KR101956056B1 - Light emitting device and lighting system - Google Patents
Light emitting device and lighting system Download PDFInfo
- Publication number
- KR101956056B1 KR101956056B1 KR1020120059723A KR20120059723A KR101956056B1 KR 101956056 B1 KR101956056 B1 KR 101956056B1 KR 1020120059723 A KR1020120059723 A KR 1020120059723A KR 20120059723 A KR20120059723 A KR 20120059723A KR 101956056 B1 KR101956056 B1 KR 101956056B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- light emitting
- disposed
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 684
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 193
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 90
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910005269 GaF 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 19
- -1 fluoride metal compound Chemical class 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 6
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017932 Cu—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층; 상기 전극층 위에 서로 이격된 접착층; 상기 전극층과 상기 접착층의 위에 반사층; 및 상기 반사층에 전기적으로 연결된 제2전극을 포함하며, 상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer, an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, A light emitting structure layer including a light emitting layer; An electrode layer on the second conductive semiconductor layer; An adhesive layer spaced apart from each other on the electrode layer; A reflective layer on the electrode layer and the adhesive layer; And a second electrode electrically connected to the reflective layer, wherein the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound.
Description
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and an illumination system having the same.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 발광소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있다.A light emitting diode (LED) is a light emitting element that converts current into light. Recently, light emitting diodes have been increasingly used as a light source for displays, a light source for automobiles, and a light source for illumination because the luminance gradually increases.
최근에는 청색 또는 녹색 등의 단파장 광을 생성하여 풀 컬러 구현이 가능한 고출력 발광 칩이 개발된바 있다. 이에, 발광 칩으로부터 출력되는 광의 일부를 흡수하여 광의 파장과 다른 파장을 출력하는 형광체를 발광 칩 상에 도포함으로써, 다양한 색의 발광 다이오드를 조합할 수 있으며 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.In recent years, high output light emitting chips capable of realizing full color by generating short wavelength light such as blue or green have been developed. By applying a phosphor that absorbs a part of the light output from the light emitting chip and outputs a wavelength different from the wavelength of the light, the light emitting diodes of various colors can be combined and a light emitting diode emitting white light can be realized Do.
실시 예는 새로운 구조의 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device having a new structure.
실시 예는 반사층의 접착을 위한 접착층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device comprising an adhesive layer for adhesion of a reflective layer.
실시 예는 반사층과 접촉되는 플루오린화(fluorine) 접착층을 포함하는 발광 소자를 제공한다. Embodiments provide a light emitting device comprising a fluorine adhesive layer in contact with a reflective layer.
실시 예는 반도체층과 반사층 사이에 배치되는 불소 기반의 접착층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device comprising a fluorine-based adhesive layer disposed between a semiconductor layer and a reflective layer.
실시 예는 알루미늄의 반사층에 플루오린화 금속 화합물로 이루어진 접착층을 포함하는 발광 소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device comprising an adhesive layer made of a fluorinated metal compound in a reflective layer of aluminum.
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층; 상기 전극층 위에 서로 이격된 접착층; 상기 전극층과 상기 접착층의 위에 반사층; 및 상기 반사층에 전기적으로 연결된 제2전극을 포함하며, 상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer, an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, A light emitting structure layer including a light emitting layer; An electrode layer on the second conductive semiconductor layer; An adhesive layer spaced apart from each other on the electrode layer; A reflective layer on the electrode layer and the adhesive layer; And a second electrode electrically connected to the reflective layer, wherein the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound.
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제2도전형 반도체층 위의 제1영역에 전극층; 상기 제2도전형 반도체층 위의 제2영역에 접착층; 상기 전극층과 상기 접착층의 위에 접착된 반사층; 및 상기 제1도전형 반도체층 위에 제1전극; 상기 반사층 아래에 전도성 지지부재를 포함하며, 상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer, an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, A light emitting structure layer including a light emitting layer; An electrode layer in a first region on the second conductive type semiconductor layer; An adhesive layer in a second region on the second conductive type semiconductor layer; A reflective layer adhered to the electrode layer and the adhesive layer; And a first electrode on the first conductive semiconductor layer; And a conductive support member below the reflective layer, wherein the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound.
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 전극층 위에 배치된 반사 전극층; 상기 발광 구조층 내에 배치되며 상기 제1도전형 반도체층의 일부를 노출하는 적어도 하나의 리세스; 상기 반사 전극층의 위와 상기 리세스의 둘레에 배치된 절연층; 상기 절연층 상에 배치된 접착층; 상기 리세스 내에 일부가 배치되며 상기 접착층 위에 배치된 제1전극; 및 상기 반사 전극층 위에 제2전극을 포함하며, 상기 제1 및 제2전극은 상기 접착층에 반사층을 포함하며, 상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함한다. The light emitting device according to the embodiment includes a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer, an active layer between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, A light emitting structure layer including a light emitting layer; A reflective electrode layer disposed on the electrode layer; At least one recess disposed in the light emitting structure layer and exposing a portion of the first conductive type semiconductor layer; An insulating layer disposed above the reflective electrode layer and around the recess; An adhesive layer disposed on the insulating layer; A first electrode disposed partially within the recess and disposed over the adhesive layer; And a second electrode on the reflective electrode layer, wherein the first and second electrodes include a reflective layer on the adhesive layer, and the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound.
실시 예는 반사층과의 접착력을 개선할 수 있는 발광 소자를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a light emitting element that can improve the adhesion with the reflective layer.
실시 예는 반사층과의 접착력 개선을 통해 광 반사율 및 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the light reflectance and the light extraction efficiency by improving the adhesion with the reflective layer.
실시 예는 알루미늄 반사층의 반사 효율을 극대화할 수 있다.The embodiment can maximize the reflection efficiency of the aluminum reflective layer.
실시 예는 발광 소자의 전기적인 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the electrical reliability of the light emitting device.
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.Embodiments can improve the reliability of a light emitting device and an illumination system having the same.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 측 단면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 3은 제2실시예에 따른 발광소자의 측 단면도이다.
도 4는 제3실시예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 5는 제4실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 6은 제5실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 7은 제6실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 8은 도 7의 발광 소자의 B-B 측 단면도이다.
도 9는 제7실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 10은 제8실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 11은 제9실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 12는 제10실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 13은 제11실시 예에 따른 발광 소자의 측 단면도이다.
도 14는 실시 예에 따른 MgF2 층과 Al 및 Ag와의 접착력을 비교한 도면이다.
도 15는 실시 예에 따른 플루오린화 금속 산화물의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 16 및 도 17은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 발광 소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 19는 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 20 내지 도 24는 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 갖는 조명장치를 나타낸 도면이다.1 is a side sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
Fig. 2 is a cross-sectional view of the light-emitting device of Fig. 1 on the AA side.
3 is a side sectional view of the light emitting device according to the second embodiment.
4 is a side cross-sectional view of the light emitting device according to the third embodiment.
5 is a side sectional view of the light emitting device according to the fourth embodiment.
6 is a side sectional view of the light emitting device according to the fifth embodiment.
7 is a side sectional view of the light emitting device according to the sixth embodiment.
8 is a cross-sectional view of the light emitting device of Fig. 7 on the BB side.
9 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to a seventh embodiment.
10 is a side sectional view of the light emitting device according to the eighth embodiment.
11 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to the ninth embodiment.
12 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to the tenth embodiment.
13 is a side cross-sectional view of a light emitting device according to the eleventh embodiment.
FIG. 14 is a diagram comparing the adhesive strength between the MgF 2 layer and Al and Ag according to the embodiment. FIG.
15 is a graph showing the transmittance of a fluorinated metal oxide according to an embodiment.
16 and 17 are side cross-sectional views illustrating a light emitting device package having a light emitting device according to an embodiment.
18 is a view illustrating a display device having a light emitting device or a light emitting device package according to the embodiment.
19 is a view showing another example of a display device having a light emitting device or a light emitting device package according to the embodiment.
20 to 24 are views showing a light emitting device having the light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment and a method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be formed "on" or "under" a substrate, each layer The terms " on "and " under " include both being formed" directly "or" indirectly " Also, the criteria for top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.
도 1은 제1실시예에 따른 발광소자의 측 단면도이다. 1 is a side sectional view of a light emitting device according to a first embodiment.
도 1을 참조하면, 발광소자(10)는 기판(11), 버퍼층(13), 저 전도층(15), 제1도전형 반도체층(21), 활성층(23), 제2도전형 반도체층(25), 제1전극층(31), 접착층(33), 반사층(35), 제1전극(39) 및 제2전극(41)을 포함할 수 있다. 1, the
상기 기판(11)은 투광성, 절연성 또는 도전성의 재질 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(11)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 복수의 돌출부가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부는 상기 기판(11)의 식각을 통해 스트라이프 형상, 반구형상, 돔 형상과 같은 형상으로 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 기판(11)의 두께는 30㎛~300㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(10)로부터 제거될 수 있다.The
상기 기판(11) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. A plurality of compound semiconductor layers may be grown on the
상기 기판(11) 위에는 버퍼층(13)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(13)은 II족-VI 또는 III족 내지 V족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(13)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다. A
상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(13)은 30nm~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 버퍼층(13) 위에 저 전도층(15)이 형성되며, 상기 저 전도층(15)은 언도프드(undoped) 반도체층을 포함하며, 제1도전형 반도체층(21)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(15)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 저 전도성을 가지게 된다. 상기 버퍼층(13) 및 저 전도층(15) 중 적어도 한 층 또는 두 층 모두는 발광 소자(10)에서 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A
상기 저 전도층(15) 위에는 제1도전형 반도체층(21)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(21)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(21)이 n형 반도체층일 수 있으며, 예컨대, n형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.The first conductivity
상기 저 전도층(15)과 상기 제1도전형 반도체층(21) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å 이상으로 형성될 수 있다.At least one of the
상기 제1도전형 반도체층(21)과 상기 활성층(23) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는 InGaN/GaN 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.A first clad layer (not shown) may be formed between the first
상기 제1도전형 반도체층(21) 위에는 활성층(23)이 형성된다. 상기 활성층(23)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(23)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의 우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다. The
상기 우물층의 두께는 1.5~5nm 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 2~4nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 장벽층의 두께는 상기 우물층의 두께보다 더 두껍고 5~30nm의 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 5~7nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 장벽층 내에는 n형 도펀트를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층(23)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.The thickness of the well layer may be in the range of 1.5 to 5 nm, for example, in the range of 2 to 4 nm. The thickness of the barrier layer is thicker than the thickness of the well layer and may be formed within a range of 5 to 30 nm, for example, within a range of 5 to 7 nm. The barrier layer may include an n-type dopant, but the present invention is not limited thereto. The
상기 활성층(23) 위에는 제2클래드층(미도시)이 형성되며, 상기 제2클래드층은 상기 활성층(23)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
A second cladding layer (not shown) is formed on the
상기 제2클래드층(미도시) 위에는 제2도전형 반도체층(25)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(25)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(25)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(25)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductivity
상기 발광소자(10)는 상기 제1도전형 반도체층(21), 활성층(23) 및 상기 제2도전형 반도체층(25)을 포함하는 층 구조를 발광 구조층(20)로 정의될 수 있다. The
상기 발광 구조층(20) 내에서 상기의 제1도전형과 제2도전형의 층들(21,25)의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층들(21,25)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(21)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(25) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 발광 구조층(20)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.
