carrier is shown.

＜전해액 조성＞<Electrolyte composition>

구리：90~110 g/LCopper: 90-110 g / L

황산：90~110 g/LSulfuric acid: 90-110 g / L

염소：50~100 ppmChlorine: 50-100 ppm

레벨링제 1(비스(3설포프로필)디설파이드)：10~30 ppmLeveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10-30 ppm

레벨링제 2(아민 화합물)：10~30 ppmLeveling agent 2 (amine compound): 10-30 ppm

상기 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 이용할 수 있다.The amine compound of the following formula can be used for the said amine compound.

또한, 본 발명에 이용되는 전해, 표면 처리, 또는 도금 등에 이용되는 처리액의 잔부는 특별히 명기하지 않는 한 물이다.In addition, unless otherwise indicated, remainder of the process liquid used for electrolysis, surface treatment, plating, etc. used for this invention is water.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112016094837866-pat00001
Figure 112016094837866-pat00001

(상기 화학식 중, R1 및 R2는 히드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 하나의 군으로부터 선택되는 것이다.)(In the formula, R 1 and R 2 are selected from the group consisting of hydroxyalkyl group, ether group, aryl group, aromatic substituted alkyl group, unsaturated hydrocarbon group, alkyl group.)

＜제조 조건＞<Manufacturing conditions>

전류 밀도：70~100 A/dm2 Current density: 70-100 A / dm 2

전해액 온도：50~60℃Electrolyte temperature: 50-60 degrees Celsius

전해액 선속：3~5 m/secElectrolyte flux: 3-5m / sec

전해 시간：0.5~10분간Delivery time: 0.5-10 minutes

＜제1 중간층＞<First intermediate layer>

캐리어의 한 면 또는 양면 위에는 제1 중간층을 마련한다. 이와 같이, 캐리어는 금속층을 가지는 면과는 반대측 면에, 추가로 제1 중간층 및 금속층을 이 순서대로 가져도 좋다.The first intermediate layer is provided on one side or both sides of the carrier. Thus, the carrier may further have the first intermediate layer and the metal layer in this order on the side opposite to the surface having the metal layer.

본 발명에서 이용하는 제1 중간층은 산소를 포함할 필요가 있다. 제1 중간층에 산소가 포함되어 있으면, 제1 중간층에서 캐리어 성분이나 금속층 성분의 확산이 억제되고, 캐리어/금속층에서 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수 있다.The first intermediate layer used in the present invention needs to contain oxygen. When oxygen is contained in a 1st intermediate | middle layer, the diffusion of a carrier component and a metal layer component can be suppressed in a 1st intermediate | middle layer, and the metal foil with a carrier which can peel easily from a carrier / metal layer can be provided.

또한, 제1 중간층은 산소와 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 1종 또는 2종 이상의 원소나 합금 또는 유기물을 포함하는 것이 바람직하다.In addition, the first intermediate layer is one or two or more elements, alloys or organics from the group consisting of oxygen and Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. It is preferable to include.

또한, 제1 중간층은 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층인 것이 바람직하다. 또한, 상술한 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층은 크로메이트 처리층을 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a 1st intermediate | middle layer is a layer containing any 1 or more types of chromium, chromium alloy, and chromium oxide. Moreover, it is preferable that the layer containing any 1 or more types of the above-mentioned chromium, chromium alloy, and chromium oxide contains a chromate treatment layer.

또한, 제1 중간층은, 캐리어측으로부터 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 1종 또는 2종 이상의 원소나 합금 또는 유기물을 포함하는 층과 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층을 이 순서대로 가지는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층은 크로메이트 처리층을 포함하는 것이 바람직하다.The first intermediate layer is one or two or more elements or alloys from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al from the carrier side. Or it is preferable to have the layer containing organic substance, and the layer containing any 1 or more types of chromium, a chromium alloy, and the oxide of chromium in this order. Moreover, it is preferable that the layer containing any 1 or more types of the above-mentioned chromium, chromium alloy, and chromium oxide contains a chromate treatment layer.

산소를 포함하는 제1 중간층을 가지기 위해서는, 각 금속을 대기 산화, 대기 가열 및 양극 산화 등으로 산화시키는 방법이나(제1 중간층 형성 후에 산화), 미리 산소를 가지는 제1 중간층을 형성해도 좋다. 또한, 각 공정의 처리 조건은 각 공정에 적합한 조건이 적용된다.In order to have a 1st intermediate | middle layer containing oxygen, you may oxidize each metal by atmospheric oxidation, atmospheric heating, and anodizing (oxidation after formation of a 1st intermediate | middle layer), or you may form the 1st intermediate | middle layer which has oxygen previously. In addition, the processing conditions of each process apply conditions suitable for each process.

또한, 제1 중간층은 크로메이트 처리층을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 크롬 도금은 표면에 치밀한 크롬 산화물층을 형성하기 때문에, 전기 도금으로 금속박을 형성할 때에 전기 저항이 상승하고, 핀 홀이 쉽게 발생할 우려가 있다. 크로메이트 처리층을 형성한 표면은, 크롬 도금에 비해 치밀하지 않은 크롬 산화물층이 형성되기 때문에, 표면 처리박을 전기 도금으로 형성할 때 잘 저항이 생기지 않고, 핀 홀을 감소시킬 수 있다. 여기서, 크로메이트 처리층으로서 아연 크로메이트 처리층을 형성함으로써, 금속박을 전기 도금으로 형성할 때의 저항이 통상의 크로메이트 처리층보다 낮아지고, 핀 홀의 발생을 더 억제할 수 있다. 또한, 캐리어로서 전해 동박을 사용하는 경우에는, 핀 홀을 감소시키는 관점에서 광택면에 제1 중간층을 형성하는 것이 바람직하다.Moreover, as for a 1st intermediate | middle layer, it is more preferable to form a chromate treatment layer. Since chromium plating forms a dense chromium oxide layer on the surface, when forming metal foil by electroplating, there exists a possibility that an electrical resistance may rise and a pinhole may arise easily. The surface on which the chromate treatment layer is formed is formed with a chromium oxide layer that is not as dense as that of chromium plating, so that resistance is less likely to occur when the surface treatment foil is formed by electroplating, and pinholes can be reduced. Here, by forming a zinc chromate treatment layer as a chromate treatment layer, the resistance at the time of forming metal foil by electroplating becomes lower than a normal chromate treatment layer, and generation | occurrence | production of a pinhole can further be suppressed. In addition, when using an electrolytic copper foil as a carrier, it is preferable to form a 1st intermediate | middle layer in a gloss surface from a viewpoint of reducing a pinhole.

또한, 제1 중간층에 Cu를 포함하고 있으면, 캐리어/금속층 계면에서의 박리 강도를 조정하기 쉬워지기 때문에 바람직하다. 단, Cu는 캐리어가 Cu계인 경우, 제1 중간층이 산계 용액인 경우 침지했을 때, 제1 중간층을 형성하는 측의 면과는 반대측 면의 Cu가 용해한다. 그 때문에 Cu 농도의 관리는 매우 중요하다.Moreover, when Cu is contained in a 1st intermediate | middle layer, since peeling strength in a carrier / metal layer interface becomes easy to adjust, it is preferable. However, when Cu is immersed when a carrier is Cu system and a 1st intermediate | middle layer is an acidic solution, Cu on the opposite side to the surface on the side which forms a 1st intermediate | middle layer melt | dissolves. Therefore, management of Cu concentration is very important.

또한, 제1 중간층은 추가로 아연을 포함하고 있는 것이 바람직하다. 제1 중간층에 아연을 포함하고 있으면, 캐리어/금속층 계면에서의 박리 강도를 조정하기 쉬워진다. 또한, 아연을 제1 중간층 형성 용액에 첨가하면 제1 중간층을 제어하기 쉽다.Moreover, it is preferable that a 1st intermediate | middle layer contains zinc further. When zinc is contained in a 1st intermediate | middle layer, it becomes easy to adjust the peeling strength in a carrier / metal layer interface. In addition, when zinc is added to the first intermediate layer forming solution, it is easy to control the first intermediate layer.

여기서, 크로메이트 처리층이란, 무수 크롬산, 크롬산, 중크롬산, 크롬산염 또는 중크롬산염을 포함하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소(금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태여도 좋다)를 포함해도 좋다. 크로메이트 처리층의 구체예로는, 순크로메이트 처리층이나 아연 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다. 본 발명에서는, 무수 크롬산 또는 중크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층을 순크로메이트 처리층이라고 한다. 또한, 본 발명에서는 무수 크롬산 또는 중크롬산칼륨 및 아연을 함유하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층을 아연 크로메이트 처리층이라고 한다.Here, the chromate treated layer means a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. The chromate treated layer contains elements such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic, and titanium (any form such as metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.). You may also As a specific example of a chromate treatment layer, a forward chromate treatment layer, a zinc chromate treatment layer, etc. are mentioned. In the present invention, the chromate treated layer treated with anhydrous chromic acid or potassium dichromate aqueous solution is referred to as a pure chromate treated layer. In the present invention, the chromate treatment layer treated with the treatment liquid containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc is referred to as zinc chromate treatment layer.

또한, 제1 중간층은, 예를 들면 전해 크로메이트나 침지 크로메이트 등으로 형성할 수 있다. 또한, 제1 중간층을 한 면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다.In addition, a 1st intermediate | middle layer can be formed, for example by electrolytic chromate, immersion chromate, etc. In addition, when forming a 1st intermediate | middle layer only in one surface, it is preferable to form antirust layer, such as Ni plating layer, on the opposite surface of a carrier.

＜금속층＞<Metal layer>

제1 중간층 위에는 금속층을 마련한다. 또한, 제1 중간층과 금속층 사이에는 다른 층을 형성해도 좋다. 금속층에는 각 목적에 맞추어 원소로 구성되는 것이 바람직하고, 예를 들면 Cu계 도금층을 이용해도 좋다. 여기서, Cu계 도금층이란, 구리를 포함하는 도금층이다. Cu계 도금층은 구리를 50질량% 이상 포함하는 도금층인 것이 바람직하고, 구리를 60질량% 이상 포함하는 도금층인 것이 바람직하며, 구리를 70질량% 이상 포함하는 도금층인 것이 바람직하고, 구리를 80질량% 이상 포함하는 도금층인 것이 바람직하며, 구리를 90질량% 이상 포함하는 도금층인 것이 바람직하다.A metal layer is provided on the first intermediate layer. In addition, another layer may be formed between the first intermediate layer and the metal layer. It is preferable that it is comprised from an element according to each objective for a metal layer, for example, you may use a Cu type plating layer. Here, a Cu type plating layer is a plating layer containing copper. It is preferable that it is a plating layer containing 50 mass% or more of copper, It is preferable that it is a plating layer containing 60 mass% or more of copper, It is preferable that it is a plating layer containing 70 mass% or more of copper, 80 masses of copper It is preferable that it is a plating layer containing% or more, and it is preferable that it is a plating layer containing 90 mass% or more of copper.

또한, 금속층은 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함해도 좋다. 또한, 금속층은 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소로 이루어지는 금속층이어도 좋다.In addition, the metal layer may contain at least one element selected from the group of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. The metal layer may be a metal layer made of one or more elements selected from the group of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al.

또한, 금속층은 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 바나듐, 또는 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴 및 바나듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 합금 중 어느 1종의 층을 포함해도 좋고, 크롬 및 크롬 합금 중 어느 1종 이상을 포함하는 층을 포함해도 좋다. 또한, 금속층은 복수의 층, 예를 들면 상술한 층을 복수 갖고 있어도 좋다.Further, the metal layer includes any one layer of nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, vanadium, or an alloy containing at least one element selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, and vanadium. You may include the layer containing any 1 or more types of chromium and a chromium alloy. In addition, the metal layer may have a plurality of layers, for example, a plurality of the above-described layers.

금속층이 극박 구리층인 경우, 상기 극박 구리층은 황산구리, 피로인산구리, 술팜산구리, 시안화구리 등의 전해욕을 이용한 전기 도금으로 형성할 수 있다. 일반적인 전해 동박으로 사용되고, 고전류 밀도에서의 동박 형성이 가능한 점으로부터, 황산구리욕을 이용한 전기 도금으로 극박 구리층을 형성하는 것이 바람직하다. 극박 구리층의 두께는 특히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들면 12㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5~12㎛이고, 보다 전형적으로는 1~5㎛, 더욱 전형적으로는 1.5~5㎛, 더욱 전형적으로는 2~5㎛이다. 또한, 캐리어의 양면에 금속층을 형성해도 좋다.When the metal layer is an ultrathin copper layer, the ultrathin copper layer may be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, or copper cyanide. It is preferable to form an ultra-thin copper layer by electroplating using a copper sulfate bath from the point which is used with general electrolytic copper foil and copper foil formation at high current density is possible. Although the thickness of an ultra-thin copper layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, it is thinner than a carrier and is 12 micrometers or less, for example. Typically it is 0.5-12 micrometers, More typically, it is 1-5 micrometers, More typically, it is 1.5-5 micrometers, More typically, it is 2-5 micrometers. In addition, you may form a metal layer on both surfaces of a carrier.

＜제2 중간층＞<Second intermediate layer>

본 발명의 캐리어 부착 금속박은, 캐리어와 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 가지는 것이 바람직하다. 제2 중간층에 의해, 캐리어 성분이나 금속층 성분의 확산이 보다 억제되고, 캐리어 및 제1 중간층 사이에서 보다 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수 있다.It is preferable that the metal foil with a carrier of this invention has a 2nd intermediate | middle layer between a carrier and a 1st intermediate | middle layer. By the 2nd intermediate | middle layer, the diffusion of a carrier component and a metal layer component can be suppressed more, and the metal foil with a carrier which can peel easily between a carrier and a 1st intermediate | middle layer can be provided.

제2 중간층은, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that a 2nd intermediate | middle layer contains 1 type, or 2 or more types of elements from the group which consists of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al.

＜제3 중간층＞<Third intermediate layer>

본 발명의 캐리어 부착 금속박은, 제1 중간층과 금속층 사이에 제3 중간층을 가지는 것이 바람직하다. 제3 중간층에 의해, 캐리어 성분이나 금속층 성분의 확산이 보다 억제되고, 캐리어와 제1 중간층 사이에서 보다 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수 있다. 또한, 캐리어 부착 금속박을 금속층 측으로부터 수지로 적층하고, 그 후 캐리어 부착 금속박으로부터 금속층을 박리했을 때, 제3 중간층은 금속층의 캐리어측 표면에 잔존한다. 그 때문에, 제3 중간층에 레이저 흡수성이 양호한 원소를 이용한 경우, 상기 금속층의 캐리어측 표면으로부터 레이저를 이용하여 가공할 때에 레이저의 흡수성이 향상하고, 레이저 가공성이 향상하기 때문에 바람직하다.It is preferable that the metal foil with a carrier of this invention has a 3rd intermediate | middle layer between a 1st intermediate | middle layer and a metal layer. By the 3rd intermediate | middle layer, the diffusion of a carrier component and a metal layer component can be suppressed more, and the metal foil with a carrier which can peel more easily between a carrier and a 1st intermediate | middle layer can be provided. Moreover, when the metal foil with a carrier is laminated | stacked with resin from the metal layer side, and the metal layer is peeled from the metal foil with a carrier after that, the 3rd intermediate | middle layer remains on the carrier side surface of a metal layer. Therefore, when the element with favorable laser absorptivity is used for a 3rd intermediate | middle layer, since the absorption of a laser improves and the laser workability improves when processing using a laser from the carrier side surface of the said metal layer, it is preferable.

제3 중간층은, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하는 것이 바람직하다. 캐리어 성분이나 금속층 성분의 확산이 보다 억제되고, 캐리어와 제1 중간층 사이에서 보다 쉽게 박리할 수 있는 캐리어 부착 금속박을 제공할 수가 있는 동시에, 금속층의 레이저 가공성이 향상하기 때문이다.It is preferable that a 3rd intermediate | middle layer contains 1 type, or 2 or more types of elements from the group which consists of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al. This is because diffusion of the carrier component and the metal layer component can be more suppressed, and a metal foil with a carrier which can be peeled off more easily between the carrier and the first intermediate layer can be provided, and the laser workability of the metal layer is improved.

Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하는 제2 중간층 및 제3 중간층은, 예를 들면 전기 도금, 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금, 혹은 스퍼터링, CVD 및 PDV와 같은 건식 도금에 의해 형성할 수 있다. 비용의 관점에서 전기 도금이 바람직하다. 또한, 캐리어가 수지 필름인 경우에는, CVD 및 PDV와 같은 건식 도금 또는 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금에 의해 제2 중간층 및 제3 중간층을 형성할 수 있다.The second intermediate layer and the third intermediate layer containing one or two or more elements of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al are, for example It may be formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or by dry plating such as sputtering, CVD and PDV. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost. In addition, when the carrier is a resin film, the second intermediate layer and the third intermediate layer can be formed by dry plating such as CVD and PDV or wet plating such as electroless plating and immersion plating.

＜캐리어 부착 금속박＞<Metal foil with carrier>

본 발명의 캐리어 부착 금속박은, 캐리어, 제1 중간층, 금속층을 이 순서대로 가진다. 또한 제2 중간층을 캐리어/제1 중간층 사이에, 또 제3 중간층을 제1 중간층/금속층 사이에 가지고 있어도 좋다. 캐리어 부착 금속박 자체의 사용 방법은 당업자에게 주지의 것이지만, 예를 들면 금속층 표면을 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름 등의 절연 기판에 맞붙여 열압착 후에 캐리어를 벗기고, 절연 기판에 접착한 금속층을 목적으로 하는 도체 패턴으로 에칭하여, 최종적으로 프린트 배선판을 제조할 수가 있다.The metal foil with a carrier of this invention has a carrier, a 1st intermediate | middle layer, and a metal layer in this order. Further, the second intermediate layer may be provided between the carrier / first intermediate layer and the third intermediate layer between the first intermediate layer / metal layer. The use method of the metal foil itself with a carrier is well known to those skilled in the art, but for example, the surface of the metal layer may be a paper-based phenol resin, a paper-based epoxy resin, a synthetic fiber cloth-based epoxy resin, a glass cloth-paper composite base epoxy resin, a glass cloth or a glass nonwoven fabric. The carrier is peeled off after bonding to an insulating substrate such as a composite base epoxy resin, a glass cloth base epoxy resin, a polyester film, a polyimide film, and the like after thermal compression, and the metal layer adhered to the insulating substrate is etched with a target conductor pattern. A printed wiring board can be manufactured.

＜제1 중간층, 제2 중간층의 원소 부착량＞<Element adhesion amount of a 1st intermediate | middle layer and a 2nd intermediate | middle layer>

제1 중간층 및/또는 제2 중간층을 구성하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 부착량이 1000~50000㎍/dm2인 것이 바람직하다.1000㎍/dm2 미만이면 제1 중간층 및 제2 중간층이 형성하는 효과가 작고, 캐리어 성분이나 금속층 성분의 확산을 억제하기 어려우며, 적당한 박리 강도를 안정적으로 얻기 어려워질 우려가 있다. 한편, 50000㎍/dm2를 넘으면, 이들 원소에 의한 응력이 커지고 캐리어에 휨이 발생할 우려가 있다. 제1 중간층 및/또는 제2 중간층을 구성하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 부착량은, 보다 바람직하게는 5000~30000㎍/dm2이다.The total adhesion amount of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al constituting the first intermediate layer and / or the second intermediate layer is 1000 to 50000 µg / dm 2 it is preferable if it is .1000㎍ / dm 2 under the effect of the first intermediate layer and second intermediate layer formed is small, it is difficult to suppress the diffusion of the carrier component and the metal component, there is a fear to be difficult to obtain an appropriate peel strength stably . On the other hand, when it exceeds 50000 microgram / dm <2> , the stress by these elements becomes large and there exists a possibility that curvature may arise in a carrier. The total adhesion of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al constituting the first intermediate layer and / or the second intermediate layer is more preferably 5000 to 30000 μg / dm 2 .

제1 중간층이 크로메이트 처리층인 경우에는, Cr의 합계 부착량이 10~50㎍/dm2인 것이 바람직하다.10㎍/dm2 미만이면 크로메이트 처리층을 형성하는 효과가 작은 경우가 있다(박리 강도가 크게 변하지 않는다). 한편, 50㎍/dm2 미만이면 크로메이트 처리층이 두껍고, 금속층의 밀착성이 나쁜 경우도 있다.If the first intermediate layer is in the case of the chromate treatment layer, the total adhesion amount of Cr is 10 ~ 50㎍ / dm 2 of it is less than .10㎍ / dm 2 preferably has the effects of forming the chromate treatment layer is small (peel strength Does not change significantly). On the other hand, when it is less than 50 micrograms / dm <2> , a chromate-treated layer is thick and the adhesiveness of a metal layer may be bad.

＜제3 중간층의 원소 부착량＞<Element Attachment Amount of Third Interlayer>

제3 중간층을 구성하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 부착량이 50~50000㎍/dm2인 것이 바람직하다. 50㎍/dm2 미만이면 제3 중간층이 형성하는 효과가 작아질 우려가 있다. 한편, 50000㎍/dm2를 넘으면, 이들 원소에 의한 응력이 커져서 캐리어에 휨이 발생할 우려가 있다. 제3 중간층을 구성하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 부착량은, 보다 바람직하게는 250~30000㎍/dm2, 더욱 바람직하게는 500~25000㎍/dm2이다.It is preferable that the total adhesion amount of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al constituting the third intermediate layer is 50 to 50000 µg / dm 2 . If it is less than 50 µg / dm 2, the effect that the third intermediate layer forms may be reduced. On the other hand, when it exceeds 50000 microgram / dm <2> , the stress by these elements becomes large and there exists a possibility that a bending may arise in a carrier. The total adhesion of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al constituting the third intermediate layer is more preferably 250 to 30000 µg / dm 2 , More preferably, it is 500-25000 micrograms / dm <2> .

