KR101897970B1 - Transcripting device in using thermal transfer process and Method for thermal transfering thereby - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 전사기판; 상기 전사기판 상의 일단에 형성된 제 1공통전극; 상기 전사기판 상의 타단에 상기 제 1공통전극과 마주보고 형성된 제 2공통전극; 상기 제 1공통전극 및 제 2공통전극 사이를 연결하며 형성된 발열패턴; 및 상기 발열패턴 상에 형성된 유기박막을 포함하고, 상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치에 관한 것으로서,
본 발명은 열전사기판에 형성된 발열패턴의 저항을 감소시켜 단락을 방지하는 효과가 있다.According to the present invention, A first common electrode formed on one end of the transfer substrate; A second common electrode formed on the other end of the transfer substrate facing the first common electrode; A heating pattern formed by connecting the first common electrode and the second common electrode; And the organic thin film formed on the heating pattern, wherein the heating pattern includes a transfer pattern corresponding to the transfer area on the transfer target substrate onto which the organic thin film is transferred, and a transfer pattern corresponding to the transfer area on the transfer target substrate And a non-transfer pattern formed so as to have a resistance lower than a resistance of the transfer pattern. The organic thin film transfer apparatus according to claim 1,
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention has an effect of reducing a resistance of a heat generating pattern formed on a thermal transfer plate and preventing a short circuit.

Description

유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법{Transcripting device in using thermal transfer process and Method for thermal transfering thereby}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic thin film transfer device and an organic thin film transfer method using the same,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치를 제조하기 위한 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic thin film transfer device for manufacturing an organic light emitting diode display device and a method of transferring an organic thin film using the same.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 및 전계발광장치(Electroluminescence Device) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), have been developed. Such flat panel display devices include a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), and an electroluminescence device .

PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 얇으면서도 대형화에 유리한 표시장치로 주목받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. TFT LCD(Thin Film Transistor LCD)는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 시야각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기발광다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며, 이 중 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The PDP has attracted attention as a display device which is advantageous for being thin and large in size because of its simple structure and manufacturing process, but it has disadvantage of low luminous efficiency, low luminance and high power consumption. Thin Film Transistor LCD (TFT LCD) is the most widely used flat panel display device, but has a narrow viewing angle and low response speed. The electroluminescent device is roughly classified into an inorganic light emitting diode display device and an organic light emitting diode display device depending on the material of the light emitting layer. Of these organic light emitting diode display devices, self-emitting light emitting devices have high response speed and high luminous efficiency, brightness and viewing angle There are advantages.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 가진다.The organic light emitting diode display device has an organic light emitting diode (OLED) as shown in FIG.

OLED(10)는 전계발광하는 유기 화합물층과, 유기 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드(Cathode) 전극(90) 및 애노드(Anode) 전극(30)을 포함한다. 유기 화합물층은 전자주입층(Electron Injection Layer: EIL)(80), 전자수송층(Electron Transport Layer: ETL)(70), 발광층(Emission Layer: EML)(60), 정공수송층(Hole Transport Layer: HTL)(50) 및 정공주입층(Hole Injection Layer: HIL)(40)을 포함하여 다층으로 적층된 구조를 갖는다. The OLED 10 includes an organic compound layer that electroluminesces and a cathode electrode 90 and an anode electrode 30 that face each other with an organic compound layer interposed therebetween. The organic compound layer includes an electron injection layer (EIL) 80, an electron transport layer (ETL) 70, an emission layer (EML) 60, a hole transport layer (HTL) (HIL) layer 40 and a hole injection layer (HIL)

애노드 전극(30)과 캐소드 전극(90)에 구동전압이 인가되면 정공수송층(50)을 통과한 정공과 전자수송층(70)을 통과한 전자가 발광층(60)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(60)이 가시광을 발산한다.When a driving voltage is applied to the anode 30 and the cathode 90, holes passing through the hole transport layer 50 and electrons passing through the electron transport layer 70 are transferred to the light emitting layer 60 to form an exciton, The resulting light emitting layer 60 emits visible light.

유기발광다이오드 표시장치는 풀 컬러(Full Color) 구현을 위해, R(적색), G(녹색), 및 B(청색) 화소 각각에서 OLED가 배치될 위치에 발광층(60)을 형성한다. The organic light emitting diode display device forms the light emitting layer 60 at a position where the OLED is to be arranged in each of R (red), G (green), and B (blue) pixels for full color implementation.

발광층(60)은 화소 별로 패터닝된다. 발광층(60)을 형성하는 방법으로 FMM(Fine Metal Mask) 방법, 레이저 열 전사법, 잉크 분사법 등이 알려져 있다. 그러나, 이러한 방법들은 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성이 필요한 대면적 기판을 대상으로는 적합하지 않다.The light emitting layer 60 is patterned for each pixel. As a method of forming the light-emitting layer 60, there are known a fine metal mask (FMM) method, a laser thermal transfer method, and an ink jet method. However, these methods are not suitable for large-area substrates requiring high-precision pattern formation in a short time.

최근, 짧은 시간 내에 고정밀 패턴 형성을 위해, 주울 히팅(Joule Heating)을 이용한 열 전사법(또는, "주울 열전사법" 이라 함)을 사용한 유기박막 전사장치가 대두 되고 있다.Recently, an organic thin film transfer apparatus using a thermal transfer method (or a "joule thermal transfer method") using Joule heating has been emerging for forming a high-precision pattern in a short time.

도 2a는 주울 열 전사법에 의한 유기박막 전사장치의 개요를 나타내는 단면도이고, 도 2b는 유기박막 전사장치의 개략적인 구조를 나타내는 분해 사시도이다. FIG. 2A is a cross-sectional view showing an overview of an organic thin film transfer device by Joule heat transfer, and FIG. 2B is an exploded perspective view showing a schematic structure of an organic thin film transfer device.