In the light emitting
상기 발광 구조층(20) 위에 제1전극층(31), 접착층(33), 반사층(35), 제2전극층(35), 및 제2전극(41)이 배치되고, 일부 위에는 제2전극(39)이 배치된다. A
상기 제1전극층(31)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(31)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률을 갖는 투과성 전극층으로 형성될 수 있다. The
상기 제1전극층(31)은 제2도전형 반도체층(25)의 상면에 형성되며, 금속 산화물, 또는 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1전극층(31)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극층(31)은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 중 적어도 하나 또는 합금을 광이 투과될 수 있는 정도로 얇게 형성할 수 있으며, 예컨대 50Å 이하, 예컨대 10 Å로 형성할 수 있다. The
상기 접착층(33)은 상기 제1전극층(31) 위에 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 접착층(33)은 상기 제1전극층(31) 위에 복수로 형성되거나, 다수의 홀을 갖는 패턴으로 형성될 수 있다.The
상기 접착층(33) 및 상기 제1전극층(31) 위에는 반사층(35)이 형성되며, 상기 반사층(35)은 상기 접착층(33) 상에 접착된다. 상기 반사층(35)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하며, 예컨대 은(Ag)보다는 반사율이 높은 알루미늄(Al)를 포함할 수 있다. A
여기서, 상기 접착층(33)은 상기 반사층(35)의 재질인 알루미늄과의 접착력 개선을 위한 물질을 포함한다. 상기 접착층(33)은 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함하며, 예컨대 MxFy로 형성될 수 있다. 상기 M은 Ga, Mg, Al와 같은 금속 또는 전이 금속 중 적어도 하나를 포함하며, x는 1-3 범위에 있으며, y는 2 또는 3이 될 수 있다. 상기 플루오린화 전이 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다. 여기서, 접착력의 증가는 Gibbs free energy로 설명할 수 있으며, 각 물질의 에너지는 -1000 kJ/mol 이상으로서, MgF2은 -1085.3 kJ/mol, AlF3은 -1425.1 kJ/mol, GaF3은 -1085.3 kJ/mol이 될 수 있다.Here, the
상기의 접착력은 두 물질 사이의 계면에서 분자간의 접촉이 필요하며 접착 물질 간의 전기/화학적인 결합으로 설명 될 수 있다. 이러한 이온결합, 공유 결합, 금속결합과 같은 대부분의 원자 및 분자간의 결합은 결국 결합 에너지로 설명 될 수 있다. Al과 F의 결합에 대한 에너지를 상대적으로 확인 할 수 있는 값이 Gibbs energy가 되며, 더 낮은 에너지를 가지는 쪽으로 자연적인 반응이 일어나는 것으로 설명될 수 있다. 이는 MgF2 보다 AlF3가 더 낮은 에너지를 가지기 때문에 MgF2와 Al의 계면에서는 자연적으로 Al과 F원자간의 결합이 일어나게 되며 이러한 현상이 접착력의 증가 원인으로 해석될 수 있다. The above adhesive force requires the intermolecular contact at the interface between the two materials and can be explained by the electrochemical bonding between the adhesive materials. Most of the bonding between atoms and molecules such as ionic bonds, covalent bonds, and metal bonds can eventually be explained by bonding energy. A value that can relatively confirm the energy for the combination of Al and F becomes Gibbs energy, and it can be explained that a natural reaction takes place toward the lower energy. This is because AlF 3 has a lower energy than MgF 2 , so the bond between Al and F atoms occurs naturally at the interface between MgF 2 and Al, and this phenomenon can be interpreted as an increase in adhesion.
도 14의 도면을 보면, 동일한 E-beam 설비를 통해 MgF2 층위에 Ag 층을 형성한 것과 Al 층을 형성한 것과의 비교를 볼 수 있다. 각 물질들의 Gibbs energy를 비교해보면 각각 MgF2 : -1070.3 kJ/mol , AlF3 : -1425.1 kJ/mol , AgF: -186 kJ/mol 으로, MgF2 위의 Ag 층은 MgF2 위의 Al 층을 형성하는 것보다는 결합력이 약한 것으로 나타내고 있다. Referring to Fig. 14, a comparison between the formation of the Ag layer on the MgF 2 layer and the formation of the Al layer through the same E-beam equipment can be seen. A comparison of the Gibbs energy of each material respectively MgF 2: -1070.3 kJ / mol, AlF 3: -1425.1 kJ / mol, AgF: to -186 kJ / mol, Ag layer of MgF 2 above, the Al layer on the MgF 2 The bonding force is weaker than the bonding force.
도 15를 참조하면, 상기의 접착층(33)인 플로오린화 전이 금속 화합물은 투과율이 80% 이상 예컨대, 450nm의 파장에 대해 80% 이상의 투과율을 나타내고 있다. Referring to Fig. 15, the fluorinated transition metal compound, which is the
상기 접착층(33)은 은(Ag) 반사층보다는 알루미늄 반사층과 높은 접착력을 갖고 있기 때문에, 상기 반사층(35)의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 반사층(35)의 접착력이 개선됨으로써, 반사 효율도 증가될 수 있다.Since the
상기 접착층(33)은 비전도성 재질이며, 그 굴절률은 상기 제1전극층(31)의 굴절률보다는 낮은 굴절률로 형성될 수 있으며, 1.5 이하 예컨대, 1.3 정도일 수 있다. The
상기 접착층(33)의 두께는 10nm-1㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이는 반사층(35)과의 접착력을 고려한 두께가 될 수 있다. 상기 반사층(35)은 상기 접착층(33)과의 접착력이 상기 제1전극층(31)과의 접착력보다 더 높을 수 있다.The thickness of the
상기 반사층(35) 위에는 제2전극층(37)이 배치되며, 상기 제2전극층(37)은 금속층 예컨대, 베리어 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(37)은 Ti, W, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(37)은 예컨대, TiW(Titanium Tungsten) 와 같은 합금으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A
상기 제2전극층(37) 위에는 제2전극(41)이 배치되며, 상기 제1도전형 반도체층(21) 상에는 제1전극(39)이 배치된다. 상기 제1전극(39) 및 제2전극(41)은 Cr, Ti, Co, Ni, V, Hf, Ag, Al, Ru, Rh, Pt, Pd, Ni, Mo, W, La, Ta, Ti 및 이들의 선택 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1전극(39) 및 제2전극(41)은 동일한 금속 적층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A
상기 제2전극층(37) 상에는 절연층(43)이 배치되며, 상기 절연층(43)은 상기 제1전극(39)과 상기 발광 구조층(20) 사이의 측벽에도 형성될 수 있다. 상기 절연층(43)은 Al, Cr, Si, Ti, Zn, Zr과 같은 물질의 산화물, 질화물, 불화물, 황화물 등 절연물질 또는 절연성 수지를 포함한다. 상기 절연층(43)은 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 절연층(43)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.An insulating
상기 발광 소자(10)는 활성층(23)로부터 방출된 일부 광은 상기 반사층(35)에 의해 반사되어, 기판(11) 방향과 측벽 방향으로 추출된다. 이러한 발광 소자(10)는 플립 방식으로 기판 상이나 패키지 내에 본딩된다.
In the
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.2 is a cross-sectional view of the light emitting device of Fig. 1 on the A-A side.
도 2를 참조하면, 상기 접착층(33)은 미리 설정된 간격을 갖는 복수의 영역이 배열되며, 상기 접착층(33)의 영역들 사이에 반사층(35)이 배치된다. 상기 접착층(33)의 형상은 위에서 볼 때, 다각형 형상, 원 형상, 스트라이프 형상을 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 2, a plurality of regions having predetermined intervals are arranged in the
이하 실시 예를 설명함에 있어서, 도 1의 구성과 동일한 부분은 도 1의 설명을 참조하기로 하며, 상세한 설명은 생략하기로 한다.In the following description of the embodiment, the same parts as those in FIG. 1 will be referred to the description of FIG. 1, and a detailed description thereof will be omitted.
도 3은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 3 is a view illustrating a light emitting device according to a second embodiment.
도 3을 참조하면, 발광 소자(10A)는 발광 구조층(20) 내에 적어도 하나의 리세스(19)가 배치되고, 상기 적어도 하나의 리세스(19)는 상기 제2도전형 반도체층(25)부터 상기 제1도전형 반도체층(21)의 일부가 노출될 때까지의 깊이로 형성될 수 있다. 상기 리세스(19)는 복수개가 서로 이격되어 있을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Referring to FIG. 3, the
상기 리세스(19)의 둘레에는 절연층(44)이 배치되며, 상기 리세스(19)에 배치된 상기 절연층(44)의 내에는 홀이 형성되며, 상기 홀에는 제1전극(40)의 일부(40A)가 배치된다. 상기 제1전극(40)은 비아 구조로 상기 제1도전형 반도체층(21)과 물리적으로 접촉된다. 상기의 절연층(44)은 비전도성의 금속 화합물 예컨대, 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함하며, 예컨대 MxFy로 형성될 수 있다. 상기 M은 Ga, Mg, Al와 같은 금속 또는 전이 금속 중 적어도 하나를 포함하며, x는 1-3 범위에 있으며, y는 2 또는 3이 될 수 있다. 상기 플루오린화 전이 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다.
