KR101953455B1 - Pressure sensor - Google Patents

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KR101953455B1
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다이스케 모리하라
아키히로 오쿠가와
미츠아키 다이오
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오므론 가부시키가이샤
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Abstract

소형화 및 고정밀화가 가능한 압력 센서를 제공한다. 압력 센서 가, 다이어프램과, 다이어프램에 마련되어 그 다이어프램의 변형에 응한 전기 신호를 발생 가능한 센서부와, 센서부로부터의 전기 신호를 외부에 출력하는 출력 단자부를 구비하고, 압력 기준실, 다이어프램 및 센서부를 포함하는 검출부와, 반도체 기판 내에서 검출부 이외의 영역이 홈에 의해 분리되고, 홈이 다이어프램이 구비된 면의 반대면에 마련된 개구부와 연통한 압력 센서 칩과, 압력 센서 칩의 출력 단자부로부터 출력된 전기 신호에 대해 소정의 연산 처리를 행하는 회로부를 구비하고, 다이어프램과 출력 단자부가 동일면에 형성되고, 압력 센서 칩의 출력 단자와 회로부의 입력 단자부가 직접적 또는 간접적으로 접하도록 고정되고, 회로부 및 압력 센서 칩은, 개구부가 외부에 노출하도록 밀봉재로 덮여진다.Provides a pressure sensor that can be miniaturized and high precision. The pressure sensor includes a diaphragm, a sensor portion provided in the diaphragm and capable of generating an electrical signal in response to the deformation of the diaphragm, and an output terminal portion for outputting an electrical signal from the sensor portion to the outside. The pressure reference chamber, the diaphragm, and the sensor portion are provided. A detection unit included in the semiconductor substrate, a region other than the detection unit is separated by a groove, and the groove is output from a pressure sensor chip in communication with an opening provided on an opposite side of the surface on which the diaphragm is provided, and an output terminal portion of the pressure sensor chip. A circuit portion for performing a predetermined arithmetic processing on an electrical signal is provided, the diaphragm and the output terminal portion are formed on the same surface, and the output terminal of the pressure sensor chip and the input terminal portion of the circuit portion are fixed to be in direct or indirect contact with the circuit portion and the pressure sensor. The chip is covered with a sealing material so that the opening is exposed to the outside.

Description

압력 센서{PRESSURE SENSOR}Pressure sensor {PRESSURE SENSOR}

본 발명은, 압력 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure sensor.

압력 센서는, 주로 기체나 액체의 압력을 검출하는 것이고, 대기압 센서나 고도(高度) 센서, 수압 센서로서 각종의 장치에 적용되고 있다. 또한, 근래에서는, 이것을 고도 센서로서 이용한 경우의 한 양태로서, 위치 정보를 얻기 위한 내비게이션 장치에의 응용이나 유저의 운동량을 정밀하게 계측하는 계측기에의 응용 등, 그 적용 범위가 넓어지고 있다.The pressure sensor mainly detects the pressure of a gas or a liquid, and is applied to various apparatuses as an atmospheric pressure sensor, an altitude sensor, and a hydraulic pressure sensor. Moreover, in recent years, as an aspect when using this as an altitude sensor, the application range is widening, such as the application to the navigation apparatus for obtaining positional information, the application to the measuring device which measures the exercise amount of a user precisely, and the like.

압력 센서로서는, 각종의 것이 존재하지만, 그 하나로, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 센서 칩으로서의 다이어프램형의 압력 센서 칩을 구비한 것이 있다. 이 다이어프램형의 압력 센서 칩을 구비한 절대 센서는, 딴것과 비교하여 대폭적으로 소형이기 때문에, 상술한 내비게이션 장치에의 응용이나 활동량계에의 응용에 적합하다.Various types of pressure sensors exist, but one of them includes a diaphragm type pressure sensor chip as a MEMS (Micro Electro Mechanical System) sensor chip. Since the absolute sensor provided with this diaphragm-type pressure sensor chip is significantly small compared with the other, it is suitable for the application to the above-mentioned navigation apparatus or the activity meter.

이런 종류의 압력 센서 칩을 탑재한 압력 센서의 구조가 개시된 문헌으로서는, 예를 들면 일본 특개2014-32190호 공보(특허 문헌 1)가 있다.As a document which discloses the structure of a pressure sensor equipped with this kind of pressure sensor chip, there is, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2014-32190 (Patent Document 1).

특허 문헌 1에는, 압력 변형 가능 다이어프램을 포함하는 압력 센서 다이(sensor die)의 제1의 주면에 캡 웨이퍼가 부착되고, 캡 웨이퍼의 일부분과, 압력 센서 다이의 압력 변형 가능 다이어프램이 배치된 상기 제1의 주면의 일부분과의 사이에 공동이 형성되고, 이 공동 내에 외부의 기체가 들어가는 것을 가능하게 구성된 반도체 디바이스 패키지가 개시되어 있다.In Patent Document 1, a cap wafer is attached to a first main surface of a pressure sensor die including a pressure deformable diaphragm, and a portion of the cap wafer and the pressure deformable diaphragm of the pressure sensor die are disposed. A semiconductor device package is disclosed in which a cavity is formed between a portion of the main surface of 1 and configured to allow external gas to enter into the cavity.

일본 특개2014-32190호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-32190

일반적으로, 내비게이션 장치에의 응용이나 활동량계(活動量計)라는 장치는, 더한층의 소형화나 고정밀화가 요구되고 있고, 이에 탑재되는 압력 센서에서도, 소형화나 고정밀화가 요구되고 있다. 이들 장치가 가반형(可搬型)의 장치인 것을 고려하면, 압력 센서의 더한층의 소형화(특히 박형화)에 대한 요구는 강하고, 또한 고도의 차이에 의거한 대기압의 변화를 보다 고정밀로에 검출할 수 있을 것이 특히 중요한 과제로 되어 있다.In general, applications to navigation devices and devices such as active mass meters require further miniaturization and high precision, and miniaturization and high precision are also required for pressure sensors mounted thereon. Considering that these devices are portable devices, the demand for further miniaturization (particularly thinning) of the pressure sensor is strong, and the change in atmospheric pressure based on a high degree of difference can be detected with higher precision. It is a particularly important task to be.

다이어프램형의 압력 센서는, 다이어프램이 다른 부재에 접촉하고 파손되지 않도록, 보호할 필요가 있기 때문에, 다이어프램을 포함하는 압력 센서 칩을 돔형의 리드 등으로 덮는 구성이나, 상자형의 몸체 내에 수용하는 구성을 취하게 되어, 소형화의 방해가 되고 있다.Since the diaphragm-type pressure sensor needs to be protected so that the diaphragm does not come into contact with another member and be damaged, the diaphragm type pressure sensor covers the pressure sensor chip including the diaphragm with a dome-shaped lead or the like, or is housed in a box-shaped body. This hinders the miniaturization.

상기 특허 문헌 1에서는, 압력 센서 다이의 주면(主面)에 캡 웨이퍼를 부착시켜 다이어프램과의 사이에 공동(空洞)을 형성함에 의해, 보호하는 부분을 적게 한 구성을 취하고 있다. 그렇지만, 특허 문헌 1의 구성이라도, 압력 센서 다이의 주면측에, 캡 웨이퍼의 두께나 와이어 본드를 마련하는 스페이스가 필요하기 때문에, 충분히 소형화가 도모되어 있다고는 말할 수 없었다. 따라서, 본 발명은, 상술한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이고, 압력 센서의 소형화를 가능하게 하는 기술의 제공을 목적으로 한다.In Patent Document 1, a cap wafer is attached to a main surface of a pressure sensor die to form a cavity between the diaphragm, thereby reducing the portion to be protected. However, even with the structure of patent document 1, since the space which provides the thickness and wire bond of a cap wafer is needed in the main surface side of a pressure sensor die, it cannot be said that size reduction was aimed enough. Therefore, this invention is made | formed in order to solve the above-mentioned problem, and an object of this invention is to provide the technique which enables the miniaturization of a pressure sensor.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의거한 압력 센서는, 반도체 기판 내에 형성되어 밀폐된 압력 기준실과, 그 압력 기준실과 외부와의 사이에 형성되어 상기 압력 기준실 내의 압력과 외부의 압력의 차에 의해 변형하는 다이어프램과, 상기 다이어프램에 마련되어 그 다이어프램의 변형에 응한 전기 신호를 발생 가능한 센서부와, 상기 센서부로부터의 전기 신호를 외부에 출력하는 출력 단자부를 구비하고, 상기 압력 기준실, 상기 다이어프램 및 상기 센서부를 포함하는 검출부와, 상기 반도체 기판 내에서 상기 검출부 이외의 영역으로서 상기 출력 단자부를 포함하는 부분과는, 상기 반도체 기판의 평면시에 있어서, 일부의 접속부를 남겨둔 선형상으로 형성된 홈에 의해 분리되고, 상기 홈이, 상기 다이어프램이 구비된 면의 반대면에 마련된 개구부와 연통한, 압력 센서 칩과, 상기 압력 센서 칩의 출력 단자부로부터 출력된 전기 신호에 대해 소정의 연산 처리를 행하는 회로부를 구비한 압력 센서로서, 상기 압력 센서 칩에서의 상기 다이어프램과 상기 출력 단자부는, 그 압력 센서 칩에서의 동일 방향의 면에 형성되고, 상기 압력 센서 칩은, 상기 출력 단자부에 형성된 면을 상기 회로부의 한 면에 대향시키고, 당해 회로부의 한 면과 상기 압력 센서 칩의 상기 출력 단자를 형성한 면과의 사이에 상기 홈과 연통한 공동을 갖는 상태로, 그 한 면에 형성된 입력 단자부와 상기 출력 단자부가 직접적 또는 간접적으로 접하도록 고정되고, 상기 회로부 및 상기 압력 센서 칩은, 상기 개구부가 외부에 노출되고, 또한 상기 회로부 및 상기 압력 센서 칩의 사이에 상기 공동을 지지하도록 밀봉재로 덮이고, 상기 공동 및 상기 홈을 통해 연통된 상기 외부와 상기 압력 기준실과의 압력의 차에 의해 상기 다이어프램이 변형되고, 상기 센서부가 상기 다이어프램의 변형에 응하여 상기 전기 신호를 생성한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, the pressure sensor based on this invention is formed between the pressure reference chamber sealed in the semiconductor substrate, and the pressure reference chamber and the exterior, and the difference of the pressure in the said pressure reference chamber and an external pressure is made. A diaphragm deformed by a pressure sensor, a sensor part provided in the diaphragm and capable of generating an electrical signal in response to the deformation of the diaphragm, and an output terminal part for outputting an electrical signal from the sensor part to the outside. The groove including the diaphragm and the sensor portion, and the portion including the output terminal portion as a region other than the detection portion in the semiconductor substrate, in a planar view of the semiconductor substrate, which is formed in a linear shape leaving a part of the connection portion. The groove is separated by, the groove provided on the opposite side of the surface provided with the diaphragm A pressure sensor having a pressure sensor chip in communication with a portion, and a circuit portion for performing a predetermined calculation process on an electrical signal output from an output terminal portion of the pressure sensor chip, wherein the diaphragm and the output terminal portion in the pressure sensor chip are provided. Is formed on a surface in the same direction in the pressure sensor chip, and the pressure sensor chip opposes a surface formed on the output terminal portion to one surface of the circuit portion, and the surface of the circuit portion and the pressure sensor chip The input terminal portion and the output terminal portion formed on one surface thereof are fixed to be in direct or indirect contact with the cavity communicating with the groove between the surface on which the output terminal is formed, and the circuit portion and the pressure sensor chip The opening is exposed to the outside and is also covered with a sealing material to support the cavity between the circuit portion and the pressure sensor chip; And the diaphragm is deformed by a difference in pressure between the outside and the pressure reference chamber communicated through the cavity and the groove, and the sensor unit generates the electrical signal in response to the deformation of the diaphragm.

