KR101971048B1 - Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판 상에 형성되는 유기발광소자; 상기 유기발광소자 상에 형성되고, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 형성되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 형성되고, 이물질이 봉지층 내부로 유입되는 것을 방지하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 식각 마스크층;을 포함하고, 상기 버퍼층 및 상기 봉지층은 식각 마스크층에 의해 식각되어 형성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, an organic light emitting display includes: an organic light emitting device formed on a substrate; An encapsulation layer formed on the organic light emitting element and having at least one inorganic layer and at least one organic layer alternately formed; A buffer layer formed on the sealing layer to prevent foreign matter from entering the sealing layer; And an etch mask layer formed on the buffer layer, wherein the buffer layer and the encapsulation layer are etched by an etch mask layer.

Description

유기전계발광표시장치 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent display device,

본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 능동형 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an active organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

가볍고 휴대성이 뛰어난 정보표시장치의 발달로 정보화 사회의 발달이 가속화되고 있다. 이미 얇은 평판표시장치(Flat Panel Display)의 대표주자인 액정표시장치가 상용화되어 음극선관 표시장치를 대체하였고, 차세대 평판표시장치로 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode Display)가 각광을 받고 있다. 유기전계발광표시장치는 액정표시장치에서 사용되는 백라이트와 같은 별도의 광원이 필요 없어 액정표시장치 대비 박형의 구현이 가능하고, 색재현율이 뛰어나 더 얇고 더 선명한 화질을 구현한다. 또한, 유기전계발광표시장치는 시야각이 넓고 대조비가 우수하며, 응답시간이 빠르고 소비전력이 낮은 장점이 있다.BACKGROUND ART [0002] The development of an information society has been accelerated due to the development of an information display device which is light and highly portable. A liquid crystal display device, which is a representative of a flat flat panel display, has been commercialized to replace a cathode ray tube display device, and an organic light emitting diode display has been spotlighted as a next generation flat panel display . The organic light emitting display device requires no separate light source such as a backlight used in a liquid crystal display device, so that it can be realized as thin as compared with a liquid crystal display device and has excellent color reproducibility, thereby realizing a thinner and clearer image. In addition, the organic light emitting display device has a wide viewing angle, excellent contrast ratio, fast response time, and low power consumption.

이와 같은 유기전계발광표시장치는 백라이트가 필요없는 자발광 소자이지만, 발광부가 유기물이기 때문에, 유기물의 손상을 방지하고 수명을 늘릴 수 있는 봉지 기술이 유기전계발광표시장치의 양산성 및 품질의 신뢰성을 확보할 수 있는 핵심 기술로 부상하고 있다.However, since the light emitting portion is an organic material, a sealing technique that prevents damage to the organic material and can increase the life span of the organic light emitting display device is superior in terms of mass productivity and reliability of the quality of the organic light emitting display device. It is emerging as a core technology that can be secured.

봉지층(encapsulation layer)은 유기물을 포함하는 유기발광소자 상부에 유기발광소자를 덮도록 형성되며, 일반적으로 하단 및 상단에 무기층이 형성되고, 그 사이에 유기층 및 무기층이 교대로 형성되는 다층 박막 구조를 갖는다. 이러한 다층 박막 봉지층(Thin Film Encapsulation, TFE)은 전 영역에서 두께가 균일하면 투습 및 이물에 의한 크랙(crack) 발생이 현저히 줄어들지만, 실제 제품에서는 많은 불량이 나타나고 있다.The encapsulation layer is formed to cover the organic light emitting device on the organic light emitting device including the organic material, and generally includes an inorganic layer formed on the lower and upper ends, and an organic layer and an inorganic layer alternately formed therebetween. Film structure. Thin film encapsulation (TFE) of such a multilayer thin film encapsulation (TFE) is remarkably reduced in moisture permeability and cracking due to foreign matter when the thickness is uniform throughout the whole area, but in actual products, there are many defects.

봉지층은 오픈 메탈 마스크(open metal mask)를 사용하여, 마스크의 오픈된 영역에 유기물 및 무기물을 증착법으로 증착하여 형성하는데, 가장자리 영역에서 상기 무기물과 유기물은 두께가 얇아지는 특성을 보인다. 특히, 가장자리 영역에서 유기물의 두께가 얇아지는 경우, 이물이 존재한다면 크랙이 발생하게 되고, 상기 크랙을 통해 습기와 공기가 침투하게 되어 봉지층은 물론 유기발광소자까지 손상을 입히게 된다.The sealing layer is formed by depositing an organic material and an inorganic material by an evaporation method in an open area of the mask using an open metal mask. The inorganic material and the organic material in the edge area are thinned. Particularly, when the thickness of the organic material in the edge region is reduced, cracks are generated in the presence of foreign matter, and moisture and air penetrate through the cracks, thereby damaging the sealing layer as well as the organic light emitting device.

또한, 봉지층을 다층으로 형성하기 때문에 다수의 마스크 공정을 수행하게 되어 공정 효율이 저하되고, 마스크 사용 시 마스크의 고정을 위해 마그넷(magnet)을 사용하게 되는데, 이때 발생하는 자기력에 의해 성막 균일도 및 두께 균일도가 저하되어 불량이 발생할 수 있다.
In addition, since the encapsulation layer is formed in multiple layers, a large number of mask processes are performed to lower the process efficiency. In the case of using the mask, a magnet is used for fixing the mask. The uniformity of the thickness is lowered and defects may occur.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 불량 및 손상이 줄어든 유기전계발광표시장치를 제공하는 것을 그 기술적 과제로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device with reduced defects and damage.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 유기전계발광표시장치는 기판 상에 형성되는 유기발광소자; 상기 유기발광소자 상에 형성되고, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 형성되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 형성되고, 이물질이 봉지층 내부로 유입되는 것을 방지하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 식각 마스크층;을 포함하고, 상기 버퍼층 및 상기 봉지층은 식각 마스크층에 의해 식각되어 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: an organic light emitting diode formed on a substrate; An encapsulation layer formed on the organic light emitting element and having at least one inorganic layer and at least one organic layer alternately formed; A buffer layer formed on the sealing layer to prevent foreign matter from entering the sealing layer; And an etch mask layer formed on the buffer layer, wherein the buffer layer and the encapsulation layer are etched by an etch mask layer.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 유기발광소자를 형성하는 단계; 상기 유기발광소자 상에 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 교대로 적층하여 봉지층을 형성하는 단계; 상기 봉지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 식각 마스크층을 형성한 후, 상기 식각 마스크층을 마스크로 사용하여 상기 버퍼층 및 상기 봉지층을 식각하는 단계;를 포함한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting display, including: forming an organic light emitting diode on a substrate; Forming an encapsulation layer by alternately laminating at least one inorganic layer and at least one organic layer on the organic light emitting element; Forming a buffer layer on the sealing layer; Forming an etch mask layer on the buffer layer, and etching the buffer layer and the encapsulation layer using the etch mask layer as a mask.

