KR101950857B1 - 스퍼터 증착 소스, 스퍼터링 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

스퍼터 증착 소스, 스퍼터링 장치 및 그 동작 방법 Download PDF

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Abstract

스퍼터 증착을 위한 증착 소스(100, 300, 400, 500)가 제공된다. 증착 소스는, 증착될 타겟 재료를 제공하기 위한 캐소드(110), 이동가능한 마그넷 어셈블리(120), 및 마그넷 어셈블리(120)에 따라 이동가능한 애노드 어셈블리(130)를 포함한다.

Description

스퍼터 증착 소스, 스퍼터링 장치 및 그 동작 방법 {SPUTTER DEPOSITION SOURCE, SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF OPERATING THEREOF}
[0001] 본 발명의 실시예들은 스퍼터 증착(sputter deposition)을 위한 증착 소스, 스퍼터링 장치, 및 그 동작 방법들에 관한 것이다. 실시예들은 구체적으로, 회전가능 캐소드를 활용하는 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)을 위한 스퍼터 증착 소스, 진공 챔버에서의 스퍼터 증착을 위한 스퍼터링 장치, 및 회전가능 캐소드 및 이동가능 마그넷(magnet) 어셈블리를 이용하여 스퍼터 증착 소스를 동작시키는 방법에 관한 것이다.
[0002] PVD 프로세스들, 특히 스퍼터링 프로세스들은 몇몇 기술 분야들, 예컨대 디스플레이 제조에서 점점 더 주목받고 있다. 다양한 스퍼터링 기술들에 의해, 충분한 층 특성들과 함께 양호한 증착 레이트가 획득될 수 있다. 스퍼터링, 특히 마그네트론 스퍼터링은, 금속 또는 비-금속 층들로 유리 또는 플라스틱 기판들과 같은 기판들을 코팅하기 위한 기술이다. 따라서, 코팅 재료의 스트림은 플라즈마의 사용을 통해 타겟(target)을 스퍼터링함으로써 생성된다. 플라즈마로부터의 고-에너지 입자들과의 충돌들의 결과로서, 타겟 표면으로부터 재료가 릴리스(release)된다. 압력, 전력, 가스, 자기장 등과 같은 플라즈마 파라미터들이 제어될 수 있다. 타겟으로부터 릴리스되는 재료는, 타겟으로부터, 코팅될 하나 또는 그 초과의 기판들을 향하여 이동하며, 그 기판들에 부착된다. 금속들, 반도체들, 및 유전체 재료들을 포함하는 광범위하게 다양한 재료들이 원하는 규격들로 스퍼터링될 수 있다. 마그네트론 스퍼터링은, 디스플레이 제조, 반도체 프로세싱, 광학 코팅들, 식품 포장, 자기 기록, 및 보호복 코팅들을 포함하는 다양한 애플리케이션들에서 인정받고 있다.
[0003] 스퍼터링 디바이스들은 전기 에너지를 공급하기 위한 전력 공급부, 플라즈마를 점화 및 유지하기 위해 가스에 상기 에너지를 증착하기 위한 전력 전달 어셈블리, 및 플라즈마에 의한 스퍼터링을 통해 코팅 재료를 제공하기 위한 타겟을 포함하는 적어도 하나의 캐소드를 포함할 수 있다. 통상적으로, 스퍼터링은 마그네트론 스퍼터링으로 수행될 수 있는데, 여기서, 스퍼터링 조건들을 개선하기 위해, 플라즈마를 구속(confine)하고 플라즈마 이온들의 모션을 제어하기 위해서 마그넷 어셈블리가 활용된다. 플라즈마 구속은 또한, 기판 상에 증착될 재료의 분포를 조절하는데 활용될 수 있다. 기판 상에 원하는 층 증착을 획득하기 위해, 플라즈마 분포, 플라즈마 특성들, 및 다른 증착 파라미터들이 제어될 필요가 있다. 특히 넓은 면적의 증착에 대해(예컨대, 넓은 면적의 기판들 상에 디스플레이들을 제조함에 있어서), 원하는 층 속성들을 갖는 균일한 층이 바람직할 수 있다.
[0004] 기판이 증착 구역을 통해 계속해서 이동되지 않는 정적 증착 프로세스들에 대해서는 균일성 및 프로세스 안정성을 달성하기가 특히 어려울 수 있다. 따라서, 대규모로 광전자 디바이스들 및 다른 디바이스들을 제조하는 것에 대한 요구들이 증가하고 있음을 고려하면, 프로세스 균일성 및 안정성은 추가적으로 개선될 필요가 있다.
[0005] 위의 관점에서, 독립 청구항들에 따르면, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스, 진공 챔버에서의 스퍼터 증착을 위한 장치, 증착 소스를 동작시키는 방법이 제공된다. 본 발명의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은 종속 청구항들, 설명, 및 첨부된 도면들로부터 명백하다.
[0006] 본원에 설명된 실시예들에 따르면, 스퍼터 증착을 위한 스퍼터 증착 소스가 제공된다. 증착 소스는, 증착될 타겟 재료를 제공하기 위한 적어도 하나의 캐소드; 이동가능 마그넷 어셈블리; 및 마그넷 어셈블리에 따라 이동가능한 적어도 하나의 애노드 어셈블리를 포함한다. 실시예들에서, 애노드 어셈블리는 마그넷 어셈블리에 대해 동기식으로 그리고/또는 미리결정된 공간적 관계를 유지하면서 이동가능하다.
[0007] 추가적인 양상에 따르면, 진공 챔버에서의 스퍼터 증착을 위한 마그네트론 스퍼터 장치가 제공된다. 장치는, 진공 챔버에서의 스퍼터 증착을 위한 스퍼터 증착 소스; 및 진공 챔버를 포함한다. 스퍼터 증착 소스는, 증착될 타겟 재료를 제공하기 위한 적어도 하나의 캐소드, 이동가능 마그넷 어셈블리, 및 마그넷 어셈블리에 따라 이동가능한 적어도 하나의 애노드 어셈블리를 포함한다. 몇몇 실시예들에서, 캐소드, 마그넷 어셈블리, 및 애노드 어셈블리는 진공 챔버 내부에 포지셔닝(position)된다. 추가적으로, 장치는, 마그넷 어셈블리를 이동시키기 위한 마그넷 드라이브 유닛 및/또는 애노드 어셈블리를 이동시키기 위한 애노드 어셈블리 드라이브 유닛을 포함할 수 있으며, 이들은 진공 챔버 외부에 포지셔닝된다.
[0008] 실시예들은 또한, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 방법은, 애노드 어셈블리를, 마그넷 어셈블리에 따라 그리고 특히, 스퍼터링될 타겟 재료를 제공하는 캐소드에 관해 또는 캐소드의 축에 관해 이동시키는 단계를 포함한다. 특히, 애노드 어셈블리와 마그넷 어셈블리 간의 거리는 이동(movement) 동안 일정하게 유지될 수 있다.
[0009] 실시예들은 또한 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 개별적인 방법 동작들을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법은, 하드웨어 컴포넌트에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 결합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키는 방법들에 관한 것이다.
[0010] 본원에 설명되는 실시예들과 결합될 수 있는 추가적인 이점들, 특징들, 양상들, 및 세부사항들은 종속 청구항들, 설명, 및 도면들로부터 명확히 알 수 있다.
[0011] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부된 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다.
[0012] 도 1은 본원에 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0013] 도 2는 본원에 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스의 일반화된 개념을 예시하는 개략도이다.
[0014] 도 3a는 제1 동작 포지션에 있는, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 증착 소스의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0015] 도 3b는, 제2 동작 포지션에 있는 도 3a의 증착 소스의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0016] 도 4는 제1 플라즈마 분포를 예시하기 위한, 스퍼터 증착을 위한 몇몇 증착 소스들을 도시하는 비교 예이다.
[0017] 도 5는 제2 플라즈마 분포를 예시하는, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 증착 소스들의 개략적인 단면도이다.