이와 같이, 다이어프램이 마련된 면을 회로부측을 향한 상태로 압력 센서 칩을 밀봉재로 덮는 구성으로 함에 의해, 다이어프램을 보호하기 위한 부재를 불필요하게 하고, 압력 센서의 소형화를 가능하게 하고 있다. 또한, 이와 같이 압력 센서 칩을 밀봉한 경우라도, 밀봉재 등에 의해 고정되는 주변부와 검출부가 홈에 의해 분리되어 있기 때문에, 주위의 온도 변화에 수반하여 발생하는 응력이거나, 2차 실장(實裝)에 수반하여 발생하는 응력이라는 외부 응력이 검출부에 전해지는 것을 억제할 수 있고, 검출 정밀도의 고정밀화를 도모할 수 있다.In this way, the pressure sensor chip is covered with the sealing material in a state where the diaphragm is provided toward the circuit portion side, thereby making the member for protecting the diaphragm unnecessary and miniaturization of the pressure sensor possible. Even in the case where the pressure sensor chip is sealed in this way, the peripheral portion and the detection portion fixed by the sealing material or the like are separated by the grooves, so that the stress generated due to the change of the ambient temperature or the secondary mounting It is possible to suppress the external stress such as the stress generated along with being transmitted to the detection unit, and to achieve high accuracy in the detection accuracy.

상기 압력 센서는, 상기 압력 센서 칩에서의 상기 출력 단자부가 마련된 면의 반대면의 적어도 상기 개구부를 포함하는 일부의 면 또는 전면(全面)이 노출하도록, 밀봉재로 덮여진 구성이라도 좋다.The pressure sensor may be configured to be covered with a sealing material so that at least part of the surface including the opening or the entire surface of the pressure sensor chip is opposite to the surface on which the output terminal portion is provided.

이에 의해, 상기 홈이, 개구부를 통하여 다이어프램측의 공간과 외부를 연통하는 기능이나, 주변부와 검출부를 분리시키는 기능을 겸하기 때문에, 간이한 구성으로 소형화와 고정밀화를 양립시킬 수 있다.As a result, the groove has a function of communicating the space on the diaphragm side and the outside through the opening portion, and a function of separating the peripheral portion and the detection portion, thereby making it possible to achieve both miniaturization and high precision with a simple configuration.

상기 압력 센서는, 상기 회로부에서의 상기 압력 센서 칩이 고정된 면과 반대측의 면이 직접적 또는 간접적으로 당접함으로써, 그 회로부가 탑재되는 센서 기판을 또한 구비하고, 상기 회로부와 상기 센서 기판은, 본딩 와이어를 루프 형상으로 건너서 전기적으로 접속되고, 상기 센서 기판의 상기 회로부를 탑재하는 면과 직교하는 방향에 있어서의 거리를 높이로 하고, 상기 회로부의 상기 압력 센서가 고정된 면을 기준면으로 한 경우에, 상기 본딩 와이어의 상기 기준면에 대한 최대의 높이가, 상기 기준면으로부터 상기 압력 센서 칩의 상기 개구부가 마련된 면까지의 높이보다 낮은 구성이라도 좋다. 이에 의해, 압력 센서의 소형화, 특히 박형화를 도모할 수 있다.The pressure sensor further includes a sensor substrate on which the circuit portion is mounted by directly or indirectly contacting a surface opposite to a surface on which the pressure sensor chip is fixed in the circuit portion, wherein the circuit portion and the sensor substrate are bonded. When the wire is electrically connected across the loop shape, the distance in the direction orthogonal to the surface on which the circuit portion of the sensor substrate is mounted is set high, and the surface where the pressure sensor of the circuit portion is fixed is referred to as a reference plane. The maximum height of the bonding wire with respect to the reference plane may be lower than the height from the reference plane to the surface provided with the opening of the pressure sensor chip. As a result, the pressure sensor can be miniaturized, particularly thin.

상기 밀봉재는 상기 압력 센서에서의, 센서 기판, 회로부 및 압력 센서 칩의 축적 방향에 대해, 상기 압력 센서 칩에서의 상기 출력 단자부가 마련된 면의 반대면과, 상기 센서 기판에서의 상기 회로부가 탑재되는 면과의 사이의 영역에서, 상기 압력 센서 칩의 일부와 상기 회로부를 덮어도 좋다.The sealing material is mounted on the opposite side of the surface on which the output terminal portion in the pressure sensor chip is provided with respect to the accumulation direction of the sensor substrate, the circuit portion and the pressure sensor chip in the pressure sensor, and the circuit portion in the sensor substrate. In the area between the surfaces, a part of the pressure sensor chip and the circuit portion may be covered.

이에 의해, 압력 센서 칩이나 회로부를 돔형의 리드 등으로 덮는 경우와 같이 필요없는 공간을 만들지 않고, 압력 센서를 컴팩트하게 구성할 수 있다.Thereby, a pressure sensor can be comprised compactly without making unnecessary space like the case where a pressure sensor chip | tip or a circuit part is covered with a dome type lead etc.

본 발명에 의하면, 압력 센서의 소형화를 가능하게 하는 기술을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a technology that enables downsizing of the pressure sensor.

도 1은, 실시 형태 1에서의 압력 센서의 단면도.
도 2는, 실시 형태 1에서의 압력 센서의 모식 평면도.
도 3은, 실시 형태 1에서의 압력 센서의 사시도.
도 4는, 실시 형태 1에서의 압력 센서의 사시 단면도.
도 5는, 도 1에 도시하는 압력 센서 칩의 평면도.
도 6은, 도 1에 도시하는 압력 센서 칩의 단면도.
도 7(A)∼도 7(F)는, 관통홈의 형상에 관해 설명하는 평면 모식도.
도 8은, 실시 형태 2에서의 압력 센서 칩의 평면도.
도 9는, 실시 형태 2에서의 압력 센서 칩의 이면도.
도 10은, 실시 형태 2에서의 압력 센서 칩의 단면도.
1 is a cross-sectional view of a pressure sensor according to the first embodiment.
2 is a schematic plan view of the pressure sensor according to the first embodiment.
3 is a perspective view of the pressure sensor according to the first embodiment.
4 is a perspective cross-sectional view of the pressure sensor according to the first embodiment.
FIG. 5 is a plan view of the pressure sensor chip shown in FIG. 1. FIG.
6 is a cross-sectional view of the pressure sensor chip shown in FIG. 1.
7 (A) to 7 (F) are schematic plan views illustrating the shape of the through grooves.
8 is a plan view of the pressure sensor chip according to the second embodiment.
9 is a rear view of the pressure sensor chip according to the second embodiment.
10 is a cross-sectional view of the pressure sensor chip according to the second embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태에 관해, 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, 동일한 또는 공통되는 부분에 관해 도면 중 동일한 부호를 붙이고, 재차의 설명을 생략하는 일이 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail with reference to drawings. In addition, in embodiment shown below, the same code | symbol is attached | subjected about the same or common part, and description of it may be abbreviate | omitted again.

<실시 형태 1><Embodiment 1>

도 1, 도 2는, 본 발명의 실시 형태 1에서의 압력 센서의 단면도 및 모식 평면도이다. 또한, 도 3, 도 4는, 압력 센서의 사시도 및 사시 단면도이다. 도 5, 도 6은, 도 1에 도시하는 압력 센서 칩의 평면도 및 단면도이다. 이하, 이들 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시 형태 1에서의 압력 센서에 관해 설명한다.1 and 2 are cross-sectional views and schematic plan views of the pressure sensor according to the first embodiment of the present invention. 3 and 4 are perspective and perspective cross-sectional views of the pressure sensor. 5 and 6 are plan views and cross-sectional views of the pressure sensor chip shown in FIG. 1. Hereinafter, with reference to these FIGS. 1-6, the pressure sensor in Embodiment 1 of this invention is demonstrated.

또한, 도 1은, 도 2 중에 도시하는 X1-X1선에 따른 압력 센서의 단면을 도시하고, 도 6은, 도 5 중에 도시하는 X2-X2선에 따른 압력 센서 칩의 단면을 도시하고 있다. 또한, 도 2는, 압력 센서 칩과 회로부 등과의 위치 관계를 나타내기 위해, 밀봉재를 2점 파선으로 나타내고 있다.In addition, FIG. 1 shows the cross section of the pressure sensor along the X1-X1 line shown in FIG. 2, and FIG. 6 has shown the cross section of the pressure sensor chip along the X2-X2 line shown in FIG. 2, the sealing material is shown with the dashed-dotted line in order to show the positional relationship of a pressure sensor chip, a circuit part, etc. In FIG.

도 1 내지 도 4에 도시하는 바와 같이, 본 실시의 형태에서의 압력 센서(1)는, 표면 실장형 디바이스로서 구성된 것이고, 압력 센서 칩(10)과, 회로부(19)와, 센서 기판(2)과, 본딩 와이어(8)와, 밀봉재(23)를 구비하고 있다. 압력 센서 칩(10)은, 후술하는 범프를 통하여 회로부(19)에 접속되고, 회로부(19)의 이면이 접착제 등에 의해 센서 기판(2)에 고정되어 있다. 그리고 센서 기판(2)상의 압력 센서 칩(10) 및 회로부(19)가, 밀봉재(23)에 의해, 압력 센서 칩(10)의 이면(11a)이 노출하도록 밀봉되어 있다.As shown in FIGS. 1-4, the pressure sensor 1 in this embodiment is comprised as a surface mount type device, The pressure sensor chip 10, the circuit part 19, and the sensor board | substrate 2 are shown. ), A bonding wire 8, and a sealing material 23. The pressure sensor chip 10 is connected to the circuit portion 19 via bumps described later, and the rear surface of the circuit portion 19 is fixed to the sensor substrate 2 by an adhesive or the like. And the pressure sensor chip 10 and the circuit part 19 on the sensor board | substrate 2 are sealed by the sealing material 23 so that the back surface 11a of the pressure sensor chip 10 may be exposed.