본 발명에 따르면, 봉지층 상에 식각 마스크층을 형성하여 식각 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, an etching mask layer is formed on the sealing layer to improve the etching accuracy.

또한, 본 발명에 따르면, 봉지층과 식각 마스크층 사이에 버퍼층을 형성하여, 봉지층의 건식 식각 시, 플라즈마 이온에 의한 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, a buffer layer is formed between the encapsulation layer and the etching mask layer, and damage caused by plasma ions can be prevented when the encapsulation layer is dry-etched.

또한, 본 발명에 따르면, 기판 상에 복수의 유기발광소자를 형성하고, 단일 봉지층을 기판 전면에 형성한 후, 한 번의 식각 공정을 통해 복수의 봉지층을 형성하여 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, a plurality of organic light emitting devices are formed on a substrate, a single sealing layer is formed on the entire surface of the substrate, and a plurality of sealing layers are formed through one etching process, There is an effect.

또한, 본 발명에 따르면, 무기층을 원자증착법으로 형성하여 기존의 오픈 마스크가 필요 없어, 오픈 마스크를 얼라인 시키기 위한 마그넷의 자성에 의한 무기층의 성막 균일도 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, since the inorganic layer is formed by atomic vapor deposition, the conventional open mask is not required, and there is an effect that the uniformity of the film formation of the inorganic layer due to the magnetism of the magnet for aligning the open mask can be prevented.

또한, 본 발명에 따르면, 유기층을 둘러싸는 무기층의 가장자리를 식각하여 봉지층을 형성함으로써, 무기층 및 유기층의 가장자리 영역의 두께 균일도를 높이고, 이로 인해 봉지층의 가장자리 영역에서 크랙 발생을 최소화할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, by forming the sealing layer by etching the edges of the inorganic layer surrounding the organic layer, the uniformity of the thickness of the edge regions of the inorganic layer and the organic layer can be increased and the occurrence of cracks in the edge region of the sealing layer can be minimized There is an effect that can be.

또한, 본 발명에 따르면, 봉지층의 가장자리 영역에서 크랙 발생을 최소화하여, 유기발광소자의 손상을 줄이고 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Further, according to the present invention, it is possible to minimize the occurrence of cracks in the edge region of the sealing layer, thereby reducing the damage of the organic light emitting element and improving the service life.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 중 식각 공정을 수행하기 전의 유기전계발광표시장치를 도시한 평면도;
도 3은 도 2에서 A-A` 방향으로 자른 절단면을 도시한 단면도; 및
도 4는 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 중 식각 공정을 수행한 후의 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly,
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cutting plane cut in the direction of AA 'in FIG. 2; FIG. And
4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device after performing an etching process in a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment.

이하, 첨부되는 도면들을 참고하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는, 기판(201), 유기발광소자(210), 봉지층(220), 버퍼층(230) 및 식각 마스크층(240)을 포함한다.1, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 201, an organic light emitting diode 210, an encapsulation layer 220, a buffer layer 230, and an etch mask layer 240).

먼저, 기판(201)은 유리 또는 플라스틱으로 형성된다. 플라스틱은 투명하거나 불투명할 수 있다. 플락스틱은 예를 들어, 폴리이미드(polyimide)를 비롯하여, 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone) 및 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET)일 수 있다.First, the substrate 201 is formed of glass or plastic. Plastics can be transparent or opaque. The flockstick can be, for example, polyimide, polyetherimide (PEI), polyethersulfone, and polyethyeleneterephthalate (PET).

다음으로, 유기발광소자(210)는 기판(201) 상에 형성된다. 유기발광소자(210)는 각 화소 마다 형성되는 발광 단위를 의미할 수도 있으나, 도 1에서는 하나의 제품에 장착될 수 있는 단위 패널을 의미한다. 유기발광소자(210)는 애노드 전극(미도시), 뱅크층(미도시), 유기 발광층(미도시), 캐소드 전극(미도시)을 포함할 수 있다.Next, the organic light emitting element 210 is formed on the substrate 201. [ The organic light emitting device 210 may be a light emitting unit formed for each pixel, but in FIG. 1, it means a unit panel that can be mounted on one product. The organic light emitting device 210 may include an anode electrode (not shown), a bank layer (not shown), an organic light emitting layer (not shown), and a cathode electrode (not shown).

먼저, 애노드 전극은 유기 발광층에 정공을 공급할 수 있도록, 일함수(work function)가 큰 물질로 형성된다. 예를 들면, 일함수가 높으면서, 전도성이 있는 전도성 산화물로 형성될 수 있다. 상기 전도성 산화물은 대부분 투명한 물질이며, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO) 및 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO) 등이 있다.First, the anode electrode is formed of a material having a large work function so as to supply holes to the organic light emitting layer. For example, it may be formed of a conductive oxide having a high work function and a conductive property. The conductive oxide is mostly transparent and includes, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO) .

애노드 전극은 하부로 박막트랜지스터(미도시)와 연결되고 유기 발광층과 연결되어, 박막트랜지스터로부터 유기 발광층에 정공을 공급한다. 상기 박막트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터(Driving Thin Film Transistor)일 수 있다.The anode electrode is connected to a thin film transistor (not shown) at the bottom and connected to the organic light emitting layer to supply holes from the thin film transistor to the organic light emitting layer. The thin film transistor may be a driving thin film transistor (TFT).