도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 유기박막 전사장치는 전사기판(1), 피 전사기판(11), 발열패턴(5), 공통전극(3a, 3b), 장치전극(7a, 7b), 및 전원(15)을 포함한다.2A and 2B, the organic thin film transfer device includes a transfer substrate 1, a transfer substrate 11, a heat generating pattern 5, common electrodes 3a and 3b, device electrodes 7a and 7b, And a power source 15.

주울 열 전사법은, 유기발광재료(13)가 성막된 전사기판(1)을 피 전사기판(11)과 스페이서(9)를 사이에 두고 정렬하여 일정 간격으로 마주보도록 배치한 후, 전사기판(1)에 전기 에너지를 인가하여 유기발광재료(13)를 피 전사기판(11)으로 전사시킨다.The Joule heat transfer method is a method in which the transfer substrate 1 on which the organic light emitting material 13 is formed is arranged so as to face the transfer source substrate 11 and the spacer 9 at regular intervals, 1) to transfer the organic luminescent material 13 to the transfer substrate 11.

전사기판(1)에는 유기발광재료(13)가 전사될 피 전사기판(11)의 화소 영역에 대응되도록, 다수의 금속 발열패턴(5)이 형성된다. 금속 발열패턴(5)의 일측단과 타측단에는 각각 금속 발열패턴(5)들 모두를 연결하는 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)이 형성되어 있다. 금속 발열패턴(5)들 위에는 피 전사기판(11)으로 전사시킬 유기발광재료(13)가 박막 형태로 형성되어 있다. 유기발광재료(13) 위에는 피 전사기판(11)이 위치할 수 있다.A plurality of metal heating patterns 5 are formed on the transfer substrate 1 so as to correspond to the pixel regions of the transfer target substrate 11 onto which the organic light emitting material 13 is to be transferred. A first common electrode 3a and a second common electrode 3b are formed at one end and the other end of the metal heating pattern 5 to connect all of the metal heating patterns 5 with each other. On the metal heating patterns 5, an organic light emitting material 13 to be transferred to the image receiving substrate 11 is formed in a thin film form. On the organic light emitting material 13, the image receiving substrate 11 may be positioned.

제1 및 제2 공통전극(3a 및 3b) 위에는 각각 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b)이 정렬되어 있어, 공통전극(3a, 3b)과 장치전극(7a, 7b)은 서로 연결 및 분리가 가능하도록 구성되어 있다. 전원(15)은 구성하는 전사장치에 따라서, 직류 전원 혹은 교류 전원을 발생할 수 있다.The first device electrode 7a and the second device electrode 7b are aligned on the first and second common electrodes 3a and 3b so that the common electrodes 3a and 3b and the device electrodes 7a and 7b And are connected and disconnected from each other. The power source 15 may generate a direct current power or an alternating current power depending on the transfer apparatus constituting it.

피 전사기판(11)을 유기발광재료(13)가 성막되어 있는 금속 발열패턴(5) 위에 일정 간격을 두고 장착한 후, 장치전극들(7a, 7b)을 각각 대향하는 공통전극들(3a, 3b)과 접촉시킨 후, 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b) 사이에 연결된 전원(15)을 가동하여 소정의 전압을 인가한다. 금속 발열패턴(5)에서 발생된 주울 열은 금속 발열패턴(5) 상에 위치한 유기발광재료(13)에 전달되고, 그 결과 유기발광재료(13)가 증발하면서, 피 전사기판(11)으로 전사되어 화소 영역에 유기발광층을 형성한다.After the object transfer substrate 11 is mounted on the metal heating pattern 5 on which the organic light emitting material 13 is formed with a predetermined gap therebetween, the device electrodes 7a and 7b are electrically connected to the common electrodes 3a, 3b. Then, a power source 15 connected between the first device electrode 7a and the second device electrode 7b is operated to apply a predetermined voltage. The joule heat generated in the metal heating pattern 5 is transferred to the organic light emitting material 13 located on the metal heating pattern 5 so that the organic light emitting material 13 is evaporated, And an organic light emitting layer is formed in the pixel region.

유기발광재료(13)를 충분히 가열하기 위해서는 상당히 높은 열에너지가 필요하고, 충분한 열에너지를 공급하기 위해서는 금속 발열패턴(5)에 인가되는 전기에너지가 커야 한다. 큰 전기 에너지를 얻기 위해서는 제1 장치전극(7a)과 제2 장치전극(7b) 사이에 인가되는 전원이 고전압과 고전류를 발생하는 전원(15)이어야 한다.In order to sufficiently heat the organic luminescent material 13, a considerably high heat energy is required, and in order to supply sufficient heat energy, the electric energy applied to the metal heating pattern 5 must be large. In order to obtain a large electric energy, a power source 15 applied between the first device electrode 7a and the second device electrode 7b must generate a high voltage and a high current.

도 3은 전사기판 상에 형성된 종래의 금속 발열패턴을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a conventional metal heating pattern formed on a transfer substrate.

도 3에서 알 수 있듯이, 전사기판(1)에는 유기발광재료가 전사될 피 전사기판의 화소 영역에 대응되도록, 다수의 금속 발열패턴들(5)이 형성된다. 금속 발열패턴(5)의 일측단과 타측단에는 각각 금속 발열패턴(5)들 모두를 연결하는 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, a plurality of metal heating patterns 5 are formed on the transfer substrate 1 so as to correspond to pixel regions of an image receiving substrate to which the organic light emitting material is to be transferred. A first common electrode 3a and a second common electrode 3b are formed at one end and the other end of the metal heating pattern 5 to connect all of the metal heating patterns 5 with each other.

금속 발열패턴(5)은 소정의 간격으로 이격되어 형성되어 있으며, 제1 공통전극(3a)과 제2 공통전극(3b)을 연결하는 얇은 선폭의 금속으로 이루어져있다. 이때, 상기 금속 발열패턴(5)은 동일한 선폭으로 형성되어 있다.The metal heating patterns 5 are spaced apart from each other by a predetermined distance and are made of a metal having a thin line width connecting the first common electrode 3a and the second common electrode 3b. At this time, the metal heating patterns 5 are formed to have the same line width.

따라서, 상술한 유기박막 전사장치는 다음과 같은 문제가 있다.Therefore, the above-described organic thin film transfer apparatus has the following problems.

첫째, 고해상도의 발광장치를 구현하기 위해 발열패턴의 선폭을 얇게 함에 따라 발열패턴의 저항이 증가되게 되고, 이러한 고저항의 발열패턴에 고전류가 흐르면서 과도한 열이 발생하여 발열패턴이 단락되는 불량이 발생된다.First, in order to realize a high-resolution light emitting device, the resistance of the heating pattern is increased by thinning the linewidth of the heating pattern, and excessive heat is generated due to the high current flowing in the heating pattern of high resistance, do.

둘째, 과도한 열 발생으로 발열패턴이 단락되면 공정불량이 발생하여 생산성이 감소된다.Second, when the heating pattern is short-circuited due to excessive heat generation, a process failure occurs and productivity is reduced.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 본 발명은 발열패턴의 저항을 감소시켜 발열패턴의 단락을 방지하고, 발열패턴 단락으로 인한 공정불량을 감소시키는 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법을 제공함을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an organic thin film transfer apparatus which reduces a resistance of a heating pattern to prevent a short circuit of a heating pattern and reduces a process failure due to a short circuit of a heating pattern, And an organic thin film transfer method.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 전사기판; 상기 전사기판 상의 일단에 형성된 제 1공통전극; 상기 전사기판 상의 타단에 상기 제 1공통전극과 마주보고 형성된 제 2공통전극; 상기 제 1공통전극 및 제 2공통전극 사이를 연결하며 형성된 발열패턴; 및 상기 발열패턴 상에 형성된 유기박막을 포함하고, 상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치를 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a transfer substrate comprising: a transfer substrate; A first common electrode formed on one end of the transfer substrate; A second common electrode formed on the other end of the transfer substrate facing the first common electrode; A heating pattern formed by connecting the first common electrode and the second common electrode; And the organic thin film formed on the heating pattern, wherein the heating pattern includes a transfer pattern corresponding to the transfer area on the transfer target substrate onto which the organic thin film is transferred, and a transfer pattern corresponding to the transfer area on the transfer target substrate And a non-transfer pattern formed so as to have a resistance lower than a resistance of the transfer pattern.

또한, 본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 전사기판 상에 발열패턴을 형성하는 단계; 상기 발열패턴 상에 유기박막을 형성하는 단계; 상기 유기박막에 대향하여 피전사기판을 합착하는 단계; 상기 발열패턴에 전원을 인가하여 상기 유기박막을 상기 전사기판에서 상기 피전사기판으로 증착하는 단계를 포함하고, 상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 상기 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 상기 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되는 비전사패턴을 포함하고, 상기 비전사패턴은 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, including: forming a heating pattern on a transfer substrate; Forming an organic thin film on the heating pattern; Attaching an image receiving substrate to the organic thin film; And applying a power to the heating pattern to deposit the organic thin film from the transfer substrate to the transfer substrate, wherein the heating pattern is a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer substrate on which the organic thin film is transferred, And an untransferred pattern corresponding to an untransferred region on the transfer target substrate to which the organic thin film is not transferred, wherein the non-transferred pattern is formed to have a resistance lower than a resistance of the transfer pattern. ≪ / RTI >

상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.

우선, 전사기판에 형성된 발열패턴의 저항을 감소시켜 과열로 인한 발열패턴의 단락을 방지하는 효과가 있다.First, the resistance of the heat generating pattern formed on the transfer substrate is reduced to prevent a short circuit of the heat generating pattern due to overheating.

또한, 발열패턴의 단락을 방지하여 공정불량을 감소시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.In addition, it is possible to prevent a short circuit of the heating pattern, thereby reducing the process defects and improving the productivity.

도 1은 유기발광다이오드 표시장치에 사용되는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: OLED)를 나타내는 도면이다.
도 2a는 주울 열 전사법에 의한 유기박막 전사장치의 개요를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 유기박막 전사장치의 개략적인 구조를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 전사기판 상에 형성된 종래의 금속 발열패턴을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an organic light emitting diode (OLED) used in an organic light emitting diode display device.
2A is a cross-sectional view showing an outline of an organic thin film transfer device by Joule heat transfer method.
2B is an exploded perspective view showing a schematic structure of the organic thin film transfer apparatus.
3 is a view showing a conventional metal heating pattern formed on a transfer substrate.
4 is a schematic cross-sectional view of an organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
5 is a view showing a heating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
6 is a view showing another embodiment of the heat generating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.
7 is a view showing another embodiment of the heat generating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.

이하에서는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치와 이를 이용한 유기박막 전사방법의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of an organic thin film transfer apparatus and an organic thin film transfer method using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물의 "상에" 또는 "아래에" 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고, 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when it is stated that a structure is formed "on" or "under" another structure, such a substrate is not limited to the case where these structures are in contact with each other, 3 < / RTI > is interposed.

도 4는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 개략적인 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view of an organic thin film transfer apparatus according to the present invention.

도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 유기박막 전사장치(100)는 전사기판(110), 제 1공통전극(120a), 제 2공통전극(120b), 발열패턴(130), 유기박막(140), 제 1장치전극(150a), 제 2장치전극(150b), 스페이서(160), 피전사기판(170), 및 전원부(180)을 포함한다.4, the organic thin film transfer apparatus 100 according to the present invention includes a transfer substrate 110, a first common electrode 120a, a second common electrode 120b, a heat generating pattern 130, an organic thin film A first device electrode 150a, a second device electrode 150b, a spacer 160, an image receiving substrate 170, and a power source 180. The first device electrode 150a, the second device electrode 150b,

본 발명에 따른 유기박막 전사장치(100)는 피전사기판(170)을 유기박막(140)이 성막되어 있는 금속 발열패턴(130) 위에 일정 간격을 두고 장착한 후, 장치전극들(150a, 150b)을 각각 대향하는 공통전극들(120a, 120b)과 접촉시킨 후, 제 1장치전극(150a)과 제 2장치전극(150b) 사이에 연결된 전원부(180)을 가동하여 소정의 전력을 인가한다. The organic thin film transfer apparatus 100 according to the present invention may be configured such that the transfer substrate 170 is mounted on the metal heating pattern 130 on which the organic thin film 140 is formed with a predetermined gap therebetween and then the device electrodes 150a and 150b The first and second device electrodes 150a and 150b are brought into contact with the common electrodes 120a and 120b facing each other and then a power source unit 180 connected between the first device electrode 150a and the second device electrode 150b is operated to apply a predetermined power.

전력이 인가된 금속 발열패턴(130)에서 발생된 주울 열은 금속 발열패턴(130) 상에 위치한 유기박막(140)에 전달되고, 그 결과 유기박막(140)이 증발하면서, 피전사기판(170)으로 전사되어 화소 영역에 유기발광층을 형성한다.Joule heat generated in the power-applied metal heating pattern 130 is transferred to the organic thin film 140 positioned on the metal heating pattern 130. As a result, while the organic thin film 140 evaporates, To form an organic light emitting layer in the pixel region.

전사기판(110)은 발열패턴(130) 및 유기박막(140)이 증착되는 기판으로 사용되며, 일단에는 상기 발열패턴(130)에 연결된 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)이 증착된다.The transfer substrate 110 is used as a substrate on which the heating pattern 130 and the organic thin film 140 are deposited and has a first common electrode 120a and a second common electrode 120b connected to the heating pattern 130, Is deposited.

제 1공통전극(120a)은 상기 전사기판(110) 상의 일단에 형성되어 전원부(180)에서 공급되는 전력을 발열패턴(130)에 전달하고, 제 2공통전극(120b)은 상기 전사기판(110) 상의 타측변에 상기 제 1공통전극(120a)과 마주보고 형성된다.The first common electrode 120a is formed at one end of the transfer substrate 110 and transfers power supplied from the power supply unit 180 to the heating pattern 130. The second common electrode 120b is electrically connected to the transfer substrate 110 ) Facing the first common electrode 120a.

이러한 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속 재료로 이루어질 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The first common electrode 120a and the second common electrode 120b may be made of a metal material having excellent electrical conductivity and low resistance and may be made of a metal such as molybdenum (Mo), copper (Cu), aluminum (Al) And the like.

또한, 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, 전자빔(E-Beam) 공정 및 전해/무전해 도금 공정 중 어느 하나의 방법으로 상기 금속 또는 합금을 전면(全面) 증착한 후, 전면 증착된 이금속 또는 합금을 포토리소그래피(Photolithograph) 공정과 습식식각(Wet Etching) 공정 또는 건식식각(Dry Etching)을 통해 패터닝함으로써 형성될 수 있다.The first common electrode 120a and the second common electrode 120b may be formed by any one of CVD (Chemical Vapor Deposition) process, sputtering process, E-beam process, and electrolytic / electroless plating process The entire surface of the metal or alloy is deposited and then the entire surface of the metal or alloy is formed by patterning the metal or alloy through a photolithograph process and a wet etching process or a dry etching process .

발열패턴(130)은 상기 전사기판(110) 상에서 상기 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b) 사이를 연결하며, 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b) 형성시 동시에 형성될 수 있다. The heating pattern 130 connects the first common electrode 120a and the second common electrode 120b on the transfer substrate 110 and forms a first common electrode 120a and a second common electrode 120b At the same time.

발열패턴(130)은 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)을 통해 공급된 전기 에너지를 열 에너지로 전환하여 발열패턴(130) 상에 형성된 유기박막(140)이 피전사기판(170)으로 승화하여 증착될 수 있도록 한다.The heating pattern 130 converts the electric energy supplied through the first common electrode 120a and the second common electrode 120b into thermal energy and the organic thin film 140 formed on the heating pattern 130 is transferred to the transfer substrate (170) so as to be deposited.

이러한 유기박막(140)의 전사기법을 주울 열 전사법이라하며, 이는 유기박막(140)이 성막된 전사기판(110)을 피전사기판(170)과 스페이서(160)를 사이에 두고 정렬하여 일정 간격으로 마주보도록 배치한 후, 발열패턴(130)에 전기 에너지를 인가하여 유기박막(140)을 피전사기판(170)으로 전사시키는 것을 말한다.The transfer method of the organic thin film 140 is referred to as Joule heat transfer method in which the transfer substrate 110 on which the organic thin film 140 is formed is aligned with the transfer substrate 170 and the spacer 160, And the organic thin film 140 is transferred to the transfer substrate 170 by applying electric energy to the heat generating pattern 130. [

이러한 발열패턴(130)은 피전사기판(170)의 화소배치에 따라 다양한 형태로 패터닝 될 수 있는데, 본 발명에 따른 유기박막 전사장치에 있어 발열패턴(130)은 피전사기판(170)에 상기 유기박막(140)을 전사하는 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 피전사기판(170)에 상기 유기박막(140)을 전사하지 않는 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함한다.The heat generating pattern 130 may be patterned in various forms according to the pixel arrangement of the image receiving substrate 170. In the organic thin film transferring apparatus according to the present invention, A transfer pattern corresponding to a transfer region in which the organic thin film 140 is transferred and a non-transfer region in which the organic thin film 140 is not transferred to the transfer substrate 170 and has a resistance lower than that of the transfer pattern And includes a non-transferred pattern formed.

즉, 피전사기판(170)에는 화소영역이 있고 이러한 화소영역에는 유기박막(140)이 전사되어야하는데 이렇게 유기박막(140)이 전사될 영역을 전사영역이라 한다. 또한 이러한 전사영역에 대응하는 전사기판(110) 상의 발열패턴(130)의 일부를 전사패턴이라고 한다. 이를 상세하게 설명하기 위해 이하 도면을 참조한다.That is, the pixel region is provided on the substrate 170, and the organic thin film 140 is transferred to the pixel region. The region to which the organic thin film 140 is to be transferred is referred to as a transfer region. A part of the heat generation pattern 130 on the transfer substrate 110 corresponding to such transfer area is referred to as a transfer pattern. To explain this in detail, the following drawings are referred to.

도 5는 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴을 나타내는 도면이다.5 is a view showing a heating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.

도 5에서 알 수 있듯이, 발열패턴(130)은 유기박막(140)이 전사될 영역인 피전사기판(170) 상의 전사영역(T)에 대응하는 전사패턴(132)이 형성되어 있고, 상기 전사패턴(132)의 사이사이에는 유기박막(140)이 전사되지 않는 영역인 피전사기판(170) 상의 비전사영역(N)에 대응하는 비전사패턴(134)이 형성되어 있다. 5, the heat generating pattern 130 is formed with a transfer pattern 132 corresponding to a transfer region T on an image receiving substrate 170 in which the organic thin film 140 is to be transferred, The non-transfer pattern 134 corresponding to the non-transfer area N on the transfer target substrate 170, which is an area where the organic thin film 140 is not transferred, is formed between the patterns 132. [

또한, 상기 발열패턴(130)의 양단에는 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)이 연결되어 상기 발열패턴(130)에 전력을 공급한다. 이때, 상기 제 1공통전극(120a), 제 2공통전극(120b), 및 발열패턴(130)은 전기전도성이 우수하고 저항이 낮은 Mo, Cu, Al, 또는 Al합금 중 어느 하나로 형성될 수 있다.The first common electrode 120a and the second common electrode 120b are connected to both ends of the heating pattern 130 to supply power to the heating pattern 130. [ At this time, the first common electrode 120a, the second common electrode 120b, and the heat generating pattern 130 may be formed of any one of Mo, Cu, Al, or Al alloy having excellent electrical conductivity and low resistance .

비전사패턴(134)은 전사패턴(132)의 저항보다 낮은 저항을 갖는데, 낮은 저항을 갖는 방법에는 여러가지 변형이 있을 수 있다. 이러한 비전사패턴(134)의 일 실시예로서 상기 비전사패턴(134)의 선폭과 상기 전사패턴(132)의 선폭이 다른 것을 특징으로 할 수 있다.The non-transfer pattern 134 has a resistance lower than the resistance of the transfer pattern 132, and there may be various variations in the method having a low resistance. As an embodiment of the non-transfer pattern 134, the line width of the non-transfer pattern 134 and the line width of the transfer pattern 132 may be different from each other.

또한, 비전사패턴(134)의 선폭은 상기 전사패턴(132)의 선폭보다 넓은 것을 특징으로 할 수 있다. 저항은 도선의 단면적에 반비레하는 특성이 있는 바 선폭을 넓게 형성함으로써 비전사패턴(134)의 저항을 낮출 수 있기 때문이다.In addition, the line width of the non-transfer pattern 134 may be larger than the line width of the transfer pattern 132. This is because the resistance of the non-transfer pattern 134 can be lowered by forming the line width wide with the characteristic of anti-rubbing against the cross-sectional area of the conductor.

이 경우 상기 비전사패턴(134)의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상 3배 이하로 형성될 수도 있다. In this case, the line width of the non-transfer pattern 134 may be 1.5 times or more and 3 times or less the line width of the transfer pattern.

이는 비전사패턴(134)의 선폭이 전사패턴(132)의 선폭보다 1.5배 이상되지 않을 경우 저항의 차이가 미미할 수 있기 때문이며, 3배 이상일 경우는 전사패턴(132)간의 거리가 멀어질 우려가 있기 때문이다. 다만, 경우에 따라서는 이러한 수치는 변경될 수 있다.This is because the resistance difference may be small if the line width of the non-transfer pattern 134 is not more than 1.5 times the line width of the transfer pattern 132, and if the line width is three times or more, It is because. However, in some cases these figures may change.

또한, 비전사패턴(134)의 두께는 상기 전사패턴(132)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다. 저항은 도선의 단면적에 반비례하는 특성이 있는 바 두께를 두껍게 형성함으로써 비전사패턴(134)의 저항을 낮출 수 있기 때문이다.In addition, the thickness of the non-transfer pattern 134 may be larger than the thickness of the transfer pattern 132. This is because the resistance of the non-transfer pattern 134 can be lowered by forming a thicker bar having a characteristic inversely proportional to the cross-sectional area of the conductor.

도 6은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing another embodiment of the heat generating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.

도 6에서 알 수 있듯이, 상기 전사패턴(132) 및 상기 비전사패턴(134)의 경계에서 상기 비전사패턴(134)의 선폭은 사전에 설정된 각도로 증가하는 것을 특징으로 한다. 마찬가지로 비전사패턴(134)의 선폭이 감소하는 경우에도 사전에 설정된 각도로 감소한다.6, the line width of the non-transferred pattern 134 increases at a predetermined angle at the boundary between the transfer pattern 132 and the non-transferred pattern 134. As shown in FIG. Similarly, when the line width of the non-transferred pattern 134 is reduced, it decreases to a predetermined angle.

즉, 비전사패턴(134)의 선폭은 사전에 설정된 각도로 서서히 증가한다. 이는 급격한 선폭의 변화로 인하여 저항의 차이가 심해질 경우 이로 인하여 발열패턴(130)이 오픈되는 불량을 방지하기 위함이다.That is, the line width of the non-transfer pattern 134 gradually increases at a predetermined angle. This is to prevent a failure that the heating pattern 130 is opened due to a sharp difference in resistance due to a change in the linewidth.

이때, 상기 전사패턴(132)의 선폭과 상기 비전사패턴(134)의 경계에서 상기 비전사패턴(134)의 선폭이 증가하는 각도는 20도 이상 50도 이하일 수 있고 바람직하게는 45도가 될 수 있다. 다만, 이 수치는 실험적인 적정값인 것이므로 경우에 따라서 변경될 수 있다.At this time, the angle at which the line width of the non-transferred pattern 134 increases at the boundary between the line width of the transfer pattern 132 and the non-transferred pattern 134 may be 20 degrees or more and 50 degrees or less, have. However, since this value is an experimental optimum value, it can be changed in some cases.

같은 이유로, 상기 전사패턴(132) 및 상기 비전사패턴(134)의 경계에서 상기 비전사패턴(134)의 선폭은 S자 형태로 증가하거나 감소할 수 있다. 즉, 상기 전사패턴(132) 및 상기 비전사패턴(134)의 경계가 각진 형태가 아닌 곡선의 형태일 수도 있다.For the same reason, the line width of the non-transferred pattern 134 at the boundary between the transfer pattern 132 and the non-transferred pattern 134 may increase or decrease in an S-shape. That is, the boundary between the transfer pattern 132 and the non-transfer pattern 134 may be a curved shape rather than an angular shape.

도 7은 본 발명에 따른 유기박막 전사장치의 발열패턴의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing another embodiment of the heat generating pattern of the organic thin film transfer apparatus according to the present invention.

도 7에서 알 수 있듯이, 발열패턴(130)은 피전사기판(170) 중 유기박막(140)이 전사될 영역인 전사영역(T)에 대응하는 전사패턴(132)이 형성되어 있고, 상기 전사패턴(132)의 사이사이에는 피전사기판(170) 중 유기박막(140)이 전사되지 않는 영역이 비전사영역(N)에 대응하는 비전사패턴(134)이 형성되어 있다.7, the heat generating pattern 130 includes a transfer pattern 132 corresponding to the transfer area T, which is an area to which the organic thin film 140 is to be transferred, on the substrate 170, The non-transfer pattern 134 corresponding to the non-transfer area N is formed between the pattern 132 and the area of the transfer substrate 170 where the organic thin film 140 is not transferred.

이때 비전사패턴(134)의 선폭은 그 일부만이 두껍게 형성되어 있고, 연속되는 비전사패턴(134) 중에서 두껍게 형성된 선폭이 서로 어긋나게 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이에 따라 복수의 전사패턴(132)간 거리를 좁힐 수 있는 효과가 있다.At this time, it can be seen that only a part of the line width of the non-transferred pattern 134 is formed thick, and the line widths formed thickly among the continuous non-transferred patterns 134 are formed to be shifted from each other. Thereby, the distance between the plurality of transfer patterns 132 can be narrowed.

다시 도 4를 참조하면, 유기박막(140)은 전사기판(110) 상에 형성되어, 전사기판(110)을 통해 공급되는 열 에너지에 의해 피전사기판(170)으로 전사됨으로써 대상 화소들에 발광층을 형성한다. 4, the organic thin film 140 is formed on the transfer substrate 110 and transferred to the transfer substrate 170 by the thermal energy supplied through the transfer substrate 110, .

유기박막(140)은 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 유기발광재료 중 어느 하나를 포함하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 다른 색의 유기발광재료로 형성할 수도 있다. The organic thin film 140 includes any one of red (R), green (G), and blue (B) organic light emitting materials, but the present invention is not limited thereto. .

또한, 본 실시예에서는 전사재료층(140)은 열 증착(Thermal Evaporation) 공정 등을 통해 전사기판(110)의 일면 상에 전면적으로 형성되는 것 외에도, 발열패턴(130)의 상부에만 형성할 수도 있으며, 필요에 따라 전사패턴 상에만 형성될 수도 있다.In this embodiment, the transfer material layer 140 is formed entirely on one side of the transfer substrate 110 through a thermal evaporation process, or may be formed only on the upper side of the heat generating pattern 130 And may be formed only on the transfer pattern as required.

제 1장치전극(150a) 및 제 2장치전극(150b)은 각각 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b) 상에 형성되어 전원부(180)에서 공급된 전력을 제 1공통전극(120a) 및 제 2공통전극(120b)을 통해 발열패턴(130)에 공급한다.The first device electrode 150a and the second device electrode 150b are formed on the first common electrode 120a and the second common electrode 120b to supply the power supplied from the power supply unit 180 to the first common electrode 120a and the second common electrode 120b to the heating pattern 130. [

스페이서(160)는 전사기판(110) 및 피전사기판(170) 사이에 형성되어 전사기판(110) 및 피전사기판(170)을 일정한 간격으로 이격시킨다.The spacers 160 are formed between the transfer substrate 110 and the image receiving substrate 170 to separate the transfer substrate 110 and the image receiving substrate 170 at regular intervals.

피전사기판(170)은 전사기판(110)과 대향하여 마주보고 형성되며, 피전사기판(170) 중 화소영역에 대응하는 영역에는 유기박막(140)이 전사되어 발광층을 형성한다.An organic EL device 140 is transferred to a region corresponding to a pixel region of an image receiving substrate 170 to form a light emitting layer.

전원부(180)는 제 1장치전극(150a) 및 제 2장치전극(150b)에 연결되어 발열패턴(130)에 전기 에너지를 공급한다.The power supply unit 180 is connected to the first device electrode 150a and the second device electrode 150b to supply electric energy to the heat generating pattern 130. [

상기와 같은 본 발명에 따르는 유기박막 전사장치에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.The organic thin film transfer apparatus according to the present invention has the following effects.

우선, 전사기판에 형성된 발열패턴(130) 중 비전사패턴의 저항을 감소시켜, 발열로 인한 발열패턴(130)의 단락을 방지하는 효과가 있다.First, the resistance of the non-transfer pattern in the heat generating pattern 130 formed on the transfer substrate is reduced, thereby preventing the heat generating pattern 130 from being short-circuited due to heat generation.

또한, 발열패턴(130)의 단락을 방지하여 공정불량을 감소시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.In addition, the heat generating pattern 130 is prevented from short-circuiting, thereby reducing process defects and improving productivity.

이하 본 발명에 따른 유기박막 전사장치을 사용하여 유기박막을 전사하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of transferring an organic thin film using the organic thin film transfer apparatus according to the present invention will be described.

우선, 전사기판 상에 발열패턴을 형성한다. 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 상기 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 상기 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되는 비전사패턴을 포함한다.First, a heat generating pattern is formed on a transfer substrate. The heat generating pattern includes a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer target substrate onto which the organic thin film is transferred and an non-transfer pattern corresponding to a non-transfer region on the transfer target substrate onto which the organic thin film is not transferred.

이때, 비전사패턴은 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖는데, 낮은 저항을 갖는 방법에는 여러가지 변형이 있을 수 있다. 이러한 비전사패턴의 일 실시예로서, 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 넓은 것을 특징으로 할 수 있다. 저항은 도선의 단면적에 반비레하는 특성이 있는 바 선폭을 넓게 형성함으로써 비전사패턴의 저항을 낮출 수 있기 때문이다.At this time, the non-transfer pattern has a resistance lower than the resistance of the transfer pattern, and there are various variations in the method having a low resistance. As an embodiment of the non-transfer pattern, the line width of the non-transfer pattern may be larger than the line width of the transfer pattern. This is because the resistor has a characteristic that the cross-sectional area of the conductor is anti-rubbing, and the resistance of the non-transfer pattern can be lowered by forming a wide line width.

이 경우 일 실시예에 있어서, 상기 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상 3배 이하로 형성될 수 있다. 이는 비전사패턴의 선폭이 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상되지 않을 경우 저항의 차이가 미미할 수 있기 때문이며, 3배 이상일 경우는 전사패턴간의 거리가 멀어질 우려가 있기 때문이다. 다만, 경우에 따라서는 이러한 수치는 변경될 수 있다.In this case, in one embodiment, the line width of the non-transferred pattern may be 1.5 times or more and 3 times or less than the line width of the transfer pattern. This is because if the line width of the non-transferred pattern is not more than 1.5 times the line width of the transferred pattern, the difference in resistance may be insignificant. If the line width is three times or more, the distance between the transferred patterns may be distant. However, in some cases these figures may change.

다음, 상기 발열패턴 상에 유기박막을 형성한다. 유기박막은 상기 발열패턴의 전면에 형성될 수도 있고, 피전사기판에 유기박막이 전사되는 전사영역에 대응하는 부분에만 형성될 수도 있다.Next, an organic thin film is formed on the heating pattern. The organic thin film may be formed on the entire surface of the heating pattern or may be formed only on a portion corresponding to the transfer region where the organic thin film is transferred to the substrate to be transferred.

다음, 상기 유기박막에 대향하여 피전사기판을 합착한다. 이때, 전사기판 및 피전사기판 사이에 형성되는 스페이서에 의해 전사기판 및 피전사기판은 일정한 간격을 유지할 수 있다. 또한, 상기 전사기판의 양단에서 상기 발열패턴과 연결된 공통전극에는 외부의 전원부와 연결된 장치전극이 연결된다.Next, an image receiving substrate is bonded to the organic thin film. At this time, the transfer substrate and the transfer target substrate can be kept at a constant distance by the spacer formed between the transfer substrate and the transfer target substrate. In addition, a device electrode connected to an external power supply unit is connected to a common electrode connected to the heating pattern at both ends of the transfer substrate.

다음, 상기 발열패턴에 전원을 인가하여 상기 유기박막을 상기 전사기판에서 상기 피전사기판으로 증착한다. 외부의 전원부에서 소정의 전력을 공급하면, 장치전극에서 공통전극, 공통전극에서 발열패턴으로 전력이 흐르게 되고, 얇은 선폭을 가진 발열패턴에는 줄열이 발생하게 된다. 이에 따라, 발열패턴 중 전사패턴 상에 형성된 유기박막이 가열되어 피전사기판으로 증착되게 된다.Next, power is applied to the heating pattern to deposit the organic thin film on the transfer substrate from the transfer substrate. When a predetermined power is supplied from an external power supply unit, electric power flows from the common electrode and the common electrode to the heating pattern in the device electrode, and heat generation is generated in the heating pattern having a thin line width. Accordingly, the organic thin film formed on the transferred pattern in the heating pattern is heated and deposited on the transfer substrate.

한편, 비전사패턴의 선폭을 넓게하여 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖게하면, 발열패턴이 발열로 인하여 단락되는 것을 방지하는 효과가 있고, 또한, 발열패턴의 단락을 방지하여 공정불량을 감소시켜 생산성이 향상되는 효과가 있다.On the other hand, if the line width of the non-transferred pattern is widened to have a resistance lower than the resistance of the transfer pattern, there is an effect of preventing the heat generating pattern from being short-circuited due to heat generation. In addition, The productivity is improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 구성을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and from the equivalent concept are to be construed as being included in the scope of the present invention .

100 - 유기박막 전사장치
110 - 전사기판
120a - 제 1공통전극
120b - 제 2공통전극
130 - 발열패턴
132 - 전사패턴
134 - 비전사패턴
140 - 유기박막
150a - 제 1장치전극
150b - 제 2장치전극
160 - 스페이서
170 - 피전사기판
180 - 전원부100 - Organic thin film transfer device
110 - Transfer substrate
120a - a first common electrode
120b-second common electrode
130 - Heat pattern
132 - Transcription pattern
134 - Non-corporate pattern
140 - organic thin film
150a - first device electrode
150b - second device electrode
160 - Spacer
170 - Substrate to be transferred
180 - Power supply

Claims (10)

전사기판;
상기 전사기판 상의 일단에 형성된 제 1공통전극;
상기 전사기판 상의 타단에 상기 제 1공통전극과 마주보고 형성된 제 2공통전극;
상기 제 1공통전극 및 제 2공통전극 사이를 연결하며 형성된 발열패턴; 및
상기 발열패턴 상에 형성된 유기박막을 포함하고,
상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되고 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖도록 형성된 비전사패턴을 포함하고,
상기 비전사패턴의 선폭 또는 두께는 상기 전사패턴의 선폭 또는 두께 이상인, 유기박막 전사장치.A transfer substrate;
A first common electrode formed on one end of the transfer substrate;
A second common electrode formed on the other end of the transfer substrate facing the first common electrode;
A heating pattern formed by connecting the first common electrode and the second common electrode; And
And an organic thin film formed on the heating pattern,
Wherein the heating pattern corresponds to a transfer pattern corresponding to a transfer area on the transfer target substrate onto which the organic thin film is transferred and a non-transfer area on the transfer target substrate to which the transfer of the organic thin film is not transferred, Including a non-corporate pattern,
Wherein the line width or thickness of the non-transferred pattern is not less than the line width or thickness of the transferred pattern. 제 1항에 있어서,
상기 비전사패턴의 선폭의 일부분은 상기 전사패턴의 선폭 이상의 선폭을 갖는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 1,
Wherein a part of the line width of the non-transferred pattern has a line width equal to or larger than the line width of the transfer pattern. 제 1항에 있어서,
상기 비전사패턴의 선폭은 상기 전사패턴의 선폭보다 1.5배 이상 3배 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 1,
Wherein the line width of the non-transferred pattern is 1.5 times or more and 3 times or less the line width of the transfer pattern. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 전사패턴 및 상기 비전사패턴의 경계에서 상기 비전사패턴의 선폭은 S자 형태로 증가하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 1,
Wherein the line width of the non-transferred pattern increases in an S-shape at a boundary between the transfer pattern and the non-transferred pattern. 제 1항에 있어서,
상기 전사패턴 및 상기 비전사패턴의 경계에서 상기 비전사패턴의 선폭은 사전에 설정된 각도로 증가하는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 1,
Wherein the line width of the non-transferred pattern increases at a predetermined angle at a boundary between the transfer pattern and the non-transferred pattern. 제 6항에 있어서,
상기 전사패턴의 선폭과 상기 비전사패턴의 경계에서 상기 비전사패턴의 선폭이 증가하는 각도는 20도 이상 50도 이하인 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 6,
Wherein an angle at which the line width of the non-transferred pattern increases at a boundary between the line width of the transfer pattern and the non-transferred pattern is 20 degrees or more and 50 degrees or less. 제 1항에 있어서,
상기 발열패턴은 Mo, Cu, Al, 또는 Al합금 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 전사장치.The method according to claim 1,
Wherein the heat generating pattern is formed of any one of Mo, Cu, Al, and Al alloys. 전사기판 상에 발열패턴을 형성하는 단계;
상기 발열패턴 상에 유기박막을 형성하는 단계;
상기 유기박막에 대향하여 피전사기판을 합착하는 단계;
상기 발열패턴에 전원을 인가하여 상기 유기박막을 상기 전사기판에서 상기 피전사기판으로 증착하는 단계를 포함하고,
상기 발열패턴은 상기 유기박막이 전사되는 상기 피전사기판 상의 전사영역에 대응되는 전사패턴 및 상기 유기박막이 전사되지 않는 상기 피전사기판 상의 비전사영역에 대응되는 비전사패턴을 포함하고, 상기 비전사패턴은 상기 전사패턴의 저항보다 낮은 저항을 갖고, 상기 비전사패턴의 선폭 또는 두께는 상기 전사패턴의 선폭 또는 두께 이상인, 유기박막 전사방법.Forming a heating pattern on a transfer substrate;
Forming an organic thin film on the heating pattern;
Attaching an image receiving substrate to the organic thin film;
And applying power to the heating pattern to deposit the organic thin film from the transfer substrate to the transfer substrate,
Wherein the heat generating pattern includes a transfer pattern corresponding to a transfer region on the transfer target substrate onto which the organic thin film is transferred and an non-transfer pattern corresponding to a non-transfer region on the transfer target substrate onto which the organic thin film is not transferred, Wherein the pattern has a resistance lower than the resistance of the transfer pattern, and the line width or thickness of the non-transfer pattern is not less than the line width or thickness of the transfer pattern. 삭제delete
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