KR102009824B1 - Light source device and display device - Google Patents

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오사무 사토
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Abstract

본 발명은, 양자점에 의해 생성되는 빛의 높은 이용 효율을 실현할 수 있는 광원 장치 및 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 광원 장치(100)는, 빛을 발생시키는 광원부(120)와, 광원부로부터의 빛에 의해 여기되는 양자점을 포함하는 구조체(110)와, 광원부와 양자점 사이에 설치되고, 광원부로부터의 빛을 투과시키는 한편 양자점에 의해 생성되는 빛을 반사하는 파장 선택 반사막(111)을 구비한다. 파장 선택 반사막은 광원부로부터의 빛을 거의 감쇠시키지 않고, 양자점으로부터 광원부로 향하는 빛을, 광원부와는 반대 방향으로 출사시킬 수 있다. An object of the present invention is to provide a light source device and a display device capable of realizing high utilization efficiency of light generated by quantum dots.
A light source device 100 according to an embodiment of the present invention is provided between a light source unit 120 for generating light, a structure 110 including a quantum dot excited by light from the light source unit, and a light source unit and a quantum dot. And a wavelength selective reflecting film 111 that transmits light from the light source unit and reflects light generated by the quantum dots. The wavelength selective reflecting film hardly attenuates light from the light source portion, and can emit light directed from the quantum dot to the light source portion in a direction opposite to the light source portion.

Description

광원 장치 및 표시 장치{Light source device and display device}Light source device and display device

본 발명은, 광원 장치 및 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light source device and a display device.

근년, 색 재현성이 좋은 화상을 표시할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하기 위해서 액정 표시 소자에 대한 입사광의 색 순도를 높이는 기술 개발이 요구되고 있다. 일례로서 양자점을 이용한 기술이 개발되고 있다. 양자점은 형광체로, 발광 다이오드(LED) 등의 광원으로부터의 여기광이 입사되면 상기 여기광의 파장보다 긴 파장의 빛을 생성한다. 양자점의 종류와 입경을 바꿈으로써, 양자점이 생성하는 빛의 파장을 조정 가능하다. 예를 들면 여기광으로서 LED로부터의 청색광을 이용하여, 양자점은 상기 청색광이 입사되었을 때에 반값폭이 좁은 녹색광 및 적색광을 생성하도록 구성된다. 이로써 양자점을 이용하여, 빛의 삼원색에 대응하는 좁은 파장 영역의 빛을 생성 가능한 고효율의 광원을 실현할 수 있다. In recent years, in order to provide the liquid crystal display device which can display the image with good color reproducibility, the technical development which raises the color purity of the incident light with respect to a liquid crystal display element is calculated | required. As an example, a technology using quantum dots has been developed. Quantum dots are phosphors, and when excitation light from a light source such as a light emitting diode (LED) is incident, light of a wavelength longer than that of the excitation light is generated. By changing the type and particle diameter of the quantum dots, the wavelength of light generated by the quantum dots can be adjusted. For example, using blue light from an LED as excitation light, the quantum dots are configured to generate green light and red light having a narrow half-value width when the blue light is incident. This makes it possible to realize a highly efficient light source capable of generating light in a narrow wavelength region corresponding to the three primary colors of light using quantum dots.

양자점에 의해 생성되는 빛은 다양한 방향으로 발광된다. 특허문헌 1에 기재된 기술은, 발광 소자가 설치되어 있는 오목부의 내면을 반사벽으로 하는 한편 양자점을 포함하는 변환 부재의 측방을 둘러싸는 반사벽을 설치하고 있다. 이와 같은 구성에 의해, 발광 소자로부터 발광되는 빛 및 양자점으로부터 발광되는 빛의 확산을 억제하여, 휘도 불균일과 색 불균일을 저감할 수 있다. Light generated by the quantum dots emits light in various directions. The technique of patent document 1 makes the inner surface of the recessed part in which the light emitting element is provided as a reflection wall, and provides the reflection wall surrounding the side of the conversion member containing a quantum dot. By such a structure, the spread of the light emitted from the light emitting element and the light emitted from the quantum dots can be suppressed, and the luminance nonuniformity and the color nonuniformity can be reduced.

특허문헌 1: 일본특허공개공보 2015-216104 호Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-216104 특허문헌 2: 일본특허공개공보 2015-233057 호Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-233057

양자점에 의해 생성되는 빛은 일반적으로 발광 소자와는 다른 방향으로 출사됨으로써 이용되기 때문에, 발광 소자의 방향을 향하는 빛(즉, 여기광이 입사되는 방향을 향하는 빛)은 이용되지 않아 쓸모 없게 된다. 그러나 특허문헌 1에 기재된 기술은, 양자점에 의해 생성되는 빛이 측방으로 확산되는 것을 제어하는 것을 목적으로 하고 있지만, 양자점으로부터 발광 소자를 향하는 빛을 고려하고 있지 않다. 특허문헌 1에 기재된 기술에서 양자점으로부터 발광 소자를 향하는 빛은 오목부의 내면에서 반사될 수 있지만, 양자점으로부터 상기 내면까지 떨어져 있기 때문에 감쇠가 크고, 또한 상기 내면에서 빛의 다중 반사가 일어나기 때문에 양자점에 의해 생성되는 빛의 이용 효율은 크게 저하된다. Since the light generated by the quantum dots is generally emitted by being emitted in a direction different from that of the light emitting element, light directed toward the direction of the light emitting element (that is, light directed toward the direction in which the excitation light is incident) is not used and thus becomes useless. However, although the technique of patent document 1 aims at controlling the spread | diffusion of the light produced | generated by a quantum dot to the side, it does not consider the light toward a light emitting element from a quantum dot. In the technique described in Patent Literature 1, the light from the quantum dots to the light emitting element can be reflected on the inner surface of the concave portion, but is attenuated largely because it is separated from the quantum dots to the inner surface, and due to the multiple reflection of the light from the inner surface, The utilization efficiency of the generated light is greatly reduced.

본 발명은 상술한 문제에 감안하여 수행된 것으로, 양자점에 의해 생성되는 빛의 높은 이용 효율을 실현할 수 있는 광원 장치 및 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been carried out in view of the above problems, and an object thereof is to provide a light source device and a display device capable of realizing high utilization efficiency of light generated by quantum dots.

본 발명의 일 형태는, 광원 장치로서, 빛을 발생시키는 광원부와, 상기 광원부로부터의 빛에 의해 여기되는 양자점을 포함하는 구조체와, 상기 광원부와 상기 양자점 사이에 설치되고, 상기 광원부로부터의 빛을 투과시키는 한편 상기 양자점에 의해 생성되는 빛을 반사하는 파장 선택 반사막을 구비하는 것을 특징으로 한다. One embodiment of the present invention is a light source device, which is provided between a light source unit for generating light, a structure including a quantum dot excited by light from the light source unit, and the light source unit and the quantum dot, and the light from the light source unit. And a wavelength selective reflecting film that transmits and reflects light generated by the quantum dots.

본 발명에 의하면, 광원부와 양자점 사이에 설치된 파장 선택 반사막이, 광원부로부터의 빛을 투과시키면서도 양자점에 의해 생성되는 빛을 반사한다. 따라서 양자점에 의해 생성되는 빛이 광원부에 돌아가서 감쇠되는 것을 억제하고, 상기 빛의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, the wavelength selective reflecting film provided between the light source portion and the quantum dots reflects the light generated by the quantum dots while transmitting the light from the light source portion. Therefore, the light generated by the quantum dots can be suppressed from being attenuated by returning to the light source unit, and the utilization efficiency of the light can be improved.

