KR101946243B1 - Method of manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents

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김경민
정겨울
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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of a semiconductor light emitting element for increasing light extraction efficiency of the semiconductor light emitting element. The manufacturing method of a semiconductor light emitting element comprises the steps of: applying a second encapsulation onto a first encapsulation; arranging a semiconductor light emitting element chip which generates light by using the connection of an electron and a positive hole on the second encapsulation and has an electrode; arranging the semiconductor light emitting element chip to allow the electrode of the semiconductor light emitting element chip to be exposed; surrounding at least a part of a lateral side of the semiconductor light emitting element chip by the second encapsulation; individually cutting and arranging the first encapsulation, the second encapsulation and the semiconductor light emitting element chip which are integrally connected; and forming a reflection wall by applying a reflection material onto the first encapsulation and the second encapsulation, wherein the reflection wall includes a flat unit.

Description

반도체 발광소자의 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor light-

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광효율을 높인 CSP(Chip Scale Package) 타입의 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing a CSP (Chip Scale Package) type semiconductor light emitting device with enhanced light emitting efficiency.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). 또한 본 명세서에서 상측/하측, 위/아래 등과 같은 방향 표시는 도면을 기준으로 한다.Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts. Also, in this specification, directional indication such as up / down, up / down, etc. is based on the drawings.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(12), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(14) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 성장기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 12, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 14 and an electrode 70 serving as a bonding pad is formed thereon. Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the growth substrate 10 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 보여주는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면이 된다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이일 수 있다.The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it becomes a mounting surface. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 보여주는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자(100)는 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자 칩(150; Vertical Type Light Emitting Chip)이 구비되어 있고, 캐비티(140)는 파장 변환재(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)에서 나온 광의 일부가 파장 변환재(160)를 여기 시켜 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자 칩(150)은 청색광을 만들고 파장 변환재(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자 칩(150)을 사용한 반도체 발광소자를 보여주고 있지만, 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자 칩을 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자를 제조할 수도 있다.The semiconductor light emitting device 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140. The cavity 140 is formed in the cavity 130, Is filled with an encapsulant 170 containing the wavelength converting material 160. [ The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device chip 150 excites the wavelength conversion material 160 to produce light of a different color, and two different lights may be mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device chip 150 generates blue light, and the light generated by exciting the wavelength conversion material 160 is yellow light, and blue light and yellow light may be mixed to form white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device using the vertical semiconductor light emitting device chip 150, but it is also possible to manufacture the semiconductor light emitting device of FIG. 3 using the semiconductor light emitting device chip shown in FIGS. 1 and 2 have.

도 3에 기재된 타입의 반도체 발광소자를 일반적으로 패키지(Package) 타입(Type)의 반도체 발광소자라고 하며 반도체 발광소자 칩 크기의 반도체 발광소자를 CSP(Chip Scale Package) 타입의 반도체 발광소자라 한다. CSP 타입의 반도체 발광소자와 관련된 것은 한국 공개특허공보 제2014-0127457호에 기재되어 있다. 최근에는 반도체 발광소자의 크기가 소형화되는 경향에 따라 CSP 타입의 반도체 발광소자에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다.The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 3 is generally referred to as a package type semiconductor light emitting device, and the semiconductor light emitting device of a semiconductor light emitting device chip size is referred to as a CSP (Chip Scale Package) type semiconductor light emitting device. Related to the CSP type semiconductor light emitting device is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 2014-0127457. In recent years, the semiconductor light emitting device has been actively developed for a CSP type semiconductor light emitting device due to the tendency that the size of the semiconductor light emitting device is reduced.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 도포하는 단계; 제2 봉지재 위에 전자와 정공의 결합을 이용해 빛을 생성하며 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 반도체 발광소자 칩의 전극이 노출되도록 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계; 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계; 일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계; 그리고 제1 봉지재와 제2 봉지재를 덮도록 반사물질을 도포하여 반사벽을 형성하는 단계;를 포함하고, 반사벽은 평탄부;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: applying a second encapsulant on a first encapsulant; Disposing a semiconductor light emitting device chip having an electrode on a second encapsulant using light and holes formed on the second encapsulant; and disposing the semiconductor light emitting device chip so that the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed. The second encapsulant surrounding at least a portion of a side surface of the semiconductor light emitting device chip; Separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulant, the second encapsulant, and the semiconductor light emitting element chip; And forming a reflective wall by applying a reflective material to cover the first encapsulant and the second encapsulant, wherein the reflective wall includes a flat portion.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예(Vertical Chip)를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 도 4 및 도 5에 개시된 반도체 발광소자에서 반사벽이 반도체 발광소자 칩의 측면 방향으로 볼록하게 형성된 경사면으로 형성될 때 얻어지는 효과를 설명하는 도면,
도 7 및 도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 다른 일 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip (lateral chip)
FIG. 2 is a view showing another example (Flip Chip) of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device chip (Vertical Chip)
4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 6 is a view for explaining an effect obtained when the reflection wall is formed as a sloped surface formed convexly in the lateral direction of the semiconductor light emitting device chip in the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 4 and 5,
7 and 8 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view for explaining another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자(1)의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining an example of the semiconductor light emitting element 1 according to the present disclosure.

반도체 발광소자(1)는 반도체 발광소자 칩(110), 봉지재(120) 및 반사벽(130)을 포함한다.The semiconductor light emitting device 1 includes a semiconductor light emitting device chip 110, a sealing material 120, and a reflective wall 130.