[0018] 도 6은 본원에 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스의 개략적인 측면도를 도시한다.
[0019] 도 7은 본원에 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0020] 도 8은, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0021] 도 9는 본원에 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 동작시키는 방법의 흐름도를 도시한다.
[0022] 이제, 본 발명의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 관한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 발명의 설명으로 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가적으로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명이 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0023] 본 개시내용에서, "증착 소스"는, 기판 상에 증착된 타겟 재료를 제공하기 위한 캐소드를 포함하는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스로서 이해될 수 있다. 캐소드는 증착될 재료로 제조된 타겟을 포함할 수 있다. 예를 들어, 타겟은, 알루미늄, 실리콘, 탄탈룸, 몰리브덴, 니오븀, 티타늄, 인듐, 갈륨, 아연, 주석, 은 및 구리로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료로 제조되거나 그러한 재료를 포함할 수 있다. 특히, 타겟 재료는, 인듐, 갈륨 및 아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 반면에, 통상적으로, 애노드 어셈블리에는 증착될 타겟 재료가 제공되지 않는다.
[0024] 스퍼터링은, 상이한 전기, 자기, 및 기계적 구성들을 갖는 광범위하게 다양한 디바이스들로 달성될 수 있다. 몇몇 구성들은, 전류로 캐소드를 에너자이징(energize)하기 위해 전력 전달 어셈블리를 통해 캐소드에 연결되는 전력 공급부를 포함한다. 결과적으로, 캐소드와 애노드 사이의 영역에서 가스가 이온화되고 그 영역에 플라즈마가 유지되도록, 캐소드와 (반대로 하전된(charged)) 애노드 어셈블리 사이에 로케이팅되는 가스에 전기장이 제공될 수 있다. 통상적으로, 캐소드는 네거티브(negative) 전압을 제공받도록 적응될 수 있고, 애노드 어셈블리는 포지티브(positive) 전압을 제공받도록 적응될 수 있다.
[0025] 전력 공급부는 플라즈마를 생성하기 위해 DC(direct current) 또는 AC(alternating current)를 제공하도록 적응될 수 있다. 가스에 인가되는 AC 전자기장들은, DC 전자기장들보다 더 높은 플라즈마 레이트들을 규칙적으로 제공한다. 무선 주파수(RF) 스퍼터링 장치에서, RF 전기장을 인가함으로써 플라즈마가 점화 및 유지된다. 따라서, 비-전도성 재료들이 또한 스퍼터링될 수 있다.
[0026] 본원에서 사용되는 바와 같이, "마그네트론 스퍼터링"은, 마그넷 어셈블리 또는 "마그네트론", 즉, 자기장을 생성할 수 있는 유닛을 사용하여 수행되는 스퍼터링을 지칭한다. 마그넷 어셈블리는 마그넷 요크(yoke)로서 제공될 수 있다. 통상적으로, 마그넷 어셈블리는 하나 또는 그 초과의 영구 마그넷들로 이루어진다. 영구 마그넷들은 캐소드의 타겟의 제1 측 상에 배치될 수 있고, 애노드 어셈블리 및 이온화될 가스는 타겟의 다른 측 상에 배치된다. 가스에 전기장 및 자기장 둘 모두를 인가하는 것은, 나선형 경로를 따라 이동하는 전자들로 인해 이온화 레이트가 증가되는 것으로 이어질 수 있으며, 플라즈마 이온들의 모션을 제어하는 것을 추가적으로 도울 수 있다.
[0027] 통상적인 구현들에 따르면, 마그네트론 스퍼터링은 DC 스퍼터링으로, MF 스퍼터링으로, RF 스퍼터링으로, 또는 펄스 스퍼터링으로 수행될 수 있다. 본원에 설명되는 바와 같이, 몇몇 증착 프로세스들은, 특히, 네거티브로 하전된 캐소드 및 포지티브로 하전된 애노드 어셈블리를 이용하여 DC 스퍼터링을 유리하게 적용할 수 있다. 그러나, 다른 스퍼터링 방법들이 또한 적용될 수 있다.
[0028] 증착 소스들에는, 평판(flat plate) 캐소드들(예컨대, 평면형 캐소드들)와 같은 정적 캐소드들, 또는 이동가능 캐소드들(예컨대, 회전식 원통형 캐소드들과 같은 회전가능 캐소드들)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 캐소드는 회전가능 원통형 타겟을 갖는 회전가능 캐소드일 수 있다.
[0029] 도 1은, 개략적인 예시로 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 증착 소스(100)의 단면도를 도시한다. 증착 소스(100)는, 증착될 타겟 재료를 제공하기 위한 캐소드(110); 이동가능한 마그넷 어셈블리(120); 및 마그넷 어셈블리(120)에 따라 이동가능한 애노드 어셈블리(130)를 포함한다. 다시 말해서, 애노드 어셈블리(130)는 마그넷 어셈블리(120)의 이동에 따라 이동가능하도록 구성된다. 예를 들어, 애노드 어셈블리는, 마그넷 어셈블리(120)와 동기식으로 이동가능하도록 그리고/또는 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간의 미리결정된 공간적 관계를 유지하면서 이동가능하도록 구성될 수 있다. 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간의 미리결정된 공간적 관계는 마그넷 어셈블리(120)의 이동 전체에 걸쳐 유지될 수 있다. 그러나, 본원에 설명되는 실시예들은 또한, 각각의 이동 궤적들의 특정 포인트들, 특히 스퍼터링이 수행되는 포인트들에서만 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간의 미리결정된 공간적 관계를 유지하는 것을 포함한다.
[0030] 통상적으로, 스퍼터링 동안, 플라즈마는 마그넷 어셈블리 전방의 플라즈마 구속 영역 내에 로케이팅될 수 있으며, 플라즈마 구속 영역의 위치는 마그넷 어셈블리의 포지셔닝 및 특히 경사각(tilting angle)에 의존한다. 마그넷 어셈블리(120)를 이동시키는 것은, 그와 연관된 전자기장의 공간적 변화로 인해, 플라즈마 저항을 변화시킬 수 있고 그리고 공간적 플라즈마 분포에 영향을 미친다. 예를 들어, 플라즈마 클라우드(cloud)는, 피봇(pivot) 축을 중심으로 마그넷 어셈블리를 피봇팅하거나 기울임으로써 공간에서 시프팅(shift)된다. 마그넷 어셈블리를 이동시킴으로써 플라즈마를 시프팅하는 것은, 특히 기판이 코팅 프로세스 동안 정적으로 유지되는 경우, 코팅될 기판의 더 양호한 층 두께 균일성으로 이어질 수 있다. 본원에 설명되는 실시예들에서, 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130) 둘 모두는, 특히 기판이 스퍼터링 프로세스 동안 정적인 경우, 코팅될 기판에 관해 이동가능할 수 있다.
[0031] 애노드 어셈블리가 정적으로 유지되는 동안 마그넷 어셈블리가 이동되는 경우, 플라즈마는 마그넷 어셈블리의 플라즈마 구속 영역을 따를 것이고, 정적 애노드로부터 멀어지게, 예컨대 상이한 애노드를 향하여 이동할 것이다. 이러한 효과는 플라즈마 밀도 변동들, 불량한 타겟 활용, 및 감소된 층 두께 균일성을 초래할 수 있다. 이와 대조적으로, 본원에 설명되는 실시예들에 따르면, 애노드 어셈블리는, 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리 간의 원하는 공간적 관계가 이동 동안 또는 적어도 (스퍼터링이 수행되는) 특정 이동 포지션들에서 또한 유지될 수 있도록, 마그넷 어셈블리에 따라 이동가능하도록 구성된다. 따라서, 본원에 설명되는 실시예들에 따르면, 애노드는 플라즈마 영역에 대해 실질적으로 일정한 거리를 갖도록 이동될 수 있다.