도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 압력 센서 칩(10)은, 평면시 사각형상의 표면(12a) 및 이면(11a)을 갖는 편평 직방체(扁平直方體) 형상의 외형을 갖고 있다. 압력 센서 칩(10)의 표면(12a)의 소정 위치에는, 검출부(40), 전극(17A), 도전 패턴(17B)이 각각 마련되어 있다. 또한, 압력 센서 칩(10)은, 검출부(40)의 주위에 표면(12a)부터 이면(11a)에 걸쳐서 관통하는 관통홈(41)이 형성되고, 이 관통홈(41)이 형성되지 않은 접속부(42)에서만 검출부(40)가, 유지되는 구성으로 되어 있다.As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the pressure sensor chip 10 has a flat rectangular parallelepiped shape having a planar quadrangular surface 12a and a back surface 11a. The detection part 40, the electrode 17A, and the conductive pattern 17B are provided in the predetermined position of the surface 12a of the pressure sensor chip 10, respectively. In addition, the pressure sensor chip 10 is formed with a through groove 41 penetrating from the surface 12a to the back surface 11a around the detection unit 40, and the connecting portion where the through groove 41 is not formed. The detector 40 is configured to be held only at 42.

압력 센서 칩(10)은, 이면측 기판(11) 및 표면측 기판(12)을 접합함으로써 구성되어 있다. 상술한 압력 센서 칩(10)의 표면(12a)은, 표면측 기판(12)의 한 쌍의 주표면 중의 비접합면으로 구성되어 있고, 상술한 압력 센서 칩(10)의 이면(11a)은, 이면측 기판(11)의 한 쌍의 주표면 중의 비접합면으로 구성되어 있다.The pressure sensor chip 10 is comprised by joining the back side board | substrate 11 and the front side board | substrate 12. As shown in FIG. The surface 12a of the pressure sensor chip 10 mentioned above is comprised by the non-joined surface in a pair of main surface of the surface side board | substrate 12, and the back surface 11a of the pressure sensor chip 10 mentioned above is And the non-bonded surface in a pair of main surface of the back surface side board | substrate 11 is comprised.

압력 센서 칩(10)은, 반도체 기판 내부에 밀폐된 원반형상의 압력 기준실(15)과, 당해 압력 기준실(15)과 외부와의 사이에 형성되어 상기 압력 기준실(15) 내의 압력과 외부의 압력의 차에 의해 변형한 박판형상의 다이어프램(13)을 구비하고 있다.The pressure sensor chip 10 is formed between the disk-shaped pressure reference chamber 15 sealed inside the semiconductor substrate, and the pressure reference chamber 15 and the outside, and the pressure in the pressure reference chamber 15 and the outside. A thin plate-shaped diaphragm 13 deformed by a difference in pressure is provided.

검출부(40)는, 압력 기준실(15)과, 다이어프램(13), 다이어프램(13)의 주연(周緣)에 따라 마련된 복수의 피에조 저항 소자(16)를 포함한다. 또한, 피에조 저항 소자(16)는, 다이어프램(13)이, 압력 기준실(15) 내의 압력과 외부의 압력의 차에 의해 변형한 경우에, 이 변형에 응한 전기 신호를 발생 가능한 센서부의 한 형태이다. 본 실시 형태에서는, 다이어프램(13)의 주연에 따라 등간격으로 4개의 피에조 저항 소자(16)가 마련되고, 도전 패턴(17C)이 각 피에조 저항 소자(16)를 전기적으로 접속하여 브리지 회로를 구성하고 있다. 또한, 이것으로 한하지 않고, 검출부(40)는, 요구되는 정밀도에 응하여 임의 수의 피에조 저항 소자(16)를 구비하는 구성이라도 좋다. 또한, 센서부로서는, 상술한 바와 같은 복수의 피에조 저항 소자(16)를 이용한 것으로 한하지 않고, 정전용량식의 것을 이용하는 것도 가능하다.The detection unit 40 includes a pressure reference chamber 15, a diaphragm 13, and a plurality of piezoresistors 16 provided along the periphery of the diaphragm 13. In addition, the piezoresistive element 16 is a form of the sensor unit capable of generating an electrical signal in response to the deformation when the diaphragm 13 is deformed due to a difference between the pressure in the pressure reference chamber 15 and an external pressure. to be. In this embodiment, four piezoresistors 16 are provided at equal intervals along the periphery of the diaphragm 13, and the conductive pattern 17C electrically connects each piezo resistors 16 to form a bridge circuit. Doing. In addition, the detection part 40 may be the structure provided with the arbitrary number of piezoresistive elements 16 according to the requested | required precision, without being limited to this. In addition, as a sensor part, it is not limited to using the several piezoresistive element 16 mentioned above, It is also possible to use a capacitive thing.

상기 구성의 압력 센서 칩(10)은, 이면측 기판(11)이 접합면에 미리 오목홈이 형성되고, 당해 오목홈을 덮도록 소정의 압력 환경하에서 표면측 기판(12)과 접합하고, 표면측 기판(12)을 소망하는 두께로 연삭함으로써 제조된다. 이에 의해, 압력 센서 칩(10)의 내부에 상술한 압력 기준실(15)이 형성되고, 이면측 기판(11)에 미리 형성된 오목홈에 대향하는 표면측 기판(12)이 다이어프램(13)이 된다. 본 실시 형태에서는, 진공 환경하에서 이면측 기판(11)이 표면측 기판(12)에 접합됨으로써, 압력 기준실(15)이 진공 상태로 형성된다.In the pressure sensor chip 10 having the above-described configuration, a recessed groove is formed in the joining surface in advance, so that the back side substrate 11 is joined to the surface-side substrate 12 in a predetermined pressure environment so as to cover the recessed groove. It is manufactured by grinding the side substrate 12 to a desired thickness. As a result, the above-described pressure reference chamber 15 is formed inside the pressure sensor chip 10, and the diaphragm 13 has a surface side substrate 12 facing the concave groove previously formed in the back side substrate 11. do. In this embodiment, the pressure reference chamber 15 is formed in a vacuum state by bonding the back side substrate 11 to the front side substrate 12 in a vacuum environment.

또한, 이면측 기판(11) 및 표면측 기판(12)으로서는, 알맞게는 반도체 기판, 예를 들면 실리콘 기판이 사용되고, 한 예로서, 이들 접합에 SOI(Silicon on Insulator) 기술이 적용할 수 있다. 또한, 표면측 기판(12)이, 실리콘 기판인 경우, 실리콘 기판의 표면(12a)에 불순물을 확산시킴으로써 확산층 저항을 형성하여, 상기 피에조 저항 소자(16)로 할 수 있다. 이면측 기판(11)으로서는, 실리콘 기판으로 한정되지 않고, 유리 기판 등을 이용하는 것도 가능하다.As the back side substrate 11 and the front side substrate 12, a semiconductor substrate, for example, a silicon substrate is suitably used. As an example, a silicon on insulator (SOI) technique can be applied to these junctions. In the case where the surface-side substrate 12 is a silicon substrate, diffusion layer resistance can be formed by diffusing impurities on the surface 12a of the silicon substrate to form the piezo resistor 16. As the back side substrate 11, it is not limited to a silicon substrate, A glass substrate etc. can also be used.

압력 센서 칩(10)의 평면시(도 5)에서, 검출부(40)의 주위 중 일부를 접속부(42)로 하고, 접속부(42)를 남겨두고 검출부(40)의 주위에 이면측 기판(11) 및 표면측 기판(12)을 관통하는 관통홈(41)이 형성되어 있다. 즉, 압력 센서 칩(10) 내에서의 검출부(40) 이외의 부분(이하, 주변부라고도 칭한다)(43)과 검출부(40)가 관통홈(41)에 의해 분리되어 있다. 관통홈(41)을 형성하는 수법으로서는, 이면측 기판(11) 및 표면측 기판(12)을 접합하고, 피에조 저항 소자(16)와 도전 패턴(17B, C), 전극(17A)을 형성한 후, 표면부터 홈을 파고, 홈이 노출할 때까지 이면부터 연삭하는 공법이나, 표면 또는 이면을 연삭 후, 반대측의 면부터 홈을 파는 공법을 들 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태의 압력 센서 칩(10)은, 접합한 이면측 기판(11) 및 표면측 기판(12)에 관통홈(41)을 마련하여, 주변부(43)와 검출부(40)를 분리시키는 구성이므로, 검출부(40)의 저면과 주변부(43)의 저면의 높이는 같다.In the plan view of the pressure sensor chip 10 (FIG. 5), a part of the periphery of the detection unit 40 is used as the connection unit 42, and the connection unit 42 is left, and the back side substrate 11 is surrounded by the detection unit 40. ) And through grooves 41 penetrating the surface-side substrate 12 are formed. That is, the portions (hereinafter also referred to as peripheral portions) 43 and the detection portion 40 in the pressure sensor chip 10 other than the detection portion 40 are separated by the through grooves 41. As a method of forming the through grooves 41, the back side substrate 11 and the front side substrate 12 are bonded to each other, and the piezo resistor 16, the conductive patterns 17B and C, and the electrode 17A are formed. Thereafter, a method of digging a groove from the surface and grinding from the back surface until the groove is exposed, or a method of digging a groove from the surface on the opposite side after grinding the surface or the back surface is mentioned. Thus, the pressure sensor chip 10 of this embodiment provides the through groove 41 in the bonded back surface side board 11 and the surface side board | substrate 12, and connects the peripheral part 43 and the detection part 40 to it. Since it is a structure which isolate | separates, the height of the bottom face of the detection part 40 and the bottom face of the peripheral part 43 are the same.

