KR101877847B1 - Method for alleviating stress of flexible substrate for thin film solar cell - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 111
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 7
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
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- H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 연성기판의 후면에 패터닝된 금속막을 증착시킴으로써 연성기판의 전면에 증착되는 금속전극이 갖는 압축/인장 응력을 상쇄시킬 수 있는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a stress relieving method for a flexible substrate for a thin film solar cell, and more particularly, to a stress relieving method for a flexible substrate for a thin film solar cell capable of canceling compressive / tensile stress of a metal electrode deposited on a front surface of a flexible substrate by depositing a patterned metal film on a rear surface of the flexible substrate And more particularly, to a stress relaxation method for a flexible substrate for a thin film solar cell.
본 연구는 정부(미래창조과학부)의 재원으로 국가과학기술연구회의 주요사업의 지원을 받아 수행한 연구과제임(No. GP2014-0009).This research is a research project funded by the government (future creation science department) and supported by major projects of the National Science and Technology Research Council (No. GP2014-0009).
본 연구는 정부(미래창조과학부)의 재원으로 한국연구재단의 기후변화 대응 기술개발 사업의 지원을 받아 수행한 연구과제임(No. 2016M1A2A2936753).This research is a research project funded by the government (the Ministry of the Future Creation Sciences) and supported by the Korea Research Foundation's project for developing technologies to counter climate change (No. 2016M1A2A2936753).
본 연구는 정부(미래창조과학부)의 재원으로 한국연구재단의 글로벌프론티어 사업의 지원을 받아 수행한 연구과제임(No. 2016M3A6B3063703).This research is a research project (No. 2016M3A6B3063703) which was funded by the government (future creation science department) and supported by the Korea Research Foundation's Global Frontier Project.
최근 심각한 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 차세대 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다. 그 중에서도 태양전지는 태양 에너지를 직접 전기 에너지로 전환하는 장치로서, 공해가 적고, 자원이 무한적이며 반영구적인 수명이 있어 미래 에너지 문제를 해결할 수 있는 에너지원으로 기대되고 있다.Recently, serious environmental pollution problem and depletion of fossil energy are increasing importance for next generation clean energy development. Among them, solar cell is a device that converts solar energy directly into electrical energy. It is expected to be an energy source capable of solving future energy problems because it has few pollution, has endless resources, and has a semi-permanent lifetime.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 전기를 생산하는데, 구체적으로 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공은 P형 반도체 쪽으로 이동하고 상기 전자는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생된다.A solar cell produces electricity using the properties of a semiconductor. Specifically, the solar cell has a PN junction structure in which a P (positive) semiconductor and a N (negative) semiconductor are bonded. When solar light enters the solar cell, Holes and electrons are generated in the semiconductor due to the energy of the solar light. At this time, the holes move toward the P-type semiconductor due to the electric field generated at the PN junction, and the electrons move to the N-type semiconductor And a potential is generated.
태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있는데, 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체 물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 박막형 태양전지는 유리, 폴리이미드 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체층을 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. 그러나 최근 실리콘의 공급부족으로 가격이 급등하면서 박막형 태양전지에 대한 관심이 증가하고 있다. 박막형 태양전지는 얇은 두께로 제작되므로 재료의 소모량이 적고, 무게가 가볍기 때문에 활용범위가 넓다. The solar cell can be classified into a substrate type solar cell and a thin film type solar cell. The substrate type solar cell is a solar cell using a semiconductor material itself such as silicon as a substrate. The thin film type solar cell is a substrate such as glass, polyimide, And a semiconductor layer is formed in the form of a thin film on the substrate. However, recently, due to a shortage of supply of silicon, the price of solar cells has increased and interest in thin film solar cells is increasing. Thin-film solar cells are manufactured with a thin thickness, so they have a wide range of applications because of low consumption of materials and light weight.
