KR101961378B1 - 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈 및 이의 제조 방법 - Google Patents

스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈은 상부에 플레이트 형상의 플레이트 홈이 형성되는 베이스 패널, 상기 플레이트 홈과 동일한 형상을 가지며 상기 플레이트 홈에 배치되는 제1 스피커 층, 상기 제1 스피커 층 상에 배치되며 제1 물질을 포함하는 제2 스피커 층, 상기 제2 스피커 층 상에 배치되며, 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제3 스피커 층 및 상기 제3 스피커 층 상에 배치되며 상기 제1 물질을 포함하는 제4 스피커 층을 포함하는 스피커 플레이트 및 상기 스피커 플레이와 인접하게 배치되며 상기 제2 스피커 층과 동일한 층에 배치되는 제1 안테나 층, 상기 제1 안테나 층 상에 배치되며 상기 제2 물질을 포함하는 제2 안테나 층 및 상기 제2 안테나 층 상에 배치되며 상기 제1 물질을 포함하는 제3 안테나 층을 포함하는 안테나 패턴을 포함한다.

Description

스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈 및 이의 제조 방법{ANTENNA MODULE INTERGRATED SPEAKER PLATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도금 불안정 현상 및 도금 밸런스를 개선할 수 있는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
이동통신 서비스는 다양한 소비자의 욕구를 충족시키기 위해 나날이 고속화, 대용량 멀티미디어화 되어가고 있고, 이를 서비스하는 단말기의 기술 또한 부품의 일체화, 소형화 및 경량화 등 비약적인 대처를 하고 있다.
특히 단말기의 성능에 매우 중요한 비중을 차지하는 안테나는 사용의 편리성과 디자인적인 측면에 따라 단말기 내부에 실장하는 이른바 내장형 안테나(Intenna)가 요구됨과 아울러 이동통신 단말기의 경박화 추세에 따라 내장형 안테나와 이동통신 단말기의 스피커를 일체형으로 결합하여 모듈화한 구성의 안테나가 널리 사용되고 있다.
스피커 일체형 안테나는 여러가지 형태로 제조되고 있다. 그 중 스테인리스 강(SUS) 재질의 스피커 플레이트와 LDS 패턴의 안테나가 일체형으로 형성되는 스피커 일체형 안테나 모듈의 경우, 스테인리스 강 재질의 스피커 플레이트를 사출성형하고, 사출 성형된 사출물 상에 LDS 패턴의 안테나 패턴을 형성하는 방법을 이용하고 있다.
그러나, 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈을 제조하는 과정에서 무전해 도금이 진행되며, 스피커 플에이트와 안테나 패턴의 재질 차이오 인해 무전해 도금을 진행하는 경우 스테인리스 강 재질의 스피커 플레이트와 LDS 패턴의 안테나에 대한 도금 편차가 발생되는 문제점이 있다.
한국등록특허공보 제10-1341486호(2013.12.09)
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 도금 불안정 현상 및 도금 밸런스를 개선할 수 있는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 도금 불안정 현상 및 도금 밸런스를 개선할 수 있는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈은 상부에 플레이트 형상의 플레이트 홈이 형성되는 베이스 패널, 상기 플레이트 홈과 동일한 형상을 가지며 상기 플레이트 홈에 배치되는 제1 스피커 층, 상기 제1 스피커 층 상에 배치되며 제1 물질을 포함하는 제2 스피커 층, 상기 제2 스피커 층 상에 배치되며, 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제3 스피커 층 및 상기 제3 스피커 층 상에 배치되며 상기 제1 물질을 포함하는 제4 스피커 층을 포함하는 스피커 플레이트 및 상기 스피커 플레이와 인접하게 배치되며 상기 제2 스피커 층과 동일한 층에 배치되는 제1 안테나 층, 상기 제1 안테나 층 상에 배치되며 상기 제2 물질을 포함하는 제2 안테나 층 및 상기 제2 안테나 층 상에 배치되며 상기 제1 물질을 포함하는 제3 안테나 층을 포함하는 안테나 패턴을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 패널은 LDS(Laser Direct Structuring)용 수지로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 스피커 층은 인서트 사출 방법에 의해 상기 베이스 패널과 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 안테나 층은 LDS(Laser Direct Structuring) 방식으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 스피커 층은 SUS(Steel special Use Stainless) 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 물질은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법은 인서트 사출 방식으로 제1 스피커 층이 삽입된 베이스 패널을 형성하는 단계, 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 스피커 층과 인접하도록 