KR101930283B1 - 태양전지용 기판 및 이를 구비한 태양전지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상부에 전극을 구비한 태양전지용 기판으로서, 상기 전극은, 제1금속분말과 제1유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 인쇄되어 형성된 하부 인쇄층, 및 제2금속분말, 제2유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 상기 하부 인쇄층의 상부에 인쇄되어 형성된 상부 인쇄층을 포함하여 소결하여 이루어지고, 상기 제2금속분말의 평균입경(D50)은 상기 제1금속분말의 평균입경(D50)보다 작으며, 상기 제2유리프릿의 유리전이온도는 상기 제1유리프릿의 유리전이온도보다 큰 태양전지용 기판을 제공한다.

Description

태양전지용 기판 및 이를 구비한 태양전지{Substrate For Solar Cell and Solar Cell}
본 발명은 태양전지용 기판 및 이를 구비한 태양전지에 관한 것이다.
태양 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서 일반적으로 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다. 도 1은 일반적인 태양전지 소자의 구조로서, 태양 전지 소자는 일반적으로 두께가 180~250㎛인 p형 실리콘 반도체 기판(10)을 이용하여 구성된다. 실리콘 반도체 기판의 수광면측에는, 두께가 0.3~0.6㎛인 n형 불순물층(20)과, 그 위에 반사 방지막(30)과 전면 전극(100)이 형성되어 있다. 또한, p형 실리콘 반도체 기판의 이면측에는 배면 전극(50)이 형성되어 있다. 전면 전극(100)은 은을 주성분으로 하는 도전성 입자(silver powder), 유리 프릿(glass frit), 유기 비히클(organic vehicle) 및 첨가제 등을 혼합한 도전성 페이스트를 반사 방지막(30) 상에 도포한 후 소성하여 전극을 형성하고 있으며, 배면 전극(50)은 알루미늄 분말, 유리 프릿, 유기 비히클(organic vehicle) 및 첨가제로 이루어지는 알루미늄 페이스트 조성물을 스크린 인쇄 등에 의해 도포하고 건조한 후, 660℃(알루미늄의 융점) 이상의 온도에서 소성함으로써 형성되어 있다. 이 소성시에 알루미늄이 p형 실리콘 반도체 기판의 내부로 확산됨으로써, 배면 전극과 p형 실리콘 반도체 기판 사이에 Al-Si 합금층이 형성됨과 동시에, 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물층으로서 p＋층(40)이 형성된다. 이러한 p＋층의 존재에 의해 전자의 재결합을 방지하고, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과가 얻어진다. 배면 알루미늄 전극(50) 하부에는 배면 실버 전극(60)이 더 위치될 수 있다.
전면전극은 통상적으로 버스바 전극과 핑거 전극으로 구성되는데, 고효율 달성을 위해 미세 패턴을 구현하고자 하나, 미세선폭 인쇄 및 소성시, 단선 문제가 발생하며, 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있다.
<특허문헌>
1. 한국공개특허 제2013-0090276호 (2013.08.13)
2. 한국공개특허 제2013-0104614호 (2013.09.25)
본 발명은 전극의 미세선폭을 안정적으로 구현하면서, 단선을 방지하고, 종횡비가 우수하며, 기판과의 부착력이 우수하여 태양전지 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지용 기판 및 태양전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러나 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서,
본 발명은 기판 상부에 전극을 구비한 태양전지용 기판으로서, 상기 전극은, 제1금속분말과 제1유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 인쇄되어 형성된 하부 인쇄층, 및 제2금속분말, 제2유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 상기 하부 인쇄층의 상부에 인쇄되어 형성된 상부 인쇄층을 포함하여 소결하여 이루어지고, 상기 제2금속분말의 평균입경(D50)은 상기 제1금속분말의 평균입경(D50)보다 작으며, 상기 제2유리프릿의 유리전이온도는 상기 제1유리프릿의 유리전이온도보다 큰 태양전지용 기판을 제공한다.
또한, 상기 제1금속분말의 평균입경과 상기 제2금속분말의 평균입경 차이는 0.1㎛ 초과 0.4㎛ 미만의 범위내인 태양전지용 기판을 제공한다.
또한, 상기 제1유리프릿의 유리전이온도와 상기 제2유리프릿의 유리전이온도 차이는 10℃ 이상 40℃ 이하의 범위내인 태양전지용 기판을 제공한다.
또한, 상기 전극의 종횡비는 0.42 초과 0.50 미만 번위내인 태양전지용 기판을 제공한다.
또한, 상기 제2금속분말은 도전성 페이스트 전체 대비 89 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함되는 태양전지용 기판을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기태양전지용 기판을 구비한 태양전지를 제공한다.
본 발명은 2회 이상 인쇄를 통해 전극을 구현하여 미세선폭 구현시 발생할 수 있는 단선 문제를 해결하고, 종횡비를 획기적으로 증가시켜 전기적 특성을 개선하며, 2회 이상 인쇄시 은분말과 유리프릿의 특성을 달리하여 조성물화함으로써 인쇄특성과 부착특성을 우수하게 하고, 소성시 선폭의 퍼짐 등을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 태양전지 소자의 개략 단면도를 나타낸 것이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 태양전지용 기판은, 기판 상부에 전극을 구비한 태양전지용 기판으로서, 상기 전극은, 제1금속분말과 제1유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 인쇄되어 형성된 하부 인쇄층, 및 제2금속분말, 제2유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 상기 하부 인쇄층의 상부에 인쇄되어 형성된 상부 인쇄층을 포함하여 소결하여 이루어지고, 상기 제2금속분말의 평균입경(D50)은 상기 제1금속분말의 평균입경(D50)보다 작으며, 상기 제2유리프릿의 유리전이온도는 상기 제1유리프릿의 유리전이온도보다 큰 것을 특징으로 한다.
하부 인쇄층과 상부 인쇄층에 사용되는 각각의 도전성 페이스트는 상술한 차이점 및 자세히 후술하는 차이점을 제외하고는 동일할 수 있다. 여기서는, 하부 인쇄층용 도전성 페이스트를 위주로 설명하며 특이한 차이점을 제외하고는 상부 인쇄층용 도전성 페이스트의 설명에 전용될 수 있다.
일실시예에 따른 하부 및 상부 인쇄층용 도전성 페이스트는 금속분말, 유리 프릿, 유기 비히클 등을 포함할 수 있다. 이외에도 다양한 첨가제가 포함될 수 있다.
상기 금속분말로는 은 분말, 구리 분말, 니켈 분말, 알루미늄 분말 등이 사용될 수 있는데, 전면 전극용의 경우 은 분말이 주로 사용되며, 배면 전극용은 주로 알루미늄 분말이 사용된다. 이하에서는 편의상 은 분말을 예로 들어 금속분말에 대해 설명한다. 하기의 설명은 다른 금속분말에도 동일하게 적용될 수 있다.
금속분말의 함량은 인쇄 시 형성되는 전극 두께 및 전극의 선저항을 고려할 때 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 40 내지 95 중량%가 바람직하다.
은 분말은 순은 분말이 바람직하며, 이외에, 적어도 표면이 은층으로 이루어지는 은 피복 복합 분말이나, 은을 주성분으로 하는 합금 등을 사용할 수 있다. 또한, 다른 금속분말을 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들면 알루미늄, 금, 팔라듐, 동, 니켈 등을 들 수 있다.
은 분말의 평균입경은 0.1 내지 10㎛ 일 수 있으며, 페이스트화 용이성 및 소성시 치밀도를 고려할 때 0.5 내지 5㎛가 바람직하며, 그 형상이 구상(球狀), 침상(針狀), 판상(板狀) 그리고 무정상(無定狀) 중 적어도 1종 이상일 수 있다. 은 분말은 평균 입자지름이나 입도 분포, 형상 등이 다른 2종 이상의 분말을 혼합하여 이용해도 좋다.
상기 유리 프릿의 조성이나 입경, 형상에 있어서 특별히 제한을 두지 않는다. 유연 유리 프릿뿐만 아니라 무연 유리 프릿도 사용 가능하다. 바람직하기로는 유리 프릿의 성분 및 함량으로서, 산화물 환산 기준으로 PbO는 5 ~ 29 mol%, TeO2는 20 ~ 34 mol%, Bi2O3는 3 ~ 20 mol%, SiO2 20 mol% 이하, B2O3 10 mol% 이하, 알칼리 금속(Li, Na, K 등) 및 알칼리 토금속(Ca, Mg 등)은 10 ~ 20 mol%를 함유하는 것이 좋다. 상기 각 성분의 유기적 함량 조합에 의해 전극 선폭 증가를 막고 고면저항에서 접촉저항을 우수하게 할 수 있으며, 단략전류 특성을 우수하게 할 수 있다.
유리 프릿의 평균 입경은 제한되지 않으나 0.5 내지 10㎛ 범위 내의 입경을 가질 수 있으며, 평균 입경이 다른 다종이 입자를 혼합하여 사용할 수도 있다. 바람직하기로는 적어도 1종의 유리 프릿은 평균 입경(D50)이 2㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 좋다. 이를 통해 소 성시 반응성이 우수해지고, 특히 고온에서 n층의 데미지를 최소화할 수 있으며 부착력이 개선되고 개방전압(Voc)을 우수하게 할 수 있다. 또한, 소성시 전극의 선폭이 증가하는 것을 감소시킬 수 있다.
유리 프릿의 함량은 도전성 페이스트 조성물 총중량을 기준으로 1 내지 10 중량%가 바람직한데, 1 중량% 미만이면 불완전 소성이 이루어져 전기 비저항이 높아질 우려가 있고, 10 중량% 초과하면 은 분말의 소성체 내에 유리 성분이 너무 많아져 전기 비저항이 역시 높아질 우려가 있다.
상기 유기 비히클로는 제한되지 않으나 유기 바인더와 용제 등이 포함될 수 있다. 때로는 용제가 생략될 수 있다. 유기 비히클은 제한되지 않으나 도전성 페이스트 조성물 총 중량을 기준으로 1 내지 30 중량%가 바람직하다.
유기 비히클은 금속분말과 유리 프릿 등이 균일하게 혼합된 상태를 유지하는 특성이 요구되며, 예를 들면 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트가 기재에 도포될 때에, 도전성 페이스트를 균질하게 하여, 인쇄 패턴의 흐려짐 및 흐름을 억제하고, 또한 스크린판으로부터의 도전성 페이스트의 토출성 및 판분리성을 향상시키는 특성이 요구된다.
유기 비히클에 포함되는 유기 바인더는 제한되지 않으나 셀룰로오스 에스테르계 화합물로 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트 등을 예로 들 수 있으며, 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스 등을 예로 들 수 있으며, 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며, 비닐계로는 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 아세테이트 그리고 폴리비닐 알코올 등을 예로 들 수 있다. 상기 유기 바인더들은 적어도 1종 이상 선택되어 사용될 수 있다.
조성물의 희석을 위해 사용되는 용제로서는 알파-터피네올, 텍사놀, 디옥틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 디옥산, 디에틸렌글리콜, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노 부틸 에테르 아세테이트 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상 선택되어 사용되는 것이 좋다.
첨가제로서, 분산제 , 증점제, 요변제, 레벨링제 등이사용이 선택될수 있으며 상기 분산제로는 BYK-110, 111, 108, 180 등을 들 수 있으며, 증점제로는 BYK-410. 411. 420 등이 있으며, 요변제로는 BYK-203, 204,205등을 들 수 있으며, 레벨링제로는 BYK-308, 378, 3440등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 또 다른 일실시예에서, 상기 제2금속분말의 평균입경(D50)은 상기 제1금속분말의 평균입경(D50)보다 작은 것이 좋다. 제한되지 않으나, 상기 제1금속분말의 평균입경과 상기 제2금속분말의 평균입경 차이는 0.1㎛ 초과 0.4㎛ 미만의 범위내인 것이 좋다. 상기 범위내에서 전기적 특성과 부착 특성이 우수하며, 인쇄성이 좋고, 단선을 방지할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에서, 상기 제2유리프릿의 유리전이온도는 상기 제1유리프릿의 유리전이온도보다 큰 것이 좋다. 제한되지 않으나, 상기 제1유리프릿의 유리전이온도와 상기 제2유리프릿의 유리전이온도 차이는 10℃ 이상 40℃ 이하의 범위내인 것이 좋다. 상기 범위내에서 소성시 선폭이 퍼지는 것을 막아 종횡비를 우수하게 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에서, 상기 제2금속분말은 상부 인쇄층용 도전성 페이스트 전체 대비 89 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함되는 것이 좋다. 상기 범위 미만에서는 종횡비가 현저히 떨어지며, 전기적 특성이 나빠지는 문제점이 있으며, 상기 범위를 초과하는 경우 인쇄성이 나빠질 수 있다.
이하 실험예를 통해 보다 상세히 설명한다.
실험예 1
전극의 하부 인쇄층용 페이스트 조성물은 다음과 같다. 은분말은 LS-Nikko동제련社 (D50)=2.2㎛ / Tap Density= 4.8g/㎤ 인 입자를 사용하였으며 페이스트 조성물 전체 대비 89.5wt%를 첨가하였다. 유리프릿은 380℃의 Tg를 가지는 Pb-Te-Bi 타입으로 페이스트 조성물 대비 2.5wt%를 첨가하였다. 수지로는 DOW社 STD-10 1.5 wt%을 첨가했으며, 첨가제로는 요변특성을 부여하기 위한 ELEMENTS社의 THIXATROL MAX 0.5wt%를 첨가하였으며 분산제로 KUSUMOTO社의 ED-152 1.5wt%를 첨가하였다. 용제는 DBE (Dibasic ester 제조사 TCI社 Dimethyl adipate, dimethyl glutrate, dimethyl succinate), Eastman社 buthyl carbitol acetate로서, 1:1로 첨가하여 잔량을 맞추어 하부 인쇄층용 페이스트 조성물을 제조하였다.
전극의 상부 인쇄층용 페이스트 조성물은 상기 하부 인쇄층용 페이스트 조성물에서 은분말의 평균입도(D50)가 2.0㎛인 것을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 제조하였다.
태양전지용 기판의 제조에 있어, 156mm 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용하였다. 관상로(Tube furnace)에서 900℃로 POCl3을 사용하는 확산공정을 통해 인(P)을 도핑하여 90Ω/sq의 시트저항(sheet resistance)을 가지는 100-500nm 두께의 에미터층을 형성하고, 상기 에미터층에 PECVD방법으로 실리콘 질화막을 80nm두께로 반사 방지막을 형성하였다. 반사 방지막 상부에 전면전극을 스크린 인쇄하였다. 전면전극의 하부 인쇄층은 상기 제조된 하부 인쇄층용 페이스트 조성물을 Baccini社 인쇄기로 28㎛ 마스크를 이용하여 스크린 인쇄하였고, 하부 인쇄층 상부에 상부 인쇄층용 페이스트 조성물을 동일한 방법으로 스크린 인쇄하였다. 후면전극으로는 D社제품을 사용하여 스크린 인쇄하였다. 그 후 300℃, 60초간 BTU건조로를 사용하여 건조공정을 거친 후 900℃ 소성로에서 60초간 소결하여 태양전지용 기판을 제조하였다.
실험예 2
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 1.8㎛인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 3
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 2.2㎛인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 4
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 2.4㎛인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 5
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 유리프릿의 유리전이온도(Tg)가 400℃인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 6
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물을 의 유리프릿의 유리전이온도(Tg)가 360℃인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 7
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 2.0㎛이고, 유리프릿의 유리전이온도(Tg)가 400℃인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 8
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 2.0㎛이고, 유리프릿의 유리전이온도(Tg)가 360℃인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 9
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 1.8㎛이고, 은분말 함량이 86%이며, 유리프릿의 유리전이온도(Tg)가 400℃인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 10
상기 실험예 1에서, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 은분말 평균입도(D50)가 1.8㎛이고, 은분말 함량이 83%이며, 유리프릿의 유리전이온도(Tg)가 400℃인 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
실험예 11
상기 실험예 1에서, 하부 인쇄층용 페이스트 조성물을 35㎛ 마스크를 이용하여 스크린 인쇄하고, 상부 인쇄층용 페이스트 조성물의 2차 인쇄를 생략한 것을 제외하고는 동일하게 실시하였다.
특성 테스트
실험예 1 내지 실험예 10의 선폭, 높이, 종횡비, 부착특성, 셀특성을 평가하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. IV특성/EL특성은 HALM Electronix社장비를 사용하여 측정하였고. 부착특성은 SnPbAg조성의 리본을 본딩한 후 인장강도 측정기를 사용하여 측정하였다. EL단선은 육안으로 관찰하였다.
　 인쇄성 선폭
(㎛)		 높이
(㎛)		 종횡비 EL
단선		 부착력
(N/mm)		 Isc(A) Voc(V) FF(%) Rser(Ω) Eff(%)
실험예1 OK 38 16 0.42 OK 2,0 9.324 0.643 78.81 0.0019 19.55
실험예2 NG 38 17 0.44 NG 2.2 9.324 0.642 78.41 0.0024 19.41
실험예 3 OK 38 16 0.42 OK 1.9 9.323 0.644 78.61 0.002 19.51
실험예 4 OK 38 15 0.39 OK 1.9 9.323 0.642 78.61 0.002 19.5
실험예 5 OK 37 17 0.46 OK 2.1 9.342 0.643 78.58 0.0021 19.61
실험예 6 OK 42 15 0.36 OK 2.0 9.32 0.64 78.51 0.002 19.46
실험예 7 OK 37 18 0.49 OK 2.2 9.354 0.643 78.81 0.0019 19.66
실험예 8 OK 40 16 0.4 OK 2.2 9.322 0.64 78.45 0.0021 19.43
실험예 9 OK 44 13 0.3 OK 1.7 9.27 0.641 78.11 0.0031 19.21
실험예 10 OK 47 11 0.23 OK 1.5 9.24 0.638 77.89 0.0035 19.05
실험예 11 OK 45 14 0.31 NG 1.9 9.32 0.643 78.41 0.0024 19.41
상기 결과에서 알 수 있듯이, 1회 인쇄하여 전극을 제조하는 것보다 2회 인쇄하여 전극을 제조하는 것이 단선 방지, 종횡비 개선, 전극 효율 측면에서 우수하였다. 2회 인쇄시에는, 하부 인쇄층의 금속분말보다 상부 인쇄층의 금속분말이 입경이 작은 것이, 하부 인쇄층의 유리프릿 유리전이온도보다 상부 인쇄층의 유리프릿 유리전이온도가 높은 것이, 종횡비 및 효율에서 우수하였고, 은분말의 함량 역시 중요한 영향을 미치는 것을 알 수 있다. 한편, 상부 인쇄층과 하부 인쇄층의 금속분말 입경 차이가 0.4㎛ 이상인 경우에는 인쇄성이 나빠지고 단선이 발생하여 금속분말의 입경 차이가 0.4㎛ 이상이 되지 않는 것이 좋다. 한편, 상부 인쇄층의 금속분말의 함량이 89% 미만인 경우 종횡비가 현저히 떨어지고 부착력에 문제되는 것을 알 수 있다.
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : P형 실리콘 반도체 기판
20 : N형 불순물층
30 : 반사 방지막
40 : P+층(BSF : back surface field)
50 : 배면 알루미늄 전극
60 : 배면 실버 전극
100 : 전면 전극

Claims (6)

  1. 기판 상부에 전극을 구비한 태양전지용 기판으로서,
    상기 전극은, 평균 입경이 0.5 내지 5μm 인 제1금속분말과 제1유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 인쇄되어 형성된 하부 인쇄층, 및
    제2금속분말, 제2유리프릿을 포함하는 도전성 페이스트로 상기 하부 인쇄층의 상부에 인쇄되어 형성된 상부 인쇄층을 포함하여 소결하여 이루어지고,
    상기 제2금속분말은 상기 상부 인쇄층의 도전성 페이스트 전체 대비 89 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함되며,
    상기 제2금속분말의 평균입경(D50)은 상기 제1금속분말의 평균입경(D50)보다 작고, 평균입경 차이는 0.1㎛ 초과 0.4㎛ 미만의 범위내이며,
    상기 제2유리프릿의 유리전이온도는 상기 제1유리프릿의 유리전이온도보다 큰 태양전지용 기판.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1유리프릿의 유리전이온도와 상기 제2유리프릿의 유리전이온도 차이는 10℃ 이상 40℃ 이하의 범위내인 태양전지용 기판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극의 종횡비는 0.42 초과 0.50 미만 번위내인 태양전지용 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2금속분말은 도전성 페이스트 전체 대비 89 중량% 이상 95 중량% 이하로 포함되는 태양전지용 기판.
  6. 제1항, 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항의 태양전지용 기판을 구비한 태양전지.
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