An insulating
발광 구조층(20) 위에는 제1전극층(31)이 배치되고, 상기 제1전극층(31) 위에는 접착층(33) 및 반사층(35)이 배치되며, 상기 반사층(35) 위에는 제2전극층(37)이 배치된다. 상기 반사층(35)은 상기 발광 구조층(20) 상부 영역 중에서 거의 80% 이상의 영역을 커버할 수 있으며, 이러한 반사층(35)은 접착층(33)에 의해 접착력이 개선될 수 있다. 상기 제2전극층(37)은 상기 제1전극층(31) 및 반사층(35)의 측면에도 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A
상기 제2전극층(37)에는 제2전극(41)이 배치되며, 상기 제2전극(41)은 하나 이상으로 분기된 암(Arm) 패턴을 갖고, 서로 연결된 구조로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2전극(41)과 상기 제2전극층(37) 사이에는 절연층(44)의 일부가 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1전극(40)은 상부 너비가 하부 너비보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 상기 제2전극(41)은 상부 너비가 하부 너비보다 더 넓게 형성될 수 있다.The
상기 발광 구조층(20) 상에 제1전극(40)과 제2전극(41)의 상면이 실질적으로 동일 평면 상에 배치됨으로써, 기판 상이나 패키지 내에 플립 방식으로 탑재될 수 있다.
The upper surfaces of the
도 4는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.4 is a side sectional view showing a light emitting device according to a third embodiment.
도 4를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(20) 위에 제1전극층, 반사층, 제2전극층이 배치된다. 상기 발광 구조층(20)의 상부에는 적어도 하나의 리세스(19)가 배치되며, 상기 리세스(19)의 둘레부터 상기 제2전극층(37) 위에 까지 절연층(44)이 배치된다. 상기 절연층(44) 상에는 접착층(33A)가 배치되며, 상기 접착층(33A)은 상기 절연층(44)과 상기 제1전극(40) 및 제2전극(41) 사이에 배치되어, 상기 제1전극(40)과 상기 제2전극(41)의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 제1전극(40)과 상기 제2전극(41)은 알루미늄 재질의 반사층을 포함하며, 상기 반사층은 상기 접착층(33A) 상에 접착될 수 있으며, 상기의 알루미늄 재질의 반사층에 의해 전극(40,41)에 의해 흡수되는 광이나 전극(40,41) 방향으로 누설되는 광을 차단할 수 있다.Referring to FIG. 4, the light emitting device includes a first electrode layer, a reflective layer, and a second electrode layer disposed on the light emitting
상기 제1전극(40)과 제2전극(41)은 복수개가 교대로 배열될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 접착층(33A)에는 구멍(33B)가 배치되며, 상기 구멍(33B)을 통해 제2전극(41)이 제2전극층(44)과 접촉될 수 있다.A plurality of the
상기 제1전극층(31) 상에는 반사 전극층(35A)이 배치되며, 상기 반사 전극층(35A) 상에는 제2전극층(37)이 배치된다. 상기의 반사 전극층(35A)은 상기 발광 구조층(20)의 제2도전형 반도체층(25) 위만 커버하고 있어서, 다른 영역에 대해 광 손실이 발생될 수 있다. 실시 예는 상기 제1 및 제2전극(40,41)의 하층에 상기 접착층(33A)와 접착되는 반사층을 배치함으로써, 광 손실을 줄여 주어, 반사 효율을 극대화시켜 줄 수 있다. A
상기의 접착층(33A)은 상기의 알루미늄 재질의 반사층과의 접착력이 강화된 물질 예컨대, 비전도성의 금속 화합물 예컨대, 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함한다. 상기 플로오린화 금속 화합물은 예컨대 MxFy로 형성될 수 있다. 상기 M은 Ga, Mg, Al와 같은 금속 또는 전이 금속 중 적어도 하나를 포함하며, x는 1-3 범위에 있으며, y는 2 또는 3이 될 수 있다. 상기 플루오린화 전이 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다.
The
도 5는 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.5 is a side sectional view showing a light emitting device according to a fourth embodiment.
도 5를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(20), 접착층(53), 제1전극층(52), 반사층(55), 제2전극층(56), 전도성 지지부재(57), 보호층(54)을 포함한다.5, the light emitting device includes a light emitting
상기 발광 구조층(20)은 도 1에 도시된 바와 같이, 제1도전형 반도체층(21), 활성층(23), 제2도전형 반도체층(23)을 포함하며, 제1도전형 반도체층(21)의 상면 즉, 상기 활성층(23)의 반대측 면을 통해 광이 추출될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(21)의 상면은 요철 패턴과 같은 광 추출 구조(21A)가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.1, the light emitting
상기 발광 구조층(20)은 도 1의 발광 구조층과 역으로 배치되며, 이는 도 1의 발광 구조층(20)의 상에 제2전극 구조(50)을 배치한 후, 그 아래에 배치된 저 전도층, 버퍼층, 기판을 제거할 수 있다. 상기의 기판 제거 방법은 물리적 방법 또는/및 화학적 방법으로 제거할 수 있으며, 상기 저 전도층이나 버퍼층은 화학적 방법으로 제거할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting
상기 발광 구조층(20)의 측면은 그 하면에 대해 소정 각도로 경사지게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The side surface of the light emitting
상기 발광 구조층(20)의 아래에는 제1전극층(52), 반사층(55), 제2전극층(56), 전도성 지지부재(57)을 포함하는 제2전극 구조(50)이 배치된다. 접착층(53)은 상기 반사층(55)과 발광 구조층(20) 사이에 배치되며, 보호층(54)은 상기 발광 구조층(20)의 하면에 내측부가 배치되고, 외측부가 발광 구조층(20)의 측면보다 더 외측으로 연장될 수 있다.A
상기 접착층(53)은 비전도성의 금속 화합물 예컨대, 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함하며, 예컨대 MxFy로 형성될 수 있다. 상기 M은 Ga, Mg, Al와 같은 금속 또는 전이 금속 중 적어도 하나를 포함하며, x는 1-3 범위에 있으며, y는 2 또는 3이 될 수 있다. 상기 플루오린화 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다. The
상기 접착층(53)은 상기 제1전극(51)과 수직 방향으로 대응되며, 상기 제1전극(51)의 하면 면적과 적어도 일부가 오버랩되게 배치된다. 상기 접착층(53)은 제1전극층(52)의 홀 내에 배치된 구조로서, 전류 블록킹층으로 기능할 수 있다.The
상기 보호층(54)은 내측부가 상기 발광 구조층(54)의 하면에 접촉될 수 있으며, 금속 산화물, 절연 물질, 또는 금속 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 보호층(54)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함하거나, 금속으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(54)은 상기 발광 구조층(20) 하부 영역에서 둘레를 따라 연속적인 또는 불연속적인 구조를 갖는 루프(loop), 링(ring), 또는 프레임(frame) 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The inner side of the
상기 제1전극층(52)은 상기 제2도전형 반도체층(25)의 하면과 오믹 접촉되는 오믹 접촉층을 포함하며, 그 물질은 금속 산화물 예컨대, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag와 같은 금속을 이용할 수 있다. The
상기 반사층(55)은 상기 제1전극층(52) 및 상기 접착층(53)의 아래에 배치될 수 있으며, 상기 접착층(53)의 플루오린화 금속 화합물에 의해 접착력이 개선될 수 있다. 상기 보호층(54)의 아래에는 상기 반사층(55)의 외곽부가 접촉되거나, 제2전극층(56)의 외곽부가 접촉되거나, 전도성 지지부재(57)의 외곽부가 접촉될 수 있다. The
상기 반사층(55)은 금속 또는 합금일 수 있으며, 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(267)은 예를 들면, 상기 접착층(53)과의 접착력을 위해 알루미늄 재질로 형성될 수 있다.The
상기 반사층(55) 아래에는 제2전극층(56)이 형성되며, 상기 제2전극층(56)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. A
상기 제2전극층(56) 아래에는 전도성 지지 부재(57)가 형성되며, 상기 전도성 지지 부재(57)는 예컨대, 금속 또는 캐리어 웨이퍼를 포함하며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(57)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다.A
상기 제2전극 구조(50) 중에서 제2전극층(56) 및 전도성 지지부재(57)의 너비는 상기 발광 구조층(20)의 하면 너비보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 반사층(55)의 너비는 상기 발광 구조층(20)의 너비보다 넓게 배치되어, 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
The width of the
도 6은 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 6 is a side sectional view showing a light emitting device according to a fifth embodiment.
도 6을 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(20)의 아래에 제1전극층(52) , 접착층(53) 및 보호층(53A)이 배치되며, 상기 접착층(53) 및 보호층(53A)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 접착층(54)은 제2도전형 반도체층(35)의 아래에서 상기 제1전극(51)과 대응되어, 전류 블록킹층으로 기능하게 된다.6, a
상기 접착층(53)은 상기 제1전극층(52)의 하나 또는 복수의 홀 내에 배치된다. 상기 제1전극층(52)의 두께는 상기 접착층(53)의 두께보다 두껍게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The adhesive layer (53) is disposed in one or a plurality of holes of the first electrode layer (52). The thickness of the
상기 보호층(53A)은 상기 발광 구조층(20)의 하면 둘레에서 반사층(55)의 외곽부 둘레를 따라 배치된다. The
상기 접착층(53) 및 상기 보호층(53A)의 아래에는 반사층(55)이 배치되며, 상기 반사층(55)은 제1전극층(52)과 접촉되며, 상기 접착층(53) 및 상기 보호층(53A)에 의해 접착력이 개선될 수 있다. A
상기 접착층(53) 및 보호층(53A)은 비전도성의 금속 화합물 예컨대, 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함하며, 예컨대 MxFy로 형성될 수 있다. 상기 M은 Ga, Mg, Al와 같은 금속 또는 전이 금속 중 적어도 하나를 포함하며, x는 1-3 범위에 있으며, y는 2 또는 3이 될 수 있다. 상기 플루오린화 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다.
