KR102004792B1 - 적층 전자부품 및 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수의 자성체층을 포함하는 적층 본체; 및 상기 적층 본체의 내부에 배치된 내부전극;을 포함하고, 상기 내부전극은 도전성 금속 및 글래스를 포함하며, 상기 글래스는 바나듐(V) 산화물을 포함하는 적층 전자부품을 제공한다.
Description
본 발명은 적층 전자부품 및 내부전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
전자부품 중 하나인 인덕터(inductor)는 저항, 커패시터와 더불어 전자회로를 이루어 노이즈(Noise)를 제거하는 대표적인 수동소자이다.
적층 전자부품 중 적층 인덕터는 자성체 또는 유전체를 주재료로 하는 절연 층 상에 도체 패턴을 형성하고, 이를 적층하여 적층 본체 내부에 코일 형상의 내부전극을 형성하며, 적층 본체의 외면에 내부전극을 외부 회로에 전기적으로 접속시키기 위한 외부전극을 형성한다.
본 발명은 우수한 비저항 및 치밀한 미세구조의 내부전극을 갖는 적층 전자부품 및 이를 구현하기 위한 내부전극용 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 적층 본체 내부에 배치된 내부전극이 도전성 금속 및 글래스를 포함하며, 상기 글래스는 바나듐(V) 산화물을 포함하는 적층 전자부품을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 보다 낮은 열처리 온도에서 내부전극의 소결을 촉진하여 우수한 비저항 특성 및 치밀한 미세구조를 갖는 내부전극을 구현함으로써 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품의 일부를 절개하여 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'에 의한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품의 내부전극을 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 관찰한 사진이다.
도 2는 도 1의 A-A'에 의한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품의 내부전극을 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope)으로 관찰한 사진이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
적층 전자부품
이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품을 설명하되, 특히 적층 인덕터(inductor)로 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품의 일부를 절개하여 도시한 사시도이며, 도 2는 도 1의 A-A'에 의한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품(100)은 복수의 자성체층(10)을 포함하는 적층 본체(110), 상기 적층 본체(110)의 내부에 배치된 코일 형상의 내부전극(120) 및 상기 적층 본체(110)의 외측에 형성된 외부전극(130)을 포함하며, 상기 적층 본체(110)의 외측에 형성된 외부전극(130)은 적층 본체(110)의 내부에 형성된 내부전극(120)과 전기적으로 연결된다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품(100)에 있어서, '길이 방향'은 도 1의 'L' 방향, '폭 방향'은 'W' 방향, '두께 방향'은 'T' 방향으로 정의하기로 한다.
상기 적층 본체(110)는 길이 방향(L)의 양 단면, 폭 방향(W)의 양 측면 및 두께 방향(T)의 상, 하면을 갖는 육면체로 형성된다. 두께 방향은 자성체층(10)을 쌓아 올리는 방향 즉, 적층 방향과 동일한 개념으로 사용할 수 있다.
상기 적층 본체(110)는 복수의 자성체층(10)이 적층되어 형성된다. 복수의 자성체층(10)은 소결된 상태로, 인접하는 자성체층(10)끼리의 경계는 주사전자현미경(SEM)를 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
적층 본체(110)의 형상 및 치수는 본 실시형태에 도시된 것으로 한정되는 것은 아니며, 자성체층(10)의 두께는 적층 전자부품(100)의 용량 설계에 맞추어 임의로 변경할 수 있다.
상기 적층 본체(110)를 이루는 자성체층(10)을 형성하는 원료는 금속자성입자일 수 있으나, 이에 반드시 제한되는 것은 아니다.
상기 금속자성입자는 연자성 합금, 예를 들어 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금일 수 있고, 보다 바람직하게는 Fe-Si-Cr계 합금일 수 있다.
상기 금속자성입자를 포함하는 적층 전자부품의 경우, 금속자성입자가 포화자화 값이 크기 때문에 높은 DC-bias 특성을 확보할 수 있다.