일반적으로 스캔 신호에 따라 입력된 데이터 신호의 영상 정보에 의해 발광하기 위해서는, 스위칭 박막 트랜지스터(Switchcing Thin Film Transistor) 및 구동 박막 트랜지스터(Driving Thin Film Transisotor)가 필요하다.In general, a switching thin film transistor and a driving thin film transistor are required to emit light by image information of a data signal inputted according to a scan signal.

스위칭 박막 트랜지스터에서는, 게이트 라인에서 연장되는 게이트 전극에 스캔 신호가 인가되면, 데이터 라인에서 연장되는 소스 전극으로부터 데이터 신호를 입력받아, 상기 데이터 신호를 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극로 전달한다.In a switching thin film transistor, when a scan signal is applied to a gate electrode extending in a gate line, a data signal is received from a source electrode extending in the data line, and the data signal is transferred to a gate electrode of the drive transistor.

구동 박막 트랜지스터에서는, 상기 전달받은 데이터 신호에 의해 전원라인을 통해 전달된 정공이 드레인 전극을 통해 애노드 전극으로 전달되며, 상기 정공에 의해 해당 화소의 유기 발광층의 발광을 제어하게 된다.In the driving thin film transistor, holes transferred through the power supply line are transferred to the anode electrode through the drain electrode by the transferred data signal, and the light emission of the organic light emitting layer of the pixel is controlled by the holes.

다음으로, 뱅크층은 애노드 전극 상에 형성된다. 뱅크층은 애노드 전극의 가장자리와 중첩되어 형성되며, 애노드 전극이 유기 발광층과 접하는 영역을 정의한다.Next, a bank layer is formed on the anode electrode. The bank layer overlaps with the edge of the anode electrode and defines an area in which the anode electrode contacts the organic light emitting layer.

다음으로, 유기 발광층이 애노드 전극 및 뱅크층 상에 형성된다. 유기 발광층은 단일 물질로 백색광을 방출할 수 있으며, 적색(red), 녹색(green) 및 청색(blue)을 발광하는 물질을 포함하여, 상기 세 물질에서 발광하는 빛이 혼합되어 백색광을 방출할 수도 있다.Next, an organic light emitting layer is formed on the anode electrode and the bank layer. The organic light emitting layer may emit white light as a single material and may include materials that emit red, green, and blue light so that light emitted from the three materials may be mixed to emit white light have.

다음으로, 캐소드 전극이 유기 발광층 상에 형성된다. 캐소드 전극은 상부 발광 방식에서 투명 혹은 반투명하게 형성되어 유기 발광층에서 발광한 광이 외부로 출사될 수 있다. 캐소드 전극은 모든 픽셀에 동일한 전압을 인가하기 때문에, 일종의 공통전극일 수 있다. 따라서, 패터닝되지 않고 기판 전면을 덮는 단일층으로 형성될 수 있다. 또한, 저항의 증가로 인한 구동 상의 문제를 방지하기 위해 캐소드 전극의 상부 또는 하부에 보조 전극을 연결하여 저항을 감소시킬 수 있다.Next, a cathode electrode is formed on the organic light emitting layer. The cathode electrode may be transparent or translucent in the top emission type, so that light emitted from the organic emission layer may be emitted to the outside. The cathode electrode may be a kind of common electrode because it applies the same voltage to all the pixels. Thus, it can be formed as a single layer that covers the entire surface of the substrate without being patterned. In order to prevent a driving problem due to an increase in resistance, an auxiliary electrode may be connected to an upper portion or a lower portion of the cathode electrode to reduce the resistance.

캐소드 전극은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 중 하나로 형성되거나, 이들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 그 외에 일함수가 낮은 금속 및 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 캐소드 전극은 광이 외부로 출사될 수 있게 하기 위하여, 박막으로 형성되며, 수백 옴스트롱(Å) 이하의 두께로 얇게 형성될 수 있다.The cathode electrode may be formed of one of silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), and copper (Cu), or may be formed of an alloy containing any one of them. . ≪ / RTI > In addition, the cathode electrode may be formed as a thin film to allow light to be emitted to the outside, and may be formed thin to a thickness of several hundreds of angstroms (A) or less.

다음으로, 봉지층(220)은 유기발광소자(210) 상에 형성된다. 봉지층(220)은 적어도 하나의 무기층(221)과 적어도 하나의 유기층(222)이 교대로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 유기발광소자(210) 상에 유기발광소자(210)를 덮도록 무기층(221)이 형성된다. 그리고, 상기 무기층(221) 상에 유기층(222)이 형성된다. 유기층(222)은 유기발광소자(210)과 대응되는 영역에 형성되며, 유기발광소자(210)보다 더 넓은 영역에 형성된다. 이후, 무기층(221)과 유기층(222)이 상기와 같이 교대로 반복하여 형성된다.Next, an encapsulating layer 220 is formed on the organic light emitting element 210. The sealing layer 220 may have at least one inorganic layer 221 and at least one organic layer 222 alternately formed. In more detail, the inorganic layer 221 is formed on the organic light emitting diode 210 so as to cover the organic light emitting diode 210. An organic layer 222 is formed on the inorganic layer 221. The organic layer 222 is formed in a region corresponding to the organic light emitting device 210 and is formed in a wider region than the organic light emitting device 210. Thereafter, the inorganic layer 221 and the organic layer 222 are alternately repeatedly formed as described above.

유기층(222)은 무기층(221)보다 습기, 공기 및 이물질에 의해 손상되기 쉽기 때문에, 무기층(221)이 유기층(222)을 둘러싸는 형식으로 구성된다. 따라서, 봉지층(220)의 상단에는 무기층(221)이 형성된다.Since the organic layer 222 is more likely to be damaged by moisture, air, and foreign matter than the inorganic layer 221, the inorganic layer 221 is configured to surround the organic layer 222. Therefore, the inorganic layer 221 is formed on the top of the sealing layer 220.