회로부(19)는, 증폭 회로나 온도 보상 회로 등, 소정의 신호 처리를 행하는 회로나 메모리 등을 갖는 집적 회로이고, 예를 들면 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)이다. 회로부(19)는, 수지나 금속, 세라믹 등으로 밀봉되고, 평면시 사각형상의 표면(19b) 및 이면(19a)을 갖는 편평 직방체 형상의 외형을 갖고 있다. 또한, 회로부(19)는, 전기 신호의 입출력을 행하기 위한 전극(33)을 표면(19b)에 구비하고 있다.The circuit unit 19 is an integrated circuit having a circuit or memory for performing predetermined signal processing, such as an amplifying circuit and a temperature compensating circuit, and is an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), for example. The circuit part 19 is sealed with resin, a metal, a ceramic, etc., and has a flat rectangular parallelepiped shape which has the planar quadrangular surface 19b and the back surface 19a. In addition, the circuit unit 19 includes an electrode 33 on the surface 19b for inputting and outputting electric signals.

센서 기판(2)은, 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이 평판상이고, 주로 절연 재료로 형성되어 있다. 또한, 센서 기판(2)을 구성하는 절연 재료로서는, 세라믹스 재료나 수지 재료 등을 이용할 수 있다. 센서 기판(2)의 표면(2a)에는, 수지 접착제(22)에 의해 회로부(19)의 이면(19a)이 접착되고, 또한, 이 표면(2a)상의 회로부(19)와 인접한 위치에 회로부(19)와 접속하기 위한 복수의 전극(본딩 패드)(25)이 마련되어 있다. 이 전극(25)은, 도시하지 않은 비아를 통하여 센서 기판(2)의 이면(2b)에 마련된 전극(26)과 접속되어 있다. 전극(26)은, 검출한 압력을 나타내는 전기 신호를 압력 센서(1)의 외부에 출력하기 위한 단자이다.The sensor board | substrate 2 is flat form as shown to FIG. 1 and FIG. 2, and is mainly formed from the insulating material. As the insulating material constituting the sensor substrate 2, a ceramic material, a resin material, or the like can be used. The back surface 19a of the circuit portion 19 is bonded to the surface 2a of the sensor substrate 2 by the resin adhesive 22, and the circuit portion (2) is located at a position adjacent to the circuit portion 19 on the surface 2a. A plurality of electrodes (bonding pads) 25 for connecting with 19 are provided. This electrode 25 is connected with the electrode 26 provided in the back surface 2b of the sensor board | substrate 2 through the via which is not shown in figure. The electrode 26 is a terminal for outputting an electric signal indicating the detected pressure to the outside of the pressure sensor 1.

또한, 압력 센서 칩(10)은, 표면(12a)을 회로부(19)측을 향한 상태로, 전극(17A)이 범프(32)에 의해 회로부(19)의 전극(33)과 접속된다. 회로부(19)는, 전극(33), 범프(32), 전극(17A), 도전 패턴(17B, 17C)를 통하여 피에조 저항 소자(16)와 접속하고 있다. 이에 의해 회로부(19)는, 압력 센서 칩(10)이 검출한 압력을 나타내는 전기 신호를 전극(33)으로부터 수신한다. 이 압력 센서 칩(10)과 접속된 전극(33)은, 회로부(19)에서의 입력 단자부의 한 형태이다. 한편, 회로부(19)에 전기 신호를 출력하기 위한 전극(17A)은, 압력 센서 칩(10)에서의 출력 단자부의 한 형태이다.In the pressure sensor chip 10, the electrode 17A is connected to the electrode 33 of the circuit portion 19 by the bumps 32 with the surface 12a facing the circuit portion 19 side. The circuit portion 19 is connected to the piezoresistive element 16 through the electrode 33, the bump 32, the electrode 17A, and the conductive patterns 17B and 17C. As a result, the circuit unit 19 receives an electric signal indicating the pressure detected by the pressure sensor chip 10 from the electrode 33. The electrode 33 connected with the pressure sensor chip 10 is one form of the input terminal portion in the circuit portion 19. On the other hand, the electrode 17A for outputting an electric signal to the circuit portion 19 is one form of the output terminal portion in the pressure sensor chip 10.

이 접속에 의해, 압력 센서 칩(10)과 회로부(19)와의 사이에는, 범프(32)의 두께 등에 응한 공동(空洞)(39)이 형성된다. 이 공동(39)의 두께, 즉 압력 센서 칩(10)과 회로부(19)의 간격은, 예를 들면 10㎛∼50㎛이다. 이때, 압력 센서 칩(10)과 회로부(19)는, 전극(17A)과 전극(33)과의 접속만으로 고정되어도 좋고, 이들 전극(17A, 33)의 주위를 다이 본드재나 언더필에 의해 접착되어도 좋다. 또한, 압력 센서 칩(10)의 표면(12a)은, 회로부(19)의 이면(19b)과 평행하게 고정되어 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.By this connection, the cavity 39 corresponding to the thickness of the bump 32 or the like is formed between the pressure sensor chip 10 and the circuit portion 19. The thickness of the cavity 39, that is, the interval between the pressure sensor chip 10 and the circuit portion 19 is, for example, 10 µm to 50 µm. At this time, the pressure sensor chip 10 and the circuit part 19 may be fixed only by the connection of the electrode 17A and the electrode 33, and the circumference | surroundings of these electrodes 17A and 33 may be adhere | attached by a die bond material or underfill. good. In addition, although the surface 12a of the pressure sensor chip 10 is fixed in parallel with the back surface 19b of the circuit part 19, it is not limited to this.

또한, 회로부(19)의 복수의 전극(33) 중, 압력 센서 칩(10)과 접속되지 않은 전극(33)은, 본딩 와이어(8)를 통하여, 센서 기판(2)의 전극(25)과 접속된다. 즉 회로부(19)는, 본딩 와이어(8), 전극(25), 전극(26)을 통하여 외부의 회로와 접속한다. 여기서, 본딩 와이어(8)에서의 루프 부분의 회로부(19)에 대한 높이(H1)(도 1)는, 압력 센서 칩(10)의 회로부(19)에 대한 높이(H2)보다 낮아지도록 설정되어 있다.In addition, of the plurality of electrodes 33 of the circuit unit 19, the electrodes 33 not connected to the pressure sensor chip 10 are connected to the electrodes 25 of the sensor substrate 2 through the bonding wires 8. Connected. In other words, the circuit unit 19 is connected to an external circuit through the bonding wire 8, the electrode 25, and the electrode 26. Here, the height H1 (FIG. 1) for the circuit portion 19 of the loop portion of the bonding wire 8 is set to be lower than the height H2 for the circuit portion 19 of the pressure sensor chip 10. have.

또한, 본 실시 형태에서는, 압력 센서 칩(10)의 전극(17A)이 범프(32)에 의해 회로부(19)의 전극(33)과 직접 접속되는 예를 나타냈지만, 이것으로 한하지 않고, 압력 센서 칩(10)의 전극(17A)이, 인터포저(부도시) 등을 통하여 회로부(19)의 전극(33)과 간접적으로 접속되는 구성이라도 좋다. 이 경우, 압력 센서 칩(10)의 다이어프램(13)이 마련된 면과 인터포저와의 사이에, 범프의 두께 등에 응한 공동이 형성된다.In addition, in this embodiment, although the electrode 17A of the pressure sensor chip 10 was shown the example which directly connects with the electrode 33 of the circuit part 19 by the bump 32, it is not limited to this, but the pressure is not limited to this. The electrode 17A of the sensor chip 10 may be indirectly connected to the electrode 33 of the circuit unit 19 via an interposer (not shown) or the like. In this case, a cavity corresponding to the thickness of the bump or the like is formed between the surface on which the diaphragm 13 of the pressure sensor chip 10 is provided and the interposer.

그리고, 압력 센서(1)는, 센서 기판(2), 회로부(19) 및 압력 센서 칩(10)을 적층한 방향에 대해, 압력 센서 칩(10)의 이면(11a)과, 센서 기판(2)에서의 회로부(19)가 탑재되는 표면(2a)과의 사이의 영역에서, 압력 센서 칩(10)의 일부와 회로부(19)를 덮도록 밀봉재(23)가 마련된다. 밀봉재(23)로서는, 수지, 금속, 세라믹, 유리 등을 들 수 있다. 예를 들면, 상기한 바와 같이 센서 기판(2)에 회로부(19) 및 압력 센서 칩(10)을 접속한 상태로 금형에 넣어 수지를 사출 성형한다. 또한, 금속이나 세라믹 등으로 성형한 패키지에 상기 센서 기판(2), 회로부(19) 및 압력 센서 칩(10)을 넣고 저융점 유리 등으로 밀봉한 구성이라도 좋다. 이와 같이, 회로부(19) 및 압력 센서 칩(10)이 밀봉됨으로써, 외부로부터의 충격이나 습도, 가스, 열 등으로부터 보호된다.The pressure sensor 1 includes the back surface 11a of the pressure sensor chip 10 and the sensor substrate 2 in a direction in which the sensor substrate 2, the circuit portion 19, and the pressure sensor chip 10 are stacked. In the region between the circuit portion 19 and the surface 2a on which the circuit portion 19 is mounted, a sealing member 23 is provided to cover part of the pressure sensor chip 10 and the circuit portion 19. Examples of the sealing material 23 include resins, metals, ceramics, and glass. For example, as above-mentioned, resin is injection-molded in the metal mold | die in the state which connected the circuit part 19 and the pressure sensor chip 10 to the sensor board | substrate 2. The sensor substrate 2, the circuit portion 19, and the pressure sensor chip 10 may be placed in a package formed of a metal, a ceramic or the like and sealed with low melting glass or the like. Thus, the circuit part 19 and the pressure sensor chip 10 are sealed, and are protected from the shock, humidity, gas, heat, etc. from the exterior.

본 실시 형태의 압력 센서(1)는, 압력 센서 칩(10) 및 회로부(19)가 밀봉될 때, 적어도 이면(11a)의 관통홈(41)이 마련된 부분이 노출하도록 성형된다. 예를 들면, 압력 센서 칩(10)의 이면(11a)을 금형의 벽면에 당접시킨 상태에서 밀봉재(23)로서의 수지를 사출함으로써, 이면(11a)과 같은면으로 밀봉재(23)의 상면을 형성한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 이면(11a)의 전면이 노출되도록 형성하였지만, 이것으로 한하지 않고 예를 들면 관통홈(41)을 포함하는 이면(11a)의 대부분이 노출되도록 형성되어도 좋다. 또한, 밀봉한 경우에도, 압력 센서 칩(10)과 회로부(19)와의 사이에는, 공동(39)을 유지한다. 예를 들면, 미리 압력 센서 칩(10)의 주변부(43)와 회로부(19)와의 사이에 언더필을 충전하고, 밀봉할 때에 밀봉재(23)가 압력 센서 칩(10)과 회로부(19)와의 사이에 침입하지 않도록 한다.When the pressure sensor chip 10 and the circuit part 19 are sealed, the pressure sensor 1 of this embodiment is shape | molded so that the part provided with the through groove 41 of the back surface 11a at least may be exposed. For example, by injecting resin as the sealing material 23 while the back surface 11a of the pressure sensor chip 10 is brought into contact with the wall surface of the mold, the top surface of the sealing material 23 is formed on the same surface as the back surface 11a. do. In addition, in this embodiment, although the front surface of the back surface 11a was formed, it is not limited to this, For example, you may be formed so that the majority of the back surface 11a containing the through groove 41 may be exposed. In addition, even when sealed, the cavity 39 is maintained between the pressure sensor chip 10 and the circuit unit 19. For example, when the underfill is filled and sealed between the peripheral portion 43 of the pressure sensor chip 10 and the circuit portion 19 in advance, the sealing material 23 is formed between the pressure sensor chip 10 and the circuit portion 19. Do not break in.

그리고 관통홈(41)이 다이어프램(13)측의 공동(39)과 압력 센서(1)의 외부를 연통하기 때문에, 다이어프램(13)측의 공동(39)의 압력이, 압력 센서(1)의 외부의 압력과 같아지고, 이 외부의 압력과 압력 기준실(15) 내의 기준 압력과의 차에 응하여, 다이어프램(13)이 변형한다. 그리고, 이 변형의 정도에 응하여 복수의 피에조 저항 소자(16)의 저항치가 각각 변화하여 브리지 회로의 중점(中點) 전위가 변동하고, 회로부(19)에서, 중점 전위의 변동량이 전기 신호로 변환된다. 변환 후의 전기 신호는, 상기 외기압에 응한 센서 출력, 예를 들면 상기 외기압을 나타내는 절대압으로서 외부에 출력된다. 또한, 당해 전기 신호의 출력에 즈음하여, 생성한 전기 신호를 일시적으로 메모리부에서 기억시키는 것도 가능하다.Since the through groove 41 communicates the cavity 39 on the diaphragm 13 side with the outside of the pressure sensor 1, the pressure of the cavity 39 on the diaphragm 13 side causes the pressure of the pressure sensor 1. It becomes equal to the external pressure and the diaphragm 13 deforms in response to the difference between the external pressure and the reference pressure in the pressure reference chamber 15. Then, the resistance values of the plurality of piezoresistors 16 change in accordance with the degree of this deformation, so that the midpoint potential of the bridge circuit changes, and in the circuit section 19, the amount of change in the midpoint potential is converted into an electric signal. do. The electrical signal after the conversion is output to the outside as a sensor output corresponding to the external air pressure, for example, an absolute pressure representing the external air pressure. In addition, it is also possible to temporarily store the generated electric signal in the memory unit in response to the output of the electric signal.

본 실시 형태의 압력 센서(1)에서는, 압력 센서 칩(10)의 표면(12a)에 마련된 전극(17A)과 회로부(19)의 전극(33)과의 접속, 및 압력 센서 칩(10)을 밀봉하고 있는 밀봉재(23)에 의해 압력 센서 칩(10)의 주변부(43)가 고정되고, 이 고정된 주변부(43)와 검출부(40)가 관통홈(41)에 의해 분리되어 있다. 환언하면, 검출부(40)는, 관통홈(41)에 둘러싸여진 부분이 주변부(43)와 이간하고, 접속부(42)에서만 유지되어 있다.In the pressure sensor 1 of the present embodiment, the connection between the electrode 17A provided on the surface 12a of the pressure sensor chip 10 and the electrode 33 of the circuit portion 19, and the pressure sensor chip 10 are connected. The peripheral portion 43 of the pressure sensor chip 10 is fixed by the sealing material 23 sealed, and the fixed peripheral portion 43 and the detection portion 40 are separated by the through groove 41. In other words, in the detection part 40, the part enclosed by the through-groove 41 is separated from the peripheral part 43, and is hold | maintained only in the connection part 42. FIG.

이와 같이 구성함에 의해, 예를 들면, 외부 환경의 온도 변화가 있는 경우, 센서 기판(2)이나 회로부(19) 등, 선팽창 계수가 다른 부재에 수반하여 발생하는 응력이 다이어프램(13)에 전해지는 것을 대폭적으로 경감할 수 있고, 측정치에의 영향을 억제할 수 있다. 이하, 그 이유에 관한 고찰을 나타낸다.With this configuration, for example, when there is a temperature change in the external environment, the stress generated along with the members having different linear expansion coefficients such as the sensor substrate 2 or the circuit portion 19 is transmitted to the diaphragm 13. It can greatly reduce the thing, and can suppress the influence on a measured value. Hereinafter, consideration about the reason is shown.

압력 센서 칩의 성능에 영향을 주는 특성의 하나로서, 센서 출력 히스테리시스가 있다. 센서 출력 히스테리시스는, 압력 센서 칩에 부가된 압력이 제로인 경우와 정격 압력인 경우의 각각에서의 출력 전류(또는 전압)치 사이에 이상(理想) 직선을 긋고, 이것과 실측 전류(또는 전압)치 사이의 차를 오차치(誤差値)로서 구하고, 압력 상승시의 오차치와 압력 하강시의 오차치와의 차의 절대치를 풀스케일 대해 퍼센트 표시한 것이다. 이 센서 출력 히스테리시스는, 작으면 작을수록 좋고, 센서 출력 히스테리시스가 작은 경우에는, 검출 정밀도의 고정밀화가 도모되어 있다고 말할 수 있다.One of the characteristics affecting the performance of the pressure sensor chip is sensor output hysteresis. The sensor output hysteresis draws an ideal straight line between the output current (or voltage) value in each case where the pressure applied to the pressure sensor chip is zero and the rated pressure, and this and the measured current (or voltage) value The difference between these values is obtained as an error value, and the absolute value of the difference between the error value at the time of pressure rise and the error value at the time of pressure drop is expressed as a percentage with respect to full scale. The smaller the smaller the sensor output hysteresis is, the better the detection output hysteresis is.

당해 센서 출력 히스테리시스가 커지는 요인으로서는, 예를 들면 외부 환경의 온도 변화가 있는 경우에, 센서 기판(2)이나 리드(7), 회로부(19) 등의 선팽창 계수가 다른 부재의 사이에서 응력이 발생하고, 이 응력이 다이 본드재(20)나 본딩 와이어(8)를 통하여 압력 센서 칩(10)에 전해지고, 압력의 측정에 영향을 주는 일이 있다. 또한, 본딩 와이어(8)의 열에 의한 변화에 수반하는 전극(17A)에의 응력이 발생하여, 측정에 영향을 주는 것이 있다. 이들 열에 수반하는 응력에 대해, 유연한 다이 본드재(20)를 이용하여 압력 센서 칩을 유지하는 구성으로 함으로써, 이들 응력을 흡수하고, 센서에의 영향을 경감하는 것도 알려져 있다. 그렇지만, 다이 본드재(20)로 모든 응력을 경감할 수 있는 것은 아니고, 특히 소형의 센서에서는 다이 본드재(20)로 억제된 응력의 영향도 자연히 제한된다.As a factor that increases the sensor output hysteresis, for example, when there is a temperature change in the external environment, stress is generated between members having different coefficients of linear expansion such as the sensor substrate 2, the lid 7, the circuit portion 19, or the like. This stress is transmitted to the pressure sensor chip 10 through the die bond material 20 and the bonding wire 8, and may affect the measurement of the pressure. Moreover, the stress to the electrode 17A accompanying the change by the heat of the bonding wire 8 may generate | occur | produce, and it may affect the measurement. It is also known to absorb these stresses and reduce the influence on the sensor by using the flexible die bond material 20 to hold the pressure sensor chip against the stress accompanying these heat. However, not all stress can be reduced by the die bond material 20, and especially the influence of the stress suppressed by the die bond material 20 is naturally limited in the small sensor.

이 점, 본 실시 형태에서의 압력 센서(1)에서는, 밀봉재(23)로 고정되어 있는 주변부(43)와 검출부(40)가 관통홈(41)에 의해 이간되어 있기 때문에, 상기 열에 수반하는 응력이 주변부(43)에 생겼다고 하여도, 접속부(42) 이외에서 검출부(40)에 전해지는 일이 없기 때문에, 다이어프램(13)에 주는 영향이 대폭적으로 경감된다. 또한, 압력 센서(1)를 회로 기판에 실장할 때의 실장 응력에 대해서도, 마찬가지로 다이어프램(13)에 주는 영향이 대폭적으로 경감된다.In this regard, in the pressure sensor 1 according to the present embodiment, since the peripheral portion 43 and the detection portion 40 fixed by the sealing material 23 are separated by the through groove 41, the stress accompanying the heat Even if this occurs in the peripheral portion 43, since it is not transmitted to the detection portion 40 other than the connection portion 42, the influence on the diaphragm 13 is greatly reduced. In addition, similarly to the mounting stress at the time of mounting the pressure sensor 1 on a circuit board, the influence on the diaphragm 13 is largely reduced.

또한, 주변부(43)에 생긴 응력이 접속부(42)를 통하여 검출부(40)에 전해질 가능성도 있지만, 접속부(42)는 검출부(40)에 대해 일방향으로 밖에 존재하지 않고, 접속부(42) 이외에 검출부(40)를 고정하는 것이 없기 때문에, 예를 들어 접속부(42)측부터 열에 수반하는 응력이나 실장 응력이 전해졌다고 하여도, 검출부(40)에 대해 일방향으로부터 밖에 응력이 가하여지지 않기 때문에, 이 응력에 의한 다이어프램(13)의 변형은 주변을 분리하지 않는 경우에 비하여 경미하게 된다.In addition, although the stress generated in the peripheral portion 43 may be transmitted to the detection portion 40 through the connection portion 42, the connection portion 42 exists only in one direction with respect to the detection portion 40, and the detection portion other than the connection portion 42 is provided. Since there is no fixation of 40, even if the stress or mounting stress accompanying heat from the connection part 42 side is transmitted, for example, since only a stress is applied to the detection part 40 from one direction, it is this stress. Deformation of the diaphragm 13 by means of the case is slightly compared to the case of not separating the periphery.

이와 같이 압력 센서(1)에서는, 열 등에 수반한 응력이 주변부(43)에 생겨도 검출부(40)에의 전달이 억제되기 때문에, 다이 본드재(20)의 탄성률을 작게 하는 것이나, 다이 본드재(20)에 의해 접착하는 면적을 작게 함에 의해, 다이 본드재(20)를 과도하게 취약하게 할 필요가 없기 때문에, 낙하 등의 충격에 대한 강도를 향상시킬 수 있다.In this way, in the pressure sensor 1, even if a stress accompanying heat or the like is generated in the peripheral portion 43, the transfer to the detection portion 40 is suppressed, so that the elastic modulus of the die bond material 20 is reduced or the die bond material 20 is reduced. By reducing the area to be bonded by), the die bond material 20 does not need to be excessively vulnerable, so that the strength against impact such as falling can be improved.

