KR102010448B1 - Sensor and Apparatus for Measuring Gas Flow - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 가스 유량 센서는 웨이퍼 상에 형성된 캐비티(빈 공간) 위에 저항체가 놓인 형태로 이루어지고, 가스 유량 측정 장치는 웨이퍼 상에 가스의 흐름에 노출되는 여러 노출 저항부와 가스 흐름에 노출되지 않는 기준 저항부를 형성하고, 이들에 전류를 인가하여 저항값을 측정함으로써 각 노출 저항부가 형성된 위치에서의 가스 유량을 측정한다. 챔버 내에 배치될 수 있는 웨이퍼에 형성된 저항 요소들을 사용하므로 편리하게 챔버 내의 가스 유량을 측정할 수 있고, 가스 흐름에 영향을 받는 노출 저항부와 가스 흐름에 영향을 받지 않는 기준 저항부를 함께 사용하므로, 정확하게 가스 유량을 측정할 수 있다. 특히, 측정에 사용되는 장치의 전부 또는 일부를 가스 유량 센서가 형성되는 웨이퍼의 내부에 매립시켜 구성하면, 가스 유량 측정이 더욱 편리하게 이루어질 수 있다.The gas flow sensor according to the present invention is formed in the form of a resistor placed on the cavity (empty space) formed on the wafer, the gas flow measuring device is not exposed to the gas flow and the various exposure resistors exposed to the flow of gas on the wafer. By forming a reference resistance section, and applying a current to them to measure the resistance value, the gas flow rate at the position where each exposure resistance section is formed is measured. By using resistance elements formed on the wafer that can be placed in the chamber, it is possible to conveniently measure the gas flow rate in the chamber, and use the exposure resistance part which is affected by the gas flow and the reference resistance part which is not affected by the gas flow, Accurately measure gas flow rates. In particular, when all or part of the apparatus used for the measurement is embedded in the wafer on which the gas flow sensor is formed, gas flow rate measurement can be made more convenient.

Description

가스 유량 센서 및 가스 유량 측정 장치{Sensor and Apparatus for Measuring Gas Flow}Sensor and Apparatus for Measuring Gas Flow

본 발명은 가스 유량을 측정하는 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 공정 장비의 챔버 내에 흐르는 가스의 유량을 측정하기 위해 사용될 수 있는 가스 유량 센서, 및 그러한 센서를 이용하여 가스의 유량을 측정할 수 있는 가스 유량 측정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for measuring gas flow rate, and more particularly to a gas flow rate sensor that can be used to measure the flow rate of gas flowing in a chamber of a semiconductor processing equipment, and to measure the flow rate of gas using such a sensor. It relates to a gas flow rate measuring device that can be.

일반적으로, 반도체 집적회로의 제조공정은 세정공정, 이온 주입 공정, 사진 공정, 증착 공정, 식각 공정, 화학적 기계적 연마 등 다양한 단위 공정들로 이루어진다.In general, a semiconductor integrated circuit manufacturing process includes various unit processes such as a cleaning process, an ion implantation process, a photographic process, a deposition process, an etching process, and chemical mechanical polishing.

반도체 집적회로의 제조공정 중 플라즈마 공정 기술은 미세 반도체 집적회로를 제조하기 위한 필수적인 기술로서, 플라즈마를 이용하는 대표적인 단위공정 기술로는 건식 식각 및 건식 증착 등이 있다.Plasma process technology in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits is an essential technology for manufacturing a fine semiconductor integrated circuit, and typical unit process technologies using plasma include dry etching and dry deposition.

플라즈마 공정 중, 반도체 집적회로의 미세 선폭을 구현하기 위해서는 공정 입력 파라미터의 변화가 매우 작은 범위 이내로 허용되어야 하는데, 공정 입력 파라미터의 예로는 반응 가스의 양, 챔버의 압력, 인가 전력의 크기 등이 있다.During the plasma process, in order to realize the fine line width of the semiconductor integrated circuit, the change of the process input parameter should be allowed within a very small range. Examples of the process input parameter include the amount of reactant gas, the pressure in the chamber, and the magnitude of the applied power. .

한편, 반도체 제조 공정에서 가스가 일정하게 흐르지 않으면 공정 불량이 발생할 수 있다. 그러므로, 공정이 정상적으로 이루어지고 있는지를 모니터링하기 위해서는 정확하고 효율적인 가스 유량 측정이 필요하다.On the other hand, if the gas does not flow constantly in the semiconductor manufacturing process may cause a process failure. Therefore, accurate and efficient gas flow measurement is necessary to monitor whether the process is working normally.

이에 본 발명은 상기와 같은 필요성에 부응하기 위하여 안출된 것으로서, 챔버 내부를 흐르는 가스의 유량을 측정하기 위해 사용될 수 있는 가스 유량 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a gas flow sensor that can be used to measure the flow rate of the gas flowing in the chamber as designed to meet the above needs.

본 발명의 또 다른 목적은 가스 유량 센서를 이용하여 가스의 유량을 편리하고 효율적으로 계측할 수 있는 가스 유량 측정 장치를 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a gas flow rate measuring device that can measure the flow rate of gas conveniently and efficiently using a gas flow rate sensor.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 가스 유량 센서는, 웨이퍼 상에 형성된 두 전극과, 일정 저항값을 갖고 상기 두 전극 사이에 형성된 저항체를 포함하여 이루어질 수 있는데, 상기 저항체의 아래에 위치하는 웨이퍼의 일정 영역은 가스가 흐를 수 있도록 일정 깊이의 캐비티가 형성된다.In order to achieve the above object, the gas flow sensor according to the present invention may include two electrodes formed on the wafer and a resistor formed between the two electrodes with a predetermined resistance value, In a certain region of the wafer to be positioned, a cavity having a predetermined depth is formed to allow gas to flow.

