KR101858662B1 - Sand blasting applied PIG(phosphor in glass) layer and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 title claims abstract description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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Abstract
Description
본 발명은 샌드 블래스팅이 적용된 PIG층 및 PIG층의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 차량용 엘이디 칩(LED chip)에 사용되는 PIG(phosphor in glass)층을 제조함에 있어서, 유리 분말과 형광물질로 형성된 PIG 성형체의 표면을 샌드 블래스팅 처리를 하여 요철을 형성함으로써, 표면적을 증가시키고 엘이디 칩으로부터 발산되는 광선의 외부로의 투과율을 향상시켜 광출력을 높이는 샌드 블래스팅이 적용된 PIG층 및 PIG층의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a PIG layer and a PIG layer to which sandblasting is applied and more particularly to a method of manufacturing a PIG (phosphor in glass) layer for use in a LED chip for a vehicle, The surface of the PIG formed body is sandblasted to form irregularities to increase the surface area and improve the transmittance of light emitted from the LED chip to the outside, Layer. ≪ / RTI >
발광다이오드는 광통신 및 디스플레이 등 다양한 분야에서 사용되고 있다. 발광다이오드는 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 반도체 소자로서, 에너지 밴드갭에 따른 특정한 파장의 빛을 내는 화합물 반도체로 구성된다.Light emitting diodes are used in various fields such as optical communication and display. A light emitting diode is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy, and is made of a compound semiconductor that emits light of a specific wavelength according to an energy band gap.
일반적으로, 발광다이오드, 즉, 엘이디(LED, Light Emitting Diode) 칩은 전류 인가로 P-N 반도체 접합(P-Njunction)에 의해 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 소자로서, 도 1은 전형적인 엘이디 칩의 구조를 나타낸 도면이다.2. Description of the Related Art In general, a light emitting diode (LED) is a device in which electrons and holes meet and emit light by a PN junction (P-Njunction) Fig.
통상 LED 칩은 기판 상에 탑재된 패키지의 구조로 제작되며, 이를 흔히 엘이디 또는 엘이디 패키지라 부른다. 이러한 엘이디 패키지는 외부로부터 전류를 인가받아 발광 동작하도록 구성된다.Generally, an LED chip is fabricated in a package structure mounted on a substrate, and is often referred to as an LED or an LED package. The LED package is configured to emit light by receiving a current from the outside.
차량용으로 사용되는 엘이디는 통상적으로 블루 엘이디에 유리 분말과 형광물질이 혼합되어 성형된 PIG(phosphor in glass)층이 적층되어 빛의 색상을 청색광에서 백색광으로 변환한다.In general, LEDs used for automobiles are formed by layering a PIG (phosphor in glass) layer formed by mixing a glass powder and a fluorescent material in a blue LED to convert light colors from blue light to white light.
종래에는 엘이디의 광출력을 높이기 위해 블루 엘이디 표면 상에 화학적 에칭(etching)을 통해 요철을 형성하여 블루 엘이디로부터 외부로 투과되는 빛의 양을 증가시켰다.Conventionally, in order to increase the light output of the LED, unevenness is formed through chemical etching on the surface of the blue LED to increase the amount of light transmitted from the blue LED to the outside.
그러나 이러한 화학적 에칭 작업은 환경오염 문제를 유발할 뿐만 아니라 비용도 많이 소요되어, 엘이디의 고질적인 문제로 지적되어 왔다.However, this chemical etching process has caused environmental pollution problems as well as costly and has been pointed out as an inherent problem of LED.
따라서 차량용 엘이디의 광출력을 높이기 위한 환경 친화적이고도, 경제적인 제조방법의 개발이 절실히 요청된다.Therefore, it is urgently required to develop an environmentally friendly and economical manufacturing method for increasing the light output of a vehicle LED.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하고자 제안된 것으로서, 차량용 엘이디의 광출력을 친환경적인 방법으로 증가시키는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to increase the light output of a vehicle LED by an environmentally friendly method.
또한 본 발명은 차량용 엘이디의 광출력을 경제적인 방법으로 증가시키는 것을 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to increase the light output of a vehicular LED in an economical manner.
또한 본 발명은 차량용 엘이디의 광출력을 정량적으로 제어하기 위한 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a manufacturing method for quantitatively controlling the light output of a vehicle LED.