그러나, 박막형 태양전지를 제조하는 과정에서 금속전극이 연성기판에 증착될 경우, 금속전극이 가하는 압축응력이나 인장응력으로 인해 기판이 안쪽이나 바깥쪽으로 말리게 되는 문제점이 발생한다. 이를 방지하기 위해 특수제작된 기판고정용 지그(jig)를 사용하거나, 휘지 않는 기판을 추가로 준비하여 연성 기판을 접착제나 테이프로 부착/고정시킨 후 후속 공정을 진행할 수 있으나, 이는 박막형 태양전지를 양산하는 공정에 있어서 큰 걸림돌이 될 수 있다.However, when the metal electrode is deposited on the flexible substrate in the process of manufacturing the thin film solar cell, the substrate is dried inside or out due to the compressive stress or tensile stress applied by the metal electrode. In order to prevent this, it is possible to use a special jig for fixing the substrate or to prepare a substrate that does not bend and to attach and fix the flexible substrate with an adhesive or tape, It can be a big obstacle in the mass production process.
본 발명은 연성기판의 전면에 증착되는 금속전극이 갖는 압축/인장 응력을 상쇄시킬 수 있는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법을 제공한다.The present invention provides a stress relieving method for a flexible substrate for a thin film solar cell capable of canceling compression / tensile stress of a metal electrode deposited on a front surface of a flexible substrate.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 연성기판을 준비하는 단계(단계 a-1); 상기 연성기판 일면에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착하는 단계(단계 a-2); 및 증착된 금속막을 패터닝하는 단계(단계 a-3)를 포함하고, 상기 단계 a-2에서 금속막은, 금속전극이 증착되는 면의 반대편 면에 증착되며, 상기 단계 a-3는 패터닝된 마스크를 이용하여 금속막을 에칭하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법을 제공한다. 상기 에칭 방법은 건식 또는 습식 에칭방법일 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a flexible substrate, comprising the steps of: preparing a flexible substrate (step a-1); Depositing a metal film composed of a single layer or a plurality of layers on one surface of the flexible substrate (step a-2); And a step (a-3) of patterning the deposited metal film, wherein in the step a-2, the metal film is deposited on the opposite surface of the surface on which the metal electrode is deposited, and the step a- The present invention provides a stress relaxation method for a flexible substrate for a thin film solar cell. The etching method may be a dry or wet etching method.
또한 본 발명은, 연성기판을 준비하는 단계(단계 b-1);상기 연성기판 일면에 패터닝된 마스크를 부착하는 단계(단계 b-2); 및 상기 마스크 위에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착시켜 패터닝된 금속막을 형성하는 단계(단계 b-3)를 포함하고, 상기 단계 b-2에서 마스크는 금속전극이 증착되는 면의 반대편 면에 부착되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법을 제공한다.The present invention also provides a method of manufacturing a flexible substrate, comprising the steps of: preparing a flexible substrate (step b-1); attaching a patterned mask on one surface of the flexible substrate (step b-2); And a step (b-3) of forming a patterned metal film by depositing a metal film composed of a single layer or a plurality of layers on the mask, wherein in the step b-2, the mask is formed on the surface opposite to the surface on which the metal electrode is deposited The stress relieving method for a flexible substrate for a thin film solar cell.
상기 방법은 a-3 또는 b-3단계 이후에, 잔존하는 마스크를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further comprise, after step a-3 or step b-3, removing the remaining mask.
상기 연성기판은 스테인레스 연성기판, Ni-Fe계 연성기판 및 고분자 재질로 이루어진 연성기판으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The flexible substrate may be selected from the group consisting of a stainless steel flexible substrate, a Ni-Fe flexible substrate, and a flexible substrate made of a polymer material.
상기 고분자 재질로 이루어진 연성기판은 폴리이미드 기판일 수 있다.The flexible substrate made of the polymer material may be a polyimide substrate.
상기 금속막은 연속기판 상에 증착되는 금속전극층을 구성하는 전극물질과 동일하거나 다른 종류의 금속일 수 있으며 합금 재질로 구성될 수도 있다. 상기 금속막은 연성기판을 안정화시키기 위한 것으로 연성기판에 대한 접착력이 우수한 재질을 적용하는 것이 바람직하다.The metal film may be the same as or different from the electrode material constituting the metal electrode layer deposited on the continuous substrate, and may be made of an alloy material. The metal film is preferably made of a material having excellent adhesion to the flexible substrate for stabilizing the flexible substrate.