상기 저항체는 가스 접촉 면적을 넓히기 위하여 굴곡진 형태를 갖도록 구성될 수 있다.The resistor may be configured to have a curved shape to widen the gas contact area.

본 발명에 따른 가스 유량 측정 장치는, 상부 기판과 하부 기판으로 이루어지는 웨이퍼, 상기 웨이퍼의 상부 기판에 가스의 흐름에 노출되도록 형성된 하나 이상의 노출 저항부, 및 상기 웨이퍼의 하부 기판에 형성된 하나 이상의 기준 저항부를 포함하여 이루어질 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for measuring a gas flow rate, comprising: a wafer consisting of an upper substrate and a lower substrate, one or more exposed resistance portions formed to expose a gas flow to the upper substrate of the wafer, and one or more reference resistors formed on the lower substrate of the wafer. It can be made including a part.

상기 노출 저항부는 상기 가스 유량 센서를 이용하여 구성될 수 있다.The exposure resistor unit may be configured using the gas flow sensor.

본 발명에 따른 가스 유량 측정 장치는, 상기 노출 저항부와 기준 저항부에 전력을 인가하고 저항값을 측정하는 측정처리부를 더 포함하여 구성될 수 있다.The gas flow rate measuring apparatus according to the present invention may further include a measurement processing unit for applying power to the exposure resistance unit and the reference resistance unit and measuring a resistance value.

상기 측정처리부는 어느 노출 저항부에 전력을 인가하고 저항값을 측정하는 과정을 각 노출 저항부에 대하여 순서대로 실행할 수 있다. 그리고, 상기 기준 저항부를 통해 측정된 저항값과 상기 노출 저항부를 통해 측정된 저항값의 차이의 변화를 기초로 가스 유량을 측정할 수 있다.The measurement processor may apply a power to an exposed resistor unit and measure a resistance value in order for each exposed resistor unit. The gas flow rate may be measured based on a change in the difference between the resistance value measured through the reference resistor unit and the resistance value measured through the exposure resistor unit.

상기 측정처리부는, 전력을 공급하기 위한 배터리부, 상기 노출 저항부와 기준 저항부에 대해 측정된 저항값을 저장하는 메모리부, 및 상기 메모리부에 저장된 저항값 정보를 전송하는 통신부를 포함하여 구성될 수 있다.The measurement processing unit includes a battery unit for supplying power, a memory unit for storing the resistance value measured for the exposure resistance unit and the reference resistance unit, and a communication unit for transmitting the resistance value information stored in the memory unit Can be.

상기 측정처리부는 상기 웨이퍼의 내부에 매립된 형태로 구성될 수 있다.The measurement processor may be configured to be embedded in the wafer.

본 발명에 따른 가스 유량 센서는 챔버 내에 배치될 수 있는 웨이퍼에 형성되므로, 편리하게 가스 유량을 측정할 수 있다.Since the gas flow sensor according to the present invention is formed on a wafer that can be disposed in the chamber, the gas flow rate sensor can be conveniently measured.

가스 흐름에 따라 저항값이 변하도록 배치되는 노출 저항부와, 가스의 흐름에 영향을 받지 않도록 배치되는 기준 저항부를 함께 사용하므로, 정확하게 가스의 유량을 측정할 수 있다.Since the exposure resistance part arranged to change the resistance value according to the gas flow and the reference resistance part arranged so as not to be affected by the flow of the gas are used together, the flow rate of the gas can be accurately measured.

이러한 가스 유량 센서를 이용하여 가스 유량을 측정할 때, 측정에 사용되는 장치의 전부 또는 일부를 가스 유량 센서가 형성되는 웨이퍼의 내부에 매립시켜 구성하면, 가스 유량 측정이 더욱 편리하게 이루어질 수 있다.When measuring the gas flow rate using such a gas flow rate sensor, if all or a part of the apparatus used for the measurement is embedded in the wafer on which the gas flow rate sensor is formed, gas flow rate measurement can be made more convenient.

가스 유량 센서를 통해 가스 유량을 측정하는 과정은 다양하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 각 노출 저항부에 대응하여 가스 유량을 측정하는 과정을 순차적으로 진행하도록 하면, 가스 유량 측정에 필요한 전력 소모를 줄일 수 있다.The process of measuring the gas flow rate through the gas flow sensor may be configured in various ways. For example, if the process of measuring the gas flow rate is sequentially performed in correspondence with each of the exposure resistors, power consumption required for the gas flow rate measurement can be reduced.