본 발명은 차량용 엘이디 칩(LED chip)에 사용되는 블루 엘이디 칩 상부 표면에 적층되는 PIG(phosphor in glass)층의 제조방법에 있어서, 유리 분말과 형광물질을 소정의 비율로 혼합한 후 프레스로 압력을 가하여 PIG 성형체를 형성하는 프레스 단계; 상기 프레스 단계를 통해 성형된 PIG 성형체에 열을 가하여 강도를 높이는 히팅 단계; 상기 PIG 성형체 일측면을 연마하여 표면 조도를 높이고 광택이 나도록 하여 빛의 투과율을 높이는 1차 폴리싱 단계; 상기 PIG 성형체 표면 상에 식각을 통해 패턴을 형성하는 식각 단계; 상기 식각된 PIG 성형체에서 상기 블루 엘이디 칩(10)에서 생성된 빛이 투과되어 외부로 발산되는 일측면에 요철을 형성하는 요철 형성 단계; 상기 PIG 성형체의 타측면을 연마하여 PIG 성형체가 설계 치수를 만족 하고 표면 광택이 나도록 하여 빛의 투과율을 높이는 2차 폴리싱 단계; 및 PIG 성형체를 소정의 크기로 절단하는 절단 단계;를 포함하며, PIG층 표면 상에 형성된 요철로 인하여 표면적을 증가시키고 엘이디 칩으로부터 발산되는 광선의 외부로의 투과율을 향상시켜 광출력을 높이는 것을 특징으로 하는, PIG(phosphor in glass)층의 제조방법을 제공한다.The present invention relates to a method of manufacturing a phosphor in glass (PIG) layer to be laminated on the upper surface of a blue LED chip used in a LED chip for a vehicle, comprising the steps of mixing a glass powder and a fluorescent material at a predetermined ratio, To form a PIG molded body; A heating step of applying heat to the PIG formed body through the pressing step to increase the strength; A first polishing step of polishing the one side surface of the PIG molded body to increase the surface roughness and gloss to increase light transmittance; An etching step of forming a pattern on the surface of the PIG compact through etching; Forming concavities and convexities on one side of the etched PIG formed body through which the light generated from the blue LED chip 10 is transmitted to the outside; A second polishing step of polishing the other side surface of the PIG molded body to increase the transmittance of light by satisfying the designed dimensions and surface gloss of the PIG molded body; And a cutting step of cutting the PIG formed body to a predetermined size, wherein the surface area is increased due to the unevenness formed on the surface of the PIG layer, and the light transmittance to the outside of the LED chip is increased to enhance the light output (PIG) layer formed on the substrate.
또한 본 발명의 상기 요철 형성 단계는 모래 등의 입자를 표면에 충돌시켜 표면 상에 불규칙한 요철을 형성하는 샌드 블래스팅에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.The step of forming irregularities of the present invention is characterized in that the irregularities are formed by sand blasting which forms irregular irregularities on the surface by colliding particles of sand or the like on the surface.
또한 본 발명의 상기 표면 요철의 깊이는 상기 입자를 분사하는 분사 노즐의 압력을 제어하여 조절되는 것을 특징으로 한다.Further, the depth of the surface irregularities of the present invention is controlled by controlling the pressure of the spray nozzle for spraying the particles.
또한 본 발명은 상기 제2차 폴리싱 단계와 상기 절단 단계 사이에 요철 형성 단계를 더 포함할 수 있다. In addition, the present invention may further include a step of forming irregularities between the second polishing step and the cutting step .
또한 본 발명의 상기 히팅 단계는, 챔버 내에서 PIG 성형체를 가열하는 1차 히팅 단계; 및 챔버 내에서 소정 압력으로 가압하면서 PIG 성형체를 가열하는 2차 히팅 단계;를 포함한다.The heating step of the present invention may further include: a first heating step of heating the PIG molded body in the chamber; And a secondary heating step of heating the PIG molded body while pressurizing the chamber at a predetermined pressure.
또한 본 발명은 상기 제조방법에 의해 제조된 PIG층을 제공한다.The present invention also provides a PIG layer produced by the above-mentioned production method.
또한 본 발명은 상기 제조방법에 의해 제조된 PIG층이 적층된 엘이디 칩을 제공한다.The present invention also provides an LED chip in which a PIG layer produced by the above-described manufacturing method is laminated.
본 발명에 따른 PIG층의 제조방법은 차량용 엘이디의 광출력을 친환경적인 방법으로 증가시키는 효과가 있다.The method of manufacturing a PIG layer according to the present invention has the effect of increasing the light output of a vehicle LED by an environmentally friendly method.
또한 본 발명에 따른 PIG층의 제조방법은 차량용 엘이디의 광출력을 경제적인 방법으로 증가시키는 효과가 있다.Further, the method of manufacturing a PIG layer according to the present invention has the effect of increasing the light output of a vehicle LED in an economical manner.
또한 본 발명에 따른 PIG층의 제조방법은 차량용 엘이디의 광출력을 정량적으로 제어하는 효과가 있다.The method of manufacturing a PIG layer according to the present invention has an effect of quantitatively controlling light output of a vehicle LED.
도 1은 엘이디 칩의 구조를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 PIG층이 적층된 엘이디 칩의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 PIG층의 제조방법의 흐름도이다.1 is a view for explaining a structure of an LED chip.
2 is a cross-sectional view of an LED chip in which a PIG layer according to the present invention is laminated.
3 is a flow chart of a method of manufacturing a PIG layer according to the present invention.
이하, 본 문서의 다양한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나 이는 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 문서의 실시예의 다양한 변경(modifications), 균등물(equivalents), 및/또는 대체물(alternatives)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.Hereinafter, various embodiments of the present document will be described with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the techniques described herein are not intended to be limited to any particular embodiment, but rather include various modifications, equivalents, and / or alternatives of the embodiments of this document. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for similar components.
또한, 본 문서에서 사용된 "제1," "제2," 등의 표현들은 다양한 구성요소들을, 순서 및/또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 예를 들면, '제1 부분'과 '제2 부분'은 순서 또는 중요도와 무관하게, 서로 다른 부분을 나타낼 수 있다. 예를 들면, 본 문서에 기재된 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 바꾸어 명명될 수 있다.Also, the terms "first," "second," and the like used in the present document can be used to denote various components in any order and / or importance, and to distinguish one component from another But is not limited to those components. For example, 'first part' and 'second part' may represent different parts, regardless of order or importance. For example, without departing from the scope of the rights described in this document, the first component may be named as the second component, and similarly the second component may be named as the first component.
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도 2는 본 발명에 따른 PIG층(20)이 적층된 엘이디 칩의 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 PIG층(20)의 제조방법의 흐름도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of an LED chip in which a
도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.Will be described with reference to Figs. 2 and 3. Fig.
도 2에 도시된 바와 같이, 차량용 엘이디 칩은 블루 엘이디 칩(10) 상부에 PIG층(20)이 적층된다.As shown in FIG. 2, the
PIG층(20)은 블루 엘이디 칩(10)으로부터 투사되는 청색광을 백색광으로 변환하기 위해 적층된다.The
엘이디는 인가된 전류에 대한 광출력을 극대화 하는 것이 가장 큰 과제이다. 엘이디 칩으로부터 발생되는 광량은 동일하지만 그로부터 외부로 투사되는 광출력은 엘이디 칩 표면과 PIG층(20)의 표면 상태에 영향을 받게 된다.The biggest challenge is to maximize the light output for an applied current. The amount of light generated from the LED chip is the same, but the light output projected from the LED chip is influenced by the surface state of the LED chip and the surface of the
종래에는 블루 엘이디 칩(10)의 표면에 화학적 에칭을 통해 요철(30)을 형성함으로써 광출력을 증가시키는 방법을 사용하였다.Conventionally, a method of increasing the light output by forming the
그러나 이러한 화학적 에칭은 환경오염 문제를 유발함과 동시에 비용도 많이 들어 해결해야할 기술적 과제가 되었다.However, such a chemical etching has caused a problem of environmental pollution, and it has become a technical problem to solve because it is costly.
이에 본 발명에서는 백색광 변환을 위해 적층되는 PIG층(20)에 요철(30)을 형성함으로써, 이러한 문제를 해결하였다.Thus, the present invention solves this problem by forming the projections and
본 발명에 따른 차량용 엘이디 칩에 사용되는 PIG층(20)의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.A method of manufacturing the
PIG층(20)의 제조방법은 프레스 단계(S10), 히팅 단계(S20), 1차 폴리싱 단계(S30), 식각 단계(S40), 요철 형성 단계(S50), 2차 폴리싱 단계(S31), 절단 단계(S60)를 포함한다.The manufacturing method of the
프레스 단계(S10)는 유리 분말(21)과 형광물질(22)을 소정의 비율로 혼합한 후 프레스로 압력을 가하여 PIG 성형체를 형성하는 단계이다. 이 때 프레스의 압력은 10 내지 40톤 정도를 부가한다.The pressing step S10 is a step of mixing the
이러한 프레스 단계(S10)를 거치게 되면 유리 분말(21)과 형광물질(22)의 혼합물은 소정의 형상을 갖춘 PIG 성형체가 형성된다. When the pressing step S10 is performed, a mixture of the
이 때 PIG 성형체는 강도가 약한 상태이므로, 소정 이상의 강도를 부여하기 위해 히팅 단계(S20)를 거치게 된다.At this time, since the PIG formed body is in a weak state, it is subjected to a heating step (S20) to give a predetermined strength or more.
히팅 단계(S20)는 1차 히팅 단계(S21)와 2차 히팅 단계(S22)로 이뤄진다.The heating step S20 includes a first heating step S21 and a second heating step S22.
1차 히팅 단계(S21)에서는 PIG 성형체를 챔버에 넣고 소정 온도로 가열한다. 이 단계를 통해 PIG 성형체 내부의 수분이 증발되고 단단하게 굳어지게 된다.In the primary heating step S21, the PIG molded body is put into a chamber and heated to a predetermined temperature. Through this step, moisture inside the PIG molded body is evaporated and hardened.
2차 히팅 단계(S22)에서는 PIG 성형체를 챔버에 넣고 소정 압력으로 가압하면서 PIG 성형체를 가열한다. 이 단계에서는 PIG층(20) 내부에 존재하는 기포를 제거하여 조직을 균일하게 형성하기 위함이다.In the secondary heating step (S22), the PIG molded body is placed in a chamber and heated while the PIG molded body is pressurized to a predetermined pressure. In this step, bubbles existing in the
1차 폴리싱 단계(S30)는 PIG 성형체의 일측면을 연마하여 표면 조도를 높이고 광택이 나도록 하여 빛의 투과율을 높이는 단계이다. 블루 엘이디 내부에서 생성된 빛은 PIG 성형체를 투과하여야 하므로, PIG 성형체는 광택이 나도록 연마되어야 한다. 또한 표면 조도를 높이면 정확한 패터닝이 가능한 장점도 있다.The first polishing step S30 is a step of polishing the one side of the PIG molded body to increase the surface roughness and gloss to increase the light transmittance. Since the light generated inside the blue LED must penetrate the PIG molded body, the molded PIG body must be polished to be polished. In addition, there is an advantage that accurate patterning can be performed by increasing the surface roughness.
식각 단계(S40)는 PIG 성형체 표면 상에 식각을 통해 패턴을 형성하는 단계이다. PIG 성형체에는 전선의 배치 경로 등이 형성되어야 한다. 이를 위해 포토 레지스트를 사용하여 식각을 하게 된다.The etching step S40 is a step of forming a pattern on the surface of the PIG molded body through etching. The PIG formed body should be provided with a wire routing path and the like. For this purpose, etching is performed using a photoresist.
다음으로는 식각된 PIG 성형체의 일측면에 요철(30)을 형성하는 요철 형성 단계(S50)가 수행된다.Next, a concavity and convexity forming step (S50) is performed to form concave and
요철(30)은 모래 등의 입자를 노즐을 사용하여 PIG 성형체의 표면에 충돌시켜 형성된다. 이와 같이 표면 상에 요철(30)을 형성하는 샌드 블래스팅은 기계적인 방법으로서, 가공에 소요되는 비용이 적을 뿐만 아니라 친환경적이어서 종래의 고질적인 광출력 문제를 해결하는 효과적인 방법이다.The
PIG 성형체는 표면 상에 형성된 요철(30)로 인하여 표면적이 증가되고, 블루 엘이디 칩(10)으로부터 발산되는 광선의 외부로의 투과율을 향상시켜 광출력을 높이게 된다.The surface area of the PIG formed body is increased by the
요철(30)이 형성되는 표면은 광출력에 보다 큰 영향을 미치는 PIG층(20) 상부 표면에 우선적으로 형성함이 바람직하다. 그러나 이에 국한되지 않고 PIG층(20) 하부 표면에 요철(30)이 형성될 수도 있다.It is preferable that the surface on which the concavities and
표면 요철(30)의 깊이는 입자를 분사하는 분사 노즐의 압력을 제어하여 정량적으로 조절이 가능하다. 따라서 광출력과 표면 요철(30)의 깊이와의 상관 관계, 그리고 분사 노즐의 압력과 표면 요철(30)의 깊이를 검토하여, 소정의 광출력을 달성하기 위해 분사 노즐 압력을 적절히 제어할 수 있는 것이다.The depth of the
PIG층(20)의 표면 요철(30)의 깊이는 바람직하게는 1 마이크로 미터 내외가 적절하다.The depth of the
샌드 블래스팅은 표면 상에 강한 충격을 주게 되므로, 블루 엘이디에 적용하는 것은 적절하지 않다. 블루 엘이디 표면에 샌드 블래스팅을 적용하게 되면 표면에 크랙이 형성될 수 있어, 제품 안정성이 문제될 수 있다.Since sandblasting gives a strong impact on the surface, it is not appropriate to apply to blue LED. Application of sandblasting to the surface of the blue LED may cause cracks on the surface, which may cause product stability problems.
이 뿐 아니라 블루 엘이디 제작은 클린 룸(clean room)에서 이뤄지는데, 샌드 블래스팅의 특성상 미세 알갱이들이 비산되므로 작업 공간을 이동해서 작업해야 되는 번거로움이 따르게 된다.In addition, the production of blue LEDs is done in a clean room. Due to the nature of the sand blasting, fine grains are scattered, which makes it difficult to move the workspace.
다음으로 PIG 성형체의 타측면을 연마하여 PIG 성형체가 설계 치수를 만족 하고 표면 광택이 나도록 하여 빛의 투과율을 높이는 2차 폴리싱 단계(S31)가 수행된다.Next, a second polishing step (S31) is performed to polish the other side of the PIG molded body so that the PIG molded body satisfies the designed dimensions and surface gloss to increase the light transmittance.
2차 폴리싱 단계(S31)에 이어서 요철 형성 단계(S50)가 수행될 수 있다.Following the second polishing step S31, a concavity and convexity forming step S50 may be performed.
요철 형성 단계(S50)는 PIG층(20)의 일측면에만 이뤄질 수도 있고, 양측면에 이뤄질 수도 있다. 이는 가공에 투입되는 시간 및 비용과 광출력 향상을 고려하여 유연하게 선택할 수 있는 사항이다.The unevenness forming step S50 may be performed only on one side of the
최종적으로 PIG층(20)을 소정의 크기로 절단하는 절단 단계(S60)가 수행된다.Finally, a cutting step S60 for cutting the
절단된 PIG층(20)은 블루 엘이디의 상부 표면에 접착제로 접착되어 엘이디 패키지를 이룬다.The
본 발명에 따른 PIG층(20)층은 샌드 블래스팅이 적용되어 요철(30)이 형성됨으로써, 화학적 방법을 동원하지 않고 경제적으로 광출력을 향상시킬 수 있게 된다.The
본 발명에 따른 PIG층(20)은 종래의 블루 엘이디 표면 상에 요철(30)을 형성하는 제작방법과 병행하여 수행될 수도 있어, 종래 제조라인의 변경 없이 적용이 가능하다.The
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.
프레스 단계 S10
히팅 단계 S20
1차 히팅 단계 S21
2차 히팅 단계 S22
1차 폴리싱 단계 S30
2차 폴리싱 단계 S31
식각 단계 S40
요철 형성 단계 S50
절단 단계 S60
블루 엘이디 칩 10
PIG층 20
유리 분말 21
형광물질 22
요철 30Press step S10
The heating step S20
The primary heating step S21
Secondary heating step S22
The first polishing step S30
Second polishing step S31
The etching step S40
The unevenness forming step S50
Cutting step S60
Fluorescent substance 22
Uneven 30
Claims (7)
유리 분말(21)과 형광물질(22)을 소정의 비율로 혼합한 후 프레스로 압력을 가하여 PIG 성형체를 형성하는 프레스 단계(S10);
상기 프레스 단계(S10)를 통해 성형된 PIG 성형체에 열을 가하여 강도를 높이는 히팅 단계(S20);
상기 PIG 성형체 일측면을 연마하여 표면 조도를 높이고 광택이 나도록 하여 빛의 투과율을 높이는 1차 폴리싱 단계(S30);
상기 PIG 성형체 표면 상에 식각을 통해 패턴을 형성하는 식각 단계(S40);
상기 식각된 PIG 성형체에서 상기 블루 엘이디 칩(10)에서 생성된 빛이 투과 되어 외부로 발산되는 일측면에 요철(30)을 형성하는 요철 형성 단계(S50); 및
PIG 성형체를 소정의 크기로 절단하는 절단 단계(S60);를 포함하며,
상기 히팅 단계(S20)는,
챔버 내에서 PIG 성형체를 소정 온도로 가열하는 1차 히팅 단계(S21); 및
챔버 내에서 소정 압력으로 가압하면서 PIG 성형체를 소정 온도로 가열하는 2차 히팅 단계(S22);를 포함하며,
상기 요철 형성 단계(S50)는 모래 등의 입자를 표면에 충돌시켜 표면 상에 불규칙한 요철(30)을 형성하는 샌드 블래스팅에 의해 형성되며,
PIG층의 표면 상에 형성된 불규칙한 요철(30)로 인하여 표면적을 증가시키고 엘이디 칩으로부터 발산되는 광선의 외부로의 투과율을 향상시켜 광출력을 높이는 것을 특징으로 하는, PIG(phosphor in glass)층의 제조방법A method of manufacturing a phosphor in glass (PIG) layer to be laminated on a top surface of a blue LED chip (10) used in a LED chip for a vehicle,
A pressing step (S10) of mixing a glass powder (21) and a fluorescent material (22) at a predetermined ratio and applying a pressure to form a PIG molded body;
A heating step (S20) of increasing the strength by applying heat to the PIG formed body formed through the pressing step (S10);
A first polishing step (S30) of polishing the one side surface of the PIG molded body to increase the surface roughness and gloss to increase the light transmittance;
An etching step (S40) of forming a pattern on the surface of the PIG compact through etching;
A step (S50) of forming recesses and protrusions (30) on one side of the etched PIG formed body through which light generated in the blue LED chip (10) is transmitted to the outside; And
(S60) of cutting the PIG formed body to a predetermined size,
The heating step (S20)
A first heating step (S21) of heating the PIG molded body to a predetermined temperature in the chamber; And
And a secondary heating step (S22) of heating the PIG molded body to a predetermined temperature while being pressurized at a predetermined pressure in the chamber,
The unevenness forming step (S50) is formed by sand blasting which forms irregular irregularities (30) on the surface by colliding particles of sand or the like on the surface,
(PIG) layer formed on the surface of the PIG layer by increasing the surface area and increasing the transmittance of light emitted from the LED chip to the outside to increase the light output. Way
상기 표면 요철(30)의 깊이는 상기 입자를 분사하는 분사 노즐의 압력을 제어하여 조절되는 것을 특징으로 하는, PIG층(20)의 제조방법The method according to claim 1,
Wherein the depth of the surface irregularities (30) is controlled by controlling the pressure of the spraying nozzle for spraying the particles.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170115204A KR101858662B1 (en) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | Sand blasting applied PIG(phosphor in glass) layer and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170115204A KR101858662B1 (en) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | Sand blasting applied PIG(phosphor in glass) layer and manufacturing method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101858662B1 true KR101858662B1 (en) | 2018-05-17 |
Family
ID=62486230
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101858662B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015020205A1 (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | 株式会社光波 | Light emitting device |
-
2017
- 2017-09-08 KR KR1020170115204A patent/KR101858662B1/en active IP Right Grant
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