＜캐리어 부착 금속박의 구조＞<Structure of metal foil with carrier>

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 일측면에 있어서, 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 상기 제1 중간층에서 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다. 상기 평균값이 0.5nm 미만이면 박리 강도가 목표보다 높아진다. 상기 평균값이 30nm를 넘는 경우에는 금속층의 밀착성이 나빠지고, 또 박리 강도가 목표보다 낮아지는 등의 문제가 생긴다. 상기 평균값은 바람직하게는 1nm 이상 25nm 이하, 보다 바람직하게는 2nm 이상 20nm 이하, 보다 바람직하게는 3nm 이상 15nm 이하, 바람직하게는 5nm 이상 10nm 이하이다. 또한, 상기 표준 편차/평균값이 0.6을 넘으면 박리 강도의 편차가 커지는 문제가 생긴다. 상기 표준 편차/평균값은 바람직하게는 0.55 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하이다. 상기 표준 편차/평균값의 하한값은 특별히 한정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0 이상, 보다 전형적으로는 0.01 이상, 보다 전형적으로는 0.02 이상, 보다 전형적으로는 0.03 이상, 보다 전형적으로는 0.05 이상이다.In one side, the metal foil with a carrier of this invention attaches the said metal foil with a carrier with respect to five places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and five places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), and total said 10 places When the cross section including a part of the carrier of the metal foil, the first intermediate layer and a part of the metal layer is subjected to preliminary analysis by STEM in the same direction as the thickness direction of the carrier, a portion where the oxygen in the 10 places is 5at% or more in the first intermediate layer. The average value of the thicknesses is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and the standard deviation / average value is 0.6 or less. When the said average value is less than 0.5 nm, peeling strength becomes higher than target. When the said average value exceeds 30 nm, the adhesiveness of a metal layer will worsen and peeling strength will become lower than a target, and there arises a problem. The average value is preferably 1 nm or more and 25 nm or less, more preferably 2 nm or more and 20 nm or less, more preferably 3 nm or more and 15 nm or less, preferably 5 nm or more and 10 nm or less. Moreover, when the said standard deviation / average value exceeds 0.6, the problem of peeling strength will become large. The standard deviation / average value is preferably 0.55 or less, more preferably 0.50 or less, and still more preferably 0.45 or less. The lower limit of the standard deviation / average value is not particularly limited, but is typically at least 0, more typically at least 0.01, more typically at least 0.02, more typically at least 0.03, more typically at least 0.05.

산소가 5at% 이상인 두께 영역에 있어서, Cr이 1at% 이상 존재하는 것이 바람직하다. 산소가 5at% 이상인 두께 영역에 있어서, Cr이 1at% 미만이면, Cr이 존재하는 효과가 작은 경우가 있다(박리 강도가 크게 변하지 않는다).In the thickness region where oxygen is at least 5 at%, Cr is preferably at least 1 at%. In the thickness region where oxygen is 5 at% or more, when Cr is less than 1 at%, the effect of Cr may be small (the peeling strength does not change significantly).

상기 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터, 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 깊이 범위에서의 Cu 농도의 최대값의 평균값이 15at% 이하인 것이 바람직하다. 상기 Cu 농도의 최대 농도의 평균이 15at% 초과이면 박리 강도가 높아지는 경우가 있다.From the first intermediate layer-side surface of the carrier, it is preferred that the oxygen is less than or equal to the average value of the maximum value 15at% of Cu concentration in the depth range in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. Peeling strength may increase that the average of the largest concentration of the said Cu concentration is more than 15 at%.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 상기 제1 중간층에서 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1nm 이상 25nm 이하, 보다 바람직하게는 2nm 이상 20nm 이하, 보다 바람직하게는 3nm 이상 15nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이상 10nm 이하이다. 상기 평균값이 0.5nm 미만이면 박리 강도가 목표보다 높아지는 경우가 있다. 한편, 상기 평균값이 30nm를 넘는 경우에는 금속층의 밀착성이 나빠지고, 또 박리 강도가 목표보다 낮아지는 등의 문제가 생길 우려가 있다.The metal foil with a carrier of this invention heat-compresses the said metal foil with a carrier from the said metal layer side to the insulating board | substrate under the conditions of 20 kgf / cm <2> and 220 degreeC * 2 hours of air | atmosphere, and makes the said metal foil with a carrier width direction (TD direction). 5 parts at 20 mm intervals and 5 locations at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction), and a partial cross section of the carrier, the first intermediate layer and the metal layer of the metal foil with the carrier in the same direction as the thickness direction of the carrier When the line analysis is performed by STEM in the direction, it is preferable that the average value of the thicknesses of the portions in which the oxygen is 5 at% or more in the first intermediate layer is 0.5 nm or more and 30 nm or less, more preferably 1 nm or more and 25 nm or less. Preferably they are 2 nm or more and 20 nm or less, More preferably, they are 3 nm or more and 15 nm or less, More preferably, they are 5 nm or more and 10 nm or less. When the said average value is less than 0.5 nm, peeling strength may become higher than a target. On the other hand, when the said average value exceeds 30 nm, there exists a possibility that the adhesiveness of a metal layer may worsen, and peeling strength may become lower than a target.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은, 상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 상기 제1 중간층에서 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 것이 바람직하다. 상기 표준 편차/평균값이 0.6을 넘으면 박리 강도의 편차가 커지는 문제가 발생할 우려가 있다. 상기 표준 편차/평균값은 바람직하게는 0.55 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하이다. 상기 표준 편차/평균값의 하한값은 특별히 한정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0 이상, 보다 전형적으로는 0.01 이상, 보다 전형적으로는 0.02 이상, 보다 전형적으로는 0.03 이상, 보다 전형적으로는 0.05 이상이다.The metal foil with a carrier of the present invention heat-compresses the metal foil with a carrier from the metal layer side to the insulating substrate under the pressure of 20 kgf / cm 2 under a condition of 220 ° C. × 2 hours, and the metal foil with the carrier in the width direction (TD Direction, part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate layer and part of the metal layer with five locations at 20 mm intervals and 5 locations at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) and the thickness direction of the carrier When linear analysis is performed by STEM in the same direction, it is preferable that the standard deviation / average value of the thickness of the portion in which the oxygen is 10 at least 5 at% in the first intermediate layer is 0.6 or less. If the standard deviation / average value is more than 0.6, there is a concern that a variation in peel strength increases. The standard deviation / average value is preferably 0.55 or less, more preferably 0.50 or less, and still more preferably 0.45 or less. The lower limit of the standard deviation / average value is not particularly limited, but is typically at least 0, more typically at least 0.01, more typically at least 0.02, more typically at least 0.03, more typically at least 0.05.

본 발명의 캐리어 부착 금속박은 다른 일측면에 있어서, 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하이다. 상기 평균값이 0.5nm 미만이면 박리 강도가 목표보다 높아진다. 상기 평균값이 30nm를 넘는 경우에는 금속층의 밀착성이 나빠지고, 또 박리 강도가 목표보다 낮아지는 등의 문제가 생긴다. 상기 평균값은 바람직하게는 1nm 이상 25nm 이하, 보다 바람직하게는 2nm 이상 20nm 이하, 보다 바람직하게는 3nm 이상 15nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이상 10nm 이하이다. 또한, 상기 표준 편차/평균값이 0.6을 넘으면 박리 강도의 편차가 커지는 문제가 생긴다. 상기 표준 편차/평균값은 바람직하게는 0.55 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하이다. 상기 표준 편차/평균값의 하한값은 특별히 한정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0 이상, 보다 전형적으로는 0.01 이상, 보다 전형적으로는 0.02 이상, 보다 전형적으로는 0.03 이상, 보다 전형적으로는 0.05 이상이다.In the other side, the metal foil with a carrier of this invention peels the said carrier from metal foil with a carrier based on JIS C 6471, and spaces 20 mm apart from the said 1st intermediate | middle layer side surface of the said peeled carrier in the width direction (TD direction). In the depth direction analysis by XPS for 5 places and 10 places at intervals of 20 places in the length direction (MD direction) in total, the conversion of SiO 2 until the oxygen of 10 places became 10 at% or less. Therefore, the average value of the depth from the said 1st intermediate | middle layer side surface of the said peeled carrier is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and the standard deviation / average value is 0.6 or less. When the said average value is less than 0.5 nm, peeling strength becomes higher than target. When the said average value exceeds 30 nm, the adhesiveness of a metal layer will worsen and peeling strength will become lower than a target, and there arises a problem. Preferably the said average value is 1 nm or more and 25 nm or less, More preferably, they are 2 nm or more and 20 nm or less, More preferably, they are 3 nm or more and 15 nm or less, More preferably, they are 5 nm or more and 10 nm or less. Moreover, when the said standard deviation / average value exceeds 0.6, the problem of peeling strength will become large. The standard deviation / average value is preferably 0.55 or less, more preferably 0.50 or less, and still more preferably 0.45 or less. The lower limit of the standard deviation / average value is not particularly limited, but is typically at least 0, more typically at least 0.01, more typically at least 0.02, more typically at least 0.03, more typically at least 0.05.

또한, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.2nm 이상 10nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 평균값이 0.2nm 미만이면 Cr이 존재하는 효과가 작은 경우가 있다(박리 강도가 크게 변하지 않는다). 한편, 상기 평균값이 10nm를 넘는 경우에는 금속층의 밀착성이 나빠지고, 또 박리 강도가 목표보다 낮아지는 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 상기 평균값은 보다 바람직하게는 0.5nm 이상 9nm 이하, 보다 바람직하게는 1nm 이상 8nm 이하, 보다 바람직하게는 2nm 이상 7nm 이하, 보다 바람직하게는 2.5nm 이상 5nm 이하이다.Furthermore, the said carrier is peeled from the said metal foil with a carrier based on JIS C 6471, and it is 5 places and a longitudinal direction (MD direction) by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction) from the said 1st intermediate | middle layer side surface of the said peeled carrier. The first intermediate layer of the peeled carrier in terms of SiO 2 until the Cr 10 of the 10 sites became 5 at% or less when the depth direction analysis by XPS was performed for 5 locations and 10 locations in total at 20 mm intervals. It is preferable that the average value of the depth from a side surface is 0.2 nm or more and 10 nm or less. When the said average value is less than 0.2 nm, the effect which Cr exists is small (the peeling strength does not change significantly). On the other hand, when the said average value exceeds 10 nm, there exists a possibility that the problem of adhesiveness of a metal layer may worsen, and peeling strength may become lower than a target. More preferably, the said average value is 0.5 nm or more and 9 nm or less, More preferably, they are 1 nm or more and 8 nm or less, More preferably, they are 2 nm or more and 7 nm or less, More preferably, they are 2.5 nm or more and 5 nm or less.

또한, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 것이 바람직하다. 표준 편차/평균값이 0.6을 넘으면 박리 강도의 편차가 커질 우려가 있다. 상기 표준 편차/평균값은 바람직하게는 0.55 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하이다. 상기 표준 편차/평균값의 하한값은 특별히 한정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0 이상, 보다 전형적으로는 0.01 이상, 보다 전형적으로는 0.02 이상, 보다 전형적으로는 0.03 이상, 보다 전형적으로는 0.05 이상이다.Furthermore, the said carrier is peeled from the said metal foil with a carrier based on JIS C 6471, and it is 5 places and a longitudinal direction (MD direction) by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction) from the said 1st intermediate | middle layer side surface of the said peeled carrier. The first intermediate layer of the peeled carrier in terms of SiO 2 until the Cr 10 of the 10 sites became 5 at% or less when the depth direction analysis by XPS was performed for 5 locations and 10 locations in total at 20 mm intervals. It is preferable that the standard deviation / average value of the depth from the side surface is 0.6 or less. If the standard deviation / average value exceeds 0.6, the variation in peeling strength may increase. The standard deviation / average value is preferably 0.55 or less, more preferably 0.50 or less, and still more preferably 0.45 or less. The lower limit of the standard deviation / average value is not particularly limited, but is typically at least 0, more typically at least 0.01, more typically at least 0.02, more typically at least 0.03, more typically at least 0.05.

상기 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터, 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 깊이 범위에 있어서의 Cu 농도 최대값의 평균값이 15at% 이하인 것이 바람직하다. 상기 Cu 농도의 최대 농도 평균이 15at% 초과이면 박리 강도가 높아지는 경우가 있다.From the first intermediate layer-side surface of the carrier, it is preferred that the oxygen is less than or equal to the average value of the Cu concentration maximum 15at% of the depth range in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. Peeling strength may increase that the maximum density | concentration average of the said Cu concentration is more than 15 at%.

상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1nm 이상 25nm 이하, 보다 바람직하게는 2nm 이상 20nm 이하, 보다 바람직하게는 3nm 이상 15nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이상 10nm 이하이다. 상기 평균값이 0.5nm 미만이면 박리 강도가 목표보다 높아지는 경우가 있다. 한편, 평균값이 30nm를 넘는 경우에는 금속층의 밀착성이 나빠지고, 또 박리 강도가 목표보다 낮아지는 등의 문제가 생길 우려가 있다.The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under the conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. when carried out, and that the average value of the depth from the points 10 of the release carrier to the weight of SiO 2 until the oxygen is less than 10at% of the first intermediate layer-facing surface of at least 30nm 0.5nm or less, more preferably Preferably it is 1 nm or more and 25 nm or less, More preferably, they are 2 nm or more and 20 nm or less, More preferably, they are 3 nm or more and 15 nm or less, More preferably, they are 5 nm or more and 10 nm or less. When the said average value is less than 0.5 nm, peeling strength may become higher than a target. On the other hand, when an average value exceeds 30 nm, there exists a possibility that the adhesiveness of a metal layer may worsen and peeling strength may become lower than a target.

상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 것이 바람직하다. 상기 표준 편차/평균값이 0.6을 넘으면 박리 강도의 편차가 커지는 문제가 생길 우려가 있다. 상기 표준 편차/평균값은 바람직하게는 0.55 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하이다. 상기 표준 편차/평균값의 하한값은 특별히 한정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0 이상, 보다 전형적으로는 0.01 이상, 보다 전형적으로는 0.02 이상, 보다 전형적으로는 0.03 이상, 보다 전형적으로는 0.05 이상이다.The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under the conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. when carried out with a standard deviation / average value it is equal to or less than 0.6 of the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at% is preferable. When the said standard deviation / average value exceeds 0.6, there exists a possibility that the problem of peeling strength may become large. The standard deviation / average value is preferably 0.55 or less, more preferably 0.50 or less, and still more preferably 0.45 or less. The lower limit of the standard deviation / average value is not particularly limited, but is typically at least 0, more typically at least 0.01, more typically at least 0.02, more typically at least 0.03, more typically at least 0.05.

상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리한 금속층의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 300nm 미만인 것이 바람직하다. 상기 평균값이 0.5nm 미만인 경우에는 레이저 가공성이 향상되지 않는 경우가 있다. 한편, 300nm 이상인 경우에는 금속층의 에칭성이 나빠지는 경우가 있다. 상기 평균값은, 보다 바람직하게는 1nm 이상 280nm 이하, 보다 바람직하게는 2nm 이상 250nm 이하, 보다 바람직하게는 3nm 이상 200nm 이하, 보다 바람직하게는 4nm 이상 180nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이상 150nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이상 100nm 이하이다.The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled metal layer. The total of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al when the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places and 10 places in total at intervals. is the concentration of the average value of the depth from the surface of the metal layer to the SiO 2 in terms of until more than 5at% is 0.5nm or more is less than 300nm is preferred. When the said average value is less than 0.5 nm, laser workability may not improve. On the other hand, when it is 300 nm or more, the etching property of a metal layer may worsen. The average value is more preferably 1 nm or more and 280 nm or less, more preferably 2 nm or more and 250 nm or less, more preferably 3 nm or more and 200 nm or less, more preferably 4 nm or more and 180 nm or less, more preferably 5 nm or more and 150 nm or less. Preferably they are 5 nm or more and 100 nm or less.

상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리한 금속층의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 것이 바람직하다. 상기 표준 편차/평균값은 0.6을 넘으면, 레이저 가공성이나 에칭성의 편차가 커지는 문제가 생길 우려가 있다. 상기 표준 편차/평균값은 바람직하게는 0.55 이하, 보다 바람직하게는 0.50 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하이다. 상기 표준 편차/평균값의 하한값은 특별히 한정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0 이상, 보다 전형적으로는 0.01 이상, 보다 전형적으로는 0.02 이상, 보다 전형적으로는 0.03 이상, 보다 전형적으로는 0.05 이상이다.The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled metal layer. The total of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al when the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places and 10 places in total at intervals. It is preferable that the standard deviation / average value of the depth from the surface of the metal layer is 0.6 or less in terms of SiO 2 until the concentration becomes 5 at% or less. When the said standard deviation / average value exceeds 0.6, there exists a possibility that the problem of laser processing property and etching property deviation may become large. The standard deviation / average value is preferably 0.55 or less, more preferably 0.50 or less, and still more preferably 0.45 or less. The lower limit of the standard deviation / average value is not particularly limited, but is typically at least 0, more typically at least 0.01, more typically at least 0.02, more typically at least 0.03, more typically at least 0.05.

＜조화 처리 및 기타 표면 처리＞<Harmonic treatment and other surface treatment>

금속층의 표면에는, 예를 들면 절연 기판과의 밀착성을 양호하게 하기 위해서 조화 처리를 함으로써 조화 처리층을 마련해도 좋다. 조화 처리는, 예를 들면, 구리 또는 구리합금으로 조화 입자를 형성함으로써 실시할 수가 있다. 조화 처리는 미세한 것이어도 좋다. 조화 처리층은, 구리, 니켈, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬, 철, 바나듐, 코발트 및 아연으로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나의 단체 또는 어느 1종 이상을 포함하는 합금으로 이루어지는 층 등이어도 좋다. 또한, 구리 또는 구리합금으로 조화 입자를 형성한 후, 추가로 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 2차 입자나 3차 입자를 형성하는 조화 처리를 실시할 수도 있다. 그 후, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성해도 좋고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 해도 좋다. 또는, 조화 처리를 실시하지 않고, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성하고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 해도 좋다. 즉, 조화 처리층의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 형성해도 좋고, 금속층의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 형성해도 좋다. 또한, 상술한 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층은 각각 복수의 층으로 형성되어도 좋다(예를 들면, 2층 이상, 3층 이상 등).On the surface of a metal layer, you may provide a roughening process layer by performing a roughening process, for example in order to make adhesiveness with an insulating substrate favorable. A roughening process can be performed by forming roughening particle | grains with copper or a copper alloy, for example. The roughening process may be fine. The roughened layer may be a layer made of any one element selected from the group consisting of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt and zinc or an alloy containing any one or more thereof. . Moreover, after forming roughening particle | grains with copper or a copper alloy, you may further perform the roughening process which forms secondary particle | grains or tertiary particle | grains with the single substance, alloy, etc. of nickel, cobalt, copper, and zinc. Thereafter, a heat-resistant layer or a rust-preventing layer may be formed of a single element, an alloy, or the like of nickel, cobalt, copper, zinc, or may be further subjected to a treatment such as chromate treatment, silane coupling treatment, or the like. Alternatively, the heat-resistant layer or the rust-preventing layer may be formed of a single element, an alloy, or the like of nickel, cobalt, copper, zinc, or the like, and the surface may be subjected to a chromate treatment, a silane coupling treatment, or the like. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat resistant layer, an rustproof layer, a chromate treated layer and a silane coupling treated layer may be formed on the surface of the roughened layer, and the heat resistant layer, an rustproof layer, and a chromate treated layer on the surface of the metal layer. And one or more layers selected from the group consisting of silane coupling treatment layers. In addition, the heat-resistant layer, the rust-preventing layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer described above may be each formed of a plurality of layers (for example, two or more layers, three or more layers, etc.).

예를 들면, 조화 처리로서의 구리-코발트-니켈 합금 도금은, 전해 도금에 의해 부착량이 15~40 mg/dm2의 구리-100~3000㎍/dm2의 코발트-100~1500㎍/dm2의 니켈인 것과 같은 3원계 합금층을 형성하도록 실시할 수 있다. Co 부착량이 100㎍/dm2 미만에서는 내열성이 악화되고, 에칭성이 나빠지는 경우가 있다. Co 부착량이 3000㎍/dm2를 넘으면, 자성의 영향을 고려해야 하는 경우에 바람직하지 않고, 에칭 얼룩이 생기며, 또한 내산성 및 내약품성이 악화하는 경우가 있다. Ni 부착량이 100㎍/dm2 미만이면 내열성이 나빠지는 경우가 있다. 한편, Ni 부착량이 1500㎍/dm2를 넘으면, 에칭 잔여물이 많아지는 경우가 있다. 바람직한 Co 부착량은 1000~2500㎍/dm2이고, 바람직한 니켈 부착량은 500~1200㎍/dm2이다. 여기서, 에칭 얼룩이란, 염화 구리로 에칭한 경우, Co가 용해하지 않고 남아 버리는 것을 의미하며, 그리고 에칭 잔여물이란 염화 암모늄으로 알칼리 에칭한 경우, Ni가 용해하지 않고 남아 버리는 것을 의미하는 것이다.For example, copper as a roughening-cobalt-nickel alloy plating, electrolytic plating of the coating weight by 15 ~ 40 mg / dm 2 of copper -100 ~ 3000㎍ / dm 2 of cobalt -100 ~ 1500㎍ / dm 2 of the It can be performed to form a ternary alloy layer such as nickel. Co adhesion amount 100㎍ / dm 2 Below, heat resistance may deteriorate and etching resistance may worsen. When Co adhesion amount exceeds 3000 microgram / dm <2> , it is unpreferable when a magnetic influence should be considered, etching unevenness may occur, and acid resistance and chemical resistance may worsen. If Ni adhesion amount is less than 100 microgram / dm <2>, heat resistance may worsen. On the other hand, when Ni adhesion amount exceeds 1500 microgram / dm <2> , etching residue may increase. Preferable Co adhesion amount is 1000-2500 microgram / dm <2> , and preferable nickel adhesion amount is 500-1200 microgram / dm <2> . Here, the etching stain means that Co remains undissolved when etched with copper chloride, and the etching residue means that Ni remains undissolved when alkali-etched with ammonium chloride.

이러한 3원계 구리-코발트-니켈 합금 도금을 형성하기 위한 일반적인 욕 및 도금 조건의 일례는 다음과 같다：Examples of general bath and plating conditions for forming such ternary copper-cobalt-nickel alloy plating are as follows:

도금욕 조성：Cu 10~20 g/L, Co 1~10 g/L, Ni 1~10 g/LPlating bath composition: Cu 10-20 g / L, Co 1-10 g / L, Ni 1-10 g / L

pH：1~4pH ： 1 ~ 4

온도：30~50℃Temperature: 30-50 degrees Celsius

전류 밀도 Dk：20~30 A/dm2 Current density D k : 20 to 30 A / dm 2

도금 시간：1~5초Plating time: 1-5 seconds

＜캐리어 부착 금속박의 제조 방법＞<Manufacturing method of metal foil with carrier>

본 발명의 캐리어 부착 금속박의 제조 방법은, 캐리어상에 제1 중간층을 형성하고, 그 후 금속층을 형성한다. 캐리어/제1 중간층 사이에 제2 중간층을 형성해도 좋다. 또한, 제1 중간층/금속층 사이에 제3 중간층을 형성하고 있어도 좋다.The manufacturing method of the metal foil with a carrier of this invention forms a 1st intermediate | middle layer on a carrier, and forms a metal layer after that. A second intermediate layer may be formed between the carrier / first intermediate layer. In addition, a third intermediate layer may be formed between the first intermediate layer / metal layer.