도 1은 제 1 실시형태에 따른 표시 장치의 전면도이다.
도 2는 제 1 실시형태에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 제 1 실시형태에 따른 양자점 구조체의 단면도이다.
도 4는 제 1 실시형태에 따른 파장 선택 반사막에 의한 빛의 반사를 설명하는 모식도이다.
도 5는 제 2 실시형태에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 제 3 실시형태에 따른 표시 장치의 전면도이다. 1 is a front view of a display device according to the first embodiment.
2 is a cross-sectional view of the display device according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view of the quantum dot structure according to the first embodiment.
It is a schematic diagram explaining reflection of light by the wavelength selective reflection film which concerns on 1st Embodiment.
5 is a cross-sectional view of the display device according to the second embodiment.
6 is a front view of a display device according to the third embodiment.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명하지만, 본 발명은 각 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한 이하에서 설명하는 도면에서, 동일 기능을 가지는 것은 동일 부호를 부여하고, 반복 설명은 생략하는 일도 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although embodiment of this invention is described with reference to drawings, this invention is not limited to each embodiment. In addition, in the drawing demonstrated below, the thing with the same function is attached | subjected with the same code | symbol, and a repeat description may be abbreviate | omitted.

<제 1 실시형태><1st embodiment>

도 1은, 본 실시형태에 따른 표시 장치(10)의 전면도이다. 표시 장치(10)는, 액정 패널(20)과, 액정 패널의 배면을 따라서 설치된 광원 장치(100)와, 액정 패널(20) 및 광원 장치(100)를 지지하는 틀(30)을 구비한다. 도 1에서, 시인성을 위해서 액정 패널(20)은 배면측 광원 장치(100)를 투과하도록 도시되어 있다. 도 1에 도시한 표시 장치(10)에 포함되는 각 부의 수 및 크기는 실제 구성을 반영하지 않았고, 실제 실장 방법에 따라서 임의로 설계되어도 된다. 1 is a front view of the display device 10 according to the present embodiment. The display device 10 includes a liquid crystal panel 20, a light source device 100 provided along the rear surface of the liquid crystal panel, and a frame 30 supporting the liquid crystal panel 20 and the light source device 100. In FIG. 1, the liquid crystal panel 20 is shown to penetrate the back side light source device 100 for visibility. The number and size of each part included in the display device 10 shown in FIG. 1 do not reflect the actual configuration, and may be arbitrarily designed according to the actual mounting method.

광원 장치(100)는 직하형 백라이트 유닛으로, 액정 패널(20)의 배면측으로부터 액정 패널(20)에 빛을 조사한다. 광원 장치(100)의 상세한 구성에 대해서는 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다. 액정 패널(20)은 액정층, 편광판, 컬러 필터 및 박막 트랜지스터(TFT) 등의 전기 회로를 포함하는 주지된 구성을 가진다. 액정 패널(20)은, 전기 회로를 통하여 화소마다 광원 장치(100)로부터의 빛의 투과율을 제어함으로써, 소망하는 화상을 표시한다. 틀(30)은 수지, 금속 등을 사용하여 구성되어 있고, 액정 패널(20) 및 광원 장치(100)를 지지한다. 틀(30)의 내부에는, 액정 패널(20) 및 광원 장치(100)에 대한 전기 배선이 배설된다. 또한 본 실시형태에서는 백라이트 유닛의 방식으로서 직하형 백라이트 유닛을 예시하고 있지만, 엣지 라이트 방식이어도 된다. The light source device 100 is a direct type backlight unit and irradiates light to the liquid crystal panel 20 from the rear side of the liquid crystal panel 20. The detailed configuration of the light source device 100 will be described later with reference to FIGS. 2 and 3. The liquid crystal panel 20 has a well-known configuration including an electric circuit such as a liquid crystal layer, a polarizing plate, a color filter, and a thin film transistor (TFT). The liquid crystal panel 20 displays a desired image by controlling the transmittance of light from the light source device 100 for each pixel through the electric circuit. The frame 30 is comprised using resin, metal, etc., and supports the liquid crystal panel 20 and the light source device 100. Inside the mold 30, electrical wirings for the liquid crystal panel 20 and the light source device 100 are disposed. In addition, although the direct type | mold backlight unit is illustrated as a system of a backlight unit in this embodiment, an edge light system may be sufficient.

도 2는, 도 1의 A-A선으로부터 본 표시 장치(10)의 단면도이다. 광원 장치(100)는, 소망하는 파장의 빛을 생성하는 광원부(120) 및 광원부(120)로부터의 빛의 파장을 변환하는 양자점 구조체(110)를 구비한다. FIG. 2 is a cross-sectional view of the display device 10 seen from the line A-A in FIG. 1. The light source device 100 includes a light source unit 120 that generates light of a desired wavelength, and a quantum dot structure 110 that converts a wavelength of light from the light source unit 120.

광원부(120)는, 발광 소자(121), 기판(122) 및 프레임(123)을 가진다. 발광 소자(121)는 소정 파장의 빛을 생성하여, 액정 패널(20)을 향해서 조사한다. 발광 소자(121)는, 도시하지 않은 전기 배선에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 전기 배선을 통하여 인가되는 전력을 이용하여 빛을 생성한다. 발광 소자(121)에 의해 생성되는 빛의 파장은, 예를 들면 청색광의 파장 영역 또는 자외광의 파장 영역이다. 발광 소자(121)로서, 발광 다이오드(LED), 유기 발광 다이오드(OLED) 등의 임의의 발광 소자를 사용해도 된다. 발광 소자(121)로부터의 빛이 여기광으로서 후술하는 양자점 구조체(110)에 입사됨으로써, 광원 장치(100)는 빛의 삼원색에 대응하는 좁은 파장 영역의 빛을 생성할 수 있다. The light source unit 120 includes a light emitting element 121, a substrate 122, and a frame 123. The light emitting element 121 generates light having a predetermined wavelength and emits the light toward the liquid crystal panel 20. The light emitting element 121 is electrically connected to an electrical wiring (not shown), and generates light using electric power applied through the electrical wiring. The wavelength of light generated by the light emitting element 121 is, for example, a wavelength region of blue light or a wavelength region of ultraviolet light. As the light emitting element 121, any light emitting element such as a light emitting diode (LED) or an organic light emitting diode (OLED) may be used. When light from the light emitting element 121 is incident on the quantum dot structure 110 to be described later as excitation light, the light source device 100 may generate light of a narrow wavelength region corresponding to three primary colors of light.

프레임(123)은 오목 형상을 가지고 있고, 상기 형상의 저면에 발광 소자(121)를 지지한다. 프레임(123)의 형상은 여기에 한정되지 않고, 임의의 형상이라도 된다. 프레임(123)은 수지, 금속, 반도체 등 임의의 재료를 사용하여 구성되면 된다. 프레임(123)은 생략되어도 되고, 그 경우에는 발광 소자(121)는 기판(122) 상에 직접 지지되면 된다. The frame 123 has a concave shape, and supports the light emitting element 121 on the bottom of the shape. The shape of the frame 123 is not limited to this, Any shape may be sufficient. The frame 123 may be configured using any material such as resin, metal, semiconductor, or the like. The frame 123 may be omitted, and in that case, the light emitting element 121 may be directly supported on the substrate 122.

