KR101985751B1 - Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 지지장치를 제공한다. 본 발명의 기판 지지장치는 상면에 기판이 위치되며, 기판에 열을 분배하기 위한 복수의 영역을 갖는 지지판을 포함하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 제공되어 기판을 가열하는 가열 부재; 상기 기판 지지부재 및 상기 가열 부재를 감싸는 히터 하우징; 및 상기 복수의 영역들 간의 열전도를 최소화하기 위해 상기 복수개의 영역들의 경계부분에 제공되어 상기 복수의 영역들간에 전달되는 열을 상기 히터 하우징으로 전달되도록 하는 열전달 부재를 포함할 수 있다. The present invention provides a substrate supporting apparatus. A substrate supporting apparatus of the present invention includes: a substrate supporting member having a substrate on an upper surface thereof and including a support plate having a plurality of regions for distributing heat to the substrate; A heating member provided on the substrate supporting member to heat the substrate; A heater housing surrounding the substrate support member and the heating member; And a heat transfer member provided at a boundary portion of the plurality of regions to transfer heat transferred between the plurality of regions to the heater housing to minimize thermal conduction between the plurality of regions.

Description

기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법{Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus having the same,

본 발명은 기판을 지지하는 장치 및 이를 처리하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a device for supporting a substrate and a method of treating the same.

일반적으로 웨이퍼는 이온주입공정, 막 증착 공정, 확산 공정, 사진식각공정 등과 같은 다수의 공정들을 통해 제조되는데, 이러한 공정들 중에서 웨이퍼에 원하는 패턴을 형성하기 위한 사진식각공정은 식각이나 이온이 주입될 부위와 보호될 부위를 선택적으로 정의하기 위하여 소정의 패턴을 웨이퍼 위에 형성하는 것으로, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 떨어뜨린 후 고속으로 회전시켜 웨이퍼 위에 소정 두께로 포토레지스트 층이 형성되도록 하는 도포공정과, 포토레지스트 층이 형성된 웨이퍼와 마스크를 정렬시킨 후 자외선과 같은 빛이 마스트를 통해 웨이퍼 상의 포토레지스트 층에 조사되도록 하여 마스크 또는 레티클의 패턴이 웨이퍼에 옮겨지도록 하는 노광공정과, 노광공정이 완료된 포토레지스트 층을 현상하여 원하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 현상공정으로 이루어진다.Generally, a wafer is manufactured through a plurality of processes such as an ion implantation process, a film deposition process, a diffusion process, a photolithography process, and the like. Among these processes, a photolithography process for forming a desired pattern on a wafer is performed by etching A coating step of dropping a photoresist on a wafer and then rotating the wafer at a high speed to form a photoresist layer having a predetermined thickness on the wafer by forming a predetermined pattern on the wafer in order to selectively define a part to be protected, An exposure step of aligning the mask with the wafer on which the photoresist layer is formed and irradiating a light such as ultraviolet rays onto the photoresist layer on the wafer through the mast so that the pattern of the mask or reticle is transferred to the wafer; Layer is developed to form a desired photoresist pattern It comprises a developing step of forming.

또한, 사진식각공정에는 웨이퍼를 소정 온도하에서 굽는 베이킹 공정이 포함된다. 베이킹 공정으로는 도포공정이 이루어지기 전에 웨이퍼에 흡착된 수분을 제거하기 위한 프리 베이킹 공정과, 포토레지스트를 도포한 후 포토레지스트 층을 건조시켜 포토레지스트 층이 웨이퍼의 표면에 고착되게 하는 소프트 베이킹 공정과, 노광공정 후에 포토레지스트 층을 가열하는 노광 후 베이팅 단계와, 현상공정에 의해 형성된 패턴이 웨이퍼 상에 견고하게 부착되도록 하는 하드 베이킹 공정을 포함한다.The photolithography process includes a baking process for baking the wafer under a predetermined temperature. The baking process includes a pre-baking process for removing moisture adsorbed on the wafer before the application process, a soft baking process for applying the photoresist and drying the photoresist layer to fix the photoresist layer to the surface of the wafer An after-exposure baking step for heating the photoresist layer after the exposure step, and a hard baking step for firmly adhering the pattern formed by the development step to the wafer.

앞서 언급한 베이킹 공정을 수행하기 위한 베이크 장치는 한국공개특허 10-2005-0121913호에 개시되어 있는 바와 같이 웨이퍼가 얹혀져 웨이퍼를 가열하는 원판 형상의 히팅 플레이트와, 히팅 플레이트의 하측에 설치되며 열을 발생시켜 히팅 플레이트를 가열하는 히터를 포함한다.As described in Korean Patent Laid-Open No. 10-2005-0121913, the bake apparatus for performing the above-mentioned baking process includes a disk-shaped heating plate on which a wafer is placed to heat a wafer, And a heater for heating the heating plate.

이때, 히터는 히팅 플레이트가 전체적으로 고르게 가열될 수 있도록 하기 위하여 다수개가 원주방향으로 나란하게 배치되어, 각 히터들이 원주방향으로 소정 각도로 분할된 히팅 플레이트의 각 영역들을 개별적으로 가열할 수 있도록 되어 있다. At this time, a plurality of heaters are arranged in parallel in the circumferential direction so that the heating plates can be uniformly heated as a whole, so that each of the heaters can individually heat the respective regions of the heating plate divided at a predetermined angle in the circumferential direction .

한편, 최근에는 기판의 센터/미들 영역과 에지 영역(edge zone)의 온도차를 극대화(약 ± 20℃) 시키면서 이 극대화 영역이 에지 영역에서 발생할 수 있는 튜너블 컨셉(tunable concept)의 히터 개발이 요구되고 있다. In recent years, development of a tunable concept heater which can occur in the edge region with maximization (about ± 20 ° C) of the center / middle region and the edge zone of the substrate is required .

그러나, 도 1 및 도 2에서와 같이 센터/미들 영역(P1)과 에지 영역(P2)을 서로 다른 온도로 제어하고자 할 때 히팅 플레이트의 열전도에 의해 각 영역의 경계구간에서 열간섭이 발생하게 되면서 각 영역에서의 온도가 목표한 온도로 제어되지 않는 문제점이 발생하고 있다. However, when the center / middle region P1 and the edge region P2 are controlled to have different temperatures as shown in FIGS. 1 and 2, thermal interference occurs in the boundary region of each region due to heat conduction of the heating plate There is a problem that the temperature in each region is not controlled to the target temperature.

