KR101894327B1 - Organic Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막형 봉지 구조에 있어서 새도우 마스크 사용하지 않고, 패드부 오픈을 수행한 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 액티브 영역과 외곽 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;와, 상기 액티브 영역에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;와, 상기 외곽 영역에 패드 전극과, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 양극을 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 양극을 형성하는 단계;와, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누는 뱅크를 형성하고, 상기 패드 전극 상에 뱅크 리던던시 패턴을 형성하는 단계;와, 상기 액티브 영역에 대응된 뱅크를 포함한 박막 트랜지스터 어레이 상에, 발광층 및 음극을 형성하는 단계;와, 상기 음극 및 뱅크 리던던시 패턴을 포함한 기판 상에 무기막, 유기막이 교번되는 박막 적층체를 전면 형성하는 단계; 및 상기 패드 전극 상의 상기 뱅크 리던던시 패턴과 그 상부에 잔류한 박막 적층체를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display in which a pad portion is opened without using a shadow mask in a thin film encapsulation structure and a method of manufacturing the same, The method comprising: preparing a substrate having an active region and an outer region; forming a thin film transistor array in the active region; forming a pad electrode on the outer region; forming an anode on the thin film transistor array; ; Forming a bank for dividing a plurality of pixel regions on the thin film transistor array and forming a bank redundancy pattern on the pad electrode; Forming a light emitting layer and a cathode on a thin film transistor array including a corresponding bank; forming a thin film stacked body in which an inorganic film and an organic film are alternately stacked on a substrate including the cathode and the bank redundancy pattern; And removing the bank redundancy pattern on the pad electrode and the thin film layered structure remaining on the bank redundancy pattern on the pad electrode.

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 {Organic Emitting Display Device and Method for Manufacturing the Same}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로 특히, 박막형 봉지 구조에 있어서 새도우 마스크 사용하지 않고, 패드부 오픈을 수행한 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display, and more particularly, to an OLED display in which a pad portion is opened without using a shadow mask in a thin film encapsulation structure and a method of manufacturing the same.

다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 또한, 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치가 근래에 각광 받고 있다. The image display device that implements various information on the screen is a key technology in the era of information and communication, and it is developing thinner, lighter, more portable and higher performance. In addition, an organic light emitting display device which controls the amount of light emission of the organic light emitting layer by a flat panel display device has recently been spotlighted as a flexible display capable of being bendable in pursuit of space and convenience.

이러한 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 양극, 유기 발광층, 음극을 순서대로 적층해 형성한 유기 발광 장치와, 상기 유기 발광 장치를 캐핑(capping)하여 덮는 캐핑층을 포함하여 이루어질 수 있다.The organic light emitting diode display may include an organic light emitting device formed by sequentially stacking an anode, an organic light emitting layer, and a cathode on a substrate, and a capping layer covering the organic light emitting device by capping.

유기 발광 장치의 동작 원리는 다음과 같다. 즉, 유기 발광층 양단에 형성된 음극 및 양극 사이에 전계를 가하여 유기 발광층 내에 전자와 정공을 주입 및 전달시켜 서로 결합할 때의 결합 에너지에 의해 발광되는 전계 발광 현상을 이용한 것으로, 유기 발광층에서 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 여기상태에서 기저상태로 떨어지면서 발광한다.The operation principle of the organic light emitting device is as follows. That is, an electroluminescence phenomenon in which an electric field is applied between a cathode and an anode formed at both ends of the organic light emitting layer to emit light by binding energy when electrons and holes are injected into the organic light emitting layer and coupled to each other are used. After the pair is formed, the light is emitted while falling from the excited state to the ground state.

또한, 유기 발광 표시 장치는 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다. 그러나 유기 발광 표시 장치는 산소에 의한 전극 및 발광층의 열화, 발광층-계면간의 반응에 의한 열화 등 내적 요인에 의한 열화가 있는 동시에 외부의 수분, 산소, 자외선과 같은 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점이 있으므로 유기 발광 표시 장치의 패키징(packaging) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 매우 중요하다.Further, the organic light emitting display device has an advantage that it can be made thinner. However, the organic light emitting display device has deterioration due to internal factors such as deterioration of the electrode and the light emitting layer caused by oxygen, deterioration due to reaction between the light emitting layer and the interface, and deterioration easily due to external factors such as moisture, oxygen and ultraviolet rays The packaging and encapsulation of the organic light emitting display is very important.

유기 발광 표시 장치에 있어서, 인캡슐레이션하는 방법으로 유기 발광층이 형성된 기판과 대향 기판을 두고 가장자리에 실런트로 봉지하는 방법과, 유기 발광층이 형성된 기판 상에 박막의 유무기막을 교번 적층하여 봉지하는 방법이 있다.In the organic light emitting diode display, a method of encapsulating a substrate having an organic light emitting layer formed thereon and a counter substrate by a method of encapsulation and sealing the edges with a sealant, and a method of alternately stacking and sealing a thin film organic or inorganic film on a substrate on which the organic light emitting layer is formed .

플렉서블 디스플레이의 요구에 따라 후자의 방법이 선호되는 데 이 경우, 기판 일측에 존재하는 패드부의 오픈이 필요하여 상기 유무기 박막을 형성시 별도의 새도우 마스크를 이용하여 패드부를 오픈한다.The latter method is preferred according to the demand of a flexible display. In this case, a pad portion existing on one side of the substrate is required to open, and a pad portion is opened using a separate shadow mask when forming the organic thin film.

그러나, 이 경우, 봉지를 위한 박막에 복수개의 유무기막이 소요될 때, 형성되는 박막의 적층 수에 따라 새도우 마스크의 개수가 필요하고, 상기 새도우 마스크를 이용하여 패드부의 박막 적층을 차단하는데 이 과정에서 공정적인 번거로움이 있다. 특히, 새도우 마스크와 기판간의 얼라인 공정이 요구되어, 이는 단위 공정 시간을 증가시켜 수율 감소의 원인이 된다. However, in this case, when a plurality of organic films are required for the sealing film, the number of the shadow masks is required in accordance with the number of stacked thin films, and the thin film stacking of the pad portions is blocked by using the shadow mask. There is a fair amount of hassle. In particular, an alignment process between the shadow mask and the substrate is required, which increases the unit process time and causes a reduction in the yield.

상기와 같은 종래의 유기 발광 표시 장치의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.The conventional method of manufacturing an OLED display has the following problems.

새도우 마스크를 이용한 박막 봉지의 경우, 봉지를 위한 박막에 복수개의 유무기막이 소요될 때, 형성되는 박막의 적층 수에 따라 새도우 마스크의 개수가 필요하고, 상기 새도우 마스크를 이용하여 패드부의 박막 적층을 차단하는데 이 과정에서 공정적인 번거로움이 있다. In the case of the thin film encapsulation using the shadow mask, the number of the shadow masks is required according to the number of laminated thin films when a plurality of organic films are required for the encapsulating thin film, and the thin film lamination of the pad portion is blocked There is a fair amount of hassle in this process.

특히, 새도우 마스크와 기판간의 얼라인 공정이 요구되어, 이는 단위 공정 시간을 증가시켜 수율 감소의 원인이 된다. In particular, an alignment process between the shadow mask and the substrate is required, which increases the unit process time and causes a reduction in the yield.

또한, 단위 공정 챔버에 새도우 마스크와 기판간의 이격을 위한 정렬부 등의 기구부가 늘어 장비 개발의 요구가 있다.In addition, there is a demand for equipment development by increasing the number of mechanism parts such as an alignment part for separating the shadow mask from the substrate in the unit process chamber.

그리고, 새도우 마스크를 이용하여 패드부를 제외하여 무기막 또는 유기막의 성막시 새도우 마스크 표면에도 박막이 성막됨에 따라 유지 보수를 위한 마스크 교체가 필수적이다. 이는, 새도우 마스크 교체에 따른 비용 증가를 의미한다.Also, it is essential to replace the mask for maintenance when the thin film is formed on the shadow mask surface when the inorganic film or the organic film is formed by using the shadow mask except for the pad portion. This means an increase in cost due to the replacement of the shadow mask.

상술한 문제점들은 특히, 기판이 대면적화할수록 증대하는 문제점들로, 이에 따라 새도우 마스크 생략의 요구가 점증되고 있다.The above-described problems are particularly problematic as the substrate becomes larger as the surface becomes larger, and accordingly, a demand for omitting the shadow mask is increasing.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 박막형 봉지 구조에 있어서 새도우 마스크 사용하지 않고, 패드부 오픈을 수행한 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는 데, 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of manufacturing the same, in which a pad portion is opened without using a shadow mask in a thin film encapsulation structure.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 액티브 영역과 외곽 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;와, 상기 액티브 영역에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;와, 상기 외곽 영역에 패드 전극과, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 양극을 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 양극을 형성하는 단계;와, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누는 뱅크를 형성하고, 상기 패드 전극 상에 뱅크 리던던시 패턴을 형성하는 단계;와, 상기 액티브 영역에 대응된 뱅크를 포함한 박막 트랜지스터 어레이 상에, 발광층 및 음극을 형성하는 단계;와, 상기 음극 및 뱅크 리던던시 패턴을 포함한 기판 상에 무기막, 유기막이 교번되는 박막 적층체를 전면 형성하는 단계; 및 상기 패드 전극 상의 상기 뱅크 리던던시 패턴과 그 상부에 잔류한 박막 적층체를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것에 그 특징이 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display, including: preparing a substrate having an active region and an outer region; forming a thin film transistor array in the active region; Forming a pad electrode on the region and an anode on the thin film transistor array; Forming a bank for dividing a plurality of pixel regions on the thin film transistor array and forming a bank redundancy pattern on the pad electrode; Forming a light emitting layer and a cathode on a thin film transistor array including a corresponding bank; forming a thin film stacked body in which an inorganic film and an organic film are alternately stacked on a substrate including the cathode and the bank redundancy pattern; And removing the bank redundancy pattern on the pad electrode and the thin film stacked body remaining on the bank redundancy pattern on the pad electrode.

상기 박막 적층체의 최상부층은 무기막이다. The uppermost layer of the thin film laminate is an inorganic film.

상기 박막 적층체를 형성시 상기 외곽 영역에는 무기막만 형성한다. When forming the thin film laminate, only an inorganic film is formed in the outer region.

이를 위해, 상기 박막 적층체를 형성시, 상기 무기막은 증기 증착하여 전면 형성하고, 상기 유기막은 슬릿 코팅하여 상기 액티브 영역에 대응하여 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 뱅크 리던던시 패턴 상에는 무기막만이 잔류한다. For this, when forming the thin film stack, the inorganic film is vapor-deposited to form the entire surface, and the organic film is slit-coated to correspond to the active region. In this case, only the inorganic film remains on the bank redundancy pattern.

상기 뱅크 리던던시 패턴은 역테이퍼 상을 갖는다. The bank redundancy pattern has an inverse tapered phase.

혹은 상기 뱅크 리던던시 패턴은 단차를 갖는 역 테이퍼 상을 갖는 것일 수 있다. Alternatively, the bank redundancy pattern may have a reverse tapered phase with a step difference.

여기서, 상기 패드 전극의 폭은 상기 뱅크 리던던시 패턴의 하부면 선폭보다 작은 것이 바람직하다. The width of the pad electrode may be smaller than the width of the lower surface of the bank redundancy pattern.

또한, 상기 뱅크와 뱅크 리던던시 패턴의 형성은, 상기 박막 트랜지스터 어레이를 포함한 기판 전면에 네거티브 감광성 수지를 도포 후 이를 노광 및 현상하여 이루어진다. The formation of the bank and bank redundancy patterns is performed by applying a negative photosensitive resin over the entire substrate including the thin film transistor array, exposing and developing the negative photosensitive resin.

여기서, 상기 노광시, 마스크와 기판과의 이격 거리를 상기 뱅크에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 길게 하거나, 상기 노광시, 노광 시간을 상기 뱅크에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 짧게 하여, 상기 뱅크 리던던시 패턴의 역테이퍼를 유도할 수 있다. Here, the spacing between the mask and the substrate during the exposure may be longer than the area corresponding to the bank, corresponding to the bank redundancy pattern, or the exposure time may be longer than the area corresponding to the bank, The inverse taper of the bank redundancy pattern can be induced.

혹은 상기 현상시, 현상 시간을 상기 뱅크에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 길게 진행하여 동일한 뱅크 리던던시 패턴의 역테이퍼를 유도할 수도 있다. Alternatively, during the development, the development time may be longer than the portion corresponding to the bank corresponding to the bank redundancy pattern to induce the reverse taper of the same bank redundancy pattern.

또한, 상기 박막 적층체는 상기 뱅크 외측으로 나오도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 패드 전극 상의 상기 뱅크 리던던시 패턴과 그 상부에 잔류한 박막 적층체를 제거하는 단계는 스트리퍼(stripper)를 이용하여, 리프트 오프하여 이루어지는 것이 바람직하다. It is also preferable that the thin film laminate is formed so as to protrude to the outside of the bank. The step of removing the bank redundancy pattern on the pad electrode and the thin film layered body remaining on the pad redundancy pattern is preferably performed by using a stripper.

또한, 동일한 목적을 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역과 외곽 영역을 갖는 기판;과, 상기 액티브 영역에 박막 트랜지스터 어레이와, 상기 외곽 영역에 패드 전극;과, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누는 뱅크;와, 상기 액티브 영역에, 각 화소 영역에 형성된 양극, 발광층 및 음극을 포함하는 유기 발광 소자; 및 상기 패드 전극 부위를 제외하여, 상기 유기 발광 소자를 포함한 기판을 덮도록 형성된, 무기막, 유기막이 교번되는 박막 적층체를 포함하여 이루어진 것에 또 다른 특징이 있다. The organic light emitting display of the present invention for the same purpose comprises a substrate having an active region and an outer region; a thin film transistor array in the active region; a pad electrode in the outer region; An organic light emitting element including an anode, a light emitting layer, and a cathode formed in each pixel region in the active region; And a thin film stacked body in which an inorganic film and an organic film are alternately formed so as to cover the substrate including the organic light emitting element except for the pad electrode portion.

상기 박막 적층체는, 적어도 액티브 영역을 커버하며, 상기 뱅크 외측으로 나온 것이 바람직하다. It is preferable that the thin film laminate covers at least the active region and extends outwardly of the bank.

상기 뱅크는, 네거티브 감광성 수지로 이루어진 것이 바람직하다. The bank is preferably made of a negative photosensitive resin.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The organic light emitting display of the present invention and the method of manufacturing the same have the following effects.

첫째, 액티브 영역에 화소 영역을 구분하기 위해 형성하는 뱅크 형성시 패드부에 대응하여 뱅크 리던던시 패턴을 더 형성하여 두어 봉지를 위한 무기막의 증착이 패드부를 제외하도록 하여, 봉지(sealing)를 위한 박막 적층체의 형성시 별도의 새도우 마스크의 사용을 배제할 수 있다. First, a bank redundancy pattern is formed in correspondence with the pad portion in the formation of the bank formed to divide the pixel region into the active region, so that deposition of the inorganic film for encapsulation excludes the pad portion, It is possible to exclude the use of a separate shadow mask when forming the sieve.

둘째, 뱅크 리던던시 패턴의 형성을 특히, 역테이퍼상으로 하여 패드부의 패드 전극 하부에 무기막의 증착을 구조적으로 방지할 수 있다.Secondly, the formation of the bank redundancy pattern can be structurally reversed to form a reverse tapered structure, and the deposition of the inorganic film below the pad electrode of the pad portion can be structurally prevented.

셋째, 박막 적층체의 유기막의 부분은 슬릿 코팅방식으로 영역을 패드부 안쪽 액티브 영역까지의 형성이 가능하여, 이 또한 마스크의 생략이 가능하여, 전체 봉지를 위한 박막 적층체에서 마스크 생략이 가능하다.Third, the organic film of the thin film laminate can be formed to the active region inside the pad portion by the slit coating method, and the mask can be omitted, so that the mask can be omitted in the thin film laminate for the whole encapsulation .

이로써, 마스크 절감 및 마스크 사용에 의해 공정 시간 감소 및 수율 향상을 얻을 수 있다.Thus, reduction of the process time and improvement of the yield can be achieved by mask reduction and mask use.

도 1은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 평면도
도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 봉지를 위한 박막 형성 후를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 패드부 오픈 후를 나타낸 단면도
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 패드부 오픈을 위한 공정을 나타낸 공정 단면도
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 패드부 대응 뱅크 리던던시 패턴을 나타낸 도면1 is a plan view of an organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state after formation of a thin film for encapsulation of the organic light emitting display according to the present invention
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the opening of the pad portion of the organic light emitting display device of the present invention
4A to 4C are cross-sectional views illustrating a process for opening a pad portion of the organic light emitting diode display of the present invention
5A and 5B are diagrams showing a bank redundancy pattern corresponding to a pad portion in the method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 동일한 구성 요소에 대해서는 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호로 표시하며, 공지된 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 구체적인 설명은 생략하기로 함에 유의한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The configuration of the present invention and the operation and effect thereof will be clearly understood through the following detailed description. Before describing the present invention in detail, the same components are denoted by the same reference symbols as possible even if they are displayed on different drawings. In the case where it is judged that the gist of the present invention may be blurred to a known configuration, do.

도 1은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.1 is a plan view of an organic light emitting diode display of the present invention.

도 1과 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 기판(100) 상에 화상을 표시하며, 다수개의 화소 영역(320)을 포함하는 액티브 영역(300;A/A)(점선 내부 영역)과, 액티브 영역(300;A/A)의 게이트 라인(GL1 내지 GLn) 및 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 구동하는 패드부(310)가 정의된 외곽 영역을 포함하여 이루어진다. 1, the OLED display of the present invention displays an image on a substrate 100 and includes an active region 300 (A / A) (dotted line inner region) including a plurality of pixel regions 320, And a pad unit 310 for driving the gate lines GL1 to GLn and the data lines DL1 to DLm of the active area 300 (A / A).

그리고, 봉지를 위한 유무기 박막 적층체(180)는 도시된 바와 같이, 적어도 액티브 영역을 모두 덮도록 하여 형성하고, 패드부(310)에 대하여는 오픈한다. 경우에 따라, 패드부(310) 이외의 영역의 외곽 영역(점선 외부 영역)은 상기 유무기 박막(thin film) 적층체(180)를 덮을 수도 있고, 혹은 오픈되어질 수 있다. 이 경우, 박막 적층체(180)는 무기막, 유기막이 교번하여 적층된 것으로, 가장 외부의 층이 무기막으로 적층되어 외부로부터의 습기나 외기를 차단하여 액티브 영역 내의 유기층의 열화를 방지하고, 내부의 유기막은 전체 박막의 균일한 두께를 유지하고 공정상에 발생된 이물을 커버하는 기능을 한다. 이러한 유무기 박막 적층체(180)는 무기막이 최외부층에 형성되어, 무기막이 유기막보다 한층 더 형성된다. As shown in the drawing, the organic / inorganic thin film laminate 180 for encapsulation is formed so as to cover at least all of the active regions, and is opened to the pad portion 310. In some cases, the outer region (dotted line outside region) of the region other than the pad portion 310 may cover the organic thin film layered body 180 or may be opened. In this case, the thin film laminate 180 is formed by alternately laminating an inorganic film and an organic film. The outermost layer is laminated with an inorganic film to prevent moisture or outside air from the outside, thereby preventing deterioration of the organic layer in the active area, The internal organic film maintains a uniform thickness of the entire thin film and functions to cover foreign matter generated in the process. In the organic / inorganic thin film laminate 180, the inorganic film is formed in the outermost layer, and the inorganic film is formed further than the organic film.

상기 기판(100) 상에는, 게이트 라인(GL1 내지 GLn), 데이터 라인(DL1 내지 DLn), 전원 라인(PL1 내지 PLn) 및 기저 전압 라인(318)과 접속된 매트릭스상의 화소 영역을 포함하는 액티브 영역(300;A/A)과, 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과 데이터 라인(DL1 내지 DLm)을 구동하기 위한 패드부(310), 액티브 영역으로 기저 전압(Vss)을 공급하기 위한 기저 전압 라인(318), 상기 전원 라인(PL1 내지 PLn)으로 구동 전압(Vdd)을 공급하기 위한 구동 전압 라인(316)이 형성된 외곽 영역을 포함한다. On the substrate 100, an active region (not shown) including a pixel region on a matrix connected to the gate lines GL1 to GLn, the data lines DL1 to DLn, the power source lines PL1 to PLn and the base voltage line 318 A pad portion 310 for driving the gate lines GL1 to GLn and the data lines DL1 to DLm; a base voltage line 318 for supplying the base voltage Vss to the active region; And an outer region in which a driving voltage line 316 for supplying a driving voltage Vdd to the power supply lines PL1 to PLn is formed.

다수의 화소 영역 각각은 게이트 라인(GL1 내지 GLn)과 데이터 라인(DL1 내지 DLm)과 접속된 화소용 스위치 TFT(ST) 및 전원 라인(PL1 내지 PLn)과 유기 발광 장치의 양극과 접속된 화소용 구동 TFT(DT)와, 전원 라인(PL1 내지 PLn)과 화소용 구동 스위치 TFT(DT)의 드레인 전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)를 구비한다. Each of the plurality of pixel regions includes a pixel switch TFT ST connected to the gate lines GL1 through GLn and the data lines DL1 through DLm, power source lines PL1 through PLn, and a pixel connected to the anode of the organic light- And a storage capacitor C connected between the power supply lines PL1 to PLn and the drain electrodes of the pixel drive control TFT DT.

화소용 스위치 TFT(ST)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 화소용 구동 TFT(DT)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)와 접속된다. 화소용 구동 TFT(DT)의 소스 전극은 전원 라인(PL1 내지 PLn)과 접속되고 드레인 전극은 유기 발광 소자의 양극과 접속된다. 스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(PL1 내지 PLn)과 화소용 구동 TFT(DT)의 게이트 전극 사이에 접속된다. The gate electrode of the pixel switch TFT (ST) is connected to the gate line (GL), the source electrode thereof is connected to the data line (DL), the drain electrode is connected to the gate electrode of the pixel TFT Respectively. The source electrode of the pixel TFT TFT DT is connected to the power supply lines PL1 to PLn and the drain electrode thereof is connected to the anode of the organic light emitting element. The storage capacitor C is connected between the power supply lines PL1 to PLn and the gate electrode of the pixel drive TFT DT.

화소용 스위치 TFT는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 화소용 구동 TFT의 게이트 전극으로 공급한다. 화소용 구동 TFT는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 유기 발광 소자로 공급되는 전류를 제어함으로써 유기 발광 소자의 발광량을 조절하게 된다. 화소용 스위치 TFT가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 화소용 구동 TFT는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 유기 발광 소자가 발광을 유지하게 된다. The pixel switch TFT is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line GL to supply the data signal supplied to the data line DL to the gate electrode of the storage capacitor C and the pixel TFT. The pixel driving TFT controls the current supplied from the power supply line (PL) to the organic light emitting element in response to the data signal supplied to the gate electrode, thereby controlling the amount of light emitted from the organic light emitting element. The pixel driving TFT supplies a constant current until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor C so that the organic light emitting element keeps emitting light even when the switch TFT for the pixel is turned off.

도 2는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 봉지를 위한 박막 형성 후를 나타낸 단면도이며, 도 3은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 패드부 오픈 후를 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state after formation of a thin film for encapsulation of the organic light emitting display according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view after opening the pad portion of the organic light emitting display according to the present invention.

도 3과 같이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 액티브 영역(A/A)과 외곽 영역을 갖는 기판(100)과, 상기 액티브 영역에 박막 트랜지스터 어레이와, 상기 외곽 영역에 패드 전극(161)과, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누는 뱅크(152)와, 상기 액티브 영역에, 각 화소 영역에 형성된 양극(151), 유기 발광층(160) 및 음극(162)을 포함하는 유기 발광 소자 및 상기 패드 전극(161) 부위를 제외하여, 상기 유기 발광 소자를 포함한 기판을 덮도록 형성된 무기막(181, 183), 유기막(182)이 교번되는 박막 적층체(180)를 포함하여 이루어진다. 3, the OLED display of the present invention includes a substrate 100 having an active area A / A and an outside area, a thin film transistor array in the active area, a pad electrode 161 in the outside area, A bank 152 for dividing a plurality of pixel regions on the thin film transistor array and an organic light emitting element 160 including an anode 151, an organic light emitting layer 160, and a cathode 162 formed in each pixel region in the active region, And a thin film stack 180 in which the inorganic films 181 and 183 and the organic film 182 are alternately formed so as to cover the substrate including the organic light emitting device except for the portion of the pad electrode 161.

상기 박막 적층체(180)는, 적어도 액티브 영역을 커버하며, 상기 뱅크 외측으로 나와, 상기 뱅크 사이사이에 형성된 유기 발광층(160)이 충분히 상기 박막 적층체(180)가 감싸도록 하여 외기로부터 보호되도록 한다. The thin film stack 180 covers at least the active area and protrudes outside the bank so that the organic light emitting layer 160 formed between the banks sufficiently covers the thin film stack 180 to be protected from the outside air. do.

그리고, 박막 적층체(180)는 유기막 한층과 무기막 한층을 합하여 이를 한쌍으로 할 때, n.5쌍(n은 자연수)의 적층수를 갖는 것으로, 도시된 바와 같이, 무기막(181)/유기막(182)/무기막(183)의 1.5쌍(무기막/유기막의 적층을 한쌍으로 함)일 수 있고, 2.5쌍, 3.5쌍, 혹은 그 이상의 적층수를 가질 수 있다.The thin film stack body 180 has n.5 pairs (n is a natural number) of stacked layers when one layer of the organic film and one inorganic film are combined to form a pair. As shown in the figure, the inorganic film 181, / Organic film 182 / inorganic film 183 (a pair of lamination of inorganic film / organic film), and may have 2.5, 3.5, or more laminated layers.

또한, 상기 박막 적층체(180)에서 유기막(182)은 슬릿 코팅(slit coating) 방식을 이용하여, 용액 공정으로 액티브 영역에만 상당하여 유기 용액을 도포한 후, 이를 경화 건조시켜 패드 영역이 형성된 기판(100)의 일변을 오픈하여 형성할 수 있다. In the thin film multilayer body 180, the organic film 182 may be formed by applying an organic solution corresponding to only an active region in a solution process using a slit coating method, and then curing and drying the organic solution to form a pad region So that one side of the substrate 100 can be opened.

여기서, 상기 뱅크(152)는 네거티브 감광성 수지로 이루어진 것으로, 노광 및 현상 혹은 베이킹 조건에 따라 그 테이퍼 형상의 변경이 가능한 것이다. 또한, 뱅크(152)와 함께, 상기 패드 전극(161) 상부에는 도 2와 같이, 뱅크 리던던시 패턴(152a)이 더 형성되어, 박막 적층체(180)의 형성 이후의 스트리퍼를 이용한 습식각 공정을 거쳐 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)과 그 상부의 무기막(181a, 183a)이 함께 제거되도록 하여, 패드 전극(161) 상부가 오픈된다. 여기서, 스트리퍼는 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)을 녹이거나 패드 전극(161) 상부로부터 유리(遊離)될 수 있을 정도의 유기 용제를 이용한다. 그리고, 언급된 습식각 공정 대신 디핑 또는 분사 공정을 거쳐 패드 전극(161) 상부로부터 유리 과정을 거칠 수도 있다. 이 경우, 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)이 패드 전극(161) 상부로부터 떨어질 때, 그 상부의 박막 적층체(180)가 일체로 떨어진다.Here, the bank 152 is made of a negative photosensitive resin, and the taper shape of the bank 152 can be changed according to exposure and development or baking conditions. 2, a bank redundancy pattern 152a is further formed on the pad electrode 161 together with the bank 152. A wet etching process using a stripper after the formation of the thin film stack 180 is performed The bank redundancy pattern 152a and the upper inorganic films 181a and 183a are removed together to open the upper portion of the pad electrode 161. [ Here, the stripper uses an organic solvent capable of dissolving the bank redundancy pattern 152a or being free from the upper portion of the pad electrode 161. Instead of the aforementioned wet etching process, a glass process may be performed from above the pad electrode 161 through a dipping or spray process. In this case, when the bank redundancy pattern 152a is separated from the upper portion of the pad electrode 161, the upper thin film stack body 180 falls integrally.

특히, 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 형상은 역테이퍼를 갖도록 하여, 박막 적층체(180)의 무기막(181a, 183a)의 증착시, 패드 전극(161)에 상당하여 상기 무기막(181a, 183a)이 뱅크 리던던시 패턴(152a) 하부에 쌓이지 않도록 하여 추가적인 새도우 마스크를 이용한 패드 오픈 공정을 생략할 수 있다.Particularly, the shape of the bank redundancy pattern 152a has an inverted taper so that when the inorganic films 181a and 183a of the thin film stack 180 are deposited, the inorganic fillers 181a and 182b, which correspond to the pad electrodes 161, 183a may not be stacked under the bank redundancy pattern 152a and the pad opening process using an additional shadow mask may be omitted.

여기서, 박막 트랜지스터 어레이는 다음의 구성 요소를 포함할 수 있다. Here, the thin film transistor array may include the following components.

액티브 영역(A/A)에는 박막 트랜지스터(TFT), 서로 교차하는 게이트 라인(216) 및 데이터 라인(도 1의 DL), 전원라인(도 1의 PL) 및 스토리지 캐패시터를 포함하며, 외곽 영역은 각 게이트 라인의 단부와 연결된 게이트 패드(gate-pad)와 각 데이터 라인의 단부와 연결된 데이터 패드를 포함한 패드부를 포함한다. The active area A includes a thin film transistor TFT, a gate line 216 and a data line (DL in FIG. 1) crossing each other, a power supply line (PL in FIG. 1), and a storage capacitor, And a pad portion including a gate pad connected to an end of each gate line and a data pad connected to an end of each data line.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는, 기판(100) 상에 전면 형성된 버퍼층(116), 액티브 영역의 각 화소 영역의 소정 부위에 형성된 반도체층(214), 상기 반도체층(214)을 포함한 기판 전면에 형성된 제 1 절연막(112), 상기 제 1 절연막(112) 상에 상기 반도체층(214)의 채널 영역(214C)에 상당하여 형성된 게이트 전극(206)과, 상기 게이트 전극(206) 상부를 덮는 제 2 절연막(126)과 제 3 절연막(128), 상기 제 3 절연막(128) 상에 상기 반도체층(214)의 양측 소오스영역(214S)/드레인 영역(214D)와 접속하는 소오스 전극(208) 및 드레인 전극(210)과, 상기 소오스 전극(208) 및 드레인 전극(210)을 포함한 제 3 절연막(128)을 덮는 제 4 절연막(138)을 포함한다.The thin film transistor (TFT) includes a buffer layer 116 formed on a substrate 100, a semiconductor layer 214 formed on a predetermined portion of each pixel region of the active region, a semiconductor layer 214 formed on the entire surface of the substrate including the semiconductor layer 214, A gate electrode 206 formed on the first insulating film 112 and corresponding to a channel region 214C of the semiconductor layer 214 and a second insulating film 112 covering the upper portion of the gate electrode 206, A source electrode 208 and a drain electrode 212 which are connected to the source region 214S and the drain region 214D on both sides of the semiconductor layer 214 are formed on the insulating film 126 and the third insulating film 128, And a fourth insulating layer 138 covering the electrode 210 and the third insulating layer 128 including the source and drain electrodes 208 and 210.

여기서, 상기 제 2, 제 3 절연막(126, 128)은 나누지 않고, 하나의 막으로 형성될 수도 있다.Here, the second and third insulating films 126 and 128 may be formed of a single film without being divided.

여기서, 상기 반도체층(214)는 양측의 소오스 영역(214S)/드레인 영역(214D)과 그 사이의 채널 영역(214C)을 포함한다.Here, the semiconductor layer 214 includes a source region 214S / a drain region 214D on both sides and a channel region 214C therebetween.

그리고, 스토리지 캐패시터는 상기 게이트 전극(206)과 동일층에 형성된 제 1 스토리지 전극(216)과, 상기 제 1 스토리지 전극(216)과 오버랩하여 상기 소오스/드레인 전극(208/210)과 동일층에 형성된 제 2 스토리지 전극(218) 및 그 사이의 층간의 제 2, 제 3 절연막(126, 128)을 포함한다. The storage capacitor includes a first storage electrode 216 formed on the same layer as the gate electrode 206 and a second storage electrode 216 overlapped with the first storage electrode 216 to be on the same layer as the source / The second storage electrode 218 formed thereon, and the second and third insulating films 126 and 128 between the layers therebetween.

또한, 게이트 라인(226)의 액티브 영역 가장자리에는 소오스/드레인 전극(208/210)과 동일층의 데이터 금속 패턴(228)이 상기 게이트 라인(226)과 접속하도록 형성되어, 연장되어 외곽 영역의 게이트 패드까지 형성된다. A data metal pattern 228 in the same layer as the source / drain electrode 208/210 is formed at the edge of the active region of the gate line 226 so as to be connected to the gate line 226, Pad.

그리고, 게이트 패드에 상당한 상기 데이터 금속 패턴(228) 상의 대응된 상기 제 4 절연막(138) 상에 패드 전극(161)이 형성된다. A pad electrode 161 is formed on the corresponding fourth insulating film 138 on the data metal pattern 228 corresponding to the gate pad.

데이터 패드는 도시하지 않았지만, 별도의 게이트 라인과의 콘택없이 데이터 라인 단부에 데이터 라인을 외곽 영역이 데이터 패드까지 연장하여 형성하면 된다.Although not shown, the data pad may be formed by extending the data line to the data pad at the end of the data line without contacting the gate line.

또한, 상기 양극(151)과 패드 전극(161)의 형성 전에 상기 박막 트랜지스터 어레이 상부를 덮으며 상기 액티브 영역에는 유기보호막(150)이 더 형성된다.Also, before the anode 151 and the pad electrode 161 are formed, an organic passivation layer 150 is further formed on the active region to cover the upper portion of the thin film transistor array.

상기 유기보호막(150) 형성 후, 상기 제 4 절연막(138) 및 유기보호막(150)을 선택 식각하여 상기 드레인 전극(210)을 노출시켜 상기 양극(151)과 상기 드레인 전극(210)을 접속한다.After the organic passivation layer 150 is formed, the fourth insulating layer 138 and the organic passivation layer 150 are selectively etched to expose the drain electrode 210 to connect the anode 151 and the drain electrode 210 .

한편, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상의 유기 발광 소자는 각 화소 영역별로 양극(151), 유기 발광층(160) 및 음극(162)을 포함한다.The organic light emitting device on the thin film transistor array includes an anode 151, an organic light emitting layer 160, and a cathode 162 for each pixel region.

여기서, 상기 양극(151)은 알루미늄 및 투명 전극의 이중층으로 형성될 수 있다. Here, the anode 151 may be formed of a double layer of aluminum and a transparent electrode.

또한, 상기 유기 발광층(160)은 그 하부에 정공 주입층 및 정공 수송층과, 그 상부에 전자 수송층 및 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 유기 발광층(160)의 발광층은 뱅크(152) 사이에만 형성될 수 있다.In addition, the organic light emitting layer 160 may further include a hole injection layer and a hole transport layer at a lower portion thereof, and an electron transport layer and an electron injection layer at an upper portion thereof. In this case, the light emitting layer of the organic light emitting layer 160 may be formed only between the banks 152.

이하, 공정 단면도를 이용하여 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 살펴본다.Hereinafter, a manufacturing method of the organic light emitting display device of the present invention will be described with reference to a process sectional view.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 패드부 오픈을 위한 공정을 나타낸 공정 단면도이다.4A to 4C are cross-sectional views illustrating a process for opening a pad portion of an organic light emitting display device according to the present invention.

먼저, 액티브 영역(A/A)과 외곽 영역을 갖는 기판(100)을 준비한다.First, a substrate 100 having an active region A / A and an outer region is prepared.

이어, 도 4a와 같이, 상기 액티브 영역(A/A)에 박막 트랜지스터 어레이를 형성(도 3 참조)한다.Next, as shown in FIG. 4A, a thin film transistor array is formed in the active region A / A (see FIG. 3).

상기 박막 트랜지스터 어레이(박막 트랜지스터(TFT), 스토리지 캐패시터(Cst), 게이트 라인, 데이터 라인 등) 상에 유기보호막(150)을 전면 도포한다. 상기 유기 보호막(150)은 적어도 액티브 영역에 대응하여 형성되며, 이후 형성될 박막 적층체(180)에 의해 가려지는 부위에 있다.The organic passivation layer 150 is entirely coated on the thin film transistor array (thin film transistor (TFT), storage capacitor (Cst), gate line, data line, etc.). The organic passivation layer 150 is formed at least in correspondence with the active region, and is then covered by the thin film stack 180 to be formed.

상기 박막 트랜지스터 어레이는 다음의 순서로 이루어진다 (이하, 도 2 및 도 3 참조). The thin film transistor array is formed in the following order (see FIGS. 2 and 3).

먼저, 기판(100) 상에 버퍼층(116)을 전면 형성한다.First, the buffer layer 116 is formed on the entire surface of the substrate 100.

이어, 박막 트랜지스터(TFT) 형성 부위에 대응하여 반도체층(214)을 형성한다. 도시된 반도체층(214)은 결정질 반도체층으로, 전면 실리콘층을 형성 후 이를 결정화한 후 패터닝하여 형성할 수 있다.Next, the semiconductor layer 214 is formed in correspondence to the portion where the thin film transistor (TFT) is formed. The illustrated semiconductor layer 214 may be formed by forming a front silicon layer, crystallizing it, and patterning the crystalline silicon layer.

이어, 상기 반도체층(214)을 포함한 전면에 제 1 절연막(112)을 형성한다.Next, a first insulating layer 112 is formed on the entire surface including the semiconductor layer 214.

이어, 상기 제 1 절연막(112) 상에, 금속층을 증착하고 이를 선택적으로 제거하여, 상기 반도체층(214)의 중앙 부위에 대응하여, 게이트 전극(206)을 형성하고, 상기 게이트 전극(206)과 연결되며, 일 방향으로 형성된 게이트 라인(226)을 형성한다. 동일층에 스토리지 캐패시터(Cst) 형성 부위에 대응하여 제 1 스토리지 전극(216)을 형성한다.A metal layer is deposited on the first insulating layer 112 and selectively removed to form a gate electrode 206 corresponding to a central portion of the semiconductor layer 214. The gate electrode 206, And forms a gate line 226 formed in one direction. And the first storage electrode 216 is formed in the same layer in correspondence with the portion where the storage capacitor Cst is formed.

상기 게이트 전극(206)의 형성 후, 상기 게이트 전극(206)을 마스크로 하여 상기 반도체층(214)의 양측에 불순물층을 도핑하여 소오스 영역(214S)과 드레인 영역(214D)을 정의한다.After the formation of the gate electrode 206, a source region 214S and a drain region 214D are defined by doping an impurity layer on both sides of the semiconductor layer 214 using the gate electrode 206 as a mask.

이어, 제 2, 제 3 절연막(126, 128)을 전면 형성한다.Next, the second and third insulating films 126 and 128 are formed on the entire surface.

상기 제 3 절연막(128) 및 제 2 절연막(126)을 선택적으로 식각하여, 상기 반도체층(214)의 양측의 소오스 영역(214S) 및 드레인 영역(214D)의 일부분을 노출시키고, 상기 게이트 라인(226)의 단부 일부를 노출시킨다.The third insulating layer 128 and the second insulating layer 126 are selectively etched to expose portions of the source region 214S and the drain region 214D on both sides of the semiconductor layer 214, 226, respectively.

이어, 금속층을 증착한 후, 이를 선택적으로 식각하여 상기 소오스 영역(214S)과 드레인 영역(214D)과 접속하는 소오스 전극(208) 및 드레인 전극(210)을 형성하고, 상기 소오스 전극(208)과 연결되며 상기 게이트 라인(226)에 교차하는 방향의 데이터 라인(미도시)을 형성한다. 동일층에 상기 노출된 게이트 라인(226)의 단부 일부와 접속된 데이터 금속 패턴(228)을 게이트 패드부까지 연장하여 형성하며, 또한, 상기 제 1 스토리지 전극(216)과 오버랩하는 제 2 스토리지 전극(218)을 더 형성한다.A source electrode 208 and a drain electrode 210 are formed by selectively etching the metal layer to connect the source and drain regions 214S and 214D to each other. And a data line (not shown) is formed in a direction crossing the gate line 226. A data metal pattern 228 connected to a part of the end of the exposed gate line 226 is formed on the same layer to extend to the gate pad portion and a second storage electrode 228 overlapping the first storage electrode 216 is formed. (218).

이어, 상기 제 4 절연막(138)을 상기 소오스/드레인 전극(208/210)과, 데이터 라인, 제 2 스토리지 전극(218) 및 데이터 금속 패턴(228)을 덮도록 형성한다.The fourth insulating layer 138 is formed to cover the source and drain electrodes 208 and 210, the data line, the second storage electrode 218, and the data metal pattern 228.

여기서, 버퍼막(116), 제 1 내지 제 4 절연막(112, 126, 128, 138)은 모두 무기막 성분으로 산화막 또는 질화막이다. 특히, 버퍼막(116)은 대개의 경우 산화막으로 형성한다. Here, the buffer film 116 and the first to fourth insulating films 112, 126, 128, and 138 are oxide films or nitride films as inorganic film components. In particular, the buffer film 116 is formed of an oxide film in most cases.

이어, 액티브 영역에 대응하여 유기 보호막(150)을 형성한다.Next, an organic passivation layer 150 is formed corresponding to the active region.

이어, 상기 유기 보호막(150) 및 제 4 절연막(138)은 선택식각하여 상기 드레인 전극(210)과 상기 패드부에 대응된 데이터 금속 패턴(228)의 일부를 노출시킨다.The organic passivation layer 150 and the fourth insulating layer 138 are selectively etched to expose a portion of the data electrode pattern 228 corresponding to the drain electrode 210 and the pad portion.

이어, 상기 유기보호막(150) 상에, 금속층을 적층하고 이를 선택적으로 제거하여 노출된 드레인 전극(210)과 접속하는 양극(151)과, 외곽 영역에는 노출된 데이터 금속 패턴(228)과 접속하는 패드 전극(161)을 형성한다. 예를 들어, 이러한 양극(151) 및 패드 전극(161)을 형성하기 위한 금속은 알루미늄 혹은 알루미늄 합금층/투명 도전막의 적층체일 수 있다.A metal layer is stacked on the organic passivation layer 150 and is selectively removed to connect the exposed metal layer to the exposed drain electrode 210. The exposed metal layer is connected to the exposed data metal pattern 228 The pad electrode 161 is formed. For example, the metal for forming the anode 151 and the pad electrode 161 may be a laminate of an aluminum or aluminum alloy layer / a transparent conductive film.

이어, 상기 네거티브 감광막을 전면 도포하고, 이를 선택적으로 노광 및 현상하여 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누는 뱅크(152)를 형성하고, 상기 패드 전극(161) 상에 뱅크 리던던시 패턴(152a)을 형성한다. A bank 152 for dividing a plurality of pixel regions on the thin film transistor array is formed by selectively exposing and developing the negative photoresist film and a bank redundancy pattern 152a is formed on the pad electrode 161. [ .

도 3 및 도 4b와 같이, 상기 액티브 영역에 대응된 뱅크(152)를 포함한 박막 트랜지스터 어레이 상에, 유기 발광층(160) 및 음극(162)을 형성한다. 상기 뱅크(152) 사이사이에 대응하여서만 유기 발광층(160)이 형성될 수도 있다.3 and 4B, the organic light emitting layer 160 and the cathode 162 are formed on the thin film transistor array including the banks 152 corresponding to the active regions. The organic light emitting layer 160 may be formed only between the banks 152.

이어, 상기 음극(162), 뱅크(152) 및 뱅크 리던던시 패턴(152a)을 포함한 기판(100) 상에 마스크 없이, 전면 무기막 기상 증착(evaporation)하여 제 1 무기막(181)을 형성한다. 이 때, 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a) 상부에도 제 1 무기막 패턴(181a)이 형성되고, 패드부를 제외한 외곽 영역에도 제 1 무기막(181)이 형성될 수 있다..Next, the first inorganic film 181 is formed on the substrate 100 including the cathode 162, the bank 152, and the bank redundancy pattern 152a by a front inorganic film vapor deposition process without a mask. At this time, the first inorganic film pattern 181a may be formed on the bank redundancy pattern 152a, and the first inorganic film 181 may be formed on the outer region except for the pad portion.

이어, 상기 제 1 무기막(181) 상에 유기막(182)을 도포한다. 이 경우, 유기막(182)은 적어도 액티브 영역까지 덮도록 형성하며, 액상으로 슬릿 코팅 방식 등을 이용하여 도포 후 경화 및 건조시켜 패드부가 형성되는 기판(100)의 일변을 오픈하여 형성할 수 있다.Next, the organic film 182 is coated on the first inorganic film 181. In this case, the organic film 182 is formed so as to cover at least the active region, and can be formed by opening the one side of the substrate 100 on which the pad portion is formed by applying, curing and drying by using a slit coating method or the like .

이어, 도 4c와 같이, 상기 유기막(182)을 포함한 전면에 제 2 무기막(183)을 마스크없이 기상 증착하여 형성한다. 이 경우, 상기 제 2 무기막(183)은 상기 유기막(182)의 상부 및 측부를 덮으며 형성되며, 제 1 무기막 패턴(181a) 상부에는 제 2 무기막 패턴(183a)이 형성된다. 또한, 패드부를 제외한 외곽 영역에도 제 2 무기막(183)이 더 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 4C, a second inorganic film 183 is formed on the entire surface including the organic layer 182 by vapor-deposition without a mask. In this case, the second inorganic film 183 covers the top and sides of the organic film 182, and the second inorganic film pattern 183a is formed on the first inorganic film pattern 181a. In addition, the second inorganic film 183 may be formed in the outer region except for the pad portion.

이와 같이, 액티브 영역 상에 양극(151), 유기 발광층(160), 음극(162)을 포함하는 유기 발광 소자를 보호하도록 적어도 액티브 영역에 증착/도포된 제 1 무기막(181)/유기막(182)/제 2 무기막(183)의 증착체를 박막 적층체(180)라고 한다. 그리고, 상기 박막 적층체(180)는 유기 발광 소자 내로 수분이 침투됨을 방지하도록 외부로부터 유기 발광 소자를 봉지하여 보호하게 된다.As described above, the first inorganic film 181 / the organic film (first organic film) 181 deposited / applied to the active region at least so as to protect the organic light emitting element including the anode 151, the organic light emitting layer 160 and the cathode 162 on the active region 182 / second inorganic film 183 is referred to as a thin film stack 180. The thin film layered body 180 encapsulates the organic light emitting element from the outside to prevent moisture from permeating into the organic light emitting element.

여기서, 상기 박막 적층체(180)는 내부 유기 발광 소자의 충분한 보호를 위해 상기 뱅크(152) 외측으로 나오도록 형성되는 것이 바람직하다. Here, the thin film stack 180 is preferably formed to protrude outside the bank 152 for sufficient protection of the internal organic light emitting device.

상기 박막 적층체(180)의 최상부층은 무기막이다. The uppermost layer of the thin film laminate 180 is an inorganic film.

상기 박막 적층체(180)를 형성시 상기 외곽 영역에는 무기막만 남아있게 된다. 이는 상술한 유기막(182)의 도포시 선택적으로 액티브 영역에만 남기 때문이다.When the thin film stack 180 is formed, only the inorganic film remains in the outer area. This is because, when the above-described organic film 182 is applied, it selectively remains only in the active region.

이어, 상기 패드 전극(161) 상의 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)과 그 상부에 잔류한 무기막 패턴(181a, 183a)을 제거한다. Then, the bank redundancy pattern 152a on the pad electrode 161 and the inorganic film patterns 181a and 183a remaining on the bank redundancy pattern 152a are removed.

이 경우, 상기 뱅크 리던던시 패턴 등(152a, 181a, 183a)의 제거는 스트리퍼를 이용하여, 리프트 오프(lift off)하여 이루어지는 것이 바람직하다. 패드부 측에 네거티브 감광막 성분의 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 패드 전극(161) 상부로부터 스트리퍼에 의해 벗겨지며, 그 상부의 무기막 패턴(181a, 183a)까지 함께 제거된다. In this case, it is preferable that the removal of the bank redundancy patterns 152a, 181a, and 183a is performed by lift-off using a stripper. Is stripped by the stripper from the upper portion of the pad electrode 161 of the bank redundancy pattern 152a of the negative photoresist film component on the side of the pad portion, and the inorganic film patterns 181a and 183a thereon are removed together.

한편, 상술한 게이트 패드부에 대응된 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)은 역테이퍼 상을 갖는다. On the other hand, the bank redundancy pattern 152a corresponding to the gate pad portion described above has an inverted tapered phase.

여기서, 상기 패드 전극(161)의 폭은 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 하부면 선폭보다 작게 형성하여, 패드 전극(161) 상에 무기막의 증착이 이루어지지 않게 한다. Here, the width of the pad electrode 161 is smaller than the width of the lower surface of the bank redundancy pattern 152a, so that deposition of the inorganic film on the pad electrode 161 is prevented.

또한, 상기 뱅크(152)와 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 형성은, 상기 박막 트랜지스터 어레이를 포함한 기판(100) 전면에 네거티브 감광성 수지를 도포 후 이를 노광 및 현상하여 이루어지는데, 패드부에 상당한 노광 조건 혹은 현상 조건 그 외의 베이킹 조건을 달리하여 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)만을 역테이퍼상으로 형성할 수 있다. The bank 152 and the bank redundancy pattern 152a are formed by applying a negative photosensitive resin to the entire surface of the substrate 100 including the thin film transistor array and then exposing and developing the same. Alternatively, only the bank redundancy pattern 152a may be formed in an inverted tapered shape by changing development conditions or other baking conditions.

즉, 상기 노광시, 마스크(미도시)와 기판(100)과의 이격 거리를 상기 뱅크(152)에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)에 대응하여 더 길게 하여 상대적으로 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 상부측의 노광 정도를 분산시켜, 상대적으로 노광량을 작게할 수 있다. 이로써, 이후의 현상 공정을 거쳐 남아있는 뱅크 리던던시 패턴(152a)이 역테이퍼를 갖게 한다.That is, the spacing distance between the mask (not shown) and the substrate 100 is longer in correspondence with the bank redundancy pattern 152a than the region corresponding to the bank 152, and the bank redundancy pattern The degree of exposure on the upper side of the exposure unit 152a can be dispersed, and the amount of exposure can be relatively reduced. As a result, the remaining bank redundancy pattern 152a is subjected to a subsequent development process to have a reverse taper.

또는, 상기 노광시, 노광 시간을 상기 뱅크(152)에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 짧게 하여, 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 역테이퍼를 유도할 수 있다. Alternatively, during the exposure, the exposure time may be made shorter than the area corresponding to the bank 152 in correspondence to the bank redundancy pattern to induce the reverse taper of the bank redundancy pattern 152a.

혹은 상기 현상시, 현상 시간을 상기 뱅크(152)에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)에 대응하여 더 길게 진행하여 동일한 뱅크 리던던시 패턴(152a)의 역테이퍼를 유도할 수도 있다. Alternatively, the developing time may be longer than the portion corresponding to the bank 152 corresponding to the bank redundancy pattern 152a to induce the reverse taper of the same bank redundancy pattern 152a.

경우에 따라, 노광 공정 후의 베이킹 공정에서 상대적으로 상기 뱅크(152)에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴(152a)에 대응하여 온도를 낮추어, 이후의 현상 공정에서 상대적으로 하부가 더 많이 식각되어 테이퍼의 경사를 낮추거나 스텝을 갖는 역테이퍼를 갖게 할 수 있다.In some cases, in the baking process after the exposure process, the temperature is lowered corresponding to the bank redundancy pattern 152a relative to the portion corresponding to the bank 152, and the lower portion is etched relatively more in the subsequent developing process, Or to have a reverse taper with steps.

도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 패드부 대응 뱅크 리던던시 패턴을 나타낸 도면이다.5A and 5B are views showing a bank redundancy pattern corresponding to a pad portion in the method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention.

도 5a는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 패드부 대응 뱅크 리던던시 패턴이(252)이 하나의 경사를 갖는 역테이퍼를 갖는 예를 나타내었고, 도 5b는 뱅크 리던던시 패턴(352)이 두개의 경사를 갖고 상대적으로 하부가 더 많이 식각되어 테이퍼의 경사를 낮추거나 스텝을 갖는 역테이퍼 상으로 형성된 예를 나타내었다.5A shows an example in which the bank redundancy pattern 252 corresponding to the pad portion of the organic light emitting display according to the present invention has an inverse taper having one inclination, and FIG. 5B shows an example in which the bank redundancy pattern 352 has two inclination And a relatively lower portion is etched to lower the inclination of the taper or to form a reverse tapered phase having a step.

여기서, 설명하지 않은 부호 280은 절연막이며, 228은 데이터 금속 패턴에 상당한다. 그리고, 138은 상기 패드 전극(161)이 상기 데이터 금속 패턴(228)에 접속되도록 패드 콘택홀을 갖는 앞서 설명한 제 4 절연막(138)에 상당한다.Here, a reference numeral 280 is an insulating film, and 228 corresponds to a data metal pattern. Reference numeral 138 denotes a fourth insulating film 138 having a pad contact hole for connecting the pad electrode 161 to the data metal pattern 228.

이상에서 설명한 기술들은 현재 바람직한 실시예를 나타내는 것이고, 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 실시예의 변경 및 다른 용도는 당업자들에게는 알 수 있을 것이며, 상기 변경 및 다른 용도는 본 발명의 취지 내에 포함되거나 또는 첨부된 청구범위에 의해 정의된다.The above-described techniques represent presently preferred embodiments, and the present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that various changes, substitutions, and alterations can be made therein without departing from the spirit of the invention. Modifications and other uses of the embodiments will be apparent to those skilled in the art, and the modifications and other uses are intended to be included within the scope of the present invention or defined by the appended claims.

100: 기판 116: 버퍼막
112: 제 1 절연막 126: 제 2 절연막
128: 제 3 절연막 138: 제 4 절연막
150: 유기 보호막 151: 양극
152: 뱅크 152a: 뱅크 리던던시 패턴
160: 유기 발광층 161: 패드 전극
162: 음극 180: 박막 적층체
181: 제 1 무기막 181a: 제 1 무기막 패턴
182: 유기막 183: 제 2 무기막
183a: 제 2 무기막 패턴 206: 게이트 전극
208: 소오스 전극 210: 드레인 전극
214: 반도체층 216: 제 1 스토리지 전극
218: 제 2 스토리지 전극 226: 게이트 라인
228: 데이터 금속 패턴 100: substrate 116: buffer film
112: first insulating film 126: second insulating film
128: third insulating film 138: fourth insulating film
150: organic protective film 151: anode
152: bank 152a: bank redundancy pattern
160: organic light emitting layer 161: pad electrode
162: cathode 180: thin film laminate
181: first inorganic film 181a: first inorganic film pattern
182: organic film 183: second inorganic film
183a: second inorganic film pattern 206: gate electrode
208: source electrode 210: drain electrode
214: semiconductor layer 216: first storage electrode
218: second storage electrode 226: gate line
228: Data Metal Patterns

Claims (18)

액티브 영역과 외곽 영역을 갖는 기판을 준비하는 단계;
상기 액티브 영역에 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;
상기 외곽 영역 중 상기 액티브 영역의 에지와 일정 간격 이격하여 패드 전극을 형성하고, 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 양극을 형성하는 단계;
상기 박막 트랜지스터 어레이 및 양극을 포함한 기판 전면에 네거티브 감광성 수지를 도포 후 이를 노광 및 현상하여 상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누는 뱅크를 형성하고, 상기 패드 전극 상에 뱅크 리던던시 패턴을 함께 형성하는 단계;
상기 액티브 영역에 대응된 뱅크를 포함한 박막 트랜지스터 어레이 상에, 발광층 및 음극을 형성하는 단계;
상기 음극 및 뱅크 리던던시 패턴을 포함한 기판 상에 차례로, 전면에 제 1 무기막과, 적어도 상기 액티브 영역을 커버하며 상기 액티브 영역의 에지를 지나 상기 외곽 영역의 패드 전극 전까지 유기막 및 전면에 제 2 무기막을 포함하는 박막 적층체를 형성하는 단계; 및
상기 패드 전극 상의 상기 뱅크 리던던시 패턴과 그 상부에 잔류한 박막 적층체를 함께 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Preparing a substrate having an active region and an outer region;
Forming a thin film transistor array in the active region;
Forming a pad electrode at a predetermined distance from an edge of the active region of the outer region and forming an anode on the thin film transistor array;
Forming a bank for dividing a plurality of pixel regions on the thin film transistor array by applying a negative photosensitive resin to the entire surface of the substrate including the thin film transistor array and the anode and exposing and developing the same to form a bank redundancy pattern on the pad electrode; ;
Forming a light emitting layer and a cathode on the thin film transistor array including the banks corresponding to the active regions;
And a second inorganic film on the entire surface of the substrate including the negative electrode and the bank redundancy pattern, the first inorganic film on the entire surface, the organic film covering at least the active region, the edge of the active region, Forming a thin film laminate comprising a film; And
And removing the bank redundancy pattern on the pad electrode and the thin film stack remaining on the pad redundancy pattern. 제 1항에 있어서,
상기 박막 적층체를 형성하는 단계에, 상기 제 2 무기막 상에 유기막과 무기막을 한쌍으로 하는 적층체를 한쌍 이상 포함하여 더 형성하며,
상기 박막 적층체의 최상부층은 무기막인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of forming the thin film laminate further includes a step of forming at least one pair of laminated bodies each having a pair of an organic film and an inorganic film on the second inorganic film,
Wherein the uppermost layer of the thin film laminate is an inorganic film. 제 1항에 있어서,
상기 박막 적층체를 형성시 상기 외곽 영역에서 상기 유기막의 측부는 상기 제 2 무기막에 의해 덮여지며,
상기 유기막의 외측에서 상기 기판의 에지까지 상기 박막 적층체는 무기막들만 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
When the thin film laminate is formed, the side portion of the organic film in the outer region is covered with the second inorganic film,
Wherein the thin film layered body from the outside of the organic film to the edge of the substrate includes only inorganic films. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 박막 적층체를 형성시, 상기 제 1, 제 2무기막은 증기 증착하며,
상기 유기막은 슬릿 코팅하여 상기 액티브 영역을 커버하되 상기 제 1, 제 2 무기막 안쪽에 위치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
When the thin film laminate is formed, the first and second inorganic films are vapor deposited,
Wherein the organic layer is formed by slit coating so as to cover the active region and to be located inside the first and second inorganic layers. 제 1항에 있어서,
상기 뱅크 리던던시 패턴은 역테이퍼 상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the bank redundancy pattern has an inverse tapered shape. 제 1항에 있어서,
상기 뱅크 리던던시 패턴은 단차를 갖는 역 테이퍼 상을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the bank redundancy pattern has an inverse tapered shape with a step. 제 1항에 있어서,
상기 패드 전극의 폭은 상기 뱅크 리던던시 패턴의 하부면 선폭보다 작은 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the width of the pad electrode is smaller than the width of the lower surface of the bank redundancy pattern. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 노광시, 마스크와 기판과의 이격 거리를 상기 뱅크에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 길게 하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein a distance between the mask and the substrate is made longer in correspondence with the bank redundancy pattern than a region corresponding to the bank during the exposure. 제 1항에 있어서,
상기 노광시, 노광 시간을 상기 뱅크에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 짧게 하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the exposure time is shorter than a portion corresponding to the bank corresponding to the bank redundancy pattern during the exposure. 제 1항에 있어서,
상기 현상시, 현상 시간을 상기 뱅크에 대응된 부위보다 상기 뱅크 리던던시 패턴에 대응하여 더 길게 진행하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the developing time is longer than the portion corresponding to the bank corresponding to the bank redundancy pattern during the development. 제 1항에 있어서,
상기 박막 적층체의 무기막은 상기 외곽 영역에서, 상기 뱅크 외측으로 나오도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the inorganic film of the thin film laminate is formed so as to protrude outside the bank in the outer region. 제 1항에 있어서,
상기 패드 전극 상의 상기 뱅크 리던던시 패턴과 그 상부에 잔류한 박막 적층체를 함께 제거하는 단계는, 상기 뱅크 리던던시 패턴을 스트립하는 스트리퍼를 이용하여, 리프트 오프하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the step of removing the bank redundancy pattern on the pad electrode and the thin film stacked body remaining on the pad electrode is performed by lift-off using a stripper stripping the bank redundancy pattern. Way. 액티브 영역과 외곽 영역을 갖는 기판;
상기 액티브 영역에 구비된 박막 트랜지스터 어레이와, 상기 외곽 영역 중 상기 액티브 영역의 에지와 일정 간격 이격하여 구비된 패드 전극;
상기 박막 트랜지스터 어레이 상에 복수개의 화소 영역을 나누며, 네거티브 감광성 수지로 이루어진 뱅크;
상기 액티브 영역에, 각 화소 영역에 형성된 양극, 발광층 및 음극을 포함하는 유기 발광 소자; 및
상기 액티브 영역의 유기 발광 소자의 상부를 덮으며, 무기막, 유기막이 교번되어 이루어지고 최상층을 무기막으로 하는 박막 적층체를 포함하며,
상기 박막 적층체의 무기막은 2층 이상이며,
상기 박막 적층체의 무기막들만 상기 외곽 영역으로 연장되어 층상에서 서로 접하며, 상기 패드 전극 부위를 제외하여 상기 기판 상의 외곽 영역을 덮고
상기 박막 적층체의 유기막은 적어도 액티브 영역을 커버하고, 상기 액티브 영역의 에지와 상기 패드 전극 사이의 영역에서, 상기 외곽 영역에 연장된 무기막들에 의해 갇힌 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.A substrate having an active region and an outer region;
A thin film transistor array provided in the active region; a pad electrode spaced apart from the edge of the active region by a predetermined distance;
A bank formed of a negative photosensitive resin, which divides a plurality of pixel regions on the thin film transistor array;
An organic light emitting element including an anode, a light emitting layer, and a cathode formed in each pixel region in the active region; And
A thin film laminate which covers an upper portion of the organic light emitting device of the active region and in which an inorganic film and an organic film are alternated and an uppermost layer is an inorganic film,
Wherein the inorganic film of the thin film laminate has two or more layers,
Only the inorganic films of the thin-film stacked body extend to the outer region and come into contact with each other on the layer, covering the outer region on the substrate except for the portion of the pad electrode
Wherein the organic film of the thin film stack covers at least an active region and is trapped by inorganic films extending in the peripheral region in a region between the edge of the active region and the pad electrode. 제 14항에 있어서,
상기 박막 적층체는 상기 액티브 영역 에지의 뱅크 외측으로 나오도록 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the thin film stack is formed so as to protrude outside the bank of the active region edge.
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