기판(122)은 액정 패널(20)의 표면에 대하여 평행으로 연장되고, 복수의 발광 소자(121) 및 프레임(123)을 지지한다. 본 실시형태에서는, 소정 수의 발광 소자(121) 및 프레임(123)이 기판(122) 상에 격자상이고 또한 등간격으로 배치된다. 발광 소자(121) 및 프레임(123)의 수 및 배치는, 표시 장치(10)의 구성에 따라서 임의로 설정되면 된다. 기판(122)은 수지, 금속, 반도체 등 임의의 재료를 사용하여 구성되면 된다. The substrate 122 extends in parallel with the surface of the liquid crystal panel 20 and supports the plurality of light emitting elements 121 and the frame 123. In this embodiment, a predetermined number of light emitting elements 121 and frames 123 are arranged on the substrate 122 in a lattice form and at equal intervals. The number and arrangement of the light emitting elements 121 and the frames 123 may be arbitrarily set in accordance with the configuration of the display device 10. The board | substrate 122 should just be comprised using arbitrary materials, such as resin, a metal, and a semiconductor.

양자점 구조체(110)는 액정 패널(20)의 배면과 광원부(120) 사이에 위치하여, 광원부(120)로부터 액정 패널(20)의 배면으로 조사되는 빛의 광로에 개재된다. 즉 광원부(120)로부터의 빛은, 양자점 구조체(110)를 개재하여 액정 패널(20)의 배면에 조사된다. 양자점 구조체(110)는, 광원부(120)의 프레임(123) 상에 직접 고정되어 있고, 광원부(120)와 일체화되어 있다. 본 실시형태에서는, 1개의 발광 소자(121)의 바로 위에 1개의 양자점 구조체(110)가 설치되어 있는 On-Chip형의 실장 방식이 채용되고 있다. 양자점 구조체(110)는, 광원부(120) 측에 후술하는 파장 선택 반사막(111)을 구비한다. The quantum dot structure 110 is positioned between the rear surface of the liquid crystal panel 20 and the light source unit 120, and is interposed in an optical path of light radiated from the light source unit 120 to the rear surface of the liquid crystal panel 20. That is, the light from the light source unit 120 is irradiated to the rear surface of the liquid crystal panel 20 via the quantum dot structure 110. The quantum dot structure 110 is directly fixed on the frame 123 of the light source unit 120 and is integrated with the light source unit 120. In the present embodiment, an on-chip mounting method in which one quantum dot structure 110 is provided directly on one light emitting element 121 is adopted. The quantum dot structure 110 includes a wavelength selective reflection film 111 described later on the light source unit 120 side.

도 3은 도 1의 A-A선으로부터 본 양자점 구조체(110)의 상세한 단면도이다. 양자점 구조체(110)는 파장 선택 반사막(111), 밀폐 용기(112), 그리고 밀폐 용기(112) 안에 봉입된 양자점(113) 및 분산매(114)를 포함한다. 분산매(114)는 양자점(113)을 균등하게 분산시키는 액상 또는 고체상 매체로, 적어도 가시광의 파장 영역(약 380 nm ~ 780 nm)의 빛을 투과하는 수지 등 임의의 재료를 이용하여 구성된다. 또한 빛을 산란시키는 재료를 포함하고 있어도 된다. 3 is a detailed cross-sectional view of the quantum dot structure 110 viewed from the line A-A of FIG. The quantum dot structure 110 includes a wavelength selective reflecting film 111, a sealed container 112, and a quantum dot 113 and a dispersion medium 114 enclosed in the sealed container 112. The dispersion medium 114 is a liquid or solid medium that uniformly disperses the quantum dots 113, and is formed using any material such as a resin that transmits light at least in the visible wavelength range (about 380 nm to 780 nm). Moreover, the light scattering material may be included.

밀폐 용기(112)는, 외부 공간(즉 대기)으로부터 격리된 내부 공간을 가지는 용기로, 적어도 가시광의 파장 영역(약 380 nm ~ 780 nm)의 빛을 투과하는 유리나 수지 등 임의의 재료를 가지고 구성된다. 수분 및 산소에 의한 양자점(113)의 열화를 억제하기 위해서, 밀폐 용기(112)는 수분 및 산소에 대해서 배리어성을 가지는 재료를 사용하여 구성되는 것이 바람직하다. The airtight container 112 is a container having an internal space isolated from an external space (that is, the atmosphere), and is made of any material such as glass or resin that transmits light at least in the visible wavelength range (about 380 nm to 780 nm). do. In order to suppress deterioration of the quantum dot 113 due to moisture and oxygen, the sealed container 112 is preferably made of a material having a barrier property against moisture and oxygen.

본 실시형태에 있어서, 밀폐 용기(112)는 수분 및 산소에 대한 배리어성이 높은 유리를 사용하여 형성된 유리 셀로서 구성된다. 구체적으로 밀폐용기(112)는, 서로 평행한 2개의 유리제 직사각형 판이 유리제 측벽을 개재하여 소정 간격을 두고 대향된 사각기둥상 구조를 가진다. 광원부(120)로부터의 빛은, 상기 2개의 유리제 직사각형 판에 대해서 수직으로 입사된다. 밀폐 용기(112)의 구조는 여기에 도시한 것에 한정되지 않고, 공지된 것을 사용해도 된다(예를 들면 특허문헌 2 참조). 밀폐 용기(112)의 형상은, 예를 들면 원기둥상, 다각기둥상 등 양자점을 내포하는 것이 가능한 임의의 형상이면 된다. 밀폐 용기(112)를 구성하는 벽면의 적어도 일부는 평면상이 아니라 곡면상이라도 된다. In this embodiment, the airtight container 112 is comprised as a glass cell formed using the glass with high barrier property to water and oxygen. Specifically, the closed container 112 has a rectangular columnar structure in which two glass rectangular plates parallel to each other are opposed to each other at predetermined intervals through a glass sidewall. Light from the light source unit 120 is incident perpendicularly to the two glass rectangular plates. The structure of the airtight container 112 is not limited to what was shown here, A well-known thing may be used (for example, refer patent document 2). The shape of the airtight container 112 should just be arbitrary shapes which can contain a quantum dot, such as a columnar shape and a polygonal column shape, for example. At least one part of the wall surface which comprises the airtight container 112 may be curved rather than planar.

양자점(113, 콜로이드상 양자점이라고도 한다)은, 양자 역학에 따르는 광학 특성을 가지는 나노 스케일 재료로, 입자경이 약 1 nm ~ 100 nm, 바람직하게는 1 nm ~ 50 nm, 더욱 바람직하게는 1 nm ~ 20 nm인 미소 반도체 입자이다. 양자점(113)은, 밴드 갭(가전자대 및 전도대의 에너지 차)보다 큰 에너지를 가지는 광자를 흡수하고, 그 입자경에 따른 파장의 빛을 방출한다. 따라서 양자점(113)은, 소정 파장 이하의 빛을 흡수하는 성질을 가지고, 입자경을 조정함으로써 소망하는 파장의 빛을 발생시킬 수 있다. 본 실시형태에 있어서, 양자점(113)은 도 3과 같이 구상(球狀)이지만 여기에 한정되지 않고 임의의 형상이어도 된다. Quantum dots 113 (also called colloidal quantum dots) are nanoscale materials having optical properties in accordance with quantum mechanics and having a particle diameter of about 1 nm to 100 nm, preferably 1 nm to 50 nm, and more preferably 1 nm to It is a 20 nm micro semiconductor particle. The quantum dot 113 absorbs photons having energy larger than the band gap (energy difference between valence band and conduction band), and emits light having a wavelength corresponding to the particle diameter. Therefore, the quantum dot 113 has a property of absorbing light of a predetermined wavelength or less, and can generate light of a desired wavelength by adjusting the particle diameter. In this embodiment, although the quantum dot 113 is spherical like FIG. 3, it is not limited to this, It may be arbitrary shapes.

