KR101895229B1 - Composite of quantum dot, manufacturing method thereof and optical module for display using the same - Google Patents
Composite of quantum dot, manufacturing method thereof and optical module for display using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101895229B1 KR101895229B1 KR1020160132984A KR20160132984A KR101895229B1 KR 101895229 B1 KR101895229 B1 KR 101895229B1 KR 1020160132984 A KR1020160132984 A KR 1020160132984A KR 20160132984 A KR20160132984 A KR 20160132984A KR 101895229 B1 KR101895229 B1 KR 101895229B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- quantum dot
- group
- semiconductive
- inorganic
- inorganic matrix
- Prior art date
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 117
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 41
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N tetraethoxy silicate Chemical compound CCOO[Si](OOCC)(OOCC)OOCC XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008072 Si-N-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 amine salt Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- AEDZKIACDBYJLQ-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;hydrate Chemical compound O.OCCO AEDZKIACDBYJLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/54—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/89—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing mercury
- C09K11/892—Chalcogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
본 발명은 양자점 컴포지트, 그의 제조방법 및 그를 포함한 디스플레이용 광학 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 양자점 컴포지트는 실라잔 화합물로 이루어진 한 무기 매트릭스 내에 반도성 양자점 나노입자가 분산된 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하고 상기 비드 기공을 폐쇄하여, 안정적으로 다량의 양자점을 비드에 밀봉함으로써, 양자점의 색재현율을 향상하고, 양자점이 수분 투과 및 산소와의 접촉에 의한 광 특성 저하를 억제함으로써 신뢰성을 향상시키며 포함한 디스플레이용 광학 모듈에 유용하다.The present invention relates to a quantum dot composite, a method of manufacturing the same, and an optical module for a display including the same.
The quantum dot composites of the present invention are characterized in that a quantum dot-inorganic matrix in which semiconductive quantum dot nanoparticles are dispersed in an inorganic matrix made of a silazane compound is supported on the porous inorganic beads and the bead pores are closed to stably seal a large amount of quantum dots Thereby improving the color reproducibility of the quantum dots and improving the reliability by suppressing deterioration of optical properties due to moisture permeation and oxygen contact with the quantum dots.
Description
본 발명은 양자점 컴포지트, 그의 제조방법 및 그를 포함한 디스플레이용 광학 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 특정한 무기 매트릭스 내에 반도성 양자점 나노입자가 포함되도록 한 양자점-무기 매트릭스에 의해, 안정적으로 다량의 양자점을 다공성 무기질 비드에 담지하고 상기 비드 기공을 폐쇄하여 밀봉함으로써, 양자점이 수분 및 산소에 의한 광 특성 저하를 억제함으로써 신뢰성 및 색재현율을 향상시킬 수 있는 양자점 컴포지트, 그의 제조방법 및 그를 포함한 디스플레이용 광학 모듈에 관한 것이다. The present invention relates to a quantum dot composite, a method of manufacturing the same, and an optical module for a display including the same. More particularly, the present invention relates to a quantum dot-inorganic matrix capable of stably forming a large quantum dot Point composite capable of improving reliability and color reproducibility by suppressing deterioration of optical properties due to moisture and oxygen by supporting the bead pores on a porous inorganic bead and sealing the bead pores, .
최근 유력한 차세대 광원으로 떠오르고 있는 발광 다이오드(LED, Light-Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서, 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등 신호표시, 전달용으로 사용되고 있다. Light-Emitting Diode (LED), which is emerging as a next-generation next-generation light source, is a semiconductor device that converts electricity into ultraviolet rays, visible light, and infrared rays using the characteristics of compound semiconductors. It is used for signal display and transmission.
적색 및 녹색의 발광 LED는 오래 전에 개발되어 신호 표시용으로 널리 사용되고 있었으나, 1990년대 초에 고휘도 적색 LED가 개발되고 수년 후 일본의 니치아(Nichia)사에서 GaN계 반도체를 이용한 고휘도 청색 발광 LED가 개발되어 전광판이나 신호등, 휴대전화 등에 응용되고 있다. Red and green LEDs have been developed for a long time and widely used for signal display. However, a high-luminance red LED was developed in the early 1990s and Nichia of Japan developed a high-brightness blue LED using GaN based semiconductor And it is applied to electric sign boards, traffic lights, cellular phones and the like.
이로써, 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 구현하는 각각의 발광 LED 소자가 모두 개발됨에 따라 LED를 조명광원으로 사용하고자 하는 연구가 활발히 진행되어 왔다.Accordingly, as each of the light-emitting LED devices for realizing the three primary colors of light, red, green, and blue, has been developed, studies for using the LED as an illumination light source have been actively conducted.
즉, 고휘도 LED를 기존의 백열전구나 형광등을 대체한 조명광원으로 사용한다면, 에너지 효율이 매우 높고, 수명이 길어 교체 비용이 적으며, 진동이나 충격에도 강하고, 수은 등 유독 물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 유리하다.That is, if a high-brightness LED is used as an illumination light source replacing a conventional incandescent lamp or a fluorescent lamp, energy efficiency is very high, life is long, replacement cost is low, resistance to vibration and shock is not required, and use of toxic substances such as mercury is unnecessary It is advantageous in terms of energy saving, environmental protection and cost reduction.
따라서 현재 LED 분야에 있어서 조명용 백색 LED 분야 및 디스플레이 소자 분야가 주된 연구개발 분야이다. Therefore, in the LED field, white LED field for illumination and display field are the main research and development field.
LED는 기본적으로 좁은 파장영역의 빛만을 발생하므로 단일소자 차원에서 백색광 발현은 어려우며 적, 녹, 청의 삼원색을 조합하여 백색을 얻는 등 여러 가지 방안이 시도되어 왔다. 그 중에서도 청색 또는 자외선 LED 위에 적절한 형광체 분말을 도포하여 파장 변환을 통해 백색광을 발현시키는 방안이 가장 실용화 가능성이 높으며 현재 많은 기업에서 활발한 연구개발이 이루어지고 있다. 그러나 자연색을 구현하기 위한 색 재현율의 향상이 요구된다.LEDs basically emit only light of a narrow wavelength range, so that it is difficult to emit white light in a single device level, and a variety of measures have been tried, such as obtaining a white color by combining the three primary colors of red, green and blue. Among them, a method of applying a suitable phosphor powder onto a blue or ultraviolet LED to emit white light through wavelength conversion is most likely to be put to practical use, and active research and development has been conducted in many companies. However, it is required to improve the color reproduction rate to realize a natural color.
또한, 디스플레이 소자 분야에 있어서도 OLED, 양자점 LED 등 새로운 형태의 디스플레이 소자 개발이 국내외 기업, 연구기관을 중심으로 활발히 진행되고 있다. In the field of display devices, development of new types of display devices such as OLED and quantum dot LED is actively being carried out by domestic and foreign companies and research institutes.
특히, 양자점 LED의 경우 OLED 구조에서 반도체 나노입자를 형광체로 이용할 경우 자연색상의 구현이 가능한 높은 색 재현율을 갖는 디스플레이가 구현될 것으로 기대되며 향후 기술 개발을 통해 실용화가 가능할 것으로 예상된다. In particular, when using semiconductor nanoparticles as phosphors in the OLED structure, it is expected that a display having a high color reproducibility capable of realizing natural colors will be implemented in the quantum dot LED, and it is expected to be put to practical use through technology development in the future.
이에, 고신뢰성 양자점을 발광소자에 적용한 종래기술로는 미국특허 제8,343,575 호에서 양자점을 이용한 디스플레이용 백라이트 모듈을 제조함에 있어서, 공기 중의 산소나 수분에 의해 발생되는 신뢰성 저하를 방지하기 위하여, 배리어 특성이 우수한 알루미나나 실리카를 글래스 기판 사이에 양자점을 밀봉(hermetically sealed)함으로써, 신뢰성을 확보하는 것을 특징으로 한다. 상기 특허에서 개시된 밀봉방법으로 양자점 자체를 공기나 수분을 차단하도록 제조하는 것이 아니라, 수분이나 공기의 차단성이 뛰어난 기판 사이에 양자점을 패키징하는 방법을 사용하고 있으나, 구체적 효과를 뒷받침하지 못하고 있다. In the prior art in which a high-reliability quantum dot is applied to a light-emitting device, US Pat. No. 8,343,575 discloses a backlight module for a display using quantum dots. In order to prevent reliability degradation caused by oxygen or moisture in the air, This excellent alumina or silica is characterized by hermetically sealing the quantum dots between glass substrates to ensure reliability. The method disclosed in the above patent does not manufacture the quantum dots so as to block air or moisture, but uses a method of packaging quantum dots between substrates having excellent water and air barrier properties, but does not support concrete effects.
또한, 상기 방법은 제조 시 여러 번의 코팅에 의해 제조 원가가 높을 뿐만 아니라, 코팅 공정에서 불가피하게 발생되는 기판과 기판 사이의 결함을 완벽하게 차단하기가 어렵다. 따라서 배리어 기판을 이용하여 제조하고자 하는 디스플레이용 양자점 광학 필름의 경우에는 장기간 사용할 경우 안정성, 색재현율, 광효율 면에서 개선되어야 할 문제점이 많다.In addition, the above-described method has a high manufacturing cost due to several coatings at the time of manufacturing, and it is difficult to completely prevent defects between the substrate and the substrate inevitably generated in the coating process. Therefore, in the case of a quantum dot optical film for display to be manufactured using a barrier substrate, there are many problems to be improved in terms of stability, color reproducibility, and optical efficiency when used for a long period of time.
따라서, 양자점을 이용한 백색 조명 및 디스플레이 기기의 개발을 위해서는 그 응용 분야에 맞는 광효율 및 열, 수분, 산소 및 광에 대한 안정성이 우수한 형광체의 개발이 필수적이다.Therefore, in order to develop white light and display devices using quantum dots, it is essential to develop phosphors having excellent light efficiency and stability against heat, moisture, oxygen, and light for the application fields.
본 발명자에 의해 공개된 대한민국특허 제1585430호에서는 반도성 양자점 나노입자의 표면에 무기물을 코팅하여 표면 개질한 후, 다공성 무기물 비드에 담지시키고, 상기 다공성 무기물 비드의 표면에 무기물을 코팅하여 다공성 무기물 비드의 기공을 폐쇄하는 것으로 수행된 형광체용 나노하이브리드 복합체의 제조방법이 개시된 바 있다. Korean Patent No. 1585430 disclosed by the present inventors discloses a method of coating an inorganic material on the surface of semiconductive quantum dot nano-particles, surface-modifying the surface of the semiconductive nanoparticle, and then carrying the inorganic material bead on the surface of the porous inorganic bead, A method of manufacturing a nanohybrid composite for a phosphor is disclosed.
그러나 상기 반도성 양자점 나노입자의 표면에 무기물을 코팅한 후 담지하는데, 균일한 코팅을 제어할 수 없어 무기물이 양자점을 완벽하게 코팅하지 못하므로, 수분이나 공기의 침투문제가 여전히 남게되고, 균일한 코팅을 위해 코팅두께를 두껍게 할 수 있으나, 양자점의 광효율이 저하된다. However, since inorganic particles are coated on the surface of the semiconductive nanoparticles, the uniform coating can not be controlled, and the inorganic matter does not completely coat the quantum dots. Therefore, the problem of penetration of moisture and air remains, The thickness of the coating can be increased for coating, but the light efficiency of the quantum dot is reduced.
이에, 본 발명자들은 종래 문제점을 개선하고자 노력한 결과, 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 내에 반도성 양자점 나노입자를 분산시켜 양자점-무기 매트릭스를 형성하고, 상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하고 상기 비드 기공을 폐쇄하여, 안정적으로 다량의 양자점을 비드에 밀봉하여 광효율을 최적화함으로써, 본 발명을 완성하였다. DISCLOSURE OF THE INVENTION The present inventors have made efforts to solve the conventional problems, and as a result, the present inventors have found that, by dispersing semiconductive quantum dot nanoparticles in an inorganic matrix made of a silazane compound to form a quantum dot-inorganic matrix, The bead pores are closed, and a large amount of quantum dots are stably sealed in the beads to optimize the light efficiency, thereby completing the present invention.
본 발명의 목적은 특정한 무기 매트릭스 내에 반도성 양자점 나노입자가 포함되도록 한 양자점-무기 매트릭스가 다공성 무기질 비드에 담지된 양자점 컴포지트(Composite)를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a quantum dot composite in which a quantum dot-inorganic matrix in which a semiconductive quantum dot nanoparticle is contained in a specific inorganic matrix is supported on a porous inorganic bead.
본 발명의 다른 목적은 상기 양자점 컴포지트의 제조방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a method for producing the quantum dot composites.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 양자점 컴포지트를 포함하여 구성하는 디스플레이용 광학 모듈을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide an optical module for a display comprising the above quantum dot composite.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 내에 분산된 반도성 양자점 나노입자로 이루어진 양자점-무기 매트릭스가 다공성 무기질 비드에 담지되고, 상기 다공성 무기질 비드의 기공이 폐쇄된 양자점 컴포지트를 제공한다. In order to attain the above object, the present invention provides a method for producing a porous inorganic bead, comprising the steps of: supporting a quantum dot-inorganic matrix made of semiconductive nanoparticles dispersed in an inorganic matrix made of a silazane compound represented by the following formula Lt; RTI ID = 0.0 > closed-pore < / RTI >
화학식 1Formula 1
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 수소 원자 또는 탄소원자 수 1∼8개의 알킬기이다.In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
상기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물이 바람직하게는 퍼하이드로폴리실라잔(R1, R2, R3=H), 디메틸폴리실라잔(R1, R2 = CH3 R3= H) 및 메틸폴리실라잔(R1= H, R2 = CH3, R3= H)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것이다. The silazane compound represented by the above formula (1) is preferably a perhydro polysilazane (R 1 , R 2 , R 3 ═H), dimethyl polysilazane (R 1 , R 2 ═CH 3 R 3 ═H) methyl poly is to use any one silazane (R 1 = H, R 2 = CH 3, R 3 = H) selected from the group consisting of.
상기 무기 매트릭스 내에 포함된 반도성 양자점 나노입자는 12-16족 반도성 화합물; 13-15족 반도성 화합물; 및 14족 반도성 화합물;로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질이며, 더욱 바람직하게는, 상기 반도성 양자점 나노입자가 ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, GaAs, InGaAs, InP, InAs, Ge, Si 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질이다.The semiconducting quantum dot nanoparticles contained in the inorganic matrix are selected from the group consisting of 12-16-arsenic compounds; 13-15 semi-conductor compounds; ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, GaAs, InGaAs, InP, and InGaAs, InAs, Ge, Si, and combinations thereof.
또한, 본 발명의 양자점 컴포지트에 있어서, 다공성 무기질 비드는 5 내지 50nm의 기공크기를 가지는 메조포러스 실리카 비드가 바람직하다. Further, in the quantum dot composites of the present invention, the porous inorganic beads are preferably mesoporous silica beads having a pore size of 5 to 50 nm.
나아가, 본 발명은 반도성 양자점 나노입자 함유용액을 제공하는 공정(S1);Further, the present invention relates to a process (S1) of providing a solution containing semiconductive quantum dot nanoparticles;
상기 반도성 양자점 나노입자 함유용액과 하기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 전구체 용액에 혼합하여, 양자점-무기 매트릭스를 제공하는 공정(S2); (S2) mixing the solution with the inorganic matrix precursor solution comprising the semiconductive nanoparticle-containing nanoparticle-containing solution and the silazane compound represented by Chemical Formula 1 to provide a quantum dot-inorganic matrix;
상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하는 공정(S3); 및 A step (S3) of supporting the quantum dot-inorganic matrix on the porous inorganic beads; And
상기 담지 후 경화시켜, 상기 다공성 무기질 비드의 기공을 폐쇄하는 공정(S4);으로 이루어진 양자점 컴포지트의 제조방법을 제공한다. And a step (S4) of closing the pores of the porous inorganic beads by curing after the above-mentioned carrying, thereby providing a method for producing a quantum dot composite.
화학식 1Formula 1
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 수소 원자 또는 탄소원자 수 1∼8개의 알킬기이다.In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
상기 공정(S4)에서 경화는 150℃ 이하에서 20 내지 60분 동안의 열처리 또는 자외선 조사에 의해 수행되는 것이다. In the step (S4), the curing is carried out by heat treatment at 150 DEG C or lower for 20 to 60 minutes or ultraviolet irradiation.
또한, 공정(S4)에서 다공성 무기질 비드의 기공이 실라잔 화합물의 상변화에 의해 폐쇄되는 것으로서, 상기 실라잔 화합물이 경화에 의해 액상에서 고상으로의 상 변화에 의해 수행되는 것이다.Further, in the step (S4), the pores of the porous inorganic beads are closed by the phase change of the silazane compound, and the silazane compound is carried out by the phase change from the liquid phase to the solid phase by the curing.
이상의 본 발명의 특징인 양자점 컴포지트가 포함되어 구성된 디스플레이용 광학 모듈을 제공한다. A display optical module including a quantum dot composite, which is a feature of the present invention, is provided.
상술한 바에 따라, 본 발명의 양자점 컴포지트는 특정한 무기 매트릭스 내에 반도성 양자점 나노입자를 포함시킨 양자점-무기 매트릭스를 형성하고, 상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하고 상기 비드 기공을 폐쇄함으로써, 안정적으로 다량의 양자점을 다공성 무기질 비드에 밀봉할 수 있다. According to the present invention, the quantum dot composites of the present invention are formed by forming a quantum dot-inorganic matrix containing semiconductive quantum dot nanoparticles in a specific inorganic matrix, supporting the quantum dot-inorganic matrix on the porous inorganic beads and closing the bead pores, A large amount of quantum dots can be stably sealed to the porous inorganic beads.
이에, 본 발명의 양자점 컴포지트를 디스플레이용 광학 모듈에 형광체로서 사용할 경우, 휘도, 안정성, 색재현율을 높일 수 있다. Accordingly, when the quantum dot composite of the present invention is used as a phosphor for a display optical module, luminance, stability, and color reproduction ratio can be increased.
도 1은 본 발명에 따른 양자점 컴포지트에 대하여 담지된 양자점의 함량에 따른 양자점 컴포지트의 형광 스펙트럼이고,
도 2는 본 발명에 따른 양자점 컴포지트에 대하여 시간에 따른 형광세기의 변화 결과이고,
도 3은 본 발명에 따른 양자점 컴포지트의 제조방법에 대한 공정 흐름도이다. FIG. 1 is a fluorescence spectrum of a quantum dot composite according to the content of quantum dots carried on a quantum dot composite according to the present invention,
FIG. 2 is a graph illustrating a change in fluorescence intensity with time for a quantum dot composite according to the present invention,
3 is a process flow diagram for a method of manufacturing a quantum dot composite according to the present invention.
이하, 본 발명을 상세히 설명하고자 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 내에 분산된 반도성 양자점 나노입자로 이루어진 양자점-무기 매트릭스가 다공성 무기질 비드에 담지되고, 상기 다공성 무기질 비드의 기공이 폐쇄된 양자점 컴포지트를 제공한다. The present invention relates to a quantum dot composite comprising a quantum dot-inorganic matrix composed of semiconductive quantum dot nanoparticles dispersed in an inorganic matrix consisting of a silazane compound represented by the following general formula (1), supported on porous inorganic beads and having pores of the porous inorganic beads closed, to provide.
화학식 1Formula 1
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 수소 원자 또는 탄소원자 수 1∼8개의 알킬기이다. In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
본 발명에서 사용되는 실라잔(silazane)은 실리콘 화합물의 일종으로 Si-N 결합 골격을 갖는 고분자로 형성될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물이 퍼하이드로폴리실라잔(R1, R2, R3=H), 디메틸폴리실라잔(R1, R2 = CH3 R3= H) 및 메틸폴리실라잔(R1= H, R2 = CH3, R3= H)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것이다. The silazane used in the present invention is a kind of silicone compound and may be formed of a polymer having Si-N bond skeleton. More preferably, the silazane compound represented by Formula 1 is a perhydro polysilazane ( R 1, R 2, R 3 = H), dimethyl polysilazane (R 1, R 2 = CH 3 R 3 = H) and methyl polysilazane (R 1 = H, R 2 = CH 3, R 3 = H). ≪ / RTI >
이상의 실라잔 화합물은 환형의 폴리실라잔으로 형성될 수 있으며, 열처리 또는 자외선에 의해 액상이 고상의 실리카(SiO2) 필름으로 경화된다. The above silazane compound may be formed of a cyclic polysilazane, and the liquid phase is cured into a solid silica (SiO 2 ) film by heat treatment or ultraviolet rays.
이때, 하기 화학식 2로 표시되는 퍼하이드로폴리실라잔(Si-H2-NH) 함유한 용액을 일례로 설명하면, 150℃ 이하에서 20분 또는 상온에 일정시간 방치되면, 공기 중 수분(H2O)이나 공기 중 산소(O2)와 반응하여 순수하고 단단한 SiO2 필름이 형성된다. When a solution containing perhydro polysilazane (Si-H 2 -NH) represented by the following formula 2 is taken as an example, if it is left at 150 ° C. or less for 20 minutes or at room temperature for a certain time, moisture in the air (H 2 O) or oxygen in air (O 2 ) to form a pure and hard SiO 2 film.
화학식 2(2)
반응식 1Scheme 1
-(SiH2NH)- + 2H2O → SiO2 + NH3 + 2H2 - (SiH 2 NH) - + 2H 2 O → SiO 2 + NH 3 + 2H 2
상기 SiO2 박막은 폴리실라잔 성분의 투명한 용액으로 프레이, 침지, 스핀 코팅으로 2㎛ 이하 박막을 형성하며, 150℃ 이하에서 20분간 열 건조하면, 표면경도가 8H 이상의 단단한 유리(SiO2) 하드코팅, 투명한 보호코팅, 소수성 코팅이 제조된다. The SiO 2 thin film is a transparent solution of a polysilazane component and forms a thin film of 2 탆 or less by means of freeze, dipping or spin coating. When the SiO 2 thin film is thermally dried at 150 캜 or less for 20 minutes, hard glass (SiO 2 ) Coatings, transparent protective coatings, hydrophobic coatings are produced.
이에, 본 발명에서는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 용액에 반도성 양자점 나노입자 함유용액을 혼합 교반함으로써, 무기 매트릭스 내에 분산된 반도성 양자점 나노입자로 이루어진 양자점-무기 매트릭스 전구체 용액이 형성된다. Thus, in the present invention, a solution containing a semiconductive quantum dot nanoparticle is mixed and stirred in an inorganic matrix solution made of a silazane compound to form a quantum dot-inorganic matrix precursor solution made of semiconducting quantum dot nanoparticles dispersed in an inorganic matrix.
상기 양자점-무기 매트릭스로 형성됨으로써, 수분이나 공기 중 산소침투 발생을 근본적으로 방지할 수 있으므로, 양자점의 광효율을 구현을 최적화할 수 있다. By forming the quantum dot-inorganic matrix, it is possible to fundamentally prevent occurrence of moisture and oxygen penetration in the air, so that the implementation of the light efficiency of the quantum dot can be optimized.
상기 무기 매트릭스 내에 포함된 반도성 양자점 나노입자는 12-16족 반도성 화합물; 13-15족 반도성 화합물; 및 14족 반도성 화합물;로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질이다. The semiconducting quantum dot nanoparticles contained in the inorganic matrix are selected from the group consisting of 12-16-arsenic compounds; 13-15 semi-conductor compounds; And a Group 14 semiconducting compound.
더욱 바람직하게는, 상기 12-16족 반도성 화합물로서, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe 또는 이들의 혼합물을 들 수 있고, 13-15족 반도성 화합물의 예로서는 GaAs, InGaAs, InP, InAs 또는 이들의 혼합물들을 들 수 있으며, 14족 반도성 화합물로서는 예를 들면, Ge, Si 등을 사용할 수 있다.Examples of the 13-16-group semiconducting compound include GaAs, InGaAs, InGaAs, and mixtures thereof. As the 12-16-group semiconducting compound, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, InP, InAs, and mixtures thereof. As the Group 14 semiconducting compound, for example, Ge, Si and the like can be used.
상기 반도성 나노입자는 구형이거나 구형도 0.8 이상의 대략 구형으로, 크기는 2∼10nm의 크기를 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the semiconductive nanoparticles have a spherical shape or a substantially spherical shape having a sphericity of 0.8 or more and a size of 2 to 10 nm.
상기 반도성 양자점 입자는 반도성 나노입자의 저장 또는 산소나 수분 및 빛에 의한 형광 특성의 저하를 방지하기 위하여, 코어-쉘 구조를 갖는 것이 바람직하다. 이때, 상기 코어구조를 구성하는 물질은 12-16족 반도성 화합물; 13-15족 반도성 화합물; 및, 14족 반도성 화합물;로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물로이다. 상기 쉘 구조는 예를 들면, 상기 코어구조에 1 내지 10겹의 ZnS 단분자층이 형성된 구조인 것이 바람직하다.The semiconductive quantum dot particles preferably have a core-shell structure in order to prevent the storage of semiconductive nanoparticles or the degradation of fluorescence properties due to oxygen, moisture and light. At this time, the material constituting the core structure is a 12-16-group semiconductive compound; 13-15 semi-conductor compounds; And a Group 14 semiconducting compound. The shell structure is preferably a structure in which 1 to 10 layers of ZnS monolayers are formed on the core structure.
또한, 본 발명의 양자점 컴포지트는 상기의 양자점-무기 매트릭스가 다공성 무기질 비드에 담지된 것으로서, 상기 다공성 무기질 비드는 평균기공 0.5 내지 50nm의 기공크기를 가지는 구형의 메조포러스 실리카 비드가 바람직하다. In addition, the quantum dot composites of the present invention are those in which the quantum dot-inorganic matrix is supported on porous inorganic beads, and the porous inorganic beads are preferably spherical mesoporous silica beads having an average pore size of 0.5 to 50 nm.
이때, 기공의 크기는 양자점의 담지가 용이하도록 기공 크기가 5 내지 50nm가 되는 것이 바람직하며, 이때, 기공크기가 5nm 미만이면, 양자점 나노입자의 담지 자체가 어렵고, 50nm를 초과하면, 기공이 지나치게 커져 반도성 양자점 나노입자의 담지가 비효율적이다.At this time, it is preferable that the pore size is 5 to 50 nm in order to facilitate the loading of the quantum dots. When the pore size is less than 5 nm, it is difficult to support the quantum dot nanoparticles. When the pore size is more than 50 nm, It is inefficient to support large-sized quantum dot nanoparticles.
한편, 상기 다공성 무기질 비드가 분체 상이면 그 입도에는 특별한 제한이 없으나, OLED 디스플레이나, LCD 디스플레이용 백라이트 필름의 고연색성을 구현하기 위한 재료로 사용하기 위하여는 통상적으로 300nm 내지 10㎛의 것을 사용한다.On the other hand, if the porous inorganic beads are in the form of powder, there is no particular limitation on the particle size. In order to use the material as a material for realizing high color rendering property of OLED display or backlight film for LCD display, 300 nm to 10 탆 is usually used.
또한, 본 발명의 양자점 컴포지트는 상기 다공성 무기질 비드의 기공이 폐쇄되어 완성되는데, 상기 비드 기공 폐쇄에 의해, 안정적으로 다량의 양자점을 비드에 밀봉함으로써, 기공 내부와 외부의 수분 또는 공기의 통과가 차단됨으로써 반도성 양자점 나노입자의 광안정성이 더욱 향상된다. In addition, the quantum dot composite of the present invention is completed by closing the pores of the porous inorganic beads. By stably sealing a large amount of quantum dots in the beads by the pore closing of the beads, passage of moisture or air inside and outside the pores is blocked The light stability of semiconductive quantum dot nanoparticles is further improved.
도 1은 본 발명에 따른 완성된 양자점 컴포지트에 있어서, 담지된 양자점의 함량에 따른 양자점 컴포지트의 형광 스펙트럼이다. 1 is a fluorescence spectrum of a quantum dot composite according to the content of supported quantum dots in a completed quantum dot composite according to the present invention.
그 결과, 반도성 양자점 나노입자의 함량이 3중량%, 5중량% 및 10중량% 함유된 경우, 담지량이 증가할수록 형광강도가 함께 증가하였으며, 안정적으로 다량의 반도성 양자점 나노입자를 함유할 수 있음을 확인할 수 있다.As a result, when the content of the semiconductive quantum dot nanoparticles was 3 wt%, 5 wt%, and 10 wt%, the fluorescence intensity increased as the amount of the support increased, and the amount of semiconducting nanoparticles .
또한, 도 2는 본 발명에 따른 완성된 양자점 컴포지트에 있어서, 시간에 따른 형광세기의 변화를 도시한 것으로서, 양자점-무기 매트릭스가 다공성 무기물 비드에 담지될 경우, 향상된 광안정성 결과를 확인할 수 있다. FIG. 2 is a graph showing changes in fluorescence intensity with time in the completed quantum dot composite according to the present invention. When the quantum dot-inorganic matrix is supported on the porous inorganic beads, an improved light stability result can be confirmed.
도 3은 본 발명에 따른 양자점 컴포지트의 제조방법에 대한 공정 흐름도를 도시한 것으로서, 본 발명은 반도성 양자점 나노입자 함유용액을 제공하는 공정(S1); FIG. 3 is a process flow diagram of a method for producing a quantum dot composite according to the present invention, comprising the steps of: (S1) providing a solution containing semiconductive quantum dot nanoparticles;
상기 반도성 양자점 나노입자 함유용액과 하기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 전구체 용액에 혼합하여, 양자점-무기 매트릭스를 제공하는 공정(S2); (S2) mixing the solution with the inorganic matrix precursor solution comprising the semiconductive nanoparticle-containing nanoparticle-containing solution and the silazane compound represented by Chemical Formula 1 to provide a quantum dot-inorganic matrix;
상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하는 공정(S3); 및 A step (S3) of supporting the quantum dot-inorganic matrix on the porous inorganic beads; And
상기 담지 후 경화시켜, 상기 다공성 무기질 비드의 기공을 폐쇄하는 공정(S4);으로 이루어진 양자점 컴포지트의 제조방법을 제공한다. And a step (S4) of closing the pores of the porous inorganic beads by curing after the above-mentioned carrying, thereby providing a method for producing a quantum dot composite.
화학식 1Formula 1
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 수소 원자 또는 탄소원자 수 1∼8개의 알킬기이다.In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
본 발명의 S1 공정은 반도성 양자점 나노입자를 구성하는 원소조성은 12-16족 반도성 화합물로서, ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe 또는 이들의 혼합물을 들 수 있고, 13-15족 반도성 화합물의 예로서는 GaAs, InGaAs, InP, InAs 또는 이들의 혼합물들을 들 수 있으며, 14족 반도성 화합물로서는 예를 들면, Ge, Si 등을 사용할 수 있다.In the step (S1) of the present invention, the semiconductive quantum dot nanoparticles may be composed of ZnS, ZnSe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe, Examples of the Group 15 semiconducting compound include GaAs, InGaAs, InP, InAs, and mixtures thereof. As the Group 14 semiconducting compound, for example, Ge, Si and the like can be used.
이상의 반도성 양자점 나노입자는 유기금속(organometallic compound)을 전구체로 이용하여 열분해(pyrolysis)방법을 이용하여 합성한다. 특히, 코어-쉘 구조의 양자점 나노 입자를 얻기 위해서는, 이미 형성된 나노입자 수용액에 시린지 펌프 등을 이용하여 ZnS 용액을 천천히 첨가한 후, 150 내지 250℃에서 약 1 내지 1.5시간 동안 교반하여 ZnS 단분자 층을 형성한다.The semiconducting quantum dot nanoparticles are synthesized using a pyrolysis method using an organometallic compound as a precursor. Particularly, in order to obtain the core-shell structure quantum dot nanoparticles, a ZnS solution is slowly added to an aqueous solution of nanoparticles already formed using a syringe pump or the like, and the mixture is stirred at 150 to 250 ° C for about 1 to 1.5 hours to obtain a ZnS single molecule Layer.
상기 반도성 양자점 입자는 수용액 상에서 분산이 가능하여야 하며, 이를 목적으로 상기 양자점 나노입자는 아민, 아민염 또는 카복실 그룹이 표면에 존재하도록 그 표면이 전처리된 것을 사용할 수 있다. The semiconductive quantum dot particles should be dispersible in an aqueous solution. For this purpose, the surface of the quantum dot nanoparticles may be pre-treated such that an amine, an amine salt or a carboxyl group is present on the surface.
상기 전처리 목적으로는 헥사데실 트리메틸 암모늄 브로마이드(hexadecyl trimethyl amonium bromide, CTAB), 시스테인(cystein), 티올 에시드(thiol acid), 아미노프로필 트리메톡시 실란(amino propyl trimethoxy silane) 등이 사용될 수 있다.For the pretreatment purpose, hexadecyl trimethyl ammonium bromide (CTAB), cysteine, thiol acid, amino propyl trimethoxy silane and the like can be used.
본 발명의 S2 공정은 S1 공정에서 제공된 반도성 양자점 나노입자 함유용액과 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 용액을 혼합하여, 무기 매트릭스 내에 분산된 반도성 양자점 나노입자로 이루어진 양자점-무기 매트릭스 전구체 용액을 형성하는 것이다. 이때, 화학식 1로 표시되는 실라잔(Silazane) 화합물은 상기에서 설명한 바와 동일하다. The step S2 of the present invention comprises mixing the solution containing the semiconductive nanoparticles of semiconductivity provided in the step S1 with the solution of the inorganic matrix comprising the silazane compound represented by the general formula (1) to form a quantum dot-inorganic To form a matrix precursor solution. At this time, the silazane compound represented by the formula (1) is the same as described above.
본 발명의 S3 공정은 S2 공정에서 얻어진 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하는 공정이다. The step S3 of the present invention is a step of supporting the quantum dot-inorganic matrix obtained in the step S2 on the porous inorganic beads.
담지는 다공성 무기질 비드와 양자점-무기 매트릭스를 적절한 용매에 투입, 교반하여 달성된다. 바람직한 용매로서는 톨루엔, 벤젠, 아세톤, 클로로포름, 벤젠, 부탄올, 에탄올, 메탄올, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 물 등에서 선택된 하나 또는 두 개의 용매를 혼합한 혼합용매가 사용될 수 있다.Carrying is accomplished by placing the porous inorganic beads and the quantum dot-inorganic matrix in a suitable solvent and stirring. As a preferable solvent, a mixed solvent obtained by mixing one or two solvents selected from toluene, benzene, acetone, chloroform, benzene, butanol, ethanol, methanol, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and water can be used.
교반이 완료된 후 용액 상에서 고형물을 필터링한 다음 이를 건조하여 양자점 컴포지트를 제조한다.After the stirring is completed, the solids in the solution phase are filtered and dried to prepare quantum dot composites.
이후, 본 발명의 S4 공정은 S3 공정에서 다공성 무기질 비드에 양자점-무기 매트릭스가 담지된 이후 경화에 의해 다공성 무기질 비드의 기공을 폐쇄하여 완성한다. The S4 step of the present invention is completed by closing the pores of the porous inorganic beads by curing after the QD-inorganic matrix is supported on the porous inorganic beads in S3.
이때, 경화방법은 150℃ 이하에서 20 내지 60분 동안의 열처리 또는 자외선 조사에 의해 수행될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 열처리 방법을 수행한다. At this time, the curing method may be performed by heat treatment at 150 ° C or less for 20 to 60 minutes or ultraviolet ray irradiation, and the heat treatment method is performed in the embodiment of the present invention.
상기 경화에 의해 실라잔의 액상에서 고상으로의 상변화에 의해 다공성 무기질 비드의 기공이 폐쇄되는 것이다. 즉, 실라잔의 Si-N-Si 결합이 공기 중 수분(H2O)이나 공기 중 산소(O2)와 반응하여 SiO2으로 형성되면서, 기공을 폐쇄하는 것이다.By the above curing, the pores of the porous inorganic beads are closed by the phase change from the liquid phase to the solid phase of the silazane. That is, the Si-N-Si bond of the silazane reacts with moisture in the air (H 2 O) or oxygen in the air (O 2 ) to form SiO 2 , thereby closing the pores.
이상의 제조방법에 의해, 본 발명은 실라진 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 함유용액과 반도성 양자점 나노입자 함유용액을 혼합하여 양자점-무기 매트릭스를 형성하고, 상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하고 상기 비드 기공을 폐쇄함으로써, 안정적이면서 다량의 양자점을 다공성 무기질 비드에 밀봉할 수 있다. According to the above-described manufacturing method, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a quantum dot-inorganic matrix by mixing a solution containing an inorganic matrix made of a silazane compound and a solution containing semiconductive nanoparticle nanoparticles, By closing the bead pores, a stable and large quantum dots can be sealed in the porous inorganic beads.
따라서 종래 형광체 대비하여 원하는 형광파장을 얻기가 용이한 양자점을 사용함으로써 색재현율의 향상은 물론이고, 실라진 화합물로 이루어진 무기 매트릭스에 반도성 양자점 나노입자를 분산시키므로, 표면 코팅처리한 경우보다 외부의 수분 및 공기 중 산소로부터 양자점을 보호할 수 있다. Therefore, by using quantum dots which are easier to obtain a desired fluorescence wavelength than the conventional fluorescent materials, semiconducting quantum dot nanoparticles are dispersed in an inorganic matrix made of a silazine compound as well as color reproducibility improvement, The quantum dots can be protected from moisture and oxygen in the air.
이에, 광특성 저하를 방지할 수 있어 신뢰성을 대폭적으로 향상시킬 수 있으며, 적절한 크기의 구형의 다공성 무기질 비드는 분산성이 우수하여 다량의 양자점을 담지시킬 수 있어 가공성을 향상시킬 수 있다.Thus, deterioration in optical properties can be prevented, reliability can be greatly improved, and spherical porous inorganic beads having an appropriate size are excellent in dispersibility, so that a large amount of quantum dots can be supported, thereby improving workability.
나아가, 본 발명은 상기의 양자점 컴포지트가 포함되어 구성된 디스플레이용 광학 모듈을 제공한다. Furthermore, the present invention provides an optical module for a display comprising the quantum dot composites described above.
즉, 본 발명의 양자점 컴포지트를 디스플레이용 광학 모듈에 형광체로서 사용할 경우, 휘도, 안정성, 색재현율을 높일 수 있으며, 디스플레이용 형광체뿐만 아니라 OLED 디스플레이, LCD 디스플레이용 백라이트 필름의 고색재현 디스플레이를 구현하기 위한 핵심 소재로 사용될 수 있다. That is, when the quantum dot composite according to the present invention is used as a phosphor for a display optical module, brightness, stability, and color reproducibility can be increased. In addition to phosphors for displays, OLED displays and backlight films for LCD displays It can be used as a core material.
이하, 실시 예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
이는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시 예에 한정되는 것은 아니다.This is for further illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these examples.
<< 실시예Example 1> 1>
S1: 반도성 양자점 나노입자 제공공정S1: Process for providing semiconducting quantum dot nanoparticles
고효율 코어-쉘 구조의 CdSe/ZnS 양자점을 수득하기 위하여, 양자점 코어를 구성하는 CdSe 양자점은 유기금속(organometallic) 전구체 물질인 카드뮴옥사이드(CdO)와 셀레늄 파우더를 이용하여 반응온도 300∼320℃에서 열분해(pyrolysis)하여 합성하였다.In order to obtain CdSe / ZnS quantum dots having a high-efficiency core-shell structure, CdSe quantum dots constituting the quantum dot core are decomposed at a reaction temperature of 300 to 320 ° C using cadmium oxide (CdO) and selenium powder, which are organometallic precursor materials (pyrolysis).
CdSe/ZnS 코어-셀 양자점 합성은 시린지 펌프를 이용하여 징크 스테아레이트(zinc stearate) 및 설퍼(S) 파우더를 트리부틸 포스핀(tri-n-butylphosphine)에 녹인 ZnS 용액을 0.1ml/min의 유속으로 천천히 첨가한 후, 190℃에서 약 1.5시간 동안 교반하여 제조하였다.The CdSe / ZnS core-cell quantum dot synthesis was carried out by using a syringe pump, a ZnS solution in which zinc stearate and Sulfur (S) powder were dissolved in tri-n-butylphosphine, , And the mixture was stirred at 190 캜 for about 1.5 hours.
다음으로, 상기 합성된 양자점을 메탄올 또는 아세톤 용매를 이용하여 미반응 유기물을 원심 분리하여 제거한 후, 유기용매인 톨루엔에 분산하였다. Next, the synthesized quantum dots are removed by centrifugation of the unreacted organic material using methanol or acetone solvent, and then dispersed in toluene which is an organic solvent.
S2: 반도성 양자점과 실라잔 혼합공정S2: Semiconducting quantum dot and silazane mixing process
상기 S1 공정에서 제조된 반도성 양자점 나노입자 5mg을 톨루엔 3㎖에 분산시킨 후 5 mg of the semiconductive nanoparticles prepared in the above step S1 were dispersed in 3 ml of toluene
퍼하이드로폴리실라잔(Si-H2-NH) 1㎖ 혼합하고 마그네틱 스터러를 이용하여 1시간 동안 교반하여 양자점-무기 매트릭스 전구체 용액을 제조하였다. 1 ml of perhydro polysilazane (Si-H 2 -NH) was mixed and stirred for 1 hour using a magnetic stirrer to prepare a quantum dot-inorganic matrix precursor solution.
S3: 다공성 무기질 비드에 담지공정S3: Supporting process on porous inorganic beads
(1) 다공성 무기물 비드 제조(1) Manufacture of porous inorganic beads
계면활성제 템플레이트를 이용한 졸-겔 반응에 의해 구형의 메조포러스 실리카를 제조하였다. 계면활성제 템플레이트로는 공중합 폴리머인 P123(BASF사, HO(CH2CH2O)20(CH2CH(CH3)O)70(CH2CH2O)20H)을 사용하였다. P123 4g을 15% 염산 용액에 녹인 후, 기공 크기의 증대를 위해 팽윤제인 트리메틸 벤젠(1,3,5, Trimethylbenzene, Sigma-Aldrich) 4g을 첨가하여 37∼40℃가 유지된 상태에서 2시간 동안 강하게 교반하면서 혼합하였다. 이와 같이 제조된 계면활성제 템플레이트의 표면에서 무기물 전구체를 반응시키기 위해 테트라 에톡시 오르소 실리케이트(Tetraethoxy orthosilicate, TEOS)를 5분 동안 교반하면서 투입한 후, 20시간 동안 40℃에서 교반하지 않고 반응을 진행시켰다. 추가로 실리카 전구체의 반응을 가속화 하기 위하여 NH4F 일정 46mg을 투입 후 100℃에서 24시간 동안 서서히 교반하면서 반응을 진행하였다. 이와 같이 회수된 반응물 내의 유기물질인 계면활성제 템플레이트를 제거하기 위하여 550℃, 6시간 이상으로 열처리함으로써 다공성 무기물 비드를 제조하였다. 이와 같은 제조된 다공성 무기물 비드의 크기는 0.3-6㎛이고, 평균 기공 크기는 20nm이다. Spherical mesoporous silica was prepared by sol - gel reaction with surfactant template. As the surfactant template, a copolymer polymer P123 (BASF, HO (CH 2 CH 2 O) 20 (CH 2 CH (CH 3 ) O) 70 (CH 2 CH 2 O) 20 H) was used. 4 g of P123 was dissolved in a 15% hydrochloric acid solution and 4 g of trimethylbenzene (1,3,5, trimethylbenzene, Sigma-Aldrich) as a swelling agent was added to increase the pore size. And mixed with vigorous stirring. Tetraethoxy orthosilicate (TEOS) was added with stirring for 5 minutes to react the inorganic precursor on the surface of the thus prepared surfactant template, and the reaction was carried out without stirring at 40 ° C for 20 hours . Further, in order to accelerate the reaction of the silica precursor, 46 mg of NH 4 F was added, and the reaction was carried out with stirring at 100 ° C for 24 hours. The porous inorganic beads were prepared by heat treatment at 550 ° C for 6 hours or more in order to remove the surfactant template, which is an organic substance in the recovered reactant. The size of the prepared porous inorganic beads is 0.3-6 mu m and the average pore size is 20 nm.
(2) 담지공정(2) Supporting process
300㎖ 부탄올(butanol) 용액에, 상기 제조된 다공성 무기물 비드 15mg을 분산한 후, 상기 S2 공정에서 제조된 양자점-무기 매트릭스 전구체 용액을 넣은 후, 마그네틱 스터러를 이용하여 강력하게 교반하여, 양자점을 다공성 무기물 비드의 기공 안으로 확산 침투시킴으로써 양자점이 고밀도화된 양자점 컴포지트를 제조하였다. 이때, 양자점의 담지량에 따른 형광 스펙트럼의 변화는 도 1에 도시하였다. After dispersing 15 mg of the prepared porous inorganic beads in a 300 ml butanol solution, the quantum dot-inorganic matrix precursor solution prepared in the step S2 was added, and then stirred vigorously using a magnetic stirrer, The quantum dots were diffused and penetrated into the pores of the porous inorganic beads to produce quantum dot composites having high density of quantum dots. At this time, the change of the fluorescence spectrum according to the amount of loading of the quantum dots is shown in Fig.
S4: 다공성 무기질 비드의 기공 폐쇄공정S4: Pore closing process of porous inorganic beads
상기 S3 공정에서 제조된 다공성 무기물 비드의 기공 안으로 양자점이 확산 침투된 양자점 컴포지트를 150℃에서 20분 동안 열처리하여, 기공이 폐쇄된 양자점 컴포지트를 완성하였다. The quantum dot composites doped with the quantum dots into the pores of the porous inorganic beads prepared in the step S3 were heat-treated at 150 ° C for 20 minutes to complete the pore-closed quantum dot composites.
<< 실시예Example 2> 2>
상기 실시예 1에서 CdSe/ZnS 양자점 대신 InP 양자점을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 양자점 컴포지트를 제조하였다.Quantum dot composites were prepared in the same manner as in Example 1, except that InP quantum dots were used instead of CdSe / ZnS quantum dots in Example 1.
<< 비교예Comparative Example 1> 1>
상기 실시예 1의 S1 공정에서 제조된 양자점을 메탄올 또는 아세톤 용매를 이용하여 미반응 유기물을 원심 분리하여 제거한 후, S2 공정을 생략하고 유기용매인 톨루엔에 분산한 후. 이에 대한 형광특성 및 광안정성을 평가하였다.The quantum dots prepared in the step S1 of Example 1 were removed by centrifugation of the unreacted organic materials using a methanol or acetone solvent, and then S2 was omitted and dispersed in toluene as an organic solvent. The fluorescence properties and the light stability thereof were evaluated.
<< 실험예Experimental Example 1> 1> 양자점Qdot 담지량에On the loading 따른 형광특성 평가 Evaluation of fluorescence characteristics
상기 실시예 1에서 제조된 다공성 무기물 비드의 기공 안으로 양자점이 담지되고 기공이 폐쇄된 양자점 컴포지트에 대하여, 양자점 담지량(3중량%, 5중량%, 10중량%)에 따른 형광특성을 평가하기 위하여, 형광 분광기 (모델명: FluoroMate FS-2,제조사: Scinco사)를 이용하여 형광강도를 측정하였다.In order to evaluate the fluorescent properties of the quantum dot composites having the quantum dots embedded therein and the pores closed according to the quantum dot loading (3 wt%, 5 wt%, and 10 wt%) in the pores of the porous inorganic beads prepared in Example 1, Fluorescence intensity was measured using a fluorescence spectrometer (Model: FluoroMate FS-2, manufactured by Scinco).
그 결과 도 1에 도시된 바와 같이, 완성된 양자점 컴포지트에 있어서, 담지된 양자점의 함량에 따른 양자점 컴포지트의 형광 스펙트럼을 통해, 담지량이 증가할수록 형광강도가 함께 증가하였으며, 안정적으로 다량의 반도성 양자점 나노입자를 함유할 수 있음을 확인하였다.As a result, as shown in FIG. 1, the fluorescence intensity of the quantum dot composites according to the content of the supported quantum dots in the completed quantum dot composites increased, and the fluorescence intensity increased as the loading amount increased. It was confirmed that it could contain nanoparticles.
<< 실험예Experimental Example 2> 시간에 따른 형광특성 평가 2> Evaluation of fluorescence characteristics with time
상기 실시예 1에서 제조된 양자점 컴포지트에 대하여, 시간에 따른 광효율 및 광안정성을 평가하기 위하여 양자점 컴포지트를 톨루엔에 분산시킨 후, 8W UV 램프를 이용하여 일정시간 조사한 후 형광 스펙트럼을 이용하여 형광 강도를 비교하여 초기 형광강도의 80%에 도달하는 시간을 광안정성 유지 시간으로 정의하였다.The quantum dot composites prepared in Example 1 were dispersed in toluene to evaluate light efficiency and optical stability with time, and then irradiated with a 8 W UV lamp for a predetermined period of time. The fluorescence intensity was measured using a fluorescence spectrum The time for reaching 80% of the initial fluorescence intensity was defined as the optical stability holding time.
본 발명에서의 실시예와 같이 제조된 양자점 컴포지트는 형광 분광기 (모델명: FluoroMate FS-2, 제조사: Scinco사)를 이용하여 형광강도를 측정하였다. Fluorescence intensity was measured using a fluorescence spectrometer (model name: FluoroMate FS-2, manufactured by Scinco) in the quantum dot composites prepared according to the embodiment of the present invention.
표 1 및 도 2의 결과로부터, 본 발명에 따른 양자점 컴포지트는 그 양자점 입자의 종류를 불문하고, 비교예 1 대비 광안정성 유지시간이 우수하였다. From the results shown in Table 1 and FIG. 2, the quantum dot composites according to the present invention were excellent in the light stability holding time compared to Comparative Example 1 regardless of the kind of the quantum dot particles.
특히, CdSe/ZnS 양자점 입자의 경우 양자점 입자가 단독으로 존재할 때보다도 실시예 1에서의 단계를 거쳐 제조된 양자점 컴포지트로 존재할 때, 비교예 1 대비 광안정성 유지시간이 60배 이상 현저하게 길어짐을 알 수 있다(실시예 1 vs 비교예 1). 즉, 양자점-무기 매트릭스가 다공성 무기물 비드에 담지될 경우, 향상된 광안정성 결과를 확인할 수 있었다.In particular, when CdSe / ZnS quantum dot particles were present as quantum dot composites prepared through the steps of Example 1 rather than quantum dot particles alone, it was found that the retention time of light stability was 60 times or more longer than that of Comparative Example 1 (Example 1 vs. Comparative Example 1). That is, when the quantum dot-inorganic matrix is supported on the porous inorganic beads, an improved light stability result can be confirmed.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 양자점 컴포지트는 실라진 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 내에 반도성 양자점 나노입자를 포함시킨 양자점-무기 매트릭스를 형성하고, 상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하고 상기 비드 기공을 폐쇄한 것으로서, 안정적으로 다량의 양자점을 다공성 무기질 비드에 밀봉할 수 있다. As described above, the quantum dot composites of the present invention can be formed by forming a quantum dot-inorganic matrix containing semiconductive quantum dot nanoparticles in an inorganic matrix made of a silazane compound, supporting the quantum dot- inorganic matrix on the porous inorganic beads, As a result of closing the pores, a large amount of quantum dots can be stably sealed to the porous inorganic beads stably.
이에, 본 발명의 양자점 컴포지트는 디스플레이용 광학 모듈에 형광체로서 사용할 경우, 휘도, 안정성, 색재현율을 높일 수 있으며, 디스플레이용 형광체뿐만 아니라 OLED 디스플레이, LCD 디스플레이용 백라이트 필름의 고색재현 디스플레이를 구현하기 위한 핵심 소재로 사용될 수 있다.Accordingly, when the quantum dot composite of the present invention is used as a phosphor for a display optical module, brightness, stability, and color reproducibility can be increased. In addition to phosphors for displays, OLED displays and backlight films for LCD displays It can be used as a core material.
이상에서 본 발명은 기재된 구체 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당 업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.
Claims (9)
상기 다공성 무기질 비드의 기공이 담지 후 열처리 또는 자외선에 의해 상기 실라잔 화합물이 경화되는 상 변화에 의해 폐쇄되며,
상기 무기 매트릭스 내에 포함된 반도성 양자점 나노입자가 12-16족 반도성 화합물; 13-15족 반도성 화합물; 및 14족 반도성 화합물;로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질이고,
상기 반도성 양자점 나노입자는 코어-쉘 구조를 가지는 양자점 컴포지트:
화학식 1
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 수소 원자 또는 탄소원자 수 1∼8개의 알킬기이다.1. A quantum dot composite in which a quantum dot-inorganic matrix formed by mixing a solution containing a semiconductive quantum dot nanoparticle with an inorganic matrix-containing solution comprising a silazane compound represented by the following formula (1) is supported on porous inorganic beads,
The pores of the porous inorganic beads are closed by a phase change in which the silazane compound is cured by heat treatment or ultraviolet rays after impregnation,
Wherein the semiconductive quantum dot nanoparticles contained in the inorganic matrix are selected from the group consisting of 12-16-arsenic compounds; 13-15 semi-conductor compounds; And a Group 14 semiconducting compound; and at least one compound selected from the group consisting of
Wherein the semiconductive quantum dot nanoparticles have a core-shell structure;
Formula 1
In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
상기 반도성 양자점 나노입자 함유용액을 하기 화학식 1로 표시되는 실라잔 화합물로 이루어진 무기 매트릭스 전구체 용액에 혼합하여, 양자점-무기 매트릭스를 제공하는 공정(S2);
상기 양자점-무기 매트릭스를 다공성 무기질 비드에 담지하는 공정(S3); 및
상기 담지 후 150℃ 이하에서 20 내지 60분 동안의 열처리 또는 자외선 조사에 의해 경화시켜, 상기 실라잔 화합물의 상 변화에 의해 상기 다공성 무기질 비드의 기공을 폐쇄하는 공정(S4);으로 이루어진 양자점 컴포지트의 제조방법:
화학식 1
상기 식에서, R1, R2 및 R3는 수소 원자 또는 탄소원자 수 1∼8개의 알킬기이다.12-16 tropic compound; 13-15 semi-conductor compounds; And a Group 14 semiconducting compound; (S1) a step of providing a solution containing semiconductive nanoparticles having a core-shell structure as the at least one substance selected from the group consisting of;
(S2) mixing the solution containing the semiconductive nanoparticle nanoparticles with an inorganic matrix precursor solution comprising a silazane compound represented by the following formula (1) to provide a quantum dot-inorganic matrix;
A step (S3) of supporting the quantum dot-inorganic matrix on the porous inorganic beads; And
A step (S4) of curing the inorganic fine particles by heat treatment at 150 DEG C or lower for 20 to 60 minutes or ultraviolet irradiation to close the pores of the porous inorganic beads by phase change of the silazane compound (S4) Manufacturing method:
Formula 1
In the above formula, R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160132984A KR101895229B1 (en) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | Composite of quantum dot, manufacturing method thereof and optical module for display using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160132984A KR101895229B1 (en) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | Composite of quantum dot, manufacturing method thereof and optical module for display using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180040983A KR20180040983A (en) | 2018-04-23 |
| KR101895229B1 true KR101895229B1 (en) | 2018-09-07 |
Family
ID=62089253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160132984A KR101895229B1 (en) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | Composite of quantum dot, manufacturing method thereof and optical module for display using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101895229B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11525083B2 (en) | 2019-04-18 | 2022-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Core shell quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same |
| US11572504B2 (en) | 2019-04-18 | 2023-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Zinc tellurium selenium based quantum dot |
| US11739263B2 (en) | 2019-04-18 | 2023-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium free quantum dot including lithium, production method thereof, and electronic device including the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102029229B1 (en) * | 2018-04-30 | 2019-11-08 | 한국세라믹기술원 | Photovoltaic module using composite of quantum dot |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101462652B1 (en) * | 2008-04-23 | 2014-11-17 | 삼성전자 주식회사 | Preparation Method of Quantum Dot-Inorganic Matrix Composites |
| EP2976409B1 (en) * | 2013-03-20 | 2017-05-10 | Koninklijke Philips N.V. | Encapsulated quantum dots in porous particles |
| KR101585430B1 (en) * | 2013-12-17 | 2016-01-14 | 한국세라믹기술원 | Nanohybrid composite of quantum dot nanoparticle and porous silica for fluorescent body, optical module using the same, and manufacturing method thereof |
| KR102387751B1 (en) * | 2015-03-11 | 2022-04-15 | 삼성전자주식회사 | Barrier films and quantum dot polymer composite articles including the same |
-
2016
- 2016-10-13 KR KR1020160132984A patent/KR101895229B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11525083B2 (en) | 2019-04-18 | 2022-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Core shell quantum dot, production method thereof, and electronic device including the same |
| US11572504B2 (en) | 2019-04-18 | 2023-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Zinc tellurium selenium based quantum dot |
| US11739263B2 (en) | 2019-04-18 | 2023-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cadmium free quantum dot including lithium, production method thereof, and electronic device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180040983A (en) | 2018-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101585430B1 (en) | Nanohybrid composite of quantum dot nanoparticle and porous silica for fluorescent body, optical module using the same, and manufacturing method thereof | |
| Huang et al. | Water resistant CsPbX 3 nanocrystals coated with polyhedral oligomeric silsesquioxane and their use as solid state luminophores in all-perovskite white light-emitting devices | |
| US8847197B2 (en) | Semiconductor nanoparticle-based materials | |
| US7824767B2 (en) | Fluorescent material with semiconductor nanoparticles dispersed in glass matrix at high concentration and method for manufacturing such fluorescent material | |
| KR101895229B1 (en) | Composite of quantum dot, manufacturing method thereof and optical module for display using the same | |
| US9139767B2 (en) | Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions | |
| US8957401B2 (en) | Semiconductor nanoparticle-based materials | |
| EP2715811B1 (en) | Semiconductor nanoparticle - containing materials and light emitting devices incorporating the same | |
| KR20150126961A (en) | Multi-layer-coated quantum dot beads | |
| JP4817298B2 (en) | Blue light-emitting phosphor dispersed with semiconductor nanoparticles | |
| Fang et al. | Atomic layer deposition assisted encapsulation of quantum dot luminescent microspheres toward display applications | |
| Song et al. | Design of water stable green-emitting CH3NH3PbBr3 perovskite luminescence materials with encapsulation for applications in optoelectronic device | |
| Yang et al. | Magic sol–gel silica films encapsulating hydrophobic and hydrophilic quantum dots for white-light-emission | |
| Hong et al. | Perovskite Nanocrystals Protected by Hermetically Sealing for Highly Bright and Stable Deep‐Blue Light‐Emitting Diodes | |
| Li et al. | Ultra‐Thermostability of Spatially Confined and Fully Protected Perovskite Nanocrystals by In Situ Crystallization | |
| CN111187610A (en) | Composite quantum dot material, preparation method and display device thereof | |
| KR101413660B1 (en) | Quantum dot-polymer composite plate for light emitting diode and method for producing the same | |
| KR101492015B1 (en) | Nano hybrid composite as phosphor of display and preparation method thereof | |
| Zhao et al. | Surface modification toward luminescent and stable silica-coated quantum dots color filter | |
| WO2018178137A1 (en) | Semiconducting light emitting nanoparticle | |
| Ma et al. | Bidentate oxalate ion enhancing water-resistant stability and exciton recombination behavior of blue CsPb (Br/Cl) 3 quantum dots | |
| Yang et al. | Enhancing oxygen/moisture resistance of quantum dots by short-chain, densely cross-linked silica glass network | |
| Shen et al. | Transparent luminescent bulk nanocomposites of polysiloxane embedded with CdS nanocrystallines by a direct dispersion process | |
| Liu et al. | Highly Stable Functional Sol–Gel CdTe–SiO2 Films with Tunable Emission | |
| KR102431836B1 (en) | Fluorescent material, fluorescent film and light emitting device containing the same, and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) |