무기층(221)은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiO2, SiON, Ta2O5, HF03 GZO, IZO, ITO, WO3 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 무기층(221)은 상기 물질 중 하나가 스퍼터링법(sputtering)으로 형성될 수 있다. 그러나 스퍼터링법의 경우 하부 구조에 손상을 줄 수 있으며 투습 방지를 위해서 막의 두께가 두꺼울 수 있다. 그래서 상기 방법 대신, 무기층(221)은 원자증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)으로 형성될 수 있다. 원자증착법은 공정 중에 다른 구조물에 손상을 주지 않고, 보다 치밀한 박막을 형성할 수 있다는 이점이 있다. 따라서, 원자증착법으로 더 얇은 두께의 무기층(221)을 형성하여도, 스퍼터링법으로 형성한 무기층(221) 보다 투습 방지 효율이 오히려 더 높을 수 있다.The inorganic layer 221 may be formed of any one of Al2O3, TiO2, SiNx, SiO2, SiON, Ta2O5, HF03 GZO, IZO, ITO, and WO3. Also, the inorganic layer 221 may be formed by sputtering one of the above materials. However, the sputtering method may damage the substructure and the thickness of the membrane may be too thick to prevent moisture permeation. Thus, instead of the above method, the inorganic layer 221 may be formed by atomic layer deposition (ALD). The atomic deposition method has an advantage that it can form a dense thin film without damaging other structures during the process. Therefore, even when the inorganic layer 221 having a thinner thickness is formed by the atomic vapor deposition method, the moisture permeation prevention efficiency may be higher than that of the inorganic layer 221 formed by the sputtering method.

유기층(222)은 폴리머(polymer)로 형성될 수 있다. 또한, 유기층(222)은 예를 들어, 스크린 프린팅(screen printing) 방식으로 무기층(221) 상에 형성될 수 있다. 점도가 있는 액상 폴리머를 스크린 프린팅 방식으로 무기층(221) 상에 도포한 후, 약 120℃ 정도로 베이킹(baking)하면, 경화된 유기층(222)을 형성할 수 있다. 유기층(222)은 초반에 점도가 있는 액상 폴리머를 경화시켜 형성되기 때문에, 무기층(221) 상에 있는 이물을 평탄화시켜 크랙 발생을 최소화하는 역할을 한다. 유기층(222) 자체는 습기 및 공기에 노출될 시 손상되는 정도가 무기층(221)에 비해 심하지만, 상기와 같은 기능 때문에 봉지층(220)에 유기층(222)을 구비한다.The organic layer 222 may be formed of a polymer. In addition, the organic layer 222 may be formed on the inorganic layer 221 by, for example, a screen printing method. The cured organic layer 222 can be formed by applying a liquid polymer having a viscosity on the inorganic layer 221 by a screen printing method and then baking at about 120 ° C. Since the organic layer 222 is formed by curing a liquid polymer having a viscosity at an early stage, the organic layer 222 functions to flatten the foreign matter on the inorganic layer 221 to minimize the occurrence of cracks. The organic layer 222 itself is provided with an organic layer 222 in the encapsulation layer 220 because the organic layer 222 itself is severely damaged when exposed to moisture and air, compared to the inorganic layer 221.

다음으로, 버퍼층(230)은 봉지층(220) 상에 형성된다. 봉지층(220)의 상단에는 무기층(221)이 형성되기 때문에, 더 자세하게 버퍼층(230)은 봉지층(220)의 무기층(221) 상에 형성된다. 버퍼층(230)은 봉지층(220)의 건식 식각 중에, 플라즈마 이온에 의한 봉지층(220)의 손상을 방지하는 기능을 한다.Next, a buffer layer 230 is formed on the encapsulation layer 220. The buffer layer 230 is formed on the inorganic layer 221 of the sealing layer 220 in more detail because the inorganic layer 221 is formed at the upper end of the sealing layer 220. The buffer layer 230 functions to prevent the sealing layer 220 from being damaged by the plasma ion during the dry etching of the sealing layer 220.

상기와 같은 기능을 위해 버퍼층(230)은 상기 유기층(222)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 폴리머는 고분자 유기물로 플라즈마 이온을 투과시키지 않기 때문에 건식 식각 시, 봉지층(220)의 손상을 방지하는 버퍼층(230)으로 형성되기에 바람직하다.For the above function, the buffer layer 230 may be formed of the same material as the organic layer 222. Since the polymer is a polymer organic material, it is not necessary to transmit plasma ions, and therefore, it is preferable that the polymer layer 230 is formed of a buffer layer 230 for preventing damage to the sealing layer 220 during dry etching.

다음으로, 식각 마스크층(240)이 버퍼층(230) 상에 형성된다. 식각 마스크층(240)은 추후 진행될 건식 식각 및 습식 식각의 마스크로 사용할 수 있기 때문에, 건식 식각에서 사용되는 식각 가스 및 습식 식각에서 사용되는 식각액과 화학적 반응을 일으키지 않는 금속으로 형성될 수 있다.Next, an etch mask layer 240 is formed on the buffer layer 230. Since the etching mask layer 240 can be used as a mask for dry etching and wet etching to be performed in the future, the etching mask layer 240 can be formed of an etching gas used in a dry etching and a metal that does not cause a chemical reaction with an etching solution used in a wet etching.

별도의 마스크를 쓰지 않고 버퍼층(230) 상에 형성된 식각 마스크층(240)을 사용하여 식각 공정을 진행하기 때문에 마스크 얼라인이 필요없으며, 마스크를 얼라인 하기 위해 기판(201) 반대편에 마그넷(magnet)을 구비할 필요가 없다. 또한 고정 형성되어 있는 식각 마스크층(240)을 마스크로 이용하기 때문에, 보다 더 세밀하고 정교한 패터닝이 가능하게 되는 이점이 있다.Since the etching process is performed using the etching mask layer 240 formed on the buffer layer 230 without using a separate mask, a mask alignment is not necessary and a magnet (not shown) is formed on the opposite side of the substrate 201 to align the mask. ) Need not be provided. Further, since the etch mask layer 240 which is fixed and formed is used as a mask, there is an advantage that more detailed and precise patterning is possible.