본 발명의 제1 중간층 형성 방법은, 공기 산화, 대기 가열, 양극 산화 및 크로메이트 처리 등을 이용한다. 제1 중간층의 산소 농도를 제어하기 위해서는, 공기 산화의 경우에는 시간, 대기 가열의 경우에는 온도와 시간, 양극 산화의 경우에는 액온, 전류 밀도 및 시간, 크로메이트 처리의 경우에는 액 조성, 액온, 전류 밀도, 시간 등의 조건을 제어한다.The first intermediate layer forming method of the present invention uses air oxidation, atmospheric heating, anodization, chromate treatment, and the like. In order to control the oxygen concentration of the first intermediate layer, the time for air oxidation, the temperature and time for atmospheric heating, the liquid temperature for the anodic oxidation, the current density and time, the liquid composition for the chromate treatment, the liquid temperature, the current Control conditions such as density and time.

보다 구체적인 조건에 대해서, 대기 가열의 경우, 온도가 낮으면 소정의 산화층을 가질 때까지의 처리 시간이 길어지는 한편, 온도가 높으면 산화 속도가 빠르고 면내의 산화층의 농도 분포에 편차가 생기는 점에서 50~150℃가 바람직하다. 시간은 너무 짧아도 너무 길어도 소정의 산화층을 형성하기 곤란하기 때문에, 10~100s가 바람직하다. 양극 산화의 경우, 전류 밀도가 낮으면 소정의 산화층을 가질 때까지의 처리 시간이 길어지는 한편, 전류 밀도가 높으면 산화 속도가 빠르고 면내의 산화층의 농도 분포에 편차가 생길 우려가 있는 점에서 0.5~5 A/dm2가 바람직하다. 시간은 소정의 산화층을 형성하도록 조정하면 좋고, 본 발명의 경우 30s 전후가 바람직하다. 크로메이트 처리의 경우에는, 크롬을 포함하는 도금층 또는 크로메이트 처리층을 형성하기 위한 도금액 또는 처리액의 액온를 30~60℃로 제어하는 것이 바람직하다. 크롬을 포함하는 도금층 또는 크로메이트 처리층을 형성하기 위한 도금액 또는 처리액의 액온이 40℃ 미만이면 Cr의 농도 분포에 의해 캐리어/극박 구리층 간의 박리 강도에 편차가 커지는 경우가 있다. 크롬을 포함하는 도금층 또는 크로메이트 처리층을 형성하기 위한 도금액 또는 처리액의 액온이 60℃를 넘으면, 내열 염화비닐 배관을 사용하기 어려운 등 생산라인 구성 부재의 선택성이 좁아지는 문제가 발생할 우려가 있다. 크롬을 포함하는 도금층 또는 크로메이트 처리층을 형성할 때의 전류 밀도 CrDk는 0.1A/dm2보다 크고, 1.5A/dm2 이하인 것이 바람직하다. CrDk를 0.1A/dm2 이하로 하면 Cr의 깊이 방향의 농도 분포의 편차에 의해 캐리어/극박 구리층 간의 박리 강도에 편차가 커지는 경우가 있다. CrDk가 1.5A/dm2를 넘으면 크롬의 원자 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 캐리어의 중간층측 표면으로부터의 깊이를 바람직한 범위로 제어하기 어려워질 우려가 있다. 또한, 크롬을 포함하는 도금층 또는 크로메이트 처리층을 형성하기 위한 처리의 처리 시간은 2초 이상, 60초 이하인 것이 바람직하다. 처리 시간이 60초를 넘으면 Cr의 깊이 방향의 농도 분포의 편차에 의해 캐리어/극박 구리층간의 박리 강도에 편차가 커지는 경우가 있다. 또한, 처리 시간이 2초 미만이면, 크롬의 원자 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 캐리어의 중간층측 표면으로부터의 깊이를 바람직한 범위로 제어하기 어려워질 우려가 있다.For more specific conditions, in the case of atmospheric heating, when the temperature is low, the processing time until a predetermined oxide layer is long, while when the temperature is high, the oxidation rate is fast and the concentration distribution of the in-plane oxide layer is different. ˜150 ° C. is preferred. Even if time is too short or too long, since it is difficult to form a predetermined | prescribed oxide layer, 10-100s is preferable. In the case of anodic oxidation, when the current density is low, the processing time until the predetermined oxide layer is long, while when the current density is high, the oxidation rate is fast and the concentration distribution of the oxide layer in the plane may be varied. 5 A / dm 2 is preferred. The time may be adjusted to form a predetermined oxide layer, and in the case of the present invention, 30 s is preferred. In the case of a chromate treatment, it is preferable to control the liquid temperature of the plating liquid or process liquid for forming the plating layer or chromate treatment layer containing chromium to 30-60 degreeC. When the liquid temperature of the plating liquid or treatment liquid for forming the plating layer or chromate treatment layer containing chromium is less than 40 degreeC, the peeling strength between carrier / ultra-thin copper layer may become large by the concentration distribution of Cr. When the liquid temperature of the plating liquid or treatment liquid for forming the plating layer or chromate treatment layer containing chromium exceeds 60 degreeC, there exists a possibility that the selectivity of a production line structural member may become narrow, such as using a heat resistant vinyl chloride piping difficult. The current density CrDk at the time of forming the plating layer or chromate treatment layer containing chromium is larger than 0.1 A / dm 2 and preferably 1.5 A / dm 2 or lower. If CrDk is 0.1 A / dm 2 or less, the variation in peel strength between the carrier and the ultrathin copper layer may increase due to the variation in the concentration distribution in the depth direction of Cr. When CrDk exceeds 1.5 A / dm 2 , it is difficult to control the depth from the intermediate layer side surface of the carrier to a preferable range in terms of SiO 2 until the atomic concentration of chromium becomes 5 at% or less. Moreover, it is preferable that the processing time of the process for forming the plating layer or chromate processing layer containing chromium is 2 second or more and 60 second or less. When the processing time exceeds 60 seconds, the variation in peel strength between the carrier and the ultrathin copper layer may increase due to the variation in the concentration distribution in the depth direction of Cr. If the treatment time is less than 2 seconds, it may be difficult to control the depth from the intermediate layer side surface of the carrier to a preferable range in terms of SiO 2 until the atomic concentration of chromium is 5 at% or less.

본 발명의 제2 중간층 형성 방법은, 도금이나 스퍼터로 형성된다. 도금의 경우, 액 조성, pH, 액온 및 전류 밀도 및 시간을, 스퍼터의 경우에는 스퍼터 출력, 아르곤 압력 및 시간 등의 조건을 제어하여 제2 중간층을 형성시킨다.The second intermediate layer forming method of the present invention is formed by plating or sputtering. In the case of plating, the composition, pH, liquid temperature and current density and time are controlled, and in the case of sputtering, the conditions such as sputter output, argon pressure and time are controlled to form the second intermediate layer.

본 발명의 제3 중간층 형성 방법은, 제2 중간층 형성 방법과 동일하다.The third intermediate layer forming method of the present invention is the same as the second intermediate layer forming method.

＜프린트 배선판, 적층체, 전자기기＞<Printed wiring board, laminated body, electronic device>

캐리어 부착 금속박 자체의 사용방법은 당업자에게 주지이지만, 예를 들면 금속층의 표면을 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지, 폴리에스테르 필름, 폴리이미드 필름 등의 절연 기판에 맞붙여서 열압착한 후에, 캐리어를 벗겨서 구리 피복 적층판으로 하고, 절연 기판에 접착한 금속층을 목적으로 하는 도체 패턴으로 에칭하여, 최종적으로 프린트 배선판을 제조할 수가 있다.The use method of the metal foil with a carrier itself is well known to those skilled in the art, but for example, the surface of the metal layer may be a paper-based phenol resin, a paper-based epoxy resin, a synthetic fiber cloth-based epoxy resin, a glass cloth-paper composite base epoxy resin, a glass cloth, a glass nonwoven fabric. Conductor bonded to an insulating substrate such as a composite base epoxy resin, a glass cloth base epoxy resin, a polyester film, a polyimide film, and the like, followed by thermocompression bonding. It can etch by a pattern and can finally manufacture a printed wiring board.

또한, 캐리어와 캐리어상에 제1 중간층이 적층되고, 제1 중간층 위에 적층된 금속층을 구비한 캐리어 부착 금속박은, 상기 금속층 위에 조화 처리층을 구비해도 좋고, 상기 조화 처리층상에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군 중에서 선택된 층을 1개 이상 갖추어도 좋다.Moreover, the metal foil with a carrier provided with the metal layer laminated | stacked on the carrier and the 1st intermediate | middle layer on the carrier, and the metal foil with carrier may be provided with the roughening process layer on the said metal layer, and a heat-resistant layer and a rustproof layer on the said roughening process layer. Or one or more layers selected from the group consisting of chromate treated layers and silane coupling treated layers.

또한, 상기 금속층 위에 조화 처리층을 갖추어도 좋고, 상기 조화 처리층상에 내열층, 방청층을 갖추어도 좋으며, 상기 내열층, 방청층상에 크로메이트 처리층을 갖추어도 좋고, 상기 크로메이트 처리층상에 실란 커플링 처리층을 갖추어도 좋다.Further, a roughened layer may be provided on the metal layer, a heat resistant layer and an rustproof layer may be provided on the roughened layer, a chromate treated layer may be provided on the heat resistant layer and rustproof layer, and a silane coupler is formed on the chromated layer. A ring treatment layer may be provided.

또한, 상기 캐리어 부착 금속박은 상기 금속층상, 혹은 상기 조화 처리층상, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 크로메이트 처리층, 혹은 실란 커플링 처리층상에 수지층을 갖추어도 좋다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 좋다.The metal foil with a carrier may be provided with a resin layer on the metal layer, on the roughened layer, or on the heat resistant layer, rustproof layer, chromate treated layer, or silane coupling layer. The resin layer may be an insulated resin layer.

상기 수지층은 접착제여도 좋고, 접착용 반경화 상태(B 스테이지)의 절연 수지층이어도 좋다. 반경화 상태(B 스테이지 상태)란, 그 표면에 손가락이 닿아도 점착감이 없고, 이 절연 수지층을 겹치게 하여 보관할 수가 있으며, 추가로 가열처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.An adhesive may be sufficient as the said resin layer, and the insulating resin layer of the semi-hardened state for bonding (B stage) may be sufficient as it. The semi-cured state (B stage state) has no adhesiveness even when a finger touches the surface thereof, and the insulating resin layer can be superimposed and stored, and further includes a state where a curing reaction occurs when subjected to heat treatment.

또한, 상기 수지층은 열강화성 수지를 포함해도 좋고, 열가소성 수지여도 좋다. 또한, 상기 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 좋다. 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산 에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리비닐 아세탈 수지, 우레탄 수지 등을 포함하는 수지를 적합한 것으로 들 수가 있다.The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. In addition, the said resin layer may contain a thermoplastic resin. Although the kind is not specifically limited, For example, resin containing an epoxy resin, a polyimide resin, a polyfunctional cyanate ester compound, a maleimide compound, a polyvinyl acetal resin, a urethane resin, etc. is mentioned as a suitable thing.

상기 수지층은 공지의 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화촉진제, 유전체(무기 화합물 및/또는 유기 화합물을 포함하는 유전체, 금속 산화물을 포함하는 유전체 등 어떠한 유전체를 이용해도 좋다), 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 좋다. 또한, 상기 수지층은, 예를 들면 국제공개번호 WO2008/004399호, 국제공개번호 WO2008/053878, 국제공개번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 일본 특허공보 제3184485호, 국제공개번호 WO97/02728, 일본 특허공보 제3676375호, 일본 공개특허공보 특개2000-43188호, 일본 특허공보 제3612594호, 일본 공개특허공보 특개2002-179772호, 일본 공개특허공보 특개2002-359444호, 일본 공개특허공보 특개2003-304068호, 일본 특허공보 제3992225, 일본 공개특허공보 특개2003-249739호, 일본 특허공보 제4136509호, 일본 공개특허공보 특개2004-82687호, 일본 특허공보 제4025177호, 일본 공개특허공보 특개2004-349654호, 일본 특허공보 제4286060호, 일본 공개특허공보 특개2005-262506호, 일본 특허공보 제4570070호, 일본 공개특허공보 특개2005-53218호, 일본 특허공보 제3949676호, 일본 특허공보 제4178415호, 국제공개번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 특개2006-257153호, 일본 공개특허공보 특개2007-326923호, 일본 공개특허공보 특개2008-111169호, 일본 특허공보 제5024930호, 국제공개번호 WO2006/028207, 일본 특허공보 제4828427호, 일본 공개특허공보 특개2009-67029호, 국제공개번호 WO2006/134868, 일본 특허공보 제5046927호, 일본 공개특허공보 특개2009-173017호, 국제공개번호 WO2007/105635, 일본 특허공보 제5180815호, 국제공개번호 WO2008/114858, 국제공개번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 특개2011-14727호, 국제공개번호 WO2009/001850, 국제공개번호 WO2009/145179, 국제공개번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 특개2013-19056호에 기재되어 있는 물질(수지, 수지 경화제, 화합물, 경화촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 이용해서 형성해도 좋다.The resin layer may be a known resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric (any dielectric such as a dielectric including an inorganic compound and / or an organic compound, a dielectric including a metal oxide), a reaction catalyst, a crosslinking agent, A polymer, a prepreg, a skeleton, etc. may be included. The resin layer is, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-5828, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-140281. Japanese Patent Publication No. 3184485, International Publication No. WO97 / 02728, Japanese Patent Publication No. 3676375, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent Publication No. 3612594, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-304068, Japanese Patent Laid-Open No. 392225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-249739, Japanese Patent Laid-Open No. 4136509, Japanese Patent Laid-Open No. 2004- 82687, Japanese Patent Publication No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent Publication No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent Publication No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005 -53218, Japanese Patent Publication No. 3949676 Japanese Patent Laid-Open No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Laid-Open No. 2008-111169, Japanese Patent Laid-Open No. 5014930 International Patent Publication No. WO2006 / 028207, Japanese Patent Publication No. 4482827, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67029, International Publication No. WO2006 / 134868, Japanese Patent Publication No. 5046927, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-173017, International Publication No. WO2007 / 105635, Japanese Patent Publication No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 001850, International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication No. WO2011 / 068157, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-19056 (resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, polymer, prepreg, skeleton, etc.) And / or resin The forming method may be formed using a forming device.

이들 수지를 예를 들면 메틸에틸케톤(MEK), 톨루엔 등의 용제에 용해시켜서 수지액으로 하고, 이것을 상기 금속층 위, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 피막층, 혹은 상기 실란 커플링제층 위에, 예를 들면 롤코터법 등에 따라 도포하고, 그 다음 필요에 따라서 가열 건조하여 용제를 제거하며, B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들면 열풍 건조로를 이용하면 좋고, 건조 온도는 100~250℃, 바람직하게는 130~200℃면 좋다.These resins are dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK), toluene, and the like to form a resin solution, which is then placed on the metal layer or on the heat resistant layer, rustproof layer, or chromate coating layer, or on the silane coupling agent layer. For example, it apply | coats according to a roll coater method etc., and it heat-drys as needed then removes a solvent and makes it to the B stage state. For drying, for example, a hot air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C.

상기 수지층을 구비한 캐리어 부착 금속박(수지 부착 캐리어 부착 금속박)은, 그 수지층을 기재에 겹치도록 한 후, 전체를 열압착하여 상기 수지층을 열경화시키고, 그 다음 캐리어를 박리하여 금속층을 표출시키며(당연히, 표출시키는 것은 상기 금속층의 제1 중간층측의 표면이다), 거기에 소정의 배선 패턴을 형성한다고 하는 형태로 사용된다.The metal foil with a carrier (metal foil with a carrier with resin) provided with the resin layer has the resin layer overlapped with the base material, and then the whole is thermocompressed to thermoset the resin layer, and then the carrier is peeled off to form a metal layer. It is used in the form of expressing (of course, expressing is the surface of the said 1st intermediate | middle layer side of the said metal layer), and forming a predetermined wiring pattern there.

이 수지 부착 캐리어 부착 금속박을 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조시에 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연이 확보할 수 있는 것과 같은 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하지 않아도 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또한, 이때 기재의 표면에 절연 수지를 언더 코팅해서 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.By using this metal foil with a carrier with resin, the number of sheets of prepreg material can be reduced at the time of manufacture of a multilayer printed wiring board. In addition, the thickness of the resin layer can be as thick as the interlayer insulation can ensure, or the copper clad laminate can be produced without using any prepreg material at all. At this time, the surface of the substrate may be undercoated with an insulating resin to further improve the smoothness of the surface.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리하게 되며, 또한, 프리프레그재의 두께분 만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져서, 1층의 두께가 100㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다고 하는 이점이 있다.In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is reduced, and the lamination process is simplified, which is economically advantageous, and the thickness of the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material. Has the advantage of being thin and capable of producing an ultrathin multilayer printed wiring board having a thickness of one layer of 100 µm or less.

이 수지층의 두께는 0.1~80㎛인 것이 바람직하다. 수지층의 두께가 0.1㎛보다 얇아지면 접착력이 저하하고, 프리프레그재를 개재시키지 않고 이 수지 부착 캐리어 부착 금속박을 내층재를 갖춘 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하기 곤란하게 되는 경우가 있다.It is preferable that the thickness of this resin layer is 0.1-80 micrometers. When the thickness of the resin layer is thinner than 0.1 mu m, the adhesive force decreases, and when the metal foil with a carrier with resin is laminated on a substrate having an inner layer material without interposing a prepreg material, the interlayer insulation between circuits of the inner layer material is ensured. It may become difficult.

한편, 수지층의 두께를 80㎛보다 두껍게 하면, 1회의 도포 공정으로 목적으로 하는 두께의 수지층을 형성하기 어렵게 되고, 여분의 재료비와 공정수가 들기 때문에 경제적으로 불리하다. 또한, 형성된 수지층은 그 가요성이 떨어지므로, 핸들링 할 때에 크랙 등이 발생하기 쉬워지고, 또 내층재와의 열압착시에 과잉의 수지 흐름이 일어나서 원활한 적층이 곤란하게 되는 경우가 있다.On the other hand, when the thickness of a resin layer is thicker than 80 micrometers, it becomes difficult to form the resin layer of the target thickness in one application | coating process, and it is economically disadvantageous because extra material cost and process number are needed. Moreover, since the formed resin layer is inferior in flexibility, a crack etc. generate | occur | produce easily at the time of handling, and excessive resin flow may arise at the time of thermocompression bonding with an inner layer material, and smooth lamination may become difficult.

게다가, 이 수지 부착 캐리어 부착 금속박의 또 다른 제품 형태로서는, 상기 금속층 위, 혹은 상기 내열층, 방청층, 혹은 상기 크로메이트 처리층, 혹은 상기 실란 커플링 처리층 위에 수지층으로 피복하여, 반경화 상태로 한 후, 그 다음 캐리어를 박리하여, 캐리어가 존재하지 않는 수지 부착 동박의 형태로 제조하는 것도 가능하다.Moreover, as another product form of this metal foil with a carrier with resin, it coats with a resin layer on the said metal layer or on the said heat-resistant layer, a rustproof layer, or the said chromate treatment layer, or the said silane coupling treatment layer, and is semi-hardened After making it carry out, it is also possible to peel a carrier then and to manufacture in the form of the copper foil with resin which a carrier does not exist.

게다가, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재함으로써 프린트 회로판이 완성된다. 본 발명에 있어서, '프린트 배선판'에는 이렇게 전자 부품류가 탑재된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다.In addition, the printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board. In the present invention, the "printed wiring board" shall also include a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which electronic components are mounted.

또한, 상기 프린트 배선판을 이용해서 전자기기를 제작해도 좋고, 상기 전자 부품류가 탑재된 프린트 회로판을 이용해서 전자기기를 제작해도 좋으며, 상기 전자 부품류가 탑재된 프린트 기판을 이용해서 전자기기를 제작해도 좋다. 이하, 본 발명과 관련된 캐리어 부착 금속박을 이용한 프린트 배선판 제조 공정의 예를 몇 가지 제시한다.In addition, an electronic device may be manufactured using the printed wiring board, an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted, or an electronic device may be manufactured using a printed circuit board on which the electronic components are mounted. . Hereinafter, several examples of the printed wiring board manufacturing process using the metal foil with a carrier concerning this invention are shown.

본 발명과 관련되는 프린트 배선판 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 금속층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐서 구리 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미애디티브법, 부분적 애디티브법 및 서브트랙티브법 중 어느 하나의 방법에 따라서 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로를 포함하는 것으로 하는 것도 가능하다.In one Embodiment of the printed wiring board manufacturing method which concerns on this invention, the process of preparing the metal foil with a carrier and an insulated substrate concerning this invention, the process of laminating the said metal foil with a carrier, and an insulated substrate, and the said metal foil with a carrier are insulated After laminating | stacking a board | substrate so that a metal layer side may face an insulating board | substrate, a copper clad laminated board is formed through the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier, Then, the semiadditive method, the modified semiadditive method, and the partial additive And forming a circuit according to any one of a method and a subtractive method. It is also possible for the insulating substrate to include an inner layer circuit.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 동박 시드층상에 얇은 무전해 도금을 실시하여, 패턴을 형성한 후, 전기 도금 및 에칭을 이용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the semi-additive method refers to a method of forming a conductor pattern using electroplating and etching after forming a pattern by applying a thin electroless plating on an insulating substrate or a copper foil seed layer.

따라서, 세미 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the semiadditive process, the process of preparing the metal foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정,Removing all of the metal layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid,

상기 금속층을 에칭에 의해 제거함에 따라 노출된 상기 수지에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the exposed resin as the metal layer is removed by etching,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거(desmear) 처리를 실시하는 공정,Desmearing the area including the through hole and / or the blind via,

상기 수지 및 상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer on a region containing said resin and said through hole and / or blind via,

상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like

을 포함한다.It includes.