제1 안테나 층을 형성하는 단계, 상기 제1 스피커 층과 상기 제1 안테나 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 제1 물질을 이용한 전해 도금을 진행하여 상기 제1 스피커 층 상에 제1 물질을 포함하는 제2 스피커 층을 형성하는 단계, 상기 제2 스피커 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 이용한 무전해 도금을 진행하여 상기 제2 스피커 층 상에 제2 물질을 포함하는 제3 스피커 층 및 상기 제1 안테나 층 상에 상기 제2 물질을 포함하는 제2 안테나 층을 형성하는 단계 및 상기 제3 스피커 층 및 상기 제2 안테나 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 물질을 이용한 무전해 도금을 진행하여, 상기 제3 스피커 층 상에 상기 제1 물질을 포함하는 제4 스피커 층 및 상기 제2 안테나 층 상에 상기 제1 물질을 포함하는 제3 안테나 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 패널은 LDS(Laser Direct Structuring)용 수지로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 안테나 층은 LDS(Laser Direct Structuring) 방식으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 스피커 층은 SUS(Steel special Use Stainless) 재질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 물질은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈에서 무전해 도금을 진행하기 이전에 니켈을 이용한 전해 도금을 실시한다. 따라서, SUS 재질로 형성되는 제1 스피커 층 상에 니켈 층이 형성되며, 이후 진행되는 무전해 도금 과정에서 SUS 재질로 형성되는 제1 스피커 층과 LDS 방식으로 형성되는 제1 안테나 층에 발생될 수 있는 도금 편차를 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈을 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈은 베이스 패널(100), 스피커 플레이트(200) 및 안테나 패턴(300)을 포함한다.
상기 베이스 패널(100)은 상부에 플레이트 형상의 플레이트 홈이 형성될 수 있다. 상기 플레이트 형상의 홈에는 상기 스피커 플레이트(200)가 배치될 수 있다. 상기 베이스 패널(100)은 상기 스피커 플레이트(200)의 제1 스피커 층과 사출 성형에 의해 형성될 수 있다. 상기 베이스 패널(100)은 LDS(Laser Direct Structuring)용 수지로 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 베이스 패널(100)이 LDS용 수지를 포함하고, 상기 스피커 플레이트(200)의 제1 스피커 층과 사출 성형에 의해 형성되는 실시예로 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈은 상기 베이스 패널(100)은 일반적인 플라스틱 물질을 포함하고, 상기 스피커 플레이트(200)의 제1 스피커 층과 사출 성형에 의해 형성된 후, LDS용 수지 층을 별도로 형성하는 방법으로도 제조될 수도 있다.
상기 스피커 플레이트(200)는 제1 스피커 층(210), 제2 스피커 층(220), 제3 스피커 층(230) 및 제4 스피커 층(240)을 포함한다.
상기 제1 스피커 층(210)은 사출 성형에 의해 상기 베이스 패널(100)과 동시에 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 스피커 층(210)은 상기 베이스 패널에 형성되는 플레이트 형상의 홈에 배치될 수 있다. 상기 제1 스피커 층(210)은 SUS(Steel special Use Stainless) 재질로 형성될 수 있다. 예들 들어, 상기 제1 스피커 층(210)은 스테인리스 규격인 SUS 304일 수 있다. 스테인리스 규격인 SUS 304는 Ni 8~11%, Cr 18~20%를 함유한 대표적인 강(Austenite stainless steel)으로써, 18-8강으로 불리며, 내약품성, 내열성이 뛰어나기 때문에 처리 수조 등에 사용된다. 이러한 SUS 304는 마텐자이트(Martensite)계 스테인리스의 한 종류인 SUS 440에 비하여 내식성이 좋아 특히 내식성을 필요로 하는 특수 용도로 많이 사용되고 있다.
그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 스피커 층(210)은 그 목적에 따라 다양한 종류의 SUS 재질로 형성될 수 있다.
상기 제2 스피커 층(220)은 상기 제1 스피커 층(210) 상에 형성된다. 상기 제2 스피커 층(220)은 제1 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)일 수 있다. 상기 제2 스피커 층(220)은 전해 도금 방식에 의해 상기 제1 스피커 층(210) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2 스피커 층(220)은 제1 스피커 층(210)을 커버하여 상기 무전해 도금을 진행하는 경우, SUS 재질의 상기 제1 스피커 층과 LDS 방식에 의해 형성되는 제1 안테나 층(310)의 재질 차이로 인해 발생되는 도금 편차를 개선하는 역할을 할 수 있다.