식각 마스크층(240)은 식각 마스크로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 외부로부터 봉지층(220)을 밀폐하여 보호할 수 있다. 식각 마스크층(240)은 버퍼층(230) 상의 유기발광소자(210)와 대응되는 영역에 형성되며, 유기층(222)보다 넓고 무기층(221)보다 좁게 형성될 수 있다. 따라서, 식각 마스크층(240)을 마스크로 사용하여 봉지층(220)의 식각 공정을 진행하고 나면, 봉지층(220)이 외부로 노출되는 영역은 무기층(221)이 될 수 있다.The etching mask layer 240 can be used not only as an etching mask but also to protect the sealing layer 220 from the outside by sealing. The etch mask layer 240 may be formed in a region corresponding to the organic light emitting device 210 on the buffer layer 230 and may be formed to be wider than the organic layer 222 and narrower than the inorganic layer 221. Therefore, after the etching process of the sealing layer 220 is performed using the etching mask layer 240 as a mask, the region where the sealing layer 220 is exposed to the outside may be the inorganic layer 221.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 중 식각 공정을 수행하기 전의 유기전계발광표시장치를 도시한 평면도이다.FIG. 2 is a plan view showing an organic light emitting display device before an etching process in a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 평면도에 도시된 영역은 버퍼층(230) 및 식각 마스크층(240)이다.2, a region of the organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a buffer layer 230 and an etch mask layer 240.

식각 마스크층(240)에 의해 노출된 영역이 건식 식각 또는 습식 식각을 통해 식각되어 제거될 수 있다. 식각 마스크층(240)은 유기발광소자(210)와 대응되는 영역에 형성되며, 유기발광소자(210)를 충분히 덮을 정도로 형성되어 유기발광소자(210)의 일부가 식각되어 제거되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 식각 마스크층(240)은 봉지층(220)의 유기층(222)보다 더 넓게 형성되어, 식각 후 유기층(222)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다. 보다 더 자세한 적층구조를 도 3을 통해 설명하기로 한다.The regions exposed by the etch mask layer 240 may be etched away by dry etching or wet etching. The etching mask layer 240 is formed in a region corresponding to the organic light emitting device 210 and is formed to sufficiently cover the organic light emitting device 210 to prevent a part of the organic light emitting device 210 from being etched and removed. have. The etching mask layer 240 may be formed to be wider than the organic layer 222 of the sealing layer 220 to prevent the organic layer 222 from being exposed to the outside after etching. A more detailed laminate structure will now be described with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 중 식각 공정을 수행하기 전의 단면도로, 도 2에서 A-A` 방향으로 자른 면을 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view of a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, before cutting is performed, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는, 기판(201), 유기발광소자(210), 봉지층(220), 버퍼층(230) 및 식각 마스크층(240)를 포함한다. 특히, 식각 공정을 수행하기 전이므로, 복수의 유기발광소자(210)가 기판(201) 상에 형성되는 형상을 도시하고 있다.3, an organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 201, an organic light emitting diode 210, an encapsulation layer 220, a buffer layer 230, and an etch mask layer 240). Particularly, since the organic light emitting devices 210 are formed on the substrate 201 before the etching process, a plurality of organic light emitting devices 210 are formed on the substrate 201.

유기전계발광표시장치는 단일의 유기발광소자(210)가 별도로 제조될 수도 있지만, 도 3에서 도시된 바와 같이, 복수의 유기발광소자(210)가 동시에 기판(201) 상에 형성되어 제조될 수 있다. 본 발명은 식각 공정을 통해 봉지층(220)이 형성되기 때문에, 단일 식각 공정을 통해 복수의 유기발광소자(210)의 패널이 형성될 수 있는 이점이 있다.3, a plurality of organic light emitting devices 210 may be formed on the substrate 201 at the same time, as shown in FIG. 3, have. Since the sealing layer 220 is formed through the etching process, a panel of a plurality of organic light emitting devices 210 can be formed through a single etching process.

먼저, 기판(201) 상에 적어도 하나의 유기발광소자(210)를 형성한다. 유기발광소자(210)는 각 화소 마다 형성되는 발광 단위를 의미할 수도 있으나, 도 3에서는 하나의 제품에 장착될 수 있는 단위 패널을 의미한다.First, at least one organic light emitting device 210 is formed on a substrate 201. The organic light emitting diode 210 may be a light emitting unit formed for each pixel, but a unit panel may be mounted on one product in FIG.

기판(201) 상에 박막 트랜지스터(미도시)를 비롯한 구동 소자(미도시)를 형성하고 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 애노드 전극을 각 화소 별로 이격되게 형성한 후, 유기 발광층 및 캐소드 전극을 기판(201) 전면에 공통층으로 형성한다.A driving element (not shown) including a thin film transistor (not shown) is formed on the substrate 201, an anode electrode connected to the thin film transistor is formed to be spaced apart from each pixel, and then an organic light emitting layer and a cathode electrode are formed on the substrate 201 ) As a common layer.

다음으로, 유기발광소자(210) 상에 적어도 하나의 유기발광소자(210)를 모두 덮도록 봉지층(220)을 형성한다. 봉지층(220)은 기판(201) 전면에 공통으로 형성되며, 교대로 형성되는 무기층(221) 및 유기층(222)을 포함한다. 일단, 유기발광소자(210) 상에 무기층(221)을 스퍼터링법 또는 바람직하게는 원자증착법으로 형성한 후, 무기층(221) 상에 액상의 유기층(222) 형성 재료를 스크린 프린팅법으로 도포한 후, 약 120℃에서 베이킹하여 경화시킴으로써, 유기층(222)을 형성한다. 이후, 무기층(221) 및 유기층(222)을 반복하여 교대로 형성하고, 마지막으로 상단에 무기층(221)을 형성하여 봉지층(220) 형성 공정을 완료할 수 있다.Next, an encapsulation layer 220 is formed to cover at least one organic light emitting device 210 on the organic light emitting device 210. The sealing layer 220 is formed on the entire surface of the substrate 201 and includes an inorganic layer 221 and an organic layer 222 alternately formed. The inorganic layer 221 is first formed on the organic light emitting element 210 by sputtering or preferably by atomic vapor deposition and then the liquid organic layer 222 forming material is coated on the inorganic layer 221 by screen printing And then baked at about 120 DEG C for curing to form an organic layer 222. Then, Thereafter, the inorganic layer 221 and the organic layer 222 are alternately formed repeatedly, and finally, the inorganic layer 221 is formed on the top, thereby completing the process of forming the sealing layer 220.