세미 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the semiadditive process, the process of preparing the metal foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨 노출시킨 금속층과, 상기 절연 수지 기판에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the metal layer exposed by peeling the carrier and the insulated resin substrate;

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거 처리를 실시하는 공정,Performing a smear removal treatment on a region including the through hole and / or a blind via,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법으로 모두 제거하는 공정,Removing all of the metal layer exposed by peeling the carrier by etching or plasma using a corrosion solution such as acid,

상기 금속층을 에칭 등에 의해 제거함으로써 노출한 상기 수지 및 상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer to a region including the resin and the through hole and / or blind via exposed by removing the metal layer by etching or the like,

상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광시키고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed;

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like

을 포함한다.It includes.

세미 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the semiadditive process, the process of preparing the metal foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨 노출시킨 금속층과, 상기 절연 수지 기판에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the metal layer exposed by peeling the carrier and the insulated resin substrate;

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법으로 모두 제거하는 공정,Removing all of the metal layer exposed by peeling the carrier by etching or plasma using a corrosion solution such as acid,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거 처리를 실시하는 공정,Performing a smear removal treatment on a region including the through hole and / or a blind via,

상기 금속층을 에칭 등에 의해 제거함으로써 노출시킨 상기 수지 및 상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer to a region containing said resin and said through hole and / or blind via exposed by removing said metal layer by etching or the like,

상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광시키고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like

을 포함한다.It includes.

세미 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the semiadditive process, the process of preparing the metal foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법으로 모두 제거하는 공정,Removing all of the metal layer exposed by peeling the carrier by etching or plasma using a corrosion solution such as acid,

상기 금속층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출시킨 상기 수지의 표면에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the metal layer by etching;

상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광시키고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 금속층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정Removing the electroless plating layer and the metal layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like

을 포함한다.It includes.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미애디티브법이란, 절연층상에 금속박을 적층하여, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께를 부여한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시)에칭으로 제거함으로써, 절연층상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the modified semi-additive method is to laminate a metal foil on an insulating layer, to protect the non-circuit forming portion by the plating resist, to give the copper thickness of the circuit forming portion by electrolytic plating, and then to remove the resist, The method of forming a circuit on an insulating layer by removing metal foils other than the said circuit formation part by (flash) etching is pointed out.

따라서, 모디파이드 세미애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the Modified semiadditive process, the process of preparing the metal foil with a carrier and an insulation board which concern on this invention,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층과 절연 기판에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the metal layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거 처리를 실시하는 공정,Performing a smear removal treatment on a region including the through hole and / or a blind via,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer on the region including the through hole and / or the blind via,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층 표면에 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a plating resist on the surface of the metal layer exposed by peeling the carrier;

상기 도금 레지스트를 마련한 후에, 전해 도금에 의해 회로를 형성하는 공정,After providing the plating resist, forming a circuit by electroplating,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,

상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출시킨 금속층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정Removing the metal layer exposed by removing the plating resist by flash etching

을 포함한다.It includes.

모디파이드 세미애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using a modified semi-additive process, the process of preparing the metal foil with a carrier and an insulation board which concern on this invention,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a plating resist on the metal layer exposed by peeling the carrier;

상기 도금 레지스트에 대해서 노광시키고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed;

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroplating layer in a region where the circuit from which the plating resist is removed is formed;

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,Removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 금속층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정Removing the electroless plating layer and the metal layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like

을 포함한다.It includes.

본 발명에 있어서, 부분적 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라서 스루 홀이나 비어 홀 용의 구멍을 뚫어서 이루어지는 기판상에 촉매핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하며, 필요에 따라서 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 마련한 후에, 상기 도체 회로상, 스루 홀이나 비어 홀 등에 무전해 도금 처리로 두께를 부여함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the partial additive method is provided with a catalyst nucleus on a substrate formed by forming a conductor layer, a substrate formed by drilling holes for through holes and via holes, if necessary, and formed by etching. After providing a soldering resist or a plating resist as needed, the method of manufacturing a printed wiring board is given by giving a thickness by an electroless plating process to a through hole, a via hole, etc. on the said conductor circuit.

따라서, 부분적 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the partial additive method, the process of preparing the metal foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층과 절연 기판에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the metal layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거 처리를 실시하는 공정,Performing a smear removal treatment on a region including the through hole and / or a blind via,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 촉매핵을 부여하는 공정,Applying a catalyst nucleus to a region including the through hole and / or a blind via,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층 표면에 에칭 레지스트를 마련하는 공정,Providing an etching resist on the surface of the metal layer exposed by peeling the carrier;

상기 에칭 레지스트에 대해서 노광시키고, 회로 패턴을 형성하는 공정,Exposing the etching resist and forming a circuit pattern;

상기 금속층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법에 의해 제거하고, 회로를 형성하는 공정,Removing the metal layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a circuit,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정,Removing the etching resist,

상기 금속층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법에 의해 제거하여 노출시킨 상기 절연 기판 표면에 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 마련하는 공정,Providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate, wherein the metal layer and the catalyst nucleus are removed and exposed by etching or plasma using a corrosion solution such as an acid,

상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 설치되지 않은 영역에 무전해 도금층을 마련하는 공정Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or the plating resist is not provided

을 포함한다.It includes.

본 발명에 있어서, 서브트랙티브법이란, 구리 피복 적층판상의 동박의 불필요 부분을 에칭 등에 의해 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.In the present invention, the subtractive method refers to a method of selectively removing an unnecessary portion of a copper foil on a copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.

따라서, 서브트랙티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,Therefore, in one Embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the subtractive method, the process of preparing the metal foil with a carrier and an insulation board which concern on this invention,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층과 절연 기판에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the metal layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거 처리를 실시하는 공정,Performing a smear removal treatment on a region including the through hole and / or a blind via,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer on the region including the through hole and / or the blind via,

상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer,

상기 전해 도금층 및/또는 상기 금속층의 표면에 에칭 레지스트를 마련하는 공정,Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / or the metal layer,

상기 에칭 레지스트에 대해서 노광시키고 회로 패턴을 형성하는 공정,Exposing the etching resist and forming a circuit pattern,

상기 금속층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법으로 제거하여 회로를 형성하는 공정,Removing the metal layer, the electroless plating layer, and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a circuit;

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정Removing the etching resist

을 포함한다.It includes.

서브트랙티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명과 관련되는 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,In another embodiment of the manufacturing method of the printed wiring board which concerns on this invention using the subtractive method, the process of preparing the metal foil with a carrier which concerns on this invention, and an insulated substrate,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate;

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정,After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,

상기 캐리어를 벗겨서 노출시킨 금속층과 절연 기판에 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정,Providing a through hole and / or a blind via in the metal layer and the insulating substrate exposed by peeling the carrier,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 스미어 제거 처리를 실시하는 공정,Performing a smear removal treatment on a region including the through hole and / or a blind via,

상기 스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 무전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroless plating layer on the region including the through hole and / or the blind via,

상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정,Forming a mask on the surface of the electroless plating layer,

마스크가 형성되지 않은 상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 마련하는 공정,Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which a mask is not formed,

상기 전해 도금층 및/또는 상기 금속층의 표면에 에칭 레지스트를 마련하는 공정,Providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / or the metal layer,

상기 에칭 레지스트에 대해서 노광시켜서 회로 패턴을 형성하는 공정,Exposing the etching resist to form a circuit pattern,

상기 금속층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 이용한 에칭이나 플라스마 등의 방법에 의해 제거하고, 회로를 형성하는 공정,Removing the metal layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosion solution such as an acid to form a circuit,

상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정Removing the etching resist

을 포함한다.It includes.

스루 홀 및/또는 블라인드 비어를 마련하는 공정, 및 그 후의 스미어 제거 공정은 실시하지 않아도 좋다.The step of providing the through hole and / or the blind via and the subsequent desmear step may not be performed.

여기서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 또한, 여기에서는 금속층으로서 극박 구리층을 들고, 추가로 조화 처리층이 형성된 극박 구리층을 가지는 캐리어 부착 동박을 예로 설명하지만, 이것에 한정하지 않고, 조화 처리층이 형성되어 있지 않은 금속층을 가지는 캐리어 부착 금속박을 이용해도 마찬가지로 하기 프린트 배선판의 제조 방법을 실시할 수가 있다.Here, the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the metal foil with a carrier of this invention is demonstrated in detail using drawing. In addition, although the copper foil with a carrier which has an ultra-thin copper layer as a metal layer and has an ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was further demonstrated as an example here is not limited to this, Carrier which has a metal layer in which the roughening process layer is not formed. Similarly, even if the metal foil is attached, a method for producing the following printed wiring board can be implemented.

우선, 도 1의 A에 나타내듯이, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 구리층을 가지는 캐리어 부착 동박(1층째)을 준비한다.First, as shown to A of FIG. 1, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed in the surface is prepared.

그 다음, 도 1의 B에 나타내듯이, 극박 구리층의 조화 처리층상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.Then, as shown in FIG. 1B, a resist is applied on the roughened layer of the ultrathin copper layer, exposed and developed, and the resist is etched into a predetermined shape.

그 다음, 도 1의 C에 나타내듯이, 회로용 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정의 형상의 회로 도금을 형성한다.Then, as shown in Fig. 1C, after forming the plating for the circuit, the resist is removed to form the circuit plating of a predetermined shape.

그 다음, 도 2의 D에 나타내듯이, 회로 도금을 덮도록(회로 도금이 매몰하도록) 극박 구리층상에 매립 수지를 마련하여 수지층을 적층하고, 이어서 다른 캐리어 부착 동박(2층째)을 극박 구리층측으로부터 접착시킨다.Next, as shown in FIG. 2D, a buried resin is provided on the ultrathin copper layer so as to cover the circuit plating (the circuit plating is buried), and a resin layer is laminated, and then the copper foil with a carrier (second layer) is made of ultrathin copper It is bonded from the layer side.

그 다음, 도 2의 E에 나타내듯이, 2층째 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.Next, as shown to E of FIG. 2, a carrier is peeled off from the copper foil with a 2nd layer carrier.

그 다음, 도 2의 F에 나타내듯이, 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍 뚫기를 실시하고, 회로 도금을 노출시켜서 블라인드 비어를 형성한다.Next, as shown in FIG. 2F, a laser hole is drilled at a predetermined position of the resin layer, and circuit plating is exposed to form a blind via.

그 다음, 도 3의 G에 나타내듯이, 블라인드 비어에 동을 매립하여 비어 필을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3G, copper is embedded in the blind via to form a via fill.

그 다음, 도 3의 H에 나타내듯이, 비어 필상에, 상기 도 1의 B 및 도 1의 C와 같이 하여 회로 도금을 형성한다.Then, as shown in H of FIG. 3, circuit plating is formed on the via peel as in B of FIG. 1 and C of FIG. 1.

그 다음, 도 3의 I에 나타내듯이, 1층째 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.Next, as shown to FIG. 3I, a carrier is peeled off from the copper foil with a 1st layer carrier.

그 다음, 도 4의 J에 나타내듯이, 플래시 에칭에 의해 양표면의 극박 구리층을 제거하여, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.Next, as shown in J of FIG. 4, the ultrathin copper layers on both surfaces are removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.

그 다음, 도 4의 K에 나타내듯이, 수지층 내의 회로 도금상에 범프를 형성하고, 이 땜납 위에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용한 프린트 배선판을 제작한다.Next, as shown in K of FIG. 4, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and a copper filler is formed on the solder. Thus, the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is produced.

상기 다른 캐리어 부착 동박(2층째)은, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 이용해도 좋고, 종래의 캐리어 부착 동박을 이용해도 좋으며, 또 통상의 동박을 이용해도 좋다. 또한, 도 3의 H에 나타나는 2층째 회로상에, 추가로 회로를 1층 혹은 복수층 형성해도 좋고, 그 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 부분적 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 하나의 방법에 따라 실시해도 좋다.The said copper foil with a carrier (2nd layer) may use the copper foil with a carrier of this invention, you may use the conventional copper foil with a carrier, and may use a normal copper foil. In addition, one or more layers may be formed on the second layer circuit shown in FIG. 3H, and the circuit formation may be formed by a semiadditive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive. You may implement in accordance with one of the methods.

상술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성으로 되어 있기 때문에, 예를 들면 도 4의 J에 나타내는 것 같은 플래시 에칭에 의한 극박 구리층의 제거시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되고 그 형상이 유지되어, 이에 따라 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또한, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내(耐)마이그레이션성이 향상하여, 회로 배선의 도통이 양호하게 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또한, 도 4의 J 및 도 4의 K에 나타내듯이, 플래시 에칭에 의해 극박 구리층을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 패인 형상이 되기 때문에, 이 회로 도금상에 범프가, 다시 그 위에 구리 필러가 각각 형성하기 쉬워져서 제조 효율이 향상된다.According to the manufacturing method of the printed wiring board mentioned above, since circuit plating is a structure embedded in the resin layer, the circuit at the time of the removal of the ultra-thin copper layer by flash etching as shown to J of FIG. Plating is protected by the resin layer and its shape is maintained, thereby facilitating formation of a fine circuit. In addition, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved, and the conduction of the circuit wiring is satisfactorily suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. In addition, as shown to J of FIG. 4 and K of FIG. 4, when the ultra-thin copper layer is removed by flash etching, since the exposed surface of circuit plating becomes a recessed shape from the resin layer, bumps are formed on this circuit plating, It is easy to form a copper filler on it again, and manufacturing efficiency improves.

또한, 매립 수지(레진)에는 공지의 수지, 프리프레그를 이용할 수가 있다. 예를 들면, BT(비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리포인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 가부시키가이샤제 ABF 필름이나 ABF를 이용할 수 있다. 또한, 상기 매립 수지(레진)에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수가 있다.In addition, well-known resin and prepreg can be used for embedding resin (resin). For example, prepreg which is glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film and ABF by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. In addition, the resin layer and / or resin and / or prepreg as described in this specification can be used for the said embedded resin (resin).

또한, 상기 1층째에 이용되는 캐리어 부착 동박은, 상기 캐리어 부착 동박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 좋다. 상기 기판 또는 수지층을 가짐으로써, 1층째에 이용되는 캐리어 부착 동박이 지지되고, 주름이 잘 잡히지 않게 되기 때문에, 생산성이 향상된다고 하는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는, 상기 1층째에 이용되는 캐리어 부착 동박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 이용할 수가 있다. 예를 들면, 상기 기판 또는 수지층으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 이용할 수가 있다.Moreover, the copper foil with a carrier used for the said 1st layer may have a board | substrate or a resin layer on the surface of the said copper foil with a carrier. By having the said board | substrate or the resin layer, since the copper foil with a carrier used for 1st layer is supported and wrinkles are hard to be caught, there exists an advantage that productivity improves. Moreover, as long as there is an effect which supports the copper foil with a carrier used for the said 1st layer, all the board | substrates or resin layers can be used for the said board | substrate or the resin layer. For example, as said board | substrate or resin layer, the carrier, prepreg, resin layer, or well-known carrier which were described in this specification, a prepreg, resin layer, a metal plate, a metal foil, the board of an inorganic compound, the foil of an inorganic compound, the board of an organic compound And an organic compound foil can be used.

본 발명의 캐리어 부착 금속박을 이용하여 적층체(구리 피복 적층체 등)를 제작할 수가 있다. 여기서, 본 발명의 제1 중간층이 단독인 것, 제3 중간층과 적층되어 있는 것, 제2 중간층과 적층되어 있는 것, 제2 중간층 및 제3 중간층과 적층되어 있는 것을 하나로 정리하여 '중간층'이라고 하면, 이 적층체로서는, 예를 들면 '금속층/중간층/캐리어/수지 또는 프리프레그'의 순서로 적층된 구성이어도 좋고, '캐리어/중간층/금속층/수지 또는 프리프레그'의 순서로 적층된 구성이어도 좋으며, '금속층/중간층/캐리어/수지 또는 프리프레그/캐리어/중간층/금속층'의 순서로 적층된 구성이어도 좋고, '캐리어/중간층/금속층/수지 또는 프리프레그/금속층/중간층/캐리어'의 순서로 적층된 구성이어도 좋다. 상기 수지 또는 프리프레그는 상술하는 수지층이어도 좋고, 상술하는 수지층에 이용하는 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 좋다. 또한, 캐리어 부착 금속박은 평면시 했을 때에 수지 또는 프리프레그보다 작아도 좋다.The laminated body (copper clad laminated body etc.) can be manufactured using the metal foil with a carrier of this invention. Here, the first intermediate layer of the present invention is a single layer, stacked with the third intermediate layer, stacked with the second intermediate layer, stacked with the second intermediate layer and the third intermediate layer are collectively referred to as 'intermediate layer'. The lower body may be, for example, a structure laminated in the order of 'metal layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg', or may be a structure laminated in the order of 'carrier / intermediate layer / metal layer / resin or prepreg'. The structure may be stacked in the order of 'metal layer / intermediate layer / carrier / resin or prepreg / carrier / intermediate layer / metal layer', or in the order of 'carrier / middle layer / metal layer / resin or prepreg / metal layer / middle layer / carrier'. A laminated structure may be sufficient. The resin or prepreg may be the resin layer described above, or may include a resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton, and the like used in the resin layer described above. In addition, the metal foil with a carrier may be smaller than resin or prepreg when it is planarized.

또한, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정, 상기 수지 기판과 적층한 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어 부착 금속박의 표면에, 수지층과 회로의 2층을 적어도 1회 마련하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2층을 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법(코어리스 공법)이어도 좋다. 이 코어리스 공법에 대해서, 구체예로서는, 우선 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 금속층측 표면 또는 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층한다. 그 후, 수지 기판과 적층한 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과는 반대측의 캐리어 부착 금속박의 표면에 수지층을 형성한다. 캐리어측 표면에 형성한 수지층에는, 추가로 다른 캐리어 부착 금속박을 캐리어측으로부터 적층해도 좋다. 이 경우, 수지 기판을 중심으로 하여 상기 수지 기판의 양 표면측에 캐리어/제1 중간층/금속층의 순서 혹은 금속층/제1 중간층/캐리어의 순서로 캐리어 부착 금속박이 적층된 구성으로 되어 있다. 양단의 금속층 혹은 캐리어의 노출된 표면에는 다른 수지층을 마련하여 추가로 구리층을 마련한 후, 이 구리층을 가공함으로써 회로를 형성해도 좋다. 또한, 다른 수지층을 상기 회로상에 이 회로를 매립하도록 설치해도 좋다. 또한, 이러한 회로 및 수지층을 1회 이상 형성해도 좋다(빌드업 공법). 그리고, 이와 같이 하여 형성한 적층체(이하, 적층체 B라고도 한다)에 대해서, 각각의 캐리어 부착 금속박의 금속층 또는 캐리어를 캐리어 또는 금속층으로부터 박리시켜서 코어리스 기판을 제작할 수 있다. 또한, 상술한 코어리스 기판의 제작에는 2개의 캐리어 부착 금속박을 이용하고, 후술하는 금속층/제1 중간층/캐리어/캐리어/제1 중간층/금속층의 구성을 가지는 적층체나, 캐리어/제1 중간층/금속층/금속층/제1 중간층/캐리어의 구성을 가지는 적층체나, 캐리어/제1 중간층/금속층/캐리어/제1 중간층/금속층의 구성을 가지는 적층체를 제작하고, 이 적층체를 중심으로 이용할 수도 있다. 이들 적층체(이하, 적층체 A라고도 한다)의 양측 금속층 또는 캐리어의 표면에 수지층 및 회로의 2층을 1회 이상 마련하고, 수지층 및 회로의 2층을 1회 이상 마련한 후에, 각각의 캐리어 부착 금속박의 금속층 또는 캐리어를 캐리어 또는 금속층으로부터 박리시켜서 코어리스 기판을 제작할 수가 있다.Moreover, the manufacturing method of the printed wiring board of this invention is a process of laminating | stacking the said metal layer side surface or the said carrier side surface, and the resin substrate of the metal foil with a carrier of this invention, the metal layer side surface laminated | stacked with the said resin substrate, or the said carrier side surface. After providing the resin layer and the two layers of a circuit at least once on the surface of the metal foil with a carrier on the opposite side, and two layers of the said resin layer and a circuit, after forming the said carrier or the said metal layer from the said metal foil with a carrier The manufacturing method (coreless method) of the printed wiring board containing the process of peeling off may be sufficient. About this coreless construction method, as a specific example, the metal layer side surface or carrier side surface of the metal foil with a carrier of this invention is first laminated | stacked. Then, a resin layer is formed on the metal layer side surface laminated | stacked with the resin substrate, or the surface of the metal foil with a carrier on the opposite side to the said carrier side surface. In the resin layer formed on the carrier side surface, another metal foil with a carrier may be further laminated from the carrier side. In this case, the metal foil with a carrier is laminated | stacked in the order of a carrier / 1st intermediate | middle layer / a metal layer, or a metal layer / 1st intermediate | middle layer / a carrier in the both surface side of the said resin substrate centering on a resin substrate. Another resin layer may be provided on the exposed surface of the metal layer or carrier of both ends, and a copper layer may be further provided, and a circuit may be formed by processing this copper layer. Another resin layer may be provided so as to embed this circuit on the circuit. In addition, such a circuit and the resin layer may be formed one or more times (build-up method). And about the laminated body formed in this way (henceforth also called laminated body B), the metal layer or carrier of each metal foil with a carrier can be peeled from a carrier or a metal layer, and a coreless board | substrate can be manufactured. In addition, the above-mentioned coreless board | substrate is used for manufacture of the coreless board | substrate, The laminated body which has a structure of the metal layer / 1st intermediate | middle layer / carrier / carrier / 1st intermediate | middle layer / metal layer mentioned later, a carrier / 1st intermediate | middle layer / metal layer A laminate having a structure of a / metal layer / first intermediate layer / carrier or a laminate having a structure of a carrier / first intermediate layer / metal layer / carrier / first intermediate layer / metal layer can be produced and used mainly as the laminate. After the two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once on the surfaces of both metal layers or the carriers of these laminates (hereinafter also referred to as laminate A), and the resin layers and the two layers of the circuit are provided at least once. A coreless substrate can be manufactured by peeling a metal layer or carrier of a metal foil with a carrier from a carrier or a metal layer.

또한, 본 명세서에 있어서, '적층체 A' 또는 '적층체 B'라고 특별히 기재하지 않은 '적층체'는, 적어도 적층체 A 및 적층체 B를 포함하는 적층체를 나타낸다.In addition, in this specification, the "laminated body" which is not specifically described as "laminated body A" or "laminated body B" represents the laminated body containing at least the laminated body A and the laminated body B.

