KR101934985B1 - 기판 처리 장치 및 이의 표면을 안정화시키는 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 이의 표면을 안정화시키는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 장치의 표면을 안정화시키는 방법 및 장치를 제공한다. 기판을 플라즈마 처리하는 장치의 표면을 안정화시키는 방법으로는 상기 기판을 공정 가스로부터 발생되는 공정 플라즈마로 처리하기 전에, 상기 표면을 제1안정화 가스로부터 발생되는 제1플라즈마에 노출시키되, 상기 제1안정화 가스는 카본(C)을 포함하지 않고, 불소(F)를 포함한다. 이로 인해 카본(C)을 포함하는 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 이의 표면을 안정화시키는 방법{Apparatus for treating substrate and method for stabilizing surface of the apparatus}
본 발명은 장치의 표면을 안정화시키는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 플라즈마 처리 공정은 외부로부터 밀폐된 기판 처리 장치에서 진행된다. 기판 처리 장치는 챔버, 유전판, 라이너, 샤워 헤드, 그리고 도어 등 다양한 부품들을 포함한다. 이러한 부품들은 플라즈마 처리 공정이 진행됨에 따라 오염되거나, 낙후된다. 이로 인해 작업자는 주기적으로 부품을 장치로부터 분리하여 세정하거나 교체하는 메인터넌스 작업이 진행된다. 메인터넌스 작업이 진행된 부품은 공정 분위기에 적합한 상태로 에이징시키기 위한 안정화 공정이 수행된다.
일반적으로 플라즈마 처리 장치에는 부품의 안정화 공정을 위해 챔버 내에 사불화탄소(CF4)로부터 발생되는 안정화 플라즈마를 공급한다.
그러나 안정화 공정이 진행되는 중에는 카본(C)을 포함하는 파티클이 다량으로 발생되며, 이는 기판을 처리하는 단계에서 공정 불량을 야기한다.
본 발명은 플라즈마 처리 장치의 부품을 안정화시키는 과정에서 파티클의 발생을 최소화할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 부품의 안정화 기간을 단축시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 장치의 표면을 안정화시키는 방법 및 장치를 제공한다. 기판을 플라즈마 처리하는 장치의 표면을 안정화시키는 방법으로는 상기 기판을 공정 가스로부터 발생되는 공정 플라즈마로 처리하기 전에, 상기 표면을 제1안정화 가스로부터 발생되는 제1플라즈마에 노출시키되, 상기 제1안정화 가스는 카본(C)을 포함하지 않고, 불소(F)를 포함한다.
상기 제1안정화 가스는 삼불화질소(NF3)를 포함할 수 있다. 상기 표면을 상기 제1플라즈마에 노출시킨 후에는, 상기 표면을 제2안정화 가스로부터 발생되는 제2플라즈마에 노출시키되, 상기 제2안정화 가스는 산소(O2)를 포함할 수 있다. 상기 표면은 산화이트륨(Y2O3)으로 코팅되되, 상기 표면은 상기 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버의 내벽 또는 상기 챔버 내에 위치되는 부품들의 표면을 포함할 수 있다. 상기 표면은 안정화 분위기에서 상기 제1플라즈마에 노출되되, 상기 안정화 분위기는 압력을 포함하고, 상기 압력은 20 내지 40 mmTorr 를 포함할 수 있다.
기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 처리 공간에 공급되는 가스를 여기시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 가스 공급 유닛 및 상기 플라즈마 소스를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간에 기판이 반입되기 전에, 상기 처리 공간으로 제1안정화 가스로부터 발생되는 제1플라즈마를 공급하도록 상기 가스 공급 유닛 및 상기 플라즈마 소스를 제어하되, 상기 제1안정화 가스는 카본(C)을 포함하지 않고, 불소(F)를 포함한다.
상기 제어기는 상기 처리 공간에 상기 제1플라즈마를 공급하고, 이후에 제2안정화 가스로부터 발생되는 제2플라즈마를 공급하도록 상기 가스 공급 유닛 및 상기 플라즈마 소스를 제어하되, 상기 제1안정화 가스는 삼불화질소(NF3)를 포함하고, 상기 제2안정화 가스는 산소(O2)를 포함할 수 있다. 상기 챔버의 내벽 또는 상기 챔버의 내부에 위치되는 부품들의 표면은 산화이트륨(Y2O3)으로 코팅되게 제공될 수 있다. 상기 장치는 상기 처리 공간을 감압하는 감압 부재를 상기 제어기는 안정화 분위기에서 상기 제1플라즈마를 공급하도록 상기 감압 부재를 제어하되, 상기 안정화 분위기는 압력을 포함하되, 상기 압력은 20 내지 40 mmTorr 를 포함할 수 있다. 상기 장치는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 감싸는 환형의 링 형상을 가지는 포커스 링을 더 포함하되, 상기 부품은 기판 지지 유닛 및 포커스 링을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마에 노출되는 부품은 삼불화질소(NF3)로부터 발생되는 플라즈마에 의해 안정화 공정이 수행된다. 이로 인해 카본(C)을 포함하는 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 플라즈마에 노출되는 부품은 표면이 산화이트륨(Y2O3)으로 코팅되고, 코팅면에는 불화이트륨(YF3)이 형성된다. 이로 인해 부품의 표면은 기판을 처리하는 공정 중에 안정화될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 삼불화질소(NF3)로부터 발생되는 플라즈마는 사불화탄소(CF4)로부터 발생되는 플라즈마에 비해 부품의 안정화 시간을 단축시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 1의 장치의 부품을 안정화시키는 과정을 보여주는 플로우 차트이다.
도 4는 안정화 가스의 종류에 따른 파티클 발생을 보여주는 도표이다.
도 5는 도 3의 플로우 차트의 다른 실시예를 보여주는 플로우 차트이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면, 다양하게 적용 가능하다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배기 배플(500), 그리고 제어기(600)을 포함한다.
챔버(100)은 기판(W)이 처리되는 내부 공간(106)을 가진다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(120)에 의해 개폐된다. 챔버(100)의 바닥면에는 하부홀(150)이 형성된다. 하부홀(150)에는 배기 유닛(20)에 연결된다. 챔버(100)의 내부 공간(106)은 감압 부재(20)에 의해 배기되며, 진공 분위기가 형성될 수 있다.
기판 지지 유닛(200)은 내부 공간(106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210), 베이스(230), 그리고 포커스링(250)를 포함한다. 유전판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)은 내측링(252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에는 공정 가스 및 안정화 가스가 저장될 수 있다. 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스이고, 안정화 가스는 챔버의 내벽 또는 챔버 내에 위치되는 부품들의 표면을 안정화시킬 수 있는 가스일 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
배기 배플(500)은 내부 공간(106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 2는 도 1의 배기 배플을 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 배기 배플(500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(500)은 처리 공간(106)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 배기 배플(500)에는 복수의 배기홀들(502)이 형성된다. 배기홀들(502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(502)은 배기 배플(500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(502)은 배기 배플(500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다.
다시 도 1을 참조하면, 제어기(600)는 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 감압 부재(20)를 제어한다. 제어기(600)는 챔버(100)의 내벽 또는 부품을 에이징시키기 위한 안정화 단계에서 처리 공간(106)이 안정화 분위기를 가지도록 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 감압 부재(20)를 제어할 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 기판(W)을 처리하는 방법으로는, 기판 지지 유닛(200)에 기판(W)이 지지되면, 처리 공간(106)을 감압하여 진공 분위기로 형성한다. 처리 공간(106)에는 공정 가스로부터 발생된 공정 플라즈마를 공급한다. 공정 플라즈마에 의해 기판(W) 상에 형성된 막은 식각 처리될 수 있다.
기판(W)을 처리하는 공정 전에는, 기판 처리 장치(10)의 부품들은 작업자에 의해 메인터넌스가 진행된다. 이러한 메인터넌스는 부품을 세정하거나, 낙후된 부품을 교체하기 위한 것으로, 장치로부터 분리한 후에 다시 장착된다. 부품이 장착된 후에는 부품을 공정 분위기에 적합한 상태로 에이징시키기 위한 안정화 공정이 수행된다. 이러한 안정화 공정은 메인터넌스 뿐만 아니라, 장치를 셋업한 후에도 진행 가능하다. 일 예에 의하면, 안정화 공정이 수행되는 챔버(100)의 내벽 또는 부품의 표면에는 산화이트륨(Y2O3)가 코팅될 수 있다. 챔버(100)의 내벽 및 부품의 표면은 기판을 처리하는 중에 플라즈마에 노출되는 면일 수 있다. 부품은 포커스링(250), 유전판(210), 그리고 도어(120)일 수 있다.
도 3은 도 1의 장치의 부품을 안정화시키는 과정을 보여주는 플로우 차트이다. 도 3을 참조하면, 부품이 교체 또는 분리 후 장착되면, 안정화 단계가 진행된다. 안정화 단계에는 처리 공간(106)에 기판(W)이 미반입된 상태 및 외부로부터 차단된 상태에서 진행된다. 안정화 단계가 진행되면, 처리 공간(106)을 안정화 분위기로 전환시킨다. 여기서 안정화 분위기는 압력 및 온도를 포함한다. 안정화 분위기에 의하면, 처리 공간(106)은 20 내지 40 mmTorr 압력으로 감압된다. 또한 안정화 분위기에 의하면, 2000 내지 2500 와트(Watts)의 전력을 가지는 RF 신호를 생성하고, 처리 공간(106)에는 제1안정화 가스로부터 발생되는 제1플라즈마를 공급한다. 처리 공간(106)에는 제1플라즈마에 의해 온도가 높아지며, 부품들이 가열된다. 부품들이 가열됨에 따라. 고온 및 저압에 의해 부품의 표면에 부착되는 파티클이 제거된다. 예컨대, 파티클은 탄소(C), 산소(O), 그리고 수소(H)를 포함할 수 있다. 또한 제1플라즈마는 부품의 표면과 반응된다. 일 예에 의하면, 제1안정화 가스는 카본(C)을 포함하지 않는 가스일 수 있다. 제1안정화는 삼불화질소(NF3)일 수 있다. 제1플라즈마와 부품의 표면은 서로 반응하여 불화이트륨(YF3)이 형성될 수 있다. 안정화 단계가 완료되면, 처리 공간(106))에는 기판(W)이 반입되어 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
상술한 실시예에는 제1안정화 가스는 탄소(C)가 제외된 삼불화질소(NF3)를 포함한다. 도 4는 안정화 가스의 종류에 따른 파티클 발생을 보여주는 도표이다. 도 4를 참조하면, 삼불화질소(NF3)로부터 발생된 플라즈마로 안정화 단계를 진행하는 경우에는 탄소(C)를 포함하는 사불화탄소(CF4)로부터 발생된 플라즈마로 안정화 단계를 진행하는 것에 비해 파티클의 발생량이 줄어든다. 파티클의 발생량은 줄어듬에 따라 파티클을 제거하는 시간이 단축되고, 이는 부품의 안정화 소요 시간을 단축시킬 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 안정화 단계는 복수 회 진행될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 안정화 단계에는 제1플라즈마를 이용하여 부품의 표면을 안정화시키는 것으로 설명하였다. 그러나 안정화 단계에는 제1플라즈마 이후에, 제2플라즈마를 더 추가할 수 있다. 안정화 단계가 진행되면, 제1안정화 가스로부터 발생되는 제1플라즈마를 처리 공간으로 공급할 수 있다. 제1플라즈마의 안정화 단계가 완료되면, 제2플라즈마의 안정화 단계가 진행될 수 있다. 제2플라즈마는 제2안정화 가스로부터 발생되는 플라즈마일 수 있다. 예컨대, 제1안정화 가스 및 제2안정화 가스 각각은 탄소(C)를 포함하지 않는 가스일 수 있다. 제1안정화 가스는 삼불화질소(NF3)를 포함하고, 제2안정화 가스는 산소(O2)를 포함할 수 있다.
100: 챔버 200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라즈마 소스
500: 배기 배플 600: 제어기

Claims (10)

  1. 기판을 플라즈마 처리하는 장치의 표면을 안정화시키는 방법에 있어서,
    상기 기판을 공정 가스로부터 발생되는 공정 플라즈마로 처리하기 전에는, 상기 표면을 제1안정화 가스로부터 발생되는 제1플라즈마에 노출시키고, 상기 표면을 상기 제1플라즈마에 노출시킨 후에 상기 표면을 제2안정화 가스로부터 발생되는 제2플라즈마에 노출시키되,
    상기 표면을 상기 제1플라즈마 및 상기 제2플라즈마 각각에 노출시키는 것은 상기 장치 내에 상기 기판이 미반입된 상태에서 진행되며,
    상기 제1안정화 가스는 카본(C)을 포함하지 않고, 불소(F)를 포함하는 삼불화질소(NF3)를 포함하고,
    상기 제2안정화 가스는 산소(O2)를 포함하는 장치의 표면 안정화 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 표면은 산화이트륨(Y2O3)으로 코팅되되,
    상기 표면은 상기 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버의 내벽 또는 상기 챔버 내에 위치되는 부품들의 표면을 포함하는 장치의 표면 안정화 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 표면은 안정화 분위기에서 상기 제1플라즈마에 노출되되,
    상기 안정화 분위기는 압력을 포함하고,
    상기 압력은 20 내지 40 mmTorr 를 포함하는 장치의 표면 안정화 방법.

  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016086046A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002090615A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-14 Lam Research Corporation Duo-step plasma cleaning of chamber residues
KR100772740B1 (ko) * 2002-11-28 2007-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 용기 내부재
KR20070030596A (ko) * 2005-09-13 2007-03-16 삼성전자주식회사 화학기상증착 챔버의 시즈닝 방법
JP2010165738A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置のシーズニング方法およびシーズニングの終了判定方法。
US9230819B2 (en) * 2013-04-05 2016-01-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing
US9711334B2 (en) * 2013-07-19 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016086046A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法

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