한국공개특허 10-2005-0121913(2005.12.28)Korean Patent Publication No. 10-2005-0121913 (December 28, 2005)

본 발명의 일 과제는, 각 영역별 온도 간섭을 최소화할 수 있는 기판 지지체 및 이를 갖는 베이크 유닛을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate support and a bake unit having the substrate support that can minimize temperature interference for each region.

본 발명의 일 과제는 프로세싱 중에 기판을 원하는 온도로 가열할 수 있는 기판 지지체 및 이를 갖는 베이크 유닛을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a substrate support capable of heating a substrate to a desired temperature during processing and a bake unit having the same.

본 발명은 기판 상에 형성된 액막의 내측 두께 및 외측 두께를 서로 상이하게 조절하되, 균일한 내측 두께를 형성할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an apparatus and a method capable of forming a uniform inner thickness while controlling the inner thickness and the outer thickness of the liquid film formed on the substrate to be different from each other.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.  The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상면에 기판이 위치되며, 기판에 열을 분배하기 위한 복수의 영역을 갖는 지지판을 포함하는 기판 지지부재; 상기 기판 지지부재에 제공되어 기판을 가열하는 가열 부재; 상기 기판 지지부재 및 상기 가열 부재를 감싸는 히터 하우징; 및 상기 복수의 영역들 간의 열전도를 최소화하기 위해 상기 복수개의 영역들의 경계부분에 제공되어 상기 복수의 영역들간에 전달되는 열을 상기 히터 하우징으로 전달되도록 하는 열전달 부재를 포함하는 기판 지지장치가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: a substrate support member having a substrate on an upper surface thereof and including a support plate having a plurality of regions for distributing heat to the substrate; A heating member provided on the substrate supporting member to heat the substrate; A heater housing surrounding the substrate support member and the heating member; And a heat transfer member provided at a boundary portion of the plurality of regions to transfer heat between the plurality of regions to the heater housing to minimize thermal conduction between the plurality of regions is provided .

또한, 상기 가열 부재는 상기 지지판의 복수의 영역들을 상이한 온도로 가열하되, 상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재와 상기 가열 부재는 서로 중첩되지 않도록 위치될 수 있다.In addition, the heating member may heat the plurality of regions of the support plate to different temperatures so that the heat transfer member and the heating member are not overlapped with each other when viewed from above.

또한, 상기 가열 부재는 상기 지지판의 제1영역을 제1온도로 가열하는 제1히터를 포함하되, 상기 지지판의 제2영역을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 가열하는 제2히터를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이일 수 있다.The heating member may include a second heater including a first heater for heating the first region of the support plate to a first temperature, the second heater heating the second region of the support plate to a second temperature different from the first temperature The heat transfer member may be between the first region and the second region when viewed from the top.

또한, 상기 제1영역은 상기 지지판의 중앙 영역을 포함하고, 상기 제2영역은 상기 지지판의 가장자리 영역을 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다.The first region may include a central region of the support plate and the second region may include an edge region of the support plate and the heat transfer member may be provided so as to surround the periphery of the first region when viewed from above .

또한, 상기 열전달 부재는 상단이 상기 지지판의 저면과 접촉되고, 하단이 상기 히터 하우징에 접촉될 수 있다.Further, the upper end of the heat transfer member may be in contact with the bottom surface of the support plate, and the lower end may be in contact with the heater housing.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 기판을 지지판에 안착시키고, 상기 지지판에 설치된 가열 부재가 상기 지지판을 통한 전도열로 상기 기판을 가열하되, 상기 지지판에는 기판의 복수 영역들 간에 온도 구배가 발생되도록 상기 전도열을 히터 하우징으로 제공하는 열전달 부재를 가지는 기판 처리 방법이 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: placing the substrate on a support plate, heating the substrate with conductive heat through the support plate, There can be provided a substrate processing method having a heat transfer member that provides the heat of conduction to the heater housing.

또한, 상기 가열 부재는 상기 기판의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 상기 기판의 가장자리 영역을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 가열할 수 있다.Further, the heating member may heat the central region of the substrate to a first temperature and heat the edge region of the substrate to a second temperature different from the first temperature.

또한, 상기 기판은 상기 중앙 영역 및 상기 가장자리 영역 사이에 위치되며, 상기 중앙 영역을 감싸도록 제공되는 온도 구배 영역을 가지고, 상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 온도 구배 영역과 중첩되게 위치될 수 있다.Also, the substrate may be positioned between the central region and the edge region and have a temperature gradient region provided to surround the central region, wherein the heat transfer member may be positioned over the temperature gradient region have.

또한, 상기 기판은 감광액에 의한 액막이 형성된 기판이고, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 높은 온도일 수 있다.The substrate may be a substrate on which a liquid film is formed by a photosensitive liquid, and the second temperature may be a temperature higher than the first temperature.

본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 상에 감광액막을 형성하는 도포 장치와; 기판 상에 형성된 감광액막을 가열 처리하는 가열 장치를 포함하되, 상기 가열 장치는, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 장치를 포함하되, 상기 기판 지지 장치는, 상면을 가지는 지지판을 포함하는 기판 지지 부재; 상기 지지판에 제공되어 기판을 가열하는 가열 부재; 상기 기판 지지부재 및 상기 가열 부재를 감싸는 히터 하우징; 및 상기 지지판의 일부 영역에서 상기 가열 부재로부터 상기 상면으로 제공되는 열의 전달량을 상기 히터 하우징으로 전달하는 열전달 부재를 가지는 기판 처리 설비가 제공될 수 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided an image forming apparatus comprising: a coating device for forming a photosensitive film on a substrate; And a heating device for heating the photosensitive film formed on the substrate, wherein the heating device includes: a chamber having a processing space for processing the substrate therein; And a substrate supporting device for supporting the substrate in the processing space, wherein the substrate supporting device comprises: a substrate supporting member including a supporting plate having an upper surface; A heating member provided on the support plate to heat the substrate; A heater housing surrounding the substrate support member and the heating member; And a heat transfer member for transferring a heat transfer amount of heat provided from the heating member to the upper surface in a partial region of the support plate to the heater housing.