The
도 7은 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이며, 도 8은 도 7의 B-B 측 단면도이다. FIG. 7 is a side sectional view showing a light emitting device according to a sixth embodiment, and FIG. 8 is a sectional view taken along the line B-B in FIG.
도 7을 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(20)의 아래에 제1전극층(52)이 배치되며, 상기 제1전극층(52) 아래에 접착층(53) 및 보호층(53A)이 배치된다. 상기 접착층(53) 및 보호층(53A)은 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면 비전도성의 금속 화합물 예컨대, 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함하며, 예컨대 상기 플루오린화 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다. 7, a
상기 보호층(53A)은 상기 발광 구조층(20)의 측면과 상기 반사층(55) 사이를 이격시켜 줄 수 있다. 이에 따라 발광 구조층(20)의 측면을 보호할 수 있다. The
반사층(55)은 제1전극층(52), 접착층(53) 및 반사층(53A)의 하면과 접촉되며, 적어도 일부는 상기 접착층(53)의 하면보다 돌출되어 상기 제1전극층(52)와 접촉된다.The
상기 발광 구조층(20)의 측면에는 절연층(59)이 배치되며, 상기 절연층(59)의 일부는 상기 발광 구조층(20)의 상면 일부에 배치될 수 있다.An insulating
도 8을 참조하면, 상기 접착층(53)은 복수의 영역에 서로 이격되게 배치될 수 있으며, 상기 복수의 영역 사이에 반사층(55)의 일부가 배치된다. 상기 보호층(53A)은 상기 반사층(55)의 외곽부 둘레를 따라 연속적인 루프, 링, 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(53A)은 불 연속적인 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Referring to FIG. 8, the
도 9는 제7실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.9 is a side sectional view showing a light emitting device according to a seventh embodiment.
도 9를 참조하면, 발광소자(100)는 발광 구조층(135), 상기 발광 구조층(135)의 아래에 배치된 제1전극 구조(150), 상기 발광 구조층(135)의 내에 복수의 제1리세스(141), 절연층(161), 상기 발광 구조층(135)의 아래에 배치되며 일부가 상기 제1리세스(141)에 배치된 접촉 전극(171)을 갖는 제2전극 구조(170), 및 제1전극(151)을 포함한다. 9, the
상기 발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층 예컨대, II족-VI족 또는 III족-V족 원소의 화합물 반도체를 이용한 LED를 포함하며, 상기 LED는 청색, 녹색, 또는 적색과 같은 광을 방출하는 가시광선 대역의 LED이거나 UV LED일 수 있다. 상기 LED의 방출 광은 실시 예의 기술적 범위 내에서 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
발광 구조층(135)은 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2도전형 반도체층(130)을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(110)의 두께는 상기 제2도전형 반도체층(130) 또는 상기 활성층(120)의 두께보다 적어도 두껍게 형성될 수 있다.The light emitting
상기 제1도전형 반도체층(110)은 적어도 2개의 층을 포함하며, 예컨대 제1반도체층(111) 및 상기 제1반도체층(111) 아래에 제2반도체층(113)을 포함한다.The first
상기 제1반도체층(111) 및 상기 제2반도체층(113)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 원소의 화합물 반도체 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1반도체층(111)과 상기 제2반도체층(113)의 제1도전형 도펀트의 도핑 농도는 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1반도체층(111)에 첨가된 제1도전형 도펀트의 도핑 농도는 상기 제2반도체층(113)에 첨가된 제1도전형 도펀트의 도핑 농도보다 더 높을 수 있다. 이에 따라 제1반도체층(111)은 상기 제2반도체층(113)에 의해 공급되는 전류를 확산시켜 줄 수 있다. The
또한 상기 제1반도체층(111)과 상기 제2반도체층(113)의 반도체 물질은 동일하거나, 서로 다를 수 있다. 상기 제1반도체층(111)과 상기 제2반도체층(113)이 동일한 물질로 형성하여, 품질의 손해를 방지할 수 있다. 또한 상기 제1반도체층(111)과 상기 제2반도체층(113)을 서로 다른 물질로 형성하여, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 예를 들면, 제1반도체층(111)은 상기 제2반도체층(113)보다 저 굴절률의 물질로 형성하여, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. In addition, the semiconductor material of the
상기 제1반도체층(111)과 상기 제2반도체층(113) 중 적어도 하나는 서로 다른 적어도 2물질을 이용한 초격자 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, GaN/AlGaN 페어를 2주기 이상으로 형성하거나, GaN/AlGaN/InGaN의 페어를 2주기 이상으로 배치할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. At least one of the
상기 제1도전형 반도체층(110)의 상면은 평탄한 면으로 형성하거나, 요철 구조와 같은 광 추출 구조(112)로 형성될 수 있다. 상기 요철 구조는 측 단면 형상이 반구 형상, 다각형 형상, 뿔 형상, 기둥 형상 중 적어도 하나를 포함하며, 또한 규칙적인 또는 불규칙적인 크기나 간격을 포함한다. 상기 광 추출 구조는 상기 제1도전형 반도체층(110)의 상면으로 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(110)의 광 추출 구조는 전 영역에 형성되거나, 일부 영역에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The upper surface of the first
상기 제1도전형 반도체층(110) 아래에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120) 아래에는 상기 제2도전형 반도체층(130)이 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2도전형 반도체층(110,130)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체층으로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조층(135)의 적어도 한 측면은 상기 발광 구조층(135)의 하면에 대해 수직하거나, 경사지게 형성될 수 있다.The
상기 발광 구조층(135)의 아래에는 서로 다른 제1 및 제2전극 구조(150,170)가 배치되어, 상기 제1도전형 반도체층(110)과 상기 제2도전형 반도체층(130)에 전원을 공급하게 된다. 상기 제1 및 제2전극 구조(150,170)는 서로 수직 방향으로 오버랩되게 배치된다. The first and
상기 제1전극 구조(150)는 상기 제2도전형 반도체층(130)과 전기적으로 연결되며, 상기 제2전극 구조(170)는 상기 제1도전형 반도체층(110)과 전기적으로 연결된다.The
상기 제1전극 구조(150)는 제1전극층(148), 반사층(152), 제2전극층(154)을 포함하며, 상기 제1전극층(148)은 발광 구조층(135)의 아래에 배치되어 상기 제2도전형 반도체층(130)의 하면과 오믹 접촉되며, 상기 반사층(152)은 상기 제1전극층(148)의 아래에 접촉되어 상기 제1전극층(148)을 통해 입사된 광을 반사시켜 주며, 상기 제2전극층(154)은 상기 반사층(152)의 아래에 배치되며 상기 제1전극(151)으로부터 공급되는 전원을 반사층(152)에 공급하게 된다. The
상기 제1전극층(148)은 적어도 하나의 전도성 물질을 포함하며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 상기 제1전극층(148)은 오믹 특성을 갖고 상기 제2도전형 반도체층(130) 아래에 층으로 배치되거나 복수의 홀을 갖는 패턴으로 접촉될 수 있다. 상기 제1전극층(148)의 물질은 금속, 금속 산화물 및 금속 질화물 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(148)은 투광성의 물질을 포함하며, 예컨대, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO (indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Pt, Ni, Au, Rh 및 Pd 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기의 제1전극층(148)은 투과율이 입사되는 파장에 대해 50% 이상인 물질로 이루어진다.The
또한 상기 제1전극층(148)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. The
상기 제1전극층(148) 아래에는 서로 이격된 접착층(153)이 배치되며, 상기 접착층(153)의 아래에는 반사층(152)이 배치된다. 상기 접착층(153)은 플루오린화(fluoride) 금속 화합물을 포함하며, 예컨대 MxFy로 형성될 수 있다. 상기 M은 Ga, Mg, Al와 같은 금속 또는 전이 금속 중 적어도 하나를 포함하며, x는 1-3 범위에 있으며, y는 2 또는 3이 될 수 있다. 상기 플루오린화 전이 금속 화합물은 MgF2, AlF3, GaF3을 포함한다. 여기서, 접착력의 증가는 Gibbs free energy로 설명할 수 있으며, 각 물질의 에너지는 -1000 kJ/mol 이상으로서, MgF2은 -1085.3 kJ/mol, AlF3은 -1425.1 kJ/mol, GaF3은 -1085.3 kJ/mol이 될 수 있다.An
상기 반사층(152)은 금속을 포함하며, 예컨대 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 반사층(152)은 반사율이 입사되는 파장에 대해 50% 이상인 물질이며, 상기 접착층(153)과의 접착력이 우수한 알루미늄 금속으로 배치될 수 있다.The
상기 제1전극층(148)과 상기 반사층(152) 중 적어도 하나의 너비는 발광 구조층(135)의 하면 너비와 같거나 더 넓을 수 있다. The width of at least one of the
상기 반사층(152)의 아래에는 제2전극층(154)이 배치되며, 상기 제2전극층(154)은 금속을 포함하며, 전기 전도성이 좋은 물질로서, 예컨대 Sn, Ga, In, Bi, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si와 이들의 선택적인 합금 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제2전극층(154)은 전류 확산층으로 기능할 수 있다. 상기 제2전극층(154)은 다른 영역보다 상기 상기 제2도전형 반도체층(130)에 더 가깝게 배치된 접촉부(155)를 포함하며, 상기 접촉부(155)는 상기 제2도전형 반도체층(130)의 하면에 접촉될 수 있다. 상기 제2전극층(154)의 접촉부(155)의 일부는 상기 발광 구조층(135)의 측면보다 더 외측으로 돌출되며, 상기 제1전극(151)의 하면과 접촉된다. 상기 제2전극층(154)의 접촉부(155)는 상기 제1전극층(148) 및 상기 반사층(152)의 측면과 접촉될 수 있다. 상기 제1전극 구조(150)는 상기 제1전극(151)과 상기 제2도전형 반도체층(130) 사이를 전기적으로 연결시켜 준다. A
