KR101884060B1 - 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

그래핀 주름 패턴 형성 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 주름 패턴 형성 방법은, 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층을 형성하는 단계, 상기 주름제공층 일 면에 제2 열팽창 계수를 가지는 기판을 형성하는 단계 및 열처리를 수행하여, 상기 제1 및 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.

Description

그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법{Graphene Structure and Manufacturing Method for Graphene having Wrinkle Pattern}
본 발명은 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법에 관련된 것으로, 보다 구체적으로는 기판과 그래핀층 사이에 주름제공층을 마련하여, 그래핀층에 제어 가능한 주름이 형성된 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법에 관련된 것이다.
탄소 원자들로 구성된 물질로는, 탄소나노튜브(Carbon Nanotube), 그래핀(Graphene), 흑연(Graphite) 등이 있다. 그래핀은 탄소의 동소체 중 하나이며 탄소 원자들이 모여 2차원 평면 구조를 가질 수 있다. 각 탄소 원자들은 육각형의 격자를 이루며 육각형의 꼭지점에 탄소 원자가 위치하고 있는 모양이다. 이 모양을 벌집구조(honeycomb structure) 또는 벌집격자(honeycomb lattice)라고 부르기도 한다. 원자 1개의 두께로 이루어진 얇은 막으로, 두께는 약 0.2　nm으로 얇으면서 물리적·화학적 안정성도 높은 특성을 가진다.
그래핀은, 약 200,000　cm2/V·s의 매우 높은 진성(intrinsic) 전자이동도, ~5000 W/m·K의 높은 열전도도, ~1.0 TPa의 영 계수를 갖고 있으며 이론적 비표면적 또한 매우 크다. 또한 한 층으로 구성되어 있기 때문에 가시광선에 대한 흡수량이 매우 낮아 550nm의 파장을 갖는 빛에 대한 투과율이 97.7%로 매우 높은 것으로 알려져 있다.
그러나 그래핀은 2차원 물질이기 때문에 원천적으로 안정할 수가 없는 것으로 알려져 있으며, 실제로 Intrinsic ripples in graphene, The structure of suspended graphene sheets 등의 논문들은 실제 그래핀이 불안정하여 표면에 제어되지 않는 주름이 형성되는 것을 증명하였다.
이에 따라 본 연구자들은, 그래핀에 제어 가능한 주름을 형성하는 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 발명하게 되었다.
한국 특허 공개 번호 10-2013-0024360
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 제어 가능한 주름을 가지는 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 열처리를 통하여 간이한 방법으로 고 신뢰도의 주름이 형성된 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상기 언급한 기술적 과제에 의하여 제한되지 아니한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 주름 패턴 형성 방법은, 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층을 형성하는 단계, 상기 주름제공층 일 면에 제2 열팽창 계수를 가지는 기판을 형성하는 단계 및 열처리를 수행하여, 상기 제1 및 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 열팽창 계수는 상기 제2 열팽창 계수보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 열처리 온도는 유리전이온도(glass transition temperature) 이상일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 열처리 온도는 상기 주름 패턴 간의 결합이 발생하는 온도 이하일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기판은 상기 주름제공층보다 소프트(soft)한 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 주름제공층의 두께가 증가할수록 상기 주름 패턴의 주기가 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 열처리 온도가 상기 주름제공층의 유리전이온도에 근접할수록 상기 주름 패턴의 접촉각도가 증가할 수 있다.
또한, 상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 그래핀 구조체를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 구조체는, 제1 변과 상기 제1 변보다 긴 제2 변을 가지는 기판, 상기 기판 상에 형성되며 상기 제1 변 방향으로 주름을 가지는 주름제공층 및 상기 주름제공층 상에 형성되며, 상기 주름에 대응되는 주름 패턴을 가지는 그래핀층을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기판은, 상기 주름제공층과 계면하는 표면에 돌출 및 오목 영역을 포함하며, 상기 주름 패턴은 상기 오목 영역 상에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 주름제공층은, 제1 열팽창 계수를 가지며, 상기 기판은 상기 제1 열팽창 계수보다 큰 제2 열팽창 계수를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기판은 상기 주름제공층보다 소프트한 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 주름제공층은, SiO2, PMMA 및 PVP 중 하나의 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기판은, 유연한 기판으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층을 형성하는 단계, 상기 주름제공층 일 면에 제2 열팽창 계수를 가지는 기판을 형성하는 단계 및 열처리를 수행하여, 상기 제1 및 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴을 형성하는 단계로 이루어질 수 있다.