또한, 상기 가열 부재는 상기 지지판의 제1영역을 제1온도로 가열하는 제1히터; 및 상기 지지판의 제2영역을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 가열하는 제2히터를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이일 수 있다.The heating member may include a first heater for heating the first region of the support plate to a first temperature; And a second heater for heating the second region of the support plate to a second temperature that is different from the first temperature, wherein the heat transfer member may be between the first region and the second region when viewed from the top.

또한, 상기 제1영역은 상기 지지판의 중앙 영역을 포함하고, 상기 제2영역은 상기 지지판의 가장자리 영역을 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다.The first region may include a central region of the support plate and the second region may include an edge region of the support plate and the heat transfer member may be provided so as to surround the periphery of the first region when viewed from above .

또한, 상기 제2온도는 상기 제1온도보다 높은 온도일 수 있다.Also, the second temperature may be a temperature higher than the first temperature.

본 발명의 실시예에 의하면, 제1온도로 가열되는 지지판의 중앙 영역과 제2온도로 가열되는 가장자리 영역 사이에는 열전달 부재가 제공된다. 열전달 부재는 중앙 영역과 가장자리 영역의 경계구간에서의 온도 간섭을 최소화하여 각 영역별 온도 제어를 보다 정밀하게 제공할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention, a heat transfer member is provided between the central region of the support plate heated to the first temperature and the edge region heated to the second temperature. The heat transfer member minimizes the temperature interference in the boundary region between the central region and the edge region and has a remarkable effect of providing more precise temperature control for each region.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다
도 7은 도 3의 가열 장치를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 지지판 및 가열 부재를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 지지판 및 가열 부재의 제1실시예를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 지지판 및 가열 부재에 의해 가열된 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이다.
도 11은 도 9의 지지판의 다른 변형예를 보여주는 단면도이다.1 is a sectional view showing a general bake processing apparatus.
2 is a graph showing the temperature of each region of the substrate of FIG.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view of the facility of Fig. 3 viewed from the direction AA. Fig.
5 is a view of the equipment of Fig. 3 viewed from the BB direction.
Fig. 6 is a view of the facility of Fig. 3 viewed from the CC direction
FIG. 7 is a sectional view showing the heating device of FIG. 3; FIG.
8 is a plan view showing the support plate and heating member of Fig. 7;
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the support plate and heating member of Fig. 7;
Fig. 10 is a graph showing the temperature for each region of the substrate heated by the support plate and the heating member of Fig. 9; Fig.
11 is a cross-sectional view showing another modification of the support plate of Fig.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.

도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 3 to 6, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a first buffer module 300, a coating and developing module 400, a second buffer module 500 An exposure pre- and post-processing module 600, and an interface module 700. The load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module 700, Are sequentially arranged in one direction in a single direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the coating and developing module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 are referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 as viewed from above is referred to as a second direction 14 and a direction in which the first direction 12 and the second And a direction perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the cassette 20. At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a front open unified pod (FOUP) having a door at the front can be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 accommodating the substrates W is placed. A plurality of mounts 120 are provided, and the mounts 200 are arranged in a line along the second direction 14. [ In Fig. 2, four placement tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300. The index module 200 has a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is provided generally in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed within the frame 210. The index robot 220 is moved in the first direction 12, the second direction 14 and the third direction 16 so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, . The index robot 220 has a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. The arm 222 is provided with a stretchable structure and a rotatable structure. The support base 223 is disposed along the third direction 16 in the longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rails 230 are provided so that their longitudinal direction is arranged along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230. Further, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 has a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a first buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an inner rectangular parallelepiped and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer robot 360 are located within the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed in the third direction 16 from below. The second buffer 330 and the cooling chamber 350 are located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later and the coating and developing module 400 at a height corresponding to the developing module 402. [ The first buffer robot 360 is spaced apart from the second buffer 330, the cooling chamber 350 and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store a plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed within the housing 331 and are provided spaced apart from each other in the third direction 16. One substrate W is placed on each support 332. The housing 331 is constructed so that the index robot 220, the first buffer robot 360 and the developing robot 482 of the developing module 402 described later mount the substrate W on the support 332 in the housing 331 (Not shown) in the direction in which the index robot 220 is provided, in the direction in which the first buffer robot 360 is provided, and in the direction in which the developing robot 482 is provided, so that the developing robot 482 can carry it in or out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330. The housing 321 of the first buffer 320 has an opening in a direction in which the first buffer robot 360 is provided and in a direction in which the application unit robot 432 located in the application module 401 described later is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to one example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The first buffer robot 360 has a hand 361, an arm 362, and a support base 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable configuration so that the hand 361 is movable along the second direction 14. The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable along the support 363 in the third direction 16. The support base 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support member 363 may be provided longer in the upward or downward direction. The first buffer robot 360 may be provided so that the hand 361 is simply driven in two directions along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and a cooling means 353 for cooling the substrate W. [ As the cooling means 353, various methods such as cooling with cooling water and cooling using a thermoelectric element can be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is provided with an index robot 220 so that the developing robot 482 provided in the index robot 220 and a developing module 402 to be described later can carry the substrate W into or out of the cooling plate 352 (Not shown) in the direction provided and the direction in which the developing robot 482 is provided. Further, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the above-described opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and development module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 has a generally rectangular parallelepiped shape. The coating and developing module 400 has a coating module 401 and a developing module 402. The application module 401 and the development module 402 are arranged so as to be partitioned into layers with respect to each other. According to one example, the application module 401 is located on top of the development module 402.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photosensitive liquid such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling for the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application unit 410, a bake unit 420, and a transfer chamber 430. The resist application unit 410, the bake unit 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. [ The resist coating unit 410 and the bake unit 420 are positioned apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 therebetween. A plurality of resist coating units 410 are provided, and a plurality of resist coating units 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six resist application units 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. Alternatively, however, the bake unit 420 may be provided in more or less numbers.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12. In the transfer chamber 430, a dispenser robot 432 and a guide rail 433 are positioned. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The application unit robot 432 is connected to the bake units 420, the resist application units 400, the first buffer 320 of the first buffer module 300 and the first buffer unit 500 of the second buffer module 500 And transfers the substrate W between the cooling chambers 520. The guide rails 433 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The guide rails 433 guide the applying robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. The arm 435 is provided in a stretchable configuration so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided so that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. The arm 435 is coupled to the support 436 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist coating units 410 all have the same structure. However, the types of the sensitizing solution used in the respective resist coating units 410 may be different from each other. For example, a chemical amplification resist may be used as the sensitizing solution. The resist coating unit 410 applies the photosensitive liquid onto the substrate W. [ The resist coating unit 410 has a housing 411, a support plate 412, and a nozzle 413. The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. [ The support plate 412 is rotatably provided. The nozzle 413 supplies the sensitizing solution onto the substrate W placed on the support plate 412. The nozzle 413 has a circular tube shape and can supply the photosensitive liquid to the center of the substrate W. [ Alternatively, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the discharge port of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, the resist coating unit 410 may further be provided with a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photosensitive liquid is applied.

