KR101996910B1 - Method of stacking substrates for semiconductor device - Google Patents

Method of stacking substrates for semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR101996910B1
KR101996910B1 KR1020170139610A KR20170139610A KR101996910B1 KR 101996910 B1 KR101996910 B1 KR 101996910B1 KR 1020170139610 A KR1020170139610 A KR 1020170139610A KR 20170139610 A KR20170139610 A KR 20170139610A KR 101996910 B1 KR101996910 B1 KR 101996910B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
paste
connection
connecting member
unit
Prior art date
Application number
KR1020170139610A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190046251A (en
Inventor
박명순
Original Assignee
주식회사 코세스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코세스 filed Critical 주식회사 코세스
Priority to KR1020170139610A priority Critical patent/KR101996910B1/en
Publication of KR20190046251A publication Critical patent/KR20190046251A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101996910B1 publication Critical patent/KR101996910B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other

Abstract

본 발명은 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 디바이스의 제조를 위하여 상하 적층되는 제1기판과 제2기판의 미리 정해진 제1접속위치에 패이스트를 도팅(dotting)하여 두고, 제1기판의 제1접속위치에 미리 준비된 도전성 재료의 접속체를 마운팅시킨 후에, 패이스트를 용융시켜 접속체를 제1기판의 제1접속위치에 고정하고 접속체를 매개로 제1기판에 제2기판을 스태킹(stacking)하는 것에 의해, 접속체를 제1기판에 고정시키는 공정이 보다 짧은 시간에 행해질 수 있을 뿐만 아니라, 접속체의 형태와 높이에 따라 다양하게 적용할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, in which a paste is dotted at predetermined first connecting positions of a first substrate and a second substrate which are stacked one on top of the other to form a semiconductor device, A connecting member of a conductive material prepared in advance is mounted on the first connecting position, the connecting member is fixed to the first connecting position of the first substrate by melting the paste, and the second substrate is stacked on the first substrate via the connecting member the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device that can be applied in various ways depending on the shape and height of a connection body as well as the step of fixing the connection body to the first substrate in a shorter time by stacking .

Description

반도체 디바이스의 제조 방법 {METHOD OF STACKING SUBSTRATES FOR SEMICONDUCTOR DEVICE}[0001] METHOD OF STACKING SUBSTRATES FOR SEMICONDUCTOR DEVICE [0002]

본 발명은 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 실장된 소자 높이가 높은 기판을 짧은 시간 내에 오류없이 적층하는 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor device in which a substrate having a high device height is stacked in a short time without error.

반도체 패키지의 집적도가 점점 높아짐에 따라, 와이어를 이용하여 상부 칩과 하부 칩의 전기적 접속을 하는 대신에, 상부 칩과 하부 칩에 각각 동일한 패턴으로 분포된 미세한 솔더볼을 이용하여, 상부 칩과 하부 칩을 적층시키는 스태킹(stacking) 공정이 널리 적용되고 있다.As the degree of integration of the semiconductor package increases, instead of electrically connecting the upper chip and the lower chip using a wire, a fine solder ball distributed in the same pattern on the upper chip and a lower chip, A stacking process for stacking a plurality of semiconductor devices is widely used.

즉, 도1a에 도시된 바와 같이 소정의 패턴 형태로 제1기판(So1)에 다수의 단위칩(U1)이 형성되고, 도1b에 도시된 바와 같이 각각의 단위칩(U1)의 제1기판(S1)에는 논리회로, 메모리 등의 소자(K) 등이 실장된다. 그리고, 단위칩(U1)은 제1기판(S1) 자체로 반도체 디바이스로 적용될 수도 있지만, 상하 방향으로 칩들을 적층하여 집적도가 높은 반도체 디바이스를 제조하고 있다. 이를 위하여, 각각의 단위칩(U1)에는 상하로 적층되는 칩을 전기적으로 연결하는 제1접속위치(Bx)가 다수 형성되어 있다. That is, as shown in FIG. 1A, a plurality of unit chips U1 are formed on a first substrate So1 in a predetermined pattern form, and a plurality of unit chips U1 are formed on a first substrate So1 of each unit chip U1, (K) such as a logic circuit, a memory, and the like are mounted on the circuit board S1. The unit chip U1 may be applied as a semiconductor device to the first substrate S1 itself, but a semiconductor device having a high degree of integration is manufactured by stacking chips in the vertical direction. To this end, each unit chip U1 is formed with a plurality of first connecting positions Bx for electrically connecting chips stacked up and down.

그리고, 도2a 내지 도2e에 도시된 바와 같이, 단위칩(U1)의 제1접속위치(Bx)에 솔더볼(B)을 안착시키고(도2a), 솔더볼(B)과 실장된 소자들(K)이 덮여지게 몰드층(M)을 형성한 후(도2b), 솔더볼(B)이 드러나도록 몰드층(M)에 레이저빔을 조사하여 홈(G)을 형성하고(도2c), 제1단위칩(U1)에 적층될 제2단위칩(U2)의 제2기판(S2)의 제2접속위치(Bx2)에도 저면에 솔더볼(B2)을 도전성 연결재로서 안착시킨 상태에서, 제1기판(S1)의 솔더볼(B)이 제2기판(S2)의 솔더볼(B2)과 접촉하게 제2기판(S2)을 제1기판(S1)에 적층하고(도2d), 적층된 단위칩(U1, U2)을 리플로우 공정을 거치게 하여 제1기판(S1)의 솔더볼(B)과 제2기판(S2)의 솔더볼(B2)이 서로 일체로 결합된다. 이를 통해, 제1단위칩(U1)과 제2단위칩(U2)은 서로 적층되면서 각각의 제1접속위치(Bx)와 제2접속위치(Bx2)가 서로 일체 결합된 솔더볼(B, B2)에 의해 서로 전기적으로 통하는 상태가 된다.2A to 2E, the solder ball B is mounted on the first connection position Bx of the unit chip U1 (FIG. 2A), and the solder ball B and the mounted components K A groove G is formed by irradiating the mold layer M with a laser beam so that the solder ball B is exposed (Fig. 2C) The solder ball B2 is placed on the bottom surface as the conductive connecting member in the second connecting position Bx2 of the second substrate S2 of the second unit chip U2 to be laminated on the unit chip U1, The solder balls B of the stacked unit chips U1 and S1 are brought into contact with the solder balls B2 of the second substrate S2 so that the second substrate S2 is stacked on the first substrate S1 U2 are subjected to a reflow process so that the solder balls B of the first substrate S1 and the solder balls B2 of the second substrate S2 are integrally coupled to each other. The first unit chip U1 and the second unit chip U2 are laminated to each other and the solder balls B and B2 in which the first connecting position Bx and the second connecting position Bx2 are integrally coupled to each other, So that they are electrically connected to each other.

그러나, 최근에는 반도체 디바이스의 기능이 보다 향상되면서, 단위칩(U1, U2)에 실장되는 소자(K)가 다양해지고 있다. 즉, 종래의 단위칩(U1, U2)에 실장되던 메모리 소자(K1)나 논리 회로 소자(K2)의 높이(h)가 보다 높아지고, 다이오드 등의 높이가 높은 소자(K)가 실장됨에 따라, 50㎛ 내지 150㎛ 정도의 솔더볼을 이용하여 단위칩(U1, U2)을 적층하는 것에 한계가 발생되었다. However, in recent years, as the function of the semiconductor device is further improved, the number of elements K mounted on the unit chips U1 and U2 is diversified. That is, since the height h of the memory element K1 and the logic circuit element K2 mounted on the conventional unit chips U1 and U2 becomes higher and the element K having a high height such as a diode is mounted, There is a limit in stacking the unit chips U1 and U2 using solder balls of about 50 mu m to 150 mu m.

이에 따라, 제1기판(S1)과 제2기판(S2)을 연결하는 솔더볼의 개수를 보다 늘리는 방법이 모색되기도 하였지만, 각 기판(S1, S2)의 정해진 위치(Bx, Bx2)에 솔더볼의 개수를 정확히 배치하는 것이 매우 어려울 뿐만 아니라 수율이 낮고 생산성이 낮은 한계가 있었다. 이에 따라, 도4에 도시된 바와 같이, 충분히 큰 높이(h3)를 갖는 기둥 형태의 접속체(P)를 기판(S1)에 다층 도금 방식에 의해 일체 성형하는 방법이 모색되기도 하였다. 그러나, 접속체(P)의 높이(h3)가 150㎛ 이상으로 커지면, 접속체(P)를 도금층을 반복 적층하는 방식으로 형성하는 데 오랜 시간이 소요되므로, 생산성이 매우 낮아지는 한계가 있었다. A method of increasing the number of solder balls connecting the first substrate S1 and the second substrate S2 has been sought but the number of solder balls at the predetermined positions Bx and Bx2 of the substrates S1 and S2 It is very difficult to arrange them accurately, and the yields are low and the productivity is low. Thus, as shown in Fig. 4, a method of integrally forming the columnar connecting member P having a sufficiently large height h3 on the substrate S1 by a multilayer plating method has been sought. However, if the height h3 of the connecting body P is increased to 150 mu m or more, it takes a long time to form the connecting body P in such a manner that the plating layer is repeatedly laminated, so that the productivity is very low.

따라서, 반도체 디바이스의 각 단위칩(U1, U2,...)에 실장되는 소자(K)의 높이(h)가 큰 경우에, 상하 적층되는 제1기판(S1)과 제2기판(S2)의 정해진 위치(Bx, Bx2)를 도전성 재료로 생산성을 높이면서 전기적으로 접속 연결하는 방안의 필요성이 절실히 요구되고 있다.Therefore, when the height h of the element K mounted on each of the unit chips U1, U2, ... of the semiconductor device is large, the first substrate S1 and the second substrate S2, There is a strong demand for a method of electrically connecting and connecting predetermined positions (Bx, Bx2) of a conductive material with a conductive material while enhancing productivity.

전술한 배경 기술은 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 본 출원일 이전에 공지된 기술을 의미하는 것은 아니다. The foregoing background is intended to illustrate the present invention and is not meant to be a description prior to the filing date.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은, 단위칩에 실장되는 소자의 높이가 150미크론 이상으로 커지더라도, 상하 적층되는 단위칩을 신뢰성있게 접속하면서 높은 수율로 스태킹(stacking)하는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a semiconductor device which stacks upper and lower stacked unit chips at a high yield while reliably connecting unit chips stacked on top of each other, And a method for producing the same.

또한, 본 발명은, 단위칩을 상하로 전기 접속시키는 접속체의 접속 오류가 발생되더라도, 해당 칩을 폐기하지 아니하고 재작업(rework)에 의해 간단히 접속 오류를 해소하여 정상적인 반도체 디바이스로 활용할 수 있게 하는 것을 목적으로 한다. The present invention also provides a semiconductor device which can be used as a normal semiconductor device by eliminating a connection error simply by rework without discarding the chip even if a connection error of a connection body for electrically connecting the unit chip up and down occurs .

그리고, 본 발명은, 상하 적층되는 제1기판과 제2기판을 전기적으로 접속하게 연결하는 접속체의 길이의 편차에도 불구하고, 제1기판과 제2기판을 신뢰성있게 전기 접속할 수 있게 연결하여 반도체 디바이스의 품질 신뢰성을 확보하는 것을 목적으로 한다. It is another object of the present invention to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same, which can reliably and electrically connect the first substrate and the second substrate to each other in spite of variations in the length of the connecting body connecting the first substrate and the second substrate, Thereby securing the quality reliability of the device.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명은, 제1단위기판이 다수 배열된 제1기판을 준비하는 제1기판 준비단계와; 상기 제1단위기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계와; 상기 제1접속위치에 도전(導電)성 재료를 포함하는 접속체를 마운트하는 접속체 마운팅단계와; 상기 패이스트를 용융시켜 상기 접속체를 상기 제1단위기판에 고정시키는 접속체 고정단계와; 제2단위기판이 다수 배열된 제2기판을 준비하여, 상기 제1단위기판의 상측에 제2단위기판이 하나씩 위치하고 상기 제1단위기판의 제1접속위치와 상기 제2단위기판의 제2접속위치가 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속되도록 상기 제2기판을 상기 제1기판에 적층하는 제2기판 적층단계를; 포함하여 구성되어, 상기 제1단위기판과 상기 제2단위기판이 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속하는 반도체 디바이스를 제조하는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above-described objects of the present invention, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a first substrate preparation step of preparing a first substrate on which a plurality of first unit substrates are arranged; A paste supplying step of supplying a paste to a plurality of predetermined first connection positions of the first unit substrate; A connecting body mounting step of mounting a connecting body including a conductive material in the first connecting position; A connecting body fixing step of melting the paste to fix the connecting body to the first unit substrate; A second substrate having a plurality of second unit substrates arranged thereon, wherein the second unit substrates are positioned on the upper side of the first unit substrate, and the first connection positions of the first unit substrate and the second connection A second substrate stacking step of stacking the second substrate on the first substrate such that the second substrate is electrically connected by the connection member; Wherein the first unit substrate and the second unit substrate are electrically connected to each other by the connection member.

즉, 반도체 디바이스의 제조를 위하여 상하 적층되는 제1기판과 제2기판의 하측에 위치하는 제1기판의 제1접속위치에 패이스트를 공급하여 두고, 제1기판의 제1접속위치에 미리 준비된 도전성 재료의 접속체를 마운팅시킨 후에, 패이스트를 용융시켜 접속체를 제1기판의 제1접속위치에 고정하고 접속체를 매개로 제1기판에 제2기판이 전기 접속되게 스태킹(stacking)함으로써, 제1기판에 접속체를 고정시키는 공정이 보다 짧은 시간에 행해질 수 있을 뿐만 아니라, 접속체의 형태와 높이에 따라 다양하게 적용할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. That is, for manufacturing semiconductor devices, a paste is supplied to the first substrate and the first substrate, which are located below the first substrate and the second substrate, which are stacked one above the other, After the connecting member of the conductive material is mounted, the connecting member is fixed to the first connecting position of the first substrate by melting the paste, and the second substrate is stacked to be electrically connected to the first substrate via the connecting member , The step of fixing the connector to the first substrate can be performed in a shorter time, and an advantageous effect that can be applied variously according to the shape and height of the connector can be obtained.

여기서, 접속체는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 다만, 접속체는 핀과 같은 기둥 형태로 형성되고 세워진 상태로 제1접속위치에 마운팅됨으로써, 제1기판 상에 실장되는 소자들의 높이가 크더라도, 접속체에 의하여 적층(stacking)되는 제1기판과 제2기판을 전기적으로 접속된 상태를 유지하면서 안정되게 적층할 수 있다. Here, the connecting body may be formed in various shapes. However, even if the height of the elements mounted on the first substrate is large, it is possible to prevent the first substrate from being stacked by the connecting body, And the second substrate can be stably stacked while maintaining the electrically connected state.

예를 들어, 상기 접속체는 직경이 50㎛ 내지 150㎛으로 형성되고, 높이가 100㎛ 내지 500㎛으로 형성될 수 있다. 이와 같이, 접속체가 직경에 비하여 그 높이가 더 크게 형성되는 경우에도, 접속체를 끈끈한 상태의 패이스트에 마운팅하여 거치하므로, 패이스트에 접착되어 있어서 접속체의 하단부가 미끄러지거나 접속체가 넘어지지 아니한다. 그리고, 패이스트의 용융 이후에 다시 경화되는 것에 의해 접속체가 제1기판에 일체화되므로, 제1기판에 실장된 소자 높이가 높더라도, 제1기판과 그 위의 제2기판을 전기적으로 접속한 상태로 적층할 수 있으므로, 반도체 디바이스의 생산성이 향상되고 수율이 높아지는 효과를 얻을 수 있다.For example, the connection member may have a diameter of 50 to 150 탆 and a height of 100 to 500 탆. In this way, even when the height of the connecting body is larger than the diameter thereof, the connecting body is mounted on the paste in a sticky state, so that the connecting body is stuck to the paste so that the lower end of the connecting body slips or the connecting body does not fall . Since the connecting body is integrated with the first substrate by being hardened again after melting the paste, even if the height of the element mounted on the first substrate is high, the first substrate and the second substrate thereon are electrically connected It is possible to obtain an effect that the productivity of the semiconductor device is improved and the yield is increased.

부수적으로, 접속체의 단면이 높이에 비하여 작게 형성되므로, 각 단위칩의 전기 접속을 위해 마련된 제1접속위치의 면적을 작게 할 수 있으므로, 반도체 디바이스의 집적화에 보다 크게 기여할 수 있다. Incidentally, since the cross-section of the connecting body is formed to be smaller than the height, the area of the first connecting position provided for electrical connection of each unit chip can be made smaller, thereby contributing to the integration of semiconductor devices.

한편, 상기 접속체는 은(Ag), 구리(Cu), 금(Ag), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 철(Fe), 납(Pb) 등과 같이 전기 전도성이 우수한 재료를 하나 이상을 포함하여 형성되어, 제1기판과 제2기판을 전기 접속 상태로 연결한다. On the other hand, the connection member may be formed of a material having excellent electrical conductivity such as silver (Ag), copper (Cu), gold (Ag), aluminum (Al), tungsten (W), iron (Fe) And connects the first substrate and the second substrate in an electrically connected state.

접속체를 기판의 접속 위치에 결합하는 데 비도전성 재료의 패이스트를 사용하는 경우에는, 상기 접속체에는 주석, 니켈 중 어느 하나 이상의 성분이 포함된 도금층이 형성될 수 있다. 이를 통해, 접속체의 가열에 의해 도금층을 용융시키면서, 도금층의 도전성 재료가 접속체의 표면을 타고 흘러 내려와 패이스트와 결합되면서, 접속체를 제1접속위치에 전기 접속 상태를 보다 확실히 보장하면서 견고하게 결합하는 효과를 얻을 수 있다. 도금층은 2~5미크론의 두께로 형성될 수 있지만, 이보다 더 얇거나 두껍게 형성될 수도 있다. When a paste of a non-conductive material is used for coupling the connection body to the connection position of the substrate, a plating layer containing at least one of tin and nickel may be formed on the connection body. As a result, the conductive material of the plated layer flows down along the surface of the connecting member while being melted by heating of the connecting member, while the connecting member is connected to the first connecting position more securely, The effect can be obtained. The plated layer may be formed to a thickness of 2 to 5 microns, but it may be made thinner or thicker.

본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 도전성 재료의 패이스트를 사용하면서, 접속체의 표면에 니켈, 주석 중 어느 하나 이상의 성분이 포함된 도금층이 형성된 구성을 함께 포함할 수 있다. The present invention is not limited thereto and may include a configuration in which a plated layer containing at least one of nickel and tin is formed on the surface of the connecting body while using a paste of a conductive material.

한편, 상기 접속체 고정단계는, 제1기판의 제1접속위치에 접속체를 패이스트 상에 마운팅한 상태에서 리플로우 공정을 거칠 수 도 있지만, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따르면, 상기 접속체 고정단계는, 상기 접속체의 상측에 레이저빔을 조사하는 것에 의해 이루어질 수 있다. 레이저빔을 접속체의 상측에 조사하는 것에 의하여, 레이저 빔의 에너지가 도전성 재료인 접속체를 통해 패이스트로 전달되면서, 패이스트를 용융시켜 패이스트를 매개로 접속체를 제1기판에 결합시켜 고정시킬 수 있게 된다. On the other hand, in the step of fixing the connector, the reflow step may be carried out while the connector is mounted on the first connection position of the first substrate. However, according to a preferred embodiment of the present invention, The fixing step may be performed by irradiating a laser beam on the upper side of the connector. By irradiating the laser beam on the upper side of the connecting member, the energy of the laser beam is transferred to the paste through the connecting member as the conductive material, and the paste is melted to couple the connecting member to the first substrate through the paste, .

특히, 접속체의 표면에 니켈, 주석 등의 성분이 포함된 도금층이 형성되면, 접속체의 상측에 레이저빔을 조사하는 것에 의하여, 레이저빔의 에너지가 상대적으로 낮은 용융점을 갖는 도금층을 용융시켜 흘러 내리게 하여, 도금층의 니켈, 주석 등의 성분이 패이스트와 함께 도전성 재료의 접속체의 하단부와 보다 견고하게 결합됨으로써, 접속체를 제1기판에 확실하게 위치 고정시키는 효과를 얻을 수 있다. Particularly, when a plating layer containing components such as nickel and tin is formed on the surface of the connecting member, the plating layer having a relatively low melting point of the energy of the laser beam is melted and flowed by irradiating the upper side of the connecting member with a laser beam The components such as nickel and tin in the plating layer are firmly coupled with the lower end of the connecting member of the conductive material together with the paste so as to securely fix the connecting member to the first substrate.

다만, 본 발명은 레이저빔이 접속체의 상측에 조사되는 것에 국한되지 아니하며, 레이저 빔이 접속체의 중간부분이나 패이스트에 직접 조사하는 것에 의하여, 패이스트를 용융시켜 접속체와 제1기판을 결합할 수도 있다.However, the present invention is not limited to the case where the laser beam is irradiated on the upper side of the connector, and the laser beam irradiates the intermediate portion or the paste of the connector directly to melt the paste, May be combined.

한편, 상기 접속체 마운팅 단계는, 상기 제1기판의 상기 제1접속위치와 정렬되는 위치에 흡입공이 형성된 접속체 공급기를 준비하는 공급기 준비단계와; 상기 접속체 공급기의 상기 흡입공에 상기 접속체를 하나씩 세워진 상태로 흡입 파지한 상태에서 상기 제1기판에 상기 접속체 공급기를 근접시키는 공급기 근접단계와; 상기 접속체 공급기의 상기 흡입공에 인가되어 있던 흡입압을 제거하는 것에 의해 상기 제1접속위치에 상기 접속체를 하나씩 마운팅시키는 흡입압 제거단계를; 포함하여 이루어질 수 있다. Meanwhile, the connecting member mounting step may include: a feeder preparing step of preparing a connecting member feeder provided with a suction hole at a position aligned with the first connecting position of the first substrate; A feeder proximity step of bringing the contactor feeder into close contact with the first substrate in a state where the contactor is suction-gripped in a state where the contactor is erected one by one in the suction hole of the contactor feeder; Removing the suction pressure applied to the suction hole of the connector body feeder, thereby mounting the connector body to the first connecting position one by one; .

이와 같이, 제1기판의 제1접속위치와 정렬하는 흡입공이 형성된 접속체 공급기를 이용하여, 제1기판의 제1접속위치에 하나씩의 접속체를 마운팅함으로써, 매우 좁은 면적에 조밀하게 분포된 제1접속위치에 하나씩의 접속체를 신뢰성있게 마운팅시킬 수 있다.By mounting one connector at the first connecting position of the first substrate using the connector feeder provided with the suction holes aligned with the first connecting position of the first substrate as described above, It is possible to reliably mount one connector at one connection position.

이 때, 상기 흡입압 제거단계가 행해지는 동안에, 상기 흡입공의 내부에 배치된 가압핀으로 상기 접속체를 밀어내는 접속체 가압단계가 함께 행해짐으로써, 표면 장력이나 정전기력에 의해 미세한 크기의 접속체가 흡입공에 남아 생기는 오류를 확실하게 예방할 수 있다.At this time, while the suction pressure removing step is performed, the connection member pressing step for pushing the connection member with the pressing pin disposed inside the suction hole is performed at the same time, whereby the connection member having a small size due to the surface tension or the electrostatic force It is possible to reliably prevent the error remaining in the suction hole.

한편, 상기 접속체 마운팅단계 이전에, 상기 제1접속위치의 분포와 동일하게 분포된 정렬공이 형성된 마스크를 상기 제1기판 상에 위치시키는 마스크 배치단계를; 더 포함하여 구성될 수 있다. 이를 통해, 제1기판의 제1접속위치에 마운팅된 접속체가 패이스트의 점성에 부착되어 있기는 하지만, 공정 온도나 패이스트의 종류에 따라 접속체가 패이스트와 부착된 상태가 미약한 경우에, 접속체가 마운팅되면서 올바로 세워진 자세를 유지하지 못하여 뉘여지는 문제를 마스크에 의해 지지되어 그 문제를 해소할 수 있다. 따라서, 제1기판의 제1접속위치에 마운팅된 접속체가 허용 범위 내에서 수직으로 세워진 자세를 안정되게 유지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. On the other hand, a mask disposing step of disposing, on the first substrate, a mask having an alignment hole distributed in the same manner as the distribution of the first connection positions before the connector mounting step; And the like. In this case, although the connecting member mounted at the first connecting position of the first substrate is attached to the viscosity of the paste, when the connecting member is not attached to the paste depending on the process temperature or the kind of paste, It is possible to solve the problem that the connector can not be maintained in a properly erected posture while being mounted, so that the problem can be solved by the mask. Therefore, it is possible to obtain an effect that the connecting member mounted at the first connecting position of the first substrate can stably maintain the vertical standing position within the allowable range.

그리고, 상기 접속체 마운팅단계 이후에, 상기 마스크의 상기 정렬공을 관통하여 노출된 상기 접속체의 상면을 가압체로 접촉 가압하는 접속체 가압단계를; 더 포함할 수 있다. 이에 의해, 접속체가 제1기판의 제1접속위치의 패이스트에 부착된 상태가 불완전한 경우에, 접속체 상면에 접촉 가압하는 가압체에 의해 접속체의 하단이 패이스트에 보다 부착에 가까운 상태가 되어, 패이스트의 용융 시에 패이스트를 매개로 접속체가 제1기판에 완전히 결합될 수 있게 보조한다.And a connecting step for pressing the upper surface of the contact member exposed through the alignment hole of the mask by a pressing member after the connecting member mounting step; . Thereby, when the state in which the connecting body is attached to the paste at the first connecting position of the first substrate is incomplete, the state in which the lower end of the connecting body is closer to the attachment by the pressing body that presses the upper face of the connecting body Thereby assisting the connection member to be completely bonded to the first substrate via the paste when the paste is melted.

그리고, 상기 접속체 가압단계가 행해지고 있는 상태에서 레이저빔 조사에 의해 상기 접속체 고정단계가 행해질 수 있다. 이 경우에 레이저빔이 가압체 하측의 접속체나 패이스트에 조사될 수 있다. 접속체 가압단계 중에 패이스트를 용융시키는 레이저빔을 조사함에 따라, 레이저 빔에 의해 패이스트의 일부 이상이 용융된 상태에서, 가압체에 의해 하방 가압되는 접속체가 패이스트의 내부에 충분한 깊이로 침투되므로, 패이스트가 다시 경화되면서 접속체를 패이스트와 일체로 견고하게 고정시킬 수 있다.Then, the connection member fixing step can be performed by laser beam irradiation in a state where the connection member pressing step is performed. In this case, the laser beam can be irradiated to the connection member or paste on the lower side of the pressing body. The connection member pressed downward by the pressing body penetrates into the inside of the paste at a sufficient depth in a state where at least a part of the paste is melted by the laser beam as the laser beam for melting the paste is irradiated during the contact member pressing step, So that the connecting body can be fixed firmly with the paste while the paste is hardened again.

레이저빔은 가압체 상에 조사되어, 레이저빔의 에너지가 가압체를 통해 접속체의 상측에 전달되고, 도전성 재료인 접속체를 통해 패이스트에 전달되면서, 패이스트가 용융되고, 다시 패이스트가 굳어지는 것에 의해 접속체를 제1기판에 결합 고정시킬 수 있다.The laser beam is irradiated onto the pressing body so that the energy of the laser beam is transmitted to the upper side of the connecting member through the pressing member and transferred to the paste through the connecting member as the conductive material so that the paste is melted, The connection member can be fixedly coupled to the first substrate by hardening.

한편, 상기 접속체 마운팅 단계는, 상기 제1기판의 상기 제1접속위치와 정렬되는 수용부에 부압이 작용할 수 있게 형성된 홀더 기판을 준비하는 홀더기판 준비단계와; 상기 홀더 기판의 표면으로 상기 접속체를 무작위로 낙하시키면서 상기 홀더 기판을 진동시켜 상기 접속체가 상기 홀더 기판의 판면에 대해 일방향으로 되튀면서 이동시키는 접속체 이동단계와; 상기 홀더 기판의 상기 수용부에 부압을 인가하여 상기 접속체가 상기 수용부에 안착되는 방식으로 상기 홀더 기판의 수용부에 상기 접속체를 안착시키는 접속체 안착단계와; 상기 홀더 기판의 상기 수용부에 수용된 상기 접속체를 상기 제1기판의 상기 제1접속위치에 전사시키는 접속체 전사단계를; 포함하여 이루어질 수도 있다. The connector mounting step may include: a holder substrate preparation step of preparing a holder substrate formed in such a manner that a negative pressure can act on a receiving part aligned with the first connecting position of the first substrate; A connecting member moving step of causing the connecting member to vibrate and move in one direction with respect to the plate surface of the holder substrate by vibrating the holder substrate while randomly dropping the connecting member onto the surface of the holder substrate; A connecting member placing step of placing the connecting member in a receiving portion of the holder substrate in such a manner that a negative pressure is applied to the receiving portion of the holder substrate so that the connecting member is seated in the receiving portion; A connecting body transferring step of transferring the connector housed in the accommodating portion of the holder substrate to the first connecting position of the first substrate; .

또한, 본 발명은 다수의 접속체를 마스크 상에 위치시킨 상태에서, 접속체의 손상을 최소화하면서 쓸어 이동시키면서, 접속체를 마스크의 관통공에 위치하도록 접속체를 접속 위치에 마운팅 시킬 수도 있다. Further, in the present invention, in a state in which a plurality of contacts are placed on a mask, the contacts may be mounted at a connection position so as to be located in the through-holes of the mask while sweeping while minimizing damage to the contacts.

이처럼, 본 발명은 접속체를 마스크의 관통공에 위치시키는 데 있어서 다양한 방법이 적용될 수 있으며, 공지된 다른 방법에 의해 이루어질 수도 있다. As such, the present invention can be applied to various methods for positioning the connector in the through-hole of the mask, or by other known methods.

한편, 상기 접속체 고정단계는, 상기 제1접속위치에 공급된 패이스트에 레이저빔을 조사하는 것에 의하여 상기 패이스트를 용융시킬 수도 있고, 상기 제1접속위치에 마운팅된 상기 접속체에 레이저빔을 조사하는 것에 의하여 상기 패이스트를 용융시킬 수도 있다. On the other hand, the connecting member fixing step may melt the paste by irradiating a laser beam to the paste supplied to the first connecting position, and may heat the connecting member mounted on the first connecting position To melt the paste.

이 때, 상기 접속체 고정단계는 상기 제1기판의 하측에서 상기 제1접속위치를 예비 가열하는 상태에서 이루어질 수도 있다. 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '예비 가열'이라는 용어는 패이스트를 용융시키는 데 보조적으로 가열하는 것을 의미하며, '미리' 가열하는 것에 국한되지 않는 것으로 정의한다. 따라서, 제1기판의 하측에서 제1접속위치를 예비 가열하는 것은 레이저빔을 조사하는 것에 비하여 먼저 행해질 수도 있고, 레이저 빔을 조사하는 것과 동시에 행해지는 것을 모두 포함한다.  At this time, the connecting member fixing step may be performed in a state of preheating the first connecting position on the lower side of the first substrate. The term " preheating " as used herein and in the claims is intended to supplementarily heat the melting of the paste and is defined as not limited to 'preheating'. Therefore, the preliminary heating of the first connecting position on the lower side of the first substrate may be performed first in comparison with the irradiation of the laser beam, and includes both of the irradiation with the laser beam.

이에 의하여, 보다 짧은 시간 내에 패이스트를 의도한 만큼 정확하게 용융시켜 공정시간을 단축할 수도 있다.Thereby, the paste can be melted exactly as intended to shorten the processing time in a shorter time.

그리고, 상기 접속체 고정단계 이후에, 상기 접속체의 고정 상태의 오류 여부를 검사하는 접속체 검사단계를; 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1기판에 종횡으로 다수 배열된 제1단위기판 마다 접속체가 모두 정상적으로 고정된 상태에서 그 다음 공정이 행해져 불량을 줄일 수 있다.Then, after the connecting member fixing step, the connecting member checking step of checking whether the fixed state of the connecting member is erroneous or not is checked. . Accordingly, the subsequent steps are performed in a state in which all the connection members are normally fixed for each of the first unit substrates arranged in the longitudinal and lateral directions on the first substrate, thereby reducing defects.

상기 접속체 검사단계에서 상기 접속체가 상기 제1접속위치들 중에 정상적으로 안착되지 아니한 것(제1-1위치)이 감지되면, 접속체가 정상적으로 안착되지 아니한 제1-1위치에 다시 접속체를 위치시키고 개별적으로 상기 패이스트를 용융시켜 고정시키는 재작업 단계를; 행할 수 있다. 이 때, 패이스트를 용융시키는 작업은 레이저 빔을 조사하는 것에 의해 행해짐으로써, 하나씩의 접속체에 대한 재작업(rework)만을 보다 정확하고 간편하게 할 수 있다. If it is detected that the connection member is not normally seated in the first connection positions (1-1 position) in the connection member inspection step, the connection member is again located at the 1-1 position where the connection member is not normally seated A rework step for melting and fixing the paste separately; . At this time, the operation of melting the paste is performed by irradiating the laser beam, so that only the rework of each connecting body can be performed more accurately and easily.

또는, 상기 접속체 검사단계에서 상기 접속체가 상기 제1접속위치들 중에 정상적으로 안착되지 아니한 것(제1-1위치)이 감지되면, 접속체가 정상적으로 안착되지 아니한 제1-1위치를 포함하는 단위칩을 후공정에서 제외시키는 데이터로 활용될 수도 있다.Alternatively, if it is detected that the connector is not normally seated in the first connection positions (the 1-1 position) in the connector inspection step, the unit chip including the 1-1 position where the connector is not normally seated May be used as data to exclude from the post-process.

그리고, 상기 접속체가 묻히는 두께의 몰드층을 상기 제1기판상에 형성하는 몰드층 형성단계를; 더 포함한다. 몰드층이 형성되는 공정은 제1기판 상에 소자들이 모두 실장된 상태에서 행해진다. 여기서, 소자들이 실장되는 공정은 접속체가 제1기판에 결합 고정된 상태에서 행해질 수도 있고, 접속체가 제1기판에 결합 고정되기 이전에 행해질 수도 있다. A mold layer forming step of forming a mold layer having a thickness at which the connection member is embedded on the first substrate; . The process in which the mold layer is formed is performed in a state in which all elements are mounted on the first substrate. Here, the process in which the devices are mounted may be performed while the connecting body is fixedly coupled to the first substrate, or may be performed before the connecting body is coupled and fixed to the first substrate.

