KR101884180B1 - Automatic test equipment pin driver circuit - Google Patents

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KR101884180B1 KR1020180025370A KR20180025370A KR101884180B1 KR 101884180 B1 KR101884180 B1 KR 101884180B1 KR 1020180025370 A KR1020180025370 A KR 1020180025370A KR 20180025370 A KR20180025370 A KR 20180025370A KR 101884180 B1 KR101884180 B1 KR 101884180B1
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오세경
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Abstract

The present invention relates to a pin driver circuit of automatic test equipment, implemented with a single channel by combining a driver for a high-speed signal and a driver for a low-speed signal in the pin driver circuit that is a signal output unit in the automatic test equipment (ATE). The pin driver circuit of automatic test equipment includes: a high-speed driver unit for outputting the high-speed signal; a low-speed driver unit for outputting the low-speed signal; a sensing unit for generating a driver selection signal corresponding to an output voltage signal according to the output voltage signal; and a selection unit for selecting one of the high-speed driver unit and the low-speed driver unit according to the driver selection signal generated by the sensing unit.

Description

반도체검사장비 핀 드라이버 회로{Automatic test equipment pin driver circuit}Technical Field [0001] The present invention relates to a pin driver circuit,

본 발명의 기술 분야는 반도체검사장비 핀 드라이버 회로에 관한 것으로, 특히 반도체검사장비(Automatic Test Equipment; ATE)에서 신호출력부인 핀 드라이버 회로(Pin Driver Circuit)에 고속신호용 드라이버와 저속신호용 드라이버를 결합하여 단일채널로 구현한 반도체검사장비 핀 드라이버 회로에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pin driver circuit for a semiconductor inspection apparatus, and more particularly to a pin driver circuit for a semiconductor testing equipment, and more particularly to a pin driver circuit for a semiconductor testing equipment, To a pin driver circuit for semiconductor inspection equipment implemented in a single channel.

반도체검사장비(Automatic Test Equipment; ATE)는 컴퓨터로 구동되는 반도체, 전자회로, 인쇄회로기판 어셈블리 등과 같은 디바이스를 테스트하는 자동화된 시스템을 말하며, ATE에 의해 테스트되는 디바이스는 피시험디바이스(Device under Test; DUT)라고 한다. 이러한 반도체검사장비는, 대응하는 기능을 가지는 컴퓨터 시스템, 테스팅 디바이스(Testing Device) 또는 단일 디바이스를 포함한다. 그리고 테스팅 디바이스의 일부로는 핀 일렉트로닉스(Pin Electronics; PE)가 있으며, 핀 일렉트로닉스는 DUT를 테스트하는 드라이버, 비교기, 액티브 로드 기능을 포함한다. 이때 드라이버는 테스팅 디바이스 상에서 핀으로 테스트 신호를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] Automatic test equipment (ATE) refers to an automated system for testing devices such as computer-driven semiconductors, electronic circuits, printed circuit board assemblies, etc., ; DUT). Such semiconductor inspection equipment includes a computer system having a corresponding function, a testing device or a single device. Part of the testing device is pin electronics (PE), which includes drivers, comparators, and active load functions to test the DUT. At this point, the driver provides a test signal to the pin on the testing device.

한국등록특허 제10-1257246호(2013.04.17 등록)는 자동 시험 장비(ATE)에 사용되는 테스터와 같은 핀 디바이스를 구동하는 핀 일렉트로닉스 드라이버에 관하여 개시되어 있다. 개시된 기술에 따르면, 테스팅 디바이스로 제어 신호를 공급하도록 설정된 컴퓨터 시스템; 및 제어 신호에 따라 반도체 디바이스를 테스트하도록 설정된 테스팅 디바이스로서, 반도체 디바이스로 전압을 공급하는 핀과, 전압을 핀으로 드라이브하도록 설정된 드라이버를 포함하는 테스팅 디바이스를 포함하고, 드라이버는: 테스트 신호를 제 1 임피던스 경로를 통해 반도체 디바이스로 공급하도록 설정된 제 1 드라이버 회로, 및 제 2 임피던스 경로를 통해 반도체 디바이스로 프로그래밍 신호의 적어도 일부를 공급하도록 설정된 제 2 드라이버 회로로서, 프로그래밍 신호는 테스트 신호보다 고전압이고, 제 2 임피던스 경로는 제 1 임피던스 경로보다 더 낮은 임피던스를 가지는 제 2 드라이버 회로를 구비하고 있으며, 제 2 드라이버회로는, 전류를 출력하도록 설정된 전류 공급기; 입력 전압 신호에 응답하여 출력 신호를 생성하도록 설정된 증폭기; 증폭기와 전류 공급기 사이에 있고, 출력 신호에 응답하여 닫히도록 설정되는 제 1 스위치 회로를 포함하고, 제 1 스위치 회로가 닫히면, 전류 공급기로부터 출력된 출력 전류는 제 1 스위치 회로를 통과하고 제 2 임피던스 경로를 통과하여 프로그래밍 신호의 적어도 일부를 생성하는 것을 특징으로 한다.Korean Registered Patent No. 10-1257246 (registered on April 17, 2013) discloses a pin electronics driver for driving a pin device such as a tester used in an automatic test equipment (ATE). According to the disclosed technique, a computer system configured to supply a control signal to a testing device; And a testing device configured to test the semiconductor device according to a control signal, the testing device comprising: a testing device comprising a pin for supplying a voltage to a semiconductor device and a driver configured to drive a voltage to a pin, the driver comprising: And a second driver circuit configured to supply at least a portion of the programming signal to the semiconductor device via a second impedance path, wherein the programming signal is at a higher voltage than the test signal, The second impedance circuit includes a second driver circuit having a lower impedance than the first impedance path, and the second driver circuit includes: a current supplier configured to output a current; An amplifier configured to generate an output signal in response to an input voltage signal; And a first switch circuit between the amplifier and the current supply, the first switch circuit being set to close in response to the output signal, and when the first switch circuit is closed, the output current output from the current supply passes through the first switch circuit, And generating at least a portion of the programming signal through the path.

