KR101959410B1 - Solar cell and solar cell module with the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 태양전지는, 기판; 기판의 제1 면에 위치하며, 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 기판의 제1 면에 위치하며, 에미터부와 연결되는 제1 전극부; 상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 기판의 제2 면에 위치하며, 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하며, 에미터부는 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 제2 부분과 제3 부분을 포함하고, 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 제2 부분은 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 제3 부분은 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성된다.A solar cell of the present invention includes: a substrate; An emitter located on a first side of the substrate and forming a p-n junction with the substrate; A first electrode part located on a first surface of the substrate and connected to the emitter part; And a second electrode portion located on a second surface of the substrate positioned opposite to the first surface and connected to the substrate, wherein the emitter portion is located in a region where the first electrode portion and the interconnector are bonded, A second portion and a third portion located between the two adjacent first portions, wherein the first portion is formed with a first doping concentration and the second portion is formed with a first doping Concentration and the third portion is formed with a third doping concentration that is greater than the second doping concentration.

Description

태양전지 및 이를 구비한 태양전지 모듈{SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH THE SAME}[0001] DESCRIPTION [0002] SOLAR CELL AND SOLAR CELL MODULE WITH THE SAME [0003]

본 발명은 태양전지 및 이를 구비한 태양전지 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a solar cell and a solar cell module having the solar cell.

최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양전지가 주목 받고 있다.Recently, as energy resources such as petroleum and coal are expected to be depleted, interest in alternative energy to replace them is increasing, and solar cells that produce electric energy from solar energy are attracting attention.

일반적인 태양전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 각각 이루어지는 기판(substrate) 및 에미터부(emitter layer), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성된다.A typical solar cell has a substrate and an emitter layer each of which is made of a semiconductor of a different conductive type such as a p-type and an n-type, and electrodes respectively connected to the substrate and the emitter. At this time, a p-n junction is formed at the interface between the substrate and the emitter.

이러한 태양전지에 빛이 입사되면 반도체 내부의 전자가 광전 효과(photoelectric effect)에 의해 자유전자(free electron)(이하, '전자'라 함)가 되고, 전자와 정공은 p-n 접합의 원리에 따라 n형 반도체와 p형 반도체 쪽으로, 예를 들어 에미터부와 기판 쪽으로 각각 이동한다. 그리고 이동한 전자와 정공은 기판 및 에미터부에 전기적으로 연결된 각각의 전극에 의해 수집된다.When light is incident on such a solar cell, electrons in the semiconductor become free electrons (hereinafter referred to as 'electrons') due to a photoelectric effect, and electrons and holes are attracted to n Type semiconductor and the p-type semiconductor, for example, toward the emitter portion and the substrate, respectively. And the transferred electrons and holes are collected by the respective electrodes electrically connected to the substrate and the emitter portion.

이때, 에미터부와 기판 위에는 에미터부와 기판에 배치된 각각의 전극을 연결하는 버스 바(bus bar)와 같은 적어도 하나의 집전부가 형성된다.At this time, on the emitter portion and the substrate, at least one collector portion such as a bus bar connecting the emitter portion and each electrode disposed on the substrate is formed.

이러한 구성의 태양전지에서 생산되는 전압 및 전류는 매우 작은 편이므로 원하는 출력을 얻기 위해서는 여러 개의 태양전지를 직렬 또는 병렬로 연결한 후 패널(panel) 형태로 방수 처리한 형태의 태양전지 모듈을 제조하여 사용한다.Since the voltage and current produced in this type of solar cell is very small, several solar cells are connected in series or parallel to produce a desired output, and a solar cell module in the form of a waterproof type in the form of a panel is manufactured use.

태양전지 모듈에 있어서, 각각의 집전부, 예컨대 버스 바에서 집전된 전자와 정공은 태양전지 모듈의 배면에 설치된 정션 박스(junction box)에 수집되는 데, 복수의 태양전지를 전기적으로 연결하기 위해 인터커넥터, 예컨대 리본(ribbon)이 사용된다.In the solar cell module, electrons and holes collected in respective current collecting parts, for example, bus bars, are collected in a junction box installed on the back surface of the solar cell module. In order to electrically connect a plurality of solar cells, A connector, for example a ribbon, is used.

인터커넥터는 서로 인접한 2개의 태양전지에 형성된 버스 바들을 서로 전기적으로 연결하기 위한 것으로, 적외선, 열풍, 국부 가열 재료, 레이저 등의 방법에 의해 버스 바에 연결된다.The interconnector is for electrically connecting bus bars formed in two solar cells adjacent to each other, and is connected to the bus bar by a method such as infrared rays, hot air, locally heated material, or laser.

그런데, 태양전지 모듈을 사용함에 있어서 태양전지의 수광면은 인터커넥터에 의해 줄어들게 된다. 즉, 인터커넥터가 설치된 면적만큼 태양전지의 수광면이 줄어들게 되므로, 태양전지 모듈의 광전 변환 효율이 저하된다.However, when the solar cell module is used, the light receiving surface of the solar cell is reduced by the interconnector. That is, since the light receiving surface of the solar cell is reduced by the area where the interconnector is installed, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell module is lowered.

이러한 문제점을 최소화 하기 위해, 근래에는 표면에 요철이 형성된 인터커넥터를 사용하여 태양전지들을 전기적으로 연결함으로써, 태양전지의 수광면으로 입사되는 빛 중에서 인터커넥터의 요철 표면으로 입사되는 빛이 상기 요철 표면에서 반사된 후 산란 효과에 의해 수광면에 재입사되도록 구성한 태양전지 모듈이 개발되고 있다.In order to minimize such a problem, in recent years, solar cells are electrically connected by using an interconnection having irregularities formed on the surface thereof, so that light incident on the irregular surface of the interconnector from the light incident on the light receiving surface of the solar cell, And then re-enters the light receiving surface by a scattering effect.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 효율이 향상된 태양전지 및 이를 구비한 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a solar cell with improved efficiency and a solar cell module having the same.

본 발명의 실시예에 따른 태양전지는, 기판; 기판의 제1 면에 위치하며, 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부; 기판의 제1 면에 위치하며, 에미터부와 연결되는 제1 전극부; 상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 기판의 제2 면에 위치하며, 기판과 연결되는 제2 전극부를 포함하며, 에미터부는 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 제2 부분과 제3 부분을 포함하고, 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 제2 부분은 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 제3 부분은 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성된다.A solar cell according to an embodiment of the present invention includes a substrate; An emitter located on a first side of the substrate and forming a p-n junction with the substrate; A first electrode part located on a first surface of the substrate and connected to the emitter part; And a second electrode portion located on a second surface of the substrate positioned opposite to the first surface and connected to the substrate, wherein the emitter portion is located in a region where the first electrode portion and the interconnector are bonded, A second portion and a third portion located between the two adjacent first portions, wherein the first portion is formed with a first doping concentration and the second portion is formed with a first doping Concentration and the third portion is formed with a third doping concentration that is greater than the second doping concentration.

제1 도핑 농도는 제3 도핑 농도와 동일한 값을 갖거나, 제3 도핑 농도보다 큰 값을 가질 수 있다.The first doping concentration may have the same value as the third doping concentration, or may have a value larger than the third doping concentration.

제1 도핑 농도는 제3 도핑 농도와 동일한 값을 갖는 경우, 제1 도핑 농도 및 제3 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 제2 도핑 농도는 n 또는 p이거나, n+ 또는 p+일 수 있다. 그리고 제1 부분과 제3 부분은 서로 동일한 깊이로 형성된다.If the first doping concentration has the same value as the third doping concentration, the first doping concentration and the third doping concentration may be n ++ or p ++, and the second doping concentration may be n or p, or n + or p +. And the first portion and the third portion are formed to have the same depth as each other.

이와는 달리, 제1 도핑 농도가 제3 도핑 농도보다 큰 값을 갖는 경우, 제1 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 제2 도핑 농도는 n 또는 p이며, 제3 도핑 농도는 n+ 또는 p+일 수 있다. 그리고 제1 부분은 제1 깊이로 형성되고, 제2 부분은 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이로 형성되며, 제3 부분은 제1 깊이보다 얕고 제2 깊이보다 깊은 제3 깊이로 형성된다.Alternatively, if the first doping concentration has a value greater than the third doping concentration, the first doping concentration may be n ++ or p ++, the second doping concentration may be n or p, and the third doping concentration may be n + or p + . And the first portion is formed at a first depth and the second portion is formed at a second depth shallower than the first depth and the third portion is formed at a third depth shallower than the first depth and deeper than the second depth.