또한, 상술한 코어리스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어 부착 금속박 또는 적층체(적층체 A)의 단면의 일부 또는 전부를 수지로 덮어서, 빌드업 공법으로 프린트 배선판을 제조할 때에, 제1 중간층 또는 적층체를 구성하는 1개의 캐리어 부착 금속박과 또 하나의 캐리어 부착 금속박 사이로 약액이 스며드는 것을 방지할 수 있고, 약액이 스며듦에 따른 금속층과 캐리어의 분리나 캐리어 부착 금속박의 부식을 방지할 수가 있어서, 수율을 향상시킬 수가 있다. 여기서 이용하는 '캐리어 부착 금속박의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지' 또는 '적층체의 단면의 일부 또는 전부를 덮는 수지'로서는, 수지층에 이용할 수 있는 수지를 사용할 수가 있다. 또한, 상술한 코어리스 기판의 제조 방법에 있어서, 캐리어 부착 금속박 또는 적층체에서 평면시 했을 때에 캐리어 부착 금속박 또는 적층체의 적층 부분(캐리어와 금속층의 적층 부분, 또는 1개의 캐리어 부착 금속박과 또 하나의 캐리어 부착 금속박의 적층 부분)의 바깥 둘레 중 적어도 일부가 수지 또는 프리프레그로 덮여도 좋다. 또한, 상술한 코어리스 기판의 제조 방법으로 형성하는 적층체(적층체 A)는, 한 쌍의 캐리어 부착 금속박을 서로 분리 가능하게 접촉시켜서 구성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 캐리어 부착 금속박에서 평면시 했을 때에 캐리어 부착 금속박 또는 적층체의 적층 부분(캐리어와 금속층의 적층 부분, 또는 1개의 캐리어 부착 금속박과 또 하나의 캐리어 부착 금속박의 적층 부분)의 바깥 둘레 전체에 걸쳐서 수지 또는 프리프레그로 덮여서 이루어지는 것이어도 좋다. 이러한 구성으로 함으로써, 캐리어 부착 금속박 또는 적층체를 평면시 했을 때에, 캐리어 부착 금속박 또는 적층체의 적층 부분이 수지 또는 프리프레그로 덮이고, 다른 부재가 이 부분의 측방향, 즉 적층 방향에 대해서 옆으로부터의 방향에서 닿는 것을 방지할 수 있게 되며, 결과적으로 핸들링 중의 캐리어와 금속층 또는 캐리어 부착 금속박끼리 벗겨지는 것을 줄일 수 있다. 또한, 캐리어 부착 금속박 또는 적층체의 적층 부분의 바깥 둘레를 노출시키지 않도록 수지 또는 프리프레그로 덮음으로써, 상술한 바와 같은 약액 처리 공정에서의 이 적층 부분의 계면으로의 약액 침입을 막을 수 있고, 캐리어 부착 금속박의 부식이나 침식을 막을 수가 있다. 또한, 적층체의 한 쌍의 캐리어 부착 금속박으로부터 하나의 캐리어 부착 금속박을 분리할 때, 또는 캐리어 부착 금속박의 캐리어와 동박(금속층)을 분리할 때에는, 수지 또는 프리프레그로 덮여있는 캐리어 부착 금속박 또는 적층체의 적층 부분(캐리어와 금속층의 적층 부분, 또는 1개의 캐리어 부착 금속박과 또 하나의 캐리어 부착 금속박의 적층 부분)을 절단 등에 의해 제거할 필요가 있다. Moreover, in the manufacturing method of the coreless board | substrate mentioned above, when manufacturing a printed wiring board by a buildup method by covering part or all of the cross section of the metal foil with a carrier or laminated body (laminate A) with resin, a 1st intermediate | middle layer or The chemical liquid can be prevented from infiltrating between the one metal foil with a carrier and the other metal foil with the carrier constituting the laminate, and the separation of the metal layer and the carrier and the corrosion of the metal foil with the carrier due to the infiltration of the chemical can be prevented. Can be improved. Resin which can be used for a resin layer can be used as "resin which covers a part or all of the cross section of the carrier metal foil" used here, or "resin which covers a part or all of the cross section of a laminated body." Moreover, in the manufacturing method of the coreless board | substrate mentioned above, the laminated part of the metal foil with a carrier or the laminated body (the laminated part of a carrier and a metal layer, or one metal foil with a carrier, and another when it is planarized by the metal foil with a carrier or laminated body) At least a part of the outer circumference of the laminated portion of the metal foil with a carrier) may be covered with a resin or a prepreg. In addition, the laminated body (laminated body A) formed by the manufacturing method of the coreless board | substrate mentioned above may be comprised so that a pair of metal foil with a carrier may contact each other so that separation is possible. Moreover, when planarized by the said metal foil with a carrier, the whole outer periphery of the metal foil with a carrier or the laminated part of a laminated body (the laminated part of a carrier and a metal layer, or the laminated part of one metal foil with a carrier and another metal foil with a carrier). It may be made by covering with resin or a prepreg. By setting it as such a structure, when the metal foil with a carrier or a laminated body is planarized, the laminated part of the metal foil with a carrier or laminated body is covered with resin or a prepreg, and the other member is laterally oriented with respect to this part, ie, the lamination direction from the side. It can be prevented from touching in the direction of, and as a result, the peeling of the carrier and the metal layer or the metal foil with a carrier during handling can be reduced. Furthermore, by covering with resin or a prepreg so as not to expose the outer periphery of the laminated part of the metal foil with a carrier or laminated body with a carrier, invasion of the chemical liquid into the interface of this laminated part in the chemical | medical agent processing process mentioned above can be prevented, Corrosion or erosion of the adhered metal foil can be prevented. In addition, when separating a metal foil with a carrier from a pair of metal foil with a carrier of a laminated body, or when separating the carrier and copper foil (metal layer) of a metal foil with a carrier, the metal foil with a carrier or lamination | cover covered with resin or a prepreg It is necessary to remove the laminated portion of the sieve (the laminated portion of the carrier and the metal layer or the laminated portion of the metal foil with one carrier and the metal foil with another carrier) by cutting or the like.

본 발명의 캐리어 부착 금속박을 캐리어측 또는 금속층측으로부터, 다른 하나의 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 캐리어측 또는 금속층 측에 적층해서 적층체를 구성해도 좋다. 또한, 상기 하나의 캐리어 부착 금속박의 캐리어 또는 금속층과, 상기 다른 하나의 캐리어 부착 금속박의 캐리어 또는 금속층이 필요에 따라서 접착제를 통하여 직접 적층시켜서 얻어진 적층체여도 좋다. 또한, 상기 하나의 캐리어 부착 금속박의 캐리어 또는 금속층과, 상기 다른 하나의 캐리어 부착 금속박의 캐리어 또는 금속층이 접합되어 있어도 좋다. 또한, 상기 적층체 단면의 일부 또는 전부가 수지에 의해 덮여 있어도 좋다.The metal foil with a carrier of this invention may be laminated | stacked on the carrier side or the metal layer side of another metal foil with a carrier of this invention from the carrier side or the metal layer side, and a laminated body may be comprised. Moreover, the laminated body obtained by directly laminating | stacking the carrier or metal layer of the said metal foil with a carrier, and the carrier or metal layer of said other metal foil with a carrier directly via an adhesive agent as needed may be sufficient. Moreover, the carrier or metal layer of the said one metal foil with a carrier, and the carrier or metal layer of the said other metal foil with a carrier may be joined. In addition, one part or all part of the said laminated body cross section may be covered by resin.

캐리어끼리의 적층은 단순히 겹치게 하는 것 외에, 예를 들면 이하의 방법으로 실시할 수가 있다.Lamination | stacking of carriers is not only superimposed, but can be performed by the following method, for example.

(a) 야금적 접합 방법：융접(아크 용접, TIG(텅스텐 불활성 가스) 용접, MIG(메탈 불활성 가스) 용접, 저항용접, 심 용접, 스폿 용접), 압접(초음파 용접, 마찰교반용접), 납땜；(a) Metallurgical joining method: welding (arc welding, TIG (tungsten inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, friction stir welding), soldering ;

(b) 기계적 접합 방법：코킹, 리벳에 의한 접합(셀프 피어싱 리벳에 의한 접합, 리벳에 의한 접합), 스티처；(b) mechanical joining method: caulking, joining by rivets (bonding by self-piercing rivets, joining by rivets), stitchers;

(c) 물리적 접합 방법：접착제, (양면)점착 테이프(c) Physical bonding method: adhesive, (both sides) adhesive tape

일방의 캐리어의 일부 또는 전부와 타방의 캐리어의 일부 또는 전부를, 상기 접합 방법을 이용해 접합함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 적층하고, 캐리어끼리 분리 가능하도록 접촉시켜서 구성되는 적층체를 제조할 수 있다. 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 약하게 접합되어, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 적층되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어의 접합부를 제거하지 않고도 일방의 캐리어와 타방의 캐리어는 분리 가능하다. 또한, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 강하게 접합되어 있는 경우에는, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어가 접합되어 있는 개소를 절단이나 화학 연마(에칭 등), 기계 연마 등으로 제거함으로써, 일방의 캐리어와 타방의 캐리어를 분리할 수가 있다.By joining a part or all of one carrier and part or all of the other carrier using the joining method, a laminate is formed by laminating one carrier and the other carrier and bringing the carriers into contact with each other so as to be detachable. Can be. When one carrier and the other carrier are weakly bonded, and one carrier and the other carrier are laminated, one carrier and the other carrier can be separated without removing the junction between one carrier and the other carrier. . In addition, when one carrier and the other carrier are strongly joined, the one carrier and the other carrier are removed by cutting, chemical polishing (etching, etc.), mechanical polishing, or the like, thereby removing one or more carriers. The other carrier can be separated.

또한, 이와 같이 구성한 적층체의 표면에 수지층과 회로의 2층을, 적어도 1회마련하는 공정, 및 상기 수지층 및 회로의 2층을 적어도 1회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 금속층을 박리시키는 공정을 실시함으로써 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또한, 상기 적층체의 일방 또는 양방의 표면에 수지층과 회로의 2층을 마련해도 좋다.Moreover, after forming the resin layer and the two layers of a circuit at least once on the surface of the laminated body comprised in this way, and forming at least once the two layers of the said resin layer and a circuit, the metal foil with a carrier of the said laminated body is carried out. A printed wiring board can be manufactured by performing the process of peeling the said metal layer from the. Moreover, you may provide two layers of a resin layer and a circuit in the one or both surfaces of the said laminated body.

실시예Example

이하, 본 발명의 실시예에 의해 본 발명을 더욱 자세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example of this invention demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these Examples.

1. 캐리어 부착 금속박의 제조1. Production of metal foil with carrier

캐리어로서 두께 35㎛인 장척의 전해 동박(JX 킨조쿠 가부시키가이샤 제조 JTC) 및 압연 동박(JX 킨조쿠 가부시키가이샤 제조 터프 피치 동박　JIS　H3100　합금번호 C1100), 그리고 두께 100㎛인 장척의 압연구리재(JX 킨조쿠 가부시키가이샤 제조 터프 피치 동박　JIS　H3100　합금번호 C1100)를 준비하여, 표면에 제1 중간층 및 금속층을 형성하였다. 또한, 캐리어로서 전해 동박을 이용한 경우는, S면(광택면) 측에 제 1 중간층을 마련했다. 또한, 일부의 샘플에 대해서는 제2 중간층 및 제3 중간층도 마련했다. 또한, 일부의 샘플에 대해서는 제2 중간층, 제1 중간층 및 제3 중간층의 순서대로 마련했다. 또한, 일부의 샘플에 대해서는 제2 중간층, 제1 중간층의 순서로 마련했다. 또한, 제1 중간층, 금속층, 제2 중간층 및 제3 중간층은 캐리어의 한쪽 면에 마련했다. 제1 중간층, 금속층, 제2 중간층 및 제3 중간층의 형성은, 표 1, 표 5 및 표 9에 기재된 조건으로 실시하였다. 표 1, 5, 9의 '캐리어 거칠기 Rz[㎛]' 란에 제1 중간층 또는 제2 중간층을 마련한 측의 캐리어 표면의 10점 평균 거칠기 Rz(JIS　B0601　1994)를 기재하였다. 전해 동박의 S면(광택면)의 거칠기에 대해서는, 전해 동박 제조 장치의, 구리를 석출시키는 음극 드럼 표면의 거칠기를 조절함으로써 제어했다. 음극 드럼의 표면의 거칠기를 크게 함으로써, 전해 동박의 S면(광택면)의 거칠기를 거칠게 할 수 있다. 또한, 음극 드럼 표면의 거칠기를 작게 함으로써 전해 동박의 S면(광택면)의 거칠기를 크게 할 수 있다. 또한, 압연 동박의 표면 거칠기에 대해서는, 압연 동박 제조시에 이용하는 압연 롤의 거칠기를 조정하여 제어했다. 압연 롤의 표면 거칠기를 크게 함으로써, 압연 동박의 표면 거칠기를 크게 할 수 있다. 또한, 압연 롤의 표면 거칠기를 작게 함으로써, 압연 동박의 표면 거칠기를 작게 할 수 있다. 또한, 표기에 'Ni'라고 표기되어 있는 것은 순니켈 도금을 실시한 것을 의미하고, '순 크로메이트'라고 표기되어 있는 것은 순크로메이트 처리를 실시한 것을 의미하며, '아연 크로메이트'라고 표기되어 있는 것은 아연 크로메이트 처리를 실시한 것을 의미한다. 이하에, 각 처리 조건을 나타낸다. 또한, 도금액 등의 액조성의 잔부는 물이다.Long electrolytic copper foil (JTC, manufactured by JX Kinzoku Corporation) and rolled copper foil (Tough pitch copper foil, manufactured by JX Kinzoku Corporation, tough pitch copper foil “JIS H3100”, alloy number C1100) having a thickness of 35 μm as a carrier, and long rolled copper having a thickness of 100 μm. Ash (tough pitch copper foil from JIS X H3100 Alloy No. C1100 manufactured by JX KINJOKU Co., Ltd.) was prepared, and a first intermediate layer and a metal layer were formed on the surface. In addition, when using the electrolytic copper foil as a carrier, the 1st intermediate | middle layer was provided in the S surface (glossy surface) side. Moreover, about some samples, the 2nd intermediate | middle layer and the 3rd intermediate | middle layer were also provided. In addition, some samples were provided in order of a 2nd intermediate | middle layer, a 1st intermediate | middle layer, and a 3rd intermediate | middle layer. In addition, about some samples, it prepared in the order of a 2nd intermediate | middle layer and a 1st intermediate | middle layer. In addition, the 1st intermediate | middle layer, the metal layer, the 2nd intermediate | middle layer, and the 3rd intermediate | middle layer were provided in one surface of the carrier. Formation of a 1st intermediate | middle layer, a metal layer, a 2nd intermediate | middle layer, and a 3rd intermediate | middle layer was performed on the conditions of Table 1, Table 5, and Table 9. The 10-point average roughness Rz (JIS # B0601 # 1994) of the carrier surface of the side which provided the 1st intermediate | middle layer or the 2nd intermediate | middle layer in the "carrier roughness Rz [micrometer]" column of Table 1, 5, 9 was described. About the roughness of the S surface (glossy surface) of an electrolytic copper foil, it controlled by adjusting the roughness of the surface of the negative electrode drum which precipitates copper of the electrolytic copper foil manufacturing apparatus. By increasing the roughness of the surface of the negative electrode drum, the roughness of the S surface (glossy surface) of the electrolytic copper foil can be roughened. Moreover, the roughness of the S surface (glossy surface) of an electrolytic copper foil can be enlarged by reducing the roughness of the surface of a negative electrode drum. In addition, about the surface roughness of the rolled copper foil, the roughness of the rolling roll used at the time of rolling copper foil manufacture was adjusted and controlled. By increasing the surface roughness of the rolling roll, the surface roughness of the rolled copper foil can be increased. Moreover, the surface roughness of a rolled copper foil can be made small by making the surface roughness of a rolling roll small. In addition, "Ni" in the notation means that pure nickel plating is carried out, and "neutral chromate" means that it has been subjected to pure chromate treatment, and that "Zinc chromate" is indicated is zinc chromate. It means that the processing was performed. Each processing condition is shown below. In addition, the balance of liquid composition, such as a plating liquid, is water.

'Ni 도금'：니켈 도금Ni plating: Nickel plating

(액조성) 황산 니켈：270~280 g/L, 염화 니켈：35~45 g/L, 초산 니켈：10~20 g/L, 붕산：30~40 g/L, 광택제：사카린, 부틴디올 등, 도데실 황산 나트륨：55~75 ppm(Liquid composition) Nickel sulfate: 270-280 g / L, nickel chloride: 35-45 g / L, nickel acetate: 10-20 g / L, boric acid: 30-40 g / L, polish: Saccharin, butyndiol Sodium dodecyl sulfate: 55-75 ppm

(pH) 2~6(pH) 2 ~ 6

(액온) 40~60℃(Liquid temperature) 40-60 degrees Celsius

(전류 밀도) 1~11 A/dm2 Current Density 1 ~ 11 A / dm 2

'각 원소 스퍼터'：각 원소의 스퍼터"Sputter of each element": Sputter of each element

각 금속 99 mass% 이상의 조성의 스퍼터링 타겟을 이용하여, 이하의 조건으로 각 금속의 층을 형성했다.Using the sputtering target of 99 mass% or more of each metal, the layer of each metal was formed on condition of the following.

장치：가부시키가이샤 아루박의 스퍼터 장치Apparatus: Aruba's sputter apparatus

출력：DC 50WOutput: DC 50W

아르곤 압력：0.2PaArgon pressure: 0.2 Pa

'순 크로메이트'：순 크로메이트 처리'Non-chromate': Pure chromate treatment

(액조성) 중크롬산 칼륨：1~10 g/L, 아연：0g/L(Liquid composition) Potassium dichromate: 1-10 g / L, zinc: 0 g / L

(pH) 2~5(pH) 2-5

(액온) 30~60℃(Liquid temperature) 30-60 degrees Celsius

'아연 크로메이트'：아연 크로메이트 처리'Zinc chromate': Zinc chromate treatment

상기 순 크로메이트 처리 조건에 있어서, 액 중에 황산아연(ZnSO4) 형태의 아연을 첨가하고, 아연 농도：0.05~5 g/L의 범위에서 조정하여 아연 크로메이트 처리를 실시했다. 또한 크로메이트 처리가 전해의 경우에는 전류 밀도 0.1~1.5A/dm2로 처리를 했다.Under the above pure chromate treatment conditions, zinc in the form of zinc sulfate (ZnSO 4 ) was added to the liquid, and the zinc concentration was adjusted in the range of 0.05 to 5 g / L to perform zinc chromate treatment. In the case of electrolysis, chromate treatment was performed at a current density of 0.1 to 1.5 A / dm 2 .

'공기 산화'：실온 25℃에서 산화시켰다. 또한, 제2 중간층을 마련한 실시예, 비교예에 대해서는, 제2 중간층을 마련한 후에, 제2 중간층을 실온 25℃에서 산화시켜서, 제2 중간층상에 제1 중간층을 형성하였다."Air oxidation": It oxidized at room temperature 25 degreeC. In addition, about the Example and comparative example which provided the 2nd intermediate | middle layer, after providing a 2nd intermediate | middle layer, the 2nd intermediate | middle layer was oxidized at room temperature 25 degreeC, and the 1st intermediate | middle layer was formed on the 2nd intermediate | middle layer.

'대기 가열'：가열판 위에서 캐리어가 소정의 온도(표 1, 표 5 및 표 9에 기재된 제1 중간층 형성 조건란에 기재된 온도)가 되는 조건을 발견하여, 소정의 시간(표 1, 표 5 및 표 9에 기재된 제1 중간층 형성 조건란에 기재된 시간)에 가열 처리하였다. 또한, 제2 중간층을 마련한 실시예, 비교예에 대해서는, 캐리어에 제2 중간층을 마련한 후에, 캐리어에 대해서 상술한 가열 처리를 함으로써 제2 중간층 위에 제1 중간층을 형성하였다."Atmosphere heating": Discovers the conditions under which the carrier becomes a predetermined temperature (temperature described in the first intermediate layer formation condition column of Table 1, Table 5 and Table 9) on the heating plate, and the predetermined time (Table 1, Table 5 and Table). Heat treatment) at the time described in the first intermediate layer formation conditions column described in FIG. In addition, about the Example and comparative example which provided the 2nd intermediate | middle layer, after providing a 2nd intermediate | middle layer in a carrier, the above-mentioned heat processing was performed on the carrier and the 1st intermediate | middle layer was formed on the 2nd intermediate | middle layer.

'양극 산화'：다음의 조건으로 소정의 시간 양극 산화했다.'Anodic oxidation': Anodized for a predetermined time under the following conditions.

NaOH 농도　0.5~20 g/LNaOH concentration: 0.5-20 g / L

액온：20~50℃Liquid temperature: 20-50 degrees Celsius

전류 밀도：1~10 A/dm2 Current density: 1-10 A / dm 2

또한, 제2 중간층을 마련한 실시예, 비교예에 대해서는, 캐리어에 제2 중간층을 마련한 후에, 제2 중간층의 표면에 대해서 상술한 양극 산화를 실시함으로써, 제2 중간층 위에 제1 중간층을 형성하였다.In addition, about the Example and comparative example which provided the 2nd intermediate | middle layer, after providing a 2nd intermediate | middle layer in a carrier, the above-mentioned anodization was performed on the surface of a 2nd intermediate | middle layer, and the 1st intermediate | middle layer was formed on the 2nd intermediate | middle layer.