이에 따라, 주름제공층에 형성된 주름에 의하여 그래핀층에 제어 가능한 주름이 형성될 수 있다. 또한, 주름제공층과 기판의 열팽창 계수 차이를 통하여 그래핀층에 주름을 형성하므로 보다 간이한 방법으로 그래핀층에 주름을 형성할 수 있다.
다시 말해, 본 발명의 일 실시 예는, 보다 간이한 방법으로 제어 가능한 주름이 형성된 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단계 S100을 보다 상세하게 설명하기 위한 순서도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 단계 S120을 보다 상세하게 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 도 1 내지 도 3에 따른 그래핀 주름 패턴 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 온도가 그래핀 주름 패턴 형성에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 온도가 그래핀 표면의 접촉각도에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 주름제공층의 두께가 그래핀 주름 패턴의 형상에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판의 형상이 그래핀 표면 주름 패턴에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 단계 S100을 보다 상세하게 설명하기 위한 순서도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 단계 S120을 보다 상세하게 설명하기 위한 순서도이고, 도 4는 도 1 내지 도 3에 따른 그래핀 주름 패턴 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 주름 패턴 형성 방법은, 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층을 형성하는 단계(S100), 상기 주름제공층 일 면에 제2 열팽창 계수를 가지는 기판을 형성하는 단계(S110), 열처리를 수행하여 상기 제1 및 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴을 형성하는 단계(S120) 중 적어도 하나의 단계를 포함할 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 상술하기로 한다.
단계 S100
단계 S100에서, 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층이 형성될 수 있다. 단계 S100을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 도 2를 참조하면, 단계 S100은, 희생층 상에 그래핀층을 형성하는 단계(S102), 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층을 스핀 코팅하는 단계(S104) 중 적어도 하나의 단계를 포함할 수 있다.
단계 S102에서, 그래핀층은 희생층 상에 형성될 수 있다. 희생층은, 예를 들어, Cu, Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr 중 적어도 하나의 금속 또는 적어도 두 개의 합금으로 이루어질 수 있다. 이하에서는 희생층은 구리인 경우를 상정하기로 한다. 특히 구리는 탄소에 대한 용해도가 낮기 때문에 단일층의 그래핀을 형성하는데 유리할 수 있다.
상기 그래핀층은 상기 희생층 상에 다양한 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 그래핀층은, 고온 화학 기상 증착법(Thermal-chemical vapor deposition; CVD), 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착법(ICP-CVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PE-CVD), Microwave CVD 등의 화학 기상 증착법으로 형성될 수 있으며, 그 외에도 RTA(rapid thermal annealing), ALD(atomic layer deposition) PVD(physical vapor deposition) 등의 방법으로 형성될 수도 있다.
상기 그래핀층이 화학 기상 증착법으로 상기 희생층 상에 형성되는 경우, 챔버 내에 희생층을 위치시키고 탄소 공급원을 투입하여, 그래핀층을 성장시킬 수 있다. 이 때, 탄소 공급원은 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 챔버 내의 구리 희생층에 수소 분위기에서 메탄 가스를 투입하면, 수소와 메탄의 반응에 의하여 구리 희생층 상에 그래핀층이 형성될 수 있다.
이에 따라 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 단계 S102를 통하여, 희생층(100) 상에 그래핀층(110)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 그래핀층은 상기 희생층 상에 상기 그래핀층이 직접 접촉하도록 형성될 수 있다.
단계 S104에서, 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층이 스핀 코팅될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 주름제공층은 주름제공층 자체에 형성된 주름을 통하여 그래핀층에 주름 패턴을 제공하는 층을 의미할 수 있다. 주름제공층은 주름제공층 자체에 주름이 형성되도록 다양한 인자(factor)를 고려하여 선정될 수 있다.