양자점(113)은, 적어도 1개의 반도체 재료를 포함한다. 양자점(113)의 반도체 재료로서 제 IV족 원소, 제 II-VI족 화합물, 제 II-V족 화합물, 제 III-VI족 화합물, 제 III-V족 화합물, 제 IV-VI족 화합물, 제 I-III-VI족 화합물, 제 II-IV-VI족 화합물, 제 II-IV-V족 화합물 등을 사용해도 된다. 구체적으로는 양자점(113)의 반도체 재료로서 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InN, InP, InSb, AlAs, AlN, AlP, AlSb, TiN, TiP, TiAs, TiSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si 등을 사용할 수 있다. 양자점(113)의 재료는 여기에 나타낸 것에 한정되지 않고, 양자점의 기능을 발휘할 수 있는 한 임의의 재료를 사용해도 된다. The quantum dot 113 includes at least one semiconductor material. As a semiconductor material of the quantum dots 113, Group IV elements, Group II-VI compounds, Group II-V compounds, Group III-VI compounds, Group III-V compounds, Group IV-VI compounds, and I Group III-VI compounds, group II-IV-VI compounds, group II-IV-V compounds and the like may be used. Specifically, the semiconductor material of the quantum dot 113 is ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, MgS, MgSe, GaAs, GaN, GaP, GaSe, GaSb, HgO, HgS, HgSe, HgTe, InAs , InN, InP, InSb, AlAs, AlN, AlP, AlSb, TiN, TiP, TiAs, TiSb, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Ge, Si and the like can be used. The material of the quantum dot 113 is not limited to that shown here, and any material may be used as long as it can exhibit the function of the quantum dot.

광원부(120)가 생성하는 빛이 청색광인 경우에는, 녹색광의 파장 영역(약 510 nm 이상 610 nm 이하, 바람직하게는 520 nm 이상 580 nm 이하)에 발광 중심을 가지는 제 1 양자점(113)과, 적색광의 파장 영역(약 600 nm 이상 700 nm 이하, 바람직하게는 610 nm 이상 680 nm 이하)에 발광 중심 파장을 가지는 제 2 양자점(113)을 조합하여 사용한다. 즉, 광원부(120)가 생성하는 청색광은, 양자점(113)에 대한 여기광으로서 기능하는 한편 광원 장치(100)가 발광하는 가시광으로서 기능한다. 본 실시형태에서는 청색, 녹색 및 적색의 3개의 극대가 있는 발광 스펙트럼을 가지는 광원을 나타냈지만, 양자점의 발광 중심 파장 및 양자점의 조합은 여기에 한정되지 않고 임의의 조합을 사용해도 된다. When the light generated by the light source unit 120 is blue light, the first quantum dot 113 having an emission center in the wavelength region of the green light (about 510 nm or more and 610 nm or less, preferably 520 nm or more and 580 nm or less), A second quantum dot 113 having an emission center wavelength is used in combination in the wavelength region of red light (about 600 nm or more and 700 nm or less, preferably 610 nm or more and 680 nm or less). In other words, the blue light generated by the light source unit 120 functions as excitation light for the quantum dot 113, and functions as visible light emitted by the light source device 100. In the present embodiment, a light source having three maximal emission spectra of blue, green, and red is shown. However, the combination of the emission center wavelength of the quantum dots and the quantum dots is not limited thereto, and any combination may be used.

광원부(120)가 생성하는 빛이 자외광인 경우에는, 녹색광의 파장 영역에 발광 중심 파장을 가지는 제 1 양자점(113)과, 적색광의 파장 영역에 발광 중심 파장을 가지는 제 2 양자점(113)과, 청색광의 파장 영역에 발광 중심 파장을 가지는 제 3 양자점(113)을 조합하여 사용한다. 즉, 광원부(120)가 생성하는 자외광은, 양자점(113)에 대한 여기광으로서 기능한다. When the light generated by the light source unit 120 is ultraviolet light, the first quantum dot 113 having the emission center wavelength in the wavelength region of the green light, the second quantum dot 113 having the emission center wavelength in the wavelength region of the red light, And the third quantum dot 113 having the emission center wavelength in the wavelength region of the blue light is used in combination. In other words, the ultraviolet light generated by the light source unit 120 functions as excitation light for the quantum dot 113.

양자점(113)은, 적어도 1개의 반도체 재료를 포함하는 코어와, 적어도 1개의 반도체 재료를 포함하는 쉘로 이루어지는 코어쉘형 구조를 가지고 있어도 된다. 구체적으로는 코어로서 CdSe, 쉘로서 CdZnS를 가지는 양자점(113), 코어로서 CdZnSe, 쉘로서 CdZnS를 가지는 양자점(113), 코어로서 CdS, 쉘로서 CdZnS를 가지는 양자점(113) 등을 사용할 수 있다. The quantum dot 113 may have a core-shell structure consisting of a core containing at least one semiconductor material and a shell containing at least one semiconductor material. Specifically, a quantum dot 113 having CdSe as a core, CdZnS as a shell, a quantum dot 113 having CdZnSe as a core, CdZnS as a shell, a quantum dot 113 having CdS as a core and a CdZnS as a shell can be used.

파장 선택 반사막(111, 파장 선택 투과막이라고도 한다)은, 소정 파장의 빛을 선택적으로 반사하고, 그 이외의 파장의 빛을 투과시키는 막이다. 본 실시형태에서, 파장 선택 반사막(111)은, 광원부(120, 발광소자(121))가 생성하는 여기광의 파장을 투과하고, 상기 여기광을 이용하여 양자점(113)이 생성하는 빛의 파장을 반사하도록 구성된다. 더욱 구체적으로는, 광원부(120)가 생성하는 빛이 청색광의 파장 영역(예를 들면 380 nm 이상 480 nm 미만)인 경우에는, 파장 선택 반사막(111)은 청색광의 파장 영역을 투과시키고, 녹색광 및 적색광의 파장 영역(예를 들면 480 nm 이상 780 nm 이하)을 반사하도록 구성된다. 또한 광원부(120)가 생성하는 빛이 자외광의 파장 영역(예를 들면 10 nm 이상 380 nm 미만)인 경우에는, 파장 선택 반사막(111)은 자외광의 파장 영역을 투과시키고, 녹색광, 적색광 및 청색광의 파장 영역(예를 들면 380 nm 이상 780 nm 이하)을 반사하도록 구성된다. 여기에 한정되지 않고, 파장 선택 반사막(111)이 투과 및 반사하는 파장 영역은, 광원부(120) 및 양자점(113)이 생성하는 빛의 파장에 따라서 적절히 설정된다. The wavelength selective reflection film 111 (also referred to as a wavelength selective transmission film) is a film that selectively reflects light having a predetermined wavelength and transmits light having a wavelength other than that. In the present embodiment, the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength of the excitation light generated by the light source unit 120 and the light emitting element 121, and uses the excitation light to adjust the wavelength of the light generated by the quantum dot 113. Configured to reflect. More specifically, when the light generated by the light source unit 120 is a wavelength region of blue light (for example, 380 nm or more and less than 480 nm), the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength region of blue light, and the green light and It is comprised so that the wavelength range (for example, 480 nm or more and 780 nm or less) of red light may be reflected. In addition, when the light generated by the light source unit 120 is a wavelength region of ultraviolet light (for example, 10 nm or more and less than 380 nm), the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength region of the ultraviolet light, and the green light, the red light, It is comprised so that the wavelength range (for example, 380 nm or more and 780 nm or less) of blue light may be reflected. It is not limited to this, The wavelength range which the wavelength selective reflection film 111 transmits and reflects is suitably set according to the wavelength of the light which the light source part 120 and the quantum dot 113 generate | occur | produce.