여기서, 제1단위기판의 접속체는 그 상측에 적층되는 제2단위기판과 전기적으로 접속하면서 연결하는 역할을 하는 데, 몰드층에 의해 접속체가 모두 묻히게 하고, 상기 몰드층 형성단계 이후에, 상기 몰드층의 표면을 평탄하게 그라인딩하여 상기 접속체가 모두 상기 몰드층에 드러나게 하는 몰드층 그라인딩 단계를; 더포함하는 것에 의하여, 접속체의 높이 편차가 있더라도, 몰드층 그라인딩 단계에 의해 제1단위기판의 접속체의 높이가 모두 균일하게 보정되므로, 그 상측의 제2단위기판과의 전기적 접속 오류를 확실하게 예방하는 효과를 얻을 수 있다.Here, the connection member of the first unit substrate serves to connect and connect with the second unit substrate stacked on the upper side thereof, wherein the connection layer is entirely filled with the mold layer, and after the mold layer formation step, And grinding the surface of the mold layer in a planar manner to expose all of the connection members to the mold layer; The height of the connecting body of the first unit substrate is uniformly corrected by the step of grinding the mold layer even if there is a height deviation of the connecting body, It is possible to obtain the effect of preventing the

여기서, 제1기판에 결합 고정된 접속체가 몰드층에 모두 완전히 묻히게 몰드층이 형성되는 대신에, 접속체의 일부 상단이 몰드층에 드러나게 설치될 수도 있다. 이 경우에는, 몰드층의 상면에 돌출된 접속체가 그라인더에 의해 몰드층을 평면 연삭하면서 함께 제거되어 동일한 작용이 얻어질 수 있다. Here, instead of forming the mold layer such that the connection member fixedly connected to the first substrate is completely embedded in the mold layer, a part of the upper end of the connection member may be exposed to the mold layer. In this case, the connecting member protruding from the upper surface of the mold layer can be removed together with the mold layer while grinding the surface of the mold with a grinder, and the same action can be obtained.

그 다음, 상기 제2기판과 제1기판의 사이에 도전성 연결재가 위치한 상태로 상기 제2기판을 상기 제1기판의 상측에 위치시키고, 리플로우 공정을 거치는 것에 의해 상기 솔더볼과 상기 접속체가 일체화되는 기판 적층 단계가 행해진다. Then, the second substrate is placed on the upper side of the first substrate with the conductive connecting member between the second substrate and the first substrate, and the solder ball and the connecting member are integrated by passing through the reflow process A substrate stacking step is performed.

또한, 본 발명은 상기 제조 방법에 따라 제조된 반도체 디바이스를 제공한다.In addition, the present invention provides a semiconductor device manufactured by the above manufacturing method.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '적층' , '스태킹(stacking)' 및 이와 유사한 용어는 반도체 디바이스의 제조를 위하여 2개 이상의 기판을 쌓으면서 전기적으로 접속되게 연결하는 것으로 정의한다. The terms 'stacking', 'stacking', and the like, as used in this specification and claims, are defined as connecting two or more substrates for electrical connection while stacking two or more substrates for the manufacture of semiconductor devices.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '패이스트'는 도전성(導電性) 성분을 포함하지 않는 재료(예를 들어, 플럭스)와 도전성 성분을 포함하는 재료(예를 들어, 솔더 패이스트)를 모두 포함하는 것으로 정의한다. 다시 말하면, '패이스트'는 인가되는 에너지에 따라 일부 이상이 액체 또는 젤 성분으로 용융되었다가 다시 굳으면서 대상물(접속체)을 결합시키는 재료를 통칭하는 것으로 정의한다. The "paste" described in the specification and claims includes both a material (eg, a flux) that does not include a conductive (conductive) component and a material that includes a conductive component (eg, a solder paste) . In other words, a "paste" is defined as a material collectively bonding an object (contact body) while some of it melts into a liquid or gel component depending on the energy applied and then hardens again.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '용융' 및 이와 유사한 용어는 패이스트가 완전히 용융된 상태를 지칭하는 데 국한되지 아니하며, 패이스트의 일부 이상이 고체 상태에서 젤 상태이거나 액체 상태로 된 상태를 지칭하는 것으로 정의한다. The term " melting " and similar terms in the present description and claims is not limited to a state in which the paste is completely melted, and refers to a state in which at least a portion of the paste is in a gel state or a liquid state in a solid state .

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 디바이스의 제조를 위하여 상하 적층되는 제1기판과 제2기판의 미리 정해진 제1기판의 제1접속위치에 패이스트를 도팅(dotting)하여 두고, 제1기판의 제1접속위치에 미리 준비된 도전성 재료의 접속체를 마운팅시킨 후에, 레이저빔을 조사하여 패이스트를 용융시켰다가 다시 경화시켜 패이스트를 매개로 접속체를 제1기판의 제1접속위치에 고정하는 것에 의하여, 기판 상에 실장되는 소자의 높이가 150~300㎛ 이상이더라도 짧은 시간 내에 높은 수율로 기판을 스태킹하여 반도체 디바이스를 제조하는 효과를 얻을 수 있다. As described above, according to the present invention, in order to manufacture a semiconductor device, a paste is dotted at a first connecting position of a predetermined first substrate of a first substrate and a second substrate which are vertically stacked, A connecting member of a conductive material prepared in advance is mounted on the first connecting position of the first substrate, and then the laser beam is irradiated to melt the paste and then harden again to fix the connecting body to the first connecting position of the first substrate The effect of producing a semiconductor device by stacking the substrate with a high yield within a short time even if the height of the device mounted on the substrate is 150 to 300 mu m or more.

또한, 본 발명은, 패이스트를 용융시키는 공정을 레이저빔을 조사하는 것에 의하여 행함으로써, 기판을 이동시키지 않고 제 위치에서 행할 수 있으므로, 기판의 이동 중에 접속체가 넘어져 스태킹 공정에서 접속 오류가 발생되는 것을 억제할 수 있다. Further, the present invention can be performed at a position without moving the substrate by irradiating the laser beam to the process of melting the paste, so that the connection member falls during the movement of the substrate, and a connection error occurs in the stacking process Can be suppressed.

그리고, 본 발명은, 레이저빔을 조사하여 패이스트를 용융시키므로, 패이스트의 종류와 공정 온도에 맞게 레이저빔의 이동 시간을 변경 제어함으로써 패이스트를 매개로 하는 접속체의 결합 고정 효과를 높게 유지할 수 있다.In the present invention, since the laser beam is irradiated to melt the paste, the movement time of the laser beam is changed and controlled in accordance with the kind of the paste and the process temperature, .

또한, 본 발명은, 기판의 스태킹 공정 중에 일부 접속체가 세워진 상태를 유지하지 못하는 오류가 발생되더라도, 전체 기판을 리플로우 등에 의해 패이스트를 용융시키지 않고 레이저빔을 이용하여 오류가 발생된 위치에만 레이저빔을 조사함으로써, 재작업(rework) 공정의 정확성과 소요 시간을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.The present invention also provides a method of manufacturing a semiconductor device in which, even if an error that some of the contacts can not be maintained during the stacking process of the substrate occurs, the entire substrate is not melted by reflow or the like, By irradiating the beam, the effect of improving the accuracy and the time required for the rework process can be obtained.

그리고, 본 발명은, 접속체를 제1기판 상에 마운팅하기에 앞서 제1접속위치와 정렬되는 관통공이 형성된 마스크를 제1기판에 위치시킴으로써, 제1접속위치에 세워진 상태로 마운팅되는 접속체가 기울어지더라도 마스크의 관통공의 내벽에 기댄 상태가 되어 허용 범위 내에서 세워진 상태를 유지하므로, 기둥 형태의 접속체를 세워진 상태로 제1기판에 결합시키는 효과를 얻을 수 있다.The present invention is characterized in that, by placing a mask having a through hole aligned with the first connecting position on the first substrate before mounting the connecting body on the first substrate, the connecting body mounted in a standing state in the first connecting position tilts It is possible to obtain an effect of joining the columnar connecting body to the first substrate in a raised state.

또한, 본 발명은, 상하 기판을 전기적으로 접속하면서 연결하는 접속체의 표면에 주석, 니켈 등의 도금층이 형성되어, 레이저빔을 접속체의 상측(레이저빔의 상단부와 그 위에 거치된 대상물을 포함한다)에 조사하면, 레이저빔의 에너지가 접속체에 전달되면서 도금층의 일부 이상을 용융시키면서 흘러내려 패이스트와 함께 보다 견고하게 접속체를 제1기판에 결합시키면서 제1기판과 접속체와의 통전 경로를 보다 확실하게 확보하는 효과를 얻을 수 있다. In the present invention, a plating layer of tin or nickel is formed on the surface of a connecting body for connecting the upper and lower substrates while electrically connecting the upper and lower substrates, and the laser beam is irradiated onto the upper side of the connecting body (including the upper end of the laser beam and the object The energy of the laser beam is transmitted to the connecting body to melt and dissolve at least a part of the plating layer so that the connecting body is more firmly coupled to the first substrate together with the paste while the energization of the first substrate and the connecting body It is possible to obtain an effect of securely securing the path.

그리고, 본 발명은, 접속체를 제1기판에 결합하여 고정하기 이전에, 접속체의 상측에서 접속체를 가압체에 의해 가압하는 공정을 거침으로써, 접속체가 패이스트에 충분히 눌려진 상태에서 패이스트가 용융된 상태에서 접속체를 패이스트에 의해 견고하게 결합시키는 효과를 얻을 수 있다.Further, in the present invention, before the connecting body is fixed to the first substrate and fixed, the connecting body is pressed by the pressing body from above the connecting body, so that the connecting body is pressed sufficiently to the casing, It is possible to obtain an effect of firmly bonding the connector with the paste in a state in which the connector is melted.

또한, 본 발명은, 가압체로 접속체를 가압한 상태에서 패이스트를 용융시켜 접속체를 제1기판에 결합시킴으로써, 패이스트의 일부 이상이 용융된 상태에서 접속체가 패이스트 내부로 깊게 들어가면서 패이스트의 경화가 이루어지게 되어, 접속체를 제1기판에 견고하게 결합하는 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, by melting a paste in a state in which a connection member is pressed with a pressurizing member to bond the connection member to the first substrate, the connection member is deeply inserted into the paste while a part or more of the paste is melted, Curing of the connecting body is performed, and the effect of firmly coupling the connecting body to the first substrate can be obtained.

그리고, 본 발명은, 접속체를 제1기판에 고정시킨 상태에서 몰드층을 접속체를 모두 덮게 입히고, 몰드층의 상면을 평탄 연마하여 접속체의 상단부의 일부가 연삭되게 하고, 몰드층의 상면에 접속체의 상단면이 드러나게 가공함에 따라, 접속체의 높이 편차가 발생되더라도, 제1기판에 결합된 접속체의 상단 높이가 모두 균일해져 그 상측에 적층되는 제2기판과의 접속 연결의 정확성을 높이는 효과를 얻을 수 있다. In the present invention, the mold is layered on the first substrate in a state in which the connection member is fixed on the first substrate, the upper surface of the mold layer is polished flat by grinding a part of the upper end of the mold, Even if a height deviation of the connection body occurs due to the upper end surface of the connection body being exposed, the top height of the connection body coupled to the first substrate becomes uniform so that the accuracy of the connection connection with the second substrate stacked thereon Can be obtained.

무엇보다도, 본 발명은, 상기와 같이 접속체를 제1기판에 고정시키는 공정에 소요되는 시간이 짧아서 생산성이 높아지며, 접속체가 제1기판에 보다 견고하게 고정되므로 수율이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. Best Mode for Carrying Out the Invention First of all, according to the present invention, the time required for the step of fixing the connecting member to the first substrate is shortened as described above, so that the productivity is improved and the connecting member is more firmly fixed to the first substrate.

도1a은 반도체 디바이스의 제조를 위한 단위칩이 종횡으로 배치된 제1기판의 구성을 도시한 사시도,
도1b는 도1a의 단위칩의 구성을 도시한 사시도,
도2a 내지 도2e는 도1b의 절단선 Ⅱ-Ⅱ에 따른 단면을 기준으로 기판을 스태킹하여 반도체 디바이스를 제조하는 구성을 순차적으로 도시한 도면,
도3은 스택킹되는 기판을 전기적으로 접속하기 위한 접속체를 전기도금방식으로 기판에 적층 제작한 도1b의 절단선 Ⅱ-Ⅱ에 따른 단면을 기준으로 도시한 개략도,
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법을 순차적으로 도시한 순서도,
도5는 적층하고자 하는 단위칩이 종횡으로 배열된 제1기판의 사시도,
도6a 및 도6b는 단위칩의 제1기판 상에 패이스트를 도팅하는 구성을 도시한 도면,
도7은 제1기판 상에 마스크를 배치한 구성을 도시한 일부 확대도,
도8a 내지 도8c는 접속체 공급기를 이용하여 제1기판의 제1접속위치에 접속체를 공급하는 구성을 순차적으로 도시한 도면,
도8d는 다른 방식으로 제1기판의 제1접속위치에 접속체를 공급하는 구성을 도시한 도면,
도8e 및 도8f는 또 다른 방식으로 제1기판의 제1접속위치에 접속체를 공급하는 구성을 도시한 도면,
도9a 및 도9b는 제1기판에 거치된 접속체를 하방 가압하는 구성을 도시한 도면,
도10a 및 도10b는 레이저빔을 조사하여 패이스트를 용융시켜 접속체를 제1기판에 결합하는 구성을 도시한 도면,
도11a는 제1기판에 결합된 접속체의 결합 상태를 검사하는 검사 단계의 구성을 도시한 도면,
도11b 및 도11c는 제1기판의 접속체 결합에 오류가 발생된 경우에 재작업(rework)을 행하는 구성을 순차적으로 도시한 도면,
도12는 제1기판의 상면에 몰드층을 형성한 구성을 도시한 도면,
도13은 제1기판의 몰드층의 상면을 그라인딩하는 구성을 도시한 도면,
도14는 제1기판의 상측에 제2기판을 적층하여 스태킹하는 구성을 도시한 도면,
도15는 스택 형태로 적층된 제1기판과 제2기판을 리플로우 공정을 통해 전기 접속되게 연결하는 공정을 도시한 도면이다.1A is a perspective view showing a configuration of a first substrate in which unit chips for manufacturing a semiconductor device are arranged in a longitudinal direction and a lateral direction,
FIG. 1B is a perspective view showing the configuration of the unit chip of FIG. 1A,
FIGS. 2A to 2E sequentially illustrate the construction of a semiconductor device by stacking a substrate with reference to a cross section taken along the line II-II in FIG. 1B,
FIG. 3 is a schematic view showing a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1B in which a connection member for electrically connecting a substrate to be stacked is laminated on a substrate by an electroplating method,
4 is a flowchart sequentially illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 5 is a perspective view of a first substrate in which unit chips to be stacked are arranged longitudinally and laterally,
6A and 6B are diagrams showing a configuration in which a paste is applied on a first substrate of a unit chip,
7 is a partially enlarged view showing a configuration in which a mask is arranged on a first substrate,
FIGS. 8A to 8C sequentially illustrate a configuration in which a connector is fed to a first connecting position of a first substrate using a connector feeder;
8D is a view showing a configuration for supplying a connector to a first connecting position of the first substrate in a different manner,
Figs. 8E and 8F illustrate a configuration for supplying a connector to a first connecting position of the first substrate in a different manner; Figs.
FIGS. 9A and 9B are diagrams showing a configuration in which a connecting member that is held on a first substrate is pressed downward;
10A and 10B show a configuration for melting a paste by irradiating a laser beam to couple the connection body to the first substrate,
11A is a view showing a configuration of an inspection step for checking the engagement state of a connector coupled to a first substrate,
11B and 11C are diagrams sequentially showing a configuration for performing rework when an error occurs in the connection of the connection members of the first substrate,
12 is a view showing a configuration in which a mold layer is formed on an upper surface of a first substrate,
13 is a view showing a configuration for grinding the upper surface of the mold layer of the first substrate,
14 is a view showing a configuration for stacking and stacking a second substrate on an upper side of a first substrate,
15 is a view illustrating a process of connecting a first substrate and a second substrate stacked in a stack form to be electrically connected through a reflow process.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements and can be described with reference to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents which are judged to be obvious to the person skilled in the art or repeated can be omitted.

도4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법(S100)은, 제1단위칩(U1)이 종횡으로 다수 배열된 제1기판(So1)을 준비하는 제1기판준비단계(S110)와, 제1기판(So1)의 정해진 제1접속위치(Bx)에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계(S120)와, 제1기판(So1)의 상측에 마스크(110)를 배치하는 마스크 배치단계(S130)와, 접속체(70)를 제1접속위치(Bx)에 위치시키는 접속체 마운팅 단계(S140)와, 접속체(70)의 상측에 가압체(140)를 위치시켜 접속체(70)를 하방 가압하는 접속체 가압단계(S150)와, 레이저빔(150L)을 조사하여 패이스트(55)의 일부 이상을 용융시켜 접속체(70)를 제1접속위치(Bx)에 고정시키는 접속체 고정단계(S160)와, 제1접속위치(Bx)에 접속체(70)가 정상적으로 고정되었는지 여부를 검사하는 접속체 검사단계(S165)와, 접속체(70)가 덮이도록 제1기판(So1)의 상측에 몰드층(M)을 형성하는 몰드층 형성단계(S170)와, 몰드층(M)의 상면을 평면 연마하여 접속체(70)의 상단면이 몰드층(M)의 상면에 드러나게 연마하는 몰드층 그라인딩 단계(S180)와, 제2단위기판(S2)이 배열된 제2기판(So2)을 제1기판(S1)의 상측에 적층하는 제2기판 적층단계(S190)와, 적층 기판(So1, So2)을 리플로우 공정을 거치게 하여 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)와 제2기판(S2)의 제2접속위치(Bx2)를 전기적으로 접속되게 연결하는 기판 접속 단계(S199)와, 적층 기판(So1, So2)을 적층된 단위칩(U1, U2) 별로 절단하여 반도체 디바이스로 형성하는 단계를 포함하여 구성된다. 4, a method of manufacturing a semiconductor device (S100) according to the present invention includes a first substrate preparation step (S100) of preparing a first substrate So1 in which a plurality of first unit chips U1 are arrayed longitudinally and laterally (S120) for supplying a paste to a predetermined first connecting position (Bx) of the first substrate So1 and a mask supplying step (S120) for arranging the mask 110 on the first substrate So1 (S140) for placing the connector 70 in the first connecting position Bx and a connecting body mounting step S140 for placing the pressing body 140 on the connecting body 70 (70) is pressed down and a laser beam (150L) is irradiated to melt part or more of the paste (55) so that the connection body (70) is placed in the first connection position (Bx) (S165) for inspecting whether or not the connection member (70) is normally fixed to the first connection position (Bx); and a connecting member inspecting step 1 substrate (S170) for forming a mold layer (M) on the upper side of the mold layer (So1); a step (S170) of forming a mold layer (M) on the upper side of the mold layer A second substrate stacking step S190 for stacking a second substrate So2 on which the second unit substrate S2 is arranged on the first substrate S1, The laminated substrates So1 and So2 are subjected to a reflow process so that the first connecting position Bx of the first substrate So1 and the second connecting position Bx2 of the second substrate S2 are electrically connected And a step of forming a semiconductor device by cutting the laminated substrates So1 and So2 for each of the stacked unit chips U1 and U2.

이를 위하여, 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 제조를 위한 기판 스태킹 장치(100)은, 제1단위칩(U1)이 종횡으로 다수 배열된 제1기판(So1)을 거치하는 거치대(190)와, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 패이스트가 도팅된 상태에서 제1기판(So1)의 상측에 배치되는 마스크(110)와, 기둥 모양의 접속체(70)를 세워진 자세로 제1접속위치(Bx)에 위치시키도록 접속체(70)를 픽업하여 제1접속위치(Bx)에 어태치하는 접속체 공급기(120)와, 접속체(70)가 어태치되기 이전에 제1기판(So1)의 정해진 제1접속위치(Bx)에 패이스트(55)를 공급하는 패이스트 공급기(130)와, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 접속체(70)가 어태치되면 접속체(70)의 상측에서 지긋이 접속체(70)를 하방 가압하는 가압체(140)와, 접속체(70)에 레이저빔(150L)을 조사하여 제1접속위치(Bx)의 패이스트(55)를 용융시켰다가 경화되면서 접속체(70)를 제1기판(So1)에 결합 고정시키게 하는 패이스트 용융유닛으로서의 레이저빔 조사기(150)와, 제1기판(So1)의 표면의 접속체(70)가 묻히는 두께로 분말 컴파운드를 이용하여 몰딩하여 경화시키는 몰드층 형성유닛(미도시)과, 제1기판(So1)의 표면을 평면 연마하여 몰드층(M)에 묻힌 접속체(70)의 상단면이 드러나게 몰드층(M)을 그라인딩하는 그라인더(160)와, 몰드층(M)을 형성하기 이전에 접속체(70)가 제1기판에 결합 고정된 상태를 검사하는 검사 비젼(170)과, 이들 각 구성 요소들(110, 120,... )의 이동 및 작동을 제어하는 제어부(180)와, 제2단위기판(S2)이 다수 배열된 제2기판(So2)을 제1기판(So1)의 상측에 적층시키는 기판 핸들러(미도시)와, 제1기판(So1)과 제2기판(So2)이 적층된 상태로 200℃ 내지 300℃로 1분~5분 간 가열하여 제1기판(So1)의 접속체(70)와 제2기판(So2)의 솔더볼(B2)이 일체로 결합되어 통전 상태로 하는 리플로우 장치(미도시)를 포함하여 구성된다. To this end, the substrate stacking apparatus 100 for manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a holder 190 for holding a first substrate So1 on which a plurality of first unit chips U1 are arrayed longitudinally and laterally, A mask 110 disposed on the first substrate So1 in a state where a paste is applied to the first connection position Bx of the first substrate So1 and the columnar connection body 70 in a standing posture A connector body feeder 120 that picks up the connector 70 to be positioned at the first connecting position Bx and attaches to the first connecting position Bx; A paste supplying device 130 for supplying a paste 55 to a predetermined first connecting position Bx of the substrate So1 and a connecting member 70 for supplying a paste 55 to the first connecting position Bx of the first substrate So1, A pressing member 140 that presses the connecting member 70 downward from the upper side of the connecting member 70 when the connecting member 70 is attached to the connecting member 70 and a laser beam 150L is irradiated to the connecting member 70, Bx) was melted A laser beam irradiator 150 as a paste melting unit that causes the connecting body 70 to be fixed to the first substrate So1 while being cured and a thickness at which the connecting body 70 on the surface of the first substrate So1 is buried (Not shown) that molds and hardens by using a powder compound, and a connecting member 70 embedded in the mold layer M by surface polishing the surface of the first substrate So1, A grinder 160 for grinding the layer M and an inspection vision 170 for inspecting the state in which the contact body 70 is fixed to the first substrate before forming the mold layer M, A control unit 180 for controlling the movement and operation of the elements 110, 120, ... and a second substrate So2 in which a plurality of second unit substrates S2 are arranged on the upper side And the first substrate So1 and the second substrate So2 are laminated and heated at a temperature of 200 to 300 DEG C for 1 to 5 minutes to form a first substrate So1 connect And a reflow apparatus (not shown) for integrally connecting the solder ball B2 of the second substrate So2 of the second substrate So2 and the solder ball B2 to be energized.

상기 제1기판(So1)은, 도4에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스의 제조에 필요한 소자(K)가 제1단위기판(S1)에 실장되었거나 실장될 예정인 제1단위칩(U1)이 종횡으로 배열된다. 4, the first substrate So1 includes a first unit chip U1 mounted or mounted on the first unit substrate S1, and a second unit chip U1 mounted on the first unit substrate S1, .

그리고, 제1단위칩(U1)에는 반도체 디바이스의 기능에 필요한 소자(K)들이 제1단위기판(S1) 상에 탑재된다. 제1단위기판(S1)은 그 위에 적층되는 제2단위기판(S2)과 전기적으로 접속하기 위한 미세 단자들이 제1접속위치(Bx)에 조밀하게 배치되어 있다. 최근에는 소자(K)의 높이(h)가 점점 높아지는 추세에 있다.In the first unit chip U1, elements K necessary for the function of the semiconductor device are mounted on the first unit substrate S1. The first unit substrate S1 has fine terminals for electrically connecting to the second unit substrate S2 stacked thereon in a densely packed manner at the first connecting position Bx. In recent years, the height h of the element K is gradually increasing.

도면에 도시되지 않았지만, 기판 스태킹 공정에서는 제1기판(So1)과 정렬시키는 공정이 필요하므로, 제1기판(So1)이나 거치대(190)에는 제1기판(So1)과 다른 구성 요소들 간의 정렬을 위한 식별자(미도시)가 구비된다. Although alignment of the first substrate So1 and other components is required in the first substrate So1 and the mount 190 in the substrate stacking process, (Not shown) is provided.

이하에서는, 설명의 편의를 위하여 1개의 단위칩(U1)을 중심으로 도시된 도면을 참조하여 기판(So1, So2)의 스태킹 공정을 설명하기로 한다. Hereinafter, for convenience of description, the stacking process of the substrates So1 and So2 will be described with reference to the drawings centered on one unit chip U1.

이에 대하여, 단계적으로 상세히 설명한다. This will be described stepwise in detail.

단계 1: 도5에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스의 제조에 필요한 제1단위칩(U1)이 종횡으로 배치된 제1기판(So1)을 준비한다(S110). Step 1 : As shown in FIG. 5, a first substrate So1 in which first unit chips U1 necessary for manufacturing a semiconductor device are vertically and horizontally arranged is prepared (S110).

도면에는 접속체(70)를 결합 고정하고자 하는 제1기판(So1)의 단위칩(U1)마다 소자(K)들이 이미 실장된 구성이 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 접속체(70)를 제1단위기판(S1)마다 먼저 결합 고정된 상태에서 소자(K)들이 제1단위기판(S1)마다 실장되는 공정이 행해질 수도 있다. 즉, 제1기판(So1)에 소자(K)를 실장하는 공정은 후술하는 접속체(70)를 제1기판(So1)에 결합 고정하는 공정과 제1기판(So1)과 제2기판(So2)을 적층하는 공정의 사이에 행해질 수도 있다. Although the figure shows a configuration in which the elements K are already mounted on each unit chip U1 of the first substrate So1 to which the connecting body 70 is to be coupled and fixed, the present invention is not limited to this, 70 may be first coupled and fixed for each first unit substrate S1, and then the devices K may be mounted for each first unit substrate S1. That is, the step of mounting the element K on the first substrate So1 includes a step of coupling and fixing a connection body 70 to be described later to the first substrate So1, a step of bonding the first substrate So1 and the second substrate So2 ) May be laminated.

그리고, 도면에는 제1기판(So1)이 사각 형태의 PCB기판으로 형성된 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 제1기판(So1)은 이에 한정되지 아니하며, 제1기판(So1)은 원형의 웨이퍼(wafer)로 형성될 수도 있고, 그 밖에 반도체 디바이스의 제조에 사용될 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. Although the first substrate So1 is formed as a rectangular PCB, the first substrate So1 of the present invention is not limited thereto. The first substrate So1 may be a circular wafer wafer, or may be formed into various shapes that can be used for manufacturing semiconductor devices.

제1단위칩(U1)은 반도체 디바이스의 기능에 필요한 소자(K)들이 제1단위기판(S1) 상에 탑재하도록 구성된다. 도면에는 접속체(70)를 결합 고정하고자 하는 제1기판(So1)의 단위칩(U1)마다 소자(K)들이 이미 실장된 구성이 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 단계 2 내지 단계 6의 공정이 먼저 행해져 접속체(70)가 제1기판(So1)에 결합 고정된 상태에서 소자(K)들이 제1단위기판(S1)마다 실장되는 공정이 행해질 수도 있다. 즉, 제1기판(So1)에 소자(K)를 실장하는 공정은 후술하는 접속체 고정단계(단계 6)와 제2기판 적층단계(단계 9)의 사이에 행해질 수도 있다. The first unit chip U1 is configured such that the elements K necessary for the function of the semiconductor device are mounted on the first unit substrate S1. Although the figure shows a configuration in which the elements K are already mounted on each unit chip U1 of the first substrate So1 to which the connecting body 70 is to be coupled and fixed, the present invention is not limited thereto, The process of Step 6 may be performed first so that the process of mounting the devices K on the first unit substrates S1 in a state where the connecting member 70 is fixedly coupled to the first substrate So1 may be performed. That is, the step of mounting the element K on the first substrate So1 may be performed between the connection fixing step (step 6) and the second substrate mounting step (step 9), which will be described later.

제1단위기판(S1)은 그 위에 적층되는 제2단위기판(S2)과 전기적으로 접속하기 위한 미세 단자들이 제1접속위치(Bx)에 조밀하게 배치되어 있다. 최근에는 소자(K)의 높이(h)가 점점 높아지는 추세에 있다.The first unit substrate S1 has fine terminals for electrically connecting to the second unit substrate S2 stacked thereon in a densely packed manner at the first connecting position Bx. In recent years, the height h of the element K is gradually increasing.

단계 2: 제1단위칩(U1)이 종횡으로 배치된 제1기판(So1)이 준비되면, 도6a에 도시된 바와 같이, 패이스트(55)를 제1단위기판(S1)의 제1접속위치(Bx)들에게 공급하기 위한 패이스트 공급툴(50) 준비하여, 패이스트 공급툴(50)의 공급 핀(51)을 패이스트(55)를 담고 있는 패이스트 저장통(미도시)에 살짝 담그어, 공급핀(51)의 끝단에 패이스트(55)가 맺힌 상태가 되게 한다. Step 2 : When the first substrate So1 in which the first unit chips U1 are vertically and horizontally arranged is prepared, as shown in Fig. 6A, the pads 55 are connected to the first connection S1 of the first unit substrate S1 The supply pin 50 of the paste supply tool 50 is set to a paste storage container (not shown) containing the paste 55 by preparing a paste supply tool 50 for supplying the paste to the position Bx So that the pest 55 is formed at the end of the supply pin 51.

여기서, 패이스트(55)는 점착성이 있는 다양한 재료로 이루어질 수 있으며, 도전성(導電性) 성분을 포함하지 않는 플럭스 등으로 적용될 수 있고, 도전성 성분을 포함하는 재료를 포함하는 솔더 패이스트 등으로 적용될 수 있다. 그리고, 패이스트(55)는 가열되면 일부 이상이 용융되었다가 상온에서는 핀(pin)과 같은 기둥 형태의 접속체(70)를 세운 상태로 결합하여 고정시키도록 응고되는 융점(melting point)을 가진 성분으로 정해진다. Here, the paste 55 may be made of various materials having adhesiveness, and may be applied to a flux or the like not containing a conductive (conductive) component, and may be applied to a solder paste or the like containing a material containing a conductive component . The pest 55 has a melting point that solidifies to couple and fix the columnar connecting member 70 such as a pin in a standing state at room temperature when the paste is heated, Ingredients.

그리고, 패이스트 공급툴(50)을 제1기판(So1)의 상측으로 위치 이동시키고, 패이스트 공급툴(50)의 공급핀(51)이 제1기판(So1)의 각각의 제1접속위치(Bx)들과 정렬된 위치로 위치시킨다. 이 때, 패이스트 공급툴(50)과 제1기판(So1)의 위치 정렬을 위하여, 제1기판(So1)에는 위치 감지를 위한 식별자(미도시)가 구비될 수 있다. 그 다음, 패이스트 공급툴(50)을 하방 이동(57)하여 공급 핀(51)의 끝단에 묻어있는 패이스트(55)를 제1단위기판(S1)의 정해진 제1접속위치(Bx)에 패이스트(55)를 도팅(dotting)하여 공급한다(S120). The paste supply tool 50 is moved to the upper side of the first substrate So1 and the supply pins 51 of the paste supply tool 50 are moved to the respective first connection positions (Bx). At this time, an identifier (not shown) for position sensing may be provided on the first substrate So1 for aligning the paste supply tool 50 and the first substrate So1. The paste supply tool 50 is then moved down 57 so that the paste 55 attached to the end of the supply pin 51 is transferred to the predetermined first connection position Bx of the first unit substrate S1 The paste 55 is supplied by dotting (S120).

그 다음, 도6b에 도시된 바와 같이, 패이스트 공급툴(50)은 상방 이동(58)하여 그 다음 공정을 준비한다. Then, as shown in FIG. 6B, the paste supply tool 50 moves upward 58 to prepare the next process.

단계 3: 그리고 나서, 도7에 도시된 바와 같이, 패이스트(55)가 도팅되어 공급된 제1접속위치(Bx)와 동일하게 분포된 관통공(112)이 배열 형성된 마스크(110)를 제1기판(So1)의 상측에 배치시킨다(S130). Step 3 : Then, as shown in Fig. 7, the mask 110, in which the through holes 112 having the same distribution as the first connecting position Bx supplied with the paste 55 are arranged, 1 substrate So1 (S130).

이 때에도, 마스크(110)를 이동시키는 수단은 제1기판(So1)의 식별자(미도시)를 감지하여, 마스크(110)의 관통공(112)이 제1단위기판(S1)의 제1접속위치(Bx)와 정렬되게 마스크(110)를 위치시킨다. At this time, the means for moving the mask 110 senses the identifier (not shown) of the first substrate So1 so that the through-hole 112 of the mask 110 contacts the first connection S1 of the first unit substrate S1 Position the mask 110 in alignment with position Bx.

여기서, 마스크(110)가 제1기판(So1) 상측의 정렬 위치에 배치된 상태에서, 제1기판(So1)의 각 단위칩(U1)에서 소자들(K)이 배치된 영역에 대응하는 마스크(110)의 영역은 관통하는 관통 영역(110c)으로 형성된다. 이에 따라, 마스크(110)는 각 단위칩(U1)의 제1단위기판(S1)에 보다 근접한 위치까지 하방 배치되는 것이 가능해진다. Here, in a state in which the mask 110 is arranged at an alignment position on the first substrate So1, a mask corresponding to a region where the elements K are arranged in each unit chip U1 of the first substrate So1 The area of the through hole 110 is formed as a penetrating area 110c passing therethrough. As a result, the mask 110 can be disposed downward to a position closer to the first unit substrate S1 of each unit chip U1.

그리고, 마스크(110)는 자중에 의한 하방 처짐에 의하여 관통공(112)이 제1접속위치(Bx)와의 정렬 상태에 오차가 야기될 수 있다. 따라서, 여기서, 마스크(110)의 관통공(112)은 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 마운팅되는 접속체(70)의 단면보다 약간 크게 형성하여, 마스크(110)의 하방 처짐에도 불구하고, 마스크 관통공(112)과 제1접속위치(Bx)를 정렬시킬 수 있다. 예를 들어, 접속체(70)의 외주면과 마스크 관통공(112)의 내벽까지의 간극(도10b의 c)은 대략 10㎛ 내지 30㎛ 정도의 틈새가 형성되게 그 치수가 정해질 수 있다. 한편, 마스크(110)의 하방 처짐을 줄이기 위하여, 마스크(110)의 가장자리에서 잡아당기는 힘(P)이 도입될 수 있다. 이에 의해, 마스크(110)의 자중에 의한 하방 처짐량을 줄일 수 있다. The through hole 112 may cause an error in alignment with the first connection position Bx due to the downward deflection of the mask 110 due to its own weight. The through hole 112 of the mask 110 is formed to be slightly larger than the cross section of the contact member 70 mounted on the first connection position Bx of the first substrate So1, The mask connecting hole 112 can be aligned with the first connecting position Bx in spite of the downward deflection. For example, the gap (c in FIG. 10B) between the outer circumferential surface of the connector 70 and the inner wall of the mask through hole 112 can be dimensioned so as to form a gap of about 10 μm to 30 μm. On the other hand, a pulling force P can be introduced at the edge of the mask 110 to reduce the downward deflection of the mask 110. [ Thereby, the amount of downward deflection due to the weight of the mask 110 can be reduced.

마스크(110)의 배치 높이는 다양하게 정해질 수 있다. 즉, 마스크(110)의 관통공(112)의 내벽에 의해 제1접속위치(Bx)에 마운팅되는 접속체(70)가 허용 범위 내에서 세워진 상태로 유지할 수 있는 높이로 정해질 수 있다. 대체로 마스크(110)의 상면 높이(y1)는 제1접속위치(Bx)에 마운팅되는 접속체(70)가 정해진 세워진 자세를 유지할 수 있는 높이로 정해진다. 이에 따라, 마스크(110)의 상면 높이(y1)는, 도9a에 도시된 바와 같이 제1기판(So1)에 마운팅된 접속체(70)의 상면보다 낮게 배치될 수도 있고, 도9b에 도시된 바와 같이 마스크(110)의 하방 처짐을 줄이고 충분한 내구 수명을 확보하기 위하여 마스크(110)의 두께가 두꺼워져 제1기판(So1)에 마운팅된 접속체(70)의 상면보다 높게 배치될 수도 있다. The arrangement height of the mask 110 can be variously determined. That is, the height of the connecting body 70 mounted to the first connecting position Bx by the inner wall of the through hole 112 of the mask 110 can be set to a height at which the connecting body 70 can be held in a standing state within an allowable range. In general, the height y1 of the top surface of the mask 110 is set to a height at which the connecting body 70, which is mounted in the first connecting position Bx, can maintain a predetermined standing posture. 9A, the upper surface height y1 of the mask 110 may be lower than the upper surface of the contact member 70 mounted on the first substrate So1 as shown in Fig. 9A, The mask 110 may be thicker than the upper surface of the contact member 70 mounted on the first substrate So1 in order to reduce the downward deflection of the mask 110 and ensure sufficient durability.

다만, 단계 3은 필요에 따라 생략될 수도 있다. 예를 들어, 패이스트의 점착성이 우수하여 접속체를 제1접속위치에 마운팅한 상태가 그대로 유지될 수 있는 경우에는, 마스크의 배치 공정이 생략될 수 있다. However, step 3 may be omitted if necessary. For example, in the case where the state of mounting the connecting body at the first connecting position can be maintained as it is because of excellent adhesiveness of the paste, the step of arranging the mask can be omitted.

단계 4: 그리고 나서, 접속체 공급기(120)로 기둥 형태의 접속체(70)를 세운 자세로 픽업하여, 접속체(70)를 마스크 관통공(112)을 관통한 제1접속위치(Bx)에 마운팅시킨다(S140). Step 4 : The columnar connector 70 is then picked up in a standing posture by the connector feeder 120 so that the connector 70 is moved to the first connecting position Bx through the mask through- (S140).

이를 위하여, 도8a에 도시된 바와 같이, 접속체 공급기(120)는 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 정렬되게 형성된 흡입공(122)이 중공 케이싱(121)에 구비하여, 중공 케이싱(121)의 내부 압력을 압력 조절부(P)로 부압(pz)으로 조절함에 따라, 흡입공(122)에 부압(pz)이 작용하여, 접속체 저장통(80)에 저장된 접속체(70)를 흡입공(122)마다 1개씩 흡입하여, 접속체 공급기(120)의 흡입공(122)에 접속체(70)를 픽업한다. 접속체 공급기(120)가 접속체(70)를 픽업하는 과정에서 접속체 저장통(80)은 상하 방향으로 가진(80d)되어, 접속체(70)의 픽업 시간을 보다 단축할 수 있다.8A, the connector body feeder 120 is provided with a suction hole 122 formed in the hollow casing 121 so as to be aligned with the first connecting position Bx of the first substrate So1 And the negative pressure pz acts on the suction hole 122 by adjusting the internal pressure of the hollow casing 121 to the negative pressure pz by the pressure adjusting unit P, (70) is sucked in each suction hole (122) one by one to pick up the connector (70) in the suction hole (122) of the connector body feeder (120). The connection member storage box 80 is vertically attracted 80d in the course of the connection member feeder 120 picking up the connection member 70 so that the pickup time of the connection member 70 can be further shortened.

여기서, 접속체(70)는 기둥 형태로 형성되며, 원형이나 타원 또는 다각형 형태의 횡단면으로 형성될 수 있다. 접속체(70)는 다양한 높이로 형성될 수 있는 데, 제1단위기판(S1)에 실장된 소자(K)의 높이(h)에 따라 그 높이가 정해진다. 예를 들어, 제1단위기판(S1)에 실장된 소자(K)의 최대 높이(h)가 150㎛~300㎛ 이상인 경우에는, 그 높이(h) 이상의 기둥 형태로 형성되어 소자(K)의 최대 높이보다 더 높게 형성된다. 예를 들어, 접속체(70)가 원형 기둥으로 형성되는 경우에는, 접속체(70)의 직경에 비하여 높이가 더 크게 형성될 수 있으며, 접속체의 직경이 50㎛ 내지 150㎛이고 높이는 100㎛ 내지 500㎛로 형성될 수 있다. Here, the connection member 70 is formed in a columnar shape and may be formed in a circular, elliptical or polygonal cross section. The connection body 70 can be formed at various heights, and the height is determined according to the height h of the element K mounted on the first unit substrate S1. For example, when the maximum height h of the element K mounted on the first unit substrate S1 is 150 mu m to 300 mu m or more, And is formed higher than the maximum height. For example, when the connecting body 70 is formed of a circular column, the height of the connecting body 70 may be larger than the diameter of the connecting body 70. The diameter of the connecting body is 50 to 150 占 퐉 and the height is 100 占 퐉 To 500 mu m.

그리고, 접속체(70)는 하측의 제1단위기판(S1)과 상측의 제2단위기판(S2)이 서로 전기적으로 접속된 상태로 연결해야 하므로, 대부분의 성분(72)이 전기 전도성 재료로 형성된다. 예를 들어, 전기 전도성이 우수한 은, 구리, 금, 알루미늄, 텅스텐, 철, 납 중 어느 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 접속체(70)를 매개로 하여 상측의 제2기판(So2)과 하측의 제1기판(So1)이 전기적으로 접속된 상태로 스태킹된다. Since the first unit substrate S1 on the lower side and the second unit substrate S2 on the upper side are to be connected to each other in a state in which they are electrically connected to each other, most of the components 72 are formed of the electrically conductive material . For example, silver having excellent electrical conductivity may be formed including at least one of copper, gold, aluminum, tungsten, iron, and lead. Thus, the second substrate So2 on the upper side and the first substrate So1 on the lower side are stacked in a state of being electrically connected via the connecting body 70. [

한편, 접속체(70)를 고정시키기 위한 패이스트(55)에 도전성 재료를 포함하지 않는 경우에는, 접속체(70)의 표면 일부 이상에는 주석, 니켈 등의 성분이 하나 이상 포함된 도금층(74)이 얇은 두께(예를 들어, 1㎛ 내지 5㎛)로 형성될 수 있다. 즉, 도면에는 접속체(70)의 전체 표면에 도금층(74)이 형성된 구성이 도시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 접속체(70)의 하단부 또는 외주면에만 도금층(74)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 접속체(70)를 가열하면, 접속체(70)의 표면에 도금된 도금층(74)이 용융되면서 하방(下方)으로 흘러내려, 패이스트(55)에 도전성 재료를 함유하고 있지 않더라도, 도금층의 금속 성분에 의해 제1기판(So1)과 접속체(70)가 전기적으로 접속된 상태를 구현할 수 있다.On the other hand, in the case where the conductive material is not included in the paste 55 for fixing the connector 70, a plating layer 74 containing at least one component of tin, nickel, ) May be formed to have a small thickness (for example, from 1 m to 5 m). That is, although the figure shows a structure in which the plating layer 74 is formed on the entire surface of the connector 70, according to another embodiment of the present invention, the plating layer 74 is formed only on the lower end or the outer peripheral surface of the connector 70 . Thus, when the connector 70 is heated, the plated layer 74 plated on the surface of the connector 70 melts and flows downward, and even if the paste 55 does not contain a conductive material And the first substrate So1 and the connection body 70 are electrically connected by the metal component of the plating layer.

패이스트(55)에 도전성 재료를 포함하는 경우(예를 들어, 패이스트가 솔더 패이스트인 경우)에는 도금층(74)이 형성되지 않은 접속체(70)를 적용하여, 접속체(70)와 제1접속위치(Bx)와의 전기 전도성을 보다 확실하게 확보할 수도 있다.The connecting member 70 in which the plating layer 74 is not formed is used to form the connection member 70 and the connecting member 70 in the case where the paste 55 contains a conductive material (for example, when the paste is a solder paste) It is possible to more securely secure the electrical conductivity with the first connection position Bx.

접속체(70)는 동일한 직경과 높이로 형성되고자 제작되지만, 가공오차 등에 의해 허용 범위 내에서 편차를 갖는다. 이 때, 접속체(70)의 횡단면은 각 단위 기판(S1, S2)에 조밀하게 배치된 접속위치(Bx, Bx2)에 접속체(70)가 공급된 상태에서 접속체 간에 단락되지 않는 범위 내에서의 작은 단면으로 형성된다. 그리고, 접속체(70)의 높이는 제1단위기판(S1)과 제2단위기판(S2)이 적층된 상태에서 다수의 접속체(70)들 중에 하나라도 접속오류가 발생되지 않는 길이로 형성되어야 한다. 다만, 본 발명은, 접속체(70)의 높이(길이) 오류가 있더라도, 이를 보정하는 수단을 포함하고 있으므로, 접속체(70)의 높이 편차는 상대적으로 큰 범위로 허용될 수 있다. Although the connection member 70 is manufactured to have the same diameter and height, it has a variation within an allowable range due to processing errors and the like. At this time, the cross-sectional surface of the connecting body 70 is formed in a range in which the connecting body 70 is not short-circuited in the state where the connecting body 70 is supplied to the connecting positions Bx and Bx2 densely arranged on the unit substrates S1 and S2 As shown in Fig. The height of the connection member 70 should be such that the length of the connection member 70 is such that no connection error occurs in any of the plurality of connection members 70 in a state where the first unit substrate S1 and the second unit substrate S2 are stacked do. However, since the present invention includes means for correcting a height (length) error of the connector 70 even if there is an error, the height deviation of the connector 70 can be allowed to be relatively large.

도8a 내지 도8c에는 편의상 도5의 제1기판(So1)의 일부 단위칩(U1)에 접속체(70)를 공급하는 구성만 도시되어 있다. 즉, 접속체 공급기(120)는 하나의 단위칩(U1)에 접속체를 공급하는 단위 영역(120U1, 120U2, 120U3,...)을 제1기판(So1)과 동일하거나 그 일부만큼 포함하여, 접속체 공급기(120)는 1회 또는 2회 이상 왕복 이동하면서 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 접속체(70)를 어태치하여 공급한다.8A to 8C show only a configuration for supplying the connection body 70 to a part of the unit chips U1 of the first substrate So1 of Fig. 5 for the sake of convenience. That is, the connector unit feeder 120 includes the unit areas 120U1, 120U2, 120U3, ... for supplying the connector to one unit chip U1 in the same or a part of the first substrate So1 , The connector feeder 120 attaches the connector 70 to the first connecting position Bx of the first substrate So1 while reciprocating once or twice or more.

즉, 도8b에 도시된 바와 같이, 접속체 공급기(120)는 흡입공(122)에 하나씩의 접속체(70)를 흡입하여 파지한 상태로 제1기판(So1)으로 이동(120d2)한다. 그리고, 접속체 공급기(120)의 센서(미도시)로 제1접속위치(Bx)의 위치를 감지하여, 접속체 공급기(120)의 흡입공(122)들이 제1접속위치(Bx)와 정렬된 상태로 위치시킨다. 그리고, 접속체 공급기(120)는 하방 이동하여 흡입공(122)과 제1기판(So1)이 서로 근접한 상태에서, 케이싱(121) 내부의 압력을 부압 상태를 대기압 또는 정압 상태로 조절하여 흡입공(122)에 작용하였던 흡입압을 제거한다. That is, as shown in FIG. 8B, the connector body feeder 120 moves (120d2) to the first substrate So1 in a state in which one connector body 70 is sucked and held in the suction hole 122. When the suction holes 122 of the connector body feeder 120 are aligned with the first connection position Bx by detecting the position of the first connection position Bx by a sensor (not shown) of the connector body feeder 120, . The connection member feeder 120 moves downward to adjust the pressure inside the casing 121 to the atmospheric pressure or the constant pressure state in a state in which the suction hole 122 and the first substrate So1 are close to each other, Thereby removing the suction pressure acting on the piston 122.

이에 따라, 각각의 흡입공(122)에 파지되어 있던 접속체(70)는 상방으로 잡아주는 힘이 제거되었으므로, 중력에 의해 하방으로 이동하게 된다. 다만, 접속체(70)와 흡입공(122) 사이의 정전기력 등에 의해 일부의 접속체(70)가 하방으로 이동하지 않을 수 있다. 이를 위하여, 구동부(M)에 의하여 상하 방향(126d)으로 이동 가능한 다수의 가압 핀(126a)이 구비된 핀 블록(126)을 하방으로 이동(126d1)시켜, 가압핀(126a)이 접속체(70)를 하방으로 밀어내도록 한다. 이에 따라, 흡입공(122)에 파지되어 있던 접속체(77)는 하나도 빠짐없이 흡입공(122)으로부터 제1기판(So1)의 제1접속위치(패이스트(55)가 도포되어 있는 위치, Bx)로 하방 이동하여, 접속체(77)가 패이스트(55) 상에 위치하게 된다. Accordingly, the connecting member 70 held by each suction hole 122 is moved downward by gravity because the force for holding it upward is removed. However, some of the connecting members 70 may not move downward due to an electrostatic force between the connecting member 70 and the suction hole 122. The pin block 126 having the plurality of pressing pins 126a movable in the vertical direction 126d by the driving portion M is moved downward 126d1 so that the pressing pin 126a is moved downward 70) downward. The connecting member 77 gripped by the suction hole 122 can be completely removed from the suction hole 122 at the first connecting position of the first substrate So1 (the position where the paste 55 is applied, Bx), so that the connector 77 is positioned on the pest 55.

여기서, 제1기판(So1)에 마운팅된 접속체(70)는, 패이스트(55)의 점착력에 의해 그 자리에서 그대로 유지되며, 패이스트(55)의 점착력이 낮은 경우에도 마스크(110)의 관통공(112)에 의해 접속체(70)가 세워진 상태로 유지된다. Here, the connection member 70 mounted on the first substrate So1 is held in place by the adhesive force of the paste 55, and even when the adhesive force of the paste 55 is low, And the connecting member 70 is held in a standing state by the through hole 112.

한편, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 접속체(70)를 마운팅하는 공정은, 제1접속위치(Bx)의 패턴 배열대로 접속체(70)를 픽업하는 접속체 공급기(120)를 이용하는 대신에, 도8d에 도시된 바와 같이, 이동 방향으로 경사지게 가진하는 거치 가진기(130)를 이용하여 행해질 수 있다. On the other hand, the step of mounting the connecting body 70 to the first connecting position Bx of the first substrate So1 includes the step of mounting the connecting body 70 on the first substrate So1, Instead of using the moving body 120, as shown in Fig. 8D, it can be done by using a stationary oscillator 130 which slants in a moving direction.

즉, 접속체 저장통(80')이 전후 방향으로 가진(80v)하는 가진기(85) 상에 위치하여, 가진기(85)가 제1기판(So1)의 폭방향으로 배열된 이동 레일(12x)을 따라 왕복 이동(85x)하면서 접속체(70)를 무작위로 낙하시키면, 마스크(120)와 제1기판(So1)을 함께 거치하고 있는 거치 가진기(130)도 전후 방향으로 가진(130v)하면서, 낙하된 접속체(70)가 마스크(120)의 상면을 따라 도8d를 기준으로 오른쪽으로 되튀면서 이동하고, 접속체(70)가 마스크(120)의 관통공(112)을 되튀면서 지나는 동안에 접속체(70)의 일부가 관통공(112)에 삽입되면서, 접속체(70)가 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 세운 상태로 마운팅된다. That is, the connecting body reservoir 80 'is located on the exciter 85 which is engaged (80v) in the front-rear direction, and the exciter 85 is disposed on the movable rail 12x arranged in the width direction of the first substrate So1 The stationary oscillator 130 that holds the mask 120 and the first substrate So1 together is also moved in the forward and backward direction by the oscillating unit 130v, The falling contact 70 moves along the upper surface of the mask 120 to the right with reference to FIG. 8D while the contact 70 moves back and forth through the through hole 112 of the mask 120 The connecting body 70 is mounted on the first substrate So1 while standing on the first connecting position Bx while a part of the connecting body 70 is inserted into the through hole 112. [

다만, 도8d에 도시된 구성은 접속체(70)가 마스크 관통공(112)에 비하여 충분히 작은 경우에 적용될 수 있으며, 접속체(70)의 외경과 마스크 관통공(112)의 내벽 사이의 틈새(c)가 작은 경우에는 효율이 낮아진다. The configuration shown in Fig. 8D can be applied when the connection member 70 is sufficiently smaller than the mask through hole 112, and the gap between the outer diameter of the connection body 70 and the inner wall of the mask through hole 112 (c) is small, the efficiency becomes low.

한편, 제1기판(So1) 상에 직접 접속체(70)를 공급하는 도8d의 구성과 달리, 도8e에 도시된 바와 같이, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)와 동일하게 정렬된 위치(Bxh)에 흡착공(Bxh)이 마련된 홀더 기판(H)을 거치 가진기(130)에 고정 설치하여, 홀더 기판(H)을 이용하여 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 접속체(70)를 위치시킬 수 있다. 여기서, 홀더 기판(H)의 흡착공(Bxh)은 접속체 공급기(120)의 흡입공(122)과 유사하게 형성되고, 접속체 공급기(120)의 케이싱(121)과 유사하게 홀더 기판(H)의 내부에서 압력이 조절 가능하게 형성되어, 흡착공(Bxh)에 부압이 인가될 수 있게 구성된다. On the other hand, unlike the configuration of Fig. 8D in which the connection body 70 is directly supplied onto the first substrate So1, as shown in Fig. 8E, the same as the first connection position Bx of the first substrate So1 The first substrate So1 is fixed to the holder 130 having the holder substrate H provided with the adsorption holes Bxh at the position Bxh aligned with the first substrate So1, The connector 70 can be positioned at the position Bx. Here, the suction holes Bxh of the holder substrate H are formed similarly to the suction holes 122 of the connector body feeder 120, and the suction holes Bxh of the holder substrate H are formed similarly to the casing 121 of the connector body feeder 120, ) So that a negative pressure can be applied to the adsorption holes Bxh.

도8e를 참조하면, 본 출원인에 의해 제안되어 특허등록된 대한민국 등록특허공보 제10-1141921호에 개시된 바와 유사하게, 접속체 저장통(80')이 전후 방향으로 가진(80v)하는 가진기(85) 상에 위치하여, 가진기(85)가 제1기판(So1)의 폭방향으로 배열된 이동 레일(12x)을 따라 왕복 이동(85x)하면서 접속체(70)를 홀더 기판(H) 상에 낙하시키면, 홀더 기판(H)을 거치하고 있는 거치 가진기(130)도 전후 방향으로 가진(130v)하면서, 낙하된 접속체(70)가 홀더 기판(H)의 상면을 따라 도8e를 기준으로 오른쪽으로 되튀면서 이동하고, 접속체(70)가 마스크(120)의 관통공(112)을 되튀면서 지나는 동안에 접속체(70)가 부압이 작용하는 홀더 기판(H)의 흡착공(Bxh)에 삽입되면서, 접속체(70)를 홀더 기판(H)의 흡착공(Bxh)에 삽입시킨다. 그 다음, 도8f에 도시된 바와 같이, 홀더 기판(H)의 흡착공(Bxh)에 부압이 인가된 상태로, 홀더 기판(H)을 제1기판(So1)의 상측으로 이동시켜 180도 반전시킨 후에, 홀더 기판(H)의 흡착공(Bxh)을 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 정렬시킨 후 홀더 기판(H)을 하방 이동(Hd)하고, 홀더 기판(H)의 압력 조절부(139)로 기판 내부의 압력을 대기압 또는 정압으로 조절하는 것에 의하여, 홀더 기판(H)의 흡착부(Bxh)에 위치하고 있던 접속체(70)를 제1기판(So1) 상으로 전사시킨다. 8E, similar to that disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1141921, which is proposed and patented by the applicant of the present invention, the connecting body reservoir 80 'has a vibrator 85v which vibrates in the forward and backward direction And the vibrator 85 is moved on the holder substrate H while reciprocating 85x along the moving rail 12x arranged in the width direction of the first substrate So1 The fallen contact body 70 is lifted along the upper surface of the holder substrate H with reference to Figure 8E while the holder shafts 130 holding the holder substrate H are also engaged with each other in the front- The connection member 70 is moved to the suction hole Bxh of the holder substrate H to which negative pressure acts while the connection member 70 passes over the through hole 112 of the mask 120 The connector 70 is inserted into the suction hole Bxh of the holder substrate H while being inserted. Next, as shown in FIG. 8F, the holder substrate H is moved to the upper side of the first substrate So1 in a state where a negative pressure is applied to the suction holes Bxh of the holder substrate H, The holder substrate H is moved downward (Hd) after the suction holes Bxh of the holder substrate H are aligned with the first connecting position Bx of the first substrate So1 and the holder substrate H By adjusting the pressure inside the substrate to the atmospheric pressure or the positive pressure by the pressure regulating section 139 of the holder substrate H on the first substrate So1 on the suction section Bxh of the holder substrate H, Lt; / RTI >

이와 같은 방식에 의해서도, 접속체(70)는 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 세워진 상태로 마운팅될 수도 있다. In this way, the connector 70 can also be mounted standing on the first connecting position Bx of the first substrate So1.

단계 5: 그리고 나서, 도9a 및 도9b에 도시된 바와 같이, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 세워진 상태로 마운팅된 접속체(70)의 상측에 블록 형태의 가압체(140)를 거치한다. Step 5 : Then, as shown in Figs. 9A and 9B, on the upper side of the contact member 70 mounted in a state of being erected in the first connecting position Bx of the first substrate So1, (140).

여기서, 가압체(140)는 접속체(70)를 하방으로 가압하여, 가압체(140)의 하단이 패이스트(55)의 내부에 충분히 침투할 수 있도록 한다. 여기서, 패이스트(55)의 내부에 충분히 침투한다 함은 이후에 행해지는 패이스트 용융에 의한 접속체 고정 단계(S160)에서 접속체(70)가 패이스트(55)를 매개로 제1기판(So1)에 고정될 수 있게 하는 정도로 패이스트(55) 상에 위치하는 것을 의미한다. Here, the pressing body 140 presses the connecting body 70 downward so that the lower end of the pressing body 140 can sufficiently penetrate the inside of the pest 55. Here, sufficient penetration into the inside of the paste 55 is performed by the following procedure. That is, in the connecting member fixing step S160 by subsequent paste melting, the connecting member 70 is connected to the first substrate (E.g., So1), as shown in Fig.

접속체(70)를 하방 가압하는 것은 가압체(140)에 추가적은 힘을 하방으로 도입하는 것에 의해 이루어질 수 있지만, 도9a 및 도9b에 도시된 바와 같이, 접속체(70)는 직경이 50㎛ 내지 150㎛로 매우 작으므로, 접속체(70)의 상측에 약간의 무게가 있는 가압체(140)를 올려두는 것에 의해서도 접속체(70)의 하단이 패이스트(55)의 내부로 충분히 침투하게 된다. 9A and 9B, the connecting body 70 has a diameter of 50 (mm), and the connecting body 70 has a diameter of 50 The lower end of the connecting member 70 can be sufficiently penetrated into the inside of the pest 55 by placing the pressing member 140 having a slight weight on the upper side of the connecting member 70. [ .

다만, 단계 5는 필요에 따라 제외될 수 있다. 예를 들어, 접속체(70)를 제1접속위치에 마운팅시키는 공정에서 접속체 하단부가 패이스트 내부에 충분히 침투되는 경우(예를 들어, 패이스트가 액상이어서 접속체(70)의 하단부가 패이스트 내에 침투되거나, 접속체(70)를 마운팅하는 과정에서 접속체(70)를 가압핀(126a)으로 충분히 하방 눌러주는 경우 등)에는 가압체(140)에 의해 접속체(70)를 하방 가압하는 공정은 생략될 수 있다. However, step 5 may be omitted as needed. For example, in the process of mounting the connector 70 in the first connecting position, when the lower end of the connector is sufficiently penetrated into the paste (for example, when the paste is liquid, Or when the connector 70 is sufficiently pressed downward by the pressing pin 126a in the process of mounting the connector 70 in the process of mounting the connector 70 in the vicinity of the connecting member 70), the pressing member 140 presses the connecting member 70 downward May be omitted.

한편, 도9a에 도시된 바와 같이, 제1기판(So1)의 상측에 배치되는 마스크(110)의 상면에 비하여 접속체(70)의 상단이 도면부호 'd'로 표시된 것 만큼 보다 상방 돌출된 경우에는, 가압체(140)의 저면은 평탄면으로 형성되어도 가압체(140)에 의하여 하방 가압하는 것이 가능하다. 그러나, 도9b에 도시된 바와 같이, 제1기판(So1)의 상측에 배치되는 마스크(110)의 상면에 비하여 접속체(70)의 상단이 도면부호 'd''로 표시된 것 만큼 보다 하방 돌출된 경우에는, 가압체(140)의 저면은 마스크(110)의 관통공(112)에 삽입되는 돌기(142)가 하방 돌출되어, 가압체(140)의 저면의 돌기(142)에 의해 접속체(70)를 하방 가압할 수 있다. 9A, the upper end of the connection body 70 is protruded upward by an amount greater than that indicated by reference numeral 'd', as compared with the upper surface of the mask 110 disposed on the upper side of the first substrate So1 The bottom surface of the pressing body 140 can be pressed downward by the pressing body 140 even if it is formed as a flat surface. However, as shown in FIG. 9B, the upper end of the connection body 70 is protruded downward as indicated by the reference numeral 'd' 'in comparison with the upper surface of the mask 110 disposed on the upper side of the first substrate So1 The protrusion 142 inserted into the through hole 112 of the mask 110 protrudes downward and the protrusion 142 of the bottom surface of the presser member 140 causes the protrusion 142 of the presser member 140 to protrude downward, (70) can be pressed downward.

여기서, 가압체(140)는 접속체(70)를 하방 가압하는 데 충분한 재료로 형성될 수 있으며, 금속재로 형성될 수도 있고, 석재(石材)로 형성될 수도 있으며, 그라파이트(graphite)로 형성될 수도 있다. Here, the pressing body 140 may be formed of a material sufficient to downwardly press the connecting body 70, may be formed of a metal material, may be made of stone, and may be formed of graphite It is possible.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제1기판(So1) 상에 마운팅되는 접속체(70)의 높이 편차가 있는 경우에도, 접속체(70)를 빠짐없이 하방 가압하기 위하여, 가압체(140)의 저면에는 탄성 변형이 가능한 탄성층(140a)이 5㎛ 내지 100㎛의 얇은 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 탄성층(140a)은 고무, 폴리우레탄 등의 재료나 점탄성 재료의 분말을 정해진 두께만큼 분사하여 코팅하여 형성될 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, even when there is a height deviation of the connecting body 70 mounted on the first substrate So1, An elastic layer 140a which can be elastically deformed may be formed to a thickness as small as 5 占 퐉 to 100 占 퐉. Here, the elastic layer 140a may be formed by spraying a material such as rubber, polyurethane or the like or a powder of viscoelastic material by a predetermined thickness.

단계 6: 그리고 나서, 레이저빔 조사기(150)로부터 레이저빔(150L)을 조사하여, 레이저빔(150L)의 출력 에너지가 패이스트(55)에 도달하여 패이스트(55)의 일부 이상을 용융시켜, 그 이후에 경화되는 패이스트(55)에 의하여 각 제1접속위치(Bx)에서의 접속체(77)를 제1기판(So1)에 패이스트(55)를 매개로 결합시킨다(S160). Step 6 : Then, the laser beam 150L is irradiated from the laser beam irradiator 150 so that the output energy of the laser beam 150L reaches the paste 55 to melt a part or more of the paste 55 The connection member 77 at each first connection position Bx is coupled to the first substrate So1 via the paste 55 by the paste 55 which is then cured at step S160.

이를 위하여, 도10a에 도시된 바와 같이, 레이저 발생기(G)에서 생성된 레이저빔을 레이저빔 조사기(150)로부터 가압체(140)에 조사하고, 가압체(140)를 통해 가압되고 있는 접속체(70)에 레이저빔(150L)의 에너지가 전달되어, 접속체(70)를 통해 전달된 에너지에 의해 패이스트(55)의 일부 이상이 용융되게 구성될 수 있다. 이 경우에는, 가압체(140)를 매개로 패이스트(55)까지 에너지가 전달되므로, 가압체(140)는 그라파이트로 형성되는 것이 바람직하다. 10A, the laser beam generated by the laser generator G is irradiated from the laser beam irradiator 150 to the pressing member 140, and the pressing member 140, which is pressed through the pressing member 140, The energy of the laser beam 150L may be transmitted to the optical fiber 70 so that at least a portion of the fiber 55 may be melted by the energy transmitted through the connector 70. [ In this case, since the energy is transmitted to the paste 55 via the pressing body 140, the pressing body 140 is preferably formed of graphite.

또한, 가압체(140)는 제1단위칩(U1)의 상측에 배치되므로, 가압체(140)에 레이저빔(150L)이 조사되면, 가압체(140)와 접촉하고 있는 접속체(70)를 통해 에너지가 제1기판(So1)으로 전달되므로, 제1기판(So1)에 실장되어 있는 소자(K)들에 전달되는 열량을 최소화하여 소자의 수명을 보장하는 이점을 얻을 수 있다. The pressing member 140 is disposed on the upper side of the first unit chip U1 so that when the pressing member 140 is irradiated with the laser beam 150L, the connecting member 70, which is in contact with the pressing member 140, Since energy is transferred to the first substrate So1, the amount of heat transferred to the devices K mounted on the first substrate So1 can be minimized to ensure the lifetime of the device.

이 뿐만 아니라, 가압체(140)에 의하여 접속체(70)가 하방 가압되고 있는 상태에서 레이저빔의 출력 에너지가 패이스트(55)에 전달되므로, 패이스트가 용융되기 시작하면 접속체(70)는 패이스트(55)의 내부로 파고 들면서, 접속체(70)와 패이스트(55)의 결합 깊이를 충분히 확보할 수 있는 효과도 얻을 수 있다. In addition, since the output energy of the laser beam is transmitted to the paste 55 in a state where the contact 70 is pressed downward by the presser 140, when the paste starts to melt, It is possible to obtain an effect of sufficiently securing the coupling depth of the connection body 70 and the pest 55 while digging into the inside of the pest 55.

그리고, 레이저 빔(150L)이 라인 형태의 라인 빔인 경우에는, 제1기판(So1)을 라인 빔이 1회 이동(150d)하는 것에 의해 패이스트(55)에 에너지를 공급하여 용융시키는 것이 가능하므로, 스폿 형태의 레이저빔이 접속체(70)에 하나하나 도달하게 조사하는 것에 비하여 공정 시간을 단축할 수 있을 뿐만 아니라, 라인 형태의 레이저빔(150L)이 조사되더라도 제1기판(So1)에 실장되어 있는 소자(K)에는 직접 조사되지 않고 그 위를 덮고 있는 가압체(140)에 의해 차단되므로, 라인빔(150L)에 의해 패이스트 용융에 소요되는 시간을 단축하면서도 소자(K)에 과도한 열이 전달되지 않게 할 수 있다.When the laser beam 150L is a line beam in the form of a line, it is possible to supply energy to the paste 55 by melting the first substrate So1 by moving the line beam once (150d) Not only the process time can be shortened as compared with the case where spot laser beams are irradiated to the connection member 70 one by one, and also, even if the laser beam 150L in the form of a line is irradiated, The time required for melting the paste by the line beam 150L is shortened and the element K is prevented from being excessively heated by the pressurizing member 140. [ Can not be transmitted.

한편, 제1기판(So1) 상에 소자(K)가 실장되지 않은 상태에서 접속체(70)를 결합 고정시키는 경우에는, 스폿 빔을 조사하는 대신 라인 빔을 조사하여, 공정 시간을 단축할 수도 있다.On the other hand, when the connection member 70 is engaged and fixed in a state in which the element K is not mounted on the first substrate So1, it is also possible to shorten the process time by irradiating a line beam instead of irradiating the spot beam have.

또한, 접속체(70)의 표면에는 니켈, 주석 중 어느 하나 이상의 성분이 포함된 도금층(74)이 전기 전도성이 높은 재료(72)의 표면에 형성된 경우에는, 레이저빔(150L)로부터 조사된 출력 에너지가 전달되면서 도금층이 용융되어 흘러내려(74d), 용융되어 흘러내린 도금층과 제1기판(So1)이 결합되면서, 제1기판(So1)과 접속체(70)가 보다 견고하게 결합되면서 전기 접속 특성이 확실하게 보장되는 효과도 얻을 수 있다. 여기서, 도금층(74)은 예를 들어 SAC305로 형성될 수 있다. When the plating layer 74 containing any one or more of nickel and tin is formed on the surface of the material 72 having high electrical conductivity on the surface of the connector 70, the output from the laser beam 150L The first substrate So1 and the connection member 70 are more firmly coupled while the plating layer is melted and flowed down along with the transfer of the energy 74d and melted and the plated layer flowing down is coupled with the first substrate So1, It is possible to obtain an effect that the characteristics are surely guaranteed. Here, the plating layer 74 may be formed of, for example, SAC305.

한편, 도10a에 도시된 바와 같이, 가압체(140)에 의해 접속체(70)가 하방으로 가압되고 있는 상태에서 레이저빔(150L)이 조사됨에 따라, 패이스트(55)의 일부가 용융되더라도 접속체(70)는 하방으로 가압되는 힘에 의해 패이스트(55)와 보다 깊은 깊이에 걸쳐 패이스트(55)에 삽입되어, 접속체(70)는 견고하게 제1기판(So1)에 결합 고정된다. On the other hand, as shown in Fig. 10A, even when a part of the paste 55 melts as the laser beam 150L is irradiated in a state in which the connector 70 is pressed downward by the pressing body 140 The connecting member 70 is inserted into the paste 55 at a deeper depth than the paste 55 by a force that is pressed downward so that the connecting member 70 is firmly fixed to the first substrate So1 do.