상기 인자로서, 열팽창 계수가 고려될 수 있다. 예를 들어, 주름제공층은 후술할 기판과 다른 열팽창 계수를 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 주름제공층의 열팽창 계수는 기판의 열팽창 계수보다 낮을 수 있다. 이로써, 기판과 주름제공층에 열처리가 수행되는 경우, 서로 다른 열팽창 계수에 의하여 주름제공층에 주름이 형성될 수 있다.
또한, 주름제공층은 기판보다 하드(hard)한 물질로 이루어질 수 있다. 이로써, 기판과 주름제공층에 열처리가 수행되는 경우, 기판의 팽창에 의하여 주름제공층에 주름이 형성될 수 있다.
또한, 주름제공층과 그래핀층 사이의 접착력을 나타내는 어드히전 에너지(adhesion energy)가 고려될 수 있다. 예를 들어, 어드히전 에너지가 낮은 경우, 주름제공층에 형성된 주름이 그래핀층에 형성되지 못하고, 주름제공층과 그래핀층 사이에 박리(delamination)이 형성될 수 있다.
또한, 주름제공층은 표면 거칠기를 고려하여 선정될 수 있다.
또한, 주름제공층은 유리전이온도(glass transition temperature)를 고려하여 선정될 수 있다.
상기 주름제공층은 예를 들어, SiO2, PMMA(poly methyl methacrylate), PVP(poly vinyl pyrrolidone) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 이하에서 주름제공층은 PMMA인 경우를 상정하기로 한다.
일 실시 예에 따르면 주름제공층의 두께를 통하여 그래핀층의 주름을 제어할 수 있다. 예를 들어, 주름제공층의 두께가 두꺼운 경우, 그래핀층의 주름 주기를 길게 할 수 있다.
상기 주름제공층은 단계 S102에서 형성된 구리/그래핀층의 일 면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 주름제공층은 그래핀층의 일 면에 형성될 수 있다. 이 때, 상기 주름제공층은 스핀-코팅으로 상기 그래핀층의 일 면에 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 단계 S104를 통하여, 회생층(100), 그래핀층(110), 주름제공층(120)이 순서대로 적층 형성될 수 있다.
단계 S110
다시 도 1을 참조하면, 단계 S110에서, 상기 주름제공층 일 면에 제2 열팽창 계수를 가지는 기판이 형성될 수 있다. 즉, 기판 상에 주름제공층에 형성된 그래핀층이 전사(transfer)될 수 있다. 이에 따라 상기 주름제공층의 일 면은 상기 기판과 직접 접촉할 수 있다.
상기 기판은, 앞서 설명한 주름제공층과의 관계에서 고려되는 인자에 따라 선정될 수 있다. 즉, 상기 기판의 열팽창 계수와 상기 주름제공층의 열팽창 계수는 서로 다를 수 있다. 보다 구체적으로 상기 기판의 열팽창 계수는 상기 주름제공층의 열팽창 계수보다 클 수 있다. 이는, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 기판과 주름제공층의 열팽창 계수의 차이에 의하여 열처리 시 팽창 정도가 다르다는 현상을 이용하여 주름제공층에 주름을 형성하고, 형성된 주름이 그래핀층에 형성되도록 유도하기 위함이다.
또한, 상기 기판은 상기 주름제공층보다 소프트한 물질로 이루어질 수 있다.
이 때, 상기 기판은, 유연한 기판(flexible substrate)일 수 있다.
상기 언급한 적어도 하나의 기준에 따라 상기 기판은, PDMS(polydimethylsiloxane), PET(polyethylene terephthalate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 중 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 이하에서 상기 기판은, PDMS인 경우를 상정하기로 한다.
또한, 상기 기판은, 제1 변과 제2 변의 길이가 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 기판의 가로 변 길이와 세로 변 길이가 서로 다를 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 기판의 가로 변은 세로 변보다 길 수 있다.
상기 기판의 변들의 길이 차에 의하여 그래핀층의 주름의 방향이 결정될 수 있다. 만약, 상기 기판의 가로 변이 세로 변보다 긴 경우, 그래핀층에는 세로 변과 평행한 방향으로 주름이 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 기판의 세로 변이 가로 변보다 길 수 있다. 이 경우, 그래핀층에는 가로 변과 평행한 방향으로 주름이 형성될 수 있다. 다시 말해, 기판의 가로/세로 길이 차이를 통하여 그래핀층의 주름 방향을 제어할 수 있는 것이다. 이 때, 본 명세서에서 평행한 방향이라 함은 실질적으로 평행한 방향을 포함하는 개념으로 이해될 수 있다.
또한, 기판은 상기 주름제공층과 접합하는 면 상에 반복되는 돌출 영영과 오목 영역이 형성된 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 기판이 상기 주름제공층과의 접촉 계면에 패턴을 가짐으로써, 그래핀층에 주름이 형성되는 영역을 제어할 수 있다. 만약, 기판이 기판의 표면에 돌출 영역과 오목 영역의 패턴을 가지는 경우, 주름제공층의 주요 주름은 상기 오목 영역 상에 집중되어 형성될 수 있다. 이에 따라, 그래핀층에도 오목 영역 상에 주름 패턴이 집중적으로 형성될 수 있다. 다시 말해, 기판 표면의 패턴에 따라 그래핀층의 주름이 형성되는 영역을 제어할 수 있다.
도 4(c)에 도시된 바와 같이, 단계 S110을 통하여, 희생층(100)/그래핀층(110)/주름제공층(120)/기판(130)이 순차적으로 형성될 수 있다. 즉, 구리(100)/그래핀층(110)/PMMA(120)/PDMS(130)가 순차적으로 형성될 수 있다.
단계 S120
단계 S120에서, 열처리를 수행하여, 상기 제1 및 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴이 형성될 수 있다. 보다 상세한 설명을 위하여, 도 3을 참조하면, 단계 120은, 희생층을 제거하는 단계(S122), 희생층이 제거된 기판/주름제공층/그래핀층 구조체를 열처리하는 단계(S124) 중 적어도 하나의 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 상술하기로 한다.
단계 S122에서, 희생층이 제거될 수 있다.
상기 희생층(100, 도 4(d) 참조)은 예를 들어, FeCl3 용액 및 HCl을 이용하여 습식 방식으로 제거될 수 있다. 이후, HCI 및 DI 워터에서 링징(ringing)될 수 있다.
단계 S124에서 열처리가 수행될 수 있다(도 4(e) 참조).
즉, 열처리를 수행하여, 주름제공층의 제1 열팽창 계수 및 기판의 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴이 형성될 수 있다.
다시 말해, 그래핀/주름제공층/기판이 순차적으로 형성된 삼중층에 열을 가함으로써, 기판과 주름제공층 간에 상이한 열팽창을 유도할 수 있다. 예를 들어, 기판의 열팽창 계수가 주름제공층의 열팽창 계수보다 큰 경우, 기판은 주름제공층보다 더욱 많이 팽창할 수 있다. 이에 따라, 주름제공층에 주름이 형성될 수 있는 것이다. 이 때, 주름제공층 상에 그래핀층이 형성되어 있으므로, 주름제공층에 형성된 주름의 모폴로지(morphology)에 대응하는 주름 패턴이 그래핀층에 형성될 수 있다.
이 때, 열처리 온도는 주름제공층의 유리전이온도 이상일 수 있다. 만약 열처리 온도가 유리전이온도 보다 작은 경우, 주름의 형성이 활발하게 이루어지지 않기 때문에 국소적인 영역에만 주름이 형성되게 된다. 따라서, 주름의 균일성이 낮아지게 된다.
또한 열처리 온도는 주름 패턴 간의 결합이 발생하는 온도 이하일 수 있다. 만약 열처리 온도가 주름 패턴 간의 결합이 발생하는 온도 보다 큰 경우에는 주름 패턴 간의 결합에 의하여 주름의 균일성이 낮아지는 문제점이 발생할 수 있다.
따라서, 열처리 온도는 주름제공층의 유리전이온도 이상이며 주름 패턴 간의 결합이 발생하는 온도 이하인 것이 바람직할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 그래핀층의 주름 방향은 기판의 형상에 의하여 제어될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 기판의 가로 변이 세로 변보다 긴 경우, 그래핀층에는 기판의 세로 변과 평행한 방향으로 주름이 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 기판의 세로 변이 가로 변보다 긴 경우, 그래핀층에는 기판의 가로 변과 평행한 방향으로 주름이 형성될 수 있다.
또한, 일 실시 예에 따르면, 그래핀층의 주름 형성 영역이 기판 표면의 패턴에 따라 제어될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 기판 표면에 돌출 영역과 오목 영역의 패턴이 형성된 경우, 주름제공층의 주요 주름은 오목 영역 상에 집중적으로 형성될 수 있다. 이에 따라 그래핀층에도 오목 영역 상에 주름 패턴이 집중적으로 형성될 수 있다.
이상 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법을 설명하였다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면 기판과 그래핀층 사이에 주름제공층을 제공하되, 기판과 주름제공층이 서로 다른 열팽창 계수를 가짐으로써, 그래핀층에 주름 패턴을 형성할 수 있다.
종래에는 그래핀층에 의도치 않은 비 균일한 주름이 발생하였으나, 이는 2차원적 구조를 가지기 때문에 어쩔 수 없이 발생하는 한계로 작용하였다. 즉, 종래에는 그래핀층에 제어 불가능한 주름이 형성되기 때문에 고 신뢰도의 그래핀층을 형성하는 데 어려움이 있었다.
그러나, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 주름제공층을 그래핀층과 기판 사이에 형성하고 열처리를 통하여 주름제공층 및 그래핀층에 주름을 형성할 수 있다. 이 때, 그래핀층에 형성되는 주름 패턴의 주기를 주름제공층의 두께로 제어할 수 있으며, 그래핀층에 형성되는 주름의 정도를 열처리 온도로 제어할 수 있으며, 그래핀층에 형성되는 주름 패턴의 영역을 기판의 패턴 형상을 통하여 제어할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법은, 제어 가능한 주름을 그래핀층에 형성함으로써, 고 신뢰도의 그래핀을 제공할 수 있다.
이하 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 실험 결과를 설명하기로 한다. 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명할 그래핀 구조체는 PDMS로 이루어진 기판 상에 PMMA로 이루어진 주름제공층 상에 그래핀층이 형성된 구조를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 온도가 그래핀 주름 패턴 형성에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 5(a)는 열처리 수행 전의 그래핀층 표면을 도시한다. 도 5(a)에 도시된 바와 같이, 그래핀 표면에 수축(contraction)이 발생하지 않아 주름이 형성되지 않은 것을 확인할 수 있다.
도 5(b)는 85도로 열처리 한 경우의 그래핀층 표면을 도시한다. 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 국소적으로 주름이 형성된 것을 확인할 수 있다. 이는 주름제공층의 유리전이온도에 도달하지 못했기 때문에 주름이 본격적으로 형성되지 못한 것으로 이해될 수 있다.
도 5(c)는 105도에서 열처리 한 경우의 그래핀층 표면을 도시한다. 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 그래핀층의 표면에 고밀도의 주름 패턴이 형성된 것을 확인할 수 있다. 이는, 주름제공층의 유리전이온도에 따른 열처리에 의하여 주름의 형성이 활발해졌기 때문인 것으로 이해될 수 있다.
도 5(d)는 150도에서 열처리 한 경우의 그래핀층 표면을 도시한다. 도 5(d)에 도시된 바와 같이, 그래핀층의 표면에 국소적으로 큰 부피의 주름이 형성된 것을 확인할 수 있다. 이는, 과도한 열처리로 인하여, 표면 주름 들이 서로 결합하여 국소적으로 큰 부피의 주름이 형성된 것으로 이해될 수 있다.
이상 도 5를 참조하여 설명한 열처리 온도가 그래핀 주름 패턴 형성에 미치는 영향을 분석한 결과 열처리 온도는 유리전이온도 이상이고 주름 패턴 간의 결합이 발생하는 온도 이하인 것이 바람직한 것으로 확인되었다. 다시 말해, 상기 범위 내에서 열처리 온도를 제어함으로써, 그래핀층 표면의 주름 패턴의 정도를 제어할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 열처리 온도가 그래핀 표면의 접촉각도에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 6을 참조하면, 유리전이온도를 전/후로 하여 그래핀층 주름 패턴의 접촉각도(contact angle)가 작아지는 것을 확인할 수 있다. 즉, 열처리 온도 105도를 기준으로 열처리 온도가 낮거나 높은 경우, 그래핀층 주름 패턴의 접촉각이 감소하는 것을 확인할 수 있다. 다시 말해, 열처리 온도가 유리전이온도에 근접할수록 그래핀층 주름 패턴의 접촉각도가 증가하여 비-친수성 특성이 우수해지는 것을 확인할 수 있다. 다시 말해, 열처리 온도를 제어함으로써, 그래핀층 표면의 주름 패턴의 접촉각을 제어할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 주름제공층의 두께가 그래핀 주름 패턴의 형상에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 주름제공층의 두께가 두꺼워질수록 그래핀층에 형성되는 주름 패턴의 주기가 길어지는 것을 확인할 수 있다. 다시 말해, 주름제공층의 두께를 제어함으로써, 그래핀층에 형성되는 주름 패턴의 주기를 제어할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판의 형상이 그래핀 표면 주름 패턴에 미치는 영향을 실험한 실험 결과를 도시한다.
도 8(a)는 가로 변(B)이 세로 변(A) 보다 긴 평판(flat)형의 기판 상의 그래핀 주름 패턴을 도시한다. 도 8(a)에 도시된 바와 같이, 그래핀층의 주름 패턴은 기판의 짧은 변(A)과 실질적으로 평행한 방향으로 나타나는 것을 확인할 수 있다.
도 8(b)는, 반복적으로 돌출 영역과 오목 영역을 가지는 기판 상의 그래핀 주름 패턴을 도시한다. 도 8(b)에 도시된 바와 같이, 그래핀층의 주름 패턴은 기판의 오목 영역 상에 집중적으로 형성됨을 확인할 수 있다.
다시 말해, 기판 패턴의 형성에 따라 그래핀층에 형성되는 주름 패턴의 위치를 제어할 수 있다.
이상 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 그래핀 구조체 및 그래핀 주름 패턴 형성 방법은, 열처리라는 간이한 방법을 기본으로 하여, 그래핀층 주름 패턴의 주기, 그래핀층 각 주름의 접촉각도, 그래핀층 주름 패턴 형성 정도, 그래핀층 주름 패턴 형성 위치를 제어할 수 있다. 이에 따라, 종래에 그래핀층의 주름은 의도치 않게 발생하였지만, 본 발명의 일 실시 예에 따르면 그래핀층의 주름 패턴을 제어함으로써, 고 신뢰도의 그래핀을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 그래핀 구조체는, 적어도 슈퍼 캐퍼시터, 스트레인 센서, 비-친수성 요구 분야, 정화 장치에 이용될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 희생층
110: 그래핀층
120: 주름제공층
130: 기판

Claims (13)

  1. 그래핀층 일 면에 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층을 형성하는 단계;
    상기 주름제공층 일 면에 제2 열팽창 계수를 가지되, 제1 변과 상기 제1 변보다 긴 제2 변을 가지는 기판을 형성하는 단계; 및
    열처리를 수행하여, 상기 제1 및 제2 열팽창 계수 간의 차이를 통하여, 상기 주름제공층에 주름을 형성함으로써, 상기 그래핀층에 주름 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 기판은, 상기 주름제공층과 계면하는 표면에 상기 주름제공층과 접촉하는 돌출 영역과 상기 주름제공층과 비 접촉하는 오목 영역을 포함하고, 상기 주름 패턴은 상기 오목 영역 상에 형성되며,
    상기 그래핀층의 주름 패턴은 상기 제1 변과 평행한 방향으로 형성되는, 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 열팽창 계수는 상기 제2 열팽창 계수보다 작은 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 열처리 온도는 유리전이온도(glass transition temperature) 이상인 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 열처리 온도는 상기 주름 패턴 간의 결합이 발생하는 온도 이하인 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 주름제공층보다 소프트(soft)한 물질로 이루어진 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 주름제공층의 두께가 증가할수록 상기 주름 패턴의 주기가 증가하는 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 열처리 온도가 상기 주름제공층의 유리전이온도에 근접할수록 상기 주름 패턴의 접촉각도가 증가하는 그래핀 주름 패턴 형성 방법.
  8. 제1 변과 상기 제1 변보다 긴 제2 변을 가지되, 제2 열팽창 계수를 가지는 기판;
    상기 기판 상에 형성되며 상기 제1 변과 평행한 방향으로 주름을 가지며 상기 제2 열팽창 계수와 상이한 제1 열팽창 계수를 가지는 주름제공층; 및
    상기 주름제공층 상에 형성되며, 상기 주름에 대응되도록 상기 제1 변과 평행한 방향으로 주름 패턴을 가지는 그래핀층을 포함하되,
    상기 기판은, 상기 주름제공층과 계면하는 표면에 상기 주름제공층과 접촉하는 돌출 영역과 상기 주름제공층과 비 접촉하는 오목 영역을 포함하며, 상기 주름 패턴은 상기 오목 영역 상에 형성된 그래핀 구조체.
  9. 삭제
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 열팽창 계수는 상기 제2 열팽창 계수보다 작은 그래핀 구조체.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 주름제공층보다 소프트한 물질로 이루어진 그래핀 구조체.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 주름제공층은, SiO2, PMMA 및 PVP 중 하나의 물질로 이루어진 그래핀 구조체.
  13. 제8 항에 있어서,
    상기 기판은, 유연한 기판으로 이루어진 그래핀 구조체.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210036269A (ko) * 2019-09-25 2021-04-02 한양대학교 산학협력단 2차원 소재 또는 박막에 주름을 형성하는 방법
KR20220104860A (ko) 2021-01-19 2022-07-26 순천대학교 산학협력단 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102176525B1 (ko) * 2018-11-07 2020-11-10 한국과학기술원 희생층을 이용한 계층적 주름 구조체의 제조방법 및 이로부터 제조된 계층적 주름 구조체
CN110117007B (zh) * 2019-06-17 2024-03-19 博众精工科技股份有限公司 石墨烯褶皱体成型设备
KR102455004B1 (ko) 2021-02-03 2022-10-17 한국표준과학연구원 주름 그래핀 기판의 제조 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101423037B1 (ko) * 2009-07-14 2014-08-13 그래핀스퀘어 주식회사 그래핀 시트의 제조 방법, 그래핀 적층체, 변형 수용성 그래핀 시트의 제조 방법, 변형 수용성 그래핀 시트, 및 이를 이용하는 소자
US8992807B2 (en) * 2010-01-14 2015-03-31 Samsung Techwin Co., Ltd. Method of manufacturing deformation-capable graphene sheet, deformation-capable graphene sheet, and device using the same
KR101680761B1 (ko) 2010-09-17 2016-11-30 삼성전자주식회사 그래핀-폴리머 층상 복합체 및 그의 제조방법
KR101284535B1 (ko) 2011-08-31 2013-07-09 한국기계연구원 그래핀의 전사방법 및 이에 의해 제조되는 그래핀이 전사된 유연기판
US8906245B2 (en) 2012-03-21 2014-12-09 Richard S. PLOSS, JR. Material trivial transfer graphene
JP2014034503A (ja) * 2012-08-10 2014-02-24 Fuji Electric Co Ltd グラフェン膜の製造方法およびグラフェン膜
KR20140029779A (ko) 2012-08-30 2014-03-11 엘지전자 주식회사 그래핀의 제조 방법 및 그 그래핀
US8580658B1 (en) * 2012-12-21 2013-11-12 Solan, LLC Methods for fabricating graphene device topography and devices formed therefrom
US20140272309A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Solan, LLC Non-Planar Graphite Based Devices and Fabrication Methods
US20150273737A1 (en) * 2014-04-01 2015-10-01 National Taiwan University Flexible and stretchable graphene film and preparing method of the same

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Soft Matter. 2009, Vol. 5, pp. 4638-4641 (2009.10.08.)*

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210036269A (ko) * 2019-09-25 2021-04-02 한양대학교 산학협력단 2차원 소재 또는 박막에 주름을 형성하는 방법
KR102431796B1 (ko) 2019-09-25 2022-08-16 한양대학교 산학협력단 2차원 소재 또는 박막에 주름을 형성하는 방법
KR20220104860A (ko) 2021-01-19 2022-07-26 순천대학교 산학협력단 입체구조 패터닝 공정을 이용한 그래핀 주름 제조방법

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