상기 제2전극 구조(170)는 제3전극층(172), 제4전극층(176) 및 전도성 지지부재(178) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제3전극층(172)은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZON(IZO nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Cr, Ti, Co, Ge, Cu, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들 중 둘 이상의 합금으로 구성된 물질 중에서 한 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. The
상기 제3전극층(172)은 복수의 접촉 전극(171)을 포함하며, 상기 복수의 접촉 전극(171)은 상기 제3전극층(172)으로부터 상기 제1도전형 반도체층(110)의 방향으로 돌출된다. 상기 접촉 전극(171)은 상기 제1전극 구조(150), 상기 제2도전형 반도체층(130) 및 상기 활성층(120)을 관통하여 상기 제1도전형 반도체층(110)의 제1반도체층(111)의 하면(115)에 오믹 접촉된다. 상기 접촉 전극(171)의 중심은 상기 제1전극 구조(150)에 대해 연직 방향으로 돌출되며, 그 둘레면은 경사진 면과 수직한 면이 연결된다. 상기 접촉 전극(171)은 위에서 볼 때, 원형 또는 다각형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제3전극층(172)의 접촉 전극(171)의 상면은 상기 활성층(120)의 상면과 상기 제1도전형 반도체층(110)의 상면 사이에 배치될 수 있다. 상기 제3전극층(172)의 접촉 전극(171)이 접촉되는 상기 제1반도체층(111)의 하면(115)은 Ga-face로서, 플랫한 구조로 형성될 수 있다. The upper surface of the
상기 절연층(161)은 상기 제3전극층(172)의 접촉 전극(171)과 다른 반도체층 사이를 전기적으로 절연시켜 준다. 예컨대, 상기 절연층(161) 및 그 일부(162)는 상기 제3전극층(172)과 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(130), 및 상기 제1전극 구조(150) 사이에 배치되어, 전기적인 접촉을 차단하게 된다.The insulating
상기 절연층(161) 상기 제1전극 구조(150) 및 상기 발광 구조층(135)의 내에 형성된 제1리세스(141)의 둘레 면에 형성되어, 상기 제1리세스(141) 내에 배치된 접촉 전극(171)의 둘레를 절연시켜 준다. 또한 상기 절연층(161)의 보호부(163)는 상기 제2전극층(154)의 접촉부(155)의 측면에 배치될 수 있다. The insulating
상기 제1전극층(172)의 접촉 전극(171)은 복수일 수 있으며, 서로 이격되어 배치되어, 전류를 확산시켜 줄 수 있다.The
상기 제1전극층(172)의 아래에는 제4전극층(176)되며, 상기 제4전극층(176) 아래에는 전도성 지지부재(178)가 배치된다. 상기 제4전극층(176)은 적어도 하나의 금속층 또는 전도층을 포함하며, 베리어 금속 또는/및 본딩 금속을 포함한다. 상기 제4전극층(176)의 물질은 예를 들어, Sn, Ga, In, Bi, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Au, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si, Al-Si, Ag-Cd, Au-Sb, Al-Zn, Al-Mg, Al-Ge, Pd-Pb, Ag-Sb, Au-In, Al-Cu-Si, Ag-Cd-Cu, Cu-Sb, Cd-Cu, Al-Si-Cu, Ag-Cu, Ag-Zn , Ag-Cu-Zn, Ag-Cd-Cu-Zn, Au-Si, Au-Ge, Au-Ni, Au-Cu, Au-Ag-Cu, Cu-Cu2 O, Cu-Zn, Cu-P, Ni-B, Ni-Mn-Pd, Ni-P, Pd-Ni 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제4전극층(176)의 두께는 5~9㎛로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.A
상기 전도성 지지부재(178)는 전도성 기판을 포함한다. 상기 전도성 지지부재(178)는 베이스 기판 또는 전도성 지지 부재로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W) 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 또한 상기 전도성 지지부재(178)는 캐리어 웨이퍼로서, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, Ga2O3, GaN와 같은 기판으로 구현될 수 있다. 또는 상기 전도성 지지부재(178)는 전도성 시트로 구현될 수 있다. 상기 전도성 지지부재(178)는 30~300㎛로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 제1반도체층(111)의 상면에 광 추출 구조(112)가 배치되며, 상기 광 추출 구조(112)는 요철 패턴을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조층(135)의 표면에 절연층(190)이 배치되며, 상기 절연층(190)은 절연 물질로 형성될 수 있으며, 그 일부(192)는 상기 제1반도체층(111)의 광 추출 구조(112)에 의해 요철 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A
도 10은 제8실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제8실시 예의 일부 구성은 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.10 is a side sectional view showing a light emitting device according to an eighth embodiment. Some configurations of the eighth embodiment will be described with reference to the embodiments disclosed above.
도 10을 참조하면, 제1반도체층(113)의 하면(116)은 러프한 면으로 형성될 수 있으며, 접촉 전극(171)과의 접촉된다. 상기의 러프한 면은 접촉 전극(171)과의 접촉 면적을 개선시켜 줄 수 있으며, 입사되는 광의 임계각을 변화시켜 주어 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. Referring to FIG. 10, the
상기 제1전극(158)는 연결부(157)와 연결되고, 상기 연결부(157)의 일부(157A)는 상기 제2전극층(154)의 접촉부(155)와 연결될 수 있다. 상기 제1전극(158)은 상기 제1도전형 반도체층(110) 위에 배치되며, 상기 제1전극(158)은 상기 절연층(190)의 상면에 접촉된다. 상기 제1전극(158)을 상기 제1도전형 반도체층(110) 위에 배치함으로써, 칩의 외측벽과 발광 구조층(135)의 외 측벽 간의 거리가 도 9에 비해 감소될 수 있다. 이에 따라 칩 크기에 비해 활성층(120)의 면적을 극대화할 수 있다.
The
도 11은 제9실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제9실시 예의 일부 구성은 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.11 is a side sectional view showing a light emitting device according to the ninth embodiment. Some configurations of the ninth embodiment will be described with reference to the embodiments disclosed above.
도 11을 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(235), 상기 발광 구조층(235)의 아래에 배치된 제1전극 구조(250), 상기 발광 구조층(235)의 내에 복수의 제1리세스(241), 절연층(261), 상기 발광 구조층(235)의 아래에 배치되며 일부가 상기 제1리세스(241)에 배치된 접촉 전극(271)을 갖는 제2전극 구조(270), 및 일부 영역(237)에 배치된 제1전극(251)을 포함한다.11, a light emitting device includes a light emitting
상기 발광 구조층(235)은 제1반도체층(211) 및 제2반도체층(213)을 갖는 제1도전형 반도체층(210), 활성층(220) 및 제2도전형 반도체층(230)을 포함한다. 상기 발광 구조층(235) 상에는 버퍼층 또는 언도프드 반도체층 중 적어도 하나를 포함하는 제3반도체층(205)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting
절연층(290)은 상기 발광 구조층(235)의 표면에 형성되며, 그 일부(292)는 러프한 면으로 형성될 수 있다. The insulating
상기 제1전극 구조(250)는 제1전극층(248), 반사층(252), 제2전극층(254)을 포함하며, 상기 제1전극층(248)과 반사층(252) 사이에 복수의 홀을 갖는 접착층(253)이 배치된다. 상기 제2전극 구조(270)는 제3전극층(272), 제4전극층(274) 및 전도성 지지부재(278) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1 및 제2전극 구조(250,270) 사이에는 절연층(261)의 일부(262)가 배치되어, 서로 절연시켜 준다. 상기 제3전극층(272)의 접촉 전극(271)은 발광 구조층(235)의 제1리세스(241) 내에 배치되며, 상기 접촉 전극(271)은 절연층(261)의 제2리세스(243) 내에 배치된다.
The
도 12는 제10실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제10실시 예의 일부 구성은 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.12 is a side sectional view showing a light emitting device according to the tenth embodiment. Some configurations of the tenth embodiment will be described with reference to the embodiments disclosed above.
도 12를 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(335), 상기 발광 구조층(335)의 아래에 배치된 제1전극 구조(350), 상기 발광 구조층(335)의 내에 복수의 제1리세스(341), 절연층(361), 상기 발광 구조층(335)의 아래에 배치되며 일부가 상기 제1리세스(341)에 배치된 접촉 전극(371)을 갖는 제3전극층(372), 및 일부 영역(337)에 제1전극(351)을 포함한다.12, a light emitting device includes a light emitting
상기 발광 구조층(335)은 제1반도체층(311) 및 제2반도체층(313)을 갖는 제1도전형 반도체층(310), 활성층(320) 및 제2도전형 반도체층(330)을 포함한다. 상기 제1반도체층(311)의 상면에는 요철 패턴과 같은 광 추출 구조가 형성될 수 있다.The light emitting
상기 제1전극 구조(350)은 제1전극층(348) 및 반사층(352), 전도성 지지부재(355)를 포함하며, 상기 제1전극층(348)은 오믹 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1전극층(348)과 상기 반사층(352) 사이에는 실시 예에 따른 접착층(353)이 배치된다.The
상기 제3전극층(372)은 접촉 전극(371)을 구비하며, 접촉 전극(371)에 의해 제1반도체층(311)과 접촉된다. 상기 제2전극층(372)의 접촉부에는 제1전극(355)이 접촉된다.The
절연층(361)은 제1리세스(341) 내에 배치되며 접촉 전극(371)의 둘레를 커버하게 된다. 또한 절연층(361)의 일부(362)는 제3전극층(372)과 제1전극 구조(350) 사이를 절연시켜 준다.
The insulating
도 13은 제11실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제11실시 예의 일부 구성은 상기에 개시된 실시 예를 참조하기로 한다.13 is a side cross-sectional view showing a light emitting device according to the eleventh embodiment. Some configurations of the eleventh embodiment will be described with reference to the embodiments disclosed above.