상기 제3 스피커 층(230)은 상기 제2 스피커 층(220) 상에 형성된다. 상기 제3 스피커 층(230)은 상기 제1 물질과 다른 물질인 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 물질은 구리(Cu)일 수 있다. 상기 제3 스피커 층(230)은 제2 안테나 층(320)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 스피커 층(230)은 제2 안테나 층(320)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제3 스피커 층(230)은 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
상기 제4 스피커 층(240)은 상기 제3 스피커 층(230) 상에 형성된다. 상기 제4 스피커 층(240)은 제1 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)일 수 있다. 상기 제4 스피커 층(240)은 제3 안테나 층(330)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제4 스피커 층(240)은 제3 안테나 층(330)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제4 스피커 층(240)은 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
상기 안테나 패턴(300)은 제1 안테나 층(310), 제2 안테나 층(320) 및 제3 안테나 층(330)을 포함한다.
상기 제1 안테나 층(310)은 LDS(Laser Direct Structuring) 방식으로 형성될 수 있다. LDS 기술은 수지 위에 레이저(Laser)로 DMB용 안테나, 위성 DMB용 안테나, RFID용 안테나, 기판 안테나, 고온초전도 마이크로스트립 안테나, 듀얼밴드 안테나 기타 전도성 경로에 상응한 패턴(pattern)을 형성한 다음 구리, 니켈 또는 금을 도금하여 안테나의 역할을 할 수 있는 회로를 만드는 기술로서 기존 에칭 기술의 한계를 극복하고, 정밀 부품의 양산이 가능하며, 특수 열가소성 수지 위에 선택적으로 도금을 실현할 수 있어 시간 비용의 절감과 레이저에 의한 직접적인 패턴 구현이 가능하여 비용 효율의 극대화와 공정의 단축이 가능하다.
상기 제2 안테나 층(320)은 상기 제1 안테나 층(310) 상에 형성된다. 상기 제2 안테나 층(320)은 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 물질은 구리(Cu)일 수 있다. 상기 제2 안테나 층(320)은 상기 제3 스피커 층(230)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 안테나 층(320)은 상기 제3 스피커 층(230)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제2 안테나 층(320)은 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 스피커 층(220)은 제1 물질인 구리(Cu)를 포함하고, 전해 도금 방식에 의해 형성되므로, 전기가 공급되지 않는 상기 제1 안테나 층(310) 상에는 전해 도금에 의해 형성되는 상기 제2 스피커 층(220)과 동일한 층이 형성되지 않는다.
상기 제3 안테나 층(330)은 상기 제2 안테나 층(320) 상에 형성된다. 상기 제3 안테나 층(330)은 제1 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)일 수 있다. 상기 제3 안테나 층(330)은 상기 제4 스피커 층(240)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 안테나 층(330)은 상기 제4 스피커 층(240)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 상기 제3 안테나 층(330)은 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 3 내지 도 5는 도 2의 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법은 인서트 사출 방식으로 제1 스피커 층이 삽입된 베이스 패널을 형성하는 단계, 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 스피커 층과 인접하도록 제1 안테나 층을 형성하는 단계, 상기 제1 스피커 층과 상기 제1 안테나 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 제1 물질을 이용한 전해 도금을 진행하여 상기 제1 스피커 층 상에 제1 물질을 포함하는 제2 스피커 층을 형성하는 단계, 상기 제2 스피커 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 이용한 무전해 도금을 진행하여 상기 제2 스피커 층 상에 제2 물질을 포함하는 제3 스피커 층 및 상기 제1 안테나 층 상에 상기 제2 물질을 포함하는 제2 안테나 층을 형성하는 단계 및 상기 제3 스피커 층 및 상기 제2 안테나 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 물질을 이용한 무전해 도금을 진행하여, 상기 제3 스피커 층 상에 상기 제1 물질을 포함하는 제4 스피커 층 및 상기 제2 안테나 층 상에 상기 제1 물질을 포함하는 제3 안테나 층을 형성하는 단계를 포함한다.