도 1은 반도체 공정 장치의 일 예,
도 2는 본 발명에 따른 가스 유량 센서의 일 실시예,
도 3은 본 발명에 따른 가스 유량 센서의 일 실시예에 관한 단면,
도 4는 캐비티를 통한 가스의 흐름을 설명하기 위한 예,
도 5는 본 발명에 따른 가스 유량 센서의 제조 과정에 관한 예,
도 6은 본 발명에 따른 가스 유량 측정 장치의 일 실시예,
도 7은 측정처리부를 포함하는 가스 유량 측정 장치의 일 실시예,
도 8은 측정처리부가 가스 유량을 측정하는 과정의 일 실시예,
도 9는 측정처리부에 관한 일 실시예이다.1 is an example of a semiconductor processing apparatus;
2 is an embodiment of a gas flow sensor according to the present invention;
3 is a cross-sectional view of an embodiment of a gas flow sensor according to the present invention;
4 is an example for explaining the flow of gas through the cavity,
5 is an example of a manufacturing process of a gas flow sensor according to the present invention;
Figure 6 is an embodiment of a gas flow rate measuring device according to the present invention,
7 is an embodiment of a gas flow rate measuring apparatus including a measuring processor;
8 is one embodiment of a process in which the measurement processing unit measures the gas flow rate,
9 is an embodiment of a measurement processing unit.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

도 1은 플라즈마를 이용하는 반도체 공정 장치의 예를 보인 것으로서, 챔버(100), 전원 공급부(114), 제어 모듈(116) 등을 포함하여 이루어질 수 있으며, 플라즈마 세정(Cleaning), 플라즈마 에싱(Ashing) 또는 플라즈마 에칭(Etching) 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.1 illustrates an example of a semiconductor processing apparatus using a plasma, and may include a chamber 100, a power supply 114, a control module 116, and the like, and may include plasma cleaning and plasma ashing. Alternatively, the present invention may be applied to various fields such as plasma etching.

챔버(100)는 가스 조절 장치(102), 플라즈마 공급수단(104), 방사 노즐부(106), 플레이트(110) 등을 포함할 수 있다.The chamber 100 may include a gas control device 102, a plasma supply means 104, a spinning nozzle unit 106, a plate 110, and the like.

플라즈마 공급수단(104)은 전원 공급부(114)로부터 전원을 공급받아 내부에 수용된 반응 가스를 이온화시켜 플라즈마(108)를 발생시키고, 처리대상물(예: 반도체 웨이퍼, 200)을 향해 방사시킨다.The plasma supplying unit 104 receives power from the power supply unit 114 to ionize the reaction gas contained therein to generate the plasma 108, and emit the plasma 108 toward the object to be processed (eg, the semiconductor wafer 200).

방사 노즐부(106)는 처리대상물이 안착되는 플레이트(110)와 마주보도록 플라즈마 공급수단(104)의 하부에 형성된다. 방사 노즐부(106)는 플라즈마 공급수단(104)에 의해 생성된 플라즈마를 방사하는 슬릿 형태의 노즐을 포함할 수 있다.The spinning nozzle unit 106 is formed in the lower portion of the plasma supply means 104 to face the plate 110 on which the object to be treated is seated. The spinning nozzle unit 106 may include a slit-shaped nozzle for radiating the plasma generated by the plasma supply means 104.

플레이트(110)는 처리대상물 또는 웨이퍼(200)를 지지한다.The plate 110 supports the object to be processed or the wafer 200.

전원 공급부(114)는 제어 모듈(116)의 제어 하에, 소정의 전압과 주파수를 갖는 전원을 생성하고, 생성된 전원을 플라즈마 공급수단(104)으로 공급한다.The power supply 114 generates a power having a predetermined voltage and frequency under the control of the control module 116, and supplies the generated power to the plasma supply means 104.

제어 모듈(116)은 장비의 각 구성요소를 전반적으로 제어한다.The control module 116 generally controls each component of the equipment.

예를 들어, 제어 모듈(116)은 사용자 입력에 기반하여 전원 공급부(114)로부터 생성되는 전원의 전압 및 주파수를 조절하여 챔버(100) 내부의 방사조건을 조정하고, 플라즈마 공정시 현재 상태를 디스플레이를 통해 표시하는 등 제어와 관리에 필요한 다양한 기능을 수행할 수 있다.For example, the control module 116 adjusts the radiation conditions inside the chamber 100 by adjusting the voltage and frequency of the power generated from the power supply 114 based on the user input, and displays the current state during the plasma process. Various functions necessary for control and management can be performed, such as displaying through.

도 2는 본 발명에 따른 가스 유량 센서의 일 실시예, 도 3은 가스 유량 센서가 형성된 웨이퍼의 단면, 도 4는 가스 유량 센서의 캐비티를 통해 가스의 흐름이 일어나는 것을 설명하기 위한 것이다.Figure 2 is an embodiment of the gas flow sensor according to the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the wafer on which the gas flow sensor is formed, Figure 4 is for explaining that the flow of gas through the cavity of the gas flow sensor.

도 2 내지 도 4를 참조하자면, 본 발명에 따른 가스 유량 센서(210)는 웨이퍼(200) 상에 형성되는 두 전극(211, 212)과 저항체(213), 및 캐비티(217)를 포함하여 이루어진다.2 to 4, the gas flow sensor 210 according to the present invention includes two electrodes 211 and 212, a resistor 213, and a cavity 217 formed on the wafer 200. .

가스 유량 센서(210)가 형성되는 웨이퍼(200)는 특별히 가스 유량을 측정하기 위한 검사 목적으로 챔버(100)에 반입되는 것일 수 있다. 이러한 테스트 웨이퍼는 플라즈마 공정시 처리 대상물을 대신하여 챔버(100)에 반입되어 챔버(100)의 내부 환경을 감지할 수 있도록 해준다.The wafer 200 on which the gas flow rate sensor 210 is formed may be carried in the chamber 100 for inspection purposes for measuring the gas flow rate. Such a test wafer is carried in the chamber 100 in place of an object to be processed in the plasma process, so that the internal environment of the chamber 100 can be sensed.