도 13을 참조하면, 발광 소자는 발광 구조층(435), 상기 발광 구조층(435)의 아래에 배치된 제1전극 구조(450), 상기 발광 구조층(435)의 내에 복수의 제1리세스(441), 절연층(461), 상기 발광 구조층(435)의 아래에 배치되며 일부가 상기 제1리세스(441)에 배치된 접촉 전극(471)을 갖는 제2전극 구조(470), 및 일부 영역(437)에 배치된 제1전극(451)을 포함한다.13, the light emitting device includes a light emitting
상기 발광 구조층(435)은 제1반도체층(411) 및 제2반도체층(413)을 갖는 제1도전형 반도체층(410), 활성층(420) 및 제2도전형 반도체층(430)을 포함한다. The light emitting
상기 제1전극 구조(450)는 제1전극층(448), 반사층(452), 제2전극층(454)을 포함하며, 상기 제2전극층(454)의 접촉부(455)는 발광 구조층(435)의 센터 영역에 배치된 오목부(437)에 배치된다. 상기 오목부(437)는 발광 구조층(435)이 에칭된 영역으로서, 상기 오목부(437)의 아래에 상기 제2전극층(454)의 접촉부(455)가 배치되며, 상기 접촉부(455) 상에는 제1전극(451)이 배치된다. 상기 발광 구조층(435)의 일부 영역(437)의 둘레에는 절연층(490)이 배치되어, 발광 구조층(435)의 내 측벽들과의 접촉을 차단하게 된다.The
상기 제1전극층(448)과 반사층(452) 사이에는 상기에 개시된 접착층(453)이 배치되어, 반사층(452)의 접착력을 개선시켜 준다.The above-described
상기 제2전극 구조(470)는 제3전극층(472), 전도성 지지부재(476) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 제1 및 제2전극 구조(450,470) 사이에는 절연층(461)의 일부(462)가 배치되어, 서로 절연시켜 준다. 상기 제3전극층(472)의 접촉 전극(471)은 발광 구조층(435)의 제1리세스(441) 내에 배치되며, 발광 구조층(435)의 내 측면들과 절연된다.
The
상기와 같은 발광 소자는 패키징된 후 보드 상에 탑재되거나, 보드 상에 탑재될 수 있다. 이후 상기에 개시된 실시 예(들)의 발광 소자를 갖는 발광 소자 패키지 또는 광원 모듈을 설명하기로 한다.The light emitting device may be packaged and then mounted on a board or mounted on a board. Hereinafter, a light emitting device package or a light source module having the light emitting device of the above-described embodiment (s) will be described.
도 14는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도이다.14 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
도 14를 참조하면, 발광 소자 패키지(500)는 몸체(511)와, 상기 몸체(511)에 배치된 제1리드 프레임(515) 및 제2 리드 프레임(517)과, 상기 몸체(511)에 배치되어 상기 제1리드 프레임(515) 및 제2리드 프레임(517)과 전기적으로 연결되는 실시 예에 따른 발광 소자(501)와, 상기 발광 소자(501)를 포위하는 몰딩 부재(519)를 포함한다.14, the light emitting
상기 몸체(511)는 실리콘과 같은 도전성 기판, PPA 등과 같은 합성수지 재질, 세라믹 기판, 절연 기판, 또는 금속 기판(예: MCPCB)을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(511)는 상기 발광 소자(501)의 주위에 상기 캐비티 구조에 의해 경사면(512A)이 형성될 수 있다. 상기 몸체(511)는 상부가 개방된 오목한 캐비티(512)을 포함하며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 몸체(511)의 캐비티(512) 내에는 제1 및 제2리드 프레임(515,517) 및 상기 발광 소자(501)가 배치되며, 상기 제1리드 프레임(515) 및 제2리드 프레임(517)은 간극부(514)에 의해 서로 전기적으로 분리된다. 상기 발광 소자(501)는 제1 및 제2리드 프레임(515,517) 위에 접합부재(521,523)로 탑재될 수 있다. 상기 접합 부재(521,523)는 솔더와 같은 전도성 페이스트로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 515 and 517 and the
상기 발광 소자(501)에 전원을 제공한다. 상기 발광 소자(501)는 도 1, 도 3 및 도 4와 같은 발광 소자들이 플립 방식으로 탑재된 예를 설명하고 있으며, 도 5와 같은 수직형 전극 구조를 갖는 발광 소자는 제1리드 프레임(515)에 탑재되고 제2리드 프레임(517)에 와이어와 같은 연결 부재로 연결될 수 있다.And supplies power to the
상기 제1 및 제2리드 프레임(515,517)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1, 2리드 프레임(515,517)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(515,517)의 두께는 0.3mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.3mm~0.8mm를 포함한다.The first and second lead frames 515 and 517 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, And may include at least one of platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), and phosphorus (P). In addition, the first and second lead frames 515 and 517 may have a multi-layer structure, but the present invention is not limited thereto. The thickness of the first and second lead frames 515 and 517 may be 0.3 mm to 1.5 mm, for example, 0.3 mm to 0.8 mm.
상기 몰딩 부재(519)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함하며, 상기 발광 소자(501)를 포위하여 상기 발광 소자(501)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩 부재(519)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(501)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함한다. The
상기 몰딩 부재(519) 위에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 상기 렌즈는 상기 몰딩 부재(519)와 접촉되거나 비 접촉되는 형태로 구현될 수 있다. 상기 렌즈는 오목 또는 볼록한 형상을 포함할 수 있다.A lens may be disposed on the
도 15는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 발광 소자 패키지의 다른 예이다.15 is another example of a light emitting device package having a light emitting device according to the embodiment.
도 15를 참조하면, 발광 소자 패키지는 지지부재(611); 상기 지지부재(611) 상에 상기 실시 에에 따른 발광 소자(601); 상기 지지부재(611) 상에 배치되며 발광 소자(611)의 둘레에 배치된 반사부재(625); 및 상기 발광 소자(611) 상에 배치된 형광체가 첨가된 형광체믹층(619)을 포함한다.Referring to FIG. 15, the light emitting device package includes a
상기 지지부재(611)는 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 실리콘(silicon) 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC)와 같은 실리콘 계열, 질화 알루미늄(aluminum nitride; AlN)과 같은 세라믹 계열, 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA)와 같은 수지 계열, 고분자액정(Liquid Crystal Polymer), 바닥에 금속층을 갖는 PCB(MCPCB: Metal core PCB) 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이러한 재질로 한정하지는 않는다. The supporting
상기 지지부재(611)는 제1금속층(615), 제2금속층(617), 제1연결 부재(616), 제2연결 부재(618), 제1리드부(615A) 및 제2리드부(617A)를 포함한다. 상기 제1금속층(615) 및 제2금속층(617)은 상기 지지부재(611)의 상부에 서로 이격되게 배치된다. 상기 제1리드부(615A) 및 제2리드부(617A)는 상기 지지부재(611)의 하부에 서로 이격되게 배치된다. 상기 제1연결 부재(616)는 상기 지지부재(611)의 내부 또는 제1측면에 배치될 수 있으며, 상기 제1금속층(615)과 상기 제1리드부(615A)를 서로 연결해 준다. 상기 제2연결 부재(618)는 상기 지지부재(611)의 내부 또는 제2측면에 배치될 수 있으며, 상기 제2금속층(617) 및 상기 제2리드부(617A)를 서로 연결해 준다. The
상기 제1금속층(615), 제2금속층(617), 제1리드부(615A) 및 제2리드부(617A)는 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 이들의 선태적 합금으로 형성될 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다.The
상기 제1연결 부재(616) 및 상기 제2연결 부재(618)는 비아, 비아 홀, 쓰루 홀 중 적어도 하나를 포함한다.
The first connecting
상기 발광 소자(601)는 제1금속층(615) 상에 접합 부재(621)로 접합되고, 제2금속층(617) 상에 접합 부재(623)로 접합된다. 상기 발광 소자(601)은 상기 제1금속층(617)과 상기 제2금속층(623)에 플립 방식으로 본딩되거나, 와이어로 본딩될 수 있다. 상기 접합 부재(621,623)은 솔더와 같은 전도성 페이스트로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 발광 소자(601)은 실시 예에 따른 소자로서, 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 UV(Ultraviolet) LED칩, 적색 LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩과 같은 유색 LED 칩을 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(601)로부터 발생된 열은 상기 지지부재(611)를 통해 전도될 수 있다.
The
상기 반사부재(625)는 상기 발광 소자(601)의 둘레에 배치되며, 실리콘(silicon) 또는 실리콘 카바이드(silicon carbide: SiC)과 같은 실리콘 계열, AlN(aluminum nitride; AlN)과 같은 세라믹 계열, 에폭시, 폴리프탈아마이드(polyphthalamide: PPA)과 같은 수지 계열, 고분자액정(Liquid Crystal Polymer) 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이러한 재질로 한정하지는 않는다. 상기 반사부재(625)는 상기 발광 소자(601)의 둘레를 커버하여 상기 발광 소자(601)으로부터 방출된 광을 반사시켜 주게 된다. 상기 반사부재(625)는 반사 벽일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 반사부재(625) 내에는 확산제 예컨대, SnO2, ZnO, Ta2O5 , TiO2, Al2O3 , SiO2와 같은 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
Metal oxides such as SnO 2 , ZnO, Ta 2 O 5 , TiO 2 , Al 2 O 3 and SiO 2 may be added to the
상기 형광체층(619)은 실리콘 또는 에폭시 내에 첨가된 형광체를 포함하며, 상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예컨대, YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The
상기 형광체층(619) 위에는 렌즈가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
A lens may be disposed on the
실시 예의 패키지는 탑뷰 형태로 도시하고 설명하였으나, 사이드 뷰 방식으로 구현하여 상기와 같은 방열 특성, 전도성 및 반사 특성의 개선 효과가 있으며, 이러한 탑뷰 또는 사이드 뷰 방식의 발광 소자는 상기와 같이 수지층으로 패키징한 후, 렌즈를 상기 수지층 위에 형성하거나, 접착할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. Although the package of the embodiment has been shown and described in the form of a top view, it has the effect of improving the heat dissipation characteristics, conductivity, and reflection characteristics as described above by implementing it in a side view manner. The light emitting device of the top view type or the side view type, After packaging, a lens may be formed on or adhered to the resin layer, but the present invention is not limited thereto.
<조명 시스템><Lighting system>
실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지는 라이트 유닛에 적용될 수 있다. 상기 라이트 유닛은 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지가 어레이된 구조를 포함하며, 도 16 및 도 17에 도시된 표시 장치, 도 18-22에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.The light emitting device or the light emitting device package according to the embodiment can be applied to a light unit. The light unit includes a structure in which a plurality of light emitting elements or light emitting element packages are arrayed, and includes the display apparatus shown in Figs. 16 and 17, the illumination apparatus shown in Figs. 18-22, , An electric sign board, and the like.