인접한 2개의 제1 부분 사이에는 2개의 제2 부분 및 1개의 제3 부분이 위치할 수 있다. 이때, 2개의 제2 부분은 각각 제1 부분과 인접하여 위치하고, 1개의 제3 부분은 2개의 제2 부분 사이에 위치한다. 그리고 제3 부분의 폭은 제2 부분의 폭보다 크게 형성된다.Two second portions and one third portion may be positioned between two adjacent first portions. At this time, the two second portions are each located adjacent to the first portion, and one third portion is located between the two second portions. And the width of the third portion is greater than the width of the second portion.

제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 방향으로 길게 연장되어 형성될 수 있다.The second portion, and the third portion may each be formed to extend in the first direction.

제1 전극부는 복수의 핑거 전극들을 포함하며, 제2 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수는 제3 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수보다 적을 수 있다.The first electrode portion includes a plurality of finger electrodes, and the number of the finger electrodes located in the second portion may be smaller than the number of the finger electrodes located in the third portion.

이때, 제1 전극부는 제3 부분에 위치하는 서로 인접한 적어도 2개의 핑거 전극들을 제1 방향으로 연결하는 연결 전극을 더 포함할 수 있다.In this case, the first electrode unit may further include a connection electrode connecting the at least two finger electrodes adjacent to each other in the third direction in a first direction.

제1 전극부는 제1 방향으로 길게 연장되며 복수의 핑거 전극들과 연결되는 집전부를 더 포함할 수 있다.The first electrode unit may further include a current collector extended in the first direction and connected to the plurality of finger electrodes.

기판의 제2 면에 위치하는 제2 전극부는 제1 전극부와 동일한 구조로 형성될 수 있지만, 제1 전극부와는 다른 구조로 형성되는 것도 가능하다.The second electrode portion located on the second surface of the substrate may have the same structure as the first electrode portion, but may have a different structure from the first electrode portion.

일례로, 기판의 제1 면을 통해서만 빛이 입사하는 경우, 기판의 제2 면에 위치하는 제2 전극부는 제1 전극부의 집전부와 동일한 위치에 위치하는 집전부 및 이 집전부를 제외한 기판의 제2 면 전체에 위치하는 면 전극으로 형성될 수 있다.For example, in the case where light is incident only through the first surface of the substrate, the second electrode portion located on the second surface of the substrate includes a current collecting portion positioned at the same position as the current collecting portion of the first electrode portion, And may be formed as a surface electrode located on the entire second surface.

이러한 구성의 태양전지를 갖는 태양전지 모듈은 서로 인접한 2개의 태양전지들 중 어느 한 태양전지에 전기적으로 연결된 제1 영역 및 서로 이웃하는 태양전지들 중 다른 한 태양전지에 전기적으로 연결된 제2 영역을 포함하는 인터커넥터를 더 포함하며, 인터커넥터는 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 어느 한 영역에 요철 표면을 포함한다.A solar cell module having a solar cell with such a structure includes a first region electrically connected to one of two solar cells adjacent to each other and a second region electrically connected to the other solar cell among neighboring solar cells And the interconnector includes a concavo-convex surface in at least one of the first region and the second region.

이때, 요철 표면은 제1 영역의 표면 중 기판과 마주하는 면의 반대쪽 면에 형성되거나, 상기 제2 영역의 표면 중 상기 기판과 마주하는 면의 반대쪽 면에 더 형성될 수 있다.At this time, the uneven surface may be formed on the surface of the first region opposite to the surface facing the substrate, or on the surface of the second region opposite to the surface facing the substrate.

이러한 특징에 의하면, 인터커넥터의 요철 표면에서 반사된 빛이 재입사되는 영역, 즉 에미터부의 제2 부분이 제1 부분 및 제3 부분에 비해 낮은 도핑 농도로 형성되므로, 제2 부분에 재입사되는 빛을 이용하여 태양전지의 출력을 효과적으로 증가시킬 수 있다.According to this feature, since the region where the light reflected from the concavo-convex surface of the interconnector is re-incident, that is, the second portion of the emitter portion is formed at a lower doping concentration than the first portion and the third portion, The output of the solar cell can be effectively increased.

도 1은 일반적인 태양전지 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지 모듈의 전기적 연결 구조를 나타내는 측면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 태양전지 모듈에 있어서, 인터커넥터에서 반사된 빛이 재입사되는 과정을 보여주는 개념도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈의 전기적 연결 구조를 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 태양전지의 한 예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 "A"부분을 확대한 사시도로서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.
도 7은 도 5의 "A"부분을 확대한 사시도로서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.
도 8은 도 5의 "A"부분을 확대한 사시도로서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.
도 9는 도 5의 "A"부분을 확대한 사시도로서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a general solar cell module.
2 is a side view showing an electrical connection structure of a solar cell module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a conceptual view illustrating a process in which light reflected from the interconnector is reentered in the solar cell module shown in FIG. 2. FIG.
4 is a side view showing an electrical connection structure of a solar cell module according to another embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing an example of a solar cell according to the present invention.
Fig. 6 is an enlarged perspective view of the portion "A" in Fig. 5, and is a perspective view of a main portion of the solar cell according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 7 is an enlarged perspective view of the portion "A" in Fig. 5, and is a perspective view of the main portion of the solar cell according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an enlarged perspective view of the portion "A" in FIG. 5, and is a perspective view of a main portion of a solar cell according to a third embodiment of the present invention.
Fig. 9 is an enlarged perspective view of the portion "A" in Fig. 5, and is a perspective view of the main portion of the solar cell according to the fourth embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the description are omitted, and like reference numerals are given to similar portions throughout the specification.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. When a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case directly above another portion but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 태양전지 모듈의 분해 사시도이다. 도 1을 참고로 하면, 태양전지 모듈(100)은 복수의 태양전지(10)들, 인접한 태양전지(10)들을 전기적으로 연결하는 인터커넥터(20), 태양전지(10)들을 보호하는 보호막(EVA: Ethylene Vinyl Acetate)(30a, 30b), 태양전지(10)들의 전면 쪽으로 보호막(30a) 위에 배치되는 전면 기판(40), 태양전지(10)들의 후면 쪽으로 보호막(30b)의 하부에 배치되는 후면 기판(back sheet)(50), 라미네이션 공정에 의해 일체화 된 상기 부품들을 수납하는 프레임(frame, 도시하지 않음) 및 태양전지(10)들에서 생산된 전류 및 전압을 최종적으로 수집하는 정션 박스(junction box, 도시하지 않음)를 포함한다.1 is an exploded perspective view of a general solar cell module. 1, a solar cell module 100 includes a plurality of solar cells 10, an interconnector 20 for electrically connecting adjacent solar cells 10, a protective film (not shown) for protecting the solar cells 10 A front substrate 40 disposed on the protective film 30a on the front side of the solar cells 10 and a rear substrate 40 disposed on the rear side of the solar cells 10 on the lower side of the protective film 30b A back sheet 50, a frame (not shown) for housing the components integrated by the lamination process, and a junction box (not shown) for finally collecting the current and voltage produced by the solar cells 10 junction box, not shown).

전면 기판(40)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 이루어져 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저(low) 철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있다. 이러한 전면 기판(40)은 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면이 엠보싱(embossing) 처리될 수 있다.The front substrate 40 is made of tempered glass or the like having high transmittance and excellent breakage preventing function. At this time, the tempered glass may be a low iron tempered glass having a low iron content. The inner surface of the front substrate 40 may be embossed in order to enhance the light scattering effect.

후면 기판(50)은 태양전지 모듈(100)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양전지(10)들을 외부 환경으로부터 보호한다. 이러한 후면 기판(50)은 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층, 절연 특성을 갖는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.The rear substrate 50 protects the solar cells 10 from the external environment by preventing moisture from penetrating the rear surface of the solar cell module 100. Such a backside substrate 50 may have a multi-layer structure such as a layer preventing moisture and oxygen penetration, a layer preventing chemical corrosion, and a layer having an insulating property.

후면 기판(50)은 전면 기판(40)과 마찬가지로 광 투과성의 유리 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있지만, 이와는 달리 불투광성의 재질로 형성될 수도 있다.Like the front substrate 40, the rear substrate 50 may be formed of a light-transmissive glass material or a resin material. Alternatively, the rear substrate 50 may be formed of an opaque material.

전면 기판(40)과 후면 기판(50) 사이에 위치하는 보호막(30a, 30b)은 태양전지(10)들의 전면 및 후면에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정에 의해 태양전지(10)들과 일체화 되는 것으로, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양전지(10)들을 충격으로부터 보호한다.The protective films 30a and 30b positioned between the front substrate 40 and the rear substrate 50 are integrated with the solar cells 10 by the lamination process while being disposed on the front and rear surfaces of the solar cells 10, Preventing corrosion due to moisture penetration, and protecting the solar cells 10 from impact.