'Cu 도금'：구리 도금'Cu plating' ： Copper plating

구리 농도：30~120 g/LCopper concentration: 30-120 g / L

H2SO4 농도：20~120 g/LH 2 SO 4 density: 20-120 g / L

전해액 온도：20~80℃Electrolyte temperature: 20-80 degrees Celsius

전류 밀도：10~100 A/dm2 Current density: 10-100 A / dm 2

'Co 도금'：코발트 도금'Co Plating' ： Cobalt Plating

(액조성)황산 코발트：270~280 g/L, 붕산：30~40 g/L, 광택제：사카린, 부틴디올 등, 도데실 황산나트륨：55~75 ppm(Liquid composition) Cobalt sulfate: 270-280 g / L, boric acid: 30-40 g / L, gloss agent: Sodium dodecyl sulfate including saccharin, butindiol: 55-75 ppm

(pH) 2~6(pH) 2 ~ 6

(액온) 40~60℃(Liquid temperature) 40-60 degrees Celsius

(전류 밀도) 1~11 A/dm2 Current Density 1 ~ 11 A / dm 2

또한, 실시예 40A에는 실시예 15A의 극박 구리층 위에 추가로, 조화 처리층, 내열 처리층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 마련했다. 실시예 41A에는 실시예 15A의 극박 구리층 위에 추가로, 내열 처리층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 마련했다. 실시예 42A에는 실시예 15A의 극박 구리층 위에 추가로, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 마련했다. 또한, 실시예 40B에는 실시예 15B의 극박 구리층 위에 추가로, 조화 처리층, 내열 처리층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 마련했다. 실시예 41B에는 실시예 15B의 극박 구리층 위에 추가로, 내열 처리층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 마련했다. 실시예 42B에는 실시예 15B의 극박 구리층 위에 추가로, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층을 마련했다.In Example 40A, a roughened layer, a heat resistant layer, a chromate treated layer, and a silane coupling layer were further provided on the ultrathin copper layer of Example 15A. In Example 41A, a heat resistant treatment layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer were further provided on the ultrathin copper layer of Example 15A. In Example 42A, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer were further provided on the ultrathin copper layer of Example 15A. In Example 40B, a roughened layer, a heat resistant layer, a chromate treated layer, and a silane coupling layer were further provided on the ultrathin copper layer of Example 15B. In Example 41B, a heat resistant treatment layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer were further provided on the ultrathin copper layer of Example 15B. In Example 42B, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer were further provided on the ultrathin copper layer of Example 15B.

·조화 처리Harmonic treatment

Cu：10~20 g/LCu: 10-20 g / L

Co：1~10 g/LCo: 1-10 g / L

Ni：1~10 g/LNi: 1-10 g / L

pH：1~4pH ： 1 ~ 4

온도：40~50℃Temperature: 40-50 degrees Celsius

전류 밀도 Dk：20~30 A/dm2 Current density Dk: 20 to 30 A / dm 2

시간：1~5초Time: 1-5 seconds

Cu 부착량：15~40 mg/dm2 Cu adhesion amount: 15-40 mg / dm 2

Co 부착량：100~3000㎍/dm2 Co adhesion amount: 100-3000 microgram / dm 2

Ni 부착량：100~1000㎍/dm2 Ni adhesion amount: 100-1000 microgram / dm 2

·내열 처리Heat-resistant treatment

Zn：0~20 g/LZn ： 0 to 20 g / L

Ni：0~5 g/LNi: 0-5 g / L

pH：3.5pH ： 3.5

온도：40℃Temperature: 40 degrees Celsius

전류 밀도 Dk：0~1.7A/dm2 Current density Dk: 0 to 1.7 A / dm 2

시간：1초Time: One second

Zn 부착량：5~250㎍/dm2 Zn adhesion amount: 5-250 micrograms / dm 2

Ni 부착량：5~300㎍/dm2 Ni adhesion amount: 5-300 micrograms / dm 2

·크로메이트 처리Chromate treatment

K2Cr2O7 K 2 Cr 2 O 7

(Na2Cr2O7 혹은 CrO3 )：2~10 g/L(Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3 ) : 2 to 10 g / L

NaOH 혹은 KOH：10~50 g/LNaOH or KOH ： 10-50 g / L

ZnO 혹은 ZnSO47H2O：0.05~10 g/LZnO or ZnSO 4 7H 2 O: 0.05 to 10 g / L

pH：7~13pH ： 7 ~ 13

욕 온도：30~60℃Bath temperature: 30-60 degrees Celsius

전류 밀도：0.1~1.5A/dm2 Current density: 0.1 to 1.5 A / dm 2

시간：0.5~100초Time: 0.5-100 seconds

Cr 부착량：Cr adhesion amount:

·실란 커플링 처리Silane coupling treatment

비닐트리에톡시실란 수용액Vinyl triethoxysilane aqueous solution

(비닐트리에톡시실란 농도：0.1~1.4wt%)(Vinyl triethoxysilane concentration: 0.1-1.4wt%)

pH：4~5pH ： 4 ~ 5

시간：5~30초Time: 5-30 seconds

상기와 같이 하여 얻어진 실시예 및 비교예의 캐리어 부착 금속박에 대해서, 이하의 방법으로 각 평가를 실시하였다.Each evaluation was performed with the following method about the metal foil with a carrier of the Example and comparative example obtained as mentioned above.

＜표면 처리층의 두께＞<Thickness of the surface treatment layer>

제작한 캐리어 부착 금속박의 Cu 도금(표면 처리층)의 두께는, 중량법에 의해 측정했다.The thickness of Cu plating (surface treatment layer) of the produced metal foil with carrier was measured by the weight method.

우선, 캐리어 부착 금속박으로부터 Cu 도금(표면 처리층)을 벗기고, 벗긴 Cu 도금을 농도 20질량%의 염산으로 용해시켜서 ICP 발광 분석했다. 그리고 샘플의 크기(면적)와 ICP 분석 결과로부터 Cu 도금(금속층)의 두께를 산출하였다.First, Cu plating (surface treatment layer) was peeled from the metal foil with a carrier, and the peeled Cu plating was dissolved in hydrochloric acid at a concentration of 20% by mass, and ICP emission analysis was performed. And the thickness of Cu plating (metal layer) was computed from the sample size (area) and the ICP analysis result.

＜캐리어 부착 금속박으로부터 금속층을 벗겼을 때의 캐리어측의 금속 부착량＞<Metal adhesion amount on the carrier side when peeling a metal layer from the metal foil with a carrier>

Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al는 샘플을 농도 20질량%의 염산으로 용해시켜서 ICP 발광 분석에 의해 측정했다. 또한, 샘플의 분석은, 캐리어의 제1 중간층을 형성하고 있는 측의 면(캐리어의 S면)과는 반대측 면(캐리어의 M면)에 약간 부착하는 금속 성분의 부착량을 배제하기 위해, 제1 중간층을 형성하는 면과는 반대측 면에 절연 기판을 적층하고, 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시켰다. 그 후, 캐리어 부착 금속박으로부터 금속층측을 박리한 후에, 제1 중간층, 제2 중간층이 각각 완전하게 용해하도록(예를 들면, 1㎛~3㎛ 두께로 용해한다), 노출한 캐리어 표면을 상기 농도 20질량%의 염산으로 용해하여 측정을 실시하였다.Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al were measured by ICP emission spectroscopy by dissolving the sample in 20 mass% hydrochloric acid. In addition, the analysis of the sample is performed to exclude the amount of deposition of the metal component slightly adhering to the surface (M surface of the carrier) opposite to the surface (S surface of the carrier) on the side forming the first intermediate layer of the carrier. An insulating substrate was laminated on the surface opposite to the surface on which the intermediate layer was formed, and thermally compressed under the condition of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. for 2 hours in the air. Thereafter, after peeling the metal layer side from the metal foil with a carrier, the exposed carrier surface is exposed to the above concentration so that the first intermediate layer and the second intermediate layer are completely dissolved (for example, 1 µm to 3 µm in thickness). It measured by melt | dissolving in 20 mass% hydrochloric acid.

또한, 상술한 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al이 농도 20질량%의 염산에서 충분히 용해하지 않는 경우에는, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al이 용해되는 액(왕수, 염산과 질산의 혼합 수용액 등)을 이용해서 용해한 후에 ICP 발광 분석에 의해 측정해도 좋다.In addition, when Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al described above are not sufficiently dissolved in hydrochloric acid having a concentration of 20% by mass, Cr, Ti, Even if measured by ICP emission analysis after dissolving using a solution in which Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al are dissolved (aqua regia, a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and nitric acid, etc.). good.

＜캐리어 부착 금속박으로부터 금속층을 벗겼을 때의 금속층측의 금속 부착량＞<Metal adhesion amount on the metal layer side when peeling a metal layer from the metal foil with a carrier>

Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al은 샘플을 농도 20질량%의 염산으로 용해하여 ICP 발광 분석에 의해 측정했다. 또한, 샘플의 분석은 금속층의 제3 중간층이 부착되어 있는 측의 면과는 반대측 면에 약간 부착하는 금속 성분의 부착량을 배제하기 위해, 캐리어 부착 금속박을 금속층의 캐리어측과는 반대측 면측으로부터 절연 기판을 적층하여, 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시켰다. 그 후, 캐리어를 박리한 후에 제3 중간층이 완전히 용해하도록(예를 들면, 0.5㎛~3㎛ 두께로 용해한다), 노출된 캐리어의 표면을 상기 농도 20질량%의 염산으로 용해하여 측정을 실시했다. 또한, 상술한 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al이 농도 20질량%의 염산으로 충분히 용해되지 않는 경우에는, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al이 용해하는 액(왕수, 염산과 질산의 혼합 수용액 등)을 이용하여 용해한 후에 ICP 발광 분석에 의해 측정해도 좋다.Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al were measured by ICP emission spectroscopy by dissolving the sample in 20 mass% hydrochloric acid. In addition, the analysis of the sample removes the metal foil with the carrier from the surface side opposite to the carrier side of the metal layer so as to exclude the deposition amount of the metal component that slightly adheres to the surface opposite to the surface on which the third intermediate layer of the metal layer is attached. Were laminated and thermocompression-bonded in the air on the conditions of 20 kgf / cm <2> and 220 degreeC * 2 hours conditions. Thereafter, the surface of the exposed carrier is dissolved with hydrochloric acid having the above concentration of 20% by mass so that the third intermediate layer is completely dissolved (for example, 0.5 µm to 3 µm in thickness) after the carrier is peeled off. did. In addition, when Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al described above are not sufficiently dissolved in hydrochloric acid having a concentration of 20% by mass, Cr, Ti, Even if measured by ICP emission analysis after dissolving using a solution in which Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al dissolve (such as aqua regia, a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and nitric acid) good.

＜STEM 분석＞<STEM analysis>

캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을, 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했다. 측정 조건을 이하에 나타낸다. 또한, 상술한 단면은 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 두께 방향으로 평행한 단면으로 하였다.5 parts of metal foil with a carrier at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 5 places at 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction), a part of the carrier of the metal foil with carrier, a part of the first intermediate layer and the metal layer The cross section containing the was subjected to line analysis by STEM in the same direction as the thickness direction of the carrier. Measurement conditions are shown below. In addition, the cross section mentioned above was made into the cross section parallel to the thickness direction of the carrier of the metal foil with a carrier.

·장치=STEM(히타치 세이사쿠쇼사, 형식 HD-2000 STEM)Device = STEM (Hitachi Seisakusho, form HD-2000 STEM)

·가속 전압=200 kVAcceleration voltage = 200 kV

·배율=100000~1000000배Magnification = 100,000 to 1000000 times

·관찰 시야=1500nm×500nm~160nm×60nm 시료 지지에는 Mo제 메시를 이용하여 실시하였다.Observation Field of View = 1500 nm x 500 nm-160 nm x 60 nm A sample made of Mo was used for sample support.

·측정 간격=1nmMeasuring interval = 1nm

선분석은, 검출 원소로부터 카본을 제외하고, 캐리어, 제1 중간층, 제2 중간층, 제3 중간층, 금속층 구성 원소와 Cu, Zn, O의 농도(질량%)를 분석했다. 시료 지지를 위한 메시에 대해서는, 그 금속종에 따라 시료의 원소 분석값이 크게 바뀌지만, 상기 Mo제 메시를 이용하면 그러한 분석값의 변화가 양호하게 억제된다.The linear analysis analyzed the concentration (mass%) of carrier, a 1st intermediate | middle layer, a 2nd intermediate | middle layer, a 3rd intermediate | middle layer, a metal layer constituent element, and Cu, Zn, and O except carbon from a detection element. As for the mesh for the sample support, the elemental analysis value of the sample is greatly changed depending on the metal species. However, the change of the analysis value is suppressed well by using the Mo-made mesh.

또한, 금속층에 절연 기판 BT수지(트리아진-비스말레이미드계 수지, 미쓰비시 가스 카가쿠 가부시키가이샤제)를 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시킨 캐리어 부착 동박에 대해서도 같은 방법으로 측정했다.In addition, with a carrier in which an insulating substrate BT resin (triazine-bismaleimide-based resin, manufactured by Mitsubishi Gas Kagaku Co., Ltd.) was thermo-compressed to a metal layer under conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air. It measured in the same way about copper foil.

그리고, 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께를 측정했다. 그리고, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 산술 평균값을 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값으로 하였다. 또한, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차와, 표준 편차/평균값을 산출했다. 또한, 상기 10개소 각각의 산소가 5at% 이상인 두께 영역에 있어서, Cr의 농도가 가장 높은(Cr 최대 농도) 부분에 있어서, 상기 Cr의 농도가 1at% 이상인지 여부를 평가하여, 10개소 중 6개소 이상에서 Cr 최대 농도가 1at% 이상인 경우를 '유'라고 하고, 10개소 중 1~5개소에서 Cr 최대 농도가 1at% 이상인 경우 및 Cr 최대 농도가 1at% 이상인 개소가 존재하지 않는 경우를 '무'라고 하였다.And in the 1st intermediate | middle layer, the thickness of the part whose oxygen of 10 places is 5 at% or more was measured. And the arithmetic mean value of the thickness of the said 10 places of oxygen 5 at% or more was made into the average value of the thickness of the oxygen 5 at% or more part. Moreover, the standard deviation and the standard deviation / average value of the thickness of the part in which the said 10 places of oxygen are 5 at% or more were computed. Further, in the region where the oxygen concentration is 5 at% or more in each of the 10 places, in the portion where the Cr concentration is the highest (Cr maximum concentration), it is evaluated whether the concentration of Cr is 1 at% or more, and 6 out of 10 places. A case where the maximum Cr concentration is 1 at% or more at a point or more is referred to as' yu ', and a case where the maximum Cr concentration is 1 at% or more at 1 to 5 of 10 places and where no maximum Cr concentration is 1 at% or more is' Nothing '.

＜XPS 분석＞<XPS analysis>

캐리어 부착 금속박으로부터 캐리어를 90° 박리법(JIS　C　6471)에 준거하여 박리시키고, 노출한 캐리어의 제1 중간층측 표면 및 노출한 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 하기 XPS 측정 장치를 이용하여 XPS 분석을 실시했다.Carrier is peeled from metal foil with a carrier based on 90 degree peeling method (JIS C 6471), and 20 mm spaced in the width direction (TD direction) from the 1st intermediate | middle layer side surface of the exposed carrier and the 1st intermediate | middle layer side surface of the exposed metal layer. Then, XPS analysis was performed using the following XPS measuring apparatus about 5 places and 10 places in total at 5 places and 20 mm intervals in the longitudinal direction (MD direction).

·장치：XPS 측정 장치(아루박 파이사, 형식 PHI5000　Versa　Probe　II)Apparatus: XPS measuring apparatus (Arubak Paisa, model PHI5000 Versa Probe II)

·도달 진공도：4.8×10-8PaReach vacuum level: 4.8 × 10 -8 Pa

·X선：단색 AlKα 출력 25W, 검출 면적 100㎛Ø, 입사각 90도, 반사각 45도X-ray: Monochrome AlKα output 25W, detection area 100µmØ, incident angle 90 degrees, reflection angle 45 degrees

·이온선：이온종 Ar+, 가속 전압 2 kV, 스위프 면적 3mm×3mm, 스퍼터링 레이트 2.9nm/min(SiO2 환산)Ion line: Ion species Ar + , acceleration voltage 2 kV, sweep area 3mm x 3mm, sputtering rate 2.9nm / min (SiO 2 equivalent)

또한, 금속층에 절연 기판 BT수지(트리아진-비스말레이미드계 수지, 미쓰비시 가스 카가쿠 가부시키가이샤제)를 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시킨 캐리어 부착 동박에 대해서도 같은 방법으로 측정했다.In addition, with a carrier in which an insulating substrate BT resin (triazine-bismaleimide-based resin, manufactured by Mitsubishi Gas Kagaku Co., Ltd.) was thermo-compressed to a metal layer under conditions of a pressure of 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air. It measured in the same way about copper foil.

분석한 원소는, 캐리어, 제2 중간층, 제1 중간층, 제3 중간층, 금속층 구성 원소와 Cu, Zn, C 및 O였다. 이들 원소를 지정 원소로 하였다. 또한, 지정 원소의 합계를 100at%로 하여 각 원소의 농도(at%)를 분석했다.The analyzed elements were a carrier, a second intermediate layer, a first intermediate layer, a third intermediate layer, a metal layer constituent element, and Cu, Zn, C and O. These elements were designated elements. Moreover, the density | concentration (at%) of each element was analyzed with the sum total of the designated element being 100at%.

깊이(nm)는, SiO2를 스퍼터링의 대상물로 했을 때의 스퍼터링 레이트 2.9nm/min(SiO2 환산)를 이용해서, 스퍼터링을 실시한 시간(min)에 기초하여 이하의 식으로부터 산출했다.Depth (nm) is, by using the sputtering rate 2.9nm / min (in terms of SiO 2), when the SiO 2 in the sputtering target, on the basis of the time (min) subjected to sputtering was calculated from the following equation.

측정하고 있는 개소의 깊이(nm)=스퍼터링 레이트 2.9nm/min(SiO2 환산)×스퍼터링을 실시한 시간(min)Depth (nm) of the measuring point = sputtering rate 2.9 nm / min (SiO 2 equivalent) x sputtering time (min)

그 때문에, 깊이(nm)는 SiO2를 스퍼터링 했을 경우에의 깊이(nm)(SiO2 환산 깊이(nm))를 의미한다.Therefore, the depth (nm) indicates the depth (nm) (SiO 2 converted depth (nm)) of the sputtering when the SiO 2.

그리고, 각 측정점에 있어서, 상술한 박리하여 노출시킨 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터, XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상술한 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이를 측정했다. 그리고, 상술한 10개소에 대해서 측정한 상기 깊이의 산술 평균값을, 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값으로 하였다. 또한, 상술한 10개소에 대해서 측정한 깊이의 값에 기초하여, 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차 및 표준 편차/평균값의 값을 산출하였다. 또한, 상술한 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 깊이 범위에서의 Cu 농도 최대값의 평균값을 산출하였다.And, for each measurement point, by the above-described peeling when subjected to the depth direction analysis by from the first intermediate layer-side surface of the exposed carrier, XPS, the oxygen is described as SiO 2 in terms of until more than 10at% The depth from the said 1st intermediate | middle layer side surface of the peeled carrier was measured. And was the average value of the depth of the intermediate layer from the first side surface of the carrier separation in terms of SiO 2, until the arithmetic average value of the depths measured for the 10 points above, the oxygen is not more than 10at%. Further, based on the value of the depth measured for the 10 sites described above, oxygen is the standard deviation and the standard deviation of the depth from the first intermediate layer-side surface of the carrier separation by SiO 2 conversion until no more than 10at% / The value of the average value was calculated. In addition, we calculated the average value of the maximum value of the Cu concentration in the depth range in terms of SiO 2 until the above-described oxygen is not more than 10at%.

또한, 금속층의 각 측정점에 있어서, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이를 측정하여 10개소 깊이의 산술 평균값을, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 깊이의 평균값으로 하였다. 또한, 10개소의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 깊이의 표준 편차 및 표준 편차/평균값의 값을 산출하였다.In addition, SiO 2 until the total concentration of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al became 5 at% or less at each measurement point of the metal layer. The arithmetic mean value of 10 depths was measured by measuring the depth from the surface of the first intermediate layer side of the metal layer in terms of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. the total concentration was the average value of the depth from the first intermediate layer-side surface of the metal layer to SiO 2 in terms of until more than 5at%. Further, the metal layer was converted into SiO 2 until the total concentration of 10 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al became 5 at% or less. The values of the standard deviation of the depth and the standard deviation / average value were calculated from the first intermediate layer side surface.

＜박리 강도＞<Peel strength>

캐리어 부착 금속박의 표면 처리박측을 BT수지(트리아진-비스말레이미드계 수지, 미쓰비시 가스 카가쿠 가부시키가이샤제)에 대기중, 압력：20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시켜 부착시켰다. 이어서, 로드 셀로 캐리어측을 끌어 당겨 90° 박리법(JIS　C　6471)에 준거하여, 길이방향으로 30mm 간격으로 10점 및 폭방향으로 30mm 간격으로 10점 측정하였다. 목표로 하는 박리 강도는 2~30 N/m이다. 또한, 상술한 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 깊이 범위의 Cu 농도 최대값의 평균값을 산출하였다.Surface-treated foil side of metal foil with carrier in BT resin (triazine-bismaleimide-based resin, product made by Mitsubishi Gas Kagaku Co., Ltd.) in the air, pressure: 20kgf / cm 2 , thermocompression bonding under the conditions of 220 ° C x 2 hours To be attached. Next, the carrier side was pulled to the load cell, and 10 points were measured at 30 mm intervals in the longitudinal direction and 10 points at 30 mm intervals in the width direction in accordance with the 90 ° peeling method (JIS C 6471). Target peeling strength is 2-30 N / m. In addition, we calculated the average of the maximum value of the Cu concentration in the depth range in terms of SiO 2 until the above-described oxygen is not more than 10at%.

＜금속층 밀착성＞<Metal Layer Adhesion>

캐리어 부착 금속박을 캐리어측으로부터 프리프레그에 적층하여, 금속 피복 적층판을 제조하였다. 그리고, 금속 피복 적층판의 캐리어 부착 금속박의 극박 금속층 위에 회로를 형성하고, 회로를 매몰 시키도록 수지층을 적층하였다. 그 후, 수지층 위에 회로, 수지층을 2회 마련한 후, 캐리어로부터 극박 금속층을 박리하고, 그 후 극박 금속층을 에칭함으로써 4층 회로기판을 작성하였다. 상기 4층 회로 기판을 10회 작성하여, 4층 회로 기판 작성중에 캐리어로부터 금속층이 8회 이상 박리한 경우에는, 금속층 밀착성을 '×'로 하였다. 또한, 4~7회 박리한 경우에는 금속층 밀착성을 '△', 박리하지 않거나 또는 1~3회 박리한 경우에는 금속 밀착성을 '○'로 하였다.The metal foil with a carrier was laminated | stacked on the prepreg from the carrier side, and the metal coating laminated board was manufactured. And a circuit was formed on the ultra-thin metal layer of the metal foil with a carrier of a metal-clad laminated board, and the resin layer was laminated so that the circuit might be buried. Then, after providing the circuit and the resin layer twice on the resin layer, the ultrathin metal layer was peeled off from the carrier, and then the ultrathin metal layer was etched to produce a four-layer circuit board. When the said 4-layer circuit board was created 10 times and the metal layer peeled 8 times or more from a carrier during the 4-layer circuit board preparation, metal layer adhesiveness was made into "x." In addition, when peeling 4-7 times, metal layer adhesiveness was "(triangle | delta)", and when peeling not 1 or 3 times, metal adhesiveness was made into "(circle)".

