KR101889627B1 - 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 몰드를 사용하여 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치를 제공하고, 이 장치는 임프린트재를 기판 상에 토출하는 토출구를 구비하는 노즐, 몰드를 유지하도록 구성되는 유지 유닛, 임프린트재를 사용한 몰드의 패턴의 충전을 촉진하는 가스를 유지 유닛과 기판 상의 임프린트재 사이의 부분에 공급하도록 구성되는 공급 유닛, 및 노즐이 설치된 가스 유닛을 포함하고, 가스 유닛은, 노즐과, 노즐 아래에 반송되며 노즐과 대면하는 기판의 부분 사이의 제1 공간으로 가스가 유동하는 것을 억제하기 위해, 제1 공간 주위의 제2 공간에 대해 가스 공급 또는 배출을 수행한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에서, 스테퍼 또는 스캐너 등의 노광 장치를 대신하는 리소그래피 장치로서, 임프린트 기술을 사용하는 임프린트 장치가 주목 받고 있다. 임프린트 장치는, 도포 단계, 압인 단계, 경화 단계 및 이형 단계를 포함하는 임프린트 처리를 행함으로써, 기판 상에 패턴을 형성(전사)한다. 도포 단계에서, 수지(레지스트)가 기판 상에 도포된다. 압인 단계에서, 기판 상의 수지, 및 미세한 3차원 패턴이 형성된 몰드가 서로 접촉되고, 몰드에 형성된 3차원 패턴(오목부)은 수지를 사용하여 충전된다. 경화 단계에서, 기판 상의 수지 및 몰드가 서로 접촉된 상태에서 수지가 경화된다. 이형 단계에서, 기판 상의 경화된 수지로부터 몰드가 분리된다.
임프린트 장치에서는, 압인 단계에서 기포가 몰드의 3차원 패턴(오목부)에 잔류할 수 있다. 이 경우, 기판 상에 형성되는 패턴에 문제점(미충전 결함)이 발생하고, 따라서 기판 상에 정확한 패턴을 형성하는 것을 불가능하게 한다. 몰드의 3차원 패턴에 잔류하는 기포는 시간이 경과함에 따라 사라지지만, 그 때까지 많은 시간이 요구된다.
따라서, 생산량(생산성)의 저하를 방지하기 위해, 일본 특허 제3700001호는 기판 상의 수지 및 몰드가 서로 가압될 때 압력 상승에 의해 응축하고 액화되는 응축성 가스의 분위기에서, 압인 단계 및 이형 단계를 수행하는 임프린트 장치를 제안한다.
임프린트 장치에서, 장치의 점유 면적 및 생산량의 관점에서, 일반적으로, 기판 상에 수지를 공급(도포)하는 수지 공급 유닛, 및 기판 상의 수지와 몰드를 접촉시키는 임프린트 유닛은 서로 근접하게 배열된다. 따라서, 압인 단계 및 이형 단계에서 사용되는 응축성 가스(즉, 수지를 사용한 충전을 촉진하는 가스)가 수지 공급 유닛이 배열된 공간(수지 공급 환경 내)에 유입할 수 있다. 수지 공급 환경으로의 응축성 가스 유입이 존재하는 경우, 수지가 적절히 공급될 수 없고 기판 상에 공급되는 수지에 불균일이 발생한다. 이 경우, 몰드의 3차원 패턴이 수지로 충분히 충전되지 않는 부분이 발생할 수 있고 미충전 결함이 기판 상에 형성되는 패턴 내에 발생할 수 있다.
본 발명은 기판 상에 공급되는 임프린트재의 불균일을 저감하는 데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치가 제공되고, 이 장치는 임프린트재를 기판 상에 토출하는 토출구를 구비하는 노즐, 몰드를 유지하도록 구성되는 유지 유닛, 임프린트재를 사용한 몰드의 패턴의 충전을 촉진하는 가스를 유지 유닛과 기판 상의 임프린트재 사이의 부분에 공급하도록 구성되는 공급 유닛, 및 노즐이 설치된 가스 유닛을 포함하고, 가스 유닛은, 노즐 아래로 반송되며 노즐과 대면하는 기판의 부분과 노즐 사이의 제1 공간으로 가스가 유동하는 것을 억제하기 위해, 제1 공간 주위의 제2 공간에 대해 가스 공급 또는 배출을 수행한다.
본 발명의 추가 양태는 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따르는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 임프린트 장치의 노즐 및 가스 유닛의 근방을 도시하는 개략도.
도 3은 도 1에 도시된 임프린트 장치에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명의 바람직한 실시예가 첨부 도면을 참조하여 후술될 것이다. 도면에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내고 이의 반복 설명은 제공되지 않는 점에 유의한다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따르는 임프린트 장치(1)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(1)는 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 사용되고, 기판 상의 임프린트재를 몰드를 사용하여 성형하여 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 본 실시예에서, 임프린트 장치(1)는 임프린트재로서 수지를 사용하고, 수지의 경화법으로서, 자외선(UV 광)의 조사에 의해 수지를 경화시키는 광경화법을 채용한다.
임프린트 장치(1)는 정반(2), 기판 스테이지(3), 기판 척(4), 임프린트 헤드(7), 가스 공급 유닛(12), 수지 공급 유닛(13), 가스 회수 유닛(14), 및 제어 유닛(15)을 포함한다. 제어 유닛(15)은 CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 장치(1)의 전체(동작)를 제어한다.
기판 스테이지(3)는 정반(2) 상에서 수평 면(X-Y 면) 내에서 이동 가능하도록 배열된다. 기판 스테이지(3)는 기판 척(4)을 지지한다. 기판 척(4)은 기판(5)을 유지(진공-흡착)한다. 임프린트 헤드(7)는 몰드(6)를 유지하는 유지 유닛으로서 기능하고 몰드(6)를 상하 방향(Z 방향)으로 이동시키고, 이에 의해 기판 상의 수지(11) 및 몰드(6)를 서로 접촉(압인)시키거나, 기판 상의 수지(11)로부터 몰드(6)를 분리(이형)한다. 압인 또는 이형은 몰드(6)를 이동시키는 것이 아니라 기판(5)(기판 스테이지(3)) 또는 몰드(6) 및 기판(5)을 상하 방향으로 이동시키는 것에 의해 수행될 수 있는 점에 유의한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 수지 공급 유닛(13)은 수지(11)를 기판(5) 상에 토출하는 토출구(DO)를 구비하는 노즐(13a)을 포함한다. 수지 공급 유닛(13)은 기판 스테이지(3)에 의해 노즐(13a) 아래로 반송되고 노즐(13a)과 대면하는 기판(5)의 부분(도포 예정 영역)에 수지(11)를 공급(도포)한다. 기판 스테이지(3)는 수지(11)가 수지 공급 유닛(13)에 의해 그 위에 공급된 기판(5)을, 임프린트 헤드(7)에 의해 유지된 몰드(6)(의 패턴) 아래로 반송한다.
가스 공급 유닛(12)은 예를 들어 수지 공급 유닛(13)과 임프린트 헤드(7) 사이에 배열된다. 가스 공급 유닛(12)은 수지(11)를 사용한 몰드(6)(의 패턴)의 충전을 촉진하는 가스를, 기판 상의 수지(11)와 임프린트 헤드(7)(임프린트 헤드(7)에 의해 유지된 몰드(6)) 사이의 부분에 공급한다. 가스 공급 유닛(12)은 예를 들어 기판 상의 수지(11) 및 몰드(6)가 서로에 대해 가압될 때 압력 상승에 의해 응축하고 액화되는 응축성 가스를 공급한다. 본 실시예에서, 가스 공급 유닛(12)은 응축성 가스로서 기능하는 펜타플루오로프로판을 공급한다.
가스 회수 유닛(14)은 가스 공급 유닛(12)에 근접해서 배치된다. 가스 회수 유닛(14)은 예를 들어 배출 펌프나 흡인 장치를 포함하고, 가스 공급 유닛(12)로부터 기판 상의 수지(11)와 임프린트 헤드(7) 사이의 부분에 공급된 가스(응축성 가스)를 회수한다.
임프린트 장치(1)에서, 수지(11)가 그 위에 공급된 기판(5)이 몰드(6) 아래에 위치설정될 때, 가스 공급 유닛(12)은 몰드(6)와 기판 상의 수지(11) 사이의 부분에 응축성 가스를 공급(충전)한다. 응축성 가스가 몰드(6)와 기판 상의 수지(11) 사이의 부분에 충전될 때, 기판 상의 수지(11) 및 몰드(6)는 서로 접촉하게 되고, 수지(11)는 몰드(6)를 개재해서 자외선으로 조사되고, 이에 의해 수지(11)를 경화시킨다. 그리고, 몰드(6)의 패턴은 기판 상의 경화된 수지(11)로부터 몰드(6)를 분리함으로써 기판(5) 상에 형성된다.
본 발명자는 몰드(6)와 기판 상의 수지(11) 사이의 부분에 공급되는 응축성 가스, 본 실시예에서, 펜타플루오로프로판은 수지(11)에 대하여 여러 영향을 미치는 점을 확인하였다. 더 구체적으로, 공기 분위기에 비해 펜타플루오로프로판 분위기에서, 수지(11)의 점도는 약 50%, 수지(11)의 표면 장력은 약 10% 변하는 점(즉, 수지(11)의 물성값이 변함)이 실험에 의해 확인되었다.
따라서, 이 응축성 가스의 분위기 하에서 수지 공급 유닛(13)이 기판(5)에 수지(11)를 공급하는 경우, 수지(11)는 수지(11)의 물성값 변화로 인해 적절히 공급될 수 없고 기판 상에 공급된 수지(11)에 불균일이 발생한다.
이를 방지하기 위해, 본 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 수지 공급 유닛(13)의 노즐(13a)은 가스(공급/배출) 유닛(8) 및 검지 유닛(9)을 포함한다. 각각의 가스 유닛(8)은 가스 회수 유닛(14)에 의해 회수되지 않고 잔류하는 응축성 가스가 노즐(13a) 아래로, 즉, 노즐(13a)과, 노즐(13a) 아래로 반송되며 노즐(13a)과 대면하는 기판(5)의 부분 사이의 제1 공간(SP1)으로, 유동하는 것을 억제하는 기능을 갖는다. 본 실시예에서, 각각의 가스 유닛(8)은 제1 공간(SP1)의 주위의 제2 공간(SP2) 상에 가스를 공급 또는 배출함으로써 그리고 제1 공간(SP1)의 분위기를 격리함으로써 응축성 가스가 제1 공간(SP1)으로 유동하는 것을 억제한다.
각각의 검지 유닛(9)은 예를 들어 대응하는 가스 유닛(8)에 인접해서 배열되고, 제2 공간(SP2)으로 유동하는 응축성 가스의 유무 및 농도를 검지한다. 굴절률의 변화를 사용하여 응축성 가스를 검지하는 센서와 같이, 관련 분야에 공지된 임의의 구성이 각각의 검지 유닛(9)에 적용될 수 있다. 본 실시예에서, 각각의 검지 유닛(9)은 산소 비율을 측정하는 센서를 사용하여 응축성 가스의 유무를 검지한다.
본 실시예에서, 각각의 가스 유닛(8)은 항상 가스를 공급 또는 배출하지는 않고, 후술되는 바와 같이, 검지 유닛(9)이 응축성 가스를 검지할 때 가스의 공급 또는 배출을 개시한다. 그러나, 각각의 가스 유닛(8)은 검지 유닛(9)의 검지 결과에 관계없이, 항상 가스를 공급 또는 배출하도록 구성될 수 있다. 제어 유닛(15)은 각각의 가스 유닛(8)에 의해 공급되거나 배출되는 가스량을 제어한다. 제어 유닛(15)은 가스 공급량 또는 가스 배출량을 증가 또는 감소시킬 수 있다.
본 실시예에서, 가스 유닛(8) 및 검지 유닛(9)은 기판(5)의 반송 방향에 대해 노즐(13a)을 사이에 끼워서 설치된다. 그러나, 이들은 임프린트 헤드 측에만 설치될 수 있다. 또한, 가스 유닛(8)은 노즐(13a)을 둘러싸도록 설치될 수 있다(즉, 가스를 공급 또는 배출하는 공간이 제1 공간(SP1)을 둘러쌈). 또한, 가스 유닛(8)과 검지 유닛(9) 사이의 위치 관계는 노즐(13a)에 대해 반전될 수 있다.
도 3을 참조하여, 임프린트 장치(1)에서의 임프린트 처리가 설명될 것이다. 제어 유닛(15)은 임프린트 장치(1)의 각 유닛을 통괄적으로 제어하고 이에 의해 임프린트 처리를 수행한다. 또한, 여기서 각각의 가스 유닛(8)은 제2 공간(SP2)으로부터 배출을 수행하는 것으로 상정한다.
단계(S1001)에서, 기판 반송 기구(미도시)는 기판(5)을 임프린트 장치(1)의 외부로부터 임프린트 장치(1)로 반입한다. 단계(S1002)에서, 임프린트 장치(1)에 반입된 기판(5)은 정렬 기구로 반송되고, 기판(5)을 기판 스테이지(3)로 반송하기 위해 기판(5)의 정렬이 수행된다.
단계(S1003)에서, 정렬이 완료된 기판(5)은 기판 척(4)으로 반송되고 기판 척(4)은 기판(5)을 유지한다. 단계(S1004)에서, 기판(5)의 대상 샷 영역(임프린트 처리가 수행되는 샷 영역)에 수지(11)를 공급하기 위해, 기판 스테이지(3)는 수지 공급 유닛(13)(노즐(13a)) 아래로, 즉, 제1 공간(SP1)으로 이동을 개시한다. 또한, 기판 스테이지(3)의 이동 개시와 함께, 각각의 검지 유닛(9)은 제1 공간(SP1)으로 유동하는 응축성 가스를 검지한다(즉, 제2 공간(SP2)에서의 응축성 가스의 유무 및 농도를 검지한다).
단계(S1005)에서, 각각의 검지 유닛(9)은 응축성 가스가 검지되는지 여부가 판정된다. 각각의 검지 유닛(9)이 응축성 가스를 검지하는 경우, 처리는 단계(S1006)로 진행한다. 각각의 검지 유닛(9)이 응축성 가스를 검지하지 않는 경우, 처리는 단계(S1010)로 진행한다.
단계(S1006)에서, 각각의 가스 유닛(8)에 의해 배출되는 제2 공간(SP2) 내의 가스의 레벨은 하나만큼 증가된다. 가스 배출 레벨은 각각의 가스 유닛(8)에 의해 배출되는 가스의 양을 나타내고 배출 레벨이 낮을수록 가스 배출량이 감소되고, 반대의 경우도 마찬가지이다. 즉, 단계(S1006)에서, 각각의 가스 유닛(8)에 의해 배출되는 제2 공간(SP2) 상의 가스량은 증가된다. 각각의 가스 유닛(8)이 아직 제2 공간(SP2)의 가스 배출을 개시하지 않은 경우(가스 배출 레벨이 "0"임), 가스 유닛(8)은 단계(S1006)에서 제2 공간(SP2)의 가스 배출을 개시한다.
단계(S1007)에서, 기판 스테이지(3)는 제1 공간(SP1)으로의 이동을 정지한다. 단계(S1008)에서, 기판 스테이지(3)는 기판 스테이지(3)가 제1 공간(SP1)로부터 이격되는 방향으로의 이동을 개시한다(즉, 기판 스테이지(3)의 이동이 반전됨). 단계(S1009)에서, 기판 스테이지(3)가 제1 공간(SP1)로부터 이격되는 방향으로 미리 정해진 거리만큼(예를 들어, 몰드(6) 아래로) 이동될 때의 시점에서 기판 스테이지(3)는 이동을 정지하고, 처리는 단계(S1004)로 복귀한다.
단계(S1004 내지 S1009)에서 각각의 검지 유닛(9)이 응축성 가스를 검지하는 동안, 각각의 가스 유닛(8)에 의해 수행되는 제2 공간(SP2) 상의 배출량은 점차 증가한다. 본 실시예에서, 각각의 가스 유닛(8)에 의해 수행되는 제2 공간(SP2) 내의 배출 레벨이 하나만큼 증가한 후(단계(S1006)), 기판 스테이지(3)는 제1 공간(SP1)로의 이동을 정지한다(단계(S1007)). 그러나, 각각의 가스 유닛(8)에 의해 수행되는 제2 공간(SP2) 내의 배출 레벨은 기판 스테이지(3)가 제1 공간(SP1)으로의 이동을 정지한 후 하나씩 증가될 수 있고, 또는 이들이 동시에 발생할 수 있다. 또한, 각각의 가스 유닛(8)에 의해 수행되는 제2 공간(SP2) 상의 배출량을 점자 증가시키는 대신, 제2 공간(SP2)에 대한 배출량은 단계(S1006)에서 각각의 검지 유닛(9)에 의해 검지된 응축성 가스의 농도(즉, 농도에 대응하는 배출량)에 따라서 증가할 수 있다. 각각의 검지 유닛(9)이 응축성 가스를 검지하는 동안 기판 스테이지(3)는 제1 공간(SP1)으로 이동하지 않기 때문에(기판(5)은 노즐(13a) 아래로 반송되지 않음), 수지 공급 유닛(13)(노즐(13a))은 기판 상으로의 수지(11)의 토출을 정지하는 점에 유의한다.
단계(S1010)에서, 각각의 가스 유닛(8)은 제2 공간(SP2)에 대한 배출을 정지한다. 단계(S1011)에서, 수지 공급 유닛(13)(노즐(13a))은 기판(5)의 대상 샷 영역에 수지(11)를 공급한다.
단계(S1012)에서, 수지(11)가 그 위에 공급된 기판(5)의 대상 샷 영역에 몰드(6)의 패턴이 형성된다. 상술된 바와 같이, 기판(5)의 대상 샷 영역은 몰드(6) 아래에 위치설정되고, 가스 공급 유닛(12)은 몰드(6)와 수지(11) 사이의 부분에 응축성 가스를 공급한다. 그리고, 몰드(6)와 기판 상의 수지(11) 사이에 응축성 가스가 충전되는 경우, 기판 상의 수지(11) 및 몰드(6)는 서로 접촉되고, 수지(11)는 몰드(6)를 개재해서 자외선으로 조사되고, 이에 의해 수지(11)를 경화시킨다. 그리고, 몰드(6)는 기판 상의 경화된 수지(11)로부터 분리된다.
단계(S1013)에서, 기판(5)의 모든 샷 영역에 패턴이 형성되는지 여부가 판정된다. 모든 샷 영역에 패턴이 형성되지 않은 경우, 처리는 다음의 대상 샷 영역에 패턴을 형성하기 위해 단계(S1004)로 복귀한다. 모든 샷 영역에 패턴이 형성된 경우, 처리는 단계(S1014)로 진행한다. 단계(S1014)에서, 기판 반송 기구는 패턴이 임프린트 장치(1)로부터 그 위에 형성된 기판(5)을 반출하고, 처리를 종료한다.
상술된 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 수지(11)를 사용한 몰드(6)의 충전을 촉진하는 가스를 사용하더라도, 가스 유닛(8)은 가스가 노즐(13a) 아래의 부분(제1 공간(SP1)) 내로 유동하는 것을 억제할 수 있다. 이는 수지 공급 유닛(13)이 수지(11)를 적절하게 공급하는 것을 허용한다(즉, 기판 상에 수지(11)를 균일하게 공급함). 따라서, 임프린트 장치(1)는 임의의 미충전 결함을 발생시키지 않고 기판 상에 정확한 패턴을 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 각각의 가스 유닛(8)이 제2 공간(SP2)으로부터 배출을 수행하는 경우가 설명되었다. 그러나, 상술된 바와 같이, 각각의 가스 유닛(8)이 제2 공간(SP2)으로 가스 공급을 수행하는 경우(즉, 에어 커튼을 형성함) 마찬가지의 효과가 또한 획득될 수 있다. 또한, 각각의 가스 유닛(8)이 제2 공간(SP2)으로부터 배출을 수행하고 그 배출량이 증가하는 경우, 기화열, 난류 등이 발생할 수 있다. 이들을 억제할 수 있는 경우, 검지 유닛(9)을 설치할 필요가 없다.
물품으로서 기능하는 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법이 설명될 것이다. 제조 방법은 임프린트 장치(1)를 사용하여 패턴을 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 형상 기판 등)에 형성하는 단계를 포함한다. 제조 방법은 패턴이 그 위에 형성된 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다. 처리 단계는 패턴의 잔류막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 처리 단계는 패턴을 마스크로서 사용하여 기판을 에칭하는 단계 등의 다른 공지된 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따르는 물품의 제조 방법은 종래 방법에 비해, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
본 발명은 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었으나, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 제한되지 않는 점이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형 및 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
본 출원은 그 전체가 본 개시내용에 참조로 통합된, 2014년 3월 17일자로 출원된 일본 특허출원 제2014-053981호의 우선권을 주장한다.

Claims (12)

  1. 기판 상에 패턴을 형성하도록 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치이며,
    상기 임프린트재를 상기 기판 상으로 토출하도록 구성된 노즐,
    상기 몰드를 유지하도록 구성된 유지 유닛,
    상기 임프린트재를 사용하는 상기 몰드의 패턴의 충전을 촉진하는 가스를, 상기 유지 유닛과 상기 기판 상의 임프린트재 사이의 공간에 공급하도록 구성된, 가스 공급 유닛,
    상기 가스가 상기 공간의 외부로 유동하는 것을 억제하기 위해 상기 공간에 공급되는 가스를 회수하도록 구성된 가스 회수 유닛, 및
    상기 노즐과 상기 가스 회수 유닛에서 상기 가스가 회수되어 들어가는 부분 사이에, 가스 공급 또는 가스 배출이 되는 부분을 포함하는 가스 유닛을 포함하고,
    상기 가스 유닛은, 상기 공간의 외부에 있는 가스가 상기 노즐의 아래로 유동하는 것을 억제하기 위해 가스 공급 또는 가스 배출을 수행하도록 구성된, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공간의 외부에 있는 가스를 검지하도록 구성된 검지 유닛을 더 포함하고,
    상기 가스 유닛은, 상기 검지 유닛이 상기 가스를 검지하는 경우, 상기 가스 공급 또는 상기 가스 배출을 개시하도록 구성된, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공간의 외부에 있는 가스를 검지하도록 구성되는 검지 유닛을 더 포함하고,
    상기 가스 유닛은, 상기 검지 유닛이 상기 가스를 검지하는 경우, 상기 가스 공급의 양 또는 상기 가스 배출의 양을 증가시키도록 구성된, 임프린트 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 가스 유닛은 상기 검지 유닛에 의해 검지된 가스의 농도에 따라 상기 가스 공급의 양 또는 상기 가스 배출의 양을 증가시키도록 구성된, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 공간의 외부에 있는 가스를 검지하도록 구성된 검지 유닛,
    상기 기판을 유지하도록 구성된 이동 가능한 스테이지, 및
    상기 검지 유닛이 상기 가스를 검지하는 경우, 상기 스테이지를 정지시키도록 구성된 제어 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 스테이지가 정지된 후, 상기 스테이지를, 상기 스테이지가 정지되기 전에 상기 스테이지가 이동하는 방향의 반대 방향으로 이동시키도록 구성된, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공간의 외부에 있는 가스를 검지하도록 구성된 검지 유닛, 및
    상기 검지 유닛이 상기 가스를 검지하는 동안 상기 노즐이 상기 임프린트재를 상기 기판 상으로 토출하지 않게 하도록 구성된 제어 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 또는 가스 배출이 되는 부분은 상기 노즐을 사이에 개재하도록 배치된, 임프린트 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은, 상기 기판 상의 임프린트재와 상기 몰드가 서로 가압되어 응축성 가스의 압력 증가가 발생함으로 인해 응축하는 상기 응축성 가스를 상기 가스로서 공급하도록 구성된, 임프린트 장치.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 가스 유닛을 구비하는, 임프린트 장치.
  11. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 유닛은, 상기 노즐 아래의 공간 주위의 공간에 대하여 상기 가스 공급 또는 상기 가스 배출을 수행하도록 구성된, 임프린트 장치.
  12. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 제1 단계, 및
    상기 패턴이 형성된 기판을 가공하여 상기 물품을 제조하는 제2 단계를 포함하고,
    상기 임프린트 장치는 상기 기판 상에 상기 패턴을 형성하도록 몰드를 사용하여 상기 기판 상에 임프린트재를 성형하고, 상기 임프린트 장치는,
    상기 임프린트재를 상기 기판 상으로 토출하도록 구성된 노즐,
    상기 몰드를 유지하도록 구성된 유지 유닛,
    상기 임프린트재를 사용하는 상기 몰드의 패턴의 충전을 촉진하는 가스를, 상기 유지 유닛과 상기 기판 상의 임프린트재 사이의 공간에 공급하도록 구성된, 가스 공급 유닛,
    상기 가스가 상기 공간의 외부로 유동하는 것을 억제하기 위해 상기 공간에 공급되는 가스를 회수하도록 구성된 가스 회수 유닛, 및
    상기 노즐과 상기 가스 회수 유닛에서 상기 가스가 회수되어 들어가는 부분 사이에, 가스 공급 또는 가스 배출이 되는 부분을 포함하는 가스 유닛을 포함하고,
    상기 제1 단계에서는, 상기 공간의 외부에 있는 가스가 상기 노즐의 아래로 유동하는 것을 억제하기 위해 상기 가스 유닛이 가스 공급 또는 가스 배출을 수행하는, 물품의 제조 방법.
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