베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.The bake unit 800 heat-treats the substrate W. The bake unit 800 heat-treats the substrate W before and after applying the photosensitive liquid. The bake unit 800 can heat the substrate W to a predetermined temperature so as to change the surface properties of the substrate W before applying the photosensitive liquid and form a process liquid film such as an adhesive on the substrate W have. The bake unit 800 can heat-treat the photosensitive liquid film in a reduced-pressure atmosphere on the substrate W coated with the photosensitive liquid. The volatile substance contained in the photosensitive liquid film can be volatilized. In this embodiment, the bake unit 800 is described as a unit for performing the heat treatment on the photosensitive liquid film.

베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다. The bake unit 800 includes a cooling plate 820 and a heating unit 1000. The cooling plate 820 cools the substrate W heated by the heating unit 1000. The cooling plate 820 is provided in the shape of a circular plate. Inside the cooling plate 820, cooling means such as cooling water or a thermoelectric element are provided. For example, the substrate W placed on the cooling plate 820 may be cooled to a temperature equal to or close to ambient temperature.

가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(1000)은 기판(W)을 가열 처리하는 기판 가열 장치(1000)로 제공된다. The heating unit 1000 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at a normal pressure or lower. The heating unit 1000 is provided to the substrate heating apparatus 1000 for heating the substrate W. [

도 7은 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. Figure 7 is a cross-sectional view showing the heating unit of Figure 3;

도 7을 참조하면, 가열 유닛(1000)는 챔버(1100), 배기 유닛(1500), 그리고 기판 지지 장치(1200)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 7, the heating unit 1000 may include a chamber 1100, an exhaust unit 1500, and a substrate supporting apparatus 1200.

챔버(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-treating the substrate W therein. The processing space 1110 is provided with an outer and an interrupted space. The chamber 1100 includes an upper body 1120, a lower body 1140, and a sealing member 1160.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122) 및 주변홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기홀(1122)로 기능한다. 주변홀(1124)은 복수 개로 제공되며, 상부 바디(1120)의 중심을 벗어난 위치에 형성된다. 주변홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류가 유입되는 유입홀(1124)로 기능한다. 주변홀들(1124)은 중심홀(1122)을 감싸도록 위치된다. 주변홀들(1124)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1124)은 4 개일 수 있다. 외부의 기류는 에어일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with its bottom opened. A center hole 1122 and a peripheral hole 1124 are formed on the upper surface of the upper body 1120. The center hole 1122 is formed at the center of the upper body 1120. The center hole 1122 functions as an exhaust hole 1122 through which the atmosphere of the process space 1110 is exhausted. The peripheral holes 1124 are provided in a plurality of locations and are formed at positions deviated from the center of the upper body 1120. The peripheral holes 1124 function as an inlet hole 1124 through which the external air flows into the processing space 1110. The peripheral holes 1124 are positioned to surround the center hole 1122. The peripheral holes 1124 are spaced apart from each other along the circumferential direction. According to one example, the number of the peripheral holes 1124 may be four. The external air flow may be air.

선택적으로, 주변홀들(1124)은 3 개 또는 5 개 이상으로 제공될 수 있다. 또한 외부의 기류는 비활성 가스일 수 있다.Alternatively, the peripheral holes 1124 may be provided in three or more than five. The external airflow may also be an inert gas.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with its top opened. The lower body 1140 is positioned below the upper body 1120. [ The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned such that their central axes coincide with each other with respect to the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120. That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned opposite to the lower end of the upper body 1120.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(미도시됨)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(미도시됨)에 의해 개방 위치 및 차단 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the shutoff position by the lifting member (not shown), and the other is fixed in position. According to an example, the lower body 1140 is fixed in position, and the upper body 1120 can be moved between the open position and the shutoff position by a lift member (not shown). Here, the open position is a position where the processing space 1110 is opened by separating the upper body 1120 and the lower body 1140 from each other. The cutoff position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. A sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 seals a gap between the upper body 1120 and the lower body 1140. The sealing member 1160 may be an O-ring member 1160 having an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140.

배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1520) 감압 부재(1540), 그리고 대향판(1560)을 포함한다. 배기관(1520)은 양단이 개방된 관 형상으로 제공된다. 배기관(1520)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)에 고정 결합된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)의 중심홀(1122)에 관통되게 위치된다. 배기관(1520)은 하단을 포함하는 하부 영역이 처리 공간(1110)에 위치되고, 상단을 포함하는 상부 영역이 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 즉 배기관(1520)의 상단은 상부 바디(1120)보다 높게 위치된다. 배기관(1520)에는 감압 부재(1540)가 연결된다. 감압 부재(1540)는 배기관(1520)을 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)은 배기관(1520)을 통해 배기될 수 있다.The exhaust unit 1500 exhausts the processing space 1110. The exhaust unit 1500 includes an exhaust pipe 1520, a pressure-reducing member 1540, and an opposite plate 1560. The exhaust pipe 1520 is provided in a tubular shape with both open ends. The exhaust pipe 1520 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The exhaust pipe 1520 is fixedly coupled to the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 is positioned to penetrate the center hole 1122 of the upper body 1120. The exhaust pipe 1520 is located in the processing space 1110 with the lower region including the lower end and the upper region including the upper portion is located outside the processing space 1110. That is, the upper end of the exhaust pipe 1520 is positioned higher than the upper body 1120. A decompression member 1540 is connected to the exhaust pipe 1520. The decompression member 1540 decompresses the exhaust pipe 1520. Accordingly, the processing space 1110 can be exhausted through the exhaust pipe 1520.