한국등록특허 제10-0905507호(2009.06.24 등록)는 단일 집적회로(IC) 또는 칩 상에 높은 전압을 제공하기 위해 고전압 기능부를 가진 핀 전자기기에 관하여 개시되어 있다. 개시된 기술에 따르면, 피시험 디바이스와 함께 사용하기 위한 자동 테스트 장치(ATE)로서, ATE는, 집적회로로서, 제2전압을 가진 출력부를 갖춘 핀 전자기기(PE) 구동기; 제2전압 보다 더 큰 제1전압을 가진 고전압 핀; 및 PE 구동기의 출력부와 고전압 핀에 연결된 버퍼를 포함하는 IC를 포함하고, 버퍼는, PE 구동기의 출력부에 연결된 입력부를 가진 제1증폭기; 터미네이션 전압에 연결된 입력부를 가진 제2증폭기; 및 제1모드에서, 제1증폭기와 고전압 핀 사이의 제1전기연결을 이루고, 제2모드에서, 제2증폭기와 고전압 핀 사이의 제2전기연결을 이루도록 구성된 스위칭 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 한다.Korean Patent No. 10-0905507 (registered on Jun. 24, 2009) discloses a pin electronic device having a high voltage function to provide a high voltage on a single integrated circuit (IC) or chip. According to the disclosed technique, an automatic test apparatus (ATE) for use with a device under test, the ATE comprising: a pin electronics (PE) driver having as an integrated circuit an output having a second voltage; A high voltage pin having a first voltage greater than the second voltage; And an IC including a buffer coupled to the output of the PE driver and to the high voltage pin, the buffer comprising: a first amplifier having an input coupled to the output of the PE driver; A second amplifier having an input connected to a termination voltage; And a switching mechanism configured to establish a first electrical connection between the first amplifier and the high voltage pin in the first mode and to establish a second electrical connection between the second amplifier and the high voltage pin in the second mode .

상술한 바와 같은 종래 기술에서는, 반도체검사장비에서 신호출력부인 핀 드라이버 회로에 반도체검사장비 전용으로만 사용하는 핀 드라이버 IC(집적회로)를 사용하였다. 고가의 반도체검사장비의 경우에, ATE 전용 핀 드라이버 IC를 사용하여 다양한 전압의 반도체소자를 검사할 수 있으나, 이러한 ATE 전용 핀 드라이버 IC가 고가인 문제점이 있었다. 다시 말해서, ATE 전용 핀 드라이버 IC는 출력신호 전압 범위가 넓고 고속신호까지 출력이 가능하나, 고가인 문제점이 있으며, 또한 채널수가 많은 제품이 없어서, 고밀도 집적이 어려워, 다채널을 구현하기 어려울 뿐만 아니라, 넓은 전압 범위를 가지므로 발열이 심하게 발생하는 문제점도 있었다.In the above-described prior art, a pin driver IC (integrated circuit) used only for semiconductor inspection equipment is used for the pin driver circuit which is the signal output portion in the semiconductor inspection equipment. In the case of expensive semiconductor inspection equipment, it is possible to inspect semiconductor devices of various voltages by using an ATE-dedicated pin driver IC, but such an ATE-dedicated pin driver IC is expensive. In other words, the ATE-dedicated pin driver IC has a wide output signal voltage range and can output high-speed signals, but it is expensive, and since there is no product with a large number of channels, high density integration is difficult, , There is a problem that heat generation is severe due to the wide voltage range.

한국등록특허 제10-1257246호Korean Patent No. 10-1257246 한국등록특허 제10-0905507호Korean Patent No. 10-0905507

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전술한 바와 같은 단점을 해결하기 위한 것으로, 반도체검사장비(Automatic Test Equipment; ATE)에서 신호출력부인 핀 드라이버 회로(Pin Driver Circuit)에 고속신호용 드라이버와 저속신호용 드라이버를 결합하여 단일채널로 구현한 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a high speed signal driver and a low speed signal driver in a pin driver circuit which is a signal output part in an automatic test equipment (ATE) To provide a pin driver circuit for semiconductor inspection equipment implemented as a single channel.

상술한 과제를 해결하는 수단으로는, 본 발명의 한 특징에 따르면, 고속신호를 출력시켜 주는 고속드라이버부; 저속신호를 출력시켜 주는 저속드라이버부; 출력신호 전압에 따라 이에 대응하는 드라이버선택신호를 생성시켜 주는 감지부; 및 상기 감지부에서 생성시킨 드라이버선택신호에 따라 상기 고속드라이버부와 상기 저속드라이버부 중 하나를 선택하는 선택부를 포함하는 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제공한다.According to one aspect of the present invention, there is provided a means for solving the above-mentioned problems, comprising: a high-speed driver unit for outputting a high-speed signal; A low speed driver unit for outputting a low speed signal; A sensing unit for generating a driver selection signal corresponding to the output signal voltage; And a selection unit selecting one of the high speed driver unit and the low speed driver unit according to a driver selection signal generated by the sensing unit.