<홈형상에 관해><About the groove shape>

도 7은, 관통홈의 형상에 관해 설명하는 평면 모식도이다. 압력 센서 칩(10)의 관통홈(41)은, 도 7(A)에 도시하는 바와 같이, 평면시에 있어서 다이어프램(13) 또는 압력 기준실(15)의 중심(51)과 동심의 원(52)에 따라 원호형상으로 형성되어 있다. 즉, 관통홈(41)으로 잘라 나뉘어진 원(52)의 내측의 부분이 검출부(40)이다. 또한, 관통홈(41)이 마련되지 않은 부분이 접속부(42)이다. 또한, 전극(17A)의 위치는, 관통홈(41)의 형상으로 한정되지 않기 때문에, 도 7에서는, 전극(17A)을 생략하여 나타내었다. 도 7의 예에서는, 관통홈(41)의 형상이나 접속부(42)의 배치 방향에 관계 없이 전극(17A)은, 주변부(43)의 표면(12a)이라면 어디에 마련되어도 좋다.7 is a schematic plan view for explaining the shape of the through grooves. As shown in FIG. 7A, the through groove 41 of the pressure sensor chip 10 has a circle concentric with the center 51 of the diaphragm 13 or the pressure reference chamber 15 in plan view. 52 is formed in an arc shape. That is, the detection part 40 is the inside part of the circle 52 cut | disconnected by the through groove 41. In addition, the part in which the through groove 41 is not provided is the connection part 42. In addition, since the position of the electrode 17A is not limited to the shape of the through groove 41, the electrode 17A is omitted in FIG. In the example of FIG. 7, the electrode 17A may be provided anywhere as long as the surface 12a of the peripheral portion 43, regardless of the shape of the through groove 41 or the arrangement direction of the connection portion 42.

다이어프램(13)에 마련된 피에조 저항 소자(16)에는, 도 8에 도시하는 바와 같이 피에조 저항 계수가 큰 결정(結晶) 방위와, 피에조 저항 계수가 작은 결정 방위가 존재한다. 이 때문에, 피에조 저항 계수가 작은 결정 방위, 즉, 응력에 대한 감도가 낮은 방위에 접속부(42)를 배치하는 것이 바람직하다. 도 7(A)의 예에서는, 중심(51)을 통과하는 일직선(61)상에, 피에조 저항 소자(16) 중, 피에조 저항 소자(16A, 16B)가 배치되고, 이 직선(61)과 직교하는 직선(62)상에 피에조 저항 소자(16C, 16D)가 배치되어 있다. 그리고, 중심(51)부터 피에조 저항 소자(16C)로의 방향을 0도로 하고, 좌회전으로 45도의 방향에 접속부(42)가 배치되어 있다. 환언하면 피에조 저항 소자(16C) 및 중심(51)을 통과한 직선(62)과 중심(51) 및 접속부(42)를 통과하는 직선(63)이 이루는 중심각(α)이 45도로 되어 있다. 이와 같이 피에조 저항 소자(16)의 배치 방향에 대해 45도의 방향에 접속부(42)를 배치함으로써, 접속부(42)를 통하여 전해지는 응력의 영향을 억제할 수 있다. 또한, 이와 같이 배치함에 의해, 접속부의 단면(斷面)(예를 들면 접속부에서 직선(63)과 직교하는 면)이, 직선(61 및 62)와 평행이 되지 않고, 벽개면(劈開面)을 피하는 것으로 되기 때문에, 낙하 등에 대한 충격에 대한 강도가 향상한다.In the piezoresistive element 16 provided in the diaphragm 13, as shown in FIG. 8, the crystal orientation with a large piezoelectric resistance coefficient and the crystal orientation with a small piezoelectric resistance coefficient exist. For this reason, it is preferable to arrange | position the connection part 42 in the crystal orientation with a small piezo resistance coefficient, ie, the orientation with low sensitivity to a stress. In the example of FIG. 7A, on the straight line 61 passing through the center 51, the piezoresistive elements 16A and 16B are disposed among the piezoresistive elements 16 and are orthogonal to the straight line 61. Piezoresistive elements 16C and 16D are arrange | positioned on the straight line 62 to make. Then, the direction from the center 51 to the piezo resistor 16C is 0 degrees, and the connecting portion 42 is disposed in the direction of 45 degrees in the left turn. In other words, the center angle α formed by the piezo resistor 16C and the straight line 62 passing through the center 51 and the straight line 63 passing through the center 51 and the connecting portion 42 is 45 degrees. Thus, by arrange | positioning the connection part 42 in the 45 degree direction with respect to the arrangement direction of the piezoresistive element 16, the influence of the stress transmitted through the connection part 42 can be suppressed. Moreover, by arrange | positioning in this way, the cross section (for example, the surface orthogonal to the straight line 63 in a connection part) of a connection part does not become parallel with the straight lines 61 and 62, and cuts off the cleaved surface. Since it avoids, the intensity | strength to the impact with respect to fall etc. improves.

또한, 접속부(42)를 배치하는 방향은, 45도로 한하지 않고 다른 방향이라도 좋다. 도 7(B)의 예에서는, 접속부(42)가 중심(51)에 대해 90도의 방향이 되도록 관통홈(41)이 마련되어 있다. 또한, 접속부(42)를 배치하는 방향은, 90도로 한하지 않고 다른 방향, 예를 들면, 0도, 180도, 270도 등이라도 좋다. 이와 같이 45도 이외의 방향에 접속부(42)를 마련한 경우에도, 관통홈(41)에 의해 검출부(40)를 주변부(43)와 격리한 효과를 얻을 수 있기 때문에, 열에 수반하는 응력이나 압력 센서를 회로 기판에 실장할 때의 실장 응력의 영향의 영향이 억제된다.In addition, the direction which arrange | positions the connection part 42 is not limited to 45 degree | times, but may be another direction. In the example of FIG. 7B, the through groove 41 is provided so that the connecting portion 42 is in the direction of 90 degrees with respect to the center 51. In addition, the direction in which the connecting portion 42 is disposed is not limited to 90 degrees, but may be another direction, for example, 0 degrees, 180 degrees, 270 degrees, or the like. Thus, even when the connection part 42 is provided in the direction other than 45 degree | times, since the effect which isolate | separated the detection part 40 from the peripheral part 43 by the through groove 41 is acquired, the stress and a pressure sensor accompanying heat The influence of the influence of the mounting stress on mounting the circuit board on the circuit board is suppressed.

상기한 예에서는, 관통홈을 원(52)에 따라 원호형상으로 형성하였지만, 엄밀한 원에 따라 형성하는 것으로 한하지 않고, 개략 원에 따른 형상이면 좋다. 또한, 개략 원이란, 타원이나 주먹밥형(俵型), 소판형(小判型) 등, 검출부(40)를 둘러쌀 수 있는 형상이면 좋다. 또한, 관통홈의 형상은, 원으로 한정되지 않고 다른 형상이라도 좋다. 도 7(C)의 예에서는, 평면시에 있어서 다이어프램(13) 또는 압력 기준실(15)의 중심(51)과 중심을 일치시킨 사각(四角)(54)에 따라 관통홈(41C)이 형성되어 있다. 즉, 관통홈(41C)으로 잘라 나뉘어진 사각(54)의 내측의 부분이 검출부(40C)이다. 또한, 관통홈(41C)이 마련되지 않은 부분이 접속부(42C)이다. 도 7(C)의 예에서는, 접속부(42C)가 중심(51)에 대해 45도의 방향이 되도록 관통홈(41C)이 마련되어 있다. 이와 같이 관통홈(41C)을 사각에 따른 형상(이하, 단지 사각형상이라고도 칭한다)으로 하여도 도 7(A)와 같은 효과를 얻을 수 있다.In the above-described example, the through grooves are formed in an arc shape along the circle 52. However, the through grooves are not limited to the exact circle but may be a shape along the outline circle. In addition, a schematic circle should just be a shape which can surround the detection part 40, such as an ellipse, a rice ball-shaped, a platelet shape, and the like. In addition, the shape of the through groove is not limited to a circle, but may be another shape. In the example of FIG. 7C, through holes 41C are formed along quadrangles 54 in which the centers 51 of the diaphragm 13 or the pressure reference chamber 15 coincide with each other in plan view. It is. That is, the detection part 40C is the part inside the square 54 cut | disconnected by 41 C of through grooves. The portion where the through grooves 41C are not provided is the connection portion 42C. In the example of FIG. 7C, the through groove 41C is provided so that the connection portion 42C is in the direction of 45 degrees with respect to the center 51. Thus, even when the through groove 41C has a shape (hereinafter, also referred to as a rectangular shape) along a square, an effect similar to that of FIG. 7A can be obtained.

또한, 도 7(D)에서는, 도 7(C)에서 접속부(42C)에 대신하여, 접속부(42D)가 중심(51)에 대해 0도의 방향이 되도록 관통홈(41D)이 마련되어 있다. 접속부(42D)를 배치하는 방향은, 0도로 한하지 않고 다른 방향, 예를 들면, 90도, 180도, 270도 등이라도 좋다. 이와 같이 45도 이외의 방향에 접속부(42D)를 마련한 경우에도, 관통홈(41D)에 의해 검출부(40D)를 주변부(43)와 격리한 효과를 얻을 수 있기 때문에, 열에 수반하는 응력의 영향이 억제된다.In addition, in FIG.7 (D), instead of the connection part 42C in FIG.7 (C), the through groove 41D is provided so that the connection part 42D may become the direction of 0 degree with respect to the center 51. As shown in FIG. The direction in which the connecting portion 42D is disposed is not limited to 0 degrees, but may be another direction, for example, 90 degrees, 180 degrees, 270 degrees, or the like. Thus, even when the connection part 42D is provided in the direction other than 45 degree | times, since the effect which isolate | separated the detection part 40D from the peripheral part 43 by the through groove 41D can be acquired, the influence of the stress accompanying heat Suppressed.