저항체(213)는 웨이퍼(200) 상에 형성된 두 전극(211, 212) 사이에 형성되는데, 전류가 흐르고, 일정한 저항값을 갖는 재질로 구성된다.The resistor 213 is formed between two electrodes 211 and 212 formed on the wafer 200. The resistor 213 is formed of a material having a current flowing therethrough and having a constant resistance value.

캐비티(217)는 비어있는 공간을 말하는 것으로서, 저항체(213)의 아래 쪽에 일정 깊이로 형성되어 가스가 흐를 수 있도록 하는 경로를 제공한다.The cavity 217 refers to an empty space, and is formed at a predetermined depth below the resistor 213 to provide a path for allowing gas to flow.

즉, 웨이퍼(200)의 표면 중 저항체(213)의 아래에 위치한 일정 영역(217)은 일정한 깊이와 모양으로 파여 있다. 저항체(213)는 마치 구름다리와 같이 캐비티(빈 공간, 217)의 상단에 걸쳐 있는 상태이며, 두 전극(211, 212)을 통해 지지되고 있다.That is, the predetermined region 217 located below the resistor 213 on the surface of the wafer 200 is dug into a certain depth and shape. The resistor 213 is in a state covering the upper end of the cavity (empty space 217) like a bridge and is supported by two electrodes 211 and 212.

이와 같은 구조로 인하여 챔버 내의 가스(30)가 캐비티(217)를 경유하여 흐르게 된다. 이 가스의 흐름에 따라 저항체(213)의 온도 등 저항체(213)의 환경이 변하여 저항값이 더욱 신속하게 변동하므로, 이를 이용하여 가스의 유량을 측정할 수 있게 되는 것이다.Due to this structure, the gas 30 in the chamber flows through the cavity 217. Since the environment of the resistor 213 such as the temperature of the resistor 213 changes according to the flow of the gas, the resistance value changes more quickly, so that the flow rate of the gas can be measured using this.

저항체(213)와 캐비티(217)의 모양이나 형태는 필요에 다양하게 구성될 수 있는 것이다. 저항체(213)는 가스 접촉 면적을 넓힐 수 있도록 하기 위하여 굴곡진 형태를 갖도록 구성될 수 있는데, 도 2에는 지그재그 형태로 구성된 저항체(213)의 예가 나타나 있다.The shape or shape of the resistor 213 and the cavity 217 may be configured in various ways as needed. The resistor 213 may be configured to have a curved shape in order to broaden the gas contact area. An example of the resistor 213 configured in a zigzag form is shown in FIG. 2.

저항체(213)가 가스와 접촉하는 면적이 커지면 가스의 흐름에 따른 온도 변화도 커져 저항값의 변화도 커질 것이므로, 더욱 정확하게 가스의 흐름을 측정할 수 있게 된다.If the area in which the resistor 213 is in contact with the gas increases, the temperature change according to the flow of the gas will also increase, so that the change in the resistance value will also increase, so that the gas flow can be measured more accurately.

가스 유량 센서(210)의 두 전극(211, 212)에는 각각 연결단자(211-1, 212-1)가 형성되며, 임의의 측정장치는 이 연결단자(211-1, 212-1)를 통해 저항체(213)에 전류를 인가하여 저항값을 측정할 수 있다.The two electrodes 211 and 212 of the gas flow sensor 210 are formed with connection terminals 211-1 and 212-1, respectively, and an arbitrary measuring device is connected to these terminals 211-1 and 212-1. The resistance value may be measured by applying a current to the resistor 213.

웨이퍼(200)는 도 3에 도시된 예와 같이 상부 기판(201)과 하부 기판(202)으로 이루어질 수 있다.The wafer 200 may be formed of an upper substrate 201 and a lower substrate 202 as shown in FIG. 3.

도 3에 도시된 또 다른 저항 요소(221)는 기준 저항부를 나타낸 것으로서 웨이퍼(200)가 상부 기판(201)과 하부 기판(202)으로 이루어질 때, 하부 기판(202)에도 저항 요소(221)가 형성될 수 있음을 보여준다. 구체적으로, 도 3은 기준 저항부(221)가 웨이퍼(200)의 상부 기판(201)과 하부 기판(202) 사이에 형성된 공간에 위치할 수 있음을 나타낸다.Another resistive element 221 shown in FIG. 3 represents a reference resistor portion. When the wafer 200 is formed of the upper substrate 201 and the lower substrate 202, the resistive element 221 is also applied to the lower substrate 202. It can be formed. Specifically, FIG. 3 illustrates that the reference resistor unit 221 may be located in a space formed between the upper substrate 201 and the lower substrate 202 of the wafer 200.

기준 저항부(221)는 가스 유량 센서(210)의 전극(211, 212) 및 저항체(213)와 동일하게 구성될 수 있지만, 캐비티는 필요없다. 도 3은 기준 저항부(221)를 보여주는 것일 뿐이며, 기준 저항부(221)의 위치는 자유롭게 설정될 수 있다.The reference resistor unit 221 may be configured in the same manner as the electrodes 211 and 212 and the resistor 213 of the gas flow sensor 210, but does not need a cavity. 3 only shows the reference resistor unit 221, and the position of the reference resistor unit 221 may be freely set.