일 실시 예에서, 상기 감지부는, 반도체검사장비의 테스트 프로그램에서 작성한 출력신호 전압을 인식하고, 인식된 출력신호 전압에 대응하는 드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the sensing unit recognizes an output signal voltage generated in a test program of the semiconductor inspection equipment, and generates a driver selection signal corresponding to the recognized output signal voltage.

일 실시 예에서, 상기 감지부는, 반도체검사장비의 소프트웨어에서 자동으로 출력신호 전압과 주파수를 감지하고, 감지된 출력신호 전압과 주파수에 대응하는 드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the sensing unit may automatically sense an output signal voltage and frequency in software of the semiconductor inspection equipment, and generate a driver selection signal corresponding to the sensed output signal voltage and frequency.

일 실시 예에서, 상기 감지부는, 반도체검사장비의 패턴 프로그램에서의 사용자 선택을 인식하고, 인식된 사용자 선택에 대응하는 드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the sensing unit recognizes a user selection in a pattern program of the semiconductor inspection equipment, and generates a driver selection signal corresponding to the recognized user selection.

일 실시 예에서, 상기 감지부는, 출력신호 전압이 노멀전압 또는 특정전압 미만인 경우에 제1드라이버선택신호를 생성하며, 출력신호 전압이 노멀전압 또는 특정전압 이상인 경우에 제2드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the sensing unit generates a first driver selection signal when the output signal voltage is lower than a normal voltage or a specific voltage, and generates a second driver selection signal when the output signal voltage is higher than a normal voltage or a specific voltage .

일 실시 예에서, 상기 선택부는, 상기 감지부에서 생성한 제1드라이버선택신호를 입력받는 경우에 상기 고속드라이버부를 선택하며, 상기 감지부에서 생성한 제2드라이버선택신호를 입력받는 경우에 상기 저속드라이버부를 선택하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the selection unit selects the high-speed driver unit when receiving the first driver selection signal generated by the sensing unit, and when receiving the second driver selection signal generated by the sensing unit, And selects a driver unit.

일 실시 예에서, 상기 선택부는, 패턴발생기에서 발생시킨 드라이버인에이블과 패턴신호를 타이밍/파형발생기를 거쳐 전달받아, 상기 고속드라이버부와 상기 저속드라이버부 중 선택된 하나로 입력하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the selection unit receives a driver enable signal and a pattern signal generated by the pattern generator through a timing / waveform generator, and inputs the signal to a selected one of the high-speed driver unit and the low-speed driver unit.

일 실시 예에서, 상기 고속드라이버부는, 상기 선택부의 선택에 따라 구동하여 고속신호를 출력시키는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the high-speed driver unit is driven according to the selection of the selection unit to output a high-speed signal.

일 실시 예에서, 상기 고속드라이버부는, 출력신호 전압이 낮은 고속신호용 드라이버인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the high-speed driver section is a driver for a high-speed signal having a low output signal voltage.

일 실시 예에서, 상기 고속드라이버부는, 고속신호를 노멀전압 또는 특정전압까지 출력해 주는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the high-speed driver unit outputs a high-speed signal up to a normal voltage or a specific voltage.

일 실시 예에서, 상기 고속드라이버부는, 고속드라이버하이레벨출력전압에 따라 구동하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the high-speed driver section is driven according to a high-speed driver high-level output voltage.

일 실시 예에서, 상기 저속드라이버부는, 상기 선택부의 선택에 따라 구동하여 저속신호를 출력시키는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the low-speed driver unit is driven according to the selection of the selection unit to output a low-speed signal.

일 실시 예에서, 상기 저속드라이버부는, 출력신호 전압 범위가 넓은 저속신호용 드라이버인 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the low-speed driver section is a low-speed signal driver having a wide output signal voltage range.

일 실시 예에서, 상기 저속드라이버부는, 저속신호를 노멀전압 또는 특정전압 이상으로 출력해 주는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the low-speed driver unit outputs a low-speed signal at a normal voltage or a specific voltage or higher.

일 실시 예에서, 상기 저속드라이버부는, 저속드라이버하이레벨출력전압에 따라 구동하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the low-speed driver section is driven according to a low-speed driver high-level output voltage.

상기 선택부는, 상기 감지부에서 생성한 드라이버선택신호에 따라 동작 선택되는 고속타이밍/파형발생기와 저속타이밍/파형발생기를 구비하는 것을 특징으로 한다.The selection unit includes a high-speed timing / waveform generator and a low-speed timing / waveform generator that are operated according to a driver selection signal generated by the sensing unit.

일 실시 예에서, 상기 고속타이밍/파형발생기는, 상기 감지부로부터 입력되는 제1드라이버선택신호에 따라 구동하여, 패턴발생기에서 발생시킨 드라이버인에이블과 패턴신호를 전달받아, 고속용의 타이밍신호로 파형을 생성시켜 상기 고속드라이버부에 입력하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the high-speed timing / waveform generator is driven in response to a first driver selection signal input from the sensing unit, receives a driver enable signal and a pattern signal generated by the pattern generator, And a waveform is generated and input to the high-speed driver section.

일 실시 예에서, 상기 저속타이밍/파형발생기는, 상기 감지부로부터 입력되는 제2드라이버선택신호에 따라 구동하여, 패턴발생기에서 발생시킨 드라이버인에이블과 패턴신호를 전달받아, 저속용의 타이밍신호로 파형을 생성시켜 상기 저속드라이버부에 입력하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the low-speed timing / waveform generator is driven according to a second driver selection signal input from the sensing unit, receives the driver enable and pattern signals generated by the pattern generator, And a waveform is generated and input to the low-speed driver unit.

일 실시 예에서, 상기 선택부는, 상기 감지부에서 생성한 드라이버선택신호에 따라 상기 고속드라이버부를 선택하기 위한 제1선택스위치와 상기 저속드라이버부를 선택하기 위한 제2선택스위치를 구비하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the selection unit is characterized by comprising a first selection switch for selecting the high-speed driver unit and a second selection switch for selecting the low-speed driver unit in accordance with the driver selection signal generated by the sensing unit .

일 실시 예에서, 상기 제1선택스위치는, 상기 감지부로부터 입력되는 제1드라이버선택신호에 따라 스위칭 온되어, 상기 고속드라이버부로부터 고속신호를 전달받아 출력하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the first selection switch is switched on in response to a first driver selection signal input from the sensing unit, and receives and outputs a high-speed signal from the high-speed driver unit.

일 실시 예에서, 상기 제2선택스위치는, 상기기 감지부로부터 입력되는 제2드라이버선택신호에 따라 스위칭 온되어, 상기 저속드라이버부로부터 저속신호를 전달받아 출력하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the second selection switch is switched on in response to a second driver selection signal input from the upper device sensing unit, and receives and outputs a low speed signal from the low speed driver unit.

일 실시 예에서, 상기 고속드라이버부는, 패턴발생기에서 발생시킨 드라이버인에이블과 패턴신호를 타이밍/파형발생기를 거쳐 전달받아 고속신호로 상기 선택부로 전달시켜 주는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the high-speed driver unit receives a driver enable signal and a pattern signal generated by the pattern generator through a timing / waveform generator, and transmits the signal to the selector through a high-speed signal.

일 실시 예에서, 상기 저속드라이버부는, 패턴발생기에서 발생시킨 드라이버인에이블과 패턴신호를 타이밍/파형발생기를 거쳐 전달받아 저속신호로 상기 선택부로 전달시켜 주는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the low-speed driver unit receives a driver enable signal and a pattern signal generated by the pattern generator through a timing / waveform generator, and transmits the low-speed signal to the selector.

본 발명의 효과로는, 반도체검사장비(Automatic Test Equipment; ATE)에서 신호출력부인 핀 드라이버 회로(Pin Driver Circuit)에 고속신호용 드라이버와 저속신호용 드라이버를 결합하여 단일채널로 구현한 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제공함으로써, 출력신호 전압이 낮은 고속신호뿐만 아니라 출력신호 전압 범위가 넓은 저속신호까지 출력이 가능할 뿐만 아니라, 기존의 ATE 전용 핀 드라이버 IC가 아닌 범용 IC를 사용하여 구현시켜 저가이면서, 또한 채널수가 많은 제품이 있어서, 고밀도 집적이 쉬워, 다채널을 구현하기 쉬우며, 낮은 출력신호 전압과 높은 출력신호 전압으로 나누어져 있어 발열이 심하게 발생하지 않도록 할 수 있는 것이다.As an effect of the present invention, a semiconductor testing apparatus pin driver (hereinafter referred to as " semiconductor testing equipment ") implemented by a single channel by combining a high speed signal driver and a low speed signal driver in a pin driver circuit, which is a signal output unit in a semiconductor test equipment Circuit, it is possible not only to output high-speed signal with low output signal voltage but also to low-speed signal with wide range of output signal voltage, but also to implement it by using general-purpose IC instead of conventional ATE pin driver IC, It is easy to integrate high density, easy to realize multi-channel, divided into low output signal voltage and high output signal voltage, so that heat can be prevented from being generated severely.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제1예로 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제2예로 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제3예로 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제4예로 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제5예로 설명하는 도면이다.1 is a diagram illustrating a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention as a first example.
2 is a diagram illustrating a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention as a second example.
3 is a diagram illustrating a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention as a third example.
4 is a diagram illustrating a pin driver circuit of a semiconductor inspection equipment according to an embodiment of the present invention as a fourth example.
5 is a diagram illustrating a fifth example of a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시 예에 불과하므로, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시 예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시 예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과는 특정 실시예가 이를 전부 포함하여야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the description of the present invention is merely an example for structural or functional explanation, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described in the text. That is, the embodiments are to be construed as being variously embodied and having various forms, so that the scope of the present invention should be understood to include equivalents capable of realizing technical ideas. Also, the purpose or effect of the present invention should not be construed as limiting the scope of the present invention, since it does not mean that a specific embodiment should include all or only such effect.

본 발명에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.The meaning of the terms described in the present invention should be understood as follows.

"제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.The terms "first "," second ", and the like are intended to distinguish one element from another, and the scope of the right should not be limited by these terms. For example, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" to another element, it may be directly connected to the other element, but there may be other elements in between. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. On the other hand, other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이며, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the singular " include "or" have "are to be construed as including a stated feature, number, step, operation, component, It is to be understood that the combination is intended to specify that it does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.All terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise defined. Commonly used predefined terms should be interpreted to be consistent with the meanings in the context of the related art and can not be interpreted as having ideal or overly formal meaning unless explicitly defined in the present invention.

이제 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.A semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제1예로 설명하는 도면이며, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제2예로 설명하는 도면이며, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제3예로 설명하는 도면이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention as a first example, FIG. 2 is a diagram illustrating a pin driver circuit of a semiconductor inspecting apparatus according to an embodiment of the present invention as a second example, 3 is a diagram illustrating a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention as a third example.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 반도체검사장비 핀 드라이버 회로(100)는, 감지부(110), 선택부(120), 고속드라이버부(130), 저속드라이버부(140)를 포함한다.1 to 3, the semiconductor inspection equipment pin driver circuit 100 includes a sensing unit 110, a selection unit 120, a high speed driver unit 130, and a low speed driver unit 140.

감지부(110)는, 출력신호 전압에 따라 이에 대응하는 드라이버선택신호(HS/LS_DRV select signal; SEL)를 생성시켜 선택부(120)로 입력해 준다.The sensing unit 110 generates a driver selection signal HS / LS_DRV select signal SEL corresponding to the output signal voltage and inputs the signal to the selection unit 120.

일 실시 예에서, 감지부(110)는, 반도체검사장비의 테스트 프로그램(test program)에서 작성한 출력신호 전압을 인식하고, 해당 인식된 출력신호 전압에 따라 고속드라이버부(130)와 저속드라이버부(140) 중 하나를 자동으로 선택하도록 해 주기 위한 드라이버선택신호(SEL)를 생성시켜 줌으로써, 사용자가 인식하지 않고도 자동으로 선택 사용할 수 있다.In one embodiment, the sensing unit 110 recognizes an output signal voltage generated in a test program of the semiconductor testing equipment and outputs the signal to the high-speed driver unit 130 and the low-speed driver unit The driver selection signal SEL is generated to automatically select one of the first to third driver circuits 140 to 140,

일 실시 예에서, 감지부(110)는, 반도체검사장비의 소프트웨어(software)에서 자동으로 출력신호 전압과 주파수를 감지하고, 해당 감지된 출력신호 전압과 주파수에 따라 이에 대응하는 고속드라이버부(130)와 저속드라이버부(140) 중 하나를 자동 선택하도록 해 주기 위한 드라이버선택신호(SEL)를 생성시켜 줄 수도 있다.In one embodiment, the sensing unit 110 senses the output signal voltage and frequency automatically in the software of the semiconductor testing equipment, and controls the high-speed driver 130 And a driver selection signal SEL for automatically selecting one of the low-speed driver section 140 and the low-speed driver section 140.

일 실시 예에서, 감지부(110)는, 반도체검사장비의 패턴 프로그램(pattern program)에 설정된 사용자 선택을 인식하고, 해당 인식된 사용자 선택에 따라 이에 대응하는 고속드라이버부(130)와 저속드라이버부(140) 중 하나를 자동 선택하도록 해 주기 위한 드라이버선택신호(SEL)를 생성시켜 줌으로써, 사용자가 인식하여 수동 선택하여 사용할 수도 있다.In one embodiment, the sensing unit 110 recognizes the user selection set in the pattern program of the semiconductor inspection equipment and, according to the recognized user selection, selects the high-speed driver unit 130 and the low- A driver selection signal SEL for allowing the driver to automatically select one of the driver 140 and the driver 140 can be recognized by the user and manually selected and used.

일 실시 예에서, 감지부(110)는, 출력신호 전압이 노멀(normal)하게 사용하는 노멀전압(예로, 1.8V), 또는 특정전압(nominal voltage)(예로, 2.0V) 미만인 경우에, 고속드라이버부(130)를 선택하도록 해 주기 위한 제1드라이버선택신호(SEL1)를 생성시켜 줄 수 있다.In one embodiment, the sensing portion 110 may be configured to sense a high speed (e.g., high speed) signal when the output signal voltage is below a normal voltage (e.g., 1.8V) or a nominal voltage And may generate a first driver selection signal SEL1 for allowing the driver unit 130 to be selected.

일 실시 예에서, 감지부(110)는, 출력신호 전압이 노멀전압 또는 특정전압 이상(예로, 1.8V ~ 3.6V 또는 2.0V ~ 3.6V)인 경우에, 저속드라이버부(140)를 선택하도록 해 주기 위한 제2드라이버선택신호(SEL2)를 생성시켜 줄 수 있다.In one embodiment, the sensing section 110 may be configured to select the low speed driver section 140 when the output signal voltage is a normal voltage or a specific voltage or higher (e.g., 1.8V to 3.6V or 2.0V to 3.6V) And generate a second driver selection signal SEL2 for driving the second driver.

선택부(120)는, 감지부(110)로부터 입력되는 드라이버선택신호(SEL)에 따라 고속드라이버부(130)와 저속드라이버부(140) 중 하나를 선택해 준다.The selection unit 120 selects one of the high speed driver unit 130 and the low speed driver unit 140 according to the driver selection signal SEL input from the sensing unit 110. [

일 실시 예에서, 선택부(120)는, 감지부(110)로부터 제1드라이버선택신호(SEL1 또는 /EN)를 입력받는 경우에 고속드라이버부(130)를 선택해 줄 수 있으며, 감지부(110)로부터 제2드라이버선택신호(SEL2 또는 EN)를 입력받는 경우에 저속드라이버부(140)를 선택해 줄 수 있다.In one embodiment, the selection unit 120 may select the high-speed driver unit 130 when the first driver selection signal SEL1 or / EN is received from the sensing unit 110, and the sensing unit 110 Speed driver section 140 when the second driver selection signal SEL2 or EN is input from the second driver selection signal SEL2 or EN.

일 실시 예에서, 선택부(120)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 패턴발생기(pattern generator; PG)에서 발생시킨 드라이버인에이블(driver enable; DRE)과 패턴신호(pattern signal; PAT)를 타이밍/파형발생기(timing generator and formatter; TGFC)를 거쳐 전달받아, 선택된 고속드라이버부(130)와 저속드라이버부(140) 중 하나로 입력해 줄 수 있다.3, the selector 120 may include a driver enable (DRE) and a pattern signal (PAT) generated by a pattern generator (PG) A timing / waveform generator (TGFC), and input to one of the selected high-speed driver unit 130 and the low-speed driver unit 140.

고속드라이버부(130)는, 선택부(120)의 선택에 따라 구동하여 고속신호를 출력시켜 준다.The high-speed driver unit 130 drives according to the selection of the selection unit 120 to output a high-speed signal.

일 실시 예에서, 고속드라이버부(130)는, 노멀전압(예로, 1.8V) 또는 특정전압(예로, 2.0V) 미만으로 출력신호 전압이 낮은(즉, 저전압 전용의) 고속신호용 드라이버(High-speed Driver; HS_DRV)로서, 고속신호를 노멀전압(예로, 1.8V) 또는 특정전압(예로, 2.0V)까지 출력해 줄 수 있다.In one embodiment, the high-speed driver section 130 is a driver for a high-speed signal having a low output signal voltage (i.e., low voltage only) with a normal voltage (for example, 1.8 V) or a specific voltage (for example, speed driver HS_DRV, which can output a high-speed signal up to a normal voltage (for example, 1.8 V) or a specific voltage (for example, 2.0 V).

일 실시 예에서, 고속드라이버부(130)는, 고속드라이버하이레벨출력전압(voltage input high for HS_DRV; VIH_HS)을 입력받아 해당 입력받은 고속드라이버하이레벨출력전압(VIH_HS)에 따라 구동하여 고속신호를 출력시켜 줄 수 있다. 여기서, 고속드라이버하이레벨출력전압(VIH_HS)은 고속드라이버부(130)에 적합한 별도의 가변 전압으로 입력된다.In one embodiment, the high-speed driver unit 130 receives the high-speed driver high-level output voltage (VIH_HS) and drives the high-speed driver in accordance with the high-speed driver high-level output voltage VIH_HS Can be output. Here, the high-speed driver high-level output voltage VIH_HS is input as a separate variable voltage suitable for the high-speed driver section 130.

저속드라이버부(140)는, 선택부(120)의 선택에 따라 구동하여 저속신호를 출력시켜 준다.The low-speed driver unit 140 drives according to the selection of the selection unit 120 to output a low-speed signal.

일 실시 예에서, 저속드라이버부(140)는, 노멀전압 또는 특정전압 이상(예로, 1.8V ~ 3.6V 또는 2.0V ~ 3.6V)으로 출력신호 전압 범위가 넓은 범용 저속신호용 드라이버(Low-speed Driver; LS_DRV)로서, 저속신호를 노멀전압 또는 특정전압 이상(예로, 1.8V ~ 3.6V 또는 2.0V ~ 3.6V)으로 출력해 줄 수 있다.In one embodiment, the low-speed driver 140 is a driver for a general-purpose low-speed signal having a wide output signal voltage range from a normal voltage or a specific voltage or higher (for example, 1.8V to 3.6V or 2.0V to 3.6V) ; LS_DRV), which can output a low-speed signal at a normal voltage or above a certain voltage (for example, 1.8V to 3.6V or 2.0V to 3.6V).

일 실시 예에서, 저속드라이버부(140)는, 저속드라이버하이레벨출력전압(voltage input high for LS_DRV; VIH_LS)을 입력받아 해당 입력받은 저속드라이버하이레벨출력전압(VIH_LS)에 따라 구동하여 저속신호를 출력시켜 줄 수 있다. 여기서, 저속드라이버하이레벨출력전압(VIH_LS)은 저속드라이버부(140)에 적합한 별도의 가변 전압으로 입력된다.In one embodiment, the low-speed driver 140 receives the low-speed driver high-level output voltage (VIH_LS) and drives the low-speed driver according to the low-speed driver high-level output voltage VIH_LS Can be output. Here, the low-speed driver high-level output voltage VIH_LS is input as a separate variable voltage suitable for the low-

상술한 바와 같은 구성을 가진 반도체검사장비 핀 드라이버 회로(100)는, 반도체검사장비에서 신호출력부인 핀 드라이버 회로에 고속드라이버부(130)와 저속드라이버부(140)를 결합하여 단일채널로 구현함으로써, 출력신호 전압이 낮은 고속신호뿐만 아니라 출력신호 전압 범위가 넓은 저속신호까지 출력이 가능할 뿐만 아니라, 기존의 ATE 전용 핀 드라이버 IC가 아닌 범용 IC를 사용하여 구현시켜 저가이면서, 또한 채널수가 많은 제품이 있어서, 고밀도 집적이 쉬워, 다채널을 구현하기 쉬우며, 낮은 출력신호 전압과 높은 출력신호 전압으로 나누어져 있어 발열이 심하게 발생하지 않도록 할 수 있다.The semiconductor inspection equipment pin driver circuit 100 having the above-described structure can be realized by combining the high speed driver unit 130 and the low speed driver unit 140 with a pin driver circuit, which is a signal output unit in the semiconductor inspection equipment, In addition to high-speed signal with low output signal voltage, low-speed signal with wide range of output signal voltage, it is possible to use low-cost, high-channel product by implementing general-purpose IC instead of existing ATE pin driver IC It is easy to integrate high density, easy to realize multi-channel, divided into low output signal voltage and high output signal voltage, so that heat generation can be prevented.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제4예로 설명하는 도면이다.4 is a diagram illustrating a pin driver circuit of a semiconductor inspection equipment according to an embodiment of the present invention as a fourth example.

도 4를 참조하면, 반도체검사장비 핀 드라이버 회로(100)는, 감지부(110), 선택부(120), 고속드라이버부(130), 저속드라이버부(140)를 포함한다. 여기서, 감지부(110), 선택부(120), 고속드라이버부(130), 저속드라이버부(140)는, 상술한 구성과 유사하므로, 유사한 설명에 대해서는 생략하고 다른 부분에 대해서만 설명하도록 한다.4, the semiconductor inspection equipment pin driver circuit 100 includes a sensing unit 110, a selection unit 120, a high-speed driver unit 130, and a low-speed driver unit 140. Here, the sensing unit 110, the selection unit 120, the high-speed driver unit 130, and the low-speed driver unit 140 are similar to those described above, so that similar descriptions will be omitted and only different portions will be described.

선택부(120)는, 감지부(110)로부터 입력되는 드라이버선택신호(SEL)에 따라 동작 선택되는 별도의 고속타이밍/파형발생기(121)와 저속타이밍/파형발생기(122)를 구비함으로써, 범위가 넓은 시간의 타이밍신호를 발생시키는 것보다 고속용과 저속용으로 나누어 타이밍신호를 각각 발생시켜 주는 것이 설계하기에 용이할 수 있다.The selecting unit 120 includes a separate high-speed timing / waveform generator 121 and a low-speed timing / waveform generator 122 that are selected and operated in response to the driver selection signal SEL input from the sensing unit 110, It may be easier to design to generate timing signals for high speed and low speed than to generate timing signals of wide time.

고속타이밍/파형발생기(121)는, 감지부(110)로부터 입력되는 제1드라이버선택신호(SEL1 또는 /EN)에 따라 구동하여, 패턴발생기(PG)에서 발생시킨 드라이버인에이블(DRE)과 패턴신호(PAT)를 전달받아, 고속용의 타이밍신호로 파형을 생성시켜 고속드라이버부(130)에 입력해 줄 수 있다.The high-speed timing / waveform generator 121 is driven in accordance with the first driver selection signal SEL1 or / EN input from the sensing unit 110 to generate a driver enable signal DRE generated by the pattern generator PG, The high-speed driver 130 receives the signal PAT and generates a waveform using the high-speed timing signal.

저속타이밍/파형발생기(122)는, 감지부(110)로부터 입력되는 제2드라이버선택신호(SEL2 또는 EN)에 따라 구동하여, 패턴발생기(PG)에서 발생시킨 드라이버인에이블(DRE)과 패턴신호(PAT)를 전달받아, 저속용의 타이밍신호로 파형을 생성시켜 저속드라이버부(140)에 입력해 줄 수 있다.The low-speed timing / waveform generator 122 is driven in accordance with the second driver selection signal SEL2 or EN input from the sensing unit 110 to generate a driver enable signal DRE generated by the pattern generator PG, (PAT) and generates a waveform using a low-speed timing signal, and inputs the generated waveform to the low-speed driver 140.

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 반도체검사장비 핀 드라이버 회로를 제5예로 설명하는 도면이다.5 is a diagram illustrating a fifth example of a semiconductor driver pin driver circuit according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 반도체검사장비 핀 드라이버 회로(200)는, 감지부(210), 선택부(220), 고속드라이버부(230), 저속드라이버부(240)를 포함한다. 여기서, 감지부(210), 선택부(220), 고속드라이버부(230), 저속드라이버부(240)는, 도 1에 도시된 감지부(110), 선택부(120), 고속드라이버부(130), 저속드라이버부(140)의 구성과 유사하므로, 유사한 설명에 대해서는 생략하고 다른 부분에 대해서만 설명하도록 한다.5, the semiconductor inspection equipment pin driver circuit 200 includes a sensing unit 210, a selection unit 220, a high-speed driver unit 230, and a low-speed driver unit 240. The sensing unit 210, the selection unit 220, the high-speed driver unit 230 and the low-speed driver unit 240 may include the sensing unit 110, the selection unit 120, the high- 130 and the low-speed driver unit 140, the description of the similar parts will be omitted and only the other parts will be described.

선택부(220)는, 감지부(110)로부터 입력되는 드라이버선택신호(SEL)에 따라 고속드라이버부(230)를 선택하기 위한 제1선택스위치(SEL_SW1)와 저속드라이버부(240)를 선택하기 위한 제2선택스위치(SEL_SW2)를 구비할 수 있다.The selection unit 220 selects the first selection switch SEL_SW1 and the low speed driver unit 240 for selecting the high speed driver unit 230 according to the driver selection signal SEL input from the sensing unit 110 And a second selection switch SEL_SW2.

제1선택스위치(SEL_SW1)는, 감지부(110)로부터 입력되는 제1드라이버선택신호(SEL1 또는 /EN)에 따라 스위칭 온되어, 고속드라이버부(230)로부터 고속신호를 전달받아 출력해 줄 수 있다.The first selection switch SEL_SW1 is switched on in response to the first driver selection signal SEL1 or / EN input from the sensing unit 110 to receive a high-speed signal from the high- have.

제2선택스위치(SEL_SW2)는, 감지부(110)로부터 입력되는 제2드라이버선택신호(SEL2 또는 EN)에 따라 스위칭 온되어, 저속드라이버부(140)로부터 저속신호를 전달받아 출력해 줄 수 있다.The second selection switch SEL_SW2 is switched on in response to the second driver selection signal SEL2 or EN input from the sensing unit 110 to receive and output a low speed signal from the low speed driver unit 140 .

고속드라이버부(230)는, 패턴발생기(PG)에서 발생시킨 드라이버인에이블(DRE)과 패턴신호(PAT)를 타이밍/파형발생기(TGFC)를 거쳐 전달받아 고속신호로 선택부(220)로 전달시켜 준다.The high speed driver unit 230 receives the driver enable signal DRE and the pattern signal PAT generated by the pattern generator PG via the timing and waveform generator TGFC and delivers the high signal to the selecting unit 220 I will.

일 실시 예에서, 고속드라이버부(130)는, 고속신호를 노멀전압(예로, 1.8V) 또는 특정전압(예로, 2.0V)까지 선택부(220)로 전달해 줄 수 있다.In one embodiment, the high speed driver section 130 may deliver the high speed signal to the selection section 220 up to a normal voltage (for example, 1.8 V) or a specific voltage (for example, 2.0 V).

저속드라이버부(140)는, 패턴발생기(PG)에서 발생시킨 드라이버인에이블(DRE)과 패턴신호(PAT)를 타이밍/파형발생기(TGFC)를 거쳐 전달받아 저속신호로 선택부(220)로 전달시켜 준다.The low speed driver 140 receives the driver enable DRE and the pattern signal PAT generated by the pattern generator PG through the timing / waveform generator TGFC and delivers the low enable signal DRE and the pattern signal PAT to the selector 220 as a low speed signal I will.

일 실시 예에서, 저속드라이버부(140)는, 저속신호를 노멀전압 또는 특정전압 이상(예로, 1.8V ~ 3.6V 또는 2.0V ~ 3.6V)으로 선택부(220)로 전달해 줄 수 있다.In one embodiment, the low speed driver section 140 may deliver the low speed signal to the selection section 220 at a normal voltage or above a certain voltage (e.g., 1.8V to 3.6V or 2.0V to 3.6V).

이상, 본 발명의 실시 예는 상술한 장치 및/또는 운용방법을 통해서만 구현이 되는 것은 아니며, 본 발명의 실시 예의 구성에 대응하는 기능을 실현하기 위한 프로그램, 그 프로그램이 기록된 기록 매체 등을 통해 구현될 수도 있으며, 이러한 구현은 앞서 설명한 실시 예의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야의 전문가라면 쉽게 구현할 수 있는 것이다. 이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.As described above, the embodiment of the present invention is not limited to the above-described apparatus and / or method, but may be implemented by a program for realizing a function corresponding to the configuration of the embodiment of the present invention and a recording medium on which the program is recorded And the present invention can be easily implemented by those skilled in the art from the description of the embodiments described above. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

100, 200: 반도체검사장비 핀 드라이버 회로
110, 210: 감지부
120, 220: 선택부
121: 고속타이밍/파형발생기
122: 저속타이밍/파형발생기
130, 230: 고속드라이버부
140, 240: 저속드라이버부
SEL_SW1: 제1선택스위치
SEL_SW2: 제2선택스위치100, 200: Semiconductor test equipment pin driver circuit
110, 210:
120, 220:
121: High-speed timing / waveform generator
122: Low-speed timing / waveform generator
130, and 230:
140, 240: Low speed driver unit
SEL_SW1: first selection switch
SEL_SW2: second selection switch

Claims (5)

고속신호를 출력시켜 주는 고속드라이버부; 저속신호를 출력시켜 주는 저속드라이버부; 출력신호 전압에 따라 이에 대응하는 드라이버선택신호를 생성시켜 주는 감지부; 및 상기 감지부에서 생성시킨 드라이버선택신호에 따라 상기 고속드라이버부와 상기 저속드라이버부 중 하나를 선택하는 선택부를 포함하되;
상기 감지부는, 출력신호 전압이 노멀전압 또는 특정전압 미만인 경우에 제1드라이버선택신호를 생성하며, 출력신호 전압이 노멀전압 또는 특정전압 이상인 경우에 제2드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체검사장비 핀 드라이버 회로.
A high speed driver unit for outputting a high speed signal; A low speed driver unit for outputting a low speed signal; A sensing unit for generating a driver selection signal corresponding to the output signal voltage; And a selection unit selecting one of the high speed driver unit and the low speed driver unit according to a driver selection signal generated by the sensing unit.
Wherein the sensing unit generates a first driver selection signal when the output signal voltage is lower than a normal voltage or a specific voltage and generates a second driver selection signal when the output signal voltage is higher than a normal voltage or a specific voltage. Inspection equipment Pin driver circuit.
제1항에 있어서, 상기 감지부는,
반도체검사장비의 테스트 프로그램에서 작성한 출력신호 전압을 인식하고, 인식된 출력신호 전압에 대응하는 드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체검사장비 핀 드라이버 회로.
The apparatus of claim 1,
Wherein the driver circuit recognizes the output signal voltage generated by the test program of the semiconductor inspection equipment and generates a driver selection signal corresponding to the recognized output signal voltage.
제1항에 있어서, 상기 감지부는,
반도체검사장비의 패턴 프로그램에 설정된 사용자 선택을 인식하고, 인식된 사용자 선택에 대응하는 드라이버선택신호를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체검사장비 핀 드라이버 회로.
The apparatus of claim 1,
Recognizes the user selection set in the pattern program of the semiconductor inspection equipment and generates a driver selection signal corresponding to the recognized user selection.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 선택부는,
상기 감지부에서 생성한 제1드라이버선택신호를 입력받는 경우에 상기 고속드라이버부를 선택하며, 상기 감지부에서 생성한 제2드라이버선택신호를 입력받는 경우에 상기 저속드라이버부를 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체검사장비 핀 드라이버 회로.The apparatus according to claim 1,
And selects the high-speed driver unit when receiving the first driver selection signal generated by the sensing unit, and selects the low-speed driver unit when receiving the second driver selection signal generated by the sensing unit. Inspection equipment Pin driver circuit.
KR1020180025370A 2018-03-02 2018-03-02 Automatic test equipment pin driver circuit KR101884180B1 (en)

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