또한, 도 7(E)에서는, 도 7(C)에서의 관통홈(41C)의 단부를 중심(51)과 반대측, 즉 압력 센서 칩(10)의 외측을 향하여 연신한 것처럼, 관통홈(41E)이 마련되어 있다. 이 경우, 접속부(42E)는, 사각(54)에서의 관통홈(41E)이 마련되지 않은 부분, 도 7(E)에서는, 우상(右上) 모서리부분으로서 관통홈(41E)의 단부(端部)(외측으로 연신한 부분)로 끼여진 부분이다. 도 7(F)에서는, 도 7(D)에서의 관통홈(41D)의 단부를 중심(51)과 반대측, 즉 압력 센서 칩(10)의 외측을 향하여 연신한 것처럼, 관통홈(41F)이 마련되어 있다. 이 경우, 접속부(42F)는, 사각(54)의 외측이고 관통홈(41F)으로 끼여진 부분이다. 또한, 도면은 생략하였지만, 도 7(A) 또는 도 7(B)의 관통홈(41)의 단부를 중심(51)과 반대측, 즉 압력 센서 칩(10)의 외측을 향하여 연신한 것처럼, 관통홈을 마련하여도 좋다.In addition, in FIG. 7E, the end of the through groove 41C in FIG. 7C is stretched toward the side opposite to the center 51, that is, toward the outside of the pressure sensor chip 10. ) Is provided. In this case, the connection part 42E is a part in which the through groove 41E is not provided in the blind spot 54, and the edge part of the through groove 41E is shown as an upper right corner part in FIG. 7 (E). ) Is the part sandwiched between (stretched outward). In FIG. 7F, the through groove 41F is drawn as if the end portion of the through groove 41D in FIG. 7D is extended toward the opposite side to the center 51, that is, toward the outside of the pressure sensor chip 10. It is prepared. In this case, the connection part 42F is a part outside the square 54 and pinched by the through groove 41F. In addition, although the figure was abbreviate | omitted, it penetrates like the edge part of the through groove 41 of FIG. 7 (A) or FIG. 7 (B) extending to the opposite side to the center 51, ie, outward of the pressure sensor chip 10. A groove may be provided.

이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 다이어프램(13)이 마련된 표면(12a)을 회로부(19)측을 향한 상태로 압력 센서 칩(10)을 밀봉하고 있고, 다이어프램(13)을 보호하기 위한 부재를 별도 준비할 필요가 없기 때문에, 압력 센서의 소형화를 도모할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the pressure sensor chip 10 is sealed with the surface 12a provided with the diaphragm 13 facing the circuit portion 19 side, and a member for protecting the diaphragm 13 is provided. Since there is no need to prepare separately, the pressure sensor can be miniaturized.

또한, 이와 같이 압력 센서 칩(10)을 밀봉한 경우라도, 밀봉재(23) 등에 의해 고정되는 주변부(43)와 검출부(40)가 관통홈(41)에 의해 분리되어 있기 때문에, 열에 수반하는 응력이 검출부(40)에 전해지는 것을 억제할 수 있고, 검출 정밀도의 고정밀화를 도모할 수 있다.In addition, even when the pressure sensor chip 10 is sealed in this manner, since the peripheral portion 43 and the detection portion 40 fixed by the sealing material 23 or the like are separated by the through groove 41, the stress accompanying heat Transmission to this detection part 40 can be suppressed, and the precision of a detection precision can be aimed at.

또한, 압력 센서 칩(10) 및 회로부(19)가 밀봉될 때, 이면(11a)의 관통홈(41)이 마련된 부분이 노출하도록 성형됨으로써, 관통홈(41)이, 다이어프램(13)측의 공동(39)과 외부를 연통하는 기능과, 주변부(43)와 검출부(40)를 분리시키는 기능을 겸하여, 간이한 구성으로 소형화와 고정밀화를 양립시킬 수 있다.In addition, when the pressure sensor chip 10 and the circuit part 19 are sealed, the part provided with the through groove 41 of the back surface 11a is shape | molded so that the through groove 41 may be formed on the diaphragm 13 side. It has a function of communicating the cavity 39 with the outside, and a function of separating the peripheral portion 43 and the detection portion 40, thereby making it possible to achieve both miniaturization and high precision with a simple configuration.

본딩 와이어(8)를 통하여 회로부(19)와 센서 기판(2)을 접속시키고, 본딩 와이어(8)에서의 루프 부분의 회로부(19)에 대한 높이가, 압력 센서 칩(10)의 회로부에 대한 높이보다 낮게 설정됨에 의해, 압력 센서의 소형화, 특히 박형화를 도모할 수 있다.The circuit part 19 and the sensor board | substrate 2 are connected through the bonding wire 8, and the height with respect to the circuit part 19 of the loop part in the bonding wire 8 is made with respect to the circuit part of the pressure sensor chip 10. By being set lower than the height, the pressure sensor can be miniaturized, especially thin.

또한, 센서 기판(2)에, 압력 센서 칩(10) 및 회로부(19)를 접속하고, 밀봉재(23)로 밀봉함에 의해, 돔형의 리드 등으로 덮는 경우와 같이 필요없는 공간을 만들지 않고, 컴팩트하게 구성할 수 있다.Moreover, by connecting the pressure sensor chip 10 and the circuit part 19 to the sensor board | substrate 2, and sealing it with the sealing material 23, it does not make unnecessary space like the case where it covers with a dome type lead etc., and is compact. Can be configured.

<실시 형태 2><Embodiment 2>

전술한 실시 형태 1에서는, 압력 센서 칩(10)을 관통하는 관통홈(41)에 의해 검출부(40)와 주변부(43)를 분리시킨 예를 나타냈지만, 본 실시 형태 2에서는, 압력 센서 칩(10)을 관통하고 있지 않은 홈에 의해 검출부(40)와 주변부(43)를 분리시킨 예를 나타낸다. 또한, 그 밖의 구성은, 전술한 실시 형태 1과 같기 때문에, 동일한 요소에는 같은 부호를 붙이는 등 하여, 재차의 설명을 생략하고 있다. 도 8, 도 9, 도 10은, 본 실시 형태 2에서의 압력 센서 칩(100)의 평면도, 이면도 및 단면도이다. 또한, 도 10은, 도 8, 도 9 중에 도시하는 X3-X3선에 따른 압력 센서 칩의 단면을 도시하고 있다.In Embodiment 1 mentioned above, although the detection part 40 and the periphery part 43 were isolate | separated by the through groove 41 which penetrates the pressure sensor chip 10, In this Embodiment 2, the pressure sensor chip ( The example which isolate | separated the detection part 40 and the peripheral part 43 by the groove | channel which does not penetrate 10) is shown. In addition, since the other structure is the same as that of Embodiment 1 mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected to the same element, and abbreviate | omits description again. 8, 9 and 10 are a plan view, a rear view and a sectional view of the pressure sensor chip 100 according to the second embodiment. 10 has shown the cross section of the pressure sensor chip along the X3-X3 line | wire shown in FIG. 8, FIG.

본 실시 형태 2에서, 압력 센서 칩(100)은, 평면시 사각형상의 표면(110a) 및 이면(130a)을 갖는 편평 직방체 형상의 외형을 갖고 있다. 압력 센서 칩(100)의 표면(110a)의 소정 위치에는, 검출부(40), 전극(17A), 도전 패턴(17B)이 각각 마련되어 있다. 또한, 압력 센서 칩(100)은, 검출부(40)의 주위에 홈(410)이 형성되고, 홈(410)도 마련되지 않은 부분을 접속부(420)로 하고 있다.In the second embodiment, the pressure sensor chip 100 has a flat rectangular parallelepiped shape having a planar quadrangular surface 110a and a back surface 130a. The detection part 40, the electrode 17A, and the conductive pattern 17B are provided in the predetermined position of the surface 110a of the pressure sensor chip 100, respectively. In the pressure sensor chip 100, a groove 410 is formed around the detection unit 40, and a portion in which the groove 410 is not provided is used as the connection portion 420.

본 실시 형태 2의 압력 센서 칩(100)은, 제1 기판(110)∼제3 기판(130)을 접합함으로써 구성되어 있다. 이 압력 센서 칩(100)은, 제2 기판(120)의 접합면에 미리 오목홈이 형성되고, 당해 오목홈을 덮도록 소정의 압력 환경하에서 제1 기판(110)이 접합되고, 표면측 기판(12)을 소망하는 두께로 연삭함으로써 제조된다. 이에 의해, 압력 센서 칩(100)의 내부에 압력 기준실(15)이 형성되고, 제2 기판(120)에 미리 형성된 오목홈에 대항한 제1 기판(110)이 다이어프램(13)이 된다. 본 실시 형태에서는, 진공 환경하에서 이면측 기판(11)이 표면측 기판(12)에 접합됨으로써, 압력 기준실(15)이 진공 상태에서 형성된다. 또한, 압력 센서 칩(100)의 평면시(도 9)에서, 검출부(40)의 주위 중 일부를 접속부(42)로 하고, 접속부(42)를 남겨두고 검출부(40)의 주위에 제1 기판(110) 및 제2 기판(120)을 관통하는 홈(410)이 형성된다.The pressure sensor chip 100 of the second embodiment is configured by bonding the first substrate 110 to the third substrate 130. In the pressure sensor chip 100, recessed grooves are formed in advance on the joining surface of the second substrate 120, and the first substrate 110 is bonded under a predetermined pressure environment so as to cover the recessed grooves, and the surface-side substrate It is manufactured by grinding (12) to a desired thickness. As a result, the pressure reference chamber 15 is formed inside the pressure sensor chip 100, and the first substrate 110 facing the concave groove previously formed in the second substrate 120 becomes the diaphragm 13. In this embodiment, the pressure reference chamber 15 is formed in a vacuum state by bonding the back side substrate 11 to the front side substrate 12 in a vacuum environment. In addition, in the plan view (FIG. 9) of the pressure sensor chip 100, one part of the periphery of the detection part 40 is made into the connection part 42, and the connection part 42 is left but the 1st board | substrate is surrounding the detection part 40. FIG. Grooves 410 penetrating through the 110 and the second substrate 120 are formed.

또한 제3 기판(130)이 접합면에 미리 도 9에서의 홈(410)과 같은 외경을 갖는 원반형상의 오목홈이 형성되고, 당해 오목홈부터 제3 기판(130)의 비접합면인 이면(130a)에 걸쳐서 연통구멍(131)을 마련하고, 당해 오목홈을 덮도록 제2 기판(120)과 제3 기판(130)이 접합된다. 이에 의해, 압력 기준실(15)의 이면측에 공극부(38)가 형성되고, 검출부(40)가 접속부(420)에서만 유지된 상태로 되어 있다. 또한, 본 실시 형태 2에서는, 제3 기판(130)의 연통구멍(131)이, 개구부의 한 형태이고, 공극부(38) 및 홈(410)을 통하여 다이어프램(13)측의 공동(39)과, 압력 센서(1)의 외부를 연통하고 있다.In addition, a disk-shaped concave groove having an outer diameter equal to that of the groove 410 in FIG. 9 is formed in the joining surface of the third substrate 130 in advance, and the back surface (the non-joint surface of the third substrate 130 from the concave groove) is formed. The communication hole 131 is provided over 130a, and the 2nd board | substrate 120 and the 3rd board | substrate 130 are joined so that the said recessed groove may be covered. Thereby, the space | gap part 38 is formed in the back surface side of the pressure reference chamber 15, and the detection part 40 is in the state hold | maintained only in the connection part 420. As shown in FIG. In addition, in Embodiment 2, the communication hole 131 of the 3rd board | substrate 130 is a form of an opening part, and the cavity 39 of the diaphragm 13 side via the space | gap part 38 and the groove | channel 410 is carried out. And the outside of the pressure sensor 1 are communicated.

상기 구성의 압력 센서 칩(100)은, 실시 형태 1과 마찬가지로 회로부(19)에 접속되고, 밀봉재(23)에 의해 밀봉된다. 즉, 연통구멍(131)이 마련된 이면(130a)이 노출한 상태로 밀봉된다.The pressure sensor chip 100 of the said structure is connected to the circuit part 19 similarly to Embodiment 1, and is sealed by the sealing material 23. As shown in FIG. That is, it seals in the state which exposed the back surface 130a in which the communication hole 131 was provided.

이와 같이 본 실시 형태 2의 구성에서도, 압력 센서 칩(100)의 이면(130a)의 연통구멍(131)이, 다이어프램(13)측의 공동(39)과 외부를 연통시키는 구성으로 함으로써, 검출부(40)에 의한 압력의 측정을 가능하게 하면서, 다이어프램(13)을 보호하는 리드 등 별도 부재를 불필요하게 하고 있다. 또한, 홈(410)이, 주변부(43)와 검출부(40)를 분리시키고 있기 때문에, 열에 수반하는 응력이 검출부(40)에 전해지는 것을 억제할 수 있고, 검출 정밀도의 고정밀화를 도모할 수 있다.Thus, also in the structure of this Embodiment 2, when the communication hole 131 of the back surface 130a of the pressure sensor chip 100 is made into the structure which communicates with the cavity 39 of the diaphragm 13 side, the detection part ( While allowing the pressure to be measured by 40), a separate member such as a lead for protecting the diaphragm 13 is unnecessary. In addition, since the groove 410 separates the peripheral portion 43 and the detection portion 40, it is possible to suppress the transfer of stress accompanying the heat to the detection portion 40, and to achieve high precision in detection accuracy. have.

상술한 본 발명의 실시 형태에서 나타낸 각종의 재료나 치수, 형상 등은 어디까지나 예시에 지나지 않고, 본 발명은 이것으로 한정되는 것이 아니다. 또한, 상술한 실시 형태에서 나타낸 특징적인 구성은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 당연히 그 조합이 가능하다.The various materials, dimensions, shapes, etc. which were shown by embodiment of this invention mentioned above are the illustrations to the last, and this invention is not limited to this. In addition, the characteristic structure shown by embodiment mentioned above can be combined naturally of course in the range which does not deviate from the meaning of this invention.

1 : 압력 센서
2 : 센서 기판
8 : 본딩 와이어
10 : 압력 센서 칩
11 : 이면측 기판
12 : 표면측 기판
13 : 다이어프램
15 : 압력 기준실
16 : 피에조 저항 소자
19 : 회로부
20 : 다이 본드재
22 : 수지 접착제
23 : 밀봉재
39 : 공동
40 : 검출부
41 : 관통홈
42 : 접속부
43 : 주변부
51 : 중심
100 : 압력 센서 칩
110 : 제1 기판
120 : 제2 기판
130 : 제3 기판
131 : 연통구멍
410 : 홈
420 : 접속부
1: pressure sensor
2: sensor board
8: bonding wire
10: pressure sensor chip
11: back side substrate
12: surface side substrate
13: diaphragm
15: pressure reference chamber
16: piezo resistor
19: circuit part
20: die bond material
22: resin adhesive
23: sealing material
39: joint
40: detection unit
41: through groove
42: connection part
43: periphery
51: center
100: pressure sensor chip
110: first substrate
120: second substrate
130: third substrate
131: communication hole
410: home
420: connection

Claims (4)

반도체 기판 내에 형성되어 밀폐된 압력 기준실과, 그 압력 기준실과 외부와의 사이에 형성되어 상기 압력 기준실 내의 압력과 외부의 압력의 차에 의해 변형하는 다이어프램과, 상기 다이어프램에 마련되어 그 다이어프램의 변형에 응한 전기 신호를 발생 가능한 센서부와, 상기 센서부로부터의 전기 신호를 외부에 출력하는 출력 단자부를 구비하고, 상기 압력 기준실, 상기 다이어프램 및 상기 센서부를 포함하는 검출부와, 상기 반도체 기판 내에서 상기 검출부 이외의 영역으로서 상기 출력 단자부를 포함하는 부분과는, 상기 반도체 기판의 평면시에 있어서, 일부의 접속부를 남겨둔 선형상으로 형성된 홈에 의해 분리되고, 상기 홈이, 상기 다이어프램이 구비된 면의 반대면에 마련된 개구부와 연통한, 압력 센서 칩과,
상기 압력 센서 칩의 출력 단자부로부터 출력된 전기 신호에 대해 소정의 연산 처리를 행하는 회로부를 구비한 압력 센서로서,
상기 압력 센서 칩에서의 상기 다이어프램과 상기 출력 단자부는, 그 압력 센서 칩에서의 동일 방향의 면에 형성되고,
상기 압력 센서 칩은, 상기 출력 단자부에 형성된 면을 상기 회로부의 한 면에 대향시키고, 당해 회로부의 한 면과 상기 압력 센서 칩의 상기 출력 단자를 형성한 면과의 사이에 상기 홈과 연통한 공동을 갖는 상태로, 그 한 면에 형성된 입력 단자부와 상기 출력 단자부가 직접적 또는 간접적으로 접하도록 고정되고,
상기 회로부 및 상기 압력 센서 칩은, 상기 개구부가 외부에 노출되고, 또한 상기 회로부 및 상기 압력 센서 칩의 사이에 상기 공동을 지지하도록 밀봉재로 덮이고,
상기 공동 및 상기 홈을 통해 연통된 상기 외부와 상기 압력 기준실과의 압력의 차에 의해 상기 다이어프램이 변형되고, 상기 센서부가 상기 다이어프램의 변형에 응하여 상기 전기 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 압력 센서.
A pressure reference chamber formed in the semiconductor substrate and sealed to the diaphragm, which is formed between the pressure reference chamber and the outside and deformed by a difference between the pressure in the pressure reference chamber and an external pressure, and provided in the diaphragm to deform the diaphragm. A sensor unit capable of generating a corresponding electric signal, an output terminal unit for outputting an electric signal from the sensor unit to the outside, the detection unit including the pressure reference chamber, the diaphragm and the sensor unit, and A portion including the output terminal portion as an area other than the detection portion is separated by a linearly formed groove leaving a part of the connecting portion in the planar view of the semiconductor substrate, and the groove is formed on the surface of the diaphragm provided. A pressure sensor chip in communication with the opening provided on the opposite side,
A pressure sensor having a circuit portion for performing a predetermined calculation process on an electrical signal output from an output terminal portion of the pressure sensor chip,
The diaphragm and the output terminal portion in the pressure sensor chip are formed on a surface in the same direction in the pressure sensor chip,
The pressure sensor chip opposes a surface formed on the output terminal portion to one surface of the circuit portion and communicates with the groove between one surface of the circuit portion and a surface on which the output terminal of the pressure sensor chip is formed. In the state having a, the input terminal portion and the output terminal portion formed on one side is fixed to be in direct or indirect contact,
The circuit portion and the pressure sensor chip are covered with a sealing material such that the opening is exposed to the outside and supports the cavity between the circuit portion and the pressure sensor chip,
And the diaphragm is deformed by a difference in pressure between the outside and the pressure reference chamber communicated through the cavity and the groove, and the sensor unit generates the electrical signal in response to the deformation of the diaphragm.
제1항에 있어서,
상기 압력 센서 칩에서의 상기 출력 단자부가 마련된 면의 반대면의 적어도 상기 개구부를 포함하는 일부의 면 또는 전면이 노출하도록, 밀봉재로 덮여진 것을 특징으로 하는 압력 센서.
The method of claim 1,
And a part of the pressure sensor chip covered with a sealing material such that at least part of the surface or the front surface of the pressure sensor chip including the opening portion is opposite to the surface on which the output terminal portion is provided.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 회로부에서의, 상기 압력 센서 칩이 고정된 면과 반대측의 면이 직접적 또는 간접적으로 당접함으로써, 그 회로부가 탑재되는 센서 기판을 또한 구비하고,
상기 회로부와 상기 센서 기판은, 본딩 와이어를 루프 형상으로 건너서 전기적으로 접속되고, 상기 센서 기판의 상기 회로부를 탑재하는 면과 직교하는 방향에 있어서의 거리를 높이로 하고, 상기 회로부의 상기 압력 센서가 고정된 면을 기준면으로 한 경우에, 상기 본딩 와이어의 상기 기준면에 대한 최대의 높이가, 상기 기준면으로부터 상기 압력 센서 칩의 상기 개구부가 마련된 면까지의 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 압력 센서.
The method according to claim 1 or 2,
And a sensor substrate on which the circuit portion is mounted, by directly or indirectly contacting a surface opposite to the surface on which the pressure sensor chip is fixed in the circuit portion,
The circuit portion and the sensor substrate are electrically connected across the bonding wire in a loop shape, and the distance in the direction orthogonal to the surface on which the circuit portion of the sensor substrate is mounted is set high, and the pressure sensor of the circuit portion is When the fixed surface is a reference plane, the maximum height with respect to the reference plane of the bonding wire is lower than the height from the reference plane to the plane where the opening of the pressure sensor chip is provided.
제3항에 있어서,
상기 밀봉재는, 상기 압력 센서에서의, 센서 기판, 회로부 및 압력 센서 칩의 축적 방향에 대해, 상기 압력 센서 칩에서의 상기 출력 단자부가 마련된 면의 반대면과, 상기 센서 기판에서의 상기 회로부가 탑재되는 면과의 사이의 영역에서, 상기 압력 센서 칩의 일부와 상기 회로부를 덮는 것을 특징으로 하는 압력 센서.
The method of claim 3,
The sealing material is mounted on the opposite side of the surface on which the output terminal portion in the pressure sensor chip is provided with respect to the accumulation direction of the sensor substrate, the circuit portion and the pressure sensor chip in the pressure sensor, and the circuit portion in the sensor substrate. And a portion of said pressure sensor chip and said circuit portion in an area between said surface and said surface.
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