대향판(1560)은 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 흐름 방향을 안내한다. 대향판(1560)은 처리 공간(1110)에서 기류의 흐름 방향을 안내한다. 대향판(1560)은 처리 공간(1110)에서 지지판(1320)의 상부에 위치된다. 대향판(1560)은 지지판(1320)와 마주보도록 위치된다. The opposite plate 1560 guides the flow direction of the airflow entering the processing space 1110. The opposite plate 1560 guides the flow direction of the airflow in the processing space 1110. The opposing plate 1560 is located above the support plate 1320 in the processing space 1110. The opposite plate (1560) is positioned to face the support plate (1320).

도 8은 도 7의 지지판 및 가열 부재를 보여주는 평면도이다. 도 9는 도 7의 지지판 및 가열 부재의 제1실시예를 보여주는 단면도이다. 8 is a plan view showing the support plate and heating member of Fig. 7; Fig. 9 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the support plate and heating member of Fig. 7;

도 7 내지 도 9를 참조하면, 기판 지지 장치(1200)는 기판 지지 부재(1300) 및 가열 부재(1400)를 포함한다. 기판 지지 부재(1300)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 부재(1300)는 히터 하우징(1202)에 고정 결합된다. 7 to 9, the substrate supporting apparatus 1200 includes a substrate supporting member 1300 and a heating member 1400. The substrate support member 1300 supports the substrate W in the process space 1110. The substrate support member 1300 is fixedly coupled to the heater housing 1202.

기판 지지 부재(1300)는 지지판(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 지지판(1320)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 지지판(1320)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지판(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 지지판(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 중앙 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 즉 지지판(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지판(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀(1322)은 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 지지판(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 지지판(1320)에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다. The substrate support member 1300 includes a support plate 1320 and a lift pin 1340. The support plate 1320 supports the substrate W in the processing space 1110. The support plate 1320 is provided in the shape of a circular plate. A substrate W is seated on the upper surface of the support plate 1320. The center area of the upper surface of the support plate 1320 including the center serves as a seating surface on which the substrate W is seated. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. [ A plurality of pin holes 1322 are formed on the seating surface of the support plate 1320. The pin holes 1322 are arranged to surround the center of the seating surface when viewed from above. Each of the pin holes 1322 is arranged to be spaced apart from each other along the circumferential direction. The pin holes 1322 are spaced at equal intervals from each other. Each pin hole 1322 is provided with a lift pin 1340. The lift pins 1340 are provided to move up and down. The lift pin 1340 lifts the substrate W from the support plate 1320 or places the substrate W on the support plate 1320. For example, pin holes 1322 may be provided in three.

또한 지지판(1320)에는 제1영역(A), 제2영역(B), 그리고 온도 간섭 방지 영역(C)을 가진다. 상부에서 바라볼 때 제1영역(A), 온도 간섭 방지 영역(C), 그리고 제2영역(B)은 서로 상이한 영역으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 지지판(1320)은 중심으로 멀어지는 방향으로 갈수록 순차적으로 배열되는 제1영역(A), 온도 간섭 방지 영역(C), 그리고 제2영역(B)을 가진다. 즉 온도 간섭 방지 영역(C)은 제1영역(A)을 감싸는 환형의 링 형상을 가지고, 제2영역(B)은 온도 간섭 방지 영역(C)을 감싸는 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 제1영역(A)은 지지판(1320)의 중앙 영역이고, 제2영역(B)은 지지판(1320)의 가장자리 영역일 수 있다. 온도 간섭 방지 영역(C)은 가열 부재(1400)로부터 안착면에 제공되는 열의 전달량을 제한할 수 있다. 온도 간섭 방지 영역(C)에는 열전달 부재(1360)가 제공될 수 있다. In addition, the support plate 1320 has a first region A, a second region B, and a temperature interference preventing region C. The first region A, the temperature interference preventing region C, and the second region B are provided in different regions when viewed from above. The support plate 1320 has a first region A, a temperature interference preventing region C, and a second region B, which are sequentially arranged in a direction away from the center. The temperature interference preventing region C may have an annular ring shape surrounding the first region A and the second region B may have an annular ring shape surrounding the temperature interference preventing region C. [ The first region A may be the central region of the support plate 1320 and the second region B may be the edge region of the support plate 1320. [ The temperature interference preventing region C can limit the amount of heat transmitted from the heating member 1400 to the seating surface. The temperature interference preventing region C may be provided with a heat transfer member 1360.

열전달 부재(1360)은 제1영역(A)과 제2영역(B) 간의 열전도를 최소화하기 위해 제1영역(A)에서 제2영역(B)으로 전달되는 열을 히터 하우징(1202)으로 전달되도록 한다. 열전달 부재(1360)의 수직 단면을 정면에서 바라볼 때 열전달 부재(1360)는 사각의 형상을 가질 수 있다. 열전달 부재(1360)는 열전도성이 우수한 재질로 이루어질 수 있다. 열전달 부재(1360)의 상단은 지지판의 저면과 접촉되고, 하단은 히터 하우징과 접촉된다. 열전달부재(1360))와 지지판(1320) 및 히터 하우징(1202)과의 접촉은 선,면,점 접촉을 모두 포함할 수 있다. The heat transfer member 1360 conveys heat transferred from the first region A to the second region B to the heater housing 1202 in order to minimize the heat conduction between the first region A and the second region B . When viewing the vertical cross-section of the heat transfer member 1360 from the front, the heat transfer member 1360 may have a square shape. The heat transfer member 1360 may be made of a material having excellent thermal conductivity. The upper end of the heat transfer member 1360 is in contact with the bottom surface of the support plate, and the lower end is in contact with the heater housing. The heat transfer member 1360) and the support plate 1320 and the heater housing 1202 may include both line, face, and point contact.

가열 부재(1400)는 지지판(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 부재(1400)는 지지판(1320)에 제공된다. 가열 부재(1400)는 제1히터(1420) 및 제2히터(1440)를 포함한다. The heating member 1400 heats the substrate W placed on the support plate 1320. The heating member 1400 is provided on the support plate 1320. [ The heating member 1400 includes a first heater 1420 and a second heater 1440.

도 8을 참조하면, 제1히터(1420) 및 제2히터(1440)는 지지판(1320)의 저면에 설치된다. 제1히터(1420) 및 제2히터(1440)는 동일 평면 상에 위치된다. 제1히터(1420) 및 제2히터(1440)는 지지판(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1400)에 대응되는 지지판(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1400)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 선택적으로 히터들(1400)은 지지판(1320)의 저면에 장착될 수 있다.Referring to FIG. 8, the first heater 1420 and the second heater 1440 are installed on the bottom surface of the support plate 1320. The first heater 1420 and the second heater 1440 are located on the same plane. The first heater 1420 and the second heater 1440 heat different regions of the support plate 1320. The areas of the support plate 1320 corresponding to the respective heaters 1400 as viewed from above can be provided in the heating zones. Each heater is independently adjustable in temperature. For example, the number of heating zones may be fifteen. The temperature of each heating zone is measured by a sensor (not shown). The heater 1400 may be a thermoelectric element or a hot wire. Optionally, the heaters 1400 may be mounted on the bottom of the support plate 1320.

도 10은 도 9의 지지판 및 가열 부재에 의해 가열된 기판의 영역 별 온도를 보여주는 그래프이다.Fig. 10 is a graph showing the temperature for each region of the substrate heated by the support plate and the heating member of Fig. 9; Fig.

도 9 및 도 10을 참조하면, 제1히터(1420)는 지지판(1320)의 제1영역(A)에 설치되고, 제2히터(1440)는 지지판(1320)의 제2영역(B)에 설치된다. 제1히터(1420)는 제1영역(A)을 제1온도(T1)로 가열하고, 제2히터(1440)는 제2영역(B)을 제2온도(T2)로 가열한다. 일 예에 의하면, 제2온도(T2)는 제1온도(T1)보다 높은 온도일 수 있다. 9 and 10, the first heater 1420 is installed in the first region A of the support plate 1320 and the second heater 1440 is installed in the second region B of the support plate 1320. [ Respectively. The first heater 1420 heats the first region A to the first temperature T1 and the second heater 1440 heats the second region B to the second temperature T2. According to one example, the second temperature T2 may be a temperature higher than the first temperature T1.

다음은 상술한 지지판(1320)의 영역들과 가열 부재(1400) 간에 위치 관계를 보다 자세히 설명한다. The following describes the positional relationship between the regions of the above-described support plate 1320 and the heating member 1400 in more detail.

상부에서 바라볼 때 온도 간섭 방지 영역(C)은 제1영역(A)과 제2영역(B) 사이에 위치된다. 온도 간섭 방지 영역(C)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 온도 간섭 방지 영역(C)은 제1영역(A)을 감싸는 링 형상으로 제공되고, 제2영역(B)은 온도 간섭 방지 영역(C)을 감싸는 영역으로 제공될 수 있다. 온도 간섭 방지 영역(C)에 형성되는 열전달 부재(1360)는 히터(1420,1440)로부터 지지판(1320)에 전도되는 전도열을 히터 하우징(1202)로 전달하는 기능을 한다. The temperature interference preventing region C is positioned between the first region A and the second region B when viewed from above. The temperature interference preventing region C may be provided in an annular ring shape. That is, the temperature interference preventing region C may be provided in a ring shape surrounding the first region A, and the second region B may be provided in a region surrounding the temperature interference preventing region C. The heat transfer member 1360 formed in the temperature interference preventing region C functions to transfer the conduction heat conducted from the heaters 1420 and 1440 to the support plate 1320 to the heater housing 1202.

지지판(1320)에 안착되는 기판(W)은 중앙 영역, 온도 구배 영역, 그리고 가장자리 영역을 가지도록 구분된다. 기판(W)의 중앙 영역은 지지판(1320)의 제1영역(A)과 마주한다. 기판(W)의 온도 구배 영역은 온도 간섭 방지 영역(C)과 마주한다. 기판(W)의 가장자리 영역은 제2영역(B)과 마주한다. 기판(W)은 제1히터(1420) 및 제2히터(1440)에 의해 각 영역이 가열되고, 온도 구배 영역에는 중앙 영역과 가장자리 영역에 온도 구배가 발생될 수 있다.The substrate W mounted on the support plate 1320 is divided into a central region, a temperature gradient region, and an edge region. The central region of the substrate W faces the first region A of the support plate 1320. [ The temperature gradient region of the substrate W faces the temperature interference preventing region C. The edge region of the substrate W faces the second region B. Each region of the substrate W is heated by the first heater 1420 and the second heater 1440, and a temperature gradient may be generated in the center region and the edge region in the temperature gradient region.

다음은 상술한 기판 가열 장치를 이용하여 기판(W)을 가열 처리하는 방법에 대해 설명한다. Next, a method of heating the substrate W using the above-described substrate heating apparatus will be described.

도 11을 참조하면, 지지판(1320)의 상면에 감광액막이 형성된 기판(W)이 안착되면, 처리 공간(1110)은 밀폐된다. 가열 부재(1400)는 지지판(1320)을 가열하고, 지지판(1320)을 통한 전도열에 의해 기판(W)을 가열 처리된다. 제1히터(1420)는 제1영역(A)은 제1온도(T1)로 가열하고, 제2히터(1440)는 제2영역(B)은 제1온도(T1)보다 높은 제2온도(T2)로 가열된다. 제1히터(1420)에 의한 제1온도(T1)는 지지판(1320)의 제1영역(A) 저면에서 제1영역(A) 상면으로 전도된다. 제2히터(1440)에 의한 제2온도(T2)는 지지판(1320)의 제2영역(B) 저면에서 제2영역(B) 상면으로 전도된다. 온도 간섭 방지 영역(C)은 제1온도(T1)가 제2영역(B) 상면으로 전도되는 것을 간섭하고, 제2온도(T2)가 제1영역(A) 상면으로 전도되는 것을 간섭한다. 다시 말해 열전달 부재(1360)에 의해 열손실을 발생되면서 급격한 온도 구배가 발생하게 되면서 종래 기술에 비해 온도 간섭 방지 영역(C)의 온도가 낮은 형태로 나타나게 된다. Referring to FIG. 11, when the substrate W on which the photosensitive liquid film is formed is placed on the upper surface of the support plate 1320, the processing space 1110 is sealed. The heating member 1400 heats the support plate 1320 and heats the substrate W by the conductive heat through the support plate 1320. The first heater 1420 heats the first region A to a first temperature T1 and the second heater 1440 heats the second region B to a second temperature T2. The first temperature T1 by the first heater 1420 is conducted to the upper surface of the first region A from the bottom surface of the first region A of the support plate 1320. [ The second temperature T2 by the second heater 1440 is conducted from the bottom surface of the second area B of the support plate 1320 to the top surface of the second area B. The temperature interference preventing region C interferes with the conduction of the first temperature T1 to the upper surface of the second region B and interferes with the conduction of the second temperature T2 to the upper surface of the first region A. [ In other words, heat loss is generated by the heat transfer member 1360, and a rapid temperature gradient occurs, so that the temperature of the temperature interference preventing region C becomes lower than that of the prior art.

이에 따라 기판(W)의 중앙 영역은 제1온도(T1)로 균일하게 가열되고, 기판(W)의 가장자리 영역은 제2온도(T2)로 균일하게 가열된다. 기판(W)의 온도 구배 영역은 기판(W)의 가장자리 영역에 가까워질수록 제1온도(T1)에서 제2온도(T2)에 가까워지게 가열된다. 예컨대, 제1온도(T1)는 400 ℃이고 제2온도(T2)는 420 ℃ 일 수 있다.The central region of the substrate W is uniformly heated to the first temperature T1 and the edge region of the substrate W is uniformly heated to the second temperature T2. The temperature gradient region of the substrate W is heated so as to approach the second temperature T2 at the first temperature T1 as it approaches the edge region of the substrate W. [ For example, the first temperature T1 may be 400 占 폚 and the second temperature T2 may be 420 占 폚.

이와 같이, 본 발명은 열전달 부재(1360)가 온도 간섭 방지 영역(C)에서 각 영역들간의 열 간섭을 최소화하고 열을 히터 하우징으로 전달함으로써 특정 영역의 온도가 이웃하는 영역의 온도에 영향을 미치는 것을 최소화할 수 있다.Thus, the present invention minimizes thermal interference between the regions in the temperature interference avoiding region C and conveys the heat to the heater housing, such that the temperature of the particular region affects the temperature of the neighboring regions Can be minimized.

도 11은 도 9의 지지판의 다른 변형예를 보여주는 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing another modification of the support plate of Fig.

도 11에서와 같이, 열전달 부재(1360a)는 히터 하우징(1202)으로의 열전달 효율을 높이기 위해 2개가 설치될 수 있다. As shown in FIG. 11, two heat transfer members 1360a may be installed in order to increase the heat transfer efficiency to the heater housing 1202. FIG.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

11100: 하우징 1120 : 기판 지지체
1122 : 지지 플레이트 1124 : 발열체
1130 : 온도 간섭 방지 부재 11100: housing 1120: substrate support
1122: Support plate 1124: Heating element
1130: Temperature interference prevention member

Claims (14)

상면에 기판이 위치되며, 기판에 열을 분배하기 위한 복수의 영역을 갖는 지지판을 포함하는 기판 지지부재;
상기 기판 지지부재에 제공되어 기판을 가열하는 가열 부재;
상기 기판 지지부재 및 상기 가열 부재를 부분적으로 감싸는 히터 하우징; 및
상기 복수의 영역들 간의 열전도를 최소화하기 위해 상기 복수개의 영역들의 경계부분에 제공되어 상기 복수의 영역들간에 전달되는 열을 상기 히터 하우징으로 전달되도록 하는 열전달 부재를 포함하되,
상기 복수의 영역은,
각각의 상기 복수의 영역을 가열하는 가열 부재의 위치에 따라 구분되고,
상기 열전달 부재는 상기 히터 하우징과 접촉되는 기판 지지 장치.A substrate support member having a substrate on an upper surface thereof and including a support plate having a plurality of regions for distributing heat to the substrate;
A heating member provided on the substrate supporting member to heat the substrate;
A heater housing partially surrounding the substrate support member and the heating member; And
And a heat transfer member provided at a boundary portion of the plurality of regions for transferring heat transferred between the plurality of regions to the heater housing to minimize thermal conduction between the plurality of regions,
Wherein the plurality of regions include:
The plurality of regions being divided according to the position of a heating member for heating each of the plurality of regions,
Wherein the heat transfer member is in contact with the heater housing. 제 1 항에 있어서,
상기 가열 부재는 상기 지지판의 복수의 영역들을 상이한 온도로 가열하되,
상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재와 상기 가열 부재는 서로 중첩되지 않도록 위치되는 기판 지지 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heating member heats a plurality of regions of the support plate to different temperatures,
Wherein the heat transfer member and the heating member are positioned so as not to overlap with each other when viewed from above. 제2항에 있어서,
상기 가열 부재는
상기 지지판의 제1영역을 제1온도로 가열하는 제1히터를 포함하되,
상기 지지판의 제2영역을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 가열하는 제2히터를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이인 기판 지지 장치.3. The method of claim 2,
The heating member
And a first heater for heating the first region of the support plate to a first temperature,
And a second heater for heating the second region of the support plate to a second temperature different from the first temperature,
Wherein the heat transfer member is between the first region and the second region when viewed from the top. 제3항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 지지판의 중앙 영역을 포함하고,
상기 제2영역은 상기 지지판의 가장자리 영역을 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역의 둘레를 감싸도록 제공되는 기판 지지 장치.The method of claim 3,
Wherein the first region comprises a central region of the support plate,
The second region including an edge region of the support plate,
Wherein the heat transfer member is provided to surround the periphery of the first region when viewed from above. 상면에 기판이 위치되며, 기판에 열을 분배하기 위한 복수의 영역을 갖는 지지판을 포함하는 기판 지지부재;
상기 기판 지지부재에 제공되어 기판을 가열하는 가열 부재;
상기 기판 지지부재 및 상기 가열 부재를 감싸는 히터 하우징; 및
상기 복수의 영역들 간의 열전도를 최소화하기 위해 상기 복수개의 영역들의 경계부분에 제공되어 상기 복수의 영역들간에 전달되는 열을 상기 히터 하우징으로 전달되도록 하는 열전달 부재를 포함하되,
상기 복수의 영역은,
각각의 상기 복수의 영역을 가열하는 가열 부재의 위치에 따라 구분되고,
상기 열전달 부재는,
상단이 상기 지지판의 저면과 접촉되고, 하단이 상기 히터 하우징에 접촉되는 기판 지지 장치.A substrate support member having a substrate on an upper surface thereof and including a support plate having a plurality of regions for distributing heat to the substrate;
A heating member provided on the substrate supporting member to heat the substrate;
A heater housing surrounding the substrate support member and the heating member; And
And a heat transfer member provided at a boundary portion of the plurality of regions for transferring heat transferred between the plurality of regions to the heater housing to minimize thermal conduction between the plurality of regions,
Wherein the plurality of regions include:
The plurality of regions being divided according to the position of a heating member for heating each of the plurality of regions,
The heat-
Wherein the upper end is in contact with the bottom surface of the support plate and the lower end is in contact with the heater housing. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 기판을 지지판에 안착시키고, 상기 지지판에 설치된 가열 부재가 상기 지지판을 통한 전도열로 상기 기판을 가열하되,
상기 지지판에는 기판의 복수 영역들 간에 온도 구배가 발생되도록 상기 전도열을 히터 하우징으로 제공하는 열전달 부재를 가지고,
상기 열전달 부재는, 상기 복수 영역들 간의 열전도를 최소화하기 위해 상기 복수 영역들의 경계부분에 제공되고,
상기 복수 영역은, 각각의 상기 복수 영역을 가열하는 상기 가열 부재의 위치에 따라 구분되고,
상기 열전달 부재는 상기 히터 하우징과 접촉되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
A heating member mounted on the support plate heats the substrate with conductive heat through the support plate,
The support plate having a heat transfer member for providing the conductive heat to the heater housing such that a temperature gradient is generated between a plurality of regions of the substrate,
Wherein the heat transfer member is provided at a boundary portion of the plurality of regions so as to minimize heat conduction between the plurality of regions,
Wherein the plurality of regions are divided according to positions of the heating members for heating the plurality of regions,
Wherein the heat transfer member is in contact with the heater housing. 제6항에 있어서
상기 가열 부재는 상기 기판의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 상기 기판의 가장자리 영역을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 가열하는 기판 처리 방법.The method of claim 6, wherein
Wherein the heating member heats the central region of the substrate to a first temperature and heats the edge region of the substrate to a second temperature that is different from the first temperature. 제7항에 있어서,
상기 기판은 상기 중앙 영역 및 상기 가장자리 영역 사이에 위치되며, 상기 중앙 영역을 감싸도록 제공되는 온도 구배 영역을 가지고,
상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 온도 구배 영역과 중첩되게 위치되는 기판 처리 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the substrate has a temperature gradient region located between the central region and the edge region and provided to surround the central region,
Wherein the heat transfer member is positioned to overlap the temperature gradient region when viewed from the top. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 기판은 감광액에 의한 액막이 형성된 기판이고,
상기 제2온도는 상기 제1온도보다 높은 온도인 기판 처리 방법.9. The method according to claim 7 or 8,
The substrate is a substrate on which a liquid film is formed by a photosensitive liquid,
Wherein the second temperature is higher than the first temperature. 기판 상에 감광액막을 형성하는 도포 장치와;
기판 상에 형성된 감광액막을 가열 처리하는 가열 장치를 포함하되,
상기 가열 장치는,
내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 장치를 포함하되,
상기 기판 지지 장치는,
상면을 가지는 지지판을 포함하는 기판 지지 부재;
상기 지지판에 제공되어 기판을 가열하는 가열 부재;
상기 기판 지지부재 및 상기 가열 부재를 부분적으로 감싸는 히터 하우징; 및
상기 지지판의 일부 영역에서 상기 가열 부재로부터 상기 상면으로 제공되는 열의 전달량을 상기 히터 하우징으로 전달하는 열전달 부재를 가지고,
상기 열전달 부재는 상기 히터 하우징과 접촉되는 기판 처리 설비.A coating apparatus for forming a photosensitive liquid film on a substrate;
And a heating device for heating the photosensitive film formed on the substrate,
The heating device includes:
A chamber having a processing space for processing a substrate therein;
And a substrate supporting apparatus for supporting the substrate in the processing space,
The substrate holding apparatus includes:
A substrate support member including a support plate having an upper surface;
A heating member provided on the support plate to heat the substrate;
A heater housing partially surrounding the substrate support member and the heating member; And
And a heat transfer member for transferring a heat transfer amount from the heating member to the upper surface in a part of the support plate to the heater housing,
Wherein the heat transfer member is in contact with the heater housing. 제10항에 있어서,
상기 가열 부재는
상기 지지판의 제1영역을 제1온도로 가열하는 제1히터; 및
상기 지지판의 제2영역을 상기 제1온도와 상이한 제2온도로 가열하는 제2히터를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이인 기판 처리 설비.11. The method of claim 10,
The heating member
A first heater for heating the first region of the support plate to a first temperature; And
And a second heater for heating the second region of the support plate to a second temperature different from the first temperature,
Wherein the heat transfer member is between the first region and the second region when viewed from the top. 제11항에 있어서,
상기 제1영역은 상기 지지판의 중앙 영역을 포함하고,
상기 제2영역은 상기 지지판의 가장자리 영역을 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 열전달 부재는 상기 제1영역의 둘레를 감싸도록 제공되는 기판 처리 설비.12. The method of claim 11,
Wherein the first region comprises a central region of the support plate,
The second region including an edge region of the support plate,
Wherein the heat transfer member is provided to surround the periphery of the first region when viewed from above. 제11항에 있어서,
상기 제2온도는 상기 제1온도보다 높은 온도인 기판 처리 설비.
12. The method of claim 11,
Wherein the second temperature is higher than the first temperature.
제1항에 있어서,
상기 히터 하우징은,
상기 기판 지지 부재의 둘레를 감싸는 측부와, 상기 측부로부터 연장되고 상기 가열 부재로부터 이격되게 상기 가열부재의 아래에 배치되는 저부를 포함하는 기판 지지 장치.
The method according to claim 1,
The heater housing includes:
A side portion surrounding the periphery of the substrate support member; and a bottom portion extending from the side portion and disposed below the heating member to be spaced apart from the heating member.
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