다음으로, 봉지층(220) 상에 버퍼층(230)을 형성한다. 버퍼층(230)도 봉지층(220)과 마찬가지로 기판(201) 전면에 형성되어 적어도 하나의 유기발광소자(210)를 전부 덮을 수 있다. 버퍼층(230)은 예를 들어, 유기층(222)과 동일한 물질일 수 있다. 버퍼층(230)이 유기층(222)과 동일한 물질일 경우, 봉지층(220)의 상단에 위치한 무기층(221) 상에 액상의 폴리머가 스크린 프린팅법으로 도포된 후, 약 120℃에서 경화되어 형성될 수 있다. 버퍼층(230)은 봉지층(220) 상에 형성되어 추후 식각 마스크층(240)을 마스크로 사용하여 건식 식각 공정 수행 시, 플라즈마 이온에 의한 봉지층(220)의 손상을 방지할 수 있다.Next, a buffer layer 230 is formed on the encapsulation layer 220. The buffer layer 230 may be formed on the entire surface of the substrate 201 to cover at least one organic light emitting device 210 in the same manner as the sealing layer 220. The buffer layer 230 may be the same material as the organic layer 222, for example. When the buffer layer 230 is made of the same material as the organic layer 222, a liquid polymer is applied on the inorganic layer 221 located at the top of the sealing layer 220 by screen printing, . The buffer layer 230 is formed on the encapsulation layer 220 so that the encapsulation layer 220 can be prevented from being damaged by the plasma ion during the dry etching process using the etch mask layer 240 as a mask.

다음으로, 버퍼층(230) 상에 식각 마스크층(240)을 형성한다. 식각 마스크층(240)은 기판(201) 전면에 형성되지 않고, 유기발광소자(210)와 대응되는 영역에만 형성되어 추후 식각될 버퍼층(230)을 노출시킨다. 식각 마스크층(240)은 건식 식각에서 사용되는 식각 가스 및 습식 식각에서 사용되는 식각액과 화학적 반응을 일으키지 않는 금속으로 형성될 수 있다.Next, an etch mask layer 240 is formed on the buffer layer 230. The etch mask layer 240 is not formed on the entire surface of the substrate 201 but is formed only in a region corresponding to the organic light emitting device 210 to expose the buffer layer 230 to be etched later. The etch mask layer 240 may be formed of an etchant used in dry etching and a metal that does not cause a chemical reaction with the etchant used in wet etching.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 제조방법 중 식각 공정을 수행한 후의 유기전계발광표시장치를 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device after performing an etching process in a method of manufacturing an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는, 서로 이격된 유기발광소자(210) 사이 영역에서 식각된 봉지층(220)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the organic light emitting display according to an exemplary embodiment of the present invention includes an encapsulation layer 220 etched in a region between the organic light emitting devices 210 spaced from each other.

봉지층(220)을 식각하는 방법에는 건식 식각 및 습식 식각이 있다.Methods of etching the encapsulation layer 220 include dry etching and wet etching.

먼저, 건식 식각은 식각액을 사용하지 않고 식각 가스를 사용하는 방식이다. 식각 가스로는 BCl3, Cl2, HCl 및 HBr 등을 포함하는 그룹 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 도2 및 도 3에 도시된 상태의 유기전계발광표시장치를 상기 가스에 노출시켜, 먼저 버퍼층(230)이 식각되어 제거된 후, 제거된 버퍼층(230)에 의해 노출되는 봉지층(220)이 식각된다. 상기 제거된 버퍼층(230)에 의해 노출되는 봉지층(220)은 유기층(222)이 없는 무기층(221)만 있는 영역이다. 즉, 상기와 같이 기판(201) 전면에 형성되는 봉지층(220)의 무기층(221)을 각 유기발광소자(210) 별로 식각하여 봉지층(220)을 분리하기 때문에 무기층(221)의 두께 균일도를 향상시킬 수 있다. 무기층(221)의 두께 균일도가 높으면, 무기층(221)에 둘러싸여 있는 유기층(222)의 손상이 줄어들며, 이에 따라 봉지층(220)의 손상이 최소화되면, 유기발광소자(210)의 손상을 방지하여 수명을 향상시킬 수 있다.First, dry etching is a method of using an etching gas without using an etching solution. As the etching gas, any one of a group including BCl 3, Cl 2, HCl, and HBr may be used. 2 and 3 is exposed to the gas, the buffer layer 230 is first etched and removed, and then the encapsulation layer 220 exposed by the removed buffer layer 230 is removed from the organic light- Etched. The encapsulation layer 220 exposed by the removed buffer layer 230 is an area where only the inorganic layer 221 free of the organic layer 222 is present. That is, since the inorganic layer 221 of the sealing layer 220 formed on the entire surface of the substrate 201 is etched by the respective organic light emitting devices 210 to separate the sealing layer 220, The thickness uniformity can be improved. If the uniformity of the thickness of the inorganic layer 221 is high, the damage of the organic layer 222 surrounded by the inorganic layer 221 is reduced, and if the damage of the sealing layer 220 is minimized, And the lifetime can be improved.

다음으로 습식 식각은 식각액에 도2 및 도 3에 도시된 상태의 유기전계발광표시장치를 노출시켜 식각하는 방식이다. 식각액으로는 불산(HF) 계열 또는 수산화 칼륨(KOH) 등의 산성 또는 염기성 액체를 사용할 수 있다. 상기 식각액에 의해 식각 마스크층(240)에 의해 노출된 버퍼층(230)이 우선 제거된 후, 버퍼층(230)이 제거되어 노출된 봉지층(220)이 상기 식각액에 의해 식각된다. 건식 식각을 수행할 때와 마찬가지로 버퍼층(230)이 제거되어 노출된 봉지층(220)은 무기층(221)만 있는 영역이며, 습식 식각 후에 노출되는 봉지층(220)은 무기층(221)일 수 있다.Next, the wet etching is a method of exposing the organic electroluminescent display device in the state shown in FIG. 2 and FIG. 3 to the etching solution to etch. As the etching solution, an acidic or basic liquid such as hydrofluoric acid (HF) series or potassium hydroxide (KOH) can be used. After the buffer layer 230 exposed by the etching mask layer 240 is first removed by the etching solution, the buffer layer 230 is removed and the exposed sealing layer 220 is etched by the etching solution. As in the dry etching, the buffer layer 230 is removed, and the exposed encapsulation layer 220 is an area where only the inorganic layer 221 is present. The encapsulation layer 220 exposed after the wet etching is an inorganic layer 221 .