[0032] 도 1에 도시된 실시예에서, 화살표들(121)에 의해 표시된 바와 같이, 애노드 어셈블리(130)는, 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간에 본질적으로 일정한 거리 D를 유지하면서, 마그넷 어셈블리(120)와 예컨대 동기식으로 이동가능하다. 본원에 사용되는 "본질적으로"는, 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간의 거리 D가 +/-30% 미만, 특히 +/-10% 미만, 보다 특히 +/-5% 미만으로 변하는 것을 의미할 수 있다. 특히, 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리 간의 거리 D는 스퍼터링 동안 일정하게 유지된다. 다시 말해서, 이동 동안의 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리 간의 최소 거리와 이동 동안의 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리 간의 최대 거리 사이의 비는 0.7 초과, 특히 0.95 초과, 보다 특히 1이다.
[0033] 본원에 설명되는 실시예들에서, 마그넷 어셈블리는 제1 궤적을 따라 이동가능하고, 애노드 어셈블리는 제2 궤적을 따라 이동가능하며, 여기서, 제1 궤적은 제1 쌍의 터닝 포인트(turning point)들을 갖고, 제2 궤적은 제2 쌍의 터닝 포인트들을 갖는다. 제1 쌍의 터닝 포인트들 및 제2 쌍의 터닝포인트들의 대응하는 터닝 포인트들 간의 최소 거리와 제1 쌍의 터닝 포인트들 및 제2 쌍의 터닝 포인트들의 대응하는 터닝 포인트들 간의 최대 거리 사이의 비는, 0.7 초과, 특히 0.95 초과, 그리고 보다 특히 1일 수 있다.
[0034] 다시 말해서, 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리 간의 거리가 각각의 궤적들의 (스퍼터링이 발생하는) 특정 포인트들에서 본질적으로 일정하게 유지되는 한, 마그넷 어셈블리 및 애노드 어셈블리의 동시의 또는 동시적인 이동을 제공하는 것은 실용적이지 않을 수 있다. 예를 들어, 그러한 특정 포인트들은 각각의 궤적들의 터닝 포인트들일 수 있으며, 그 터닝 포인트들에서 스퍼터링이 수행된다. 일 예로서, 처음에, 애노드 어셈블리가 제2 궤적을 따라 이동될 수 있고, 그 뒤에, 마그넷 어셈블리는, 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리 간의 이전 거리가 복원될 때까지 애노드 어셈블리의 이동에 후속하여 제1 궤적을 따라 이동될 수 있다. 그 후, 스퍼터링이 계속될 수 있는 그러한 식이다("분할 스퍼터링 모드"). 본원에 사용되는 "조인트(joint)" 이동이 마그넷 어셈블리 및 애노드 어셈블리의 그러한 연속적인 이동을 또한 포함할 수 있다.
[0035] 또한, 마그넷 어셈블리와 애노드 어셈블리의 조인트 이동 동안 캐소드(110)와 애노드 어셈블리(130) 간의 거리가 일정하게 유지될 수 있다. 따라서, 애노드 어셈블리(130)의 이동 동안 플라즈마 레이트 및/또는 공간적 및 시간적 플라즈마 분포는 애노드 어셈블리(130), 마그넷 어셈블리(120), 및 캐소드(110) 간의 일정한 거리들로 인해 더 안정되게 유지될 수 있는 한편, 그와 동시에, 플라즈마가 공간에서 시프팅될 수 있어서 더 균일한 코팅 층 두께의 효과를 갖는다.
[0036] 본원에 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 잇는 몇몇 실시예들에 따르면, 마그넷 어셈블리(120)는 제1 궤적을 따라 이동되고, 애노드 어셈블리는, 마그넷 어셈블리(120)의 플라즈마 구속 영역과 애노드 어셈블리(130) 간의 거리가 이동 동안 +/-30%를 초과하여 변하지 않도록, 특히 +/-5%를 초과하여 변하지 않도록 제2 궤적을 따라 이동가능하며, 여기서, 보다 특히, 이동 동안 거리는 일정하게 유지된다. 다시 말해서, 마그넷 어셈블리를 이동시키는 경우, 애노드 어셈블리는, 마그넷 어셈블리의 플라즈마 구속 영역의 이동을 따르도록 구성된다.
[0037] 본원에 설명되는 실시예들에서, 애노드 어셈블리(130) 및 마그넷 어셈블리(120)는 캐소드(110)에 관해, 특히 캐소드(110)의 축에 관해 이동가능하다. 예를 들어, 애노드 어셈블리(130) 및 마그넷 어셈블리(120)는 캐소드(110)의 회전 축에 관해 이동가능할 수 있다. 예를 들어, 캐소드는 정적일 수 있고, 애노드 어셈블리(130) 및 마그넷 어셈블리(120) 둘 모두는 캐소드(110)에 대해 이동가능하다. 본원에 설명되는 몇몇 실시예들에서, 캐소드(110)는 이동가능할 수 있으며, 캐소드 이동은 애노드 어셈블리(130) 및 마그넷 어셈블리(120)의 이동과 독립적이다. 본원에 설명되는 실시예들에 따른 회전가능 캐소드가 회전 축을 중심으로 하는 타겟의 회전을 포함할 수 있다 하더라도(여기서, 타겟은, 예컨대 수차례 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전됨), 캐소드 포지션은 증착 장치의 진공 챔버에 관해 정적일 수 있다. 즉, 플라즈마는, 타겟이 플라즈마 아래에서 회전하는 동안 타겟의 다른 부분에 인접해 있지만, 플라즈마에 의한 타겟으로부터의 스퍼터링 재료의 포지션은, 캐소드가 본질적으로 정적인 것으로 고려될 수 있도록, 본질적으로 일정하다.
[0038] 스퍼터 증착 소스(100)는, 스퍼터링에 의해 타겟으로부터 릴리스되어 코팅될 기판 상에 증착될 금속 및/또는 비-금속 재료의 타겟을 갖는 회전가능 캐소드(110)를 포함할 수 있다. 본 개시내용에서, "회전가능 캐소드"는 회전 축을 갖는 적어도 부분적으로 원통형인 캐소드로 이해될 수 있다. 특히, "회전가능 캐소드"는, 스퍼터링 동안 회전 축을 중심으로 회전하는 캐소드로 이해될 수 있다. 예를 들어, "회전가능 캐소드"는, 기판 상의 타겟 재료의 스퍼터 증착 동안 드라이브에 의해 드라이빙될 수 있다. 본 개시내용에서, "회전가능 캐소드"는, 회전가능 캐소드의 제1 단부로부터 회전가능 캐소드의 제2 단부로 길이방향(longitudinal) 축, 예컨대 길이방향 회전 축(회전 축을 중심으로 회전가능 캐소드가 회전가능할 수 있음)을 따라 연장될 수 있다. 증착될 타겟 재료를 포함하는 회전가능 캐소드의 부분은 회전가능 캐소드의 제1 단부로부터 회전가능 캐소드의 제2 단부로 연장될 수 있다.
[0039] 평면형 캐소드와 비교할 경우, 회전가능 캐소드는, 스퍼터링 동안 타겟의 전체 원주 둘레에서 타겟 재료가 신뢰가능하게 활용되고 그리고 타겟의 측방향에서 타겟의 (타겟 표면 상에 스퍼터링이 덜 발생할 수 있는) 어떠한 에지 부분들도 존재하지 않는다는 이점을 제공할 수 있다. 따라서, 회전가능 캐소드들을 활용함으로써, 재료 비용들이 감소될 수 있고, 타겟은, 타겟 교환이 필요해지기 전에 더 긴 시간 기간 동안 사용될 수 있다.
[0040] 회전가능 캐소드들(110)의 경우, 백킹 튜브(backing tube)의 바깥 표면을 커버하는 타겟 재료를 갖는 캐소드의 백킹 튜브 내에 마그넷 어셈블리(120)가 제공될 수 있다. 구현들에서, 마그넷 어셈블리는 캐소드의 타켓 재료 튜브 내에 배치될 수 있다. 회전가능 캐소드(110)는, 마그넷 어셈블리(120)를 수용하기 위한 내부 공간을 제공하기 위해, 적어도 부분적으로 중공(hollow) 실린더로서 제공될 수 있다.
[0041] 몇몇 실시예들에 따르면, 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)는 피봇 축들을 중심으로, 이를테면 공통 피봇 축 A를 중심으로 피봇가능하다. 마그넷 어셈블리(120)는, 제1 반경에서 공통 피봇 축 A를 중심으로, 아크(arc)를 따르는 제1 궤적을 따라 이동가능할 수 있고, 애노드 어셈블리(130)는, 제2 반경에서 공통 피봇 축 A를 중심으로, 아크를 따르는 제2 궤적을 따라 이동가능할 수 있다. 제2 반경은 제1 반경보다 클 수 있다. 마그넷 어셈블리는 애노드 어셈블리보다 공통 피봇 축 A에 더 가깝게 배치될 수 있다. 제1 궤적 및 제2 궤적 중 적어도 하나는 아크, 예컨대 원형 아크의 형태를 가질 수 있다. 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)의 동기식 피봇 이동은 피봇 축 A를 순환(circulate)하는 마그넷 어셈블리(120)의 제1 각속도(피봇 축 A를 순환하는 애노드 어셈블리(130)의 제2 각속도에 본질적으로 대응함)에 의해 제공될 수 있다. 대응하는 각속도들은 피봇 이동 동안 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간의 일정한 거리 D로 이어질 수 있다. 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)의 조인트 이동은 동시에 또는 연속하여 발생할 수 있다.
[0042] 마그넷 어셈블리(120)의 제1 궤적은 캐소드(110) 내부의 원형 아크의 형태를 가질 수 있고 그리고/또는 애노드 어셈블리(130)의 제2 궤적은 캐소드 외부의 원형 아크의 형태를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 피봇 축 A는 마그넷 어셈블리(120)와 교차할 수 있다.
[0043] 원통형 캐소드 벽은 제3 반경에서 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 사이에 배치될 수 있으며, 제3 반경은 제1 반경보다 크고 제2 반경보다 작다. 따라서, 제1 궤적, 제2 궤적, 및 캐소드 벽은 본질적으로 동축 어레인지먼트(arrangement)를 형성할 수 있다. 따라서, 제2 궤적을 따라 이동하는 애노드 어셈블리(130)와 캐소드(110)의 벽 간의 거리는 애노드 어셈블리의 이동 동안 일정하게 유지될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 캐소드는 피봇 축 A를 중심으로 회전가능하지만, 상기 회전은, 캐소드 중심을 중심으로 하는 마그넷 어셈블리 및 애노드 어셈블리의 피봇 이동과 독립적일 수 있다.
[0044] 몇몇 구현들에서, 회전가능 캐소드(110)는, 피봇 축 A에 대응하는 회적 축을 중심으로 분당 1 회전 내지 50 회전, 분당 5 회전 내지 30 회전, 또는 분당 15 회전 내지 25 회전의 범위의 회전 속도로 회전하도록 구성될 수 있다. 회전은 적어도 한 번 또는 그 초과의 완전한 360°회전들을 포함할 수 있다. 통상적으로, 회전가능 캐소드(110)는 분당 약 20 회전의 속도로 회전하도록 구성될 수 있다.
[0045] 반면에, 마그넷 어셈블리(120)는, 제1 터닝 포인트와 제2 터닝 포인트 사이에서만 아크-형상 제1 궤적 상에서 이동하도록 배치될 수 있다. 다시 말해서, 마그넷 어셈블리는 피봇 축 A를 완전히 순환하도록 구성되지 않을 수 있지만, 중심 스퍼터링 포지션을 중심으로 진동(oscillate)하도록 구성될 수 있으며, 여기서, 마그넷 어셈블리의 플라즈마 구속 영역은 코팅될 기판을 향하여 지향된다. 또한, 마찬가지로, 애노드 어셈블리는 피봇 축 A를 완전히 순환하도록 구성되지 않을 수 있지만, 마그넷 어셈블리와 동기상태로 2개의 터닝 포인트들 사이에서 진동하도록 구성될 수 있다. 특히, 마그넷 어셈블리 및 애노드 어셈블리는 동시에 그들 각각의 터닝 포인트들에 도달하여 방향을 변경할 수 있다.
[0046] 본원에 개시된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 애노드 어셈블리(130)는 적어도 하나의 애노드 로드(rod)(132)를 포함하며, 적어도 하나의 애노드 로드 및 캐소드(110)는 본질적으로 평행하게 그리고 서로의 옆에 포지셔닝된다. 애노드 로드의 형상은 원통형일 수 있다. 그러나, 다른 형상들이 가능하지만, 전기장 집중들 또는 아킹(arcing)을 방지하기 위해서는 날카로운 에지들을 회피하는 것이 유리하다. 통상적으로, 로드의 최소 곡률 반경(bending radius)은 2 mm 또는 그 초과여야 한다.
[0047] 애노드 로드(132)의 바깥 치수는 원통형 캐소드의 바깥 직경보다 작을 수 있다. 예를 들어, 애노드 로드의 바깥 직경은 캐소드(110)의 바깥 직경의 50% 미만 또는 25% 미만일 수 있다. 애노드 로드의 바깥 표면과 캐소드 벽의 바깥 표면 간의 거리는 애노드 로드의 바깥 치수보다 작을 수 있다.
[0048] 애노드 어셈블리(130)에는 냉각 목적들을 위한 열 싱크(heat sink)가 제공될 수 있다. 몇몇 구현들에서, 적어도 하나의 애노드 로드(132)에는 냉각 엘리먼트가 제공된다. 예를 들어, 적어도 하나의 애노드 로드(132)에는 냉각 채널이 제공될 수 있으며, 냉각 채널은, 애노드 로드(132)를 통해 그 축 방향으로 이어지고 그리고 유체 냉각(예컨대, 수냉(water cooling))에 대해 사용될 수 있다. 또한, 캐소드에 열 싱크(예컨대, 수냉부)가 제공될 수 있다.
[0049] 애노드 어셈블리(130)는, 마그넷 어셈블리(120)에 의해 제공되는 자기장 라인들을 안내하기 위해, 철, 연강(mild steel) 또는 니켈-철 합금과 같은 연자성(soft magnetic) 재료를 포함하거나 연자성 재료로 이루어질 수 있다.
[0050] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 증착 소스(100)를 동작시키는 방법이 제공된다. 애노드 어셈블리(130)는, 마그넷 어셈블리(120)에 따라, 특히 스퍼터링 동안 그리고 특히 증착될 타겟 재료를 제공하는 캐소드(110) 또는 캐소드(110)의 축에 관해 이동된다. 도 1에서 화살표들(121)에 의해 표시된 바와 같이, 애노드 어셈블리는, 마그넷 어셈블리와 동기식으로 그리고/또는 스퍼터링 동안 애노드 어셈블리와 마그넷 어셈블리 간의 거리 D를 본질적으로 일정하게 유지하면서, 이동될 수 있다. 마그넷 어셈블리의 이동 및 애노드 어셈블리의 이동은 각각 제1 반경 및 제2 반경에서 공통 피봇 축 A를 중심으로 하는 피봇 이동을 포함할 수 있지만, 마그넷 어셈블리의 각속도는 애노드 어셈블리의 각속도에 대응할 수 있다. 동시에, 캐소드는, 피봇 이동과는 독립적으로 그리고 애노드 어셈블리의 각속도와 상이한 각속도로, 피봇 축 A에 대응할 수 있는 자신 고유의 축을 중심으로 회전할 수 있다. 방법은, 증착 소스(100)를 참조하여 설명된, 위에 언급된 활동들 또는 특징들 중 일부 또는 전부를 임의의 결합으로 더 포함할 수 있으며, 그러한 활동들 또는 특징들은 여기서 반복되지 않는다.