이러한 보호막(30a, 30b)은 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate), 또는 실리콘 수지(silicone resin)과 같은 물질로 이루어질 수 있다.The protective films 30a and 30b may be made of a material such as ethylene vinyl acetate (EVA) or silicone resin.

이러한 태양전지 모듈(100)은 태양전지(10)들을 테스트하는 단계, 테스트가 완료된 복수의 태양전지(10)들을 인터커넥터(20)에 의해 전기적으로 연결하는 단계, 상기 부품들을 순차적으로, 예컨대 하부로부터 후면 기판(50), 보호막(30b), 태양전지(10)들, 보호막(30a) 및 전면 기판(40)의 순서로 배치하는 단계, 진공 상태에서 라미네이션 공정을 실시하여 상기 부품들을 일체화 하는 단계, 에지 트리밍(edge trimming) 단계 및 모듈 테스트를 실시하는 단계 등의 공정 순서에 따라 제조된다.The solar cell module 100 includes a step of testing the solar cells 10, a step of electrically connecting the tested plurality of solar cells 10 by the interconnector 20, the step of sequentially connecting the components, A step of disposing the rear substrate 50, the protective film 30b, the solar cells 10, the protective film 30a and the front substrate 40 in this order, a step of performing a lamination process in a vacuum state, , Edge trimming step, and module testing step.

계속하여, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지 모듈의 전기적 연결 구조에 대해 설명한다.Next, an electrical connection structure of the solar cell module according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

복수의 태양전지(10)는 도 1에 도시한 바와 같이 행렬(matrix) 구조로 배열되어 있다. 도 1에서, 보호막(30b) 위에 배열된 태양전지(10)는 3×3 행렬 구조를 가지지만, 이에 한정되지 않고 필요에 따라 행과 열 방향으로 배치되는 태양전지(10)의 개수는 조정이 가능하다.A plurality of solar cells 10 are arranged in a matrix structure as shown in FIG. In FIG. 1, the solar cell 10 arranged on the protective film 30b has a 3 × 3 matrix structure, but the number of the solar cells 10 arranged in the row and column directions is not limited to this, It is possible.

복수의 태양전지(10)들은 도 2에 도시한 바와 같이, 인터커넥터(20)에 의해 전기적으로 연결된다. 보다 구체적으로, 복수의 태양전지(10)들이 인접 배치된 상태에서, 서로 인접한 2개의 태양전지 중 어느 한 태양전지의 전면에 위치한 전극부는 인접한 태양전지의 후면에 위치한 전극부와 인터커넥터(20)에 의해 전기적으로 연결된다.The plurality of solar cells 10 are electrically connected by the interconnector 20 as shown in Fig. More specifically, in a state in which a plurality of solar cells 10 are disposed adjacent to each other, an electrode portion positioned on the front surface of any one of the two solar cells adjacent to each other is electrically connected to the electrode portion located on the rear surface of the adjacent solar cell, As shown in FIG.

인터커넥터(20)는 전도성 금속부를 포함한다. 전도성 금속부는 전도성이 우수한 Cu, Al 및 Ag 중에서 어느 한 물질로 이루어질 수 있다. The interconnect 20 includes a conductive metal portion. The conductive metal part may be made of any one of Cu, Al, and Ag, which is excellent in conductivity.

인터커넥터(20)는 태양전지의 전면에 위치한 전극부와 접합되는 제1 영역 (A1)과, 태양전지의 후면에 위치한 전극부와 접합되는 제2 영역 (A2)을 포함하며, 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 하나의 영역에는 요철 표면이 형성된다. 요철 표면(21)은 도 2에 도시한 바와 같이 제1 영역(A1)의 표면 중 태양전지와 마주하는 면의 반대쪽 면에 형성될 수 있다.The interconnector 20 includes a first region A1 bonded to an electrode portion located on the front surface of the solar cell and a second region A2 connected to an electrode portion located on the rear surface of the solar cell, At least one region of the second region is provided with a roughened surface. The uneven surface 21 may be formed on the surface of the first area A1 opposite to the surface facing the solar cell as shown in Fig.

여기에서, 요철 표면(21)은 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 요철이 형성된 면을 말한다.Here, the irregular surface 21 refers to a surface having a plurality of irregularities as shown in Fig.

태양전지 모듈(100)의 전면 기판(40)을 통해 빛이 입사되면, 이 빛 중에서 인터커넥터(20)의 요철 표면(21)으로 입사된 빛은 도 3에 도시한 화살표 방향을 따라 반사된 후 태양전지(10)에 재입사된다.When light is incident through the front substrate 40 of the solar cell module 100, the light incident on the irregular surface 21 of the inter connector 20 in the light is reflected along the direction of the arrow shown in FIG. 3 And then re-enters the solar cell 10.

한편, 인터커넥터(20)는 도 4에 도시한 바와 같이 제2 영역(A2)의 표면 중 태양전지와 마주하는 면의 반대쪽 면에도 요철 표면(22)이 형성될 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 4, the interconnector 20 may have a concavo-convex surface 22 on the surface of the second region A2 opposite to the surface facing the solar cell.

본 발명은 위에서 설명한 바와 같이 인터커넥터(20)의 요철 표면(21 및/또는 22)에서 반사된 후 태양전지에 재입사되는 빛을 효과적으로 활용하여 태양전지의 출력을 향상시키는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that the output of the solar cell is improved by effectively utilizing the light incident on the solar cell after being reflected by the uneven surface (21 and / or 22) of the interconnector 20 as described above.

이에, 출력 향상을 위해 제안된 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 구조에 대해 상세히 설명한다.Therefore, the structure of the solar cell according to the embodiment of the present invention proposed for improving the output will be described in detail.

도 5는 본 발명에 따른 태양전지의 한 예를 나타내는 평면도이고, 도 6은 도 5의 "A"부분을 확대한 사시도로서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.FIG. 5 is a plan view showing an example of a solar cell according to the present invention, and FIG. 6 is an enlarged perspective view of a portion "A" of FIG. 5, and is a perspective view of a main part of a solar cell according to the first embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 태양전지(10)는 기판(11), 기판(11)의 전면(front에 위치하는 에미터부(12), 에미터부(12) 위에 위치하는 전면 전극부(13, 이하, "제1 전극부"라 함), 제1 전극부(13)가 위치하지 않는 영역의 에미터부(12) 위에 위치하는 제1 유전층(14), 기판(11)의 후면(back surface)에 위치하는 후면 전극부(15, 이하, "제2 전극부"라 함), 및 제2 전극부(15)와 기판(11) 사이에 형성되는 후면 전계(back surface field, BSF)부(16)를 포함한다.Referring to the drawings, a solar cell 10 includes a substrate 11, an emitter section 12 located at the front side of the substrate 11, a front electrode section 13 located below the emitter section 12, A first dielectric layer 14 located on the emitter portion 12 of the region where the first electrode portion 13 is not located and a second dielectric layer 14 located on the back surface of the substrate 11 And a back surface field (BSF) portion 16 formed between the second electrode portion 15 and the substrate 11, as well as a back electrode 15 (hereinafter referred to as a "second electrode portion" do.

후면 전계부(16)는 기판(11)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(11)보다 고농도로 도핑된 영역, 예를 들면, p+ 영역이다.The rear electric field portion 16 is a region in which impurities of the same conductivity type as that of the substrate 11 are doped at a higher concentration than the substrate 11, for example, a p + region.

이러한 후면 전계부(16)는 기판(11)의 전위 장벽으로 작용하게 된다. 따라서, 기판(11)의 후면부 쪽에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것이 감소되므로 태양전지의 효율이 향상된다.This rear electric field portion 16 acts as a potential barrier of the substrate 11. Therefore, the efficiency of the solar cell is improved because the electrons and the holes are recombined to disappear from the rear side of the substrate 11.

본 실시예에서, 후면 전계부(16)는 기판(11)의 후면 전체에 위치한다. 하지만, 후면 전계부(16)는 제2 전극부(15)의 면 전극(15a)이 위치하는 영역에만 형성될 수도 있다.In this embodiment, the rear electric section 16 is located on the entire rear surface of the substrate 11. However, the rear electric field portion 16 may be formed only in a region where the surface electrode 15a of the second electrode portion 15 is located.