한편, 도10b에 도시된 바와 같이, 가압체(140)에 의해 접속체(70)가 하방 가압되면, 가압체(140)는 제거되고, 그 상태에서 레이저빔 조사기(150)로부터의 레이저빔(150L)이 접속체(70)의 상부에 직접 조사되게 구성될 수도 있다. 이 경우에도 마찬가지로, 접속체(70)에 도달한 레이저빔(150L)의 에너지는 접속체(70)의 도전성 재료 부분(72)을 통해 패이스트(55)로 전달되어 패이스트(55)의 일부 이상을 용융시키며, 동시에 접속체(70)의 표면에 형성된 도금층(74)이 용융되면서 흘러내려(74d), 용융된 도금층과 패이스트(55)가 함께 제1기판(So1)과 접속체(70)를 보다 견고하게 일체 결합되면서 전기 전도성이 보다 확실하게 확보된다. 10B, when the contact member 70 is pressed downward by the pressing member 140, the pressing member 140 is removed, and the laser beam from the laser beam irradiator 150 150L may be directly irradiated onto the upper portion of the connector 70. [ The energy of the laser beam 150L reaching the connector 70 is transferred to the paste 55 through the conductive material portion 72 of the connector 70 to form a part of the paste 55 The plated layer 74 formed on the surface of the connector 70 melts and flows down 74d so that the molten plated layer and the paste 55 together with the first substrate So1 and the connecting member 70 ) Are more firmly combined with each other, thereby ensuring the electrical conductivity more reliably.

도면에 도시되지 않았지만, 레이저빔(150L)이 직접 접속체(70)의 하단부나 패이스트(55)를 조사하여, 패이스트(55)의 일부 이상을 용융시켜 접속체(70)를 제1기판(So1)에 결합시킬 수도 있다.Although not shown in the drawing, the laser beam 150L irradiates the lower end of the connecting member 70 and the pest 55 to melt a part or more of the paste 55, (So1).

레이저빔 조사기(150)는 스폿의 폭은 0.3mm 내지 3mm로 형성하고 제1기판(So1)을 따라 0.1mm/sec 내지 100mm/sec의 속도로 이동하면서 레이저빔을 가압체(148) 또는 접속체(70)에 조사한다. 접속체(70)에 직접 레이저빔(150L)을 조사하는 경우에는, 기판(So1)에 탑재된 소자의 손상을 피하기 위하여 스폿 빔 형태로 조사하는 것이 바람직하며, 가압체(148)에 레이저빔(150L)을 조사하는 경우에는, 라인빔 형태로 넓은 영역에 걸쳐 조사하더라도 기판(So1)에 탑재된 소자의 열손상을 최소화할 수 있다. 가압체(148)에 조사하는 경우의 레이저빔(150L)의 출력은 접속체(70)에 직접 조사하는 경우의 레이저빔(150L)의 출력에 비하여 보다 크게 정해지며, 패이스트(55)에 도달하는 에너지에 의해 패이스트의 일부 이상이 용융될 수 있는 크기로 정해진다. The laser beam irradiator 150 forms the spot with a width of 0.3 mm to 3 mm and moves the laser beam along the first substrate So1 at a speed of 0.1 mm / sec to 100 mm / sec, (70). It is preferable to irradiate the contact body 70 with a laser beam 150L in the form of a spot beam in order to avoid damage to elements mounted on the substrate So1 and to irradiate the pressing body 148 with a laser beam 150L), it is possible to minimize thermal damage of the element mounted on the substrate So1 even when irradiated over a wide area in the form of a line beam. The output of the laser beam 150L in the case of irradiating the pressing body 148 is determined to be larger than the output of the laser beam 150L in the case of directly irradiating the connecting body 70, And the size of the portion of the paste can be melted.

접속체(70)가 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 결합되어 고정되면, 가압체(140)와 마스크(110)를 제1기판(So1)으로부터 제거한다. When the connection body 70 is fixedly coupled to the first connection position Bx of the first substrate So1, the pressing body 140 and the mask 110 are removed from the first substrate So1.

한편, 기판의 스태킹 과정에서 제1기판(So1)이 거치되는 거치대(190)에는 제1기판(So1)을 가열하는 열선(193)이 구비되어, 레이저빔(150L)에 의해 패이스트(55)가 가열되기에 앞서 미리 열선(193)에 의해 열(193q)을 전달받아 예비적으로 가열될 수 있다. 이에 의하여, 레이저 빔(150L)으로부터 전달되는 에너지의 양이 적더라도 접속체(70)를 결합시킬만큼 패이스트(55)를 용융시켜, 레이저 빔(150L)에 의한 패이스트(55)의 용융시간을 단축시킬 수도 있다. On the other hand, a heat ray 193 for heating the first substrate So1 is provided on the mount table 190 on which the first substrate So1 is mounted during the stacking process of the substrate, and the laser beam 150L is used to heat the paste 55, The heat 193q may be preheated by the heat 193 before it is heated. Thereby, even if the amount of energy transmitted from the laser beam 150L is small, the paste 55 is melted enough to engage the connector 70, and the melting time of the paste 55 by the laser beam 150L May be shortened.

단계 7: 그리고 나서, 도11a에 도시된 바와 같이, 제1기판(So1)에 접속체(70)가 제1접속위치(Bx)에서 허용 범위를 초과하여 뉘여지지 않고 세워진 자세로 정상적으로 결합되었는지 여부를 검사한다(S170). Step 7 : Then, as shown in Fig. 11A, whether or not the connection member 70 is normally coupled to the first substrate So1 in a standing posture beyond the allowable range at the first connection position Bx (S170).

이를 위하여, 제1기판(So1)으로부터 가압체(140)와 마스크(110)가 제거되면, 검사용 비전 카메라(170)를 제1기판(So1)의 상측에 위치시키고, 검사용 카메라(170)를 이용하여 제1기판(So1)의 상면을 촬영한다. 그리고 촬영된 사진 데이터는 제어부(180)로 전송된다. When the pressing body 140 and the mask 110 are removed from the first substrate So1, the inspection vision camera 170 is placed on the first substrate So1, The upper surface of the first substrate So1 is photographed. Then, the photographed image data is transmitted to the control unit 180.

제어부(180)는 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 접속체(70)가 세워진 자세로 빠짐없이 제1기판(So1)에 결합되었는지 여부를 기준으로 접속체(170)의 고정 상태의 정상 여부를 판정한다. The control unit 180 determines whether or not the connection member 70 is connected to the first substrate So1 without leaving the raised position in the first connecting position Bx of the first substrate So1, It is determined whether the fixed state is normal or not.

검사 결과, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)의 일부에서는 접속체(70)가 허용 범위보다 더 뉘여져있거나 누락된 것이 없어서 허용 기준에 부합하는 것으로 판정되면, 제1기판(So1)은 그 다음 공정을 행한다. As a result of the inspection, if it is determined that the connection member 70 is more or less than the permissible range in the first connection position Bx of the first substrate So1 and meets the tolerance standard, So1 perform the next step.

검사 결과, 허용 기준에 부합하지 않는 단위 칩(U1)이 있는 경우에는, 불량 단위 칩(U1)의 위치를 기억하여 추후 폐기 처리하는 정보로 활용할 수 있다. As a result of the inspection, if there is a unit chip U1 that does not meet the allowable criterion, the position of the defective unit chip U1 is stored and can be used as information to be discarded later.

또는, 판정된 불량 단위칩(U1)의 비정상적인 접속체(70)만을 교체할 수도 있다. 즉, 도11a에 도시된 바와 같이 해당 접속 위치(55')에 정상적인 접속체(70B)를 위치시키고, 도11b에 도시된 바와 같이 해당 접속 위치(55')에만 레이저빔(150L)을 스폿 빔 형태로 조사하여, 접속체(70B)를 제1기판(So1)에 고정시키는 재작업(rework) 공정을 행할 수 있다.Alternatively, it is also possible to replace only the abnormal connector 70 of the determined bad unit chip U1. That is, as shown in FIG. 11A, the normal connector 70B is positioned at the connection position 55 'and the laser beam 150L is irradiated only to the connection position 55' So that a rework process of fixing the connection body 70B to the first substrate So1 can be performed.

이와 같이, 접속체(70)를 제1기판(So1)에 고정시키는 공정을 리플로우 공정 대신에 레이저빔을 이용하여 패이스트(55)를 용융시킴에 따라, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)들 중에 불량 단위칩(U1)의 제1-1위치(Bx')에서 접속체(70)를 고정시키는 데 오류가 발생되더라도, 제1-1위치(Bx')에서만 접속체(70)를 교체하고 레이저 빔(150L)을 이용하여 교체된 접속체(70B)를 제1기판(So1)에 결합시키는 것에 의해 오류를 즉각적으로 현장에서 쉽게 보정할 수 있게 된다. As described above, the process of fixing the connection body 70 to the first substrate So1 is performed by melting the paste 55 using a laser beam in place of the reflow process, Even if an error occurs in fixing the connecting body 70 at the 1-1 position Bx 'of the defective unit chip U1 in the connecting positions Bx, It is possible to readily correct the error immediately in the field by replacing the first substrate So1 by replacing the contact 70 and replacing the connected body 70B with the first substrate So1 by using the laser beam 150L.

단계 8: 그리고 나서, 제1기판(So1)의 상측에 몰드층(M)을 형성한다. 여기서, 몰드층(M)은 소정의 분말 컴파운드를 이용하여 몰딩, 경화하는 과정을 거쳐 형성될 수 있다. 몰드층(M)의 적층 높이는 접속체(70A, 70B, 70C, 70D; 70)들 중에 가장 낮은 높이의 접속체(70C)가 모두 함몰되는 높이로 정해진다. Step 8 : Then, a mold layer M is formed on the first substrate So1. Here, the mold layer M may be formed through a process of molding and curing using a predetermined powder compound. The stack height of the mold layer M is set to a height at which all of the contacts 70C having the lowest height among the contacts 70A, 70B, 70C and 70D are recessed.

바람직하게는, 몰드층(M)의 적층 높이는 모든 접속체(70)의 상단보다 더 높은 높이로 정해지며, 도12에 도시된 바와 같이, 이에 의해 제1기판(So1)에 결합 고정된 접속체(70)는 모두 몰드층(M)에 의해 묻히게 된다. Preferably, the stack height of the mold layer M is set to a height higher than the upper end of all the connecting bodies 70, and as shown in Fig. 12, (70) are all buried by the mold layer (M).

그 다음, 도13에 도시된 바와 같이, 몰드층(M)의 상면을 연마기(160)로 평탄 연마하여, 모든 접속체(70)의 상단면이 몰드층(M)의 상면에 그 단면 형태 그대로 드러나도록 한다(S180). 이를 통해, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)에 결합되어 고정된 접속체(70)들 간에 높이 편차가 있더라도, 접속체(70)들의 높이가 모두 균일해지는 효과를 얻을 수 있다. 13, the upper surface of the mold layer M is flat-polished by the polisher 160 so that the upper surface of all the contact bodies 70 is formed on the upper surface of the mold layer M (S180). This makes it possible to obtain an effect that the height of the connecting bodies 70 is uniform even if there is a height deviation between the connecting bodies 70 fixedly coupled to the first connecting position Bx of the first substrate So1 .

단계 9: 그리고 나서, 도14에 도시된 바와 같이, 제1기판(So1)과 동일한 패턴의 단위칩(U2)들이 종횡으로 배열된 제2기판(So2)을 제1기판(So1)에 대하여 정렬시키고, 저면에 전기 전도성 연결재(예를 들어, 솔더볼(B2))가 형성된 제2기판(So2)을 제1기판(So1)에 적층시킨다(S190). Step 9 : Then, as shown in FIG. 14, the second substrate So2 in which the unit chips U2 having the same pattern as that of the first substrate So1 are arrayed in the vertical and horizontal directions is aligned with respect to the first substrate So1 And a second substrate So2 having an electrically conductive connecting material (for example, solder ball B2) formed on the bottom thereof is laminated on the first substrate So1 (S190).

이 때, 제2기판(So2)의 솔더볼(B2)은 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)와 정렬하는 제2접속위치(Bx2)의 저면에 배치되어, 제2기판(So2)이 제1기판(So1)에 정렬된 상태로 적층되면, 제2기판(So2)의 솔더볼(B2)은 제1기판(So1)에 고정되어 몰드층(M)의 상면(Sm)에 드러난 도전성 재료의 접속체(70)에 정확하게 접촉한 상태가 된다. At this time, the solder ball B2 of the second substrate So2 is disposed on the bottom surface of the second connecting position Bx2 aligned with the first connecting position Bx of the first substrate So1, The solder ball B2 of the second substrate So2 is fixed to the first substrate So1 so that the conductivity of the solder ball B2 on the upper surface Sm of the mold layer M So that it is in a state of being in contact with the connecting member 70 of the material accurately.

한편, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 제2기판(So2)의 저면에 전도성 연결재(B2)를 먼저 형성하는 대신에, 도면에 도시되지 않았지만, 제1기판(So1)의 몰드층(M) 상면에 드러난 접속체(70)의 표면에 플럭스를 도포하고, 도전성 연결재(미도시)를 접속체(70)의 플럭스에 위치시킨 후, 그 위에 제2기판(So2)을 적층하도록 구성될 수도 있다. 즉, 접속체(70)와 제2기판(So2)을 전기적으로 연결하는 도전성 연결재는 제1기판(So1)의 저면이나 접속체(70)의 상면에 위치시킬 수 있다.According to another embodiment of the present invention, instead of first forming the conductive connecting material B2 on the bottom surface of the second substrate So2, the mold layer M of the first substrate So1, The flux may be applied to the surface of the connection member 70 exposed on the upper surface, the conductive connection member (not shown) may be positioned on the flux of the connection member 70, and then the second substrate So2 may be laminated on the flux . That is, the conductive connecting material for electrically connecting the connecting body 70 and the second substrate So2 can be positioned on the bottom surface of the first substrate So1 or on the upper surface of the connecting body 70. [

그리고, 도전성 연결재는 도14에 도시된 바와 같이 구형 솔더볼(B2) 형태로 형성될 수 있지만, 그 형상은 구형으로 한정되지 아니하며, 다양한 형태로 형성될 수 있다. The conductive connecting material may be formed in the form of a spherical solder ball B2 as shown in FIG. 14, but the shape thereof is not limited to a spherical shape, and may be formed in various shapes.

단계 10: 그리고 나서, 도15에 도시된 바와 같이, 적층된 제1기판(So1)과 제2기판(So2)은 대략 200℃ 내지 350℃의 온도로 약 1분 내지 5분 동안 리플로우 공정을 거치는 것에 의하여, 제1기판(So1)의 접속체(70)와 제2기판(So2)의 솔더볼(B2)이 일체로 결합되어, 제1기판(So1)의 제1접속위치(Bx)와 제2기판(So2)의 제2접속위치(Bx2)가 전기적으로 접속된 상태를 유지하면서 상하로 적층된 상태가 된다. Step 10 : Then, as shown in Fig. 15, the laminated first and second substrates So1 and So2 are subjected to a reflow process at a temperature of about 200 DEG C to 350 DEG C for about 1 to 5 minutes The connecting member 70 of the first substrate So1 and the solder ball B2 of the second substrate So2 are integrally coupled to each other so that the first connecting position Bx of the first substrate So1, And the second connection positions Bx2 of the two substrates So2 are stacked vertically while maintaining the electrically connected state.

그 다음에, 적층된 제2기판(So2)의 상측에 추가적으로 기판이 적층될 수 있으며, 반도체 디바이스의 제조를 위하여 예정된 기판(So1, So2,...)이 모두 적층된 이후에는, 단위칩(U1, U2)의 경계를 절단하여 기판으로부터 반도체 디바이스를 분리한다. Subsequently, the substrate may be further stacked on the second substrate So2, and after the substrates So1, So2, ..., which are intended for the production of the semiconductor device, are all stacked, U1, U2) are cut off to separate the semiconductor device from the substrate.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법(S100)은, 단위칩(U1, U2)의 단위 기판(S1, S2) 상에 실장되는 소자의 높이가 150~300㎛ 이상이더라도, 도전성 재료의 접속체(70)를 레이저 빔에 의한 패이스트 용융에 의해 적층 기판에 결합시키는 것에 의하여, 공정 중에 접속체가 넘어지지 않고 제 위치에서 허용 범위 내에서 세워진 자세를 유지하면서 접속체(70)가 제1기판(So1)의 미리 정해진 제1접속위치(Bx)에 신뢰성있게 결합됨으로써, 전기 접속의 오류의 발생을 최소화하면서 스태킹 공정을 행하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.A method of manufacturing a semiconductor device (S100) according to an embodiment of the present invention configured as described above is characterized in that the height of a device mounted on the unit substrates (S1, S2) of the unit chips (U1, U2) The connection member 70 of the conductive material is bonded to the laminate substrate by paste melting by the laser beam so that the connection member does not fall over during the process and the connection member 70 are reliably coupled to the predetermined first connection position Bx of the first substrate So1, it is possible to obtain a favorable effect of performing the stacking process with minimizing the occurrence of errors in electrical connection.

무엇보다도, 본 발명은, 접속체(70)를 제1기판(So1)에 고정시키는 공정에 소요되는 시간이 짧아서 생산성이 높아지며, 접속체(70)가 제1기판(So1)에 보다 견고하게 고정되므로 수율이 높아지는 효과를 얻을 수 있다. Above all, the present invention is advantageous in that the time required for the step of fixing the connection member 70 to the first substrate So1 is short, the productivity is enhanced, and the connection member 70 is fixed more firmly to the first substrate So1 So that the effect of increasing the yield can be obtained.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. It will be understood that the present invention can be changed.

70: 접속체 74: 도금층
110: 마스크 112: 관통공
120: 접속체 공급기 130: 거치 가진기
140: 가압체 150: 레이저빔 조사기
170: 검사용 비젼 카메라 180: 제어부
M: 몰드층 So1: 제1기판
S1: 제1단위기판 U1: 제1단위칩
K: 소자70: connecting body 74: plated layer
110: mask 112: through-hole
120: connection body feeder 130: stationary
140: pressing body 150: laser beam irradiator
170: Vision camera for inspection 180:
M: mold layer So1: first substrate
S1: first unit substrate U1: first unit chip
K: element

Claims (28)

제1단위기판이 다수 배열된 제1기판을 준비하는 제1기판 준비단계와;
상기 제1단위기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계와;
상기 제1접속위치에 도전(導電)성 재료를 포함하는 기둥 형태의 접속체를 마운트하는 접속체 마운팅단계와;
상기 패이스트의 일부 이상을 용융시켜 상기 접속체를 상기 제1단위기판에 고정시키는 접속체 고정단계와;
상기 접속체가 묻히는 두께의 몰드층을 상기 제1기판상에 형성하는 몰드층 형성단계와;
상기 몰드층 형성단계 이후에, 상기 몰드층의 표면을 평탄하게 그라인딩하여 상기 접속체가 모두 동일한 높이로 상기 몰드층에 드러나게 하는 몰드층 그라인딩 단계와;
제2단위기판이 다수 배열된 제2기판을 준비하여, 상기 제1단위기판의 상측에 상기 제2단위기판이 하나씩 위치하고 상기 제1단위기판의 상기 제1접속위치와 상기 제2단위기판의 제2접속위치가 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속되도록 상기 제2기판을 상기 제1기판에 적층하는 제2기판 적층단계를;
포함하여 구성되어, 상기 제1단위기판과 상기 제2단위기판이 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속하는 반도체 디바이스를 제조하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
A first substrate preparation step of preparing a first substrate on which a plurality of first unit substrates are arranged;
A paste supplying step of supplying a paste to a plurality of predetermined first connection positions of the first unit substrate;
A connecting body mounting step of mounting a columnar connecting body including a conductive material in the first connecting position;
A connecting member fixing step of melting at least a part of the paste to fix the connecting member to the first unit substrate;
A mold layer forming step of forming a mold layer having a thickness at which the connection member is embedded on the first substrate;
A mold layer grinding step of grinding the surface of the mold layer smoothly after the mold layer forming step so that all of the contacts are exposed to the mold layer at the same height;
A second substrate having a plurality of second unit substrates arranged thereon, wherein the second unit substrates are positioned on the upper side of the first unit substrate, and the first connecting positions of the first unit substrate and the second unit substrate A second substrate stacking step of stacking the second substrate on the first substrate so that the second connection position is electrically connected by the connection body;
Wherein the first unit substrate and the second unit substrate are electrically connected to each other by the connection member.
제 1항에 있어서,
상기 접속체 마운팅단계는 상기 접속체가 세워진 상태로 상기 제1접속위치에 마운팅되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the connecting body mounting step is mounted in the first connecting position with the connecting body standing up.
제 2항에 있어서,
상기 접속체는 직경이 50㎛ 내지 150㎛으로 형성되고, 높이가 100㎛ 내지 500㎛으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the connecting member is formed to have a diameter of 50 mu m to 150 mu m and a height of 100 mu m to 500 mu m.
제 2항에 있어서,
상기 접속체는 은, 구리, 금, 알루미늄, 텅스텐, 철, 납 중 어느 하나 이상을 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the connection member is formed to include at least one of silver, copper, gold, aluminum, tungsten, iron, and lead.
제 2항에 있어서,
상기 접속체에는 주석, 니켈 중 어느 하나 이상의 성분이 포함된 도금층이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein a plating layer containing at least one of tin and nickel is formed on the connection body.
제 5항에 있어서,
상기 접속체 고정단계는, 상기 접속체의 상측에 레이저빔을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
6. The method of claim 5,
Wherein the connecting member fixing step irradiates a laser beam on the upper side of the connecting member.
제 2항에 있어서, 상기 접속체 마운팅 단계는,
상기 제1기판의 상기 제1접속위치와 정렬되는 위치에 흡입공이 형성된 접속체 공급기를 준비하는 공급기 준비단계와;
상기 접속체 공급기의 상기 흡입공에 상기 접속체를 하나씩 세워진 상태로 흡입 파지한 상태에서 상기 제1기판에 상기 접속체 공급기를 근접시키는 공급기 근접단계와;
상기 접속체 공급기의 상기 흡입공에 인가되어 있던 흡입압을 제거하는 것에 의해 상기 제1접속위치에 상기 접속체를 하나씩 마운팅시키는 흡입압 제거단계를;
포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method according to claim 2,
A feeder preparing step of preparing a contact body feeder in which a suction hole is formed at a position aligned with the first connecting position of the first substrate;
A feeder proximity step of bringing the contactor feeder into close contact with the first substrate in a state where the contactor is suction-gripped in a state where the contactor is erected one by one in the suction hole of the contactor feeder;
Removing the suction pressure applied to the suction hole of the connector body feeder, thereby mounting the connector body to the first connecting position one by one;
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
제 7항에 있어서,
상기 흡입압 제거단계가 행해지는 동안에, 상기 흡입공의 내부에 배치된 가압핀으로 상기 접속체를 밀어내는 접속체 가압단계가 함께 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
8. The method of claim 7,
And a connection step of pushing the connection member with a pressing pin disposed inside the suction hole is performed together with the connection member pressing step while the suction pressure removal step is performed.
제 2항에 있어서, 상기 접속체 마운팅단계 이전에,
상기 제1접속위치와 동일하게 분포된 정렬공이 형성된 마스크를 상기 제1기판 상에 위치시키는 마스크 배치단계를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method according to claim 2,
A mask disposing step of disposing a mask having an alignment hole distributed on the first substrate in the same manner as the first connection position;
≪ / RTI >
제 9항에 있어서, 상기 접속체 마운팅단계 이후에,
상기 마스크의 상기 정렬공을 관통하여 노출된 상기 접속체의 상면을 가압체로 접촉 가압하는 접속체 가압단계를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
10. The method according to claim 9, wherein after the connecting body mounting step,
A contact step of pressing the upper surface of the contact member exposed through the alignment hole of the mask with a pressing member;
≪ / RTI >
제 10항에 있어서,
상기 접속체 가압단계가 행해지고 있는 상태에서 레이저빔 조사에 의해 상기 접속체 고정단계가 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
11. The method of claim 10,
And the connecting member fixing step is performed by laser beam irradiation in a state in which the connection member pressing step is performed.
제 11항에 있어서,
상기 레이저빔은 상기 가압체에 조사되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the laser beam is irradiated onto the pressing body.
제 2항에 있어서, 상기 접속체 마운팅 단계는,
상기 제1기판의 상기 제1접속위치와 정렬되는 수용부에 부압이 작용할 수 있게 형성된 홀더 기판을 준비하는 홀더기판 준비단계와;
상기 홀더 기판의 표면으로 상기 접속체를 무작위로 낙하시키면서 상기 홀더 기판을 진동시켜 상기 접속체가 상기 홀더 기판의 판면에 대해 일방향으로 되튀면서 이동시키는 접속체 이동단계와;
상기 홀더 기판의 상기 수용부에 부압을 인가하여 상기 접속체가 상기 수용부에 안착되는 방식으로 상기 홀더 기판의 수용부에 상기 접속체를 안착시키는 접속체 안착단계와;
상기 홀더 기판의 상기 수용부에 수용된 상기 접속체를 상기 제1기판의 상기 제1접속위치에 전사시키는 접속체 전사단계를;
포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method according to claim 2,
A holder substrate preparation step of preparing a holder substrate formed in such a manner that a negative pressure can act on a receiving part aligned with the first connecting position of the first substrate;
A connecting member moving step of causing the connecting member to vibrate and move in one direction with respect to the plate surface of the holder substrate by vibrating the holder substrate while randomly dropping the connecting member onto the surface of the holder substrate;
A connecting member placing step of placing the connecting member in a receiving portion of the holder substrate in such a manner that a negative pressure is applied to the receiving portion of the holder substrate so that the connecting member is seated in the receiving portion;
A connecting body transferring step of transferring the connector housed in the accommodating portion of the holder substrate to the first connecting position of the first substrate;
Wherein the semiconductor device is a semiconductor device.
제 13항에 있어서,
상기 접속체 고정단계는, 상기 제1접속위치에 공급된 패이스트에 레이저빔을 조사하는 것에 의하여 상기 패이스트를 용융시키는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the connecting member fixing step melts the paste by irradiating a laser beam to the paste supplied to the first connecting position.
제 2항에 있어서,
상기 접속체 고정단계는, 상기 제1접속위치에 마운팅된 상기 접속체에 레이저빔을 조사하는 것에 의하여 상기 패이스트를 용융시키는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the connecting member fixing step melts the paste by irradiating a laser beam onto the connecting member mounted at the first connecting position.
제 2항에 있어서,
상기 접속체 고정단계는 상기 제1기판의 하측에서 상기 제1접속위치를 예비 가열하는 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the connecting member fixing step is performed in a state of preheating the first connecting position on the lower side of the first substrate.
제 1항에 있어서, 상기 접속체 고정단계 이후에,
상기 접속체의 고정 상태의 오류 여부를 검사하는 접속체 검사단계를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
2. The method of claim 1,
An inspection step of inspecting whether or not the fixed state of the connector is in error;
≪ / RTI >
제 17항에 있어서,
상기 접속체 검사단계에서 상기 접속체가 상기 제1접속위치에 정상적으로 안착되지 아니한 제1-1위치가 감지되면, 상기 제1-1위치에 접속체를 위치시키고 개별적으로 상기 패이스트를 용융시켜 고정시키는 재작업 단계를;
더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
18. The method of claim 17,
If a 1-1 position where the connection member is not properly seated in the first connection position is sensed in the contact member inspection step, the connector is positioned at the 1-1 position and the paste is melted and fixed individually Rework steps;
≪ / RTI >
제 18항에 있어서,
상기 재작업 단계에서 상기 제1-1위치에 패이스트를 용융시키는 공정은 레이저빔을 조사하는 것에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
19. The method of claim 18,
And the step of melting the paste in the 1-1 position in the reworking step is performed by irradiating a laser beam.
제 1항에 있어서,
상기 패이스트는 솔더 패이스트와, 플럭스 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the paste is at least one of a solder paste and a flux.
제 1항에 있어서,
상기 제1기판에 소자를 실장하는 공정은 상기 접속체 고정단계와 상기 제2기판 적층단계의 사이에 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of mounting the element on the first substrate is performed between the step of fixing the connection member and the step of laminating the second substrate.
제 1항에 있어서,
상기 제1기판에 소자를 실장하는 공정은 상기 패이스트 공급단계 이전에 미리 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of mounting the element on the first substrate is performed before the step of supplying the paste.
제 1항에 있어서,
상기 제1접속위치 마다 고정된 상기 접속체들 모두가 상기 몰드층에 묻히는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein all of the contacts fixed for each of the first connection positions are buried in the mold layer.
제 1항에 있어서,
상기 접속체와 접촉하는 도전성 연결재를 상기 제2기판의 제2접속위치의 저면에 위치시킨 상태로 상기 제2기판을 상기 제1기판의 상측에 적층하고, 적층된 상기 제1기판과 상기 제2기판에 대한 리플로우 공정을 거치는 것에 의해 상기 도전성 연결재와 상기 접속체가 일체화되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The second substrate is stacked on the upper side of the first substrate with the conductive connecting member in contact with the connecting member positioned on the bottom surface of the second connecting position of the second substrate, Wherein the conductive connection member and the connection member are integrated by passing through a reflow process on the substrate.
제 1항에 있어서, 상기 제2기판 적층단계는,
상기 접속체의 상측에 도전성 연결재를 위치시켜, 상기 도전성 연결재가 상기 몰드층의 상면보다 더 돌출되게 위치시킨 상태로 상기 제2기판을 상기 제1기판의 상측에 적층하고, 적층된 상기 제1기판과 상기 제2기판에 대한 리플로우 공정을 거치는 것에 의해 상기 도전성 연결재와 상기 접속체가 일체화되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 방법.
2. The method of claim 1, wherein the second substrate-
Placing the conductive connecting member on the upper side of the connecting member and stacking the second substrate on the upper side of the first substrate with the conductive connecting member positioned so as to protrude more than the upper surface of the mold layer, And the reflow process is performed on the second substrate to integrate the conductive connecting member and the connecting member.
제1단위기판이 다수 배열된 제1기판과;
상기 제1단위기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 공급되는 패이스트와;
상기 제1접속위치에 마운트되되, 상기 패이스트의 일부 이상을 용융시켜 상기 제1단위기판에 고정되며, 도전(導電)성 재료를 포함하는 기둥 형태의 접속체와;
상기 접속체가 모두 드러나도록 상기 제1기판상에 형성되는 몰드층과;
제2단위기판이 다수 배열되고, 상기 제1단위기판의 상측에 상기 제2단위기판이 하나씩 위치하고 상기 제1단위기판의 상기 제1접속위치와 상기 제2단위기판의 제2접속위치가 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속되도록 상기 제1기판에 적층되는 제2기판을; 포함하되,
상기 몰드층이 상기 접속체가 묻히는 두께로 상기 제1기판상에 형성된 후, 상기 몰드층의 표면을 평탄하게 그라인딩하여 상기 접속체가 모두 동일한 높이로 상기 몰드층에 외부로 드러나는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
A first substrate on which a plurality of first unit substrates are arranged;
A paste supplied to a plurality of predetermined first connection positions of the first unit substrate;
A columnar connection member mounted at the first connection position, the column-shaped connection member being fixed to the first unit substrate by melting at least a part of the paste, and including a conductive material;
A mold layer formed on the first substrate such that all of the contacts are exposed;
A plurality of second unit substrates are arranged, one of the second unit substrates is positioned on the upper side of the first unit substrate, and the first connecting position of the first unit substrate and the second connecting position of the second unit substrate are connected to the connection A second substrate laminated on the first substrate so as to be electrically connected by a sieve; Including,
Wherein the mold layer is formed on the first substrate to a thickness at which the contact body is buried, and then the surface of the mold layer is smoothly grinded so that the contact bodies are all exposed to the mold layer at the same height.
삭제delete 삭제delete
KR1020170139610A 2017-10-25 2017-10-25 Method of stacking substrates for semiconductor device KR101996910B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170139610A KR101996910B1 (en) 2017-10-25 2017-10-25 Method of stacking substrates for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170139610A KR101996910B1 (en) 2017-10-25 2017-10-25 Method of stacking substrates for semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170139879A Division KR102174080B1 (en) 2017-10-26 2017-10-26 Apparatus of manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190046251A KR20190046251A (en) 2019-05-07
KR101996910B1 true KR101996910B1 (en) 2019-07-05

Family

ID=66656207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170139610A KR101996910B1 (en) 2017-10-25 2017-10-25 Method of stacking substrates for semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101996910B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102463608B1 (en) * 2020-07-27 2022-11-04 주식회사 아큐레이저 The manufacturing apparatus for a pcb and the manufacturing mathod for a pcb

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123397A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Mitsubishi Electric Corp Method for manufacturing multilayer printed wiring board
KR101141921B1 (en) * 2011-09-09 2012-05-07 주식회사 고려반도체시스템 Method of positioning solder balls at patterned plural grooves and apparatus used therein
KR101371332B1 (en) * 2013-01-07 2014-03-10 주식회사 고려반도체시스템 Apparatus and method of dotting flux on plural solder balls attached on chip before stacking process
JP2016032033A (en) * 2014-07-29 2016-03-07 株式会社村田製作所 Method of manufacturing multilayer substrate

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5591941A (en) * 1993-10-28 1997-01-07 International Business Machines Corporation Solder ball interconnected assembly

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123397A (en) * 2003-10-16 2005-05-12 Mitsubishi Electric Corp Method for manufacturing multilayer printed wiring board
KR101141921B1 (en) * 2011-09-09 2012-05-07 주식회사 고려반도체시스템 Method of positioning solder balls at patterned plural grooves and apparatus used therein
KR101371332B1 (en) * 2013-01-07 2014-03-10 주식회사 고려반도체시스템 Apparatus and method of dotting flux on plural solder balls attached on chip before stacking process
JP2016032033A (en) * 2014-07-29 2016-03-07 株式会社村田製作所 Method of manufacturing multilayer substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190046251A (en) 2019-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6995469B2 (en) Semiconductor apparatus and fabricating method for the same
US7726546B2 (en) Bonding apparatus and bonding method
JP6691184B2 (en) Gang bonding process for assembling matrix of light emitting device
US6253992B1 (en) Solder ball placement fixtures and methods
US7654432B2 (en) Forming solder balls on substrates
US20060208041A1 (en) Forming solder balls on substrates
KR20190135285A (en) micro LED module and method for making the same
KR101879376B1 (en) Probe pin laser bonding device and method
JP4949281B2 (en) Manufacturing method of wiring board with components
KR20120016609A (en) Electronic component mounting system and electronic component mounting method
KR20180128411A (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2007005707A (en) Method and jig for jointing component
KR101996910B1 (en) Method of stacking substrates for semiconductor device
JP5160390B2 (en) Wiring board with lead pins and method for manufacturing the same
KR20190046274A (en) Method of stacking substrates for semiconductor device
KR101909109B1 (en) Method of stacking substrates for semiconductor device
CN109309011B (en) Columnar member mounting device and columnar member mounting method
JP5121621B2 (en) Substrate manufacturing method
JP2765190B2 (en) Flip chip bonding equipment
US20240014167A1 (en) Substrate holder and bonding system
WO2023203708A1 (en) Joining work machine
JP6776490B2 (en) Semiconductor inspection equipment and its manufacturing method
JPH08139096A (en) Electronic component, mounting of electronic component and electronic component mounting device
US20230238190A1 (en) Positioning jig assembly and positioning jig and positioning method for electronic component main body and attaching method to conveying jig
US10524361B2 (en) Electronic component-embedded substrate and electronic component device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant