KR101947008B1 - 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자 - Google Patents
전극 및 이를 포함하는 유기발광소자 Download PDFInfo
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Abstract
본 명세서는 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
유기발광현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기발광현상의 원리는 다음과 같다. 양극과 음극 사이에 유기물 층을 위치시켰을 때 두 전극을 통하여 특정 유기 분자의 내부 사이에 전압을 걸어주게 되면 음극과 양극으로부터 각각 전자와 정공이 유기물 층으로 주입된다. 유기물 층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤(exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기발광소자는 일반적으로 애노드와 캐소드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층을 포함할 수 있다.
유기발광소자는 발광성 유기 화합물에 전류가 흐르면 빛을 내는 전계 발광 현상을 이용한 자체 발광형 소자를 의미하며, 디스플레이, 조명 등 다양한 산업 분야에서 차세대 소재로 관심을 받고 있다.
이와 같은 유기발광소자의 경우 주변의 빛이 소자 내부로 입사되어 반사되는 경 우가 있는데, 이를 외광 반사라 한다. 외광 반사가 심할 경우에는 내부에서 빛이 방출되지 않더라도 반사되는 빛 때문에 완전한 암부(暗部, black) 표현이 어려워진다. 또한, 유기발광소자의 내부에서 생성된 빛의 투과(내광 투과)가 충분치 못할 경우에는 명부(明部, white)의 표현이 어려워지게 되며, 이와 같은 심한 외광 반사 및 불충분한 내광 투과는 디스플레이의 시인성 즉, 명암비 저하의 원인이 된다. 따라서 디스플레이의 명암비를 향상하기 위하여, 외광 반사를 최대한 억제하면서 내광 투과를 극대화하기 위한 기술이 필요하게 되었다.
S.-Y. Kim et al., Organic Electronics 13 (2012) 826-832
본 명세서는 상기 문제점을 해결하기 위한 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하고자 한다.
본 명세서는 전기 전도층; 및 상기 전기 전도층 상에 구비되는 외광 흡수층을 포함하고, 상기 외광 흡수층은 그라핀(graphene) 또는 이의 유도체를 포함하는 2 이상의 그라핀층; 및 2 이상의 상조절층(phase control layer)이 교차로 적층된 구조를 포함하는 것인 전극을 제공한다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 전기 전도층; 및 상기 전기 전도층 상에 구비되는 외광 흡수층을 포함하는 전극인 것인 유기발광소자를 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또한, 본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 전극은 유기발광소자에 포함되는 경우, 외광 흡수층에 의하여, 외광 반사율을 최소화하며 발광층에서 발생하는 빛의 내광 투과를 최대화할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 유기발광소자를 포함하는 디스플레이장치는 시인성이 우수한 장점이 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전극의 외광 반사층은 투습율이 매우 낮다. 그러므로, 상기 전극이 유기발광소자에 포함되는 경우 투습 배리어(barrier) 역할을 하여 유기발광소자의 수명을 늘리는 장점이 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자는 발광 효율이 우수한 장점이 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기발광소자는 구동 전압이 낮은 장점이 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전극의 외광 반사층은 유연성을 가지고 있으므로, 플랙시블 유기발광소자에 적용할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 명세서의 일 구현예에 따른 유기발광소자를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 구현예에 따른 유기발광소자의 외광 흡수층을 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 실시예 1 및 비교예 1에 따른 외광 반사율의 측정값을 나타낸 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 구현예에 따른 유기발광소자의 외광 흡수층을 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 실시예 1 및 비교예 1에 따른 외광 반사율의 측정값을 나타낸 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 전기 전도층; 및 상기 전기 전도층 상에 구비되는 외광 흡수층을 포함하고,
상기 외광 흡수층은 그라핀(graphene) 또는 이의 유도체를 포함하는 2 이상의 그라핀층; 및 2 이상의 상조절층(phase control layer)이 교차로 적층된 구조를 포함하는 것인 전극을 제공한다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 제2 전극은 상기 전기 전도층; 및 상기 전기 전도층 상에 구비되는 외광 흡수층을 포함하는 전극인 것인 유기발광소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 그라핀층은 그라핀으로 이루어진 층일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 그라핀층은 그라핀 유도체에 의하여 이루어진 층일 수도 있다. 나아가, 상기 그라핀층은 그라핀과 이의 유도체를 모두 포함하여 이루어진 층일 수 있다.