추가로, 봉지층(220)을 식각하는 방법에 식각 마스크층(240)을 사용하지 않고 포토 마스크를 사용할 수도 있다. 포토리소그래피법(photolithography)을 사용하면 식각 마스크층(240)을 형성하지 않아도 된다. 실제로, 식각 마스크층(240)을 사용하는 방식의 경우, 식각 마스크층(240)을 패터닝할 때, 포토 공정을 사용해야 하기 때문에 포토리소그래피법 대비 공정이 하나 추가되는 단점이 있으나, 식각 마스크층(240)은 추후 제거되지 않고 봉지층(220) 및 유기발광소자(210)의 보호막이 될 수 있다는 장점도 있다.In addition, a photomask can be used for etching the sealing layer 220 without using the etching mask layer 240. If the photolithography is used, the etching mask layer 240 may not be formed. In practice, in the case of using the etching mask layer 240, there is a disadvantage in that a photolithography process is added to the etching mask layer 240 because the photolithography process must be used when patterning the etching mask layer 240. However, May be a protecting layer of the sealing layer 220 and the organic light emitting diode 210 without being removed at a later stage.

먼저, 포토레지스트(photoresist)를 기판(201) 전면에 증착한 후, 노광 및 현상 공정을 거쳐 유기발광소자(210)와 대응되는 영역에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이후, 습식 식각을 이용하여 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 영역을 식각액을 이용하여 제거한다. 상기 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 버퍼층(230)이 먼저 제거되고, 그 다음에, 봉지층(220)의 무기층(221)이 식각되어 제거된다.First, a photoresist is deposited on the entire surface of the substrate 201, and a photoresist pattern is formed on a region corresponding to the organic light emitting device 210 through exposure and development processes. Thereafter, the region exposed by the photoresist pattern is removed by wet etching using an etchant. The buffer layer 230 exposed by the photoresist pattern is first removed and then the inorganic layer 221 of the sealing layer 220 is etched and removed.

다음으로, 상기 식각 공정이 완료된 이후, 식각 마스크층(240) 상에 봉지 기판(미도시)이 추가되어 봉지 구조를 마무리할 수 있으며, 기판(201)은 휠(wheel)을 사용하는 스크라이빙(scribing) 공정을 이용하여 각 유기발광소자(210) 별로 절단할 수 있다.Next, after the etching process is completed, a sealing substrate (not shown) may be added on the etching mask layer 240 to finish the sealing structure, and the substrate 201 may be scribed using a wheel, it is possible to cut each organic light emitting diode 210 using a scribing process.

상기 식각 공정을 통해 형성되는 봉지층(220)은 식각 마스크층(240)에서 기판(201) 쪽으로 갈수록 테이퍼 형상으로 형성될 수 있다. 봉지층(220)의 상부에서는 식각 마스크층(240)의 모양대로 식각이 되지만, 봉지층(220)의 하부로 갈수록 식각되는 정도가 저하되기 때문에 단면에서 봤을 때, 정테이퍼 형상, 또는 사다리꼴 모양의 봉지층(220)이 형성될 수 있다.The sealing layer 220 formed through the etching process may be tapered toward the substrate 201 from the etching mask layer 240. The upper part of the sealing layer 220 is etched according to the shape of the etching mask layer 240 but the degree of etching toward the lower part of the sealing layer 220 is lowered. An encapsulating layer 220 may be formed.

또한, 상기와 같이 기존의 오픈 마스크를 통한 증착을 통해 봉지층(220)의 무기층(221) 및 유기층(222)을 형성하는 대신, 복수의 유기발광소자(210)를 단일 기판(201)에 형성한 후, 기판(201) 전면에 무기층(221)을 더욱 치밀한 막의 형성이 가능한 원자 증착법을 통해 형성하고, 유기층(222)을 교대로 형성한 후, 상기 식각 마스크층(240) 또는 포토 마스크를 사용하여 각 유기발광소자(210)별로 봉지층(220)을 일괄 식각함으로써, 복수의 유기발광소자(210)의 봉지층(220)을 단일 공정을 통해 형성할 수 있다. 이로 인해, 공정의 효율성이 향상될 수 있다. Instead of forming the inorganic layer 221 and the organic layer 222 of the sealing layer 220 through the deposition using the conventional open mask as described above, a plurality of organic light emitting devices 210 may be formed on a single substrate 201 An inorganic layer 221 is formed on the entire surface of the substrate 201 through an atomic deposition method capable of forming a more dense film to alternately form the organic layer 222 and then the etching mask layer 240 or the photomask The encapsulation layer 220 of the plurality of organic light emitting devices 210 can be formed through a single process by collectively etching the encapsulation layer 220 for each of the organic light emitting devices 210. [ As a result, the efficiency of the process can be improved.

그리고, 기판(201) 전면에 형성된 무기층(221) 및 유기층(222)을 포함하는 봉지층(220)을 각 유기발광소자(210)별로 식각하기 때문에 무기층(221) 및 유기층(222)의 두께 균일도가 커져서, 크랙 발생을 최소화시킬 수 있을 뿐만 아니라 원자 증착법으로 형성되는 무기층(221)은 성막 균일도가 높아 외부로부의 습기, 공기 및 이물질을 확실히 차단할 수 있는 장점이 있다.Since the inorganic layer 221 formed on the entire surface of the substrate 201 and the encapsulation layer 220 including the organic layer 222 are etched for each of the organic light emitting devices 210, The uniformity of the thickness is increased and the occurrence of cracks can be minimized. In addition, the inorganic layer 221 formed by the atomic vapor deposition method has a high uniformity of film formation, so that it is possible to reliably block moisture, air and foreign substances from the outside.