기준 저항부(221)에 관해서는 다음에 구체적으로 설명하기로 한다. The reference resistor 221 will be described in detail later.

한편, 가스 유량 센서(210)는 다양한 방법으로 제조할 수 있으며, 도 5를 참조하여 가스 유량 센서(210)를 제조하는 공정의 일 실시예를 설명하기로 한다.Meanwhile, the gas flow sensor 210 may be manufactured by various methods, and an embodiment of a process of manufacturing the gas flow sensor 210 will be described with reference to FIG. 5.

먼저 도 5a에 도시된 예와 같이, 실리콘 기판(500)에 실리콘 질화막(SiNx, 510)을 증착한다. 그리고, 실리콘 기판(500)에 증착된 실리콘 질화막(510)에서 가스 유량 센서의 전극(211, 212)이 연결될 부분(521, 522)을 제거한다(5b).First, as illustrated in FIG. 5A, a silicon nitride film (SiNx) 510 is deposited on the silicon substrate 500. Then, the portions 521 and 522 to be connected to the electrodes 211 and 212 of the gas flow sensor are removed from the silicon nitride film 510 deposited on the silicon substrate 500 (5b).

저항체(213)를 형성할 금속층(530)을 증착하고 가공함으로써 가스 유량 센서의 전극(211, 212)과 저항체(213)를 형성한다(5c).By depositing and processing the metal layer 530 to form the resistor 213, the electrodes 211 and 212 of the gas flow sensor and the resistor 213 are formed (5c).

그리고, 캐비티를 형성할 영역(503)의 양단에서 실리콘 질화막 부분(523, 524)을 제거한다(5d). 이제 캐비티 영역(217)을 식각하고 해당 영역의 실리콘 질화막을 제거함으로써 저항체(213)의 하부에 캐비티(217)가 형성된다(5e).Then, silicon nitride film portions 523 and 524 are removed at both ends of the region 503 in which the cavity is to be formed (5d). The cavity 217 is formed below the resistor 213 by etching the cavity region 217 and removing the silicon nitride film of the region (5e).

도 5e에는 참조부호 41과 42의 방향으로 절단된 상태가 간략하게 도시되어 있다. 즉, 저항체(213)는 캐비티(217, 빈 공간) 위에 떠 있는 상태가 된다.5E is a simplified illustration of the cut in the direction of reference numerals 41 and 42. That is, the resistor 213 is in a floating state on the cavity 217 (empty space).

가스는 캐비티(217)가 형성된 양단 중 일단(523)을 통해 캐비티(217)로 유입되어 타 단(524)을 통해 유출되므로, 저항체(213)는 직접적으로 가스의 흐름에 노출되어 영향을 받게 된다.Since the gas flows into the cavity 217 through one end 523 of the both ends of the cavity 217 and flows out through the other end 524, the resistor 213 is directly exposed to the flow of gas and is affected. .

도 6은 본 발명에 따른 가스 유량 측정 장치(600)의 일 실시예를 보인 것으로서, 가스 유량 측정 장치(600)를 구성하는 웨이퍼(200)는 상부 기판(201)과 하부 기판(202)으로 이루어질 수 있다.6 shows an embodiment of the gas flow rate measuring apparatus 600 according to the present invention. The wafer 200 constituting the gas flow rate measuring apparatus 600 includes an upper substrate 201 and a lower substrate 202. Can be.

상부 기판(201)에는 가스의 흐름에 노출되는 하나 이상의 노출 저항부(210-1~210-9)가 형성되고, 하부 기판(202)에는 하나 이상의 기준 저항부(221)가 형성된다. 노출 저항부(210-1~210-9)와 기준 저항부(221)는 다양하게 구성될 수 있으며, 하나의 구체적인 실시예로서 노출 저항부(210-1~210-9)는 위에서 설명한 가스 유량 센서(210)를 이용하여 구성될 수 있다.One or more exposed resistor parts 210-1 to 210-9 are formed on the upper substrate 201, and one or more reference resistor parts 221 are formed on the lower substrate 202. The exposure resistors 210-1 to 210-9 and the reference resistor 221 may be configured in various ways. As one specific embodiment, the exposure resistors 210-1 to 210-9 may be gas flow rates described above. It may be configured using the sensor 210.

기준 저항부(221)는 하부 기판(202)에 형성되는 것으로서, 가스 유량 센서(210)의 전극(211, 212) 및 저항체(213)의 모양과 동일하게 형성될 수 있지만, 가스에 노출되지 않으므로 캐비티는 필요없다.The reference resistor unit 221 is formed on the lower substrate 202 and may be formed in the same shape as the electrodes 211 and 212 and the resistor 213 of the gas flow sensor 210, but is not exposed to gas. No cavity needed.

즉, 상부 기판(201)과 하부 기판(202)은 서로 밀착되어 있으므로, 기준 저항부(221)는 가스의 흐름에 영향을 받지 않는다.That is, since the upper substrate 201 and the lower substrate 202 are in close contact with each other, the reference resistor portion 221 is not affected by the flow of gas.

도 6에는 상부 기판에 9개의 가스 유량 센서(210-1~210-9)가 노출 저항부로서 형성되어 있고, 하부 기판에 하나의 기준 저항부(221)가 형성된 실시예가 나타나 있다. 각 노출 저항부(210-1~210-9)가 위치한 지점에서 가스 유량이 측정되므로, 필요에 따라 적정한 개수의 노출 저항부를 측정이 필요한 위치에 형성하여 사용할 수 있다.FIG. 6 illustrates an embodiment in which nine gas flow sensors 210-1 to 210-9 are formed as an exposed resistor on an upper substrate, and one reference resistor 221 is formed on a lower substrate. Since the gas flow rate is measured at the point where each of the exposure resistance parts 210-1 to 210-9 is located, an appropriate number of exposure resistance parts can be formed and used at a position where measurement is necessary.

도 7을 참조하자면, 본 발명에 따른 가스 유량 측정 장치(600)는 노출 저항부(210-1~210-9)와 기준 저항부(221)에 전력을 인가하고 저항값을 측정하여 가스 유량을 측정하는 측정처리부(610)를 포함하여 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 7, the gas flow rate measuring apparatus 600 according to the present invention applies power to the exposure resistors 210-1 to 210-9 and the reference resistor 221, and measures the resistance to measure the gas flow rate. It may be made by including a measurement processor 610 to measure.

측정처리부(610)는 각 노출 저항부 및 기준 저항부의 두 전극 단자(211-1, 212-1)와 전기적으로 연결되어 각 전극 단자(211-1, 212-1)를 통해 각 노출 저항부와 기준 저항부에 전력을 인가하고, 저항값을 측정할 수 있다.The measurement processing unit 610 is electrically connected to the two electrode terminals 211-1 and 212-1 of each of the exposure resistance unit and the reference resistance unit, and each of the exposure resistance units is connected to each of the electrode terminals 211-1 and 212-1. Power may be applied to the reference resistor unit, and the resistance value may be measured.

측정처리부(610)가 각 노출 저항부(210-1~210-9) 및 기준 저항부(221)에 전력을 인가하고, 저항값을 측정하는 방법은 다양하게 구성될 수 있다.The measurement processor 610 may apply power to each of the exposure resistors 210-1 to 210-9 and the reference resistor 221, and measure a resistance value in various ways.

그 하나의 예로서, 도 6에 도시된 예와 같이 노출 저항부가 복수 개일 때, 측정처리부(610)는 어느 노출 저항부에 전력을 인가하고 그 노출 저항부의 저항값을 측정하는 과정을 각 노출 저항부에 대하여 순서대로 실행할 수 있다.As an example, when there are a plurality of exposed resistors as shown in FIG. 6, the measurement processor 610 applies a power to a certain exposed resistor and measures the resistance of the exposed resistor. It can be executed in order on the parts.

도 8을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.This will be described in detail with reference to FIG. 8.

먼저 측정처리부(610)는 기준 저항부(221)에 전력을 인가하고 기준 저항부(221)의 저항값을 측정하여 저장한다(711). 단계 711은 가스의 흐름에 영향을 받지 않을 때 일정한 전력이 인가된 저항값을 파악하여 기준 값으로 이용하기 위한 것이다.First, the measurement processor 610 applies power to the reference resistor unit 221 and measures and stores the resistance value of the reference resistor unit 221 (711). Step 711 is to identify the resistance value to which a constant power is applied when not affected by the flow of gas, and to use it as a reference value.

그리고, 현재 순서의 노출 저항부에 전력을 인가하고 가스 흐름에 따른 저항값을 측정한다(712, 713). 이때 노출 저항부에 인가되는 전력은 단계 711에서 기준 저항부에 인가되었던 전력과 동일하다.Then, power is applied to the exposed resistance portion in the current order and the resistance values according to the gas flow are measured (712 and 713). In this case, the power applied to the exposed resistor unit is the same as the power applied to the reference resistor unit in step 711.

측정처리부(610)는 현재 순서의 노출 저항부에 대해 측정된 저항값을 저장하고(714), 모든 노출 저항부에 대한 측정 과정이 이루어졌는지를 판단한다(715).The measurement processor 610 stores the measured resistance values for the exposure resistors in the current order (714), and determines whether the measurement process has been performed for all the exposure resistors (715).

단계 715에서의 판단 결과, 처리할 노출 저항부가 남아 있으면 다음 순서의 노출 저항부에 대해 단계 713을 진행한다(716).As a result of the determination in step 715, if the exposure resistance portion to be processed remains, step 713 is performed for the exposure resistance portion of the next order (716).

만일 모든 노출 저항부에 대해 처리되었다면(715), 저항값 측정을 종료하고 저장된 기준 저항부의 저항값과 노출 저항부의 저항값을 분석하여 가스의 유량을 파악한다(717).If all of the exposed resistors have been processed (715), the resistance value measurement is terminated and the flow rate of the gas is determined by analyzing the resistance value of the stored reference resistor and the exposed resistors (717).

가스의 유량이 많을수록 저항체의 온도 강하 속도가 빠르고, 저항값은 온도 변화에 의존하므로, 저항값 변화를 통해 가스의 유량을 판단할 수 있다. 즉, 단계 713에서 파악된 노출 저항부의 저항값(가스 흐름에 영향을 받은 저항값)을 'R1'이라 하고, 단계 711에서 파악된 기준 저항부의 저항값(가스 흐름에 영향을 받지 않았던 저항값)을 'R2'라 할 때, 'R2-R1' 값의 변화를 분석하여 각 노출 저항부가 위치한 곳의 가스 유량을 판단할 수 있다.The higher the flow rate of the gas, the faster the temperature drop rate of the resistor and the resistance value depend on the temperature change, and thus the flow rate of the gas can be determined through the change in the resistance value. That is, the resistance value (resistance value influenced by the gas flow) of the exposed resistance part found in step 713 is referred to as 'R1', and the resistance value (resistance value that was not affected by the gas flow) found in step 711. When R2 is referred to as 'R2', the gas flow rate at each of the exposed resistors may be determined by analyzing the change in the 'R2-R1' value.