파장 선택 반사막(111)은, 밀폐 용기(112, 양자점 구조체(110))의 여기광이 입사되는 측에 설치되어 있다. 구체적으로는, 파장 선택 반사막(111)은 밀폐 용기(112)의 내부에 있어서, 밀폐 용기(112)의 광원부(120)에 대향하는 벽면 상에 설치되어 있다. 파장 선택 반사막(111)은 밀폐 용기(112)의 외부에 있어서, 밀폐 용기(112)의 광원부(120)에 대향하는 벽면 상에 설치되어도 된다. 파장 선택 반사막(111)과 밀폐 용기(112)의 벽면 사이는 접해 있는 것이 바람직하지만, 파장 선택 반사막(111)과 밀폐 용기(112)의 벽면 사이에 간극이 설치되어도 된다. The wavelength selective reflection film 111 is provided on the side on which the excitation light of the sealed container 112 (quantum dot structure 110) is incident. Specifically, the wavelength selective reflection film 111 is provided on the wall surface of the sealed container 112 that faces the light source 120 of the sealed container 112. The wavelength selective reflection film 111 may be provided on the wall surface of the sealed container 112 that faces the light source 120 of the sealed container 112. Although it is preferable that the wavelength selective reflection film 111 and the wall surface of the airtight container 112 contact, the clearance may be provided between the wavelength selective reflection film 111 and the wall surface of the airtight container 112.

파장 선택 반사막(111)으로서, 소정 파장의 빛을 선택적으로 반사하고, 그 이외의 파장의 빛을 투과시키는 것이 가능한 임의의 구성을 사용해도 된다. 파장 선택 반사막(111)으로서, 예를 들면 유전체 다층막을 사용해도 된다. 유전체 다층막은, 서로 굴절율이 다른 무기 재료 또는 유기 재료의 복수 층을 적층한 적층체로, 상기 적층체를 구성하는 층의 두께 및 굴절율에 따라서 소정 파장의 빛을 반사하는 성질을 가진다. 구체적인 유전체 다층막을 구성하는 재료로서 TiO2, Nb2O5, Ta2O3, SiO2, MgF2, CaF2 등을 사용할 수 있다. 유전체 다층막에 포함되는 각 층의 두께는, 각 층의 재료의 굴절율 및 반사하고 싶은 파장에 따라서 조정된다. As the wavelength selective reflection film 111, any configuration capable of selectively reflecting light having a predetermined wavelength and transmitting light having a wavelength other than that may be used. As the wavelength selective reflection film 111, for example, a dielectric multilayer film may be used. The dielectric multilayer film is a laminate in which a plurality of layers of an inorganic material or an organic material having different refractive indices are laminated, and has a property of reflecting light having a predetermined wavelength depending on the thickness and refractive index of the layer constituting the laminate. TiO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 3 , SiO 2 , MgF 2 , CaF 2 , and the like can be used as a material constituting the specific dielectric multilayer film. The thickness of each layer included in the dielectric multilayer film is adjusted according to the refractive index of the material of each layer and the wavelength to be reflected.

또한 파장 선택 반사막(111)으로서, 예를 들면 콜레스테릭 액정을 사용해도 된다. 콜레스테릭 액정은, 그 나선 구조(즉 피치 및 감김 방향)에 따라서 소정 파장 및 편광의 빛을 반사하는 성질을 가진다. 구체적으로는 파장 선택 반사막(111)으로서, 오른쪽 감김인 콜레스테릭 액정 및 왼쪽 감김인 콜레스테릭 액정을 적층한 적층체, 또는 오른쪽 감김(왼쪽 감김)인 콜레스테릭 액정, 반파장판 및 동일한 감김 방향의 콜레스테릭 액정을 순서대로 적층한 적층체를 사용할 수 있다. 콜레스테릭 액정의 나선 구조의 피치는, 반사하고 싶은 파장에 따라서 조정된다. As the wavelength selective reflection film 111, for example, a cholesteric liquid crystal may be used. The cholesteric liquid crystal has a property of reflecting light of a predetermined wavelength and polarization according to its spiral structure (that is, pitch and winding direction). Specifically, as the wavelength selective reflection film 111, a laminate in which a cholesteric liquid crystal that is a right winding and a cholesteric liquid crystal that is a left winding is laminated, or a cholesteric liquid crystal that is a right winding (left winding), a half-wave plate, and the same winding. The laminated body which laminated | stacked the cholesteric liquid crystal of the direction in order can be used. The pitch of the spiral structure of the cholesteric liquid crystal is adjusted according to the wavelength to be reflected.

도 4는, 본 실시형태에 따른 파장 선택 반사막(111)에 따른 빛의 반사를 설명하는 모식도이다. 도 4의 예에서는, 광원부(120, 발광 소자(121))는 청색광을 생성하도록 구성되고, 파장 선택 반사막(111)은 청색광의 파장 영역을 투과하며, 녹색광의 파장 영역 및 적색광의 파장 영역을 반사하도록 구성되어 있다. 도 4에는, 양자점(113) 중에서 녹색광을 발광하는 것에는 G 부호가 부여되고, 적색광을 발광하는 것에는 R 문자가 부여되어 있다. 4 is a schematic diagram illustrating reflection of light along the wavelength selective reflection film 111 according to the present embodiment. In the example of FIG. 4, the light source unit 120 and the light emitting element 121 are configured to generate blue light, and the wavelength selective reflection film 111 transmits the wavelength region of the blue light, and reflects the wavelength region of the green light and the wavelength region of the red light. It is configured to. In FIG. 4, G code | symbol is attached | subjected to emitting green light among the quantum dots 113, and R letter is attached | subjected to emitting red light.

광원부(120)에 의해 생성되는 청색광은, 파장 선택 반사막(111)을 투과하여, 양자점 구조체(110)의 광원부(120)와는 반대측에 그대로 출사된다. 또한 양자점(113)에 의해 생성되는 녹색광 및 적색광 중에서 양자점 구조체(110)의 광원부(120)와는 반대측을 향하는 빛은 그대로 출사된다. 한편 양자점(113)에 의해 생성되는 녹색광 및 적색광 중에서 광원부(120)를 향하는 빛은 파장 선택 반사막(111)에 의해 반사되어, 양자점 구조체(110)의 광원부(120)와는 반대측에 출사된다. The blue light generated by the light source unit 120 passes through the wavelength selective reflection film 111 and exits on the opposite side to the light source unit 120 of the quantum dot structure 110. In addition, among the green light and the red light generated by the quantum dot 113, the light toward the opposite side of the light source unit 120 of the quantum dot structure 110 is emitted as it is. Meanwhile, among the green light and the red light generated by the quantum dot 113, the light toward the light source unit 120 is reflected by the wavelength selective reflecting film 111 and is emitted to the opposite side to the light source unit 120 of the quantum dot structure 110.