이때, 본 발명의 일 실시형태에 따른 금속자성입자를 포함한 적층 전자부품은 페라이트를 소결할 때와 같이 고온에서 소결할 경우 금속자성입자의 과도한 산화로 인해 자성 특성이 열화되기 때문에 일반적인 페라이트 소결 온도보다 100℃ 내지 200℃ 정도 낮은 온도인 약 700℃ 내지 800℃의 온도에서 열처리하여 금속자성입자의 표면에 산화막을 형성시킴으로써 높은 자성 특성을 유지시키면서도 금속자성입자 간의 절연성을 확보하게 된다.
본 발명의 일 실시형태와 같이 금속자성입자를 포함한 적층 전자부품의 경우 DC-bias 특성이 향상되는 장점이 있으나, 일반적인 페라이트를 포함한 적층 전자부품에 비하여 저온의 소결온도 조건을 가지기 때문에 적층 본체(110)의 내부에 형성된 내부전극(120)이 충분히 소결되지 않아 전기적 특성이 저하되는 문제가 있다.
이에, 본 발명의 일 실시형태는 내부전극(120)을 도전성 금속과 바나듐(V) 산화물을 포함하는 글래스를 포함하여 형성함으로써 보다 낮은 소결온도에서 소결을 촉진하여 우수한 비저항 특성 및 치밀한 미세구조를 갖는 내부전극을 구현하고, 상술한 문제점을 해결할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 내부전극(120)은 코일 형상을 나타낼 수 있으며, 복수의 자성체층(10) 상에 소정의 두께로 형성된 도체 패턴(121)이 전기적으로 연결되어 형성된다.
상기 도체 패턴(121)은 도전성 금속과 바나듐(V) 산화물을 포함하는 글래스를 포함하는 내부전극용 도전성 페이스트를 자성체층(10)상에 인쇄 공법 등으로 도포하여 형성할 수 있다. 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
도체 패턴(121)이 인쇄된 각 자성체층(10)에는 소정의 위치에 비아(via)가 형성되고, 상기 비아를 통해 각 자성체층(10) 상에 형성된 도체 패턴(121)은 전기적으로 상호 연결되어 하나의 코일 형상의 내부전극(120)을 형성한다.
상기 내부전극(120)을 형성하는 도전성 금속은 전기 전도도가 우수한 금속이라면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 또는 백금(Pt) 등의 단독 또는 혼합 형태일 수 있다.
상기 내부전극(120)을 비교적 저온에서 소결하여 치밀화하기 위하여 글래스를 사용한다. 상기 글래스는 도전성 페이스트 내에 분산되어 액상화됨으로써 도전성 금속의 이동을 촉진하여 보다 저온에서 소결이 가능하도록 하는 역할을 한다. 또한, 소결된 내부전극(120) 내부의 공극을 유동성이 좋은 글래스가 채움으로써 소결 밀도를 개선하고 전기적 특성 향상의 효과를 가져온다.
본 발명의 일 실시형태는 바나듐(V) 산화물을 포함하는 글래스를 사용함으로써 보다 낮은 열처리 온도, 특히, 금속자성입자를 포함하는 적층 전자부품의 경우의 낮은 소결온도 조건에서 내부전극의 소결을 촉진하여 우수한 비저항 특성 및 치밀한 미세구조를 갖는 내부전극을 구현할 수 있다.
상기 글래스는 바나듐(V) 산화물을 10 mol% 내지 30 mol% 포함할 수 있다. 상기 바나듐(V) 산화물을 10 mol% 내지 30 mol%를 만족하는 범위에서 첨가함으로써 글래스의 연화 온도(softening temperature)를 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 글래스의 연화 온도를 450℃ 내지 600℃ 범위로 조절할 수 있다. 글래스의 연화 온도가 600℃ 이하로 저하됨에 따라 보다 낮은 열처리 온도에서 내부전극의 소결을 촉진할 수 있다.
상기 바나듐(V) 산화물이 10 mol% 미만이거나, 30 mol% 를 초과할 경우 글래스의 연화 온도가 상기 범위를 만족하지 못하고, 비저항 특성이 개선되지 않으며, 입정상이 제한되고, 공극(pore)이 존재하는 등 치밀한 미세구조를 구현하기 어려울 수 있다.
상기 글래스는 규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물, 리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물, 티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물을 더 포함할 수 있다.
즉, 상기 글래스는 a(Si, B)-b(Li, K, Ca)-c(V)-d(Ti, Al)을 포함할 수 있으며, 상기 a는 규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비, b는 리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비, c는 바나듐(V) 산화물의 몰비, d는 티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 의미한다.
이때, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 a, b, c 및 d 는 a+b+c+d= 100(mol%)을 만족하고, 30(mol%) ≤ a ≤ 60(mol%), 10(mol%) ≤ b ≤ 30(mol%), 10(mol%) ≤ c ≤ 30(mol%) 및 1(mol%) ≤ d ≤ 20(mol%)을 만족할 수 있다.
상기 각 산화물의 몰비를 만족하는 글래스를 포함함으로써 내부전극(120)의 비저항 특성을 향상시키고, 입성장 및 소결 치밀도를 개선할 수 있다.
상기 내부전극(120)은 상기 글래스를 0.1 중량% 내지 1 중량% 포함할 수 있다.
상기 글래스가 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우 글래스로 인한 액상 소결 메커니즘의 구현이 어려우며, 공극 채움을 통한 치밀도 향상 등의 효과가 나타나지 않고, 소결 온도가 상승하며 이로 인해 전기적 특성이 악화되고 신뢰성이 하락할 수 있다.
한편, 상기 글래스가 1 중량%를 초과하여 포함될 경우 글래스가 과량의 액상을 형성하여 도전성 금속의 이동 거리를 증가시키고, 컨텍 포인트(contact point)을 감소시켜 오히려 소결을 방해할 수 있으며, 비전도성 물질인 글래스가 도전성 금속의 입계에 과량 존재하여 내부전극의 전기 전도도를 저하시키는 부작용을 초래할 수 있다. 또한, 내부전극의 내부에서 글래스의 뭉침 또는 부유와 같은 부작용에 의해 전극 소결에 기여하지 못할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 내부전극(120)은 상기 도전성 금속에 대한 상기 바나듐(V) 산화물의 중량비가 0.00025 내지 0.00500을 만족할 수 있다. 상기 중량비를 만족함에 따라 내부전극(120)의 비저항 특성을 향상시키고, 입성장 및 소결 치밀도를 개선할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품의 내부전극을 형성하기 위한 내부전극용 도전성 페이스트 조성물을 설명한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 내부전극용 도전성 페이스트 조성물은 도전성 금속 및 글래스를 포함하며, 상기 글래스는 바나듐(V) 산화물을 포함한다.
상기 바나듐(V) 산화물은 규소(Si) 산화물이나 붕소(B) 산화물과 같은 망목 형성 산화물 성분으로써 글래스 형성 능력이 양호하면서도, 망목 구조를 완화시킬 수 있는 역할을 함으로써 글래스의 연화 온도를 저하시킬 수 있다.
상기 내부전극용 도전성 페이스트 조성물을 자성체 시트 상에 인쇄 공법 등으로 도포하여 도체 패턴을 형성하고, 소정의 온도에서 소결하여 내부전극을 형성할 수 있다.
이때, 상기 내부전극용 도전성 페이스트 조성물은 도전성 금속과 바나듐(V) 산화물을 포함하는 글래스를 포함함으로써 보다 낮은 소결온도에서 소결을 촉진하여 우수한 비저항 특성 및 치밀한 미세구조를 갖는 내부전극을 구현할 수 있다.
상기 글래스는 규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물, 리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물, 티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물을 더 포함할 수 있다.
즉, 상기 글래스는 a(Si, B)-b(Li, K, Ca)-c(V)-d(Ti, Al)을 포함할 수 있으며, 상기 a는 규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비, b는 리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비, c는 바나듐(V) 산화물의 몰비, d는 티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 의미한다.
이때, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 a, b, c 및 d 는 a+b+c+d= 100(mol%)을 만족하고, 30(mol%) ≤ a ≤ 60(mol%), 10(mol%) ≤ b ≤ 30(mol%), 10(mol%) ≤ c ≤ 30(mol%) 및 1(mol%) ≤ d ≤ 20(mol%)을 만족할 수 있다.
상기 내부전극용 도전성 페이스트 조성물은 상기 조성의 글래스를 0.1 중량% 내지 1 중량% 포함할 수 있다. 상기 글래스가 0.1 중량% 내지 1 중량%의 범위를 만족함으로써 글래스의 액상화로 도전성 금속의 이동을 촉진하여 보다 저온에서 소결이 가능해지며, 소결된 내부전극 내부의 공극을 유동성이 좋은 글래스가 채움으로써 소결 밀도를 개선하고 전기적 특성 향상의 효과를 가져올 수 있다.
상기 내부전극용 도전성 페이스트 조성물은 상기 도전성 금속에 대한 상기 바나듐(V) 산화물의 중량비가 0.00025 내지 0.00500을 만족할 수 있다. 상기 중량비를 만족하는 도전성 페이스트 조성물로 내부전극을 형성함에 따라 내부전극의 비저항 특성을 향상시키고, 입성장 및 소결 치밀도를 개선할 수 있다.
그 외 상술한 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 전자부품의 특징과 동일한 부분에 대해서는 여기서 생략하도록 한다.
하기 표 1은 글래스의 조성 및 글래스의 첨가량에 따른 내부전극의 비저항 특성과 미세구조를 평가한 결과이다.
평균 입경이 2.5㎛, 1㎛, 0.3㎛인 세 종류의 크기를 갖는 은(Ag) 분말을 적절히 혼합하고, 상기 은(Ag) 분말에 에틸셀룰로오스계 수지, 유기 용제 및 글래스 분말을 소량 첨가하여 혼합하여 도전성 페이스트를 제조하였다. 이때, 첨가되는 글래스의 조성 및 첨가량은 하기 표 1의 각 실시예 및 비교예에 따라 달리하였다.
제조된 도전성 페이스트를 사용하여 스크린 인쇄를 통해 자성체 시트 상에 도체 패턴을 형성하였으며, 소정의 온도(700℃, 750℃, 800℃)에서 1시간 동안 열처리하여 비저항 및 미세구조를 평가하였다.
|
|
글래스 조성(mol%) | 글래스 첨가량 (중량%) |
V산화물/Ag 중량비 |
특성 | ||||||
| a(Si, B)-b(Li, K, Ca)-c(V)-d(Ti, Al) | 비저항[Ωcm] | 미세구조 | ||||||||
| a | b | c | d | 700℃ | 750℃ | 800℃ | ||||
| 실시예1 | 48 | 25 | 12 | 15 | 0.1 | 0.00027 | 2.68 | 2.45 | 2.36 | O |
| 실시예2 | 48 | 25 | 12 | 15 | 0.2 | 0.00055 | 2.58 | 2.25 | 2.34 | O |
| 실시예3 | 48 | 25 | 12 | 15 | 0.3 | 0.00082 | 2.73 | 2.41 | 2.36 | O |
| 실시예4 | 48 | 25 | 12 | 15 | 0.5 | 0.00136 | 2.51 | 2.34 | 2.44 | O |
| 실시예5 | 48 | 25 | 12 | 15 | 1.0 | 0.00274 | 2.75 | 2.41 | 2.66 | △ |
| 실시예6 | 48 | 25 | 12 | 15 | 1.5 | 0.00414 | 3.42 | 3.26 | 2.97 | X |
| 실시예7 | 42 | 21 | 25 | 12 | 0.1 | 0.00049 | 2.73 | 2.38 | 2.40 | O |
| 실시예8 | 42 | 21 | 25 | 12 | 0.2 | 0.00099 | 2.60 | 2.29 | 2.35 | O |
| 실시예9 | 42 | 21 | 25 | 12 | 0.3 | 0.00148 | 2.64 | 2.31 | 2.30 | O |
| 실시예10 | 42 | 21 | 25 | 12 | 0.5 | 0.00245 | 2.72 | 2.35 | 2.47 | O |
| 실시예11 | 42 | 21 | 25 | 12 | 1.0 | 0.00493 | 2.84 | 2.52 | 2.48 | O |