특히, 각 노출 저항부(210-1~210-9)에 대해 전력을 인가하고 저항값을 측정하는 과정을 현재 순서에 대응하는 노출 저항부에 대해서만 진행하면, 가스 유량을 측정하는 테스트 과정의 전력 소비를 최소화할 수 있다.In particular, if the process of applying power to each of the exposure resistors 210-1 to 210-9 and measuring the resistance value is performed only for the exposure resistor corresponding to the current order, the power of the test process of measuring the gas flow rate Consumption can be minimized.

도 9는 측정처리부(610)에 관한 일 실시예를 나타낸 것으로서, 측정처리부(610)는, 전력을 공급하기 위한 배터리부(611), 각 노출 저항부와 기준 저항부에서 측정된 저항값을 저장하는 메모리부(612), 메모리부(612)에 저장된 저항값 정보를 전송하는 통신부(613), 측정처리부(610)를 전반적으로 제어하는 제어부(614)를 포함하여 이루어질 수 있다.FIG. 9 illustrates an embodiment of the measurement processor 610. The measurement processor 610 stores a resistance value measured by a battery unit 611 for supplying power, each exposed resistance unit and a reference resistor unit. The control unit 612 may include a memory unit 612, a communication unit 613 for transmitting resistance value information stored in the memory unit 612, and a control unit 614 for overall control of the measurement processing unit 610.

제어부(614)는 노출 저항부와 기준 저항부에 전력을 인가하고 저항값을 측정하여 메모리부(612)에 저장하고, 메모리부(612)에 저장되어 있는 각 측정된 저항값을 통신부(613)를 통해 전송하는 등의 역할을 수행할 수 있다.The controller 614 applies power to the exposure resistor unit and the reference resistor unit, measures the resistance value, stores the measured resistance value in the memory unit 612, and stores each measured resistance value stored in the memory unit 612 in the communication unit 613. It can play a role such as transmitting through.

통신부(613)는 메모리부(612)에 저장된 각 저항값 정보들을 다양한 통신방식을 이용하여 전송할 수 있다. 예를 들어 유선 통신 방식을 이용하여 전송할 수도 있고, 블루투스 등 다양한 근거리 무선 통신 방식을 이용하여 전송할 수도 있다.The communication unit 613 may transmit each resistance value information stored in the memory unit 612 using various communication methods. For example, it may be transmitted using a wired communication method, or may be transmitted using various short range wireless communication methods such as Bluetooth.

측정처리부(610)를 구성하는 배터리부(611), 메모리부(612), 통신부(613), 제어부(614)들 중 전부 또는 일부는 웨이퍼(200)의 내부에 형성된 공간에 매립된 형태로 구성될 수 있다.All or part of the battery unit 611, the memory unit 612, the communication unit 613, and the control unit 614 constituting the measurement processing unit 610 is configured to be embedded in a space formed inside the wafer 200. Can be.

그러면 가스 유량을 측정하기 위해 사용되는 웨이퍼(200) 자체가 수동적인 가스 유량 센서의 역할뿐 아니라 각 노출 저항부와 기준 저항부의 저항값을 측정하여 전송하는 능동적인 역할까지 수행할 수 있다.Then, the wafer 200 used to measure the gas flow rate may perform not only the role of the passive gas flow sensor but also an active role of measuring and transmitting the resistance values of the exposed and reference resistor parts.

측정처리부(610)에서 전송하는 저항값 정보는 도 1에 도시된 제어 모듈(116) 등 다른 제어장치에서 수신되어 분석되고, 이를 통해 가스 흐름 상태의 판단과 그에 대응한 적절한 조치가 이루어질 수도 있다.The resistance value information transmitted from the measurement processor 610 may be received and analyzed by another control device such as the control module 116 illustrated in FIG. 1, and thus, the determination of the gas flow state and appropriate measures may be performed.

또한, 측정처리부(610)는 노출 저항부와 기준 저항부가 형성되어 있는 웨이퍼(200)와는 독립적으로 구성될 수도 있다.In addition, the measurement processor 610 may be configured independently of the wafer 200 on which the exposure resistor and the reference resistor are formed.

도 1에 도시된 장비의 예를 들어 설명하자면, 웨이퍼(200)에 각 노출 저항부와 기준 저항부의 전극 단자(211-1, 212-1)와 전기적으로 연결된 패드부(미도시)를 형성하고, 플레이트(110)에는 웨이퍼(200)의 패드부와 접촉되어 측정 데이터를 제어 모듈(116)로 전달하는 커넥터(미도시)를 형성할 수 있다.Referring to the example of the equipment illustrated in FIG. 1, a pad portion (not shown) electrically connected to the electrode terminals 211-1 and 212-1 of each of the exposure resistance portion and the reference resistance portion is formed on the wafer 200. The plate 110 may be provided with a connector (not shown) in contact with the pad portion of the wafer 200 to transfer measurement data to the control module 116.

이러한 예에서 제어 모듈(116)은 직접 웨이퍼(200)의 각 노출 저항부와 기준 저항부를 통해 저항값 변화를 측정할 수 있다.In this example, the control module 116 may directly measure the resistance value change through each of the exposed and reference resistors of the wafer 200.