구체적으로 상기 금속막은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 재질로 구성될 수 있다.Specifically, the metal film may be composed of one or more materials selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W), and copper (Cu).
상기 금속막은 RF(radio frequency) 마그네트론 스퍼터링, DC(direct current) 마그네트론 스퍼터링, MF(mid-range frequency) 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 및 화학기상증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법으로 증착될 수 있다.The metal film may be formed by a method selected from the group consisting of radio frequency (RF) magnetron sputtering, direct current magnetron sputtering, mid-range frequency magnetron sputtering, thermal evaporation, electron beam evaporation, thermal spraying and chemical vapor deposition Lt; / RTI >
상기 금속막의 증착 두께는 연성기판 일면에 증착된 전극층과 동일한 두께이거나 또는 더 크거나 작은 두께로 조절할 수 있다.The deposition thickness of the metal film can be adjusted to the same thickness as the electrode layer deposited on one side of the flexible substrate, or to a greater or lesser thickness.
상기 금속막의 면적은 연성기판 면적의 1 ~ 99% 영역을 커버하는 형태로 형성될 수 있다. 더욱 바람직하게는 연성기판 면적의 10 ~ 50 % 영역을 커버하는 형태로 형성될 수 있다.The area of the metal film may be formed to cover 1 to 99% of the area of the soft substrate. And more preferably covers 10 to 50% of the area of the flexible substrate.
또한 본 발명은, 연성기판을 준비하는 단계; 상기 연성기판 상에 금속전극층을 증착하는 단계; 상기 금속전극층 상면에 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 광흡수층 상면에 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 버퍼층 상면에 투명전극층을 증착하는 단계를 포함하여 구성되는 박막 태양전지의 제조방법으로서, 상기 연성기판을 준비하는 단계 이후, 금속전극층이 증착되는 면의 반대편 면에 패턴화된 금속막을 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 패턴화된 금속막을 증착하는 단계는, 상기 연성기판 일면에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착한 후 패터닝된 마스크를 이용하여 금속막을 에칭하는 방법으로 패턴화하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법을 제공할 수 있다.The present invention also provides a method of manufacturing a flexible substrate, comprising: preparing a flexible substrate; Depositing a metal electrode layer on the flexible substrate; Depositing a light absorbing layer on the upper surface of the metal electrode layer; Depositing a buffer layer on the upper surface of the light absorbing layer; And depositing a transparent electrode layer on the upper surface of the buffer layer, wherein the metal layer is deposited on the opposite side of the surface on which the metal electrode layer is deposited after the step of preparing the flexible substrate, Wherein the step of depositing the patterned metal film includes depositing a metal film composed of a single or a plurality of layers on one surface of the flexible substrate and then patterning the metal film by a method of etching the metal film using the patterned mask And a method for manufacturing the thin film solar cell.
또한 본 발명은, 연성기판을 준비하는 단계; 상기 연성기판 상에 금속전극층을 증착하는 단계; 상기 금속전극층 상면에 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 광흡수층 상면에 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 버퍼층 상면에 투명전극층을 증착하는 단계를 포함하여 구성되는 박막 태양전지의 제조방법으로서, 상기 연성기판을 준비하는 단계 이후, 금속전극층이 증착되는 면의 반대편 면에 패턴화된 금속막을 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 패턴화된 금속막을 증착하는 단계는, 상기 연성기판 일면에 패터닝된 마스크를 부착한 후, 상기 마스크 위에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착시켜 패터닝된 금속막을 형성하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법을 제공할 수 있다.The present invention also provides a method of manufacturing a flexible substrate, comprising: preparing a flexible substrate; Depositing a metal electrode layer on the flexible substrate; Depositing a light absorbing layer on the upper surface of the metal electrode layer; Depositing a buffer layer on the upper surface of the light absorbing layer; And depositing a transparent electrode layer on the upper surface of the buffer layer, wherein the metal layer is deposited on the opposite side of the surface on which the metal electrode layer is deposited after the step of preparing the flexible substrate, Wherein the step of depositing the patterned metal film comprises the steps of depositing a patterned mask on one surface of the flexible substrate and depositing a metal film composed of one or more layers on the mask to form a patterned metal film A method of fabricating a thin film solar cell is provided.