반도체 발광소자 칩(110)은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(111)을 포함하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극(112)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(110)은 반도체 발광소자 칩(110) 하부에 전극(112)이 위치하는 플립 칩(flip chip)이 바람직하며, 전극(112)은 봉지재(120)의 하면 방향으로 노출되어 있다. 본 개시에서 반도체 발광소자 칩(110)을 플립 칩으로 한정하였지만, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)을 배제하는 것은 아니다. 활성층(111)은 명확히 표시하기 위하여 과장되게 표현하였으며, 실제 활성층은 두께가 수 um로 얇으며 전극(112) 근처에 형성되어 있다.The semiconductor light emitting device chip 110 includes a plurality of semiconductor layers including an active layer 111 that generates light by recombination of electrons and holes and an electrode 112 electrically connected to the plurality of semiconductor layers. The semiconductor light emitting device chip 110 is preferably a flip chip in which the electrode 112 is positioned below the semiconductor light emitting device chip 110 and the electrode 112 is exposed in the lower direction of the sealing material 120 have. Although the semiconductor light emitting device chip 110 is limited to a flip chip in the present disclosure, it does not exclude a lateral chip or a vertical chip. The active layer 111 is exaggerated for clarity, and the actual active layer is formed in the vicinity of the electrode 112 with a thickness of a few um and thin.

반사벽(130)은 반도체 발광소자 칩(110)을 감싸도록 반도체 발광소자 칩(110)의 측면에 형성된다. 이와 같은 반사벽(130)은 반도체 발광소자 칩(110)에서 나오는 빛을 봉지재(120)로 반사할 수 있는 유색의 반사 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어 화이트 실리콘 수지로 형성될 수 있다. 반사벽(130)이 화이트 실리콘(White Silicon), 및 고반사 에폭시(epoxy) 중 적어도 하나로 이루어지는 경우, 반사벽(130)은 불투명할 수 있고, 빛을 봉지재(120) 측으로 반사할 수 있다.The reflective wall 130 is formed on a side surface of the semiconductor light emitting device chip 110 so as to surround the semiconductor light emitting device chip 110. The reflective wall 130 may be formed of a colored reflective material capable of reflecting light emitted from the semiconductor light emitting device chip 110 to the encapsulant 120. For example, a white silicone resin. When the reflective wall 130 is made of at least one of white silicon and high reflective epoxy, the reflective wall 130 may be opaque and reflect light toward the encapsulant 120.

구체적으로, 반사벽(130)은 반사벽(130)의 상면(131)과 하면(132)을 연결하며, 봉지재(120)와 접촉하는 내측면(133)을 포함한다.Specifically, the reflective wall 130 includes an inner surface 133 connecting the upper surface 131 and the lower surface 132 of the reflective wall 130 and contacting the encapsulant 120.

내측면(133)은 반사벽(130)의 상면(131) 및 하면(132)과 평행한 평탄면(1330)과, 반사벽(130)의 상면(131)과 반사벽(130)의 평탄면(1330)을 연결하는 수직면(1331) 및 반사벽(130)의 평탄면(1330)과 반사벽(130)의 하면(132)을 연결하며, 평탄면(1330)에서 하면(132) 방항으로 기울어진 경사면(1332)으로 이루어진다. 특히 평탄면(1330) 및 경사면(1332)로 이루어진 부분을 반사벽(130)의 평탄부(134)라 한다. 평탄부(134)는 반도체 발광소자 칩(110)의 높이와 동일한 높이를 갖는다.The inner side surface 133 has a flat surface 1330 parallel to the upper surface 131 and the lower surface 132 of the reflecting wall 130 and a flat surface 1330 parallel to the flat surface 1330 of the reflecting wall 130 and the reflecting wall 130. [ A vertical surface 1331 connecting the flat surface 1330 and the flat surface 1330 of the reflective wall 130 and the bottom surface 132 of the reflective wall 130 and connecting the flat surface 1330 to the bottom surface 132, And a true slope 1332. Particularly, the portion formed by the flat surface 1330 and the inclined surface 1332 is referred to as a flat portion 134 of the reflecting wall 130. [ The flat portion 134 has the same height as the height of the semiconductor light emitting device chip 110.

경사면(1332)은 반도체 발광소자 칩(110)의 측면 방향으로 볼록한 곡선으로 형성됨으로써, 반도체 발광소자 칩(110)으로부터 나온 빛의 분포를 원하는 형태로 하는 데에 도움이 될 수 있다. 본 개시에서 반도체 발광소자 칩(110)의 측면 방향으로 볼록한 곡선으로 도시하였지만, 이에 한정하지 않고 직선으로 이루어질 수도 있다.The inclined surface 1332 is formed as a convex curve in the lateral direction of the semiconductor light emitting device chip 110, so that the distribution of the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 110 can be helped to a desired shape. Although the semiconductor light emitting device chip 110 is shown in the present disclosure as a convex curve in the lateral direction, the semiconductor light emitting device chip 110 may be formed in a straight line.

봉지재(120)는 반도체 발광소자 칩(110)의 측면 및 상면을 감싸도록 형성된다. 봉지재(120)는 반사벽(130)에 의해 형성된 캐비티에 형성된다.The encapsulant 120 is formed to surround the side surface and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 110. The encapsulant 120 is formed in the cavity formed by the reflective wall 130.

봉지재(120)는 투광성 물질 및 파장 변환재(미도시)를 포함하는 투광성 물질 중 하나로 형성될 수 있다. 투광성 물질은 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 적어도 하나일 수 있다. 파장 변환재는 반도체 발광소자 칩(110)의 활성층(111)으로부터 생성되는 빛을 다른 파장의 빛으로 변환하는 것이라면 어떠한 것이라도 좋지만(예: 안료, 염료 등), 광 변환 효율을 고려할 때 형광체(예: YAG, (Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 등)를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 파장 변환재는 반도체 발광소자(1)에서 나오는 빛의 색에 따라 정해질 수 있으며, 당업자에게 잘 알려져 있다. 봉지재(120)는 반도체 발광소자 칩(110)의 측면 및 상면으로부터 나오는 빛을 균일하게 변환하여 균일한 발광이 이루어질 수 있도록 한다.The encapsulant 120 may be formed of one of a transmissive material and a transmissive material including a wavelength converting material (not shown). The light transmitting material may be at least one of an epoxy resin and a silicone resin. The wavelength conversion material may be any material as long as it converts light generated from the active layer 111 of the semiconductor light emitting device chip 110 into light of a different wavelength (for example, pigment, dye, etc.) : YAG, (Sr, Ba, Ca) 2SiO4: Eu, etc.) is preferably used. The wavelength conversion material can be determined according to the color of light emitted from the semiconductor light emitting element 1 and is well known to those skilled in the art. The encapsulant 120 uniformly converts light emitted from the side surface and the top surface of the semiconductor light emitting device chip 110 to uniformly emit light.

구체적으로, 봉지재(120)는 반도체 발광소자 칩(110) 위에 위치하는 제1 봉지재(121)와 제1 봉지재(121) 아래 및 반도체 발광소자 칩(110)의 측면에 위치하는 제2 봉지재(122)를 포함한다. 본 개시에서 제1 봉지재(121) 및 제2 봉지재(122)는 동일한 물질 예를 들어, 투광성 물질 및 파장 변환재가 포함된 투광성 물질 중 적어도 하나로 형성되는 것이 바람직하다. 하지만, 이에 한정하지 않고 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다.The encapsulant 120 may include a first encapsulant 121 located on the semiconductor light emitting device chip 110 and a second encapsulant 121 located below the first encapsulant 121 and on the side of the semiconductor light emitting device chip 110. [ And an encapsulant 122. In the present disclosure, it is preferable that the first encapsulant 121 and the second encapsulant 122 are formed of at least one of the same material, for example, a translucent material and a translucent material including a wavelength conversion material. However, the present invention is not limited to this and may be made of different materials.

제2 봉지재(122)는 반도체 발광소자 칩(110)의 측면과 반사벽(130)의 경사면(1332) 사이에 위치한다.The second encapsulant 122 is positioned between the side surface of the semiconductor light emitting device chip 110 and the inclined surface 1332 of the reflective wall 130.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자(2)의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting element 2 according to the present disclosure.

반도체 발광소자(2)는 반도체 발광소자 칩(110)의 측면과 반사벽(130)의 내측면(133)의 경사면(1332)이 서로 맞닿은 접촉 부분(140)을 포함한다. 접촉 부분(140)을 제외하고는 도 4에 기재된 반도체 발광소자(1)와 동일한 특성을 갖는다.The semiconductor light emitting device 2 includes a contact portion 140 where a side surface of the semiconductor light emitting device chip 110 and an inclined surface 1332 of the inner side surface 133 of the reflecting wall 130 are in contact with each other. Except for the contact portion 140, has the same characteristics as the semiconductor light emitting element 1 described in Fig.

접촉 부분(140)은 경사면(1332)이 반도체 발광소자 칩(110)의 측면의 일부분과 직접 접촉함으로써, 반도체 발광소자 칩(110)의 측면의 일부분과 경사면(1332) 사이에는 제2 봉지재(122)가 위치하지 않는다.The contact portion 140 is in contact with a portion of the side surface of the semiconductor light emitting device chip 110 and the inclined surface 1332 so that the second encapsulant 122 are not located.

반도체 발광소자 칩(110)의 측면의 일부분과 경사면(1332) 사이에 제2 봉지재(122)가 위치하지 않음으로써, 반도체 발광소자 칩(110)의 측면에서 나오는 빛이 반도체 발광소자 칩(110)의 전극(112) 방향으로 빛이 새어 나가지 않아 광 손실을 방지할 수 있다.Since the second encapsulant 122 is not disposed between a part of the side surface of the semiconductor light emitting device chip 110 and the inclined surface 1332, light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 110 is transmitted to the semiconductor light emitting device chip 110 So that light can be prevented from being lost.

도 6은 도 4 및 도 5에 개시된 반도체 발광소자에서 반사벽이 반도체 발광소자 칩의 측면 방향으로 볼록하게 형성된 경사면으로 형성될 때 얻어지는 효과를 설명하는 도면이다.FIG. 6 is a view for explaining the effect obtained when the reflection wall is formed as a sloped surface formed convexly in the lateral direction of the semiconductor light emitting device chip in the semiconductor light emitting device shown in FIG. 4 and FIG.

도 6(a)에 도시된 반도체 발광소자(1a)에서 반사벽(130a)의 내측면(133a)이 반도체 발광소자 칩(120a)의 측면으로 볼록한 경사면으로 형성됨으로써, 반도체 발광소자 칩(130a)에서 하측으로 향하는 빛이 반사되어 상측으로 나가 빛 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 반사벽(130a)의 내측면(133a)의 볼록한 정도를 조절하여 반사벽(130a)에 의해 반사되어 나가는 빛의 지향각을 조절할 수 있다.The inner side surface 133a of the reflective wall 130a is formed into a convex slope toward the side of the semiconductor light emitting device chip 120a in the semiconductor light emitting device 1a shown in FIG. So that the light extraction efficiency can be improved. Also, the degree of convexity of the inner side surface 133a of the reflective wall 130a can be adjusted to control the directional angle of the light reflected by the reflective wall 130a.

하지만, 도 6(b)에 도시된 반도체 발광소자(1b)는 반도체 발광소자 칩(120b)의 측면에서 나오는 빛이 반도체 발광소자 칩(120b)의 측면과 접촉하여 형성된 반사벽(130b)에 의해 반도체 발광소자 칩(120b)으로 재입사되어 빛 손실이 발생할 수 있다.However, the semiconductor light emitting device 1b shown in FIG. 6 (b) is formed by the reflection wall 130b formed by the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 120b being in contact with the side surface of the semiconductor light emitting device chip 120b The light is re-incident on the semiconductor light emitting device chip 120b, and light loss may occur.

그리고, 도 6(c)에 도시된 반도체 발광소자(1c)는 반도체 발광소자 칩(120c)의 측면에서 나오는 빛이 반도체 발광소자 칩(120c)의 측면과 이격되어 형성된 반사벽(130c)에 의해 반도체 발광소자 칩(120c)으로 재입사되거나, 반도체 발광소자 칩(120c)의 하측으로 나가서 빛 손실이 발생할 수 있다.The semiconductor light emitting device 1c shown in FIG. 6 (c) includes a reflective wall 130c formed by the light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 120c and separated from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 120c The light may be re-incident on the semiconductor light-emitting device chip 120c or may go to the lower side of the semiconductor light-emitting device chip 120c to cause light loss.

도 7 및 도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면이다.7 and 8 are views for explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

먼저, 도 7(a)에 도시한 바와 같이, 제1 봉지재(221) 위에 제2 봉지재(222)를 도포한다. 제1 봉지재(221) 위에 도포되는 제2 봉지재(222)의 두께는 제1 봉지재(221)의 두께보다 얇게 도포한다. 본 개시에서 제2 봉지재(222)의 두께는 0보다 크고 10㎛이하로 도시하였지만, 이에 한정되지 않는다. 제2 봉지재(221)의 도포 양에 따라 후술되는 반사벽(230)의 기울기가 조절될 수 있다. 예를 들어, 제2 봉지재(222)가 2㎛ 도포되는 경우 반사벽(230)의 경사면(2332)의 기울기가 크게 형성되고, 제2 봉지재(222)가 10㎛ 도포되는 경우 2㎛ 도포되는 경우보다 반사벽(230)의 경사면(2332)의 기울기가 작게 형성될 수 있다. 이에 따라, 반사벽(230)의 경사면(2332)의 기울기에 따라 반사벽(230)에 의해 반사되어 나가는 빛의 지향각을 조절할 수 있다. 특히 경사면(2332)이 곡선 형태를 갖기 위해서는 제2 봉지재(222)가 10um 이하로 도포되는 것이 바람직하다.First, as shown in Fig. 7 (a), the second encapsulant 222 is coated on the first encapsulant 221. Then, The thickness of the second encapsulant 222 applied on the first encapsulant 221 is smaller than the thickness of the first encapsulant 221. [ In the present disclosure, the thickness of the second encapsulant 222 is greater than 0 and less than 10 占 퐉, but the present invention is not limited thereto. The slope of the reflective wall 230, which will be described later, can be adjusted according to the application amount of the second encapsulant 221. For example, when the second encapsulant 222 is applied to a thickness of 2 μm, the inclination of the inclined surface 2332 of the reflective wall 230 is increased. When the second encapsulant 222 is applied by 10 μm, The inclination of the inclined surface 2332 of the reflecting wall 230 may be smaller than the inclination of the inclined surface 2332 of the reflective wall 230. Accordingly, the directivity angle of the light reflected by the reflective wall 230 can be adjusted according to the inclination of the inclined plane 2332 of the reflective wall 230. Particularly, in order for the inclined surface 2332 to have a curved shape, it is preferable that the second encapsulant 222 is applied at 10um or less.

다음으로, 도 7(b)에 도시한 바와 같이 챔버(10) 내에서, 제2 봉지재(222) 위에 전자와 정공의 결합을 이용해 빛을 생성하며 전극(212)을 구비하는 반도체 발광소자 칩(210)을 배치한다. 본 예에서, 반도체 발광소자 칩(210)으로는 플립 칩(flip chip)이 적합하지만, 레터럴 칩(lateral chip)이나 수직형 칩(vertical chip)을 배제하는 것은 아니다.Next, as shown in FIG. 7 (b), light is generated using the combination of electrons and holes on the second encapsulant 222 in the chamber 10, and the semiconductor light- (210). In this example, a flip chip is suitable as the semiconductor light emitting device chip 210, but it does not exclude a lateral chip or a vertical chip.

챔버(10)의 상부에는 반도체 발광소자 칩(210)을 반도체 발광소자 칩(210)을 제2 봉지재(222) 위에 배치하기 위해 반도체 발광소자 칩(210)이 배열된 베이스(20)를 고정 및 하강하는 제어부(11)와 반도체 발광소자 칩(210)을 하강시키는 경우 내부에서 발생하는 공기를 배출하는 공기 배출구(12)를 구비하고, 챔버(10)의 하부에는 제1 봉지재(221) 및 제2 봉지재(222)를 가열하는 가열부(13)를 구비한다.The base 20 on which the semiconductor light emitting device chips 210 are arranged is fixed to the upper portion of the chamber 10 in order to dispose the semiconductor light emitting device chip 210 on the second encapsulant 222. And an air discharge port 12 for discharging air generated inside when the lowering control part 11 and the semiconductor light emitting device chip 210 are lowered. The first encapsulant 221 is provided at the lower part of the chamber 10, And a heating unit (13) for heating the second encapsulant (222).

구체적으로, 도 8(a)를 참고하면, 베이스(20) 위에 반도체 발광소자 칩(210)을 놓는다. 이때, 반도체 발광소자 칩(210)은 반도체 발광소자 칩(210)의 전극(212)이 베이스(20)를 향하도록 단수 또는 복수로 배치될 수 있다.Specifically, referring to FIG. 8A, the semiconductor light emitting device chip 210 is placed on the base 20. At this time, the semiconductor light emitting device chip 210 may be disposed in a single or plural number so that the electrodes 212 of the semiconductor light emitting device chip 210 face the base 20.

베이스(20)는 플렉시블한 필름, 테이프, 금속 판 또는 비금속 판일 수 있다. 필름 또는 테이프도 특별한 제한은 없으며, 점착성 또는 접착성을 가지며 내열성을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 내열성 테이프, 블루테이프 등이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광 반사율을 선택할 수 있다. 금속 판으로는 특별한 한정이 있는 것은 아니며, 예를 들어, Al, Cu, Ag, Cu-Al 합금, Cu-Ag 합금, Cu-Au 합금, SUS(스테인리스스틸) 등이 사용될 수 있으며, 도금된 판도 물론 사용 가능하다. 비금속 판으로는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 다양한 색상이나 광반사율을 선택할 수 있다. 이와 같이, 본 예에 의하면, 반도체 발광소자 칩(210)이 배열되는 베이스(20)가 반도체 기판이나 다른 고가의 기판이 아니라도 무방한 장점이 있다.The base 20 may be a flexible film, tape, metal plate, or non-metal plate. There is no particular limitation on the film or the tape, and it is preferable that the film or tape has adhesiveness or adhesiveness and has heat resistance. For example, a heat-resistant tape, a blue tape, or the like can be used, and various colors and light reflectance can be selected. For example, Al, Cu, Ag, Cu-Al alloy, Cu-Ag alloy, Cu-Au alloy, SUS (stainless steel) and the like can be used as the metal plate, Of course, it can be used. Plastics can be used as non-metallic plates, and various colors and light reflectance can be selected. As described above, according to this example, the base 20 on which the semiconductor light emitting device chips 210 are arranged can be advantageous even if it is not a semiconductor substrate or another expensive substrate.

도시하지는 않았지만 반도체 발광소자 칩(210)이 베이스(20) 위에서 움직이지 않고 고정되도록 하기 위해 베이스(20)와 반도체 발광소자 칩(210) 사이에는 접착층이 있을 수 있다.Although not shown, an adhesive layer may be provided between the base 20 and the semiconductor light emitting device chip 210 to fix the semiconductor light emitting device chip 210 on the base 20 without moving.

다음, 도 8(b)를 참고하면, 베이스(20) 위에 배열된 반도체 발광소자 칩(210) 및 제1 봉지재(221) 위에 형성된 제2 봉지재(222)를 이송장치(미도시)를 이용하여 챔버(10) 내에 위치시킨다. 베이스(20)가 제어부(11)와 고정되어 반도체 발광소자 칩(210)은 챔버(10)의 상부에 위치하고, 제1 봉지재(221) 및 제2 봉지재(222)는 가열부(13) 위에 위치하는 지지판(14)에 위치한다. 이때, 반도체 발광소자 칩(210)은 반도체 발광소자 칩(210)의 전극(212)이 베이스(20)를 향하도록 위치하므로, 반도체 발광소자 칩(210)의 상면이 노출되도록 위한다.Next, referring to FIG. 8B, the semiconductor light emitting device chip 210 arranged on the base 20 and the second encapsulant 222 formed on the first encapsulant 221 are transferred to a transfer device (not shown) In the chamber 10. The base 20 is fixed to the control unit 11 so that the semiconductor light emitting device chip 210 is positioned on the upper portion of the chamber 10. The first encapsulant 221 and the second encapsulant 222 are disposed on the heating unit 13, Is located on the support plate (14) positioned above. Since the electrode 212 of the semiconductor light emitting device chip 210 is positioned to face the base 20, the semiconductor light emitting device chip 210 is disposed such that the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 210 is exposed.

다음, 도 8(c)를 참고하면, 반도체 발광소자 칩(210)을 챔버(10)의 하부로 하강시킨다. 제어부(11)의 하강부(111)가 하강하면 공기 배출부(12)를 통해서 공기가 배출되고, 베이스(20)의 탄성력에 의해 하강부(111)에 대응되는 베이스(20)만 하강한다. 특히 베이스(20)가 제어부(11)에 고정된 상태에서 하강부(111)에 대응되는 베이스(20)만 하강하기 위해서 베이스(20)는 탄성력을 갖는 플렉시블한 재질이 바람직하다. 더 나아가 공기 배출부(12)를 통해 공기가 배출되면서 베이스(20) 중 하강부(111)에 대응하지 않는 부분이 챔버(10) 상부로 휘어지도록 하여 하강부(111)에 대응되는 베이스(20)만 하강하는 것을 더 쉽게 해준다. 하강부(111)에 대응되는 베이스(20)만 하강하여 발광소자 칩(210)의 상면이 제2 봉지재(222)와 접촉한다.Next, referring to FIG. 8 (c), the semiconductor light emitting device chip 210 is lowered to the lower portion of the chamber 10. When the descending part 111 of the control part 11 descends, air is discharged through the air discharging part 12 and only the base 20 corresponding to the descending part 111 is lowered by the elastic force of the base 20. The base 20 is preferably made of a flexible material having an elastic force in order to lower only the base 20 corresponding to the descending portion 111 while the base 20 is fixed to the control portion 11. [ The air is discharged through the air discharge unit 12 so that a portion of the base 20 which does not correspond to the descending portion 111 is bent to the upper portion of the chamber 10, ) Makes it easier to descend. Only the base 20 corresponding to the descending portion 111 is lowered so that the upper surface of the light emitting device chip 210 comes into contact with the second encapsulant 222.

다음으로, 도 7(c)에 도시한 바와 같이, 제2 봉지재(222)가 반도체 발광소자 칩(210)의 측면을 둘러싸도록 형성한다.Next, as shown in Fig. 7 (c), the second encapsulant 222 is formed so as to surround the side surface of the semiconductor light emitting device chip 210. [

가열부(13)에 의해 액상으로 된 제2 봉지재(222)를 형성하는 물질이 반도체 발광소자 칩(210)의 측면을 타고 올라가지만 표면 장력에 의해 반도체 발광소자 칩(210)의 상면 위로는 형성되지 않는다. 이에 따라, 반도체 발광소자 칩(210)의 측면을 둘러싸도록 형성되는 제2 봉지재(222)는 반도체 발광소자 칩(222)의 측면 방향으로 볼록한 곡선으로 형성되는 것으로 도시하였지만, 이에 한정하지 않고 직선으로 이루어질 수도 있다. 가열부(13)에 의해 제2 봉지재(222)만이 액상으로 되고 제1 봉지재(221)는 액상이 되지 않는 이유는 제1 봉지재(221)는 가열부(13)에 의해 가열이 되기 전에 경화가 끝난 상태이지만 제2 봉지재(222)는 가열부(13)에 의해 열경화가 이루어지기 때문이다.The material for forming the second encapsulant 222 in the form of a liquid by the heating unit 13 rides up on the side surface of the semiconductor light emitting device chip 210 but the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 210 Is not formed. The second encapsulant 222 formed to surround the side surface of the semiconductor light emitting device chip 210 is formed as a convex curve in the side direction of the semiconductor light emitting device chip 222. However, ≪ / RTI > The reason why only the second encapsulant 222 becomes liquid and the first encapsulant 221 does not become liquid by the heating unit 13 is that the first encapsulant 221 is heated by the heating unit 13 This is because the second encapsulant 222 is thermally cured by the heating unit 13 although it has been already cured.

본 개시에서 가열부(13)는 제2 봉지재(222)만을 가열하기 위해 70℃ 내지 90℃의 온도를 유지하는 것이 바람직하지만, 이에 한정하지 않는다.In the present disclosure, the heating unit 13 preferably maintains a temperature of 70 캜 to 90 캜 for heating only the second encapsulant 222, but is not limited thereto.

다음으로, 제2 봉지재(222)가 경화된 이후에 챔버(10)로부터 제1 봉지재(221) 및 제2 봉지재(222)와 일체로 결합된 반도체 발광소자 칩(210)을 꺼낸다.Next, after the second encapsulant 222 is cured, the semiconductor light emitting device chip 210 integrally joined with the first encapsulant 221 and the second encapsulant 222 is taken out of the chamber 10.

다음으로, 도 7(d)에 도시한 바와 같이, 일체로 결합된 제1 봉지재(221), 제2 봉지재(222) 및 반도체 발광소자 칩(210)을 개별적으로 분리한다.Next, as shown in Fig. 7 (d), the first encapsulant 221, the second encapsulant 222, and the semiconductor light-emitting device chip 210 integrally coupled to each other are separated.

반도체 발광소자 칩(210)과 반도체 발광소자 칩(210) 사이의 제1 봉지재(221) 상에 형성된 절단선(30)을 따라 절단한다. 특히 제1 봉지재(221)의 평탄한 부분이 포함되도록 절단하여 반사벽(230)에 평탄면이 형성될 수 있도록 한다.Along a cutting line 30 formed on the first encapsulation material 221 between the semiconductor light emitting device chip 210 and the semiconductor light emitting device chip 210. The flat portion of the first encapsulant 221 is cut so that a flat surface can be formed on the reflective wall 230.

다음으로, 도 7(e)에 도시한 바와 같이, 제1 봉지재(221) 및 제2 봉지재(222)와 일체로 결합된 반도체 발광소자 칩(210)의 전극(212)이 노출될 수 있도록 고정판(40) 위에 배열한다. 특히 각각의 제1 봉지재(221) 사이에 일정한 간격(41)이 형성되도록 배열하여 제1 봉지재(221) 사이에도 반사벽(230)이 형성될 수 있도록 한다.Next, as shown in Fig. 7 (e), the electrode 212 of the semiconductor light emitting device chip 210 integrally coupled with the first encapsulant 221 and the second encapsulant 222 is exposed The fixing plate 40, The reflective wall 230 can be formed between the first encapsulant 221 and the first encapsulant 221 by arranging the first encapsulant 221 and the second encapsulant 221 such that a predetermined gap 41 is formed.

다음으로, 도 7(f)에 도시한 바와 같이, 제1 봉지재(221)와 제2 봉지재(222)를 덮도록 반사물질을 도포하여 반사벽(230)을 형성한다. 반사벽(230)은 유색의 반사물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어 화이트 실리콘 수지로 형성될 수 있다.7 (f), a reflective material is applied to cover the first encapsulant 221 and the second encapsulant 222 to form a reflective wall 230. The reflective wall 230 is formed by applying a reflective material to cover the first encapsulant 221 and the second encapsulant 222. The reflective wall 230 is preferably made of a colored reflective material. For example, a white silicone resin.

다음으로, 도 7(g)에 도시한 바와 같이, 반도체 발광소자 칩(210)과 반도체 발광소자 칩(210) 사이의 반사벽(230)에 형성된 절단선(31)을 따라 절단하여 각각의 반도체 발광소자(1)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 7 (g), the semiconductor light emitting device chip 210 is cut along the cut line 31 formed in the reflecting wall 230 between the semiconductor light emitting device chip 210, Thereby forming the light emitting element 1.

반사벽(230)은 반도체 발광소자 칩(210)의 측면으로 나오는 빛을 반사하여 반도체 발광소자의 상측으로 나가도록 한다.The reflective wall 230 reflects light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 210 to the upper side of the semiconductor light emitting device.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 다른 일 예를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 9(a)에 도시된 바와 같이, 제2 봉지재(322)가 반도체 발광소자 칩(310)의 측면을 둘러싸도록 형성할 때, 반도체 발광소자 칩(310)의 전극(311) 및 반도체 발광소자 칩의 이 상면 및 상면과 이어지는 반도체 발광소자 칩(310)의 측면의 일부분(340)이 노출되도록 형성된다.9A, when the second encapsulant 322 is formed to surround the side surface of the semiconductor light-emitting device chip 310, the electrode 311 of the semiconductor light-emitting device chip 310 and the semiconductor light- And a portion 340 of the side surface of the semiconductor light emitting device chip 310 which is connected to the top and top surfaces of the device chip is exposed.

이에 따라, 도 9(b)에 도시된 바와 같이, 반사벽(330)은 반도체 발광소자 칩(310)의 측면의 일부분(340)과 접촉하면서 제1 봉지재(321) 및 제2 봉지재(322)를 덮도록 형성된다. 따라서, 반도체 발광소자 칩(310)의 측면의 일부분(340)과 반사벽(330) 사이에는 제2 봉지재(322)가 위치하지 않는다. 즉, 반도체 발광소자는 반도체 발광소자 칩(310)의 측면의 일부분(340)과 반사벽(330)의 일부분이 서로 맞닿은 접촉 부분(340)을 포함한다.9B, the reflective wall 330 is in contact with the portion 340 of the side surface of the semiconductor light emitting device chip 310, so that the first encapsulant 321 and the second encapsulant 322). Therefore, the second encapsulant 322 is not disposed between the portion 340 of the side surface of the semiconductor light emitting device chip 310 and the reflective wall 330. That is, the semiconductor light emitting device includes a contact portion 340 where a portion 340 of the side surface of the semiconductor light emitting device chip 310 and a portion of the reflecting wall 330 are in contact with each other.

본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법의 순서는 당업자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서는 본 개시의 범위에 포함될 수 있다.The order of the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure can be included in the scope of the present disclosure to the extent that those skilled in the art can easily change it.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 도포하는 단계; 제2 봉지재 위에 전자와 정공의 결합을 이용해 빛을 생성하며 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 반도체 발광소자 칩의 전극이 노출되도록 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계; 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계; 일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계; 그리고 제1 봉지재와 제2 봉지재를 덮도록 반사물질을 도포하여 반사벽을 형성하는 단계;를 포함하고, 반사벽은 평탄부;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.(1) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: applying a second encapsulant on a first encapsulant; Disposing a semiconductor light emitting device chip having an electrode on a second encapsulant using light and holes formed on the second encapsulant; and disposing the semiconductor light emitting device chip so that the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed. The second encapsulant surrounding at least a portion of a side surface of the semiconductor light emitting device chip; Separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulant, the second encapsulant, and the semiconductor light emitting element chip; And forming a reflective wall by applying a reflective material so as to cover the first encapsulant and the second encapsulant, wherein the reflective wall includes a flat portion.

(2) 반사벽은 반사벽의 상면과 하면을 연결하며, 제1 봉지재 및 제2 봉지재와 접촉하는 내측면을 포함하고, 내측면은, 반사벽의 상면 및 하면과 평행한 평탄면과, 반사벽의 평탄면과 반사벽의 하면을 연결하며, 평탄면에서 하면 방항으로 기울어진 경사면으로 이루어지는 반도체 발광소자의 제조 방법.(2) The reflecting wall includes an inner surface contacting the upper surface and the lower surface of the reflecting wall and contacting the first sealing material and the second sealing material, the inner surface including a flat surface parallel to the upper surface and lower surface of the reflecting wall And connecting the flat surface of the reflective wall to the lower surface of the reflective wall, and the inclined surface inclined in the downward direction from the flat surface.

(3) 경사면은 반도체 발광소자 칩 측으로 볼록한 곡선으로 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.(3) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the inclined surface is formed with a convex curve toward the semiconductor light emitting device chip.

(4) 일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계는 제1 봉지재의 평탄한 부분이 포함되도록 절단하는 반도체 발광소자의 제조방법.(4) The step of separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulation material, the second encapsulation material, and the semiconductor light-emitting device chip is performed so as to include a flat portion of the first encapsulation material.

(5) 일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계는 제1 봉지재 사이에 일정한 간격이 형성되도록 배열하는 반도체 발광소자의 제조방법.(5) The step of separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulant, the second encapsulant, and the semiconductor light-emitting device chip is arranged such that a uniform gap is formed between the first encapsulants.

(6) 제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 도포하는 단계는 경화가 완료된 상태의 제1 봉지재 위에 경화 전 상태의 제2 봉지재를 도포하며, 제2 봉지재는 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계 이후에 열경화되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(6) In the step of applying the second sealing material on the first sealing material, the second sealing material in a state before curing is coated on the first sealing material in a state in which the curing is completed, and the second sealing material, And after the step of surrounding at least a part of the side surface of the chip, the thermosetting is performed.

(7) 평탄부의 높이는 반도체 발광소자의 높이와 동일한 반도체 발광소자의 제조 방법.(7) The height of the flat portion is equal to the height of the semiconductor light emitting element.

(8) 제1 봉지재는 제2 봉지재와 동일한 물질로 이루어지는 반도체 발광소자의 제조 방법.(8) The method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the first encapsulant is made of the same material as the second encapsulant.

(9) 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계는, 표면 장력에 의해 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면을 따라 상승되는 반도체 발광소자의 제조 방법.(9) The second encapsulant surrounds at least a part of the side surface of the semiconductor light emitting device chip, wherein the second encapsulant is raised along the side surface of the semiconductor light emitting device chip by surface tension.

(10) 제2 봉지재 위에 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계는, 챔버 내에서, 베이스의 탄성력에 의해 하강부에 대응하는 반도체 발광소자 칩이 하강하여 반도체 발광소자 칩의 상면이 제2 봉지재와 접촉하도록 제2 봉지재 위에 반도체 발광소자 칩을 놓는 반도체 발광소자의 제조 방법.(10) In the step of placing the semiconductor light emitting device chip on the second encapsulant, in the chamber, the semiconductor light emitting device chip corresponding to the descending part is lowered by the elastic force of the base, Wherein the semiconductor light emitting device chip is placed on the second encapsulant so that the semiconductor light emitting device chip contacts the semiconductor encapsulant.

본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 제조 방법에 의하며, 상측으로 빛을 추출하는 효율을 향상시킨 CSP 타입의 반도체 발광소자를 얻을 수 있다According to the semiconductor light emitting device and the manufacturing method of the present disclosure, it is possible to obtain a CSP type semiconductor light emitting device having improved efficiency of extracting light upward

또한 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법에 의하면, 반도체 발광소자 칩의 측면에 형성된 곡선으로 이루어진 반사벽을 구비함으로써, 반도체 발광소자 칩에서 나오는 빛을 반사시켜 반도체 발광소자의 상측으로 나가도록 하여 상면으로 추출되는 빛의 효율이 높은 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 이에 따라, 반도체 발광소자가 1면 발광하여 반도체 발광소자의 광 추출 효율(extraction efficiency)을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the light emitted from the semiconductor light emitting device chip is reflected to the upper side of the semiconductor light emitting device by providing the curved reflective wall formed on the side surface of the semiconductor light emitting device chip It is possible to obtain a semiconductor light emitting device having high efficiency of light extracted on the upper surface. Accordingly, the semiconductor light emitting device can emit light on one side, thereby improving the light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device.

그리고, 반사벽이 반도체 발광소자 칩의 측면의 일부분과 접촉하여 형성됨으로써, 반도체 발광소자 칩으로부터 나오는 빛이 반도체 발광소자 칩의 전극 방향으로 새어 나가지 않도록 하여 광 손실을 방지할 수 있다.Also, since the reflective wall is formed in contact with a part of the side surface of the semiconductor light emitting device chip, light emitted from the semiconductor light emitting device chip is prevented from leaking toward the electrode of the semiconductor light emitting device chip, thereby preventing light loss.

1, 2 : 반도체 발광소자 110, 210 : 반도체 발광소자
120, 220 : 봉지재 130, 230 : 반사벽
134 : 평탄부 133 : 반사벽의 내측면
1330 : 반사벽 내측면의 평탄면 1331: 반사벽 내측면의 수직면
1332 : 반사벽 내측면의 경사면 140 : 접촉 부분
340 : 반도체 발광소자 칩의 측면의 일부분1, 2: Semiconductor light emitting device 110, 210: Semiconductor light emitting device
120, 220: encapsulant 130, 230: reflective wall
134: flat portion 133: inner surface of the reflecting wall
1330: flat surface of the inner side of the reflecting wall 1331: vertical surface of the inner side of the reflecting wall
1332: inclined surface of the inner side of the reflective wall 140:
340: a part of the side surface of the semiconductor light emitting device chip

Claims (10)

반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 도포하는 단계;
제2 봉지재 위에 전자와 정공의 결합을 이용해 빛을 생성하며 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;로서, 반도체 발광소자 칩의 전극이 노출되도록 반도체 발광소자 칩을 배치하는 단계;
제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계;
일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계; 그리고
제1 봉지재와 제2 봉지재를 덮도록 반사물질을 도포하여 반사벽을 형성하는 단계;를 포함하고,
반사벽은 평탄부;를 포함하며,
제2 봉지재 위에 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계는,
탄성력을 갖는 베이스 위에 복수 개의 반도체 발광소자 칩을 반도체 발광소자 칩의 전극이 베이스를 향하도록 배치하는 단계;
베이스를 챔버 내의 제어부에 고정하는 단계;
하강부가 하강하여 반도체 발광소자 칩의 상면이 제2 봉지재와 접촉하도록 제2 봉지재 위에 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계;로서 베이스 중 하강부에 대응하는 부분만 하강하고, 베이스 중 하강부에 대응하지 않는 부분은 챔버 상부로 휘어져서 제2 봉지재 위에 반도체 발광소자 칩을 놓는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Applying a second encapsulant on the first encapsulant;
Disposing a semiconductor light emitting device chip having an electrode on a second encapsulant using light and holes formed on the second encapsulant; and disposing the semiconductor light emitting device chip so that the electrode of the semiconductor light emitting device chip is exposed.
The second encapsulant surrounding at least a portion of a side surface of the semiconductor light emitting device chip;
Separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulant, the second encapsulant, and the semiconductor light emitting element chip; And
And applying a reflective material to cover the first encapsulant and the second encapsulant to form a reflective wall,
The reflective wall includes a flat portion,
The step of placing the semiconductor light emitting device chip on the second encapsulant may include:
Disposing a plurality of semiconductor light emitting device chips on the base having elasticity so that the electrodes of the semiconductor light emitting device chips face the base;
Securing the base to a control within the chamber;
Placing the semiconductor light emitting device chip on the second sealing material so that the top surface of the semiconductor light emitting device chip is brought into contact with the second sealing material so that the portion corresponding to the descending portion of the base is lowered, And placing the semiconductor light emitting device chip on the second encapsulant while being bent to the upper portion of the chamber. 제1항에 있어서,
반사벽은 반사벽의 상면과 하면을 연결하며, 제1 봉지재 및 제2 봉지재와 접촉하는 내측면을 포함하고,
내측면은,
반사벽의 상면 및 하면과 평행한 평탄면과, 반사벽의 평탄면과 반사벽의 하면을 연결하며, 평탄면에서 하면 방항으로 기울어진 경사면으로 이루어지는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
The reflective wall connects the top and bottom surfaces of the reflective wall and includes an inner surface in contact with the first encapsulant and the second encapsulant,
My side,
A planar surface parallel to the upper and lower surfaces of the reflecting wall and an inclined surface connecting the flat surface of the reflecting wall and the lower surface of the reflecting wall and tilted from the flat surface toward the lower surface. 제2항에 있어서,
경사면은 반도체 발광소자 칩 측으로 볼록한 곡선으로 형성되는 반도체 발광소자의 제조방법.3. The method of claim 2,
And the inclined surface is formed with a convex curve toward the semiconductor light emitting element chip. 제1항에 있어서,
일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계는
제1 봉지재의 평탄한 부분이 포함되도록 절단하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulant, the second encapsulant and the semiconductor light emitting element chip
Wherein the first sealing material is cut so that the flat portion of the first sealing material is included. 제4항에 있어서,
일체로 결합된 제1 봉지재, 제2 봉지재 및 반도체 발광소자 칩을 개별적으로 절단하여 배열하는 단계는
제1 봉지재 사이에 일정한 간격이 형성되도록 배열하는 반도체 발광소자의 제조방법.5. The method of claim 4,
The step of separately cutting and arranging the integrally bonded first encapsulant, the second encapsulant and the semiconductor light emitting element chip
Wherein the first encapsulant is arranged so as to be spaced apart from the first encapsulant by a predetermined distance. 제1항에 있어서,
제1 봉지재 위에 제2 봉지재를 도포하는 단계는
경화가 완료된 상태의 제1 봉지재 위에 경화 전 상태의 제2 봉지재를 도포하며,
제2 봉지재는 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계 이후에 열경화되는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of applying the second encapsulant on the first encapsulant
A second encapsulation material in a state before curing is applied onto the first encapsulation material in a state in which curing is completed,
And the second encapsulant is thermally cured after the second encapsulant surrounds at least a part of the side surface of the semiconductor light emitting device chip. 제1항에 있어서,
평탄부의 높이는 반도체 발광소자 칩의 높이와 동일한 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And the height of the flat portion is equal to the height of the semiconductor light emitting device chip. 제1항에 있어서,
제1 봉지재는 제2 봉지재와 동일한 물질로 이루어지는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the first encapsulant is made of the same material as the second encapsulant. 제1항에 있어서,
제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 단계는,
표면 장력에 의해 제2 봉지재가 반도체 발광소자 칩의 측면을 따라 상승되는 반도체 발광소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of the second encapsulant surrounding at least a part of the side surface of the semiconductor light-
And the second encapsulant is raised along the side surface of the semiconductor light-emitting device chip by surface tension. 삭제delete
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