기판(11)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 p형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 반도체 기판이다. 이때, 실리콘은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘일 수 있다. 기판(11)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 함유한다.The substrate 11 is a semiconductor substrate of a first conductivity type, for example, silicon of p-type conductivity type. The silicon may be monocrystalline silicon, polycrystalline silicon or amorphous silicon. When the substrate 11 has a p-type conductivity type, it contains an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In) or the like.

기판(11)의 표면을 요철 표면인 텍스처링 표면(texturing surface)으로 형성하기 위해 상기 기판(11)은 텍스처링(texturing) 처리될 수 있다. 기판(11)의 표면이 요철 표면으로 형성되면 기판(11)의 수광면에서의 빛 반사도가 감소하고, 텍스처링 표면에서 입사와 반사 동작이 이루어져 태양전지 내부에 빛이 갇히게 되어 빛의 흡수율이 증가된다. 따라서, 태양전지의 효율이 향상된다. 이에 더하여, 기판(11)으로 입사되는 빛의 반사 손실이 줄어들어 기판(11)으로 입사되는 빛의 양은 더욱 증가한다. The substrate 11 may be textured to form the surface of the substrate 11 as a texturing surface which is a roughened surface. When the surface of the substrate 11 is formed as a roughened surface, the light reflection on the light receiving surface of the substrate 11 is reduced, and the incidence and reflection operations are performed on the textured surface, so that the light is trapped inside the solar cell, . Thus, the efficiency of the solar cell is improved. In addition, since the reflection loss of light incident on the substrate 11 is reduced, the amount of light incident on the substrate 11 is further increased.

에미터부(12)는 기판(11)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입, 예를 들어, n형의 도전성 타입을 구비하고 있는 불순물이 도핑(doping)된 영역으로서, 기판(11)과 p-n 접합을 이룬다. The emitter section 12 is a region doped with an impurity having a second conductivity type opposite to the conductivity type of the substrate 11, for example, an n-type conductivity type, Junction.

에미터부(12)가 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(12)는 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 기판(11)에 도핑하여 형성될 수 있다.When the emitter section 12 has the n-type conductivity type, the emitter section 12 dopes the impurity of the pentavalent element such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb) .

이에 따라, 기판(11)에 입사된 빛에 의해 반도체 내부의 전자가 에너지를 받으면 전자는 n형 반도체 쪽으로 이동하고 정공은 p형 반도체 쪽으로 이동한다. 따라서, 기판(11)이 p형이고 에미터부(12)가 n형일 경우, 분리된 정공은 기판(11)쪽으로 이동하고 분리된 전자는 에미터부(12)쪽으로 이동한다.Accordingly, when electrons in the semiconductor are energized by the light incident on the substrate 11, the electrons move toward the n-type semiconductor and the holes move toward the p-type semiconductor. Accordingly, when the substrate 11 is p-type and the emitter 12 is n-type, the separated holes move toward the substrate 11 and the separated electrons move toward the emitter 12.

이와는 반대로, 기판(11)은 n형 도전성 타입일 수 있고, 실리콘 이외의 다른 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(11)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 기판(11)은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물을 함유할 수 있다.Conversely, the substrate 11 may be of the n-type conductivity type and may be made of a semiconductor material other than silicon. When the substrate 11 has an n-type conductivity type, the substrate 11 may contain impurities of pentavalent elements such as phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb)

에미터부(12)는 기판(11)과 p-n접합을 형성하게 되므로, 기판(11)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우 에미터부(12)는 p형의 도전성 타입을 가진다. 이 경우, 분리된 전자는 기판(11)쪽으로 이동하고 분리된 정공은 에미터부(12)쪽으로 이동한다.Since the emitter 12 forms a p-n junction with the substrate 11, when the substrate 11 has an n-type conductivity type, the emitter 12 has a p-type conductivity type. In this case, the separated electrons move toward the substrate 11, and the separated holes migrate toward the emitter 12.

에미터부(12)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 에미터부(12)는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소의 불순물을 기판(11)에 도핑하여 형성할 수 있다.When the emitter section 12 has a p-type conductivity type, the emitter section 12 is formed by doping an impurity of a trivalent element such as boron (B), gallium (Ga), indium (In) .

기판(11)의 에미터부(12) 위에는 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2) 등으로 이루어진 유전층(14)이 형성되어 있다. 유전층(14)은 태양전지(10)로 입사되는 빛의 반사도를 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시켜 태양전지(10)의 효율을 높이는 반사방지막으로 기능하며, 필요에 따라 패시베이션 기능을 수행할 수도 있다.A dielectric layer 14 made of a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxide film (SiO 2 ), or the like is formed on the emitter portion 12 of the substrate 11. The dielectric layer 14 functions as an antireflection film for reducing the reflectivity of light incident on the solar cell 10 and increasing the selectivity of a specific wavelength region to increase the efficiency of the solar cell 10, have.

제1 전극부(13)는 복수의 핑거 전극(13a)들 및 복수의 집전부(13b)들을 포함한다.The first electrode unit 13 includes a plurality of finger electrodes 13a and a plurality of current collectors 13b.

복수의 핑거 전극(13a)은 에미터부(12) 위에 형성되어 에미터부(12)와 전기적으로 연결되고, 인접하는 핑거 전극(13)과 서로 이격된 상태로 어느 한 방향, 예컨대 제2 방향(Y-Y')으로 연장된다.The plurality of finger electrodes 13a are formed on the emitter section 12 and electrically connected to the emitter section 12 so as to be spaced apart from the adjacent finger electrodes 13 in one direction, -Y ').

각각의 핑거 전극(13a)은 에미터부(12)쪽으로 이동한 전하, 예를 들면 전자를 수집하여 해당 집전부(13b)로 전달한다. The finger electrodes 13a collect electrons, for example, electrons, which have migrated toward the emitter 12, and transfer the collected electrons to the current collector 13b.

복수의 핑거 전극(13)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 이들 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The plurality of finger electrodes 13 are made of at least one conductive material and may be formed of at least one of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, , Indium (In), titanium (Ti), gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

에미터부(12) 위에 위치하는 복수의 집전부(13b)는 핑거 전극(13a)과 교차하는 제1 방향(X-X')으로 형성된다. 따라서, 핑거 전극(13a)과 집전부(13b)는 에미터부(12) 위에 교차하는 형태로 배치되어 있으며, 핑거 전극(13a)과 집전부(13b)는 그리드(grid) 형태로 배열된다.The plurality of current collectors 13b located on the emitter section 12 are formed in a first direction X-X 'intersecting with the finger electrodes 13a. The finger electrodes 13a and the current collectors 13b are disposed on the emitter 12 in a crossing manner and the finger electrodes 13a and the current collectors 13b are arranged in a grid pattern.

집전부(13b) 또한 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 에미터부(12) 및 핑거 전극(13a)과 연결되어 있다. 따라서, 집전부(13b)는 핑거 전극(13a)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 전자를 외부 장치로 출력한다.The current collector 13b is also made of at least one conductive material and is connected to the emitter part 12 and the finger electrode 13a. Accordingly, the current collector 13b outputs the charge, for example, electrons, transmitted from the finger electrode 13a to an external device.

집전부(13b)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다. The conductive metal material constituting the current collector 13b may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, ), Gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

집전부(13b)는 핑거 전극(13a)과 동일한 물질을 포함할 수 있지만, 이와는 달리, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있다.The current collector 13b may include the same material as the finger electrode 13a, but may contain different materials.

핑거 전극(13a) 및 집전부(13b)는 도전성 금속 물질을 제1 유전층(14) 위에 도포한 후, 이를 소성하는 과정에서 에미터부(12)와 전기적으로 연결될 수 있다.The finger electrode 13a and the current collector 13b may be electrically connected to the emitter 12 in a process of applying a conductive metal material on the first dielectric layer 14 and then firing the conductive metal material.

본 실시예에서, 에미터부(12)는 제1 부분(12-1), 제2 부분(12-2) 및 제3 부분(12-3)을 포함한다.In this embodiment, the emitter portion 12 includes a first portion 12-1, a second portion 12-2, and a third portion 12-3.

제1 부분(12-1)은 제1 전극부(13)와 인터커넥터(20)가 접합되는 영역, 예를 들면 집전부(13b)가 위치하는 영역에 형성되며, 제1 방향(X-X')을 따라 길게 연장된다. 따라서, 제1 부분(12-1)은 집전부(13b)와 접촉하며, 집전부(13b)와 동일한 개수로 형성된다. 따라서, 도 5를 참조하면, 에미터부(12)는 3개의 제1 부분(12-1)을 구비한다.The first portion 12-1 is formed in a region where the first electrode portion 13 and the interconnector 20 are joined, for example, in a region where the current collecting portion 13b is located, '). Therefore, the first portion 12-1 is in contact with the current collecting portion 13b, and is formed in the same number as the current collecting portion 13b. Thus, referring to FIG. 5, the emitter portion 12 has three first portions 12-1.