[0051] 도 2는 본원에 개시된 실시예들의 일반적인 개념을 예시하도록 의도되며, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 개략적으로 도시한다. 도 2에 따른 증착 소스는, 캐소드(110), 이동가능하고 캐소드(110)의 제1 측 상에 배치되는 마그넷 어셈블리(120), 및 이동가능하고 캐소드(110)의 제2 측 상에 배치되는 애노드 어셈블리(130)를 포함한다. 애노드 어셈블리(130)는 마그넷 어셈블리(120)에 따라 이동가능하다.
[0052] 화살표들(121)에 의해 표시된 바와 같이, 애노드 어셈블리(130)는 마그넷 어셈블리(120)와 동기식으로 그리고/또는 마그넷 어셈블리(120)에 대해 본질적으로 일정한 거리 D를 유지하면서 이동될 수 있다. 본원에 사용되는 "본질적으로"는, 적어도 스퍼터링이 수행되는 포지션들에서의 거리 D가 +/-30% 초과, 특히 +/-5% 초과, 보다 특히 +/-1% 초과로 변하지 않는 것을 의미할 수 있다. 동시에, 캐소드(110)와 애노드 어셈블리(130) 간에 일정한 거리가 유지될 수 있다. 마그넷 어셈블리(120)는 캐소드(110)에 관해 이동가능할 수 있지만, 캐소드(110)는, 또한 이동가능할 수 있거나 정적일 수 있다.
[0053] 도 2에 표시된 바와 같이, 캐소드(110)는 또한, 캐소드의 (애노드 어셈블리(130)를 대면하는) 적어도 제1 측 상에서 증착될 타겟 재료가 제공될 수 있는 정적 평면형 캐소드로서 제공될 수 있다. 추가적인 실시예들에서, 캐소드(110)는 또한 이동가능 평면형 캐소드, 예컨대 회전가능 평면형 캐소드 또는 선형으로 변위가능한 평면형 캐소드로서 제공될 수 있다.
[0054] 평면형 캐소드들의 경우, 마그넷 어셈블리(120)는, 캐소드의 평면형 백킹 플레이트(backing plate)의 (증착될 재료의 타겟에 대향하는) 측 상에 제공될 수 있다. 애노드 어셈블리(130)는, 애노드 어셈블리(130)와 캐소드(110) 사이에 생성될 플라즈마 이온들이 타겟을 스퍼터링하는데 사용될 수 있도록, 캐소드의 타겟 측 상에 제공될 수 있다.
[0055] 도 3a는 개략적인 예시로 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 증착 소스(300)의 단면도를 도시하며, 증착 소스는 제1 동작 포지션에 배치된다. 도 3b는 제2 동작 포지션에 있는 동일한 증착 소스를 도시한다. 증착 소스(300)는, 증착될 타겟 재료를 제공하기 위한 회전가능 캐소드(110); 이동가능한 마그넷 어셈블리(120); 및 마그넷 어셈블리(120)에 따라 이동가능한 애노드 어셈블리(130)를 포함한다. 애노드 어셈블리(130)는, 마그넷 어셈블리(120)와 동기식으로 이동가능하도록 구성되고 그리고/또는 마그넷 어셈블리(120)와 애노드 어셈블리(130) 간의 미리결정된 공간적 관계를 유지하면서 이동가능하도록 구성된다.
[0056] 도 3a에 도시된 실시예에서, 애노드 어셈블리(130)는 하나 초과의 애노드를 포함한다. 예를 들어, 애노드 어셈블리(130)는 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)를 포함할 수 있다. 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334) 둘 모두는 애노드 로드, 예컨대 원형 애노드 로드로 제공될 수 있다. 그러나, 제1 애노드 및 제2 애노드는 다른 형상들을 가질 수 있으며, 동일한 형상을 가질 필요는 없다.
[0057] 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)는, 둘 모두의 애노드들이 동일한 전력 커넥터(power connector)에 의해 전력공급될 수 있고 그리고 동일한 전위(electric potential) 상에 있을 수 있도록, 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제1 애노드 및 제2 애노드는 서로 전기적으로 격리(electrically isolated)된다.
[0058] 도 1에 도시된 실시예들과 유사하게, 마그넷 어셈블리는 제1 반경을 갖는 제1 궤적을 따라 이동가능할 수 있으며, 제1 반경은 원통형 캐소드의 제3 반경보다 작다. 추가적으로, 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334) 둘 모두는, 회전가능 캐소드(110)를 중심으로 적어도 부분적으로 이어지는 제2 궤적 상에 배치될 수 있다. 제2 궤적이 제2 반경을 갖는 원형 아크 형상을 가질 수 있어서, 제1 애노드(332)와 캐소드(110) 간의 거리는 제2 애노드(334)와 캐소드(110) 간의 거리에 대응하며, 상기 거리들은, 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)가 제2 궤적을 따라 이동될 때 일정하게 유지된다.
[0059] 캐소드(110)의 중심에 대한 제1 애노드(332)와 제2 애노드(334) 사이의 각도는 30°초과 200°미만일 수 있고, 특히 90°초과 150°미만일 수 있다. 제1 애노드(332)와 제2 애노드(334) 사이의 각도는 조절가능하게 이루어질 수 있다. 본원에 개시된 실시예들에서, 마그넷 어셈블리(120)는 본질적으로, 제1 애노드(332)와 제2 애노드(334) 사이의 중심 각도 포지션에 로케이팅된다. 마그넷 어셈블리(120)에 대한 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)의 그러한 대칭적 어레인지먼트는, 더 균질의 플라즈마 분포 및 기판(20) 상에 증착될 층의 더 균일한 두께로 이어진다.
[0060] 도 3a에 도시된 제1 동작 포지션에서, 마그넷 어셈블리(120)는 제1 궤적 상의 중앙 스퍼터링 포지션에 로케이팅되며, 여기서, 마그넷 어셈블리(120)의 플라즈마 구속 영역은 코팅될 기판(20)을 향하여 지향된다. 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)는, 기판(20)으로부터 등거리(equidistant)에 있는 2개의 포지션들에서 제2 궤적 상에 배치된다.
[0061] 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)는, 피봇 축 A를 중심으로 마그넷 어셈블리(120)에 따라, 도 3b에 도시된 제2 동작 포지션으로 피봇팅될 수 있다. 이동 동안, 제1 애노드(332)와 마그넷 어셈블리(120) 간의 제1 거리 D1(특히, 제1 애노드와 마그넷 어셈블리 간의 최소 거리), 및 제2 애노드(334)와 마그넷 어셈블리(120) 간의 제2 거리 D2(특히, 제2 애노드와 마그넷 어셈블리 간의 최소 거리)는 본질적으로 일정하게 유지될 수 있다. 제1 거리 및 제2 거리는 동일할 수 있다. 제1 애노드(332), 제2 애노드(334), 및 마그넷 어셈블리(120)의 피봇 이동들은 동시에 그리고 대응하는 각속도들로 수행될 수 있다. 다른 실시예들에서, 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)만이 동시에 이동되는 반면, 마그넷 어셈블리는 그 이전 또는 그 이후에 이동된다.
[0062] 도 3b에 도시된 제2 동작 포지션은 마그넷 어셈블리(120)의 최대 경사 포지션일 수 있다. 다시 말해서, 마그넷 어셈블리(120), 제1 애노드(332), 및 제2 애노드(334)는 각각 제1 및 제2 궤적들 상의 터닝 포인트들에 배치되며, 이 터닝 포인트들로부터, 마그넷 어셈블리 및 애노드들은, 스퍼터링의 추가 과정에서 도 3a에 도시된 제1 동작 포지션으로 복귀한다. 그 후, 피봇 이동은 반시계방향으로 제3 동작 포지션으로 계속될 수 있으며, 제3 동작 포지션은 제2 동작 포지션의 거울상(mirror image)이다. 그러한 "진동 이동"은, 기판 상에 원하는 층 특성을 획득하기 위해, 스퍼터링의 추가 과정에서 계속될 수 있다. 그러나, 몇몇 실시예들에서, 최대 경사각이 상이할 수 있거나, 대안적으로, 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130) 둘 모두가 피봇 축 A를 완전히 순환할 수 있다.
[0063] 본원에 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에서, 플라즈마는, 기판(20)이 플라즈마에 노출되지 않도록, 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)의 제4 동작 포지션에서 점화될 수 있다. 그 후, 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)는 플라즈마를 유지하면서 서로에 따라 제5 동작 포지션으로 이동될 수 있으며, 여기서, 제5 동작 포지션은 기판 상에 재료의 증착을 초래한다. 제5 동작 포지션은 제1 내지 제3 동작 포지션들 중 하나에 대응할 수 있다. 제4 동작 포지션에서, 마그넷 어셈블리(120)의 플라즈마 구속 영역은, 스퍼터링될 재료를 수집할 수 있는 실드(shield)로 지향될 수 있다. 따라서, 처음에는 기판(20)이 플라즈마에 노출되지 않는다. 이러한 비-노출 조건은 플라즈마가 안정화될 때까지 유지될 수 있다. 그 다음, 마그넷 어셈블리(120)는, 안정화된 플라즈마가 유지되는 동안, 기판(20)을 향하여 애노드 어셈블리(130)와 함께 피봇팅되거나 기울어질 수 있다.
[0064] 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)의 피봇 이동 동안, 캐소드는, 피봇 축 A에 대응할 수 있는 자신 고유의 축을 중심으로 주어진 각속도로 회전할 수 있다. 캐소드(110)의 회전 이동 및 마그넷 어셈블리(120)의 경사 이동은 서로 독립적일 수 있다.
[0065] 도 4는 제1 플라즈마 분포를 예시하기 위한, 스퍼터 증착을 위한 몇몇 증착 소스들을 도시하는 비교 예이다.
[0066] 증착 소스들은 각각, 선형 어레인지먼트로 서로의 옆에 배치되고, 원통-형상 회전가능 캐소드인 캐소드(810) 및 캐소드(810) 내에 배치되는 마그넷 어셈블리(820)를 포함한다. 마그넷 어셈블리들(820)은 연관된 캐소드의 회전 축을 중심으로 피봇가능하다. 정적 로드-형상 애노드들은 각각 캐소드(810)들 사이에 배치된다.
[0067] 도 4에 도시된 어레인지먼트에서, 마그넷 어셈블리(820)는, 제1 정적 애노드(831)에 대해 큰 거리를 갖고 제2 정적 애노드(830)에 대해 작은 거리를 갖는 포지션으로 이동되었다. 제1 플라즈마 클라우드(850)는 마그넷 어셈블리(820)의 이동을 따르며, 마그넷 어셈블리의 플라즈마 구속 영역을 따라 제1 정적 애노드(831)로부터 멀어지는 방향으로 이동한다. 유사하게, 제2 플라즈마 클라우드(851)는, 마그넷 어셈블리의 플라즈마 구속 영역을 따라 제2 정적 애노드(830)를 향해 이동한다. 이러한 효과는 플라즈마 밀도 변동들을 초래할 수 있다. 예를 들어, 제2 정적 애노드(830)가 제1 정적 애노드(831)보다 마그넷 어셈블리(820)에 더 가깝게 로케이팅되거나 그 반대의 경우, 제1 정적 애노드(831)에 할당된 제1 플라즈마 클라우드(850)의 형상 및 밀도는 제2 정적 애노드(830)에 할당된 제2 플라즈마 클라우드(851)의 형상 및 밀도와 상이할 수 있다.
[0068] 도 5는 제2 플라즈마 분포를 예시하기 위한, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 몇몇 증착 소스들(300)을 도시하는 개략적인 단면도이다.
[0069] 도 4의 어레인지먼트와 유사하게, 증착 소스들(300)은 각각, 선형 어레인지먼트로 서로의 옆에 배치되고, 원통-형상 회전가능 캐소드 및 캐소드 내에 배치되는 마그넷 어셈블리(120)를 포함한다. 마그넷 어셈블리들(120)은 연관된 캐소드의 회전 축을 중심으로 피봇가능하다. 애노드 어셈블리(130)를 형성하는 2개의 이동가능 로드-형상 애노드들 각각이 캐소드들 각각에 할당된다. 도 5에 도시된 증착 소스들(300)의 레이아웃(layout)은 도 3a 및 도 3b에 도시된 증착 소스의 레이아웃에 대응할 수 있다. 따라서, 위에 주어진 설명은 도 5의 실시예에 또한 적용된다.
[0070] 도 5에 도시된 어레인지먼트에서, 마그넷 어셈블리들(120)은, 2개의 할당된 애노드들 각각과 마그넷 어셈블리 간에 일정한 거리를 유지하면서, 2개의 할당된 애노드들에 따라 시계방향으로 이동되었다. 제1 플라즈마 클라우드(350) 및 제2 플라즈마 클라우드(351)는, 마그넷 어셈블리의 플라즈마 구속 영역을 따라, 마그넷 어셈블리(120) 및 애노드 어셈블리(130)의 조인트 이동을 따른다. 제1 플라즈마 클라우드(850) 및 제2 플라즈마 클라우드(851)의 형상들 및 밀도들은 이동 동안 안정되게 유지되며, 제1 플라즈마 클라우드(850) 및 제2 플라즈마 클라우드(851)는 본질적으로 동일한 형상 및 밀도를 갖는다는 것이 명백하다. 따라서, 기판 상에 코팅될 층들의 균일성이 최적화될 수 있다.
[0071] 도 6은, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 증착 소스(400)의 개략적인 측면도를 도시한다. 이러한 실시예는, 도 3a 및 도 3b를 참조하여 위에 설명된 실시예와 유사하다. 따라서, 위에 주어진 설명은 도 6의 실시예에 또한 적용될 수 있다.
[0072] 증착 소스(400)는 몇몇 회전가능 캐소드들(110)을 포함하며, 각각의 회전가능 캐소드는, 제1 축 단부(412) 및 제1 축 단부에 대향하는 제2 축 단부(414)를 갖는 원통형 형성을 갖는다. 몇몇 구현들에서, 캐소드(110)는 회전 샤프트(shaft)를 통해 캐소드 지지체에 연결되고, 캐소드 지지체는 캐소드를 회전시키기 위한 회전 드라이브를 갖는다. 회전 드라이브는, 회전 축을 중심으로 회전가능 캐소드를 회전시키도록 구성되는, 액추에이터(actuator), 드라이브 벨트, 드라이브트레인(drivetrain), 또는 모터를 포함할 수 있다. 마그넷 어셈블리(120)는 각각의 캐소드에 배치된다.
[0073] 본원에 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 증착 소스(400)는, 마그넷 어셈블리들(120)을 제1 궤적들을 따라 이동시키기 위한 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛들(422), 및 애노드 어셈블리들(130)을 제2 궤적들을 따라 이동시키기 위한 애노드 어셈블리 드라이브 유닛들(432)을 포함한다. 캐소드들에 대한 회전 드라이브들과 유사하게, 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛들 및/또는 애노드 어셈블리 드라이브 유닛들은, 애노드 어셈블리들과 마그넷 어셈블리들 간의 미리결정된 공간적 관계를 유지하면서 개별적인 마그넷 어셈블리 및/또는 개별적인 애노드 어셈블리를 그들 각각의 궤적들을 따라 피봇 축을 중심으로 이동시키도록 구성되는 액추에이터, 드라이브 벨트, 드라이브트레인, 또는 모터를 포함할 수 있다.
[0074] 몇몇 실시예들에서, 애노드 어셈블리 드라이브 유닛은 캐소드의 제1 축 단부에 배치되고, 캐소드를 회전시키기 위한 캐소드 드라이브 유닛은 캐소드의 제1 단부에 대향하는 제2 축 단부에 배치된다. 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛은 캐소드 드라이브 유닛과 함께 캐소드의 제2 축 단부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛 및 캐소드 드라이브 유닛은 공통 드라이브 유닛에 통합된다. 대안적으로, 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛 및 애노드 어셈블리 드라이브 유닛은 회전가능 캐소드의 동일한 축 단부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛 및 애노드 어셈블리 드라이브 유닛은 캐소드 드라이브 유닛에 통합된다.
[0075] 몇몇 실시예들에서, 예컨대 도 6에 도시된 실시예에서, 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)은 캐소드의 제1 축 단부(412)에 배치되고, 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛(422)은 캐소드의 제2 축 단부(414)에 배치된다. 이러한 어레인지먼트는 덜 복잡한 드라이브 유닛 구성으로 이어질 수 있다. 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)은, 애노드 어셈블리(130)의 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334) 둘 모두를 동시에 이동시키도록 적응될 수 있다. 예를 들어, 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334) 둘 모두는 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)의 드라이브 샤프트에 연결될 수 있다.
[0076] 증착 소스(400)는 스퍼터링 장치, 즉, 진공 챔버(401) 내에서 스퍼터링을 수행하기 위한, 진공 챔버(401)를 포함하는 스퍼터링 장치의 일부로서 사용될 수 있다. 도 6에서 진공 챔버(401)의 벽 부분(402)이 개략적으로 도시된다. 캐소드들, 이동가능 마그넷 어셈블리들뿐만 아니라 이동가능 애노드 어셈블리들은 진공 챔버 내에 배치될 수 있는 반면, 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛들 및 애노드 어셈블리 드라이브 유닛들은 진공 챔버 외부에 포지셔닝될 수 있다.
[0077] 도 7은, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터 증착을 위한 증착 소스(500)의 개략적인 단면도를 도시한다. 증착 소스(500)는 도 3a 및 도 3b를 참조하여 위에 설명된 실시예와 유사하다. 따라서, 위에 주어진 설명은 도 7의 실시예에 또한 적용될 수 있다.
[0078] 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)는 하우징(housing)(550)에 의해 연결될 수 있다. 하우징은 전도성 재료로 제조될 수 있어서, 둘 모두의 애노드들이 단일 전력 커넥터를 이용하여 전기적으로 전력공급될 수 있다.
[0079] 하우징(550)은, 스트레이(stray) 코팅으로부터 캐소드를 실딩하기 위해 캐소드(110)의 바깥 원주 섹션을 커버할 수 있다. 예를 들어, 하우징(550)은 코팅될 기판으로부터 떨어져 있는 원통형 캐소드의 후면측을 커버할 수 있는 반면, 기판을 대면하는 캐소드(110)의 전면은 스퍼터링되기 위해 개방될 수 있다. 특히, 제1 애노드와 제2 애노드 간의 제2 원형 궤적의 섹션은 개방될 수 있는 반면, 캐소드의 나머지 원주 섹션은 캐소드 실딩을 형성하는 하우징에 의해 커버될 수 있다. 하우징(550)이 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)에 고정될 수 있으므로, 하우징은 피봇 축을 중심으로 애노드 어셈블리(130)와 함께 회전된다.
[0080] 추가적으로, 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)에는, 축 방향으로 애노드 로드들을 통해 이어지는 냉각 채널을 포함하는 수냉부(336)가 제공될 수 있다.
[0081] 도 8은, 본원에 설명되는 실시예들에 따른 스퍼터링 장치(600)의 개략적인 도면을 도시한다. 스퍼터링 장치(600)는 진공 챔버(610) 및 본원에 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 증착 소스를 포함한다. 도시된 실시예에서, 증착 소스는, 4개의 회전가능 캐소드들(110)을 포함하며, 각각의 캐소드(110)에는 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)를 포함하는 애노드 어셈블리(130)가 제공되고, 캐소드들(110) 및 애노드 어셈블리들(130)은 진공 챔버(610) 내부에 배치된다. 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)는, 캐소드의 후면측을 스트레이 코팅으로부터 실딩하기 위한 하우징(550)에 의해 연결된다. 4개 초과의 회전가능 캐소드들(110)이 제공될 수 있다.
[0082] 전력 공급을 위한 전력 장치(625)는 진공 챔버(610) 외부에 배치되고, 각각의 전기 연결부들 및 전력 커넥터들을 통해 캐소드들 및 애노드 어셈블리들에 전기적으로 연결된다. 도 8은 회전가능 캐소드들(110) 내에 제공되는 마그넷 어셈블리들(120) 또는 마그네트론들을 갖는 회전가능 캐소드들(110)을 도시하며, 여기서, 마그넷 어셈블리들은 각각, 바깥 표면 상에 타겟 재료가 구비된 백킹 튜브들 내에 제공된다.
[0083] 도 8에 표시된 바와 같이, 진공 챔버(610)에 인접하게 추가적인 진공 챔버들(611)이 제공될 수 있다. 진공 챔버(610)는, 각각 밸브 하우징(604) 및 밸브 유닛(605)을 갖는 밸브들에 의해 인접한 진공 챔버들(611)로부터 분리될 수 있다. 따라서, 코팅될 기판(607)을 갖는 캐리어(carrier)(606)가 화살표(601)에 의해 표시된 바와 같이 진공 챔버(610)에 삽입된 후, 밸브 유닛들(605)이 폐쇄될 수 있다. 따라서, 진공 챔버(610) 내의 대기는, 예컨대 진공 챔버(610) 및 진공 챔버들(611)에 연결되는 진공 펌프들을 통해 기술적인 진공을 생성함으로써 그리고/또는 프로세스 가스들을 진공 챔버(610)의 증착 영역에 삽입함으로써 개별적으로 제어될 수 있다.
[0084] 통상적인 실시예들에 따르면, 프로세스 가스들은 불활성 가스들, 이를테면 아르곤, 및/또는 반응성 가스들, 이를테면 산소, 질소, 수소 및 암모니아, 오존, 활성화된 가스들 등을 포함할 수 있다.
[0085] 진공 챔버(610) 내에서, 기판(607)을 갖는 캐리어(606)를 진공 챔버(610) 안팎으로 이송하기 위해, 롤러들(608)이 제공된다. 본원에서 사용되는 용어 "기판"은, 비가요성(inflexible) 기판들(예컨대, 유리 기판, 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명한 결정의 슬라이스(slice)들) 및 가요성 기판들(이를테면, 웹(web) 또는 포일(foil)) 둘 모두를 포괄할 것이다.
[0086] 증착 소스의 추가적인 세부사항들은 앞서 설명된 실시예들 중 하나로부터 또는 앞서 설명된 실시예들 중 임의의 것을 결합시킴으로써 취해질 수 있으며, 그러한 실시예들은 여기서 반복되지 않는다.
[0087] 도 9는 본원에 설명되는 실시예들에 따른, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 동작시키는 방법의 흐름도를 도시한다. 방법은, 제1 박스(902)에서, 애노드 어셈블리를, 마그넷 어셈블리에 따라 그리고 특히, 스퍼터링될 타겟 재료를 제공하는 캐소드에 관해 이동시키는 단계를 포함한다. 방법은, 애노드 어셈블리를, 캐소드의 축(예컨대, 캐소드의 회전 축)에 관해 마그넷 어셈블리를 따라 이동시키는 단계를 포함할 수 있다. 애노드 어셈블리와 마그넷 어셈블리 간의 거리는, 적어도 각각의 스퍼터링 포지션들에서 또는 이동 전체에 걸쳐 본질적으로 일정하게 유지될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 마그넷 어셈블리 및 애노드 어셈블리는, 원통형 캐소드의 회전 축에 대응할 수 있는 공통 피봇 축을 중심으로 피봇팅한다.
[0088] 전술한 내용들이 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 스퍼터 증착(sputter deposition)을 위한 증착 소스(source)로서,
    증착될 타겟(target) 재료를 제공하기 위한 적어도 하나의 캐소드(110);
    이동가능한 마그넷 어셈블리(120); 및
    적어도 하나의 애노드 어셈블리(130)를 포함하며,
    상기 적어도 하나의 애노드 어셈블리(130)는 상기 마그넷 어셈블리(120)에 따라 이동가능하고, 상기 마그넷 어셈블리(120) 및 상기 애노드 어셈블리(130)는 피봇(pivot) 축들을 중심으로 또는 공통 피봇 축(A)을 중심으로 피봇가능한, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마그넷 어셈블리(120) 및 상기 애노드 어셈블리(130)는 상기 캐소드(110)에 관해 이동가능한, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  3. 제1항에 있어서,
    이동(movement) 동안의 상기 마그넷 어셈블리(120)와 상기 애노드 어셈블리(130) 간의 최소 거리와 상기 이동 동안의 상기 마그넷 어셈블리(120)와 상기 애노드 어셈블리(130) 간의 최대 거리 사이의 비가 0.7 초과이도록, 상기 마그넷 어셈블리는 제1 궤적을 따라 이동가능하고 그리고 상기 애노드 어셈블리는 제2 궤적을 따라 이동가능한, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마그넷 어셈블리는 제1 궤적을 따라 이동가능하고 그리고 상기 애노드 어셈블리는 제2 궤적을 따라 이동가능하고,
    상기 제1 궤적은 상기 캐소드(110) 내부의 원형 아크(arc)의 형상을 갖고 그리고/또는 상기 제2 궤적은 상기 캐소드(110) 외부의 원형 아크의 형상을 갖는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐소드(110)는 적어도 부분적으로 중공(hollow) 실린더로서 제공되고, 상기 마그넷 어셈블리(120)는 상기 중공 실린더 내에 배치되는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 캐소드(110)는 상기 마그넷 어셈블리(120) 및 상기 애노드 어셈블리(130)의 피봇 이동과 독립적으로 회전가능한, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마그넷 어셈블리(120)를 이동시키기 위한 마그넷 어셈블리 드라이브(drive) 유닛(422) 및/또는 상기 애노드 어셈블리(130)를 이동시키기 위한 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)을 포함하는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 캐소드(110)는 제1 축 단부(412) 및 상기 제1 축 단부에 대향하는 제2 축 단부(414)를 갖고,
    상기 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)은 상기 제1 축 단부(412)에 배치되고 그리고 상기 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛(422)은 상기 제2 축 단부(414)에 배치되는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 애노드 어셈블리(130)는 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)를 포함하고,
    상기 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)은, 상기 제1 애노드(332)와 상기 마그넷 어셈블리(120) 간의 제1 거리(D1) 및 상기 제2 애노드(334)와 상기 마그넷 어셈블리(120) 간의 제2 거리(D2) 중 적어도 하나가 이동 동안 본질적으로(essentially) 일정하게 유지되도록, 상기 제1 애노드 및 상기 제2 애노드를 이동시키도록 구성되는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 캐소드(110)의 중심에 관한 상기 제1 애노드(332)와 상기 제2 애노드(334) 사이의 각도는 30°초과 200°미만이고,
    상기 마그넷 어셈블리(120)는 본질적으로 상기 제1 애노드(332)와 상기 제2 애노드(334) 사이의 중심 각도 포지션에 로케이팅되는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  12. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 애노드 어셈블리(130)는 제1 애노드(332) 및 제2 애노드(334)를 포함하며,
    상기 제1 애노드(332) 및 상기 제2 애노드(334)는 하우징(550)에 의해 연결되는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 하우징(550)은, 스트레이(stray) 코팅으로부터 상기 캐소드(110)를 실딩(shield)하기 위해 상기 캐소드의 바깥 원주 섹션을 커버하는, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스.
  14. 스퍼터링 장치(600)로서,
    진공 챔버(610); 및
    스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 포함하며,
    상기 증착 소스는,
    증착될 타겟 재료를 제공하기 위한 적어도 하나의 캐소드(110),
    이동가능한 마그넷 어셈블리(120), 및
    적어도 하나의 애노드 어셈블리(130)
    를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 애노드 어셈블리(130)는 상기 마그넷 어셈블리(120)에 따라 이동가능하고, 상기 마그넷 어셈블리(120) 및 상기 애노드 어셈블리(130)는 피봇 축들을 중심으로 또는 공통 피봇 축(A)을 중심으로 피봇가능하며,
    상기 적어도 하나의 캐소드(110), 상기 마그넷 어셈블리(120), 및 상기 적어도 하나의 애노드 어셈블리(130)는 상기 진공 챔버(610) 내부에 포지셔닝되고, 상기 마그넷 어셈블리를 이동시키기 위한 마그넷 어셈블리 드라이브 유닛(422) 및/또는 상기 애노드 어셈블리를 이동시키기 위한 애노드 어셈블리 드라이브 유닛(432)은 상기 진공 챔버(610) 외부에 포지셔닝되는, 스퍼터링 장치.
  15. 스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 동작시키는 방법으로서,
    마그넷 어셈블리(120)에 따라 그리고 증착될 타겟 재료를 제공하는 캐소드(110)에 관해 애노드 어셈블리(130)가 이동되고, 상기 마그넷 어셈블리(120) 및 상기 애노드 어셈블리(130)는 피봇 축들을 중심으로 또는 공통 피봇 축(A)을 중심으로 피봇가능한, 스퍼터 증착을 위한 증착 소스를 동작시키는 방법.
  16. 삭제
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018130301A1 (en) * 2017-01-13 2018-07-19 Applied Materials, Inc. Sputter deposition apparatus for coating a substrate and method of performing a sputter deposition process
CN113169024A (zh) * 2018-12-19 2021-07-23 瑞士艾发科技 沉积化合物层的真空***和方法
CN109576663A (zh) * 2019-02-01 2019-04-05 云谷（固安）科技有限公司 磁控溅射装置以及磁控溅射方法
CN111394689A (zh) * 2020-04-15 2020-07-10 辽宁北宇真空科技有限公司 一种镀膜基片的等离子清洗装置及其使用方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080173535A1 (en) * 2006-11-14 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Magnetron Sputtering Source, Sputter-Coating Installation, and Method for Coating a Substrate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2101638B (en) * 1981-07-16 1985-07-24 Ampex Moveable cathodes/targets for high rate sputtering system
US5108574A (en) * 1991-01-29 1992-04-28 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
JPH04371575A (ja) * 1991-06-19 1992-12-24 Fujitsu Ltd スパッタ装置
JPH0565634A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Rohm Co Ltd スパツタ装置
KR100325969B1 (ko) * 1993-01-15 2002-08-08 더 비오씨 그룹 인코포레이티드 스퍼터링장치와원통형단부보호장치형성방법및스퍼터에칭방법
CA2123479C (en) * 1993-07-01 1999-07-06 Peter A. Sieck Anode structure for magnetron sputtering systems
US5873989A (en) * 1997-02-06 1999-02-23 Intevac, Inc. Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering
JP3242372B2 (ja) * 1998-10-30 2001-12-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スパッタリング装置及び成膜方法
JP4246547B2 (ja) * 2003-05-23 2009-04-02 株式会社アルバック スパッタリング装置、及びスパッタリング方法
DE10336422A1 (de) * 2003-08-08 2005-03-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
EP2306489A1 (en) * 2009-10-02 2011-04-06 Applied Materials, Inc. Method for coating a substrate and coater
JP2012107303A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Fuji Electric Co Ltd スパッタリング成膜装置及び太陽電池製造装置
CN202187059U (zh) * 2011-07-29 2012-04-11 深圳天泽镀膜有限公司 一种靶材真空溅射移位装置
JP6073383B2 (ja) * 2012-03-12 2017-02-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ スパッタ堆積用の小型の回転可能なスパッタデバイス
CN103911592B (zh) * 2014-03-19 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种磁控溅射装置及方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080173535A1 (en) * 2006-11-14 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Magnetron Sputtering Source, Sputter-Coating Installation, and Method for Coating a Substrate

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