본 실시형태에 의하면, 광원부(120)로부터의 여기광은 파장 선택 반사막(111)을 투과하므로 거의 감쇠되지 않고, 양자점(113)으로부터 광원부(120)를 향하는 빛은 파장 선택 반사막(111)에 의해 반사되어 출사 방향으로 돌아온다. 이와 같은 구성에 의해, 양자점(113)에 의해 생성되는 빛의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 파장 선택 반사막(111)은 양자점(113)의 근방에 배치되어 있기 때문에 양자점(113)으로부터 광원부(120)로 향하는 빛은 양자점(113)에 가까운 위치에서 반사되어, 상기 빛의 감쇠를 억제할 수 있다. 파장 선택 반사막(111)은 밀폐 용기(112)의 여기광 입사면의 내부 또는 외부에 배치되므로, 밀폐 용기(112)의 구성으로서 공지된 것을 사용할 수 있고, 본 실시형태에 따른 구성을 용이하게 도입할 수 있다. According to this embodiment, since the excitation light from the light source unit 120 passes through the wavelength selective reflection film 111, it is hardly attenuated, and the light from the quantum dot 113 toward the light source part 120 is caused by the wavelength selective reflection film 111. Reflected and returned to the exit direction. By such a structure, the utilization efficiency of the light produced by the quantum dot 113 can be improved. Since the wavelength selective reflection film 111 is disposed in the vicinity of the quantum dot 113, the light directed from the quantum dot 113 to the light source unit 120 is reflected at a position close to the quantum dot 113, thereby suppressing attenuation of the light. have. Since the wavelength selective reflection film 111 is disposed inside or outside the excitation light incident surface of the hermetic container 112, a known one can be used as the hermetic container 112, and the constitution according to the present embodiment can be easily introduced. can do.

<실시예><Example>

실시예로서 상술한 실시형태에 따른 광원 장치(100)를 모사한 시료를 제작하고, 정면 휘도를 측정하였다. 구체적으로는, 중심 파장을 450 nm, 그리고 또한 반값 전폭을 18 nm로 하는 청색 LED를 기판 상에 올려놓고, 반사 대역의 중심 파장을 525 nm, 그리고 또한 반값 전폭을 56 nm로 하는, 무기 유전체 다층막으로 이루어지는 파장 선택 반사막이 표면에 설치된 유리판을 상기 LED로부터 떨어뜨려 고정했다. 더욱이 중심 파장을 530 nm, 그리고 또한 반값 전폭을 40 nm로 하는 녹색 양자점 및 중심 파장을 639 nm, 그리고 또한 반값 전폭을 30 nm로 하는 적색 양자점을 봉입한 밀폐 용기를 상기 유리판 상에 올려놓았다. 이와 같은 구성에 있어서, LED로부터의 청색광은 양자점을 여기하고, 양자점에 의해 생성된 빛 및 LED로부터의 청색광은 밀폐 용기로부터 출사된다. 양자점에 의해 생성된 녹색광 중에서 LED를 향하는 빛은, 파장 선택 반사막에서 반사되어 출사 방향으로 돌아간다. 또한 비교예로서 파장 선택 반사막이 설치되지 않은 유리판을 사용한 시료를 제작했다. As an example, the sample which simulated the light source device 100 which concerns on embodiment mentioned above was produced, and front brightness was measured. Specifically, an inorganic dielectric multilayer film having a blue LED having a center wavelength of 450 nm and a full width at half maximum of 18 nm on a substrate, and having a center wavelength of the reflection band at 525 nm and a full width at half maximum of 56 nm. The glass plate in which the wavelength selective reflection film which consists of these is provided on the surface was separated from the said LED, and it fixed. Furthermore, an airtight container enclosed with a green quantum dot having a center wavelength of 530 nm and a full width at half maximum of 40 nm and a red quantum dot having a center wavelength of 639 nm and a full width at half maximum of 30 nm was placed on the glass plate. In such a configuration, the blue light from the LED excites the quantum dots, and the light generated by the quantum dots and the blue light from the LED are emitted from the sealed container. Of the green light generated by the quantum dots, the light toward the LED is reflected by the wavelength selective reflection film and returns to the emission direction. Moreover, as a comparative example, the sample using the glass plate in which the wavelength selective reflection film was not provided was produced.

실시예 및 비교예에서 각각 청색 LED를 점등한 상태에서, 양자점을 봉입한 밀폐 용기를 통과한 빛의 정면 휘도를 측정했다. 정면 휘도로서, 양자점을 봉입한 밀폐 용기의 35 cm 상방에 있어서 시야각 2도로 측정된 휘도를 이용했다. 측정 결과를 표 1에 도시한다.In the Example and the comparative example, in the state which respectively lit blue LED, the front brightness of the light which passed the airtight container which enclosed the quantum dot was measured. As the front luminance, the luminance measured at a viewing angle of 2 degrees at 35 cm above the closed container in which the quantum dots were sealed was used. Table 1 shows the measurement results.

Figure 112017082335272-pat00001
Figure 112017082335272-pat00001

표 1에 도시한 것과 같이, 파장 선택 반사막이 설치된 실시예에서는, 파장 선택 반사막이 설치되지 않은 비교예보다 정면 휘도가 향상되어 있다. 따라서 파장 선택 반사막을 설치함으로써, 양자점에 의해 생성된 빛의 이용 효율이 향상되는 것이 확인되었다. As shown in Table 1, in the Example provided with the wavelength selective reflecting film, the front brightness was improved compared with the comparative example in which the wavelength selective reflecting film was not provided. Therefore, it was confirmed that the use efficiency of the light generated by the quantum dots is improved by providing the wavelength selective reflecting film.

<제 2 실시형태><2nd embodiment>

제 1 실시형태에서는 On-Chip형 실장 방식이 채용되었지만, 본 실시형태에서는 복수의 발광 소자(121)의 상방에 평면상(필름상)의 양자점 구조체(110)가 설치되어 있는 On-Surface형 실장 방식이 채용되고 있다. 양자점 구조체(110)의 형상 및 배치 이외는, 제 1 실시형태와 동일하다. 백라이트 유닛의 방식은 제 1 실시형태와 마찬가지로 직하형 백라이트 유닛이어도 되고, 엣지 라이트 방식이어도 된다. In the first embodiment, the on-chip mounting method is employed, but in the present embodiment, the on-surface mounting in which the quantum dot structure 110 in a plane (film) is provided above the plurality of light emitting elements 121. The method is adopted. It is the same as that of 1st Embodiment except the shape and arrangement | positioning of the quantum dot structure 110. FIG. As in the first embodiment, the backlight unit may be a direct type backlight unit or an edge light system.

도 5는, 본 실시형태에 따른 표시 장치(10)의 단면도이다. 양자점 구조체(110)는, 액정 패널(20)의 배면과 광원부(120) 사이에 위치하여, 광원부(120)로부터 액정 패널(20)의 배면으로 조사되는 빛의 광로에 개재된다. 양자점 구조체(110)는, 평면상(필름상)의 형상을 가지고, 복수의 발광 소자(121, 즉 광원부(120)에 포함되는 발광 소자의 일부 또는 전부)의 상방을 덮도록 연장된다. 양자점 구조체(110)는, 제 1 실시형태와 같이 밀폐 용기(112) 내에 양자점(113) 및 분산매(114)를 봉입한 구성도 좋고, 혹은 양자점(113)을 분산시킨 고체상의 분산매(114)를 필름상으로 연신한 구성도 좋다. 상기 필름상으로 연신한 구성의 바람직한 예로서는, 양자점(113)을 분산시킨 고체상의 분산매(114)로 이루어지는 필름이, 가스 배리어성을 가지는 층으로 상하로부터 낀 구성을 들 수 있다. 5 is a cross-sectional view of the display device 10 according to the present embodiment. The quantum dot structure 110 is positioned between the rear surface of the liquid crystal panel 20 and the light source unit 120, and is interposed in an optical path of light irradiated from the light source unit 120 to the rear surface of the liquid crystal panel 20. The quantum dot structure 110 has a planar shape (film shape) and extends to cover the plurality of light emitting elements 121 (that is, part or all of the light emitting elements included in the light source unit 120). The quantum dot structure 110 may have the structure which enclosed the quantum dot 113 and the dispersion medium 114 in the airtight container 112 similarly to 1st Embodiment, or the solid dispersion medium 114 which disperse | distributed the quantum dot 113 was carried out. The structure extended | stretched to the film form is also good. As a preferable example of the structure extended | stretched to the said film form, the structure which the film which consists of the solid dispersion medium 114 which disperse | distributed the quantum dot 113 was put on the layer which has gas barrier property from the top and bottom is mentioned.

파장 선택 반사막(111)은, 양자점 구조체(110)의 여기광이 입사되는 측에 설치되어 있다. 구체적으로는, 파장 선택 반사막(111)은 양자점 구조체(110)와 광원부(120) 사이에 있어서, 양자점 구조체(110)를 따라서 연장되도록 설치된다. 본 실시형태에서는 양자점 구조체(110)와 파장 선택 반사막(111) 사이에 간극이 설치되어 있지만, 밀착해 있어도 된다. The wavelength selective reflection film 111 is provided on the side where the excitation light of the quantum dot structure 110 is incident. Specifically, the wavelength selective reflection film 111 is provided to extend along the quantum dot structure 110 between the quantum dot structure 110 and the light source unit 120. In the present embodiment, a gap is provided between the quantum dot structure 110 and the wavelength selective reflection film 111, but may be in close contact.

본 실시형태에서도, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 양자점(113)에 의해 생성되는 빛의 이용 효율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. Also in this embodiment, similarly to the first embodiment, the effect of improving the utilization efficiency of light generated by the quantum dot 113 can be obtained.

<제 3 실시형태>Third Embodiment

제 1 실시형태에서는 On-Chip형 실장 방식이 채용되었지만, 본 실시형태에서는 액정 패널(20)의 단면을 따라서 양자점 구조체(110)가 설치되어 있는 On-Endge형 실장 방식이 채용되고 있다. 백라이트 유닛은 엣지 라이트 방식이다. 양자점 구조체(110) 및 광원부(120)의 형상 및 배치 이외는, 제 1 실시형태와 동일하다. In the first embodiment, the on-chip mounting method is employed, but in the present embodiment, an on-end mounting method in which the quantum dot structure 110 is provided along the cross section of the liquid crystal panel 20 is adopted. The backlight unit is an edge light method. It is the same as that of 1st Embodiment except the shape and arrangement of the quantum dot structure 110 and the light source part 120. FIG.

도 6은, 본 실시형태에 따른 표시 장치(10)의 전면도이다. 도 6에 있어서, 시인성을 위해서 틀(30)은 내부의 광원 장치(100)를 투과하도록 도시되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 양자점 구조체(110) 및 광원부(120)를 포함하는 광원 장치(100)는, 액정 패널(20)의 단면을 따라서 설치되어 있다. 광원 장치(100)로부터의 빛은, 액정 패널(20)의 배면 측에 설치된, 도시하지 않은 도광판을 통하여 액정 패널(20)에 조사된다. 본 실시형태에서는 광원 장치(100)는 액정 패널(20)의 우측 단면에만 설치되어 있지만, 액정 패널(20)의 상측 단면, 하측 단면, 좌측 단면 및 우측 단면 중에서 1개, 2개 이상 또는 전부에 설치되어도 된다. 6 is a front view of the display device 10 according to the present embodiment. In FIG. 6, the mold 30 is shown to penetrate the light source device 100 therein for visibility. In this embodiment, the light source device 100 including the quantum dot structure 110 and the light source unit 120 is provided along the cross section of the liquid crystal panel 20. Light from the light source device 100 is irradiated to the liquid crystal panel 20 through a light guide plate (not shown) provided on the rear side of the liquid crystal panel 20. In the present embodiment, the light source device 100 is provided only at the right end surface of the liquid crystal panel 20, but at one, two or more or all of the upper end surface, the lower end surface, the left end surface and the right end surface of the liquid crystal panel 20. It may be installed.

광원부(120)는, 액정 패널(20)의 단면을 따라서 연장된 기판(122) 상에 설치된 복수의 발광 소자(121)를 구비한다. 제 1 실시형태와는 달리, 본 실시형태에서는 프레임(123)이 생략되어 있지만, 프레임(123)이 설치되어도 된다. 발광 소자(121)는 액정 패널(20)의 단면을 향해서 소정 파장의 빛을 조사한다. The light source unit 120 includes a plurality of light emitting elements 121 provided on the substrate 122 extending along the cross section of the liquid crystal panel 20. Unlike the first embodiment, the frame 123 is omitted in the present embodiment, but the frame 123 may be provided. The light emitting element 121 irradiates light having a predetermined wavelength toward the cross section of the liquid crystal panel 20.

양자점 구조체(110)는 액정 패널(20)의 측면과 광원부(120) 사이에 위치하여, 광원부(120)로부터 액정 패널(20)의 측면으로 조사되는 빛의 광로에 개재된다. 양자점 구조체(110)는, 봉상(예를 들면 원기둥상 또는 사각기둥상)의 형상을 가지고 있다. 양자점 구조체(110)는, 제 1 실시형태와 같이 밀폐 용기(112) 내에 양자점(113) 및 분산매(114)를 봉입한 구성도 좋고, 혹은 양자점(113)을 분산시킨 고체상의 분산매(114)를 봉상으로 연신한 구성도 좋다. The quantum dot structure 110 is positioned between the side surface of the liquid crystal panel 20 and the light source unit 120, and is interposed in an optical path of light radiated from the light source unit 120 to the side surface of the liquid crystal panel 20. The quantum dot structure 110 has a rod-like shape (for example, a columnar shape or a rectangular columnar shape). The quantum dot structure 110 may have the structure which enclosed the quantum dot 113 and the dispersion medium 114 in the airtight container 112 similarly to 1st Embodiment, or the solid dispersion medium 114 which disperse | distributed the quantum dot 113 was carried out. The structure extended by the rod shape is also good.

파장 선택 반사막(111)은, 양자점 구조체(110)의 여기광이 입사되는 측에 설치되어 있다. 구체적으로는, 파장 선택 반사막(111)은 양자점 구조체(110)와 광원부(120) 사이에 있어서, 양자점 구조체(110)를 따라서 연장되도록 설치된다. 본 실시형태에서는, 양자점 구조체(110)와 파장 선택 반사막(111) 사이에 간극이 설치되어 있지만, 밀착해 있어도 된다. The wavelength selective reflection film 111 is provided on the side where the excitation light of the quantum dot structure 110 is incident. Specifically, the wavelength selective reflection film 111 is provided to extend along the quantum dot structure 110 between the quantum dot structure 110 and the light source unit 120. In this embodiment, although the clearance gap is provided between the quantum dot structure 110 and the wavelength selective reflection film 111, it may be in close contact.