상기 금속전극층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다.The metal electrode layer may include at least one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, W and Cu.
상기 광흡수층은 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다. The light absorption layer may include at least one selected from the group consisting of copper (Cu), indium (In), gallium (Ga), and selenium (Se).
상기 버퍼층은 CdS, CdZnS, ZnS, ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, ZnSnO, ZnO 및 InSe로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다. The buffer layer may include at least one selected from the group consisting of CdS, CdZnS, ZnS, ZnSe, ZnInS, ZnInSe, ZnMgO, ZnSnO, ZnO, and InSe.
상기 투명전극층은 ZnO, ITO(Indium Tin Oxide), In2O3, 산화갈륨, 산화알루미늄, 산화납, 산화구리, 산화티탄, 산화철 및 이산화주석으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하여 구성될 수 있다. The transparent electrode layer may include at least one selected from the group consisting of ZnO, ITO (Indium Tin Oxide), In 2 O 3 , gallium oxide, aluminum oxide, lead oxide, copper oxide, titanium oxide, iron oxide, and tin dioxide .
상기 박막 태양전지 제조방법은 추가적으로 반사방지막 및 그리드 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The thin film solar cell manufacturing method may further include forming an anti-reflection film and a grid electrode.
본 발명에 따르면, 연성기판의 후면에 패터닝된 금속막을 증착시킴으로써 연성기판 전면에 증착된 금속전극의 압축/인장 응력을 상쇄시킬 수 있다. 또한 기판의 후면에 증착되는 금속막에는 패턴이 형성되어 있어 기판의 후면부에 조사하는 할로겐 램프 타입 히터의 조사광이 기판 후면부의 빈 공간(금속막이 형성되지 않은 공간)을 통해 기판을 투과한 후 바로 기판 전면의 금속전극에 전달되기 때문에 기판 전면부의 공정온도 조절이 용이한 장점이 있다. According to the present invention, the patterned metal film may be deposited on the back surface of the flexible substrate to offset the compression / tensile stress of the metal electrode deposited on the entire surface of the flexible substrate. In addition, a pattern is formed on the metal film deposited on the rear surface of the substrate, so that the irradiation light of the halogen lamp type heater irradiating the rear surface of the substrate passes through the substrate through the empty space (space where no metal film is formed) And is transmitted to the metal electrode on the front surface of the substrate, so that it is easy to control the process temperature of the front surface of the substrate.
도 1a는 금속전극이 전면에 증착되어 있는 박막 태양전지용 연성기판의 모식도이다.
도 1b는 도 1a의 기판이 금속전극의 압축/인장응력으로 인해 말려 있는 모습을 나타내는 사진이다.
도 2는 금속전극이 증착되어 있는 기판의 후면에 금속막이 증착되어 있는 박막 태양전지용 연성기판의 모식도이다.
도 3은 금속전극이 증착되어 있는 기판의 후면에 패터닝된 금속막이 증착되어 있는 박막 태양전지용 연성기판의 모식도이다.
도 4는 폴리이미드 기판에 증착된 패터닝 금속막 형태를 나타내는 모식도이다(도 4a는 일자형 패턴 도 4b는 벌집형 패턴임).1A is a schematic view of a flexible substrate for a thin film solar cell having a metal electrode deposited on the entire surface thereof.
1B is a photograph showing the substrate of FIG. 1A being rolled due to compression / tensile stress of the metal electrode.
2 is a schematic view of a flexible substrate for a thin film solar cell having a metal film deposited on a rear surface of a substrate on which a metal electrode is deposited.
3 is a schematic view of a flexible substrate for a thin film solar cell in which a patterned metal film is deposited on a rear surface of a substrate on which a metal electrode is deposited.
4 is a schematic view showing a patterned metal film pattern deposited on a polyimide substrate (Fig. 4A is a straight pattern and Fig. 4B is a honeycomb pattern).
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 본 발명의 목적, 특징, 장점은 이하의 내용을 통하여 쉽게 이해될 것이다. 다만 본 발명은 여기서 설명하는 실시예에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 설명은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 이하의 실시예에 의해 본 발명이 제한되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The objects, features and advantages of the present invention will be readily understood from the following description. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein, but may be embodied in other forms. The description provided herein is intended to enable those skilled in the art to fully understand the concept of the present invention. Therefore, the present invention should not be limited by the following examples.
도 1의 (a)는 종래 기술에 관한 것으로 금속전극이 전면에 증착되어 있는 박막 태양전지용 연성기판의 모식도를 나타내는 것이다. 일반적으로 박막 태양전지의 제조시에 연성기판(10) 전면에 금속전극층(20)을 증착하게 되는데 이 때 증착된 금속전극층이 가하는 압축/인장 응력으로 인해 도 1의 (b)와 같이 기판이 안쪽이나 바깥쪽으로 말리게 되는 문제가 있다. 본 발명은 상기와 같은 문제를 개선하기 위하여, 연성기판(10) 후면에 패터닝된 금속막을 증착함으로써 금속전극층이 가하는 압축/인장 응력을 완화시킬 수 있는 방법을 제안하였다.FIG. 1 (a) is a schematic view of a conventional flexible substrate for a thin film solar cell having a metal electrode deposited on the entire surface thereof. Generally, the
도 2는 금속전극이 증착되어 있는 기판의 후면에 응력상쇄용 금속막이 증착되어 있는 박막 태양전지용 연성기판의 모식도이다. 도 3은 금속전극이 증착되어 있는 기판의 후면에 패터닝된 금속막이 증착되어 있는 박막 태양전지용 연성기판의 모식도이다. 도 4는 폴리이미드 기판에 증착된 패터닝 금속막 형태를 나타내는 모식도이다(도 4a는 일자형패턴이고, 도 4b는 벌집형 패턴임).2 is a schematic view of a flexible substrate for a thin film solar cell in which a metal film for stress relief is deposited on the rear surface of a substrate on which a metal electrode is deposited. 3 is a schematic view of a flexible substrate for a thin film solar cell in which a patterned metal film is deposited on a rear surface of a substrate on which a metal electrode is deposited. 4 is a schematic view showing a patterned metal film pattern deposited on a polyimide substrate (FIG. 4A is a straight pattern and FIG. 4B is a honeycomb pattern).
본 발명은 연성기판(예, 폴리이미드 기판) 전면에 증착된 금속전극층의 압축/인장 응력을 상쇄시킬 수 있는 금속막을 연성기판 후면에 증착하되, 압축/인장 응력을 상쇄시키는 필요한 최소한의 영역만을 증착시키고 나머지 부분은 금속막이 증착되지 않은 빈 공간으로 남겨두는 것을 특징으로 한다(도 3). 이는 연성기판 후면에 증착되는 금속막이 일정한 모양을 가지도록 패터닝하는 방법으로 구현할 수 있다. 본 발명에 따르면 연성기판 후면에 패터닝된 금속막을 증착시킴으로써 금속전극층의 압축/인장 응력을 상쇄시킬 수 있을 뿐만 아니라 기판의 후면부에 조사하는 할로겐 램프 타입 히터의 조사광이 기판 후면부의 빈 공간(금속막이 증착되지 않은 공간)을 통해 연성기판을 투과한 후 바로 전면의 금속전극에 전달되기 때문에 기판 전면부의 공정온도 조절이 기존의 방법보다 훨씬 용이한 장점이 있다. 후면에 증착하는 금속막에 패턴이 들어감으로 인해서 금속전극층의 압축/인장 응력을 상쇄시킬 수 있는 능력이 약화될 수 있지만, 이는 연성기판 후면에 증착되는 패터닝된 금속막의 두께를 연성기판 전면의 금속전극층 두께보다 두껍게 조절하는 방법으로 해결 가능하다.The present invention relates to a method of depositing a metal film on the back surface of a flexible substrate capable of offsetting compressive / tensile stress of a metal electrode layer deposited on the entire surface of a flexible substrate (e.g., a polyimide substrate) by depositing only a necessary minimum region for canceling compression / And the remaining portion is left as an empty space in which the metal film is not deposited (FIG. 3). This can be realized by patterning the metal film deposited on the back surface of the flexible substrate so as to have a predetermined shape. According to the present invention, not only the compression / tensile stress of the metal electrode layer can be canceled by depositing the patterned metal film on the rear surface of the flexible substrate, but also the irradiation light of the halogen lamp type heater for irradiating the rear face of the substrate, And then transferred to the metal electrode on the front surface of the flexible substrate through the flexible substrate. Thus, the process temperature of the front surface of the substrate can be controlled more easily than the conventional method. The ability to cancel the compression / tensile stress of the metal electrode layer due to the pattern entering the metal film to be deposited on the rear surface may be weakened. However, this is because the thickness of the patterned metal film deposited on the rear surface of the flexible substrate It is possible to solve the problem by adjusting the thickness to be thicker than the thickness.
구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 연성기판의 응력 완화 방법은, 몰리브덴 금속전극층이 전면에 증착되어 있는 폴리이미드 연성기판의 후면에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 금속전극층과 동일한 재질인 몰리브덴의 금속막을 단일 층으로 증착한 다음 일자형의 패턴이 있는 마스크를 기판의 후면에 증착된 금속막 위에 올려놓은 후 에칭한 다음 최종적으로 마스크를 제거하는 방법 등으로 수행될 수 있다.More specifically, the stress relieving method of a flexible substrate according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a metal film of molybdenum, which is the same material as the metal electrode layer, on the back surface of a polyimide flexible substrate on which a molybdenum metal electrode layer is deposited, A method of depositing a mask having a pattern of a straight line on a metal film deposited on the rear surface of the substrate, etching the mask, and finally removing the mask.
이상으로 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적 실시예를 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, It will be obvious that it is not. Accordingly, the actual scope of the present invention will be defined by the appended claims and their equivalents.
10: 연성기판
20: 금속전극
30: 금속막
40: 패터닝된 금속막
41: 패터닝된 금속막 (일자형 패턴)
42: 패터닝된 금속막 (벌집형 패턴)10: flexible substrate
20: metal electrode
30: metal film
40: patterned metal film
41: Patterned metal film (straight pattern)
42: Patterned metal film (honeycomb pattern)
Claims (10)
연성기판을 준비하는 단계(단계 a-1);
상기 연성기판 일면에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착하는 단계(단계 a-2); 및
증착된 금속막을 패터닝하는 단계(단계 a-3)를 포함하고,
상기 단계 a-2에서 금속막은, 금속전극이 증착되는 면의 반대편 면에 증착되며,
상기 단계 a-3는 패터닝된 마스크를 이용하여 금속막을 에칭하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
A stress relieving method for a flexible substrate for a thin film solar cell,
Preparing a flexible substrate (step a-1);
Depositing a metal film composed of a single layer or a plurality of layers on one surface of the flexible substrate (step a-2); And
And patterning the deposited metal film (step a-3)
In the step a-2, the metal film is deposited on the opposite surface of the surface on which the metal electrode is deposited,
Wherein the step a-3 is performed by a method of etching a metal film using a patterned mask.
연성기판을 준비하는 단계(단계 b-1);
상기 연성기판 일면에 패터닝된 마스크를 부착하는 단계(단계 b-2); 및
상기 마스크 위에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착시켜 패터닝된 금속막을 형성하는 단계(단계 b-3)를 포함하고,
상기 단계 b-2에서 마스크는 금속전극이 증착되는 면의 반대편 면에 부착되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
A stress relieving method for a flexible substrate for a thin film solar cell,
Preparing a flexible substrate (step b-1);
Attaching a patterned mask on one surface of the flexible substrate (step b-2); And
(Step b-3) depositing a metal film composed of a single or plural layers on the mask to form a patterned metal film,
Wherein the mask is attached to the opposite surface of the surface on which the metal electrode is deposited.
상기 연성기판은 스테인레스 연성기판, Ni-Fe계 연성기판 및 고분자 재질로 이루어진 연성기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the flexible substrate is selected from the group consisting of a stainless steel flexible substrate, a Ni-Fe flexible substrate, and a flexible substrate made of a polymeric material.
상기 고분자 재질로 이루어진 연성기판은 폴리이미드 기판인 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
The method of claim 3,
Wherein the soft substrate made of the polymer material is a polyimide substrate.
상기 금속막은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the metal film comprises at least one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), tungsten (W) and copper (Cu) Mitigation method.
상기 금속막은 RF 마그네트론 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, MF 마그네트론 스퍼터링, 열증발법, 전자빔증발법, 열분무법 및 화학기상증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
The method according to claim 1 or 2,
The metal film is deposited by a method selected from the group consisting of RF magnetron sputtering, DC magnetron sputtering, MF magnetron sputtering, thermal evaporation, electron beam evaporation, thermal spraying, and chemical vapor deposition. Stress relaxation method.
상기 금속막의 면적은 연성기판 면적의 1 ~ 99% 영역을 커버하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the area of the metal film covers the area of 1 to 99% of the area of the flexible substrate.
상기 금속막의 면적은 연성기판 면적의 10 ~ 50 % 영역을 커버하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지용 연성기판의 응력 완화 방법.
The method according to claim 1 or 2,
Wherein the metal film is formed to cover an area of 10 to 50% of the area of the flexible substrate.
연성기판을 준비하는 단계; 상기 연성기판 상에 금속전극층을 증착하는 단계; 상기 금속전극층 상면에 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 광흡수층 상면에 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 버퍼층 상면에 투명전극층을 증착하는 단계를 포함하여 구성되며,
상기 연성기판을 준비하는 단계 이후, 금속전극층이 증착되는 면의 반대편 면에 패턴화된 금속막을 증착하는 단계를 더 포함하고,
상기 패턴화된 금속막을 증착하는 단계는,
상기 연성기판 일면에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착한 후 패터닝된 마스크를 이용하여 금속막을 에칭하는 방법으로 패턴화하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
A manufacturing method of a thin film solar cell having a stress relieving metal film formed on a back surface of a flexible substrate,
Preparing a flexible substrate; Depositing a metal electrode layer on the flexible substrate; Depositing a light absorbing layer on the upper surface of the metal electrode layer; Depositing a buffer layer on the upper surface of the light absorbing layer; And depositing a transparent electrode layer on the upper surface of the buffer layer,
Further comprising the step of depositing a patterned metal film on a side opposite to the side on which the metal electrode layer is deposited,
Wherein depositing the patterned metal film comprises:
Depositing a metal film composed of a single or a plurality of layers on one surface of the flexible substrate, and patterning the metal film by etching the metal film using a patterned mask.
연성기판을 준비하는 단계; 상기 연성기판 상에 금속전극층을 증착하는 단계; 상기 금속전극층 상면에 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 광흡수층 상면에 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 버퍼층 상면에 투명전극층을 증착하는 단계를 포함하여 구성되며,
상기 연성기판을 준비하는 단계 이후, 금속전극층이 증착되는 면의 반대편 면에 패턴화된 금속막을 증착하는 단계를 더 포함하고,
상기 패턴화된 금속막을 증착하는 단계는,
상기 연성기판 일면에 패터닝된 마스크를 부착한 후, 상기 마스크 위에 단일 또는 복수의 층으로 구성된 금속막을 증착시켜 패터닝된 금속막을 형성하는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법.
A manufacturing method of a thin film solar cell having a stress relieving metal film formed on a back surface of a flexible substrate,
Preparing a flexible substrate; Depositing a metal electrode layer on the flexible substrate; Depositing a light absorbing layer on the upper surface of the metal electrode layer; Depositing a buffer layer on the upper surface of the light absorbing layer; And depositing a transparent electrode layer on the upper surface of the buffer layer,
Further comprising the step of depositing a patterned metal film on a side opposite to the side on which the metal electrode layer is deposited,
Wherein depositing the patterned metal film comprises:
The method comprising: attaching a patterned mask on one surface of the flexible substrate; and depositing a metal film composed of a single or a plurality of layers on the mask to form a patterned metal film.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| KR (1) | KR101877847B1 (en) |
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- 2017-02-23 KR KR1020170024089A patent/KR101877847B1/en active IP Right Grant
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |