KR101951796B1 - Processing method of package using grooved plate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소자의 공정처리 수행방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극의 크기가 큰 소자의 측면 및 상면에 공정처리를 용이하게 수행할 수 있고, 액상의 수지층을 이용하더라도 소자의 공정처리 불량 발생을 방지할 수 있는 공정처리 수행방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of performing a process process of a device, and more particularly, to a process for easily performing a process on a side surface and an upper surface of a device having a large electrode size. Even if a liquid resin layer is used, And to a process execution method capable of preventing the occurrence of such a process.

Description

홈이 형성된 플레이트를 이용한 소자의 공정처리 수행방법{Processing method of package using grooved plate}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of processing a substrate using grooved plates,

본 발명은 소자의 공정처리 수행방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 전극의 크기가 큰 소자의 측면 및 상면에 공정처리를 용이하게 수행할 수 있고, 액상의 수지층을 이용하더라도 소자의 공정처리 불량 발생을 방지할 수 있는 공정처리 수행방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of performing a process process of a device, and more particularly, to a process for easily performing a process on a side surface and an upper surface of a device having a large electrode size. Even if a liquid resin layer is used, And to a process execution method capable of preventing the occurrence of such a process.

반도체 패키지와 같은 소자는 컴퓨터, 디스플레이, 스마트기기, 전자기기 등, 다양한 산업분야에 이용되고 있다.BACKGROUND ART Devices such as semiconductor packages are used in various industrial fields such as computers, displays, smart devices, and electronic devices.

반도체 패키지는 크게 납볼(solder ball)로 전극이 형성된 BGA(Ball Grid Array), 돌출된 핀으로 전극이 형성된 PGA(Pin Grid Array) 및 어레이 상에 랜드(Land)를 배열한 것으로 BGA에서 납볼이 없이 랜드(Land)만 있는 LGA(Land Grid Array)로 구분된다.The semiconductor package consists of a ball grid array (BGA) in which electrodes are formed by solder balls, a pin grid array (PGA) in which electrodes are formed by projecting pins, and a land on the array. And Land Grid Array (LGA) with only Land.

최근 소자의 집적도가 증대되면서 전극의 크기 및 길이가 커지고 있는 실정이다.Recently, as the degree of integration of devices has increased, the size and length of electrodes have become larger.

한편, 소자의 전자파(EMI) 차폐를 위해서는 소자의 수분 등을 제거하기 위한 열처리 공정, 유기물등을 제거하기 위한 플라즈마 처리 공정 또는 식각처리 공정, 전자파 차폐막의 증착을 위한 전자파 차폐막 증착 공정이 순차적 또는 선별적으로 이루어져야 하며, 각 공정은 서로 다른 공정 챔버 또는 하나의 공정 챔버에서 수행될 수 있다.Meanwhile, in order to shield electromagnetic interference (EMI) of the device, a heat treatment process for removing water and the like of the device, a plasma treatment process or an etching treatment process for removing organic substances, and an electromagnetic shielding film deposition process for deposition of an electromagnetic wave shielding film are sequentially or selectively And each process may be performed in a different process chamber or in a single process chamber.

또한, 상기 열처리 공정, 상기 플라즈마 처리 공정, 상기 식각처리 공정 및 상기 증착 공정을 모두 공정 처리로 통칭한다.The heat treatment step, the plasma treatment step, the etching treatment step and the deposition step are collectively referred to as a processing step.

도 1은 일반적인 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a general electromagnetic wave shielding film deposition process.

도 1을 참조하면, 일반적으로 소자에 전자파 차폐막 증착을 위해서는 공정 챔버(30) 내부로 출입할 수 있는 캐리어(20)에 점착성이 있는 필름(21)를 붙이고 상기 필름 상에 소자(10)들을 이격하여 부착한 뒤, 공정 챔버(30) 내부로 투입하여 소자(10)의 측면과 상면에 전자파 차폐막(40)을 증착한다.Referring to FIG. 1, generally, in order to deposit an electromagnetic wave shielding film on a device, a sticky film 21 is attached to a carrier 20 that can enter and exit the process chamber 30, The electromagnetic wave shielding film 40 is deposited on the side surface and the upper surface of the device 10 by injecting the electromagnetic wave shielding film 40 into the process chamber 30.

또한, 상기 공정 챔버(30) 내부에는 캐리어(20)를 이송하기 위한 이송수단(32) 및 전자파 차폐막(40)의 증착을 위한 타겟(31)이 구비된다.A transfer means 32 for transferring the carrier 20 and a target 31 for depositing the electromagnetic wave shielding film 40 are provided in the process chamber 30.

또한, 도 1에서는 상기 전자파 차폐막(40)이 상기 타겟(31)을 이용하여 물리 증착되는 것을 도시하였으나 화학 기상 증착 방법으로 증착이 가능하다.1, the electromagnetic shielding film 40 is physically deposited using the target 31. However, the deposition can be performed by a chemical vapor deposition method.

다음, 도 2는 도 1의 증착 공정 이후에 소자를 수득하는 과정을 설명하기 위한 것으로, 상기 전자파 차폐막(40)의 증착 후에 상기 캐리어(20)를 상기 공정 챔버(30) 외부로 배출하여 전자파 차폐막(40)이 증착된 소자(10)를 필름(21)에서 떼어 내어 수득한다.1, after the deposition of the electromagnetic wave shielding film 40, the carrier 20 is discharged to the outside of the process chamber 30 to form an electromagnetic wave shielding film 40. [ (10) from which the film (40) is deposited is removed from the film (21).

한편, 상기 소자(10)의 하면에 납볼이나 핀, 랜드와 같은 전극이 돌출된 경우에는 도 3과 같이 필름(21)에 홀(21a)을 형성한 후, 상기 홀(21a)에 전극(11)을 안착시켜 전자파 차폐막(40)을 형성한다.When an electrode such as a lead ball, a pin or a land protrudes on the lower surface of the element 10, a hole 21a is formed in the film 21 as shown in FIG. 3, The electromagnetic wave shielding film 40 is formed.

또한, 상기 홀(21a)의 넓이는 상기 소자(10)의 하면 넓이보다 작다.The width of the hole 21a is smaller than the width of the bottom surface of the device 10.

즉, 상기 홀(21a)의 상면 가장자리는 상기 소자(10)의 하면 가장자리에 부착되고, 상기 홀(21a)은 상기 캐리어(20)의 상면과 상기 소자(10)의 하면에 의해 밀폐되어 증착 물질이 상기 홀(21a)로는 유입되지 않고 상기 소자(10)의 측면 및 상면에만 부착되어 증착이 이루어진다.That is, the upper surface edge of the hole 21a is attached to the lower edge of the element 10, and the hole 21a is sealed by the upper surface of the carrier 20 and the lower surface of the element 10, Deposited on only the side and top surfaces of the device 10 without being introduced into the holes 21a.

최근 상기 전극(11) 크기 및 길이가 커지고 있는데, 상기 필름(21)은 기성품으로서 두께는 제한되어 있으므로, 상기 전극(11)의 높이가 상기 필름(21)의 두께보다 커질 경우, 상기 소자(10)의 하면을 상기 필름(21) 상에 부착할 수 없는 문제가 발생하고 있다.Since the thickness of the film 21 is limited as an off-the-shelf product, when the height of the electrode 11 is greater than the thickness of the film 21, ) Can not be adhered on the film (21).

또한, 상기 전극(11)의 크기가 커질수록 상기 필름(21)에 부착될 수 있는 소자(10)의 부착면(c)이 줄어들므로 상기 소자(10)를 상기 필름(21) 상에 부착할 수 없는 문제점이 있다.As the size of the electrode 11 increases, the attachment surface c of the device 10, which can be adhered to the film 21, is reduced, so that the device 10 is attached to the film 21 There is no problem.

도 4는 이러한 문제점을 해결하기 위한 종래의 전자파 차폐막 증착방법을 보여주는 것으로 도 4를 참조하면, 상기 필름(21) 대신 액상의 점착층인 수지층(22)을 상기 전극(11)의 높이보다 높게 상기 캐리어(20) 상면에 형성하고, 상기 전극(11)을 상기 수지층(22) 내부로 압입하여 상기 소자(10)의 하면이 상기 수지층(22)의 상면에 밀착되게 한 후, 전자파 차폐막(40)의 증착을 수행한다.4 illustrates a conventional method of depositing an electromagnetic wave shielding film for solving such a problem. Referring to FIG. 4, a resin layer 22, which is a liquid adhesive layer, is formed in place of the film 21, The electrode 11 is pressed into the resin layer 22 so that the lower surface of the element 10 is brought into close contact with the upper surface of the resin layer 22, (40).

이러한 방법은 전극(11)의 높이에 관계없이 상기 소자(10)를 상기 수지층(22)의 상면에 밀착시킬 수 있는 장점이 있으나 상기 소자(10)를 상기 수지층(22)상에 부착하는 과정에서 상기 소자(10)의 측면 하단(12)에 상기 수지층(22)이 올라와 묻는 현상이 발생하고 이렇게 상기 소자(10)의 측면 하단(12)에 수지층(22)이 묻을 경우 상기 수지층이 묻는 부분에(12)에 전자파 차폐막(40)이 형성되지 않아 전자파 차폐막 증착에 불량이 발생한다.This method is advantageous in that the element 10 can be brought into close contact with the upper surface of the resin layer 22 irrespective of the height of the electrode 11 but the element 10 can be adhered to the resin layer 22 The resin layer 22 rubs up on the lower side edge 12 of the element 10 and the resin layer 22 adheres to the lower side edge 12 of the element 10, The electromagnetic wave shielding film 40 is not formed at the portion where the layer is formed, and thus the electromagnetic wave shielding film is poorly formed.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로 본 발명의 목적은 전극의 길이가 필름의 두께보다 커 수지층을 이용하여 소자들을 플레이트 상에 부착할 때, 수지층이 소자의 측면에 묻지 않아 불량 현상을 방지할 수 있는 공정처리 수행방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a length of an electrode is larger than a thickness of a film, And to provide a method of performing a process process capable of preventing a defective phenomenon.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 하면에 돌출된 전극을 갖는 소자들의 측면 및 상면에 공정처리를 수행하기 위한 소자의 공정처리 수행방법으로서, 공정챔버 내부로 출입할 수 있는 캐리어(carrier)로서, 상면에 서로 이격된 복수 개의 홈이 형성된 플레이트를 준비하는 단계; 상기 홈에 접착층을 채워넣는 형성하는 단계; 상기 전극을 상기 홈에 삽입하여 상기 소자를 상기 플레이트 상에 위치시키고, 상기 소자가 상기 접착층에 의해 상기 플레이트 상에 접착되게 하는 단계; 및 상기 플레이트를 상기 공정챔버 내부로 투입하여 상기 소자의 상면 및 측면에 공정처리를 수행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for performing a process of a device for performing a process on a side surface and an upper surface of a device having protruded electrodes on a lower surface, Preparing a plate having a plurality of grooves spaced from each other on an upper surface thereof; Filling the groove with an adhesive layer; Inserting the electrode into the groove to position the element on the plate and causing the element to adhere to the plate by the adhesive layer; And injecting the plate into the process chamber to perform a process on the upper and side surfaces of the device.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 홈의 깊이는 상기 전극의 길이보다 작다.In a preferred embodiment, the depth of the groove is smaller than the length of the electrode.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 홈의 바닥면에서 상기 접착층의 상면까지의 높이는 상기 전극의 길이보다 작다.In a preferred embodiment, the height from the bottom surface of the groove to the top surface of the adhesive layer is smaller than the length of the electrode.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 접착층은 액상의 수지층이다.In a preferred embodiment, the adhesive layer is a liquid resin layer.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 접착층은 표면장력에 의해 상기 소자의 하면에 접촉되어, 상기 소자의 측면에는 상기 접착층이 묻지 않는다.In a preferred embodiment, the adhesive layer is brought into contact with the lower surface of the element by surface tension, and the adhesive layer is not applied to the side surface of the element.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 소자를 상기 플레이트 상에 접착한 후, 상기 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the method further comprises adhering the device onto the plate, followed by curing the adhesive layer.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 공정처리 후에 상기 전극을 상기 접착층에서 떼어내어 수득하는 단계를 더 포함한다.In a preferred embodiment, the method further comprises, after the processing, removing the electrode from the adhesive layer.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 플레이트와 상기 접착층 간의 접착력은 상기 소자와 상기 접착층 간의 접착력보다 크다.In a preferred embodiment, the adhesive force between the plate and the adhesive layer is greater than the adhesive force between the device and the adhesive layer.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 공정처리는 전자파 차폐막(EMI shielding)의 증착이다.In a preferred embodiment, the process is deposition of EMI shielding.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 전자파 차폐막은 전자파 차단용 금속재층이고, 상기 공정처리의 수행은 상기 플레이트를 상기 공정챔버 내부에 구비되는 정전척(Electrostatic Chuck) 상에 밀착시켜 수행되며, 상기 필름 상에 상기 전자파 차폐막이 적층될수록 상기 전자파 차폐막과 상기 정전척 간에 인력이 증가하여 상기 플레이트와 상기 정전척 간의 밀착력이 증대된다.In a preferred embodiment, the electromagnetic wave shielding film is a metal material layer for blocking electromagnetic waves, and the process is performed by bringing the plate into close contact with an electrostatic chuck provided in the process chamber, As the electromagnetic wave shielding film is laminated, the attracting force between the electromagnetic shielding film and the electrostatic chuck increases to increase the adhesion between the plate and the electrostatic chuck.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 정전척은 온도조절이 가능한 쿨링 블럭 상에 놓이고, 상기 쿨링 블럭은 상기 정전척과 열교환을 수행한다.In a preferred embodiment, the electrostatic chuck is placed on a temperature controllable cooling block, and the cooling block performs heat exchange with the electrostatic chuck.

또한, 본 발명은 공정챔버 내부로 출입할 수 있는 캐리어(carrier)로서, 상면에 서로 이격된 복수 개의 홈이 형성된 플레이트를 준비하는 단계; 상기 플레이트의 상면에 접착층을 형성하는 단계; 하면에 돌출된 전극을 갖는 소자를 상기 플레이트 상에 접착하되, 상기 전극을 상기 홈에 삽입하여 상기 소자를 상기 플레이트 상에 위치시킨후, 상기 소자가 상기 접착층에 의해 상기 플레이트 상에 접착되게 하는 단계; 및 상기 플레이트를 상기 공정챔버 내부로 투입하여 상기 소자의 상면 및 측면에 전자파 차폐막을 증착하는 단계;를 포함하는 전자파 차폐막 형상방법을 통해 전자파 차폐막이 형성된 소자를 더 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a carrier capable of entering and exiting the process chamber, comprising: preparing a plate having a plurality of grooves spaced from each other on an upper surface thereof; Forming an adhesive layer on an upper surface of the plate; Inserting an element having protruded electrodes on the lower surface onto the plate such that the element is placed on the plate by inserting the electrode into the groove and then causing the element to adhere to the plate by the adhesive layer ; And depositing an electromagnetic wave shielding film on the upper and side surfaces of the device by injecting the plate into the process chamber. The electromagnetic wave shielding film forming method of the present invention further includes the step of forming the electromagnetic wave shielding film.

본 발명은 다음과 같은 우수한 효과를 가진다.The present invention has the following excellent effects.

먼저, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 소자의 전극 길이보다 작은 홈이 형성된 플레이트에 수지층을 형성하고, 전극을 홈에 압입하여 수지층의 높이를 상승시켜 소자의 하면에 접촉하게 함으로써 소자의 측면 하단에 수지가 묻어 증착 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.According to the method of the present invention, a resin layer is formed on a plate having grooves smaller than the electrode length of the element, and the electrode is pressed into the groove to raise the height of the resin layer to contact the lower surface of the element, It is possible to prevent the occurrence of defective deposition due to the presence of resin on the lower side of the side walls.

또한, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 공정처리가 전자파 차폐막의 증착일 경우 공정처리가 진행될수록 플레이트가 정전척에 밀착되므로 소자에서 발생하는 열을 외부로 효과적으로 배출하여 증착품질을 매우 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the method of performing the process of the present invention, when the process is the deposition of the electromagnetic wave shielding film, the plate is brought into close contact with the electrostatic chuck as the process proceeds, thereby effectively discharging heat generated from the device to the outside, There are advantages to be able to.

도 1은 일반적인 소자의 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면,
도 2는 일반적인 소자의 전자파 차폐막 증착 공정 이후에 소자를 수득하는 과정을 보여주는 도면,
도 3은 전극이 형성된 일반적인 소자의 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면,
도 4는 도 3의 공정에서 문제점을 해결하기 위한 종래의 전자파 차폐막 증착 공정을 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 공정처리 수행방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining an electromagnetic wave shielding film deposition process of a general device,
2 is a view showing a process of obtaining a device after an electromagnetic wave shielding film deposition process of a general device,
3 is a view for explaining a process of depositing an electromagnetic wave shielding film of a general device in which electrodes are formed,
FIG. 4 is a view for explaining a conventional electromagnetic wave shielding film deposition process for solving the problem in the process of FIG. 3;
5 is a view for explaining a method of performing a process of a device according to an embodiment of the present invention.

본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명의 상세한 설명 부분에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.Although the terms used in the present invention have been selected as general terms that are widely used at present, there are some terms selected arbitrarily by the applicant in a specific case. In this case, the meaning described or used in the detailed description part of the invention The meaning must be grasped.

이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the technical structure of the present invention will be described in detail with reference to preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타낸다.However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 공정처리 수행방법(이하, '공정처리 수행방법'이라 함)을 보여주는 것으로, 본 발명의 공정처리 수행방법은 납볼이나 핀, 랜드 등의 전극이 하면에 돌출된 소자(110)의 측면 및 상면에 공정처리를 수행하는 방법이다.FIG. 5 shows a method of performing a process process of a device according to an embodiment of the present invention (hereinafter, referred to as a 'process process performing method'). In the process process of the present invention, electrodes such as lead ball, pin, And the side surfaces and the upper surface of the protruding element 110 are processed.

여기서, 공정처리란 열처리 공정, 플라즈마 처리 공정, 식각처리 공정 또한 증착 공정일 수 있으며, 특히, 상기 증착 공정은 전자파 차폐막(EMI shielding)의 증착 공정일 수 있다.Here, the process may be a heat treatment process, a plasma process process, an etching process, or a deposition process. In particular, the deposition process may be a process of depositing an electromagnetic shielding film (EMI shielding).

도 5를 참조하면 본 발명의 공정처리 수행방법은 먼저, 홈(110)이 형성된 플레이트(100)를 준비한다(S1000).Referring to FIG. 5, in the method of performing the process of the present invention, a plate 100 having grooves 110 is prepared (S1000).

또한, 상기 플레이트(100)는 공정처리의 대상인 소자(10)를 부착하여 이송할 수 있는 캐리어(carrier)이다.Further, the plate 100 is a carrier capable of attaching and transferring the element 10, which is an object of the processing.

또한, 상기 플레이트(100)는 금속재인 메탈 플레이트일 수 있다.In addition, the plate 100 may be a metal plate.

또한, 상기 홈(110)은 상기 플레이트(100) 상에 복수 개로 형성되며, 상기 플레이트(100)를 관통하지 않는 소정의 깊이로 형성된다.The grooves 110 are formed on the plate 100 at a predetermined depth that does not pass through the plate 100.

또한, 상기 홈(110)은 사각형 형상으로 형성되는 것을 도시하였으나 상기 소자(10)의 전극(11) 형상에 따라 원형, 타원형 또는 사각형이 아닌 다각형의 형상으로 형성이 가능하다.Although the grooves 110 are formed in a rectangular shape, the grooves 110 may be formed in a polygonal shape other than circular, elliptical, or quadrilateral depending on the shape of the electrodes 11 of the device 10.

다만, 상기 홈(110)의 높이(h2)는 상기 소자(10)의 전극(11) 길이(h3)보다는 작다.However, the height h2 of the groove 110 is smaller than the length h3 of the electrode 11 of the device 10.

다음, 상기 홈(110)에 접착층(200)을 주입하여 채워넣는다(S2000).Next, the adhesive layer 200 is injected into the groove 110 and filled (S2000).

또한, 상기 접착층(200)은 액상의 수지층이다.The adhesive layer 200 is a liquid resin layer.

또한, 상기 접착층(200)은 상기 플레이트(100) 상면 전체에 발라져 상기 홈(110)에 채워질 수도 있으며, 이 경우, 상기 접착층(200)이 상기 플레이트(100) 상면에도 형성될 수 있다.The adhesive layer 200 may be applied to the entire upper surface of the plate 100 to be filled in the groove 110. In this case, the adhesive layer 200 may be formed on the upper surface of the plate 100.

다만, 여기에서 주의할 점은 상기 홈(110)의 바닥면에서 상기 접착층(200)의 상면까지의 깊이(h1)는 상기 전극(11)의 길이(h3)보다 작아야 한다.It should be noted that the depth h1 from the bottom surface of the groove 110 to the top surface of the adhesive layer 200 should be smaller than the length h3 of the electrode 11.

다음, 상기 소자(10)를 상기 접착층(200) 상에 부착하되, 전극(11)이 상기 홈(110)에 삽입되도록 부착한다(S3000).Next, the device 10 is mounted on the adhesive layer 200, and the electrode 11 is inserted into the groove 110 (S3000).

이때, 상기 전극(11)이 상기 접착층(200)에 압입되는 정도에 따라, 상기 접착층(200)은 높이가 상승하고, 상기 접착층(200)이 상기 전극(11)의 하면과 소정 거리이내로 가까워지면 표면장력에 의해 상기 접착층(200)는 상기 소자(10)의 하면에 달라붙어 접촉한다.At this time, the height of the adhesive layer 200 increases according to the degree of the pressing of the electrode 11 into the adhesive layer 200. When the adhesive layer 200 approaches the lower surface of the electrode 11 within a predetermined distance The adhesive layer 200 adheres to and comes into contact with the lower surface of the element 10 by surface tension.

한편, 상기 접착층(200)의 농도에 따라 상기 접착층(200)이 상기 소자(10)의 하면에 달라붙지 않을 수 있는 데, 이 경우, 상기 접착층(200)과 상기 소자(10)의 하면이 서로 소정 거리 이격된 상태에서 진동을 가하여 상기 접착층(200)이 상기 소자(10)의 하면에 달라붙게 할 수 있다.The adhesive layer 200 may not adhere to the lower surface of the element 10 depending on the concentration of the adhesive layer 200. In this case, It is possible to cause the adhesive layer 200 to adhere to the lower surface of the element 10 by applying a vibration in a state where the adhesive layer 200 is spaced by a predetermined distance.

즉, 상기 접착층(200)은 상기 소자(10)의 하면의 모서리(10c)까지만 접촉하며 측면(10a)으로는 올라오지 않는다.That is, the adhesive layer 200 contacts only the edge 10c of the lower surface of the element 10, and does not rise to the side surface 10a.

또한, 상기 접착층(200)과 상기 플레이트(100) 간의 접착력은 상기 접착층(200)과 상기 소자(10) 간의 접착력보다 크다.The adhesive force between the adhesive layer 200 and the plate 100 is greater than the adhesive force between the adhesive layer 200 and the element 10.

이는 공정 처리 완료 후에 상기 소자(10)를 상기 접착층(200)에서 떼어낼 때, 상기 접착층(200)이 상기 플레이트(100) 상에서 떼어지지 않고, 상기 소자(10)가 상기 접착층(200)에서 쉽게 떼어지게 하기 위함이다.This is because the adhesive layer 200 is not peeled off from the plate 100 when the device 10 is removed from the adhesive layer 200 after the process is completed and the device 10 is easily peeled off from the adhesive layer 200 It is for the purpose of releasing.

다음, 상기 플레이트(100)를 공정 챔버(도 1의 도면부호 '30'참조)로 투입하고, 상기 소자들(10)의 외면에 공정처리를 수행한다(S4000).Next, the plate 100 is inserted into a process chamber (see reference numeral 30 in FIG. 1), and a process is performed on the outer surface of the devices 10 (S4000).

또한, 상기 공정 챔버(30)의 내부에는 상기 플레이트(100)가 놓일 수 있는 쿨링 블럭(cooling block, 도 6의 도면부호 '500'참조)이 구비될 수 있고, 상기 쿨링 블럭(500)은 상기 소자들(10)에서 발생하는 열을 전달받아 외부로 배출한다.In addition, a cooling block (see reference numeral 500 in FIG. 6) in which the plate 100 can be installed may be provided in the process chamber 30, The heat generated in the elements 10 is transferred to the outside.

다만, 상기 쿨링 블럭(500)은 히팅 블럭(heating block)으로 기능하여 공정 수행 초기에 상기 단위 소자들(100)로 열을 공급하는 기능을 수행할 수 있다.However, the cooling block 500 may function as a heating block to supply heat to the unit devices 100 at the initial stage of the process.

또한, 상기 공정처리는 열처리 공정, 플라즈마 처리 공정, 식각처리 공정 또한 증착 공정일 수 있으며, 특히, 상기 증착 공정은 전자파 차폐막(300)의 증착 공정일 수 있다.In addition, the process may be a heat treatment process, a plasma treatment process, an etching process, or a deposition process. In particular, the deposition process may be a deposition process of the electromagnetic wave shielding film 300.

다음, 상기 플레이트(100)를 상기 공정 챔버(30) 외부로 배출하고, 상기 소자(10)를 상기 접착층(200)에서 때어내어 수득한다(S5000).Next, the plate 100 is discharged to the outside of the process chamber 30, and the device 10 is taken out from the adhesive layer 200 (S5000).

또한, 상기 소자(10)의 하면과 전극(11)은 상기 접착층(200)에 접촉되어 있으므로, 상기 소자(10)의 측면(10a) 및 상면(10b)에만 상기 전자파 차폐막(300)이 형성된다.Since the lower surface of the device 10 and the electrode 11 are in contact with the adhesive layer 200, the electromagnetic wave shielding film 300 is formed only on the side surface 10a and the upper surface 10b of the device 10 .

즉, 본 발명의 공정처리 수행방법에 의하면, 액상의 접착층(200)이 소자(10)의 측면 하단에 묻지 않으므로 공정 불량을 최소화할 수 있다.That is, according to the method of performing the process of the present invention, since the liquid adhesive layer 200 is not buried on the lower side of the side surface of the element 10, the process failure can be minimized.

한편, 상기 공정 처리가 전자파 차폐막의 증착 공정일 경우 상기 소자(10)에서 발생하는 열을 외부로 빠르게 배출하여 저온 공정으로 수행하여야 증착의 품질을 향상시킬 수 있는데, 이를 위해 본 발명의 공정처리 수행방법은 상기 공정챔버(30) 내에 쿨링 블럭(500)과 정전척(400,Electrostatic Chuck)을 구비하여, 상기 정전척(600) 상에 상기 플레이트(100)을 위치시킴으로써 저온 공정으로 상기 전자파 차폐막(300)을 증착할 수 있게 하였다.Meanwhile, when the process is a deposition process of an electromagnetic wave shielding film, the heat generated in the device 10 may be quickly discharged to the outside to perform the low temperature process to improve the quality of the deposition. For this purpose, The method includes providing a cooling block 500 and an electrostatic chuck 400 in the process chamber 30 to place the plate 100 on the electrostatic chuck 600 so that the electromagnetic wave shielding film 300). ≪ / RTI >

도 6은 상기 정전척(400)을 통해 저온 공정을 수행하는 것을 설명하기 위한 것으로 도 6을 참조하면, 상기 공정챔버(30) 내에는 쿨링 블럭(500)이 구비되고 상기 쿨링 블럭(500) 상면에는 정전척(400)이 올려진다.Referring to FIG. 6, a cooling block 500 is provided in the process chamber 30, and an upper surface of the cooling block 500 The electrostatic chuck 400 is mounted.

또한, 상기 쿨링 블럭(500)은 상기 정전척(400)과 직간접적으로 접촉해 있으며, 상기 정전척(400)과 열교환을 수행한다. The cooling block 500 is in direct or indirect contact with the electrostatic chuck 400 and performs heat exchange with the electrostatic chuck 400.

일반적으로 상기 쿨링 블럭(500)은 상기 정전척(400)의 열을 외부로 배출하는 역할을 하지만 증착 공정 초기에 상기 정전척(400)으로 열을 전달하여 상기 정전척(400) 상에 놓이는 소자(10)로 열을 공급할 수도 있다.In general, the cooling block 500 discharges the heat of the electrostatic chuck 400 to the outside. However, when the cooling block 500 transfers heat to the electrostatic chuck 400 at the beginning of the deposition process, (10).

또한, 상기 정전척(400)은 전원이 공급되면 '+' 또는 '-'의 전위로 대전되고 상기 정전척(400) 상에 놓이는 대상물은 반대의 전위가 대전되며 대상물은 인력에 의해 상기 정전척(400)으로 밀착된다.When the power is supplied, the electrostatic chuck 400 is charged to a potential of '+' or '-', an object placed on the electrostatic chuck 400 is charged with an opposite potential, (400).

또한, 도 5에 도시한 공정 처리 수행 공정(S4000)에서 상기 플레이트(100)은 상기 공정 챔버(30) 내부의 정전척(400) 상에 거치되어 공정 처리가 수행된다.5, the plate 100 is placed on the electrostatic chuck 400 in the process chamber 30, and the process is performed.

또한, 상기 플레이트(100)의 거치가 완료되면, 상기 정전척(400)에 전원을 공급하고 상기 전자파 차폐막(300)의 증착을 수행한다.When the mounting of the plate 100 is completed, power is supplied to the electrostatic chuck 400, and deposition of the electromagnetic wave shielding film 300 is performed.

한편, 상기 전자파 차폐막(300)은 전자파 차단용 금속재층이고 상기 정전척(400)의 전위와 반대의 전위가 대전되며 이때, 상기 전자파 차폐막(300)과 상기 정전척(400) 사이에는 인력이 발생한다.The electromagnetic wave shielding film 300 is an electromagnetic wave shielding metal layer and is charged with a potential opposite to that of the electrostatic chuck 400. At this time, attraction is generated between the electromagnetic wave shielding film 300 and the electrostatic chuck 400 do.

또한, 상기 전자파 차폐막(300)과 상기 정전척(400) 간의 인력은 증착 시간이 흐름에 따라 상기 전자파 차폐막(300)의 두께가 두꺼워질수록 커진다.Further, the attractive force between the electromagnetic wave shielding film 300 and the electrostatic chuck 400 increases as the thickness of the electromagnetic wave shielding film 300 increases with the deposition time.

즉, 상기 전자파 차폐막(300)이 적층될수록 상기 정전척(400)과 상기 전자파 차폐막(300)간의 인력이 증가하고 상기 플레이트(100)와 상기 정전척(400) 간의 밀착력이 증대된다.That is, as the electromagnetic wave shielding film 300 is stacked, the attracting force between the electrostatic chuck 400 and the electromagnetic wave shielding film 300 increases and the adhesion between the plate 100 and the electrostatic chuck 400 increases.

또한, 상기 소자(10) 역시 상기 정전척(400)에 밀착력이 커져 상기 소자(10)에서 발생하는 열이 상기 정전척(400)으로 더 잘 전도되며, 이는 상기 소자(10)를 저온 공정으로 증착할 수 있는 것을 의미한다.The element 10 also has an increased adhesion to the electrostatic chuck 400 so that the heat generated by the element 10 is more efficiently conducted to the electrostatic chuck 400, It means that it can be deposited.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정처리 수행방법에 의하면, 저온 공정을 통해 상기 소자(10)에 증착되는 전자파 차폐막(300)의 품질을 매우 향상시킬 수 있는 장점이 있다.Therefore, according to the method of performing the process according to the embodiment of the present invention, the quality of the electromagnetic wave shielding film 300 deposited on the device 10 through the low-temperature process can be greatly improved.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, Various changes and modifications will be possible.

100:플레이트 110:홈
200:접착층 300:전자파 차폐막
400:정전척 500:쿨링 블럭100: plate 110: groove
200: adhesive layer 300: electromagnetic wave shielding film
400: Electrostatic Chuck 500: Cooling Block

Claims (12)

하면에 돌출된 전극을 갖는 소자들의 측면 및 상면에 공정처리를 수행하기 위한 소자의 공정처리 수행방법으로서,
공정챔버 내부로 출입할 수 있는 캐리어(carrier)로서, 상면에 서로 이격된 복수 개의 홈이 형성된 플레이트를 준비하는 단계;
상기 플레이트의 상면에 접착층을 발라 상기 홈에 접착층이 채워지게 하는 단계;
상기 전극을 상기 홈에 삽입하여 상기 소자를 상기 플레이트 상에 위치시키고, 상기 소자가 상기 접착층에 의해 상기 플레이트 상에 접착되게 하는 단계; 및
상기 플레이트를 상기 공정챔버 내부로 투입하여 상기 소자의 상면 및 측면에 공정처리를 수행하는 단계;를 포함하고,
상기 홈의 깊이는 상기 전극의 길이보다 작아 상기 소자를 상기 홈에 위치시켰을 때, 상기 소자의 하면은 상기 플레이트의 상면보다 높은 위치에 위치하고,
상기 홈의 바닥면에서 상기 접착층의 상면까지의 높이는 상기 전극의 길이보다 작으며,
상기 접착층은 표면장력에 의해 상기 소자의 하면에 접촉되어, 상기 소자의 측면에는 상기 접착층이 묻지 않는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
There is provided a method of performing a process of a device for performing a process on a side surface and an upper surface of devices having projected electrodes on a lower surface,
The method comprising: preparing a plate having a plurality of grooves spaced from each other on an upper surface thereof as a carrier capable of entering and exiting the process chamber;
Applying an adhesive layer to an upper surface of the plate to fill the groove with an adhesive layer;
Inserting the electrode into the groove to position the element on the plate and causing the element to adhere to the plate by the adhesive layer; And
And injecting the plate into the process chamber to perform a process on the upper and side surfaces of the device,
Wherein a depth of the groove is smaller than a length of the electrode, and when the element is placed in the groove, the lower surface of the element is positioned higher than the upper surface of the plate,
The height from the bottom surface of the groove to the top surface of the adhesive layer is smaller than the length of the electrode,
Wherein the adhesive layer is brought into contact with the lower surface of the device by surface tension, and the adhesive layer is not deposited on the side surface of the device.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 접착층은 액상의 수지층인 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
The method according to claim 1,
Wherein the adhesive layer is a liquid resin layer.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 소자를 상기 플레이트 상에 접착한 후, 상기 접착층을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of adhering the device to the plate and then curing the adhesive layer.
제 1 항, 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 공정처리 후에 상기 전극을 상기 접착층에서 떼어내어 수득하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
The method according to claim 1, 4, or 6,
Further comprising the step of removing said electrode from said adhesive layer after said processing step to obtain said electrode.
제 7 항에 있어서,
상기 플레이트와 상기 접착층 간의 접착력은 상기 소자와 상기 접착층 간의 접착력보다 큰 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the adhesive force between the plate and the adhesive layer is greater than the adhesive force between the device and the adhesive layer.
제 1 항, 제 4 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 공정처리는 전자파 차폐막(EMI shielding)의 증착인 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
The method according to claim 1, 4, or 6,
Wherein the process is a deposition of EMI shielding.
제 9 항에 있어서,
상기 전자파 차폐막은 전자파 차단용 금속재층이고,
상기 공정처리의 수행은 상기 플레이트를 상기 공정챔버 내부에 구비되는 정전척(Electrostatic Chuck) 상에 밀착시켜 수행되며,
상기 소자 상에 상기 전자파 차폐막이 적층될수록 상기 전자파 차폐막과 상기 정전척 간에 인력이 증가하여 상기 플레이트와 상기 정전척 간의 밀착력이 증대되는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
10. The method of claim 9,
Wherein the electromagnetic wave shielding film is an electromagnetic wave shielding metal material layer,
The process is performed by bringing the plate into close contact with an electrostatic chuck provided in the process chamber,
Wherein the attraction between the electrostatic shielding film and the electrostatic chuck increases as the electromagnetic shielding film is laminated on the device, thereby increasing the adhesion between the electrostatic chuck and the plate.
제 10 항에 있어서,
상기 정전척은 온도조절이 가능한 쿨링 블럭 상에 놓이고, 상기 쿨링 블럭은 상기 정전척과 열교환을 수행하는 것을 특징으로 하는 소자의 공정처리 수행방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the electrostatic chuck is placed on a temperature controllable cooling block and the cooling block performs heat exchange with the electrostatic chuck.
삭제delete
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