그리고, 이를 기초로 가스 유량을 판단하여 챔버(100)를 제어하는 적어도 하나의 조건을 조정하거나, 디스플레이를 통해 이상을 알리는 사용자 인터페이스를 출력하는 등 적절한 조치를 취할 수 있다.Based on this, the gas flow rate may be determined to adjust at least one condition for controlling the chamber 100, or an appropriate action may be taken, such as outputting a user interface for notifying an abnormality through a display.

상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 기술적 특징이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이다. While the invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments thereof, it will be understood that the invention may be modified and modified in various ways without departing from the spirit or scope of the invention provided by the following claims. It can be apparent to one of ordinary skill in the art.

30: 가스 흐름 100: 챔버
200: 웨이퍼 201: 상부 기판
202: 하부 기판 210: 가스 유량 센서
210-1~210-9: 노출 저항부 211, 212: 전극
211-1, 212-1: 전극 단자 213: 저항체
217: 캐비티 221: 기준 저항부
600: 가스 유량 측정 장치 610: 측정처리부
611: 배터리부 612: 메모리부
613: 통신부 614: 제어부30: gas flow 100: chamber
200: wafer 201: upper substrate
202: lower substrate 210: gas flow sensor
210-1 to 210-9: exposed resistance portions 211 and 212: electrodes
211-1 and 212-1: electrode terminal 213: resistor
217: cavity 221: reference resistance portion
600: gas flow measurement device 610: measurement processing unit
611: battery unit 612: memory unit
613: communication unit 614: control unit

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 상부 기판과 하부 기판으로 이루어지는 웨이퍼;
상기 웨이퍼의 상부 기판에 가스의 흐름에 노출되도록 형성된 하나 이상의 노출 저항부;
상기 웨이퍼의 하부 기판에 형성된 하나 이상의 기준 저항부; 및
상기 노출 저항부와 기준 저항부에 전력을 인가하고 저항값을 측정하는 측정처리부를 포함하여 이루어지고,
상기 노출 저항부는,
상기 상부 기판에 형성된 두 전극; 및
일정 저항값을 갖고, 상기 두 전극 사이에 형성되며, 가스 접촉 면적을 넓히기 위하여 굴곡진 형태를 갖는 저항체를 포함하고,
상기 저항체의 아래에 위치하는 웨이퍼의 일정 영역은 가스가 흐를 수 있도록 일정 깊이의 캐비티가 형성되며,
상기 기준 저항부는 상기 상부 기판과 하부 기판의 사이에 형성된 공간에 위치하고, 상기 상부 기판과 하부 기판은 서로 밀착되며,
상기 측정처리부는 전력을 공급하기 위한 배터리부, 상기 노출 저항부와 기준 저항부에 대해 측정된 저항값을 저장하는 메모리부, 및 상기 메모리부에 저장된 저항값 정보를 전송하는 통신부를 포함하고, 상기 웨이퍼의 내부에 매립된 형태로 구성되며,
상기 측정처리부는 어느 노출 저항부에 전력을 인가하고 저항값을 측정하는 과정을 각 노출 저항부에 대하여 순서대로 실행하고, 상기 기준 저항부를 통해 측정된 저항값과 상기 노출 저항부를 통해 측정된 저항값의 차이의 변화를 기초로 가스 유량을 측정하는 것을 특징으로 하는 가스 유량 측정 장치.A wafer consisting of an upper substrate and a lower substrate;
At least one exposed resistor formed on the upper substrate of the wafer to expose a flow of gas;
At least one reference resistor formed on the lower substrate of the wafer; And
And a measurement processor configured to apply electric power to the exposed resistor unit and the reference resistor unit and measure a resistance value.
The exposure resistance portion,
Two electrodes formed on the upper substrate; And
A resistor having a constant resistance value and formed between the two electrodes and having a curved shape to widen the gas contact area,
In a predetermined region of the wafer positioned below the resistor, a cavity having a predetermined depth is formed to allow gas to flow.
The reference resistor unit is located in a space formed between the upper substrate and the lower substrate, the upper substrate and the lower substrate is in close contact with each other,
The measurement processing unit includes a battery unit for supplying power, a memory unit for storing the resistance value measured for the exposure resistance unit and the reference resistance unit, and a communication unit for transmitting the resistance value information stored in the memory unit, It is composed of a shape embedded in the wafer,
The measuring processor applies a power to an exposed resistor unit and measures a resistance value in order for each exposed resistor unit, and the resistance value measured through the reference resistor unit and the resistance value measured through the exposed resistor unit are performed. A gas flow rate measuring apparatus for measuring a gas flow rate on the basis of a change in the difference. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323464A (en) * 2002-02-07 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Apparatus and method for measurement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1019331B (en) * 1989-08-11 1992-12-02 法国煤矿公司 Manufacture of self-sustainings film filament type sensor and application of same
WO2001088486A1 (en) * 2000-05-19 2001-11-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Heat-sensitive type flow rate detecting element and holder therefor
KR20130029882A (en) * 2011-09-16 2013-03-26 유영선 Particle measurement apparatus for semiconductor equipment
US9222842B2 (en) * 2013-01-07 2015-12-29 Kla-Tencor Corporation High temperature sensor wafer for in-situ measurements in active plasma

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002323464A (en) * 2002-02-07 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Apparatus and method for measurement

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