또한, 유기층(222)은 유기발광소자(210)에 대응되는 영역에 형성되어야 하기 때문에, 유기층(222)의 형성 공정 시, 오픈 마스크가 필요하지만, 무기층(221)은 예를 들어, 원자 증착법으로 형성될 수 있기 때문에, 오픈 마스크가 필요 없다. 오픈 마스크는 기판(201)과 얼라인시키기 위해 마그넷이 기판(201) 반대편에 위치하게 되는데, 마그넷의 자성에 의해 무기층(221)의 성막 균일도가 저하되는 단점이 있다. 그러나 본 발명에서는 무기층(221) 형성 시, 오픈 마스크를 사용하지 않기 때문에 자성에 의한 성막 균일도 저하를 방지할 수 있다.Since the organic layer 222 must be formed in a region corresponding to the organic light emitting device 210, an open mask is required in the process of forming the organic layer 222, but the inorganic layer 221 may be formed by, The open mask is not necessary. The magnet is positioned on the opposite side of the substrate 201 in order to align the open mask with the substrate 201. The magnetism of the magnet has a disadvantage in that uniformity of film formation of the inorganic layer 221 is lowered. However, in the present invention, since the open mask is not used at the time of forming the inorganic layer 221, it is possible to prevent the film uniformity from being lowered due to the magnetic property.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

201: 기판 210: 유기발광소자
220: 봉지층 221: 무기층
222: 유기층 230: 버퍼층
240: 식각 마스크층201: substrate 210: organic light emitting element
220: sealing layer 221: inorganic layer
222: organic layer 230: buffer layer
240: etch mask layer

Claims (13)

기판 상에 형성되는 유기발광소자;
상기 유기발광소자 상에 형성되고, 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 형성되는 봉지층;
상기 봉지층 상에 형성되고, 이물질이 봉지층 내부로 유입되는 것을 방지하는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 배치되어 상기 봉지층을 보호하는 금속층을 포함하고,
상기 버퍼층 및 상기 봉지층은 상기 금속층에 의해 식각되어 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
An organic light emitting element formed on a substrate;
An encapsulation layer formed on the organic light emitting element and having at least one inorganic layer and at least one organic layer alternately formed;
A buffer layer formed on the sealing layer to prevent foreign matter from entering the sealing layer; And
And a metal layer disposed on the buffer layer to protect the sealing layer,
Wherein the buffer layer and the sealing layer are etched by the metal layer.
제 1 항에 있어서,
상기 유기층은 상기 유기발광소자를 덮으면서 상기 유기발광소자보다 더 넓게 형성되고, 상기 무기층은 상기 유기층을 덮으면서 상기 유기층보다 더 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the organic layer is formed to be wider than the organic light emitting device while covering the organic light emitting device, and the inorganic layer is formed to be wider than the organic layer while covering the organic layer.
제 1 항에 있어서,
상기 무기층은 Al2O3, TiO2, SiNx, SiO2, SiON, Ta2O5, GaNO, HF03 GZO, IZO, ITO, WO3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the inorganic layer comprises any one of Al 2 O 3, TiO 2, SiN x, SiO 2, SiON, Ta 2 O 5, GaNO, HFO 3 GZO, IZO, ITO and WO 3.
제 1 항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 유기층과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the buffer layer is the same material as the organic layer.
제 1 항에 있어서,
상기 봉지층은 상기 기판 방향으로 갈수록 상기 기판 방향과 수직인 방향의 폭이 증가하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a width of the sealing layer in a direction perpendicular to the substrate direction increases toward the substrate.
기판 상에 유기발광소자를 형성하는 단계;
상기 유기발광소자 상에 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층을 교대로 적층하여 봉지층을 형성하는 단계;
상기 봉지층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 버퍼층 상에 상기 봉지층을 보호하는 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층을 마스크로 사용하여 상기 버퍼층 및 상기 봉지층을 식각하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
Forming an organic light emitting element on a substrate;
Forming an encapsulation layer by alternately laminating at least one inorganic layer and at least one organic layer on the organic light emitting element;
Forming a buffer layer on the sealing layer;
Forming a metal layer on the buffer layer to protect the sealing layer; And
And etching the buffer layer and the sealing layer using the metal layer as a mask.
제 6 항에 있어서,
상기 무기층은 원자 증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
Wherein the inorganic layer is formed using an atomic deposition method.
제 6 항에 있어서,
상기 봉지층을 형성하는 단계는,
상기 유기층을 상기 유기발광소자와 대응되는 영역에 형성하는 단계; 및
상기 유기층을 덮도록 상기 유기층보다 더 넓은 영역에 상기 무기층을 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 무기층은 상기 유기층을 외부로부터 밀폐시키는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
The step of forming the sealing layer may include:
Forming the organic layer in a region corresponding to the organic light emitting device; And
And forming the inorganic layer in a region wider than the organic layer so as to cover the organic layer,
Wherein the inorganic layer closes the organic layer from the outside.
제 6 항에 있어서,
상기 봉지층을 식각하는 단계에서,
상기 봉지층 중 상기 금속층에 의해 노출되는 상기 무기층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
The method according to claim 6,
In the step of etching the encapsulating layer,
And etching the inorganic layer exposed by the metal layer in the encapsulation layer.
제 9 항에 있어서,
상기 무기층은 상기 금속층을 마스크로 사용하여 BCl3, Cl2, HCl, HBr 중 어느 하나를 포함하는 가스로 식각되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the inorganic layer is etched with a gas containing one of BCl 3, Cl 2, HCl and HBr using the metal layer as a mask.
제 10 항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 무기층이 식각될 때, 플라즈마 이온이 상기 봉지층 내부로 유입되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the buffer layer prevents plasma ions from flowing into the encapsulation layer when the inorganic layer is etched.
제 9 항에 있어서,
상기 무기층은 상기 금속층을 마스크로 사용하여 HF 계열의 식각액 및 KOH 중 어느 하나를 포함하는 식각액으로 식각되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the inorganic layer is etched with an etchant containing any one of an HF series etching solution and a KOH solution using the metal layer as a mask.
제 12항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 식각액이 상기 봉지층 내부로 유입되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법.13. The method of claim 12,
Wherein the buffer layer prevents the etchant from flowing into the encapsulation layer.
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