＜레이저 가공성＞<Laser processability>

캐리어 부착 동박과 기재(미쓰비시 가스 화학(주) 제：GHPL-832NX-A)에 대해서, 220℃에서 2시간 가열하는 적층 프레스를 실시한 후, 동박 캐리어를 JIS　C 6471(1995, 또한 동박을 벗겨내는 방법은, 8.1　동박의 벗김 강도　8.1.1 시험 방법의 종류(1) 방법 A(동박을 동박 제거면에 대해서 90° 방향으로 벗겨내는 방법)로 했다.)에 준거하여 벗기고, 극박 구리층의 중간층측 표면을 노출시켰다. 그리고 노출시킨 캐리어 부착 동박의 극박 구리층의 중간층측 표면에, 레이저를 하기 조건에서 1샷 또는 2샷 조사하여, 조사 후의 구멍 모양을 현미경으로 관찰하고 계측하였다. 표에서는, 구멍 뚫기의 '실수'로서, 100개의 지점에 구멍 뚫기를 시도하여 실제로 몇 개의 구멍을 뚫을 수 없었는지(미개구 구멍 수)를 관찰하였다. 또한, 구멍의 지름은 구멍을 둘러싸는 최소원의 직경으로 하였다.After carrying out lamination press which heats at 220 degreeC for 2 hours about copper foil with a carrier and base material (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. make: GHPL-832NX-A), JISCC 6471 (1995, further peels off copper foil carrier) The method stripped based on 8.1 peeling strength 8.1.1 test method (1) Method A (a method of peeling copper foil in a 90 ° direction with respect to the copper foil removing surface), and the intermediate layer of the ultrathin copper layer. The side surface was exposed. And the laser beam was irradiated to the surface of the intermediate | middle layer side of the ultra-thin copper layer of the copper foil with a carrier exposed on the following conditions, and the hole shape after irradiation was observed and measured with the microscope. In the table, as a 'mistake' of the perforations, 100 holes were tried to observe how many holes were not actually drilled (the number of unopened holes). In addition, the diameter of the hole was made into the diameter of the minimum circle which surrounds a hole.

·가스종류：CO2 Gas type: CO 2

·동박 개구경(표적)：50㎛ 지름Copper foil opening diameter (target): 50 micrometers in diameter

·빔 형상：톱 햇Beam shape: Top hat

·출력：2.40W/10㎲Output: 2.40W / 10㎲

·펄스폭：33㎲Pulse width: 33 kHz

·샷 수：Number of shots:

1샷(극박 구리층의 두께가 0.8~2㎛인 경우)1 shot (when the thickness of the ultrathin copper layer is 0.8 to 2 μm)

2샷(극박 구리층의 두께가 3~5㎛인 경우)2 shots (when the thickness of the ultrathin copper layer is 3 to 5 μm)

＜에칭성＞<Etching property>

캐리어 부착 동박을 폴리이미드 기판에 붙여서 220℃에서 2시간 가열 압착하고, 그 후 극박 구리층을 동박 캐리어로부터 벗겼다. 이어서, 폴리이미드 기판상의 극박 구리층 표면에 감광성 레지스트를 도포한 후, 노광 공정에 의해 50개의 L/S=5㎛/5㎛ 폭의 회로를 인쇄하고, 구리층의 불필요 부분을 제거하는 에칭 처리를 이하의 스프레이 에칭 조건으로 실시하였다.The copper foil with a carrier was stuck to the polyimide board | substrate, and it heated and crimped at 220 degreeC for 2 hours, and the ultra-thin copper layer was peeled off from the copper foil carrier after that. Subsequently, after apply | coating a photosensitive resist to the ultra-thin copper layer surface on a polyimide substrate, the etching process of printing 50 L / S = 5micrometer / 5micrometer wide circuits by an exposure process, and removing the unnecessary part of a copper layer, Was carried out under the following spray etching conditions.

(스프레이 에칭 조건)(Spray etching condition)

에칭액：염화제이철 수용액(보메도：40도)Etching liquid: Ferric chloride aqueous solution (Bomedo: 40 degrees)

액온：60℃Liquid temperature: 60 degrees Celsius

스프레이압：2.0MPaSpray pressure: 2.0MPa

에칭을 계속하여 회로 톱의 폭이 4㎛가 될 때까지의 시간을 측정하고, 추가로 그 때의 회로 보텀 폭(밑변 X의 길이) 및 부식 계수를 평가했다. 부식 계수는, 확대 에칭된 경우(언더컷이 발생한 경우), 회로가 수직으로 에칭되었다고 가정했을 경우, 동박 상면으로부터의 수직선과 수지 기판의 교점으로부터의 언더컷 길이의 거리를 a로 한 경우, 이 a와 동박 두께 b의 비：b/a를 나타내는 것으로, 이 수치가 클 수록 경사각은 커지고, 에칭 잔여물이 남지 않아, 언더컷이 작아지는 것을 의미한다. 도 6에, 회로 패턴의 폭방향 횡단면의 모식도와, 상기 모식도를 이용한 부식 계수의 계산방법의 개략을 가리킨다. 이 X는 회로 위쪽으로부터의 SEM 관찰에 의해 측정하여, 부식 계수(EF=b/a)를 산출하였다. 또한, a=(X(㎛)-4(㎛))/2로 계산하였다. 이 부식 계수를 이용함에 따라, 에칭성의 좋고 나쁨을 간단하게 판정할 수 있다. 본 발명에서는, 부식 계수가 5 이상을 에칭성：○, 2.5 이상 5 미만을 에칭성：△, 2.5 미만 혹은 산출 불가를 에칭성：×로 평가했다. 또한, 표 중 '밑변 X의 길이'에서의 '연결'은, 적어도 밑변 부분에 인접하는 회로와 연결되어 버려서, 회로를 형성할 수 없었다는 것을 나타내고 있다.Etching was continued and the time until the width | variety of a circuit saw became 4 micrometers was measured, and the circuit bottom width (length of base X) and the corrosion coefficient at that time were further evaluated. Corrosion coefficient is a and when a distance is etched (in case of undercut), assuming that the circuit is etched vertically, a distance between the vertical line from the upper surface of the copper foil and the length of the undercut from the intersection of the resin substrate is a. It shows ratio of copper foil thickness b: b / a, and it means that the inclination angle becomes large, so that an etching residue does not remain and a undercut becomes small, so that this numerical value is large. 6, the schematic diagram of the width direction cross section of a circuit pattern, and the outline of the calculation method of a corrosion coefficient using the said schematic diagram are shown. This X was measured by SEM observation from the upper circuit, and the corrosion coefficient (EF = b / a) was computed. In addition, it calculated as a = (X (micrometer) -4 (micrometer)) / 2. By using this corrosion coefficient, the good and bad etching property can be judged easily. In the present invention, the corrosion coefficient was 5 or more, and the etching property: ○, 2.5 or more and less than 5, the etching property: △, less than 2.5, or the calculation impossibility was evaluated by the etching property: x. In addition, the "connection" in the "length of the base side X" in a table | surface has shown that it was connected with the circuit adjacent to the base part at least, and the circuit could not be formed.

＜휘는 양＞<Quantity of bend>

휘는 양은 캐리어 부착 금속박을 10cm각의 시트 모양으로 잘라서 극박 금속층측을 위로 하여 수평면상에 24시간 이상 정치한 후, 시트 4 우각부(隅角部)의 수평면으로부터의 부상 높이 최대값을 측정했다. 시트의 네 우각부가 부상하지 않고, 아래방향으로 휘어지고 있는 경우, 극박 금속층측을 아래로 둔 채로 시트 네 우각부의 부상 높이의 최대값을 측정했다.The amount of curvature cut | disconnected the metal foil with a carrier into the sheet shape of 10 cm square, left it on the horizontal plane for 24 hours or more on the ultra-thin metal layer side upward, and measured the floating height maximum value from the horizontal plane of the sheet | seat 4 right corner part. When the four right corners of the sheet did not float but were bent downward, the maximum value of the height of the floating height of the four corners of the sheet was measured while keeping the ultrathin metal layer side down.

휘는 양은 20mm 이하를 양호로 하여 '○'로 하고, 20mm를 넘는 경우에는 불량으로 하여 '×'로 했다.The curvature amount was made into "(circle)" 20 mm or less, and made it into "x" when it exceeded 20 mm.

시험 조건 및 결과를 표 1~22에 나타낸다. 또한, 실시예 1A~25A 및 실시예 1B~25B는 모두 캐리어 부착 금속박으로부터 금속층을 벗겼을 때의 금속층측의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 부착량이 0㎍/dm2였다.Test conditions and results are shown in Tables 1 to 22. Further, Examples 1A to 25A and Examples 1B to 25B are all Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, on the metal layer side when the metal layer is peeled off from the metal foil with a carrier. The adhesion amounts of Ni, Zn and Al were 0 µg / dm 2 .

[표 1]TABLE 1

Figure 112016094837866-pat00002
Figure 112016094837866-pat00002

[표 2]TABLE 2

Figure 112016094837866-pat00003
Figure 112016094837866-pat00003

[표 3]TABLE 3

Figure 112016094837866-pat00004
Figure 112016094837866-pat00004

[표 4]TABLE 4

Figure 112016094837866-pat00005
Figure 112016094837866-pat00005

[표 5]TABLE 5

Figure 112016094837866-pat00006
Figure 112016094837866-pat00006

[표 6]TABLE 6

Figure 112016094837866-pat00007
Figure 112016094837866-pat00007

[표 7]TABLE 7

Figure 112016094837866-pat00008
Figure 112016094837866-pat00008

[표 8]TABLE 8

Figure 112016094837866-pat00009
Figure 112016094837866-pat00009

[표 9]TABLE 9

Figure 112016094837866-pat00010
Figure 112016094837866-pat00010

[표 10]TABLE 10

Figure 112016094837866-pat00011
Figure 112016094837866-pat00011

[표 11]TABLE 11

Figure 112016094837866-pat00012
Figure 112016094837866-pat00012

[표 12]TABLE 12

Figure 112016094837866-pat00013
Figure 112016094837866-pat00013

[표 13]TABLE 13

Figure 112016094837866-pat00014
Figure 112016094837866-pat00014

[표 14]TABLE 14

Figure 112016094837866-pat00015
Figure 112016094837866-pat00015

[표 15]TABLE 15

Figure 112016094837866-pat00016
Figure 112016094837866-pat00016

[표 16]TABLE 16

Figure 112016094837866-pat00017
Figure 112016094837866-pat00017

[표 17]TABLE 17

Figure 112016094837866-pat00018
Figure 112016094837866-pat00018

[표 18]TABLE 18

Figure 112016094837866-pat00019
Figure 112016094837866-pat00019

[표 19]TABLE 19

Figure 112016094837866-pat00020
Figure 112016094837866-pat00020

[표 20]TABLE 20

Figure 112016094837866-pat00021
Figure 112016094837866-pat00021

[표 21]TABLE 21

Figure 112016094837866-pat00022
Figure 112016094837866-pat00022

[표 22]Table 22

Figure 112016094837866-pat00023
Figure 112016094837866-pat00023

(평가 결과)(Evaluation results)

실시예 1A~62A는, 모두 캐리어 부착 금속박 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을, 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 제1 중간층에 있어서, 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하였기 때문에, 금속층 밀착성 및 박리성이 양호했다.Example 1A-62A is a 1st intermediate | middle layer, when all the cross sections including a part of metal foil carrier with a carrier, a 1st intermediate | middle layer, and a part of metal layer were linearly analyzed by STEM in the same direction as the thickness direction of a carrier, Since the average value of the thickness of the part with 10 oxygen of 5 at% or more was 0.5 nm or more and 30 nm or less, and the standard deviation / average value was 0.6 or less, metal layer adhesiveness and peelability were favorable.

비교예 1A~9A는, 모두 캐리어 부착 금속박 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을, 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 제1 중간층에 있어서, 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하의 범위 외 또는 표준 편차/평균값이 0.6 이하의 범위 외였기 때문에, 금속층 밀착성 및 박리성 중 적어도 한쪽이 불량이었다.In Comparative Example 1A-9A, when the cross section including a part of a metal foil carrier with a carrier, a part of a 1st intermediate | middle layer, and a part of a metal layer was linearly analyzed by STEM in the same direction as the thickness direction of a carrier, in a 1st intermediate | middle layer, At least one of the metal layer adhesiveness and peelability was inferior because the average value of the thickness of the portion where 10 oxygen was 5 at% or more was outside the range of 0.5 nm or more and 30 nm or less, or the standard deviation / average value was 0.6 or less.

도 5에, 실시예 17A의 일부 샘플의 캐리어의 제1 중간층측 표면의 기판 부착 후의 두께 방향의 STEM 선분석 결과를 나타낸다.In FIG. 5, the STEM line analysis result of the thickness direction after the adhesion of the board | substrate of the 1st intermediate | middle layer side surface of the carrier of some samples of Example 17A is shown.

(평가 결과)(Evaluation results)

실시예 1B~63B는, 모두 캐리어의 제1 중간층측 표면의 XPS 분석에 있어서, 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하였기 때문에, 금속층 밀착성 및 박리성이 양호했다.In Examples 1B to 63B, in the XPS analysis of the first intermediate layer side surface of the carrier, the depth from the first intermediate layer side surface of the carrier peeled off in terms of SiO 2 until 10 oxygen was 10 at% or less. Since the average value of was 0.5 nm or more and 30 nm or less and the standard deviation / average value was 0.6 or less, metal layer adhesiveness and peelability were favorable.

비교예 1B~9B는, 모두 캐리어의 제1 중간층측 표면의 XPS 분석에 있어서, 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하의 범위외, 또는 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 범위외였기 때문에, 금속층 밀착성 및/또는 박리성이 불량이었다.Comparative Example 1B ~ 9B are all depth from in the first intermediate layer XPS analysis of the side surfaces of the carrier, the carrier removed with SiO 2 in terms of until 10 places the oxygen is not more than 10at% first intermediate layer-facing surface Since the average value of was outside the range of 0.5 nm or more and 30 nm or less, or the standard deviation / average value was 0.6 or less, the metal layer adhesiveness and / or peelability were inferior.

도 7에, 실시예 15B의 일부 샘플의 캐리어의 제1 중간층측 표면의 기판 부착 전 깊이 방향의 XPS 분석 결과를 나타낸다.In FIG. 7, XPS analysis result of the depth direction before a board | substrate adhesion of the 1st intermediate | middle layer side surface of the carrier of some samples of Example 15B is shown.

또한, 실시예 61A는 캐리어의 제1 중간층측 표면의 XPS 분석에 있어서, 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하의 범위외, 또는 표준 편차/평균값이 0.6 이하의 범위 외였지만, 상기와 같이 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 제1 중간층에서 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하였기 때문에, 금속층 밀착성 및 박리성이 양호했다.Moreover, in Example 61A, in the XPS analysis of the surface of the first intermediate layer side of the carrier, the average value of the depth from the surface of the first intermediate layer side of the carrier peeled off in terms of SiO 2 until 10 oxygen was 10 at% or less was obtained. Although it was outside the range of 0.5 nm or more and 30 nm or less, or the standard deviation / average value was outside the range of 0.6 or less, as mentioned above, the cross section containing a part of carrier of a metal foil with a carrier, a 1st intermediate | middle layer, and a part of a metal layer is made into the thickness direction of a carrier, When the line analysis was conducted by STEM in the same direction, since the average value of the thickness of the portion where 10 oxygen was 5 at% or more in the first intermediate layer was 0.5 nm or more and 30 nm or less, and the standard deviation / average value was 0.6 or less, the metal layer adhesion and Peelability was favorable.

또한, 실시예 63B는, 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때, 제1 중간층에 있어서, 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 범위 외, 또는 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 범위 외였지만, 상기와 같이 캐리어의 제1 중간층측 표면의 XPS 분석에 있어서, 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 박리된 캐리어의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하였기 때문에, 금속층 밀착성 및 박리성이 양호했다.In Example 63B, when the cross section including a part of the carrier of the metal foil with a carrier, a first intermediate layer and a part of the metal layer is subjected to linear analysis by STEM in the same direction as the thickness direction of the carrier, in the first intermediate layer, In the XPS analysis of the surface of the first intermediate layer side of the carrier as described above, although the average value of the thickness of the portion where 10 oxygen was 5 at% or more was outside the range of 0.5 nm or more and 30 nm or less, or the standard deviation / average value was 0.6 or less. because of the 10 locations yeotgi oxygen, and the average value is more than 30nm 0.5nm or less in depth from a first surface of the intermediate layer side of the carrier separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%, the standard deviation / average value is more than 0.6, the metal layer Adhesiveness and peelability were favorable.

a　조화 처리층
b　극박 구리층
c　캐리어
d　레지스트
e　회로 도금
f　수지
g　비어 필
h　구리 필러a harmonic treatment layer
b ultrathin copper layer
c carrier
d resist
e circuit plating
f resin
g beer fill
h copper filler

Claims (61)

캐리어, 제1 중간층, 금속층(상기 제1 중간층 측 표면에 건식 처리로 형성된 구리 시드층이 마련된 극박 구리층은 제외)을 이 순서로 가지는 캐리어 부착 금속박으로서,
상기 제1 중간층은, 산소와, Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부를 포함하는 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.As a metal foil with a carrier which has a carrier, a 1st intermediate | middle layer, and a metal layer (except the ultra-thin copper layer provided with the copper seed layer formed by the dry process on the said 1st intermediate | middle layer side surface) in this order,
The first intermediate layer includes oxygen and one or two or more elements selected from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. Including,
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places When the cross section containing a part of the line is analyzed by STEM in the same direction as the thickness direction of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose average value of the thickness of the part in which 10 said oxygen is 5 at% or more is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and standard deviation / average value is 0.6 or less. 제1항에 있어서,
상기 10개소의 상기 산소가 5at% 이상인 두께 영역에 있어서, Cr이 1at% 이상 존재하는 캐리어 부착 금속박.The method of claim 1,
Metal foil with a carrier in which Cr is 1 at% or more in the thickness area | region where the said 10 places of oxygen are 5 at% or more. 제1항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 1,
The metal foil with a carrier is thermally pressed under the conditions of pressure 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate.
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places When the cross section of the cross section is STEM in the same direction as the thickness of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose average value of the thickness of the part whose oxygen of 10 places is 5 at% or more is 0.5 nm or more and 30 nm or less. 제2항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 2,
The metal foil with a carrier is thermally pressed under the conditions of pressure 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate.
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places When the cross section of the cross section is STEM in the same direction as the thickness of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose average value of the thickness of the part whose oxygen of 10 places is 5 at% or more is 0.5 nm or more and 30 nm or less. 제1항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 1,
The metal foil with a carrier is thermally pressed under the conditions of pressure 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate.
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction) in total When the cross section of the cross section is STEM in the same direction as the thickness of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose standard deviation / average value of the thickness of the part of 10 places of oxygen is 5 at% or more is 0.6 or less. 제2항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 2,
The metal foil with a carrier is thermally pressed under the conditions of pressure 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate.
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places When the cross section of the cross section is STEM in the same direction as the thickness of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose standard deviation / average value of the thickness of the part of 10 places of oxygen is 5 at% or more is 0.6 or less. 제3항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 3,
The metal foil with a carrier is thermally pressed under the conditions of pressure 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate.
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places When the cross section of the cross section is STEM in the same direction as the thickness of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose standard deviation / average value of the thickness of the part of 10 places of oxygen is 5 at% or more is 0.6 or less. 제4항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고,
상기 캐리어 부착 금속박을 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 일부, 제1 중간층 및 금속층의 일부 단면을 캐리어의 두께 방향과 같은 방향으로 STEM으로 선분석을 실시했을 때,
상기 제1 중간층에 있어서, 상기 10개소의 산소가 5at% 이상인 부분의 두께의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 4, wherein
The metal foil with a carrier is thermally pressed under the conditions of pressure 20 kgf / cm 2 and 220 ° C x 2 hours in the air from the metal layer side to the insulating substrate.
The part of the carrier of the metal foil with a carrier, the first intermediate | middle layer, and the metal layer with respect to the said metal foil with a carrier with 5 places by 20 mm space | interval in the width direction (TD direction), and 5 places by 20 mm space | interval in the longitudinal direction (MD direction), a total of 10 places When the cross section of the cross section is STEM in the same direction as the thickness of the carrier,
The said 1st intermediate | middle layer WHEREIN: The metal foil with a carrier whose standard deviation / average value of the thickness of the part of 10 places of oxygen is 5 at% or more is 0.6 or less. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
캐리어, 산소를 포함하는 제1 중간층, 금속층을 이 순서로 가지는 캐리어 부착 금속박으로서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8,
As a metal foil with a carrier which has a carrier, the 1st intermediate | middle layer containing oxygen, and a metal layer in this order,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier. 5 positions at an interval, the sum for the 10 positions when subjected to the depth direction analysis by XPS, the 10 locations of the oxygen-10at until the following% SiO 2 in terms of the separation of the carrier of the first intermediate layer side Metal foil with a carrier whose average value of the depth from a surface is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and standard deviation / average value is 0.6 or less. 캐리어, 산소를 포함하는 제1 중간층, 금속층(상기 제1 중간층 측 표면에 건식 처리로 형성된 구리 시드층이 마련된 극박 구리층은 제외)을 이 순서로 가지는 캐리어 부착 금속박으로서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하이고, 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.As a metal foil with a carrier which has a carrier, the 1st intermediate | middle layer containing oxygen, and a metal layer (except the ultra-thin copper layer provided with the copper seed layer formed by the dry process on the said 1st intermediate | middle layer side surface) in this order,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier. 5 positions at an interval, the sum for the 10 positions when subjected to the depth direction analysis by XPS, the 10 locations of the oxygen-10at until the following% SiO 2 in terms of the separation of the carrier of the first intermediate layer side Metal foil with a carrier whose average value of the depth from a surface is 0.5 nm or more and 30 nm or less, and standard deviation / average value is 0.6 or less. 제10항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.2nm 이상 10nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 10,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier. five points at intervals, when it is carried in a depth direction analysis by XPS for a total of 10 points, the Cr of the 10 locations of the first intermediate layer of the release carrier to the SiO 2 in terms of until more than 5at%-facing surface Metal foil with a carrier whose average value of the depth from a base is 0.2 nm or more and 10 nm or less. 제10항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 10,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier. five points at intervals, when it is carried in a depth direction analysis by XPS for a total of 10 points, the Cr of the 10 locations of the first intermediate layer of the release carrier to the SiO 2 in terms of until more than 5at%-facing surface Metal foil with a carrier whose standard deviation / average value of the depth from it is 0.6 or less. 제11항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr이 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 11,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and 5 places at 20 mm intervals in the width direction (TD direction) and 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer side of the peeled carrier. five points at intervals, when it is carried in a depth direction analysis by XPS for a total of 10 points, the Cr of the 10 locations of the first intermediate layer of the release carrier to the SiO 2 in terms of until more than 5at%-facing surface Metal foil with a carrier whose standard deviation / average value of the depth from it is 0.6 or less. 제10항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 10,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the first intermediate layer side of the mean value of the depth from the surface is more than 30nm 0.5nm or less carrier coated metal foil of the release carrier to the weight of SiO 2 until the oxygen of the 10 places is not more than 10at%. 제11항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 11,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the first intermediate layer side of the mean value of the depth from the surface is more than 30nm 0.5nm or less carrier coated metal foil of the release carrier to the weight of SiO 2 until the oxygen of the 10 places is not more than 10at%. 제12항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 12,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the first intermediate layer side of the mean value of the depth from the surface is more than 30nm 0.5nm or less carrier coated metal foil of the release carrier to the weight of SiO 2 until the oxygen of the 10 places is not more than 10at%. 제13항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 30nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 13,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the first intermediate layer side of the mean value of the depth from the surface is more than 30nm 0.5nm or less carrier coated metal foil of the release carrier to the weight of SiO 2 until the oxygen of the 10 places is not more than 10at%. 제10항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 10,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제11항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 11,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제12항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 12,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제13항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 13,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제14항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 14,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제15항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 15,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or less carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제16항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 16,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제17항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박을 상기 금속층측으로부터 절연 기판으로 대기중, 압력 20kgf/cm2, 220℃×2시간의 조건하에서 열압착시키고, 상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시켜서, 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 박리된 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 17,
The metal foil with a carrier is thermocompressed in the air from the metal layer side to an insulated substrate under conditions of 20 kgf / cm 2 at a pressure of 220 ° C. × 2 hours, and the carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, Depth direction analysis by XPS was performed on five places at a distance of 20 mm in the width direction (TD direction) and five places at a distance of 20 mm in the longitudinal direction (MD direction) from the surface of the first intermediate layer on the peeled carrier. have performed time, the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the 10 places the first side surface of the intermediate layer of the oxygen carrier in the separation in terms of SiO 2 until it is less than 10at%. 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 캐리어를 박리함으로써 노출한, 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터의 깊이의 평균값이 0.5nm 이상 300nm 이하인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 10 to 25,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and is exposed at 5 mm intervals in the width direction (TD direction) from the first intermediate layer side surface of the metal layer of the metal foil with the carrier exposed by peeling the carrier. When the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places and a total of 10 places at 20 mm intervals in the places and the longitudinal direction (MD direction), the above 10 places of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W Metal foil with a carrier having an average value of a depth from the first intermediate layer side surface of the metal layer of 0.5 nm or more and 300 nm or less in terms of SiO 2 until the total concentration of, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, and Al becomes 5 at% or less. . 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 캐리어를 박리함으로써 노출한, 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 10 to 25,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and is exposed at 5 mm intervals in the width direction (TD direction) from the first intermediate layer side surface of the metal layer of the metal foil with the carrier exposed by peeling the carrier. When the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places and a total of 10 places at 20 mm intervals in the places and the longitudinal direction (MD direction), the above 10 places of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W , Mn, Fe, Co, Ni , Zn and Al in the total concentration and the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the surface of the metal layer to the SiO 2 in terms of until more than 5at%. 제26항에 있어서,
상기 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 캐리어를 JIS　C　6471에 준거하여 박리시키고, 상기 캐리어를 박리함으로써 노출한, 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층의 제1 중간층측 표면으로부터 폭방향(TD방향)으로 20mm 간격으로 5개소 및 길이방향(MD방향)으로 20mm 간격으로 5개소, 합계 10개소에 대해서 XPS에 의한 깊이 방향 분석을 실시했을 때, 상기 10개소의 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al의 합계 농도가 5at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 상기 금속층 표면으로부터의 깊이의 표준 편차/평균값이 0.6 이하인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 26,
The carrier is peeled from the metal foil with the carrier in accordance with JIS C 6471, and is exposed at 5 mm intervals in the width direction (TD direction) from the first intermediate layer side surface of the metal layer of the metal foil with the carrier exposed by peeling the carrier. When the depth direction analysis by XPS was performed about 5 places and a total of 10 places at 20 mm intervals in the places and the longitudinal direction (MD direction), the above 10 places of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W , Mn, Fe, Co, Ni , Zn and Al in the total concentration and the standard deviation / average value is 0.6 or lower carrier coated metal foil with the depth from the surface of the metal layer to the SiO 2 in terms of until more than 5at%. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 중간층이 크로메이트 처리층을 포함하는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
The metal foil with a carrier, wherein the first intermediate layer includes a chromate treatment layer. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 중간층이 구리를 포함하는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
Metal foil with a carrier in which the said 1st intermediate | middle layer contains copper. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 중간층이 아연을 포함하는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
A metal foil with a carrier, wherein the first intermediate layer contains zinc. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어의 상기 제1 중간층측 표면으로부터, 상기 산소가 10at% 이하가 될 때까지의 SiO2 환산으로 깊이의 범위에 있어서의 Cu 농도 최대값의 평균값이 15at% 이하인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
The first intermediate layer from the surface side, Cu concentration is the mean value of the maximum value than 15at% carrier coated metal foil in a range of depth in terms of SiO 2 to the time the oxygen is to be less than 10at% of the carrier. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 중간층이 포함하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소의 합계 부착량이 1000~50000㎍/dm2인 캐리어 부착 금속박.The method of claim 1,
Total adhesion amount of one or two or more elements selected from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al contained in the first intermediate layer Metal foil with a carrier of 1000 to 50000 µg / dm 2 . 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어와 상기 제1 중간층 사이에 제2 중간층을 가지고, 상기 제2중간층은 이하의 (35-1) 및 (35-2)의 양쪽을 만족하는, 캐리어 부착 금속박.
(35-1) 상기 제2 중간층은 상기 캐리어에 포함되지 않는 원소를 포함한다,
(35-2) 상기 제2 중간층은 이하의(35-2-1) 및 (35-2-2)중 하나를 만족한다,
(35-2-1) 상기 제2 중간층은 상기 제1 중간층에 포함되지 않는 원소를 포함한다,
(35-2-2) 상기 제2 중간층은 상기 제1 중간층에 포함되는 원소 가운데 적어도 하나를 포함하지 않는다.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
A metal foil with a carrier, having a second intermediate layer between the carrier and the first intermediate layer, wherein the second intermediate layer satisfies both of the following (35-1) and (35-2).
(35-1) The second intermediate layer contains an element not included in the carrier,
(35-2) The second intermediate layer satisfies one of the following (35-2-1) and (35-2-2),
(35-2-1) The second intermediate layer contains an element not included in the first intermediate layer.
(35-2-2) The second intermediate layer does not contain at least one of the elements included in the first intermediate layer. 제35항에 있어서,
상기 제2 중간층이 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하는 캐리어 부착 금속박.36. The method of claim 35 wherein
The second intermediate layer is attached with a carrier containing one or two or more elements selected from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. Metal foil. 제35항에 있어서,
상기 제2 중간층이 포함하는 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소의 합계 부착량이 1000~50000㎍/dm2인 캐리어 부착 금속박.36. The method of claim 35 wherein
Total adhesion amount of one or two or more elements selected from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al contained in the second intermediate layer Metal foil with a carrier of 1000 to 50000 µg / dm 2 . 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 중간층과 상기 금속층 사이에 제3 중간층을 가지고, 상기 제3 중간층은 이하의 (38-1) 및 (38-2)의 양쪽을 만족하는, 캐리어 부착 금속박.
(38-1) 상기 제3 중간층은 상기 금속층에 포함되지 않는 원소를 포함한다,
(38-2) 상기 제3 중간층은 상기 캐리어 부착 금속박에서 상기 금속층을 박리한 때, 상기 박리된 금속층에 부착하는 층이다.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
A metal foil with a carrier, having a third intermediate layer between the first intermediate layer and the metal layer, wherein the third intermediate layer satisfies both of the following (38-1) and (38-2).
(38-1) The third intermediate layer contains an element not included in the metal layer.
The said 3rd intermediate | middle layer is a layer which adheres to the said peeled metal layer, when peeling the said metal layer from the said metal foil with a carrier. 제35항에 있어서,
상기 제1 중간층과 상기 금속층 사이에 제3 중간층을 가지고, 상기 제3 중간층은 이하의 (39-1) 및 (39-2)의 양쪽을 만족하는, 캐리어 부착 금속박.
(39-1) 상기 제3 중간층은 상기 금속층에 포함되지 않는 원소를 포함한다,
(39-2) 상기 제3 중간층은 상기 캐리어 부착 금속박에서 상기 금속층을 박리한 때, 상기 박리된 금속층에 부착하는 층이다.36. The method of claim 35 wherein
A metal foil with a carrier, having a third intermediate layer between the first intermediate layer and the metal layer, wherein the third intermediate layer satisfies both the following (39-1) and (39-2).
(39-1) The third intermediate layer contains an element not included in the metal layer.
The said 3rd intermediate | middle layer is a layer which adheres to the said peeled metal layer, when peeling the said metal layer from the said metal foil with a carrier. 제38항에 있어서,
상기 제3 중간층이 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하는 캐리어 부착 금속박.The method of claim 38,
The third intermediate layer is attached to a carrier containing one or two or more elements selected from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. Metal foil. 제39항에 있어서,
상기 제3 중간층이 Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn 및 Al로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 원소를 포함하는 캐리어 부착 금속박.The method of claim 39,
The third intermediate layer is attached to a carrier containing one or two or more elements selected from the group consisting of Cr, Ti, Zr, V, Nb, Ta, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Zn and Al. Metal foil. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 중간층이 크로메이트 처리층이고, 또한, Cr의 부착량이 10~50㎍/dm2인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
The said 1st intermediate | middle layer is a chromate-treated layer, and the metal foil with a carrier whose Cr adhesion amount is 10-50 micrograms / dm <2> . 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어가 Cu계 재료인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
Metal foil with a carrier whose said carrier is a Cu system material. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층이 Cu계 도금층인 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
Metal foil with a carrier whose said metal layer is a Cu type plating layer. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 중간층은, 캐리어측으로부터, 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴, 바나듐, 또는 니켈, 코발트, 철, 텅스텐, 몰리브덴 및 바나듐으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 합금 중 어느 1종의 층과, 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층을 이 순서로 가지는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
The first intermediate layer is any one of an alloy containing at least one element selected from the group consisting of nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum, vanadium or nickel, cobalt, iron, tungsten, molybdenum and vanadium from the carrier side. Metal foil with a carrier which has 1 type and the layer containing any 1 or more types of chromium, chromium alloy, and chromium oxide in this order. 제45항에 있어서,
상기 크롬, 크롬 합금 및 크롬의 산화물 중 어느 1종 이상을 포함하는 층이 크로메이트 처리층을 포함하는 캐리어 부착 금속박.The method of claim 45,
Metal foil with a carrier in which the layer containing any 1 or more types of the said chromium, chromium alloy, and chromium oxide contains a chromate treatment layer. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 캐리어가 전해 동박 또는 압연 동박으로 형성되어 있는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
Metal foil with a carrier in which the said carrier is formed with electrolytic copper foil or rolled copper foil. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박이 캐리어의 한쪽 면에 상기 제1 중간층, 상기 금속층을 이 순서로 가지는 경우에 있어서, 상기 금속층측 및 상기 캐리어측의 적어도 한쪽 표면, 또는 양쪽 표면에, 또는,
제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박이 캐리어의 양쪽 면에 상기 제1 중간층, 상기 금속층을 이 순서로 가지는 경우에 있어서, 상기 한쪽 또는 양쪽 금속층측의 표면에,
조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 가지는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
When the metal foil with a carrier according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25 has the first intermediate layer and the metal layer in this order on one side of a carrier, the metal layer side and On at least one surface or both surfaces of the carrier side, or
The said metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8 and 10-25 has the said 1st intermediate | middle layer and the said metal layer in this order in both surfaces of a carrier, The said one or both sides On the surface of the metal layer side,
Metal foil with a carrier which has 1 or more types chosen from the group which consists of a roughening process layer, a heat resistant layer, a rustproof layer, a chromate treated layer, and a silane coupling process layer. 제48항에 있어서,
상기 조화 처리층이 구리, 니켈, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬, 철, 바나듐, 코발트 및 아연으로 이루어지는 군으로부터 선택된 어느 하나의 단체 또는 어느 1종 이상을 포함하는 합금으로 이루어지는 층인, 캐리어 부착 금속박.The method of claim 48,
With said carrier, the said roughening process layer is a layer which consists of an alloy containing any 1 type | system | group or any 1 or more types chosen from the group which consists of copper, nickel, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, iron, vanadium, cobalt, and zinc. Metal foil. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속층 위에 수지층을 구비하는 캐리어 부착 금속박.The method according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25,
Metal foil with a carrier provided with a resin layer on the said metal layer. 제48항에 있어서,
상기 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층 위에 수지층을 구비하는 캐리어 부착 금속박.The method of claim 48,
Metal foil with a carrier provided with a resin layer on 1 or more types chosen from the group which consists of the said roughening process layer, a heat resistant layer, a rustproof layer, a chromate treated layer, and a silane coupling process layer. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 구비한 적층체.The laminated body provided with the metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8 and 10-25. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박과 수지를 포함하는 적층체로서, 상기 캐리어 부착 금속박의 단면의 일부 또는 전부가 상기 수지로 덮여 있는 적층체.A laminate comprising the metal foil with a carrier according to any one of claims 1 to 8 and 10 to 25 and a resin, wherein part or all of the cross section of the metal foil with a carrier is covered with the resin. sieve. 하나의 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 상기 캐리어측으로부터, 다른 하나의 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박의 캐리어 측에 적층한 적층체.The metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8, 10-25 is the other from Claims 1-8, 10-25. The laminated body laminated | stacked on the carrier side of the metal foil with a carrier as described in any one of Claims. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board using the metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8 and 10-25. 제52항에 기재된 적층체를 이용한 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board using the laminated body of Claim 52. 제55항에 기재된 방법으로 제조된 프린트 배선판을 이용한 전자기기의 제조 방법.The manufacturing method of an electronic device using the printed wiring board manufactured by the method of Claim 55. 제52항에 기재된 적층체에 수지층과 회로의 2층을 적어도 1회 마련하는 공정, 및
상기 수지층 및 회로의 2층을 적어도 1회 형성한 후에, 상기 적층체의 캐리어 부착 금속박으로부터 상기 금속층을 박리시키는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.Providing a resin layer and two layers of a circuit at least once in the laminated body of Claim 52, and
After forming two layers of the said resin layer and a circuit at least once, the process of peeling the said metal layer from the metal foil with a carrier of the said laminated body.
Method of manufacturing a printed wiring board comprising a. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,
상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 및
상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 구리 피복 적층판을 형성하고,
그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 부분적 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 하나의 방법에 따라서 회로를 형성하는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.The process of preparing the metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8, 25-25, and an insulated substrate,
Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate, and
After laminating | stacking the said metal foil with a carrier and an insulated substrate, a copper clad laminated board is formed through the process of peeling off the carrier of the said metal foil with a carrier,
Thereafter, the step of forming a circuit according to any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method
Method of manufacturing a printed wiring board comprising a. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로가 매몰하도록 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정,
상기 수지층을 형성한 후에, 상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시키는 공정, 및
상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시킨 후에, 상기 금속층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.The process of forming a circuit in the said metal layer side surface or the said carrier side surface of the metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8, 10-25,
Forming a resin layer on the metal layer side surface or the carrier side surface of the metal foil with a carrier such that the circuit is buried;
After forming the resin layer, the step of peeling the carrier or the metal layer, and
Exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the metal layer side surface or the carrier side surface by removing the metal layer or the carrier after the carrier or the metal layer is peeled off.
Method of manufacturing a printed wiring board comprising a. 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제25항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박의 상기 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면과 수지 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어 부착 금속박의 수지 기판과 적층한 측과는 반대측의 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층과 회로의 2층을 적어도 1회 마련하는 공정, 및
상기 수지층 및 회로의 2층을 형성한 후에, 상기 캐리어 부착 동박으로부터 상기 캐리어 또는 상기 금속층을 박리시키는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.The process of laminating | stacking the said metal layer side surface or the said carrier side surface, and the resin substrate of the metal foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8, 10-25.
Providing at least once the two layers of the resin layer and the circuit on the metal layer side surface on the side opposite to the side laminated with the resin substrate of the metal foil with carrier or on the carrier side surface; and
After forming two layers of the said resin layer and a circuit, the process of peeling the said carrier or the said metal layer from the said copper foil with a carrier
Method of manufacturing a printed wiring board comprising a.
KR1020160125827A 2016-09-29 2016-09-29 Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier KR102018942B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160125827A KR102018942B1 (en) 2016-09-29 2016-09-29 Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160125827A KR102018942B1 (en) 2016-09-29 2016-09-29 Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180035566A KR20180035566A (en) 2018-04-06
KR102018942B1 true KR102018942B1 (en) 2019-09-05

Family

ID=61973543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160125827A KR102018942B1 (en) 2016-09-29 2016-09-29 Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102018942B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014193606A (en) * 2013-03-01 2014-10-09 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-fitted copper foil, copper-clad laminate sheet using the same, printed wiring board, electronic appliance using the same, and method for manufacturing printed wiring board
JP2014195871A (en) * 2013-03-05 2014-10-16 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with carrier, manufacturing method of copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper clad laminated sheet, and manufacturing method of printed wiring board

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7026059B2 (en) 2000-09-22 2006-04-11 Circuit Foil Japan Co., Ltd. Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad
JP4672907B2 (en) 2001-06-04 2011-04-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Composite copper foil provided with copper or copper alloy support and printed circuit board using the composite copper foil
JP4429979B2 (en) 2005-06-29 2010-03-10 古河電気工業株式会社 Ultra-thin copper foil with carrier and method for producing ultra-thin copper foil with carrier
JP2010006071A (en) 2009-08-21 2010-01-14 Furukawa Electric Co Ltd:The Surface treatment copper foil, extremely thin copper foil with carrier, flexible copper clad laminate, and polyimide based flexible printed wiring board
WO2012132578A1 (en) 2011-03-29 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with copper carrier, method for producing same, copper foil for electronic circuit, method for producing same, and method for forming electronic circuit
WO2012132572A1 (en) 2011-03-30 2012-10-04 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with copper carrier, method for producing said copper foil, copper foil for electronic circuit, method for producing said copper foil, and method for forming electronic circuit
JP6274736B2 (en) 2013-03-06 2018-02-07 Ｊｘ金属株式会社 Copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and printed wiring board manufacturing method
JP2014172183A (en) 2013-03-06 2014-09-22 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-provided copper foil, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate and method of producing printed wiring board

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014193606A (en) * 2013-03-01 2014-10-09 Jx Nippon Mining & Metals Corp Carrier-fitted copper foil, copper-clad laminate sheet using the same, printed wiring board, electronic appliance using the same, and method for manufacturing printed wiring board
JP2014195871A (en) * 2013-03-05 2014-10-16 Jx日鉱日石金属株式会社 Copper foil with carrier, manufacturing method of copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper clad laminated sheet, and manufacturing method of printed wiring board

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180035566A (en) 2018-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101975086B1 (en) Copper foil with carrier, laminate, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing electronic device
JP6339636B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, printed wiring board manufacturing method and electronic device manufacturing method
JP6342356B2 (en) Copper foil with carrier, printed wiring board, laminate, laminated board, electronic device and method for producing printed wiring board
KR101705975B1 (en) Copper foil with carrier, printed circuit board, laminate, electronic device and method of manufacturing printed circuit board
JP6622103B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, printed wiring board manufacturing method and electronic device manufacturing method
KR102067859B1 (en) Copper foil with carrier, laminate, method for manufacturing printed wiring board and method for manufacturing electronic device
JP6236120B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, laminate production method, printed wiring board production method, and electronic device production method
JP6557493B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, method for producing copper foil with carrier, and method for producing printed wiring board
TW201618619A (en) Manufacturing process of copper foil with carrier, manufacturing process of copper-clad laminated board, manufacturing process of printed wired board, manufacturing process of electronic machine and products thereof
JP6236119B2 (en) Copper foil with carrier, laminate, laminate production method, printed wiring board production method, and electronic device production method
JP2016194112A (en) Metal foil with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, manufacturing method of metal foil with carrier and manufacturing method of printed wiring board
JP6872947B2 (en) A method for manufacturing a copper foil with a carrier, a laminate, a method for manufacturing a copper foil with a carrier, a method for manufacturing a laminate, a method for manufacturing a printed wiring board, and a method for manufacturing an electronic device.
JP2017088971A (en) Copper foil with carrier, manufacturing method of copper foil with carrier, laminate, manufacturing method of printed wiring board and manufacturing method of electronic device
JP5449596B1 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP5386652B1 (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, printed wiring board, printed circuit board, copper-clad laminate, and method for producing printed wiring board
JP6821370B2 (en) Metal foil with carrier, laminate, manufacturing method of laminate, manufacturing method of printed wiring board and manufacturing method of electronic equipment
JP6099778B1 (en) A copper foil with a carrier, a laminate, a printed wiring board, a printed wiring board manufacturing method, and an electronic device manufacturing method.
KR102018942B1 (en) Metal foil with carrier, laminate, method of manufacturing printed wiring board, method of manufacturing electronic device and method of manufacturing metal foil with carrier
TWI631008B (en) Metal foil with carrier, method for producing printed wiring board, method for producing electronic device, and method for producing metal foil with carrier
JP6842232B2 (en) Manufacturing method of metal foil with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, metal foil with carrier and manufacturing method of printed wiring board
JP2018192775A (en) Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing laminate, method for manufacturing printed wiring board, and method for producing electronic apparatus
JP2016193524A (en) Metal foil with carrier, laminate, printed wiring board, electronic device, manufacturing method of metal foil with carrier and manufacturing method of printed wiring board
JP6509608B2 (en) Carrier-coated copper foil, laminate, printed wiring board, electronic device, and method of manufacturing printed wiring board
JP2018009237A (en) Copper foil with carrier, method for producing copper foil with carrier, laminate, method for producing laminate, method for manufacturing printed wiring board and method for manufacturing electronic equipment
CN107889354A (en) The metal foil of appendix body, laminate, the manufacture method of the manufacture method of printing distributing board and e-machine

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)