도 16은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 16 is an exploded perspective view of the display device according to the embodiment.
도 16을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.16, a
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.The
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. The
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.The
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자 또는 발광 소자 패키지(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. The
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.The
그리고, 상기 복수의 발광 소자 패키지(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자 패키지(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of light emitting
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다. The
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.Here, the optical path of the
도 17은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다. 17 is a view showing a display device according to the embodiment.
도 17를 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자 패키지(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다. 17, the
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자 패키지(1124)는 광원 모듈(1060)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1060), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1060)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지(1124)를 포함한다.The
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. Here, the
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.The
도 18 내지 도 20은 실시 예에 따른 조명장치를 나타낸 도면이다.18 to 20 are views showing a lighting apparatus according to an embodiment.
도 18는 실시 예에 따른 조명 장치를 위에서 바라본 사시도이고, 도 19는 도 18에 도시된 조명 장치를 아래에서 바라본 사시도이고, 도 20은 도 18에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.FIG. 18 is a perspective view of the illumination device according to the embodiment viewed from above, FIG. 19 is a perspective view of the illumination device shown in FIG. 18, and FIG. 20 is an exploded perspective view of the illumination device shown in FIG.
도 18 내지 도 20을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.18 to 20, the illumination device according to the embodiment includes a
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(2100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.For example, the
상기 커버(2100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(2100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(2100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다. The inner surface of the
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 광원부(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.The
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 광원부(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 광원부(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.The
상기 부재(2300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.The
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.The
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.The
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The
도 21 및 도 22는 실시 예에 따른 조명장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.21 and 22 are views showing another example of the lighting apparatus according to the embodiment.
도 21은 실시 예에 따른 조명 장치의 사시도이고, 도 22는 도 21에 도시된 조명 장치의 분해 사시도이다.Fig. 21 is a perspective view of a lighting apparatus according to the embodiment, and Fig. 22 is an exploded perspective view of the lighting apparatus shown in Fig.
도 21 및 도 22를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(3100), 광원부(3200), 방열체(3300), 회로부(3400), 내부 케이스(3500), 소켓(3600)을 포함할 수 있다. 상기 광원부(3200)는 실시 예에 따른 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다. 21 and 22, the lighting apparatus according to the embodiment includes a
상기 커버(3100)는 벌브(bulb) 형상을 가지며, 속이 비어 있다. 상기 커버(3100)는 개구(3110)를 갖는다. 상기 개구(3110)를 통해 상기 광원부(3200)와 부재(3350)가 삽입될 수 있다. The
상기 커버(3100)는 상기 방열체(3300)와 결합하고, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)를 둘러쌀 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합에 의해, 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)는 외부와 차단될 수 있다. 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)의 결합은 접착제를 통해 결합할 수도 있고, 회전 결합 방식 및 후크 결합 방식 등 다양한 방식으로 결합할 수 있다. 회전 결합 방식은 상기 방열체(3300)의 나사홈에 상기 커버(3100)의 나사산이 결합하는 방식으로서 상기 커버(3100)의 회전에 의해 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이고, 후크 결합 방식은 상기 커버(3100)의 턱이 상기 방열체(3300)의 홈에 끼워져 상기 커버(3100)와 상기 방열체(3300)가 결합하는 방식이다.The
상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)와 광학적으로 결합한다. 구체적으로 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)의 발광 소자(3230)로부터의 광을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 상기 커버(3100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 여기서, 상기 커버(3100)는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 여기시키기 위해, 내/외면 또는 내부에 형광체를 가질 수 있다. The
상기 커버(3100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 여기서, 유백색 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(3100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(3100)의 외면의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터의 광을 충분히 산란 및 확산시키기 위함이다.The inner surface of the
상기 커버(3100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(3100)는 외부에서 상기 광원부(3200)와 상기 부재(3350)가 보일 수 있는 투명한 재질일 수 있고, 보이지 않는 불투명한 재질일 수 있다. 상기 커버(3100)는 예컨대 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The
상기 광원부(3200)는 상기 방열체(3300)의 부재(3350)에 배치되고, 복수로 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 복수의 측면들 중 하나 이상의 측면에 배치될 수 있다. 그리고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 측면의 상단부에 배치될 수 있다.The
도 19에서, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니고, 상기 광원부(3200)는 상기 부재(3350)의 모든 측면들에 배치될 수 있다. 상기 광원부(3200)는 기판(3210)과 발광 소자(3230)를 포함할 수 있다. 상기 발광 소자(3230)는 기판(3210)의 일 면 상에 배치될 수 있다. In FIG. 19, the
상기 기판(3210)은 사각형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(3210)은 원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 상기 기판(3210)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다. 또한, 인쇄회로기판 위에 패키지 하지 않은 LED 칩을 직접 본딩할 수 있는 COB(Chips On Board) 타입을 사용할 수 있다. 또한, 상기 기판(3210)은 광을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 광을 효율적으로 반사하는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다. 상기 기판(3210)은 상기 방열체(3300)에 수납되는 상기 회로부(3400)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)는 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)를 관통하여 상기 기판(3210)과 상기 회로부(3400)를 연결시킬 수 있다.The
상기 발광 소자(3230)는 적색, 녹색, 청색의 광을 방출하는 발광 다이오드 칩이거나 UV를 방출하는 발광 다이오드 칩일 수 있다. 여기서, 발광 다이오드 칩은 수평형(Lateral Type) 또는 수직형(Vertical Type)일 수 있고, 발광 다이오드 칩은 청색(Blue), 적색(Red), 황색(Yellow), 또는 녹색(Green)을 발산할 수 있다.The
상기 발광 소자(3230)는 형광체를 가질 수 있다. 형광체는 가넷(Garnet)계(YAG, TAG), 실리케이드(Silicate)계, 나이트라이드(Nitride)계 및 옥시나이트라이드(Oxynitride)계 중 어느 하나 이상일 수 있다. 또는 형광체는 황색 형광체, 녹색 형광체 및 적색 형광체 중 어느 하나 이상일 수 있다.The
상기 방열체(3300)는 상기 커버(3100)와 결합하고, 상기 광원부(3200)로부터의 열을 방열할 수 있다. 상기 방열체(3300)는 소정의 체적을 가지며, 상면(3310), 측면(3330)을 포함한다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에는 부재(3350)가 배치될 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)와 결합할 수 있다. 상기 방열체(3300)의 상면(3310)은 상기 커버(3100)의 개구(3110)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.The
상기 방열체(3300)의 측면(3330)에는 복수의 방열핀(3370)이 배치될 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 측면(3330)에서 외측으로 연장된 것이거나 측면(3330)에 연결된 것일 수 있다. 상기 방열핀(3370)은 상기 방열체(3300)의 방열 면적을 넓혀 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 여기서, 측면(3330)은 상기 방열핀(3370)을 포함하지 않을 수도 있다.A plurality of radiating
상기 부재(3350)는 상기 방열체(3300)의 상면(3310)에 배치될 수 있다. 상기 부재(3350)는 상면(3310)과 일체일 수도 있고, 상면(3310)에 결합된 것일 수 있다. 상기 부재(3350)는 다각 기둥일 수 있다. 구체적으로, 상기 부재(3350)는 육각 기둥일 수 있다. 육각 기둥의 부재(3350)는 윗면과 밑면 그리고 6 개의 측면들을 갖는다. 여기서, 상기 부재(3350)는 다각 기둥뿐만 아니라 원 기둥 또는 타원 기둥일 수 있다. 상기 부재(3350)가 원 기둥 또는 타원 기둥일 경우, 상기 광원부(3200)의 상기 기판(3210)은 연성 기판일 수 있다.The
상기 부재(3350)의 6 개의 측면에는 상기 광원부(3200)가 배치될 수 있다. 6 개의 측면 모두에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있고, 6 개의 측면들 중 몇 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치될 수도 있다. 도 18에서는 6 개의 측면들 중 3 개의 측면들에 상기 광원부(3200)가 배치되어 있다. The
상기 부재(3350)의 측면에는 상기 기판(3210)이 배치된다. 상기 부재(3350)의 측면은 상기 방열체(3300)의 상면(3310)과 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 따라서, 상기 기판(3210)과 상기 방열체(3300)의 상면(310)은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. The
상기 부재(3350)의 재질은 열 전도성을 갖는 재질일 수 있다. 이는 상기 광원부(3200)로부터 발생되는 열을 빠르게 전달받기 위함이다. 상기 부재(3350)의 재질로서는 예를 들면, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 주석(Sn) 등과 상기 금속들의 합금일 수 있다. 또는 상기 부재(3350)는 열 전도성을 갖는 열 전도성 플라스틱으로 형성될 수 있다. 열 전도성 플라스틱은 금속보다 무게가 가볍고, 단방향성의 열 전도성을 갖는 이점이 있다.The material of the
상기 회로부(3400)는 외부로부터 전원을 제공받고, 제공받은 전원을 상기 광원부(3200)에 맞게 변환한다. 상기 회로부(3400)는 변환된 전원을 상기 광원부(3200)로 공급한다. 상기 회로부(3400)는 상기 방열체(3300)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 상기 회로부(3400)는 상기 내부 케이스(3500)에 수납되고, 상기 내부 케이스(3500)와 함께 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 회로부(3400)는 회로 기판(3410)과 상기 회로 기판(3410) 상에 탑재되는 다수의 부품(3430)을 포함할 수 있다. The
상기 회로 기판(3410)은 원형의 판 형상을 갖지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 회로 기판(3410)은 타원형 또는 다각형의 판 형상일 수 있다. 이러한 회로 기판(3410)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있다. 상기 회로 기판(3410)은 상기 광원부(3200)의 기판(3210)과 전기적으로 연결된다. 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)의 전기적 연결은 예로서 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 와이어는 상기 방열체(3300)의 내부에 배치되어 상기 회로 기판(3410)과 상기 기판(3210)을 연결할 수 있다. 다수의 부품(3430)은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원부(3200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원부(3200)를 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있다.The
상기 내부 케이스(3500)는 내부에 상기 회로부(3400)를 수납한다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 회로부(3400)를 수납하기 위해 수납부(3510)를 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)는 예로서 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 수납부(3510)의 형상은 상기 방열체(3300)의 형상에 따라 달라질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 방열체(3300)에 수납될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)의 수납부(3510)는 상기 방열체(3300)의 하면에 형성된 수납부에 수납될 수 있다. The
상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합될 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 상기 소켓(3600)과 결합하는 연결부(3530)를 가질 수 있다. 상기 연결부(3530)는 상기 소켓(3600)의 나사홈 구조와 대응되는 나사산 구조를 가질 수 있다. 상기 내부 케이스(3500)는 부도체이다. 따라서, 상기 회로부(3400)와 상기 방열체(3300) 사이의 전기적 단락을 막는다. 예로서 상기 내부 케이스(3500)는 플라스틱 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.The
상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)와 결합될 수 있다. 구체적으로, 상기 소켓(3600)은 상기 내부 케이스(3500)의 연결부(3530)와 결합될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 종래 재래식 백열 전구와 같은 구조를 가질 수 있다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)은 전기적으로 연결된다. 상기 회로부(3400)와 상기 소켓(3600)의 전기적 연결은 와이어(wire)를 통해 연결될 수 있다. 따라서, 상기 소켓(3600)에 외부 전원이 인가되면, 외부 전원은 상기 회로부(3400)로 전달될 수 있다. 상기 소켓(3600)은 상기 연결부(3550)의 나사산 구조과 대응되는 나사홈 구조를 가질 수 있다.The
실시 예는 발광 소자를 패키징한 패키지를 상기 기판 상에 배열하여 광원 모듈로 구현되거나, 도 1과 같은 발광 소자를 상기 기판 상에 배열하여 패키징하여 광원 모듈로 구현될 수 있다.