일반적으로, 그라핀은 투명하고, 기계적 특성, 내화학성 및 전기적 특성이 우수한 물질로 알려져 있다. 본 발명자들은 그라핀을 하나의 층으로 두껍게 사용하여 외광 흡수층을 형성하는 경우, 외광의 흡수율이 우수하지만 발광층에서 방출되는 빛도 흡수하여 유기발광소자의 효율이 상당히 떨어지는 것을 발견하였다.
이에 본 발명자들은 그라핀 또는 이의 유도체를 포함하는 그라핀층을 박막의 다층으로 형성하고, 나아가 상조절층을 그라핀층과 교차로 배치하여 외광 반사를 최대한 억제하면서 내광 투과를 극대화할 수 있는 전극 및 이를 포함하는 유기발광소자를 개발하였다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층은 상기 제2 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 접하여 구비될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 전극은 상부 투명전극일 수 있으며, 상기 제2 전극을 통하여 발광층의 빛이 방출될 수 있다. 이 경우, 상기 외광 반사층은 발광층에서 방출되는 빛은 투과하고, 외부에서 입사하는 빛을 흡수하여 유기발광소자의 시인성을 극대화할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 구현예에 따른 유기발광소자를 도시한 것이다. 구체적으로, 제1 전극(101), 유기물층(201), 제2 전극(301) 및 외광 흡수층(401)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 본 명세서의 상기 유기발광소자는 상기 도 1의 구조에 한정되지 않으며, 추가적인 층이 더 포함될 수 있다.
도 2는 본 명세서의 일 구현예에 따른 유기발광소자의 외광 흡수층(401)을 도시한 것이다. 구체적으로, 상기 외광 흡수층(401)은 상기 제2 전극(301)상에 상조절층(501, 502, 503)과 그라핀층(601, 602)이 교차로 적층된 구조일 수 있다. 본 명세서의 상기 외광 흡수층(401)은 상기 도 2의 구조에 한정되지 않는다.
구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층은 상기 그라핀 층을 2 이상 7 이하로 포함하고, 상기 상조절층을 3 이상 8 이하로 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층은 상기 그라핀층을 n개 이상 포함하고, 상기 상조절층을 n+1 개 이상 포함할 수 있으며, 상기 n은 2 이상 7 이하일 수 있다.
상기 범위의 그라핀층과 상조절층이 교차로 적층되어 외광 흡수층을 형성하는 경우, 외광 반사를 최대한 억제하면서 내광 투과를 극대화할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 상조절층 중 어느 하나는 상기 전극에 접하여 구비될 수 있다. 구체적으로, 상기 상조절층 중 어느 하나는 상기 제2 전극에 접하여 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 상조절층의 굴절률은 1 초과 2.5 이하일 수 있다.
본 명세서의 굴절률(n)은 공기 중에서의 빛의 속도와 매질 속에서의 빛의 속도의 비로서 정의된다. 구체적으로, 공기는 굴절률(n)이 1이다.
본 명세서의 상기 상조절층은 그라핀층의 형성시 그라핀층을 안정적으로 형성될 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다. 나아가, 상기 상 조절층은 광추출 기능을 가지고 있으므로, 발광층에서 방출되는 빛을 효율적으로 방출하는 역할을 할 수 있다. 나아가, 상기 상조절층은 그라핀층이 발광층에서 방출되는 빛을 흡수하여 유기발광소자의 효율이 저하되는 것을 보상하는 역할을 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2 이상의 상조절층은 각각 독립적으로, 굴절율이 1 초과 2.5 이하인, 고분자 화합물; 유기물; 금속 산화물; 금속 화합물 및 비금속 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자는 폴리(p-자일리렌) 또는 폴리(p-자일리렌)의 유도체를 포함하는 폴리머; 메틸메타크릴레이트 또는 메틸메타크릴레이트의 유도체를 포함하는 폴리머; 폴리카보네이트의 불소화 폴리머; 폴리실록산의 불소화 폴리머; 과불소계 고분자(perfluorinated polymer)의 불소화 폴리머; 폴리스티렌의 불소화 폴리머; 및 상기 고분자를 구성하는 단량체 중 2 이상을 포함하는 공중합체로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리(p-자일리렌) 또는 폴리(p-자일리렌)의 유도체를 포함하는 폴리머는 패럴린(parylene)일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 산화물은 TiO2, ZnO, MoOx, ReO3 및 WOx로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속 화합물은 LiF, ZnS, CsF, CsN3, LiN3, MgF2, Cs2CO3 및 Rb2CO3로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 비금속 산화물은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 상조절층 각각의 한 층의 두께는 1 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2 이상의 상조절층의 두께는 서로 상이할 수 있다. 또는, 상기 2 이상의 상조절층은 서로 동일할 수도 있다.
구체적으로, 상기 상조절층이 상기 범위 내인 경우, 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 그라핀층 각각의 한 층의 두께는 0.3 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2 이상의 그라핀층의 두께는 서로 상이할 수 있다. 또는, 상기 2 이상의 그라핀층은 서로 동일할 수 있다.
구체적으로, 상기 그라핀층이 상기 범위 내인 경우, 발광층에서 방출되는 빛의 흡수를 최소로 유지하며, 외광의 상쇄 간섭효과를 높여 외광 흡수를 최대화할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 상조절층 중 어느 한 층은 상기 외광 흡수층의 최외각에 구비될 수 있다.
상기 최외각이란, 상기 외광 흡수층이 공기와 접하는 영역일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층의 최외각에 구비된 상조절층의 굴절률은 1 초과 1.6 이하일 수 있다. 상기 외광 흡수층의 최외각에 구비된 상조절층은 굴절율이 작도록 하여, 공기와의 굴절율 차이를 줄여줄 수 있다. 이에 따라, 외광의 반사도를 저감하여 외광 반사도를 낮출 수 있다. 구체적으로, 상기 최외각에 구비된 상조절층은 외광이 유기발광소자의 최외각에서 반사되는 것을 최소화하여, 외광 흡수층으로 외광을 유도하게 할 수 있다. 이에 따라, 외광 흡수층으로 유입된 외광은 흡수되어 유기발광소자의 시인성을 보다 높일 수 있게 된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층의 시감 반사율은 0 % 이상 10 % 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층의 투습도는 0 g/m2·h·mHg 이상 5 g/m2·h·mHg 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 외광 흡수층은 수분이 투습하지 못하도록 하는 성질을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 외광 흡수층은 수분에 약한 유기물층을 보호하기 위한 투습 배리어의 역할도 할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 전면발광(top emission) 구조이고, 상기 제2 전극은 상부전극일 수 있다. 이 경우, 상기 제2 전극은 투명전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 배면발광(bottom emission) 구조이고, 상기 제2 전극은 하부전극일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공주입층; 정공수송층; 전자차단층; 전하발생층; 정공차단층; 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 기판을 더 포함할 수 있다.
본 명세서에 따른 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판 또는 내부에 광추출층이 형성되어 있는 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 전자소자에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다.
상기 전하 발생층(Charge Generating layer)은 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 말한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드일 수 있다.
상기 애노드로는 통상 유기물층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 명세서에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 투명 전극일 수 있다.
상기 제1 전극이 투명전극인 경우, 상기 제1 전극은 산화주석인듐(ITO) 또는 산화아연인듐(IZO) 등과 같은 전도성 산화물일 수 있다. 나아가, 상기 제1 전극은 반투명 전극일 수도 있다. 상기 제1 전극이 반투명 전극인 경우, Ag, Au, Mg, Ca 또는 이들의 합금 같은 반투명 금속으로 제조될 수 있다. 반투명 금속이 제1 전극으로 사용되는 경우, 상기 유기 발광소자는 미세공동구조를 가질 수 있다.
본 명세서에 따른 상기 정공 수송층 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 상기 발광층 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 상기 전자 수송층 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 광추출층을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광추출층은 내부 광추출층 또는 외부 광추출층일 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 기판을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 유기발광소자는 상기 기판 상에 상기 제1 전극 또는 제2 전극이 구비될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 기판을 더 포함하고, 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판과 상기 제1 전극 사이에 내부 광추출층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 내부 광추출층은 평탄층을 포함할 수 있다.
또는, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 기판을 더 포함하고, 상기 기판의 제1 전극이 구비된 면에 대향하는 면에 외부 광추출층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 내부 광추출층 또는 외부 광추출층은 광산란을 유도하여, 상기 유기발광소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광추출층은 기판 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자일 수 있다. 이 경우, 상기 기판은 플랙시블 재료를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판은 휘어질 수 있는 박막 형태의 글래스, 플라스틱 기판 또는 필름 형태의 기판일 수 있다.
상기 플라스틱 기판의 재료는 특별히 한정하지는 않으나, 일반적으로 PET, PEN, PEEK 및 PI 등의 필름을 단층 또는 복층의 형태로 포함하는 것일 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
본 명세서는 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[
실시예
1]
유리기판 상에 Al(100 ㎚), p형 도핑된 TAPC (52 ㎚) / TAPC (15 ㎚) / C545T가 1 중량% 도핑된 Alq3(20 ㎚) / Alq3 (24 ㎚) / Ag (15 ㎚)를 순차적으로 적층하여 유기발광소자를 제조하였다. 나아가, 외광 흡수층으로서 상기 Ag 상에 그라핀 (6.7 ㎚) / 페럴린(parylene)(230 ㎚) / 그라핀(6.7 ㎚) / 패럴린 (90 ㎚) / 그라핀(6.7 ㎚) / 폴리(p-자일리렌)을 포함하는 폴리머(100 ㎚)을 순차적으로 적층하였다. 실시예 1에 따른 유기발광소자의 시감 반사율(luminous reflectance)은 5.9 %였다. 또한, 실시예 1에 따른 유기발광소자에 대한 외광 반사율의 측정값을 도 3에 나타내었다.
[
비교예
1]
상기 실시예 1에서 외광 흡수층을 제외한 유기발광소자를 제조하였다. 비교예 1에 따른 유기발광소자의 시감 반사율은 50.1 %였다. 또한, 비교예 1에 따른 유기발광소자에 대한 외광 반사율의 측정값을 도 3에 나타내었다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 명세서의 상기 외광 흡수층을 포함하는 유기발광소자는 외광 반사율 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 본 명세서의 상기 외광 흡수층을 포함하는 유기발광소자는 시감 반사율 또한 낮으므로, 시인성이 우수한 것을 알 수 있다.
101: 제1 전극
201: 유기물층
301: 제2 전극
401: 외광 흡수층
501, 502, 503: 상조절층
601, 602: 그라핀층
201: 유기물층
301: 제2 전극
401: 외광 흡수층
501, 502, 503: 상조절층
601, 602: 그라핀층
Claims (26)
- 전기 전도층; 및 상기 전기 전도층 상에 구비되는 외광 흡수층을 포함하고,
상기 외광 흡수층은 그라핀(graphene) 또는 이의 유도체를 포함하는 2 이상의 그라핀층; 및 2 이상의 상조절층(phase control layer)이 교차로 적층된 구조를 포함하고, 상기 상조절층 중 어느 하나는 상기 전기 전도층에 접하여 구비되는 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 외광 흡수층은 상기 그라핀 층을 2 이상 7 이하로 포함하고, 상기 상조절층을 3 이상 8 이하로 포함하는 것인 전극. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 상조절층의 굴절률은 1 초과 2.5 이하인 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 2 이상의 상조절층은 각각 독립적으로, 고분자 화합물; 유기물; 금속 산화물; 금속 화합물 및 비금속 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 전극. - 청구항 5에 있어서,
상기 고분자는 폴리(p-자일리렌) 또는 폴리(p-자일리렌)의 유도체를 포함하는 폴리머; 메틸메타크릴레이트 또는 메틸메타크릴레이트의 유도체를 포함하는 폴리머; 폴리카보네이트의 불소화 폴리머; 폴리실록산의 불소화 폴리머; 과불소계 고분자(perfluorinated polymer)의 불소화 폴리머; 폴리스티렌의 불소화 폴리머; 및 상기 고분자를 구성하는 단량체 중 2 이상을 포함하는 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전극. - 청구항 5에 있어서,
상기 금속 산화물은 TiO2, ZnO, MoOx, ReO3 및 WOx 로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전극. - 청구항 5에 있어서,
상기 금속 화합물은 LiF, ZnS, CsF, CsN3, LiN3, MgF2, Cs2CO3 및 Rb2CO3 로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전극. - 청구항 5에 있어서,
상기 비금속 산화물은 실리콘 질화물 및 실리콘 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 상조절층 각각의 한 층의 두께는 1 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하인 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 그라핀층 각각의 한 층의 두께는 0.3 ㎚ 이상 100 ㎚ 이하인 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 상조절층 중 어느 한 층은 상기 외광 흡수층의 최외각에 구비된 것인 전극. - 청구항 12에 있어서,
상기 외광 흡수층의 최외각에 구비된 상조절층의 굴절률은 1.0 초과 1.6 이하인 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 외광 흡수층의 시감 반사율은 0 % 이상 10 % 이하인 것인 전극. - 청구항 1에 있어서,
상기 외광 흡수층의 투습도는 0 g/m2·h·mHg 이상 5 g/m2·h·mHg 이하인 것인 전극. - 제1 전극;
상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극;
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 제2 전극은 청구항 1, 2, 4 내지 15 중 어느 한 항의 전극인 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 외광 흡수층은 상기 제2 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 접하여 구비된 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 유기발광소자는 전면발광(top emission) 구조이고, 상기 제2 전극은 상부전극인 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 유기발광소자는 배면발광(bottom emission) 구조이고, 상기 제2 전극은 하부전극인 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공주입층; 정공수송층; 전자차단층; 전하발생층; 정공차단층; 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 더 포함하는 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고,
상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 구비된 내부 광추출층을 더 포함하는 것인 유기발광소자. - 청구항 21에 있어서,
상기 내부 광추출층은 평탄층을 포함하는 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 제1 전극의 유기물층이 구비되는 면과 대향하는 면에 구비된 기판을 더 포함하고,
상기 기판의 제1 전극이 구비되는 면과 대향하는 면에 외부 광추출층을 더 포함하는 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 있어서,
상기 유기발광소자는 플랙시블(flexible) 유기발광소자인 것인 유기발광소자. - 청구항 16에 따른 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치.
- 청구항 16에 따른 유기발광소자를 포함하는 조명 장치.
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101114916B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2012-02-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8461567B2 (en) * | 2010-06-24 | 2013-06-11 | Nokia Corporation | Apparatus and method for sensing photons |
WO2012091498A1 (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-05 | 성균관대학교산학협력단 | 그래핀 전극을 포함하는 플렉시블/스트레처블 반도체 소자, 반도체층과 그래핀 전극 사이의 접촉저항 감소 방법, 및 그래핀 인터커넥터 |
-
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101114916B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2012-02-14 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자용 기판 및 그 제조방법 |
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KR20150035332A (ko) | 2015-04-06 |
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