도 3을 참조하면, 상기 베이스 패널(100)은 상기 스피커 플레이트(200)의 제1 스피커 층(210)과 사출 성형에 의해 형성될 수 있다. 상기 베이스 패널(100)은 LDS(Laser Direct Structuring)용 수지로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 베이스 패널(100)은 상부에 플레이트 형상의 플레이트 홈이 형성될 수 있다. 상기 플레이트 형상의 홈에는 상기 스피커 플레이트(200)가 배치될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 베이스 패널(100)이 LDS용 수지를 포함하고, 상기 스피커 플레이트(200)의 제1 스피커 층(210)과 사출 성형에 의해 형성되는 실시예로 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈은 상기 베이스 패널(100)은 일반적인 플라스틱 물질을 포함하고, 상기 스피커 플레이트(200)의 제1 스피커 층과 사출 성형에 의해 형성된 후, LDS용 수지 층을 별도로 형성하는 방법으로도 제조될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제1 스피커 층(210)이 형성된 베이스 패널(100) 상에 제1 안테나 층(310)이 형성된다. 상기 제1 안테나 층(310)은 상기 제1 스피커 층(210)과 인접하게 배치될 수 있다.
상기 제1 안테나 층(310)은 LDS(Laser Direct Structuring) 방식으로 형성될 수 있다. LDS 기술은 수지 위에 레이저(Laser)로 DMB용 안테나, 위성 DMB용 안테나, RFID용 안테나, 기판 안테나, 고온초전도 마이크로스트립 안테나, 듀얼밴드 안테나 기타 전도성 경로에 상응한 패턴(pattern)을 형성한 다음 구리, 니켈 또는 금을 도금하여 안테나의 역할을 할 수 있는 회로를 만드는 기술로서 기존 에칭 기술의 한계를 극복하고, 정밀 부품의 양산이 가능하며, 특수 열가소성 수지 위에 선택적으로 도금을 실현할 수 있어 시간 비용의 절감과 레이저에 의한 직접적인 패턴 구현이 가능하여 비용 효율의 극대화와 공정의 단축이 가능하다.
도 5를 참조하면, 상기 제1 안테나 층(310)이 형성된 상기 베이스 패널(100) 상에 제2 스피커 층(220)이 형성된다.
상기 제2 스피커 층(220)은 상기 제2 스피커 층(220)은 상기 제1 스피커 층(210) 상에 형성된다. 상기 제2 스피커 층(220)은 제1 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)일 수 있다. 상기 제2 스피커 층(220)은 전해 도금 방식에 의해 상기 제1 스피커 층(210) 상에 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 안테나 층(310)에는 전기가 공급되지 않으므로 전해 도금 방식으로 도금을 진행하는 본 단계에서 상기 제1 안테나 층(310)상에는 상기 제1 물질인 니켈(Ni)을 포함하는 층이 형성되지 않는다.
상기 제2 스피커 층(220)은 제1 스피커 층(210)을 커버하여 상기 무전해 도금을 진행하는 경우, SUS 재질의 상기 제1 스피커 층과 LDS 방식에 의해 형성되는 제1 안테나 층(310)의 재질 차이로 인해 발생되는 도금 편차를 개선하는 역할을 할 수 있다.
도 2를 참조하면, 제2 스피커 층(220)이 형성된 상기 베이스 패널(100) 상에 제3 스피커 층(230), 제4 스피커 층(240), 제2 안테나 층(320) 및 제3 안테나 층(330)이 형성된다.
상기 제3 스피커 층(230)은 상기 제2 스피커 층(220) 상에 형성된다. 상기 제3 스피커 층(230)은 상기 제1 물질과 다른 물질인 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 물질은 구리(Cu)일 수 있다. 상기 제3 스피커 층(230)은 제2 안테나 층(320)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 스피커 층(230)은 제2 안테나 층(320)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제3 스피커 층(230)은 구리(Cu)를 이용한 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
상기 제2 안테나 층(320)은 상기 제1 안테나 층(310) 상에 형성된다. 상기 제2 안테나 층(320)은 제2 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 물질은 구리(Cu)일 수 있다. 상기 제2 안테나 층(320)은 상기 제3 스피커 층(230)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 안테나 층(320)은 상기 제3 스피커 층(230)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제2 안테나 층(320)은 구리(Cu)를 이용한 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 스피커 층(220)은 제1 물질인 구리(Cu)를 포함하고, 전해 도금 방식에 의해 형성되므로, 전기가 공급되지 않는 상기 제1 안테나 층(310) 상에는 전해 도금에 의해 형성되는 상기 제2 스피커 층(220)과 동일한 층이 형성되지 않는다.
상기 제4 스피커 층(240)은 상기 제3 스피커 층(230) 상에 형성된다. 상기 제4 스피커 층(240)은 제1 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)일 수 있다. 상기 제4 스피커 층(240)은 제3 안테나 층(330)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제4 스피커 층(240)은 제3 안테나 층(330)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 상기 제4 스피커 층(240)은 니켈(Ni)을 이용한 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
상기 제3 안테나 층(330)은 상기 제2 안테나 층(320) 상에 형성된다. 상기 제3 안테나 층(330)은 제1 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)일 수 있다. 상기 제3 안테나 층(330)은 상기 제4 스피커 층(240)과 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제3 안테나 층(330)은 상기 제4 스피커 층(240)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 상기 제3 안테나 층(330)은 니켈(Ni)을 이용한 무전해 도금 방식에 의해 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈에서 무전해 도금을 진행하기 이전에 니켈을 이용한 전해 도금을 실시한다. 따라서, SUS 재질로 형성되는 제1 스피커 층 상에 니켈 층이 형성되며, 이후 진행되는 무전해 도금 과정에서 SUS 재질로 형성되는 제1 스피커 층과 LDS 방식으로 형성되는 제1 안테나 층에 발생될 수 있는 도금 편차를 감소시킬 수 있다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 통상의 기술자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 패널 200: 스피커 플레이트
210: 제1 스피커 층 220: 제2 스피커 층
230: 제3 스피커 층 240: 제4 스피커 층
300: 안테나 패턴 310: 제1 안테나 층
320: 제2 안테나 층 330: 제3 안테나 층

Claims (13)

  1. 상부에 플레이트 형상의 플레이트 홈이 형성되는 베이스 패널;
    상기 플레이트 홈과 동일한 형상을 가지며 상기 플레이트 홈에 배치되는 제1 스피커 층, 상기 제1 스피커 층 상에 배치되며 제1 물질을 포함하는 제2 스피커 층, 상기 제2 스피커 층 상에 배치되며, 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제3 스피커 층 및 상기 제3 스피커 층 상에 배치되며 상기 제1 물질을 포함하는 제4 스피커 층을 포함하는 스피커 플레이트; 및
    상기 스피커 플레이트와 인접하게 배치되며 상기 제2 스피커 층과 동일한 층에 배치되는 제1 안테나 층, 상기 제1 안테나 층 상에 배치되며 상기 제2 물질을 포함하는 제2 안테나 층 및 상기 제2 안테나 층 상에 배치되며 상기 제1 물질을 포함하는 제3 안테나 층을 포함하는 안테나 패턴을 포함하고,
    상기 제1 스피커 층은 인서트 사출 방법에 의해 상기 베이스 패널과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 패널은 LDS(Laser Direct Structuring)용 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 안테나 층은 LDS(Laser Direct Structuring) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 스피커 층은 SUS(Steel special Use Stainless) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 물질은 구리(Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈.
  8. 인서트 사출 방식으로 제1 스피커 층이 삽입된 베이스 패널을 형성하는 단계;
    상기 베이스 패널 상에 상기 제1 스피커 층과 인접하도록 제1 안테나 층을 형성하는 단계;
    상기 제1 스피커 층과 상기 제1 안테나 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 제1 물질을 이용한 전해 도금을 진행하여 상기 제1 스피커 층 상에 제1 물질을 포함하는 제2 스피커 층을 형성하는 단계;
    상기 제2 스피커 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 이용한 무전해 도금을 진행하여 상기 제2 스피커 층 상에 상기 제2 물질을 포함하는 제3 스피커 층 및 상기 제1 안테나 층 상에 상기 제2 물질을 포함하는 제2 안테나 층을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 스피커 층 및 상기 제2 안테나 층이 형성된 상기 베이스 패널 상에 상기 제1 물질을 이용한 무전해 도금을 진행하여, 상기 제3 스피커 층 상에 상기 제1 물질을 포함하는 제4 스피커 층 및 상기 제2 안테나 층 상에 상기 제1 물질을 포함하는 제3 안테나 층을 형성하는 단계를 포함하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 베이스 패널은 LDS(Laser Direct Structuring)용 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 안테나 층은 LDS(Laser Direct Structuring) 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 스피커 층은 SUS(Steel special Use Stainless) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법.
  12. 제8항에있어서, 상기 제1 물질은 니켈(Ni)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 제2 물질은 구리(Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 스피커 플레이트 일체형 안테나 모듈의 제조 방법.
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