| 실시예12 | 42 | 21 | 25 | 12 | 1.5 | 0.00745 | 3.32 | 3.08 | 2.89 | X |
| 실시예13 | 32 | 16 | 43 | 9 | 0.3 | 0.00213 | 3.14 | 2.97 | 2.89 | △ |
| 실시예14 | 32 | 16 | 43 | 9 | 0.5 | 0.00354 | 3.36 | 3.04 | 2.91 | △ |
| 실시예15 | 32 | 16 | 43 | 9 | 1.0 | 0.00712 | 3.58 | 3.26 | 3.14 | X |
| 실시예16 | 53 | 26 | 6 | 15 | 0.3 | 0.00049 | 3.26 | 3.04 | 2.90 | △ |
| 실시예17 | 53 | 26 | 6 | 15 | 0.5 | 0.00082 | 3.14 | 2.97 | 3.02 | △ |
| 실시예18 | 53 | 26 | 6 | 15 | 1.0 | 0.00164 | 3.44 | 3.02 | 3.16 | X |
| 비교예1 | - | - | - | - | - | - | 3.27 | 2.92 | 2.71 | X |
| 비교예2 | 65 | 25 | - | 10 | 0.5 | - | 3.46 | 3.35 | 3.05 | X |
| 비교예3 | 56 | 28 | - | 16 | 0.5 | - | 3.15 | 2.92 | 2.88 | △ |
<미세구조 평가>
O: 양호(입성장이 일어나며, 치밀한 미세구조를 형성, 글래스 뭉침 또는 부유 없음)
△: 보통(입성장은 일어나지만, 공극이 일부 존재하며, 소량의 글래스 뭉침 또는 부유 있음)
X: :불량(입성장이 억제되고, 공극이 존재하며, 다량의 글래스 뭉침 또는 부유 있음)
상기 표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 6은 48(Si,B)-25(Li,K)-12(V)-15(Ti,Ca,Al)의 조성으로 497℃의 연화 온도를 갖는 글래스를 0.1~1.5 중량% 범위에서 첨가하였다. 글래스를 첨가하지 않은 비교예 1과 비교해보면, 0.1~1.0중량%의 글래스를 첨가한 실시예 1 내지 5는 비저항 특성이 향상되고, 입성장 및 소결 치밀도가 개선되었다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태인 상기 실시예 2의 조건에 따른 내부전극을 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 사진이다.
도 3을 참조하면, 상기 조성의 글래스를 0.2 중량% 첨가한 경우 약 10㎛ 수준까지 큰 입성장이 일어났으며, 매우 치밀한 미세구조가 구현된 것을 확인할 수 있다.
다만, 상기 조성의 글래스를 1.5중량% 첨가한 실시예 6은 과량의 글래스로 인해 비저항이 상승하고, 오히려 입성장이 제한되며, 글래스 뭉침 및 부유가 일어나 미세구조가 악화되었다.
실시예 7 내지 12는 42(Si,B)-21(Li,K)-25(V)-12(Ti,Ca,Al)의 조성으로 556℃의 연화 온도를 갖는 글래스를 0.1~1.5중량% 범위에서 첨가하였다. 실시예 1 내지 6과 유사하게, 상기 글래스를 0.1~1.0중량% 첨가할 경우 비저항 특성이 향상되고, 입성장 및 소결 치밀도가 개선되었으나, 글래스를 1.5중량% 첨가할 경우 비저항이 상승하고, 오히려 미세구조가 악화되었다.
실시예 13 내지 15는 32(Si,B)-16(Li,K)-43(V)-9(Ti,Ca,Al)의 조성으로 630℃의 연화 온도를 갖는 글래스를 0.3~1.0중량% 범위에서 첨가하였다. 상기 글래스 조성은 바나듐(V) 산화물의 몰비가 과량을 이루어 비저항이 개선되지 않았으며, 입성장이 제한되고, 공극이 존재하는 등 치밀한 미세구조를 얻지 못하였다.
실시예 16 내지 18은 53(Si,B)-26(Li,K)-6(V)-15(Ti,Ca,Al)의 조성으로 570℃의 연화 온도를 갖는 글래스를 0.3~1.0중량% 범위에서 첨가하였다. 상기 글래스 조성은 바나듐(V) 산화물이 너무 소량을 이루어 비저항이 개선되지 않았으며, 입성장이 제한되고, 공극이 존재하는 등 치밀한 미세구조를 얻지 못하였다.
본 발명은 실시형태에 의해 한정되는 것이 아니며, 당 기술분야의 통상의 지 식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환 및 변형이 가능하고 동일하거나 균등한 사상을 나타내는 것이라면, 본 실시예에 설명되지 않았더라도 본 발명의 범위 내로 해석되어야 할 것이고, 본 발명의 실시형태에 기재되었지만 청구범위에 기재되지 않은 구성 요소는 본 발명의 필수 구성요소로서 한정해석되지 아니한다.
100 : 적층 전자부품
10 : 자성체층
110 : 적층 본체
120 : 내부전극
121 : 도체 패턴
130 : 외부전극
10 : 자성체층
110 : 적층 본체
120 : 내부전극
121 : 도체 패턴
130 : 외부전극
Claims (14)
- 복수의 자성체층을 포함하는 적층 본체; 및
상기 적층 본체의 내부에 배치된 내부전극;을 포함하고,
상기 내부전극은 도전성 금속 및 글래스를 포함하며, 상기 글래스는 바나듐(V) 산화물을 포함하며,
상기 글래스는,
규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물,
리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물 및
티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물을 더 포함하며,
상기 규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 a, 상기 리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 b, 상기 바나듐(V) 산화물의 몰비를 c 및 상기 티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 d 라 하면, 상기 a, b, c 및 d 는
a+b+c+d= 100(mol%)을 만족하고,
30(mol%) ≤ a ≤ 60(mol%),
10(mol%) ≤ b ≤ 30(mol%),
10(mol%) ≤ c ≤ 30(mol%) 및
1(mol%) ≤ d ≤ 20(mol%)
을 만족하며,
상기 자성체층은 Fe, Si, Cr, Al 및 Ni로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 합금을 포함하는 적층 전자부품.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 내부전극은 글래스를 0.1 중량% 내지 1 중량% 포함하는 적층 전자부품.
- 제 1항에 있어서,
상기 내부전극은 상기 도전성 금속에 대한 상기 바나듐(V) 산화물의 중량비가 0.00025 내지 0.00500을 만족하는 적층 전자부품.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 도전성 금속은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 적층 전자부품.
- 도전성 금속 및 글래스를 포함하며,
상기 글래스는 바나듐(V) 산화물을 포함하며,
상기 글래스는,
규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물,
리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물 및
티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물을 더 포함하며,
상기 규소(Si) 산화물 및 붕소(B) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 a, 상기 리튬(Li) 산화물, 칼륨(K) 산화물 및 칼슘(Ca) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 b, 상기 바나듐(V) 산화물의 몰비를 c 및 상기 티타늄(Ti) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 산화물의 몰비를 d 라 하면, 상기 a, b, c 및 d 는
a+b+c+d= 100(mol%)을 만족하고,
30(mol%) ≤ a ≤ 60(mol%),
10(mol%) ≤ b ≤ 30(mol%),
10(mol%) ≤ c ≤ 30(mol%) 및
1(mol%) ≤ d ≤ 20(mol%)
을 만족하는 내부전극용 도전성 페이스트 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 제 9항에 있어서,
상기 글래스는 0.1 중량% 내지 1 중량% 포함하는 내부전극용 도전성 페이스트 조성물.
- 제 9항에 있어서,
상기 도전성 금속에 대한 상기 바나듐(V) 산화물의 중량비는 0.00025 내지 0.00500을 만족하는 내부전극용 도전성 페이스트 조성물.
- 제 9항에 있어서,
상기 도전성 금속은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 금(Au), 구리(Cu) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 내부전극용 도전성 페이스트 조성물.
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