본 실시형태에 있어서도 제 1 실시형태와 마찬가지로, 양자점(113)에 의해 생성되는 빛의 이용 효율을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. Also in this embodiment, the effect which improves the utilization efficiency of the light produced by the quantum dot 113 can be acquired similarly to 1st embodiment.

본 발명은, 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다. This invention is not limited to embodiment mentioned above, It can change suitably in the range which does not deviate from the meaning of this invention.

100: 표시 장치 110: 양자점 구조체
111: 파장 선택 반사막 112: 밀폐 용기
113: 양자점100: display device 110: quantum dot structure
111: wavelength selective reflection film 112: airtight container
113: quantum dots

Claims (12)

청색광을 발생시키는 광원부와,
상기 광원부로부터의 빛에 의해 여기되는 양자점을 포함하는 구조체와,
상기 광원부와 상기 양자점 사이에 설치되고, 상기 광원부로부터의 빛을 투과시키는 한편 상기 양자점에 의해 생성되는 빛을 반사하는 파장 선택 반사막을 구비하며,
상기 광원부는, 각각이 저면과 측면을 갖는 다수의 프레임과 상기 다수의 프레임 각각에 설치되는 다수의 광원 소자를 포함하고,
상기 파장 선택 반사막은 상기 다수의 프레임 전체에 대응되는 면적을 가져 다수의 프레임에 대응되도록 일체로 형성되며 상기 다수의 프레임의 상기 측면에 의해 지지되고,
상기 양자점 외측에는 파장 선택 반사막이 구비되지 않으며,
상기 양자점은 녹색광의 파장 영역에 발광 중심을 갖는 제 1 양자점과 적색광의 파장 영역에 발광 중심을 갖는 제 2 양자점을 포함하며 상기 광원부로부터의 청색광, 상기 제 1 양자점으로부터의 녹색광 및 상기 제 2 양자점으로부터의 적색광이 혼합되어 백색광을 발광하고,
상기 파장 선택 반사막은, 오른쪽 감김인 콜레스테릭 액정 및 왼쪽 감김인 콜레스테릭 액정이 적층된 적층체인 광원 장치.
A light source unit generating blue light,
A structure including a quantum dot excited by light from the light source unit,
A wavelength selective reflection film disposed between the light source unit and the quantum dot, and configured to transmit light from the light source unit and reflect light generated by the quantum dot,
The light source unit includes a plurality of frames each having a bottom and a side, and a plurality of light source elements provided in each of the plurality of frames,
The wavelength selective reflecting film has an area corresponding to the entirety of the plurality of frames and is integrally formed to correspond to the plurality of frames and is supported by the side surfaces of the plurality of frames.
The wavelength selective reflection film is not provided outside the quantum dot,
The quantum dot may include a first quantum dot having a light emission center in a wavelength region of green light and a second quantum dot having a light emission center in a wavelength region of red light, and include blue light from the light source unit, green light from the first quantum dot, and a second quantum dot. Of red light is mixed to emit white light,
The wavelength selective reflecting film is a light source device in which a cholesteric liquid crystal that is wound right and a cholesteric liquid crystal that is wound left are laminated.
제 1 항에 있어서,
상기 구조체는, 상기 양자점을 내포하는 용기를 구비하고,
상기 파장 선택 반사막은, 상기 용기의 상기 광원부에 대향하는 벽면 상에 설치되어 있는 광원 장치.
The method of claim 1,
The structure includes a container containing the quantum dots,
The wavelength selective reflecting film is provided on a wall surface of the container that faces the light source portion.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 광원부와 상기 구조체는 일체화 되어 있는 광원 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The light source device and the structure are integrated.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 파장 선택 반사막은, 상기 광원부와 상기 구조체 사이에 설치되어 있는 광원 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The wavelength selective reflecting film is provided between the light source unit and the structure.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 광원부로부터의 빛의 파장은 380 nm 이상 480 nm 미만이고,
상기 파장 선택 반사막이 반사하는 빛의 파장은 480 nm 이상 780 nm 이하인 광원 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The wavelength of light from the light source unit is 380 nm or more and less than 480 nm,
The wavelength of the light which the said wavelength selective reflection film reflects is 480 nm or more and 780 nm or less.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 상기 광원 장치와, 상기 광원 장치로부터의 빛이 조사되는 위치에 설치된 액정 패널을 구비한 표시 장치.
The display device provided with the said light source apparatus of Claim 1 or 2, and the liquid crystal panel provided in the position to which the light from the said light source apparatus is irradiated.
삭제delete 청색광을 발생시키는 광원부와,
상기 광원부로부터의 빛에 의해 여기되는 양자점을 포함하는 구조체와,
상기 광원부와 상기 양자점 사이에 설치되고, 상기 광원부로부터의 빛을 투과시키는 한편 상기 양자점에 의해 생성되는 빛을 반사하는 파장 선택 반사막을 구비하며,
상기 광원부는, 각각이 저면과 측면을 갖는 다수의 프레임과 상기 다수의 프레임 각각에 설치되는 다수의 광원 소자를 포함하고,
상기 파장 선택 반사막은 상기 다수의 프레임 전체에 대응되는 면적을 가져 다수의 프레임에 대응되도록 일체로 형성되며 상기 다수의 프레임의 상기 측면에 의해 지지되고,
상기 양자점 외측에는 파장 선택 반사막이 구비되지 않으며,
상기 양자점은 녹색광의 파장 영역에 발광 중심을 갖는 제 1 양자점과 적색광의 파장 영역에 발광 중심을 갖는 제 2 양자점을 포함하며 상기 광원부로부터의 청색광, 상기 제 1 양자점으로부터의 녹색광 및 상기 제 2 양자점으로부터의 적색광이 혼합되어 백색광을 발광하고,
상기 파장 선택 반사막은, 오른쪽 감김 또는 왼쪽 감김인 제 1 콜레스테릭 액정과, 반파장판 및 상기 제 1 콜레스테릭 액정과 동일한 감김 방향의 제 2 콜레스테릭 액정이 순서대로 적층된 적층체인 광원 장치.A light source unit generating blue light,
A structure including a quantum dot excited by light from the light source unit,
A wavelength selective reflection film disposed between the light source unit and the quantum dot, and configured to transmit light from the light source unit and reflect light generated by the quantum dot,
The light source unit includes a plurality of frames each having a bottom and a side, and a plurality of light source elements provided in each of the plurality of frames,
The wavelength selective reflecting film has an area corresponding to the entirety of the plurality of frames and is integrally formed to correspond to the plurality of frames and is supported by the side surfaces of the plurality of frames.
The wavelength selective reflection film is not provided outside the quantum dot,
The quantum dot may include a first quantum dot having a light emission center in a wavelength region of green light and a second quantum dot having a light emission center in a wavelength region of red light, and include blue light from the light source unit, green light from the first quantum dot, and a second quantum dot. Of red light is mixed to emit white light,
The wavelength selective reflecting film is a light source device which is a laminate in which a first cholesteric liquid crystal which is wound right or wound and a second cholesteric liquid crystal in the same winding direction as the first cholesteric liquid crystal are stacked in this order. .
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