Embodiments can be realized by a light source module by arranging a package in which a light emitting element is packaged on the substrate, or by arranging and packaging a light emitting element as shown in FIG. 1 on the substrate.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
10,100: 발광 소자
11,111: 기판
13: 버퍼층
15: 저 전도층
21,110,210,310,410: 제1도전형 반도체층
23,120,220,320,420: 활성층
25,130,230,330,430: 제2도전형 반도체층
31,37,52,56,148,248: 전극층
33,33A,53,153,253: 접착층
35,55,152,252: 반사층
39,40,51,151,158: 제1전극
41: 제2전극
49,43,44: 절연층
50,170,270,372,470: 제2전극 구조
54: 보호층
150,250,350,450: 제1전극 구조10, 100:
11, 111:
13: buffer layer
15: Low conduction layer
21, 110, 210, 310, 410: a first conductivity type semiconductor layer
23,120, 220, 320, 420:
25, 130, 230, 330, and 430:
31, 37, 52, 56, 148, 248:
33, 33A, 53, 153, 253:
35, 55, 152,
39, 40, 51, 151, 158:
41: second electrode
49, 43, 44:
50, 170, 270, 372, 470:
54: Protective layer
150, 250, 350, 450: First electrode structure
Claims (16)
상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층;
상기 전극층 위에 서로 이격된 접착층;
상기 전극층과 상기 접착층의 위에 반사층;
상기 반사층 상에 배치되는 제2전극층;
상기 제2전극층 상에 배치되는 절연층; 및
상기 제2전극층에 전기적으로 연결된 제2전극을 포함하며,
상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함하고,
상기 반사층은, 상기 접착층의 상면, 상기 접착층의 측면 및 상기 전극층의 상면과 직접 접촉하고,
상기 절연층은, 상기 제2전극층의 상면, 상기 제2전극층의 측면 및 상기 제2도전형 반도체층의 상면과 직접 접촉하는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer on the first conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
An electrode layer on the second conductive semiconductor layer;
An adhesive layer spaced apart from each other on the electrode layer;
A reflective layer on the electrode layer and the adhesive layer;
A second electrode layer disposed on the reflective layer;
An insulating layer disposed on the second electrode layer; And
And a second electrode electrically connected to the second electrode layer,
Wherein the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound,
The reflective layer is in direct contact with the upper surface of the adhesive layer, the side surface of the adhesive layer, and the upper surface of the electrode layer,
Wherein the insulating layer is in direct contact with the upper surface of the second electrode layer, the side surface of the second electrode layer, and the upper surface of the second conductivity type semiconductor layer.
상기 제2도전형 반도체층의 하면 상에 배치되며 관통홀을 포함하는 전극층;
상기 제2도전형 반도체층의 하면 상에 배치되며 상기 관통홀 내에 배치되는 접착층;
상기 전극층과 상기 접착층의 위에 반사층;
상기 제1도전형 반도체층 위에 제1전극; 및
상기 반사층 아래에 전도성 지지부재를 포함하며,
상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함하고,
상기 접착층은 상기 제1전극과 수직 방향으로 중첩되는 영역에 배치되고,
상기 전극층의 하면은 상기 접착층의 하면보다 수직 방향으로 하부에 배치되는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer on the first conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
An electrode layer disposed on the lower surface of the second conductive semiconductor layer and including a through hole;
An adhesive layer disposed on the lower surface of the second conductive semiconductor layer and disposed in the through hole;
A reflective layer on the electrode layer and the adhesive layer;
A first electrode on the first conductive semiconductor layer; And
And a conductive support member below the reflective layer,
Wherein the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound,
Wherein the adhesive layer is disposed in a region overlapping with the first electrode in the vertical direction,
And the lower surface of the electrode layer is disposed below the lower surface of the adhesive layer in the vertical direction.
상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층;
상기 전극층 위에 배치된 반사 전극층;
상기 발광 구조층 내에 배치되며 상기 제1도전형 반도체층의 일부를 노출하는 적어도 하나의 리세스;
상기 반사 전극층의 위와 상기 리세스의 둘레에 배치된 절연층;
상기 절연층 상에 배치된 접착층;
상기 리세스 내에 일부가 배치되며 상기 접착층 위에 배치된 제1전극; 및
상기 반사 전극층 위에 제2전극을 포함하며,
상기 제1 및 제2전극은 상기 접착층에 반사층을 포함하며,
상기 접착층은 플루오린화 금속 화합물을 포함하고,
상기 접착층은, 상기 리세스 내에 배치된 상기 절연층의 둘레에 배치되며, 상기 리세스에 의해 노출되는 상기 제1도전형 반도체층의 상면과 직접 접촉하고,
상기 제1전극의 하면은 상기 리세스의 하면과 동일 평면 상에 배치되는 발광 소자.A light emitting structure layer including a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer on the first conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer;
An electrode layer on the second conductive semiconductor layer;
A reflective electrode layer disposed on the electrode layer;
At least one recess disposed in the light emitting structure layer and exposing a portion of the first conductive type semiconductor layer;
An insulating layer disposed above the reflective electrode layer and around the recess;
An adhesive layer disposed on the insulating layer;
A first electrode disposed partially within the recess and disposed over the adhesive layer; And
And a second electrode on the reflective electrode layer,
Wherein the first and second electrodes include a reflective layer on the adhesive layer,
Wherein the adhesive layer comprises a fluorinated metal compound,
Wherein the adhesive layer is disposed around the insulating layer disposed in the recess and is in direct contact with the upper surface of the first conductivity type semiconductor layer exposed by the recess,
And the lower surface of the first electrode is disposed on the same plane as the lower surface of the recess.
상기 접착층은 MxFy의 조성식을 갖는 화합물을 포함하며, 상기 x는 1-3 범위이며, 상기 y는 2 또는 3이며, 상기 M은 적어도 하나의 금속을 포함하는 발광 소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the adhesive layer comprises a compound having a composition formula of M x F y , wherein x ranges from 1 to 3, y is 2 or 3, and M includes at least one metal.
상기 접착층은 MgF2, AlF3, GaF3 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Light-emitting device wherein the adhesive layer comprises at least one of MgF 2, AlF 3, GaF 3 .
The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the first conductivity type semiconductor layer includes an n-type semiconductor layer, and the second conductivity type semiconductor layer comprises a p-type semiconductor layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120059723A KR101956056B1 (en) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | Light emitting device and lighting system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120059723A KR101956056B1 (en) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | Light emitting device and lighting system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130136128A KR20130136128A (en) | 2013-12-12 |
| KR101956056B1 true KR101956056B1 (en) | 2019-03-11 |
Family
ID=49983016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120059723A KR101956056B1 (en) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | Light emitting device and lighting system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101956056B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101614370B1 (en) | 2015-04-07 | 2016-04-21 | 엘지전자 주식회사 | Semiconductor light emitting device, transfer head of the semiconductor light emitting device, and method for transferring the semiconductor light emitting device |
| KR102373677B1 (en) | 2015-08-24 | 2022-03-14 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Light emittng device |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101714039B1 (en) * | 2010-07-01 | 2017-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system |
| KR101154709B1 (en) * | 2010-07-28 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package and lighting system |
| KR101722633B1 (en) * | 2010-11-08 | 2017-04-03 | 엘지이노텍 주식회사 | Method of manufacturing Light emitting device |
-
2012
- 2012-06-04 KR KR1020120059723A patent/KR101956056B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130136128A (en) | 2013-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI420705B (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| KR101946914B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101916131B1 (en) | Light emitting device, method for fabricating the same and lighting system | |
| KR101886156B1 (en) | Light emitting device | |
| KR20150039518A (en) | Light emitting device | |
| EP3570335A1 (en) | Light emitting device | |
| KR101916144B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR20140097898A (en) | Light emitting device | |
| KR101943824B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package and lighting system | |
| KR101896690B1 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| KR101929891B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101836368B1 (en) | Light emitting device, method for fabricating the same and lighting system | |
| KR20140034472A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101956056B1 (en) | Light emitting device and lighting system | |
| KR20140078250A (en) | Light emitting device, method for fabricating the same, and lighting system | |
| KR101936267B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101946917B1 (en) | Fabricating method of light emitting device | |
| KR101946919B1 (en) | Light emitting device | |
| KR102187487B1 (en) | Light emitting device and lighting device having thereof | |
| KR20180134805A (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101936258B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101961307B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR102098323B1 (en) | Light emitting device | |
| KR101865942B1 (en) | Light emitting device, light emitting device package, and light unit | |
| KR101946831B1 (en) | Light emitting device package |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |