KR101947382B1 - Method for preparing organic electronic device - Google Patents

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Abstract

본 출원은 유기전자장치의 제조 방법, 그 유기전자장치 및 그 용도에 관한 것이다. 본 출원에서는 유기전자장치의 제조 공정에서 패드 영역의 노출을 단순한 공정으로 효율적으로 수행할 수 있는 방법, 그 방법에 따라 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공할 수 있다. The present application relates to a method for manufacturing an organic electronic device, an organic electronic device and a use thereof. The present application can provide a method of efficiently performing exposure of a pad area by a simple process in a manufacturing process of an organic electronic device, an organic electronic device manufactured according to the method, and a use thereof.

Description

유기전자장치의 제조 방법{METHOD FOR PREPARING ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}[0001] METHOD FOR PREPARING ORGANIC ELECTRONIC DEVICE [0002]

본 출원은, 유기전자장치의 제조 방법, 그 유기전자장치 및 상기 장치의 용도에 관한 것이다.The present application relates to a method of manufacturing an organic electronic device, its organic electronic device and the use of the device.

유기전자장치(OED; Organic Electronic Device)의 종류에는 유기발광소자(OLED, Organic Light Emitting Device), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.Examples of the organic electronic device include an organic light emitting device (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), and an organic transistor.

유기전자장치는 수분 등과 같은 외부 인자에 취약한 유기층을 포함하기 때문에, 예를 들면, 특허문헌 1 내지 4 등은 외래 물질의 침투를 차단할 수 있는 구조들을 제안하고 있다.Since the organic electronic device includes an organic layer which is vulnerable to external factors such as moisture, for example, Patent Documents 1 to 4 propose structures capable of blocking the penetration of foreign substances.

특히, 기판으로서 배리어성이 우수한 유리 기판을 사용하는 경우와 달리 기판으로서 고분자 필름 등을 사용하는 플렉서블 구조의 경우 상기와 같은 외래 물질의 침투 차단이 보다 중요한 이슈이다. Particularly, in the case of a flexible structure using a polymer film or the like as a substrate unlike the case of using a glass substrate having excellent barrier properties as a substrate, it is more important to prevent penetration of foreign materials as described above.

이에 따라 상기 플렉서블 구조에서는 소자 제작 과정에서 소자의 상부 전면에 배리어층을 형성하는 공정이 요구될 수 있다.Accordingly, in the flexible structure, a process of forming a barrier layer on the upper surface of the device during the device fabrication process may be required.

그런데, 상부 전면에 배리어층을 형성하는 경우에도 외부 회로 등과 연결되는 패드 영역은 노출시킬 필요가 있다. 따라서, 상기 노출을 위해 배리어층을 형성할 때에 마스크 등을 사용하는 것을 생각할 수 있지만, 이에 따라 공정의 수가 증가하게 되고, 상기에 따라 균일한 배리어층을 형성하기 어려운 문제도 있다. 특히 배리어성이 우수한 배리어층을 형성하기 위한 방법으로서 소위 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식을 적용하게 되면, 공정 속성상 마스킹 공정을 적용하는 것 자체가 쉽지 않다. 따라서, 상부 전면에 ALD 방식으로 배리어층을 증착한 후 ACF bonding과 같은 후 공정 시 패드 영역 상부의 배리어층을 패터닝하는 방법이 사용되고 있다. 그러나, 상기 방법은 모델별로 패터닝을 위한 마스크를 별도로 준비하여야 하므로, 공정이 복잡하고, 시간 및 비용이 많이 소요되는 문제점이 있다. However, even when the barrier layer is formed on the upper surface, it is necessary to expose a pad region connected to an external circuit or the like. Therefore, it is conceivable to use a mask or the like when forming the barrier layer for the exposure, but this increases the number of steps and makes it difficult to form a uniform barrier layer. Particularly, when a so-called ALD (Atomic Layer Deposition) method is applied as a method for forming a barrier layer having excellent barrier properties, it is difficult to apply a masking process in terms of process characteristics. Therefore, a method of patterning the barrier layer over the pad region in a post-process such as ACF bonding after depositing a barrier layer by ALD method on the upper surface is used. However, the above method requires a mask for patterning separately for each model, which complicates the process and requires a long time and cost.

미국특허 제6,226,890호U.S. Patent No. 6,226,890 미국특허 제6,808,828호U.S. Patent No. 6,808,828 일본공개특허 제2000-145627호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-145627 일본공개특허 제2001-252505호Japanese Patent Laid-Open No. 2001-252505

본 출원은, 유기전자장치의 제조 방법, 그 유기전자장치 및 그 용도를 제공한다. 본 출원에서는 유기전자장치의 제조 공정에서 패드 영역의 노출을 단순한 공정으로 효율적으로 수행할 수 있는 방법, 그 방법에 따라 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공하는 것을 주요 내용으로 한다.The present application provides a method of manufacturing an organic electronic device, its organic electronic device, and its use. The present invention is directed to a method for efficiently performing exposure of a pad area in a simple process in a manufacturing process of an organic electronic device, an organic electronic device manufactured by the method, and a use thereof.

본 출원은 유기전자장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원의 제조 방법은, 소자 영역과 패드 영역이 형성되어 있는 기판상에 배리어층과 같은 무기물의 층을 형성하는 과정에서 상기 소자 영역에 대응되는 배리어층 상에 밀도가 높은 고분자 층을 형성한 후, 상기 패드 영역 상에 형성된 배리어층의 제거를 통해 패드 영역을 노출시키는 것을 주요 내용 중 하나로 한다. The present application relates to a method of manufacturing an organic electronic device. In the manufacturing method of the present application, a polymer layer having a high density is formed on a barrier layer corresponding to the device region in the process of forming a layer of an inorganic material such as a barrier layer on a substrate on which a device region and a pad region are formed And exposing the pad region through removal of the barrier layer formed on the pad region.

이에 따라 본 출원의 제조 방법은, 순차 적층되어 있는 제 1 전극층; 유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자 영역과 상기 제 1 또는 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 패드 영역이 상부에 형성되어 있는 기판 상에 무기물층을 형성하는 단계; 상기 소자 영역에 대응하는 무기물층 상에 고분자막을 형성하는 단계 및 상기 패드 영역 상의 무기물층을 제거하여 패드 영역을 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.Accordingly, a manufacturing method of the present application includes: a first electrode layer sequentially formed; Forming an inorganic layer on a substrate on which an element region including an organic layer and a second electrode layer and a pad region electrically connected to the first or second electrode layer are formed on the substrate; Forming a polymer layer on the inorganic layer corresponding to the device region, and removing the inorganic layer on the pad region to expose the pad region.

상기에서 소자 영역과 패드 영역이 형성되어 있는 기판의 형태는 특별히 제한되지 않고, 공지의 내용이 적용될 수 있다.The shape of the substrate on which the device region and the pad region are formed is not particularly limited, and known contents can be applied.

도 1은 상부에 제 1 전극층(2011), 유기층(2012) 및 제 2 전극층(2013)을 포함하는 소자 영역(201)과 패드 영역(301)이 형성되어 있는 기판(101)을 예시적으로 보여준다. 상기 소자 영역과 패드 영역은 기판의 상부 면에 서로 이격된 상태로 존재할 수 있다. 상기 기판에는 공지의 내용에 따라 활성 영역(예를 들면, 발광 영역)을 규정하는 절연층(2014)이 형성되어 있을 수 있다.1 illustrates an exemplary substrate 101 on which an element region 201 including a first electrode layer 2011, an organic layer 2012 and a second electrode layer 2013 and a pad region 301 are formed thereon . The device region and the pad region may be spaced apart from each other on the upper surface of the substrate. The substrate may be provided with an insulating layer 2014 which defines an active region (for example, a light emitting region) according to known contents.

본 명세서에서, 용어 「상부」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 제 1 전극층에서 제 2 전극층을 향한 방향을 의미하고, 용어 「하부」는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 제 2 전극층에서 제 1 전극층을 향한 방향을 의미할 수 있다.In this specification, the term "upper" means a direction from the first electrode layer to the second electrode layer, unless otherwise specified, and the term "lower" means a direction in which the first electrode layer Can be used to refer to the direction to which it is directed.

이하 명세서에서는 설명의 편의를 위하여 상기 구조에서 제 1 전극층의 하부에 존재하는 모든 요소를 포함하는 영역을 기판 영역으로 호칭하고, 제 1 전극층과 제 2 전극층 및 그 사이에 존재하는 모든 요소를 포함하는 영역을 소자 영역으로 호칭할 수 있다.In the following description, for convenience of description, a region including all the elements existing under the first electrode layer in the structure is referred to as a substrate region, and a first electrode layer and a second electrode layer, The region can be referred to as an element region.

기판 영역에 포함되는 상기 기판(101)으로는 특별한 제한 없이 공지의 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 유기전자장치로서 플렉서블 장치를 구현하고자 하는 경우 기판으로는 업계에서 통상 플렉서블 소자의 구현에 사용될 수 있는 것으로 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 플렉서블 소자의 구현에 사용될 수 있는 것으로 알려져 있는 기판의 대표적인 예로는 박막의 유리 필름이나 고분자 필름 등이 있다. 유리 필름으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등으로 형성된 필름이 예시될 수 있고, 고분자 필름으로는, PI(polyimide), PEN(Polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 필름이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The substrate 101 included in the substrate region may be a known substrate without any particular limitation. For example, if it is desired to implement a flexible device as an organic electronic device, a substrate commonly known in the art as being usable for the implementation of a flexible device can be used. Representative examples of substrates that are known to be usable in the implementation of flexible devices include thin film glass films and polymer films. As the glass film, a film formed of soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass or quartz can be exemplified. Examples of the polymer film include polyimide (PI) (PEN), poly (ethylene naphthalate), PC (polycarbonate), acrylic resin, poly (ethylene terephthalate) It is not.

유기전자장치가 유기발광장치이고, 유기층에서 생성된 광이 기판 영역측으로 방출되도록 설계되는 장치라면, 상기 기판으로는 투광성 필름을 사용할 수 있다. 용어 투광성 필름은, 예를 들면, 가시광 영역 중 어느 하나의 광 또는 전체 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상 또는 80% 이상인 필름을 의미할 수 있다. 다만, 광이 기판 영역이 아닌 다른 방향으로 방출되도록 설계되는 경우에 기재 필름이 반드시 투광성 필름일 필요는 없다. 필요하다면 필름의 표면 등에는 알루미늄 등의 반사성 물질을 사용하여 반사층이 형성되어 있을 수도 있다. 필요에 따라서 상기 기재 필름은, 구동용 TFT(Thin Film Transistor)가 존재하는 TFT 기재 필름일 수도 있다.If the organic electronic device is an organic light emitting device and the light generated in the organic layer is designed to be emitted toward the substrate region, the substrate may be a light transmitting film. The term translucent film may mean, for example, a film having a transmittance of at least 50%, at least 60%, at least 70%, or at least 80% for light in any one of the visible light regions or in the entire visible light region. However, when the light is designed to be emitted in a direction other than the substrate area, the base film need not necessarily be a light-transmissive film. If necessary, a reflective layer may be formed on the surface of the film using a reflective material such as aluminum. The base film may be a TFT base film in which a driving TFT (Thin Film Transistor) exists, if necessary.

기판으로 고분자 필름을 사용하는 경우에 상기 필름으로는 열팽창계수(CTE)가 5 ppm/°C 내지 70ppm/°C의 범위 내에 있는 것을 사용할 수 있다. 유기전자장치를 구성하는 각 층은 서로 특성, 예를 들면, 팽창 또는 수축 거동이 상이한 소재로 이루어지고, 이에 따라 온도나 습도 등의 외부 요인 또는 소자의 구부림(bending) 등에 의해 결함(defect)이 발생할 수 있는데, 이러한 결함의 완화 또는 방지를 위해 기재 필름의 열팽창계수가 조절될 수 있다. 상기에서 열팽창계수(CTE)의 다른 하한은, 10 ppm/°C 정도일 수 있고, 다른 상한은, 예를 들면, 65ppm/°C, 60ppm/°C, 55ppm/°C 또는 50ppm/°C 정도일 수 있다.When a polymer film is used as the substrate, the film may have a coefficient of thermal expansion (CTE) in a range of 5 ppm / ° C to 70 ppm / ° C. Each of the layers constituting the organic electronic device is made of a material having a different property, for example, an expansion or shrinking behavior, and accordingly, defects are generated due to external factors such as temperature or humidity or bending of the device. The coefficient of thermal expansion of the base film can be adjusted to mitigate or prevent such defects. The other lower limit of the CTE may be about 10 ppm / ° C and the other upper limit may be about 65 ppm / ° C, 60 ppm / ° C, 55 ppm / ° C, or 50 ppm / have.

기판으로 고분자 필름을 사용하는 경우에 상기 필름으로는 유리전이온도가 200°C 이상인 것을 사용할 수 있다. 기재 필름상에는 고온에서 진행될 수 있는 증착이나 패턴 공정 등이 수행될 수 있고, 이러한 경우에 최종 장치의 성능을 고려하여 기재 필름의 유리전이온도를 상기 범위 내로 조절할 수 있다. 유리전이온도는, 다른 예시에서 210°C 이상, 220°C 이상, 230°C 이상, 240°C 이상 또는 250°C 이상일 수 있다. 유리전이온도의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 400°C, 350°C 또는 300°C 정도일 수 있다.When a polymer film is used as the substrate, the film may have a glass transition temperature of 200 ° C or higher. A deposition process or a pattern process that can be performed at a high temperature can be performed on the base film. In this case, the glass transition temperature of the base film can be controlled within the above range in consideration of the performance of the final device. The glass transition temperature may, in another example, be 210 ° C or higher, 220 ° C or higher, 230 ° C or higher, 240 ° C or 250 ° C or higher. The upper limit of the glass transition temperature is not particularly limited, and may be, for example, about 400 ° C, 350 ° C, or 300 ° C.

기판의 표면 거칠기(RMS, Root Mean Square)는 0.1 nm 내지 5 nm의 범위 내로 조절될 수 있다. 유기전자소자의 구조에서는 상기 기판 상부에 배리어층을 포함하여 내구성이 확보될 수 있는데, 기판 상부에 직접 배리어층이 형성되는 경우 RMS가 상기 범위 내에 있는 기판 표면에 배리어층을 형성함으로써, 배리어층의 성능을 개선할 수 있다. RMS는, 다른 예시에서 4 nm 이하, 3 nm 이하, 2.5 nm 이하 또는 2 nm 이하일 수 있다.The surface roughness (RMS) of the substrate can be adjusted within a range of 0.1 nm to 5 nm. In the structure of the organic electronic device, durability can be ensured by including a barrier layer on the substrate. If a barrier layer is directly formed on the substrate, a barrier layer is formed on the surface of the substrate having an RMS within the range, Performance can be improved. The RMS may, in another example, be 4 nm or less, 3 nm or less, 2.5 nm or less, or 2 nm or less.

유기전자장치가 유기발광장치이고, 유기층에서 생성된 광이 기판 영역측으로 방출되도록 설계되는 장치라면, 기판으로는, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상인 것을 사용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 약 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률이다. 기판의 굴절률을 상기 범위로 조절하여, 예를 들면, 유기층에서의 광이 진행하는 과정에서 발생할 수 있는 전반사의 확률을 줄이는 등의 방식으로 높은 광추출 효율을 유지할 수 있다. 기판의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 2.0 정도일 수 있다.If the organic electronic device is an organic light emitting device and the device is designed such that the light generated in the organic layer is emitted toward the substrate area side, the substrate may be one having a refractive index of at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.7 or at least about 1.75 . As used herein, the term refractive index refers to the refractive index measured for light at a wavelength of about 550 nm, unless otherwise specified. It is possible to maintain the high light extraction efficiency by adjusting the refractive index of the substrate to the above range, for example, by reducing the probability of total reflection that may occur in the course of light in the organic layer. The upper limit of the refractive index of the substrate is not particularly limited, and may be, for example, about 2.0.

필요하다면, 기판으로는 헤이즈(haze)가 있는 것을 사용할 수 있다. 헤이즈를 가지는 경우에 기판의 헤이즈는 3% 내지 90%의 범위 내에 있을 수 있다. 헤이즈의 다른 하한은, 예를 들면, 5% 또는 10% 정도일 수 있다. 또한, 헤이즈의 다른 상한은, 예를 들면, 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35% 또는 30% 정도일 수 있다. 기판이 헤이즈를 가지도록 하는 방법은 특별히 제한되는 것은 아니며, 헤이즈를 발생시키기 위해 통상 적용되고 있는 방식이 적용될 수 있다. 예를 들면, 고분자 필름의 경우, 주변 고분자 매트릭스와는 상이한 굴절률을 가지고, 적절한 평균 입경을 가지는 산란 입자를 첨가하는 방식이나, 고분자 자체에 헤이즈를 나타낼 수 있도록 하는 단량체, 예를 들면, 고분자의 주쇄와는 상이한 범위의 굴절률을 나타내는 단량체를 중합시키고, 이러한 고분자를 사용하여 필름을 형성하는 방법 등이 적용될 수 있다.If necessary, a substrate having a haze may be used. When having haze, the haze of the substrate may be in the range of 3% to 90%. The other lower limit of the haze may be, for example, 5% or 10%. The other upper limit of the haze may be, for example, about 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35% . The method of causing the substrate to have a haze is not particularly limited, and a conventionally applied method for generating haze may be applied. For example, in the case of a polymer film, a method of adding scattering particles having a refractive index different from that of the surrounding polymer matrix and having an appropriate average particle size, or a method of adding a monomer capable of exhibiting haze in the polymer itself, A method of polymerizing a monomer exhibiting a refractive index in a range different from that of the polymer and forming a film using such a polymer may be applied.

기판의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 목적하는 성능, 예를 들면, 가요성이나 광추출 효율 또는 배리어성을 고려하여 적정 범위에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 기판의 두께는 10㎛ 내지 50㎛의 범위 내 또는 20㎛ 내지 30㎛의 범위 내일 수 있다.The thickness of the substrate is not particularly limited and may be selected within an appropriate range in consideration of the desired performance, for example, flexibility, light extraction efficiency, or barrier property. For example, the thickness of the substrate may be in the range of 10 占 퐉 to 50 占 퐉 or in the range of 20 占 퐉 to 30 占 퐉.

기판 영역은 배리어층을 포함할 수 있다. 유리 기판과 같이 재료의 속상상 배리어성이 우수한 기판이 적용되는 리지드(rigid) 소자와는 달리 배리어성이 떨어지는 고분자 필름 등이 적용되는 플렉서블 소자 구조의 특성상 기판 영역에는 기재 필름측으로부터 침투하는 수분 등의 외부 인자를 차단할 수 있는 배리어층이 요구될 수 있다. 본 명세서에서 용어 「배리어성」은, 수분 또는 습기 등과 같이 유기층 등의 소자의 성능에 악영향을 줄 수 있는 외부 인자의 침투를 차단, 억제 또는 완화할 수 있는 성능을 의미할 수 있다. The substrate region may comprise a barrier layer. Unlike a rigid device in which a substrate having excellent fast phase barrier properties such as a glass substrate is applied, due to the characteristics of a flexible device structure to which a low barrier property film is applied, moisture penetrating from the substrate film side A barrier layer capable of blocking external factors of the barrier layer may be required. As used herein, the term " barrier property " may mean the ability to block, inhibit, or mitigate the penetration of external factors that can adversely affect the performance of an element such as an organic layer, such as moisture or moisture.

예를 들어, 배리어층은, WVTR(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4 g/m2/day 이하일 수 있다. 본 명세서에서 WVTR은, 40°C 및 90% 상대 습도 조건에서 측정기(예를 들면, PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc.)를 사용하여 측정될 수치일 수 있다.For example, the barrier layer may have a water vapor transmission rate (WVTR) of less than 10 -4 g / m 2 / day. The WVTR herein may be a value to be measured using a meter (e.g., PERMATRAN-W3 / 31, MOCON, Inc.) at 40 ° C and 90% relative humidity conditions.

배리어층의 재료로는 수분 및 산소 등의 외부 인자의 침투를 완화, 방지 또는 억제할 수 있는 것으로 알려진 것을 사용할 수 있다. 이러한 소재로는, In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2, Ti3O3 , Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및, CeO2및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; MgF2, LiF, AlF3 및 CaF2 등의 금속 불화물; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀; 폴리메틸(메타)크릴레이트 등의 폴리((메타)아크릴레이트); 폴리이미드; 폴리우레아; 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로에틸렌, 또는 클로로트리플루오로에틸렌과 디클로로디플루오로에틸렌의 공중합체 등의 불소계 폴리머; V3D3(trivinyltrimethylcyclotrisiloxane), HVDSO(hexamethyldisiloxane) 또는 TVTSO(1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane) 등의 소재로부터 형성되는 유기 실리콘; 주쇄에 환상 구조를 갖는 불소계 폴리머; 또는 상기 폴리머를 형성하는 단량체 중에서 2종 이상의 공중합체 등이나 기타 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료나 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료 등으로 알려진 재료들이 포함될 수 있다.As the material of the barrier layer, those known to mitigate, prevent or inhibit penetration of external factors such as moisture and oxygen can be used. Examples of such materials include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti and Ni; TiO, TiO 2, Ti 3 O 3, Al 2 O 3, MgO, SiO, SiO 2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3, Y2O 3, ZrO 2, Nb 2 O 3 and, CeO 2, and ; Metal nitrides such as SiN; Metal oxynitrides such as SiON; Metal fluorides such as MgF 2 , LiF, AlF 3 and CaF 2 ; Polyolefins such as polyethylene or polypropylene; Poly ((meth) acrylates) such as polymethyl (meth) acrylate; Polyimide; Polyurea; Fluorine-based polymers such as polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichloro difluoroethylene, and copolymers of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene; Organic silicon formed from materials such as V3D3 (trivinyltrimethylcyclotrisiloxane), HVDSO (hexamethyldisiloxane) or TVTSO (1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane); A fluorine-based polymer having a cyclic structure in its main chain; Or a copolymer of two or more of the monomers forming the polymer, and other known materials such as an absorbent material having a water absorption rate of 1% or more and a moisture-proof material having an absorption coefficient of 0.1% or less.

배리어층은 단층 구조이거나 다층 구조일 수 있다. 다층 구조인 경우에 배리어층은, 동종 또는 이종의 무기물층이나 유기물층이 적층된 구조이거나, 혹은 무기물층과 유기물층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 다층 구조의 경우 각층이 모두 배리어성을 가지는 재료로 형성되어야 하는 것은 아니며, 최종적으로 형성된 다층 구조가 목적하는 배리어성을 나타낼 수 있다면, 다층 구조 중 일부의 층은 배리어성이 없는 층으로 형성될 수도 있다. 본 출원에서 용어 무기물층 또는 유기물층은, 반드시 무기물 또는 유기물만으로 형성되는 층을 의미하는 것은 아니며, 각각 무기물 또는 유기물을 주성분, 예를 들면, 중량을 기준으로 60 중량% 이상 또는 60 중량%를 초과하는 양으로 포함하는 층을 의미할 수 있다. 배리어층의 형성 과정에서 발생할 수 있는 핀홀(pin hole) 등과 같은 결합의 증식(propargation) 등을 방지하고, 보다 우수한 배리어성을 가지는 층을 형성하는 측면에서 배리어층을 다층 구조로 형성할 수 있다. 또한, 다층 구조의 배리어층은, 후술하는 굴절률이 확보되는 배리어층의 형성에도 유리할 수 있다. The barrier layer may be a single layer structure or a multilayer structure. In the case of a multilayer structure, the barrier layer may include a structure in which a homogeneous or heterogeneous inorganic material layer or an organic material layer is laminated, or a structure in which an inorganic material layer and an organic material layer are laminated. In the case of a multi-layer structure, not all of the layers should be formed of a material having barrier properties, and if the finally formed multi-layer structure can exhibit the desired barrier property, some of the multi-layer structure may be formed as a non- have. In this application, the term inorganic or organic layer does not necessarily mean a layer formed solely of an inorganic or organic material, but it is also possible to use an inorganic or organic material in an amount of 60 wt% or more or 60 wt% Can mean a layer containing an amount. The barrier layer can be formed in a multi-layered structure on the side of forming a layer having more excellent barrier properties by preventing the formation of bonds such as pin holes or the like which may occur during the formation of the barrier layer. Further, the barrier layer of a multilayer structure may be advantageous also for the formation of a barrier layer which secures a refractive index, which will be described later.

배리어층은 하부에 존재하는 기판과의 굴절률의 차이가 가능한 작은 것이 적절할 수 있다. 예를 들면, 배리어층과 기판과의 굴절률의 차이의 절대값은, 약 1 이하, 0.7 이하, 0.5 이하 또는 0.3 이하일 수 있다. 따라서, 기판이 전술한 바와 같은 높은 굴절률을 가지는 경우에는 배리어층도 그와 동등한 수준의 굴절률이 확보될 수 있다. 예를 들면, 배리어층의 굴절률은, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상일 수 있다. 배리어층의 굴절률을 상기 범위로 조절하여, 예를 들면, 유기층에서의 광이 진행하는 과정에서 발생할 수 있는 전반사의 가능성을 줄이는 등의 방식으로 높은 광추출 효율을 유지할 수 있다. 배리어층의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 2.0 정도일 수 있다. It may be appropriate that the barrier layer is as small as possible as long as the difference in refractive index between the barrier layer and the underlying substrate is as small as possible. For example, the absolute value of the difference in refractive index between the barrier layer and the substrate may be about 1 or less, 0.7 or less, 0.5 or less, or 0.3 or less. Therefore, when the substrate has a high refractive index as described above, the refractive index of the barrier layer can be ensured to the same level as that of the barrier layer. For example, the refractive index of the barrier layer may be about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.7 or more, or about 1.75 or more. The refractive index of the barrier layer may be controlled within the above range to maintain high light extraction efficiency by reducing the possibility of total reflection that may occur in the course of light in the organic layer. The upper limit of the refractive index of the barrier layer is not particularly limited, and may be, for example, about 2.0.

배리어층은, 예를 들면, 제 1 굴절률을 가지는 제 1 서브층과 상기 제 1 굴절률과는 다른 제 2 굴절률을 가지는 제 2 서브층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 필요한 경우에 상기 적층 구조는 2회 이상 반복될 수 있다. 예를 들어, 전술한 바와 같은 높은 굴절률의 확보를 위하여, 상기 제 1 서브층으로는 굴절률이 1.4 내지 1.9의 범위 내에 있는 층을 형성하고, 상기 제 2 서브층으로는 굴절률이 2.0 내지 2.6인 층을 형성할 수 있다. 이러한 층들이 각각 하나 이상 형성되어 전술한 굴절률의 배리어층이 형성될 수 있다. 이러한 구조의 예로는, Al2O3층 및 TiO2층의 적층 구조가 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. The barrier layer may include, for example, a laminated structure of a first sublayer having a first refractive index and a second sublayer having a second refractive index different from the first refractive index. If desired, the laminate structure may be repeated two or more times. For example, in order to secure a high refractive index as described above, a layer having a refractive index in the range of 1.4 to 1.9 is formed in the first sub-layer, and a layer having a refractive index in the range of 2.0 to 2.6 is formed in the second sub- Can be formed. At least one of these layers may be formed to form a barrier layer having the above-described refractive index. As an example of such a structure, a laminated structure of an Al 2 O 3 layer and a TiO 2 layer can be exemplified, but is not limited thereto.

배리어층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 예를 들면, 배리어층의 두께는 5 nm 내지 60 nm의 범위 내 또는 10 nm 내지 55 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 배리어층이 다층 구조인 경우에 다층 구조 내의 각 서브층의 두께 범위는, 예를 들면 약 0.5 nm 내지 10 nm 또는 약 0.5 nm 내지 5 nm의 범위 내일 수 있다.The thickness of the barrier layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. For example, the thickness of the barrier layer may be in the range of 5 nm to 60 nm or in the range of 10 nm to 55 nm. When the barrier layer is a multi-layer structure, the thickness range of each sub-layer in the multi-layer structure may be, for example, in the range of about 0.5 nm to 10 nm or about 0.5 nm to 5 nm.

우수한 배리어성 그리고 필요한 경우에 높은 굴절률의 달성을 위하여 배리어층을 형성하는 조건이 조절될 수 있다. 높은 배리어성을 확보하는 방법으로는, 배리어층을 평탄면, 예를 들면, 표면 거칠기(RMS, Root Mean Square)가 5 nm 이하, 4.5 nm 이하, 4.0 nm 이하, 3.5 nm 이하, 3.0 nm 이하, 2.5 nm 이하, 2.0 nm 이하, 1.5 nm 이하, 1.0 nm 이하 또는 0.5 nm 이하인 면에 형성하는 방식을 들 수 있다. 배리어층을 상기와 같은 평탄면상에 형성함으로써 우수한 막질을 가져서 높은 배리어성이 확보되는 층이 얻어질 수 있다. 배리어층이 형성되는 면의 표면 거칠기는, 자체적으로 평탄도가 우수한 소재를 사용하여 조절하거나, 혹은 후술하는 바와 같이 버퍼층 등을 통해 조절할 수 있다. 높은 배리어성을 확보하는 또 다른 방식으로는 배리어층의 형성 과정에서의 온도를 조절하는 방식이 있다. 즉, 통상 배리어층은, 물리적 또는 화학적 증착 방식을 사용하여 형성할 수 있는데, 이 과정에서 증착 온도를 고온, 예를 들면, 200°C 이상의 수준으로 조절할 경우에 배리어층이 형성되는 면의 평탄도가 상기와 같이 조절되지 않는 경우에도 우수한 배리어성이 확보될 수 있다.The conditions for forming the barrier layer can be adjusted for achieving excellent barrier properties and, if necessary, high refractive index. As a method of ensuring high barrier properties, the barrier layer may be formed on a flat surface such as a surface roughness (RMS) of 5 nm or less, 4.5 nm or less, 4.0 nm or less, 3.5 nm or less, 3.0 nm or less, 2.5 nm or less, 2.0 nm or less, 1.5 nm or less, 1.0 nm or less, or 0.5 nm or less. By forming the barrier layer on the flat surface as described above, a layer having excellent film quality and ensuring high barrier properties can be obtained. The surface roughness of the surface on which the barrier layer is formed can be adjusted by using a material having excellent flatness, or can be adjusted through a buffer layer or the like as described later. Another way to ensure high barrier properties is to control the temperature during the formation of the barrier layer. That is, the conventional barrier layer can be formed using a physical or chemical vapor deposition method. In this process, when the deposition temperature is controlled to a high temperature, for example, 200 ° C or more, the flatness of the surface on which the barrier layer is formed It is possible to secure an excellent barrier property even if it is not controlled as described above.

높은 배리어성을 확보하는 또 다른 방식으로는 배리어층 또는 그 배리어층이 형성되는 면이 되는 버퍼층을 형성하는 방식을 조절하는 방식이 있다. 즉, 통상 배리어층 또는 버퍼층은, 스퍼터링(sputtering), PLD(Pulsed Laser Deposition), 전자빔 증착(Electron beam evaporation), 열증착(thermal evaporation) 또는 L-MBE(Laser Molecular Beam Epitaxy) 등과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), i-CVD(initiated chemical vapor deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 ALD(Atomic Layer Deposition), MLD(Molecular Layer Deposition) 등의 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 방식으로 형성할 수 있는데, 사용되는 소재에 따라 적절한 형성 방식을 선택함으로써 배리어층 또는 버퍼층의 성능을 극대화할 수 있다. 상기 본 출원에서 기술한 재료를 사용한 층의 형성에는 CVD 방식이 적용될 수 있고, 특히 ALD 또는 i-CVD 방식이 적용될 수 있다. 보다 적합한 성능의 확보를 위하여 무기물층의 형성에는 ALD 방식을 적용하고, 유기물층의 형성에는 i-CVD 방식을 적용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 ALD층은 ALD 방식으로 형성된 층을 지칭하고, i-CVD층은 i-CVD 방식으로 형성된 층을 지칭한다.Another method of ensuring high barrier properties is to control the manner of forming the barrier layer or the buffer layer to be the surface on which the barrier layer is formed. That is, the conventional barrier layer or the buffer layer may be formed of a material such as PVD (physical) such as sputtering, pulsed laser deposition (PLD), electron beam evaporation, thermal evaporation, or L-MBE (Laser Molecular Beam Epitaxy) Vapor Deposition), MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy), i-CVD (Initiated Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition) (Chemical Vapor Deposition) such as Layer Deposition (CVD). The performance of the barrier layer or the buffer layer can be maximized by selecting an appropriate formation method depending on the material used. The CVD method can be applied to the formation of the layer using the material described in the present application, and in particular, the ALD or i-CVD method can be applied. For better performance, an ALD method may be used to form the inorganic layer, and an i-CVD method may be used to form the organic layer. As used herein, the term ALD layer refers to a layer formed in an ALD fashion and the i-CVD layer refers to a layer formed in an i-CVD process.

기판 영역은, 추가적인 층을 포함할 수 있다. 기판 영역에 추가적으로 존재할 수 있는 층으로는, 산란층, 버퍼층, 캐리어 기판, 배리어 필름 또는 접착층 등이 예시될 수 있다.The substrate region may include additional layers. As a layer which may additionally exist in the substrate region, a scattering layer, a buffer layer, a carrier substrate, a barrier film or an adhesive layer and the like can be exemplified.

버퍼층은, 층간 밀착성의 확보 또는 배리어층의 형성 시와 같이 평탄한 면이 요구되는 경우에 형성될 수 있다. 버퍼층이 형성될 수 있는 위치로는, 상기 기판의 상부, 후술하는 산란층이 형성되는 경우에 그 상부 또는 배리어층과 제 1 전극층의 사이 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 후술하는 바와 같이 필요한 경우에는 상부 영역도 버퍼층이 형성될 수 있으며, 본 명세서에서는 구별의 편의를 위하여 기판 영역에 형성되는 버퍼층은 제 1 버퍼층으로 호칭하고, 상부 영역에 형성되는 버퍼층은 제 2 버퍼층으로 호칭할 수 있다.The buffer layer can be formed when a flat surface is required, such as in securing interlayer adhesion or in forming a barrier layer. Examples of the position where the buffer layer can be formed include an upper part of the substrate or a scattering layer described later, or a space between the barrier layer and the first electrode layer, but the present invention is not limited thereto. The buffer layer formed in the substrate region may be referred to as a first buffer layer, and the buffer layer formed in the upper region may be referred to as a second buffer layer. Can be called.

유기층에서 광이 발생하고, 발생된 광이 기판 영역측으로 방출되도록 설계되는 경우에 상기 버퍼층은 고굴절층으로 형성될 수 있다. 본 명세서에서 용어 고굴절층은, 굴절률이 1.6 이상, 1.65 이상, 1.7 이상 또는 1.75 이상인 층을 의미할 수 있다. 고굴절층의 굴절률의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 약 2.5 또는 2.0 정도일 수 있다. When the light is generated in the organic layer and the generated light is designed to be emitted toward the substrate region, the buffer layer may be formed of a high-refraction layer. As used herein, the term high refractive index layer may refer to a layer having a refractive index of at least 1.6, at least 1.65, at least 1.7, or at least 1.75. The upper limit of the refractive index of the high-refractive-index layer is not particularly limited, and may be, for example, about 2.5 or 2.0.

버퍼층을 형성하는 소재는, 효율적인 형성이 가능하고, 층간 밀착성이나 평탄도를 적절하게 확보할 수 있는 것이라면 특별히 제한되지 않는다. 버퍼층은, 예를 들면, Al 등의 금속, SiOx, SiOxNv, SiNx, AlOx, ZnSnOx, ITO, ZnO, IZO, ZnS, MgO 또는 SnOx등의 무기 소재, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌이민, 폴리비닐알코올, 폴리아미드, 폴리티올, 폴리((메타)아크릴레이트) 또는 V3D3(trivinyltrimethylcyclotrisiloxane), HVDSO(hexamethyldisiloxane) 또는 TVTSO(1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane) 등의 소재로부터 형성되는 유기 실리콘 등과 같은 유기 소재 등을 사용하여 형성할 수 있다. 다른 예시에서 버퍼층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다. The material for forming the buffer layer is not particularly limited as long as it is capable of forming efficiently and securing the interlayer adhesion and the flatness appropriately. The buffer layer may be made of an inorganic material such as Al, a metal such as SiOx, SiOxNv, SiNx, AlOx, ZnSnOx, ITO, ZnO, IZO, ZnS, MgO or SnOx, a polycarbonate resin having a polyimide or fluorene ring (meth) acrylate), V3D3 (trivinyltrimethylcyclotrisiloxane), HVDSO (hexamethyldisiloxane), or a mixture of two or more of the following: Or an organic material such as organic silicon formed from a material such as TVTSO (1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane). In another example, the buffer layer may be formed by using a compound in which a compound such as an alkoxide or acylate of a metal such as zirconium, titanium or cerium is blended with a binder having a polar group such as a carboxyl group or a hydroxyl group. The compound such as the alkoxide or the acylate may undergo a condensation reaction with the polar group in the binder, and may incorporate the metal in the skeleton of the binder to realize a high refractive index. Examples of the alkoxide or acylate compound include titanium alkoxides such as tetra-n-butoxytitanium, tetraisopropoxytitanium, tetra-n-propoxytitanium or tetraethoxytitanium, titanium stearate and the like Titanium chelates, tetra-n-butoxyzirconium, tetra-n-propoxyzirconium, tetraisopropoxyzirconium or tetraethoxyzirconium, zirconium alkoxide such as zirconium tributoxystearate, Acylate, zirconium chelates, and the like.

버퍼층을 전술한 소재 중에서 적절한 소재를 선택하여 형성할 수 있다. 버퍼층이 높은 굴절률을 가지는 것이 요구되는 경우에, 전술한 소재 중에서 자체적으로 굴절률이 높은 소재를 선택하거나, 혹은 상기에서 선택된 적절한 소재와 고굴절 입자를 배합하거나, 혹은 소재 중에 Ti 전구체(Ti precursor) 등과 같은 고굴절 물질을 도입한 소재를 사용할 수 있다. 상기에서 용어 「고굴절 입자」는, 예를 들면, 굴절률이 1.5 이상, 2.0 이상 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 목적하는 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목적하는 굴절률로의 조절이 가능할 수 있다.The buffer layer can be formed by selecting a suitable material from the above-mentioned materials. When it is required that the buffer layer has a high index of refraction, it is preferable to select a material having a high index of refraction by itself from among the above-mentioned materials, or to combine the appropriate material selected with the high refractive index particles and the Ti precursor Materials with high refractive index materials can be used. The term " high refractive index particles " as used herein may mean, for example, particles having a refractive index of 1.5 or more, 2.0 or more, 2.5 or more, 2.6 or more, or 2.7 or more. The upper limit of the refractive index of the high refractive index particles can be selected within a range that can satisfy the desired refractive index, for example. The high refractive index particles may be, for example, from 1 nm to 100 nm, from 10 nm to 90 nm, from 10 nm to 80 nm, from 10 nm to 70 nm, from 10 nm to 60 nm, from 10 nm to 50 nm, Of the average particle diameter. As the high refractive index particles, alumina, aluminosilicate, titanium oxide, zirconium oxide, or the like can be exemplified. As the high refractive index particles, for example, rutile titanium oxide can be used as the particles having a refractive index of 2.5 or more. The rutile-type titanium oxide has a higher refractive index than other particles, and therefore, it is possible to adjust the refractive index to a desired value at a relatively small ratio.

버퍼층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 전술한 PVD 또는 CVD 중에서 적절한 방식이 적용될 수 있다. 다른 예시에서 버퍼층은, 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식 등을 포함한 다양한 습식 또는 건식 코팅 방식으로도 형성할 수도 있다.The method of forming the buffer layer is not particularly limited, and for example, an appropriate method may be applied among the PVD or CVD described above. In another example, the buffer layer may be formed by various wet processes including a sol-gel coating method in which a coating liquid is prepared by blending a metal alkoxide such as titanium alkoxide or zirconium alkoxide, and a solvent such as alcohol or water, Or a dry coating method.

버퍼층의 두께는 특별히 제한되지 않고, 버퍼층이 형성되는 위치 및 그 요구 기능 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층이 평탄면을 확보하기 위하여 산란층상에 형성되는 경우에는 평탄면의 확보를 위해 기판상에 형성되는 경우에 비하여 다소 높은 두께가 요구될 수 있다.The thickness of the buffer layer is not particularly limited and can be appropriately selected in consideration of the position where the buffer layer is formed and the required function. For example, in the case where the buffer layer is formed on the scattering layer to secure a flat surface, a somewhat higher thickness may be required than when the buffer layer is formed on the substrate to secure a flat surface.

기판 영역의 적절한 헤이즈의 확보를 위하여, 기판 영역은 산란층을 추가로 포함할 수 있다. 본 출원에서 용어 산란층은, 예를 들면, 상기 층으로 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있도록 형성되는 모든 종류의 층을 의미할 수 있다. 산란층은 상기와 같은 기능이 나타나도록 구현되는 한 구현 형태는 특별히 제한되지 않고, 공지의 소재 및 방식을 통해 구현될 수 있다. In order to ensure proper haze of the substrate region, the substrate region may further include a scattering layer. The term scattering layer in the present application may, for example, mean all kinds of layers formed to be able to scatter, refract, or diffract light incident on the layer. The scattering layer is not particularly limited as long as the above-described functions are realized to be realized, and can be implemented by known materials and methods.

기판 영역에 포함될 수 있는 다른 층으로는, 배리어 필름이 예시될 수 있다. 유리 기판 등과 같이 재료 속성상 배리어성이 우수한 기판이 사용되는 리지드 구조에 비하여 플렉서블 구조에서는 배리어성이 상대적으로 낮은 기판이 적용되고, 이에 따라서 배리어성의 보완을 위해 추가적인 배리어 필름이 예를 들면 기판의 하부에 존재할 수 있다. 배리어 필름으로는 특별한 제한 없이 적절한 배리어성과 필요한 경우에 투광성이 확보될 수 있는 것을 사용할 수 있다.As another layer that can be included in the substrate region, a barrier film can be exemplified. A substrate having relatively low barrier property is applied in a flexible structure in comparison with a rigid structure in which a substrate having excellent barrier properties such as a glass substrate is used. In order to compensate for the barrier property, therefore, an additional barrier film is formed, for example, Lt; / RTI > As the barrier film, there can be used those which can ensure appropriate barrier properties and transmittance when necessary, without any particular limitation.

배리어 필름은 예를 들면, 접착층에 의해 기판에 부착되어 있을 수 있다. 본 출원에서 용어 접착층은, 통상적으로 접착제로 호칭되고 있는 물질은 물론 소위 점착제로 호칭되는 소재 또는 점접착제로 호칭되는 소재 등을 사용하여 형성된 층도 포괄하는 용어이다. 상기 접착층을 형성하는 소재는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 아크릴 폴리머, 실리콘 폴리머, 고무계 폴리머, EVA(Ethylene vinyl acetate) 폴리머 또는 PIB(polyisobutylene) 등과 같은 올레핀 폴리머 등과 같은 공지의 점/접착 소재를 사용하여 형성할 수 있다.The barrier film may be attached to the substrate by, for example, an adhesive layer. The term adhesive layer in the present application is a term encompassing not only a material commonly referred to as an adhesive but also a layer formed by using a material called a so-called adhesive or a material called a point adhesive. The material for forming the adhesive layer is not particularly limited and may be a known point / adhesive material such as an acrylic polymer, a silicone polymer, a rubber polymer, an ethylene vinyl acetate (EVA) polymer or an olefin polymer such as PIB (polyisobutylene) Can be formed.

필요한 경우에 상기 접착층에는 적절한 수분 차단 소재가 배합될 수 있다. 이하, 본 명세서에서 수분 차단 소재가 배합된 접착층은 차단성 접착층으로 호칭될 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수분 차단 소재」는 물리적 또는 화학적 반응 등을 통해, 외부로부터 유입되는 수분 또는 습기 등을 흡착 또는 제거할 수 있는 성분을 총칭하는 의미로 사용될 수 있다. 접착층에 배합될 수 있는 수분 차단 소재의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 금속 산화물, 유기금속산화물, 금속염 또는 오산화인(P2O5) 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 상기에서 금속 산화물의 구체적인 예로는, 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등을 들 수 있고, 금속염의 예로는, 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등과 같은 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2) 등과 같은 금속할로겐화물; 또는 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등과 같은 금속염소산염 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.If desired, the adhesive layer may be formulated with a suitable moisture barrier material. Hereinafter, the adhesive layer to which the moisture barrier material is blended in the present specification may be referred to as a barrier adhesive layer. As used herein, the term " moisture barrier material " may be used to mean a component capable of adsorbing or removing moisture or moisture introduced from the outside through physical or chemical reactions or the like. The specific kind of the water-blocking material that can be blended in the adhesive layer is not particularly limited and includes, for example, a metal oxide, an organic metal oxide, a metal salt, or phosphorus pentoxide (P 2 O 5 ) . Specific examples of the metal oxide include lithium oxide (Li 2 O), sodium oxide (Na 2 O), barium oxide (BaO), calcium oxide (CaO) and magnesium oxide (MgO) Examples include lithium sulfate (Li 2 SO 4), sodium sulfate (Na 2 SO 4), calcium sulfate (CaSO 4), magnesium sulfate (MgSO 4), cobalt sulfate (CoSO 4), sulfate, gallium (Ga 2 (SO 4) 3), titanium sulfate (Ti (SO 4) 2) or nickel sulfate (a sulfate such as NiSO 4), calcium chloride (CaCl 2), magnesium chloride (MgCl 2), strontium chloride (SrCl 2), chloride, yttrium (YCl 3) , Cobalt chloride (CuCl 2 ), cesium fluoride (CsF), tantalum fluoride (TaF 5 ), niobium fluoride (NbF 5 ), lithium bromide (LiBr), calcium bromide (CaBr 2 ), cesium bromide (CeBr 3 ) (SeBr 4), vanadium bromide (VBr 3), a metal halide such as magnesium bromide (MgBr 2), barium iodide (BaI 2), or magnesium iodide (MgI 2); Or metal chlorates such as barium perchlorate (Ba (ClO 4 ) 2 ) or magnesium perchlorate (Mg (ClO 4 ) 2 ), and the like.

필요한 경우에 상기 접착층에는 적절산 산란 입자가 배합되어 있을 수 있고, 이에 따라 접착층 자체가 적절한 헤이즈를 나타낼 수도 있다. 접착층이 헤이즈를 나타내게 할 경우에 광 추출 효율이 개선될 수 있다. 접착층에 배합될 수 있는 산란 입자의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 접착층을 형성하는 수지의 굴절률을 고려하여 상기 산란층에 포함되는 산란 입자 중에서 적절한 종류가 선택되어 사용될 수 있다.If necessary, the adhesive layer may be blended with appropriate acid scattering particles, and accordingly, the adhesive layer itself may exhibit appropriate haze. The light extraction efficiency can be improved when the adhesive layer causes haze. The type of scattering particles that can be incorporated into the adhesive layer is not particularly limited and an appropriate type of scattering particles included in the scattering layer can be selected and used in consideration of the refractive index of the resin forming the adhesive layer.

기판 영역에 존재할 수 있는 다른 층으로는 또한 상기 기판의 하부에 일시적 또는 영구적으로 부착되어 있을 수 있는 캐리어 기판이 예시될 수 있다. 통상 캐리어 기판으로는 유리 기판과 같은 강성 기판이 적용될 수 있다.Another layer that may be present in the substrate region may also be a carrier substrate that may be temporarily or permanently attached to the bottom of the substrate. As the carrier substrate, a rigid substrate such as a glass substrate can be applied.

상기와 같은 각 구성을 포함할 수 있는 기판 영역은, 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판 영역은, 하부 방향으로 배리어층과 기판이 순차 형성된 구조, 하부 방향으로 배리어층과 버퍼층과 기판이 순차 형성된 구조, 하부 방향으로 배리어층과 산란층과 기판이 순차 형성된 구조 또는 하부 방향으로 배리어층과 버퍼층과 산란층과 기판이 순차 형성된 구조를 포함할 수 있다. 또한, 기판 영역은 기판의 하부에 캐리어 기판이 형성되어 있는 구조 또는 기판의 하부에 수분 차단 소재 및/또는 산란 입자를 포함할 수 있는 접착층과 배리어 필름이 순차 형성되어 있는 구조를 포함할 수도 있다. The substrate region, which may include any of the above-described structures, may have a variety of structures. For example, the substrate region may have a structure in which a barrier layer and a substrate are sequentially formed in a downward direction, a structure in which a barrier layer, a buffer layer, and a substrate are sequentially formed in a downward direction, a structure in which a barrier layer and a scattering layer and a substrate are sequentially formed in a downward direction, A structure in which a barrier layer, a buffer layer, a scattering layer, and a substrate are sequentially formed. The substrate region may include a structure in which a carrier substrate is formed under the substrate, or a structure in which a barrier film and an adhesive layer capable of containing moisture blocking material and / or scattering particles are sequentially formed on a lower portion of the substrate.

기판 영역의 상부에 존재하는 소자 영역은 제 1 전극층과 제 2 전극층을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 전극층의 사이에 존재하는 유기층을 또한 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 및 제 2 전극층은, 유기전자장치에서 통상 사용되는 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층일 수 있다. 통상적으로 제 1 및 제 2 전극층 중 어느 하나는 정공 주입성 전극층으로 형성되고, 다른 하나는 전자 주입성 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 통상적으로 제 1 및 제 2 전극층 중 어느 하나는 투명 전극층으로 형성되고, 다른 하나는 반사 전극층으로 형성될 수 있다.The device region located above the substrate region may include a first electrode layer and a second electrode layer, and may also include an organic layer present between the first and second electrode layers. The first and second electrode layers may be a hole injecting or electron injecting electrode layer commonly used in organic electronic devices. Typically, one of the first and second electrode layers may be formed of a hole injecting electrode layer and the other of the first and second electrode layers may be formed of an electron injecting electrode layer. In addition, typically, any one of the first and second electrode layers may be formed of a transparent electrode layer and the other may be formed of a reflective electrode layer.

정공 주입성인 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 또는 반사 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.The electrode layer capable of injecting holes can be formed using, for example, a material having a relatively high work function, and can be formed using a transparent or reflective material when necessary. For example, the hole-injecting electrode layer may comprise a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture of two or more thereof having a work function of about 4.0 eV or more. As such a material, metal such as gold, CuI, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc tin oxide (ZTO), zinc oxide doped with aluminum or indium, magnesium indium oxide, nickel tungsten oxide, Metal oxides such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 , metal serrides such as gallium nitride and zinc selenide, and metal sulfides such as zinc sulfide. The transparent positive hole injecting electrode layer can also be formed using a metal thin film of Au, Ag or Cu and a laminate of a transparent material of high refractive index such as ZnS, TiO 2 or ITO.

정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다. The hole injecting electrode layer may be formed by any means such as vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition or electrochemical means. In addition, the electrode layer formed according to need may be patterned through a process using known photolithography, shadow mask, or the like.

전자 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 투명 또는 반사 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다. The electron injecting electrode layer can be formed using, for example, a material having a relatively small work function. For example, a transparent or reflective material suitable for forming the hole injecting electrode layer may be used However, the present invention is not limited thereto. The electron injecting electrode layer can also be formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method, and can be appropriately patterned when necessary.

전극층의 두께는, 예를 들면, 약 90 nm 내지 200 nm, 90 nm 내지 180 nm 또는 약 90 nm 내지 150 nm 정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.The thickness of the electrode layer may be formed to have a thickness of, for example, about 90 nm to 200 nm, 90 nm to 180 nm, or about 90 nm to 150 nm.

제 1 및 제 2 전극층의 사이에는 유기층이 존재한다. 상기 유기층은 적어도 2개의 발광 유닛을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에서 발광 유닛에서 발생한 광은 반사 전극층에 의해 반사되는 과정 등을 거쳐서 투명 전극층측으로 방출될 수 있다.An organic layer is present between the first and second electrode layers. The organic layer may include at least two light emitting units. In such a structure, light generated in the light emitting unit can be emitted toward the transparent electrode layer through a process of being reflected by the reflective electrode layer.

유기층은, 제 1 발광 중심 파장을 가지는 제 1 발광 유닛과 제 2 발광 중심 파장을 가지는 제 2 발광 유닛을 포함할 수 있고, 필요하다면, 그 이상의 발광 유닛을 포함할 수도 있다. 또한, 유기층이 상기와 같이 복수의 발광 유닛을 포함하는 구조인 경우에 적절한 발광을 위하여 각 발광 유닛의 사이에는 중간 전극층 또는 전하발생층이 추가로 존재할 수 있다. 따라서 발광 유닛들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.The organic layer may include a first light emitting unit having a first light emitting center wavelength and a second light emitting unit having a second light emitting center wavelength, and may further include a further light emitting unit if necessary. Further, in the case where the organic layer includes a plurality of light emitting units as described above, an intermediate electrode layer or a charge generating layer may further be present between each light emitting unit for proper light emission. Therefore, the light emitting units may have a structure in which the light emitting units are divided by an intermediate electrode layer having a charge generating characteristic or a charge generating layer (CGL).

발광 유닛을 구성하는 재료는 특별히 제한되지 않는다. 업계에서는 다양한 발광 중심 파장을 가지는 형광 또는 인광 유기 재료가 공지되어 있으며, 이러한 공지의 재료 중에서 적절한 종류를 선택하여 상기 발광 유닛을 형성할 수 있다. 발광 유닛의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3') iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광 유닛은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.The material constituting the light emitting unit is not particularly limited. Fluorescent or phosphorescent organic materials having various luminescent center wavelengths are known in the art, and a suitable kind of such known materials can be selected to form the light emitting unit. Examples of materials for the light emitting unit include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (Alg3), 4-MAlq3 or Gaq3 (C 26 H 26 N 2 O 2 S), DSA-amine, TBSA, BTP, PAP-NPA, Spiro-FPA, Ph 3 Si (PhTDAOXD), PPCP Cyclopenadiene derivatives such as 3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene, DPVBi (4,4'-bis (2,2'-diphenylyinyl) -1,1'- biphenyl) (Dicyanomethylene) -2-tert-butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran, DDP, AAAP, NPAMLI, ; Or Firpic, m-Firpic, N- Firpic, bon 2 Ir (acac), (C 6) 2 Ir (acac), bt 2 Ir (acac), dp 2 Ir (acac), bzq 2 Ir (acac), bo 2 Ir (acac), F 2 Ir (bpy), F 2 Ir (acac), op 2 Ir (acac), ppy 2 Ir (acac), tpy 2 Ir (acac), FIrppy (fac-tris [2- ( ( 2 , 4'-difluorophenyl) pyridine-C'2, N] iridium (III) or Btp 2 Ir (acac) C3 ') iridium (acetylacetonate)), and the like, but the present invention is not limited thereto. The light emitting unit may include the above material as a host and may also include perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX or DCJTB And a host-dopant system including the dopant as a dopant.

발광 유닛은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수도 있다.The light emitting unit may also be formed by appropriately employing a kind that exhibits light emission characteristics among electron-accepting organic compounds or electron-donating organic compounds described below.

유기층은, 발광 유닛을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.The organic layer may be formed in various structures, including any of various other functional layers known in this field, as long as it includes a light emitting unit. Examples of the layer that can be included in the organic layer include an electron injecting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer, and a hole injecting layer.

전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4'-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다. The electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound. As the electron-accepting organic compound in the above, any known compound can be used without any particular limitation. Examples of such organic compounds include polycyclic compounds or derivatives thereof such as p-terphenyl or quaterphenyl, naphthalene, tetracene, pyrene, coronene, ), Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, Heterocyclic compounds or derivatives thereof such as bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline, quinoxaline, or phenazine may be exemplified. It is also possible to use at least one of fluoroceine, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloferrinone, naphthoferrinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, and the like. Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinyl anthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, Quinacridone or rubrene or derivatives thereof, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1988-295695, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-22557, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-81472, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1993-009470 or Japanese Patent Application Laid- For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, a metal chelated oxanoid compound, bis (8-quinolinolato) aluminum, Bis (benzo (f) -8-quinolinolato] zinc}, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, Tris (8-quinolinolato) indium], tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8- quinolinolato lithium, tris (5- Quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium and the like, metal complexes having at least one of 8-quinolinolato or a derivative thereof as an arbiter, Japanese Patent Laid- Oxadiazole compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1995-179394, 1995-278124, and 1995-228579, Stilbene derivatives, distyrylarylene derivatives, and the like disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open (kokai) No. 1994-132080 Styryl derivatives disclosed in JP-A-1994-88072 and the like, diolefin derivatives disclosed in JP-A-1994-100857 and JP-A-1994-207170, and the like; Fluorescent brightening agents such as benzooxazole compounds, benzothiazole compounds or benzoimidazole compounds; Bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, Bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, Methylstyryl) -2-ethylbenzene, and the like; Bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5- Bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine such as bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- Distyrylpyrazine compounds, 1,4-phenylenedimethylidene, 4,4'-phenylenedimethylidyne, 2,5-xylenedimethylidyne, 2,6-naphthylenedimethylidyne, 1,4-biphenylene dimethyl (9,10-anthracenediyldimethylidine) or 4,4 '- (2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl , Dimethylidine compounds such as 4,4 '- (2,2-diphenylvinyl) biphenyl and derivatives thereof, silane disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-49079 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-293778 Silanamine derivatives, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279322 or Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-279323 Oxadiazole derivatives disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-109264, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-206865 and the like, an anthracene compound disclosed in Japanese Patent Oxynate derivatives disclosed in JP-A-1994-145146 and the like, tetraphenylbutadiene compounds disclosed in JP-A-1992-96990 and the like, organic trifunctional compounds disclosed in JP-A-1991-296595, Coumarin derivatives disclosed in JP-A-1990-191694 and the like, perylene derivatives disclosed in JP-A-1990-196885 and the like, naphthalene derivatives disclosed in JP-A-1990-255789, Phthaloperynone derivatives disclosed in JP-A No. 1990-289676 or JP-A No. 1990-88689 or a derivative of phthaloperynone derivatives disclosed in JP-A No. 1990-25029 Styrylamine derivatives disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-open Publication No. 2 (1990) can also be used as electron-accepting organic compounds contained in the low refractive layer. In addition, the electron injection layer may be formed using a material such as LiF or CsF.

정공 저지층은, 주입된 정공이 발광 유닛을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광 유닛과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.The hole blocking layer is a layer capable of preventing the injected holes from entering the electron injecting electrode layer through the light emitting unit to improve the lifetime and efficiency of the device. If necessary, the hole blocking layer can be formed by using a known material, It can be formed at an appropriate portion between the entering electrode layers.

정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may include, for example, an electron donating organic compound. Examples of the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'- N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, Phenyl, N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N'- (N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl] 4-N, N-diphenylaminostilbene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-methoxy- Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethanesulfonate, 1,1-bis (4-di- N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p- tolylamino) -4 ' N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobis N-phenylcarbazole, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, Phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N (2-naphthyl) Phenylamino] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene, 4,4'- Bis [N- (2-phenanthryl) -biphenylphenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-pyrenyl) - N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-choronenyl) - N-phenylamino] biphenyl), 2,6-bis (di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) Bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4,4'-bis { Bis [N, N-di- (2-naphthyl) amino] fluorene or 4,4'-bis (N, N-di-p-tolylamino) terphenyl and bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine and the like are exemplified. It is not.

정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 p-공역 고분자(p-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 s-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or by using a polymer derived from the organic compound. Further, hole-transporting non-conjugated polymers such as p-conjugated polymers and poly (N-vinylcarbazole) such as polyparaphenylenevinylene and derivatives thereof, s-conjugated polymers of polysilane, etc. may also be used .

정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다. The hole injection layer may be formed by using a metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, a nonmetal phthalocyanine, a carbon film and an electrically conductive polymer such as polyaniline or by reacting the arylamine compound with an Lewis acid using the arylamine compound as an oxidizing agent You may.

상기와 같은 소재로 형성되는 유기층의 구체적인 구조는 특별히 제한되지 않는다. 이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광 유닛, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.The specific structure of the organic layer formed of such a material is not particularly limited. In this field, various materials for forming a hole or electron injection electrode layer and an organic layer such as a light emitting unit, an electron injecting or transporting layer, a hole injecting or transporting layer, and a forming method thereof are known. May be applied.

본 출원의 제조 방법에서는 상기와 같은 소자 영역과 패드 영역이 형성되어 있는 기판의 상부에 무기물층을 형성하는 과정을 포함한다. 이 때, 상기 무기물층은 기판 상의 전체 영역, 예를 들어 소자 영역과 패드 영역을 포함하는 모든 기판의 표면에 형성될 수 있다. 상기에서 무기물층은, 예를 들면, 배리어층일 수 있으나, 그 외에도 요구되는 기능에 따라 다양한 무기물층이 형성될 수 있다. 한편, 본 명세서에서 용어 무기물층은, 예를 들면, 중량을 기준으로 무기물을 50% 이상 또는 60% 포함하는 층일 수 있다. 무기물층은, 무기물만을 포함하거나, 상기 범위 내로 무기물을 포함한다면 유기물과 같은 다른 성분을 포함할 수도 있다. In the manufacturing method of the present invention, an inorganic layer is formed on a substrate on which the device region and the pad region are formed. At this time, the inorganic material layer may be formed on the whole area of the substrate, for example, on the surface of all the substrates including the device area and the pad area. The inorganic layer may be, for example, a barrier layer, but various inorganic layers may be formed depending on required functions. On the other hand, in the present specification, the term inorganic layer may be, for example, a layer containing 50% or more or 60% of an inorganic substance based on the weight. The inorganic layer may include other components such as organic matter, if it contains only an inorganic substance or contains an inorganic substance within the above range.

상기에서 무기물층의 두께는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있고, 예를 들어 30 nm 내지 60 nm 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 무기물층의 두께의 하한은 보다 구체적으로 30 nm 이상, 35 nm 이상, 40 nm 이상 또는 45 nm 이상일 수 있고, 무기물층의 두께의 상한은 보다 구체적으로 60 nm 이하, 55 nm 이하, 50 nm 이하 또는 45 nm 이하일 수 있다. 무기물층의 두께가 상기 범위 내인 경우, 드라이 에칭에 의하여 제거되는 것에 적합하다. The thickness of the inorganic layer as described above may be suitably selected within a range not to impair the object of the present application, and may have a thickness within a range of, for example, 30 nm to 60 nm. More specifically, the lower limit of the thickness of the inorganic layer may be 30 nm or more, 35 nm or more, 40 nm or more, or 45 nm or more, and the upper limit of the thickness of the inorganic layer may be more specifically 60 nm or less, 55 nm or less, May be 45 nm or less. When the thickness of the inorganic layer is within the above range, it is suitable to be removed by dry etching.

무기물층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식에 따라 형성될 수 있다. 예를 들면, 무기물층으로 배리어층을 형성하고자 할 경우에, 상기 기판 영역에서 언급한 소자 및 방식에 따라 상기 무기물층을 형성할 수 있고, 바람직하게는 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 상기 무기물층을 형성할 수 있다.The method of forming the inorganic layer is not particularly limited and may be formed according to a known method. For example, when a barrier layer is to be formed of an inorganic layer, the inorganic layer may be formed according to the device and the method mentioned in the substrate region. Preferably, the inorganic layer may be formed by ALD (Atomic Layer Deposition) Can be formed.

도 2는 상기와 같은 방식으로 무기물층(401)을 형성한 경우를 예시적으로 보여주고 있다.FIG. 2 illustrates an example in which the inorganic layer 401 is formed in the above-described manner.

상기 과정에 이어서, 상기 기판의 소자 영역에 대응하는 무기물층 상에 고분자막을 형성하는 과정을 포함한다. 이 때 상기 고분자막을 소자 영역에 대응하는 무기물층 상에 형성하기 위해서는 예를 들면, 후술하는 고분자막의 형성 과정에서 적절한 마스킹 공정을 적용하는 방식을 사용할 수 있다. Following this process, a polymer film is formed on the inorganic layer corresponding to the device region of the substrate. At this time, in order to form the polymer film on the inorganic layer corresponding to the device region, for example, a method of applying an appropriate masking process in the process of forming a polymer film to be described later can be used.

상기 고분자막으로는 무기물 층에 비하여 에칭 내성이 높은 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 고분자막으로는 밀도가 1.2 g/cm3 이상인 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 고분자막의 밀도는 보다 구체적으로, 1.5g/cm3 이상, 2.0g/cm3, 2.5g/cm3 이상, 3.0g/cm3 이상, 3.5g/cm3 이상, 4.0g/cm3 이상, 4.5g/cm3 이상 또는5.0 g/cm3 이상일 수 있다. 고분자막의 밀도의 상한은 예를 들어 10 g/cm3 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 고분자막의 밀도가 상기 범위 내인 경우 하부에 존재하는 무기물층을 드라이 에칭으로부터 보호할 수 있으므로, 고분자막이 형성되지 않은 영역의 무기물층만을 선택적으로 제거하는 데 적합하다. 이러한 고분자막의 재료로는 예를 들어 폴리-퍼플루오로데실 아크릴레이트, 폴리 시클로헥실 메타크릴레이트, 폴리 글리시딜 메타크릴레이트 및 폴리-트리비닐트리메틸시클로트리실록세인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The polymer film may be formed using a material having a higher etching resistance than the inorganic material layer. For example, a polymer membrane can be formed using a material having a density of 1.2 g / cm 3 or more. The density of the polymer film is more specifically, 1.5g / cm 3 or more, 2.0g / cm 3, 2.5g / cm 3 or more, 3.0g / cm 3 or more, 3.5g / cm 3 or more, 4.0g / cm 3 or more, 4.5 g / cm < 3 > or 5.0 g / cm < 3 > The upper limit of the density of the polymer membrane may be, for example, 10 g / cm 3 or lower, but is not limited thereto. When the density of the polymer membrane is within the above range, the inorganic material layer present in the lower portion can be protected from dry etching, and thus is suitable for selectively removing only the inorganic material layer in the region where no polymer membrane is formed. As a material of such a polymer membrane, for example, a material selected from the group consisting of poly-perfluorodecyl acrylate, polycyclohexyl methacrylate, polyglycidyl methacrylate and poly-trivinyltrimethylcyclotrisiloxane But is not limited thereto.

본 출원의 방법에서 상기와 같은 고분자를 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 다만, 균일한 고분자막의 형성과 이어지는 제거 공정의 용이성 등을 고려할 때에 상기 고분자막은 i-CVD(initiated chemical vapor deposition) 방식으로 형성될 수 있다. i-CVD 방식은 개시제를 사용한 고분자의 기상 증착 방식이고 이 방식을 적용하여 균일한 고분자막을 용이하게 형성할 수 있다. 본 출원에서 i-CVD 방식을 통해 상기 고분자막을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방식에 따라 진행될 수 있다. 다만, 외부 물질의 유입 등에 의한 오염 방지 등의 관점에서 상기 i-CVD 공정은 진공 조건에서 진행하는 것이 유리하다. 이 때, 상기 진공 조건은, 완전한 진공 조건을 의미하는 것은 아니고, 통상적으로 진공 조건으로 간주되고 있는 진공 조건도 포함되며, 예를 들면, 압력이 약 200 mT 내지 1T 정도인 조건이 포함될 수 있다. 그렇지만, 상기 조건은 예시적인 것이며 이는 외부 오염을 방지할 수 있을 범위로 유지될 수 있는 한 특별히 제한되는 것은 아니다.The method of forming the above-mentioned polymer in the method of the present application is not particularly limited. However, considering the formation of a uniform polymer membrane and the ease of subsequent removal process, the polymer membrane may be formed by an i-CVD (initiated chemical vapor deposition) method. The i-CVD method is a vapor deposition method of a polymer using an initiator. By applying this method, a uniform polymer film can be easily formed. The method of forming the polymer membrane through the i-CVD method in the present application is not particularly limited and may be carried out according to a known method. However, from the viewpoint of prevention of contamination due to influx of external substances and the like, it is advantageous to carry out the i-CVD process under a vacuum condition. At this time, the vacuum condition does not mean a complete vacuum condition, but also includes a vacuum condition which is generally regarded as a vacuum condition, for example, a condition that the pressure is about 200 mT to 1T. However, the above conditions are exemplary and are not particularly limited as long as they can be kept within a range to prevent external contamination.

상기와 같은 iCVD 방식으로 상기 고분자막을 형성함으로써, 소자 영역에 대응하는 무기물층 상에 고분자막을 효율적으로 형성할 수 있다. 고분자막의 두께는 마스킹의 효율성 및 후술하는 에칭 공정에 대한 내성을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 고분자 막의 두께는 예를 들어, 500 nm 내지 5000 nm 범위 내일 수 있고, 또한, 하부에 존재하는 무기물층의 두께에 비하여, 예를 들어 10배 내지 30배 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 고분자 막의 두께의 하한은 보다 구체적으로, 500 nm 이상, 1000 nm 이상, 1500 nm 이상, 2000 nm 이상 또는 2500 nm 이상일 수 있고, 고분자 막의 두께의 상한은 보다 구체적으로, 5000 nm 이하, 4500 nm 이하, 4000 nm 이하, 3500 nm 이하, 3000 nm 이하 또는 2500 nm 이하일 수 있다. 고분자막의 두께가 상기 범위 내인 경우 하부에 존재하는 무기물층을 드라이 에칭으로부터 보호할 수 있으므로, 고분자막이 형성되지 않은 영역의 무기물층만을 선택적으로 제거하는 데 적합하다.By forming the polymer film by the iCVD method as described above, the polymer film can be efficiently formed on the inorganic material layer corresponding to the device region. The thickness of the polymer membrane can be appropriately selected in consideration of the efficiency of masking and resistance to the etching process to be described later. The thickness of the polymer film may be, for example, in the range of 500 nm to 5000 nm, and may have a thickness in the range of, for example, 10 to 30 times the thickness of the inorganic layer present in the lower portion. More specifically, the lower limit of the thickness of the polymer membrane may be 500 nm or more, 1000 nm or more, 1500 nm or more, 2000 nm or more, or 2500 nm or more. The upper limit of the thickness of the polymer membrane is more specifically 5000 nm or less, 4000 nm or less, 3500 nm or less, 3000 nm or less, or 2500 nm or less. When the thickness of the polymer membrane is within the above range, the inorganic material layer present in the lower portion can be protected from dry etching. Therefore, it is suitable for selectively removing only the inorganic material layer in the region where the polymer membrane is not formed.

도 3은 상기와 같은 방식으로 소자 영역상에 고분막(501)을 형성한 경우를 예시적으로 보여준다.FIG. 3 exemplifies a case where the polymer film 501 is formed on the element region in the above-described manner.

상기 과정에 이어서 상기 기판의 패드 영역 상의 무기물층을 제거하여 패드 영역을 노출시킬 수 있다. 상기 과정에서 무기물층을 제거하는 방식으로는 예를 들어, 고분자막에 비하여 무기물층에 대한 에칭 선택비가 높은 에칭 방식이 적용될 수 있다. 이러한 에칭 방식으로는 예를 들어 이온충격 방식을 채용할 수 있다. 상기 이온충격 방식에 의한 에칭은 아르곤, 헬륨 등과 같은 불활성 기체의 플라즈마를 이용한 드라이 에칭에 의하여 수행될 수 있다. 또한, 상기 에칭은 기판 상에 무기물층이 형성된 전면에 수행되며, 패드 영역에 대응하는 별도의 마스크를 준비하는 공정이 필요하지 않다.Following the above process, the inorganic layer on the pad region of the substrate may be removed to expose the pad region. As a method for removing the inorganic layer in the above process, for example, an etching method having a high etching selectivity to the inorganic layer may be applied to the polymer layer. As such an etching method, for example, an ion impact method may be employed. The ion bombardment etching may be performed by dry etching using a plasma of an inert gas such as argon, helium, or the like. In addition, the etching is performed on the entire surface of the substrate on which the inorganic layer is formed, and there is no need to prepare a separate mask corresponding to the pad region.

상기 이온충격 방식에 의하여 패드 영역 상의 무기물층을 선택적으로 에칭하기 위해서는, 고분자막과 무기물층은 적절한 에칭 선택비를 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 고분자막과 무기물층의 이온충격 방식에 의한 에칭 선택 비는 예를 들어 10:1 이하일 수 있다. 고분자막과 무기물층의 이온충격 방식에 의한 에칭 선택 비의 하한은, 예를 들어 10:1 이상일 수 있다. 고분자막과 무기물층의 에칭 선택 비는 고분자막과 무기물층의 두께, 고분자막의 밀도 등의 조절을 통하여 조절할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In order to selectively etch the inorganic layer on the pad region by the ion bombardment method, the polymer film and the inorganic layer preferably have an appropriate etching selectivity. For example, the etching selection ratio of the polymer membrane and the inorganic layer by ion bombardment may be, for example, 10: 1 or less. The lower limit of the etching selection ratio by the ion impact method of the polymer film and the inorganic layer may be, for example, 10: 1 or more. The etching selectivity ratio between the polymer membrane and the inorganic layer can be controlled by controlling the thickness of the polymer membrane and the inorganic layer, the density of the polymer membrane, and the like, but is not limited thereto.

도 4는 상기와 같은 과정을 거쳐 패드 영역을 노출시킨 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a view illustrating an example in which a pad region is exposed through the above process.

본 출원의 제조 공정은 상기와 같은 주요 단계를 포함하는 한, 유기전자장치의 성능 개선을 위해 적용될 수 있는 것으로 공지된 다른 공정 등도 필요한 경우에 포함할 수 있다.The manufacturing process of the present application may include other processes known to be applicable for improving the performance of the organic electronic device, as long as it includes the main steps as described above.

본 출원은 또한 상기와 같은 제조 공정에 사용되는 유기전자장치 및 상기와 같은 제조 공정에 의해 제조된 유기전자장치에 대한 것이다. The present application also relates to an organic electronic device used in such a manufacturing process and an organic electronic device manufactured by such a manufacturing process.

상기와 같은 제조 공정에 사용되는 유기전자장치는 예를 들어, 기판; 상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 순차 적층되어 있는 제 1 전극층; 유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자 영역; 상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 상기 제 1 또는 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 패드 영역; 상기 기판의 상부에 형성되어 있는 무기물층 및 상기 소자 영역에 대응하는 무기물층의 상부에 형성된 고분자막을 포함할 수 있다.The organic electronic device used in such a manufacturing process may include, for example, a substrate; A first electrode layer formed on the substrate, the first electrode layer being sequentially stacked; An element region including an organic layer and a second electrode layer; A pad region formed on the substrate and electrically connected to the first or second electrode layer; An inorganic material layer formed on the substrate, and a polymer film formed on the inorganic material layer corresponding to the device region.

상기와 같은 제조 공정을 의해 제조되는 유기전자장치는 예를 들어, The organic electronic device manufactured by the above-described manufacturing process can be manufactured, for example,

기판; 상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 순차 적층되어 있는 제 1 전극층; 유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자 영역; 상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 상기 제 1 또는 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 패드 영역; 상기 소자 영역의 상부에 순차로 형성되어 있는 무기물층 및 고분자막을 포함할 수 있다. Board; A first electrode layer formed on the substrate, the first electrode layer being sequentially stacked; An element region including an organic layer and a second electrode layer; A pad region formed on the substrate and electrically connected to the first or second electrode layer; And an inorganic material layer and a polymer film sequentially formed on the device region.

상기 유기전자장치의 세부적인 내용은 이미 기술한 바와 같다.The details of the organic electronic device are as described above.

따라서, 상기 유기전자장치에서 상기 무기물층은 ALD막일 수 있고, 하나의 예시에서 배리어층일 수 있다.Thus, in the organic electronic device, the inorganic layer may be an ALD film, and in one example it may be a barrier layer.

또한, 고분자막은 iCVD막일 수 있고, 하나의 예시에서 밀도가 1.2 이상인 고분자 막일 수 있다. In addition, the polymer membrane may be an iCVD membrane, and in one example, it may be a polymer membrane having a density of 1.2 or more.

기타 상기 장치에 대한 사항은 상기 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.Other aspects of the apparatus are the same as described above.

본 출원은 또한 상기 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.The present application also relates to the use of said organic electronic device, for example an organic light emitting device. The organic light emitting device may be a backlight of a liquid crystal display (LCD), an illumination device, a light source such as various sensors, a printer, a copying machine, a vehicle instrument light source, a traffic light, a display, A light source, a display, a decoration, or various lights. In one example, the present application relates to a lighting device comprising the organic light-emitting device. In the case where the organic light emitting device is applied to the illumination device or other use, the other components constituting the device or the like and the constitution method of the device are not particularly limited. As long as the organic light emitting device is used, Any of the materials or methods may be employed.

본 출원에서는 유기전자장치의 제조 공정에서 패드 영역의 노출을 단순한 공정으로 효율적으로 수행할 수 있는 방법, 그 방법에 따라 제조된 유기전자장치 및 그 용도를 제공할 수 있다.The present application can provide a method of efficiently performing exposure of a pad area by a simple process in a manufacturing process of an organic electronic device, an organic electronic device manufactured according to the method, and a use thereof.

도 1 내지 4는 본 출원의 예시적인 유기전자장치의 제조 방법의 각 단계를 나타내는 모식도이다.1 to 4 are schematic diagrams showing respective steps of a method of manufacturing an exemplary organic electronic device of the present application.

이하, 본 출원에 따른 실시예 및 본 출원에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 출원을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present application will be described in more detail by way of examples according to the present application and comparative examples not complying with the present application, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

실시예Example 1.  One.

도 1과 같이 순차 적층되어 있는 제 1 전극층(2011), 유기층(2012) 및 제 2 전극층(2013)을 포함하는 소자 영역(201)과 패드 영역(301)가 상부에 형성되어 있는 기판(101)을 사용하였다. 상기에서 소자 영역과 패드 영역은 공지의 방식으로 제조하였다. 우선 기판(101)으로 플렉서블 기판인 PI(polyimide) 필름을 캐리어 기판인 유리 기판 상에 위치시키고, PI 필름상에 배리어층을 형성하였다. 배리어층은, ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 단독 증착 시에 굴절률이 약 1.6 내지 1.8 정도의 범위 내인 Al2O3의 층과 단독 증착 시에 굴절률이 약 2.0 내지 2.4 정도의 범위 내인 TiO2의 층을 교대로 번갈아 증착하여 최종적으로 굴절률이 약 1.8 정도가 되도록 형성하였다. Al2O3의 층은 공지의 ALD 방식에 따라서 약 200℃의 온도에서 전구체로서 트리메틸알루미륨층과 물(H2O)층을 번갈아 흡착시켜 형성하였으며, TiO2의 층은 역시 공지된 ALD 방식에 따라 약 200℃의 온도에서 전구체로서 TiCl4의 층과 물(H2O)층을 번갈아 흡착시켜 형성하였다. 형성 시에 각 Al2O3의 층 및 TiO2의 층의 두께는 각각 약 2 nm 내지 5 nm의 범위 내가 되도록 하여 최종적으로 약 40 nm 정도의 두께의 배리어층을 형성하였다. 이어서 배리어층상에 공지의 소재를 사용하여 정공 주입성 투명 전극층, 정공 수송층, 발광 파장이 약 380 내지 500 nm의 범위 내에 있는 제 1 발광 유닛, n형 유기반도체층, p형 유기반도체층, 발광 파장이 약 500 내지 700 nm의 범위 내에 있는 제 2 발광 유닛, 정공블록층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 전자 주입성 반사 전극층을 순차 형성하여 소자 영역 및 패드 영역을 형성하였다.A substrate 101 in which an element region 201 including a first electrode layer 2011, an organic layer 2012 and a second electrode layer 2013 sequentially stacked and a pad region 301 are formed on the substrate 201, Were used. In the above, the device region and the pad region were manufactured in a known manner. First, a PI (polyimide) film as a flexible substrate was placed on a glass substrate as a carrier substrate with a substrate 101, and a barrier layer was formed on the PI film. The barrier layer is formed of a layer of Al 2 O 3 having a refractive index in a range of about 1.6 to 1.8 at the time of single deposition by an ALD (Atomic Layer Deposition) method and a layer of TiO 2 having a refractive index within a range of about 2.0 to 2.4 Layers were alternately deposited and finally formed to have a refractive index of about 1.8. The Al 2 O 3 layer was formed by alternately adsorbing a trimethylaluminium layer and a water (H 2 O) layer as precursors at a temperature of about 200 ° C. in accordance with the known ALD method, and the layer of TiO 2 was also formed by the ALD method Followed by alternately adsorbing a layer of TiCl 4 and a layer of water (H 2 O) as precursors at a temperature of about 200 ° C. The thickness of each of the Al 2 O 3 layer and the TiO 2 layer was about 2 nm to 5 nm, and finally the barrier layer was formed to a thickness of about 40 nm. Then, using a known material on the barrier layer, a hole injecting transparent electrode layer, a hole transporting layer, a first light emitting unit, an n-type organic semiconductor layer, a p-type organic semiconductor layer, and a light emitting layer having an emission wavelength within a range of about 380 to 500 nm A second light emitting unit, a hole blocking layer, an electron transporting layer, an electron injection layer, and an electron injecting reflective electrode layer in the range of about 500 to 700 nm are sequentially formed to form an element region and a pad region.

이어서, 상기 소자 영역 및 패드 영역을 포함하는 기판의 전체 면에 도 2와 같이 ALD 방식으로 배리어층인 무기물층(401)을 형성하였다. 배리어층은 상기 언급한 방식에 준하여 Al2O3의 층을 형성하여 제조하였다.Then, an inorganic layer 401, which is a barrier layer, is formed on the entire surface of the substrate including the device region and the pad region by the ALD method as shown in FIG. The barrier layer was formed by forming a layer of Al 2 O 3 in accordance with the above-mentioned method.

이어서, 도 3과 같이 마스킹 공정을 적용하여 상기 소자 영역에 대응하는 무기물층 상에 고분자층(501)을 iCVD 방식으로 형성하였다. i-CVD층은 단량체로서 시클로헥실 메타크릴레이트를 사용하고, 개시제로서 tert-부틸 퍼옥사이드를 사용하여 형성하였다. I-CVD층은 약 350℃의 온도로 유지된 필라멘트로 상기 단량체와 개시제의 혼합물에서 개시제를 열분해시키고, 중합 반응을 온도가 약 30℃ 내지 50℃ 정도로 유지되어 있는 진공 챔버 내부에 있는 상기 패드 영역의 표면에서 유도하여, 밀도가 약 1.2 g/cm3이고, 두께가 약 1 um 인 고분자 막을 형성하였다. 3, a polymer layer 501 is formed on the inorganic layer corresponding to the device region by an i-CVD method. The i-CVD layer was formed using cyclohexyl methacrylate as a monomer and tert-butyl peroxide as an initiator. The I-CVD layer thermally decomposes the initiator in the mixture of the monomer and the initiator with the filament maintained at a temperature of about 350 ° C and the polymerization reaction is carried out at a temperature in the range of about 30 ° C to 50 ° C, To form a polymer membrane having a density of about 1.2 g / cm 3 and a thickness of about 1 um.

이어서, Ar의 플라즈마를 이용한 이온충격 방식에 의하여 유기전자장치의 상부에 노출된 소자 영역 상의 고분자 막 및 패드 영역 상의 무기물층 중에서 무기물층을 선택적으로 드라이 에칭하여 도 4와 같은 형태의 장치를 제조하였다. Then, the polymer layer on the device area exposed on the upper part of the organic electronic device and the inorganic layer on the pad area were selectively dry-etched by ion bombardment using the plasma of Ar to produce an apparatus as shown in Fig. 4 .

실시예 1에 의하면 ALD 방식으로 형성한 무기물층에 전면적으로 드라이 에칭하게 되어 패드 영역에 대응하는 마스크를 별도로 준비하지 않아도 되므로, 패드 영역의 노출을 단순한 공정으로 효율적으로 수행할 수 있다는 점을 알 수 있다. According to the first embodiment, since the inorganic material layer formed by the ALD method is dry-etched entirely, it is not necessary to separately prepare a mask corresponding to the pad area, so that it can be seen that the exposure of the pad area can be efficiently performed by a simple process have.

101: 기판
201: 소자 영역
301: 패드 영역
2011: 제 1 전극층
2012: 유기층
2013: 제 2 전극층
2014: 절연층
401: 무기물층
501: 고분자막101: substrate
201: device region
301: pad area
2011: First electrode layer
2012: Organic layer
2013: Second electrode layer
2014: insulating layer
401: inorganic layer
501: Polymer membrane

Claims (17)

순차 적층되어 있는 제 1 전극층; 유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자 영역과 상기 제 1 또는 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 패드 영역이 상부에 형성되어 있는 기판 상에 무기물층을 형성하는 단계;
상기 패드 영역을 제외한 상기 소자 영역에 대응하는 상기 무기물층 상에 고분자막을 형성하는 단계; 및
상기 소자 영역을 제외한 상기 패드 영역 상에 형성된 상기 무기물층을 제거하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계를 포함하는 유기전자장치의 제조 방법. A first electrode layer sequentially stacked; Forming an inorganic layer on a substrate on which an element region including an organic layer and a second electrode layer and a pad region electrically connected to the first or second electrode layer are formed on the substrate;
Forming a polymer film on the inorganic layer corresponding to the device region except for the pad region; And
And exposing the pad region by removing the inorganic layer formed on the pad region except for the element region. 제 1 항에 있어서, 상기 무기물층은 ALD (Atomic Layer Deposition) 방식으로 형성하는 유기전자장치의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the inorganic layer is formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method. 제 1 항에 있어서, 상기 무기물층은 배리어층인 유기전자장치의 제조 방법. The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 1, wherein the inorganic material layer is a barrier layer. 제 1 항에 있어서, 상기 무기물층의 두께는 30 nm 내지 60 nm 범위 내인 유기전자장치의 제조 방법. 2. The method of claim 1, wherein the thickness of the inorganic layer is in the range of 30 nm to 60 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 고분자막의 밀도는 1.2 g/cm3 이상인 유기전자장치의 제조방법. The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 1, wherein the polymer membrane has a density of 1.2 g / cm 3 or more. 제 1 항에 있어서, 상기 고분자막은 폴리-퍼플루오로데실 아크릴레이트, 폴리 시클로헥실 메타크릴레이트, 폴리 글리시딜 메타크릴레이트 및 폴리-트리비닐트리메틸시클로트리실록세인으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기전자장치의 제조 방법.The polymer electrolyte membrane according to claim 1, wherein the polymer membrane is selected from the group consisting of poly-perfluorodecyl acrylate, polycyclohexyl methacrylate, polyglycidyl methacrylate, and poly-trivinyltrimethylcyclotrisiloxane ≪ / RTI > 제 1 항에 있어서, 상기 고분자막은 i-CVD (initiated-Chemical Vapor Deposition) 방식으로 형성하는 유기전자장치의 제조 방법.The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 1, wherein the polymer film is formed by an i-CVD (initiated-chemical vapor deposition) method. 제 7 항에 있어서, 상기 고분자막은 200 mT 내지 1T의 범위 내의 압력 하에서 형성되는 유기전자장치의 제조 방법.The method according to claim 7, wherein the polymer membrane is formed under a pressure within a range of 200 mT to 1T. 제 1 항에 있어서, 상기 고분자막은 500 nm 내지 5000 nm 범위 내의 두께로 형성하는 유기전자장치의 제조 방법.The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 1, wherein the polymer film is formed to a thickness within a range of 500 nm to 5000 nm. 제 1 항에 있어서, 상기 무기물층은 이온충격(ion bombardment) 방식에 의한 에칭에 의하여 제거되는 유기전자장치의 제조방법. The method of claim 1, wherein the inorganic material layer is removed by etching by an ion bombardment method. 제 10 항에 있어서, 상기 이온충격 방식에 의한 에칭은 불활성 기체의 플라즈마를 이용하여 수행되는 유기전자장치의 제조방법. 11. The method of claim 10, wherein the ion bombardment etching is performed using plasma of an inert gas. 제 10 항에 있어서, 상기 이온충격 방식에 의한 에칭은 드라이 에칭인 유기전자장치의 제조 방법. 11. The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 10, wherein the etching by the ion bombardment method is dry etching. 제 10 항에 있어서, 상기 무기물층과 상기 고분자막의 상기 이온충격 방식에 의한 에칭 선택비가 10:1 이하인 유기전자장치의 제조방법.The method of manufacturing an organic electronic device according to claim 10, wherein an etching selectivity ratio of the inorganic material layer and the polymer film by the ion bombardment method is 10: 1 or less. 기판;
상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 순차 적층되어 있는 제 1 전극층; 유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자 영역;
상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 상기 제 1 또는 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 패드 영역;
상기 기판의 상부에서 상기 패드 영역을 제외한 영역에 형성되어 있는 무기물층; 및
상기 패드 영역을 제외한 상기 소자 영역에 대응하는 상기 무기물층의 상부에 형성된 고분자막을 포함하는 유기전자장치.Board;
A first electrode layer formed on the substrate, the first electrode layer being sequentially stacked; An element region including an organic layer and a second electrode layer;
A pad region formed on the substrate and electrically connected to the first or second electrode layer;
An inorganic material layer formed on an upper portion of the substrate except for the pad region; And
And a polymer film formed on the inorganic layer corresponding to the element region except the pad region. 기판;
상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 순차 적층되어 있는 제 1 전극층;
유기층 및 제 2 전극층을 포함하는 소자 영역;
상기 기판의 상부에 형성되어 있으며, 상기 제 1 또는 제 2 전극층과 전기적으로 연결되어 있는 패드 영역;
상기 소자 영역의 상부에서 상기 패드 영역을 제외한 영역에 순차로 형성되어 있는 무기물층 및 고분자막을 포함하는 유기전자장치.Board;
A first electrode layer formed on the substrate, the first electrode layer being sequentially stacked;
An element region including an organic layer and a second electrode layer;
A pad region formed on the substrate and electrically connected to the first or second electrode layer;
And an inorganic material layer and a polymer film sequentially formed on an upper portion of the element region except for the pad region. 제 15 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원.A light source for a display comprising the organic electronic device of claim 15. 제 15 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기기.16. A lighting device comprising the organic electronic device of claim 15.
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