제2 방향으로 측정된 제1 부분(12-1)의 폭은 집전부(13b)의 폭과 동일하게 형성될 수 있지만, 정렬 마진(alignment margin)을 고려하여 집전부(13b)의 폭보다 크게 형성될 수도 있다.The width of the first portion 12-1 measured in the second direction may be the same as the width of the current collector 13b but may be larger than the width of the current collector 13b in consideration of alignment margins. .

제2 부분(12-2)과 제3 부분(12-3)은 인접한 2개의 제1 부분(12-1) 사이에 위치한다. 이때, 인접한 2개의 제1 부분(12-1) 사이에는 2개의 제2 부분(12-2)과 1개의 제3 부분(12-3)이 위치한다.The second portion 12-2 and the third portion 12-3 are located between two adjacent first portions 12-1. At this time, two second portions 12-2 and one third portion 12-3 are positioned between the adjacent two first portions 12-1.

제2 부분(12-2)과 제3 부분(12-3)은 도 5에 도시한 3개의 집전부(13b) 중 왼쪽에 위치한 집전부의 왼쪽 영역과 오른쪽에 위치한 집전부의 오른쪽 영역에도 위치한다. 하지만, 왼쪽에 위치한 집전부의 왼쪽 영역과 오른쪽에 위치한 집전부의 오른쪽 영역에는 각각 1개씩의 제2 부분(12-2)과 제3 부분(12-3)만 위치한다.The second portion 12-2 and the third portion 12-3 are also located on the left side of the current collecting portion located on the left side of the three current collecting portions 13b shown in FIG. 5 and on the right side of the current collecting portion located on the right side do. However, only the second part 12-2 and the third part 12-3 are located in the left area of the left side and the right side area of the right side of the current collecting part located on the left side.

이에 대해 보다 구체적으로 설명하면, 제2 부분(12-2)은 제2 방향으로 측정된 제1 부분(12-1)의 폭방향, 즉 제2 방향(Y-Y')으로 제1 부분(12-2)의 적어도 한쪽 주변, 바람직하게는 제1 부분(12-2)의 양쪽 주변에 제1 부분(12-2)과 인접하여 위치하며, 제1 방향(X-X')을 따라 길게 연장된다.More specifically, the second portion 12-2 is divided into a first portion 12-1 in the width direction of the first portion 12-1 measured in the second direction, that is, in the second direction Y-Y ' 12-2 in the first direction (X-X ') and adjacent to the first part 12-2 at the periphery of at least one side of the first part 12-2 .

이때, 제2 부분(12-2)의 폭은 도 3의 도면에서 인터커넥터(20)의 요철 표면(21)에서 반사된 후 기판(11)에 재입사되는 폭과 동일하게 형성될 수도 있지만, 상기 폭보다 크게 형성될 수도 있다.At this time, the width of the second portion 12-2 may be formed to be the same as the width of the light incident on the substrate 11 after being reflected by the uneven surface 21 of the interconnector 20 in the drawing of FIG. 3, And may be formed larger than the width.

그리고 제3 부분(12-3)은 제2 부분(12-2)과 인접하여 배치되며, 제1 방향을 따라 길게 연장되어 형성된다. 그리고 제2 방향으로 측정된 제3 부분(12-3)의 폭은 제2 부분(12-2)의 폭보다 크게 형성된다..The third portion 12-3 is disposed adjacent to the second portion 12-2 and extends along the first direction. And the width of the third portion 12-3 measured in the second direction is greater than the width of the second portion 12-2.

제1 부분(12-1)은 제1 도핑 농도로 형성되고, 제2 부분(12-2)은 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 제3 부분(12-3)은 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성된다.The first portion 12-1 is formed with a first doping concentration, the second portion 12-2 is formed with a second doping concentration lower than the first doping concentration, and the third portion 12-3 is formed with a second doping concentration 2 < / RTI > doping concentration.

본 실시예에서, 제1 도핑 농도는 제3 도핑 농도와 동일한 값을 갖는다. 한 예로, 제1 도핑 농도 및 제3 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 제2 도핑 농도는 n 또는 p이거나, n+ 또는 p+일 수 있다. In this embodiment, the first doping concentration has the same value as the third doping concentration. As an example, the first doping concentration and the third doping concentration may be n ++ or p ++, and the second doping concentration may be n or p, or n + or p +.

그리고 제1 부분(12-1)과 제3 부분(12-3)은 서로 동일한 제1 깊이(D1)로 형성되며, 제2 부분(12-2)은 제1 깊이(D1)보다 얕은 제2 깊이(D2)로 형성된다.The first portion 12-1 and the third portion 12-3 are formed with the same first depth D1 and the second portion 12-2 is formed with the second depth 12 And the depth D2.

한편, 도면에 도시하지는 않았지만, 전하 수집 효율을 향상시키기 위해, 제1 부분(12-1)은 핑거 전극(13a)과 접촉하는 영역에도 더 형성될 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, the first portion 12-1 may be further formed in a region in contact with the finger electrode 13a to improve the charge collection efficiency.

이러한 구성의 에미터(12)는 에치백 방법, 레이저 도핑법, 이온 주입법, 확산 방지막을 이용한 확산법 등의 다양한 방법에 의해 형성할 수 있다.The emitter 12 having such a configuration can be formed by various methods such as an etch-back method, a laser doping method, an ion implantation method, and a diffusion method using a diffusion barrier film.

그러나, 공정의 단순화 관점에서, 에미터는 레이저 도핑법 또는 이온 주입법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.However, from the viewpoint of simplification of the process, the emitter is preferably formed by laser doping or ion implantation.

이러한 구성의 에미터(12)는 제2 부분(12-2)이 제1 부분(12-1) 및 제3 부분(12-3)에 비해 낮은 도핑 농도로 형성되므로, 인터커넥터(20)의 요철 표면(21)에서 반사된 후 재입사되는 빛이 제2 부분(12-2)을 통해 효과적으로 흡수될 수 있다.The emitter 12 having such a configuration is formed such that the second portion 12-2 is formed at a lower doping concentration than the first portion 12-1 and the third portion 12-3, The light that has been reflected by the irregular surface 21 and then re-incident can be effectively absorbed through the second portion 12-2.

제2 전극부(15)는 기판(11)의 수광면 반대쪽, 즉 기판(11)의 후면에 형성되어 있으며, 기판(11)쪽으로 이동하는 전하, 예를 들어 정공을 수집한다.The second electrode unit 15 is formed on the opposite side of the light receiving surface of the substrate 11, that is, on the rear surface of the substrate 11, and collects charge, for example, holes moving toward the substrate 11.

이러한 제2 전극부(15)는 면 전극(15a) 및 집전부(15b)를 포함한다. 집전부(15b)는 제1 전극부(13)의 집전부(13b)와 대응하는 위치에 위치하며, 제1 방향(X-X)으로 연장된다. 그리고 면 전극(15a)은 집전부(15b)가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역에 전체적으로 형성된다.The second electrode portion 15 includes a surface electrode 15a and a current collecting portion 15b. The current collector portion 15b is located at a position corresponding to the current collector portion 13b of the first electrode portion 13 and extends in the first direction X-X. The surface electrode 15a is formed entirely in the remaining region except the region where the current collector 15b is formed.

면 전극(15a)은 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있다. 도전성 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 물질로 이루어질 수 있다.The surface electrode 15a is made of at least one conductive material. The conductive material may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, In, Ti, Au, And combinations thereof, but may be made of other conductive materials.

그리고 집전부(15b) 또한 적어도 하나의 도전성 물질로 이루어져 있고, 면 전극(15a)과 전기적으로 연결되어 있다. 따라서, 집전부(15b)는 면 전극(15a)으로부터 전달되는 전하, 예를 들면 정공을 외부 장치로 출력한다.The current collector 15b is also made of at least one conductive material and is electrically connected to the surface electrode 15a. Therefore, the current collector 15b outputs the charge, for example, holes, transmitted from the surface electrode 15a to an external device.

집전부(15b)를 구성하는 도전성 금속 물질은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있지만, 이외의 다른 도전성 금속 물질로 이루어질 수 있다.The conductive metal material constituting the current collector 15b may be at least one selected from the group consisting of Ni, Cu, Ag, Al, Sn, Zn, ), Gold (Au), and combinations thereof, but may be made of other conductive metal materials.

이와 같은 구조를 갖는 본 실시예에 따른 태양전지(10)의 동작은 다음과 같다.The operation of the solar cell 10 according to this embodiment having such a structure is as follows.

태양전지(10)의 수광면으로 빛이 조사되어 제1 유전층(14)과 에미터부(12)를 통해 기판(11)으로 입사되면, 광전 효과(photoelectric effect)에 의해 자유전자(free electron)가 생기게 되고, p-n 접합 원리에 따라 전자는 n형의 도전성 타입을 갖는 에미터부(12) 쪽으로 이동하고, 정공은 p형의 도전성 타입을 갖는 기판(11) 쪽으로 이동한다. When light is irradiated to the light receiving surface of the solar cell 10 and is incident on the substrate 11 through the first dielectric layer 14 and the emitter section 12, free electrons are generated by the photoelectric effect And the electrons move toward the emitter section 12 having the n-type conductivity type and the holes move toward the substrate 11 having the p-type conductivity type according to the pn junction principle.

이처럼, 에미터부(12) 쪽으로 이동한 전자는 핑거 전극(13a)에 의해 수집되어 집전부(13b)로 이동하고, 기판(11) 쪽으로 이동한 정공은 면 전극(15a)에 의해 수집되어 집전부(15b)로 이동한다.The electrons moved toward the emitter section 12 are collected by the finger electrode 13a and move to the current collector section 13b and the holes moved toward the substrate 11 are collected by the surface electrode 15a, (15b).

그리고, 기판(11)으로 입사된 빛 중에서 인터커넥터(20)에 입사된 빛은 요철 표면(21)에서 반사된 후 에미터(12)의 제2 부분(12-2)으로 재입사된다.The light incident on the interconnection 20 among the light incident on the substrate 11 is reflected by the concave and convex surface 21 and then re-entered into the second portion 12-2 of the emitter 12.

이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 태양전지에 대해 설명한다. 이하의 실시예들을 설명함에 있어서, 전술한 도 6의 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a solar cell according to another embodiment of the present invention will be described. In the following description of the embodiments, the same constituent elements as those of the embodiment of FIG. 6 described above are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

도 7은 도 5의 "A"부분을 확대한 사시도로서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양전지의 주요부 사시도이다.Fig. 7 is an enlarged perspective view of the portion "A" in Fig. 5, and is a perspective view of the main portion of the solar cell according to the second embodiment of the present invention.

도 7에 도시한 태양전지는 도 6에 도시한 태양전지에 비해 제2 부분(12-2)의 수광 면적이 증가된 태양전지에 관한 것이다.The solar cell shown in Fig. 7 relates to a solar cell in which the light receiving area of the second portion 12-2 is increased as compared with the solar cell shown in Fig.

제2 부분(12-2)의 수광 면적을 증가시키기 위해, 제2 부분(12-2)에 배치된 핑거 전극(13a)의 개수는 제3 부분(12-3)에 배치된 핑거 전극(13a)의 개수보다 적게 형성된다.The number of the finger electrodes 13a disposed in the second portion 12-2 is set to be larger than the number of the finger electrodes 13a arranged in the third portion 12-3 in order to increase the light receiving area of the second portion 12-2. ). ≪ / RTI >

일례로, 도 7을 참조하면, 제3 부분(12-3)에는 5개의 핑거 전극(13a)이 배치되지만, 제2 부분(12-2)에는 3개의 핑거 전극(13a)이 배치되어 있다.For example, referring to FIG. 7, five finger electrodes 13a are disposed in the third portion 12-3, but three finger electrodes 13a are disposed in the second portion 12-2.

그리고 제3 부분(12-3)에 배치된 핑거 전극(13a)들은 서로 인접한 적어도 2개가 제1 방향(X-X')으로 형성된 연결 전극(13a')에 의해 연결된다.The finger electrodes 13a disposed in the third portion 12-3 are connected by a connection electrode 13a 'formed by at least two adjacent ones of the finger electrodes 13a in the first direction X-X'.

이때, 제2 부분(12-2)에 배치된 핑거 전극(13a)은 도시한 바와 같이 제3 부분(12-3)에 배치된 핑거 전극(13a)과 일직선으로 연장될 수 있다.At this time, the finger electrode 13a disposed in the second portion 12-2 may extend in a straight line with the finger electrode 13a disposed in the third portion 12-3, as shown in the figure.

그러나 도시하지는 않았지만, 제2 부분(12-2)에 배치된 핑거 전극(13a)이 연결 전극(13a')에 연결되는 것도 가능하며, 제2 부분(12-2)에 배치된 핑거 전극(13a)과 된다. 제3 부분(12-3)에 배치된 핑거 전극(13a)은 다양한 형태로 연결될 수 있다.Although not shown, it is also possible that the finger electrode 13a disposed in the second portion 12-2 is connected to the connecting electrode 13a 'and the finger electrode 13a disposed in the second portion 12-2 ). The finger electrodes 13a disposed in the third portion 12-3 may be connected in various forms.

그리고 제1 부분(12-1)은 전술한 도 6의 실시예에서와 마찬가지로 핑거 전극(13a)과 접촉하는 영역에 더 형성될 수도 있다.The first portion 12-1 may be further formed in a region in contact with the finger electrode 13a as in the embodiment of Fig. 6 described above.

이러한 구성의 제1 전극부(13)를 갖는 태양전지는 에미터(12)의 제2 부분(12-2) 중 핑거 전극(13a)에 의해 가려지는 면적이 감소하므로, 수광 면적이 증가한다.In the solar cell having the first electrode portion 13 having such a configuration, the area covered by the finger electrode 13a in the second portion 12-2 of the emitter 12 is reduced, so that the light receiving area is increased.

이상에서 설명한 도 6 및 도 7의 실시예에 따른 태양전지는 에미터부가 전체적으로 균일한 도핑 농도를 갖는 일반적인 구조의 태양전지에 있어서 인터커넥터의 요철 표면에서 반사된 후 기판에 재입사되는 빛을 효과적으로 이용하기 위해 제2 부분(12-2)을 형성한 경우에 대한 실시예이다.In the solar cell according to the embodiments of FIGS. 6 and 7 described above, in the solar cell having the general structure in which the emitter portion has a uniformly uniform doping concentration, the light reflected back from the concave- And the second portion 12-2 is formed for use.

그러나, 본원 발명은 선택적 에미터부를 갖는 태양전지에도 적용이 가능하다. 이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 태양전지에 대해 설명한다.However, the present invention is also applicable to a solar cell having a selective emitter portion. Hereinafter, a solar cell according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 8에 도시한 태양전지는 선택적 에미터와 국부적인 후면 전계부를 갖는 양면 수광형 태양전지를 도시한 것으로, 본 실시예의 태양전지는 도시한 바와 같이 기판(11)의 후면에 위치하는 제2 전극부(15)가 기판의 전면에 위치하는 제1 전극부(13)와 동일한 그리드 형태로 형성된다. 따라서, 제2 전극부(15)는 핑거 전극(15a')과 집전부(15b)를 포함한다.8 illustrates a double-sided light receiving solar cell having a selective emitter and a local rear electric field portion. As shown in the figure, the solar cell of this embodiment includes a second electrode The first electrode part 13 is formed in the same grid shape as the first electrode part 13 located on the front surface of the substrate. Accordingly, the second electrode unit 15 includes the finger electrode 15a 'and the current collector 15b.

그리고 후면 전계부(16)는 전술한 도 6 및 도 7의 실시예와 같이 기판(11)의 후면 전체에 위치하지 않고, 제2 전극부(15)가 위치하는 영역에만 국부적으로 형성된다. 따라서, 빛은 기판(11)의 전면 및 후면을 통해 각각 입사될 수 있다.6 and 7, the rear electric field portion 16 is not formed on the entire rear surface of the substrate 11 but is locally formed only in the region where the second electrode portion 15 is located. Thus, light may be incident through the front and rear surfaces of the substrate 11, respectively.

도 8에서, 미설명 도면부호 17은 제2 유전층으로서, 제2 유전층(17)은 제1 유전층(14)와 마찬가지로 반사방지 기능 및/또는 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.In FIG. 8, reference numeral 17 denotes a second dielectric layer, and the second dielectric layer 17 can perform an antireflection function and / or a passivation function like the first dielectric layer 14.

이러한 구성의 양면 수광형 태양전지에 있어서, 선택적 에미터를 형성하기 위해, 에미터(12)의 제3 부분(12-3)은 제1 부분(12-1)보다 낮은 제3 도핑 농도로 형성되고, 제2 부분(12-2)은 제3 부분(12-3)에 비해 낮은 제2 도핑 농도로 형성된다.In the double-side light-receiving solar cell having such a configuration, in order to form the selective emitter, the third portion 12-3 of the emitter 12 is formed at a third doping concentration lower than the first portion 12-1 And the second portion 12-2 is formed with a second doping concentration lower than that of the third portion 12-3.

이 경우, 제1 부분(12-1)의 제1 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 제2 부분(12-2)의 제2 도핑 농도는 n 또는 p이며, 제3 부분(12-3)의 제3 도핑 농도는 n+ 또는 p+일 수 있다. In this case, the first doping concentration of the first portion 12-1 is n ++ or p ++, the second doping concentration of the second portion 12-2 is n or p, and the third doping concentration of the third portion 12-3 The third doping concentration may be n + or p +.

그리고 제1 부분(12-1)은 제1 깊이(D1)로 형성되고, 제2 부분(12-2)은 제1 깊이(D1)보다 얕은 제2 깊이(D2)로 형성되며, 제3 부분(12-3)은 제1 깊이(D1)보다 얕고 제2 깊이(D2)보다 깊은 제3 깊이(D3)로 형성된다.And the first portion 12-1 is formed at a first depth D1 and the second portion 12-2 is formed at a second depth D2 shallower than the first depth D1, (12-3) is formed at a third depth (D3) which is shallower than the first depth (D1) and deeper than the second depth (D2).

도면에 도시하지는 않았지만, 이러한 구조의 태양전지에도 도 7에 도시한 형태의 전극 구조를 사용할 수 있다. 즉, 제2 부분(12-2)에 위치하는 핑거 전극의 개수를 제3 부분(12-3)에 위치하는 핑거 전극의 개수보다 적게 형성할 수 있다.Although not shown in the drawings, an electrode structure of the type shown in Fig. 7 can be used for a solar cell having such a structure. That is, the number of the finger electrodes positioned in the second portion 12-2 may be smaller than the number of the finger electrodes positioned in the third portion 12-3.

또한, 핑거 전극(13a)과 접촉하는 영역을 제1 부분(12-1)으로 형성하는 것도 가능하다.It is also possible to form the first portion 12-1 in contact with the finger electrode 13a.

이상에서 설명한 도 6 내지 도 8의 실시예는 인터커넥터가 접합되는 부분에 집전부가 형성된 태양전지에 관한 것이다. 그러나 본원 발명은 집전부를 갖지 않는 논-버스바 구조의 태양전지에도 적용이 가능하다. 이하, 도 9를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 태양전지에 대해 설명한다.The embodiments of Figs. 6 to 8 described above relate to a solar cell having a current collecting portion formed at a portion where an interconnector is joined. However, the present invention is also applicable to a solar cell having a non-bus bar structure having no current collectors. Hereinafter, a solar cell according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 9에 도시한 태양전지는 도 6에 도시한 태양전지에서 집전부를 제거한 태양전지이다.The solar cell shown in Fig. 9 is a solar cell in which the current collecting portion is removed from the solar cell shown in Fig.

즉, 본 실시예의 태양전지는 집전부, 예컨대 버스바(busbar)를 제거한 논-버스바(non-busbar) 구조의 태양전지로서, 논-버스바 구조의 태양전지는 기판(11)의 전면에 위치하는 제1 전극부(13)가 복수의 핑거 전극(13a)으로만 구성되며, 기판(11)의 후면에 위치하는 제2 전극부(13)가 도 6, 도 7 및 도 9에 도시한 면 전극(15a)으로만 구성되거나, 도 8에 도시한 핑거 전극(15a')으로만 구성된다.That is, the solar cell of the present embodiment is a solar cell of a non-bus bar structure in which a bus bar is removed, and a solar cell of a non-bus bar structure is formed on the front surface of the substrate 11 The first electrode portion 13 located at the rear side of the substrate 11 is composed of only a plurality of finger electrodes 13a and the second electrode portion 13 located at the rear side of the substrate 11 is formed as shown in Figs. Only the surface electrode 15a or only the finger electrode 15a 'shown in Fig.

이와 같이, 논-버스바 구조의 태양전지는 핑거 전극(13a)들과 물리적으로 연결된 집전부를 구비하지 않는다. As such, the solar cell of the non-bus bar structure does not have a current collecting portion physically connected to the finger electrodes 13a.

따라서, 인접한 복수의 핑거 전극(13a)들은 도전성 접착 필름 및 이 필름에 의해 핑거 전극(13a)들에 접합되는 인터커넥터(20)에 의해서만 전기적으로 연결된다.Accordingly, the plurality of adjacent finger electrodes 13a are electrically connected only by the conductive adhesive film and the interconnector 20 bonded to the finger electrodes 13a by the film.

논-버스바 구조의 태양전지에 있어서, 플럭스(flux)를 이용하여 인터커넥터(20)를 제1 전극부(13) 및 제2 전극부(15)과 접착하는 것은 용이하지 않다.In the solar cell having the non-bus bar structure, it is not easy to bond the interconnector 20 to the first electrode unit 13 and the second electrode unit 15 by using a flux.

따라서, 열 경화성 수지 및 이 수지 내에 분산된 복수의 도전성 입자를 필름(film) 형상으로 제조한 도전성 접착 필름을 사용하여 인터커넥터(20)를 제1 전극부(13) 및 제2 전극부(15)와 접착하는 것이 바람직하다.Therefore, by using the conductive adhesive film in which a thermosetting resin and a plurality of conductive particles dispersed in the resin are formed in a film shape, the inter connecter 20 is connected to the first electrode portion 13 and the second electrode portion 15 ).

도면에 도시하지는 않았지만, 본 실시예의 태양전지에도 도 7에 도시한 형태의 전극 구조를 사용할 수 있다.Although not shown in the drawings, the electrode structure of the embodiment shown in Fig. 7 can also be used for the solar cell of this embodiment.

이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

10: 태양전지 11: 기판
12: 에미터부 12-1: 제1 부분
12-2: 제2 부분 12-3: 제3 부분
13: 제1 전극부 14: 제1 유전층
15: 제2 전극부 16: 후면 전계부
17: 제2 유전층10: solar cell 11: substrate
12: emitter part 12-1: first part
12-2: second part 12-3: third part
13: first electrode part 14: first dielectric layer
15: second electrode part 16: rear electric part
17: Second dielectric layer

Claims (35)

기판;
상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;
상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부;
상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극부
를 포함하며,
상기 에미터부는 상기 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 2개의 제2 부분과 1개의 제3 부분을 포함하고,
상기 2개의 제2 부분은 각각 제1 부분과 인접하여 위치하고, 상기 1개의 제3 부분은 2개의 제2 부분 사이에 위치하며,
상기 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성되는 태양전지.Board;
An emitter located on a first side of the substrate and forming a pn junction with the substrate;
A first electrode part located on a first surface of the substrate and connected to the emitter part;
A second electrode located on a second surface of the substrate opposite to the first surface and connected to the substrate,
/ RTI >
Wherein the emitter portion includes at least two first portions located in a region where the first electrode portion and the interconnector are bonded to each other and extending in the first direction and two second portions located between the adjacent two first portions, And a third portion of the number < RTI ID = 0.0 &
The two second portions being each located adjacent to the first portion, the one third portion being located between the two second portions,
Wherein the first portion is formed with a first doping concentration and the second portion is formed with a second doping concentration lower than the first doping concentration and the third portion is formed with a third doping concentration greater than the second doping concentration A solar cell formed. 제1항에서,
상기 제1 도핑 농도와 상기 제3 도핑 농도가 서로 동일한 값을 갖는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the first doping concentration and the third doping concentration have the same value. 제2항에서,
상기 제1 도핑 농도 및 상기 제3 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이거나, n+ 또는 p+인 태양전지.3. The method of claim 2,
Wherein the first doping concentration and the third doping concentration are n ++ or p ++ and the second doping concentration is n or p, or n + or p +. 제2항에서,
상기 제1 부분과 상기 제3 부분이 서로 동일한 깊이로 형성되는 태양전지.3. The method of claim 2,
Wherein the first portion and the third portion are formed to have the same depth. 삭제delete 삭제delete 제2항에서,
상기 제3 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 크게 형성되는 태양전지.3. The method of claim 2,
And the width of the third portion is larger than the width of the second portion. 제1항에서,
상기 제1 도핑 농도가 상기 제3 도핑 농도보다 큰 값을 갖는 태양전지.The method of claim 1,
Wherein the first doping concentration has a value larger than the third doping concentration. 제8항에서,
상기 제1 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이며, 상기 제3 도핑 농도는 n+ 또는 p+인 태양전지.9. The method of claim 8,
Wherein the first doping concentration is n ++ or p ++, the second doping concentration is n or p, and the third doping concentration is n + or p +. 제8항에서,
상기 제1 부분은 제1 깊이로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제1 깊이보다 얕고 상기 제2 깊이보다 깊은 제3 깊이로 형성되는 태양전지.9. The method of claim 8,
Wherein the first portion is formed at a first depth and the second portion is formed at a second depth shallower than the first depth and the third portion is shallower than the first depth and a third depth . ≪ / RTI > 삭제delete 삭제delete 제8항에서,
상기 제3 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 크게 형성되는 태양전지.9. The method of claim 8,
And the width of the third portion is larger than the width of the second portion. 제1항 내지 제4항, 제7항 내지 제10항 및 제13항 중 어느 한 항에서,
상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 방향으로 길게 연장된 태양전지.14. The method according to any one of claims 1 to 4, 7 to 10, and 13,
And the second portion and the third portion are elongated in the first direction, respectively. 제14항에서,
상기 제1 전극부는 복수의 핑거 전극들을 포함하며, 상기 제2 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수가 상기 제3 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수보다 적은 태양전지.The method of claim 14,
Wherein the first electrode portion includes a plurality of finger electrodes and the number of finger electrodes located at the second portion is smaller than the number of finger electrodes located at the third portion. 제15항에서,
상기 제1 전극부는 상기 제3 부분에 위치하는 서로 인접한 적어도 2개의 핑거 전극들을 상기 제1 방향으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 태양전지.16. The method of claim 15,
Wherein the first electrode portion further comprises a connection electrode connecting at least two finger electrodes adjacent to each other in the third portion in the first direction. 제15항에서,
상기 제1 전극부는 상기 제1 방향으로 길게 연장되며 상기 복수의 핑거 전극들과 연결되는 집전부를 더 포함하는 태양전지.16. The method of claim 15,
Wherein the first electrode unit further includes a current collector extended in the first direction and connected to the plurality of finger electrodes. 제15항에서,
상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지.16. The method of claim 15,
Wherein the second electrode portion has the same structure as the first electrode portion. 제17항에서,
상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지.The method of claim 17,
Wherein the second electrode portion has the same structure as the first electrode portion. 복수의 태양전지; 및
서로 인접한 2개의 태양전지들 중 어느 한 태양전지에 전기적으로 연결된 제1 영역 및 서로 이웃하는 태양전지들 중 다른 한 태양전지에 전기적으로 연결된 제2 영역을 포함하며, 상기 제1 영역 및 제2 영역 중 적어도 어느 한 영역은 요철 표면을 포함하는 인터커넥터
를 포함하고,
상기 태양전지는,
기판;
상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 기판과 p-n 접합을 형성하는 에미터부;
상기 기판의 제1 면에 위치하며, 상기 에미터부와 연결되는 제1 전극부;
상기 제1 면의 반대쪽에 위치하는 상기 기판의 제2 면에 위치하며, 상기 기판과 연결되는 제2 전극부
를 포함하며,
상기 에미터부는 상기 제1 전극부와 인터커넥터가 접합되는 영역에 위치하며 제1 방향으로 길게 연장된 적어도 2개의 제1 부분 및 인접한 2개의 제1 부분 사이에 위치하는 2개의 제2 부분과 1개의 제3 부분을 포함하고,
상기 2개의 제2 부분은 각각 제1 부분과 인접하여 위치하고, 상기 1개의 제3 부분은 2개의 제2 부분 사이에 위치하며,
상기 제1 부분은 제1 도핑 농도로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 도핑 농도보다 낮은 제2 도핑 농도로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제2 도핑 농도보다 큰 제3 도핑 농도로 형성되는 태양전지 모듈.A plurality of solar cells; And
A first region electrically connected to one of two solar cells adjacent to each other, and a second region electrically connected to another solar cell among neighboring solar cells, wherein the first region and the second region Wherein at least one of the regions has an irregular surface,
Lt; / RTI >
In the solar cell,
Board;
An emitter located on a first side of the substrate and forming a pn junction with the substrate;
A first electrode part located on a first surface of the substrate and connected to the emitter part;
A second electrode located on a second surface of the substrate opposite to the first surface and connected to the substrate,
/ RTI >
Wherein the emitter portion includes at least two first portions located in a region where the first electrode portion and the interconnector are bonded to each other and extending in the first direction and two second portions located between the adjacent two first portions, And a third portion of the number < RTI ID = 0.0 &
The two second portions being each located adjacent to the first portion, the one third portion being located between the two second portions,
Wherein the first portion is formed with a first doping concentration and the second portion is formed with a second doping concentration lower than the first doping concentration and the third portion is formed with a third doping concentration greater than the second doping concentration A solar cell module formed. 제20항에서,
상기 제1 도핑 농도 및 상기 제3 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이거나, n+ 또는 p+인 태양전지 모듈.20. The method of claim 20,
Wherein the first doping concentration and the third doping concentration are n ++ or p ++ and the second doping concentration is n or p, or n + or p +. 제20항에서,
상기 제1 부분과 상기 제3 부분이 서로 동일한 깊이로 형성되는 태양전지 모듈.20. The method of claim 20,
Wherein the first portion and the third portion are formed to have the same depth. 제20항에서,
상기 제1 도핑 농도는 n++ 또는 p++이고, 상기 제2 도핑 농도는 n 또는 p이며, 상기 제3 도핑 농도는 n+ 또는 p+인 태양전지 모듈.20. The method of claim 20,
Wherein the first doping concentration is n ++ or p ++, the second doping concentration is n or p, and the third doping concentration is n + or p +. 제20항에서,
상기 제1 부분은 제1 깊이로 형성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이로 형성되며, 상기 제3 부분은 상기 제1 깊이보다 얕고 상기 제2 깊이보다 깊은 제3 깊이로 형성되는 태양전지 모듈.20. The method of claim 20,
Wherein the first portion is formed at a first depth and the second portion is formed at a second depth shallower than the first depth and the third portion is shallower than the first depth and a third depth And the solar cell module. 삭제delete 삭제delete 제20항에서,
상기 제3 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 크게 형성되는 태양전지 모듈.20. The method of claim 20,
And the width of the third portion is larger than the width of the second portion. 제20항에서,
상기 요철 표면은 상기 제1 영역의 표면 중 상기 기판과 마주하는 면의 반대쪽 면에 형성되는 태양전지 모듈.20. The method of claim 20,
And the uneven surface is formed on the surface of the first region opposite to the surface facing the substrate. 제28항에서,
상기 요철 표면은 상기 제2 영역의 표면 중 상기 기판과 마주하는 면의 반대쪽 면에 더 형성되는 태양전지 모듈.29. The method of claim 28,
And the uneven surface is further formed on a surface of the second region opposite to the surface facing the substrate. 제20항 내지 제24항 및 제27항 내지 제29항 중 어느 한 항에서,
상기 제2 부분 및 상기 제3 부분은 각각 제1 방향으로 길게 연장된 태양전지 모듈.29. The method of any one of claims 20-24 and 27-29,
And the second portion and the third portion are elongated in the first direction, respectively. 제30항에서,
상기 제1 전극부는 복수의 핑거 전극들을 포함하며, 상기 제2 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수가 상기 제3 부분에 위치하는 핑거 전극의 개수보다 적은 태양전지 모듈.32. The method of claim 30,
Wherein the first electrode portion includes a plurality of finger electrodes and the number of finger electrodes located in the second portion is smaller than the number of finger electrodes located in the third portion. 제30항에서,
상기 제1 전극부는 상기 제3 부분에 위치하는 서로 인접한 적어도 2개의 핑거 전극들을 상기 제1 방향으로 연결하는 연결 전극을 더 포함하는 태양전지 모듈.32. The method of claim 30,
Wherein the first electrode portion further includes a connection electrode connecting at least two finger electrodes adjacent to each other in the third portion in the first direction. 제30항에서,
상기 제1 전극부는 상기 제1 방향으로 길게 연장되며 상기 복수의 핑거 전극들과 연결되는 집전부를 더 포함하는 태양전지 모듈.32. The method of claim 30,
Wherein the first electrode unit further includes a current collector extended in the first direction and connected to the plurality of finger electrodes. 제30항에서,
상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지 모듈.32. The method of claim 30,
And the second electrode portion has the same structure as the first electrode portion. 제32항에서,
상기 제2 전극부는 상기 제1 전극부와 동일한 구조로 형성되는 태양전지 모듈.32. The method of claim 32,
And the second electrode portion has the same structure as the first electrode portion.
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